经营分析☆ ◇605358 立昂微 更新日期：2025-06-14◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.前5名客户营业收入表】【4.前5名供应商采购表】
【5.经营情况评述】
【1.主营业务】
半导体硅片和半导体分立器件芯片的研发、生产和销售，以及半导体分立器件成品的生产和销售。
【2.主营构成分析】
截止日期:2024-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
半导体(行业) 30.63亿 99.07 2.61亿 96.56 8.52
其他业务(行业) 2889.85万 0.93 929.44万 3.44 32.16
─────────────────────────────────────────────────
半导体硅片(产品) 19.06亿 61.62 -3463.44万 -12.81 -1.82
半导体功率器件芯片(产品) 8.62亿 27.89 2.57亿 95.04 29.80
化合物半导体射频芯片(产品) 2.95亿 9.55 3873.89万 14.33 13.11
其他业务(产品) 2889.85万 0.93 929.44万 3.44 32.16
─────────────────────────────────────────────────
境内(地区) 28.66亿 92.69 2.57亿 95.00 8.96
境外(地区) 1.97亿 6.37 421.79万 1.56 2.14
其他业务(地区) 2889.85万 0.93 929.44万 3.44 32.16
─────────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 30.63亿 99.07 2.61亿 96.56 8.52
其他业务(销售模式) 2889.85万 0.93 929.44万 3.44 32.16
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2024-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
半导体硅片(产品) 8.71亿 59.69 927.00万 5.13 1.06
半导体功率器件芯片(产品) 4.48亿 30.72 1.40亿 77.64 31.28
化合物半导体射频芯片(产品) 1.28亿 8.80 2627.81万 14.55 20.47
其他业务(产品) 1145.44万 0.79 483.66万 2.68 42.22
─────────────────────────────────────────────────
内销(地区) 13.61亿 93.31 1.69亿 93.63 12.42
外销(地区) 8619.13万 5.91 667.14万 3.69 7.74
其他业务(地区) 1145.44万 0.79 483.66万 2.68 42.22
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2023-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
半导体(行业) 26.68亿 99.19 5.22亿 98.25 19.57
其他业务(行业) 2181.79万 0.81 931.52万 1.75 42.70
─────────────────────────────────────────────────
半导体硅片(产品) 15.01亿 55.82 1.16亿 21.81 7.72
半导体功率器件芯片(产品) 10.29亿 38.27 4.24亿 79.86 41.23
化合物半导体射频芯片(产品) 1.37亿 5.11 -1819.46万 -3.42 -13.25
