经营分析☆ ◇300373 扬杰科技 更新日期：2026-08-26◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.前5名客户营业收入表】【4.前5名供应商采购表】
【5.经营情况评述】
【1.主营业务】
半导体器件、半导体芯片、半导体硅片的研发、生产和销售
【2.主营构成分析】
截止日期:2026-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
半导体器件(产品) 40.25亿 89.15 14.12亿 87.53 35.07
半导体芯片(产品) 2.79亿 6.17 9352.78万 5.80 33.56
半导体硅片(产品) 1.10亿 2.44 2335.27万 1.45 21.21
其他(产品) 1.01亿 2.24 8415.17万 5.22 83.10
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2025-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
电子元器件(行业) 69.58亿 97.59 23.26亿 95.18 33.43
其他业务收入(行业) 1.72亿 2.41 1.18亿 4.82 68.49
─────────────────────────────────────────────────
半导体器件(产品) 62.57亿 87.75 20.89亿 85.48 33.39
半导体芯片(产品) 5.34亿 7.49 1.78亿 7.27 33.26
其他业务收入(产品) 1.72亿 2.41 1.18亿 4.82 68.49
半导体硅片(产品) 1.67亿 2.35 5944.00万 2.43 35.49
─────────────────────────────────────────────────
内销(地区) 53.12亿 74.51 15.44亿 63.19 29.07
外销(地区) 16.46亿 23.08 7.82亿 32.00 47.50
其他(地区) 1.72亿 2.41 1.18亿 4.82 68.49
─────────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 46.44亿 65.13 --- --- ---
经销(销售模式) 23.15亿 32.46 --- --- ---
其他业务收入(销售模式) 1.72亿 2.41 1.18亿 4.82 68.49
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2025-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
半导体器件(产品) 30.42亿 88.05 10.21亿 87.48 33.57
半导体芯片(产品) 2.54亿 7.34 7985.71万 6.84 31.49
半导体硅片(产品) 8958.08万 2.59 1820.80万 1.56 20.33
其他(产品) 6964.73万 2.02 4809.72万 4.12 69.06
─────────────────────────────────────────────────
内销(地区) 26.21亿 75.87 7.58亿 64.93 28.92
外销(地区) 8.34亿 24.13 4.09亿 35.07 49.10
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2024-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
电子元器件(行业) 58.92亿 97.65 19.03亿 95.32 32.29
其他业务收入(行业) 1.42亿 2.35 9346.96万 4.68 65.95
─────────────────────────────────────────────────
半导体器件(产品) 52.04亿 86.25 16.76亿 83.97 32.21
半导体芯片(产品) 5.02亿 8.33 1.62亿 8.13 32.32
半导体硅片(产品) 1.86亿 3.08 6406.12万 3.21 34.51
其他业务收入(产品) 1.42亿 2.35 9346.96万 4.68 65.95
─────────────────────────────────────────────────
