臻宝科技:中信证券股份有限公司关于重庆臻宝科技股份有限公司2026年半年度持续督导跟踪报告
中信证券股份有限公司关于重庆臻宝科技股份有限公司2026年半年度持续督导跟踪报告
中信证券股份有限公司(以下简称“中信证券”或“保荐人”)作为重庆臻宝科技股份有限公司(以下简称“臻宝科技”或“公司”或“上市公司”)首次公开发行股票并在科创板上市的保荐人。根据《证券发行上市保荐业务管理办法》、《上海证券交易所科创板股票上市规则》等相关规定,自臻宝科技发行上市之日(2026年6月24日)起,中信证券履行持续督导职责,并出具本持续督导半年度跟踪报告。
一、持续督导工作概述
1、保荐人制定了持续督导工作制度,制定了相应的工作计划,明确了现场检查的工作要求。
2、保荐人已与公司签订保荐协议,该协议已明确了双方在持续督导期间的权利义务,并报上海证券交易所备案。
3、本持续督导期间,保荐人通过与公司的日常沟通、现场回访等方式开展持续督导工作。
4、本持续督导期间,保荐人根据相关法规和规范性文件的要求履行持续督导职责,具体内容包括:
(1)查阅公司章程、三会议事规则等公司治理制度、三会会议材料;
(2)查阅公司财务管理、会计核算和内部审计等内部控制制度;
(3)查阅公司与控股股东、实际控制人及其关联方的资金往来明细及相关内部审议文件、信息披露文件;
(4)查阅公司募集资金管理相关制度、募集资金使用信息披露文件和决策程序文件、募集资金专户银行对账单、募集资金使用明细账;
(5)对公司高级管理人员进行访谈;
(6)对公司及其控股股东、实际控制人、董事、监事、高级管理人员进行公开信息查询;
(7)查询公司公告的各项承诺并核查承诺履行情况;
(8)通过公开网络检索、舆情监控等方式关注与发行人相关的媒体报道情况。
二、保荐人和保荐代表人发现的问题及整改情况
基于前述保荐人开展的持续督导工作,本持续督导期间,保荐人和保荐代表人未发现公司存在重大问题。
三、重大风险事项
本持续督导期间,公司主要的风险事项如下:
(一)下游行业周期性波动风险
半导体、显示面板行业具备较强周期性特征,下游晶圆制造、面板厂商资本开支计划受宏观经济环境、终端消费需求、行业景气度、国际贸易政策及全球技术管制等多重因素影响。若下游市场需求走弱,客户缩减资本开支、产线稼动率下降,延缓设备采购及耗材更新节奏,将导致公司真空腔体零部件、表面处理服务需求下降。同时半导体先进制程持续迭代,对零部件纯度、加工精度、防护涂层性能要求持续升级,若未来行业出现重大技术路线变更,而公司未能及时跟进技术升级,现有产品与工艺存在被替代的风险,对公司经营业绩产生不利影响。
(二)半导体行业被美国等发达国家进一步制裁的风险
近年来,随着美国芯片法案等贸易限制政策不断加码,地缘政治不确定性持续加剧,全球半导体供应链不稳定性显著提升,集成电路行业已逐步成为中美技术竞争的焦点。公司主要从事设备零部件制造及表面处理服务,主要客户为国内集成电路制造企业。如果未来相关国家和地区出于贸易保护、地缘政治等原因,采取限制国内晶圆厂购买先进半导体设备、停止关键设备维修保养服务或者停供需定期更换的“卡脖子”设备零部件等措施,国内先进制程芯片的稳定生产、工艺
升级及产能扩张将受到影响。公司半导体行业主要客户是国内先进制程集成电路制造企业,则公司也可能面临下游终端订单需求下降等风险,从而对公司经营发展产生一定的不利影响。
(三)客户集中及客户认证相关风险
公司产品主要供给国内头部晶圆制造企业、显示面板厂商,客户集中度相对较高。若主要客户调整采购策略、引入竞品供应商、下调采购价格或减少采购规模,将会对公司营收及盈利水平造成冲击。半导体设备零部件准入流程严苛,新产品工艺验证周期较长,若公司新品研发成果无法持续通过下游客户工艺验证,或是难以同步匹配客户新工艺迭代需求,将限制新产品规模化落地,存在丢失市场份额的风险。若下游核心客户自身经营状况、扩产规划发生重大调整,也将直接影响公司订单规模。
