经营分析☆ ◇300782 卓胜微 更新日期：2026-07-18◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.前5名客户营业收入表】【4.前5名供应商采购表】
【5.经营情况评述】
【1.主营业务】
公司专注于射频集成电路领域的研究、开发、生产与销售，主要向市场提供射频开关、射频低噪声放大器
、射频滤波器、射频功率放大器等射频前端分立器件及各类模组产品解决方案
【2.主营构成分析】
截止日期:2025-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
集成电路(行业) 37.26亿 100.00 9.57亿 100.00 25.67
─────────────────────────────────────────────────
射频分立器件(产品) 19.45亿 52.19 5.10亿 53.32 26.23
射频模组(产品) 16.76亿 44.97 4.08亿 42.69 24.37
其他(产品) 1.06亿 2.84 --- --- ---
─────────────────────────────────────────────────
境外(地区) 27.24亿 73.12 7.32亿 76.56 26.88
境内(地区) 10.02亿 26.88 2.24亿 23.44 22.38
─────────────────────────────────────────────────
商品销售收入(业务) 37.01亿 99.33 9.41亿 98.41 25.44
其他业务收入(业务) 1450.12万 0.39 493.82万 0.52 34.05
IP授权及服务(业务) 783.82万 0.21 766.19万 0.80 97.75
权利金(业务) 257.38万 0.07 --- --- ---
─────────────────────────────────────────────────
经销(销售模式) 19.04亿 51.10 2.93亿 30.60 15.38
直销(销售模式) 18.22亿 48.90 6.64亿 69.40 36.43
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2025-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
集成电路(行业) 17.04亿 100.00 4.90亿 100.00 28.75
─────────────────────────────────────────────────
射频分立器件(产品) 8.99亿 52.74 2.54亿 51.82 28.25
射频模组(产品) 7.56亿 44.35 2.17亿 44.33 28.74
其他(补充)(产品) 4118.45万 2.42 1568.09万 3.20 38.07
其他业务(产品) 837.54万 0.49 317.36万 0.65 37.89
─────────────────────────────────────────────────
境外(地区) 13.71亿 80.47 4.02亿 81.97 29.29
境内(地区) 3.33亿 19.53 8831.07万 18.03 26.53
─────────────────────────────────────────────────
商品销售收入(业务) 16.88亿 99.08 4.79亿 97.85 28.40
其他业务收入(业务) 837.54万 0.49 317.36万 0.65 37.89
IP授权及服务(业务) 630.19万 0.37 --- --- ---
权利金(业务) 104.55万 0.06 --- --- ---
─────────────────────────────────────────────────
经销(销售模式) 8.86亿 52.00 1.79亿 36.61 20.24
直销(销售模式) 8.18亿 48.00 3.11亿 63.39 37.97
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2024-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
集成电路(行业) 44.87亿 100.00 17.72亿 100.00 39.49
─────────────────────────────────────────────────
射频分立器件(产品) 25.09亿 55.91 10.58亿 59.72 42.18
射频模组(产品) 18.87亿 42.05 6.84亿 38.63 36.27
其他(产品) 9132.08万 2.04 --- --- ---
─────────────────────────────────────────────────
境外(地区) 27.80亿 61.95 11.47亿 64.72 41.25
境内(地区) 17.07亿 38.05 6.25亿 35.28 36.62
─────────────────────────────────────────────────
商品销售收入(业务) 44.72亿 99.67 17.68亿 99.77 39.53
IP授权及服务(业务) 679.47万 0.15 621.69万 0.35 91.50
其他业务收入(业务) 651.07万 0.15 -366.58万 -0.21 -56.31
权利金(业务) 155.38万 0.03 --- --- ---
─────────────────────────────────────────────────
经销(销售模式) 27.01亿 60.20 10.00亿 56.47 37.04
直销(销售模式) 17.86亿 39.80 7.71亿 43.53 43.18
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2024-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
集成电路(行业) 22.85亿 100.00 9.62亿 100.00 42.12
─────────────────────────────────────────────────
商品销售收入(产品) 22.73亿 99.49 9.55亿 99.26 42.02
IP授权及服务(产品) 838.11万 0.37 780.36万 0.81 93.11
其他业务收入(产品) 299.88万 0.13 -99.97万 -0.10 -33.34
权利金(产品) 32.45万 0.01 --- --- ---
─────────────────────────────────────────────────
境外(地区) 13.33亿 58.34 5.59亿 58.10 41.94
境内(地区) 9.52亿 41.66 4.03亿 41.90 42.36
─────────────────────────────────────────────────
经销(销售模式) 14.61亿 63.95 5.91亿 61.40 40.44
直销(销售模式) 8.24亿 36.05 3.71亿 38.60 45.09
─────────────────────────────────────────────────
【3.前5名客户营业收入表】
截止日期:2025-12-31
前5大客户共销售25.46亿元，占营业收入的68.32%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│客户名称 │ 营收额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│第一名 │ 74939.30│ 20.12│
│第二名 │ 59627.83│ 16.00│
│第三名 │ 56481.87│ 15.16│
│第四名 │ 37159.17│ 9.97│
│第五名 │ 26346.56│ 7.07│
│合计 │ 254554.74│ 68.32│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【4.前5名供应商采购表】
截止日期:2025-12-31
前5大供应商共采购21.22亿元，占总采购额的56.69%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│供应商名称 │ 采购额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│第一名 │ 82393.74│ 22.01│
