经营分析☆ ◇688012 中微公司 更新日期：2026-08-19◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.前5名客户营业收入表】【4.前5名供应商采购表】
【5.经营情况评述】
【1.主营业务】
高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售
【2.主营构成分析】
截止日期:2025-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
半导体设备收入(行业) 123.85亿 100.00 48.50亿 100.00 39.17
─────────────────────────────────────────────────
半导体设备相关产品(产品) 123.85亿 100.00 48.50亿 100.00 39.17
─────────────────────────────────────────────────
大陆地区(地区) 120.58亿 97.37 47.22亿 97.35 39.16
中国台湾地区(地区) 2.15亿 1.74 9806.09万 2.02 45.54
其他国家和地区(地区) 1.11亿 0.90 3051.96万 0.63 27.50
─────────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 123.85亿 100.00 48.50亿 100.00 39.17
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2024-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
半导体设备收入(行业) 90.65亿 100.00 37.22亿 100.00 41.06
─────────────────────────────────────────────────
专用设备(产品) 78.12亿 86.17 31.09亿 83.53 39.80
备品备件(产品) 11.64亿 12.84 5.61亿 15.06 48.18
其他(产品) 8954.77万 0.99 5220.73万 1.40 58.30
─────────────────────────────────────────────────
大陆地区(地区) 86.09亿 94.96 35.24亿 94.67 40.93
中国台湾地区(地区) 3.15亿 3.47 1.42亿 3.80 44.94
其他国家和地区(地区) 1.42亿 1.56 5696.55万 1.53 40.25
─────────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 90.65亿 100.00 37.22亿 100.00 41.06
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2023-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
半导体设备收入(行业) 62.64亿 100.00 28.70亿 100.00 45.83
─────────────────────────────────────────────────
专用设备(产品) 51.66亿 82.47 23.33亿 81.28 45.17
备品备件(产品) 9.71亿 15.51 4.69亿 16.34 48.30
其他(产品) 1.27亿 2.02 6806.44万 2.37 53.68
─────────────────────────────────────────────────
大陆地区(地区) 57.64亿 92.03 26.49亿 92.28 45.95
中国台湾地区(地区) 4.22亿 6.74 1.77亿 6.16 41.90
其他国家和地区(地区) 7722.81万 1.23 4462.52万 1.55 57.78
─────────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 62.64亿 100.00 28.70亿 100.00 45.83
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2022-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
半导体设备收入(行业) 47.40亿 100.00 21.68亿 100.00 45.74
─────────────────────────────────────────────────
专用设备(产品) 38.47亿 81.17 17.38亿 80.18 45.18
备品备件(产品) 8.35亿 17.62 3.91亿 18.06 46.88
服务收入(产品) 5743.46万 1.21 3818.18万 1.76 66.48
─────────────────────────────────────────────────
大陆地区(地区) 41.99亿 88.59 19.13亿 88.23 45.55
中国台湾地区(地区) 4.54亿 9.58 2.05亿 9.44 45.10
其他国家和地区(地区) 8677.66万 1.83 5046.30万 2.33 58.15
─────────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 47.40亿 100.00 21.68亿 100.00 45.74
─────────────────────────────────────────────────
【3.前5名客户营业收入表】
截止日期:2025-12-31
前5大客户共销售92.88亿元，占营业收入的75.00%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│客户名称 │ 营收额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│客户一 │ 495215.50│ 39.99│
│客户二 │ 238652.61│ 19.27│
│客户三 │ 88534.34│ 7.15│
│客户四 │ 63027.85│ 5.09│
│客户五 │ 43392.88│ 3.50│
│合计 │ 928823.18│ 75.00│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【4.前5名供应商采购表】
截止日期:2025-12-31
前5大供应商共采购24.09亿元，占总采购额的27.01%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│供应商名称 │ 采购额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│供应商一 │ 88862.36│ 9.96│
│供应商二 │ 44268.14│ 4.96│
│供应商三 │ 36980.87│ 4.15│
│供应商四 │ 35494.58│ 3.98│
│供应商五 │ 35338.84│ 3.96│
│合计 │ 240944.79│ 27.01│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【5.经营情况评述】
截止日期:2025-12-31
●发展回顾:
一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况说明
(一)主要业务、主要产品或服务情况
报告期内，公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售。公司瞄准世界科技前沿
，基于在半导体设备制造产业多年积累的专业技术，涉足半导体集成电路制造、先进封装、LED外延片生产
、功率器件、MEMS制造以及其他微观工艺的高端设备领域。
中微公司开发的CCP高能等离子体和ICP低能等离子体刻蚀两大类、包括二十几种细分刻蚀设备已可以覆
盖大多数刻蚀的应用。中微公司的等离子体刻蚀设备已被广泛应用于国内和国际一线客户，从65纳米到3纳
米及更先进工艺的众多刻蚀应用。中微公司最近十年着重开发多种导体和半导体化学薄膜设备，如LPCVD、A
LD、EPI设备等，并取得了可喜的进步。中微公司开发的用于LED和功率器件外延片生产的MOCVD设备早已在
客户生产线上投入量产，并在全球氮化镓基LEDMOCVD设备市场占据领先地位。此外，中微公司已全面布局光
