研报评级☆ ◇688012 中微公司 更新日期：2026-03-25◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.投资评级统计】【2.盈利预测统计】【3.盈利预测明细】【4.研报摘要】
【5.机构调研】
【1.投资评级统计】最新评级日期:2026-03-03
时间段 买入评级次数 增持评级次数 中性评级次数 减持评级次数 卖出评级次数 评级次数合计
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1月内 1 0 0 0 0 1
2月内 1 0 0 0 0 1
3月内 1 1 0 0 0 2
6月内 16 8 0 0 0 24
1年内 49 26 0 0 0 75
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【2.盈利预测统计】(近6个月)
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│财务指标 │ 2022年│ 2023年│ 2024年│2025年预测│2026年预测│2027年预测│
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│每股收益(元) │ 1.90│ 2.88│ 2.60│ 3.47│ 5.03│ 6.66│
│每股净资产(元) │ 25.13│ 28.79│ 31.71│ 35.03│ 39.81│ 46.19│
│净资产收益率% │ 7.55│ 10.02│ 8.19│ 10.01│ 12.77│ 14.63│
│归母净利润(百万元) │ 1169.79│ 1785.91│ 1615.68│ 2198.41│ 3169.19│ 4167.61│
│营业收入(百万元) │ 4739.83│ 6263.51│ 9065.17│ 12043.83│ 15662.88│ 19658.24│
│营业利润(百万元) │ 1262.91│ 1980.32│ 1703.52│ 2282.93│ 3353.37│ 4461.25│
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【3.盈利预测明细】(近6个月)
日期 评级 评级变化 目标价 2025EPS 2026EPS 2027EPS 研究机构
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2026-03-03 买入 维持 --- 3.37 5.04 6.83 爱建证券
2026-01-05 增持 维持 370 3.42 4.97 6.48 群益证券
2025-12-19 买入 维持 --- 3.48 5.04 6.83 爱建证券
2025-12-18 买入 维持 --- 3.36 5.00 6.88 中邮证券
2025-12-18 买入 维持 --- 3.89 5.44 7.12 东吴证券
2025-12-08 买入 首次 --- 3.48 5.04 6.83 爱建证券
2025-12-02 买入 维持 --- 3.95 5.44 6.85 华安证券
2025-11-20 买入 首次 --- 3.27 5.12 6.94 东海证券
2025-11-17 买入 维持 --- 3.83 5.37 6.96 长江证券
2025-11-12 买入 维持 --- 3.71 5.02 6.74 华源证券
2025-11-04 增持 未知 360 3.42 4.97 6.48 群益证券
2025-11-04 增持 维持 --- 3.29 4.73 6.20 平安证券
2025-11-03 增持 维持 325 3.13 5.24 6.50 交银国际
2025-11-03 买入 调高 333.2 3.65 4.74 6.08 华泰证券
2025-11-02 买入 维持 324.77 3.19 5.40 7.17 东方证券
2025-10-31 买入 维持 373.3 3.10 4.67 6.32 华创证券
2025-10-31 买入 维持 362.37 3.50 4.73 6.37 国投证券
2025-10-30 增持 维持 --- 3.75 5.25 7.12 华西证券
2025-10-30 买入 维持 --- 3.89 5.44 7.12 东吴证券
2025-10-30 买入 维持 --- 3.40 4.88 6.37 上海证券
2025-10-30 增持 维持 --- 3.28 4.71 6.21 招商证券
2025-10-30 增持 维持 --- 3.56 4.96 6.65 财通证券
