芯联集成电路申请晶圆允收测试结构及方法专利 可检测栅极结构周围是否漏电

本文源自:金融界

金融界2025年6月25日消息，国家知识产权局信息显示，芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“晶圆允收测试结构及晶圆允收测试方法”的专利，公开号CN120199756A，申请日期为2025年03月。

专利摘要显示，本发明提供一种晶圆允收测试结构及晶圆允收测试方法，包括：衬底，形成于衬底内的多个第一有源区，形成于所述衬底上的多个多晶硅结构，各第一有源区与各多晶硅结构相交所产生的交叠区域为栅极结构区域，至少相邻多晶硅结构之间的区域通过层间介质层覆盖，且通过导电连接层引出至顶部金属层，同时衬底也由导电连接层引出至顶部金属层，如此，便构成了对栅极结构的周围是否存在聚合物残留而导致漏电进行测试的测试电路，通过向顶部金属层施加电压，即可达到检测栅极结构周围是否存在漏电的目的。另外，导电连接层包围每一多晶硅结构四周的同时，导电连接层的各部分之间彼此导通，因此，当栅极结构周围不同位置点出现漏电情况，均能够被检测出。

天眼查资料显示，芯联集成电路制造股份有限公司，成立于2018年，位于绍兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本704664.1万人民币。通过天眼查大数据分析，芯联集成电路制造股份有限公司共对外投资了19家企业，参与招投标项目1694次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息701条，此外企业还拥有行政许可40个。