其他(补充)(产品) 2181.78万 0.81 931.51万 1.75 42.69
─────────────────────────────────────────────────
境内(地区) 25.00亿 92.94 5.03亿 94.72 20.13
境外(地区) 1.68亿 6.25 1873.79万 3.53 11.15
其他业务(地区) 2181.79万 0.81 931.52万 1.75 42.70
─────────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 26.68亿 99.19 5.22亿 98.25 19.57
其他业务(销售模式) 2181.79万 0.81 931.52万 1.75 42.70
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2023-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
半导体硅片(产品) 7.55亿 56.28 1.26亿 34.54 16.74
半导体功率器件芯片(产品) 5.38亿 40.05 2.38亿 65.11 44.34
化合物半导体射频芯片(产品) 3844.68万 2.86 -392.67万 -1.07 -10.21
其他(补充)(产品) 1086.50万 0.81 518.79万 1.42 47.75
─────────────────────────────────────────────────
内销(地区) 12.57亿 93.68 3.49亿 95.34 27.76
外销(地区) 7397.92万 5.51 1186.08万 3.24 16.03
其他(补充)(地区) 1086.50万 0.81 518.79万 1.42 47.75
─────────────────────────────────────────────────
【3.前5名客户营业收入表】
截止日期:2024-12-31
前5大客户共销售11.97亿元，占营业收入的38.70%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│客户名称 │ 营收额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│客户一 │ 17432.13│ 5.64│
│合计 │ 119661.16│ 38.70│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【4.前5名供应商采购表】
截止日期:2024-12-31
前5大供应商共采购4.16亿元，占总采购额的21.70%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│供应商名称 │ 采购额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│供应商一 │ 8553.57│ 4.46│
│供应商二 │ 7239.90│ 3.78│
│合计 │ 41582.53│ 21.70│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【5.经营情况评述】
截止日期:2024-12-31
●发展回顾:
一、经营情况讨论与分析
2024年全球经济呈现“弱复苏、高波动、强分化”特征。亚太新兴市场依托制造业复苏保持中高速增长
，欧美发达经济体受高利率与能源转型阵痛制约增速放缓。叠加地缘政治冲突及产业链重构加速，全球半导
体市场面临复杂变局。在此环境下，公司经营也迎来多重挑战：需求变化导致产品价格承压，扩产转产推高
固定成本，叠加可转债利息及存货跌价计提，利润空间持续收窄。面对严峻形势，在公司董事会领导下，全
员攻坚克难，推动产能、技术、市场与良率实现显著提升，发展态势持续向好。