2025-10-30 增持 维持 331 --- --- --- 中金公司
2025-10-29 买入 维持 --- 2.98 4.45 6.12 国金证券
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【4.研报摘要】(近6个月)
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2026-03-03│中微公司(688012)2025年业绩快报点评：刻蚀业务稳健增长、薄膜业务加速放│爱建证券 │买入
│量 │ │
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投资要点：
公司发布2025年度业绩快报，符合我们预期：2025年实现营业收入约123.85亿元，同比+36.62%；预计实现归母净利
润约21.11亿元，同比+30.69%。同期公司研发投入约37.44亿元，同比+52.65%，研发费用率为30.23%。
刻蚀设备主业维持稳健增长，公司2025年刻蚀设备实现销售98.32亿元，同比+35.12%，收入占比约79.39%，为公司核
心收入来源。1）行业需求侧来看，多重图案化与3D存储结构升级持续提升刻蚀与沉积设备强度。逻辑制程由7nm向5nm及
以下演进，3DNAND由100+层向200+层、由单deck向双/三deck发展，带动单晶圆工艺步数及对应设备SAM提升至约1.7–2.0
倍，行业需求呈结构性扩张。2）公司在先进逻辑关键刻蚀及存储超高深宽比刻蚀环节实现稳定量产，CCP覆盖高深宽比需
求；面向下一代逻辑与存储的ICP及化学气相刻蚀设备已具备单原子级加工精度与重复性。截至2025年底，公司反应台累
计装机超7,800台，覆盖170余条芯片及LED产线。
公司薄膜业务增速显著快于整体，收入占比持续提升；产品矩阵延伸至多领域。公司LPCVD及ALD设备2025全年实现销
售5.06亿元，同比+224.23%，收入占比由2024年的1.72%提升2.36pct至4.09%。产品层面，公司已覆盖先进存储与逻辑器
件的多款LPCVD、ALD设备，近两年新开发十余种薄膜设备并部分实现量产出货，LPCVD累计出货超300个反应台。外延方面
，公司硅及SiGeEPI设备进入量产验证，减压EPI向先进制程延伸。化合物半导体及显示领域，公司保持GaN基MOCVD设备领
先地位，布局SiC、GaN功率器件及Micro-LED方向，部分新品进入验证阶段，SiC外延及红黄光LED设备已付运客户端验证
。
投资建议：考虑到公司25年加强研发投入，我们调整2025年归母净利润为21.11亿元（前值为21.81亿元）。先进逻辑
制程推进与高层数3DNAND演进带来工艺复杂度提升，推动单线设备投入强度与可服务市场持续扩张，有望提升公司中期业
绩增长上限。在刻蚀和薄膜两条核心工艺主线上，公司已切入关键制程并形成批量应用基础，受益路径清晰，具备较强稀
缺性与成长弹性。我们预计公司2025–2027年归母净利润分别为21.11/31.58/42.78亿元,对应同比增长30.7%/49.6%/35.4
%，对应PE分别为103.5x/69.2x/51.1x。维持"买入"评级。
风险提示：先进制程及存储扩产节奏不及预期；下游晶圆厂资本开支波动；新产品验证及放量进度低于预期；核心零
部件及供应链稳定性风险。
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2026-01-05│中微公司(688012)拟收购CMP企业，平台化战略更进一步 │群益证券 │增持
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结论与建议：
公司公告拟通过增发及现金支付方式收购杭州众硅65%的股权。通过本次幷购，公司将成为具备“刻蚀+薄膜沉积+量
检测+湿法”四大前道核心工艺的厂商，成功实现从“干法”向“干法+湿法+量检测”整体解决方案的关键跨越。公司成
长空间进一步打开。目前公司股价对应2027年PE42倍，维持买进的评级。
拟增发收购杭州众硅,平台化战略更进一步。公司公告，拟向不超过35名的特定投资者非公开发行股票及支付现金方
式收购杭州众硅(CMP设备)64.7%的股权，若收购完成，公司将持有共计76.7%的杭州众硅股权（原中微临港持有12%）。标
的公司创始人为顾海洋博士及团队人员主要是来源于应材、泛林等龙头企业,当前已成为国内少数掌6至12英寸全制程CMP
工艺开发与设备落地能力的厂商。杭州众硅2025年前11个月营收1.28亿元，超2024年全年5287万元规模，前11个月亏损1.
