经营分析☆ ◇605111 新洁能 更新日期：2026-10-14◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.前5名客户营业收入表】【4.前5名供应商采购表】
【5.经营情况评述】
【1.主营业务】
公司成立以来即专注于中高端IGBT、MOSFET、集成功率器件及模块的研发、设计及销售。
【2.主营构成分析】
截止日期:2026-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
功率器件(产品) 11.09亿 95.04 3.21亿 91.60 28.95
芯片(产品) 2899.65万 2.48 1177.24万 3.36 40.60
IC(产品) 2335.05万 2.00 1232.56万 3.52 52.79
其他收入(产品) 558.65万 0.48 535.30万 1.53 95.82
─────────────────────────────────────────────────
国内销售(地区) 11.46亿 98.13 3.42亿 97.51 29.85
出口销售(地区) 2182.12万 1.87 871.88万 2.49 39.96
─────────────────────────────────────────────────
线下销售(销售模式) 11.67亿 100.00 3.51亿 100.00 30.04
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2025-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
电子元器件(行业) 18.70亿 99.60 6.10亿 98.82 32.60
其他业务(行业) 742.54万 0.40 730.12万 1.18 98.33
─────────────────────────────────────────────────
功率器件(产品) 18.20亿 96.96 5.88亿 95.40 32.33
芯片(产品) 4966.13万 2.65 2108.56万 3.42 42.46
其他业务(产品) 742.54万 0.40 730.12万 1.18 98.33
─────────────────────────────────────────────────
境内(地区) 18.18亿 96.88 5.86亿 95.07 32.25
境外(地区) 5117.25万 2.73 2312.05万 3.75 45.18
其他业务(地区) 742.54万 0.40 730.12万 1.18 98.33
─────────────────────────────────────────────────
经销(销售模式) 12.21亿 65.02 4.08亿 66.19 33.45
直销(销售模式) 6.49亿 34.58 2.01亿 32.63 31.01
其他业务(销售模式) 742.54万 0.40 730.12万 1.18 98.33
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2025-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
功率器件(产品) 8.92亿 95.96 3.14亿 94.22 35.15
芯片(产品) 2377.70万 2.56 1152.78万 3.46 48.48
IC(产品) 1045.03万 1.12 439.51万 1.32 42.06
其他收入(产品) 333.05万 0.36 329.72万 0.99 99.00
─────────────────────────────────────────────────
国内销售(地区) 9.04亿 97.19 3.20亿 96.15 35.41
出口销售(地区) 2613.39万 2.81 1281.97万 3.85 49.05
─────────────────────────────────────────────────
线下销售(销售模式) 9.30亿 100.00 3.33亿 100.00 35.80
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2024-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
电子元器件(行业) 18.21亿 99.59 6.59亿 98.92 36.18
其他业务(行业) 757.70万 0.41 717.77万 1.08 94.73
─────────────────────────────────────────────────
功率器件等(产品) 17.63亿 96.42 6.39亿 95.99 36.26
芯片(产品) 5790.74万 3.17 1951.37万 2.93 33.70
其他业务(产品) 757.70万 0.41 717.77万 1.08 94.73
─────────────────────────────────────────────────
境内销售(地区) 17.80亿 97.36 6.39亿 95.91 35.88
境外销售(地区) 4063.20万 2.22 2003.79万 3.01 49.32
其他业务(地区) 757.70万 0.41 717.77万 1.08 94.73
─────────────────────────────────────────────────
经销(销售模式) 11.74亿 64.23 4.31亿 64.69 36.68
直销(销售模式) 6.46亿 35.35 2.28亿 34.24 35.27
其他业务(销售模式) 757.70万 0.41 717.77万 1.08 94.73
─────────────────────────────────────────────────
【3.前5名客户营业收入表】
截止日期:2025-12-31
前5大客户共销售5.41亿元，占营业收入的28.94%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│客户名称 │ 营收额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│合计 │ 54112.54│ 28.94│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【4.前5名供应商采购表】
截止日期:2025-12-31
前5大供应商共采购9.06亿元，占总采购额的72.15%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│供应商名称 │ 采购额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│华虹半导体（无锡）有限公司 │ 38177.64│ 30.40│
│上海华虹宏力半导体制造有限公司 │ 31568.93│ 25.13│
│合计 │ 90618.31│ 72.15│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【5.经营情况评述】
截止日期:2026-06-30
●发展回顾:
一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
1、主要业务
公司成立以来即专注于中高端IGBT、MOSFET、集成功率器件及模块的研发、设计及销售。公司凭借多年
技术积累及持续自主创新，在国内率先构建了IGBT、屏蔽栅MOSFET（SGTMOSFET）、超结MOSFET（SJMOSFET
）、沟槽型MOSFET（TrenchMOSFET）四大产品工艺平台，并已陆续推出车规级功率器件、SiCMOSFET、GaNHE
MT、功率模块、栅极驱动IC、电源管理IC、IPM智能功率模块、MCU等产品，可全面对标国际一线大厂主流产
品并实现大量替代。公司产品技术先进且系列齐全，目前产品型号4000余款，电压覆盖12V~1700V全系列，
重点应用领域包括新能源汽车及充电桩、光伏储能、AI服务器和数据中心、无人机、工控自动化、消费电子
、5G通讯、智能机器人、智能家居、安防、医疗设备、锂电保护等十余个长期被欧美日功率半导体垄断供应
的行业。
2、经营模式
公司的芯片产品主要由公司完成产品设计方案后，交由芯片代工企业进行生产；功率器件产品主要由公
司通过子公司以及委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试而成。公司全资子公司电基集成已建设先进封
