经营分析☆ ◇300782 卓胜微 更新日期：2026-10-21◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.前5名客户营业收入表】【4.前5名供应商采购表】
【5.经营情况评述】
【1.主营业务】
公司专注于射频集成电路领域的研究、开发、生产与销售，主要向市场提供射频开关、射频低噪声放大器
、射频滤波器、射频功率放大器等射频前端分立器件及各类模组产品解决方案
【2.主营构成分析】
截止日期:2026-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
集成电路(行业) 18.10亿 100.00 2.97亿 100.00 16.39
─────────────────────────────────────────────────
射频模组(产品) 9.29亿 51.33 1.22亿 41.15 13.14
射频分立器件(产品) 8.24亿 45.52 1.47亿 49.45 17.80
其他(补充)(产品) 3127.85万 1.73 1039.49万 3.50 33.23
其他业务(产品) 2562.47万 1.42 1749.47万 5.90 68.27
─────────────────────────────────────────────────
境外(地区) 10.22亿 56.48 1.77亿 59.77 17.35
境内(地区) 7.88亿 43.52 1.19亿 40.23 15.15
─────────────────────────────────────────────────
商品销售收入(业务) 17.81亿 98.41 2.76亿 93.04 15.50
其他业务收入(业务) 2562.47万 1.42 1749.47万 5.90 68.27
IP授权及服务(业务) 313.86万 0.17 313.86万 1.06 100.00
─────────────────────────────────────────────────
经销(销售模式) 10.45亿 57.75 1.01亿 33.97 9.64
直销(销售模式) 7.64亿 42.25 1.96亿 66.03 25.62
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2025-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
集成电路(行业) 37.26亿 100.00 9.57亿 100.00 25.67
─────────────────────────────────────────────────
射频分立器件(产品) 19.45亿 52.19 5.10亿 53.32 26.23
射频模组(产品) 16.76亿 44.97 4.08亿 42.69 24.37
其他(产品) 1.06亿 2.84 --- --- ---
─────────────────────────────────────────────────
境外(地区) 27.24亿 73.12 7.32亿 76.56 26.88
境内(地区) 10.02亿 26.88 2.24亿 23.44 22.38
─────────────────────────────────────────────────
商品销售收入(业务) 37.01亿 99.33 9.41亿 98.41 25.44
其他业务收入(业务) 1450.12万 0.39 493.82万 0.52 34.05
IP授权及服务(业务) 783.82万 0.21 766.19万 0.80 97.75
权利金(业务) 257.38万 0.07 --- --- ---
─────────────────────────────────────────────────
经销(销售模式) 19.04亿 51.10 2.93亿 30.60 15.38
直销(销售模式) 18.22亿 48.90 6.64亿 69.40 36.43
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2025-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
集成电路(行业) 17.04亿 100.00 4.90亿 100.00 28.75
─────────────────────────────────────────────────
射频分立器件(产品) 8.99亿 52.74 2.54亿 51.82 28.25
射频模组(产品) 7.56亿 44.35 2.17亿 44.33 28.74
其他(补充)(产品) 4118.45万 2.42 1568.09万 3.20 38.07
其他业务(产品) 837.54万 0.49 317.36万 0.65 37.89
─────────────────────────────────────────────────
境外(地区) 13.71亿 80.47 4.02亿 81.97 29.29
境内(地区) 3.33亿 19.53 8831.07万 18.03 26.53
─────────────────────────────────────────────────
商品销售收入(业务) 16.88亿 99.08 4.79亿 97.85 28.40
其他业务收入(业务) 837.54万 0.49 317.36万 0.65 37.89
IP授权及服务(业务) 630.19万 0.37 --- --- ---
权利金(业务) 104.55万 0.06 --- --- ---
─────────────────────────────────────────────────