2亿元。截至公告日，本次交易相关的审计、评估工作尚未完成，标的资产拟定交易价格尚未最终确，仅确定增发价格为
前20日的均价216.77元/股，较目前股价折让21%。通过本次幷购双方将形成显著的战略协同，公司将成为具备“刻蚀+薄
膜沉积+量检测+湿法”四大前道核心工艺的厂商，实现从“干法”向“干法+湿法+量检测”整体解决方案的关键跨越，向
半导体平台化企业迈出关键的一步。
3Q25营收增长好于预期，新设备收入增长迅猛：2025年前三季度公司实现营收80.6亿元,YOY增长46.4%；实现净利润1
2.1亿元,YOY增长32.7%,EPS1.94元。其中，3Q25公司实现营收31亿元,YOY增长50.6%，实现净利润5.1亿元，YOY增长27.5%
。3Q25公司营收好于预期。从毛利率来看，2025年前三季度公司综合毛利率39.1%,较上年同期下降3.1个百分点。截止3Q2
5，公司合同负债43.9亿元，较上季度末增加39%，在当季大量确认收入的同时，新增订单增长更快，整体业绩表现超预期
。。
盈利预测：我们预计公司2025-27年实现净利润21亿元、30.9亿元和40.3亿元，YOY分别增长31%、46%和30%，EPS分别
为3.42元、4.97元和6.48元，目前股价对应2025-27年PE分别为80倍、55倍和42倍，考虑到中美科技争端激烈，半导体设
备本土化需求迫切，给予买进的评级。
风险提示：半导体设备需求下降。
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2025-12-19│中微公司(688012)公司收购事件点评：补齐CMP关键拼图，平台化战略再进一 │爱建证券 │买入
│步 │ │
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事件：公司公告拟通过发行股份方式购买杭州众硅电子科技有限公司（下称“众硅科技”）控股权并同步募集配套资
金。公司股票自2025年12月19日起停牌，预计停牌时间不超过10个交易日。
众硅科技成立于2018年，主要从事CMP设备及配套系统研发制造，产品布局覆盖6–12英寸CMP整机、单模组CMP、抛光
液供液系统（SDS）及ECMP等。其中，12英寸高端CMP设备已批量应用，8英寸先进CMP设备通过SEMI认证并导入多家晶圆厂
产线。
CMP（化学机械抛光）设备价值量约占半导体设备投资总额的4%，市场集中度较高。1）CMP通过化学反应与机械去除
协同实现晶圆表面高精度平坦化，是当前唯一能够有效抛光铜互连金属层的关键工艺，广泛应用于晶圆制造及TSV、2.5D/
3DIC等先进封装环节。2）据头豹，预计2025-2029年，中国半导体化学机械抛光设备行业市场规模由183亿元人民币增长
至486亿元人民币，期间年复合增长率27.7%；3）CMP行业竞争格局高度集中，根据Gartner，AppliedMaterials与日本荏
原合计占据全球约93%的CMP市场份额，尤其在14nm以下先进制程产线中形成垄断。
公司此次筹划收购众硅科技，核心意义在于补齐湿法关键工艺、完善前道核心设备体系，加速向平台型半导体设备厂
商演进。1）工艺上，公司现有产品以刻蚀、薄膜沉积等真空干法设备为主，而CMP是湿法工艺中不可替代的核心环节，与
刻蚀、沉积共同构成除光刻机外最关键的前道工艺装备组合。通过并购切入CMP领域，公司有望实现“刻蚀—沉积—平坦
化”工艺系统覆盖，提升体解决方案竞争力。2）战略上，本次交易推动公司由单一设备龙头向“集团化、平台化”设备
企业迈出关键一步。
投资建议：维持"买入"评级。我们预计公司2025–2027年归母净利润分别为21.81/31.58/42.78亿元，对应同比增长3
5.0%/44.8%/35.4%，对应PE分别为74.8x/51.6x/38.1x。在晶圆厂扩产与国产替代推进下，本次收购补齐CMP关键工艺，完
善前道设备体系，推动公司平台化发展并强化中长期成长性。