报告期内，公司实现营业收入309231.66万元，较上年同期增长14.97%,创出历史新高；剔除利息、折旧
摊销等因素的影响后，EBITDA（息税折旧摊销前利润）为63669.83万元，较上年同期下降26.56%；实现归属
于上市公司股东的净利润-26575.71万元，较上年同期下降504.18%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损
益的净利润-26595.86万元。
影响2024年度公司业绩下降的主要因素有：
1、产能扩张带来的成本压力。随着2023年扩产项目陆续转产，本报告期折旧摊销支出93907.26万元，
较上年同期增加20760.50万元，给公司带来了较大的成本压力；
2、产品降价导致毛利率大幅下降。为了适应行业周期波动，同时大力拓展市场份额，公司主要产品售
价相比2023年下降明显，叠加固定成本增加的影响，导致综合毛利率由2023年度的19.76%下降至2024年度的
8.74%，减少了11.02个百分点，毛利总额同比减少26097.75万元。
3、公允价值变动损失导致利润减少。2024年度公司持有的上市公司股票股价变动产生公允价值变动损
失2056.81万元（上年同期为公允价值变动收益1822.72万元）。
报告期内，经营活动产生的现金流量净额为81096.60万元，与上年同期的102679.73万元相比，减少215
83.13万元，降幅21.02%，主要系本期质押用于开具银行承兑汇票支付材料采购款的定期存款增加所致；投
资活动产生的现金净流出210773.48万元，与上年同期的186068.49万元相比，增加24704.99万元，增幅13.2
8%，主要系本期购建固定资产支付的现金相比上年同期增加所致；筹资活动产生的现金净流入110790.59万
元，较上年同期增加178316.93万元（上年同期为净流出67526.34万元），主要系公司本期银行长期借款增
加所致。
报告期末，公司总资产1932283.05万元，较期初增长5.73%；总负债1098906.70万元，较期初增长25.87
%；归属于上市公司股东的净资产733773.09万元，较期初下降7.96%。
报告期内，公司开展的经营工作主要情况如下：
1、产品矩阵迭代升级，出货营收双双突破历史峰值
公司秉持长期主义发展理念，坚持与国家战略同频共振，依托全产业链优势，凭借敏锐的市场洞察力、
完善的产品矩阵、深厚的技术积淀、多元化的工艺平台以及规模化生产能力，把握电子信息行业复苏及AI、
机器人、低空经济等新兴应用场景机遇，聚焦车载、工控、消费电子领域需求，深化BCD、CIS、超低阻半导
体硅片、FRD芯片、IGBT芯片、VCSEL芯片、pHEMT芯片等高附加值产品布局，通过产品创新驱动营收与出货
量创历史新高。
在半导体硅片领域，公司成功开发出高压IGBT器件用低氧高阻硅抛光片、超结MOSFET器件用硅外延片、
低压MOSFET器件用超低电阻率硅抛光片和硅外延片等8英寸及12英寸产品，并顺利导入Vishay（威世）、台
湾富鼎、重庆芯联、深圳润鹏等十余家海内外头部客户，加速拓展工业控制、汽车电子及消费电子等应用市
场。市场需求持续增长的同时，有力促进了相关产品的技术创新迭代。
在功率器件芯片领域，基于自主研发的600-1200VFRD芯片量产技术及高压沟槽肖特基二极管芯片设计技
术，公司成功推出车规级系列产品，实现从技术突破到规模化量产的重要跨越。产品凭借超低功耗和卓越性
能，在消费电子、工业控制、光伏逆变器及汽车电子四大领域实现快速渗透。特别是在新能源汽车市场，通
过与行业领军企业的战略合作，公司产品的市场竞争力和品牌价值获得显著提升。随着汽车产业电动化、智
能化转型加速，汽车电子业务已成为公司未来增长的关键引擎。
在化合物半导体射频芯片领域，公司聚焦5G通信、智能驾驶、机器人、低空经济产业，在二维可寻址大
功率激光器技术上取得重大突破，构建了从核心器件研发到终端应用的全链条技术体系。通过持续深化产学
研协同创新机制，公司关键技术攻关取得系列突破，与战略客户联合开发的产品已进入稳定放量期，为公司