经销(销售模式) 8.86亿 52.00 1.79亿 36.61 20.24
直销(销售模式) 8.18亿 48.00 3.11亿 63.39 37.97
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2024-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
集成电路(行业) 44.87亿 100.00 17.72亿 100.00 39.49
─────────────────────────────────────────────────
射频分立器件(产品) 25.09亿 55.91 10.58亿 59.72 42.18
射频模组(产品) 18.87亿 42.05 6.84亿 38.63 36.27
其他(产品) 9132.08万 2.04 --- --- ---
─────────────────────────────────────────────────
境外(地区) 27.80亿 61.95 11.47亿 64.72 41.25
境内(地区) 17.07亿 38.05 6.25亿 35.28 36.62
─────────────────────────────────────────────────
商品销售收入(业务) 44.72亿 99.67 17.68亿 99.77 39.53
IP授权及服务(业务) 679.47万 0.15 621.69万 0.35 91.50
其他业务收入(业务) 651.07万 0.15 -366.58万 -0.21 -56.31
权利金(业务) 155.38万 0.03 --- --- ---
─────────────────────────────────────────────────
经销(销售模式) 27.01亿 60.20 10.00亿 56.47 37.04
直销(销售模式) 17.86亿 39.80 7.71亿 43.53 43.18
─────────────────────────────────────────────────
【3.前5名客户营业收入表】
截止日期:2025-12-31
前5大客户共销售25.46亿元，占营业收入的68.32%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│客户名称 │ 营收额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│第一名 │ 74939.30│ 20.12│
│第二名 │ 59627.83│ 16.00│
│第三名 │ 56481.87│ 15.16│
│第四名 │ 37159.17│ 9.97│
│第五名 │ 26346.56│ 7.07│
│合计 │ 254554.74│ 68.32│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【4.前5名供应商采购表】
截止日期:2025-12-31
前5大供应商共采购21.22亿元，占总采购额的56.69%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│供应商名称 │ 采购额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│第一名 │ 82393.74│ 22.01│
│第二名 │ 54752.35│ 14.62│
│第三名 │ 32927.29│ 8.79│
│第四名 │ 27281.01│ 7.29│
│第五名 │ 14877.67│ 3.98│
│合计 │ 212232.06│ 56.69│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【5.经营情况评述】
截止日期:2026-06-30
●发展回顾:
一、报告期内公司从事的主要业务
（一）主营业务
公司专注于射频集成电路领域的研发、生产与销售，主要提供射频开关（Switch）、低噪声放大器（LN
A）、滤波器（Filter）、功率放大器（PA）等射频前端分立器件及模组解决方案，产品广泛应用于移动智
能终端、智能穿戴、通信基站、汽车电子、蓝牙耳机、VR/AR设备及网通组网设备等领域。此外，公司对外
供应低功耗物联网处理器芯片，主要应用于智能家居、可穿戴设备及智能汽车等电子产品。
在射频芯片设计领域，公司历经多年技术沉淀，持续加大研发投入与资源布局，着力提升核心技术竞争
力。当前，公司正全力推进自有完整生态链建设，整合设计、研发、工艺、器件、材料与集成技术等优势资
源，打造覆盖全产业链的资源平台。
依托长期积累的技术与竞争优势，公司在巩固并深耕移动智能终端市场的同时，积极开拓通信基站、汽
车电子、网通组网、物联网、人工智能及卫星通信等应用领域的市场机遇。公司坚持自主研发与资源平台建
设，伴随6G、卫星通信等前沿技术的演进，已成为国内少数能够对标国际领先企业的射频解决方案提供商之
一。
1、射频前端芯片
（1）移动通信
1）分立器件
1.射频开关
传导开关
射频传导开关的作用是将多路射频信号中的任一路或几路通过控制逻辑连通，以实现不同信号路径的切
换，包括接收与发射的切换、不同频段间的切换等。公司的射频传导开关产品的主要种类有移动通信传导开
关、WiFi开关等，采用RFSOI的材料及相应工艺，广泛应用于智能手机、汽车电子、可穿戴等移动智能终端
。
天线开关
天线开关是射频开关的一种，与天线直接连接，主要用于调谐天线信号的传输性能使其在任何适用频率
上均达到最优的效率，或者交换选择性能最优的天线信道。公司的天线开关根据功能的不同，分为天线调谐
开关、天线调谐器、天线交换开关等，主要采用RFSOI的材料及相应工艺，广泛应用于智能手机、汽车电子
