经营分析☆ ◇688012 中微公司 更新日期：2026-04-22◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.前5名客户营业收入表】【4.前5名供应商采购表】
【5.经营情况评述】
【1.主营业务】
高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售
【2.主营构成分析】
截止日期:2025-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
半导体设备收入(行业) 123.85亿 100.00 48.50亿 100.00 39.17
─────────────────────────────────────────────────
半导体设备相关产品(产品) 123.85亿 100.00 48.50亿 100.00 39.17
─────────────────────────────────────────────────
大陆地区(地区) 120.58亿 97.37 47.22亿 97.35 39.16
中国台湾地区(地区) 2.15亿 1.74 9806.09万 2.02 45.54
其他国家和地区(地区) 1.11亿 0.90 3051.96万 0.63 27.50
─────────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 123.85亿 100.00 48.50亿 100.00 39.17
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2024-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
半导体设备收入(行业) 90.65亿 100.00 37.22亿 100.00 41.06
─────────────────────────────────────────────────
专用设备(产品) 78.12亿 86.17 31.09亿 83.53 39.80
备品备件(产品) 11.64亿 12.84 5.61亿 15.06 48.18
其他(产品) 8954.77万 0.99 5220.73万 1.40 58.30
─────────────────────────────────────────────────
大陆地区(地区) 86.09亿 94.96 35.24亿 94.67 40.93
中国台湾地区(地区) 3.15亿 3.47 1.42亿 3.80 44.94
其他国家和地区(地区) 1.42亿 1.56 5696.55万 1.53 40.25
─────────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 90.65亿 100.00 37.22亿 100.00 41.06
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2023-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
半导体设备收入(行业) 62.64亿 100.00 28.70亿 100.00 45.83
─────────────────────────────────────────────────
专用设备(产品) 51.66亿 82.47 23.33亿 81.28 45.17
备品备件(产品) 9.71亿 15.51 4.69亿 16.34 48.30
其他(产品) 1.27亿 2.02 6806.44万 2.37 53.68
─────────────────────────────────────────────────
大陆地区(地区) 57.64亿 92.03 26.49亿 92.28 45.95
中国台湾地区(地区) 4.22亿 6.74 1.77亿 6.16 41.90
其他国家和地区(地区) 7722.81万 1.23 4462.52万 1.55 57.78
─────────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 62.64亿 100.00 28.70亿 100.00 45.83
