恭喜！长晶浦联功率半导体项目，开业大吉！耐科装备等企业到场祝贺

1 恭喜！长晶浦联功率半导体项目，开业大吉！耐科装备等企业到场祝贺

2024 年 12 月 5 日，江苏长晶浦联功率半导体有限公司在江苏隆重举行开业庆典，气氛热烈。耐科装备等众多知名企业应邀出席，共同见证了这一重要时刻。此次开业活动标志着长晶浦联一期项目的正式落成，为当地半导体产业的发展注入了新的活力。

在开业典礼上，江苏长晶浦联功率半导体有限公司的负责人发表了热情洋溢的致辞，对各位嘉宾的到来表示热烈欢迎和衷心感谢。他表示，长晶浦联将以此次开业为契机，不断加强技术创新和产品研发，努力提升企业核心竞争力，为客户提供更加优质的功率半导体产品和解决方案。

作为本次活动的一大亮点，海德半导体封测项目签约仪式也同期举行。该项目的签约将进一步完善当地半导体产业链，提高产业配套能力，为推动半导体产业的高质量发展奠定坚实基础。

耐科装备等企业代表对江苏长晶浦联功率半导体有限公司的开业表示祝贺，并表示将加强与长晶浦联的合作，共同探索半导体产业的发展新机遇，为行业的繁荣做出积极贡献。

江苏长晶浦联功率半导体有限公司的开业，是当地半导体产业发展的一个重要里程碑。相信在各方的共同努力下，长晶浦联将不断发展壮大，成为国内领先的功率半导体企业，为推动我国半导体产业的发展做出更大的贡献。

江苏长晶浦联功率半导体有限公司是国内功率器件厂家十强企业。功率器件是半导体产业中产值高达200亿美金的大板块，是关系高铁动力系统、汽车动力系统、消费及通讯电子系统等领域能否实现自主可控的核心零部件。全球功率器件市场规模超过200亿美金，年增长率5%左右。

2 传SK海力士将采用台积电3nm生产HBM4，三星考虑跟进

据市场传闻，SK海力士（SK Hynix）为满足重要客户的需求，计划在2025年下半年采用3纳米工艺生产第六代高带宽存储器（HBM）“HBM4”，而非原先规划的5纳米制程。

这一消息由《韩国经济新闻》于近日援引半导体业界消息进行报道。据悉，SK海力士已决定与晶圆代工巨头台积电合作开发HBM4，主要出货客户为英伟达（Nvidia Corp.）。

消息人士透露，SK海力士最快将于2024年3月发布一款采用3纳米基础裸晶的垂直堆叠HBM4原型。目前，英伟达的GPU主要基于4纳米HBM技术。基础裸晶位于连接GPU的HBM底部，其作用相当于芯片的大脑。通过堆叠在3纳米基础裸晶上的HBM，预计其效能将较5纳米HBM4提升20%至30%。

SK海力士此次决定用3纳米裸晶生产HBM4，或进一步拉大与竞争对手三星电子（Samsung Electronics Co.）的差距。据悉，三星原计划采用自家4纳米制程生产HBM4。然而，随着SK海力士选择更先进的3纳米工艺，三星也面临了压力。

据@Jukanlosreve近日在社交平台上爆料，SK海力士之所以改变策略，选择台积电3纳米技术制造HBM4，是为了回应三星此前宣布将以4纳米生产HBM4的消息。然而，有趣的是，三星目前也在考虑采用3纳米工艺生产HBM4，甚至可能同样选用台积电的3纳米技术。

HBM作为一种高性能存储器，广泛应用于高性能计算、数据中心以及人工智能等领域。随着技术的不断进步，市场对HBM的需求也在持续增长。SK海力士此次选择更先进的3纳米工艺生产HBM4，不仅有助于提升产品性能，还将进一步巩固其在高端存储器市场的地位。

对于三星来说，面对SK海力士的强势进攻，其也需要尽快做出决策以应对市场竞争。如果三星最终选择跟进并采用3纳米工艺生产HBM4，那么这将是一场在先进制程技术上的直接较量。

另一边，台积电作为全球领先的晶圆代工厂商，其3纳米工艺已经得到了广泛认可。SK海力士选择与台积电合作，是为了确保HBM4产品的质量和性能。而三星如果也选择台积电的技术，则将进一步证明3纳米工艺在高端存储器市场中的重要地位。

（转自：今日半导体）