本川智能：关于控股子公司与西安交通大学签署《技术开发(委托)合同》的自愿性信息披露公告
江苏本川智能电路科技股份有限公司 关于控股子公司与西安交通大学签署《技术开发(委托)合同》 的自愿性信息披露公告
本公司及董事会全体成员保证信息披露的内容真实、准确、完整,没有虚 假记载、误导性陈述或重大遗漏。
特别提示:
1、本次签署的技术开发合同确立了双方的合作计划,具体实施进度和最终 成果尚存在不确定性,敬请广大投资者谨慎决策,注意投资风险。
2、本次技术开发合同的签署不会对公司本年度财务状况及经营业绩构成重 大影响。
一、合同签署概况
为进一步把握行业发展契机,稳步提升整体经营竞争力,江苏本川智能电路 科技股份有限公司(以下简称“公司”)控股子公司南京本川鹏芯科技有限公司 (以下简称“本川鹏芯”)近日与西安交通大学经过平等协商,签署了《技术开 发(委托)合同》,本川鹏芯委托西安交通大学研究开发功率半导体器件CIPB 高 密度封装技术开发项目,并支付研究开发经费和报酬,西安交通大学接受委托并 进行此项研究开发工作。
根据《深圳证券交易所创业板股票上市规则》等相关法律法规及《公司章程》 的要求,上述交易无需提交公司董事会、股东会审议。上述交易事项不涉及关联 交易,也不构成《上市公司重大资产重组管理办法》规定的重大资产重组。现将 有关事项公告如下:
二、合作方基本情况
1、单位名称:西安交通大学
2、统一社会信用代码:12100000435230200R
3、法定代表人:张立群
4、机构类型:事业单位
5、地址:陕西省西安市咸宁西路28 号
6、宗旨和业务范围:培养高等学历人才,促进科技文化发展。哲学类、理 学类、管理学类、工学类、文学类、医学类、经济学类、法学类和教育学类学 科高等专科、本科、研究生班、硕士研究生和博士研究生学历教育博士后培养 相关科学研究、继续教育、专业培训与学术交流。
7、关联关系说明:公司与西安交通大学不存在关联关系。
三、《技术开发(委托)合同》的主要内容
委托方(甲方):南京本川鹏芯科技有限公司
受托方(乙方):西安交通大学
1、开发目的:根据最新工程实践与学术研究,对碳化硅(SiC)多芯片并 联嵌入式CIPB 功率半导体封装技术进行研究,实现以下目的:通过多物理场 仿真,验证嵌入式CIPB 封装在SiC 多芯片并联工况下的可行性与极限边界; 在设计阶段识别并消除因高dv/dt、高功率密度带来的电、热、机械失效风险; 为后续工艺定型、可靠性测试和量产降本提供数字化依据。
2、技术内容:
(1)电性能
①三维寄生参数提取
②多芯片并联瞬态均流仿真(含门极走线、Kelvin 源影响)
③EMI 频谱
(2)热性能
①稳态与瞬态热-流耦合(芯片?铜柱?PCB 内嵌铜层?散热器的完整路径)
②高温热点定位及散热增强方案评估
(3)机械/可靠性
①热-结构耦合应力:芯片焊层、铜柱-树脂界面、PCB 层间剥离
②功率循环、温度循环、随机振动、板级弯曲试验仿真
③绝缘失效:电-热协同场强、局部放电起始电压
3、研究开发经费和报酬总额为:人民币50 万元(含税3%)。由甲方以完 成项目的数量和进度比例分批支付乙方。具体支付方式和时间如下:甲乙双方 签署本合同后30 日内,乙方按甲方财务要求开具合法有效发票后,甲方向乙方 支付本合同总金额的50%,即人民币25 万元作为项目启动资金;项目最终验收 通过后,乙方按甲方财务要求开具合法有效发票后,甲方在30 日内支付其余的 人民币25 万元。
4、双方确定,因履行本合同所产生的研究开发成果及其相关知识产权权利 归属,按下列方式处理:
甲乙双方作为共同专利申请人,共同享有本项目研发成果的专利申请权。
专利权取得后的使用和有关利益分配方式如下:
(1)甲方享有免费、永久、不受限制的商业化使用权,并独立享有商业化 过程中获得的收益。
(2)乙方仅可针对该专利进行学术研究使用(学术成果展示,引用),不 得进行任何其他商业化的使用,包括但不限于产业化、授权许可第三人使用等。 如乙方拟将该专利授权给第三方使用的,须经甲方书面同意,并以甲、乙双方 名称共同对外授权,针对该类授权获得的收益,须经双方友好协商按比例分配。
