芯碁微装(688630): mSAP带动LDI量价齐升，大尺寸封装打开成长空间【爱建智能制造】

（来源：爱建证券研究所）

■投资建议：维持“██”评级。AI 浪潮推动光模块PCB向mSAP工艺升级，先进封装大尺寸发展趋势拉动高端直写光刻（LDI）设备需求，据此我们上调公司盈利预测，预计2026E–2028E归母净利润██亿元（原2026–2027年预测██亿元），对应PE为██倍。公司为中国唯一可覆盖 PCB、IC 载板、晶圆级及面板级封装的全场景LDI设备厂商，有望充分受益本轮PCB及先进封装行业扩产浪潮。

■亮点一：PCB——卡位mSAP升级，公司作为全球PCB LDI设备龙头有望充分受益

1）AI驱动高速光模块升级，mSAP成为高端PCB主流工艺。PCB向高密度、细线路方向演进，mSAP逐步成为800G及以上光模块PCB主流工艺。根据《兴森科技向特定对象发行A股股票预案》，全球AI光模块mSAP基板市场规模有望由2025年6.2亿美元增长至2028年37.7亿美元，CAGR 83%。

2）mSAP升级驱动高精度LDI需求加速释放。mSAP扩产有新建产线和存量产线升级改造两种方案，LDI成为产线升级的核心增量设备。根据博敏电子高端PCB技改项目测算，LDI+DI设备投资占整线设备投资20.35%，为价值量最高的核心设备环节。2026年以来，中国PCB厂商已披露扩产投资累计712亿元，主要投向高阶HDI、mSAP及高多层PCB。

3）芯碁微装产品布局完善，有望充分受益于mSAP扩产。公司为全球PCB LDI龙头，2025年全球市场份额18.8%，产品覆盖线路层、阻焊层及激光钻孔等PCB核心工艺，可覆盖HDI、mSAP及类载板等PCB制造需求，凭借领先的市场地位及成熟的客户基础，有望充分受益于本轮高端PCB升级带来的设备需求释放。

■亮点二：先进封装——公司半导体LDI布局领先，大尺寸先进封装打开第二成长曲线

1）先进封装持续向大尺寸、高密度互连方向演进，推动高精度直写光刻设备需求快速增长。CoWoS-L、CoPoS、PLP及玻璃基板等技术路线均围绕更大封装尺寸、更细RDL线路持续升级，对曝光尺寸、解析精度及套刻精度提出更高要求，直写光刻凭借大面积曝光、高精度对位及数字化补偿等优势，渗透率有望持续提升。根据Yole，全球先进封装市场规模预计由2025年607亿美元增长至2030年911亿美元，CAGR 8.5%；根据芯碁微装港股招股书，2025—2030年全球先进封装直写光刻设备市场规模预计由5亿元增长至31亿元，CAGR 44%，显著快于行业整体。

2）芯碁微装在封装领域验证持续突破，高价值量泛半导体业务迎成长机遇。公司已形成覆盖IC载板、WLP及PLP的先进封装直写光刻产品体系，2025年泛半导体业务毛利率达54.5%，显著高于PCB系列业务。根据公司2025年报，WLP系列已完成多家先进封装头部客户验收并实现量产，获得重复订单；2026年7月，芯碁微装510×515 mm板级封装直写光刻设备PLP 2000获得重要客户订单，产品导入持续突破。随着CoWoS-L、CoPoS、CoWoP及PLP等先进封装持续扩产，公司泛半导体业务收入占比有望提升，推动公司盈利能力改善。

■风险提示：mSAP渗透率低于预期；先进封装产业化进度低于预期；新产品导入不及预期。

报告目录

1.AI驱动高精度LDI进入新一轮成长期

1.1 mSAP渗透率提升，高端PCB驱动LDI量价齐升

1）AI推动高速光模块升级，mSAP逐渐成为800G以上光模块PCB主流工艺。高速光模块的线路精度、布线密度提高，mSAP凭更高精度线路制造能力成为800G以上光模块PCB主流工艺。根据兴森科技公告，全球AI光模块mSAP基板市场规模有望由2025年6.2亿美元增长至2028年37.7亿美元，CAGR 83%。

