宏微科技获得实用新型专利授权：“一种SiC功率MOSFET器件”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示宏微科技（688711）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“一种SiC功率MOSFET器件”，专利申请号为CN202422343705.5，授权日为2025年9月23日。

专利摘要：本实用新型涉及功率半导体器件技术领域，具体涉及一种SiC功率MOSFET器件，器件的元胞结构由下至上依次包括：衬底、N外延层、多晶硅栅层、隔离层、金属层；在N外延层的表面内设置有左右对称的两个Pwell层；设置在Pwell层上的N+层、以及设置在N+层上的P+层；N外延层的表面内具有截面A和截面B的交替结构；截面A的结构：两个pwell层相对的一侧边界均呈向内部弯曲的弧形、以及与弧形相接的平直底边边界；截面B的结构：两个pwell层的边界均呈向内部弯曲的弧形；元胞结构的两侧具有沟槽结构。本实用新型具有双重截面交替结构，能够缩短空穴电流经过源区下方的路径，提高器件的抗动态闩锁能力。

今年以来宏微科技新获得专利授权13个，较去年同期增加了18.18%。结合公司2025年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了5856.61万元，同比增8.64%。

通过天眼查大数据分析，江苏宏微科技股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目53次；财产线索方面有商标信息23条，专利信息270条，著作权信息6条；此外企业还拥有行政许可28个。

数据来源：天眼查APP

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