内销(地区) 45.27亿 75.04 12.83亿 64.26 28.33
外销(地区) 13.64亿 22.61 6.20亿 31.06 45.43
其他(地区) 1.42亿 2.35 9346.96万 4.68 65.95
─────────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 40.90亿 67.79 --- --- ---
经销(销售模式) 18.02亿 29.86 --- --- ---
其他业务收入(销售模式) 1.42亿 2.35 9346.96万 4.68 65.95
─────────────────────────────────────────────────
【3.前5名客户营业收入表】
截止日期:2025-12-31
前5大客户共销售8.85亿元，占营业收入的12.42%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│客户名称 │ 营收额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│第一名 │ 23031.48│ 3.23│
│第二名 │ 18731.54│ 2.63│
│第三名 │ 18518.75│ 2.60│
│第四名 │ 14262.06│ 2.00│
│第五名 │ 13978.06│ 1.96│
│合计 │ 88521.89│ 12.42│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【4.前5名供应商采购表】
截止日期:2025-12-31
前5大供应商共采购11.74亿元，占总采购额的28.70%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│供应商名称 │ 采购额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│第一名 │ 42273.02│ 10.33│
│第二名 │ 24836.95│ 6.07│
│第三名 │ 18283.26│ 4.47│
│第四名 │ 16194.17│ 3.96│
│第五名 │ 15838.50│ 3.87│
│合计 │ 117425.90│ 28.70│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【5.经营情况评述】
截止日期:2026-06-30
●发展回顾:
一、报告期内公司从事的主要业务
1、公司所处行业发展情况
功率半导体器件作为电力电子核心功能元器件，广泛应用于AI数据中心、新能源汽车、光储、具身智能
、工业、消费类电子等领域。在双碳战略驱动和人工智能浪潮下，市场对能源转换效率、设备智能化水平的
要求持续提升，进而拉动市场对各类半导体功率器件需求持续增加。随着功率半导体器件行业新型技术的发
展与成熟，功率半导体器件的应用领域将不断扩展，成为国民经济发展中不可或缺的核心电子元器件。
2026上半年，在AI数据中心、新能源汽车、光储、具身智能等领域驱动下，功率半导体行业景气度较此
前明显提升，呈现“需求扩张、国产加速”态势。其中，受AI算力基础设施建设加速带动，全球数据中心对
高效功率转换及电源管理方案的需求集中释放，AI服务器电源、800VHVDC高压直流等应用场景对整流器件、
MOSFET、IGBT及SiC等产品的需求快速放量；具身智能与人形机器人产业在技术迭代、政策扶持与资本投入
多重驱动下，加速从样机验证迈向场景落地，对高功率密度执行器、精密电控用功率半导体的需求快速增长
。AI数据中心、具身智能、低空经济等新兴行业正加速成为推动中高端功率半导体需求增长的关键驱动力。
从竞争格局看，功率半导体器件行业市场化程度较高，行业集中度低。我国功率半导体市场梯队化竞争格局
明显，随着国内企业在芯片设计、制造工艺等关键环节不断实现技术突破，逐步填补高端领域技术空白，国
产功率半导体产品的质量、性能、技术标准不断提升。2026年，国内企业市场份额稳步提升，逐步向高端市
场渗透，进口替代不断加速。全球行业TOP企业面对市场的激烈竞争迫切需要降本方案，逐步由全面采用国
际品牌器件转向引入国内优质供应商，为我国功率半导体企业拓展海外市场、提升全球市占率创造了有利条
件。叠加国家层面持续出台产业支持政策，大力提升关键元器件国产化水平，多重利好共同为我国功率半导
体行业发展注入强劲动能。