在5G通信、智能驾驶、机器人、低空经济等黄金赛道建立差异化竞争优势提供了坚实支撑。
2、高强度研发显成效，三大板块同步实现里程碑突破
技术创新作为企业发展的战略引擎，是构建市场竞争壁垒的核心要素。公司始终以市场需求为导向，依
托技术创新平台实施精准攻关，通过突破关键工艺、加速高附加值产品研发，持续强化核心技术储备。2024
年，公司研发投入达2.9亿元，同比增长4%，占营业收入比例9.39%。研发团队规模持续扩大，截至2024年末
技术研发人员增至563人，较2023年净增29人，占员工总数的比例为16.14%，其中硕士及以上学历占比32%。
依托持续的研发投入与技术积累，公司稳步拓宽产品矩阵，深化下游行业应用，推进产品迭代升级。
在半导体硅片领域，成功开发14类具有差异化应用场景的新产品，具体包括：12英寸新产品93款，进入
量产的有72款；8英寸新产品95款，进入量产的有68款；6英寸新产品118款，进入量产的有106款。12英寸新
品销售额占同尺寸产品营收76%，8英寸新品销售额占同尺寸产品营收32%，6英寸新品销售额占同尺寸产品营
收20%。公司攻克逻辑芯片及存储芯片用12英寸硅片制造技术，突破12英寸P型轻掺单晶、12英寸闪存用单晶
工艺和动态内存用单晶工艺，同步推进8英寸重掺砷低阻产品及8英寸重掺磷超低阻单晶工艺升级，产品已进
入客户送样验证阶段。
在功率器件芯片领域，聚焦高频化、高压化趋势，为H公司等多家战略客户开发高频低损耗、高可靠性F
RD芯片系列产品，在新能源汽车与工业控制领域加速国产替代，自主研发的代工平台获得产业链主流厂商认
可，为工业通信设备及电源管理芯片的自主可控提供支撑。
在化合物半导体射频芯片领域，2DVCSEL产品凭借高精度、低功耗及车规级可靠性优势，切入智能驾驶
与机器人核心供应链，应用于车载激光雷达等场景；pHEMT产品以全频段覆盖、超低噪声及高频功率特性，
突破5G毫米波与卫星通信关键技术瓶颈。
截至2024年末，公司累计获得85项授权专利（其中38项发明专利），进一步夯实技术壁垒，巩固行业领
先地位。
3、射频技术强势突围，卡位低轨卫星和人工智能终端新蓝海
化合物半导体射频芯片业务在2024年实现战略转型升级：技术全面突破并加速下游应用落地，产能利用
率显著提升带动月出货量持续增长，同时把握国际国内市场需求变化，成功切入低轨卫星、低空经济、机器
人、智能驾驶及光通信等新兴领域供应链。公司构建了覆盖射频芯片与激光器芯片的量产代工平台，形成基
站射频前端、卫星通信收发芯片、车载激光雷达等全场景产品矩阵。GaN射频器件凭借高功率密度特性助力
客户设备小型化与能效升级，满足5G基站MassiveMIMO及低轨卫星终端等前沿需求。
在国内率先基于双异质结技术开发出首款InGaPDHBT工艺，其功率附加效率（PAE）与抗失配（Ruggedne
ss）性能达到国际先进水平。HBT工艺技术已量产9种差异化方案，其中LH05工艺以高线性特性适配基站/WiF
i场景，LH07工艺以高健壮性服务卫星通信，LH09工艺集成高增益与高线性优势，全面覆盖现有及下一代通
信系统需求。全球首发支持功率放大器（PA）、低噪声放大器（LNA）及开关（SW）的0.15μmE/D-modeGaAs
pHEMT多功能工艺，同时突破二维可寻址大功率VCSEL工艺技术，成为全球首家量产车规级激光雷达VCSEL芯
片的制造商，产品已应用于智能驾驶与机器人领域。宇航级射频芯片实现低轨卫星终端规模化交付。
公司开发的国内第一款6英寸0.45微米的碳化硅基氮化镓（GaNHEMT）工艺技术取得重要进展，技术指标
对标或超过竞品，6英寸0.25微米的GaNHEMT工艺技术也在加紧开发中。立昂东芯以高频高功率技术为核心驱
动力，依托全产业链掌控能力和国产化先发优势，通过持续研发迭代实现工艺节点突破，公司成长为国内先
进代工厂，打破海外厂商垄断格局，确立国产替代领军地位。
4、大客户战略实施成效显著，三大业务协同发展助力营收增长
