经营分析☆ ◇688012 中微公司 更新日期：2025-05-03◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.前5名客户营业收入表】【4.前5名供应商采购表】
【5.经营情况评述】
【1.主营业务】
集成电路、LED芯片等微观器件领域的等离子体刻蚀设备、深硅刻蚀设备和MOCVD设备等关键设备的研发、
生产和销售。
【2.主营构成分析】
截止日期:2024-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
半导体设备收入(行业) 90.65亿 100.00 37.22亿 100.00 41.06
─────────────────────────────────────────────────
专用设备(产品) 78.12亿 86.17 31.09亿 83.53 39.80
备品备件(产品) 11.64亿 12.84 5.61亿 15.06 48.18
其他(产品) 8954.77万 0.99 5220.73万 1.40 58.30
─────────────────────────────────────────────────
大陆地区(地区) 86.09亿 94.96 35.24亿 94.67 40.93
中国台湾地区(地区) 3.15亿 3.47 1.42亿 3.80 44.94
其他国家和地区(地区) 1.42亿 1.56 5696.55万 1.53 40.25
─────────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 90.65亿 100.00 37.22亿 100.00 41.06
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2023-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
半导体设备收入(行业) 62.64亿 100.00 28.70亿 100.00 45.83
─────────────────────────────────────────────────
专用设备(产品) 51.66亿 82.47 23.33亿 81.28 45.17
备品备件(产品) 9.71亿 15.51 4.69亿 16.34 48.30
其他(产品) 1.27亿 2.02 6806.44万 2.37 53.68
─────────────────────────────────────────────────
大陆地区(地区) 57.64亿 92.03 26.49亿 92.28 45.95
中国台湾地区(地区) 4.22亿 6.74 1.77亿 6.16 41.90
其他国家和地区(地区) 7722.81万 1.23 4462.52万 1.55 57.78
─────────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 62.64亿 100.00 28.70亿 100.00 45.83
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2022-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
半导体设备收入(行业) 47.40亿 100.00 21.68亿 100.00 45.74
─────────────────────────────────────────────────
专用设备(产品) 38.47亿 81.17 17.38亿 80.18 45.18
备品备件(产品) 8.35亿 17.62 3.91亿 18.06 46.88
服务收入(产品) 5743.46万 1.21 3818.18万 1.76 66.48
─────────────────────────────────────────────────
大陆地区(地区) 41.99亿 88.59 19.13亿 88.23 45.55
中国台湾地区(地区) 4.54亿 9.58 2.05亿 9.44 45.10
其他国家和地区(地区) 8677.66万 1.83 5046.30万 2.33 58.15