学和电子束量检测设备，并开发多种泛半导体微观加工设备。
公司主要为集成电路、LED外延片、功率器件、MEMS等半导体产品的制造企业提供刻蚀设备、薄膜沉积
设备、MOCVD设备及其他设备。
(二)主要经营模式
1、盈利模式
公司主要从事半导体设备的研发、生产和销售，通过向下游集成电路、LED外延片、先进封装、MEMS等
半导体产品的制造公司销售刻蚀设备、薄膜设备和MOCVD设备、提供配件及服务实现收入和利润。报告期内
，公司主营业务收入来源于半导体设备产品的销售，其他收入来源于设备相关配件销售及设备支持服务等。
2、研发模式
公司主要采取自主研发的模式。根据公司产品成熟度，公司的研发流程主要包括概念与可行性阶段、Al
pha阶段、Beta阶段、量产阶段。
公司按照刻蚀设备、薄膜设备、MOCVD设备等不同研发对象和项目产品，组成了相对独立的研发团队。
不同产品研发团队拥有各自独立的机械设计、工艺开发、产品管理和技术支持团队，而在电气工程、平台工
程、软件工程等方面则采用共享的方式进行研发支持。通过这种矩阵管理的方法，实现了人才、营运等资源
在不同的产品及技术服务之间灵活分配，实现共享经验知识，优化资源使用效率，使公司能够快速响应不断
变化的研发要求，进行持续的技术创新。
3、采购模式
为保证公司产品的质量和性能，公司制定了严格的供应商选择和审核制度。达到经营资质、研发和设计
能力、技术水平、质量管控能力、生产能力、产品价格、交货周期及付款周期等众多标准要求的供应商，才
可以被考虑纳入公司合格供应商名录，并定期审核。目前，公司已经与全球众多供应商建立了长期、稳定的
合作关系。
4、生产模式
公司主要采用以销定产的生产模式，实行订单式生产为主，结合少量库存式生产为辅的生产方式。订单
式生产是指公司在与客户签订订单后，根据订单情况进行定制化设计及生产制造，以应对客户的差异化需求
。库存式生产是指公司对设备通用组件或成批量出货设备常用组件根据内部需求及生产计划进行预生产，主
要为快速响应交期及平衡产能。
5、营销及销售模式
公司采取直销为主的销售模式，因欧洲市场的客户较为分散，公司在该区域通过代理商模式进行销售。
公司设有全球业务部负责公司所有产品的销售管理，下设中国大陆、中国台湾、韩国、日本、新加坡、美国
等国家或地区的销售和支持部门。
(三)所处行业情况
1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
半导体设备行业是一个全球化程度较高的行业，受经济形势、半导体市场、终端消费市场需求等影响，
其发展呈现一定的周期性波动。当宏观经济和终端消费市场需求变化较大时，客户会调整其资本性支出规模
和对设备的采购计划，从而对公司的营业收入和盈利产生影响。
全球集成电路和以LED为代表的光电子器件的销售额合计占所有半导体产品销售额的90%以上，是半导体
产品最重要的组成部分。公司所处的细分行业为半导体设备行业中的刻蚀设备行业、薄膜设备行业和LED设
备行业中的MOCVD设备行业。
1、刻蚀和薄膜设备
集成电路设备包括晶圆制造设备、封装设备和测试设备等，晶圆制造设备的市场规模约占集成电路设备
整体市场规模的80%。
晶圆制造设备可以分为刻蚀、薄膜沉积、光刻、量检测、离子掺杂等品类，其中刻蚀设备、薄膜沉积设
备、光刻设备是集成电路前道生产工艺中制程步骤数量庞大，工艺开发颇具挑战性的三类核心设备。根据Ga
rtner历年统计，全球刻蚀设备、薄膜沉积设备分别占晶圆制造设备价值量约22%和23%。
随着集成电路芯片制造工艺的进步，线宽关键尺寸不断缩小、芯片结构3D化，晶圆制造向3纳米以及更
先进的工艺发展。由于目前先进工艺芯片加工使用的光刻机受到波长限制，14纳米及以下的逻辑器件微观结
构的加工多通过等离子体刻蚀和薄膜沉积的工艺组合——多重模板工艺来实现，使得刻蚀等相关设备的加工
步骤增多。由于存储器技术由二维转向三维架构，随着堆叠层数的增加，刻蚀设备和薄膜沉积设备越来越成
为关键核心的设备。
2、MOCVD设备
MOCVD设备广泛应用于包括光学器件、功率器件等多种薄膜材料的制备，是目前化合物半导体材料外延
的核心装备。MOCVD设备既能实现高难及复杂的化合物半导体材料生长，又能满足产业化对高效产出的需求
，在化合物半导体芯片产业链中有着举足轻重的作用。
随着化合物半导体材料应用领域的不断拓展，MOCVD设备除用于制造通用照明和背光显示的LED，还可制
造应用于高端显示的Mini-LED和Micro-LED、用于杀菌消毒和空气净化的紫外LED、应用于电力电子的功率器
件等。随着这些新兴领域的不断出现，预计MOCVD设备的市场有望进一步扩大。
过去几年，LED外延芯片公司扩产的主要方向为蓝绿光外延片，下游应用也主要集中在照明市场。在Min
i-LED背光及直接显示技术逐渐成熟，生产成本逐渐降低的推动下，近两年高端显示类的LED外延片需求量明
显增加，并逐渐从商业显示向个人消费领域渗透。2025年，RGBMini-LED背光电视正在成为高端电视中的新
生力量，加速了除传统蓝绿光Mini-LED外，红光Mini-LED的新增市场需求。Micro-LED显示技术也越来越受
到业内关注，基于单色Micro-LED显示的AR眼镜已经实现了全面量产，基于Micro-LED的高端显示产品也开始
实现小规模试生产，预计在未来几年将会有更多的新兴产品出现。总体上，LED外延片产品需求从单一的蓝
光扩展到红绿蓝三色，外延材料增加了对砷化镓基红光外延片的需求。
此外，随着消费电子、电动汽车、智能驾驶、数据中心、新能源发电与储能等应用爆发式增长，带动功
率半导体市场迎来高景气周期，尤其是氮化镓和碳化硅为代表的第三代半导体是近些年的行业热点。据Yole
公司报告，氮化镓功率器件主要应用在高频中小电压范围，预计市场规模将从2024年的3.6亿美金快速增长
到2030年超过29亿美金，复合年均增长率达42%。因此，面向氮化镓功率器件的外延设备的需求具有很大的
增长空间。
2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
目前半导体设备市场主要由欧美、日本等国家的企业所占据。近年来我国半导体设备行业整体水平不断
提高。
在刻蚀设备方面，全球刻蚀设备市场呈现垄断格局，海外少数几家公司占据主要市场份额；公司刻蚀设
备已应用于全球先进的3纳米及以下集成电路加工制造生产线。在海外先进的3纳米芯片生产线及下一代更先
进的生产线上，公司的CCP刻蚀设备均实现了批量销售。公司的ICP双台机PrimoTwin-Star，反应台之间刻蚀
速度控制的最好精度已达到每分钟0.2A（0.02纳米，即20皮米），这一刻蚀精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅
等薄膜的刻蚀工艺上，均得到了验证。该精度约等于硅原子直径2.5埃的十分之一，是人类头发丝平均直径
的350万到500万分之一。受益于公司完整的单台和双台刻蚀设备布局、核心技术持续突破、产品升级快速迭
代、刻蚀应用覆盖丰富等优势，2025年公司CCP和ICP刻蚀设备的销售增长和在国内主要客户芯片生产线上市
占率不断提升。
公司近两年新开发的LPCVD薄膜设备和ALD薄膜设备，目前已有多款新型设备产品进入市场并获得重复性
订单。其中，薄膜设备累计出货量已突破300个反应台，其他二十多种导体薄膜沉积设备也将陆续进入市场
，能够覆盖全部类别的先进金属应用；公司硅和锗硅外延EPI设备已顺利运付客户端进行量产验证，并且获
得客户高度认可。
在MOCVD领域，用于氮化镓基LED外延生产的设备已在行业领先客户生产线上大规模投入量产，自2017年
起已经成为氮化镓基LED市场份额最大的MOCVD设备供应商，牢牢占据行业内的领先地位。公司在Micro-LED
和高端显示领域的MOCVD设备开发上取得了良好进展，2025年已完成行业头部Micro-LED外延公司的量产验证
。公司正积极布局用于氮化镓基功率器件领域，新型MOCVD设备目前已发往下游客户进行量产验证，为GaN功
率器件外延设备的国产化做好充分准备。另外，AsP材料专用的MOCVD设备正在根据应用需求定制开发中，其
中，面向红光LED和Mini-LED的AsP材料专用设备也已发往显示头部IDM公司进行量产验证，其他应用包括红
光Micro-LED、光电子材料外延等也正在逐步推进中。
随着微观器件越做越小，量检测设备也成为了更关键的设备，为占总设备市场约13%的第四大设备门类
。根据QYResearch调研数据，2024年全球量检测设备市场规模为120.8亿美元，预计2025-2031年复合年增长
率（CAGR）将达4.9%，2031年有望增至168.3亿美元。公司通过投资和成立子公司，全面布局了量检测设备
板块，子公司超微公司引入多名国际顶尖的电子束量检测设备领域专家和领军人才，均拥有10年以上电子束
设备研发与产品商业化经验，已规划覆盖多种量检测设备产品。