2024年，立昂微以技术引领、产能保障、服务优化为三大支点深化大客户战略，推动三大业务板块协同
突破。通过构建"半导体硅片+功率器件芯片+射频芯片"全产业链闭环，实现从材料到终端产品的深度整合，
客户结构持续优化，战略客户合作深度与广度显著提升。在车载领域形成金瑞泓定制硅片、立昂微车规器件
芯片、立昂东芯激光雷达芯片的一站式解决方案，显著缩短客户产品开发周期并提升供应链效率。
半导体硅片业务实现12英寸轻掺硅片规模化量产，良率与品质对标国际水平，成功导入中芯国际、华虹
半导体等头部厂商供应链，12英寸硅片销量同比激增121.23%，在逻辑/存储芯片领域市场份额持续扩大。功
率器件芯片业务聚焦新能源与光伏赛道，市场份额稳居国内市场前茅，车规级FRD、IGBT产品通过比亚迪等
车企认证并稳定放量。射频芯片业务突破5G基站、卫星通信、智能手机核心技术，面向中兴等通信设备龙头
，助推5G基站射频国产化率突破60%；智能手机端三维异构集成芯片进入H公司的供应链，带动射频芯片营收
同比增长115.08%。射频芯片业务合作模式升级至联合研发与产能共建，在5G通信、新能源汽车等战略领域
形成深度绑定，持续巩固行业领军地位。
5、持续改进质量管理体系，不断提高质量保证能力
公司以质量创新为核心战略，依托半导体全产业链协同优势，构建卓越绩效管理、全流程质量追溯及数
字化实验室系统，实现产品良率与可靠性指标行业领先。在原材料管控、生产工艺优化、检测验证等环节实
施全链路精细化管理，为严格质控提供资源保障。通过建立供应商协同管理系统，有效整合供应链资源，推
动供应商技术交流与能力升级，确保原材料品质稳定可靠。
严苛质控体系助力公司实现客户审核100%通过率，成功切入多家新的头部企业供应链，荣获华润微、浙
江创芯、南通皋鑫颁发的“优秀供应商”奖，瑞能半导体、杭州道铭颁发的“最佳供应商”奖，吉顺芯微的
“最佳交付奖”、扬杰科技的“潜力协作伙伴”奖、士兰微的“战略合作供应商”奖等，赢得市场高度认可
，持续巩固行业领军地位。
6、产能规模持续扩大，为未来发展蓄力
2024年公司通过产能扩张形成战略储备，以产能蓄水池效应承接未来市场需求，构建市场壁垒。截至报
告期末，半导体硅片产能包括6英寸抛光片（含衬底片）60万片/月、8英寸抛光片（含衬底片）57万片/月、
12英寸抛光片（含衬底片）30万片/月，6-8英寸外延片82万片/月、12英寸外延片10万片/月；功率器件芯片
月产能达23.5万片（产品涵盖6英寸SBD、FRD、MOS、TVS、IGBT）；射频芯片年产能15万片（产品涵盖6英寸
InGaPHBT、GaAspHEMT、BiHEMT、VCSEL及碳化硅基氮化镓）。
7、强化成本控制，提升运营效率
2024年，面对原材料波动与市场竞争加剧的双重压力，公司深化“向管理要效益”战略，全面推进降本
增效与成本控制体系建设，取得显著成效。生产端推行精益管理架构革新，硅片事业部通过推行精益生产管
理建立标准化作业体系、新设成本管理部细化成本模型，关键工序效率提升明显。供应链端发挥集中采购优
势，通过国产替代、战略合作、竞价机制等组合策略，大幅降低原辅料采购成本，持续推行供应商库存管理
模式，有效减少原材料资金占用。能源管理方面，通过设备运行参数优化、循环系统升级及屋顶光伏发电、
废水处理装置改进等，实现综合能耗大幅降低，形成质量与成本的双重竞争优势。
8、深化战略布局，推动发展新韧性
积极响应国家战略部署，深度融入产业发展大局，以“国之大者”的使命担当，主动承接集成电路材料
领域链主企业任务。作为牵头单位组建浙江省先进半导体材料创新联合体，通过供应链协同、联合技术攻关
等模式，强化产业链上下游协作，持续提升资源整合效能与产业聚合能力，有力推动半导体设备及材料国产
化进程。2024年，公司以终端用户身份参与上游材料厂商赛迈科实施的等静压石墨研发项目，并加入由拓烯
科技牵头的晶圆载具关键材料创新联合体的研发工作。
立昂东芯与浙江金瑞泓分别取得高新技术企业认定，浙江金瑞泓和立昂微成功入选浙江省制造业单项冠