─────────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 47.40亿 100.00 21.68亿 100.00 45.74
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2021-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
半导体设备收入(行业) 31.08亿 100.00 13.48亿 100.00 43.36
─────────────────────────────────────────────────
专用设备(产品) 25.07亿 80.67 10.58亿 78.52 42.20
备品备件(产品) 5.56亿 17.88 2.61亿 19.35 46.92
设备维护(产品) 4528.71万 1.46 2882.07万 2.14 63.64
─────────────────────────────────────────────────
大陆地区(地区) 26.64亿 85.71 11.39亿 84.56 42.77
中国台湾地区(地区) 3.76亿 12.11 1.73亿 12.81 45.87
其他国家和地区(地区) 6764.55万 2.18 3542.40万 2.63 52.37
─────────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 31.08亿 100.00 13.48亿 100.00 43.36
─────────────────────────────────────────────────
【3.前5名客户营业收入表】
截止日期:2024-12-31
前5大客户共销售63.65亿元，占营业收入的70.22%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│客户名称 │ 营收额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│客户一 │ 200808.40│ 22.15│
│客户二 │ 192489.86│ 21.23│
│客户三 │ 170407.27│ 18.80│
│客户四 │ 44244.74│ 4.88│
│客户五 │ 28576.20│ 3.15│
│合计 │ 636526.47│ 70.22│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【4.前5名供应商采购表】
截止日期:2024-12-31
前5大供应商共采购22.93亿元，占总采购额的28.40%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│供应商名称 │ 采购额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│供应商一 │ 64924.07│ 8.04│
│供应商二 │ 52592.12│ 6.51│
│供应商三 │ 44986.62│ 5.57│
│供应商四 │ 35371.07│ 4.38│
│供应商五 │ 31427.89│ 3.89│
│合计 │ 229301.77│ 28.40│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【5.经营情况评述】
截止日期:2024-12-31
●发展回顾:
一、经营情况讨论与分析
半导体设备是集成电路和泛半导体微观器件产业的基石，而集成电路和泛半导体微观器件，又是数码时
代的基础。半导体设备微观加工的能力是数码产业发展最卡脖子的关键，“半导体行业的未来，制造设备是
关键”，没有能加工微米和纳米尺度的光刻机、等离子体刻蚀机和薄膜沉积等设备，就不可能制造出集成电
路和微观器件。随着微观器件越做越小，结构越做越复杂，半导体设备的极端重要性更加凸显出来。一个国
家要成为数码时代的强国，至关重要的是要成为半导体微观加工设备的强国。
近年来数码产业蓬勃发展，已成为国民经济发展的重要引擎。随着数码产业的发展，全球半导体芯片和
晶圆制造领域的持续投资，促进了半导体设备行业的快速发展。数码产业占全球企业总产值40%以上，而且
在不断增长，和传统工业已经成为国民经济的两大支柱，数码产业的发展正在彻底改变人类的生产方式和生