同时，公司拟通过发行股份及支付现金购买资产并募集配套资金的方式购买杭州众硅电子科技有限公司
控股权实现从“干法”向“干法+湿法”整体解决方案的关键跨越。这一整合不仅填补了上市公司在湿法设
备领域的空白，更显著提升了公司在先进制程中为客户提供系统级整体解决方案的能力。
3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
随着芯片制程的不断提升，在每一代芯片新技术上，晶体管体积都在不断缩小，同时芯片性能不断提升
，先进的芯片中已有超过100亿个晶体管。随着工艺的提升，先进芯片从平面结构过渡到复杂的三维架构。
随着晶体管结构的复杂度不断提升，各种半导体设备技术的创新和突破起到决定性作用，对于刻蚀和薄膜沉
积技术提出了更高的要求。
1、等离子刻蚀技术水平发展状况及未来发展趋势
刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀。湿法刻蚀各向异性较差，侧壁容易产生横向刻蚀造成刻蚀偏差，通
常用于工艺尺寸较大的应用，或用于干法刻蚀后清洗残留物等。等离子体干法刻蚀是目前主流的刻蚀技术。
根据产生等离子体方法的不同，干法刻蚀主要分为电容性等离子体刻蚀和电感性等离子体刻蚀；根据被
刻蚀材料类型的不同，干法刻蚀主要是刻蚀介质材料、硅材料和金属材料。电容性等离子体刻蚀主要是以高
能离子在较硬的介质材料上，刻蚀高深宽比的深孔、沟槽等微观结构；而电感性等离子体刻蚀主要是以较低
的离子能量和极均匀的离子浓度刻蚀较软的或较薄的材料。这两种刻蚀设备涵盖了主要的刻蚀应用。
随着国际上先进芯片制程从3纳米阶段向更先进工艺的方向发展，当前光刻机受光波长的限制，需要结
合刻蚀和薄膜设备，采用多重模板工艺，利用刻蚀工艺实现更小的尺寸，使得刻蚀技术及相关设备的重要性
进一步提升。
芯片线宽的缩小及多重模板工艺等新制造工艺的采用，对刻蚀技术的精确度和重复性要求更高。刻蚀技
术需要在刻蚀速率、各向异性、刻蚀偏差、选择比、深宽比、均匀性、残留物、等离子体引起的敏感器件损
伤、颗粒沾污等指标上满足更高的要求，刻蚀设备随之更新进步。
集成电路2D存储器件的线宽已接近物理极限，NAND闪存已进入3D时代。目前200层以上3DNAND闪存已进
入大生产，更高层数正在开发。3DNAND制造工艺中，增加集成度的主要方法不再是缩小单层上线宽而是增加
堆叠的层数。刻蚀要在氧化硅和氮化硅的叠层结构上，加工40：1到60：1甚至更高的极深孔或极深的沟槽。
3DNAND层数的增加要求刻蚀技术实现更高的深宽比，并且对刻蚀设备的需求比例进一步加大。
2、金属化学气相沉积薄膜设备在中前端金属化工艺中的发展状况与未来发展趋势
从上个世纪末开始，主流的半导体工艺节点开始采用钨作为接触孔材料，以减少纯铝连接对前端器件的
损伤，到如今钨依然是接触孔工艺的主流方案。伴随着技术节点的推进，器件外阻逐渐超过内阻，成为影响
器件速率的关键因素，同时器件密度的提高使得原本的单层接触孔结构向多层接触孔演变。在先进的节点，
钨接触孔是目前最有竞争力的解决方案之一。
CVD钨制程需要良好的附着和阻挡层，一般是用附着性、稳定性以及阻挡性都非常优秀的氮化钛材料。
在传统工艺中，关键尺寸比较大，填充难度不高，业界都是用物理气相沉积的方法来沉积氮化钛。如今主流
的逻辑和存储芯片接触孔或者连线的关键尺寸很小，深宽比很高，传统的物理气相沉积氮化钛由于较低的阶
梯覆盖率，不能够满足高端器件的需求。原子层沉积的氮化钛具有优秀的阶梯覆盖率，逐渐成为接触孔阻挡
层和粘结层的主要选择。
随着3DNAND堆叠层数增加，阶梯接触孔的深宽比会达到40：1到60：1以上，这对氮化钛阻挡层的生长和
极高深宽比的钨填充都提出了更高的要求，堆叠层数的提高还需要更具挑战性的WL线路填充，包括更高的深
宽比和更长的横向填充。
同时，先进逻辑器件工艺节点向3纳米及更先进工艺方向发展，器件互联电阻逐渐增大成为影响器件速
度的关键因素。在90纳米到28纳米的传统工艺节点中，降低接触孔电阻的关键是降低钨膜的电阻率。但是在
14纳米及更先进工艺节点，金属阻挡层、金属形核层对接触孔阻值的影响越来越明显，如何减少或者消除阻
挡层和形核层的电阻是降低接触孔电阻的关键。钴、钼、钌等金属的应用以及无阻挡层的工艺也在更先进工
艺节点上开发和应用。
随着逻辑器件制程的进步，栅极作为逻辑器件中的重要组成部分，其类型逐渐由多晶硅栅极向金属栅极
发展，进而大大地提高了器件的性能。从28nm技术节点开始，金属栅极成为了先进逻辑器件的重要基础，并
且一直沿用至今。先进逻辑器件,尤其是采用鳍式场效应晶体管之后，对金属栅薄膜均匀性，污染物控制，
稳定性，功函数调节和台阶覆盖率都提出了更高的要求，从而提高器件的性能和稳定性。
以上在先进逻辑和存储器件中的新工艺都要通过先进的金属CVD或ALD来实现。
3、MOCVD设备行业在新技术方面近年来的发展情况与未来发展趋势
制造照明用蓝光LED外延片的MOCVD技术已达到成熟量产的阶段，应用于Mini-LED新型显示的MOCVD设备
发展较为迅速，整体产业技术从专注于白光Mini-LED背光逐渐升级向RGBMini-LED背光和小间距直显等性能
更为卓越的显示方案。MOCVD设备的迭代更新主要目标是在提高大规模生产的前提下满足外延生长的性能要
求、从而达到降低生产成本、提高生产效率的目的。此外，开发面向AsP材料的专用MOCVD设备，从而覆盖红
光LED和Mini-LED的应用需求，是报告期内一个新的发展趋势。主要的发展路径包括：具备大尺寸、多片外
延材料的生长能力，满足高均匀性和高生产效率的指标要求。
应用于Micro-LED高端显示的MOCVD设备对外延片在产出波长均匀性、颗粒度等方面有更为苛刻的技术要
求，以此降低Micro-LED应用的制造成本，加速高品质显示应用的推广。MOCVD设备发展的主要方向将在提升
产出波长均匀性，减少外延片颗粒度，提升设备的自动化性能以及大尺寸外延片生长能力等方面进行。应用
于氮化镓功率器件生产的MOCVD设备处于快速发展阶段。基于硅基衬底的氮化镓功率器件是当前应用端采用
的主流技术。相比于蓝宝石异质外延，硅基氮化镓异质外延会引入了更高的应力，这对外延的均匀性和应力
控制提出了更高的挑战。因此，需要对量产型MOCVD设备的温度场、气体流动场和多方位的监测控制进行更
精细的迭代优化。
二、经营情况讨论与分析
半导体设备是集成电路和泛半导体微观器件产业的基石，而集成电路和泛半导体微观器件，又是数码时
代的基础。半导体设备微观加工的能力是数码产业发展最卡脖子的关键，“半导体行业的未来，制造设备是
关键”，没有能加工微米和纳米尺度的光刻机、等离子体刻蚀机和薄膜沉积等设备，就不可能制造出集成电
路和微观器件。随着微观器件越做越小，结构越做越复杂，半导体设备的极端重要性更加凸显出来。一个国
家要成为数码时代的强国，至关重要的是要成为半导体微观加工设备的强国。
近年来数码产业蓬勃发展，已成为国民经济发展的重要引擎。随着数码产业的发展，全球半导体芯片和
晶圆制造领域的持续投资，促进了半导体设备行业的快速发展。数码产业占全球企业总产值40%以上，而且
在不断增长，和传统工业已经成为国民经济的两大支柱，数码产业的发展正在彻底改变人类的生产方式和生
活方式。半导体微观加工设备是发展集成电路和数码产业的关键，已成为人们最关注的硬科技产业之一。
中国的集成电路和泛半导体产业近年来持续兴旺。在政府的大力推动和业界的努力下，虽然在半导体设
备的门类、性能和大规模量产能力等方面，国产设备和国外设备相比还有一定的差距，但发展迅速并已初具
规模，中国大陆半导体设备市场规模在全球的占比逐年提升。
中微公司的主营产品等离子体刻蚀设备和薄膜设备作为光刻机之外的核心微观加工设备，其制程步骤复
杂度与工艺开发难度均在业内处于突出地位。微观器件的不断缩小推动了器件结构和加工制程的革命性变化
。存储器件内部架构从2D到3D的转换，使等离子体刻蚀和薄膜制程成为关键的核心步骤，对这两类设备的需
求量大大增加。光刻机由于波长的限制，先进的微观结构要靠等离子体刻蚀和薄膜的组合“二重模板”和“
四重模板”工艺技术来加工，刻蚀机和薄膜设备的重要性不断提高，这给主要提供等离子体刻蚀设备和薄膜
设备的中微公司带来了高速成长机会。此外，量检测设备市场增长速度很快，已成为占半导体前道设备总市
场约13%的第四大设备门类。量检测设备市场主要分为光学量检测设备和电子束量检测设备，其中公司发起
设立的超微公司，重点开发电子束量检测设备等，公司将通过各种方式扩大对多门类量检测设备的市场参与
和覆盖。
公司的等离子体刻蚀设备及薄膜沉积设备持续获得众多客户的认可，针对芯片制造中关键工艺的高端产
品新增付运量及销售额显著提升。公司站在先进制程工艺发展最前沿，始终强调技术创新、产品差异化和知
识产权保护的基本原则，并保持高强度的研发投入。目前在研项目涵盖六类设备，总共有超过二十款新设备