2）mSAP提升线路光刻价值量，高精度LDI充分受益。相比传统减成法，mSAP对曝光精度要求更高，高精度LDI为产线技改的核心增量设备之一。根据博敏电子高端PCB技改项目测算，LDI+DI设备投资占比达20.35%，为整条产线价值量最高的设备环节。2026年以来中国PCB厂商已披露扩产投资累计712亿元，主要投向高阶HDI、mSAP及高多层PCB，高精度LDI设备有望充分受益于本轮高端PCB扩产。

3）高速光模块放量叠加mSAP渗透率提升，LDI设备迎广阔成长空间。随着高速光模块出货持续增长及全层mSAP方案加速渗透，行业mSAP总曝光面积快速提升，我们预计其对应高精度LDI设备理论需求将由2025年29台提升至2030年1,103台，CAGR=108%，行业需求加速释放。

1.1.1 AI推动高速光模块PCB升级，mSAP快速渗透

mSAP可压制线路侧蚀、实现更精细走线。mSAP（改良半加成工艺）是在传统减成法与SAP之间取得平衡的细线路制造工艺。传统减成法工艺从一整层铜开始，蚀掉不需要的部分，但铜线路会得到梯形痕迹轮廓，因为蚀刻剂会削减光刻胶，线路侧蚀导致侧壁倾斜，且受铜箔厚度限制，线路精度难以突破25μm。mSAP则相反：先铺一层薄的种子层，涂上抗阻剂，只在需要带线的地方电镀铜，剥离抗阻剂，然后用闪蚀方式处理种子层。因为mSAP只去除了一层薄的种子，底切很少，侧壁几乎垂直，可实现20–25μm线宽线距以及20μm铜厚。

光模块场景中，mSAP工艺主应用于800G及以上速率的高速光模块PCB。针对是否选用mSAP，800G光模块PCB分化出两类设计：1）HDI+mSAP混合工艺方案，BGA等高密度布线区域采用mSAP，普通走线区仍采用HDI；2）全层mSAP方案，整板外层精细线路均采用mSAP工艺，以满足超高布线密度、多层叠孔及超细线宽/线距等要求。

对于1.6T及以上速率光模块，行业已基本采用全层mSAP方案。1）400G光模块PCB线宽线距为30–35μm，传统HDI减成法工艺即可满足要求，mSAP几乎不应用；2）800G光模块PCB线路向25μm左右演进，传统减成法工艺接近精度极限，mSAP工艺渗透率提升；3）1.6T及以上速率光模块，224Gbps高速信号传输推动PCB线路向15–20μm超细线路发展，mSAP成为主流制造方案，渗透率接近100%。

光模块mSAP市场规模：根据《兴森科技向特定对象发行A股股票预案》，全球AI光模块用mSAP基板市场规模将由2025年的6.2亿美元增长至2028年37.7亿美元，年复合增速约83%。未来，高端mSAP基板有望成为高速光模块产业链中受益最显著的环节之一。

1.1.2 mSAP提升线路制造精度，LDI曝光为核心增量工艺

PCB典型叠构采用“积层+芯板+积层”结构，其中芯板一般采用传统减成法完成线路制造，mSAP主要应用于两侧积层制程。芯板完成后，通过PP片预压合、热压形成新的介质层，随后经过激光钻盲孔、化学沉铜形成种子层、LDI曝光、图形电镀及蚀刻等工序，在芯板两侧新增一层积层线路；完成一轮积层后，再重复上述流程继续增层，直至达到目标层数。由于每次积层循环仅新增上下各一层线路，高层数PCB需多次重复压合、钻孔、沉铜、曝光、电镀及蚀刻等前道工序。

mSAP制程中包含图形成像、填孔电镀及闪蚀等工序，其中线路图形首先由LDI曝光定义。由于闪蚀会带来约6–10μm侧蚀，若直接按25μm目标间距曝光，成品尺寸将出现明显偏差，所以生产中需要预先曝光 15μm窄图形，依靠后续侧蚀补偿得到25μm标准线路，这就抬高了LDI在分辨率、对位精度与成像一致性上的技术门槛。因此，相较传统减成法，mSAP对LDI分辨率、对位精度及成像一致性要求提升，曝光能力成为影响mSAP基板线路良率与尺寸精度的关键因素。

