经营分析☆ ◇603290 斯达半导 更新日期：2024-04-24◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.前5名客户营业收入表】【4.前5名供应商采购表】
【5.经营情况评述】
【1.主营业务】
以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发和生产，并以IGBT模块形式对外实现销售。
【2.主营构成分析】
截止日期:2023-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
───────────────────────────────────────────────
功率半导体器件(行业) 36.38亿 99.33 13.66亿 99.39 37.53
其他业务(行业) 2453.05万 0.67 831.90万 0.61 33.91
───────────────────────────────────────────────
IGBT模块(产品) 33.31亿 90.94 12.57亿 91.46 37.72
其他产品(产品) 3.07亿 8.39 1.09亿 7.93 35.46
其他业务(产品) 2453.05万 0.67 831.90万 0.61 33.91
───────────────────────────────────────────────
亚洲地区(地区) 34.09亿 93.06 12.68亿 92.27 37.19
其他地区(地区) 2.29亿 6.27 9791.18万 7.13 42.66
其他业务(地区) 2453.05万 0.67 831.90万 0.61 33.91
───────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 31.22亿 85.22 11.68亿 85.01 37.42
经销(销售模式) 5.17亿 14.11 1.98亿 14.38 38.23
其他业务(销售模式) 2453.05万 0.67 831.90万 0.61 33.91
───────────────────────────────────────────────
截止日期:2022-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
───────────────────────────────────────────────
功率半导体器件(行业) 26.82亿 99.14 10.82亿 99.22 40.34
其他(补充)(行业) 2339.44万 0.86 847.66万 0.78 36.23
───────────────────────────────────────────────
IGBT模块(产品) 22.25亿 82.23 8.82亿 80.90 39.65
其他产品(产品) 4.57亿 16.91 2.00亿 18.32 43.67
其他(补充)(产品) 2339.44万 0.86 847.66万 0.78 36.23
───────────────────────────────────────────────
亚洲地区(地区) 26.13亿 96.59 10.57亿 96.91 40.44
其他(补充)(地区) 9236.40万 3.41 3364.50万 3.09 36.43
───────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 22.39亿 82.75 9.12亿 83.63 40.73
经销(销售模式) 4.43亿 16.39 1.70亿 15.60 38.36
其他(补充)(销售模式) 2339.44万 0.86 847.66万 0.78 36.23
───────────────────────────────────────────────
截止日期:2021-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
───────────────────────────────────────────────
功率半导体器件(行业) 16.96亿 99.38 6.20亿 98.90 36.55
其他(补充)(行业) 1061.75万 0.62 689.69万 1.10 64.96
───────────────────────────────────────────────