在开发中。新产品开发已经取得了显著成效，近两年新开发的LPCVD薄膜设备和ALD薄膜设备，已有多款新型
设备顺利进入市场并获得重要客户的重复性订单。其中，薄膜设备累计出货量已突破300个反应台，其他多
个关键薄膜沉积设备研发项目的研发进程均比较顺利，有望尽快进入客户验证阶段。公司EPI设备已进入客
户端量产验证阶段。公司在Micro-LED和高端显示领域的MOCVD设备开发及客户验证上取得了良好进展，并正
在开发用于碳化硅和氮化镓基功率器件应用的相关设备。
同时，公司拟通过发行股份及支付现金购买资产并募集配套资金的方式购买杭州众硅电子科技有限公司
控股权实现从“干法”向“干法+湿法”整体解决方案的关键跨越。这一整合不仅填补了上市公司在湿法设
备领域的空白，更显著提升了公司在先进制程中为客户提供系统级整体解决方案的能力。面对先进晶圆厂和
先进存储厂对工艺协同性、产线稳定性与整体效率日益严苛的要求，上市公司可为客户提供高度协同的成套
设备解决方案，大幅缩短工艺调试和验证周期，从而增强客户黏性，加速上市公司在主流产线的规模化渗透
。
公司继续瞄准世界科技前沿，持续践行三维立体发展战略，深耕集成电路关键设备领域、扩展在泛半导
体关键设备领域应用并探索其他新兴领域的机会，推进公司实现高速、稳定、安全发展。公司坚持以市场和
客户需求为导向，积极应对复杂形势，继续加大研发投入和业务开拓力度，推动以研发创新为驱动的高质量
增长策略，抓住重点客户扩产投资机会，推进订制化精细化生产经营，公司在刻蚀设备、薄膜设备、MOCVD
设备等设备产品研发、市场布局、新业务投资拓展等诸多方面取得了较大的突破和进展，产品不断获得海内
外客户的认可，为公司持续健康发展提供了有力支撑。
公司同时兼顾外延性发展，在聚焦公司核心业务集成电路设备的同时积极探索布局其他新业绩增长点，
子公司中微惠创、中微汇链、芯汇康及公司参与投资的诸多公司在各自细分领域取得了卓有成效的进展。
此外，为更好地完善公司的产业链布局，进一步提升公司的产能规模和综合竞争实力，公司在上海临港
新片区建设中微临港产业化基地及中微临港总部和研发中心，在南昌高新区建设中微南昌产业化基地，在广
州建设华南总部研发及生产基地，在成都建设成都研发及生产基地暨西南总部项目。公司位于南昌的约14万
平方米的生产和研发基地已于2023年7月正式投入使用；公司在上海临港的约18万平方米的生产和研发基地
已于2024年8月正式投入使用，临港二期约20万平方米的生产和研发基地拟于2026年下半年开工建设；上海
临港滴水湖畔约10万平方米的总部大楼暨研发中心也在顺利建设；位于广州的华南总部研发及生产基地总体
规划占地约130亩，2025年9月开工建设的一期项目占地约50亩，预计2026年年底建成，2027年投产；成都研
发及生产基地暨西南总部一期项目占地约50亩，于2025年10月正式启动建设，预计2027年投产；为今后的发
展夯实基础。
报告期内公司持续提升综合竞争力，在技术进步、业务发展、业绩增长、规范治理等方面不断向国际先
进水平的方向努力，实现公司高速、稳定、健康、安全发展。
报告期内，公司在研发创新、知识产权体系建设、生产经营、外延式生长等方面取得了积极成果：
1、产品研发及客户拓展方面
公司坚持自主创新，产品布局及技术研发面向世界科技前沿。报告期内，公司继续保持较高的研发投入
，与国内外一流客户保持紧密合作，相关设备产品研发进展顺利、客户端验证情况良好。2025年公司研发投
入约37.44亿元，较去年增长12.91亿元，同比增长约52.65%，研发投入占公司营业收入比例约为30.23%，远
高于科创板上市公司的平均研发投入水平。
公司主营产品等离子体刻蚀设备作为半导体前道核心设备之一，市场空间广阔，技术壁垒较高。公司的
等离子体刻蚀设备在国内外持续获得更多客户的认可，针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端
产品新增付运量显著提升，先进逻辑器件中段关键刻蚀工艺和先进存储器件超高深宽比刻蚀工艺实现量产。
公司在新产品开发方面取得了显著成效，近两年新开发出十多种导体和介质薄膜设备，目前已有多款新
型设备产品进入市场，其中部分设备已获得重复性订单，LPCVD设备累计出货量突破三百个反应台，其他多
个关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进；公司EPI设备已顺利进入客户端量产验证阶段。
公司持续保持国际氮化镓基MOCVD设备市场领先地位，积极布局用于碳化硅和氮化镓基功率器件应用的
市场，并在Micro-LED和其他显示领域的专用MOCVD设备开发上取得了良好进展，几款MOCVD新产品进入客户
端验证阶段。公司新型八寸碳化硅外延设备、新型红黄光LED应用的设备已付运至国内领先客户开展验证，
目前进展顺利。
报告期内，公司发挥产品技术及销售服务竞争优势，不断强化公司技术和品牌优势，持续深化同海内外
客户的业务合作，以更好的市场形象和更专业的服务为客户提供产品解决方案。在持续改善量产机台的运行
时间和生产效率的同时，研发团队和客户紧密合作，进行更多的关键制程的工艺开发和验证，进一步提高产
品的技术先进性和市场竞争力，以拓宽机台的生产能力并赢得更多的制程量产机会。
公司主要产品的进展情况如下：
（1）CCP刻蚀设备
公司CCP刻蚀设备中双反应台PrimoD-RIE、PrimoAD-RIE、PrimoAD-RIEe，单反应台PrimoHD-RIE等产品
已广泛应用于国内外一线客户的生产线，2025年继续保持高速增长态势，单年付运超过1000个反应台。用于
高精度高选择比刻蚀工艺的单反应台产品PrimoHD-RIEe，和用于超高深宽比刻蚀工艺的PrimoUD-RIE付运量
继续增加。2025年CCP刻蚀设备累计装机量超过5000反应台，连续十年保持大于30%的年平均复合增长率。
公司已有的刻蚀产品已经对绝大部分CCP刻蚀应用形成较为全面的覆盖。针对更加先进的7纳米及以下的
逻辑器件生产中所需要的更高选择比和均匀度的接触孔，通孔以及金属掩膜大马士革工艺，公司在可调节电
极间距的双反应台CCP刻蚀机PrimoSD-RIE的基础上，基于新的平台开发了具有可调电极间距的单反应台刻蚀
产品。该产品在具备可调节电极间距的基础上，可以灵活调节等离子体分布；同时增加了腔体加热和聚焦环
控温功能，可以更有效地保持反应腔稳定性；同时还具备5路快速切换气体，可以满足更先进器件CCP刻蚀工
艺中氧化硅和氮化硅原子层刻蚀的需求。目前产品样机已经在实验室搭建完成，预计2026年第一季度进行工
艺验证和马拉松测试。
公司开发的晶边刻蚀设备PrimoHalona2025年付运到国内领先的逻辑客户进行现场验证。该产品基于中
微公司成熟的双反应台平台，采用高效率四手臂机械手，在实现高产出效率的同时降低生产成本。其腔体采
用耐腐蚀设计，可以兼容多种腐蚀性气体，在同一腔体实现了有机物，氧化硅，金属和金属氧化物的刻蚀，
满足各种晶边刻蚀的应用需求。同时该设备可选配集成量测模块，实现在同一平台晶边刻蚀工艺的刻蚀率和
偏心度的检测，极大提升工艺精准度和生产效率。
在存储器件制造工艺中，公司的产品可以覆盖绝大部分刻蚀应用，2025年针对存储器件刻蚀工艺的新增
装机占比继续提升。公司完全自主开发的针对超高深宽比刻蚀工艺的PrimoUD-RIE的工艺能力得到进一步验
证，在2024年实现超高深宽比深孔刻蚀工艺大规模量产的基础上，2025年实现了超高深宽比沟槽刻蚀的大规
模量产。公司针对更先进三维存储器件超高深宽比刻蚀工艺的下一代产品实验室研发阶段已经完成，该产品
采用全新腔体结构设计，适用于高腐蚀性气体和超低温刻蚀工艺，刻蚀工艺显著减少碳氟气体使用，刻蚀效
率较上一代产品提升明显，可以显著提升生产效率，降低生产成本并实现更低的环境影响。
（2）ICP刻蚀设备
报告期内，公司的ICP刻蚀设备包括PrimoTwin-Star、Primonanova、PrimoMenova等产品在涵盖逻辑、D
RAM、3DNAND、功率和电源管理、以及微电机系统等芯片和器件的50多个客户的生产线上量产，并继续验证
更多ICP刻蚀工艺。2025年，ICP刻蚀设备在客户端的累计安装数达到1800个反应台，近9年年均增长大于100
%。
报告期内，公司NanovaLUX-Cryo在客户端认证通过，并取得重复订单，在客户的下一代产品的产线上实
现量产。与此同时，下一代ICP刻蚀设备的Alpha机在实验室开展多个客户的工艺验证，Beta机器计划2026年
初去客户端认证。PrimoTwin-Star则在海内外客户的逻辑芯片、功率器件、微型发光二极管Micro-LED、AR
和VR智能眼镜用的超透镜（Metalens）等特色器件的产线上实现量产，装机量快速增长。公司的PrimoMenov
a金属刻蚀设备，在客户端认证顺利，已投入量产。
报告期内，公司ICP刻蚀设备类中的8英寸和12英寸深硅刻蚀设备PrimoTSV200E、PrimoTSV300E在晶圆级