功率半导体器件行业是我国重点鼓励和支持的产业。为推动电力电子技术和产业的发展、建设资源节约
型和环境友好型社会，国家出台了一系列政策与法规引导、鼓励、支持和促进国内功率半导体事业的发展，
增强本土科技竞争力，功率半导体产业已上升至国家战略高度。随着“智能制造”和“新基建”等国家政策
的深入推进，以及“碳达峰、碳中和”双碳策略的落实，功率半导体作为我国实现电气化系统自主可控以及
节能环保的核心零部件，有望在政策的护航之下驶入快车道。2026年3月，“十五五”规划纲要提出推进“
全国一体化算力网”建设，并将其与新型电网、新一代通信网等并列纳入国家重大基础设施体系。2026年5
月，工业和信息化部发布《2026年汽车标准化工作要点》，系统性推进汽车芯片产品与技术应用标准研究，
推动电源管理芯片等标准发布，推进功率芯片等标准审查报批，为功率半导体在汽车电子领域的规模化应用
提供标准支撑。2026年6月，工业和信息化部、国务院国资委联合印发《关于联合开展2026年度人形机器人
与具身智能实景实训专项行动的通知》，推动人形机器人与具身智能产品在真实生产生活环境中常态化部署
、工程化验证、规模化落地，提出到2026年底凝练形成百个以上高价值应用场景，带动形成万台级规模落地
能力。低空经济方面，2026年上半年，国家发改委明确将低空经济纳入“六张网+5大重点领域”的新基建投
资框架，全年超7万亿元的投资规模为低空基础设施建设打开了资金窗口；同时，新修订的《中华人民共和
国民用航空法》于2026年7月1日起正式施行，首次增设“发展促进”专章，明确低空分类分级管理规则，为
eVTOL等新业态建立监管体系。
2、公司在行业中的地位
公司凭借前瞻的市场布局、持续的技术创新、优质的产品设计、科学的成本优化、过硬的品质管控、快
捷的交付能力，已成为国内少数集单晶硅片制造、芯片设计制造、器件设计封装测试、终端销售与服务等纵
向产业链为一体的规模化企业，同时在MOSFET、IGBT、第三代半导体等高端领域采用IDM+Fabless相结合的
模式。公司产品已在多个新兴细分市场具有领先的市场地位及较高的市场占有率。依托综合营收规模、技术
研发实力及市场占有率等核心指标，公司多次蝉联由中国半导体行业协会评选的“中国半导体功率器件十强
企业”前三强，OMDIA全球功率半导体discrete榜单排名第八，位列国内外多个半导体企业榜单中前二十强
、工信部汽车白名单等，斩获全国首张芯片国产化权威认证、中国SiC器件IDM十强企业等行业荣誉。同时，
公司取得多家国际标杆汽车整车厂和Tier1客户认证，技术方案和产品性能获得多家主流客户认可。报告期
内，公司1200VSiCMOSFET产品斩获CSPSD2026优秀技术创新产品奖，行业影响力与品牌认可度持续提升。
3、公司主要业务情况
公司集研发、生产、销售于一体，专业致力于功率半导体硅片、芯片及器件设计、制造、封装测试等中
高端领域的产业发展。公司主营产品主要分为三大板块，具体包括材料板块（单晶硅棒、硅片、外延片）、
晶圆板块（5吋、6吋、8吋硅基及6吋碳化硅等各类电力电子器件芯片）及封装器件板块（MOSFET、IGBT、Si
C系列产品、整流器件、保护器件、小信号及其他产品系列）。产品广泛应用于AI数据中心、新能源汽车、
光储充、工业、消费类电子等诸多领域，为客户提供一站式产品、技术、服务解决方案。
报告期内，在AI算力需求带动功率器件需求激增、人形机器人等新兴应用场景加速落地的背景下，功率
半导体行业呈现车规级、AI算力等多赛道共振的结构性高景气态势。公司紧抓市场机遇，持续加大MOSFET、
IGBT、SiC等产品在AI数据中心、新能源汽车、光储充、工业等领域的推广力度，订单和出货量保持较快增
长，营业收入同比增长30.69%。同时，为顺应下游客户需求及市场发展趋势，报告期内，公司七号厂车规级
功率半导体模块封装项目实现主体结构封顶，有望进一步夯实车规级功率半导体模块业务的产能基础，提升
相关领域技术实力与市场竞争力。
4、公司经营模式
（1）供应链模式
公司围绕数字化升级与精细化管控，推动供应链由被动响应向主动预判、精准管控转型，构建高效稳定
、低成本、抗风险能力强的供应链生态。深化战略供应商精益管理，筑牢供应链安全基础。综合评估供应商
综合实力，优化供应商结构，扩大战略供应商合作比例。实行差异化采购配额管理，将供货质量、交付效率
、联合研发、应急产能等纳入考核，优化“准入—过程管控—绩效考评—迭代优化”闭环机制，布局中长期
物料产能备份，强化供应链风险抵御能力，保障订单稳定交付。推进采购业务标准化、自动化、数字化、智
能化建设，提升运营效能。依托信息系统贯通全业务链路，实现供应商、产能、供货数据可视可控；借助AI