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2022-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
半导体设备收入(行业) 47.40亿 100.00 21.68亿 100.00 45.74
─────────────────────────────────────────────────
专用设备(产品) 38.47亿 81.17 17.38亿 80.18 45.18
备品备件(产品) 8.35亿 17.62 3.91亿 18.06 46.88
服务收入(产品) 5743.46万 1.21 3818.18万 1.76 66.48
─────────────────────────────────────────────────
大陆地区(地区) 41.99亿 88.59 19.13亿 88.23 45.55
中国台湾地区(地区) 4.54亿 9.58 2.05亿 9.44 45.10
其他国家和地区(地区) 8677.66万 1.83 5046.30万 2.33 58.15
─────────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 47.40亿 100.00 21.68亿 100.00 45.74
─────────────────────────────────────────────────
【3.前5名客户营业收入表】
截止日期:2025-12-31
前5大客户共销售92.88亿元，占营业收入的75.00%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│客户名称 │ 营收额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│客户一 │ 495215.50│ 39.99│
│客户二 │ 238652.61│ 19.27│
│客户三 │ 88534.34│ 7.15│
│客户四 │ 63027.85│ 5.09│
│客户五 │ 43392.88│ 3.50│
│合计 │ 928823.18│ 75.00│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【4.前5名供应商采购表】
截止日期:2025-12-31
前5大供应商共采购24.09亿元，占总采购额的27.01%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│供应商名称 │ 采购额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│供应商一 │ 88862.36│ 9.96│
│供应商二 │ 44268.14│ 4.96│
│供应商三 │ 36980.87│ 4.15│
│供应商四 │ 35494.58│ 3.98│
│供应商五 │ 35338.84│ 3.96│
│合计 │ 240944.79│ 27.01│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【5.经营情况评述】
截止日期:2025-12-31
●发展回顾:
一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况说明
(一)主要业务、主要产品或服务情况
报告期内，公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。公司瞄准世界科技前沿
，基于在半导体设备制造产业多年积累的专业技术，涉足半导体集成电路制造、先进封装、LED外延片生产
、功率器件、MEMS制造以及其他微观工艺的高端设备领域。
中微公司开发的CCP高能等离子体和ICP低能等离子体刻蚀两大类、包括二十几种细分刻蚀设备已可以覆
盖大多数刻蚀的应用。中微公司的等离子体刻蚀设备已被广泛应用于国内和国际一线客户，从65纳米到3纳
米及更先进工艺的众多刻蚀应用。中微公司最近十年着重开发多种导体和半导体化学薄膜设备，如LPCVD、A
LD、EPI设备等，并取得了可喜的进步。中微公司开发的用于LED和功率器件外延片生产的MOCVD设备早已在
客户生产线上投入量产，并在全球氮化镓基LEDMOCVD设备市场占据领先地位。此外，中微公司已全面布局光
学和电子束量检测设备，并开发多种泛半导体微观加工设备。