│第二名 │ 54752.35│ 14.62│
│第三名 │ 32927.29│ 8.79│
│第四名 │ 27281.01│ 7.29│
│第五名 │ 14877.67│ 3.98│
│合计 │ 212232.06│ 56.69│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【5.经营情况评述】
截止日期:2025-12-31
●发展回顾:
一、报告期内公司从事的主要业务
（一）主营业务公司专注于射频集成电路领域的研究、开发、生产与销售，主要向市场提供射频开关、
射频低噪声放大器、射频滤波器、射频功率放大器等射频前端分立器件及各类模组产品解决方案，主要应用
于移动智能终端、智能穿戴、通信基站、汽车电子、蓝牙耳机、VR/AR设备及网通组网设备等领域。同时，
公司对外供应低功耗物联网处理器芯片，主要应用于智能家居、可穿戴设备、智能汽车等电子产品。
公司在射频芯片设计领域拥有多年的技术积累，一直积极投入研发创新与资源布局，专注提高核心技术
竞争力。目前，公司正全力推进自有完整生态链的建设，整合设计、研发、工艺、器件、材料和集成技术等
资源优势，打造全产业链资源平台。
依托长期以来的技术积累和竞争优势，公司将持续夯实在射频领域的布局，在保持并深入拓展手机等移
动智能终端领域的同时，深入挖掘通信基站、汽车电子、网通组网设备、物联网、人工智能、卫星通信相关
领域等应用领域的市场机会。公司坚持自主研发核心技术与资源平台建设，随着6G、卫星等通信技术的发展
，公司已成为国内少数对标国际领先企业的射频解决方案提供商之一。
1、射频前端芯片
（1）移动通信
1）分立器件
1.射频开关
射频传导开关的作用是将多路射频信号中的任一路或几路通过控制逻辑连通，以实现不同信号路径的切
换，包括接收与发射的切换、不同频段间的切换等。公司的射频传导开关产品的主要种类有移动通信传导开
关、WiFi开关等，采用RFSOI的材料及相应工艺，广泛应用于智能手机、汽车电子、可穿戴等移动智能终端
。
天线开关是射频开关的一种，与天线直接连接，主要用于调谐天线信号的传输性能使其在任何适用频率
上均达到最优的效率，或者交换选择性能最优的天线信道。公司的天线开关根据功能的不同，分为天线调谐
开关、天线调谐器、天线交换开关等，主要采用RFSOI的材料及相应工艺，广泛应用于智能手机、汽车电子
、可穿戴等移动智能终端。
2.射频低噪声放大器
射频低噪声放大器的功能是把天线接收到的微弱射频信号放大，尽量减少噪声的引入，在移动智能终端
上实现信号更好、通话质量和数据传输率更高的效果。公司的射频低噪声放大器产品，根据适用频率的不同
，分为全球卫星定位系统射频低噪声放大器、移动通信信号射频低噪声放大器、电视信号射频低噪声放大器
、FM调频信号射频低噪声放大器等。上述射频低噪声放大器产品采用SiGe、RFCMOS、RFSOI、GaAs等材料及
相应工艺，主要应用于智能手机、汽车电子、可穿戴等移动智能终端。
3.射频滤波器
射频滤波器的作用是保留特定频段内的信号，将该频段外的信号滤除，从而提高信号的抗干扰性及信噪
比。公司滤波器产品根据应用场景的不同，分为用于卫星定位系统的GPS滤波器、用于无线连接系统前端的W
iFi滤波器、适用于移动通信的滤波器等，公司现阶段主要采用SAW、IPD等工艺，上述产品主要应用于智能
手机、汽车电子、可穿戴等移动智能终端。
4.射频功率放大器
射频功率放大器的作用是把发射通道的射频信号放大，使信号馈送到天线发射出去，从而实现无线通信
功能。公司目前推出的射频功率放大器产品，主要采用GaAs材料及相应工艺实现，主要应用于移动智能终端
。
2）射频模组
射频模组是将射频开关、低噪声放大器、滤波器、双工器、功率放大器等两种或者两种以上功能的分立
器件集成为一个模组，从而提高集成度与性能并使体积小型化。射频模组根据集成方式的不同可分为不同类
型不同功能的模组产品，公司的射频模组产品包括DiFEM（基于sub-3GHz频段接收模组，集成射频开关和滤
波器）、L-DiFEM（基于sub-3GHz频段接收模组，集成射频低噪声放大器、射频开关和滤波器）、L-PAMiD模
组（主集收发模组，集成射频低噪声放大器、射频功率放大器、射频开关、双工器/四工器等器件的射频前
端模组）、GPS模组（集成射频低噪声放大器和滤波器）、LFEM（基于sub-6GHz频段接收模组，集成射频开
关、低噪声放大器和滤波器)、LNABANK（接收模组，集成多个射频低噪声放大器和射频开关）、L-PAMiF（
基于sub-6GHz频段主集收发模组，集成射频功率放大器、射频开关、滤波器、低噪声放大器)等。
上述射频模组产品主要应用于移动智能终端。
（2）物联网无线连接
1）WiFi前端模组
WiFi前端模组（WiFiFEM）是将WiFi射频功率放大器、射频开关、低噪声放大器等以多种组合方式集成
为一个模组，用于无线信号发射和接收，实现WiFi数据传输。公司的WiFi前端模组产品主要应用于移动智能
终端及网通组网设备。
2）蓝牙前端模组
蓝牙前端模组（BTFEM）主要用于蓝牙无线系统前端，位于蓝牙SoC芯片和天线之间。蓝牙前端模组根据
系统需求架构形式集成射频功率放大器、射频低噪声放大器、射频开关，用于提高蓝牙的发射功率或者提升
接收灵敏度。公司目前推出的蓝牙前端模组产品主要应用于物联网及其他通讯系统，如蓝牙耳机、VR/AR设
备等。
2、物联网芯片
低功耗物联网处理器芯片是将BLE、UWB或SLE等短距射频收发器、存储器、CPU和相关外设集成为一颗芯
片，形成具有短距收发射频信号功能的微控制器。低功耗物联网处理器芯片采用无线连接方式，使其能够快
速接入手机、平板、电视、汽车等智能终端，实现数据共享和智能控制。公司的低功耗物联网处理器芯片产
品主要应用于智能家居、可穿戴设备、智能汽车等领域。
（二）经营模式报告期内，公司深耕Fab-Lite经营模式，开展关键技术和工艺的研发及产品的产业化生
产，形成从研发设计、晶圆制造、封装测试到销售的完整生态链。通过自建的晶圆生产线管理优化，更好地
提升产品性能和质量、优化成本结构和供货周期，为满足终端客户的创新应用升级提供高效的平台资源及方
案。
技术研发方面，公司专注于关键技术和工艺的创新，产品均为自主研发，并结合市场需求、技术发展趋
势等，提前布局技术发展方向。基于自有产线，公司在内部进行更高效的研发协同，避免了Fabless模式下
与代工厂联合研发时可能出现的知识产权、制造工艺投入、产能供应链、管理与协调等多方面问题，更快地
将新技术转化为实际产品，加快产品的迭代速度。
生产方面，公司逐步采用以自主生产为主，委外代工为辅的模式。以自主生产为主，对于工艺技术、定
制化、差异化要求较高的产品，公司采用“自主设计+自主制造”的方式，在避免技术泄露的同时保持公司
在特定领域的技术优势和核心竞争力。委外代工为辅助则保留了产业链较为完善的产品代工资源，保障了产
品供应的稳定性和安全性。
供应链与市场方面，公司Fab-Lite模式建设减少了对外部代工厂的依赖，降低了因代工厂产能不足、工
艺变更或合作关系变化等因素带来的供应链风险，确保关键制造环节的自主可控，使公司在市场竞争中更具
稳定性和可持续性。此外，公司完成经营模式的转换，能够更快速地响应市场需求的变化，及时调整产品与
经营策略，更好地满足市场个性化需求。
（三）短期业绩影响因素2025年度，公司实现营业收入37.26亿元，归属于上市公司股东的净利润-2.93
亿元，同比下滑172.89%。公司业绩变动主要系在向Fab-Lite模式转型过程中，因持续的能力建设投入及供
应转化影响、行业竞争持续激烈、供给侧部分原材料产品交付环节紧张、下游客户库存结构优化调整等因素
，对公司部分产品出货节奏与规模形成了一定影响。
（四）下游应用领域宏观需求趋势2025年，公司下游核心应用领域需求呈现“复苏与压力并存、挑战与
机遇共生”的多元化需求格局。中国信通院数据显示，2025年1-12月，国内市场手机出货量3.07亿部，同比
下降2.4%，其中，5G手机2.66亿部，同比下降1.9%。全球智能手机市场在iPhone手机的出货量的带动下显现
温和复苏迹象，但存储类产品价格的持续攀升，对国内安卓手机市场形成显著成本压力。
值得关注的是，AI技术的快速发展与应用场景持续拓展，为下游应用市场注入新的增长活力，AI手机市
场前景广阔，消费级市场有望加速普及。部分高端终端产品融合AI大模型，实现智能交互、场景预判、跨应
用协同等多元化功能，折叠屏、卫星通信等创新形态产品与AI技术的结合进一步丰富了应用场景。随着市场
对AI应用等关注度持续提升，AI体验亦有望成为智能终端功能布局的重要考量因素之一。