IGBT模块(产品) 15.95亿 93.46 5.92亿 94.52 37.14
其他产品(产品) 1.01亿 5.91 2743.90万 4.38 27.19
其他(补充)(产品) 1061.75万 0.62 689.69万 1.10 64.96
───────────────────────────────────────────────
亚洲地区(地区) 16.62亿 97.41 6.06亿 96.71 36.46
其他(补充)(地区) 4424.25万 2.59 2062.38万 3.29 46.62
───────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 15.27亿 89.49 5.63亿 89.75 36.83
经销(销售模式) 1.69亿 9.89 5737.85万 9.15 34.00
其他(补充)(销售模式) 1061.75万 0.62 689.69万 1.10 64.96
───────────────────────────────────────────────
截止日期:2020-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
───────────────────────────────────────────────
功率半导体器件(行业) 9.59亿 99.62 3.02亿 99.21 31.43
其他(补充)(行业) 363.10万 0.38 238.72万 0.79 65.74
───────────────────────────────────────────────
IGBT模块(产品) 9.12亿 94.65 2.92亿 95.94 31.99
其他产品(产品) 4786.16万 4.97 994.08万 3.27 20.77
其他(补充)(产品) 363.10万 0.38 238.72万 0.79 65.74
───────────────────────────────────────────────
亚洲地区(地区) 9.42亿 97.82 2.94亿 96.83 31.24
其他(补充)(地区) 2097.48万 2.18 963.48万 3.17 45.94
───────────────────────────────────────────────
【3.前5名客户营业收入表】
截止日期:2023-12-31
前5大客户共销售13.28亿元，占营业收入的36.25%
┌───────────────────────┬──────────┬──────────┐
│客户名称 │ 营收额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼──────────┼──────────┤
│合计 │ 132791.92│ 36.25│
└───────────────────────┴──────────┴──────────┘
【4.前5名供应商采购表】
截止日期:2023-12-31
前5大供应商共采购16.94亿元，占总采购额的59.69%
┌───────────────────────┬──────────┬──────────┐
│供应商名称 │ 采购额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼──────────┼──────────┤
│合计 │ 169444.55│ 59.69│
└───────────────────────┴──────────┴──────────┘
【5.经营情况评述】
截止日期:2023-12-31
●发展回顾:
一、经营情况讨论与分析
2023年，公司实现营业收入366296.54万元，较2022年同期增长35.39%，实现归属于上市公司股东的净
利润91052.60万元，较2022年同期增长11.36%,实现归属于上市公司股东扣除非经常性损益的净利润88622.4
7万元，较去年同期增长16.25%。同时，公司主营业务收入在各细分行业均实现稳步增长：（1）公司工业控
制和电源行业的营业收入为127934.16万元，较去年同期增长15.64%。（2）公司新能源行业营业收入为2156
34.91万元，较去年同期增长48.09%。（3）公司变频白色家电及其他行业的营业收入为20274.42万元，较去
年同期增长69.48%。
2023年，公司生产的应用于主电机控制器的车规级IGBT模块持续放量，合计配套超过200万套新能源汽
车主电机控制器。公司在车用空调，充电桩，电子助力转向等新能源汽车半导体器件份额进一步提高。