公司主要为集成电路、LED外延片、功率器件、MEMS等半导体产品的制造企业提供刻蚀设备、薄膜沉积
设备、MOCVD设备及其他设备。
(二)主要经营模式
1、盈利模式
公司主要从事半导体设备的研发、生产和销售，通过向下游集成电路、LED外延片、先进封装、MEMS等
半导体产品的制造公司销售刻蚀设备、薄膜设备和MOCVD设备、提供配件及服务实现收入和利润。报告期内
，公司主营业务收入来源于半导体设备产品的销售，其他收入来源于设备相关配件销售及设备支持服务等。
2、研发模式
公司主要采取自主研发的模式。根据公司产品成熟度，公司的研发流程主要包括概念与可行性阶段、Al
pha阶段、Beta阶段、量产阶段。
公司按照刻蚀设备、薄膜设备、MOCVD设备等不同研发对象和项目产品，组成了相对独立的研发团队。
不同产品研发团队拥有各自独立的机械设计、工艺开发、产品管理和技术支持团队，而在电气工程、平台工
程、软件工程等方面则采用共享的方式进行研发支持。通过这种矩阵管理的方法，实现了人才、营运等资源
在不同的产品及技术服务之间灵活分配，实现共享经验知识，优化资源使用效率，使公司能够快速响应不断
变化的研发要求，进行持续的技术创新。
3、采购模式
为保证公司产品的质量和性能，公司制定了严格的供应商选择和审核制度。达到经营资质、研发和设计
能力、技术水平、质量管控能力、生产能力、产品价格、交货周期及付款周期等众多标准要求的供应商，才
可以被考虑纳入公司合格供应商名录，并定期审核。目前，公司已经与全球众多供应商建立了长期、稳定的
合作关系。
4、生产模式
公司主要采用以销定产的生产模式，实行订单式生产为主，结合少量库存式生产为辅的生产方式。订单
式生产是指公司在与客户签订订单后，根据订单情况进行定制化设计及生产制造，以应对客户的差异化需求
。库存式生产是指公司对设备通用组件或成批量出货设备常用组件根据内部需求及生产计划进行预生产，主
要为快速响应交期及平衡产能。
5、营销及销售模式
公司采取直销为主的销售模式，因欧洲市场的客户较为分散，公司在该区域通过代理商模式进行销售。
公司设有全球业务部负责公司所有产品的销售管理，下设中国大陆、中国台湾、韩国、日本、新加坡、美国
等国家或地区的销售和支持部门。
(三)所处行业情况
1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
半导体设备行业是一个全球化程度较高的行业，受经济形势、半导体市场、终端消费市场需求等影响，
其发展呈现一定的周期性波动。当宏观经济和终端消费市场需求变化较大时，客户会调整其资本性支出规模
和对设备的采购计划，从而对公司的营业收入和盈利产生影响。
全球集成电路和以LED为代表的光电子器件的销售额合计占所有半导体产品销售额的90%以上，是半导体
产品最重要的组成部分。公司所处的细分行业为半导体设备行业中的刻蚀设备行业、薄膜设备行业和LED设
备行业中的MOCVD设备行业。
1、刻蚀和薄膜设备
集成电路设备包括晶圆制造设备、封装设备和测试设备等，晶圆制造设备的市场规模约占集成电路设备
整体市场规模的80%。
晶圆制造设备可以分为刻蚀、薄膜沉积、光刻、量检测、离子掺杂等品类，其中刻蚀设备、薄膜沉积设
备、光刻设备是集成电路前道生产工艺中制程步骤数量庞大，工艺开发颇具挑战性的三类核心设备。根据Ga
rtner历年统计，全球刻蚀设备、薄膜沉积设备分别占晶圆制造设备价值量约22%和23%。
随着集成电路芯片制造工艺的进步，线宽关键尺寸不断缩小、芯片结构3D化，晶圆制造向3纳米以及更
先进的工艺发展。由于目前先进工艺芯片加工使用的光刻机受到波长限制，14纳米及以下的逻辑器件微观结
构的加工多通过等离子体刻蚀和薄膜沉积的工艺组合——多重模板工艺来实现，使得刻蚀等相关设备的加工
步骤增多。由于存储器技术由二维转向三维架构，随着堆叠层数的增加，刻蚀设备和薄膜沉积设备越来越成
为关键核心的设备。
2、MOCVD设备
MOCVD设备广泛应用于包括光学器件、功率器件等多种薄膜材料的制备，是目前化合物半导体材料外延
的核心装备。MOCVD设备既能实现高难及复杂的化合物半导体材料生长，又能满足产业化对高效产出的需求
，在化合物半导体芯片产业链中有着举足轻重的作用。
随着化合物半导体材料应用领域的不断拓展，MOCVD设备除用于制造通用照明和背光显示的LED，还可制
造应用于高端显示的Mini-LED和Micro-LED、用于杀菌消毒和空气净化的紫外LED、应用于电力电子的功率器