同时，随着AI端侧等生态持续完善、技术发展与应用场景拓展，AI端侧产品市场前景广阔，消费级市场
有望加速普及，更便捷的沉浸式交互体验的需求越发明确，高性能高集成度低功耗射频前端及物联网芯片等
产品将迎来更宽阔的市场机会。
（五）公司主要产品市场发展趋势
1、射频前端芯片技术发展趋势
（1）高度集成化：从分立器件到系统化集成射频前端芯片作为模拟芯片中面向更高频段应用的关键分
支，其技术升级高度依赖设计方法与工艺器件的深度适配和协同创新。射频前端芯片通常采用特定的制造工
艺，随着通信频段持续扩展和终端应用内部的空间日益压缩，异质集成技术成为实现跨工艺（如GaAs、SOI
等）协同的有效路径；与此同时，先进封装技术（如SiP或3D集成等）通过多层堆叠与异构互联，显著缩减
射频模组面积，支撑其高密度产品需求。
此外，模组化趋势正从无源/有源器件的集成，向包含可重构与自适应能力的智能射频前端系统级解决
方案演进，如通过集成特定基带或系统级控制芯片等，结合天线调谐、阻抗检测等手段，使射频前端模组能
动态适配不同应用场景与信道条件。
（2）低功耗化：从设计到工艺到材料的联合创新新材料的应用正在重构射频器件的能效边界。技术延
伸方面，新材料与新物理结构的结合为技术迭代打开新的空间。
运用方面，为了满足可穿戴等多元化设备的严苛续航要求，射频前端芯片在降低运行功耗的同时仍要保
持较高的性能表现。
未来，通信技术在更多更高的频段突破并实现各指标间的平衡，为6G等超高速传输奠定基础。
（3）多元化：无线连接与移动通讯技术在丰富场景的应用射频前端技术的应用正从单一通信模块向多
场景智能感知中枢转型。通过对射频信号的感知，实现对射频前端的自适应控制，更精准地满足例如汽车电
子、卫星通信、AI端侧等不同场景下对通信、感知链路的智能控制需求。
此外，在数字化浪潮的推动下，WiFi从个人中心到智能家居环境再到工业自动化领域等多元化的应用场
景，成为连接万物的关键纽带。WiFi迭代升级的趋势逐渐强劲，随着WiFi7的技术成熟，WiFi8的开发和商用
日程已经开始明确。随着6G预研推进，无线连接技术将深度融入海陆空一体化通信网络，在自动驾驶、医疗
监测、人工智能等多复杂场景实现“感知—通信—计算”三位一体的智能化突破。
2、射频前端市场发展趋势
（1）差异化、特色化的需求演进射频前端行业正迎来更多发展机遇和可能性，包括通信技术制式的更
迭、卫星通信领域的逐步探索、终端机型轻量化、多元化的快速变化不断演进等。随着通信技术的发展，智
能手机需要支持更多的频段，促使射频前端需要具备更宽的频带覆盖能力和更好的频段选择性能，实现全球
范围内的无缝通信。
市场需求从智能手机向更广泛领域拓展，物联网与智能终端推动射频前端向低功耗方向发展，汽车电子
随智能驾驶与网联化升级有待释放大量需求，涵盖通信、感知等多类模块。同时，不同的终端逐步开始对外
观设计、性能要求和成本有差异性的诉求，使得射频前端产品延伸出更多的个性化、差异化亮点。
（2）集成化、模组化趋势持续演进在射频前端方案的演进过程中，通信协议升级推动射频前端器件复
杂性提升，而移动终端设备内部留给射频前端芯片的空间一直以来在逐渐减少，为满足移动智能终端小型化
、轻薄化、功能多样化的需求，射频前端芯片正逐渐走向集成模组化。随着5G发展进入后半程，通信制式的
发展将对射频无线通信网络能力提出更高要求，向高集成化、低成本化与定制化并行方案演进发展。
此外，模组集成的系统性方案日趋成熟，有效缩短了研发周期并降低了研发成本。同时，供应链的不断
完善进一步推动了模组成本的持续优化，为产业规模化发展提供了有力支撑。
（3）国产化、高端产品替代演进射频前端对通信行业发展至关重要，而目前全球射频前端芯片市场集
中度较高，国内自给率较低。从市场需求上而言，5G技术的快速渗透普及以及应用领域拓展，市场对高性能
射频前端产品的需求正迅速扩大。面对全球政治环境的不确定性，采用全国产方案有利于国内企业掌握自主
控制关键核心技术的供应链，降低外部风险，确保产业的稳定发展显得尤为重要。射频前端的国产化替代将
带动国内相关产业链的协同发展，包括芯片设计、半导体制造、封装测试、材料研发等环节，有助于形成完
整的国内射频前端产业生态，提高整个产业链的技术水平和竞争力，促进国内半导体产业的升级和发展。
（4）6G、卫星通信与AI应用共振，市场迎来新机遇随着6G通信技术向高频段、大带宽、低时延方向演
进，将持续驱动射频前端产品在架构、集成度及性能上实现全面升级，行业技术和产品形态迭代加速，市场
格局迎来新一轮重构和变革。
与此同时，卫星通信在智能终端的普及、人工智能在消费终端、端侧智能及汽车电子领域的深度应用，
进一步拓宽射频芯片的应用场景，射频前端作为信号收发核心组件的市场需求持续提升，行业长期成长前景
迎来新机遇。
（六）长期业绩驱动公司始终坚持一体化平台的前瞻性布局，以SOI（绝缘衬底硅）、SAW（声表面波）
、IPD（集成无源器件）等基础工艺基底为核心，持续完善工艺体系建设与技术储备，构建自主可控的特色
工艺平台。这一平台不仅是公司实现全品类射频前端芯片技术突破与大规模量产的基石，更通过设计与制造
环节的深度协同，形成可向多领域复用的技术内核，为公司打开多维度的成长空间：
纵向深耕：以技术迭代巩固主业护城河。面向6G通信的高频段、大带宽、低时延需求，公司已提前布局
相关技术研发，有望在下一代通信制式商用进程中抢占先发优势。同时，随着卫星通信在智能终端中的普及
、AI技术在消费终端、端侧与汽车电子的深度渗透，射频芯片作为信号收发核心组件的需求持续攀升，为公
司产品迭代提供明确方向。
横向拓展：以工艺复用撬动新兴市场增量。依托公司在射频领域积累的深厚工艺技术与高效的供应链体
系，公司具备了向多领域迁移复用的核心能力，储备了可面向高端射频、光通信、卫星通信、低空经济等不
同新兴应用场景的基础工艺技术底蕴。凭借对复杂工艺的深刻理解与高效交付能力，公司能够快速响应不同
场景的差异化需求，将工艺平台的价值向更广阔的市场边界延伸。
以成熟业务为基石，重点开拓高增长新兴市场的双轮驱动格局，将支撑公司在巩固既有成熟业务的同时
，持续拓展长期可持续的成长空间。工艺技术平台作为这一战略的核心支点，其价值将伴随公司向多领域拓
展的进程不断释放效应。
二、报告期内公司所处行业情况
1、集成电路行业发展格局
（1）集成电路行业整体发展格局从全球视野看，随着数字化、智能化浪潮催生的海量算力与连接等需
求，为半导体市场注入强劲增长动力。根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）预测，2025年全球半导体市场
有望延续复苏态势，规模预计将进一步扩张，凸显产业长期向好的基本面，到2026年全球半导体市场持续增
长，预计将达到1万亿美元。其中，中国作为全球最大的集成电路消费市场，进口规模持续攀升，2025年进
口金额已超4,243亿美元，而同期出口金额约2,019亿美元，贸易逆差显著，也反映出国内市场产业自主可控
的强劲需求。
与此同时，随着AI新技术的快速发展与应用深化，集成电路与AI技术的协同关系已超越简单的“工具与
应用”范畴，逐渐形成了技术创新共生、产业升级共促、生态繁荣共赢的深度耦合发展格局，推动产业向更
高性能、更优能效和更可持续的方向演进。
在此“双向赋能”的过程中，集成电路产业演进格局正经历从传统制造驱动向智能化主导的深刻转型。
高端制造与前沿设计能力成为推动行业发展的战略核心，全球产业链在追求效率的同时，正向着更加协同、
更具韧性的方向发展。集成电路行业整体呈现“技术突破牵引、应用场景驱动、政策生态协同、区域集群深
化”的发展态势，机遇与挑战并存。
（2）集成电路设计发展格局集成电路设计是整个产业链的上游环节，这一过程涉及从芯片架构设计、
逻辑设计到物理设计的多个环节。2025年，中国集成电路设计行业在地缘政治波动、新兴技术发展等催化下
，展现出强大的发展韧性与增长潜力。
随着5G、人工智能、物联网、智能驾驶、算力、低空经济、卫星互联网等领域的高速迭代和新应用的不
断拓展，下游应用新场景不断涌现，整个行业步入快速发展的态势中，逐渐形成“龙头企业引领、创新企业
补充”的层次分明、协同并进的发展格局。迎合AI技术快速迭代的特点，国内外集成电路市场在差异化、高
性能等需求显著提升。综合设计龙头企业凭借全栈自研能力，引领着全行业的技术演进与生态建设。也不乏
诸多骨干企业深耕专业赛道，在多个细分领域筑牢基石，通过差异化创新，正逐步突破海外巨头垄断的局面
。此外，新兴创新力量在人工智能等前沿技术方向着重布局，不断开辟出新兴市场空间。
（3）集成电路制造行业发展格局集成电路制造是集成电路产业的核心支柱，其工艺水平直接关乎国家
高端制造能力与产业链安全，属于资本与技术双密集型的产业环节。2025年以来，行业技术演进呈现多维并