先进封装、2.5D封装和微机电系统芯片生产线等成熟市场继续获得重复订单的同时，在12英寸的3D芯片的硅
通孔刻蚀工艺上得到成功验证，并在欧洲客户12英寸微机电系统芯片产线上获得认证的机会，这些新工艺的
验证为公司PrimoTSV300E刻蚀设备拓展了新的市场。与此同时，公司针对更高金属污染和颗粒物控制要求等
技术需求的第三代硅通孔刻蚀机PrimoTwin-StarDSE的Alpha机搭建完成，并开始客户的工艺验证。
此外，报告期内，公司根据客户和市场技术发展需求，有序推进更多ICP刻蚀技术的研发，特别是先进
高选择比技术的研发，为未来推出更多的刻蚀设备做技术储备，以满足三维逻辑、三维DRAM和更多堆叠的3D
NAND存储等芯片制造对ICP刻蚀的需求。
（3）薄膜沉积设备研发
公司开发的多款薄膜沉积产品已推向市场。中微公司钨系列薄膜沉积产品：CVD（化学气相沉积）钨设
备，HAR（高深宽比）钨设备和ALD（原子层沉积）钨设备，可覆盖存储器件所有钨应用；该系列设备均已通
过关键存储客户端现场验证，满足先进存储应用中所有金属互连应用（包含高深宽比金属互连应用）及三维
存储器件字线应用各项性能指标，并获得客户重复量产订单。同时，公司钨系列产品也可满足先进逻辑器件
中多道金属钨互连应用需求，已通过关键逻辑客户端现场验证，满足先进逻辑应用中各项性能指标，已获得
客户重复量产订单。此外，公司钨系列产品也通过了特殊器件客户金属钨应用现场验证。基于公司钨系列产
品独特的性能优势，已顺利完成先进逻辑，先进存储和特殊器件的现场验证，未来将进一步扩大市场占有率
。
同期，公司开发出应用于先进逻辑器件的金属栅系列产品：ALD氮化钛，ALD钛铝，ALD氮化钽产品，已
完成多个先进逻辑客户设备验证，可满足先进逻辑客户性能需求的同时，设备的薄膜均一性，污染物控制和
生产效率均达到世界先进水平。该系列设备已付运到多个先进逻辑客户端进行验证，核准推进顺利。其中，
ALD氮化钛薄膜也是先进存储器件中钨填充阻挡层和粘结层的主要选择，公司开发的ALD氮化钛设备可满足先
进存储器件高深宽比及三维结构的台阶覆盖率需求及各项性能指标，并已通过多个关键存储客户的样品验证
，有利于进一步扩大市场规模。
中微公司在现有的金属CVD和ALD设备研发基础上，同步推进多款CVD、ALD等设备开发，增加薄膜设备的
覆盖率，进一步拓展市场。
公司的薄膜沉积设备采用独特的双腔设计，每个腔体可独立进行工艺调节，保证产品性能的同时，大大
提高了生产效率，降低了材料成本。此外，中微独立自主的IP设计，确保了更优化的产品性能，也保障了产
品未来的可持续发展。
公司EPI设备研发团队，通过基础研究和采纳关键客户的技术反馈，已经开发出具有自主知识产权及创
新的平台，预处理和外延反应腔。目前公司减压EPI设备已顺利付运成熟制程客户进行量产验证。设备已经
进入先进制程客户验证阶段，部分先进工艺已进入量产验证。新一代高选择比预清洁腔体满足先进工艺的需
求，已在客户端进行量产验证；常压外延设备现已完成开发，进入工艺验证阶段。
（4）MOCVD设备报
告期内，公司用于蓝光照明的PRISMOA7、用于深紫外LED的PRISMOHiT3、用于Mini-LED显示的PRISMOUni
Max等产品持续服务客户。截止2025年，公司持续保持国际氮化镓基MOCVD设备市场领先地位。其中PRISMOUn
iMax产品自2021年6月正式发布以来，凭借其高产量、高波长均匀性、高良率等优点，受到下游客户的广泛
认可，在Mini-LED显示外延片生产设备领域处于国际领先。
公司于2023年底付运Micro-LED应用的设备样机PreciomoUdx至国内领先客户开展生产验证。报告期内样
机验证进展顺利，其性能与可靠性已满足客户产线要求，并获得客户的重复订单。同时，公司正进一步推进
该新产品在Micro-LED市场的应用拓展与推广。
随着电动汽车、消费电子、人工智能、风力与光伏储能和轨道交通等应用的快速发展，市场对氮化镓和
碳化硅功率器件的需求呈现爆发式增长。公司已经建立了氮化镓LED外延装备的优势，在此基础上，进一步
研发了面向硅基氮化镓异质外延功率器件的专用设备。于2022年推出了用于氮化镓功率器件生产应用的MOCV
D设备PRISMOPD5，目前已交付客户进行生产验证，并取得了重复订单。除此之外，公司正开发新一代氮化镓
功率器件应用的MOCVD设备，将进一步提升设备性能，降低客户生产成本；报告期内，公司已付运新型氮化
镓功率器件应用MOCVD设备至领先客户端开展生产验证。
同时，公司也启动了应用于碳化硅功率器件外延生产设备的开发，报告期内，公司持续提升优化该设备
的工艺性能，并与多家行业领先客户开展技术对接和商务洽谈。目前，该新型8”碳化硅外延设备已进入国
内头部企业的试产验证阶段。
此外，公司也紧跟市场发展趋势，积极拓展MOCVD设备的应用范围，进一步推进应用于红黄光LED的MOCV
D设备开发，实验室已实现了优良的LED波长均匀性能。报告期内，公司已付运红黄光LED应用的设备样机至
国内领先客户开展生产验证，目前样机验证进展顺利。
（5）先进封装相关设备
报告期内，公司用于2.5D、3D先进封装硅通孔的PrimoTSV300E产品持续服务客户，并获得重复订单。公
司用于先进封装等离子体切割的PrimoMatrix正与多家重要客户开展商务洽谈。同时，PrimoTSV300E在12英
寸的高深宽比深槽电容刻蚀和SoICWoW（WaferonWafer）工艺上完成工艺开发，并在国内头部客户产线上成
功验证。
此外，公司也紧跟市场发展趋势，在继续深耕先进封装所用的第三代TSV刻蚀机开发的同时，大力拓展
先进封装产品的平台化；报告期内，公司启动了先进封装所用的CuBSPVD集成设备开发，目前两款设备均开
发顺利，报告期内得到了优良的工艺结果，正与多家领先客户开展商务洽谈。
（6）气体净化设备
子公司中微惠创利用分子筛的吸附原理，开发制造了平板显示领域气体净化设备。设备可根据客户的要
求灵活配置不同处理规模的系统，提供给客户可靠、稳定、安全和节能的净化解决方案。此外，中微惠创与
德国DAS环境专家有限公司继续开展战略合作，双方在半导体行业尾气处理设备领域展开紧密的合作，目前
已经批量生产制造净化设备，并顺利地应用在各个客户端，共同推动环保科技行业的发展。
（7）分布式生态工业互联网平台
子公司中微汇链基于多年来在中微公司沉淀的业务管理经验以及在高科技制造领域多家企业的数字化服
务实践经验，研发和推广数字化运营体系及产品，专注服务以集成电路为代表的高科技制造行业与行业内企
业。
汇链推出的“We”系列数字化产品为提升企业从研发、制造，到质量、售后的管理能力，助力企业融入
产业生态，为高科技制造产业打造企业间协同互信、资源共享的生态型平台We-Linkin。目前，中微汇链产
品已涵盖超80+个场景应用、超900+项微服务功能。
基于半导体产业数字化领域的战略布局，专注为中国半导体设备、核心零部件及特种材料领域的科创型
、高成长性企业，提供端到端的数字化运营整体解决方案。以“研发运营一体化、运营管理指标化”为核心
理念的产业数字合伙人，致力于帮助客户将技术创新高效、可靠地转化为市场成功与可持续增长。汇链科技
已成功服务超过50家半导体领域的科创企业，产业链数字化解决方案覆盖率85%。我们正从“解决方案提供
商”向“产业效率平台”演进，通过积累的行业经验与知识模型，未来为企业提供更智能的管理范式、供应
链协同网络及产业资源对接服务，成为推动中国半导体产业自主化与高质量发展的重要数字基座。
中微汇链为国家“星火链网”半导体骨干节点技术建设单位、中国产业区块链企业50强，并被授予上海
市集成电路产业数字化转型“链主”培育服务企业；入选上海市质量管理数字化转型案例十佳案例；并参与
制定《区块链服务基于区块链的去中心化标识（DID）技术要求》、《区块链服务数字孪生开发平台技术规
范》等多项数字化领域团体标准。
报告期内，公司研发方向和产品符合市场趋势和需求，与产业发展深度融合。各产品的研发成果均取得
行业主流客户的认可，客户验证情况良好，巩固了公司产品的竞争优势。
2、生产基地建设
为更好地完善公司的产业链布局，进一步提升公司的产能规模和综合竞争实力，公司在上海临港新片区
建设中微临港产业化基地及中微临港总部和研发中心，在南昌高新区建设中微南昌产业化基地，在广州建设
华南总部研发及生产基地，在成都建设成都研发及生产基地暨西南总部项目。公司位于南昌的约14万平方米
的生产和研发基地已于2023年7月正式投入使用；公司在上海临港的约18万平方米的生产和研发基地已于202
4年8月正式投入使用，临港二期约20万平方米的生产和研发基地拟于2026年下半年开工建设；上海临港滴水
湖畔约10万平方米的总部大楼暨研发中心也在顺利建设；位于广州的华南总部研发及生产基地总体规划占地
约130亩，2025年9月开工建设的一期项目占地约50亩，预计2026年年底建成，2027年投产；成都研发及生产