件等。随着这些新兴领域的不断出现，预计MOCVD设备的市场有望进一步扩大。
过去几年，LED外延芯片公司扩产的主要方向为蓝绿光外延片，下游应用也主要集中在照明市场。在Min
i-LED背光及直接显示技术逐渐成熟，生产成本逐渐降低的推动下，近两年高端显示类的LED外延片需求量明
显增加，并逐渐从商业显示向个人消费领域渗透。2025年，RGBMini-LED背光电视正在成为高端电视中的新
生力量，加速了除传统蓝绿光Mini-LED外，红光Mini-LED的新增市场需求。Micro-LED显示技术也越来越受
到业内关注，基于单色Micro-LED显示的AR眼镜已经实现了全面量产，基于Micro-LED的高端显示产品也开始
实现小规模试生产，预计在未来几年将会有更多的新兴产品出现。总体上，LED外延片产品需求从单一的蓝
光扩展到红绿蓝三色，外延材料增加了对砷化镓基红光外延片的需求。
此外，随着消费电子、电动汽车、智能驾驶、数据中心、新能源发电与储能等应用爆发式增长，带动功
率半导体市场迎来高景气周期，尤其是氮化镓和碳化硅为代表的第三代半导体是近些年的行业热点。据Yole
公司报告，氮化镓功率器件主要应用在高频中小电压范围，预计市场规模将从2024年的3.6亿美金快速增长
到2030年超过29亿美金，复合年均增长率达42%。因此，面向氮化镓功率器件的外延设备的需求具有很大的
增长空间。
2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
目前半导体设备市场主要由欧美、日本等国家的企业所占据。近年来我国半导体设备行业整体水平不断
提高。
在刻蚀设备方面，全球刻蚀设备市场呈现垄断格局，海外少数几家公司占据主要市场份额；公司刻蚀设
备已应用于全球先进的3纳米及以下集成电路加工制造生产线。在海外先进的3纳米芯片生产线及下一代更先
进的生产线上，公司的CCP刻蚀设备均实现了批量销售。公司的ICP双台机PrimoTwin-Star，反应台之间刻蚀
速度控制的最好精度已达到每分钟0.2A（0.02纳米，即20皮米），这一刻蚀精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅
等薄膜的刻蚀工艺上，均得到了验证。该精度约等于硅原子直径2.5埃的十分之一，是人类头发丝平均直径
的350万到500万分之一。受益于公司完整的单台和双台刻蚀设备布局、核心技术持续突破、产品升级快速迭
代、刻蚀应用覆盖丰富等优势，2025年公司CCP和ICP刻蚀设备的销售增长和在国内主要客户芯片生产线上市
占率不断提升。
公司近两年新开发的LPCVD薄膜设备和ALD薄膜设备，目前已有多款新型设备产品进入市场并获得重复性
订单。其中，薄膜设备累计出货量已突破300个反应台，其他二十多种导体薄膜沉积设备也将陆续进入市场
，能够覆盖全部类别的先进金属应用；公司硅和锗硅外延EPI设备已顺利运付客户端进行量产验证，并且获
得客户高度认可。
在MOCVD领域，用于氮化镓基LED外延生产的设备已在行业领先客户生产线上大规模投入量产，自2017年
起已经成为氮化镓基LED市场份额最大的MOCVD设备供应商，牢牢占据行业内的领先地位。公司在Micro-LED
和高端显示领域的MOCVD设备开发上取得了良好进展，2025年已完成行业头部Micro-LED外延公司的量产验证
。公司正积极布局用于氮化镓基功率器件领域，新型MOCVD设备目前已发往下游客户进行量产验证，为GaN功
率器件外延设备的国产化做好充分准备。另外，AsP材料专用的MOCVD设备正在根据应用需求定制开发中，其
中，面向红光LED和Mini-LED的AsP材料专用设备也已发往显示头部IDM公司进行量产验证，其他应用包括红
光Micro-LED、光电子材料外延等也正在逐步推进中。
随着微观器件越做越小，量检测设备也成为了更关键的设备，为占总设备市场约13%的第四大设备门类
。根据QYResearch调研数据，2024年全球量检测设备市场规模为120.8亿美元，预计2025-2031年复合年增长
率（CAGR）将达4.9%，2031年有望增至168.3亿美元。公司通过投资和成立子公司，全面布局了量检测设备
板块，子公司超微公司引入多名国际顶尖的电子束量检测设备领域专家和领军人才，均拥有10年以上电子束
设备研发与产品商业化经验，已规划覆盖多种量检测设备产品。
同时，公司拟通过发行股份及支付现金购买资产并募集配套资金的方式购买杭州众硅电子科技有限公司