活方式。半导体微观加工设备是发展集成电路和数码产业的关键，已成为人们最关注的硬科技产业之一。
中国的集成电路和泛半导体产业近年来持续兴旺。在政府的大力推动和业界的努力下，虽然在半导体设
备的门类、性能和大规模量产能力等方面，国产设备和国外设备相比还有一定的差距，但发展迅速并已初具
规模，中国大陆半导体设备市场规模在全球的占比逐年提升。
中微公司的主营产品等离子体刻蚀设备和薄膜设备作为光刻机之外的核心微观加工设备，其制程步骤复
杂度与工艺开发难度均在业内处于突出地位。微观器件的不断缩小推动了器件结构和加工制成的革命性变化
。存储器件内部架构从2D到3D的转换，使等离子体刻蚀和薄膜制程成为关键的核心步骤，对这两类设备的需
求量大大增加。光刻机由于波长的限制，先进的微观结构要靠等离子体刻蚀和薄膜的组合“二重模板”和“
四重模板”工艺技术来加工，刻蚀机和薄膜设备的重要性不断提高，这给主要提供等离子体刻蚀设备和薄膜
设备的中微公司带来了高速成长机会。此外，量检测设备市场增长速度很快，已成为占半导体前道设备总市
场约13%的第四大设备门类。量检测设备市场主要分为光学量检测设备和电子束量检测设备，其中公司于202
4年新发起设立了超微公司，重点开发电子束量检测设备等，公司将通过各种方式扩大对多门类量检测设备
的市场参与和覆盖。
公司的等离子体刻蚀设备及薄膜沉积设备持续获得众多客户的认可，针对芯片制造中关键工艺的高端产
品新增付运量及销售额显著提升。公司站在先进制程工艺发展最前沿，始终强调技术创新、产品差异化和知
识产权保护的基本原则，并保持高强度的研发投入。目前在研项目涵盖六类设备，总共有超过二十款新设备
在开发中。新产品开发已经取得了显著成效，近两年新开发的LPCVD薄膜设备和ALD薄膜设备，已有多款新型
设备顺利进入市场并获得重要客户的重复性订单。其中，LPCVD薄膜设备累计出货量已突破150个反应台，其
他多个关键薄膜沉积设备研发项目的研发进程均比较顺利，有望尽快进入客户验证阶段。公司EPI设备已进
入客户端量产验证阶段。公司在Micro-LED和高端显示领域的MOCVD设备开发及客户验证上取得了良好进展，
并正在开发用于碳化硅和氮化镓基功率器件应用的相关设备。
公司继续瞄准世界科技前沿，持续践行三维立体发展战略，深耕集成电路关键设备领域、扩展在泛半导
体关键设备领域应用并探索其他新兴领域的机会，推进公司实现高速、稳定、安全发展。公司坚持以市场和
客户需求为导向，积极应对复杂形势，继续加大研发投入和业务开拓力度，推动以研发创新为驱动的高质量
增长策略，抓住重点客户扩产投资机会，推进订制化精细化生产经营，公司在刻蚀设备、薄膜设备、MOCVD
设备等设备产品研发、市场布局、新业务投资拓展等诸多方面取得了较大的突破和进展，产品不断获得海内
外客户的认可，为公司持续健康发展提供了有力支撑。
公司同时兼顾外延性发展，在聚焦公司核心业务集成电路设备的同时积极探索布局其他新业绩增长点，
子公司中微惠创、中微汇链、芯汇康及公司参与投资的诸多公司在各自细分领域取得了卓有成效的进展。
此外，为扩充资产规模、增强公司实力以持续做大做强主业，公司产业化建设项目进展顺利。公司位于
南昌的约14万平方米的生产和研发基地、在上海临港的约18万平方米的生产和研发基地已相继投入使用；上
海临港滴水湖畔约10万平方米的总部大楼暨研发中心也在顺利建设；为确保今后十年有足够的厂房，并保障
众多新产品研发和产能高速增长的需求，公司将在广州增城区及成都高新区建造新的生产和研发基地。
报告期内公司持续提升综合竞争力，在技术进步、业务发展、业绩增长、规范治理等方面不断向国际先
进水平的方向努力，实现公司高速、稳定、健康、安全发展。
报告期内重点任务完成情况
报告期内，公司在研发创新、知识产权体系建设、生产经营、外延式生长等方面取得了积极成果：
1、产品研发及客户拓展方面
公司坚持自主创新，产品布局及技术研发面向世界科技前沿。报告期内，公司继续保持较高的研发投入
，与国内外一流客户保持紧密合作，相关设备产品研发进展顺利、客户端验证情况良好。2024年公司研发投
入约24.52亿元，较去年增长11.90亿元，同比增长约94.31%，研发投入占公司营业收入比例约为27.05%，远
高于科创板上市公司的平均研发投入水平。
报告期内，公司发挥产品技术及销售服务竞争优势，不断强化公司技术和品牌优势，持续深化同海内外
客户的业务合作，以更好的市场形象和更专业的服务为客户提供产品解决方案。在持续改善量产机台的运行
