中自科技申请核壳结构硅基负极材料专利，形成综合性能良好的硅基负极材料

本文源自:金融界

金融界2025年5月16日消息，国家知识产权局信息显示，中自科技股份有限公司申请一项名为“一种核壳结构硅基负极材料及其制备方法、锂离子电池”的专利，公开号CN119994039A，申请日期为2025年2月。

专利摘要显示，本发明公开了一种核壳结构硅基负极材料及其制备方法、锂离子电池，制备方法包括（1）在硅颗粒表面沉积非晶氧化硅层，获得第一产物；（2）利用碳源与生物质碳源联合将第一产物包覆后煅烧，获得第二产物；（3）在第二产物外层沉积碳层，得到核壳结构碳包覆的硅纳米颗粒；（4）将核壳结构碳包覆的硅纳米颗粒与碳源分散混合后，真空干燥、焙烧、破碎、筛分，即得核壳结构硅基负极材料；步骤（1）与步骤（3）中的沉积均为LPCVD沉积。本发明通过对硅表面均匀包覆改性，并构建良好的离子通路，形成了包覆均匀、体积膨胀小、离子传输能力强的综合性能良好的硅基负极材料。

天眼查资料显示，中自科技股份有限公司，成立于2005年，位于成都市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本11956.4509万人民币。通过天眼查大数据分析，中自科技股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目54次，财产线索方面有商标信息78条，专利信息321条，此外企业还拥有行政许可92个。