高华科技：SOI原理MEMS压力芯片已完成初样验证，预计2023年年底实现量产

高华科技近期在接受调研时表示，2023年上半年，公司自研的扩散硅原理MEMS压力芯片已实现量产；SOI原理MEMS压力芯片已完成初样验证，并开始进行小批量试制，预计2023年年底实现量产。完成了磁致伸缩位移传感器型谱化、采高传感器、转速传感器等产品研制。

针对长征系列运载火箭无缆化需求，完成新一代无线传感网络系统的优化迭代。2023年上半年，新增发明专利申请5项，取得发明专利授权4项。公司未来计划针对四大技术方向开展研发攻关，分别为MEMS传感芯片技术研发、传感器新产品研发、传感网络系统平台技术研发和智能设备运维管理系统研发。