风险提示：化学机械抛光设备市场拓展不及预期、标的公司业务整合进度不及预期。
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2025-12-18│中微公司(688012)ICP刻蚀加速增长，CCP刻蚀受益于存储扩产 │中邮证券 │买入
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投资要点
ICP刻蚀加速增长。2025H1，公司ICP刻蚀设备已在逻辑、DRAM、3DNAND等领域超50家客户产线实现大规模量产，同时
持续推进更多ICP刻蚀工艺验证，截至报告期末，设备累计装机反应台超1200台。2025H1等离子体刻蚀设备新签订单中，I
CP设备的占比略高于CCP设备的占比，ICP快速起量。新产品方面，PrimoMenova?12寸ICP单腔刻蚀设备聚焦金属刻蚀领域
，擅长Al线、Al块刻蚀，适配功率半导体、存储器件及先进逻辑芯片制造，是晶圆厂金属化工艺核心设备。该设备刻蚀均
一性优异，兼具高速率、高选择比、低介质损伤特性；搭载高效腔体清洁工艺，可减少污染、延长运行时长；集成高温水
蒸气除胶腔室，能高效清除刻蚀后晶圆表面的光刻胶及副产物；主刻蚀与除胶腔体支持灵活组合，可满足高生产效率需求
，保障高负荷工况下的稳定性与良率。公司紧跟客户与市场技术需求，稳步推进先进ICP刻蚀技术研发，以满足新一代逻
辑、DRAM及3DNAND存储芯片的制造需求。
刻蚀受益于存储扩产。在存储芯片制造环节，公司的等离子体刻蚀设备已大量用于先进三维闪存和动态随机存储器件
的量产。公司致力于提供超高深宽比掩膜（≥40:1）ICP刻蚀设备和超高深宽比介质刻蚀(≥60:1)CCP刻蚀设备的解决方案
。配备超低频偏压射频的用于超高深宽比掩膜刻蚀的ICP刻蚀机目前已经在生产线上大规模应用，工艺能力可以满足国内
最先进的存储芯片制造的需求。配备超低频高功率偏压射频的用于超高深宽比介质刻蚀的CCP刻蚀设备也在最关键的超高
深宽比刻蚀工艺大规模生产，并逐步拓展应用。2025年前三季度，公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高
端产品新增付运量显著提升，先进逻辑器件中段关键刻蚀工艺和先进存储器件的超高深宽比刻蚀工艺实现大规模量产。
投资建议
我们预计公司2025/2026/2027年分别实现收入121/157/198亿元，归母净利润21/31/43亿元，维持“买入”评级。
风险提示
下游客户扩产不及预期的风险，员工股权激励带来的公司治理风险，政府支持与税收优惠政策变动的风险，供应链风
险，行业政策变化风险，国际贸易摩擦加剧风险，研发投入不足导致技术被赶超或替代的风险。
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2025-12-18│中微公司(688012)拟收购杭州众硅布局CMP设备，平台化布局提速 │东吴证券 │买入
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切入湿法CMP设备领域，完善成套工艺平台能力：2025年12月18日，公司公告拟通过发行股份方式购买杭州众硅，本
次交易尚处于筹划阶段，具体交易方式与方案待后续披露。此前公司于2024年12月通过B轮投资首次持股杭州众硅，并于2
025年9月联合上海国投与孚腾资本等再次对其进行战略投资。截至此次公告发布前，中微公司共持股杭州众硅12.04%股份
，为其第二大股东。杭州众硅主营12寸高端CMP设备，属于湿法工艺核心装备，与中微现有的刻蚀、薄膜沉积等干法设备
构成高度互补。本次收购旨在提升中微在成套工艺方案与全流程覆盖方面的竞争力，代表公司向“集团化、平台化”加速
演进。
杭州众硅技术底蕴深厚，自主研发国内首台大硅片CMP设备：杭州众硅成立于2018年，由顾海洋博士创立。顾博士本
