中微半导体申请一种下电极组件及等离子体处理装置专利，解决下电极局部放电造成的部件损坏

本文源自:金融界

金融界2025年6月24日消息，国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“一种下电极组件及等离子体处理装置”的专利，公开号CN120199671A，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本发明提供了一种下电极组件及等离子体处理设备，属于半导体处理设备领域，为了解决下电极局部放电造成的部件损坏，具体包括基座；介质环，其环绕所述基座，介质环的内侧与基座之间具有一缝隙；聚焦环，其位于介质环上方，聚焦环包含靠近基片的内环区域和远离基片的外环区域；插入环，其位于所述介质环上方，且位于内环区域与基座之间，插入环为介质材料；以及内环区域的上表面低于所述插入环的上表面，用于对基片表面进行等离子体处理。

天眼查资料显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司，成立于2004年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本62236.3735万人民币。通过天眼查大数据分析，中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了28家企业，参与招投标项目66次，财产线索方面有商标信息76条，专利信息1490条，此外企业还拥有行政许可72个。