对应到图形成像工艺，设备主要包括线路LDI和阻焊DI两类。其中，线路LDI又可分为干膜和湿膜机型：干膜LDI主要用于外层线路曝光，是mSAP精细线路制造的核心设备；湿膜LDI主要用于内层线路曝光，适配内层薄铜及湿膜油墨工艺。阻焊DI则用于阻焊绿油开窗工序，与线路图形成像采用不同感光体系，属于配套曝光设备。

当前PCB厂商扩充mSAP产能主要通过新建产线及存量产线升级两种方式推进。mSAP与高阶HDI产线工艺高度兼容，无论新建还是技改，新增设备均主要集中于LDI曝光机、真空DES蚀刻线、VCP填孔电镀等工艺设备。根据博敏电子高端 PCB 技改项目设备投资测算，激光直接成像和阻焊直写曝光设备（LDI+DI）是 mSAP技改产线资本开支核心，对应投资占整体设备投资 20.35%，是技改PCB产线中核心工艺环节之一。

从LDI+DI内部投资结构来看，外层干膜LDI为价值量最高的直写光刻设备，投资占比达53.6%，显著高于内层湿膜LDI（25.0%）和阻焊DI（21.4%），主要原因在于，mSAP工艺技术瓶颈集中于外层精细线路制造，对线宽一致性、线路边缘粗糙度及套刻精度要求更高，因此外层干膜LDI不仅设备精度和单机价值更高，产线配置数量也更多。

1.1.3 PCB 扩产聚焦中高端制程，高精度LDI迎需求扩容

下游AI需求高景气推动PCB厂商加快高端产能布局，行业资本开支持续扩张，2026年初至今，中国PCB板厂已披露扩产投资额累计达712亿元。

1）头部厂商加码：胜宏科技、沪电股份、鹏鼎控股扩产投资规模分别达180亿元、156亿元和127.3亿元，景旺电子、深南电路持续扩充高端PCB产能，兴森科技重点布局AI光模块mSAP基板。投产节奏上，大部分项目将于2026年陆续进入建设、投产及产能爬坡阶段，规模化量产预计集中于2026年下半年至2027年，2028年新增产能有望全面释放，推动高速光模块及AI服务器等高端PCB供给能力持续提升。

2）扩产方向聚焦高端产品，高阶HDI、mSAP及高多层PCB已成为行业升级主线，新增产能主要面向800G、1.6T高速光模块PCB（基板）以及AI服务器、交换机等高端应用，以满足高速传输、低损耗及高密度布线需求。

新增资本开支主要投向中高端PCB产线，对高精度LDI设备需求显著提升，线路光刻及图形转移环节有望充分受益于本轮行业资本开支扩张，迎来较大的需求增量。

1.1.4光模块PCB mSAP对应LDI需求：2025—2030年CAGR达108%

光模块PCB向全增层mSAP工艺演进，单只PCB mSAP曝光面积由800G部分增层方案的15 dm提升至全增层方案30 dm，在1.6T、3.2T产品中增至63 dm和132 dm。

1）光模块PCB规格假设：光模块速率升级驱动PCB向高层数、高密度方向演进。根据捷配，400G 光模块主要配置8-10层普通 PCB；升级至 1.6T 规格后，信号传输速率提升至224Gbps，对应14-16层叠板结构。我们假设400G/800G/1.6T/3.2T光模块单块PCB面积分别为2/3/4.5/6 dm，对应PCB总层数分别为10层/12层/16层/24层。400G及以下光模块PCB以普通多层板为主，减成法即可满足线宽线距要求，mSAP工艺自800G起开始导入，故本测算自800G起步。