进态势：先进制程持续向更小节点突破，成熟制程在物联网、汽车电子、工业控制及消费电子等广阔应用领
域的需求依然稳固。与此同时，诸多特色工艺以及先进封装技术，正成为提升芯片性能、实现功能差异化、
尺寸小型化等关键路径，并持续获得产业界重点投入。新材料与新器件的研发应用亦在同步推进，为产业长
期发展注入创新动力。
从全球市场格局观察，集成电路制造产能仍呈现较高集中度，主要集中在少数几个国家和地区，其中少
数几家大型企业占据主要市场份额，并保持领先地位。相较于海外，中国集成电路制造行业呈现出“龙头晶
圆代工企业主导产能、新兴特色工艺厂商填补细分空白”的多层次梯队格局，其中少数IDM企业集设计工艺
制造能力于一体，在细分领域深耕基底，在快速变化的市场环境中突破海外垄断格局，逐步打开成长空间。
依托于成熟的产业链配套与持续的政策赋能，本土制造企业在特色工艺与成熟制程领域已具备较强的市场服
务能力，并正通过全链条协同创新，逐步提升工艺先进性和供应链自主可控水平。
2、集成电路行业政策法规
集成电路产业作为引领新一轮科技革命与产业变革的战略先导，是保障国家信息安全、推动经济高质量
发展的重要基石。当前，全球产业链格局深度调整，技术竞争日趋激烈，国际贸易环境复杂多变，集成电路
产业全球化生态的不稳定性与日俱增。在此背景下，国家层面通过一系列具有连续性、针对性的政策法规，
旨在加速破解产业发展瓶颈，提升全产业链的韧性与竞争力。
中国的集成电路产业政策旨在通过一系列综合措施，从资金、技术、人才等多个方面给予全方位的支持
，构建健康、可持续发展的集成电路生态系统。这些相关政策彰显出我国在面对复杂地缘政治环境和应对逐
渐加剧的贸易冲突背景下，解决国家经济发展和产业瓶颈问题的信心与决心，为我国集成电路产业持续健康
发展提供了政策助力。
3、行业周期性特点
集成电路行业受技术进步、市场需求与宏观经济等多重因素影响，呈现出明显的周期性特征，并受产品
生命周期与宏观经济和产业层面的系统性波动等共同影响。
射频芯片行业的周期性波动主要受技术迭代、宏观经济及下游应用需求变化的综合驱动。由于智能手机
是该领域最具代表性的终端市场，节假日消费高峰与各地推出的购新补贴等政策红利，会沿着产业链逆向传
导至上游，促使射频芯片及相关生态出现早于终端销售的季节性波动。
2025年度，AI技术的快速发展驱动了全球存储芯片需求快速上升，上游部分基板等相关原材料出现需求
的挤兑，也对下游智能手机行业的市场结构与周期规律带来扰动。智能手机市场的季节性规律受到了上游多
重供应链波动的影响，呈现出"传统旺季承压、新兴趋势分化"的特点，射频芯片行业季节性规律变化较为模
糊。
4、公司所处的行业地位
作为国内射频芯片领域的龙头企业，公司始终走在行业技术革新的前沿。历经多年深耕，公司在本土率
先采用Fab-Lite经营模式，通过自建产线统筹布局射频前端产品的垂直整合，凭借自主研发的高性能滤波器
及相关高端模组产品，成功突破国际头部企业的市场垄断，在国内外的竞争中脱颖而出，成为射频行业的主
要竞争者之一。基于此模式，公司正稳步推动从射频前端芯片领域的领先企业向覆盖多元化产品矩阵、构建
广泛市场影响力的一体化平台企业的战略演进。凭借射频全栈产品线、特色工艺技术以及稳定的供应链体系
，市场份额持续领跑国内同业，综合实力已跻身全球前列。近年来，公司持续推动芯卓半导体产业化项目建
设，构建关键产品和工艺的智能制造能力，打造集设计、研发、工艺、器件、材料和整合优化等技术于一体
的资源平台，完成了从“产品型公司”向“平台型公司”的跃迁。公司自主构建的工艺技术平台是公司最深
层竞争壁垒，依托公司先进的工艺开发与导入能力及成熟的供应链管理体系，公司具备卓越的技术迁移与产
品化能力，可以快速复用至更广阔的新兴市场和产品领域。
未来，公司将在巩固射频龙头地位的基础上，积极向其他赛道横向拓展，旨在将平台优势转化为新的增
长引擎，打开更为广阔的业务发展空间。
5、行业竞争格局
（1）国产化替代纵深推进，国内射频前端产业迎来结构性机遇射频前端器件是通信系统的关键组成部
分，全球市场长期呈现高度集中的寡头格局。长期以来，该领域被国际领先IDM厂商主导，其“设计-制造”
一体化的IDM模式构筑了技术、工艺、生态等综合壁垒。与之相比，国内射频前端产业起步较晚，在技术积
淀与产业生态厚度上仍存在差距。
过去，国内产业受工艺能力限制，创新多集中于单一器件，发展路径相对固化。在地缘与技术迭代双重
推动下，国产化替代正向纵深发展，竞争焦点已从单纯设计能力转向“设计工艺化”与“工艺设计化”的深
度融合。具备工艺协同能力的国内企业，正通过创新业务模式，在射频模组等高端领域加速突破，逐步构建
起从设计到交付的完整能力。随着产业整合深入，拥有自主工艺平台和稳定供应链的国内头部企业，有望打
破长期由国际厂商主导的格局，确立在主流供应链中的核心地位。
（2）国内低端同质化竞争延续，工艺技术平台成为高端突围的“分水岭”当前国内射频前端市场呈现
显著的“二元结构”特征。一方面，在中低端产品领域，由于技术门槛相对较低，大量厂商陷入同质化竞争
的局面，行业利润空间持续承压。另一方面，随着下游终端应用对性能、功耗与尺寸的要求日趋严苛，诸多
产品正朝着高集成化方向演进。这一演进方向，对企业的工艺理解深度与工艺协同能力提出了极高要求，设
计与工艺的脱节已成为制约射频前端向高端突破的核心瓶颈，而拥有自主工艺技术平台的企业则能够通过“
设计工艺化”实现性能跃升与快速迭代，从而在高端射频模组领域打开突破窗口。未来，国内射频前端产业
将持续分化，具备垂直整合与工艺赋能能力的企业将主导高端化进程，缺乏工艺支撑的厂商将被迫囿于低端
红海。构建从设计、特色工艺到制造交付的一体化能力，已成为本土领先企业构建长期竞争力、参与全球高
端竞争的核心路径。
三、核心竞争力分析
（一）研发优势：突破Fabless边界，构筑“设计+工艺”双轮驱动的综合研发能力公司基于芯卓资源平
台的战略布局，构建了区别于传统Fabless模式的综合研发体系。这一体系不仅涵盖芯片设计能力，更将研
发创新的边界向前延伸至材料、工艺、器件、制造、封测的全链路协同创新，形成了设计与工艺深度耦合的
一体化研发能力。
目前，公司产品已覆盖RFCMOS、RFSOI、SiGe、GaAs、IPD、SAW、压电晶体等各种材料及工艺，并在Fab
-Lite转型过程中逐步积累了IPD、SAW、SOI、BCD、异构集成及其他高频材料及特色高频器件等核心技术矩
阵和生产制造能力，深度储备了面向高端射频、卫星通信、光通信等前沿领域的基础工艺技术底蕴。这一技
术积淀使公司不仅能够实现现有产品的性能突破，更具备通过关键工艺环节支撑国产替代的自主可控，同时
将工艺研发与设计创新深度融合，承载前沿创新的完整技术支撑。
“设计牵引工艺、工艺反哺设计”的正向循环，使公司突破传统晶圆制造平台的技术路径依赖，构建起
难以复制的综合研发壁垒。正是这种将工艺理解深度嵌入产品创新的能力，为公司跨领域技术迁移与高端市
场突破奠定了不可替代的底层基础。
（二）产品优势：构建全品类产品矩阵，夯实自主可控供应能力公司基于芯卓资源平台的深度布局，已
构建起覆盖多元技术领域与应用场景的完整射频前端产品体系。产品形态从分立器件到高集成度模组持续丰
富，应用边界从智能手机向通信基站、汽车电子、蓝牙耳机等新兴领域不断拓展。公司已实现大部分产品的
自主制造能力，其中滤波器模组、PA模组等系列产品成功导入多家品牌客户并持续放量，验证了公司从研发
到量产的全链路交付能力。更为关键的是，借助资源平台能力的持续完善，公司已具备全国产供应链自主可
控供应能力——从材料、工艺、器件到制造、封测，核心环节均实现自主可控，摆脱了对外部资源的依赖。
未来，公司将基于这一自主可控的产品平台，将在效率提升、个性化迭代等方面的特有经验向更多领域迁移
复用，持续拓展产品优势的边界。
（三）人才优势：构建“设计+工艺”深度融合的复合型团队，夯实一体化研发根基公司依托芯卓资源
平台，坚持“从原理起步，从零正面突破”的正向研发理念，构建了覆盖芯片设计、工艺研发、晶圆制造到
封装测试的全链条复合型人才团队。在Fab-Lite模式下，通过长期协同与协作，实现了设计与工艺人才的能
力深度融合——设计人才深谙工艺，工艺人才理解设计，形成了在正向研发中互为牵引的独特竞争优势。
同时，公司高度注重人才的发掘和培养，一方面引进国内外高层次领军人才，形成技术方向的引领力量
；另一方面吸引全国各地优秀高校学子，构建面向长远的人才梯队。截至报告期末，新生代力量已逐步在关
键项目中勇挑重担，成为推动公司创新和发展的重要生力军。
（四）客户优势：依托资源平台深度协同，构筑价值共创的稳固伙伴关系公司始终坚持以客户需求为创
新的原点，围绕射频核心技术，紧跟市场趋势持续迭代产品方案。依托芯卓资源平台带来的自主可控供应能