时间和生产效率的同时，研发团队和客户紧密合作，进行更多的关键制程的工艺开发和验证，进一步提高产
品的技术先进性和市场竞争力，以拓宽机台的生产能力并赢得更多的制程量产机会。
公司主要产品的进展情况如下：
（1）CCP刻蚀设备
公司CCP刻蚀设备中双反应台PrimoD-RIE、PrimoAD-RIE、PrimoAD-RIEe，单反应台PrimoHD-RIE等产品
已广泛应用于国内外一线客户的生产线，2024年付运量较2023年增长逾100%。具有动态可调电极间距功能的
双反应台PrimoSD-RIE进入先进逻辑生产线验证关键工艺。用于高精度高选择比刻蚀工艺的单反应台产品Pri
moHD-RIEe，和用于超高深宽比刻蚀工艺的PrimoUD-RIE实现规模付运。2024年全年CCP刻蚀设备生产付运超
过1200反应台，创历史新高。累计装机量超过4000反应台，连续十年保持大于30%的年平均复合增长率。
公司已有的刻蚀产品已经对28纳米以上的绝大部分CCP刻蚀应用和28纳米及以下的大部分CCP刻蚀应用形
成较为全面的覆盖。针对28纳米及以下的逻辑器件生产中广泛采用的一体化大马士革刻蚀工艺，公司开发的
可调节电极间距的CCP刻蚀机PrimoSD-RIE已进入国内领先的逻辑芯片制造客户端，初步电性验证已经通过，
正在进行更多的器件功能测试。PrimoSD-RIE也已经进入28纳米以下的研发线，就多项关键刻蚀工艺开展现
场研发工作。该设备采用双反应台平台设计，在满足客户工艺指标的同时可以有效帮助客户降低其相关的生
产成本。PrimoSD-RIE具有实时可调电极间距功能，可以在同一刻蚀工艺的不同步骤使用不同的电极间距，
能灵活调节等离子体和活性自由基的浓度分布，公司多项的技术革新能有效应对一体化大马士革刻蚀工艺中
的独特要求，在同一刻蚀工艺中有效应对在实现最优沟槽和通孔刻蚀均匀性过程中可能发生的问题，极大拓
宽了一体化刻蚀工艺的工艺窗口和工艺能力。
在存储器件制造工艺中，公司的成熟产品可以覆盖存储器件制造中的绝大部分应用。同时，公司针对超
高深宽比刻蚀自主开发的具有大功率400kHz偏压射频的PrimoUD-RIE已经在先进的存储器件生产线至关重要
的超高深宽比刻蚀工艺中取得大规模应用。该设备适用于DRAM和3DNAND器件制造中需求量大且极为核心的高
深宽比刻蚀工艺。同时，公司积极布局超低温刻蚀技术，以满足超高深宽比刻蚀技术迭代的需求。
（2）ICP刻蚀设备
报告期内，公司的ICP刻蚀设备在涵盖逻辑、DRAM、3DNAND、功率和电源管理、以及微电机系统等芯片
和器件的50多个客户的生产线上量产，并继续验证更多ICP刻蚀工艺。2024年，ICP刻蚀设备在客户端的累计
安装数达到1025个反应台，近四年年均增长大于100%。
报告期内，公司推出了适用于更高深宽比结构刻蚀的NanovaLUX-WT和NanovaLUX-Cryo两种ICP设备。Nan
ovaLUX-WT在客户端投入量产，NanovaLUX-Cryo在客户端认证中。这些配备新功能的Nanova系列的产品，提
升了ICP刻蚀设备的刻蚀能力，有效地扩大了中微ICP设备在芯片制造中的量产刻蚀工艺覆盖率，获得重要客
户的批量重复订单，实现高成长率。与此同时，下一代ICP刻蚀设备PrimoNanova2G在实验室已经搭建完成Al
pha反应腔，正展开工艺开发。PrimoTwin-Star则在海内外客户的逻辑芯片、功率器件、微型发光二极管Mic
ro-LED、AR和VR智能眼镜用的超透镜（Metalens）等特色器件的产线上实现量产，并取得重复订单。报告期
内，公司ICP技术设备类中的8英寸和12英寸深硅刻蚀设备PrimoTSV200E、PrimoTSV300E在晶圆级先进封装、
2.5D封装和微机电系统芯片生产线等成熟市场继续获得重复订单的同时，在12英寸的3D芯片的硅通孔刻蚀工
艺上得到成功验证，并在欧洲客户12英寸微机电系统芯片产线上获得认证的机会，这些新工艺的验证为公司
PrimoTSV300E刻蚀设备拓展了新的市场。
在追求更高性能的同时，根据国内对成熟制程和新兴特殊器件的工艺需求，公司开发了PrimoMetalAl刻
蚀设备，并在实验室搭建了Alpha机台，开始和客户合作开发铝线刻蚀工艺和实验室现场验证演示。
此外，报告期内，公司根据客户和市场技术发展需求，有序推进更多先进ICP刻蚀技术研发，为推出下
一代ICP刻蚀设备做技术储备，以满足新一代的逻辑、DRAM和3DNAND存储等芯片制造对ICP刻蚀的需求。