基地暨西南总部一期项目占地约50亩，于2025年10月正式启动建设，预计2027年建成投产，为今后的发展夯
实基础。
3、供应保障方面
公司在需求预测、库存管理和供应商管理三方面建立了动态协调机制，使生产所需的零部件原材料能够
高效流转。公司也在持续开发关键零部件的供应商，也非常重视零部件的国产化工作。公司建立了高效的库
存管控体系，设置合理的库存警戒线，以加快存货周转。随着智能工厂项目和精益管理的持续推进，人员效
率和人均产能将稳步提升，制造成本更富竞争力。同时，公司深入强化质量管理体系建设，增强员工质量意
识，产品质量缺陷数量呈逐年下降态势。
4、营运管理方面
公司在营运管理中采用关键指标管理，尤其在生产管理、材料管理、客户技术支持和设备运行表现方面
设定了一系列的关键考核指标，覆盖了质量、效率、成本和安全等众多方面。公司定期跟踪各项指标的执行
情况，并根据统计结果和客户反馈，制定出关键指标的改进要求。2025年，公司获得了多项殊荣，行业认可
度不断提升，包括临港新片区工业产值十强、SEMISCC碳中和与可持续发展领军企业奖、福布斯ESG50等。报
告期内，公司营运效率持续提高，设备交付按时率保持在较高水准，物料成本控制等指标达到预期水平。
5、知识产权保障方面
公司高度重视科技创新和知识产权保护工作。报告期内，公司新增专利申请416项，包括发明专利294项
，实用新型专利105项，外观设计专利17项。截至2025年12月，公司已申请3324项专利，其中发明专利2715
项；已获授权专利2047项，其中发明专利1695项。公司鼓励创新，组织开展优秀专利奖项的评选活动，并着
重奖励在产品创新方面取得杰出成效的员工。
2025年1月9日，公司和南昌中微共同拥有的发明专利“一种化学气相沉积装置及其清洁方法”（专利号
：ZL201510218357.1）荣获第二十五届中国专利奖银奖。中国专利奖是我国专利领域的最高荣誉，由国家知
识产权局和世界知识产权组织联合主办，旨在鼓励和表彰专利权人和发明人对技术创新及经济社会发展所作
出的突出贡献。至此，中微公司已荣获中国专利奖2项金奖、1项银奖和3项优秀奖，这标志着中微公司在技
术创新和知识产权保护方面所取得的卓越成就。
6、人才建设方面
公司视“员工”为最宝贵的资产，致力于为员工提供广阔的职业发展空间，构建专业线、管理线发展双
通道，并设计了针对不同发展阶段、形式多样的职业规划，拓展人才发展渠道，无论普通员工，还是管理团
队均能获得充分的成长、发展机会。同时，公司践行“五个十大”的公司文化，打造赋能型、人性化、全员
参与式的学习氛围，不断激发员工活力，助力员工实现自身职业理想，与企业共同成长发展。报告期内，公
司进一步拓宽人才吸引渠道，从国内外吸引了行业经验丰富的管理及技术人才，并从知名院校中挑选了一批
优秀的毕业生，公司2025年新入职员工702人。公司于2021年正式成立了中微学习发展中心，由董事长兼CEO
领衔，各部门负责人作为系主任，设置了以产品线划分的技术、领导力以及通用能力的学习板块，并进一步
设置中微学苑，有力促进培养组织需要的技能，提升组织及人员竞争力，建立学习型组织文化氛围。2025年
，根据公司最新的业务战略和人才发展规划，对中微学苑进行重磅升级，新的中微学苑致力成为半导体设备
行业人才培养的标杆，在CEO及由主要领导专家组成的指导委员会的指导和支持下，通过新定义的三大功能
中心：专业培训中心、素质发展中心、校企合作中心，由运营中心团队负责具体规划、运营、实施，对内系
统化培养不同岗位及层次的人才，发展行业一流人才，对外与不同层次院校、单位在人才培养、科研项目等
方面进行合作，互惠双赢。
7、外延式发展方面
公司不断践行外延式发展策略，公司下属的中微汇链、中微惠创、芯汇康在新业务拓展领域取得了良好
的进展，得到了市场和用户的高度评价。2025年度，公司参与设立智微资本，并出资
7.35亿元认购了上海智微攀峰创业投资合伙企业（有限合伙），持股49%，支持智微资本继续深耕半导
体产业链，与公司业务形成良好的协同效应。
8、内部治理方面
公司建立了较为完善的公司内控制度和公司治理结构，报告期内持续完善公司治理机制，强化风险管理
和内部控制，严格贯彻执行相关制度，切实保障公司和股东的权益，为企业持续健康发展提供坚实基础。
9、信息披露及防范内幕交易方面
公司严格遵守法律法规和监管机构规定，严格执行公司信息披露管理制度，真实、准确、完整、及时、
公平地履行信息披露义务，通过上市公司公告、投资者交流会、业绩说明会、上证e互动、电话、邮件等诸
多渠道，与投资者保持密切沟通，保持公司营运透明。报告期内，公司荣获“2024新财富杂志最佳上市公司
”、“金牛上市公司科创奖”、“上市公司投资者关系天马奖”、“2025最具价值科创板上市公司”、“20
24年度新质企业金牛奖”等多个奖项。
公司高度重视内幕交易防范，对公司董事、高级管理人员及相关员工定期作出禁止内幕交易的警示教育
，要求董事、高级管理人员及相关知情人员严格履行保密义务并严格遵守买卖股票规定。
三、报告期内核心竞争力分析
(一)核心竞争力分析
公司主要从事半导体及泛半导体设备的研发、生产和销售，为全球半导体制造商及其相关的高科技新兴
产业公司提供加工设备和工艺技术解决方案，助力他们提升技术水平、提高生产效率、降低生产成本。公司
围绕这一目标，不断加强管理和研发能力，形成了优秀的技术和管理团队持续研发创新并推出有技术和市场
竞争力的产品。
（一）突出的创始人及技术团队保证公司在高端半导体设备研发和运营的竞争优势
中微公司的创始团队及技术人员拥有国际领先半导体设备公司的从业经验，是国内具有国际化优势的半
导体设备研发和运营团队之一。
中微公司的创始人、董事长及总经理尹志尧博士在半导体芯片和设备产业有超过30年的行业经验，是国
际等离子体刻蚀技术发展和产业化的重要推动者之一。中微公司的其他联合创始人、核心技术人员和重要的
技术、工程人员，包括各专业领域的专家，其中很多是在国际半导体设备产业耕耘数十年，为行业发展做出
杰出贡献的资深技术和管理专家。他们在参与创立或后续加入中微公司后，不断创造新的技术、工艺和设计
，为公司产品和技术发展做出了不可替代的贡献。中微公司以合作共赢的团队精神和全员持股的激励制度，
吸引了来自世界各地具有丰富经验的半导体设备专家，形成了成熟的研发和工程技术团队。截至报告期末，
公司共有研发人员1548名，占员工总数的52.24%，涵盖了等离子体物理、射频及微波学、结构化学、微观分
子动力学、光谱及能谱学、真空机械传输等相关学科的专业人员。凭借研发团队多年的努力以及持续不断的
研发投入，公司成功研发了具有市场竞争力的半导体刻蚀设备、薄膜设备及MOCVD设备，积累了丰富的研发
和产业化密切结合的经验和雄厚的技术、专利储备。
公司成功打造了一支具有创造力和竞争力的技术和研发团队，有力地保障了公司产品和服务不断创新改
进。
（二）持续高水平的研发投入，依照产业发展提前布局
持续较高水平的研发投入是公司保持核心竞争力的关键。半导体制造对设备的可靠性、稳定性和一致性
提出了极高的要求，半导体设备行业技术门槛较高，行业新进入者需要经过较长时间的技术积累才能进入该
领域。
公司面向世界先进技术前沿，以国际先进的研发理念为依托，专注于高端微观加工设备的自主研发和创
新。公司始终保持大额的研发投入和较高的研发投入占比。公司具有一支技术精湛、勇于创新的国际化人才
研发队伍，形成了良好的企业创新文化，为公司持续创新和研发提供保障力量。
公司积累了深厚的技术储备和丰富的研发经验，这一优势保证了公司产品和服务的不断进步。公司拥有
多项自主知识产权和核心技术，截至2025年12月，公司已申请3324项专利，其中发明专利2715项；已获授权
专利2047项，其中发明专利1695项。
在逻辑集成电路制造环节，公司开发的12英寸高端刻蚀设备已运用在国际知名客户最先进的生产线上并
用于3纳米、3纳米以下器件中若干关键步骤的加工；同时，公司根据先进集成电路厂商的需求持续进行设备
开发和工艺优化。在3DNAND芯片制造环节，公司的等离子体刻蚀设备已应用于200层以上的量产，同时公司
根据存储器件客户的需求正在开发极高深宽比的刻蚀设备和工艺；公司也根据逻辑器件客户的需求，正在开
发更先进刻蚀应用的设备。公司的MOCVD设备PrismoA7、PrismoUniMax能分别实现单腔单腔34片4英寸和41片
4英寸外延片加工能力。公司的PrismoA7与PrismoUniMax设备技术实力突出，已在全球氮化镓基LEDMOCVD市
场中占据领先地位。公司和诸多一流的LED外延片厂商公司紧密合作，实现了产业深度融合。公司开发的12
英寸低压薄膜沉积设备可以用于先进逻辑电路接触孔填充工艺，以及200层以上3DNAND的多个工艺的制程要
求，同时公司还致力于更先进逻辑电路的接触孔填充设备和更多层数的存储器件接触孔和金属互联填充设备