控股权实现从“干法”向“干法+湿法”整体解决方案的关键跨越。这一整合不仅填补了上市公司在湿法设
备领域的空白，更显著提升了公司在先进制程中为客户提供系统级整体解决方案的能力。
3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
随着芯片制程的不断提升，在每一代芯片新技术上，晶体管体积都在不断缩小，同时芯片性能不断提升
，先进的芯片中已有超过100亿个晶体管。随着工艺的提升，先进芯片从平面结构过渡到复杂的三维架构。
随着晶体管结构的复杂度不断提升，各种半导体设备技术的创新和突破起到决定性作用，对于刻蚀和薄膜沉
积技术提出了更高的要求。
1、等离子刻蚀技术水平发展状况及未来发展趋势
刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀。湿法刻蚀各向异性较差，侧壁容易产生横向刻蚀造成刻蚀偏差，通
常用于工艺尺寸较大的应用，或用于干法刻蚀后清洗残留物等。等离子体干法刻蚀是目前主流的刻蚀技术。
根据产生等离子体方法的不同，干法刻蚀主要分为电容性等离子体刻蚀和电感性等离子体刻蚀；根据被
刻蚀材料类型的不同，干法刻蚀主要是刻蚀介质材料、硅材料和金属材料。电容性等离子体刻蚀主要是以高
能离子在较硬的介质材料上，刻蚀高深宽比的深孔、沟槽等微观结构；而电感性等离子体刻蚀主要是以较低
的离子能量和极均匀的离子浓度刻蚀较软的或较薄的材料。这两种刻蚀设备涵盖了主要的刻蚀应用。
随着国际上先进芯片制程从3纳米阶段向更先进工艺的方向发展，当前光刻机受光波长的限制，需要结
合刻蚀和薄膜设备，采用多重模板工艺，利用刻蚀工艺实现更小的尺寸，使得刻蚀技术及相关设备的重要性
进一步提升。
芯片线宽的缩小及多重模板工艺等新制造工艺的采用，对刻蚀技术的精确度和重复性要求更高。刻蚀技
术需要在刻蚀速率、各向异性、刻蚀偏差、选择比、深宽比、均匀性、残留物、等离子体引起的敏感器件损
伤、颗粒沾污等指标上满足更高的要求，刻蚀设备随之更新进步。
集成电路2D存储器件的线宽已接近物理极限，NAND闪存已进入3D时代。目前200层以上3DNAND闪存已进
入大生产，更高层数正在开发。3DNAND制造工艺中，增加集成度的主要方法不再是缩小单层上线宽而是增加
堆叠的层数。刻蚀要在氧化硅和氮化硅的叠层结构上，加工40：1到60：1甚至更高的极深孔或极深的沟槽。
3DNAND层数的增加要求刻蚀技术实现更高的深宽比，并且对刻蚀设备的需求比例进一步加大。
2、金属化学气相沉积薄膜设备在中前端金属化工艺中的发展状况与未来发展趋势
从上个世纪末开始，主流的半导体工艺节点开始采用钨作为接触孔材料，以减少纯铝连接对前端器件的
损伤，到如今钨依然是接触孔工艺的主流方案。伴随着技术节点的推进，器件外阻逐渐超过内阻，成为影响
器件速率的关键因素，同时器件密度的提高使得原本的单层接触孔结构向多层接触孔演变。在先进的节点，
钨接触孔是目前最有竞争力的解决方案之一。
CVD钨制程需要良好的附着和阻挡层，一般是用附着性、稳定性以及阻挡性都非常优秀的氮化钛材料。
在传统工艺中，关键尺寸比较大，填充难度不高，业界都是用物理气相沉积的方法来沉积氮化钛。如今主流
的逻辑和存储芯片接触孔或者连线的关键尺寸很小，深宽比很高，传统的物理气相沉积氮化钛由于较低的阶
梯覆盖率，不能够满足高端器件的需求。原子层沉积的氮化钛具有优秀的阶梯覆盖率，逐渐成为接触孔阻挡
层和粘结层的主要选择。
随着3DNAND堆叠层数增加，阶梯接触孔的深宽比会达到40：1到60：1以上，这对氮化钛阻挡层的生长和
极高深宽比的钨填充都提出了更高的要求，堆叠层数的提高还需要更具挑战性的WL线路填充，包括更高的深
宽比和更长的横向填充。
同时，先进逻辑器件工艺节点向3纳米及更先进工艺方向发展，器件互联电阻逐渐增大成为影响器件速
度的关键因素。在90纳米到28纳米的传统工艺节点中，降低接触孔电阻的关键是降低钨膜的电阻率。但是在
14纳米及更先进工艺节点，金属阻挡层、金属形核层对接触孔阻值的影响越来越明显，如何减少或者消除阻
挡层和形核层的电阻是降低接触孔电阻的关键。钴、钼、钌等金属的应用以及无阻挡层的工艺也在更先进工
艺节点上开发和应用。
随着逻辑器件制程的进步，栅极作为逻辑器件中的重要组成部分，其类型逐渐由多晶硅栅极向金属栅极
发展，进而大大地提高了器件的性能。从28nm技术节点开始，金属栅极成为了先进逻辑器件的重要基础，并
且一直沿用至今。先进逻辑器件,尤其是采用鳍式场效应晶体管之后，对金属栅薄膜均匀性，污染物控制，
