兴福电子申请聚焦离子束制备孔隙样品的减薄方法专利，提高制备孔隙样品的效率

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国家知识产权局信息显示，湖北兴福电子材料股份有限公司申请一项名为“一种利用聚焦离子束制备孔隙样品的减薄方法”的专利，公开号CN 120992284 A，申请日期为2025年8月。专利摘要显示，本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及带有孔隙结构的样品，提供了一种利用聚焦离子束制备孔隙样品的减薄方法。该方法通过FIB先对目标样品正面进行减薄、再对目标样品背面进行减薄的手段，解决了现有技术中对目标样品正反面进行交替减薄时产生的TEM目标薄片不是孔隙内部结构的问题，本发明的技术效果在于它能够提高制备孔隙样品的效率，并提高孔隙结构样品的图片拍摄质量。

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