（3）MOCVD设备
报告期内，公司用于蓝光照明的PRISMOA7、用于深紫外LED的PRISMOHiT3、用于Mini-LED显示的PRISMOU
niMax等产品持续服务客户。截止2024年，公司持续保持国际氮化镓基MOCVD设备市场领先地位。其中PRISMO
UniMax产品自2021年6月正式发布以来，凭借其高产量、高波长均匀性、高良率等优点，受到下游客户的广
泛认可，在Mini-LED显示外延片生产设备领域处于国际领先。
公司于2023年底付运Micro-LED应用的设备样机PreciomoUdx至国内领先客户开展生产验证。报告期内样
机验证顺利，已基本满足客户生产要求。
随着电动汽车、消费电子、人工智能、风力与光伏储能和轨道交通等应用的快速发展，市场对氮化镓和
碳化硅功率器件的需求呈现爆发式增长。公司已经建立了氮化镓LED外延装备的优势，在此基础上，进一步
研发了面向硅基氮化镓异质外延功率器件的专用设备。于2022年推出了用于氮化镓功率器件生产应用的MOCV
D设备PRISMOPD5，目前已交付客户进行生产验证，并取得了重复订单。除此之外，公司正在开发新一代氮化
镓功率器件应用的MOCVD设备，将进一步提升设备性能，降低客户生产成本，持续提升公司在氮化镓基MOCVD
设备领域的竞争力，预计2025年将付运至客户进行验证。
同时，公司也启动了应用于碳化硅功率器件外延生产设备的开发，报告期内公司取得较大的技术进展，
实现了优良的工艺结果，正与多家领先客户开展商务洽谈，报告期内已付运样机至国内领先客户开展生产验
证。
此外，公司也紧跟市场发展趋势，积极拓展MOCVD设备的应用范围；报告期内，公司启动了应用于红黄
光LED的MOCVD设备开发，目前开发较为顺利，实验室初步结果已实现了优良的波长均匀性能。
（4）薄膜沉积设备研发
公司已开发出六款薄膜沉积产品推向市场。中微公司钨系列薄膜沉积产品：CVD（化学气相沉积）钨设
备，HAR（高深宽比）钨设备和ALD（原子层沉积）钨设备，可覆盖存储器件所有钨应用；该系列设备均已通
过关键存储客户端现场验证，满足先进存储应用中所有金属互联应用（包含高深宽比金属互联应用）及三维
存储器件字线应用各项性能指标，并获得客户重复量产订单。同时，公司钨系列产品也可满足先进逻辑客户
钨接触孔应用性能需求，已付运机台到多个逻辑客户进行验证，为进一步积累市场优势打下基础。
同期，公司开发出应用于先进逻辑器件的金属栅系列产品：ALD氮化钛，ALD钛铝，ALD氮化钽产品，已
完成多个先进逻辑客户设备验证，可满足先进逻辑客户性能需求的同时，设备的薄膜均一性，污染物控制和
生产效率均达到世界先进水平。该系列设备已付运到先进逻辑客户端进行验证，核准推进顺利。其中，ALD
氮化钛薄膜也是先进存储器件中钨填充阻挡层和粘结层的主要选择，公司开发的ALD氮化钛设备可满足先进
存储器件高深宽比及三维结构的台阶覆盖率需求及各项性能指标，并已通过多个关键存储客户的样品验证，
有利于进一步扩大市场规模。中微公司在现有的金属CVD和ALD设备研发基础上，同步推进多款CVD和ALD设备
开发，增加薄膜设备的覆盖率，进一步拓展市场。
公司的薄膜沉积设备采用独特的双腔设计，每个腔体可独立进行工艺调节，保证产品性能的同时，大大
提高了生产效率，降低了材料成本。此外，中微独立自主的IP设计，确保了更优化的产品性能，也保障了产
品未来的可持续发展。
公司EPI设备研发团队，通过基础研究和采纳关键客户的技术反馈，已经开发出具有自主知识产权及创
新的平台，预处理和外延反应腔,目前公司EPI设备已顺利进入客户端量产验证阶段，以满足客户先进制程中
锗硅外延生长工艺的量产需求。
（5）气体净化设备
子公司中微惠创利用分子筛的吸附原理，开发制造了平板显示领域气体净化设备。设备可根据客户的要
求灵活配置不同处理规模的系统，提供给客户可靠、稳定、安全和节能的净化解决方案。此外，中微惠创与
德国DAS环境专家有限公司继续开展战略合作，双方在半导体行业尾气处理设备领域展开紧密的合作，目前
已经批量生产制造净化设备，并顺利地应用在各个客户端，共同推动环保科技行业的发展。
（6）分布式生态工业互联网平台
子公司中微汇链基于多年来在中微公司沉淀总结的业务管理最佳实践，以及半导体等高、精、尖制造领
域多家企业的数字化规划与建设经验，并结合创新数字化技术与理念（包括区块链、Web3、数字孪生、人工