(四)技术研发及核心人才流失风险
公司核心竞争力依托持续自主研发创新,需长期在半导体原材料制备、硬脆材料超精密加工、高致密防护涂层等方向持续投入研发。前沿技术研发存在不确定性,相关研发项目可能出现技术攻关受阻、产业化进度不及预期等情形;即便研发取得突破,新产品亦可能面临客户端验证周期长、商业化落地缓慢的问题。同时,国内半导体高端技术人才竞争日趋激烈,若公司无法持续完善人才激励体系,存在核心技术人员流失、关键工艺经验外泄的风险,进而延缓研发进程,削弱公司长期技术壁垒。
(五)产能扩张带来的盈利承压风险
本次公开发行募集资金将用于生产基地扩建、研发中心建设,未来公司固定资产规模持续增加,每年折旧、摊销费用相应上升。募投项目产能释放需要一定建设、调试周期,如果下游市场需求扩张速度不及预期,新增产能利用率偏低,单位产品分摊的固定成本将有所抬升,对产品毛利率形成压力。叠加持续研发投入带来的刚性费用增长,若产能规模效应无法充分释放,公司存在盈利水平承压的风险。此外,公司部分辅助原材料、陶瓷原粉等仍需外部采购,上游原材料价格大幅波动、供应紧张亦会对生产成本与交付保障造成不利影响。
(六)上市公司治理与内控管理风险
公司于2026年6月登陆科创板,上市后业务规模持续扩张,组织架构、投融资运作、信息披露、供应链管理、合规管控复杂度显著提升。若公司治理机制、内部控制体系、管理制度未能随着业务发展持续迭代优化,人才储备、管理能力无法匹配上市公司规范化运营要求,可能出现内控执行不到位、运营管理效率不足等问题。随着后续资本运作、业务拓展持续推进,若无法持续维持稳定高效的治理架构,将制约公司长期稳健发展。
四、重大违规事项
基于前述保荐人开展的持续督导工作,本持续督导期间,保荐人未发现公司存在重大违规事项。
五、主要财务指标的变动原因及合理性
2026年半年度,公司主要财务数据及指标如下所示:
单位:万元
| 主要会计数据 | 2026年1-6月 | 2025年1-6月 | 本期比上年同期增减(%) |
| 营业收入 | 48,352.85 | 36,637.09 | 31.98 |
| 归属于上市公司股东的净利润 | 10,711.43 | 8,518.47 | 25.74 |
| 归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润 | 10,171.44 | 8,543.38 | 19.06 |
| 经营活动产生的现金流量净额 | 13,698.07 | 7,094.05 | 93.09 |
| 主要会计数据 | 2026年6月末 | 2025年末 | 本期末比上年度期末增减(%) |
| 归属于上市公司股东的净资产 | 292,642.40 | 121,026.94 | 141.80 |
| 总资产 | 334,404.86 | 161,867.62 | 106.59 |
| 主要财务指标 | 2026年1-6月 | 2025年1-6月 | 本期比上年同期增减(%) |
| 基本每股收益(元/股) | 0.92 | 0.73 | 26.03 |
| 稀释每股收益(元/股) | 0.92 | 0.73 | 26.03 |
| 扣除非经常性损益后的基本每股收益(元/股) | 0.87 | 0.73 | 19.18 |
| 加权平均净资产收益率(%) | 8.46 | 8.37 | 增加0.09个百分点 |
扣除非经常性损益后的加权平均净资产收益率(%)
| 扣除非经常性损益后的加权平均净资产收益率(%) | 8.04 | 8.40 | 减少0.36个百分点 |
