银河微电拟投10.78亿元建高端核心器件项目 预计2027年1月开工

观点网讯：9月21日，银河微电（688689.SH）公告称，公司拟以自有或自筹资金人民币10.78亿元投资实施“高端核心器件产业化及创新能力建设项目”。

公告显示，该项目系公司已披露项目“高端集成电路分立器件产业化基地一期厂房建设项目”的延续和产业化落地环节。项目不涉及新增土建，但需完成厂房装修改造、设备购置安装、产线调试及客户验证等工作。

公司2026年9月21日董事会审议通过相关议案，项目备案已完成，环评、安评、能评等专项审批手续尚需办理。项目建设周期3年，预计开工时间为2027年1月1日。

公告称，该项目所涉产品指采用SGT/SJ、IGBT、SiC/GaN等先进芯片结构，通过AEC-Q101等高可靠性认证，面向新能源汽车、储能、工业等高门槛场景的功率分立器件与第三代半导体器件，主要包含SGTMOS、超结MOS、IGBT及模块、SiC器件、IPM模块、车规TVS/ESD等，区别于传统消费类小信号二极管、普通低压平面器件。

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