艾森股份光刻胶业务持续突破，华东基地一期2028年将释放新产能

（来源：半导体前沿）

近日，艾森股份在接受机构调研时表示，公司光刻胶产品持续突破和放量。华东制造基地一期主要扩充光刻胶和配套树脂的产能、预计 2028 年产能释放。在这之前，公司着重现有产线产能提升和中试线的建设，确保公司光刻胶业务持续增长。

艾森股份是国内半导体电镀液与光刻胶双赛道核心供应商，深耕先进封装及晶圆制造领域电子化学品研发生产，目前先进封装光刻胶、PSPI产品已实现全覆盖，正性PSPI获主流晶圆厂国产化首单，先进封装光刻胶也通过头部企业认证并批量供货，光刻胶业务市场份额稳步提升。

2025年前三季度公司营收4.39亿元、归母净利润3447.61万元，同比分别增长40.71%、44.67%，光刻胶等核心产品放量成为业绩增长重要支撑。公司总投资20亿元的华东制造基地项目正按计划推进，项目一期聚焦光刻胶及配套树脂产能扩充，规划2026年开工、2028年竣工投产，建成后将与现有昆山基地形成产能协同，进一步完善长三角产能布局。

在新产能释放前，公司现有16000吨产能将通过优化生产排程、调整客户结构保障市场供应，同时加快中试线建设，持续挖掘现有产线产能潜力，为光刻胶业务增长筑牢产能基础。艾森股份将持续加大研发投入，研发费用绝对值保持稳健增长，以技术创新推动光刻胶产品迭代升级，紧抓半导体材料国产替代与全球化布局机遇。

来源：官方媒体/网络新闻

—论坛信息—

名称：第3届光掩模与光刻胶技术论坛

时间：2026年4月24日

地点：上海

主办方：亚化咨询

—会议背景—

随着半导体工艺节点向2nm及以下推进，下一代光刻技术已成为行业焦点。主要方向包括高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻、纳米压印光刻、电子束光刻、定向自组装（DSA）和X射线光刻等。这些技术旨在提升分辨率、降低成本并提高产量。2026年，高NA EUV已进入高容量制造阶段，而NIL和X射线光刻作为潜在颠覆者，正加速研发。

进入2026年，中国对高端光掩模的需求持续强劲增长，但技术研发、生产能力及产业链整合方面仍面临高成本、技术复杂性和供应链依赖等诸多挑战。全球半导体光掩模版市场在2018年至2024年间从40.4亿美元增长至51亿美元，年复合增长率达4.0%。预计到2030年，该市场规模将进一步扩大至约80亿美元。亚化咨询研究认为我国2025年第三方掩模版市场规模占比为70%左右，预计2030年中国掩模版市场规模有望达到120亿元。

全球光掩模版市场主要由Photronics、日本凸版(Toppan)和大日本印刷(DNP)三大企业主导，市场占有率超过70%。而在中国市场，路维光电、清溢光电、龙图光罩等本土企业正在不断提升其市场竞争力，并在国产化替代方面取得突破。

亚化咨询预计2026年市场规模有望达到100亿元。在ArF光刻胶领域，国内厂商正在加快研发进程，并取得了核心突破，如南大光电实现ArF光刻胶量产。国内一些光刻胶龙头企业如上海新阳、南大光电、容大感光、广信材料、晶瑞电材等，在光刻胶的研发和生产方面取得了显著进展。据亚化咨询最新行业调研，国内领先的光刻胶新锐企业还包括珠海基石(2022年成立)、国科天骥(2019年成立)等。国内光掩模与光刻胶产业发展正在提速，技术进步成为产业发展的重要推动力。

第3届光掩模与光刻胶技术论坛将于2026年4月24日在上海召开。本次论坛由亚化咨询主办。此次会议将汇聚行业的领军企业、机构的专家，探讨下一代光刻技术发展方向，中国光掩模版与光刻胶产业的技术进展与应用，市场机遇与挑战，和产业发展前景。

—会议主题—

上午分论坛：下一代光刻技术

1.多重曝光与先进图形化技术

2.纳米压印光刻（NIL）技术

3.多电子束直写光刻（Multi-beameBeam / 变形电子束）

4.电子束光刻（EBL）多束阵列技术

5.定向自组装（DSA）与光刻集成

6.计算光刻与AI 驱动光刻系统

7.下一代光刻相关的材料与设备

下午分论坛：光掩模与光刻胶产业应用

1.光掩模与光刻胶的中国市场机遇

2.光掩模版基材与掩模保护膜的国产突破

3.光刻胶核心单体与光敏剂的国产化

4.非 EUV 先进制程中，光刻胶与光掩模的升级路径

5.成熟制程与先进节点光掩模制造

6.存储芯片(3D NAND/DRAM)专用光刻胶

7.先进封装与 Chiplet专用光刻胶

8.光掩模与光刻胶生产的关键材料与设备

9.光掩模精密检测与质量控制

10.国产光掩模与光刻胶产业链地图