2）叠层结构与mSAP工艺层数假设：光模块PCB叠层为“增层＋核心层＋增层”结构，其中2层芯板层仍采用传统减成法工艺，mSAP应用于线宽线距更细的增层，增层数＝总层数2，即800G/1.6T/3.2T对应增层数分别为10/14/22层。分方案看：800G存在两类主流PCB方案：1）是部分增层采用mSAP的混合方案，假设仅约半数增层（5层，对应线宽线距要求最严苛的外层线路）采用mSAP工艺；2）增层全部采用mSAP方案，对应mSAP工艺层数10层。1.6T及3.2T产品由于高速信号传输对线宽、线距及布线密度要求进一步提升，测算假设增层全部采用mSAP工艺，对应mSAP工艺层数分别为14层、22层。

3）单只PCB mSAP曝光面积假设：PCB每层mSAP线路均需完成一次LDI图形曝光，因此单只PCB的mSAP曝光面积按“单只PCB面积×mSAP工艺层数”计算。对应800G部分增层方案、800G全增层方案、1.6T、3.2T分别为15 dm（3×5）、30 dm（3×10）、63 dm（4.5×14）、132 dm（6×22）。本测算不考虑设备对位、拼接曝光及重工等工艺因素带来的额外曝光时间，以mSAP工艺层曝光面积作为LDI设备工作量的衡量指标。

随着高速光模块出货持续增长及全层mSAP方案加速渗透，行业mSAP总曝光面积快速提升，我们预计其对应高精度LDI设备理论需求将由2025年29台提升至2030年1,103台，CAGR=108%，行业需求进入加速释放阶段。

1）全球光模块出货量预测假设：800G为当前主流出货机型，1.6T、3.2T将成为未来行业主要增长来源。400G光模块逐步被替代，其PCB全部采用传统HDI工艺；800G光模块2028年前保持快速增长，随后随着1.6T渗透率提升增速放缓。800G产品分为HDI+mSAP混合方案及全层mSAP方案，其中全层mSAP方案自2026年起逐步放量，并持续提升市场份额；1.6T产品自2027年进入快速放量阶段，2030年成为高速光模块主要增量；3.2T产品2028年开始规模商用并加速渗透。

2）LDI设备产能假设：为统一设备需求测算口径，根据PCBX，PCB行业 LDI 设备标准生产 Panel 幅面（24×21 inch），对应单块 Panel 曝光面积为 0.325㎡。设备产能以芯碁微装 MAS6P 为基准，根据公司公开技术参数，设备最大扫描宽度 24.5 英寸，可完整覆盖 24×21 inch 标准 Panel，标称极限曝光速度可达 120 Panel/h。考虑 mSAP 先进封装基板精细线路生产场景下，受上下板、对位等待、图形复杂度降速、设备间歇停机等非曝光时间损耗影响，将量产工况下有效产出速率折算为100 Panel/h；设定设备年有效运行时长 5,500h，并引入 80% 全流程综合良率，用以体现基板报废、返工带来的有效产出损耗。据此测算单台设备单次曝光情景下有效年理论线路曝光总面积：100 Panel/h × 5,500 h × 80% 全流程综合良率 × 0.325㎡ = 14.3 万㎡。

1.2 大尺寸先进封装趋势下，直写光刻设备迎广阔空间

大尺寸封装驱动LDI渗透率提升，泛半导体直写光刻设备收入占比提升，驱动公司盈利改善。1）大尺寸先进封装为产业核心演进方向，CoWoS-L、CoPoS、面板级封装、玻璃基板等技术路线均向更大封装尺寸、更细RDL及更高互连密度演进。根据Yole，全球先进封装市场规模预计由2025年607亿美元增至2030年911亿美元（CAGR 8.5%），其中PLP市场CAGR达24.4%，显著高于行业整体。2）大尺寸封装推动直写光刻渗透率提升。LDI兼具大尺寸曝光、高解析度及无需光罩等优势，更适配先进封装制造。根据公司招股书，2025—2030年全球先进封装直写光刻设备市场规模预计由5亿元增至31亿元，CAGR达44%，显著快于先进封装资本开支增速。