的开发和工艺验证。
公司高端设备产品和技术处于世界先进水平，产品研发提前布局，符合行业发展趋势。
（三）持续优化营销和服务网络，在产品认证和使用过程和客户形成深度的绑定合作关系积极打造中微
特色的服务优势
经过多年的努力，公司凭借在刻蚀设备及MOCVD设备领域的技术和服务优势，产品已成功进入了海内外
半导体制造企业，形成了较强的客户资源优势。
半导体设备制造商的售后服务尤为关键，关系到设备能否在客户生产线上正常、稳定地运行。随着半导
体制造环节向亚洲转移，相较于国际竞争对手，公司在地域上更接近主流客户，能提供快捷的技术支持和客
户维护。
公司良好的产品性能表现以及专业售后服务能力已在业内树立了良好的品牌形象。
（四）持续拓展泛半导体设备产品，扩大产品覆盖优势
公司的设备产品覆盖集成电路、MEMS、LED、平板显示等不同的下游半导体应用市场，具有不同的周期
性，多产品覆盖能够一定程度平抑各细分市场波动对公司业绩带来的影响。
（五）建立全球化采购体系，持续提升公司生产交付的服务水平
公司对于零部件供应商的选择十分慎重，对供应商的工艺经验、技术水平、商业信用进行严格考核，并
对零部件进行严格测试。公司建立了全球化的采购体系，与全球800余家供应商建立了稳定的合作关系。同
时，公司注重零部件的本土化，在国内培育了众多的本土零部件供应企业，有力地保障了公司产品零部件供
应和服务水平的持续提升。
（六）充分发挥员工主观能动性，打造“总能量”和“净能量”最大化的企业文化
公司高度重视企业管理文化建设，经过20多年的实践发展，总结出了一套科创企业发展和成熟必须要遵
循的客观规律和经验法则，形成了以“产品开发的十大原则”、“战略销售的十大准则”、“营运管理的十
大章法”、“领导能力的十大要点”和“精神文化的十大作风”为核心的企业管理与发展的哲学。中微一直
秉承“自强不息，厚德载物”和“攀登勇者，志在巅峰”的企业精神，不断攀登新的发展高峰，力争使中微
成为总能量最大化和净能量也最大化的强大而成功的企业。
(三)核心技术与研发进展
1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司特别重视核心技术的创新、产品的差异化和知识产权的保护。在开发、设计和制造刻蚀设备、薄膜
沉积设备和MOCVD等设备的过程中，始终强调创新和差异化并保持高强度的研发投入。通过核心技术的创新
开发，公司的产品已达到国际先进水平。
1、刻蚀设备技术
报告期内，公司紧跟技术发展趋势和客户需求，坚持自主创新，致力于产品的差异化，持续强化刻蚀设
备的技术领先优势。公司在过去的20多年着力开发了一个完整系列的20种等离子体刻蚀设备，并积累了大量
的芯片生产线量产数据和客户验证数据。公司CCP和ICP刻蚀机的单双反应台并举策略的优势凸显。同时，公
司大力投入先进芯片制造技术中关键刻蚀设备的研发和验证，目前针对逻辑和存储芯片制造中最关键刻蚀工
艺的设备已经在客户的产线上展开验证。
公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，先进逻辑器件中段
关键刻蚀工艺和先进存储器件的超高深宽比刻蚀工艺实现大规模量产。其中CCP方面，公司用于关键刻蚀工
艺的单反应台介质刻蚀产品保持高速增长，60比1超高深宽比介质刻蚀设备成为国内标配设备，量产指标稳
步提升，下一代超高深宽比介质刻蚀设备即将进入市场；ICP方面，适用于下一代逻辑和存储客户用ICP刻蚀
设备和化学气相刻蚀设备开发取得了良好进展。加工的精度和重复性已达到单原子水平。
此外，公司和国内外特殊器件制造客户合作，在先进封装、功率器件、电源管理、微机电系统等领域不
断拓展应用，持续获得订单。公司通过与国际领先客户合作，积极参与新兴器件制造技术的研发，在虚拟现
实技术和医疗诊断有广泛应用前景的超透镜（Metalens）和基于12英寸晶圆的微机电系统制造等方面都取得
可喜的进展，公司设备已经在相应的生产线上进行最新技术的研发和试产。
在不断扩大刻蚀应用市场占有率和提升产品性能的同时，公司致力于建立完整的供应商体系，非常注重
与本土供应商的合作，力争实现以点带面，合作共赢，共同突破。在带动一批本土供应商成长的同时也极大
地助力公司的高速，稳定，健康和安全发展。近年来，公司继续加大供应商本土化和多元化的投入，在合作
的深度和广度上进一步加强，为降本增效和供应链安全提供更加坚实的保障。
2、薄膜沉积设备技术
公司已经实现多种薄膜沉积设备的高效研发与交付。公司完全自主设计开发的双台机钨系列设备，生产
效率达到业界领先水平，在保证较低的化学品消耗的同时，具有优秀的阶梯覆盖率和填充能力，能够满足先
进存储器件关键字线应用、接触孔填充应用及其他多个关键应用，同时也可满足先进逻辑应用中钨接触孔应
用需求，中微独创的接触孔填充方案能够在60比1深宽比的深孔结构中获得国际领先的填充效果。此外，中
微开发的金属钨系列在生产稳定性上也表现出了突出性能，其中原子层沉积金属钨产品晶圆间薄膜均一性达
到了小于1%的水平。公司新推出自主开发的金属栅系列产品，继承中微独特的双反应台设计，通过中微专利
的多级匀气混气设计，基于模型算法的加热系统设计和可实现高效原子层沉积反应的反应腔流导设计等，具
备高输出效率的同时，产品性能达到国际先进水平，可满足先进逻辑关键金属栅应用需求。
3、MOCVD设备技术
公司用于蓝光LED的PRISMOD-Blue、PRISMOA7两款MOCVD设备能分别实现单腔14片4英寸和单腔34片4英寸
外延片加工能力。公司的PRISMOA7设备已在全球氮化镓基LEDMOCVD市场中占据领先地位。
用于制造深紫外光LED的高温MOCVD设备PRISMOHiT3，其反应腔最高工艺温度可达1400度，单炉可生长18
片2英寸外延晶片，并可延伸到生长4英寸晶片，已在行业领先客户端用于深紫外LED的生产验证并获得重复
订单。
用于Mini-LED生产的MOCVD设备PRISMOUniMax，具有行业领先的高产能和高灵活性的特点，在同一系统
中可配备多达4个反应腔，每个反应腔都可实现独立控制。PRISMOUniMax配置了785mm大直径石墨托盘，可实
现同时加工164片4英寸或72片6英寸外延晶片，有效提高产能并降低生产成本；创新的多区辅助加热调节系
统，能精确控制托盘局部区域温度，有助于更大程度上提升LED波长均匀性。PRISMOUniMax已在领先客户端
开始进行规模化生产，助力公司在全球氮化镓基LEDMOCVD市场中持续占据领先地位。
用于硅基氮化镓功率器件用MOCVD设备PRISMOPD5，具有高灵活性的特点，在同一系统中可配备多达4个
反应腔，每个反应腔都可实现独立控制，仅通过更换石墨托盘即可实现6英寸与8英寸工艺的便捷切换，PRIS
MOPD5设备已在客户生产线上验证通过并获得重复订单。
用于Micro-LED生产的MOCVD设备PreciomoUdx，具有高度生产灵活性，在同一系统中最多可配置两个反
应腔，每个反应腔可以独立控制，可同时加工18片6英寸或者12片8英寸高性能氮化镓基蓝绿光Micro-LED外
延晶片。系统配置了自主开发的基于模型的温控系统，具有优异的波长均匀性和产出稳定性等优势；设备集
成了腔内原位清洁功能，实现长周期免维护连续运行，结合业界领先的片盒到片盒自动化生产模式，有效降
低了Micro-LED外延片的颗粒缺陷数。PreciomoUdx已在领先客户生产线上验证通过并获得重复订单。
四、报告期内主要经营情况
2025年公司营业收入为123.85亿元，较2024年增加约33.19亿元，同比增长约36.62%。
●未来展望:
(一)行业格局和趋势
数码产业的发展正在改变人类的生产和生活方式。集成电路芯片和各种半导体微观器件是信息产业的基
础和核心，是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业。半导体制造设备是半导体
产业进步的核心工具，是实现集成电路性能提升的关键，是半导体技术迭代的基石，发展集成电路及装备产
业对我国的经济结构调整升级具有重要的战略意义。
从历史上看，全球半导体产业成长迅猛。根据Gartner发布的初步统计数据，2025年全球半导体市场营
收总额达7930亿美元，同比增长21%。其中，人工智能（AI）相关半导体（包括处理器、高带宽内存HBM及网
络组件）成为核心增长引擎，贡献了近三分之一的销售额，且预计到2026年AI基础设施支出将突破1.3万亿
美元。伴随着新应用推动市场需求的持续旺盛，以及国内需求和技术升级推动下的强劲增长势头，国内半导
体设备行业将受益于半导体产业的发展。人工智能、汽车电子、物联网以及5G/6G等新技术和新产品的应用
，将带来庞大的半导体市场需求。半导体设备位于半导体产业链的上游，其市场规模随着下游半导体技术发
展和市场需求而波动，据国际半导体产业协会（SEMI）预测，全球半导体制造装备销售额今年将达1330亿美
