中芯国际申请半导体结构的形成方法专利，使后续形成的半导体结构具有高性能和可靠性

本文源自:金融界

金融界2025年5月1日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利，公开号CN119893996A，申请日期为2023年10月。

专利摘要显示，一种半导体结构的形成方法，对基底中第一区域表面的第一氧化层进行干法刻蚀的步骤中，容易产生聚合物杂质，通常聚合物杂质会附着在第一区域两侧堆叠栅结构的侧壁上，会使得第一区域两侧堆叠栅结构侧壁上的第一氧化层厚度大于第一区域表面的第一氧化层的厚度；清洗过程可以去除第一区域两侧堆叠栅结构侧壁的聚合物杂质，从而湿法刻蚀时聚合物杂质不容易对刻蚀溶液造成阻挡，当第一区域表面的第一氧化层被湿法刻蚀去除时，第一区域两侧堆叠栅结构侧壁的第一氧化层也被减薄，且减薄后还能够存留有部分厚度，有利于后续半导体工艺的顺利进行，使后续形成的半导体结构具有高性能和可靠性。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目117次，财产线索方面有商标信息149条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可443个。