力、稳定交付表现、卓越品质保障与灵活技术支持，公司在与国内外核心客户的长期合作中，积淀了深厚的
品牌信任与优质客户资源。
公司客户群体覆盖安卓系统主流品牌厂商，其对供应商在产品性能、价格、质量、交付及技术支持等方
面均设有严苛标准。得益于资源平台的战略支撑，公司不仅能够以高效稳定的交付满足既有需求，更在长期
协同中深度融入客户的技术演进路径——敏锐洞察客户的前瞻需求，并参与下一代产品与技术的共同定义。
这种“从需求响应到技术共创”的合作深化，使公司逐步从被动适配者转型为价值共创者。
（五）战略平台优势：深化Fab-Lite模式，构筑产业根植性和韧性公司深度挖掘Fab-Lite模式的潜力，
旨在打造集设计、研发、工艺、器件、材料和集成等技术于一体的资源平台，以标准演进与实际应用需求为
牵引，以先进物理资源集成平台为载体，聚焦特色工艺能力建设，定制差异化的工艺器件技术，突破传统晶
圆制造技术平台的限制，为长远发展奠定坚实的工艺根基。
借助芯卓资源平台，公司在产品品类、性能表现、交付能力、质量管控、定制化响应和研发效率等方面
形成了差异化的综合竞争优势，进一步巩固了公司在射频前端芯片领域的影响力。更为关键的是，通过持续
深化Fab-Lite经营模式，公司关键制造环节实现自主可控，对外依赖程度与供应链风险显著降低，产业根植
性与发展韧性同步提升。
在当前AI技术重塑产业格局的背景下，重资产商业模式依托庞大的实物资本与基础设施投入，正构建起
难以复制的竞争壁垒，这些资产的经济价值能够穿越技术周期而持久存在，成为企业长期竞争力的“压舱石
”。公司以前瞻性战略持续投入资源平台建设，强化“软技术+硬产能”的一体化能力，这一融合设计与工
艺的平台优势，将成为公司未来参与全球竞争的核心护城河。
四、主营业务分析
1、概述
过去射频模拟产业的发展在一定程度上受制于工艺能力的限制，设计往往需要在性能与制造可行性之间
寻求平衡，行业的技术与生态相对固化，创新更多集中在单点器件层面。随着工艺平台与系统需求的深度融
合，射频模拟行业正从传统的器件优化，转向跨学科、跨层级的系统性提升，推动“泛模拟”领域在材料、
架构和智能化方向的持续突破。工艺、设计、系统之间的互动将成为未来竞争的关键，而具备自有工艺资源
与技术生态的企业将在行业变革中占据主动。得益于芯卓工艺技术平台的持续建设与战略逐步落地，公司在
技术研发、供应链优化及市场拓展等维度取得实质性突破：自主可控的全国产供应链能力基本成型，高端射
频模组等核心产品成功导入品牌客户并持续放量，设计与工艺深度协同的一体化研发体系日趋完善。这些能
力建设为公司在复杂市场环境中构筑了差异化竞争壁垒，也为后续业务拓展打开了向上空间。现阶段行业景
气受到AI需求引发的存储供给侧结构性短缺与价格上涨对下游终端的冲击、新品规模放量受上游部分原材料
需求挤兑等共同影响，阶段承压。随着AI技术的不断发展，公司所处行业面临的市场机遇及新工艺价值释放
仍在循序渐进。
展望未来，随着资源平台效能持续释放、客户协同不断深化，公司有望依托“设计+工艺”双轮驱动的
核心优势，在巩固成熟业务的同时，加速向AI端侧、汽车电子等高增长市场拓展，同时前瞻性地储备了面向
光通信、卫星通信、低空经济等新兴领域的基础技术底蕴，以稳健的经营韧性迎接产业机遇。
报告期内，公司围绕发展战略和经营计划，重点开展的工作及经营成果如下：
（一）经营业绩分析报告期内，公司正处于向Fab-Lite模式深度转型的关键阶段。受到战略性产能建设
持续投入、部分产品由委外加工向自有产线转化、上游原材料供应阶段性紧张以及下游客户库存结构优化等
多重因素影响，公司营业收入及毛利率较上年同期有所下降。然而，短期经营波动并未改变公司长期向好的
发展态势。经营业绩影响主要原因如下：
1、随着公司持续投入工艺能力建设，不断深化向Fab-Lite升级转型，大量产品正逐步从委外代工转向
自有产线制造，供应链的重构使得相关工艺产品的产出时间和效率有所影响。
2、全球高端市场仍由美国和日本的大型跨国企业主导，国内市场中，诸多国内射频前端厂商聚焦于同
质化严重的中低端射频前端产品领域，本土竞争日趋激烈。同时存储芯片出现周期性涨价使得下游消费电子
行业尤其是智能手机行业的增长态势表现不及同期。
3、伴随AI技术在众多新兴应用领域的快速发展和普及，引发全球半导体产业链结构性供需变化。其中
，AI算力、存储芯片等爆发式增长导致公司与之重叠的供应环节紧张。
4、以智能手机为典型代表的消费电子终端产品换机周期持续拉长，同时射频前端整体解决方案的迭代
速度不断加快，下游终端客户在射频前端芯片的备货周期规模有所调整。
（二）加大研发投入，深化“设计+工艺”协同创新，夯实核心技术根基报告期内，公司围绕芯卓资源
平台持续加大研发投入，推动研发模式从“设计+工艺+材料”全链路协同创新升级。依托自有工艺技术平台
的深度支撑，公司打破了传统Fabless模式下设计与制造割裂的局限，实现了器件定义与工艺开发的前置融
合，开启了“设计牵引工艺、工艺反哺设计”的协同演进新阶段，为公司产品性能突破与跨领域拓展打开多
维空间。公司坚持以客户需求与市场演进为牵引，以技术研发为基础，以工艺、材料创新为抓手，以资源平
台为保障，持续强化研发投入力度，加速产品迭代升级，并高效推动新品导入产线与规模化放量。报告期内
，公司研发投入86,686.39万元，较上年同期下降13.06%。近年来，随着公司战略布局的持续落地，研发投
入占营业收入比例呈逐年上升趋势，2023-2025年度分别为14.37%、22.22%和23.26%，彰显了公司面向长远
发展的战略决心。
在自主创新与知识产权布局方面，公司建立了与战略深度协同的知识产权合规管理体系，形成了“技术
研发—专利布局—产业支撑”三位一体的协同生态。截至报告期末，公司累计取得专利170项，其中国内专
利168项（含发明专利95项）、海外专利2项（均为发明专利）；累计取得集成电路布图设计13项。2025年度
新增专利申请152项，其中发明专利109项、实用新型专利43项，新增申请主要集中于射频滤波器产品等高端
模组核心领域，进一步筑牢了公司在关键赛道上的技术护城河。
（三）构建能力闭环，为多领域拓展注入新动能在产业深度融合的背景下，资源整合能力已成为企业核
心竞争力的关键变量。报告期内，公司依托芯卓工艺技术平台，系统推进产品能力、技术能力与平台能力的
深度协同，为公司向多领域拓展注入系统性动能。
在产品维度，公司以工艺技术平台为底座，将特色工艺能力嵌入产品定义，为客户提供从分立器件到高
集成度模组的差异化解决方案，为拓展复合应用、丰富产品矩阵、跨界行业布局奠定坚实基础。
在技术维度，公司持续深耕6英寸特种工艺、12英寸异质硅基工艺平台及先进异构集成三大核心技术平
台，延展“异质+异构”技术路线，推动材料、工艺、器件、封装、设计与应用系统的全链路协同优化。依
托这一技术体系，公司已形成兼具差异化性能、高集成度、小型化、低功耗特点的系列产品，构筑起具有特
色工艺基底的高端产品线，为射频前端业务向高附加值领域深入拓展提供核心支撑。
上述能力的系统整合，不仅显著提升了产品的自主可控水平，更形成“资源平台领先、产品领先、成本
领先、质量领先”的综合竞争优势。公司始终坚持以技术趋势与客户痛点为导向，围绕更高性能、更低功耗
、更低成本等需求进行场景化资源储备，持续完善差异化、高端定制化、高度集成化产品体系。这一以工艺
平台为根基、以能力整合为牵引的战略布局，正为公司抢占新兴市场、实现跨领域增长提供系统性的竞争力
支撑。
（1）6英寸晶圆生产线公司6英寸滤波器晶圆生产线针对特种材料工艺进行平台建设，已具备较为完整
的产品生产制造实力。报告期内，6英寸滤波器产线的产品品类已实现全面布局，具备双工器/四工器、单芯
片多频段滤波器等分立器件的规模量产能力，同时集成自产滤波器的DiFEM、L-DiFEM、GPS、WiFi模组等产
品成功导入多家品牌客户并持续放量，对滤波器工艺有高度要求的L-PAMiD产品亦从小批量出货顺利进入大
规模交付阶段。
截至报告期末，6英寸晶圆生产线已实现单月15,000片的产能目标。通过芯卓资源平台实现的生产制造
、工艺等能力成功在6英寸滤波器晶圆生产线上得到体现。
（2）12英寸晶圆生产线公司以12英寸硅基技术平台生产线为基础，致力于异质材料及特种工艺的能力
拓展。报告期内，12英寸实现产能快速爬坡并步入稳定生产阶段，12英寸射频开关和低噪声放大器等产品已
在第二代技术平台上完成多产品验证并实现稳定产出，并开启第三代技术平台的技术路径探究和技术研发工
作。基于自有产线能力设计并产出的射频传导开关、天线调谐开关、低噪声放大器等及集成的相关模组等多
样化产品已陆续通过客户的导入验证，终端产品基于自有产线的产出占比逐季度快速增长。
截至报告期末，公司12英寸生产线综合产能和利用率稳步提升，量产稳定。同时，关键技术平台实现从