稳定性，功函数调节和台阶覆盖率都提出了更高的要求，从而提高器件的性能和稳定性。
以上在先进逻辑和存储器件中的新工艺都要通过先进的金属CVD或ALD来实现。
3、MOCVD设备行业在新技术方面近年来的发展情况与未来发展趋势
制造照明用蓝光LED外延片的MOCVD技术已达到成熟量产的阶段，应用于Mini-LED新型显示的MOCVD设备
发展较为迅速，整体产业技术从专注于白光Mini-LED背光逐渐升级向RGBMini-LED背光和小间距直显等性能
更为卓越的显示方案。MOCVD设备的迭代更新主要目标是在提高大规模生产的前提下满足外延生长的性能要
求、从而达到降低生产成本、提高生产效率的目的。此外，开发面向AsP材料的专用MOCVD设备，从而覆盖红
光LED和Mini-LED的应用需求，是报告期内一个新的发展趋势。主要的发展路径包括：具备大尺寸、多片外
延材料的生长能力，满足高均匀性和高生产效率的指标要求。
应用于Micro-LED高端显示的MOCVD设备对外延片在产出波长均匀性、颗粒度等方面有更为苛刻的技术要
求，以此降低Micro-LED应用的制造成本，加速高品质显示应用的推广。MOCVD设备发展的主要方向将在提升
产出波长均匀性，减少外延片颗粒度，提升设备的自动化性能以及大尺寸外延片生长能力等方面进行。应用
于氮化镓功率器件生产的MOCVD设备处于快速发展阶段。基于硅基衬底的氮化镓功率器件是当前应用端采用
的主流技术。相比于蓝宝石异质外延，硅基氮化镓异质外延会引入了更高的应力，这对外延的均匀性和应力
控制提出了更高的挑战。因此，需要对量产型MOCVD设备的温度场、气体流动场和多方位的监测控制进行更
精细的迭代优化。
二、经营情况讨论与分析
半导体设备是集成电路和泛半导体微观器件产业的基石，而集成电路和泛半导体微观器件，又是数码时
代的基础。半导体设备微观加工的能力是数码产业发展最卡脖子的关键，“半导体行业的未来，制造设备是
关键”，没有能加工微米和纳米尺度的光刻机、等离子体刻蚀机和薄膜沉积等设备，就不可能制造出集成电
路和微观器件。随着微观器件越做越小，结构越做越复杂，半导体设备的极端重要性更加凸显出来。一个国
家要成为数码时代的强国，至关重要的是要成为半导体微观加工设备的强国。
近年来数码产业蓬勃发展，已成为国民经济发展的重要引擎。随着数码产业的发展，全球半导体芯片和
晶圆制造领域的持续投资，促进了半导体设备行业的快速发展。数码产业占全球企业总产值40%以上，而且
在不断增长，和传统工业已经成为国民经济的两大支柱，数码产业的发展正在彻底改变人类的生产方式和生
活方式。半导体微观加工设备是发展集成电路和数码产业的关键，已成为人们最关注的硬科技产业之一。
中国的集成电路和泛半导体产业近年来持续兴旺。在政府的大力推动和业界的努力下，虽然在半导体设
备的门类、性能和大规模量产能力等方面，国产设备和国外设备相比还有一定的差距，但发展迅速并已初具
规模，中国大陆半导体设备市场规模在全球的占比逐年提升。
中微公司的主营产品等离子体刻蚀设备和薄膜设备作为光刻机之外的核心微观加工设备，其制程步骤复
杂度与工艺开发难度均在业内处于突出地位。微观器件的不断缩小推动了器件结构和加工制程的革命性变化
。存储器件内部架构从2D到3D的转换，使等离子体刻蚀和薄膜制程成为关键的核心步骤，对这两类设备的需
求量大大增加。光刻机由于波长的限制，先进的微观结构要靠等离子体刻蚀和薄膜的组合“二重模板”和“
四重模板”工艺技术来加工，刻蚀机和薄膜设备的重要性不断提高，这给主要提供等离子体刻蚀设备和薄膜
设备的中微公司带来了高速成长机会。此外，量检测设备市场增长速度很快，已成为占半导体前道设备总市
场约13%的第四大设备门类。量检测设备市场主要分为光学量检测设备和电子束量检测设备，其中公司发起
设立的超微公司，重点开发电子束量检测设备等，公司将通过各种方式扩大对多门类量检测设备的市场参与
和覆盖。
公司的等离子体刻蚀设备及薄膜沉积设备持续获得众多客户的认可，针对芯片制造中关键工艺的高端产
品新增付运量及销售额显著提升。公司站在先进制程工艺发展最前沿，始终强调技术创新、产品差异化和知
识产权保护的基本原则，并保持高强度的研发投入。目前在研项目涵盖六类设备，总共有超过二十款新设备
在开发中。新产品开发已经取得了显著成效，近两年新开发的LPCVD薄膜设备和ALD薄膜设备，已有多款新型
设备顺利进入市场并获得重要客户的重复性订单。其中，薄膜设备累计出货量已突破300个反应台，其他多