测产线并持续扩充完善，目前已实现部分芯片自主封测并形成特色产品；子公司金兰半导体已建成先进功率
模块生产线，以满足光伏储能、汽车等重点应用领域客户的需求。
3、行业情况
（1）所处行业
公司主要供应高性能、高质量、高可靠性“硅基、化合物”半导体功率器件、集成电路及模块产品，根
据中华人民共和国国家统计局发布的《国民经济行业分类》（标准编号：GB/T4754-2017），公司所处行业
属于“计算机、通信和其他电子设备制造业（C39)”大类下“半导体分立器件制造（3972）”；根据证监会
《上市公司行业分类指引》（2012年修订），公司所处行业为“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”
。
功率半导体作为电子装置中实现电能转换与电路控制的核心元器件，主要承担功率转换、功率放大、功
率开关、线路保护、逆变（直流转交流）及整流（交流转直流）等关键功能。随着国家持续推进电能替代与
节能改造战略，各领域对高质量、高效率电能的需求持续提升。目前，全球范围内绝大部分电能需经功率半
导体器件处理后才能投入使用，且该比例有望进一步扩大，为功率半导体行业创造了广阔的市场空间。
自功率半导体诞生以来，历经数十年技术演进，行业围绕基材迭代、结构设计优化、先进封装技术及大
尺寸晶圆应用等方面持续创新。技术演进的主要方向为更高的功率密度、更小的器件体积、更低的功耗及损
耗，器件结构设计亦不断接近理想目标，以适应日益丰富的应用场景。据行业研究机构Yole数据显示，功率
半导体器件约每二十年进行一次产品迭代，相较于其他半导体品类，其迭代周期相对较长，每一代芯片产品
均拥有较长的生命周期，这为具备技术积累的企业提供了稳定的市场回报期。
发展至今，我国功率半导体行业已形成较好的国内产业链基础及相对成熟的技术体系。在中低端领域，
国产功率半导体产品已实现规模化生产及国产化替代，成功从依赖进口转向国内自给自足。然而，在中高端
领域，如SGT-MOSFET、SJ-MOSFET、IGBT及化合物半导体等方向，因国内起步相对较晚、设计门槛较高、工
艺复杂且缺乏充分的验证机会，国内厂商仍处于追随海外技术发展路线的发展阶段。
公司自成立以来，始终立足于全球功率半导体先进技术的前沿，致力于成为国内中高端功率半导体领域
的领先企业。公司专注于功率半导体器件的设计与市场推广，精准把握市场需求及供应节奏，与国际一流代
工厂保持长期紧密合作，在产品设计、工艺融合优化、产品规划及产能调配等方面形成了显著的竞争优势，
为公司在市场竞争中持续巩固领先地位奠定了坚实基础。
（2）市场规模分析
根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）最新预测，受益于人工智能应用及数据中心基础设施的强劲需求
，2025年全球半导体销售额同比增长26%，达到7,956亿美元；展望2026年，市场有望进一步增长23%，约9,7
50亿美元。从地区结构看，亚太地区作为全球半导体产业的重要引擎，2025年营收同比增长45.4%。
功率半导体作为半导体产业的重要分支，其市场规模在全球半导体行业中的占比保持在8%—10%的稳定
区间。由于其广泛应用于计算机、网络通信、消费电子、汽车电子、工业电子等基础电子产业，且受益于新
能源汽车与充电桩、AI数据中心、风光发电、储能、智能装备制造、机器人、5G通信等新兴应用领域的快速
发展，功率半导体市场呈现出快速增长态势。2026年，在电气化、AI基础设施和可再生能源的共同驱动下，
全球功率器件市场迎来爆发式增长。
由于统计口径差异，各研究机构对全球功率半导体市场规模的统计及预测存在差异。
从区域格局来看，亚太地区凭借其完整的制造产业链优势，占据全球功率半导体市场51.35%的份额，且
保持着6.74%的复合年增长率。中国作为全球最大的功率半导体消费国，贡献了全球约40%的功率半导体需求
，市场发展前景持续向好。伴随新能源、AI基础设施、高端工控等下游领域的加速渗透，国内功率半导体市
场有望保持高于全球平均的增速，为本土企业提供广阔的进口替代空间与发展机遇。
①按产品品类
功率半导体按器件集成度可以分为分立器件（含模块）、功率模块和功率IC三大类。其中，功率半导体
分立器件，按照器件结构划分，可分为二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT、SiC/GaN等，其中以M
OSFET、IGBT、SiCMOSFET为代表的功率器件需求旺盛。
②按应用领域
在新能源汽车与充电设施、AI算力服务器及数据中心、智能机器人、光伏储能、无人机、5G通信、物联
网及人工智能等新兴市场的驱动下，功率半导体行业的应用场景正持续向纵深拓展。与此同时，工业自动化
和消费电子等传统支柱产业亦稳步发展，为行业需求侧提供了坚实支撑。作为上述领域终端产品的核心元器
件，高性能功率器件的应用需求有望伴随技术迭代与产业升级而持续释放，为公司业务发展带来广阔的市场
空间与战略机遇。
2026年，全球AI算力基础设施建设进入全速扩容周期。算力密度持续攀升，单机柜耗电需求大幅抬升，
从电网输入端到处理器芯片，全链路电源变换与配电环节的性能门槛同步提高。受此驱动，全行业在整套供
电链路中不断追求更高功率密度与电源转换效率，为功率器件创造了广阔的市场空间，AI服务器及数据中心
正成为功率半导体市场增长最为迅猛的下游应用领域之一。据TechInsight测算，2025年全球AI服务器用分
立器件市场规模约23.82亿美元，预计2032年将接近87.89亿美元，未来六年复合年增长率为19.1%，其中202
5年全球AI服务器用MOSFET市场规模约10.08亿~10.37亿美元，预计2032年将增至46.65亿~46.77亿美元，202
6—2032年复合年增长率约22.0%~22.6%。
技术演进趋势方面，随着机柜功率密度跃升，数据中心供电架构加速向800V高压直流（HVDC）升级。短
期以独立电源机柜稳定电力，中长期将转向集中式高压直流配电与固态变压器技术（SST）。高压直流（HVD
C）市场方面，随着数据中心向高密度、高能耗方向发展，供配电系统正经历从传统交流向高压直流的深刻
变革，高压HVDC方案能够释放机柜空间、提升供电效率、节省铜材用量，成为新一代数据中心供电的更优解
。英伟达发布的800V直流供电白皮书指出，未来数据中心配电的最终方案将向中压整流器或固态变压器（SS
T）方案演进。固态变压器（SST）市场方面，作为下一代供电方案的核心，SST通过高频变换技术实现电压
转换，摒弃传统变压器的铁心与线圈结构，以IGBT、SiCMOSFET等功率半导体器件为核心，可实现10kV中压
交流直转直流输出，供电路径更短、效率更高。全链条变革持续助推高端功率半导体技术迭代，在硅基器件
持续优化的同时，碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带材料渗透率稳步提升。纳微半导体预测，随着80
0VHVDC架构逐步普及，至2030年全球SiC&GaN数据中心功率器件市场规模将达25.64亿美元。
同时，智能电源管理与数字化控制快速渗透，强化电源厂商在客户侧的黏性与定价权。从价值量分布看
，电源供应单元（PSU）和电压调节模块（VRM）目前约占AI服务器功率半导体需求的70%，是转换电网电力
并向GPU提供稳定电力的核心环节。
作为电能变换与电路控制的核心器件，公司的MOSFET、IGBT、SiC等功率半导体产品可广泛应用于AI服
务器及数据中心的电源供应单元、电压调节模块、HVDC系统及SST等关键环节。随着全球AI算力基础设施建
设的加速推进以及数据中心供电架构向高压直流化、智能化方向的持续升级，公司将持续紧跟技术前沿，深
化与头部服务器电源厂商及云服务提供商的合作，以高可靠性、高效率的功率器件助力AI数据中心绿色低碳
发展，积极把握该领域爆发式增长的历史机遇。
在汽车产业电动化、智能化、网联化深度融合的背景下，功率半导体作为电能转换与管理的核心器件，
正迎来前所未有的发展机遇。2025年，我国汽车产销量跃升至3,440万辆以上，同比增长9.4%，再创历史新
高。中国汽车工业协会预测，2026年汽车市场总销量有望达到3,475万辆，同比增长1%，其中乘用车销量3,0
25万辆，商用车销量450万辆。
新能源汽车持续引领产业转型。2025年，我国新能源汽车销量达1,649万辆，同比增长28.2%，新车渗透
率首次突破50%，达到50.8%。中汽协展望2026年，新能源汽车销量有望增至1,900万辆，同比增长15.2%，渗
透率进一步提升至54.7%。汽车出口方面，2025年出口达709.8万辆，继续保持全球首位；预计2026年出口将
达740万辆，同比增长4.3%。