元，同比增加13.7%；2026年和2027年将分别达到1450亿美元和1560亿美元，刷新历史最高纪录。该协会分
析认为，增长势头迅猛的原因在于AI需求扩大，进而带动高端逻辑芯片、存储芯片、尖端封测等各领域的投
资。目前国内半导体设备市场主要由海外企业所占据，近年来我国设备行业技术水平不断提高，国产设备在
产品性价比、售后服务、贴近客户等方面的优势逐渐显现，半导体设备国产化在进一步提速。作为全球最大
的半导体消费市场，市场需求带动全球产能中心逐步向中国大陆转移，持续的产能转移带动了市场规模和技
术水平的提高，也为设备行业的发展提供了机遇。
(二)公司发展战略
公司目前开发的产品以半导体前道生产的等离子体刻蚀设备、薄膜沉积设备等关键设备为主，并开发了
先进封装、MEMS、蓝绿光及紫外LED、Mini-LED、Micro-LED等泛半导体设备产品。未来，在强化内生成长的
同时，公司考虑通过并购等外延式成长途径扩大产品和市场覆盖，并将继续探索核心技术在国计民生中创新
性的应用。
公司所处的半导体设备产业具有广阔的成长空间。公司将继续通过自主研发进一步提高公司产品的竞争
力，为客户提供品质一流、性能创新的产品和优良快捷的服务，努力提高市场份额。公司将紧紧抓住半导体
产业发展的机遇，不断提升技术水平和市场竞争力，引领国内半导体设备和技术的发展。
公司已形成三个维度扩展未来公司业务的布局规划：深耕集成电路关键设备领域、扩展在泛半导体关键
设备领域应用并探索其他新兴领域的机会。在集成电路设备领域，公司考虑扩大在刻蚀设备领域的竞争优势
，延伸到薄膜、量检测等其他关键设备领域；公司计划扩展在泛半导体领域设备的应用，布局显示、MEMS、
功率器件等的关键设备；公司拟探索其他新兴领域的机会，利用独特的设备及工艺技术，考虑从设备制造向
器件大规模生产的机会，以及探索更多集成电路及泛半导体设备生产线相关环保设备及医疗健康智能设备等
领域的市场机会。
公司将围绕自身核心竞争力，通过自主创新、有机生长，结合适当的投资、兼并策略，不断推动企业健
康发展。
(三)经营计划
公司自2004年成立以来，一直致力于开发和提供先进的微观加工所需的高端关键设备，是典型的新质生
产力代表。凭借创新的研发团队和深厚的客户关系，公司聚焦布局核心设备，关键技术不断突破创新，并快
速扩增产品线及扩大产品在国内领先客户的市场占有率。2026年，公司将继续瞄准世界科技前沿，秉承三维
发展战略，持续锻造并提升经营管理能力，实现高速、稳定、健康和安全的发展。具体包括以下方面：
1、产品研发方面
公司将不断完善研发管理机制和创新激励机制，对在技术研发、产品创新、专利申请等方面做出突出贡
献的技术研发人员给予奖励，激发技术研发人员的工作热情。公司将持续加大研发投入力度，搭建更好的研
发实验环境，为技术突破和产品创新提供重要的基础和保障。
设备的研发方面，公司在持续改善现有设备的性能的同时，将根据先进逻辑芯片和高密度存储DRAM和3D
NAND芯片的不同刻蚀需求，细分产品，开发不同的硬件特征，提高产品针对不同应用的刻蚀性能，满足不同
客户的需求。与此同时，公司会根据客户的研发需求，定义下一代产品的技术指标和技术路线，开发能满足
客户需求的新产品。在薄膜沉积设备研发方面，公司将进一步开发LPCVD、EPI和ALD产品，提升高端关键制
程的覆盖率，完善工艺整合方案，满足客户在的新的技术节点上对薄膜沉积设备的需求。
针对第三代半导体设备市场，公司正开发新一代氮化镓功率器件应用的MOCVD设备，将进一步提升设备
性能，降低客户生产成本，持续提升公司在氮化镓基MOCVD设备领域的竞争力。同时，公司也启动了应用于
碳化硅功率器件外延生产设备、应用于红黄光LED的MOCVD设备的开发，不断丰富公司设备的产品线，强化公
司在第三代半导体设备市场的竞争优势。
2、人力资源方面
公司视“员工”为最宝贵的资产，致力于为员工提供广阔的职业发展空间，构建专业线、管理线发展双
通道，并设计了形式多样的职业规划，拓展人才发展渠道。公司注重激发组织和员工活力，组织开展多项深
入的专题培训、学习交流，有力促进培养组织需要的技能，提升组织及人员竞争力，建立学习型组织文化氛
围。公司持续优化人才绩效评估体系及人才晋升机制，使得优势资源更进一步的向高绩效员工倾斜。公司已
经通过全员持股方式，有效提高员工的忠诚度和凝聚力。同时在公司践行“五个十大”的公司文化使命，打
造赋能型、人性化、全员参与式的学习氛围，不断激发员工活力，助力员工实现自身职业理想，与企业共同
成长发展。
公司于2021年正式成立了中微学习发展中心，由董事长兼CEO领衔，各部门负责人作为系主任，设置了
以产品线划分的技术、领导力以及通用能力的学习板块，并进一步设置中微学苑，有力促进培养组织需要的
技能，提升组织及人员竞争力，建立学习型组织文化氛围。2024年临港培训中心正式投入使用。该培训中心
配备了先进的现代化教学设备和舒适的学习环境，为员工提供了一个更加优质的学习与成长空间。2025年，
根据公司最新的业务战略和人才发展规划，对中微学苑进行重磅升级，新的中微学苑致力成为半导体设备行
业人才培养的标杆，在CEO及由主要领导专家组成的指导委员会的指导和支持下，通过新定义的三大功能中
心：专业培训中心、素质发展中心、校企合作中心，由运营中心团队负责具体规划、运营、实施，对内系统
化培养不同岗位及层次的人才，发展行业一流人才，对外与不同层次院校、单位在人才培养、科研项目等方
面进行合作，互惠双赢。此外，300平技术实训道场投入使用，为相关岗位岗前技术认证提供培训保障。
2026年，中微公司将进一步大力推进学习型组织的建设。在公司层面，部门层面，岗位层面持续开展各
种类型培训和项目，推进在不同层面的学习文化建设。根据业务发展需求，制定短期、中期和长期相结合的
人力资源规划及具体实施办法，计划引进超过600名国内外专业人才，进行超过8万小时的系统性培训等措施
持续提升员工专业能力。新员工融入项目，提供线上+线下互动的入职培训及年度零距离对话CEO活动，帮助
新员工快速了解公司文化；应届生“首峰计划”成长营项目，通过“公司化、职业化、专业化”6个月三阶
段的培训，依据岗位的线上必修课+线下集训+带教辅导+阶段汇报组成的混合数字化项目学习模式，帮助应
届生有效快速提升专业能力和职场素养，顺利完成从学生到中微人的转身。中微论坛升级为中微大讲堂，广
邀内外部专家，聚焦行业热点、前沿科技，为员工打开视野，保持知识更迭。中微十大领导力将进一步在不
同领导梯队落地，在已有新经理成长营项目基础上，增加面向年轻人才、年轻管理者、总监级等对象的培训
项目。校企合作中心将进一步加深与重点中学，高校的合作，共同开发并实施面向中学生，专、本、硕、博
学生的微观制造教育内容，为行业贮备未来领军人才，与重点高校的持续横向科研合作，构筑科研储备力量
。
3、市场拓展方面
公司将持续收集半导体制造行业市场与技术动态信息，密切关注客户需求。公司在满足现有客户设备需
求的同时，深度挖掘现有客户的其他需求；积极拓展国内外其他知名客户，不断支持公司扩大业务规模。同
时，公司将不断寻求新的业务增长契机。
2026年，公司将加大市场推广力度，参加包括SemiconChina等重量级行业展会，支持超过10场的国内外
学术会议，公司也将安排公司技术专家参与演讲交流，分享公司产品及技术等进展，提升公司影响力和产品
的知名度。作为SEMI、中国半导体行业协会等国内外十多家行业协会/联盟的重要成员单位，中微公司将继
续参加行业主要活动，履行社会责任，扩大公司的行业影响力。
4、投资并购及合作开发方面
公司不断践行外延式发展策略，公司下属的中微汇链、中微惠创、芯汇康在新业务拓展领域取得了良好
的进展，得到了市场和用户的高度评价。在高度竞争的产业形势下，公司考虑在有机成长的同时，通过投资
、并购国内外高端的半导体设备及关键零部件厂商，使公司能够覆盖更多的产品品类、占领更多细分市场，
为公司的长期高速稳定发展奠定基础。2026年，公司会继续重点考虑布局半导体和泛半导体领域，以及产业
链上下游有协同效应的公司。
5、优化运营管理及内控建设方面
公司在营运管理中采用关键指标管理，尤其在生产管理、材料管理、客户技术支持和设备运行表现方面
设定了一系列的关键考核指标，覆盖了质量、效率、成本和安全等众多方面。公司定期跟踪各项指标的执行
情况，并根据统计结果和客户反馈，制定出关键指标的改进要求。公司建立了高效的库存管控体系，设置合
理的库存警戒线，以加快存货周转。2026年，公司将在中微临港等生产基地，继续推进智能工厂项目和精益
管理，提升人员及营运效率，缩短设备交付周期，并努力保持100%订单准时交付。
随着公司发展规模的不断扩张，公司将持续完善内控建设，结合公司实际情况，在符合内部控制要求的
前提下，着眼于管理创新，持续提升公司的内部控制管理体系，促进公司高速、稳定、健康发展。
〖免责条款〗
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