个关键薄膜沉积设备研发项目的研发进程均比较顺利，有望尽快进入客户验证阶段。公司EPI设备已进入客
户端量产验证阶段。公司在Micro-LED和高端显示领域的MOCVD设备开发及客户验证上取得了良好进展，并正
在开发用于碳化硅和氮化镓基功率器件应用的相关设备。
同时，公司拟通过发行股份及支付现金购买资产并募集配套资金的方式购买杭州众硅电子科技有限公司
控股权实现从“干法”向“干法+湿法”整体解决方案的关键跨越。这一整合不仅填补了上市公司在湿法设
备领域的空白，更显著提升了公司在先进制程中为客户提供系统级整体解决方案的能力。面对先进晶圆厂和
先进存储厂对工艺协同性、产线稳定性与整体效率日益严苛的要求，上市公司可为客户提供高度协同的成套
设备解决方案，大幅缩短工艺调试和验证周期，从而增强客户黏性，加速上市公司在主流产线的规模化渗透
。
公司继续瞄准世界科技前沿，持续践行三维立体发展战略，深耕集成电路关键设备领域、扩展在泛半导
体关键设备领域应用并探索其他新兴领域的机会，推进公司实现高速、稳定、安全发展。公司坚持以市场和
客户需求为导向，积极应对复杂形势，继续加大研发投入和业务开拓力度，推动以研发创新为驱动的高质量
增长策略，抓住重点客户扩产投资机会，推进订制化精细化生产经营，公司在刻蚀设备、薄膜设备、MOCVD
设备等设备产品研发、市场布局、新业务投资拓展等诸多方面取得了较大的突破和进展，产品不断获得海内
外客户的认可，为公司持续健康发展提供了有力支撑。
公司同时兼顾外延性发展，在聚焦公司核心业务集成电路设备的同时积极探索布局其他新业绩增长点，
子公司中微惠创、中微汇链、芯汇康及公司参与投资的诸多公司在各自细分领域取得了卓有成效的进展。
此外，为更好地完善公司的产业链布局，进一步提升公司的产能规模和综合竞争实力，公司在上海临港
新片区建设中微临港产业化基地及中微临港总部和研发中心，在南昌高新区建设中微南昌产业化基地，在广
州建设华南总部研发及生产基地，在成都建设成都研发及生产基地暨西南总部项目。公司位于南昌的约14万
平方米的生产和研发基地已于2023年7月正式投入使用；公司在上海临港的约18万平方米的生产和研发基地
已于2024年8月正式投入使用，临港二期约20万平方米的生产和研发基地拟于2026年下半年开工建设；上海
临港滴水湖畔约10万平方米的总部大楼暨研发中心也在顺利建设；位于广州的华南总部研发及生产基地总体
规划占地约130亩，2025年9月开工建设的一期项目占地约50亩，预计2026年年底建成，2027年投产；成都研
发及生产基地暨西南总部一期项目占地约50亩，于2025年10月正式启动建设，预计2027年投产；为今后的发
展夯实基础。
报告期内公司持续提升综合竞争力，在技术进步、业务发展、业绩增长、规范治理等方面不断向国际先
进水平的方向努力，实现公司高速、稳定、健康、安全发展。
报告期内，公司在研发创新、知识产权体系建设、生产经营、外延式生长等方面取得了积极成果：
1、产品研发及客户拓展方面
公司坚持自主创新，产品布局及技术研发面向世界科技前沿。报告期内，公司继续保持较高的研发投入
，与国内外一流客户保持紧密合作，相关设备产品研发进展顺利、客户端验证情况良好。2025年公司研发投
入约37.44亿元，较去年增长12.91亿元，同比增长约52.65%，研发投入占公司营业收入比例约为30.23%，远
高于科创板上市公司的平均研发投入水平。
公司主营产品等离子体刻蚀设备作为半导体前道核心设备之一，市场空间广阔，技术壁垒较高。公司的
等离子体刻蚀设备在国内外持续获得更多客户的认可，针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端
产品新增付运量显著提升，先进逻辑器件中段关键刻蚀工艺和先进存储器件超高深宽比刻蚀工艺实现量产。
公司在新产品开发方面取得了显著成效，近两年新开发出十多种导体和介质薄膜设备，目前已有多款新
型设备产品进入市场，其中部分设备已获得重复性订单，LPCVD设备累计出货量突破三百个反应台，其他多
个关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进；公司EPI设备已顺利进入客户端量产验证阶段。
公司持续保持国际氮化镓基MOCVD设备市场领先地位，积极布局用于碳化硅和氮化镓基功率器件应用的
市场，并在Micro-LED和其他显示领域的专用MOCVD设备开
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