、可穿戴等移动智能终端。
2.射频低噪声放大器
射频低噪声放大器的功能是把天线接收到的微弱射频信号放大，尽量减少噪声的引入，在移动智能终端
上实现信号更好、通话质量和数据传输率更高的效果。公司的射频低噪声放大器产品，根据适用频率的不同
，分为全球卫星定位系统射频低噪声放大器、移动通信信号射频低噪声放大器、电视信号射频低噪声放大器
、FM调频信号射频低噪声放大器等。上述射频低噪声放大器产品采用SiGe、RFCMOS、RFSOI、GaAs等材料及
相应工艺，主要应用于智能手机、汽车电子、可穿戴等移动智能终端。
3.射频滤波器
射频滤波器的作用是保留特定频段内的信号，将该频段外的信号滤除，从而提高信号的抗干扰性及信噪
比。公司滤波器产品根据应用场景的不同，分为用于卫星定位系统的GPS滤波器、用于无线连接系统前端的W
iFi滤波器、适用于移动通信的滤波器等，公司现阶段主要采用SAW、IPD等工艺，上述产品主要应用于智能
手机、汽车电子、可穿戴等移动智能终端。
4.射频功率放大器
射频功率放大器的作用是把发射通道的射频信号放大，使信号馈送到天线发射出去，从而实现无线通信
功能。公司目前推出的射频功率放大器产品，主要采用GaAs材料及相应工艺实现，主要应用于移动智能终端
。
2）射频模组
射频模组是将射频开关、低噪声放大器、滤波器、双工器、功率放大器等两种或者两种以上功能的分立
器件集成为一个模组，从而提高集成度与性能并使体积小型化。射频模组根据集成方式的不同可分为不同类
型不同功能的模组产品，公司的射频模组产品包括DiFEM（基于sub-3GHz频段接收模组，集成射频开关和滤
波器）、L-DiFEM（基于sub-3GHz频段接收模组，集成射频低噪声放大器、射频开关和滤波器）、L-PAMiD模
组（主集收发模组，集成射频低噪声放大器、射频功率放大器、射频开关、双工器/四工器等器件的射频前
端模组）、GPS模组（集成射频低噪声放大器和滤波器）、LFEM（基于sub-6GHz频段接收模组，集成射频开
关、低噪声放大器和滤波器)、LNABANK（接收模组，集成多个射频低噪声放大器和射频开关）、L-PAMiF（
基于sub-6GHz频段主集收发模组，集成射频功率放大器、射频开关、滤波器、低噪声放大器)等。上述射频
模组产品主要应用于移动智能终端。
（2）物联网无线连接
1）WiFi前端模组
WiFi前端模组（WiFiFEM）是将WiFi射频功率放大器、射频开关、低噪声放大器等以多种组合方式集成
为一个模组，用于无线信号发射和接收，实现WiFi数据传输。公司的WiFi前端模组产品主要应用于移动智能
终端及网通组网设备。
2）蓝牙前端模组
蓝牙前端模组（BTFEM）主要用于蓝牙无线系统前端，位于蓝牙SoC芯片和天线之间。蓝牙前端模组根据
系统需求架构形式集成射频功率放大器、射频低噪声放大器、射频开关，用于提高蓝牙的发射功率或者提升
接收灵敏度。公司目前推出的蓝牙前端模组产品主要应用于物联网及其他通讯系统，如蓝牙耳机、VR/AR设
备等。
2、物联网芯片
低功耗物联网处理器芯片
低功耗物联网处理器芯片是将BLE、UWB或SLE等短距射频收发器、存储器、CPU和相关外设集成为一颗芯
片，形成具有短距收发射频信号功能的微控制器。低功耗物联网处理器芯片采用无线连接方式，使其能够快
速接入手机、平板、电视、汽车等智能终端，实现数据共享和智能控制。公司的低功耗物联网处理器芯片产
品主要应用于智能家居、可穿戴设备、智能汽车等领域。
（二）经营模式
报告期内，公司深耕Fab-Lite经营模式，开展关键技术和工艺的研发及产品的产业化生产，形成从研发
设计、晶圆制造、封装测试到销售的完整生态链。通过自建的晶圆生产线管理优化，更好地提升产品性能和
质量、优化成本结构和供货周期，为满足终端客户的创新应用升级提供高效的平台资源及方案。
技术研发方面，公司专注于关键技术和工艺的创新，产品均为自主研发，并结合市场需求、技术发展趋
势等，提前布局技术发展方向。基于自有产线，公司在内部进行更高效的研发协同，避免了Fabless模式下
与代工厂联合研发时可能出现的知识产权、制造工艺投入、产能供应链、管理与协调等多方面问题，更快地
将新技术转化为实际产品，加快产品的迭代速度。
生产方面，公司逐步采用以自主生产为主，委外代工为辅的模式。以自主生产为主，对于工艺技术、定
制化、差异化要求较高的产品，公司采用“自主设计+自主制造”的方式，在避免技术泄露的同时保持公司
在特定领域的技术优势和核心竞争力。委外代工为辅助则保留了产业链较为完善的产品代工资源，保障了产
品供应的稳定性和安全性。
供应链与市场方面，公司Fab-Lite模式建设减少了对外部代工厂的依赖，降低了因代工厂产能不足、工
艺变更或合作关系变化等因素带来的供应链风险，确保关键制造环节的自主可控，使公司在市场竞争中更具
稳定性和可持续性。此外，公司完成经营模式的转换，能够更快速地响应市场需求的变化，及时调整产品与
经营策略，更好地满足市场个性化需求。
（三）业绩驱动因素
报告期内，公司2026年半年度实现营业收入18.10亿元，较去年同期上升6.20%，归属于上市公司股东的
净利润-3.71亿元，较去年同期下降151.53%。公司业绩变动主要系在向Fab-Lite模式转型过程中，凭借公司
一体化的平台优势，公司全国产链L-PAMiD产品系列出货增速强劲，并持续产生积极贡献。同时，因下游消
费电子市场景气度不佳、行业竞争持续激烈、供给侧部分原材料产品交付环节紧张、持续能力建设带来固定
资产累计折旧不断叠加等因素，对公司部分产品出货节奏与规模形成了一定影响。
（四）报告期内公司所处行业情况
1、集成电路行业发展格局
（1）集成电路行业整体发展格局
从全球视野看，随着数字化、智能化浪潮催生的海量算力与连接等需求，为半导体市场注入强劲增长动
力。根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）预测，2025年全球半导体市场有望延续复苏态势，规模预计将进
