芯联集成推出3300V碳化硅MOSFET器件，综合BOM成本降20~35%

【芯联集成推出 3300V 高耐压碳化硅（SiC）MOSFET 器件】3300V SiC MOSFET 在 10kV 中压固态变压器前端应用场景中可减少 60% 的功率单元及 MOSFET 用量，外围器件则可减少 70%，综合 BOM 成本降低 20~35%。