技术秘密除本协议另有约定外,由双方共同享有,技术秘密的使用权利及 利益分配按本条前款约定执行。
5、双方确定,甲方有权利用乙方按照本合同约定提供的研究开发成果,进 行后续改进。由此产生的具有实质性或创造性技术进步特征的新的技术成果及 其权利归属,由甲方享有。
乙方有权在完成本合同约定的研究开发工作后,利用该项研究开发成果进 行后续改进。由此产生的具有实质性或创造性技术进步特征的新的技术成果, 归乙方所有。
6、双方确定,按以下标准及方法对乙方完成的研究开发成果进行验收:甲 方组织专家验收。
7、乙方应当保证其交付给甲方的研究开发成果不侵犯任何第三人的合法权 益。如发生第三人指控甲方实施的技术侵权且被司法机关裁决认定甲方侵权的, 乙方应当赔偿由此给甲方造成的所有损失(包括但不限于甲方需向第三方赔款、 为解决本纠纷所发生的诉讼费、鉴定费、差旅费、律师费等)。
8、双方确定:任何一方违反本合同约定,造成研究开发工作停滞、延误或 失败的,按以下约定承担违约责任:乙方违反本合同相关约定的,除本合同另 有约定外,甲方可以要求乙方进行变更、修改。经甲乙双方友好协商,如存在 无法解决的前款争议,双方同意通过向甲方所在地法院提起诉讼予以最终解决。 诉讼费用除民事判决书中已作决定的之外,由败诉方承担。
9、乙方同意并确认,在本合同签署后及合同终止后三年内,不得与任何第 三方进行与本合同项目相同或相似的合作合同。乙方不得将本合同项下产生的 知识产权成果自行以自己名义申请知识产权,也不得将本协议项下任何技术成 果私自提供给任何一方,否则,因此产生的一切收益归甲方所有,且乙方须将 所有相关知识产权无偿转让至甲方名下,并赔偿甲方因此遭受的全部损失,包 括但不限于甲方的直接损失及甲方为维权产生的律师费、保全费、鉴定费、取 证费、诉讼费等所有费用。
10、乙方应确保其履行本协议项下所有义务不与乙方在职的学校政策相冲 突,并确保甲方可以依据本协议约定享有本协议项下一切权利,否则乙方须退 还甲方已支付的所有费用,并向甲方承担合同总额30%的违约金,如该违约金
无法覆盖给甲方造成的全部损失(包括但不限于直接损失、间接损失及甲方为 维权支出的律师费、诉讼费、保全费、鉴定费等合理费用),乙方还应就差额 部分承担赔偿责任。
11、本合同经双方签字盖章后生效。
四、对公司的影响
基于对未来长远发展战略布局,聚焦碳化硅功率半导体高端封装领域前沿 技术,着力布局CIPB(芯片内嵌功率基板)为核心的先进封装技术平台,全面 布局高端电力电子器件赛道,公司正式启动碳化硅多芯片并联嵌入式CIPB 封 装技术的专项研发与产业化落地工作。本次签订技术开发合同,旨在深度依托 西安交通大学在电力电子领域深厚的科研积淀、实验平台与技术研发优势,结 合公司自身多年来在PCB 领域积累了丰富的精细化生产管理、质量控制经验和 成熟的管理人才体系等方面的产业实操能力,高效推动前沿科研技术成果快速 实现工程化迭代与产业化落地,双方协同完成适配CIPB 技术路线的新型碳化 硅封装结构及配套工艺体系的搭建,形成可量产的功率模块解决方案。同时借 助高校优质科研平台与师资力量,助力公司专业技术人才梯队建设与核心研发 团队能力提升,持续夯实公司相关产品技术壁垒与核心竞争优势,加速完善产 业布局。
本次合同的签署不会对公司本年度财务状况及经营业绩构成重大影响,对 公司未来年度经营业绩的影响将视双方后续项目的实施进展情况确定。合同的 履行不影响公司业务的独立性。
五、风险提示
项目研制开发课题周期约为1 年,本合同在履行过程中可能受宏观经济、 政策变化、研发不达预期等不可预见的因素制约,影响最终执行情况;如本次 技术开发项目工作能顺利完成,后期科研转化成果能否最终实现或产业化实现 的进程也会受行业、政策、市场需求变化等多种因素影响,预期效益存在较大 不确定性。敬请广大投资者注意投资风险,理性投资。
六、备查文件
《技术开发(委托)合同》。
特此公告。
江苏本川智能电路科技股份有限公司董事会
2026 年5 月21 日