| 研发投入占营业收入的比例(%) | 9.04 | 7.23 | 增加1.81个百分点 |
2026年1-6月,公司营业收入较上年同期增长31.98%,主要受益于行业景气度上行,下游客户扩产带动采购需求提升,零部件产品销售收入实现增长。
2026年1-6月,经营活动产生的现金流量净额较上年同期增长93.09%,主要源于销售收入规模增长,本期销售商品、提供劳务收到的款项较上年同期增加
1.51亿元;同时受固定资产采购对应的进项税额增加影响,本期缴纳的各项税费较上年同期减少0.14亿元。
2026年1-6月,公司研发投入占营业收入的比重较上年同期有所提升,主要系公司多个研发项目进入关键攻关阶段,研发人员薪酬、材料等相关投入相应增加。
2026年6月末,归属于上市公司股东的净资产、总资产较上年度末大幅增长,主要系公司于2026年6月完成首次公开发行股票并在科创板挂牌上市,募集资金到位,货币资金与股本、资本公积同步增加,带来公司总资产及归属于上市公司股东的净资产规模大幅提升。
六、核心竞争力的变化情况
(一)公司的核心竞争力
1、全链条技术优势,跨半导体、显示面板双赛道实现多项产品自主可控
公司是国内少数同时掌握大直径单晶硅棒、多晶硅棒、CVD-SiC等上游半导体关键材料制备技术,以及硅、石英、陶瓷等硬脆材料超精密加工及多元表面处理技术的企业。
在半导体设备零部件领域,公司攻克微深孔加工、复杂曲面成型等多项工艺难题,实现碱性刻蚀曲面硅上部电极、高致密陶瓷零部件等产品国产化突破;持续加大碳化硅精密零部件、静电卡盘、高致密防护涂层等前沿技术研发投入。相关产品已批量应用于14nm及以下先进逻辑芯片、堆叠层数200层以上3D NAND
闪存、20nm及以下DRAM先进存储芯片制造产线。在显示面板设备零部件领域,公司突破熔射再生核心工艺,实现AMOLEDPVD双极静电卡盘自主可控。通过自主设计电极结构、自研涂层粉体配方、优化喷涂工艺,实现涂层性能显著提升:氧化铝涂层孔隙率低于3%、耐等离子腐蚀质量损失小于8×10??mg/s,氧化钇涂层孔隙率低于1%;完成4.5KV高压静电卡盘技术突破。相关零部件与表面处理方案已配套G10.5-G11超大世代LCD、6G AMOLED产线刻蚀、薄膜沉积、蒸镀设备。现阶段公司持续推进高致密涂层、静电卡盘、氮化铝陶瓷加热器的研发与产能建设,相关技术已取得阶段性产业化成果。
2、一体化平台优势,具备多品类、全业务综合供应能力
公司构建原材料自研自产+精密零部件制造+表面处理再生服务完整业务平台,能够为真空腔体提供多元化零部件配套,形成区别于单一工序、单一品类零部件厂商的独特优势。原材料端,公司自主量产大直径单晶硅棒、多晶硅棒、CVD碳化硅基材、氧化铝陶瓷造粒粉、氧化钇陶瓷造粒粉等关键原料,保障上游供给安全,同时满足差异化原材料性能需求。
零部件端,可规模化供应硅基、石英、碳化硅、陶瓷多系列腔体零部件。下游客户可实现多品类零部件集中采购,减少多供应商重复认证成本,降低不同厂商零部件之间的适配磨合风险,便于统一质量管控与问题追溯,有效压降客户综合采购成本与供应链风险。
表面处理端,公司具备精密清洗、阳极氧化、等离子熔射再生等成熟工艺,同时实现高致密涂层技术产业化,可根据不同制程工况定制防护方案,提升零部件在先进制程极端等离子环境下的使用寿命,已成功拓展多家国内头部晶圆制造企业表面处理业务。
一体化协同模式有效保障产品一致性、供应链稳定性,持续提升客户采购与运维效率。
3、优质客户资源优势,国内外头部厂商广泛覆盖,先进工艺持续渗透半导体领域,公司产品与服务批量供货国内主流存储厂商、晶合集成、华润微电子、芯联集成、武汉新芯、积塔半导体、粤芯半导体等国内主流晶圆制造企业,产品深度配套14nm及以下逻辑先进制程、200层以上3D NAND、20nm及以下DRAM先进存储产线。同时实现海力士(大连)、格罗方德、联华电子、德州仪器等国际制造厂商产品认证及批量供货。