智能等），自主研发并推出了适配新型工业化发展趋势的完善数字化产品体系，致力于服务高科技制造产业
与企业。汇链以制造行业细分领域专业管理视角，协助解决企业实际经营中的核心痛点：不仅全面提升研发
、制造、质量、交付、售后管理能力，还助力企业融入产业生态，全面参与产业协作体系，推动本土制造产
业培育更多“专精特新”中小企业和单项冠军企业。此外还为本土制造产业打造企业间协同互信、资源共享
的产业生态型平台。目前，汇链产品覆盖工业场景应用数量已超80个，可订阅微服务超900个。
中微汇链为国家信通院“星火·链网”半导体骨干节点技术建设单位、上海市工业互联网协会以及中国
物流与采购联合会区块链分会的首批理事单位、上海市浦东新区中小企业数字化转型城市试点服务商、中国
产业区块链企业50强，并代表中微公司成为上海市与上海浦东新区集成电路产业数字化转型“链主”培育企
业并行使具体职责；获得上海市质量管理数字化转型案例十佳案例、2024年生产性互联网服务平台两业融合
优秀案例、工赋新质-上海市工业互联网创新发展实践案例等奖项；并参与制定《区块链服务基于区块链的
去中心化标识（DID）技术要求》、《区块链服务数字孪生开发平台技术规范》等多项数字化领域团体标准
。
报告期内，公司研发方向和产品符合市场趋势和需求，与产业发展深度融合。各产品的研发成果均取得
行业主流客户的认可，客户验证情况良好，巩固了公司产品的竞争优势。
2、生产基地建设
为更好地完善公司的产业链布局，进一步提升公司的产能规模和综合竞争实力，公司在上海临港新片区
建设中微临港产业化基地及中微临港总部和研发中心，在南昌高新区建设中微南昌产业化基地。公司位于南
昌的约14万平方米的生产和研发基地已建成完工，并于2023年7月正式投入使用；公司在上海临港的约18万
平方米的生产和研发基地主体建设已基本完成，并于2024年8月正式投入使用；上海临港滴水湖畔约10万平
方米的总部大楼暨研发中心也在顺利建设，为今后的发展夯实基础。
3、供应保障方面
公司在需求预测、库存管理和供应商管理三方面建立了动态协调机制，使生产所需的零部件原材料能够
高效流转。公司也在持续开发关键零部件的供应商，也非常重视零部件的国产化工作。公司建立了高效的库
存管控体系，设置合理的库存警戒线，以加快存货周转。随着智能工厂项目和精益管理的持续推进，人员效
率和人均产能将稳步提升，制造成本更富竞争力。同时，公司深入强化质量管理体系建设，增强员工质量意
识，产品质量缺陷数量呈逐年下降态势。
4、营运管理方面
公司在营运管理中采用关键指标管理，尤其在生产管理、材料管理、客户技术支持和设备运行表现方面
设定了一系列的关键考核指标，覆盖了质量、效率、成本和安全等众多方面。公司定期跟踪各项指标的执行
情况，并根据统计结果和客户反馈，制定出关键指标的改进要求。2024年，公司获得了多项殊荣，行业认可
度不断提升，包括金桥开发区“科研投入成就奖”、东方芯港杰出贡献奖、招商大使奖、福布斯中国创新力
企业50强等。报告期内，公司营运效率持续提高，设备交付按时率保持在较高水准，物料成本控制等指标达
到预期水平。
5、知识产权保障方面
公司高度重视科技创新和知识产权保护工作。报告期内，公司新增专利申请359项，包括发明专利263项
，实用新型专利84项，外观设计专利12项。截至2024年12月，公司已申请2910项专利，其中发明专利2424项
，占比83.30%；已获授权专利1781项，其中发明专利1514项。公司鼓励创新，组织开展优秀专利奖项的评选
活动，并着重奖励在产品创新方面取得杰出成效的员工。
2025年1月9日，公司和南昌中微共同拥有的发明专利“一种化学气相沉积装置及其清洁方法”（专利号
：ZL201510218357.1）荣获第二十五届中国专利奖银奖。中国专利奖是我国专利领域的最高荣誉，由国家知
识产权局和世界知识产权组织联合主办，旨在鼓励和表彰专利权人和发明人对技术创新及经济社会发展所作
出的突出贡献。至此，中微公司已荣获中国专利奖2项金奖、1项银奖和3项优秀奖，这标志着中微公司在技
术创新和知识产权保护方面所取得的卓越成就。
6、人才建设方面
公司视“员工”为最宝贵的资产，致力于为员工提供广阔的职业发展空间，构建专业线、管理线发展双
通道，并设计了针对不同发展阶段、形式多样的职业规划，拓展人才发展渠道，无论普通员工，还是管理团
队均能获得充分的成长、发展机会。同时，公司践行“五个十大”的公司文化，打造赋能型、人性化、全员
参与式的学习氛围，不断激发员工活力，助力员工实现自身职业理想，与企业共同成长发展。报告期内，公