能力，开展关键物料价格监测预警，支撑采购策略动态调整；规范业务流程，强化全流程风险预警，联动供
需把控交付节点。持续迭代数字化工具，以数据驱动采购模式，缩短采购周期、降低损耗。
（2）运营模式
公司构建以“零缺陷质量体系”和“扬杰精益运营体系（YBS）”为核心的卓越运营模式。通过深度优
化运营管理七大流程，升级内部质量管理评审体系，打造行业一流的质量管理模式，实现卓越质量管理，持
续降低不良率与客诉率，并同步改善供应链成本与内部运营效率。公司持续推进零缺陷质量管理体系，深化
运用QCC、6sigma、PPSP等质量工具，聚焦战略规划到业务落地、产品研发到生产制造、供应链到终端销售
等三条主线，以精益标准化、自动化、数字化、智能化转型为路径，多举措协同互补，显著降低失败成本，
提高生产质量稳定性及客户满意度。稳步推进精益运营体系，强化转型的赋能作用，实现生产过程事前防呆
、事中防错、事后追溯的数字化管控，依托VDM（可视化日常管理）为抓手推动各项管理绩效指标（SQDCP）
可视化及穿透式管理，达成从点到线再到面的生产绩效管理全覆盖。
（3）营销模式
公司营销模式正从单一器件单点推广，转向以终端应用系统为切入点的行业系统方案推广，聚焦AI数据
中心、具身智能、新能源汽车、光储充、工业五大重点行业。行业端，围绕AI数据中心高效电源、新能源车
主驱逆变/车载充电/电池管理/热管理、光储逆变、工业控制电机驱动与伺服控制等典型系统，按功率环节
拆解技术路线与器件需求，打包形成SiC、IGBT、MOSFET、Diodes等产品组合方案，推动从“卖器件”向“
卖方案”延伸。产品端，依托芯片设计制造、器件封装测试一体化IDM能力，在客户项目前期介入、与终端
客户及产业链伙伴联合定义规格，加速产品从选型验证走向批量供货。渠道端，实施分层覆盖，重点终端客
户及核心项目以直销深度对接，标准化产品和长尾客户通过经销网络扩大触达，同时配套选型指导、应用验
证和技术支持服务，逐步构建“应用系统牵引、产品组合支撑、渠道协同覆盖”的市场开发体系。
二、核心竞争力分析
1、研发技术方面
（1）先进的研发技术平台
公司积极深化与知名院校及科研院所的产学研合作，整合研发资源，构建组织分明、分工清晰的综合研
发体系。扬州总部设有中央研究院，负责开展前沿技术、基础研发及实验室建设运营，统筹研发项目。各事
业部和产品线设有研发部门（包括GaN、SiC、IGBT、MOSFET、lowCjESD保护器件等研发团队），围绕市场需
求及行业趋势进行产品研发和量产导入，形成“预研一代、开发一代、量产一代”的产品开发管理体系。公
司建立了覆盖芯片、封装、应用的仿真平台，健全产品参数测试中心，完善AI数据中心、新能源汽车、光储
充、工业、消费类电子等应用平台构建，形成从晶圆设计研发到封装产品研发，从硅基到第三代半导体研发
，从售前技术支持到售后技术服务的完备研发服务体系，为新品开发、瓶颈突破、市场扩展提供强有力保障
。公司与东南大学共建的“东南大学-扬杰科技宽禁带功率器件技术联合研发中心”，专注于SiC等第三代半
导体研发及产业化发展，与扬州大学共建的“扬州大学-扬杰科技GaN功率器件联合研发中心”，专注于新能
源汽车和Al数据中心应用相关的GaNHEMT器件研发及产业化发展。
公司已按照国内一流电子实验室标准建设研发中心实验室，建筑面积达10000㎡，分为可靠性、失效分
析、测试中心、模拟仿真、综合研发实验室，成功通过CNAS（中国合格评定国家认定委员会）认证，并获批
“江苏省第三代半导体功率芯片与模块集成技术重点实验室”。实验室构建了包括芯片设计模拟仿真、环境
测试、参数测试、可靠性实验、物理化学失效分析、产品电、热及机械应力模拟仿真等多需求的一站式产品
实验应用平台；配有适用于SiC、IGBT、MOSFET、功率模块、BJT等各系列产品的先进研发测试设备，为公司
芯片设计、器件封装、成品应用电路测试及终端销售服务提供全方位研发服务保障。
（2）完整的技术人才体系和管理机制
公司坚持外部引进和内生培养并举的人才战略，在实现技术快速迭代的同时保持企业文化传承。外引方
面，公司面向全球重点引进一批拥有20年以上行业经验的资深技术专家，包括工信部科技创新领军人才、工
信部制造业先进基础工艺人才、省部级“双创计划”创新创业领军人才、江苏省333人才和江苏省六大高峰
人才等，形成了一支覆盖高端芯片研发设计、先进功率半导体晶圆制造、先进封装研发设计等方面的高质量
人才队伍。内生方面，公司通过多项人才计划和“工程师培训班”、重大课题攻关项目等平台进行优质技术
人才储备，系统开展内部工程师培养与发展。