军培育企业，其中立昂微光伏用肖特基二极管产品由浙江省经信厅推荐申报国家制造业单项冠军。此外，公
司斩获杭州市数字经济百强、ESG公益示范企业等多项荣誉，浙江金瑞泓入选宁波市制造业百强企业名单，
立昂东芯获评杭州市钱塘区“雨燕企业”称号。
二、报告期内公司所处行业情况
世界半导体贸易统计协会（WSTS）发布的报告显示，2024年第四季度全球半导体市场为1709亿美元，同
比增长17%，较2024年第三季度环比增长3%。2024年全球半导体市场规模为6280亿美元，同比增长19.10%。
从细分行业来看，2024年的增长主要来自于内存和逻辑市场的推动，其他类别如分立器件、光电子器件、传
感器和模拟半导体市场出现下降。
2024年，全球半导体硅片市场在震荡中迎来曙光。尽管消费电子需求回暖与AI、电动汽车的爆发拉动了
计算芯片和功率芯片订单，但供需失衡、价格下行与地缘政治扰动仍为行业蒙上阴影。国际半导体产业协会
（SEMI）发布的半导体硅片行业2024年年终分析报告显示，半导体硅片需求开始从2023年的行业下行周期中
复苏，但由于部分细分领域的终端需求疲软，影响了硅片厂利用率和特定应用的硅片出货量，库存调整速度
较慢，全球半导体硅片出货量及营收双双减少，2024年全球半导体硅片出货量下降至122.66亿平方英寸，同
比下降2.67%，销售额下降至115亿美元，同比下降6.5%。
功率半导体器件作为电子电力核心功能元器件，主要应用在包括汽车电子、清洁能源、数据中心、AI服
务器、机器人、智能安防、工控自动化及消费电子等领域。在国家双碳战略和全球人工智能浪潮驱动下，市
场对能源转换效率、设备智能化水平的要求持续提升，进而推动市场对各类半导体功率器件需求持续增加。
Omdia数据显示，2023年全球功率半导体市场规模为503亿美元，预计2024年增至522亿美元，2027年将突破5
96亿美元。功率半导体作为能源转换的核心器件，其增长受益于新能源汽车、可再生能源及工业自动化需求
。中国作为全球最大消费国，2024年市场规模预计达206亿美元，占比约39%，凸显其在全球产业链中的关键
地位。这一优势源于新能源汽车、光伏发电及消费电子产业的快速发展，国内政策支持与本土企业技术突破
进一步强化了市场竞争力。根据中国光伏行业协会发布的有关数据，2024年，全球光伏新增装机预计达450-
480GW（IEA数据），同比增长超25%，中国、欧美及新兴市场贡献主要增量，其中中国全年装机超250GW，占
全球55%以上。中国汽车工业协会发布数据显示，我国汽车销量达到3143.60万辆，同比增长4.50%，连续16
年稳居全球第一，其中新能源汽车1286.60万辆，同比增长35.50%，新能源新车达到汽车新车总销量的40.9%
。同时中国跃升为全球最大汽车出口国，2024年出口量585.90万辆，其中新能源汽车占比超30%。在清洁能
源和新能源汽车应用中，光伏旁路肖特基二极管、光伏逆变器IGBT及并联的FRD、汽车功率模块IGBT及并联
的FRD，是核心的功率半导体器件，也是公司持续投入研发新技术、持续改善品质、扩大产能服务客户的重
点。
2024年，化合物半导体射频芯片市场呈现“需求扩张+国产替代”双轮驱动，得益于5G时代手机性能的
不断提升以及物联网设备数量的迅猛增长，这些因素共同推动了射频芯片市场的持续扩张。中国智能手机市
场2024年出货量约2.86亿台，同比增长5.6%，带动射频前端芯片需求；可穿戴设备、智能家居等对低功耗、
高集成度芯片需求旺盛，自动驾驶激光雷达、车联网推动射频芯片在汽车电子中的应用；机器人、低轨卫星
等新兴场景进一步拓展市场空间。
三、报告期内公司从事的业务情况
公司主营业务分为三大板块，分别是半导体硅片、半导体功率器件芯片、化合物半导体射频芯片。主要
产品包括6-12英寸半导体硅抛光片和硅外延片；6英寸SBD（肖特基二极管）芯片、6英寸FRD（快恢复二极管
）芯片、6英寸MOSFET（金属氧化层半导体场效晶体管）芯片、6英寸TVS（瞬态抑制二极管）芯片及6英寸IG