1.2.1封装向大尺寸演进，CoWoS-L与PLP为重要发展方向

AI算力推动先进封装加速向大尺寸、高集成度方向演进。AI算力持续提升带动GPU芯片尺寸不断增大、Chiplet集成度持续提高，封装技术也由CoWoS系列逐步向CoPoS、CoWoP等新一代大尺寸封装路线升级。

大尺寸为先进封装核心演进方向，不同技术路线虽然实现方式存在差异，但均朝着更大封装面积、更精细 RDL 布线、更高芯片互连密度迭代。无论是当前主流的 CoWoS 方案，还是下一代面板级封装技术，高精度 LDI 设备凭借超高线路分辨率、优异套刻对位精度与大尺寸幅面曝光能力，核心配套价值持续放大，设备价值量有望提升。

封装尺寸越大，传统晶圆制造的面积利用率越低，面板级封装（PLP）成本优势逐步显现。面板级封装（PLP）采用矩形大尺寸载板替代传统圆形 300mm 晶圆，核心优势体现在介质基板面积利用率显著提升、边角切割废弃物大幅减少。

中介体尺寸越大，圆形晶圆边缘空白损耗带来的产出损耗越突出，矩形面板规整布局的面积利用优势被进一步放大。根据SEMI，高端封装尺寸预计将接近现有最大准星尺寸的 10 倍，届时传统晶圆封装的面积浪费问题将显著加剧，面板级封装的产出与成本优势会进一步拉开，成为大尺寸中介体集成方案的优选工艺路线。

产业趋势已逐步兑现为市场需求，先进封装及细分PLP市场均进入快速增长阶段。1）据Yole，全球先进封装市场规模有望由2025年607亿美元增至2030年911亿美元，对应CAGR 8.5%，算力芯片、存储高密度集成需求持续拉动先进封装技术渗透。2）面板级封装（PLP）市场持续扩容，根据Yole，全球面板级封装市场有望由2025年2亿美元提升至2030年7亿美元，对应CAGR 24.4%，远超先进封装行业平均增速。大尺寸面板带来的封装成本优势逐步显现，长期看PLP渗透率仍具备持续提升潜力。

1.2.2 RDL细线化与大尺寸化推进，高精度LDI需求提升

封装互连能力已成为先进封装性能提升的重要瓶颈，RDL制造持续向高密度方向升级。过去二十年间，芯片晶体管密度实现 500 倍量级提升，而封装互连密度仅增长 15 倍，晶体管与封装互连能力的发展形成显著错配。以PLP 技术演进路径为例，行业正通过多核心工艺同步微缩补齐封装密度短板：1）混合键合 W2W 互连间距由 2μm 演进至 0.5μm 以下，2）RDL 重布线线宽线距从 10/10μm迭代至1/1~2/2μm，3）TGV 玻璃通孔、微凸点 I/O 间距同步持续收敛。

RDL细线化与大尺寸化同步推进，对图形成像精度提出更高要求。重布线层（RDL）是先进封装实现芯片互连的核心载体，其图形质量直接决定线路尺寸、层间互连及封装良率。

大尺寸、细线化RDL同时面临线宽线距持续缩小与曝光面积持续扩大两大挑战，直写光刻优势凸显。1）传统步进式光刻（Stepper）依赖实体光罩进行曝光，单次曝光面积受限于Reticle尺寸（通常约26 mm × 33 mm）。当封装尺寸扩展至大尺寸晶圆甚至面板级封装时，需要通过多次拼接完成整板曝光，拼接误差随曝光次数增加不断累积，在5 μm及以下RDL制造中容易影响线路连续性、层间套刻精度及封装良率。2）LDI无需实体光罩，直接读取设计数据完成图形成像，并基于对准标记实时识别基板翘曲及局部形变，动态修正曝光路径，从而降低大面积曝光过程中的对位误差，提高细线路RDL及多层RDL的制造精度。同时，数字化曝光产品设计修改仅需更新曝光数据即可，能显著缩短产品开发周期，满足先进封装产品迭代快、小批量、多品种生产需求。