科毕业于浙江大学金属材料工程专业，后赴美深造，在密苏里大学罗拉分校取得博士学位；在国际半导体行业深耕多年，
亲历130nm至14nm多个技术节点的设备迭代。公司成立后持续攻关CMP核心技术，2021年实现6英寸第三代半导体CMP设备突
破，2022年自主研制出国内首台12英寸大硅片CMP量产设备并获首台认定，填补国内空白，2023年已交付国内头部厂商投
入产线应用。
平台化布局持续推进，将覆盖刻蚀、薄膜、量检测、湿法等核心工艺：（1）CCP设备：60比1超高深宽比介质刻蚀设
备成为国内标配设备，量产指标稳步提升，下一代90比1超高深宽比介质刻蚀设备即将进入市场。（2）ICP设备：适用于
下一代逻辑和存储客户用ICP刻蚀设备和化学气相刻蚀设备开发取得了良好进展。（3）薄膜沉积设备：LPCVD、ALD等多款
薄膜设备已经顺利进入市场，硅和锗硅外延EPI设备已顺利运付客户端进行量产验证，并且获得客户高度认可。（4）量检
测设备：成立子公司超微公司引入电子束检测设备领军人才，电子束检测设备有望加速落地。
盈利预测与投资评级：我们维持公司2025-2027年归母净利润预测为24.4/34.1/44.6亿元，当前股价对应动态PE分别
为70/50/38倍，维持“买入”评级。
风险提示：晶圆厂扩产节奏不及预期，新品研发&产业化不及预期等。
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2025-12-08│中微公司(688012)首次覆盖报告：刻技精深，沉积致远，先进工艺演进驱动产│爱建证券 │买入
│品放量 │ │
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投资建议：首次覆盖，给予“买入”评级。我们预计公司2025–2027年归母净利润分别为21.81/31.59/42.79亿元，
对应同比增长35.0%/44.8%/35.5%，对应PE为78.61x/54.28x/40.07x。当前估值虽高于部分同业，但基于公司1）刻蚀设备
在主流晶圆厂不断验证，应用于先进逻辑节点；2）薄膜沉积产品线在LPCVD、ALD、金属栅、金属钨等关键工序实现突破
，新产品已陆续进入规模化放量阶段，在半导体设备行业中具备稀缺性，我们认为应给予一定估值溢价。
行业与公司情况：公司是中国前道核心工艺设备领先厂商，刻蚀产品覆盖CCP与ICP两大体系，已满足65nm至5nm及更
先进节点需求，并在国内外一线客户实现规模化导入。公司加速布局薄膜沉积与外延装备，同时拓展光学与电子束量测及
多类泛半导体微加工设备。行业方面，全球半导体设备市场2024–2027年将保持复苏，我们预计市场规模由2024年的1,25
5亿美元增至2027年的1,505亿美元，CAGR=11.3%。中国大陆市场在晶圆厂扩产与国产替代推动下，由2024年的491亿美元
增至2027年的662亿美元。
关键假设点：1）多重图案化与3D存储结构驱动刻蚀和薄膜沉积设备需求提升。随着逻辑制程从7nm向5nm及以下推进
，以及3DNAND层数由100+层向200+层、单deck向双/三deck演进，刻蚀与沉积的单晶圆片工艺步数与设备SAM均提升约1.7
–2.0倍。我们认为公司凭借在高深宽比刻蚀、金属栅与钨填充沉积等关键节点的技术储备与验证进展，有较强能力承接
先进制程扩容带来的结构性增量。2）薄膜沉积业务进入规模化阶段，新增订单贡献第二增长曲线。公司LPCVD、ALD等新
品相继通过客户验证并形成批量出货，2025前三季度该业务收入约4亿元，同比增幅超1300%。同时，硅及SiGe外延（EPI
）设备已陆续导入头部客户的量产验证环节，外延产品线加速从研发向商业化转变。我们假设沉积设备2025–2027年保持
放量，公司收入结构逐渐多元化，并成为未来毛利率改善主要来源。
有别于市场的认识：市场多将关注点放在国产替代进程上，但我们认为未来三年公司业绩的关键驱动力更可能来自先
