云南锗业：关于实施高品质磷化铟单晶片建设项目的公告

云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 关于实施高品质磷化铟单晶片建设项目的公告

本公司及董事会全体成员保证信息披露内容真实、准确和完整,没有虚假 记载、误导性陈述或重大遗漏。

一、对外投资概述

2026 年4 月3 日,云南临沧鑫圆锗业股份有限公司(以下简称“公司”) 第九届董事会第二次会议审议通过《关于实施“高品质磷化铟单晶片建设项目” 的议案》,同意控股子公司云南鑫耀半导体材料有限公司(以下简称“云南鑫耀”) 实施“高品质磷化铟单晶片建设项目”。项目计划总投资18,856 万元,由云南 鑫耀在现有产能基础上扩建产能,最终达到年产45 万片(折合4 英寸)高品质 磷化铟单晶片的产能。

本次对外投资事项不构成关联交易,不构成《上市公司重大资产重组管理办 法》规定的重大资产重组。根据《深圳证券交易所股票上市规则》《公司章程》 等相关规定,本次对外投资事项在董事会权限范围内,无需提交股东会审议。

本次拟实施的项目需经国家有关部门批准或备案后方可实施。

二、项目建设的主要内容

1、项目名称:高品质磷化铟单晶片建设项目

2、实施主体:云南鑫耀半导体材料有限公司

3、建设内容:

项目计划由云南鑫耀在现有厂区租赁厂房,对原有产线进行适应性改造,新 增主要工艺设备及公辅设施,在现有产能基础上扩建一条年产30 万片(折合4 英寸计算,其中包括6000 片6 英寸)高品质磷化铟单晶片生产线,最终达到年 产45 万片(折合4 英寸)高品质磷化铟单晶片的产能。

4、建设地点:

云南省昆明市高新区马金铺魁星街666 号

5、项目建设期:18 个月

6、项目投资规模及资金来源:项目总投资18,856 万元,其中:固定资产投 资15,250 万元,铺底流动资金3,606 万元。资金来源为自有资金及金融机构贷 款。

7、项目经济效益:经测算,本项目内部收益率为49.51%,投资回收期为4.48 年(含建设期)。(风险提示:上述项目的经济效益测算是基于当前的市场状况, 并不代表公司对该项目的业绩承诺,能否实现受项目的进展情况、宏观经济环境、 市场变化及经营团队努力程度等诸多因素的影响,存在一定的不确定性,请投资 者注意投资风险)

三、项目实施主体基本情况

名称:云南鑫耀半导体材料有限公司

统一社会信用代码:915301000776173084

类型:有限责任公司(自然人投资或控股)

法定代表人:包文东

注册资本:48601.064401 万元

成立日期:2013 年09 月10 日

营业期限:2013 年09 月10 日至无固定期限

住所:云南省昆明市高新区马金铺魁星街666 号2 楼

经营范围:一般项目:电子专用材料研发;电子专用材料制造;电子专用材 料销售;货物进出口;技术进出口(除依法须经批准的项目外,凭营业执照依法 自主开展经营活动)。

截至目前,公司持有云南鑫耀55.8324%股权,云南鑫耀为公司控股子公司。

四、本次投资的目的、存在的风险和对公司的影响

1、存在的风险及应对措施

存在的风险:(1)市场风险。一是市场供需实际情况与预测值发生偏离; 二是项目产品市场竞争力发生重大变化;三是项目产品和主要原材料的实际价格 与预测价格发生较大偏离。上述市场情况变化将对项目盈利能力产生影响。(2) 技术风险。如项目采用技术的先进性、可靠性、适用性和可行性与预测方案发生 重大变化,将导致生产能力和利用率降低,生产成本增加,产品质量达不到预期 要求。(3)组织管理风险。由于项目组织结构不当、管理机制不完善等因素,

导致项目不能按期建成;未能制定有效的企业竞争策略,而导致企业在市场竞争 中失败。(4)资金风险。资金来源中断或供应不足导致项目工期拖期甚至被迫 终止,利率变化导致融资成本增加。

应对措施:一是深入市场调研,加强前期准备与技术开发,严控产品质量, 根据市场变化,动态调整产品方向;二是优化内部管理,挖掘潜力,降低成本, 提升生产效率和产品质量;三是推进职工培训与人才引进,完善人才引进与留用 机制,增强技术与人才储备,依托成熟技术和经验,高薪引进管理与技术人才, 加强知识产权保护;四是成立项目领导小组,明确职责分工,有序推进项目实施; 五是保障各阶段资金足额及时到位,科学统筹资金使用,严格落实投资控制,确 保项目按期推进。

2、本次对外投资的目的和对公司的影响

磷化铟单晶片属于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,具有电子迁移率高、抗辐射 能力强、导热性好、禁带宽度高和高频光电转换效率优异等诸多优点,主要用于 生产激光器、探测器芯片,是应用于数据中心、高速光模块、高功率激光器等领 域的关键基础材料。近年来,随着光通信市场需求的快速增长,高速光模块已进 入规模化部署阶段,下游厂商对于磷化铟单晶片的需求持续扩大,同时也对尺寸 和品质提出了更高要求,公司现有产能已无法满足市场需求。公司拟通过本次项 目投资,紧抓产业发展机遇,进一步扩大产能,提高工艺技术水平,加大关键核 心技术的研发及成果转化,推动设备优化升级,提升产品质量和生产效率,从而 更好地满足持续增长的市场需求。

本项目实施完成后,公司控股子公司云南鑫耀将具备年产45 万片(折合4 英寸)高品质磷化铟单晶片的产能。项目的实施是在现有产能基础上扩建,不会 影响现有生产线的运行,不会对公司正常的生产经营造成重大不利影响。项目的 实施能够满足当前客户需求并紧跟未来下游需求的趋势,对促进公司产业向深加 工方向转型升级有积极意义,有利于进一步增强企业的核心竞争力和盈利能力, 实现公司化合物半导体材料产业的高质量发展。

特此公告。

云南临沧鑫圆锗业股份有限公司董事会

2026 年4 月4 日