全球先进封装行业扩产明确，资本开支稳健扩容。根据芯碁微装港股招股书，2025-2030 年全球先进封装资本开支有望由2025年927亿元提升至2030年1427亿元，对应CAGR 9.0%；先进封装领域的直写光刻设备处于产业化起步阶段，目前已落地多条产线验证适配；后续伴随封装工艺迭代，直写光刻技术优势将持续凸显。根据芯碁微装港股招股书，全球先进封装用直写光刻设备有望由2025年5亿元增至2030年31 亿元，CAGR 44.0%。

伴随先进封装扩产及工艺迭代，高精度LDI渗透率有望持续提升，带动直写光刻设备需求增长和价值量提升。一方面，先进封装对光刻设备的需求持续向高解析度、高套刻精度演进。随着I/O密度提升，RDL线宽线距、凸点间距不断缩小，多层RDL进一步提高了层间对位难度，要求设备具备更高的解析能力，以保障互连可靠性和封装良率。另一方面，封装尺寸持续扩大、基板材料日趋多元，加之产品迭代快、小批量生产需求增加，设备还需兼具大尺寸曝光、形变补偿、工艺兼容及快速换型能力。

2.芯碁微装：全球LDI龙头，卡位高端PCB与先进封装

2.1深耕直写光刻，打造PCB与泛半导体双平台

合肥芯碁微电子装备股份有限公司为全球直写光刻设备头部厂商，也是全球唯一实现商业化产品全面覆盖 PCB、IC 载板、先进封装及掩膜版四大应用场景的企业。

公司已形成PCB直写光刻、半导体直写光刻及其他光刻设备三大产品体系，其中半导体业务覆盖IC载板、晶圆级封装及面板级封装等先进封装场景。1）PCB 直写光刻设备：MAS与NEX系列分别用于 HDI、SLP 精细线路图形曝光与阻焊光刻；RTR 系列面向FPC；FAST系列适配大尺寸{面板电路板印刷。2）泛半导体系列业务：①直写光刻设备：面向先进封装和IC载板场景。LDW系列满足IC载板、掩膜版微米级直写需求；WLP 系列适配晶圆级扇入扇出先进封装；PLP系列针对面板级2.5D/3D封装，切入高端芯片封测环节。②其他光刻设备：MLF、MLC系列覆盖功率器件、陶瓷封装等场景；FPD配套Micro LED与OLED面板生产，IC 载板方案可完成线路+阻焊全流程曝光。

2021—2025年，公司PCB设备与泛半导体设备销量均保持快速增长。其中，PCB设备销量由144台增长至475台，CAGR达34.8%；泛半导体设备销量由17台增长至61台，CAGR达37.6%，增速快于PCB业务。中长期来看，PCB业务有望依托全球市场份额持续提升实现稳健增长，泛半导体设备则受益于先进封装需求放量，收入占比有望持续提升，推动公司业务结构不断优化。

泛半导体设备是公司的高盈利业务，2025年毛利率达54.5%，显著高于PCB设备。随着产品规模化交付，泛半导体业务毛利率较前期高点有所回落，但仍保持较高盈利水平；PCB设备毛利率则回升至35.6%，盈利能力持续修复。在PCB业务盈利改善与高毛利泛半导体设备出货增长的共同推动下，公司综合毛利率由2024年37.0%提升至2025年40.2%，盈利能力有望持续优化。

2.2 PCB LDI龙头地位稳固，mSAP渗透下公司份额有望提升

公司PCB LDI产品矩阵完善，覆盖图形层与阻焊层光刻两大核心工艺。其中，

1）图形层以MAS系列高精度直写光刻设备为核心，覆盖HDI、mSAP及类载板等高端PCB应用，并配套RTR、FAST系列满足软板及多层板生产需求；2）阻焊层为NEX系列设备。

此外，公司布局MUD系列（紫外激光）及MCD系列（二氧化碳激光）激光钻孔设备，面向HDI、FPC等高端PCB应用，可实现最小35μm孔径加工，并具备实时能量监控功能，满足高密度互连PCB对高精度、高稳定性钻孔工艺的需求。