BT（绝缘栅双极型晶体管）芯片；6英寸GaAs（砷化镓）射频芯片、6英寸VCSEL（垂直共振腔表面发射激光
器）芯片等三大类。三大业务板块产品应用领域广泛，包括5G通信、汽车电子、光伏产业、消费电子、低轨
卫星、智能电网、医疗电子、人工智能、智能驾驶、物联网、机器人、光通信等终端应用领域。经过二十多
年的发展，公司已经成长为目前国内屈指可数的从硅片到芯片的一站式制造平台，形成了以盈利的小尺寸硅
片产品带动大尺寸硅片的研发和产业化，以成熟的半导体硅片业务、半导体功率器件芯片业务带动化合物半
导体射频芯片产业的经营模式，很好地兼顾了企业的盈利能力及未来的发展潜力，为公司的持续、快速发展
打下了坚实的基础。
1、半导体硅片业务
报告期内，虽然半导体硅片市场下滑，但公司依托技术突破及市场拓展实现逆势增长。公司12英寸硅片
已覆盖14nm以上技术节点逻辑电路和存储电路，以及客户所需技术节点的图像传感器件和功率器件。产品结
构持续优化，大尺寸硅片出货量快速增长，高附加值产品增加明显。公司继续发挥重掺外延片的技术优势，
6-8英寸外延片出货量占据国内市场前茅。公司半导体硅片业务拥有众多境内外知名客户，其中12英寸硅片
已经进入中芯国际、华虹半导体、重庆润西微电子、芯联集成、合肥晶合、粤芯半导体、上海积塔、士兰微
、青岛芯恩、重庆万国、北京燕东、格科半导体、杭州富芯、浙江创芯、上海集成电路研发中心、Onsemi、
Tower、日本东芝等客户的供应链。
报告期内，公司半导体硅片实现主营营业收入223850.45万元（含对立昂微母公司的销售33295.69万元
），相比上年同期增长24.91%。从销售数量来看，折合6英寸的销量为1512.78万片（含对立昂微母公司的销
售222.73万片），较上年同期增长53.68%，其中12英寸硅片销售110.30万片（折合6英寸为441.19万片），
较上年同期增长121.23%。
2、半导体功率器件芯片业务
报告期内，公司充分发挥自身产业链一体化的优势，以不断的技术创新与稳固的技术合作充分满足客户
的多样化需求，进一步丰富产品系列、优化产品结构、拓展优质客户，围绕光伏与车规两大产品门类，优先
扩大沟槽产品销售规模及占比，稳定提升FRD产品的产销占比，加快IGBT等产品的开发，从而确保了全年功
率器件芯片业务产销量再创历史新高。产品结构中，光伏控制用芯片中高附加值沟槽SBD占比超50%，电源管
理用芯片同比增长51%，FRD芯片销量增长超20%，并作为一级供应商进入H公司供应链。车规级芯片已批量供
应国内外知名汽车厂商，在公司半导体功率器件芯片营收占比进一步提升。功率器件芯片业务主要客户有：
H公司、比亚迪、台湾半导体、宏微科技、杭州道铭、南通皋鑫等。
报告期内，公司半导体功率器件芯片实现主营营业收入86245.27万元，相比上年同期下降16.20%。从销
售数量来看，销量为182.40万片，较上年同期增长6.30%。
3、化合物半导体射频芯片业务
射频芯片业务和技术已进入全球第一梯队，射频芯片产品进入低轨卫星终端客户并实现大规模出货；开
发了二维可寻址VCSEL工艺技术，成为行业内首家量产二维可寻址激光雷达VCSEL芯片的制造厂商。受益于产
品技术实现完全突破，射频芯片已基本覆盖国内主流手机芯片设计客户，国产替代加速；多规格、小批量、
多用途、高附加值的特殊用途产品持续放量。在客户总量、订单数、产能利用率、出货量、销售额等方面均
有大幅度增长，毛利率大幅转正。产品覆盖昂瑞微、唯捷创芯、慧智微、康希通信、瑞识科技、锐石创芯、
禾赛科技、速腾聚创、老鹰半导体等头部客户，并成功导入手机、汽车等终端供应链。
报告期内，公司化合物半导体射频芯片实现主营营业收入29541.78万元，相比上年同期增长115.08%。
从销售数量来看，销量为4万片，较上年同期增长123.04%。
四、报告期内核心竞争力分析
1、产业链上下游一体化优势
这是公司在行业内独一无二的优势所在。公司涵盖了包括硅单晶拉制、硅研磨片、硅抛光片、硅外延片
、功率器件芯片及化合物半导体射频芯片等半导体产业链上下游多个生产环节，贯通了从材料到芯片的全链