公司在研发项目管理方面实施了一系列创新举措，旨在全面强化团队建设，提升研发效率与创新能力：
①构建高效研发体系。导入IPD（集成产品开发）管理模式，实现从市场需求、产品研发、生产到上市的全
过程协同优化。②优化研发管理流程。持续优化PLM（产品生命周期管理）流程，在提高研发工作质效的同
时，实现技术沉淀与传承，不断增厚技术储备、提升研发人才专业密度，为长期技术创新奠定坚实基础。③
强化项目监控与闭环改进。覆盖研发项目全周期开展深入调研分析，及时识别项目瓶颈与潜在问题并推进整
改，有效提高研发效率与成功率。④健全研发激励机制。优化研发项目激励机制，加大研发团队奖励力度，
强化核心骨干分配权重，切实激发全员创新内生动力；配套搭建客观完善的人才评价体系，打造灵活高效的
人才管理机制，助力优秀人才成长，形成良性的团队内部竞争环境。
（3）不断丰富的研发专利与标准
截至报告期末，公司累计获知识产权741件，其中国内发明专利148件，实用新型499件，集成电路布图
设计71件，软件著作9件，外观设计14件。作为功率半导体领域标准的主要起草单位之一，参与了国标《半
导体分立器件第1部分：分规范》（计划号：20233151-T-339）、《半导体分立器件第2部分：分立器件整流
二极管》（计划号：20232773-T-339）、《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)阈值电压测
量指南》（计划号：20263331-T-339）、GB/T4973《半导体器件机械和气候试验方法第6部分：高温贮存》
及团标《半导体芯片封装用导电胶性能要求及测试方法》《光伏组件接线盒用模块二极管》《半导体封装用
UV减黏保护膜性能要求及测试方法》的编制与修订。
2、市场营销方面
（1）持续构建市场服务能力
公司已建立以行业需求为导向的市场营销体系，通过对重点行业发展趋势和应用场景的研究，牵引产品
规划、研发及市场布局。报告期内，公司强化行业线建设，围绕AI数据中心、具身智能、低空经济等新兴行
业开展布局，同时紧扣新能源汽车和光储充等优势领域发展，跟踪终端系统在供电架构、能源转换、功率密
度和可靠性等方面的技术变化。在AI数据中心领域，公司围绕高压输入、功率转换、浪涌防护等关键环节，
对接服务器电源、数据中心供配电等领域客户，推动高压MOSFET、低压MOSFET、SiC器件、整流及保护器件
的选型、送样和验证；在具身智能和低空经济领域，重点研究电机驱动、电池管理、充电及电源转换等应用
需求，布局MOSFET、IGBT、功率模块和保护器件；在新能源汽车和光储充领域，公司聚焦高压化、功率密度
与效率提升、可靠性需求增强等行业趋势，持续加大高电压、大功率器件的研发投入。公司通过重点客户的
产品验证和项目导入形成应用方案，并向同类终端客户及其配套供应商推广，持续扩大产品在新兴行业的应
用覆盖，提升市场服务能力。
（2）大客户营销持续落地
公司已建立成熟的大客户价值营销体系，秉持以客户为中心的理念，将优质资源聚焦于高价值客户与高
潜力商机；通过升级优化CRM系统，强化商机全生命周期管理，借助LTC流程进行科学、系统管理，规范销售
过程，提升商机转换的成功率；公司目前与各行业的龙头客户达成战略合作伙伴关系，同时持续提高老客户
合作份额。报告期内，公司在AI数据中心电源、车规级SiC模块等重点行业和产品线持续取得多家行业头部
客户的认证与批量供货机会，同时取得了多家知名终端客户的进口替代合作机会。公司紧抓机遇，积极推进
多个产品线的业务合作，并深挖潜在需求，转化新商机，以前瞻性布局进一步拓宽公司未来的市场空间。公
司建立协同作战体系，统筹市场、研发、质量、生产及交付资源，实行项目清单化管理和关键节点跟踪，推
动客户认证向批量供货转化，持续提升重点客户的产品覆盖和合作深度。
（3）聚焦新市场，构建新能力
公司紧跟下游新市场新领域的发展契机，聚焦新兴市场的增长机会，发挥IDM和一站式产品解决方案的
核心优势。公司将AI数据中心作为重点增长方向，强化AI事业部建设，持续深化对服务器电源及数据中心供
电架构、技术演进路径及客户需求的系统研究，并积极推进与AI服务器电源及数据中心供配电领域头部客户
的协同合作。报告期内，公司围绕客户新一代AI数据中心电源产品开展器件选型、样品测试、方案适配和可
靠性验证，多款AI数据中心相关产品持续推进客户认证和样品导入，相关业务收入稳步增长，订单增量随客
户项目落地逐步释放。通过参与头部客户项目，公司进一步积累了AI电源领域的应用数据和项目经验，并以
标杆项目为基础，将通过验证的产品及方案向同类客户和相关供应链企业推广，提升AI数据中心市场的客户