汽车芯片需求呈现倍增态势。据中汽协统计，传统燃油车所需芯片数量为600至700颗，而电动车所需芯
片数量提升至1,600颗/辆，更高级的智能汽车对芯片的需求量有望提升至3,000颗/辆。功率半导体作为实现
电能转换的核心器件，新能源车功率器件单车价值约为传统燃油车的2至3倍。从汽车应用看，电机驱动、主
驱逆变器、DC/DC、OBC（车载充电器）及热管理等场景对高、中、低压硅基MOSFET、IGBT和SiCMOSFET需求
广泛。根据ICWISE预测，车用MOSFET在MOSFET领域的占比将持续提升，成为支撑行业发展的中坚力量。
充电桩基础设施同步快速发展。2025年，我国公共充电桩额定总功率达2.1亿千瓦，私人充电桩报装用
电容量达1.29亿千伏安，充电基础设施总功率约3亿千瓦。交通运输部持续推进公路服务区充电基础设施建
设，适合公路场景的“超快充、大功率”充电设施成为发展方向，对充电桩的功率密度、电能转换效率、工
作温度及可靠性提出更高要求。据QYResearch数据，全球充电桩用功率器件市场规模2025年为2亿美元，预
计2032年将达7.9亿美元，2026-2032年年复合增长率达22.0%。充电机作为充电桩核心部件，成本占比超50%
，而功率半导体是充电机的最核心组成部分，成本占比过半，为公司相关产品提供了广阔市场空间。
光伏储能：光伏逐步回暖、储能需求爆发
在全球能源转型战略深入推进的背景下，以光伏储能为代表的新能源产业迎来历史性发展机遇。我国能
源安全保障能力持续增强，绿色低碳转型步伐不断加快，为功率半导体市场开辟了广阔的增长空间。
光伏市场方面，根据中国光伏行业协会最新发布的数据，2026年全球新增光伏装机规模预计为500GW至6
67GW。尽管我国新增装机预计为180GW至240GW，较2025年有所回调，但“十五五”期间中国年均光伏新增装
机规模有望达到238GW至287GW，全球年均装机规模预计为725GW至870GW。这一阶段性调整主要受分布式管理
办法、上网电价市场化改革等新政策影响，市场短期存在观望情绪，但中长期增长趋势依然明确。逆变器出
口方面，据海关总署数据，2026年1-6月，我国光伏逆变器出口呈现“量减价增”态势，出口数量同比下降6
.5%，但出口金额同比大幅增长30%。区域结构持续优化，欧洲为最大市场，澳洲、中东、非洲、拉美等市场
表现突出，成为我国逆变器企业出海的重要增长极。
储能市场则呈现爆发式增长态势，增长动力已由过去的单一新能源消纳，转变为“AI算力基建+能源转
型刚需+电网阻塞”的三重驱动。从区域结构看，中国市场预计2026年装机达250GWh，同比+67%；美国市场
受益于AI数据中心需求，预计装机70GWh，同比+35%；欧洲市场装机预计51GWh，同比+55%；新兴市场表现尤
为亮眼，预计装机67GWh，同比+91%。行业供需关系显著改善，已由去库周期转入补库繁荣期。
IGBT器件及模块、MOSFET、SiC等功率器件作为光伏逆变器和储能变流器的核心部件，承担着功率变换
和能量传输的关键作用，直接决定系统性能、稳定性、发电效率及使用寿命，是光伏与储能系统的“心脏”
。其中，IGBT单管及模块占光伏逆变器价值量的15%至20%，不同应用场景对功率器件需求呈现差异化特征：
集中式光伏主要采用IGBT模块，分布式光伏则以IGBT单管或模块为主。随着光伏装机稳步增长、储能市场爆
发式扩容，功率半导体市场规模将同步扩张，公司作为产业链核心供应商将持续受益于下游高景气发展。
工控自动化：细分领域增长强劲
根据行业权威研究机构最新统计，全球功率半导体下游应用市场中，工业电子仍是占比最大的领域，市
场份额维持在36%左右。该领域应用场景广泛，涵盖电机驱动、机器人、轨道交通、工业电源、工程机械等
多个细分方向。2024年以来，随着全球制造业智能化转型加速，无人机、智能机器人、高端电动工具等细分
赛道迎来高速发展机遇。
低空经济领域，政策支持力度持续加大。2024年《无人驾驶航空器飞行管理暂行条例》正式施行，为行
业规范发展提供了法律保障；工业和信息化部、科学技术部、财政部、中国民用航空局联合印发的《通用航
空装备创新应用实施方案（2024-2030年）》明确了产业发展路线图。2026年政府工作报告进一步将低空经
济定位为"新兴支柱产业"，连续三年的政策升级彰显国家战略决心。据行业数据显示，2025年我国低空经济
市场规模已达1.5万亿元，预计2030年将突破2万亿元。无人机（消费级、工业级）、直升机和电动垂直起降
飞行器（eVTOL）等产品市场空间持续拓展。根据权威机构最新预测，2035年全球eVTOL市场规模预计将达到
50.8亿美元，2025-2035年复合增长率达12.3%。作为电能转换与电路控制的核心部件，低空应用场景对功率
半导体提出高能量密度、轻量化、高安全、超级快充等严苛要求。公司已与低空经济产业链相关客户建立合
作，MOSFET产品在无人机BMS、电驱等核心部件中批量应用，部分客户已实现规模化销售。公司将紧抓行业
发展机遇，持续提供高可靠性产品，深化与头部客户的战略合作。
智能机器人领域正以前所未有的速度重塑生产生活方式。我国智能机器人产业凭借政策支持、技术创新
和庞大市场需求，已跻身全球科技竞争前沿。根据国际数据公司（IDC）最新预测，2026年全球智能机器人
硬件市场规模将接近300亿美元，其中中国将引领全球具身智能机器人市场增长，届时中国市场规模有望突
破110亿美元。智能机器人正广泛应用于工业制造、医疗服务、家庭服务、特种作业等多个领域，从工业生
产线到家庭服务，从医疗手术到太空探索，应用场景持续丰富。随着智能机器人市场的快速崛起，公司已有
多款产品进入机器人应用领域，获得头部客户认可及批量订单。公司将紧跟客户需求，持续加强新品研发与
配套能力，推动该领域销售规模进一步提升，长期看好下游发展前景并积极布局。
在工业应用领域，功率半导体在变频器、工业电源、电机控制等设备中扮演核心角色，通过精确控制电
机速度和扭矩，实现节能降耗与性能优化。IGBT和MOSFET等功率器件的大规模应用，显著提升了工业设备的
能源使用效率和运行性能，为工业自动化和智能制造提供关键支撑。泛消费及其他市场稳步增长
功率半导体器件广泛应用于各类消费电子、电动两三轮车及智能家居产品中，涵盖电机驱动、电源适配
器、电源供应器及LED照明系统等核心环节，各品类家用电器均需依赖功率半导体实现电能的精准控制与转
换，在满足设备精细化用电需求的同时，显著提升能效水平、降低待机能耗。根据行业权威研究机构最新统
计，全球功率半导体下游应用市场中，消费电子占比19%，其庞大的市场规模构成了功率半导体产业的稳定
基本盘。
政策层面，国家持续加力支持消费品以旧换新。2026年国家发展改革委、财政部安排2,500亿元超长期
特别国债资金，深入实施大规模设备更新和消费品以旧换新政策。补贴范围从2024年的汽车报废更新和八大
类家电，扩大至2025年的12类家电产品，并新增手机、平板电脑、智能手表（手环）等数码产品及智能家居
设备。政策明确对个人消费者购买一级能效或水效的冰箱、洗衣机、电视、空调、电脑、热水器等家电产品
，按最终销售价格的15%给予补贴；对购买手机、平板、智能手表手环、智能眼镜等数码及智能产品，按售
价的15%给予补贴。各地也结合实际配套资金，进一步优化补贴发放机制，简化审核流程，加大了对农村地
区的倾斜力度。今年以来，县域农村换新提速明显，空调套装、壁挂式洗衣机等大家电销量同比增长超六倍
，部分偏远农村地区国补电视、空调、冰箱产品订单量同比大幅增长。
作为消费电子及智能家电电源管理、电机控制等模块的核心器件，公司的MOSFET、IGBT等功率半导体产
品广泛应用于电源适配器、变频家电、智能家居控制系统等领域。随着国家以旧换新政策的深入推进和农村
消费市场的持续激活，消费端对高效节能、智能化的产品需求不断提升，将为公司功率半导体业务带来稳定
的市场增量。公司将紧抓政策机遇，持续深化与家电及消费电子头部客户的合作，以高可靠性产品助力下游
产业绿色智能化升级。
全球电动两轮车市场方面，根据行业权威机构最新统计，2025年全球电动两轮车市场规模约为786亿美
元，预计到2035年将达到1,439亿美元，复合年增长率为6.4%。在区域结构上，亚太地区是全球最大的电动
两轮车市场，中国、印度等国家凭借庞大的两轮车保有量和政策支持，持续引领全球增长。中国市场作为全
球最大的电动两轮车及三轮车生产与消费市场，发展态势尤为突出。2025年，中国电动两轮车市场在"以旧
换新"政策和新国标切换的双重刺激下，生产规模达6,316万台，同比增长14.8%。新版《电动自行车安全技
术规范》的实施，推动行业向安全化、智能化、轻量化方向加速升级，铅酸电池车型占比显著提升，锂电池
则在高端市场持续突破。在电动载货三轮车细分领域，受益于电商快递物流迅猛发展，2025年中国市场规模