一步扩张，凸显产业长期向好的基本面，到2026年全球半导体市场持续增长，预计将达到1万亿美元。其中
，中国作为全球最大的集成电路消费市场，进口规模持续攀升，2025年进口金额已超4243亿美元，而同期出
口金额约2019亿美元，贸易逆差显著，也反映出国内市场产业自主可控的强劲需求。
与此同时，随着AI新技术的快速发展与应用深化，集成电路与AI技术的协同关系已超越简单的“工具与
应用”范畴，逐渐形成了技术创新共生、产业升级共促、生态繁荣共赢的深度耦合发展格局，推动产业向更
高性能、更优能效和更可持续的方向演进。
在此“双向赋能”的过程中，集成电路产业演进格局正经历从传统制造驱动向智能化主导的深刻转型。
高端制造与前沿设计能力成为推动行业发展的战略核心，全球产业链在追求效率的同时，正向着更加协同、
更具韧性的方向发展。集成电路行业整体呈现“技术突破牵引、应用场景驱动、政策生态协同、区域集群深
化”的发展态势，机遇与挑战并存。
（2）集成电路设计发展格局
集成电路设计是整个产业链的上游环节，这一过程涉及从芯片架构设计、逻辑设计到物理设计的多个环
节。近年来，中国集成电路设计行业在地缘政治波动、新兴技术发展等催化下，展现出强大的发展韧性与增
长潜力。
随着5G、人工智能、物联网、智能驾驶、算力、低空经济、卫星互联网等领域的高速迭代和新应用的不
断拓展，下游应用新场景不断涌现，整个行业步入快速发展的态势中，逐渐形成“龙头企业引领、创新企业
补充”的层次分明、协同并进的发展格局。迎合AI技术快速迭代的特点，国内外集成电路市场在差异化、高
性能等需求显著提升。综合设计龙头企业凭借全栈自研能力，引领着全行业的技术演进与生态建设。也不乏
诸多骨干企业深耕专业赛道，在多个细分领域筑牢基石，通过差异化创新，正逐步突破海外巨头垄断的局面
。此外，新兴创新力量在人工智能等前沿技术方向着重布局，不断开辟出新兴市场空间。
（3）集成电路制造行业发展格局
集成电路制造是集成电路产业的核心支柱，其工艺水平直接关乎国家高端制造能力与产业链安全，属于
资本与技术双密集型的产业环节。近年来，行业技术演进呈现多维并进态势：先进制程持续向更小节点突破
，成熟制程在物联网、汽车电子、工业控制及消费电子等广阔应用领域的需求依然稳固。与此同时，诸多特
色工艺以及先进封装技术，正成为提升芯片性能、实现功能差异化、尺寸小型化等关键路径，并持续获得产
业界重点投入。新材料与新器件的研发应用亦在同步推进，为产业长期发展注入创新动力。
从全球市场格局观察，集成电路制造产能仍呈现较高集中度，主要集中在少数几个国家和地区，其中少
数几家大型企业占据主要市场份额，并保持领先地位。相较于海外，中国集成电路制造行业呈现出“龙头晶
圆代工企业主导产能、新兴特色工艺厂商填补细分空白”的多层次梯队格局，其中少数IDM企业集设计工艺
制造能力于一体，在细分领域深耕基底，在快速变化的市场环境中突破海外垄断格局，逐步打开成长空间。
依托于成熟的产业链配套与持续的政策赋能，本土制造企业在特色工艺与成熟制程领域已具备较强的市场服
务能力，并正通过全链条协同创新，逐步提升工艺先进性和供应链自主可控水平。
2、集成电路行业政策法规
集成电路产业作为引领新一轮科技革命与产业变革的战略先导，是保障国家信息安全、推动经济高质量
发展的重要基石。当前，全球产业链格局深度调整，技术竞争日趋激烈，国际贸易环境复杂多变，集成电路
产业全球化生态的不稳定性与日俱增。在此背景下，国家层面通过一系列具有连续性、针对性的政策法规，
旨在加速破解产业发展瓶颈，提升全产业链的韧性与竞争力。
中国的集成电路产业政策旨在通过一系列综合措施，从资金、技术、人才等多个方面给予全方位的支持
，构建健康、
可持续发展的集成电路生态系统。这些相关政策彰显出我国在面对复杂地缘政治环境和应对逐渐加剧的
贸易冲突背景下，解决国家经济发展和产业瓶颈问题的信心与决心，为我国集成电路产业持续健康发展提供
了政策助力。
3、行业周期性特点
集成电路行业受技术进步、市场需求与宏观经济等多重因素影响，呈现出明显的周期性特征，并受产品
生命周期与宏观经济和产业层面的系统性波动等共同影响。
射频芯片行业的周期性波动主要受技术迭代、宏观经济及下游应用需求变化的综合驱动。由于智能手机
是该领域最具代表性的终端市场，节假日消费高峰与各地推出的购新补贴等政策红利，会沿着产业链逆向传
导至上游，促使射频芯片及相关生态出现早于终端销售的季节性波动。
2026年上半年，AI算力需求的持续扩张对存储产能形成"虹吸效应"，上游存储芯片及部分基板等原材料
价格大幅上涨，对下游智能手机行业的市场结构与成本周期带来扰动。智能手机市场的季节性规律受到存储
涨价与供应链重构的双重影响，呈现出"中低端出货承压、高端射频前端景气分化"的特点，射频芯片行业上
半年景气度不佳，整体季节性规律进一步模糊。
4、公司所处的行业地位
作为国内射频芯片领域的龙头企业，公司始终走在行业技术革新的前沿。历经多年深耕，公司在本土率
先采用Fab-Lite经营模式，通过自建产线统筹布局射频前端产品的垂直整合，凭借自主研发的高性能滤波器
及相关高端模组产品，成功突破国际头部企业的市场垄断，在国内外的竞争中脱颖而出，成为射频行业的主
要竞争者之一。基于此模式，公司正稳步推动从射频前端芯片领域的领先企业向覆盖多元化产品矩阵、构建
广泛市场影响力的一体化平台企业的战略演进。凭借射频全栈产品线、特色工艺技术以及稳定的供应链体系
，市场份额持续领跑国内同业，综合实力已跻身全球前列。
近年来，公司持续推动芯卓半导体产业化项目建设，构建关键产品和工艺的智能制造能力，打造集设计
、研发、工艺、器件、材料和整合优化等技术于一体的资源平台，完成了从“产品型公司”向“平台型公司
”的跃迁。公司自主构建的工艺技术平台是公司最深层竞争壁垒，依托公司先进的工艺开发与导入能力及成