2023年，公司基于第七代微沟槽TrenchFieldStop技术的750V车规级IGBT模块大批量装车，公司基于第
七代微沟槽TrenchFieldStop技术的1200V车规级IGBT模块新增多个800V系统车型的主电机控制器项目定点，
将对2024年-2030年公司新能源汽车IGBT模块销售增长提供持续推动力。
2023年，公司海外新能源汽车市场取得重要进展，公司车规级IGBT模块在欧洲一线品牌Tier1开始大批
量交付，同时报告期内公司新增多个IGBT/SiCMOSFET主电机控制器项目定点，海外新能源汽车市场呈现快速
增长趋势。
2023年，公司应用于新能源汽车主控制器的车规级SiCMOSFET模块大批量装车应用，同时新增多个使用
车规级SiCMOSFET模块的800V系统主电机控制器项目定点，将对公司2024-2030年主控制器用车规级SiCMOSFE
T模块销售增长提供持续推动力。
2023年，公司自主的车规级SiCMOSFET芯片在公司多个车用功率模块封装平台通过多家客户整车验证并
开始批量出货。
2023年，公司新能源风光储业务快速增长，公司与行业头部企业深入合作，继续发挥技术领先优势为客
户提供更高功率、更高效率的解决方案。公司基于第七代微沟槽TrenchFieldStop技术的IGBT模块在地面光
伏电站和大型储能批量装机，并在北美等海外电站批量装机；公司1200V650V大电流单管已大批量应用于工
商业光伏和储能，处于行业领先地位。目前，公司产品已经实现户用型、工商业、地面电站光伏和储能系统
全功率覆盖，成为全球光伏和储能行业的重要战略供应商。
2023年，公司和深蓝汽车合资成立重庆安达半导体有限公司，研发生产高性能、高可靠性的车规级IGBT
模块和车规级SiCMOSFET模块，预计2024年完成厂房建设并开始生产。
2023年，公司海外业务取得快速发展，子公司斯达欧洲实现营业收入31089.31万元，同比增长226.66%
，连续两年保持翻翻以上的成长；斯达欧洲以外的出口业务实现营业收入7683.12万元，同比增长70.88%，
海外市场的持续突破将给公司带来更广阔的成长空间。
2023年，公司在瑞士苏黎世设立新的研发中心，苏黎世研发中心是公司继纽伦堡研发中心后设立的第二
个海外研发中心。公司不断补充高素质的专业技术团队，进一步加大对下一代IGBT、SiC芯片以及模块先进
封装技术的研发力度。报告期内，公司研发投入2.87亿元，同比增加52.16%，持续的研发投入是公司保持技
术先进性的有力保障。
2023年，公司参与联合共建的“国家能源光储变流技术与装备重点实验室”，成功入选国家能源局“十
四五”首批“赛马争先”创新平台名单。
2023年，公司“大型光伏电站用并网逆变器关键技术及其工程应用”项目荣获中国电源学会颁发的“中
国电源学会科技进步奖特等奖”；
2023年，公司荣获“浙江省科技领军企业”；
2023年，公司荣获“中国智能电动汽车生态链100强”；
2023年，公司荣获“中国智能电动汽车核心零部件100强”；
2023年，公司荣获“浙江上市公司最佳内控奖TOP30”；
2023年，公司荣获汇川技术颁发的“20年战略合作奖”；
2023年，公司荣获阳光电源颁发的“2023年度战略合作伙伴奖”；
公司将继续坚持以市场为导向、以创新为驱动，以成为全球领先的功率半导体器件研发及制造商及解决
方案提供商为目标，为客户创造更大价值，致力于成为世界顶尖的功率半导体制造企业。
二、报告期内公司所处行业情况
根据中国证监会《上市公司行业分类指引》（2012年修订），公司所属行业为计算机、通信和其他电子
设备制造业，行业代码为“C39”；根据国家统计局发布的《国民经济行业分类（2017年修订）》（GB/T475
4-2017），公司所属行业为半导体分立器件制造，行业代码为“C3972”。
功率半导体主要用于电力设备的电能变换和电路控制，是进行电能处理的核心器件，弱电控制与强电运
行间的桥梁,细分产品主要有MOSFET、IGBT、BJT等。随着世界各国对节能减排的需求越来越迫切，功率半导
体器件已从传统的工业控制和4C（通信、计算机、消费电子、汽车）领域迈向新能源、新能源汽车、轨道交
通、智能电网、变频家电等诸多产业。功率半导体的发展使得变频设备广泛的应用于日常的消费，促进了清
洁能源、电力终端消费、以及终端消费电子的产品发展。根据Omida的数据及预测，2023年全球功率半导体
市场规模达到503亿美元，预计2027年市场规模将达到596亿美元。中国是最大的功率半导体市场之一，据中
