中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，利于控制源漏层的尺寸

本文源自:金融界

金融界2025年5月28日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120050971A，申请日期为2023年11月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：在形成伪栅极之后，在隔离结构上形成初始第一介质层，初始第一介质层位于鳍部侧壁，且初始第一介质层暴露出鳍部顶部；刻蚀暴露出的鳍部和初始第一介质层，在隔离结构上形成第一介质层，并在鳍部内形成凹槽，以初始第一介质层形成第一介质层，凹槽底部表面低于第一介质层顶部表面；在凹槽内形成源漏层；在第一介质层上形成第二介质层，第二介质层位于伪栅极侧壁，第二介质层内具有开口，开口暴露出源漏层和第一介质层表面；在开口内形成导电层，利于控制源漏层的尺寸，且利于获得导电层和源漏层之间的良好接触，减少接触电阻，从而提高器件的性能。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息149条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可443个。