芯联集成电路申请快恢复二极管及其制作方法专利，降低了制作成本

本文源自:金融界

金融界2025年5月17日消息，国家知识产权局信息显示，芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“快恢复二极管及其制作方法”的专利，公开号CN119997523A，申请日期为2025年2月。

专利摘要显示，本发明提供一种快恢复二极管及其制作方法，所述方法包括：提供衬底，所述衬底包括相对设置的正面与背面；对所述衬底的正面进行离子注入形成阳极区与终端区；在所述衬底的正面依次形成氧化层与钝化层；依次刻蚀所述钝化层与所述氧化层形成暴露所述阳极区的接触孔；在所述衬底的正面形成正面金属层，所述正面金属层填满所述接触孔与所述阳极区相接触；在所述衬底的背面形成背面金属层。本发明在形成氧化层之后，直接形成钝化层，再对钝化层与氧化层进行刻蚀形成接触孔，并无需对氧化层单独进行光刻刻蚀，同时省略了对位标记的光刻刻蚀，通过增加接触孔与阳极区之间的偏移来节省对位标记的制作，总共减少了两张掩膜版的使用，降低了制作成本。

天眼查资料显示，芯联集成电路制造股份有限公司，成立于2018年，位于绍兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本704664.1万人民币。通过天眼查大数据分析，芯联集成电路制造股份有限公司共对外投资了17家企业，参与招投标项目1693次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息708条，此外企业还拥有行政许可40个。