司进一步拓宽人才吸引渠道，从国内外吸引了行业经验丰富的管理及技术人才，并从知名院校中挑选了一批
优秀的毕业生，公司2024年新入职员工869人。公司注重激发组织和员工活力，组织开展多项深入的专题培
训、学习交流，涵盖工程技术、战略商务、运营管理、财证金融、人工智能和人才发展六大学习版块，有力
促进培养组织需要的技能，提升组织及人员竞争力，建立学习型组织文化氛围。公司持续优化人才梯队，为
业务可持续发展提供人才保障。公司持续优化人才绩效评估体系及人才晋升机制，使得优势资源更进一步的
向高绩效员工倾斜。
7、外延式发展方面
公司不断践行外延式发展策略，公司下属的中微汇链、中微惠创、芯汇康在新业务拓展领域取得了良好
的进展，得到了市场和用户的高度评价。2024年度，公司新发起设立了超微公司，着力开发电子束检测设备
。同时，积极探索在相关领域的投资机会，公司诸多参股投资的公司营运表现良好，形成了良好的产业链协
同效应。其中，公司参股投资的珂玛科技、先锋精科在2024年完成A股挂牌上市。
8、内部治理方面
公司建立了较为完善的公司内控制度和公司治理结构，报告期内持续完善公司治理机制，强化风险管理
和内部控制，严格贯彻执行相关制度，切实保障公司和股东的权益，为企业持续健康发展提供坚实基础。
9、信息披露及防范内幕交易方面
公司严格遵守法律法规和监管机构规定，严格执行公司信息披露管理制度，真实、准确、完整、及时、
公平地履行信息披露义务，通过上市公司公告、投资者交流会、业绩说明会、上证e互动、电话、邮件等诸
多渠道，与投资者保持密切沟通，保持公司营运透明。报告期内，公司荣获“2024中国上市公司英华奖A股
价值奖”、“2023年度上市公司治理和内部控制’优秀实践’案例”、“科创板上市公司价值30强”、“杰
出ESG价值传播奖”、“第二届易董ESG+8价值100”等多个奖项。
公司高度重视内幕交易防范，对公司董事、监事、高级管理人员及相关员工定期作出禁止内幕交易的警
示教育，要求董事、监事、高级管理人员及相关知情人员严格履行保密义务并严格遵守买卖股票规定。
二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明
(一)主要业务、主要产品或服务情况
报告期内，公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。公司瞄准世界科技前沿
，基于在半导体设备制造产业多年积累的专业技术，涉足半导体集成电路制造、先进封装、LED外延片生产
、功率器件、MEMS制造以及其他微观工艺的高端设备领域。
公司的等离子体刻蚀设备已应用在国际一线客户从65至5纳米及其他先进的集成电路加工制造生产线及
先进封装生产线。公司MOCVD设备在行业领先客户的生产线上大规模投入量产，公司已成为世界排名前列的
氮化镓基LED设备制造商。公司近两年新开发的LPCVD薄膜设备和ALD薄膜设备，目前已有多款新型设备产品
进入市场并获得重复性订单。
公司主要为集成电路、LED外延片、功率器件、MEMS等半导体产品的制造企业提供刻蚀设备、MOCVD设备
、薄膜沉积设备及其他设备，其中主要产品的具体情况如下：
报告期内，公司主营业务未发生变化。
(二)主要经营模式
1、盈利模式
公司主要从事半导体设备的研发、生产和销售，通过向下游集成电路、LED外延片、先进封装、MEMS等
半导体产品的制造公司销售刻蚀设备、薄膜设备和MOCVD设备、提供配件及服务实现收入和利润。报告期内
，公司主营业务收入来源于半导体设备产品的销售，其他收入来源于设备相关配件销售及设备支持服务等。
2、研发模式
公司主要采取自主研发的模式。根据公司产品成熟度，公司的研发流程主要包括概念与可行性阶段、Al
pha阶段、Beta阶段、量产阶段。
公司按照刻蚀设备、薄膜设备、MOCVD设备等不同研发对象和项目产品，组成了相对独立的研发团队。
不同产品研发团队拥有各自独立的机械设计、工艺开发、产品管理和技术支持团队，而在电气工程、平台工
程、软件工程等方面则采用共享的方式进行研发支持。通过这种矩阵管理的方法，实现了人才、营运等资源
在不同的产品及技术服务之间灵活分配，实现共享经验知识，优化资源使用效率，使公司能够快速响应不断
变化的研发要求，进行持续的技术创新。
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