显示面板领域,公司服务京东方、TCL华星、天马微电子、惠科股份、彩虹光电等头部面板企业,产品覆盖G8.5–G11高世代LCD、6G AMOLED高端产线;实现G10.5-G11超大世代、4.5KV–5KV超高压工艺、OLED产线静电卡盘、PVD双极静电卡盘等关键零部件自主配套。
报告期内,公司与核心客户合作保持稳定,供应品类持续拓宽,订单规模稳步增长。
4、深度协同开发优势,前置参与客户工艺迭代,支撑产线持续改进
依托多元化零部件产品矩阵与整体解决方案能力,公司与国内主流晶圆厂、面板厂商建立长期战略合作,并配置专属技术服务团队跟进客户需求,深度理解客户工艺路线、设备配置、技术迭代目标。
报告期内,公司主动承接客户重点工艺攻关项目,联合开发超厚曲面硅上部电极、氧化钇陶瓷部件、碳化硅零部件等定制化产品,助力刻蚀、薄膜沉积设备关键零部件国产化,筑牢客户供应链安全底线。叠加上游自研半导体材料能力,可灵活匹配客户对基材尺寸、电阻率等特殊指标要求,进一步强化定制化研发与快速交付能力,持续夯实协同开发壁垒。
5、资深研发团队优势,持续保障创新投入
截至2026年6月30日,公司拥有研发人员145名,拥有已授权发明专利64项,在申请发明专利65项。报告期内,公司研发费用4,373.03万元,同比增长65.05%,研发费用率9.04%。
公司通过内部培养、外部引才搭建核心研发队伍,核心成员均为行业资深专
家,具备扎实理论功底与丰富产业化经验,先后牵头完成半导体硬脆材料加工、高纯陶瓷制备、等离子防护涂层、零部件表面处理等多项核心工艺研发,为公司持续技术创新、新产品落地提供坚实人才支撑。
(二)核心竞争力变化情况
本持续督导期间,保荐人通过查阅同行业上市公司及市场信息,查阅公司招股说明书、定期报告及其他信息披露文件,对公司高级管理人员进行访谈等,未发现公司的核心竞争力发生重大不利变化。
七、研发支出变化及研发进展
(一)研发支出变化
单位:万元
| 项目 | 2026年1-6月 | 2025年1-6月 | 变化幅度(%) |
| 费用化研发投入 | 4,373.03 | 2,649.54 | 65.05 |
| 资本化研发投入 | - | - | - |
| 研发投入合计 | 4,373.03 | 2,649.54 | 65.05 |
| 研发投入总额占营业收入比例(%) | 9.04 | 7.23 | 增加1.81个百分点 |
| 研发投入资本化的比重(%) | - | - | - |
2026年1-6月,研发投入占营业收入的比重较上年同期有所提升,主要系公司多个研发项目进入关键攻关阶段,研发人员薪酬、材料等相关投入相应增加。
(二)研发进展
单位:万元
| 序号 | 项目名称 | 预计总投资规模 | 本期投入金额 | 累计投入金额 | 进展或阶段性成果 | 拟达到目标 | 技术水平 | 具体应用前景 |
| 1 | 静电吸盘L1-L4级再生技术前段开发 | 2,380.29 | 581.58 | 1,889.89 | 在研 | 自主研发适配12英寸刻蚀设备的半导体静电吸盘产品体系,突破高性能陶瓷基材制备、电极布线、绝缘层精密加工核心工艺 | 国内领先 | 产品用于晶圆承载与静电吸附;新品配套新增设备装机,再生方案挖掘耗材全生命周期价值,满足国内晶圆厂供应链自主可控需求 |