随着高端PCB持续向mSAP工艺升级，下游PCB客户对LDI设备曝光精度、生产效率及工艺适配能力提出更高要求，行业技术门槛有望持续提升。PCB LDI行业CR5达59.1%，竞争格局较为集中，主要由于直写光刻设备融合精密机械、紫外光学、图像处理及运动控制等多学科技术，研发与工艺壁垒较高；同时，下游客户导入周期长，对设备性能、稳定性及工艺适配能力要求严格，叠加全球化服务网络和持续工艺迭代能力，新进入者难以在短期内建立竞争优势。

凭借领先的产品性能、深厚的工艺积累及优质的客户资源，公司竞争优势持续强化，市场份额稳居行业领先。根据灼识咨询，2025年，公司以18.8%的市场份额位居全球PCB直接成像（LDI）设备行业首位。未来随着mSAP渗透率提升及相关产能加速释放，公司有望持续受益于高端PCB升级趋势，进一步提升市场份额。

2.3泛半导体产品布局完善，先进封装打开第二成长曲线

公司围绕不同基板尺寸和工艺精度构建了完整的泛半导体产品矩阵，持续向先进封装、第三代半导体、IC载板等高端应用延伸。随着加工对象由大尺寸基板向晶圆级制造演进、曝光精度由微米级提升至亚微米级，设备技术门槛和价值量同步提升，公司凭借持续迭代的直写光刻技术，有望充分受益于先进封装及微纳制造产业升级。

在先进封装领域，直写光刻优势不仅在于省去掩膜版，更在于能够基于数字化曝光实现单颗晶粒级动态补偿，也是Fan-out WLP、CoWoS-L等先进封装良率提升的关键。在Fan-out WLP及CoWoS-L等工艺中，RDL制程需完成芯片焊盘与再布线层的高精度对准。然而，晶圆重构及贴片过程中不可避免存在晶粒偏移，传统掩膜光刻采用固定Mask进行统一曝光，无法针对单颗晶粒位置偏差进行补偿，容易造成RDL与焊盘错位，影响互连良率。芯碁微装WLP系列直写光刻设备可在曝光前完成晶粒位置高精度测量，并实时生成数字掩膜，对每颗晶粒分别进行曝光补偿，实现RDL与焊盘精准对准，有效提升互连良率并降低返工成本。同时，无需制作实体Mask，进一步提升工艺灵活性和开发效率，更适用于先进封装小批量、多品种及快速迭代的生产需求。

公司产品验证持续突破，先进封装客户端出货加快。根据公司2025年年报WLP系列已在多家先进封装头部客户完成验收并实现量产，获得重复订单；2026年7月，公司自主研发的510×515 mm板级封装直写光刻设备PLP 2000获得重要客户订单，标志着公司完成PLP产业化突破。随着WLP、PLP产品验证持续突破、先进封装头部客户导入不断加快，公司有望充分受益于大载板先进封装产业化趋势，泛半导体业务进入加速放量阶段。

风险提示

1.mSAP渗透率低于预期。若终端产品对高密度线路需求释放不及预期，或传统减成法工艺仍占据较高市场份额，mSAP工艺渗透速度可能低于预期，高精度LDI设备需求释放将受到影响，从而影响公司高端PCB业务增长。

2.先进封装产业化进度低于预期。CoWoS-L、面板级封装（FOPLP）及玻璃基板等先进封装技术目前仍处于产业化推进阶段，若下游扩产、工艺验证或终端应用推广进度不及预期，相关直写光刻设备需求释放节奏可能延后，公司WLP等新产品业务放量存在不确定性。

3.新产品导入不及预期。公司WLP等半导体直写光刻设备仍需经过客户工艺验证、小批量试产及产线导入等多个环节，若产品验证周期延长、客户导入进度放缓或市场竞争加剧，可能导致新产品订单落地及收入确认节奏低于预期，对公司业绩增长形成一定影响。

本文摘自：2026年7月22日发布的《芯碁微装（688630.SH）：mSAP带动LDI量价齐升，大尺寸封装打开成长空间》

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