条技术。公司功率器件芯片制造材料来源于公司自产硅片，这有利于充分发挥产业链上下游整合的优势，使
公司能够从原材料端就开始进行质量控制与工艺优化，缩短研发验证周期，保障研发设计弹性，在保证盈利
水平的同时抵御短期供需冲击、提升业绩稳定性，利于公司稳健经营。
2、自主创新的技术优势
公司坚持立足于技术的自主创新，以市场为导向，与客户密切协同，确保研发与市场紧密结合，快速响
应市场需求，以此推动企业高质量发展。半导体硅片产线建立之初，其硅片生产技术即拥有完全独立的自主
知识产权，通过二十余年的技术攻关与经验积累掌握了包括超低阻重掺硅单晶、轻掺超低氧单晶等单晶生长
技术在内的一系列独有的硅片控制理论和成套工艺技术及技术诀窍，主持或参与制定了半导体硅材料行业的
多项国家标准，拥有数十项发明专利。公司12英寸硅片已覆盖14nm以上技术节点逻辑电路和存储电路，以及
客户所需技术节点的图像传感器件和功率器件。轻掺产品不断拓展客户群体，重掺产品和技术继续保持全球
领先优势。公司掌握的光伏和电源用沟槽及平面肖特基二极管芯片、车规级FRD芯片、IGBT芯片制造技术具
有国际先进水平。引进海外技术团队创建了射频集成电路制造技术省级重点企业研究院，通过吸收消化、创
造性地改进与突破，开发了具有国内领先水平的砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺技术、超高线性HBT技
术、二维可寻址VCSEL工艺技术等多项关键核心技术，成为行业内首家量产二维可寻址激光雷达VCSEL芯片的
制造厂商。创设了自有技术路径，实现了技术创新。
公司及子公司先后承担了包括国家02科技重大专项、国家发改委高技术示范工程、科技部863计划、工
信部集成电路研发专项等在内的十余项国家级重大科研项目，均已成功通过验收并实现了产业化。取得的科
技成果曾荣获国家技术发明二等奖、浙江省技术发明一等奖、浙江省科学技术一等奖、工信部信息产业重大
技术发明奖、中国半导体创新产品和技术奖等荣誉。截至2024年底，公司拥有85项授权专利，其中发明专利
38项，实用新型专利47项。公司强大的技术储备、丰富的研发经验确保了自主研发的连续性与有效性，为巩
固产业竞争优势、保持行业领先地位提供了强有力的技术支撑。
3、产业规模优势
二十余年的深耕细作，公司既拥有了从半导体硅片到半导体功率器件芯片的上下游产业链，还涉足了第
二代、第三代化合物半导体芯片生产线。硅片产品类型实现了从6英寸到12英寸、从轻掺到重掺、从N型到P
型等领域全覆盖，功率器件芯片产品类型包括了从平面到沟槽、从肖特基、MOSFET、TVS到FRD、IGBT等，化
合物半导体射频芯片产品包括了6英寸砷化镓微波射频芯片、VCSEL芯片等，而且各类产品都达到了较大的产
能，半导体硅片、功率器件芯片的产销量名列国内前茅，光伏用控制芯片占据了全球较高的市场份额。公司
产品种类丰富、层次较高且形成了较大的产销规模，规模效应十分明显。
4、专业人才聚集优势
半导体企业具有人才密集型特征，公司在前期发展中以自有人才的培养与使用为主，之后开始走引育并
举的人才集聚与使用之路，更好地推动公司快速、持续发展。公司技术研发人员总数达到563人，占员工总
人数比例为16.14%，专业涵盖材料科学、化学、物理、机械、自动化、机电一体化等众多相关学科，主要研
发人员具有在国内外知名半导体企业担任重要技术岗位的从业背景，基本形成了技术专家、技术骨干、技术
后备力量为主体的多层次技术梯队，在技术研发、工艺控制、良率提升、品质管理等方面具有丰富的经验，
具备较强的持续自主研发和创新能力，足以为公司的技术创新与管理变革提供强有力的人力资源保障。
5、市场竞争力优势
公司始终坚持高品质的标准，在技术上充分满足行业高端客户的要求，已经与众多头部优质企业建立了
长期稳定的供应链关系，在业界形成了较好的品牌效应与强大的市场竞争能力。产品长期
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