产品验证完成到稳定产出的转化，产线良率和产品良率均已达到行业第一梯队水平。未来公司将逐步强化多
元化、特色化技术工艺资源的储备，加快先进架构技术平台与高性能产品的迭代更新，进一步夯实技术壁垒
和巩固市场地位。
（3）先进封装生产线公司高度重视技术创新与工艺布局，以前瞻性视野重点投资并构建了射频前端领
域先进的封装工艺技术平台。依托于12英寸晶圆的异构集成平台，公司着力打造行业领先的模组化解决方案
，以高效满足不同市场对下一代器件在性能提升、尺寸小型化及成本优化等方面的综合需求。
截至本报告期末，相关技术成果已在业务中取得实质性进展，部分采用先进封装技术的产品已实现规模
出货；专为先进集成工艺打造的产线已成功实现从技术落地到规模化量产的闭环，为公司持续深化射频前端
模组在小型化、低成本、高性能方向的产品开发奠定了坚实的基础。
（四）重要产品或技术进展
（1）全国产供应链L-PAMiD产品作为业界首款实现全国产供应链的L-PAMiD模组，公司L-PAMiD系列产品
（主集收发模组）凭借在集成度与性能上的双重突破，已成为驱动公司未来营收增长的“明珠型”产品。
该系列产品深度整合了公司自产的核心器件：依托6英寸晶圆产线自产的MAX-SAW滤波器，以及12英寸晶
圆产线自产的射频开关、低噪声放大器，构建了扎实的“设计+工艺”壁垒。
基于这一优势，公司L-PAMiD产品系列正以前所未有的效率推进市场渗透，并已取得关键性商业化成果
：
多方案覆盖，灵活应对需求：公司已推出支持多种主流架构的L-PAMiD解决方案，能够灵活满足不同品
牌客户对前端方案的设计需求。
多客户突破，规模化交付：产品已在多家头部品牌客户成功完成导入，并已进入大规模批量出货阶段，
充分验证了产品的高可靠性与大规模交付能力。
作为承载公司未来增长的核心引擎，L-PAMiD产品将持续依托自主供应链的快速迭代优势，在性能与灵
活性上不断进化，加速推进国产射频模组的市场化进程，以前沿技术赋能客户。
（2）无线连接产品公司坚持在移动通信与无线连接赛道深耕，通过持续加码研发投入，确保技术迭代
步伐始终精准匹配市场需求演进。在WiFi无线连接领域，公司已成功卡位技术前沿。报告期内，WiFi7模组
产品已实现规模化量产，并凭借性能优势在客户端保持快速增长态势。随着WiFi7技术的不断成熟，公司正
夯实WiFi8产品的研发与商用基础。目前WiFi8产品研发进展顺利，有望在2026年量产。与此同时，公司也积
极布局其他新一代无线连接协议（不同标准）产品，以拓展更广阔的市场空间。在蓝牙连接领域，公司的BT
FEM模组产品表现稳健，报告期内保持持续、大规模的量产出货节奏，为公司贡献了稳定的营收来源。
（3）短距通信感知系统产品公司积极打造基于短距通信感知一体的SoC芯片技术体系，布局短距离通信
感知的系统解决方案和能力，在未来力争拓展到IoT、智能家居、健康监控、汽车电子等应用场景。产品主
要包括低功耗蓝牙与星闪SLE芯片、车规超宽带UWB芯片等。目前低功耗物联网处理器芯片已完成新一轮产品
标准的迭代，车规超宽带UWB芯片进入量产阶段。此外，公司深耕高效资源平台业务模式，结合芯卓资源平
台的战略支撑和射频前端产品优势，构建面向场景的差异化产品矩阵能力，积极为星闪、BLE6.0、UWB等新
兴的短距通感标准生态积累技术能力，助力短距离通信感知产品业务深入拓展。
报告期内，公司洞察诸多下游客户产品痛点并持续深度合作，获得客户高度认可。对应推出基于SoC芯
片技术的MCU类定制产品已实现出货量快速增长阶段，该产品在客户端荣获年度科技创新奖。同时公司基于
产品定制化合作方式已形成可复制的战略协作方式，力争服务于更多下游终端客户。
（4）基于SAW的覆膜封装工艺公司长期深耕SAW滤波器射频模组领域，通过封装工艺迭代升级，进一步
筑牢核心技术壁垒，强化市场竞争优势。覆膜封装工艺（SLM，StripLaminationModule）作为公司重点突破
的核心工艺之一，是对传统封装技术的优化与创新——该工艺省略了SAW裸片晶圆级空腔封装的步骤，在模
组封装环节直接完成空腔成型与封装作业，具备高集成度、小型化、低成本的核心特质，是适配高端射频器
件小型化、集成化发展趋势的先进芯片级封装技术。
依托研发团队在SAW滤波器产品领域多年的技术积淀与持续研发投入，公司目前已完全掌握SLM模组封装
核心技术，已在L-PAMiD系列产品实现技术突破并大规模出货。相较于前期采用的分立SAW滤波器复用工艺及
晶圆级封装工艺，覆膜封装工艺在产品性能与生产效益方面均展现出显著优势。
（五）特种工艺线的进展
（1）BCD工艺进展BCD工艺作为一种复合型半导体制造工艺，核心是将双极型晶体管（Bipolar）、互补
金属氧化物半导体（CMOS）和双扩散金属氧化物半导体（DMOS）三种器件结构集成于同一芯片，兼具双极型
器件的高频、高增益特性、低功耗、高集成度、高压、大电流等能力，是适配高压、高精度、多功能器件的
核心制造工艺。凭借研发团队在半导体复合工艺领域的长期技术钻研与经验积累，公司已逐步掌握BCD工艺
核心技术，为产品多元化布局与高端化升级提供坚实技术保障。
（2）GaAs工艺进展公司长期深耕化合物半导体射频器件领域，通过核心工艺研发迭代与技术创新，进
一步筑牢核心技术壁垒，强化市场竞争优势。GaAs（砷化镓）半导体工艺是化合物半导体领域的关键工艺，
是适配5G/6G射频前端、卫星互联等高端应用场景的关键半导体制造工艺。相较于传统硅基射频工艺及普通
化合物半导体工艺，GaAs半导体工艺在高频性能、功率效率与抗干扰能力方面均展现出显著优势。依托研发
团队在化合物半导体领域多年的技术积淀与持续研发投入，公司目前已突破并掌握相关工艺技术。
（3）异构集成工艺进展异构集成（HeterogeneousIntegration）作为后摩尔时代半导体产业发展的核
心方向，其本质是通过系统级架构创新与先进集成技术，将不同材料、工艺及功能的异质单元在芯片或封装
尺度进行一体化融合，该技术突破了单一芯片的物理与工艺极限，实现“超越单芯片”的系统级性能提升。
目前，公司相关技术成果已在业务中取得实质性进展，先进集成工艺已实现技术落地和闭环，为未来光电共
封等高集成度产品提供核心支撑。
（4）其他特种工艺进展报告期内，公司持续加大高性能射频及半导体特色工艺的研发投入与产业化推
进，在高端封装、高频材料及特色高频器件等关键工艺方向逐步实现突破与规模化应用，相关技术可广泛适
配移动通信、智能终端、高频通信、高压模拟等领域。通过持续工艺迭代与技术平台创新，公司产品在集成
度、性能、成本控制及可靠性方面形成显著竞争优势，进一步筑牢核心技术壁垒，为公司深耕高端市场、拓
展多元化应用场景、实现长期稳健发展提供坚实支撑。
（六）专利诉讼进展报告期内，公司已就韩国三项涉案专利提起无效宣告程序，并已就境内四项涉案专
利向知识产权主管部门提起无效宣告程序。2026年1月，公司已收到国家知识产权局就国内四项涉案专利的
无效审查决定，其中第ZL201680046210.1号、第ZL201680030389.1号、第ZL201580059165.9号发明专利均宣
告专利全部无效；第ZL201480066958.9号发明专利宣告部分无效。
作为国内射频前端领域的创新企业，公司始终坚持自主创新与核心技术积累，将知识产权与公司战略紧
密结合，建立有效运行的知识产权合规管理体系，并形成技术研发、专利布局与产业支撑的协同生态。截至
2025年12月31日，公司已累计申请滤波器相关的国内专利217件，PCT国际申请16件，海外专利申请6件，其
中公司滤波器相关专利针对器件结构、材料选择、拓扑设计、封装结构及工艺等多维度开展了布局保护，未
来将随着公司产品的扩充而持续申请。
诉讼方面，（2025）沪73知民初59号、（2025）沪73知民初60号、（2025）沪73知民初61号三件案件原
告已于2026年2月撤诉。面对知识产权纠纷，公司将继续保持积极应诉，依法依规采取有效措施维护公司和
股东的合法权益。
（七）资本运作为满足公司业务扩张与战略布局的资金需求，进一步优化资本结构、增强核心竞争力及
可持续发展能力，公司于报告期内启动了向特定对象发行股票工作。截至报告期末，本项目已顺利通过交易
所上市审核中心审核，并获得中国证券监督管理委员会同意注册的正式批复（证监许可〔2025〕2905号，批
复日期2025年12月24日）。
截至报告披露日，公司已完成本项目的发行工作。本次定增的顺利实施将为公司后续业务拓展提供坚实
的资本支撑，助力公司持续优化资本运作，加速实现长期战略目标。
（八）数字化管理和建设公司持续完善信息安全体系，多措并举保障其顺利运行并持续优化，保障公司
信息设备和数据安全。报告期内，公司将信息化管理覆盖产品研发、生产制造、质量管理、销售等各个环节
中，从而起到信息共享、数据协同的作用，确保数据的准确性和可靠性，提高人员工作效率和准确率。公司