熟的供应链管理体系，公司具备卓越的技术迁移与产品化能力，可以快速复用至更广阔的新兴市场和产品领
域。
未来，公司将在巩固射频龙头地位的基础上，积极向其他赛道横向拓展，旨在将平台优势转化为新的增
长引擎，打开更为广阔的业务发展空间。
5、行业竞争格局
（1）国产化替代纵深推进，国内射频前端产业迎来结构性机遇
射频前端器件是通信系统的关键组成部分，全球市场长期呈现高度集中的寡头格局。长期以来，该领域
被国际领先IDM厂商主导，其“设计-制造”一体化的IDM模式构筑了技术、工艺、生态等综合壁垒。与之相
比，国内射频前端产业起步较晚，在技术积淀与产业生态厚度上仍存在差距。
过去，国内产业受工艺能力限制，创新多集中于单一器件，发展路径相对固化。在地缘与技术迭代双重
推动下，国产化替代正向纵深发展，竞争焦点已从单纯设计能力转向“设计工艺化”与“工艺设计化”的深
度融合。具备工艺协同能力的国内企业，正通过创新业务模式，在射频模组等高端领域加速突破，逐步构建
起从设计到交付的完整能力。
随着产业整合深入，拥有自主工艺平台和稳定供应链的国内头部企业，有望打破长期由国际厂商主导的
格局，确立在主流供应链中的核心地位。
（2）国内低端同质化竞争延续，工艺技术平台成为高端突围的“分水岭”
当前国内射频前端市场呈现显著的“二元结构”特征。一方面，在中低端产品领域，由于技术门槛相对
较低，大量厂商陷入同质化竞争的局面，行业利润空间持续承压。另一方面，随着下游终端应用对性能、功
耗与尺寸的要求日趋严苛，诸多产品正朝着高集成化方向演进。这一演进方向，对企业的工艺理解深度与工
艺协同能力提出了极高要求，设计与工艺的脱节已成为制约射频前端向高端突破的核心瓶颈，而拥有自主工
艺技术平台的企业则能够通过“设计工艺化”实现性能跃升与快速迭代，从而在高端射频模组领域打开突破
窗口。未来，国内射频前端产业将持续分化，具备垂直整合与工艺赋能能力的企业将主导高端化进程，缺乏
工艺支撑的厂商将被迫陷入低端红海。构建从设计、特色工艺到制造交付的一体化能力，已成为本土领先企
业构建长期竞争力、参与全球高端竞争的核心路径。
（五）下游应用领域宏观需求趋势
（1）射频端
2026年上半年，公司下游核心应用领域需求呈现“复苏与压力并存、挑战与机遇共生”的多元化需求格
局。中国信通院数据显示，2026年1-6月，国内市场手机出货量1.33亿部，同比下降5.5%。其中，5G手机1.2
3亿部，同比增长1.7%。存储类产品价格的持续攀升，或将持续对国内安卓手机市场带来显著成本压力。
值得关注的是，AI技术的快速发展与应用场景持续拓展，为下游应用市场注入新的增长活力，AI手机市
场前景广阔，消费级市场有望加速普及。部分高端终端产品融合AI大模型，实现智能交互、场景预判、跨应
用协同等多元化功能，折叠屏、卫星通信等创新形态产品与AI技术的结合进一步丰富了应用场景。随着市场
对AI应用等关注度持续提升，AI体验亦有望成为智能终端功能布局的重要考量因素之一。
同时，随着AI端侧等生态持续完善、技术发展与应用场景拓展，AI端侧产品市场前景广阔，消费级市场
有望加速普及，更便捷的沉浸式交互体验的需求越发明确，高性能高集成度低功耗射频前端及物联网芯片等
产品将迎来更宽阔的市场机会。
（六）公司主要产品市场发展趋势
1、射频前端芯片技术发展趋势
1.高度集成化：从分立器件到系统化集成
射频前端芯片作为模拟芯片中面向更高频段应用的关键分支，其技术升级高度依赖设计方法与工艺器件
的深度适配和协同创新。射频前端芯片通常采用特定的制造工艺，随着通信频段持续扩展和终端应用内部的
空间日益压缩，异质集成技术成为实现跨工艺（如GaAs、SOI等）协同的有效路径；与此同时，先进封装技
术（如SiP或3D集成等）通过多层堆叠与异构互联，显著缩减射频模组面积，支撑其高密度产品需求。
此外，模组化趋势正从无源/有源器件的集成，向包含可重构与自适应能力的智能射频前端系统级解决
方案演进，如通过集成特定基带或系统级控制芯片等，结合天线调谐、阻抗检测等手段，使射频前端模组能
动态适配不同应用场景与信道条件。
2.低功耗化：从设计到工艺到材料的联合创新
新材料的应用正在重构射频器件的能效边界。技术延伸方面，新材料与新物理结构的结合为技术迭代打
开新的空间。运用方面，为了满足可穿戴等多元化设备的严苛续航要求，射频前端芯片在降低运行功耗的同
时仍要保持较高的性能表现。未来，通信技术在更多更高的频段突破并实现各指标间的平衡，为6G等超高速
传输奠定基础。
3.多元化：无线连接与移动通讯技术在丰富场景的应用
射频前端技术的应用正从单一通信模块向多场景智能感知中枢转型。通过对射频信号的感知，实现对射
频前端的自适应控制，更精准地满足例如汽车电子、卫星通信、AI端侧等不同场景下对通信、感知链路的智
能控制需求。
此外，在数字化浪潮的推动下，WiFi从个人中心到智能家居环境再到工业自动化领域等多元化的应用场
景，成为连接万物的关键纽带。WiFi迭代升级的趋势逐渐强劲，随着WiFi7的技术成熟，WiFi8的技术已进入
产品化阶段。
随着6G预研推进，无线连接技术将深度融入海陆空一体化通信网络，在自动驾驶、医疗监测、人工智能
等多复杂场景实现“感知—通信—计算”三位一体的智能化突破。
2、射频前端市场发展趋势
1.差异化、特色化的需求演进
射频前端行业正迎来更多发展机遇和可能性，包括通信技术制式的更迭、卫星通信领域的逐步探索、终
端机型轻量化、多元化的快速变化不断演进等。随着通信技术的发展，智能手机需要支持更多的频段，促使
射频前端需要具备更宽的频带覆盖能力和更好的频段选择性能，实现全球范围内的无缝通信。
市场需求从智能手机向更广泛领域拓展，物联网与智能终端推动射频前端向低功耗方向发展，汽车电子
随智能驾驶与网联化升级有待释放大量需求，涵盖通信、感知等多类模块。同时，不同的终端逐步开始对外
观设计、性能要求和成本有差异性的诉求，使得射频前端产品延伸出更多的个性化、差异化亮点。
2.集成化、模组化趋势持续演进