约211亿元，预计2030年将增长至232.2亿元，需求量有望达到838.4万辆。政策层面，国家持续推动新能源
汽车补贴政策向电动三轮车延伸，乡村振兴战略进一步激活农村市场，同时部分城市对燃油三轮车的限行政
策趋严，为电动三轮车带来结构性替代机遇。
作为电动两轮车及三轮车电机驱动系统、电池管理系统（BMS）、充电设施等核心部件的关键元器件，M
OSFET、IGBT、智能功率模块（IPM）等功率半导体产品广泛应用于整车控制器、直流转换器、充电器等环节
，承担着电能变换与精准控制的核心功能。随着新国标对车辆安全性能要求的提升以及消费者对智能化、长
续航需求的增长，电动两轮车及三轮车对高可靠性、高能量密度的功率半导体需求将持续释放。公司已与多
家头部整车企业形成合作，产品批量应用于电动两轮车及三轮车的电机控制器和BMS系统。公司将紧抓行业
绿色智能化转型机遇，持续以高性能功率器件助力下游客户产品升级，推动该领域销售规模稳步提升。
二、经营情况的讨论与分析
报告期内，公司共实现营业收入116,738.88万元，较去年同期增长了25.57%；利润总额26,823.69万元
，较去年同期增加了0.26%；归属于上市公司股东的净利润23,336.59万元，较去年同期下降了0.75%。
2026年第二季度，公司实现营业收入65,034.64万元，环比第一季度增长25.78%；利润总额15,976.67万
元，环比增长47.29%，实现归属于上市公司股东的净利润13,882.26万元，环比第一季度增长46.84%。
（一）市场营销
当前，功率半导体行业正经历一场由“AI算力+新能源”双轮驱动的深刻变革，迎来新一轮量价齐升的
景气周期。AI算力基础设施、新能源汽车及储能三大赛道景气度持续提升，无人机、机器人、工业自动化等
细分领域需求旺盛，得益于国产功率半导体高性价比、快速响应及本土化服务优势，客户积极导入本土方案
，国产替代进程持续加速。从供给端看，2025年起全产业链成本刚性上涨，成熟制程产能扩充存在周期约束
，AI相关产品对晶圆产能的挤占，导致原本分配给功率器件的产能更加紧张。供需两端共振，推动功率器件
产品交期从2025年一季度起逐步拉长，供需关系错配持续紧张。同时，行业库存前期已充分消化，渠道与终
端库存水位处于低位，库存结构持续优化，行业彻底走出此前周期性低谷，进入高质量发展的复苏新阶段。
2026年上半年，先后已有多家国内外功率半导体企业发布了涨价通知。
当前行业景气度持续向好、高端产品呈现结构性缺货，但市场竞争亦日趋激烈。国际头部厂商为巩固国
内市场地位，加速核心技术本土化落地，同时通过产品下沉、本土合作等方式深度布局国内市场；国内同业
方面，本轮缺货周期下原材料与制造成本显著上行，然而中低端产品领域同质化竞争加剧，行业价格竞争态
势仍存在，对行业整体盈利空间与长期发展质量形成一定挑战。
面对机遇与挑战并存的市场环境，公司坚定践行“技术驱动、市场导向”发展战略，积极应对行业变革
。内部持续构建以客户需求为核心的运营体系，高效响应客户的特殊化需求；外部全力开拓新兴市场蓝海，
挖掘优质新客户，持续优化市场布局。依托长期积累的核心技术优势、全场景丰富产品矩阵及高效产业链协
同能力，公司稳步推进产品结构、市场结构与客户结构的三重优化升级。
报告期内，凭借卓越的产品实力与综合服务能力，公司在战略新兴领域实现进一步发展：产品已成功通
过更多新能源汽车及充电桩、AI算力中心、机器人、高端无人机、光伏储能等赛道头部客户严苛认证，实现
量产销售并不断扩大规模，有力推动公司中高端功率半导体业务规模持续扩张。依托核心场景的稳定表现，
公司品牌认可度与核心竞争力进一步提升，差异化竞争壁垒持续夯实。
同时，公司全球化战略布局持续深化并取得扎实成效。作为海外市场拓展与技术服务的核心枢纽，新加
坡研发及销售中心稳定运营，实现海外客户服务覆盖度的不断提升，在海外客户开拓、技术响应及本地化支
持等方面已取得阶段性成果，海外业务落地能力持续增强。该中心既是公司深度融入全球半导体产业链、推
进全球化布局的关键支点；也是汇聚国际化人才与前沿技术资源、推动产品对标国际高端标准的创新平台；
更是精准服务海外客户、高效拓展全球市场的前沿阵地，为公司提升国际竞争力、扩大全球市场份额提供了
坚实支撑。
产品结构方面：
（1）SGT-MOSFET产品：核心产品在多高端赛道持续放量。SGT-MOSFET为公司综合竞争力最强、销售规
模最大、客户覆盖最广的核心产品平台。报告期内，SGT-MOSFET产品实现销售收入5.45亿元，占主营业务收
入比例为46.92%，比去年同期增长28.57%。公司第三代SGT-MOSFET产品已实现全系列市场化落地，产品性能
、可靠性处于行业先进水平，广泛适配汽车电子、AI算力中心、高端通讯电源、无人机、电摩电机控制、工
业电源、高功率密度电动工具等高端战略赛道，其中车载领域全面覆盖域控制器、油泵水泵控制器、智能辅
助驾驶系统等核心场景。报告期内，面对汽车电子市场需求的波动，公司紧抓功率半导体国产化替代机遇，
持续抢占外资厂商替代份额。同时，AI算力中心、无人机、高端储能、电动工具等下游新兴赛道需求持续高
增。公司强化销售、研发、生产全链条协同，快速响应客户定制化需求，提前布局产能备货，保障头部客户
稳定交付，产品订单维持稳健增长态势。依托持续的市场拓展与优质的产品交付能力，该产品持续稳居公司
第一大营收品类，核心产品壁垒进一步巩固。
（2）IGBT产品：光储赛道高景气爆发，应用版图持续拓宽。公司IGBT产品以光伏、储能市场为核心基
本盘，2026年上半年，受全球地缘冲突加剧、海外能源短缺、各国新能源政策加持影响，全球光伏储能行业
需求显著回暖、市场热度持续攀升，为公司IGBT业务发展提供了强劲的推动力。IGBT产品实现销售收入1.96
亿元，占主营业务收入比例为16.85%，比去年同期增长48.10%。公司持续深化与阳光电源、固德威、德业股
份、上能电气、科华数据等光伏储能领域头部企业的战略合作，合作深度与供货规模持续提升，产品在微型
逆变器、户用储能、工商业储能、便携储能等细分场景渗透率稳步提高。在此基础上，公司持续加大IGBT产
品在汽车电子、变频家电、工业伺服控制等领域的市场推广力度，不断丰富产品应用场景。目前公司第七代
IGBT产品已实现稳定批量供货，第八代IGBT产品顺利市场化销售，两代新品凭借优异的能效表现与稳定性，
获得工控、变频、伺服驱动领域客户的广泛认可，逐步形成规模化销售，为IGBT业务长期增长筑牢基础。
（3）SJ-MOSFET产品：应用场景主要覆盖家电、车载OBC充电机、新能源充电桩、微型逆变器、移动储
能、AI服务器电源、工业电源及消费电子等领域。报告期内SJ-MOSFET实现销售收入1.02亿元，占主营业务
收入比例为8.77%。公司紧抓结构性机遇，在AI服务器电源、高端工业电源、汽车电子等相对高附加值赛道
持续深耕拓展，客户导入与批量供货进度顺利推进，相关板块销售稳步上行，有效对冲传统板块需求疲软带
来的影响；加快第五代SJ-MOSFET新品落地推广，依靠能效、耐压等性能优势构筑差异化竞争力，缓解低价
内卷压力，稳固存量市场份额；车载业务层面，公司重心转向大电流规格产品布局，加大车载OBC、大功率
充电桩配套器件推广，持续优化产品营收结构，力争在激烈竞争环境中实现细分市场稳步突围。
（4）Trench-MOSFET产品：夯实成熟基本盘，行业景气上行打开增量空间。报告期内，Trench-MOSFET
产品实现销售收入2.75亿元，占主营业务收入比例为23.79%，比去年同期增长10.27%。Trench-MOSFET产品
是公司量产工艺最成熟、客户基础最稳固的产品平台，长期深耕智能家居、电动工具、消费电子、基础工业
控制等领域，同时持续向光伏储能、汽车电子等新兴领域渗透，多款产品已实现批量导入量产。公司持续优
化经营策略，灵活调整产品定价体系，稳固存量客户基本盘的同时积极挖掘新兴增量需求。公司紧抓市场窗
口期，充分盘活现有产能、优化生产排产，全力保障客户交付，持续扩大成熟产品市场规模，进一步提升细
分赛道市场占有率。
市场结构和客户结构方面：
2026年上半年，功率半导体行业呈现显著结构性分化特征。报告期内，公司坚持“深耕存量客户、拓展
增量市场”的经营主线，持续加大客户需求挖掘力度，加快潜在客户试样验证及导入量产的全流程推进，不
断优化市场响应机制，深化全链条客户服务能力，切实提升业务转化效率与客户粘性。
在市场布局方面，公司坚持国内市场为主体、海外市场为补充的双轮驱动策略。境内市场，持续巩固与
各细分领域头部企业的战略合作关系，紧抓国产替代提速机遇，稳步提升本土市场份额；境外市场，依托新
加坡子公司构建全球化运营枢纽，有序推进海外相关核心区域的业务布局，持续强化品牌影响力，稳步扩大
公司在全球功率半导体赛道中的市场占有率和竞争位势。
从具体结构来看：
汽车电子领域：2026年上半年，整车及车载供应链进入调整周期，公司依托完备的车规产品体系、稳定