进逻辑及高层数3DNAND在深宽比、均匀性与材料结构上的持续演进，由此带来刻蚀与薄膜沉积环节的结构性SAM提升；在
这两条工艺主线中，公司产品已进入核心制程验证与批量应用阶段，具备相对更明确的受益基础。
股价表现的催化剂：公司薄膜沉积产品线放量；公司先进工艺验证进展加速；中国主流晶圆厂资本开支上修；AI驱动
算力存力投资上行。
风险提示：先进工艺验证不及预期风险、下游晶圆厂扩产不达预期风险、竞争加剧及价格压力风险、新产品良率爬坡
不及预期风险。
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2025-12-02│中微公司(688012)薄膜设备顺利放量，高研发加速平台化布局 │华安证券 │买入
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事件
公司2025年第三季度实现营业总收入31亿元，同比增加51%，环比增加11%；归母净利润5亿元，同比增加28%，环比增
加29%；扣非净利3亿元，同比增加5%，环比增加45%。
刻蚀基本盘稳固，薄膜新品爆发增长
公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，前三季度，公司刻蚀设备实现收
入约61亿元，同比增长38%。薄膜设备迎来爆发期，LPCVD、ALD等新产品顺利放量，前三季度收入约4亿元，同比激增超13
00%。此外，硅和锗硅外延EPI设备已运付客户端进行量产验证，公司半导体设备布局持续完善。
研发加码驱动创新提速，平台化战略加速落地
公司坚持高强度研发策略，前三季度研发支出约25亿元，同比大幅增长63%，占营收比例高达31%。公司研发效率大幅
提升，新设备开发周期已大幅缩短至2年以内。目前公司在研项目涵盖6类设备、超20款新品。随着先进逻辑和存储关键工
艺的高端产品付运提升，公司正加速向平台型设备公司迈进。
投资建议
我们预计2025-2027年公司归母净利润分别为24.76、34.09、42.90亿元，对应的EPS分别为3.95、5.44、6.85元，对
应最新收盘价PE分别为66x、48x、38x。维持公司“买入”评级。
风险提示
研发进度不及预期、产业竞争加剧、贸易摩擦加剧。
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2025-11-20│中微公司(688012)公司深度报告：国产刻蚀设备领军者，薄膜业务蓄势待发 │东海证券 │买入
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中微公司是国内半导体设备的龙头企业之一，主要为集成电路、LED外延片、功率器件、MEMS等半导体产品的制造企
业提供刻蚀、薄膜沉积、MOCVD等设备。公司深耕集成电路制造核心设备领域，主要产品包括刻蚀与薄膜沉积设备两大类
：刻蚀设备方面，公司的等离子体刻蚀设备已广泛应用于国际一线芯片制造商的先进制程产线；薄膜沉积领域，公司近年
来成功开发的LPCVD和ALD设备已通过客户验证，多款产品进入市场并获大批量重复订单。在泛半导体设备领域，公司氮化
镓MOCVD设备保持全球领先，随着全球半导体产业向三五族化合物半导体加速拓展，尤其在Mini/MicroLED新型显示、新能
源汽车功率器件等领域的需求持续释放，MOCVD设备作为关键工艺装备，市场空间将进一步扩大。此外，公司积极把握半
导体设备市场新机遇，通过子公司超微、中微惠创、中微汇链等在量检测设备、环保设备、工业互联网等领域积极拓展，
构建多元化的业绩增长点。为满足业务快速增长需求，公司持续保持高强度研发投入，2025年前三季度研发费用达17.94
亿元，同比增长96.30%，研发费用率高达22.25%，未来五到十年，公司计划通过自主研发与产业合作，覆盖集成电路关键
领域超过60%的设备市场，实现高质量可持续发展。
