研报评级☆ ◇605358 立昂微 更新日期：2026-05-09◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.投资评级统计】【2.盈利预测统计】【3.盈利预测明细】【4.研报摘要】
【5.机构调研】
【1.投资评级统计】最新评级日期:2025-11-06
时间段 买入评级次数 增持评级次数 中性评级次数 减持评级次数 卖出评级次数 评级次数合计
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1年内 4 3 1 0 0 8
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【2.盈利预测统计】 暂无数据
【3.盈利预测明细】 暂无数据
【4.研报摘要】 暂无数据
【5.机构调研】(近6个月)
参与调研机构：4家
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2026-04-14│立昂微(605358)2026年4月14日投资者关系活动主要内容
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1.公司硅片业务板块的毛利率趋势如何？
答：12英寸硅片属于重投资产业，折旧、电费、人工等固定成本占营业成本接近三分之二，随着12英寸硅片出货量的
快速上升，尤其是随着公司优势产品的12英寸外延片的达产，单位分摊固定成本快速下降，毛利率水平将会回升。
2.公司未来资本开支如何？
答：公司将推动现有产能的充分释放，当前的资本开支主要聚焦于12英寸重掺衬底硅片和外延硅片的扩产，进一步将
公司的优势产品做大做强。
3.公司12英寸重掺系列硅片产能和稼动率如何？
答：公司12英寸重掺系列硅外延片产能10万片/月，目前订单饱满，已完全达产，部分订单处于延迟交货状态。
4.客户拓展有哪些进展？
答：公司12英寸硅片已覆盖14nm以上技术节点逻辑电路和存储电路，以及客户所需技术节点的图像传感器件和功率器
件。
5.公司功率芯片何时通过车载认证？
答：2016年公司顺利通过了博世（Bosch）、大陆集团（Continental）、法格的体系认证，成为获得车载电源开关资
格认证的肖特基二极管芯片供应商。
6.公司各尺寸硅片设备国产化率？
答：公司6-8英寸设备基本实现国产化替代，12英寸设备中的单晶炉设备已全部实现国产化，其他设备在进行验证或
已有部分实现国产替代。公司会充分给予设备厂商验证、DEMO的机会，达到使用要求会积极进行采购。
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参与调研机构：3家
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2026-04-10│立昂微(605358)2026年4月10日投资投资者关系活动主要内容
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1.公司硅片业务板块的毛利率趋势如何？
答：12英寸硅片属于重投资产业，折旧、电费、人工等固定成本占营业成本接近三分之二，随着12英寸硅片出货量的
快速上升，尤其是随着公司优势产品的12英寸外延片的达产，单位分摊固定成本快速下降，毛利率水平将会回升。
2.公司未来资本开支如何？
答：公司将推动现有产能的充分释放，当前的资本开支主要聚焦于12英寸重掺衬底硅片和外延硅片的扩产，进一步将
公司的优势产品做大做强。
3.公司12英寸重掺系列硅片产能和稼动率如何？
答：公司12英寸重掺系列硅外延片产能10万片/月，目前订单饱满，已完全达产，部分订单处于延迟交货状态。
4.客户拓展有哪些进展？
答：公司12英寸硅片已覆盖14nm以上技术节点逻辑电路和存储电路，以及客户所需技术节点的图像传感器件和功率器
件。
5.公司功率芯片何时通过车载认证？
答：2016年公司顺利通过了博世（Bosch）、大陆集团（Continental）、法格的体系认证，成为获得车载电源开关资
格认证的肖特基二极管芯片供应商。
6.公司各尺寸硅片设备国产化率？
答：公司6-8英寸设备基本实现国产化替代，12英寸设备中的单晶炉设备已全部实现国产化，其他设备在进行验证或
已有部分实现国产替代。公司会充分给予设备厂商验证、DEMO的机会，达到使用要求会积极进行采购。
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参与调研机构：5家
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2026-01-16│立昂微(605358)2026年1月16日投资者关系活动主要内容
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1.公司12英寸硅片主要竞争优势是什么？
答：公司12英寸硅片生产技术拥有自主知识产权，通过二十余年的技术攻关与经验积累，公司外延技术和重掺单晶技
术优势突出，是公司的核心竞争力。上述优势可以构建与同行业公司的差异化竞争，因此公司相较同行业公司拥有更好的
盈利能力。公司的外延技术既可以应用于重掺硅外延片，也可以应用于轻掺硅外延片。（1）公司拥有行业领先的超低阻
重掺单晶技术和外延缺陷消除技术，12英寸重掺系列外延片满足高端功率器件需求，终端应用于AI服务器不间断电源、储
能变流器、充电桩、工业电子、伺服驱动器、以及消费类电子、汽车电子、家用电器、嵌入式系统和工业控制等领域，市
场需求广阔。现有12英寸重掺系列硅片稼动率约80%。（2）公司轻掺硅外延片聚焦12英寸逻辑电路用轻掺硼硅片、BCD轻
掺硼硅片、CIS轻掺硼硅片等重点产品，上述产品已在客户端快速上量，相较于轻掺抛光片拥有更高的单片价值量。
2.公司硅片产品价格趋势如何？是否回到历史高点？
答：自2025年第一季度以来，公司平均出货价格环比逐季提升。目前硅片产品价格尚未回到历史高点水平，随着硅片