可靠的交付品质，紧抓海外器件国产化替代窗口期，实现份额稳中有升，筑牢车载功率器件技术壁垒与竞争
优势。截至报告期末，公司累计车规级功率器件产品近400款，上半年整体出货量突破1.3亿颗，产品全面覆
盖车身控制、智能座舱、智能驾驶、动力总成、底盘系统五大车载核心场景，广泛适配车载OBC、DC-DC转换
器、线控底盘、PTC加热器等关键车载模块。凭借优异的产品性能与长期稳定的批量交付实力，公司深度绑
定比亚迪、联合电子、星驱、富特科技、伯特利、欣锐等国内主流车企与一线Tier1供应商，合作规模持续
扩容，行业领先地位进一步夯实。同时公司前瞻把握车载电压平台迭代趋势，技术落地节奏稳步推进：适配
48V车载系统的80V-200V功率MOSFET已实现大规模量产；面向下一代800V高压车载平台研发的
车规级SiCMOSFET正处于严苛产品验证阶段，未来有望成为公司车载业务全新增长曲线。
AI算力及通信领域：2026年上半年，全球AI算力需求持续迸发，高阶算力芯片、HBM、DrMOS需求旺盛，
拉动服务器算力供电系统（SST、AIDC、二次DC-DC电源等）需求快速扩容。公司精准把握市场布局AI算力与
通信电源赛道，自研SiCMOSFET、高速SGTMOSFET产品在可靠性、能效指标层面已比肩国际一线品牌水准。报
告期内，公司相关产品顺利导入包括E-Fuse、液冷在内的算力服务器细分应用，并逐步实现销售，未来有望
成为公司新的成长支撑点。
光伏储能领域：报告期内，全球油气供给端扰动持续，能源安全战略地位进一步凸显；叠加国内外新能
源政策利好频出，以及欧洲市场前期库存已基本去化完毕，光伏及储能行业迎来景气度上行周期，境内外装
机需求与储能配置需求均实现显著回暖。公司紧抓全球能源结构转型长期机遇，以IGBT、MOSFET等功率器件
为核心，精准匹配光伏、储能各类应用场景。报告期内，公司持续深化与阳光电源、德业股份、思格能源、
固德威等储能逆变器领域头部客户的战略合作，供应品类稳步拓宽，交付规模显著提升，客户合作黏性进一
步增强。同时，公司围绕光伏储能市场，系统布局功率模块PIM、大电流单管及SiC产品线，并针对微型逆变
器、阳台储能、户用储能及工商业光储系统等差异化细分场景，实施精细化市场渗透策略。受益于前瞻性产
品布局及下游客户的强劲采购需求，报告期内公司在该业务领域的销售规模实现较大幅度的同比增长，市场
竞争力持续巩固。
工业自动化领域：报告期内，公司工业自动化功率器件在无人机、电动工具、伺服变频、具身机器人四
大细分赛道收获亮眼增长。公司提前布局低空经济产业链优质客户，深度对接大疆等行业龙头，MOSFET产品
作为电能变换与电控核心元器件，大规模应用于无人机电池管理系统、储能充电舱、机载电机驱动等关键单
元。伴随具身机器人商业化落地提速、应用场景持续拓宽，公司多款功率器件顺利导入各类机器人关节驱动
电机、整机BMS系统核心环节，已批量配套宇树科技等头部客户。后续公司将紧随终端产品迭代需求，持续
研发适配机器人高动态工况的高性能功率产品，推动工控板块营收规模稳步上行。
（二）研发创新
2026年1-6月，公司实现研发投入5,638.37万元。2026年上半年公司（含子公司）新增授权专利13项，
其中发明专利8项、实用新型专利5项。截至目前，公司共有专利258项，其中发明专利135项（不含已到期专
利）。
SGTMOS平台：
（1）具有业界最小单位元胞尺寸（CellPitch）的N15V第五代SGTMOS已完成仿真设计，进入工程流片阶
段，目标市场为AI算力、大功率数据中心等。
（2）具有业界最小单位元胞尺寸（CellPitch）的N25V第三代SGTMOS平台动静态参数符合预期，进行可
靠性优化验证，目标市场为AI算力、大功率数据中心、PC电脑等。
（3）具有业界最小单位元胞尺寸（CellPitch）的N30V第三代SGTMOS平台实现量产，涉及大功率数据中
心、电机驱动、锂电保护、工控电源等领域，并且该平台在第三代半导体cascode合封应用领域实现批量交
付。该平台目前正在进行车规级考核验证。
（4）具有业界最小单位元胞尺寸（CellPitch）的N40V第三代SGTMOS产品已经全面进入量产阶段，涉及
行业有新能源汽车、大功率数据中心、工业电源、电机驱动等；在此基础上开发N40V第五代平台，进一步降
低品质因子FOM。
（5）N60V第三代SGTMOS平台Rsp相较上一代产品降低26%，首颗产品量产，开始平台衍生产品拓展工作
，同步开始车规级考核验证。
（6）N80V第三代SGTMOS平台和N100V第三代SGTMOS平台目前处于量产阶段，产品进入AI算力、新能源汽
车、机器人、光伏储能、工业电源等行业，且两个平台均在持续进行系列产品拓展。
（7）N80V第五代SGTMOS平台已完成初期工程批流片，基本功能达预期，正在进行工艺微调以保证足够
的工艺窗口，以最终固化工艺，目标市场AI算力、大功率数据中心、通信、高能效电源等领域。
（8）N100V第五代SGTMOS平台已完成仿真设计，目前处于工程开发阶段，目标市场AI算力、大功率数据
中心、机器人、通信、高能效电源等领域。
（9）N120V第三代SGTMOS平台首颗产品量产，开始平台衍生产品拓展工作，同步开始车规级考核验证，
目标市场新能源汽车、光伏储能、通信、高能效电源等领域。
（10）达到业界领先水平的超低特征导通电阻、高可靠性N150V第三代SGTMOS平台，器件核心综合性能
优值（FOM）较业界同规格最优竞品降低达25%以上，该平台产品已在新能源汽车、光伏储能、服务器电源、
植物照明、工控电源领域大批量使用。同时该平台已完成第二产线技术转移，进一步提升产能，以满足客户
端的持续需求。
（11）N200V、N250V第三代SGTMOS平台首个工程批已完成流片，基本功能均满足需求，目前正在调整工
艺，实现性能参数与工艺窗口折中最优化，以最终固化工艺条件。
（12）基于N250V第一代平台完成超快恢复平台开发，其动静态参数符合预期，反向恢复电荷Qrr相对上
一代产品降低86%，目前处于市场推广阶段。同时向下延伸开发150V、100V电压档位产品，搭建完备的超快
恢复器件产品矩阵，适配大功率电机控制器、车载充电机、新能源充电桩等高功率应用场景。
TrenchMOS平台：
（1）在8寸，P20~40V0.75&0.8umpitch工艺平台完成frozen&衍生系列产品。
（2）TTO结构的P60V~200V平台完成系列衍生产品，P250V~300V工艺平台确认设计优化方案、工艺条件
和材料片，layout中，待ETO和工程流片。
（3）完成用于穿戴设备的G2世代CSPN12V系列产品后道流程的固化及量产，更高电压系列CSP产品（N20
V、N30V），N20V已完成1st工程流片，封测评估中。
（4）G3世代CSP12V产品工艺平台后道工艺（超薄Si+超厚背面金属）基本frozen，优化成本的背面选择
性电镀厚金属的工艺完成评估，待后续frozen。
（5）宽SOA的用于大功率调速的N40V产品完成1st工程流片，封测中，待后续完成应用评测后确定工艺
条件。
（6）在12寸平台完成第六代（0.65umCellPitch）N30V产品平台工艺固化。
（7）N30V超短沟工艺优化：Rsp优化7%，工艺固化待衍生系列产品。
（8）带ESD的工艺平台基本frozen，N30V工艺流程基本frozen；已ETON20V，目前工程批流片中。
（9）开发N40&60V红磷衬底工艺平台进一步优化Rsp，工程流片中。
（10）0.9umN60V产品工艺平台基本固化：Rsp优化12%，待衍生系列产品。
（11）开发短路能力强的用于安全气囊控制的N40~60V产品平台&LFPAK封装，1stN60V工程批完成流片，
封测完成应用评测中。
（12）进一步丰富车规产品家族。
IGBT平台：
（1）第七代微沟槽高功率密度IGBT产品在2座12英寸晶圆厂和3座8英寸晶圆厂均已实现量产，产品平均
良率提升至98%左右，第七代IGBT产品目前在新能源汽车、光伏、储能、电能质量、OBC、充电桩、消费电子
等行业都已批量交付。
（2）基于1.2um工艺平台的第八代微沟槽高功率密度IGBT已经完成多轮工程流片，目前1200V产品已经
通过可靠性考核。
（3）第八代1400V/1200V/750VIGBT产品已经初步完成动静态参数优化，目前正在进行良率改善和产品
电流规格拓展。
（4）第八代1200VIGBT具有一类短路能力的产品系列已经初步完成工程流片，产品短路能力达到设计预
期，开始进行模块产品评估。
（5）第八代650VRCIGBT已经完成动态参数优化和可靠性考核，正在进行良率优化以及产品验证推广。
（6）基于第八代技术平台的1700VIGBT已经完成产品设计，正在进行首轮单芯片工程批流片验证。
（7）配合第八代IGBT产品的1700VFRD产品正在进行工程流片，流片完成后用于功率模块产品。