在射频前端方案的演进过程中，通信协议升级推动射频前端器件复杂性提升，而移动终端设备内部留给
射频前端芯片的空间一直以来在逐渐减少，为满足移动智能终端小型化、轻薄化、功能多样化的需求，射频
前端芯片正逐渐走向集成模组化。随着5G发展进入后半程，通信制式的发展将对射频无线通信网络能力提出
更高要求，向高集成化、低成本化与定制化并行方案演进发展。
此外，模组集成的系统性方案日趋成熟，有效缩短了研发周期并降低了研发成本。同时，供应链的不断
完善进一步推动了模组成本的持续优化，为产业规模化发展提供了有力支撑。
3.国产化、高端产品替代演进
射频前端对通信行业发展至关重要，而目前全球射频前端芯片市场集中度较高，国内自给率较低。从市
场需求上而言，5G技术的快速渗透普及以及应用领域拓展，市场对高性能射频前端产品的需求正迅速扩大。
面对全球政治环境的不确定性，采用全国产方案有利于国内企业掌握自主控制关键核心技术的供应链，降低
外部风险，确保产业的稳定发展显得尤为重要。射频前端的国产化替代将带动国内相关产业链的协同发展，
包括芯片设计、半导体制造、封装测试、材料研发等环节，有助于形成完整的国内射频前端产业生态，提高
整个产业链的技术水平和竞争力，促进国内半导体产业的升级和发展。
4.6G、卫星通信与AI应用共振，市场迎来新机遇
随着6G通信技术向高频段、大带宽、低时延方向演进，将持续驱动射频前端产品在架构、集成度及性能
上实现全面升级，行业技术和产品形态迭代加速，市场格局迎来新一轮重构和变革。
与此同时，卫星通信在智能终端的普及、人工智能在消费终端、端侧智能及汽车电子领域的深度应用，
进一步拓宽射频芯片的应用场景，射频前端作为信号收发核心组件的市场需求持续提升，行业长期成长前景
迎来新机遇。
（七）报告期内公司的主要经营情况
2026年半年度，下游应用领域消费电子行业景气受到AI需求引发的存储供给侧结构性短缺与价格上涨对
下游终端的冲击、上游部分原材料需求挤兑等共同影响，整体行业或将持续性承压。随着AI技术的不断发展
，公司所处行业面临的市场机遇及新工艺价值释放仍在循序渐进。得益于芯卓工艺技术平台的持续建设与战
略逐步落地，公司在技术研发、供应链优化及市场拓展等维度取得实质性突破，设计与工艺深度协同的一体
化研发体系日趋完善。这些能力建设为公司在复杂市场环境中构筑了差异化竞争壁垒，也为后续业务拓展打
开了向上空间。
报告期内，公司正式确立向光互联领域战略延伸的重大决策，这是公司发展进程中的关键里程碑。该决
策建立在对行业趋势的深刻洞察、对自身能力的客观评估，以及对未来发展前景的科学研判之上。光互联与
公司现有射频业务具备良好的战略协同：技术上，二者同属高频高速电子领域，公司芯卓工艺平台的技术能
力可实现有效迁移与复用；运营上，Fab-Lite模式在光互联领域同样适用且价值突出。
在推进光互联战略转型的同时，公司始终将射频业务作为核心基本盘持续夯实。公司深耕射频集成电路
领域多年，在射频开关、低噪声放大器、滤波器、功率放大器等射频前端分立器件及模组领域形成了完整的
技术与产品布局，产品广泛应用于移动智能终端、通信基站、汽车电子、智能穿戴及网通组网等场景；依托
芯卓工艺平台与Fab-Lite运营模式，公司已在射频领域建立起从设计、工艺到制造的综合能力，并逐步成长
为国内少数具备国际竞争力的射频解决方案提供商。射频业务的稳健经营与能力沉淀，为本次向光互联领域
的战略延伸提供了坚实支撑。
展望未来，随着资源平台效能持续释放、客户协同不断深化，公司有望依托“设计+工艺”双轮驱动的
核心优势，在巩固成熟业务的同时，加速向AI端侧、汽车电子等高增长市场拓展，同时前瞻性地储备了面向
光通信、卫星通信、低空经济等新兴领域的基础技术底蕴，以稳健的经营韧性迎接产业机遇。
报告期内，公司围绕发展战略和经营计划，重点开展的工作及经营成果如下：
（1）6英寸晶圆生产线
公司以6英寸滤波器晶圆生产线为基础，针对特种材料化合物工艺进行平台建设，围绕压电晶体、GaAs
等化合物工艺，以及基于SAW的覆膜封装工艺，已具备较为完整的产品生产制造实力。
1.基于SAW的覆膜封装工艺
公司长期深耕SAW滤波器射频模组领域，通过封装工艺迭代升级，进一步筑牢核心技术壁垒，强化市场
竞争优势。覆膜封装工艺（SLM，StripLaminationModule）作为公司重点突破的核心工艺之一，是对传统封
装技术的优化与创新——该工艺省略了SAW裸片晶圆级空腔封装的步骤，在模组封装环节直接完成空腔成型
与封装作业，具备高集成度、小型化、低成本的核心特质，是适配高端射频器件小型化、集成化发展趋势的
先进芯片级封装技术。
依托研发团队在SAW滤波器产品领域多年的技术积淀与持续研发投入，公司目前已完全掌握SLM模组封装
核心技术，已在L-PAMiD系列产品实现技术突破并大规模出货。相较于前期采用的分立SAW滤波器复用工艺及
晶圆级封装工艺，覆膜封装工艺在产品性能与生产效益方面均展现出显著优势。
2.GaAs工艺
公司长期深耕化合物半导体射频器件领域，通过核心工艺研发迭代与技术创新，进一步筑牢核心技术壁
垒，强化市场竞争优势。GaAs（砷化镓）半导体工艺是化合物半导体领域的关键工艺，是适配5G/6G射频前
端、卫星互联等高端应用场景的关键半导体制造工艺。相较于传统硅基射频工艺及普通化合物半导体工艺，
GaAs半导体工艺在高频性能、功率效率与抗干扰能力方面均展现出显著优势。依托研发团队在化合物半导体
领域多年的技术积淀与持续研发投入，公司GaAs工艺已进入小批量生产阶段，即将进入大规模量产。
报告期内，6英寸滤波器产线的产品品类已实现全面布局，具备双工器/四工器、单芯片多频段滤波器等
分立器件的规模量产能力，同时集成自产滤波器的DiFEM、L-DiFEM、L-PAMiD、WiFi模组等产品成功导入多
家品牌客户并持续放量。
截至报告期末，6英寸晶圆生产线已稳定保持单月15000片的产能能力。通过芯卓资源平台实现的生产制
