利扬芯片：关于自愿披露子公司成功完成晶圆激光隐切等系列技术工艺的调试并将进入量产阶段的公告

广东利扬芯片测试股份有限公司关于自愿披露子公司成功完成晶圆激光隐切等系列

技术工艺的调试并将进入量产阶段的公告

本公司董事会及全体董事保证公告内容不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性承担个别及连带法律责任。

重要内容提示

? （一）广东利扬芯片测试股份有限公司全资子公司利阳芯（东莞）微电子有限公司近期已成功完成晶圆减薄、抛光，激光开槽，激光隐切等系列技术工艺的调试并将进入量产阶段。

? （二）在晶圆减薄、抛光，激光开槽，激光隐切等系列技术工艺服务过程中，不排除未来受全球宏观经济环境、行业市场竞争格局、行业状况等多种因素的影响，如果该等因素发生不可预见的变化，将会存在无法达到预期效益的风险，对公司2024年及未来盈利能力的影响程度具有一定的不确定性。

一、基本情况

广东利扬芯片测试股份有限公司（以下简称“公司”）全资子公司利阳芯（东莞）微电子有限公司（以下简称“利阳芯”）主要提供晶圆减薄、抛光，激光开槽，激光隐切，碳化硅棒(硅锭)激光剥片等技术服务。利阳芯近期已成功完成晶圆减薄、抛光，激光开槽，激光隐切等系列技术工艺的调试并将进入量产阶段，其工艺技术特点如下：

（一）利阳芯在晶圆减薄、抛光技术工艺方面，目前可提供业内最高标准的超薄晶片减薄加工技术服务。采用全自动研削拋光机，实现背面研削和去除应力的一体化作业，可稳定地实施厚度在25μm以下的薄型化加工。

（二）利阳芯在激光开槽技术工艺方面，采用非接触的激光加工去除晶圆切割道表面的金属布线层，支持晶圆的开槽和全切工艺，激光开槽宽度20-120μm

连续可调，开槽深度可达26-30μm，有较好的槽型和深度稳定性，适用于切割道存在多金属、厚金、Low-K、钝化层等多种情况。激光开槽工艺技术解决常规刀片切割带来的崩边、金属卷边和金属残留等异常及正面钝化层破裂的品质问题，避免芯片产品存在可靠性风险。

（三）利阳芯拥有业内领先的无损内切激光隐切技术。隐形切割是将激光聚焦于晶圆内部以形成改质层，配合扩片将晶圆分割成die（裸片/裸晶）的切割方法。该技术可适用于加工最窄20μm切割道的晶圆，（标准划片道由60μm缩小至20μm），提升晶圆芯片面积的利用率，提高Gross dies的数量，预计降低芯片成本最大可达30%以上。激光隐切技术可取代很多传统金刚石水切工艺无法解决的技术难题。另外，激光隐切属于干式环保工艺，无损内切在加工品质上的优势如下：（1）可以抑制加工碎屑的产生，抗污，防止芯片的正背面崩边和侧崩，有效避免对芯片线路的损伤；（2）隐切对正面钝化层的保护更加完好，污染、微粒粘附、PAD氧化等影响键合难题均可以得到有效的解决，从而保证客户芯片产品稳定的品质和良率，对高可靠性芯片包括特种芯片更是提升品质的最佳解决方案。

二、对上市公司的影响

公司目前具备晶圆减薄、抛光，激光开槽，激光隐切等系列技术工艺的服务能力，随着该等系列技术工艺量产，进一步丰富了公司技术服务的类型，满足全系列晶圆切割需求，有助于协同集成电路测试业务发展，提升公司的核心竞争力和市场地位，服务更多优质客户，预计对公司未来的市场拓展和业绩成长产生积极的影响。

三、相关风险提示

在晶圆减薄、抛光，激光开槽，激光隐切等系列技术工艺服务过程中，不排除未来受全球宏观经济环境、行业市场竞争格局、行业状况等多种因素的影响，如果该等因素发生不可预见的变化，将会存在无法达到预期效益的风险，对公司2024年及未来盈利能力的影响程度具有一定的不确定性。

公司将严格按照相关法律、法规及规范性文件的要求，及时履行信息披露义务。敬请广大投资者注意风险，谨慎投资。

特此公告。

广东利扬芯片测试股份有限公司董事会

2024年1月24日