SJMOS平台：
（1）第四代600~650VSJMOS产品在fab2、fab7、fab9全面稳定量产，基于12寸工艺平台的第四代800V/9
00V深沟槽SJMOS平台产品已经通过可靠性考核和客户试用，正式进入量产阶段。第四代SJMOS产品已在汽车
电子、工业电源、消费电子、新能源等行业批量交付。
（2）第五代600~650VSJMOS平台基于7umpitch设计，使用优化工艺、材料规格，在12寸晶圆厂已经完成
多轮工程流片，目前产品参数已经达成设计目标，正在进行可靠性验证和应用测试；
（3）650V第五代7umpitchSJMOS特征导通电阻（Rsp）降低至0.80欧姆每平方毫米(Ω.mm2)，进一步提
升器件功率密度，可以在相同器件规格中使用更小的封装体积，并且进一步降低器件成本。目标市场主要是
对器件成本、体积和效率有要求的应用中，如大功率汽车OBC、铂金电源等。
（4）新一代200V~250V低压SJMOS产品已经完成首轮工程批流片，200V产品已经完成168小时可靠性考核
，正在进行良率改善和工艺窗口验证。
（5）新一代300VSJMOS产品已经完成首轮工程流片，产品特征导通电阻达到设计目标，正在进行可靠性
优化。
第三代半导体功率器件平台：
（1）公司第2~3代SiCMOSFET平台已全面进入量产，电压段覆盖650V/750V/900V/1200V/1700V平台，导
通电阻覆盖13mohm~1ohm，新增产品型号20余款，其中第三代SiCMOSFET可以实现0电压关断，有助于终端客
户简化电路设计，相关产品已通过车规级AEC-Q101可靠性考核，并已广泛应用于光伏逆变、储能、新能源汽
车充电桩、汽车OBC、工业可靠性设备、工业电源、工业自动化等领域。
（2）第4代SiCMOSFET产品平台完成工艺平台开发，电压段覆盖650V~2300V，目标市场包括SST、高压直
流断路器、光伏逆变、储能、新能源汽车、工业可靠性设备、工业电源、工业自动化、家用电器等领域，相
关产品处于工程验证阶段。
同时，公司还规划有和传统硅基IGBT/超结MOSFET驱动完全兼容的SiC产品，并启动第一代沟槽SiCMOSFE
T产品研发，相关产品处于工艺设计、产品设计阶段。
（3）已开发完成1200V和650VSiC二极管平台搭建，新增产品20余款，相关产品进入量产阶段，并批量
供货给多家行业龙头客户。
（4）SiC功率模块产品已通过客户测试，相关产品处于小批量阶段。
（5）100V/200VGaNHEMT产品开发中。
汽车电子平台：
（1）上半年持续丰富公司车规级产品矩阵，累计新增55款车规级产品，所有产品均顺利通过AEC-Q101
车规认证。其中40V电压平台新增20款产品，60V电压平台新增12款产品，100V~150V中高压平台新增14款产
品，P型40~60V电压平台新增9款产品。本次新增产品主要采用PDFN3*3、PDFN5*6、TOLT、TOLL等主流封装形
式，精准适配汽车电子零部件高功率密度、高散热效率的行业发展趋势与终端需求，有效完善了公司车规产
品布局，为产品后续规模化市场应用筑牢技术与产品基础。
（2）稳步推进车规产品原材料与生产环节国产化替代工作，针对晶圆衬底、外延、键合引线、引脚框
架、焊接材料等核心物料完成国产化适配开发。通过供应链国产化升级，有效规避外部供应链风险，全面保
障公司车规产品供应链自主安全，同时实现生产降本增效。其中，Cu键合工艺已顺利完成工程验证，后续将
加速推进小批量试制与产业化验证工作，进一步落地国产化替代方案。
（3）依托TrenchMOS晶圆核心技术平台，持续拓展车规级P型功率MOSFET产品家族版图。目前已有5款新
品完成全方位可靠性验证，现已进入客户DV认证阶段。该系列产品具备高性价比、宽安全工作区（SOA）的
核心优势，量产后可进一步丰富公司汽车功率器件产品体系，为车企及车载零部件客户提供差异化、高适配
的P型车规级产品解决方案。
（4）聚焦车载48V电气系统应用场景，针对性布局80V~150V电压段产品研发，其中100V，3mohmsToll封
装产品，成功导入国内头部Tier1厂商DCDC电源系统供应链，目前已实现大批量量产交付，市场落地成果显
著。
（三）生产运营
报告期内，公司生产运营工作紧密围绕年度经营目标有序开展。面对行业整体供给紧张，原材料、生产
成本持续上行的现状，运营部门一方面积极与供应商开展多轮商务洽谈与资源协调，全力争取更多产能配额
，建立常态化价格监控机制，实时跟踪市场原材料行情走势及供应商报价变动，主动联动合作供应商开展成
本复盘拆解，通过长期战略合作议价、批量集中下单、年度锁价合作等方式优化成本；另一方面构建多元化
供应链，持续拓展供应商资源渠道，加速推进芯片研发匹配，全力推动新项目落地量产，进一步扩充整体产
能储备，夯实供应链交付能力。同时，公司积极推进供应链国产化替代战略，全力配合封装材料国产化落地
推进工作，稳步推进封装供应链自主可控，降低进口材料依赖及供应链风险。
公司持续强化供应链统筹协调与产品成本管控能力，保障了公司供应链的稳定供应。公司在芯片代工、
封装测试等关键环节实现产销高效衔接与产能灵活调配，为后续深化合作及产能保障奠定了坚实基础。
报告期内，公司积极开拓芯片代工产能，8寸及12寸芯片回货量明显增长，其中FRD产品、SiCMOSFET产
品出货量实现大幅提升。与此同时，探索封装技术创新，开发了QDPAK、TSC5X7等高性能封装工艺支撑产品
竞争力提升；加强数字化转型，全面实现订单电子化，提高运营工作效率；在团队建设方面，公司注重提升
员工专业技能与综合素养，为高效运营和业务创新提供了坚实的人才保障。
（四）子公司建设
1、电基集成
公司全资子公司电基集成，专注为公司提供优质、稳定的封装与测试资源保障。
报告期内，受下游终端市场需求旺盛驱动，子公司核心封装产线持续保持满产运行状态，经营规模实现
持续提升。为抢抓市场发展机遇、保障订单交付能力，公司上半年重点针对TOLL、TO-247等市场需求量较大
的功率器件封装产品实施产能扩产改造。根据当前项目推进进度，预计下半年TOLL、TO-247产品产能将实现
约一倍增长，其余各扩产封装形式产能也将获得20%-50%的不同幅度提升，进一步夯实公司功率器件封装业
务的供给保障能力。
伴随公司IPM（智能功率模块）及SiC业务板块的快速放量，封装测试环节的产能瓶颈正逐步显现。为缓
解当前IPM及SiC封装工序的产能紧张态势，子公司电基集成将积极扩大相关产品的流片后道加工及规模化生
产规模，从而弥补现阶段产能短板，提升综合制造交付能力，为公司未来业务规模的持续增长提供坚实支撑
。
信息化建设方面，CIM二期、WMS四期、PMS系统相继完成验收并投入使用。其中，CIM系统整合生产管理
系统（MES）与设备自动化系统（EAP），PMS系统为预防性维护系统（PreventiveMaintenanceSystem），有
效提升公司生产运营智能化与精细化管理水平。作为区域内稀缺的同时斩获三大权威认证的高科技企业，电
基集成以“智能制造+云端赋能+物联网融合”的多维能力，形成差异化竞争优势。
2、金兰半导体
公司的控股子公司金兰功率半导体（无锡）有限公司，其主要致力于半导体功率模块的研发、设计、生
产与销售。随着新兴应用领域如汽车电子（含新能源）、5G基站电源、工业电源、新能源光伏及储能电源等
对功率模块产品的需求持续旺盛，金兰功率半导体的设立将进一步加大公司在相关下游领域的应用拓展，成
为公司发展道路上新的业绩增长点。
目前公司已建立一支完整的包括产品开发、工艺技术、设备维护的技术团队，该团队大部分成员有十几
年丰富的IGBT模块产品及工艺开发经验，也有很好的生产品质管理经验。完成建设第一条IGBT模块的封装测
试产线，生产线所选用的机器设备均为近两年世界上先进且技术成熟的封装测试设备，满产后可达到产能6
万个模块/月。
产品开发方面：（1）开发完成：基于650V和1200V电压平台，使用第七代微沟槽场截止技术的IGBT芯片
，完成了9个模块产品平台的开发，为L34、LE1、LE2、LE3、L62、LD3、LQ2、LN2、LN3，电路拓扑有半桥、
全桥6单元、PIM7单元、INPC、TNPC、ANPC等。以应用领域而分，在工业控制，完成开发了电流覆盖10A~800
A的101款产品；在光伏逆变、储能、风电领域，完成开发了电流100A~600A的43款产品；在电源应用和电网
自动化领域，完成开发了27款产品；在焊接应用领域，完成开发1200V电压平台上电流40A~300A系列产品15
款，其他领域包括SIC模块23款产品。
（2）正在开发：基于750V、1200V、1400V、1700V产品平台，使用第七代微沟槽场截止技术的IGBT芯片
和第三代SICMOS芯片，1款600A/750V储能模块：1款2毫欧1200V固态断路器SIC模块；基于升级的1400V产品