行业和下游相关行业应用的提升，公司平均出货价格有望继续提升。
3.公司12英寸硅片设备国产化程度如何？
答：公司大力支持国产设备厂商，公司各尺寸硅片的生产设备均优先采购国产设备，在设备选型中会给予国产设备制
造厂商充分的DEMO机会，达到要求后会采购。
4.公司功率芯片主要有哪些竞争优势？
答：公司较早通过了大陆、博世、法格的车载体系认证，产品质量稳定。公司功率芯片全部使用公司自己生产的6英
寸硅外延片，公司可以从硅片材料阶段就给客户做一些定制生产，可以更好地满足客户的需求。
5.公司什么时候开始切入的低轨卫星通讯芯片？
答：立昂东芯pHEMT工艺可将栅长0.15um的功率管、低噪声晶体管、PN二极管、E/D逻辑及射频开关集成于单芯片并实
现商业化量产，该工艺于2023年完成开发，同年开始进入低轨卫星终端客户，并实现大规模出货。
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参与调研机构：1家
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2026-01-15│立昂微(605358)2026年1月15日投资者关系活动主要内容
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1.公司12英寸硅片主要竞争优势是什么？
答：公司12英寸硅片生产技术拥有自主知识产权，通过二十余年的技术攻关与经验积累，公司外延技术和重掺单晶技
术优势突出，是公司的核心竞争力。上述优势可以构建与同行业公司的差异化竞争，因此公司相较同行业公司拥有更好的
盈利能力。公司的外延技术既可以应用于重掺硅外延片，也可以应用于轻掺硅外延片。（1）公司拥有行业领先的超低阻
重掺单晶技术和外延缺陷消除技术，12英寸重掺系列外延片满足高端功率器件需求，终端应用于AI服务器不间断电源、储
能变流器、充电桩、工业电子、伺服驱动器、以及消费类电子、汽车电子、家用电器、嵌入式系统和工业控制等领域，市
场需求广阔。现有12英寸重掺系列硅片稼动率约80%。（2）公司轻掺硅外延片聚焦12英寸逻辑电路用轻掺硼硅片、BCD轻
掺硼硅片、CIS轻掺硼硅片等重点产品，上述产品已在客户端快速上量，相较于轻掺抛光片拥有更高的单片价值量。
2.公司硅片产品价格趋势如何？是否回到历史高点？
答：自2025年第一季度以来，公司平均出货价格环比逐季提升。目前硅片产品价格尚未回到历史高点水平，随着硅片
行业和下游相关行业应用的提升，公司平均出货价格有望继续提升。
3.公司12英寸硅片设备国产化程度如何？
答：公司大力支持国产设备厂商，公司各尺寸硅片的生产设备均优先采购国产设备，在设备选型中会给予国产设备制
造厂商充分的DEMO机会，达到要求后会采购。
4.公司功率芯片主要有哪些竞争优势？
答：公司较早通过了大陆、博世、法格的车载体系认证，产品质量稳定。公司功率芯片全部使用公司自己生产的6英
寸硅外延片，公司可以从硅片材料阶段就给客户做一些定制生产，可以更好地满足客户的需求。
5.公司什么时候开始切入的低轨卫星通讯芯片？
答：立昂东芯pHEMT工艺可将栅长0.15um的功率管、低噪声晶体管、PN二极管、E/D逻辑及射频开关集成于单芯片并实
现商业化量产，该工艺于2023年完成开发，同年开始进入低轨卫星终端客户，并实现大规模出货。
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参与调研机构：7家
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2026-01-13│立昂微(605358)2026年1月13日投资者关系活动主要内容
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1.公司12英寸硅片主要竞争优势是什么？
答：公司12英寸硅片生产技术拥有自主知识产权，通过二十余年的技术攻关与经验积累，公司外延技术和重掺单晶技
术优势突出，是公司的核心竞争力。上述优势可以构建与同行业公司的差异化竞争，因此公司相较同行业公司拥有更好的
盈利能力。公司的外延技术既可以应用于重掺硅外延片，也可以应用于轻掺硅外延片。（1）公司拥有行业领先的超低阻
重掺单晶技术和外延缺陷消除技术，12英寸重掺系列外延片满足高端功率器件需求，终端应用于AI服务器不间断电源、储
能变流器、充电桩、工业电子、伺服驱动器、以及消费类电子、汽车电子、家用电器、嵌入式系统和工业控制等领域，市
场需求广阔。现有12英寸重掺系列硅片稼动率约80%。（2）公司轻掺硅外延片聚焦12英寸逻辑电路用轻掺硼硅片、BCD轻
掺硼硅片、CIS轻掺硼硅片等重点产品，上述产品已在客户端快速上量，相较于轻掺抛光片拥有更高的单片价值量。
2.公司硅片产品价格趋势如何？是否回到历史高点？
答：自2025年第一季度以来，公司平均出货价格环比逐季提升。目前硅片产品价格尚未回到历史高点水平，随着硅片
行业和下游相关行业应用的提升，公司平均出货价格有望继续提升。
3.公司12英寸硅片设备国产化程度如何？
答：公司大力支持国产设备厂商，公司各尺寸硅片的生产设备均优先采购国产设备，在设备选型中会给予国产设备制
造厂商充分的DEMO机会，达到要求后会采购。
4.公司功率芯片主要有哪些竞争优势？
答：公司较早通过了大陆、博世、法格的车载体系认证，产品质量稳定。公司功率芯片全部使用公司自己生产的6英
寸硅外延片，公司可以从硅片材料阶段就给客户做一些定制生产，可以更好地满足客户的需求。
5.公司什么时候开始切入的低轨卫星通讯芯片？
答：立昂东芯pHEMT工艺可将栅长0.15um的功率管、低噪声晶体管、PN二极管、E/D逻辑及射频开关集成于单芯片并实
现商业化量产，该工艺于2023年完成开发，同年开始进入低轨卫星终端客户，并实现大规模出货。
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