公司以CCP刻蚀设备为核心，并顺利研发ICP刻蚀设备，覆盖95%以上的刻蚀应用需求，伴随先进制程与三维存储技术
的迭代，刻蚀设备的需求将进一步提升。制程进步伴随着工艺尺寸的进一步缩小大幅度提升了对刻蚀设备的需求，根据SE
MI，一片7nm芯片在生产过程中需经历约140次刻蚀工艺，相比28nm制程所需的40次，增长超过2.5倍。公司12英寸高端刻
蚀设备已实现从65nm至5nm及更先进制程的量产应用，面向5nm以下节点，公司正积极推进下一代机型研发，旨在进一步提
升刻蚀选择比、均匀性及量产稳定性。三维存储方面，堆叠层数的不断增加不仅对刻蚀设备的需求提升，在深宽比能力方
面也提出更高要求。公司开发的超高深宽比掩膜ICP刻蚀设备与超高深宽比介质CCP刻蚀设备已在先进存储制造产线中大规
模应用。目前，公司已成功研制出三代共18种等离子体刻蚀设备，主要聚焦CCP刻蚀设备，ICP刻蚀设备进展顺利，2025年
前三季度，公司刻蚀设备营收61.01亿元，同比增长约38.26%，占总营收约76%。
薄膜沉积和MOCVD外延设备方面，公司已成功发布六款薄膜沉积产品，覆盖存储器件及先进逻辑器件的钨、金属工艺
需求；公司氮化镓MOCVD设备保持全球领先，将进一步向mini/microLED和功率器件延伸。1）2025年前三季度，LPCVD和AL
D等薄膜设备收入4.03亿元，同比增长1332.69%。钨系列产品方面，公司提供CVD钨、HAR钨及ALD钨设备，可满足存储器件
所有钨应用场景，包括高深宽比金属互联及三维存储器件字线应用；金属栅极应用领域，公司推出的金属栅系列产品涵盖
ALD氮化钛、ALD钛铝及ALD氮化钽等多款设备，在薄膜均匀性、污染物控制与生产效率等关键指标上均达到国际先进水平
，全面满足先进逻辑制程需求。2）公司2024年MOCVD设备营收3.79亿元，同比下降18.03%。公司是氮化镓基LED市场最大
的MOCVD设备供应商，凭借PRISMOA7、HiT3及UniMax等系列产品持续服务全球客户。公司亦积极拓展MOCVD技术应用边界，
新一代硅基氮化镓设备与碳化硅外延设备正分别处于研发与验证阶段。尽管受LED市场波动影响，公司通过向高端显示、
功率半导体等领域的拓展，有望开辟新的增长空间。
投资建议：首次覆盖，给予买入评级。作为国内龙头的半导体设备公司，公司深耕刻蚀设备，同时切入更多细分市场
，进一步打开业绩成长空间。我们预计公司2025-2027年营业收入分别为120.74、156.40和197.88亿元，同比增速分别为3
3.19%、29.54%和26.52%；归母净利润分别为20.46、32.04和43.44亿元，同比增速分别为26.62%、56.60%和35.60%，对应
2025-2027年的PE分别为87、55和41倍。
风险提示：产品研发及验证进度不及预期风险；地缘政治风险；下游需求不及预期的风险。
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2025-11-17│中微公司(688012)2025Q3点评：业绩保持增长，薄膜沉积设备获突破 │长江证券 │买入
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事件描述
公司2025年前三季度实现营业收入80.63亿元，同比增长46.40%，归母净利润12.11亿元，同比增长32.66%，扣非归母
净利润8.87亿元，同比增长9.05%；其中2025Q3营收31.02亿元，同比增长50.62%，环比增长11.29%，归母净利润5.05亿元
，同比增长27.50%，环比增长28.62%，扣非归母净利润3.48亿元，同比增长5.38%，环比增长44.73%。
事件评论
业绩快速增长，存货和合同负债继续提升。2025年前三季度公司营收、归母净利润均取得快速增长，其中刻蚀设备收
入61.01亿元，同比增长约38.26%；LPCVD和ALD等薄膜设备收入4.03亿元，同比增长约1332.69%。公司针对先进逻辑和存