平台，使用第七代微沟槽场截止技术的IGBT芯片，3款10A50A75A应用于马达驱动；多款1700V平台产品应用
于风电、高压电机驱动、高压SVG、集中式储能；第三代SICMOS芯片，多款SIC模块正在开发，模块内阻从2
毫欧到5毫欧不等，应用于高频焊机、车载电源管理、固态变压器（SST）等应用。
公司已初步完成各应用领域的产品布局，接下来计划在原有产品平台上拓展产品，完善产品系列，同时
积极开发针对新应用领域的产品，如固态变压器（SST）、固态断路器应用领域等。
截止到2026年上半年公司申请了专利39项（其中10项为发明专利），已授权34项（发明5项）；通过了
“无锡市智能制造成熟度二级”、“科技型中小企业”、“江苏省星级上云企业”的认定。
3、国硅集成
公司的控股子公司国硅集成电路技术（无锡）有限公司，专注于智能功率集成电路芯片设计，具备自主
研发体系，掌握多项国内领先的核心技术，产品应用覆盖汽车电子、光伏及储能、数据中心、工业控制等领
域。自纳入公司合并报表范围以来，国硅持续加强研发体系建设与生产质量管控，已通过ISO9001质量管理
体系认证。在驱动芯片领域，国硅已形成从低压到高压、从分立驱动到智能模块的全覆盖产品布局。
低侧驱动系列：25V低侧驱动已量产50款，产品成熟度及出货规模持续提升。2026年上半年，公司新增3
5V耐压档产品17款，进一步拓展至SiCMOSFET驱动、光伏MPPT及家电PFC等应用场景，适配第三代半导体及新
能源需求增长趋势。
低压桥式驱动系列：40V桥式驱动已量产11款，主要应用于中小功率风机、中低压水泵及小型电机等领
域。
高压桥驱动系列：250V半桥驱动已量产55款，期内新增10款，覆盖智能短交通、电动工具等市场；700V
高压半桥驱动已量产58款，期内新增12款，面向储能及工业控制等高压应用场景。高压产品线的持续扩充，
契合储能、工控等领域对高耐压驱动的需求增长。
碳化硅智能功率模块（SiC-IPM）：该产品线于2025年布局，涵盖半桥IPM及三相桥IPM两种架构。报告
期内，SiC-IPM产品已在头部厂商及标杆风机客户实现量产交付，应用覆盖大家电、小家电、水泵、高压吊
扇、高速吹风筒等终端市场，商业化推进进展符合预期。量产应用情况：上述驱动芯片及功率模块产品已在
储能、工业控制、电池化成柜、智能短交通、电动工具等多个领域的头部客户实现大批量出货，产品验证及
客户导入持续推进。
2026年上半年，国硅通过高新技术企业复审，并获无锡市太湖湾科创带企业补助。知识产权方面，期内
新增授权知识产权5项（均为发明专利）。截至报告期末，国硅累计获得知识产权73项，其中专利25项（含
发明专利18项、实用新型7项），集成电路布图设计47件，软件著作权1件。
4、SingaporeErubyMicroelectronicsPte.,Ltd
功率半导体全球市场规模中，海外市场占比约60%，市场空间广阔。公司海外全资子公司SingaporeErub
yMicroelectronicsPte.,Ltd.已正式投入运营并高效运转，承载海外研发中心及全球销售中心两大核心功能
。该子公司的设立是公司深化全球化战略布局的重要举措，旨在借助新加坡作为国际人才与科技创新高地的
区位优势，推动功率半导体前沿技术的研发与突破。海外研发中心为公司的半导体功率器件提供底层原理性
技术创新和突破，作为公司在国内研发中心的海外拓展及前瞻项目布局，前瞻性的开发功率前沿技术，主要
产品包括高集成度智能化电机驱动IC芯片、高集成度电源管理IC芯片（含高压隔离型高集成度电源管理IC芯
片、高功率密度高集成度电源管理IC芯片），这两大平台产品与母公司现有市场、客户群体的需求高度吻合
，结合公司既有且在发展的分立器件、功率模块等产品，助力公司成为整体应用方案提供商。
在研发层面，子公司聚焦国际功率半导体领域最新技术趋势，致力于跟踪并掌握行业顶尖技术动态，同
时建立与全球领先企业的技术交流与合作机制，持续提升公司研发团队的技术素养与创新能力。报告期内，
公司组建了一支具备深厚智能功率IC及模拟集成电路研发经验的海外团队，有效增强了公司在高压高功率密
度集成领域的技术储备。基于该团队的研发能力，公司已顺利完成两款智能高边开关集成电路的设计工作。
样品已完成测试。设计更新工作正在进行中。该系列产品主要面向12V及24V汽车车身控制与配电系统，依托
海外代工厂的先进功率器件工艺平台，提供多种导通电阻选项，可满足不同负载场景下的应用需求。与此同
时，面向服务器电源、AC-DC电源及家用电器等领域的LLC及PFC控制器正处于研发阶段。该类产品可与公司S
iCMOSFET产品协同使用，实现更高开关频率、更大输出功率及更高功率密度，同时有效降低系统热损耗，助
力下游客户提升电源系统整体能效。未来，公司海外研发团队将持续聚焦AI数据中心、电动汽车等高端应用
领域的快速增长需求，依托国际化人才与技术资源，推动行业领先的集成化功率器件与电源控制芯片产品的
研发迭代，进一步完善公司产品生态，提升在高端市场的综合竞争力。
在经营及销售方面，公司海外全资子公司SingaporeErubyMicroelectronicsPte.Ltd.已正式投入运营并
保持有序运转，主要承担公司全球销售中心职能。报告期内，Eruby已组建一支具备多语言能力、熟悉当地
市场环境并拥有功率半导体专业知识的国际化销售团队，以新加坡为核心枢纽，统筹海外客户开发、渠道管
理、技术支持及区域业务拓展，持续加强对东南亚、印度、欧洲及北美等重点市场的客户覆盖与本地化服务
能力。市场拓展方面，Eruby重点推进东南亚经销商网络建设，并积极开拓印度等高潜力市场。其中，在印
度和越南市场，公司通过客户拜访、技术交流及项目跟进，深入了解客户应用需求，加快产品推荐、样品测
试及项目认证。同时，公司积极参与及支持越南当地展会和行业活动，集中展示新洁能、金兰半导体及国硅
集成产品组合，并通过展后客户筛选、持续跟进及技术支持，推动潜在需求向实际项目转化。代理商建设方
面，Eruby持续拓展重点市场的本地经销商，并通过定期项目检讨、联合客户拜访、产品培训及市场推广等
方式，深化与现有区域经销商的合作，提升其产品推广、客户服务及项目转化能力。同时，公司不断加强新
加坡销售中心、区域经销商与技术团队之间的协同，持续优化客户开发、项目管理、报价、送样及交付流程
，逐步完善区域销售与服务体系。
目前，Eruby已在光伏逆变与储能、电动汽车、工业电机驱动、数据中心UPS及服务器电源、电动自行车
等应用领域取得积极进展，部分相关产品已实现批量交付。海外市场拓展及渠道建设成效逐步显现，为公司
海外业务持续增长及全球化战略的深入推进奠定了良好基础。
（五）内部管理
报告期内，公司持续完善内部治理体系，不断健全内部控制制度与流程管理体系。通过强化内部培训与
企业文化建设，公司进一步整合优化各项制度流程，提升了组织协同效率与整体运营能力。同时，严格按照
资本市场规范要求，持续提升公司治理水平和合规运营能力，确保公司运作透明、规范、高效。在信息披露
方面，公司严格遵守相关法律法规，认真履行信息披露义务，确保信息披露的及时性、真实性、准确性和完
整性，保障投资者公平获取公司信息的权利。公司高度重视投资者关系管理，通过多元化沟通渠道加强与投
资者的互动交流，积极传递公司价值，树立了良好的资本市场形象。此外，公司在合法合规的前提下，聚焦
主业发展，稳步推进市值管理工作，致力于做优做强公司价值，并积极借力资本市场工具，推动公司实现高
质量、可持续发展。
（六）资本市场
2026年1-6月，公司紧紧围绕整体发展战略，持续关注并积极推进外延式发展机遇。投资方向重点聚焦
于功率半导体产业链上下游及相关领域，通过直接或间接方式，对国家战略性新兴产业中具备良好发展前景
与增长潜力的企业进行股权投资，稳步推进横向整合与纵向延伸。通过上述资源整合，公司充分发挥产业链
协同效应，进一步加深与核心客户的合作黏性，提升对下游市场的响应能力与理解深度，为新品精准开发及
快速市场化推广奠定了坚实基础。相关举措有效增强了公司的核心竞争力，有助于提升长期盈利能力，实现
经济效益与社会价值的协同增长。同时，公司积极通过产业投资拓展产品线布局，不断完善产业链生态体系
，加快产品集成化进程，为公司可持续发展注入新动能。
报告期内，公司参股投资了专注于高性能特色工艺功率器件及功率集成电路生产的高科技企业；以及掌
握GPU核心架构和软件驱动、专注于图形图像和AMOLED显示驱动解决方案的研发与应用的高新技术企业。相
关投资有利于公司产能开拓，构建从研发、制造到市场应用的全链条合作体系，夯实交付能力，完善产业链
布局。
（七）荣誉奖项截至目前，公司新增荣誉如下：
2025年中国半导体行业功率器件十强企业
江苏省“1650”产业体系“补短板”技术攻关项目
国家级专精特新小巨人复审
三、报告期内核心竞争力分析
1、研发实力优势
自成立以来，公司始终专注于半导体功率器件行业，具备独立的IGBT、MOSFET、SiCMOSFET、GaNHEMT芯