覆盖和产品渗透。与此同时，公司持续拓展新能源汽车、光储充、具身智能、低空经济等应用领域，报告期
内，汽车电子业务收入占比进一步提升，其他各领域项目稳步推进，为公司后续增长持续拓展新的市场空间
。
3、运营管理方面
（1）升级内部质量管理评审体系
面对全球产业链重构、跨行业竞争加剧带来的品质升级与成本管控双重挑战，公司立足企业使命与长期
发展战略，提出了卓越运营管理理念，全面采用VDA6.3过程评审体系进行质量运营管理，不断强化面向AI数
据中心、新能源汽车、光储充、工业、消费类电子等领域下游品牌客户的品质保障能力，持续完善面向车规
级标准的质量管理体系。依托“严进严出”与“三化一稳定”两大基石，公司持续完善DPPB/DPPM指标体系
，对标国际一流质量管理实践。2026年上半年，公司车规、商规产品客诉率、产品制造内部不良率实现同环
比双下降，指标表现处于行业领先水平，“严进严出”机制成效持续显现，筑牢客户信赖的品质底座。
（2）持续推进成本管理工作
公司将精益思想贯穿产供销全链条，系统推进多维度协同改善：研发端依托IPD结合VAVE（价值分析/价
值工程），实现产品技术与成本结构同步优化，明确IPD与VAVE在产品研发技术升级方面的必要地位；制造
端运用VSM（价值流分析）识别并消除非增值环节，配套标准化作业与单元设计（SW）工具升级作业标准，
依托PPSP与TPM建立问题闭环整改体系，兼顾现场持续改善与精益人才育成，推动改善经验沉淀为企业长期
运营能力，上半年各工厂持续深挖改善识别机会和改善价值，落地转化改善效益；供应链端深化集成供应链
与PSI（产销存）协同，打通需求、产能、物料与交付的信息闭环，支撑柔性生产与敏捷交付。各环节互为
补充、形成合力，驱动公司质量稳定性与运营效率持续提升。
（3）实施精益化、智能化、数字化转型战略
公司从行业视角统筹产业链资源整合，以精益生产与零缺陷质量管理体系为双核心，建设IDM模式下的
精益运营能力，锻造持续品质提升与成本优化的核心竞争力：公司构建以战略部署（PD）为牵引、以问题解
决为导向、以日常管理（DM）为根基的扬杰精益运营体系（YBS），以工具流程化与人才培养体系夯实运营
基础。立足精益化根本，识别三化改进机会，以项目制推动改善落地；建立运营透明化的日常管理机制：20
26年上半年，实现VDM体系覆盖67个运营区域、100%上线运行，快速识别日常管理差距、迅速推进改善闭环
，巩固运营成果。公司将持续深化“三化融合”，致力于打造“交期短、品质稳定、成本优、柔性交付”的
精益智能工厂，构筑可持续运营能力。
三、主营业务分析
概述
1、报告期内公司主要经营情况
（1）研发技术方面
①第三代半导体方面，公司持续加大SiC和GaN等第三代半导体功率器件的研发投入，依托与东南大学集
成电路学院签约共建的“东南大学-扬杰科技宽禁带功率器件技术联合研发中心”的平台优势，增强第三代
半导体领域的研发创新能力与技术积累。报告期内，公司投资的SiC芯片工厂通过IDM模式，实现750V/1200V
/1700V的SiCMOS产品由第二代向第三代迭代升级。全系列SiCMOS产品型号实现覆盖750V/1200V/1700V11mΩ-
500mΩ，其中第三代SiCMOS平台的比导通电阻（RSP）达到2.47mΩ.cm2以下，FOM值达到2700mΩ.nC以下，
导通性能与开关特性兼具优势，可满足车规级可靠性要求，对标国际水平。同时公司新增消费类800VSiCMOS
产品平台，器件导通电阻实现覆盖200mΩ-1000mΩ。
SiC模块方面，公司已形成C2A、Y-DPAK、HPDmini等多系列产品，并持续迭代升级。报告期内，公司在S
iC市场尤其是SiCMOS市场份额持续增加，相关器件已广泛应用于AI数据中心、新能源汽车、光储充、工业等
领域。针对新能源汽车控制器应用，公司升级了全自动化车规功率模块产线，按照AQG324标准完成了全套可
靠性验证；重点完成了芯片和DTS银烧结、Pin针超声焊接、粗铜线互连等先进工艺DOE验证。针对OBC应用，
开发了满足1000V电气安全距离的顶部散热Y-DPAK模块，具备体积小型化、功率密度高、爬电距离大、散热
效率高、表贴型结构等特点。针对主驱SiC模块，开发了HPDmini激光焊接模块，具备低电感、低热阻、高可
靠性等特点。针对工业感应加热电源应用，开发了注塑外壳的62mm低电感半桥封装C2A，可以满足SiC芯片6
并联和高结温的应用场景。
报告期内，公司与扬州大学物理学院签约共建的“扬州大学-扬杰科技GaN功率器件联合研发中心”经过