正不断通过优化财务、运营、销售、项目等各部门的业务流程和资源，整合资源配置，加强AI技术在日常业
务中的普及，进行可视化过程管理和精细化成本追踪，逐步为降本、增效提供可靠的数字化支撑。
报告期内，公司进行全面的科学化成本管理和建设，顺利通过自建工厂的汽车行业质量管理体系认证IA
TF16949LOC认证,给资源平台带来持续创新驱动。
（九）环保、安全生产环境保护方面，公司高度重视环境保护工作，积极进行安全环保风险识别、体系
制度完善等各项工作，定期对周边环境进行监测，严格遵守环境风险防范要求。报告期内，设立子公司芯卓
智水（无锡）环境有限公司，并获得“绿色工厂”的认证。
安全管理方面，公司对生产过程中会涉及的化学品实施全生命周期安全管理，制定并完善相关制度文件
，规范管理流程，确保化学品管控有章可循。与此同时，公司设置了多项安全应急设施，定期开展安全生产
专项检查，通过隐患排查确保闭环改善。报告期内，公司通过“安全月”、“消防月”、应急演练、举办主
题培训与安全文化活动等方式，着重提高全员安全意识和应急技能，培养全员安全素养，确保各项安全管理
措施得到有效落实。
●未来展望:
公司愿景：成为全球信息连接物理资源平台的赋能者和建设者公司使命：做科技的践行者，探索物理资
源的边界，拓展人类获取信息和感知世界的边际公司价值观：
勤--勤以致胜，精益卓绝
拙--道取中直，持重守拙
信--立之以诚，践之以信
和--志远气和，刚健文明
公司坚持以技术创新为核心驱动，以客户价值为导向，持续深度构建垂直整合、协同高效的一体化产业
平台。通过强化从核心工艺、产品研发到规模化交付的全链条能力，统筹推进供应链韧性建设与先进工艺迭
代升级，全面提升产品综合竞争力与市场影响力。
展望未来，公司将进一步聚焦通信感知等核心领域，深化全球化布局与高端化发展，致力于成为国际领
先的一体化解决方案提供商，为全球客户提供更具竞争力的全场景、全周期产品与技术服务，助力产业高质
量发展。
公司未来战略布局规划：
公司以异质+异构为核心，构建面向AI时代的物理资源平台，通过全链路协同优化实现工艺与能力的系
统性协同。公司持续夯实6英寸特种工艺、12英寸异质硅基工艺平台、先进异构集成三大工艺基石，筑牢全
链条自主可控能力；同时前瞻布局云侧通信、端侧AI、卫星应用等多个未来赛道，以双平台战略为牵引，拓
展多元增长空间，支撑公司长期战略转型与高质量发展。
（三）2026年度经营计划2026年是公司以Fab-Lite核心优势为支点，撬动战略升级的关键一年。面对半
导体行业技术迭代加速与市场格局重构的双重挑战，公司将紧扣“技术扎根、壁垒重构、多元拓界、价值赋
能”的核心战略，聚焦主业、深耕细作，深化“设计+工艺”协同创新、强化自主可控韧性，并聚焦通信感
知以一体化资源平台引领价值升级：
公司将以MaxRF卓越射频全栈平台、MaxExplore湖光源启工艺平台为核心抓手，全面推进战略转型，实
现“射频夯实基础+工艺平台能力释放+多元赛道拓展”的高质量发展。
在射频主业端，依托MaxRF卓越射频全栈平台，聚焦高端LPAMiD、滤波器模组等产品规模化放量，深化
全栈射频技术自主可控，拓展车载、工业等非手机市场，夯实基础；前瞻布局6G、AI射频技术，不断提升射
频产品的高集成、高性能等能力。
在工艺与新赛道端，依托MaxExplore湖光源启工艺平台，释放芯卓RFSOI、化合物半导体技术等特色工
艺能力，赋能工艺平台向光通信、低功耗智能等领域延伸，培育新增长曲线，构建“设计+制造+封测”全链
条竞争力。
1、深化射频前端核心优势，以自主工艺引领全球重要参与者地位
2026年，公司将坚持技术创新驱动，依托芯卓平台持续深化Fab-Lite战略，牢牢掌握核心工艺自主研发
与制造能力。通过完善从芯片设计、晶圆制造、关键材料到封装测试的全链条一体化布局，实现核心环节自
主可控，构筑难以复制的长期竞争壁垒。在技术实现层面，公司将重点提升高性能SOI、覆膜封装等工艺的
成熟度与规模化应用能力，持续深化核心工艺研发以构建全方位的工艺技术体系。产品方面，坚持以客户价
值为中心，提供高度定制化、高集成度、低功耗、高效率的差异化射频前端解决方案，赋能客户与产业升级
。市场拓展上，以成熟业务为根基，积极切入高增长新兴应用场景，致力于成为全球射频前端领域的重要参
与者与规则引导者。
2、发挥芯卓平台赋能价值，前瞻布局多元化未来赛道
公司立足芯卓整体战略资源平台，坚持差异化发展定位，通过整合技术、人才、供应链等优质资源，实
现协同发展与资源共享。一方面，依托芯卓平台的技术与产能优势，深度赋能公司现有产品线的研发与量产
，持续提升产品竞争力；另一方面，强化以AI为核心的技术驱动战略，加大前沿技术研发投入，积极探索光
通信、卫星通信、低空经济、AI终端等未来潜力领域，不断拓宽成长空间与发展边界。通过打造稀缺性、特
色化的核心能力与资源体系，构建“平台赋能+多元发展”的良好格局，推动公司在全球通信与感知领域实
现更高质量、更可持续的发展。
（四）公司面临的风险和应对措施
1、市场风险
（1）经济增速放缓和行业发展波动的风险全球正面临经济景气度下行等带来的经济压力，公司主营的
射频前端芯片主要应用于智能手机等移动智能终端，因此不可避免地受到宏观经济波动的影响。同时，由于
智能手机创新放缓和换机周期拉长，市场需求不振。因此，若未来全球范围内宏观经济不能如期复苏，智能
手机需求不能提振，将对公司的经营业绩造成影响。公司将密切关注国内外经济形势的变化，加强对宏观经
济环境以及产业的研究，相应调整公司的经营战略，进一步增强公司市场竞争力和经营能力，提高抗风险能
力。
（2）市场竞争及利润空间缩小的风险射频前端芯片行业正快速发展，良好的前景吸引了诸多企业试图
进入这一领域，市场竞争日益加剧。国际方面，Skyworks、Qorvo等公司拥有较强的资金及技术实力、较高
的品牌知名度和市场影响力，与之相比，公司在整体实力和品牌知名度方面还存在差距。国内方面，同质化
的产品竞争导致市场价格下降、行业利润缩减等状况。同时，随着智能手机、平板电脑的性能差异逐渐缩小
，下游市场竞争激烈，下游企业毛利率出现下降趋势，也可能导致行业内利润空间随之缩小，从而影响公司
的盈利水平。
（3）国际政治形势发生变化的风险国际贸易政策的变化以及贸易摩擦给全球商业环境带来了一定的不
确定性，部分国家通过加征关税、技术禁令等方式，对贸易双方造成了一定阻碍。同时，全球地缘政治风险
加大，局部战争冲突时有发生，给全球经济带来诸多不稳定、不确定影响。虽然目前国际政治形势尚未对公
司的正常经营造成直接影响，但国际政治形势趋向复杂化，未来如果出现变化，可能导致国内外集成电路产
业需求不确定，并可能对公司的产品研发、销售和采购等持续经营带来不利影响。同时公司存在境外业务，
国际形势可能会导致公司物流时效性降低、成本上涨等风险，公司将面临经营成本压力上升的风险。此外，
未来如果公司或客户产品受国际贸易、关税等政策影响，可能对公司的经营及持续业绩增长带来不利影响。
公司将密切关注和研究国际政治形势走势，积极灵活调整市场策略和经营管理策略，增强公司抗风险能力。
（4）技术与产品迭代滞后的风险当前，人工智能技术正处于高速迭代、快速渗透的关键阶段，正推动
终端产品全面智能化升级，并对上游供应商的适配能力提出更高要求。若公司未能精准研判人工智能技术的
演进趋势，研发投入方向滞后，或技术成果转化效率偏低，导致产品研发与技术升级节奏无法匹及人工智能
技术的迭代速度，或将面临产品能力与市场需求脱节，进而面临产品竞争力弱化、市场机遇错失等风险，对
公司经营业绩与持续发展产生不利影响。
2、经营风险
（1）供应链交付风险近年来，随着国际化分工与产业格局的深化调整，国际贸易摩擦不断，已有部分
国家通过贸易保护等手段，限制向中国出口半导体技术和晶圆制造及其配套设备，并具有层层加码的趋势。
公司作为集成电路企业，采用垂直一体化经营的Fab-Lite模式。报告期内，公司主要向上游采购基础原材料
、生产设备和配件、材料等，部分来源于海外供应商。虽然公司的供应商具有一定可替代性，但若贸易政策
发生不利变化，或主要供应商的供货因各种原因出现中断或减少，或限制日趋严格且长期延续，将会对公司
的生产经营能力造成不利影响。公司积极通过预先储备、异地布局、多元化推动等手段，增强供应链的稳定
性和风险防范能力。同时，公司通过芯卓半导体产业化建设项目能够实现公司对关键制造环节的灵活控制和
自主供给，提高协同能力并加强公司对产业链各环节的自主控制力度，契合整体行业发展趋势，有助于公司
在集成电路行业资源有限的情况下，构建自身核心竞争力。
（2）人力资源不足及高端人才流失的风险集成电路行业属于技术密集型和人才密集型产业，人力资源
是企业的核心竞争力之一。从公司本身的发展需要和市场竞争环境来看，公司需要不断吸引优秀人才的加盟