片设计能力和自主的工艺技术平台。截至目前，公司（含子公司）拥有258项专利（其中发明专利135项、美
国专利2项，不含已到期专利），集成电路布局图47项，软件著作权1项，相关发明专利数量和占比在国内半
导体功率器件行业内位居前列；公司拥有的专利与IGBT、MOSFET、功率模块以及先进工艺技术密切相关，对
公司核心技术形成了专利保护，对同行业竞争者和潜在竞争者均形成了较高的技术壁垒。此外，公司参与在
IEEETDMR等国际知名期刊中发表论文22篇，其中SCI收录论文15篇，持续提升公司自身在先进功率半导体领
域的整体技术水平，已实现对国际一流半导体功率器件企业在主流产品中的技术替代。
公司与科研院所在功率器件设计领域开展长期产学研合作，针对重点项目成立了技术攻关小组。公司持
续推进高端IGBT、MOSFET的研发和产业化，在已推出先进的超薄晶圆IGBT、超结MOSFET、屏蔽栅MOSFET产品
基础上，进一步对上述产品升级换代。公司率先在国内研发并量产基于12英寸芯片工艺平台的MOSFET产品，
实现基于12英寸芯片工艺平台的IGBT产品的大规模量产，并新增开发多款模块产品、基于RISC-V内核的MCU
及高集成度智能化功率IC产品以不断丰富产品品类；持续布局半导体功率器件最先进的技术领域，实现对Si
C/GaN宽禁带半导体功率器件及模块的研发与产业化，紧跟最先进的技术梯队，提升公司核心产品竞争力和
国内外市场地位。
2、产品系列优势
公司核心产品涵盖IGBT、屏蔽栅功率MOSFET（SGT-MOSFET）、超结功率MOSFET（SJMOSFET）、沟槽型功
率MOSFET（Trench-MOSFET）等半导体芯片及功率器件，构建了十二大核心产品平台。除上述四大成熟产品
线外，公司持续向高端化、集成化方向拓展，产品布局已延伸至车规级功率器件、SiCMOSFET、GaNHEMT、功
率模块、栅极驱动IC、电源管理IC、智能功率模块（IPM）及MCU等领域，可为下游客户提供多元化的系统解
决方案。
凭借深厚的技术积累与平台化开发能力，公司目前已形成覆盖12V至1700V电压范围、0.1A至450A电流范
围的多系列细分型号产品，是国内功率半导体行业中MOSFET产品系列最为齐全且技术领先的设计企业。在IG
BT领域，公司产品品类持续丰富，除广泛应用于光伏储能、新能源汽车及工业控制等领域的单管产品外，IG
BT模块产品已实现批量销售。在化合物半导体领域，公司SiCMOSFET部分产品已通过客户验证并实现批量销
售，GaNHEMT部分产品已完成开发并通过可靠性测试，为后续市场拓展奠定基础。
公司坚持“构建-衍生-升级”的良性发展模式，通过搭建主要产品工艺技术平台，持续衍生开发细分型
号产品，并推动工艺平台迭代升级。该模式有效支撑了细分型号产品的快速、“裂变式”生成，使公司能够
及时响应下游多领域客户的多样化需求，驱动经营规模持续增长。
在研发端，公司持续引进高端技术人才，新增开发多款将数字、模拟及功率半导体技术单芯片集成的电
机驱动IC与电源管理IC芯片，不断丰富产品品类。同时，公司加快数模混合产品的研发进程，积极布局智能
化和集成化发展方向。截至目前，公司已拥有4000余款细分型号产品，能够充分满足不同下游市场客户及同
一市场内不同客户的差异化应用需求。
3、产品品质优势
公司始终高度重视产品质量，构建了覆盖产品全生命周期的质量管控体系，确保产品性能优良、质量稳
定可靠、一致性强。公司已通过CNAS实验室认证、ISO9001:2015质量管理体系、IATF16949、AEC-Q100等汽
车行业质量管理体系认证，并严格按照相关标准开展研发、生产及供应链管理，保障各环节质量可控。
在供应链建设方面，公司建立了严格的供应商准入与动态评估机制，合作伙伴均为行业内技术领先、质
量可靠的知名企业。芯片代工环节，公司与华虹宏力等国内外领先的芯片代工厂保持长期紧密合作；封装测
试环节，公司与子公司电基集成及日月光（ASX.US）、长电科技（600584.SH）、捷敏电子等国内外优质封
测企业建立了稳定的合作关系。强劲且多元化的供应链体系为公司产品的品质保障与可靠交付奠定了坚实基
础。
凭借卓越的产品性能与可靠性，公司“绝缘栅双极型晶体管（IGBT）”“屏蔽栅沟槽型功率MOSFET”“
超结功率MOSFET”“沟槽型功率MOSFET”等多款产品被江苏省科学技术厅认定为高新技术产品，多款产品通
过AEC-Q101车规级可靠性认证。公司产品在功率半导体细分市场形成了显著的品质优势与差异化竞争力，持
续赢得下游头部客户的信赖与认可。
4、产业链协作优势
对于半导体功率器件研发设计企业而言，稳定高效的产业链协作能力是确保产品性能与交付质量的核心
要素。IGBT、MOSFET等功率器件因其结构设计与参数性能的复杂性，需在更为严苛的制造工艺平台下方可达
到最优状态。目前，上述产品主要依托8英寸及12英寸芯片工艺平台进行流片，并对封装测试环节的工艺水
平提出较高要求，通常需与具备先进封测技术的厂商协同完成。
公司在产业链协同方面形成了显著的先发优势与规模优势。截至目前，公司已成为国内8英寸及12英寸
工艺平台上IGBT与MOSFET芯片投片量最大的半导体功率器件设计企业之一。凭借长期的战略合作与深度互信
，公司与华虹宏力等主流芯片代工厂，以及日月新、长电科技等头部封测企业建立了共同发展的紧密合作关
系，为公司产能保障及工艺迭代提供了有力支撑。
在外部协同的基础上，公司持续强化自主制造能力布局。通过全资子公司电基集成，公司建设了先进的
封装测试生产线，致力于研发和量产国际一流同行已具备但国内尚缺的先进封装技术与产品，有效填补关键
环节的资源空白。同时，子公司金兰半导体已完成先进功率模块生产线的建设，进一步提升公司在模块级产
品领域的制造能力与响应速度。
上述产业链协同布局，使公司在产能保障、工艺适配、先进封装及模块集成等方面形成了较为突出的综
合竞争壁垒，为公司在中高端功率半导体市场的持续拓展奠定了坚实基础。
5、进口替代优势
我国半导体产品，尤其是中高端领域，仍较大程度依赖进口。作为国内领先的半导体功率器件设计企业
，公司通过多年自主研发积累与技术引进，在技术水平、生产工艺及产品质量等方面已具备与国际先进水平
接轨的能力。公司研发设计紧贴英飞凌等国际一线品牌技术路线，产品涵盖沟槽型场截止IGBT、屏蔽栅功率
MOSFET以及超结功率MOSFET等，已成为公司主力销售产品。其中，部分产品的关键参数及实际应用表现已达
到国际主流厂商同期或最新产品水平，在MOSFET、IGBT等中高端功率器件领域逐步实现国产替代，展现出显
著的进口替代优势与核心竞争力。
6、品牌和客户优势
公司始终将质量管控与客户价值置于战略核心，构建了迅捷的客户服务与反馈响应体系。该机制不仅能
精准对接客户动态需求，保障产品线的快速迭代，更使公司始终与市场趋势同频共振。
凭借领先的产品技术、多元的产品矩阵、卓越的产品品质以及专业的销售服务，公司业务已广泛渗透至
新能源汽车与充电桩、智能机器人、光伏储能、AI服务器与数据中心、无人机、高端工控等前沿领域。在下
游多个细分赛道，公司已与多家头部客户建立深度合作，并借助龙头客户的市场辐射效应，持续向行业内更
多企业拓展，市场份额稳步提升。
2024年度，世界半导体协会发布全球半导体企业综合竞争力百强榜单，公司成为唯一上榜的中国功率半
导体设计企业。这一荣誉不仅彰显了公司日益强大的品牌影响力，更是客户及行业对公司技术实力与服务质
量的高度认可。
7、人才优势
公司始终将人才作为创新发展的核心驱动力，致力于构建长期稳定、结构合理的人才梯队。通过持续的
培养与投入，现已打造出一支研发实力雄厚的技术团队和一支兼具市场洞察力与实战能力的销售团队。
以董事长朱袁正先生为核心的研发团队，是国内最早专注于8英寸及12英寸芯片工艺平台、开展MOSFET
与IGBT等先进功率器件研发的开拓者之一。团队在高端功率器件细分领域积淀深厚，具备领先的技术实力与
丰富的产品开发经验。公司销售团队则具备出色的市场拓展能力，不仅对产品性能与应用有深刻理解，能够
快速响应并解决客户现场问题，还承担起客户回款管理职责，保障公司现金流的健康与安全。
报告期内，公司把握全球半导体产业发展趋势，设立海外全资子公司，积极引进和培养高端功率集成电
路领域的专业人才。结合属地化激励机制，公司迅速组建起精干高效的海外团队，并建立与国际头部企业的
技术交流机制，推动国内外研发资源协同，持续提升团队整体技术水平。
在人才管理方面，公司不断健全激励与约束并重的长效机制。通过实施股权激励等多种方式，充分调动
核心人才的积极性与创造力，确保人才战略与公司长期发展目标高度一致，为公司战略落地和持续成长提供
坚实保障。
〖免责条款〗
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