造、工艺等能力成功在6英寸滤波器晶圆生产线上得到体现。
（2）12英寸晶圆生产线
公司以12英寸硅基技术平台生产线为基础，致力于特色异质材料及特种工艺的能力拓展。
报告期内，12英寸产线进入稳定生产阶段，目前已形成每月9000片晶圆量产能力，工艺布局覆盖SOI、I
PD、BCD、SiGe等特色异质材料及特种工艺：
1.SOI工艺
SOI工艺作为一种高端绝缘衬底半导体制造工艺，核心是通过在硅衬底与顶层硅器件层之间嵌入绝缘埋
层，实现器件与衬底的完全隔离，兼具低漏电、低寄生电容、高绝缘、抗辐照、耐高温及高频高性能等优势
，是适配高压模拟、射频通信、功率器件及高端集成电路的核心先进制造工艺。凭借研发团队在绝缘衬底工
艺、器件隔离优化、薄膜制程调控等领域的长期技术钻研与经验积累，公司SOI工艺核心技术已达到行业领
先水平，为公司高端芯片产品迭代、高性能器件研发及高端化、差异化布局提供坚实技术保障。
2.BCD工艺
BCD工艺作为一种复合型半导体制造工艺，核心是将双极型晶体管（Bipolar）、互补金属氧化物半导体
（CMOS）和双扩散金属氧化物半导体（DMOS）三种器件结构集成于同一芯片，兼具双极型器件的高频、高增
益特性、低功耗、高集成度、高压、大电流等能力，是适配高压、高精度、多功能器件的核心制造工艺。凭
借研发团队在半导体复合工艺领域的长期技术钻研与经验积累，公司已逐步掌握BCD工艺核心技术，为产品
多元化布局与高端化升级提供坚实技术保障。
3.SiGe工艺
公司持续加大锗工艺的研发投入与产业化推进力度，在异质结器件制备、高精度外延工艺、高频无源器
件集成、一体化平台建设等关键方向逐步实现技术突破与规模化验证。锗工艺融合优异高频性能与硅基产线
集成优势，相关技术可广泛应用于光通信高速电路、车载毫米波雷达、移动通信射频前端、卫星通信、高压
高速模拟等领域。依托持续工艺迭代与技术平台创新，基于该工艺开发的产品在带宽性能、噪声水平、集成
度、成本控制及可靠性方面形成显著竞争优势，进一步筑牢高频模拟射频赛道核心技术壁垒，为公司深耕高
端市场、拓展多元化应用场景、实现长期稳健发展提供坚实支撑。
报告期内，SOI工艺第二代技术平台已步入大规模量产阶段，产品性能已达到行业主流水平。第三代技
术平台研发工作已完成并进入产品可靠性验证期间，产品性能水平可达到行业领先水平；SiGe工艺第一代技
术平台研发完成，基于SiGe工艺的射频低噪声放大器产品已实现大规模出货，SiGe第二代技术平台研发完成
并进入可靠性验证期间，第三代技术平台进入研发优化阶段。生产方面，基于自有产线能力设计并产出的射
频传导开关、天线调谐开关、低噪声放大器等及集成的相关模组等多样化产品持续通过客户的导入验证并放
量。
截至报告期末，公司12英寸产线良率和产品良率均已达到行业第一梯队水平。未来公司将逐步强化多元
化、特色化技术工艺资源的储备，加快先进架构技术平台与高性能产品的迭代更新，进一步夯实技术壁垒和
巩固市场地位。
在光通信等新兴应用领域，公司12英寸晶圆生产线所构建的SOI、SiGe等特色工艺，在底层技术逻辑与
平台架构上与射频前端所需工艺具备高度的共通性与协同基础。上述工艺均根植于同一硅基异质集成体系，
共享制造集成等多种核心能力，可在统一平台上实现多种特色器件的兼容与集成，展现出对新兴应用场景良
好的适用性与延展性。相较当前行业普遍量产的8英寸产线，12英寸产线在晶圆尺寸上具备显著的规模优势
，单片可承载的有效芯片面积更大，有利于摊薄单位制造成本、提升产出效率；同时更大尺寸的平台能够承
接更先进的制造装备与更优的工艺均匀性控制，在良率、一致性与器件性能等方面形成系统性优势，使公司
在面向未来技术演进的特色工艺布局上建立起更具前瞻性的先进性与规模壁垒。
（3）先进封装生产线
公司高度重视技术创新与工艺布局，以前瞻性视野重点投资并构建了射频前端领域先进的封装工艺技术
平台。依托于12英寸晶圆的异构集成平台，公司着力打造行业领先的模组化解决方案，以高效满足不同市场
对下一代器件在性能提升、尺寸小型化及成本优化等方面的综合需求。
1.异构集成工艺
异构集成（HeterogeneousIntegration）作为后摩尔时代半导体产业发展的核心方向，其本质是通过系
统级架构创新与先进集成技术，将不同材料、工艺及功能的异质单元在芯片或封装尺度进行一体化融合，该
技术突破了单一芯片的物理与工艺极限，实现“超越单芯片”的系统级性能提升。目前，公司相关技术成果
已在业务中取得实质性进展，先进集成工艺已实现技术落地和闭环，为未来光电共封等高集成度产品提供核
心支撑。
截至本报告期末，部分采用先进封装技术的产品已实现规模出货；先进集成工艺产线实现规模化量产，
为公司持续深化射频前端模组在小型化、低成本、高性能方向的产品开发奠定了坚实的基础。
（4）重要产品或技术进展
1.全国产供应链L-PAMiD产品
公司L-PAMiD系列（主集收发模组）作为业界首款实现全国产供应链的射频模组，凭借集成度与性能的
双重突破，已成为驱动公司未来营收增长的"明珠型"产品。该系列深度整合公司自产核心器件——6英寸产
线自产的MAX-SAW滤波器，以及12英寸产线自产的射频开关与低噪声放大器，构筑起扎实的"设计+工艺"壁垒
。
依托这一优势，L-PAMiD系列加速市场渗透并取得关键商业化成果：已推出覆盖多种主流架构的解决方
案，灵活满足不同品牌客户的前端设计需求；并在多家头部品牌客户实现导入与大规模批量出货，验证了产
品的高可靠性与交付能力。
作为公司未来增长的核心引擎，L-PAMiD将持续依托自主供应链的快速迭代优势，在性能与灵活性上不
断进化，加速推进国产射频模组的市场化进程。
2.无线连接产品
公司坚持在移动通信与无线连接赛道深耕，通过持续加码研发投入，确保技术迭代步伐始终精准匹配市
场需求演进。在WiFi无线连接领域，公司已成功卡位技术前沿。报告期内，WiFi7模组产品已实现规模化量