商产业研究院发布的《2024-2029年中国功率半导体产业市场供需格局及发展前景预测报告》，2024年中国
功率半导体市场规模预计将达到1752.55亿元人民币。这一增长主要受到智能电网、新能源汽车等领域对功
率半导体需求量大幅提升的推动。
IGBT是目前发展最快的功率半导体器件之一，据YOLE数据显示，2022年全球IGBT的市场规模约为68亿美
元，受益于新能源汽车、新能源、工业控制等领域的需求大幅增加，预计2026年全球IGBT市场规模将达到84
亿美元。中国是全球最大的IGBT市场，约占全球IGBT市场规模的40%，预计到2025年中国IGBT市场规模将达
到522亿人民币，是细分市场中发展最快的半导体功率器件之一。
近年来，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等材料为代表的化合物半导体因其宽禁带、高饱和漂移速度
、高临界击穿电场等优异的性能而饱受关注。由于SiC在高功率、高温应用应用上比GaN更有优势，目前SiC
功率器件在新能源汽车行业迅速发展，市场规模增长快速。根据yolo数据，在汽车应用的强劲助推下，尤其
是EV主逆变器日益增长的需求，整个SiC市场呈现出高速增长,同时工业控制和新能源领域SiC应用也高于市
场预期的增长，预计2027年SiC器件市场预计将超过70亿美元。
三、报告期内公司从事的业务情况
(一)主要业务、主要产品及其用途
公司主营业务是以IGBT和SiC为主的功率半导体芯片和模块的设计研发、生产及销售。公司总部位于浙
江嘉兴，在上海、重庆、欧洲设有子公司，并在国内和欧洲均设有研发中心。
公司长期致力于IGBT、快恢复二极管、MOSFET等功率芯片的设计和工艺及IGBT、SiCMOSFET等功率模块
的设计、制造和测试，公司的产品广泛应用于工业控制和电源、新能源、新能源汽车、白色家电等领域。20
23年，IGBT模块的销售收入占公司主营业务收入的91.55%，是公司的主要产品。
IGBT作为一种新型功率半导体器件，是国际上公认的电力电子技术第三次革命最具代表性的产品，是工
业控制及自动化领域的核心元器件，其作用类似于人类的心脏，能够根据装置中的信号指令来调节电路中的
电压、电流、频率、相位等，以实现精准调控的目的。因此，IGBT被称为电力电子行业里的“CPU”，广泛
应用于新能源、新能源汽车、电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子等领域。
（二）经营模式
公司坚持以市场为导向，以技术为支撑，通过不断的研发创新，开发出满足客户需求的具有市场竞争力
的功率半导体器件，为客户提供优质的产品和技术服务。
公司产品生产环节主要分为芯片和模块设计、芯片外协制造、模块生产三个阶段。
阶段一：芯片和模块设计。公司产品设计包含IGBT芯片、快恢复二极管等功率芯片的设计和功率模块的
设计。本阶段公司根据客户对功率芯片关键参数的需求，设计出符合客户性能要求的芯片；根据客户对电路
拓扑及模块结构的要求，结合功率模块的电性能以及可靠性标准，设计出满足各行业性能要求的功率模块。
阶段二：芯片外协制造。公司根据阶段一完成的芯片设计方案委托第三方晶圆代工厂如华虹、积塔等外
协厂商外协制造自主研发的芯片，公司在外协制造过程中提供芯片设计图纸和工艺制作流程，不承担芯片制
造环节。
阶段三：模块生产。模块生产是应用模块原理，将单个或多个如IGBT芯片、快恢复二极管等功率芯片用
先进的封装技术封装在一个绝缘外壳内的过程。由于模块外形尺寸和安装尺寸的标准化及芯片间的连接已在
模块内部完成，因此和同容量的器件相比，具有体积小、重量轻、结构紧凑、可靠性高、外接线简单、互换
性好等优点。本阶段公司根据不同产品需要采购相应的芯片、DBC、散热基板等原材料，通过芯片贴片、回
流焊接、铝线键合、测试等生产环节，最终生产出符合公司标准的功率模块。公司主要产品IGBT模块集成度
高，内部拓扑结构复杂，又需要在高电压、大电流、高温、高湿等恶劣环境中运行，对公司设计能力和生产
工艺控制水平要求高。
公司销售主要采取直销的方式进行销售，根据下游客户的分布情况，除嘉兴总部外在全国建立了多个销
售联络处，并于瑞士设立了控股子公司斯达欧洲，负责国际市场业务开拓和发展。
四、报告期内核心竞争力分析
公司客户目前主要分布于新能源、新能源汽车、工业控制及电源、变频白色家电等行业，主要竞争对手
均为国际品牌厂商。公司在与国际主要品牌厂商的竞争过程中，形成以下独特的竞争优势：
(一)技术优势
公司自成立以来一直以技术发展和产品质量为公司之根本，并以开发新产品、新技术为公司的主要工作
，持续大幅度地增加研发投入，培养、组建了一支高素质的国际型研发队伍，涵盖了IGBT芯片、快恢复二极
