艾为电子推出新一代低插损宽频段SPDT射频开关-AW13012TDNR

随着无线通信技术的不断发展，终端设备厂商也在不断加强智能化的产品设计开发，在射频链路上对开关的要求也越来越高。艾为电子推出的新一代SPDT射频开关AW13012TDNR具有低插损、高隔离及快速切换的特点，适用于Wi-Fi、UWB以及NR Redcap射频前端。

应用场景

AW13012TDNR主要特性

产品优势

产品优势一

低插入损耗0.45dB typical@5.8GHz

在Wi-Fi应用场景中，低插损的开关可以降低发射通路的功率损耗，到达天线端的功率满足要求的基础上，PA输出功率可以更低，从而降低STA的功耗，延长电池寿命。

在LTE/NR应用中，低插损的开关在Rx链路中贡献更低的噪声，有助于获得更好的接收灵敏度。AW13012TDNR的插损在900MHz仅为0.25dB，在5.8GHz仅0.45dB，可以轻松应对LTE/NR Rx diversity和Wi-Fi应用。

图1 AW13012TDNR在Wi-Fi场景中的应用

产品优势二

多场景灵活应用

a. Wi-Fi应用

200ns的通道切换速度，以及32dBm耐受功率特性使得AW13012TDNR可以轻松应对Wi-Fi的Tx/Rx切换应用场景。

b. UWB应用

AW13012TDNR的工作频率范围为0.1-8.5GHz，覆盖常用的UWB channel 9，另外快速切换时间能满足基于ToF/TDoA的UWB定位需求。

c. NR redcap及Rx diversity应用

AW13012TDNR的耐受功率为32dBm，对于NR Redcap这种对发射功率要求不高的应用场景，AW13012TDNR可以应用到发射通路中。此外，AW13012TDNR还可以应用于LTE/NR的Rx diversity通路中，其低插损有助于获得更好的接收灵敏度。

d. 定位系统应用

除了应用在传统的收发系统，AW13012TDNR还可以应用于一些对于切换时间要求快的定位系统，如蓝牙AOA定位系统。

总结

AW13012TDNR系列具有低插损，高隔离，200ns切换时间等一系列优秀的性能指标。低插损的特点使其不仅能在接收链路中拥有更高的灵敏度，还能在发射通路中降低发射功率的损耗。AW13012TDNR拥有极快的切换时间，在应对时间要求更严格的Wi-Fi、UWB以及蓝牙AOA定位模块时，同样发挥出色。这些优异的性能使得AW13012TDNR可以灵活应用于射频前端的设计当中，为前端电路设计带来便捷。