产，并凭借性能优势在客户端保持快速增长态势；随着WiFi7技术的不断成熟，公司正夯实WiFi8产品的研发
与商用基础。
目前WiFi8射频产品已率先完成部分客户导入并开始小批量出货，公司系市场上较早实现WiFi8射频产品
出货的射频厂商之一，先发布局优势明显，为2026年规模量产奠定先发基础。与此同时，公司也积极布局其
他新一代无线连接协议产品，以拓展更广阔的市场空间。在蓝牙连接领域，公司的BTFEM模组产品表现稳健
，报告期内保持持续、大规模的量产出货节奏，为公司贡献了稳定的营收来源。
二、核心竞争力分析
（一）研发优势：突破Fabless边界，构筑“设计+工艺”双轮驱动的综合研发能力
公司基于芯卓资源平台的战略布局，构建了区别于传统Fabless模式的综合研发体系。这一体系不仅涵
盖芯片设计能力，更将研发创新的边界向前延伸至材料、工艺、器件、制造、封测的全链路协同创新，形成
了设计与工艺深度耦合的一体化研发能力。
目前，公司产品已覆盖RFCMOS、RFSOI、SiGe、GaAs、IPD、SAW、压电晶体等各种材料及工艺，并在Fab
-Lite转型过程中逐步积累了IPD、SAW、SOI、BCD、SiGe、异构集成等核心工艺技术矩阵和生产制造能力，
深度储备了面向高端射频、卫星通信、光通信等前沿领域的基础工艺技术底蕴。这一技术积淀使公司不仅能
够实现现有产品的性能突破，更具备通过关键工艺环节支撑国产替代的自主可控，同时将工艺研发与设计创
新深度融合，承载前沿创新的完整技术支撑。
“设计牵引工艺、工艺反哺设计”的正向循环，使公司突破传统晶圆制造平台的技术路径依赖，构建起
难以复制的综合研发壁垒。正是这种将工艺理解深度嵌入产品创新的能力，为公司跨领域技术迁移与高端市
场突破奠定了不可替代的底层基础。
（二）产品优势：构建全品类产品矩阵，夯实自主可控供应能力
公司基于芯卓资源平台的深度布局，已构建起覆盖多元技术领域与应用场景的完整射频前端产品体系。
产品形态从分立器件到高集成度模组持续丰富，应用边界从智能手机向通信基站、汽车电子、蓝牙耳机等新
兴领域不断拓展。
公司已实现大部分产品的自主制造能力，其中滤波器模组、PA模组等系列产品成功导入多家品牌客户并
持续放量，验证了公司从研发到量产的全链路交付能力。更为关键的是，借助资源平台能力的持续完善，公
司已具备全国产供应链自主可控供应能力—从材料、工艺、器件到制造、封测，核心环节均实现自主可控，
摆脱了对外部资源的依赖。未来，公司将基于这一自主可控的产品平台，将在效率提升、个性化迭代等方面
的特有经验向更多领域迁移复用，持续拓展产品优势的边界。
（三）人才优势：构建“设计+工艺”深度融合的复合型团队，夯实一体化研发根基
公司依托芯卓资源平台，坚持“从原理起步，从零正面突破”的正向研发理念，构建了覆盖芯片设计、
工艺研发、晶圆制造到封装测试的全链条复合型人才团队。在Fab-Lite模式下，通过长期协同与协作，实现
了设计与工艺人才的能力深度融合—设计人才深谙工艺，工艺人才理解设计，形成了在正向研发中互为牵引
的独特竞争优势。
同时，公司高度注重人才的发掘和培养，一方面引进国内外高层次领军人才，形成技术方向的引领力量
；另一方面吸引全国各地优秀高校学子，构建面向长远的人才梯队。截至报告期末，新生代力量已逐步在关
键项目中勇挑重担，成为推动公司创新和发展的重要生力军。
（四）客户优势：依托资源平台深度协同，构筑价值共创的稳固伙伴关系
公司始终坚持以客户需求为创新的原点，围绕射频核心技术，紧跟市场趋势持续迭代产品方案。依托芯
卓资源平台带来的自主可控供应能力、稳定交付表现、卓越品质保障与灵活技术支持，公司在与国内外核心
客户的长期合作中，积淀了深厚的品牌信任与优质客户资源。
公司客户群体覆盖安卓系统主流品牌厂商，其对供应商在产品性能、价格、质量、交付及技术支持等方
面均设有严苛标准。得益于资源平台的战略支撑，公司不仅能够以高效稳定的交付满足既有需求，更在长期
协同中深度融入客户的技术演进路径—敏锐洞察客户的前瞻需求，并参与下一代产品与技术的共同定义。这
种“从需求响应到技术共创”的合作深化，使公司逐步从被动适配者转型为价值共创者。
（五）战略平台优势：深化Fab-Lite模式，构筑产业根植性和韧性
公司深度挖掘Fab-Lite模式的潜力，旨在打造集设计、研发、工艺、器件、材料和集成等技术于一体的
资源平台，以标准演进与实际应用需求为牵引，以先进物理资源集成平台为载体，聚焦特色工艺能力建设，
定制差异化的工艺器件技术，突破传统晶圆制造技术平台的限制，为长远发展奠定坚实的工艺根基。
借助芯卓资源平台，公司在产品品类、性能表现、交付能力、质量管控、定制化响应和研发效率等方面
形成了差异化的综合竞争优势，进一步巩固了公司在射频前端芯片领域的影响力。更为关键的是，通过持续
深化Fab-Lite经营模式，公司关键制造环节实现自主可控，对外依赖程度与供应链风险显著降低，产业根植
性与发展韧性同步提升。
在当前AI技术重塑产业格局的背景下，重资产商业模式依托庞大的实物资本与基础设施投入，正构建起
难以复制的竞争壁垒，这些资产的经济价值能够穿越技术周期而持久存在，成为企业长期竞争力的“压舱石
”。公司以前瞻性战略持续投入资源平台建设，强化“软技术+硬产能”的一体化能力，这一融合设计与工
艺的平台优势，将成为公司未来参与全球竞争的核心护城河。
〖免责条款〗
1、本公司力求但不保证提供的任何信息的真实性、准确性、完整性及原创性等，投资者使
用前请自行予以核实，如有错漏请以中国证监会指定上市公司信息披露媒体为准，本公司
不对因上述信息全部或部分内容而引致的盈亏承担任何责任。
2、本公司无法保证该项服务能满足用户的要求，也不担保服务不会受中断，对服务的及时
性、安全性以及出错发生都不作担保。
3、本公司提供的任何信息仅供投资者参考，不作为投资决策的依据，本公司不对投资者依
据上述信息进行投资决策所产生的收益和损失承担任何责任。投资有风险，应谨慎至上。
|