多年的持续努力，取得丰硕成果。用于AI数据中心的新一代GaNHEMTVDS650V/RDS（on）typ21m和VDS100V/RD
S（on）typ1.1m研发成功，经可靠性试验显示，产品性能对标行业标杆，稳定性对标国际水平，即将上市。
②IGBT产品方面，基于Fabless+自主IDM模式，公司在8吋、12吋平台完成了1.6/2.2μmpitch微沟槽650
V30A-160A，1200V15A-200AIGBT芯片全系列的开发和优化迭代，并已在客户端实现全系列批量出货。工业应
用方面，公司不断完善产品封装和电流功率段，从传统沟槽迭代至1.6μm的微沟槽系列，产品覆盖1200V15A
-600A全电流段产品，并开发对标国际标杆T7系列的1700V系列大电流模块产品。光储充应用方面，布局开发
1.6μm750V75A-160A全系列产品，以应对光储产品从传统650V系列向更高电压抬升的需求；通过采用高密度
器件结构设计以及先进的背面加工工艺，显著降低了器件饱和压降和关断损耗，已有6个三电平模块型号（
其中新增N3，N4两个型号）应用于60KW-320KW功率段，覆盖电压650/1100/1200V、电流160-600A的I型和T型
三电平拓扑结构模块产品已完成上架，同时完成650V40A-160A、750V75A-160A及1200V40A-140A的单管产品
开发布局，产品逐步推向市场，目前已在客户端获得批量订单。车规单管方面，公司利用自身具备的车规级
功率器件封装线，在PTC、压缩机控制器应用领域，大批量交付车企及Tier1客户。报告期内面向纯800V平台
推出1500V车规单管，以适应电动汽车母线从400V平台往800V平台的升级趋势，产品已送样多家汽车客户开
展测试评估。报告期内，公司IGBT产品重点布局新能源汽车、光储充、工业等应用领域，销售额不断增长，
市场份额逐步提升，已逐步成为集芯片设计和模块封装的重要参与者。
③MOSFET产品方面，公司紧抓AI数据中心、新能源汽车、工业三大核心增长赛道，基于Fabless+自主ID
M模式，已构建覆盖中低压至高压的完整技术平台。在深耕成熟8吋工艺平台的同时，12吋平台已实现量产放
量，推动产能结构与单位成本持续优化，为车规级与高端电源市场规模放量布局。新能源汽车领域，公司实
现从产品验证到规模量产的跨越：车规NMOS产品已通过多家头部终端汽车电子客户测试并量产，围绕电机驱
动、电源管理等高功率应用，公司正逐步向重点客户导入产品实现规模应用。PMOS车规产品完成芯片开发并
通过车规级可靠性验证，满足头部终端客户测试要求，形成覆盖电池防反接、负载开关、电源管理等的系统
化产品矩阵，显著增强公司车规功率器件领域渗透力。
SGTMOSFET方面，公司加速平台迭代与电压等级拓展。新一代P40V/P80V/P150V/N80V/N100V/N150V/N200
V/N250VSGT工艺平台全面建立，核心性能指标FOM（RDS(ON)*Qg）较市面主流水平领先20%以上，构筑公司在
新能源汽车与工业电源领域的技术壁垒并强化产品功率密度与系统效率。面向AI数据中心，针对IBC架构演
进带来的损耗要求，开发超低阻产品，显著提升单位面积电流承载能力。产品覆盖AI服务器DC-DC、热插拔
及e-fuse等场景，目前热插拔方案已通过头部服务器客户验证，部分电源相关产品进入客户验证阶段。针对
低空经济，聚焦无人机与eVTOL的12V/48V电源管理系统(BMS)，以中低压SGTMOSFET切入供电链路，满足高可
靠性、高功率密度与轻量化需求。公司已完成N100V-N150V平台立项开发，覆盖电池管理、负载开关、电机
驱动等链路，联合头部无人机厂商同步全系列开发规划，优先推进150V、100V及双N管三大核心项目，逐步
完成产品验证与客户积累。面向具身智能，针对中小功率应用聚焦12V、48V系统的产品开发，为提升转换效
率开发Qoss和Qrr产品，推动倒装芯片、集成化等先进封装的落地。总体而言，已形成多电压平台协同推进
、车规认证持续落地、核心性能指标领先市场的技术驱动型成长路径。
报告期内，公司研发费用率为6.01%；报告期内，公司合计申请知识产权45件（其中国内发明专利24件
，实用新型15件，集成电路布图设计3件，外观设计3件），获授权28件（其中国内发明专利15件，实用新型
11件，集成电路布图设计1件，外观设计1件）。
（2）市场营销方面
①行业深耕与客户覆盖。公司持续完善技术营销协同机制，紧抓全球能源转型与智能化升级机遇，聚焦
AI数据中心、新能源汽车、光储充、工业、消费类电子等领域，实现了行业TOP大客户全覆盖；同时完善行