管芯片和IGBT模块的设计、工艺开发、产品测试、产品应用等，在半导体技术、电力电子、控制、材料、力
学、热学、结构等多学科具备了深厚的技术积累。目前，公司已经实现自主IGBT芯片和快恢复二极管芯片的
量产，以及IGBT和SiC模块的大规模生产和销售。
(二)快速满足客户个性化需求的优势
客户的个性化需求主要是对IGBT芯片特性及模块的电路结构、拓扑结构、外形和接口控制的个性化要求
等。
公司拥有IGBT芯片及模块的设计和应用专家，并成立了专门的应用部，能够快速、准确地理解客户的个
性化需求，并将这种需求转化成产品要求；同时，公司建立了将客户需求快速有效地转化成产品的新产品开
发机制，目前公司已形成上百种个性化产品，这些个性化产品成为公司保持与现有客户长期稳定合作的重要
基础；另外，与国际品牌厂商相比，公司采用了直销模式，直接与客户对接，从而进一步提升了服务客户的
效率。
因此，与国外竞争对手相比，公司与下游客户的沟通更加便捷和顺畅，在对响应客户需求的速度、供货
速度、产品适应性及持续服务能力等各方面都表现出优势。
(三)细分行业的领先优势
公司自成立以来一直专注于以IGBT和SiC为主的功率芯片和模块的设计研发、生产和销售，针对细分行
业客户对产品性能、拓扑结构等的不同要求，公司开发了不同系列的IGBT/SiC产品，在新能源汽车、新能源
发电、工业控制等细分市场领域形成了较大的竞争优势。
在新能源汽车领域，公司是国内车规级IGBT/SiC模块的主要供应商，公司积极开拓海外市场并获得了多
家国外头部Tier1的项目定点；在新能源发电领域，公司已是国内多家主流光伏逆变器客户、风电逆变器客
户的主要供应商，并且与头部企业建立了深入的战略合作关系，公司根据客户需求不断推出符合市场需求的
具有市场竞争力的产品；在工业控制领域，公司目前已经成为国内多家头部变频器企业IGBT模块的主要供应
商，同公司已经是工控行业多家国际企业的正式供应商。
(四)先发优势
IGBT/SiC模块不仅应用广泛，且是下游产品中的核心器件，一旦出现问题会导致产品无法使用，给下游
企业带来较大损失，替代成本较高，因此一般下游企业都会经过较长的认证期后才会大批量采购，新的品牌
进入市场需要面临长期较大的资金投入和市场开发的困难，公司的先发优势明显。随着公司生产规模的扩大
，自主芯片的批量导入和迭代，在供货稳定性及产品先进性上的优势会进一步巩固，从而提高潜在竞争对手
进入本行业的壁垒。
(五)人才优势
人才是半导体行业的重要因素，是功率半导体企业求生存、谋发展的先决条件。公司创始人为半导体行
业技术专家，具备丰富的知识、技术储备及行业经验；公司拥有多名具有国内外一流研发水平的技术人员，
多人具备在国际著名功率半导体公司承担研发工作的经历；公司的核心技术团队稳定，大多数人在本公司拥
有十年以上的工作经验。2023年，公司在瑞士苏黎世成立新的研发中心，苏黎世研发中心是公司2024年成立
德国纽伦堡研发中心后在欧洲设立的第二个海外研发中心，公司将不断补充高素质的专业技术团队，进一步
加大对下一代IGBT、SiC芯片以及模块先进封装技术的研发力度。专业的人才团队为公司的持续稳定发展奠
定了良好基础，公司人才方面的优势为公司的持续发展提供了动力。
(六)合理的业务模式优势
公司选择了以直销为主、经销为辅的销售模式，可迅速了解客户需求，同时通过经销迅速拓张市场份额
，提高市场声誉。此外，公司可以根据客户性质，灵活的选择直销和经销的维护方式，更好地服务客户。
公司芯片生产采取Fabless的模式，减小了投资风险，并加快了产品推向市场的速度。虽然上述模式非
创新模式，但是适合公司目前发展状态，有利于公司市场拓张和技术迭代速率。
(七)较强的市场开拓能力
公司坚定以“研发推动市场，市场反馈研发”的发展思路，形成研发与销售之间的闭环。该种良性循环
使公司实现了一定技术积累的同时，具备了较强的市场开拓能力，实现了销售的快速增长。
五、报告期内主要经营情况
2023年公司继续围绕自己主营业务开展经营活动，公司实现营业收入达到366296.54万元，较2022年同
期增长35.39%，公司业务在各应用行业实现稳步增长（1）公司工业控制和电源行业的营业收入为127934.16
万元，较去年同期增长15.64%。（2）公司新能源行业营业收入为215634.91万元，较去年同期增长48.09%。
（3）公司变频白色家电及其他行业的营业收入为20274.42万元，较去年同期增长69.48%。
●未来展望:
(一)行业格局和趋势
1.市场格局和发展趋势
a)功率半导体市场前景广阔