储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，在先进逻辑器件和先进存储器件中多种关键刻蚀工艺实现大
规模量产。公司存货和合同负债同环比提升，印证公司订单继续增长，未来业绩无忧。公司前三季度经营活动产生的现金
流量净额为12.98亿元，同比增长385.23%，主要是随着营业收入的增长，公司的收款增加。
研发投入继续加大，平台化持续推进。2025年前三季度公司研发支出25.23亿元，同比增长约63.44%，研发支出占公
司营业收入比例约为31.29%。公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，先进逻
辑器件中段关键刻蚀工艺和先进存储器件的超高深宽比刻蚀工艺实现大规模量产。其中CCP方面，公司用于关键刻蚀工艺
的单反应台介质刻蚀产品保持高速增长，60比1超高深宽比介质刻蚀设备成为国内标配设备，量产指标稳步提升，下一代9
0比1超高深宽比介质刻蚀设备即将进入市场；ICP方面，适用于下一代逻辑和存储客户用ICP刻蚀设备和化学气相刻蚀设备
开发取得了良好进展。加工的精度和重复性已达到单原子水平。公司为先进存储器件和逻辑器件开发的LPCVD、ALD等多款
薄膜设备已经顺利进入市场，并且设备性能完全达到国际领先水平，薄膜设备的覆盖率不断增加。公司硅和锗硅外延EPI
设备已顺利运付客户端进行量产验证，并且获得客户高度认可。在泛半导体设备领域，公司正在开发更多化合物半导体外
延设备，已陆续付运至客户端开展生产验证。
积极扩张产能，支撑未来发展。公司位于南昌的约14万平方米的生产和研发基地、在上海临港的约18万平方米的生产
和研发基地已投入使用，产能大幅提升；上海临港滴水湖畔约10万平方米的总部大楼暨研发中心也在顺利建设；为确保今
后十年有足够的厂房，并保障众多新产品研发和产能高速增长的需求，公司规划将在广州增城区及成都高新区建造新的生
产和研发基地。
预计2025-2026年公司有望实现营收119、157亿元，实现归母净利润24.0、33.6亿元，对应PE分别为77、55倍，维持
“买入”评级。
风险提示
1、限制政策进一步加剧的风险；2、半导体景气度不及预期的风险；3、公司在新工艺和新产品验证进度不达预期的
风险。
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2025-11-12│中微公司(688012)核心装备技术领先，研发与团队夯实成长根基 │华源证券 │买入
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技术壁垒深厚，核心产品领跑国产替代。中微公司是国内半导体高端装备龙头，核心产品覆盖等离子体刻蚀设备、MO
CVD设备及薄膜沉积设备，技术实力稳居行业前列。刻蚀设备领域，截至2025H1，CCP刻蚀设备累计装机超4500个反应台；
ICP刻蚀设备累计装机接近1200个反应台，NanovaLUX-Cryo等机型获重复订单。MOCVD设备在氮化镓基领域全球领先，PRIS
MOUniMax等机型主导高端Mini-LED显示外延片市场，同时推进氮化镓、碳化硅功率器件设备研发，2025年新一代功率设备
有望进入客户验证。薄膜沉积设备已推出6款产品，钨系列覆盖存储与逻辑关键应用，金属栅系列产品性能达国际先进水
平，独创方案实现60:1深宽比填充突破，多类产品获头部客户量产订单，持续巩固国产设备技术话语权。
研发与团队双轮驱动，成长动能强劲。公司构建了国际化、高学历的核心团队，创始人尹志尧博士拥有三十余年半导
体设备经验，2024年研发人员达1190人，占员工总数47.98%，硕博占比54.71%，跨学科技术储备深厚
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