业线布局，以行业应用需求牵引产品研发，精准布局新兴赛道。公司构建“客户需求-技术响应-闭环改进”
的敏捷服务体系，以提升客户满意度为年度重点工作，搭建客户反馈响应窗口，针对客户反馈制定改善计划
并形成闭环报告，有效增强客户粘性、巩固存量客户基础，为拓展新增合作创造有利条件，客户满意度已连
续三年稳步提升。
②重点矩阵突破。公司深入强化AI事业部建设，聚焦未来确定性增量，面向AI服务器电源、数据中心供
配电等领域头部客户，实施分层分类管理和“一客一策”专项营销，围绕客户在研项目持续开展产品推介、
技术交流、样品测试和认证跟踪，推动相关产品由单点送样向多产品线导入延伸。报告期内，公司与多家AI
相关领域头部客户合作持续深化，相关产品认证和项目导入有序推进，依托标杆客户示范效应拓展同类客户
，客户覆盖和商机转化能力持续提升，AI数据中心板块营收同比增长近翻倍。同时，公司设立专职战略好产
品行销经理，围绕MOSFET、IGBT、SiC系列产品构建行销与技术销售一体化能力，面向战略客户输出技术解
决方案，形成团队协同作战模式，助力销售获得产品承认机会，提高重点产品销售占比。
③渠道运营与服务体系完善。公司持续加强渠道精细化管理，根据产品、客户服务需求和市场覆盖特点
，明确不同渠道的产品范围及客户边界。针对经销渠道，公司完善准入授权、目标管理、价格管理、库存监
测和终端流向管理机制，提升渠道运行质量，降低重复覆盖和无序竞争；依托数字化营销平台建设，对线上
咨询、技术需求和潜在商机进行统一归集、分级识别与定向分配，提高市场线索的处理效率。公司进一步规
范市场服务流程，明确产品咨询、选型支持、质量反馈及应用问题的响应要求，推动技术服务资源向重点区
域和重点需求下沉，持续提升品牌的市场触达能力和客户服务体验。
（3）运营管理方面
①公司始终坚持“质量至上”的发展宗旨。报告期内，公司以国际一流为标尺，系统推进零缺陷质量管
理体系升级，持续完善DPPB/DPPM指标体系。深入落实严进严出与“三化一稳定”等品质提升举措，精准识
别并补齐质量管理短板，构建AI赋能的全流程质量控制体系。同步打造具备全面质量管理能力的数字化专业
人才队伍，依托部门数字化小组搭建质量信息共享与数据贯通机制，2026年上半年持续优化品质流程，覆盖
多个一级部门及多项数字化平台，前瞻跟踪客户端产品表现，多维度降低产品潜在风险，筑牢高质量发展的
质量根基。通过“流程优化+人员赋能”双轮驱动，人员效率与公司整体质量成本均实现显著改善。
②公司以精益运营管理为核心，持续构建卓越运营体系。围绕QDC（质量、交付、成本）三大核心目标
，运用科学方法优化生产策略与柔性制造体系，不断提升客户交付满意度。公司聚焦“成本领先”战略，系
统推进成本优化，2026年上半年，人效提升超15%、机效提升超5%、坪效提升超8%。研发端以VAVE价值工程
驱动技术创新、品质升级与设计降本，成熟产品优先使用VAVE工具开展改善，通过相关改善落地识别品质及
降本机会价值，为持续的品质提升与增效降本奠定坚实基础。制造端运用VSM价值流分析识别非增值流程与
改进机会，依托标准化与单元设计（SW）升级作业标准，通过PPSP及TPM推进问题改进闭环，持续推动精益
化转型。运营端将VDM可视化日常管理与数字化赋能深度融合，实现VDM67个区域100%上线，覆盖制造、品质
、仓储等核心场景，以数据透明驱动差距改善、巩固运营改善成果。
③2026年上半年，公司继续大力推进智能化改造，全工序推进智能制造项目落地。落地IoT工业物联网
、EAP等技术在制造与设备管理中的应用，通过无纸化、自动报工、自动排产等项目升级品质与运营管理，
持续扩大数据采集覆盖，实现生产全过程“事前防呆、事中防错、事后追溯”的数字化管控，推动品质与效
率双提升。公司依托数字化与AI工具持续优化关键制造参数，结合生产数据采集与精益日常管理，推动制造
体系向数字化、网络化、智能化全面演进。
2、报告期内业绩变动原因说明
2026年上半年，功率半导体行业受益于AI数据中心、新能源汽车、光储等领域需求爆发，叠加8英寸成
熟制程产能紧缺，呈现景气度上行、量价齐升的发展态势。报告期内，公司聚焦主业，积极落实产品领先战
略，通过持续研发投入完善高附加值产品矩阵，实现营业收入同比增长30.69%。其中，汽车电子业务延续一
季度良好发展态势，收入同比增长超100%；SiC业务受益于新产品持续推出、客户端导入进程加快以及产能
稳步释放，收入同比增长近翻倍。此外，公司持续推进精益生产与全流程精细化管控，有效应对原材料成本
上涨，业绩实现稳健增长。
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