，因此公司对相关优秀人才的需求将愈加迫切。同时，随着集成电路行业竞争日益激烈，企业对人才争夺的
加剧，公司的相关人才存在一定的流失风险。如果发生核心管理和技术人员大量流失或者因规模扩张导致人
才不足的情形，可能影响公司发展战略的顺利实施，并对公司的业绩产生不利影响。
（3）高速成长带来的管理风险随着公司战略规划的落地，资产规模以及员工数量的扩张，公司的经营
管理方式和管理水平需达到更高的标准，对公司的组织结构和管理体系，以及各部门工作的协调性、严密性
、连续性也提出了更高的要求，公司的经营决策、风险控制的难度增加。如果公司未能根据业务的发展状况
及时改进企业管理方式、提升管理水平、调整管理制度，将对公司生产经营造成不利影响。因此，公司坚持
搭建组织管理体系并规范化管理实施，运营流程实现系统化管理，对每一个业务流程严格把控，降低人为风
险、提高效率，实现可追溯性和可预警性流程。
（4）核心技术泄密风险商业秘密是公司的重要资产，能够为公司带来竞争优势和市场份额。商业秘密
可能会通过包括但不限于人员流动、内部泄露、外部攻击、供应商泄密等渠道泄露，从而导致公司核心技术
和商业策略被竞争对手获取、客户信任度降低、品牌形象受损、竞争优势丧失、战略布局失效等不利影响。
公司会采取一系列措施，包括加强信息安全管理、进行定期的员工培训、完善保密制度等降低商业秘密泄露
的风险。同时，建立应急响应机制，及时开展内部调查、以便在泄密事件发生后能够迅速采取行动，减轻损
失，并适时通过法律途径，维护公司的合法权益。
（5）毛利率下降的风险公司产品主要应用于手机等消费类电子产品，更新换代的速度较快，市场竞争
日趋激烈，若公司不能持续保持核心竞争力以应对市场变化，或市场行情、公司产品及客户结构发生变化，
将可能影响公司毛利率的稳定性。若未来不断有新的竞争对手突破技术、资金、规模、客户等壁垒，进入本
行业，也将导致行业竞争加剧，毛利率水平存在下滑的风险。随着公司芯卓半导体产业化建设项目的推进，
设备转固及折旧费用有所增加，预计折旧的金额将逐步提高，相应对毛利率造成不同程度影响。
（6）高端生产制造的风险为构建长期竞争力，公司已正式进入高端智能制造领域。而高端生产制造具
有技术和资金密集的特征，为保证持续竞争力，公司需要在研发、工艺、制造等环节持续不断地进行资金投
入，未来如公司不能获取足够的经营收益，或者融资渠道、规模受限，将可能对公司的业务发展和经营效益
产生不利影响。同时，公司对于晶圆生产制造的运作模式及管理方法处于探索实践但仍需要持续积累沉淀的
阶段，复杂多变的市场环境、企业治理因素等也考验着公司运维能力。其次，半导体制造过程中伴随着安全
生产风险、环境污染风险等，在生产过程中因管理不到位，则会导致生产经营产生不利影响。为防范生产制
造过程中的各种风险，公司将加强内部控制建设、完善流程制度、提高经营效率和效果，逐步完善EHS（环
境、职业健康、安全生产）方针、架构，定期组织相关培训，加强安全检查和日常维护，严格控制污染物排
放，提升生产制造经营能力。
（7）营业收入与经营利润存在持续下滑的风险公司射频前端芯片主要应用于智能手机等移动智能终端
，该行业具有竞争激烈、产品和技术更迭较快、头部品牌厂商集中且市场占有率较高的特点。若公司下游市
场需求复苏不及预期、高端产品放量未达目标，导致现有的产能无法充分消化与运转，或将对公司营业收入
带来不利影响；又或因公司前期集中大量的投入，自建产线量产初期规模效应尚未形成，导致单片晶圆成本
较高，并在交付阶段背负较大的折旧摊销压力，毛利率难以有效修复，将对公司经营成果产生不利影响，导
致公司利润或存在持续亏损的风险。
3、技术风险
（1）技术创新风险射频前端芯片主要应用于智能手机等移动智能终端，其技术创新紧随移动通信技术
的发展。集成电路行业具有工艺、设计技术升级与产品更新换代相对较快的特点，只有始终处于技术创新的
前沿，加快研发成果产业化的进程，集成电路公司才能获得较高的利润水平。未来若公司技术研发水平落后
于行业升级换代水平，或公司技术研发方向与市场发展趋势偏离，将导致公司研发资源浪费并错失市场发展
机会，对公司产生不利影响。
（2）技术和工艺开发滞后风险晶圆制造工艺和封装测试工艺技术的开发难度较高，虽然公司一直在加
大研发投入，针对相关技术和工艺进行跟踪、开发和研究，以保持对核心技术的敏感性，但如果公司未来未
能根据建设目标及时开发出满足市场需求的技术及工艺，将可能导致相关项目的实施存在不确定性，并对公
司的生产经营产生一定影响。
（3）知识产权的风险公司所属的芯片设计行业属于技术密集型行业，公司拥有的专利、集成电路布图
设计等知识产权对公司核心竞争力及可持续发展具有重要意义。公司通过知识产权布局、与员工签署保密及
竞业限制协议等方式对自主知识产权进行保护，但仍面临关键技术被竞争对手通过模仿或窃取等方式侵犯的
风险。
同时，公司一贯重视自主知识产权的研发与积累，避免侵犯他人知识产权，但无法排除竞争对手或其他
利益相关方采取诉讼等策略阻碍公司正常业务发展的风险，亦不排除公司与竞争对手或第三方产生其他知识
产权纠纷的可能性。报告期内，株式会社村田制作所（以下简称“村田制作所”）以侵犯发明专利权为由，
向韩国首尔中央地方法院、上海知识产权法院、德国慕尼黑第一地方法院对公司提起系列诉讼。截至本报告
披露日，涉及中国地区的其中3件诉讼已由原告撤回，其余案件尚在审理过程中。尽管公司已聘请专业律师
团队积极应对，坚定维护自身合法权益，并对涉案专利提起了无效宣告请求，但案件涉及多个国家和法律体
系，相关诉讼结果尚存在不确定性，公司仍面临一定的败诉风险，具体结果以司法机关的最终裁判为准。
此外，虽然公司已在境外进行专利布局，但鉴于各国法律体系和司法实践存在差异，可能导致对专利权
利范围的解释和认定不同，进而引发相关争议或诉讼的风险。
4、财务风险
（1）汇兑损失风险公司存在境外业务并通过美元进行结算，虽然汇率因素对公司业绩影响较小。但是
，如果人民币大幅升值，在公司营业规模不断扩大的情况下，公司可能产生较大的汇兑损失，从而对公司业
绩的稳定性带来不利影响。近年来，全球面临复杂的政治经济局势，外汇市场存在较大的不确定性，因此公
司面临的汇率风险可能会增大。
（2）应收账款不能及时回收的风险公司对不同客户采取分类管理的方式，销售部门根据不同客户的公
司性质、财务情况、市场地位、历史交易情况及付款记录等，对其进行评估并制定相应的信用额度及信用期
限。随着公司业务规模的不断增长，公司期末应收账款余额将相应增加。虽然公司目前的业务收入主要来自
于知名品牌客户，此类客户资信状况良好，还款能力强，公司在历史经营过程中从未出现应收账款未能收回
的情况，但如果未来受市场环境变化、行业政策变化、客户经营情况变动等因素影响，导致应收账款不能及
时回收，将会对公司经济效益及现金流产生重大影响。
（3）存货减值风险公司存货主要为原材料、库存商品和发出商品等，随着公司业务规模的扩张，产品
线以及产品型号的进一步丰富，公司存货相应增加。虽然公司主要根据采购预测及订单安排采购和生产，但
如果未来客户的生产经营发生重大不利变化、市场需求判断偏差等，可能导致公司的存货可变现净值降低，
进而带来存货减值的风险。
（4）税收优惠政策变动风险报告期内，公司暂按高新技术企业预提所得税。若国家对集成电路产业企
业的税收政策发生变化或者公司后续无法继续享受企业所得税减免优惠政策，则可能因所得税税率发生变动
而影响公司的净利润水平。
（5）折旧费用增加的风险随着公司芯卓半导体产业化建设项目的推进，公司生产厂房建设、自建产线
新增设备等投入，导致公司资产总额持续增长、在建工程项目设备转固及折旧费用有所增加，公司预计折旧
的金额将逐步提高，对公司营业成本、毛利率、净利润等经营成果造成一定影响。
（6）长期资产减值风险报告期内，公司固定资产和在建工程的账面金额持续增加，主要原因系芯卓半
导体产业化项目的生产建设稳步推进。
未来，若发生资产市价当期大幅下跌且跌幅明显高于因时间推移或正常使用而预计的下跌，或公司所处
的经济、技术或者法律等环境以及资产所处的市场在当期或者将在近期发生重大变化，或市场利率或者其他
市场投资报酬率在当期已经提高从而影响公司计算资产预计未来现金流量现值的折现率等迹象，可能造成资
产使用率不足、终止使用或提前处置，或导致资产可收回金额低于账面价值而形成减值，对公司利润表在当
期带来不利影响。
〖免责条款〗
1、本公司力求但不保证提供的任何信息的真实性、准确性、完整性及原创性等，投资者使
用前请自行予以核实，如有错漏请以中国证监会指定上市公司信息披露媒体为准，本公司
不对因上述信息全部或部分内容而引致的盈亏承担任何责任。
2、本公司无法保证该项服务能满足用户的要求，也不担保服务不会受中断，对服务的及时
性、安全性以及出错发生都不作担保。
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