半导体分立器件与集成电路共同构成半导体产业两大分支，近年来，半导体分立器件占全球半导体市场
规模的比例基本稳定维持在18%-20%之间。
功率半导体是半导体分立器件的重要组成部分，主要用于电力设备的电能变换和电路控制，是进行电能
处理的核心器件，弱电控制与强电运行间的桥梁,细分产品主要有IGBT、MOSFET、BJT等。随着世界各国对节
能减排的需求越来越迫切，功率半导体器件已从传统的工业控制和4C（通信、计算机、消费电子、汽车）领
域迈向新能源、新能源汽车、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多产业。功率半导体的发展使得变频设备
广泛的应用于日常的消费，促进了清洁能源、电力终端消费、以及终端消费电子的产品发展。根据Omida的
数据及预测，2023年全球功率半导体市场规模达到503亿美元，预计2027年市场规模将达到596亿美元。
中国是全球最大的功率半导体消费国，约占全球市场的1/3。根据中商产业研究院发布的《2024-2029年
中国功率半导体产业市场供需格局及发展前景预测报告》，受到智能电网、新能源汽车等领域对功率半导体
需求量大幅提升的推动,2024年中国功率半导体市场规模预计将达到1,752.55亿元人民币，中国市场前景良
好。
b)IGBT需求增长迅速
IGBT作为能源变化和传输的核心器件，下游应用非常广泛。国家七大战略新兴产业中，IGBT是新能源汽
车产业、新能源产业、节能环保产业、高端装备制造产业不可缺少的半导体器件，随着这些产业快速发展，
为IGBT提供了更广阔的市场。
新能源汽车产业快速发展，根据EVTank数据显示，2023年全球新能源汽车销量达到1465.3万辆，同比增
长35.4%，其中中国新能源汽车销量达到949.5万辆，占全球销量的64.8%。美国和欧洲2023年全年新能源汽
车销量分别为294.8万辆和146.8万辆，同比增速分别为18.3%和48.0%，展望未来，EVTank预计2024年全球新
能源汽车销量将达到1830.0万辆，其中中国新能源汽车销量将达到1180.0万辆，预计全球新能源汽车的销量
在2025年和2030年将分别达到2542.2万辆和5212.0万辆，新能源汽车的渗透率持续提升并在2030年超过50%
。
“双碳”战略背景下，新能源产业快速发展：（1）光伏行业快速发展：根据国家能源局的数据，2023
年中国光伏新增并网容量达到了216.88GW，同比增长148%，截至2023年底，中国累计并网容量达到了6,089G
W，预计2024年将继续报告快速增长的趋势。（2）风电行业快速发展：根据国家能源局发布的数据，2023年
全国新增风电并网装机75.9GW，同比增长102%。根据全球风能理事会（GWEC）发布的《2023全球风能报告》
，2023年，全球风电新增装机容量为118GW，同比增长36%。《2023全球风能报告》指出，未来五年全球风电
新增并网容量预计将达到680吉瓦（GW），预计未来五年平均每年风电新增装机将达到136GW，实现15%的复
合增长率。（3）储能行业快速发展：根据国家能源局在新闻发布会上公布的数据，2023年中国新型储能新
增装机规模约为22.6GW，同比去年增加261%。
受益于新能源汽车、新能源等领域拉动，IGBT需求保持快速增长。据YOLE数据显示，2022年全球IGBT的
市场规模约为68亿美元，受益于新能源汽车、新能源、工业控制等领域的需求大幅增加，预计2026年全球IG
BT市场规模将达到84亿美元。中国是全球最大的IGBT市场，约占全球IGBT市场规模的40%，预计到2025年中
国IGBT市场规模将达到522亿元，是细分市场中发展最快的半导体功率器件之一。
c)以SiC为代表的化合物半导体迅速发展
近年来，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等材料为代表的化合物半导体因其宽禁带、高饱和漂移速度
、高临界击穿电场等优异的性能而饱受关注。由于SiC在高功率、高温应用应用上比GaN更有优势，目前SiC
功率器件在新能源汽车行业迅速发展，市场规模增长快速。根据yolo数据，在汽车应用的强劲助推下，尤其
是EV主逆变器日益增长的需求，整个SiC市场呈现出高速增长,同时工业控制和新能源领域SiC应用也高于市
场预期的增长，预计2027年SiC器件市场预计将超过70亿美元。
2.国家政策及行业机遇
近年来，为了推动功率半导体行业尤其是IGBT产业健康快速发展，国家相关部门不断加大扶持力度。20
15年5月，备受关注的《中国制造2025规划纲要》出台，将电力装备作为大力推动的重点领域之一。纲要提
