中微半导体申请高深宽比结构刻蚀专利，保证高深宽比结构内部刻蚀效果

本文源自:金融界

金融界2025年5月1日消息，国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“一种高深宽比结构的刻蚀方法及其等离子体处理装置”的专利，公开号CN119890042A，申请日期为2023年10月。

专利摘要显示，本发明公开了一种高深宽比结构的刻蚀方法及其等离子体处理装置，该高深宽比结构的刻蚀方法包含：向真空反应腔中通入所需的工艺气体；采用脉冲方式向腔内施加射频功率以对基片进行刻蚀；其中，刻蚀过程包含多个脉冲周期，所述脉冲周期包含第一刻蚀阶段和第二刻蚀阶段，所述第一刻蚀阶段包含：向腔内施加高频射频功率和低频射频功率，对基片进行刻蚀；所述第二刻蚀阶段包含：降低高频射频功率和低频射频功率，开启辅助光源向基片提供辅助光。该方法可有效地改善刻蚀过程中高深宽比结构中的正离子残留问题以及副产物的分布，以保证高深宽比结构内部的刻蚀效果，进而便于后续工艺的推进，有助于提升后续成品器件的良品率。

天眼查资料显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司，成立于2004年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本62236.3735万人民币。通过天眼查大数据分析，中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了27家企业，参与招投标项目64次，财产线索方面有商标信息75条，专利信息1497条，此外企业还拥有行政许可71个。