| 2 | AlN Heater陶瓷部件开发项目 | 1,408.30 | 530.71 | 799.96 | 在研 | 攻克氮化铝陶瓷与金属共烧结、陶瓷异种材料焊接、陶瓷与陶瓷同材质粘接关键技术,解决高导热、绝缘、耐高温协同难题,实现12英寸薄膜沉积设备氮化铝加热器国产化开发与验证 | 国内领先 | 产品应用于PVD、CVD等薄膜沉积工艺腔体,为晶圆提供均匀温控环境,适配先进制程薄膜沉积设备,填补国内高端氮化铝加热部件配套缺口 |
| 3 | GD商业机搭建和验证 | 1,205.00 | 402.47 | 512.19 | 在研 | 搭建气溶胶沉积商用化设备平台,完成工艺调试与批量制备验证;开发低孔隙率、高致密、低颗粒的耐等离子氧化钇防护涂层制备工艺,对标业界领先高致密涂层技术,形成稳定量产工艺 | 国内领先 | 涂层方案适配先进制程刻蚀腔体陶瓷零部件,降低腔体颗粒缺陷,提升零部件抗等离子腐蚀能力,面向头部晶圆厂高精密腔体耗材配套 |
| 4 | 静电吸盘L1-L3级再生技术开发 | 415.00 | 299.59 | 322.32 | 在研 | 研究静电吸盘等离子工况失效机理与损伤演化模型,开发精密修复、性能恢复升级工艺;掌握陶瓷基体精密加工、电性能复测校准核心技术,实 | 国内领先 | 面向存量产线静电吸盘再生需求,降低客户耗材采购成本;广泛配套集成电路刻蚀静电卡盘,完善公司零部件再生服务业务 |
序号
| 序号 | 项目名称 | 预计总投资规模 | 本期投入金额 | 累计投入金额 | 进展或阶段性成果 | 拟达到目标 | 技术水平 | 具体应用前景 |
| 现静电吸盘分级再生技术自主可控 | 矩阵 | |||||||
| 5 | 气溶胶沉积氧化钇涂层技术开发(GD1) | 1,542.00 | 289.43 | 356.03 | 在研 | 开发气溶胶沉积氧化钇涂层成套制备工艺,实现介质窗口、喷嘴等半导体核心零部件的涂层制备,达到高致密、高耐蚀的涂层性能指标,并通过先进工艺节点的供应链验证与导入 | 国内领先 | 应用于先进节点中的干法刻蚀、薄膜沉积等工艺的关键核心零部件 |
| 6 | 新品石英开发 | 1,200.00 | 218.78 | 682.31 | 在研 | 突破高纯石英复杂成型、微孔精密加工、表面处理工艺,开发多款适配先进制程设备的新型石英腔体零部件,完成客户端工艺验证 | 国内领先 | 石英部件作为刻蚀、薄膜沉积腔体核心耗材,适配逻辑芯片、存储芯片成熟及先进制程产线,丰富公司石英耗材料号矩阵,巩固基石业务市场份额 |
| 合计 | / | 8,150.59 | 2,322.56 | 4,562.70 | / | / | / | / |
八、新增业务进展是否与前期信息披露一致
本持续督导期间,保荐人通过查阅公司招股说明书、定期报告及其他信息披露文件,对公司高级管理人员进行访谈,基于前述核查程序,保荐人未发现公司存在新增业务。
九、募集资金的使用情况及是否合规
本持续督导期间,保荐人查阅了公司募集资金管理使用制度、募集资金专户银行对账单和募集资金使用明细账,并对大额募集资金支付进行凭证抽查,查阅募集资金使用信息披露文件和决策程序文件,实地查看募集资金投资项目现场,了解项目建设进度及资金使用进度,取得上市公司出具的募集资金使用情况报告,对公司高级管理人员进行访谈。
基于前述核查程序,保荐人认为:本持续督导期间,公司已建立募集资金管理制度并予以执行,募集资金使用已履行了必要的决策程序和信息披露程序,募集资金进度与原计划基本一致,基于前述检查未发现违规使用募集资金的情形。
十、控股股东、实际控制人、董事和高级管理人员的持股、质押、冻结及减持情况
本持续督导期间,公司控股股东、实际控制人、董事和高级管理人员的持股数量未发生变化,且不存在质押、冻结及减持情况。
十一、保荐人认为应当发表意见的其他事项
基于前述保荐人开展的持续督导工作,本持续督导期间,保荐人未发现应当发表意见的其他事项。
(以下无正文)