出要突破大功率电力电子器件、高温超导材料等关键元器件和材料的制造及应用技术，形成产业化能力。20
16年3月全国两会发布“十三五规划”，针对功率器件行业：加强与整机产业的联动，以市场促进器件开发
、以设计带动制造、推动“虚拟IDM”运行模式的发展；建设国家级半导体功率器件研发中心，实现从“材
料-器件-晶圆-封装-应用”全产业链的研究开发；大力发展国产IGBT产业，促进SiC和GaN器件应用。2017年
2月出台的《战略性新兴产业重点产品和服务指导目录》，进一步明确功率半导体器件的地位和范围，IGBT
等功率半导体器件被列入。2019年10月8日，工信部回复政协《关于加快支持工业半导体芯片技术研发及产
业化自主发展的提案》称，下一步，将持续推进工业半导体材料、芯片、器件及IGBT模块产业发展，根据产
业发展形势，调整完善政策实施细则，更好的支持产业发展。2021年1月29日，工信部印发《基础电子元器
件产业发展行动计划（2021-2023年）》，明确提出要面向智能终端、5G、工业互联网、数据中心、新能源
汽车等重点市场，推动基础电子元器件产业实现突破，并增强关键材料、设备仪器等供应链保障能力。2021
年3月13日，中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要正式发布。规划
支持集成电路先进工艺和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、微电机系统（MEMS）等特色工艺突破，碳化硅、氮
化镓等宽禁带半导体发展也被正式列入规划。2021年10月，国务院印发《2030年前碳达峰行动方案》，强调
大力发展新能源。全面推进风电、太阳能发电大规模开发和高质量发展，坚持集中式与分布式并举，加快建
设风电和光伏发电基地。到2030年，风电、太阳能发电总装机容量达到12亿千瓦以上。2021年12月，中央网
络安全和信息化委员会印发《“十四五”国家信息化规划》。《规划》指出，加快集成电路关键技术攻关。
推动计算芯片、存储芯片等创新，加快集成电路设计工具、重点装备和高纯靶材等关键材料研发，推动绝缘
栅双极型晶体管（IGBT）、微机电系统（MEMS）等特色工艺突破。
国家出台的一系列产业政策为我国功率半导体领域的快速发展提供了充分的保障，推动了我国功率半导
体领域的技术进步和产业升级。以IGBT为代表的新型功率半导体器件，无论技术工艺还是市场销售都取得了
很大的进步。随着“供给侧改革”、“节能环保”、“智能制造”、“工业互联网”等国家政策的强化、深
入和落地，未来中国IGBT市场仍有很大的发展空间。
斯达半导将以IGBT技术为基础，不断突破和积累下一代以SiC、GaN器件为代表的宽禁带功率半导体器件
的关键技术，大力发展车规级功率器件、新能源用高可靠性功率器件，不断创新，并进一步发挥在研发、生
产、品牌、市场、渠道、人力资源等方面的综合竞争优势，向产业链上下游延伸发展，努力实现跨越式发展
，以斯达技术助力中国制造2025，为国家节能减排、产业升级，以及建立绿色繁荣和谐社会做出更大贡献。
(二)公司发展战略
公司坚持以市场为导向、以创新为驱动，以成为全球领先的功率半导体器件研发及制造商及创新解决方
案提供商为目标；以为客户创造更大价值，为人类创造美好生活为使命；坚持品质成就梦想，创新引领未来
的价值观；以提高公司经济效益和为社会创造价值为基本原则，致力于成为世界顶尖的功率半导体制造企业
。
首先，公司将始终坚持自主创新，加大研发投入，继续加大研发新一代IGBT芯片、快恢复二极管芯片、
SiCMOSFET芯片以及其他芯片的力度，攻克新一批关键技术。
其次，公司将紧跟国家政策指引，加大新兴行业布局，重点针对新能源汽车、新能源发电、储能、变频
白色家电等重点行业推出在制造工艺、电性能、功耗、可靠性等方面具有国际领先水平，在价格、品质、技
术支持等方面具备较强国际竞争力的产品，进一步扩大公司产品的市场覆盖面，满足更多客户的市场需求。
最后，公司将完善功率半导体产业布局，在大力推广IGBT模块的同时，依靠自身的专业技术，研发其他
前沿功率半导体器件，不断丰富自身产品种类，并坚定不移的努力将公司发展成为世界顶尖的功率半导体制
造企业。
(三)经营计划
2024年，公司将围绕上述发展战略和方向，积极应对国际环境及竞争环境变化，立足现有基础和优势，
继续扎根IGBT为代表的功率半导体行业，持续加大技术和产品研发投入，深耕现有市场，不断开拓新市场，
持续提高市场占有率，积极推动公司稳定持续发展。具体
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