经营分析☆ ◇688048 长光华芯 更新日期：2025-06-14◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.前5名客户营业收入表】【4.前5名供应商采购表】
【5.经营情况评述】
【1.主营业务】
半导体激光芯片、器件及模块等激光行业核心元器件的研发、制造及销售。
【2.主营构成分析】
截止日期:2024-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
高功率单管系列(产品) 2.13亿 78.29 2333.01万 35.88 10.93
高功率巴条系列(产品) 3684.39万 13.51 2360.66万 36.31 64.07
其他(产品) 1871.82万 6.87 1626.18万 25.01 86.88
VCSEL芯片系列(产品) 362.37万 1.33 182.31万 2.80 50.31
─────────────────────────────────────────────────
国内销售(地区) 2.71亿 99.37 6376.46万 98.07 23.54
国外销售(地区) 170.96万 0.63 125.70万 1.93 73.53
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2024-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
高功率单管系列(产品) 1.02亿 79.95 1601.29万 47.53 15.73
高功率巴条系列(产品) 1633.54万 12.83 1043.24万 30.97 63.86
其他(产品) 712.32万 5.59 610.42万 18.12 85.70
VCSEL芯片系列(产品) 158.86万 1.25 65.36万 1.94 41.14
废料销售(产品) 48.45万 0.38 --- --- ---
─────────────────────────────────────────────────
国内销售(地区) 1.26亿 99.22 3300.73万 97.98 26.12
国外销售(地区) 99.61万 0.78 68.03万 2.02 68.30
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2023-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
高功率单管系列(产品) 2.52亿 86.73 7464.92万 76.69 29.66
高功率巴条系列(产品) 2808.46万 9.68 1830.73万 18.81 65.19
其他(产品) 795.67万 2.74 410.53万 4.22 51.60
VCSEL芯片系列(产品) 247.21万 0.85 28.23万 0.29 11.42
─────────────────────────────────────────────────
国内销售(地区) 2.89亿 99.45 9632.13万 98.95 33.37
国外销售(地区) 160.05万 0.55 102.30万 1.05 63.92
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2023-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
高功率单管系列(产品) 1.28亿 90.16 --- --- ---
高功率巴条系列(产品) 1170.64万 8.24 --- --- ---
VCSEL芯片系列(产品) 99.77万 0.70 --- --- ---
其他(产品) 86.82万 0.61 --- --- ---
废料销售(产品) 40.86万 0.29 --- --- ---
─────────────────────────────────────────────────
国内销售(地区) 1.41亿 99.50 --- --- ---
国外销售(地区) 71.53万 0.50 --- --- ---
─────────────────────────────────────────────────
【3.前5名客户营业收入表】
截止日期:2024-12-31
前5大客户共销售1.46亿元，占营业收入的53.44%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│客户名称 │ 营收额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│第一名 │ 9442.16│ 34.63│
│第二名 │ 1768.70│ 6.49│
│第三名 │ 1138.88│ 4.18│
│第四名 │ 1137.68│ 4.17│
│第五名 │ 1082.13│ 3.97│
│合计 │ 14569.55│ 53.44│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【4.前5名供应商采购表】
截止日期:2024-12-31
前5大供应商共采购0.56亿元，占总采购额的27.59%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│供应商名称 │ 采购额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│第一名 │ 1338.31│ 6.63│
│第二名 │ 1155.89│ 5.73│
│第三名 │ 1114.20│ 5.52│
│第四名 │ 1000.65│ 4.96│
│第五名 │ 957.90│ 4.75│
│合计 │ 5566.95│ 27.59│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【5.经营情况评述】
截止日期:2024-12-31
●发展回顾:
一、经营情况讨论与分析
报告期内，公司实现营业收入27263.96万元，同比下降6.05%；归属于上市公司股东净利润-9973.59万
元；归属于上市公司的扣除非经常性损益的净利润-14560.72万元。报告期内，公司始终重视研发创新能力
建设，持续加大对高功率芯片和模块、光通信产品、VCSEL产品、激光无线能量传输芯片、直接半导体激光
器产品的投入，使产品保持创新性及领先性。公司积极开拓市场，加大研发投入，公司具体经营情况及各项
产品研发进展如下：
1、高功率半导体激光芯片引领技术创新和行业发展。公司超高功率单管芯片在结构设计与研制技术上
取得突破性进展，双结单管芯片创室温连续功率超过132W的新纪录（芯片条宽500μm，工作效率62%），打
破了公司此前单管芯片室温连续功率超过100W的行业最高水平记录，开启了百瓦级单管芯片新纪元。同时公
司在高功率和窄谱宽激光器方面攻克了光栅设计和材料生长等多个技术难点，开发的780nm宽条分布反馈(DF
B)激光器室温连续输出功率超过10W，创下了780nm波段DFB激光器的最高记录。公司推出了9XXnm50W高功率
半导体激光芯片，在宽度为330μm发光区内产生50W的激光输出，光电转化效率高（大于等于62%），现已实
现大批量生产、出货，是目前市场上量产功率最高的半导体激光芯片。另外，公司9XXnm光纤激光器泵浦源
功率提升至1000W、8XXnm固体激光器泵浦源功率提升至500W，最大程度地节约单瓦材料成本，为客户创造价
值。
2、VCSEL技术获得突破性进展，产品应用场景不断深化。公司攻克了低损耗多结VCSEL结构技术，将面
发射芯片效率从20年前的61%一跃提升到74%，打破了近20年VCSEL效率发展停滞不前的局面，改变了VCSEL在
效率上无法超过边发射激光器的固有认知。公司还构建了多结VCSEL的模式分析模型，解决了单模功率难以
突破10mW左右的难题，在直流驱动下实现了20.2mW的单基横模激光输出，功率转换效率42%，刷新了单模VCS
EL功率效率的世界纪录。根据IMARCGroup数据，2022年，全球垂直腔面发射激光器（VCSEL）市场的规模达1
7亿美元，预计到2028年，该市场规模将达到45亿美元，2023-2028年间的复合年均增长率（CAGR）为17.4%
。公司的VCSEL芯片是公司横向拓展中重要的发展方向，现在主要有三方面应用：（1）消费电子，主要用于
手机、AR/VR等终端应用、3D传感领域；（2）光通信，短距离传输，应用于数据中心；（3）车载激光雷达
芯片，已通过车规IATF16949和AECQ认证。除车载雷达用VCSEL激光器芯片外，公司还积极布局开发车载EEL
边发射激光器及1550nm光纤激光器的泵浦源产品，随着项目的推进，将进一步巩固长光华芯全套激光雷达光
源方案提供商的市场地位。
随着VCSEL自身技术的不断发展，以及与其他技术的结合使用，未来VCSEL将迎来更多的新兴应用，比如
用于眼动追踪、速度监测、PM2.5空气质量监测等。
3、光通信产品矩阵形成，市场规模不断扩大。报告期内，公司发布了重磅新品100GPAM4VCSEL及配套PD
光芯片新品、迭代升级的70mWDFB和100mWDFB硅光光源产品，正式进入光通讯行业top水平。目前，公司丰富
而全面的光通讯产品矩阵已经形成，为客户提供全栈解决方案，实现了全面覆盖0-2kM，单波100Gbp短距互
联光模块的光芯片解决方案，其中多款产品的性能一致性和可靠性，已在多家客户验证和量产中得到了高度
的评价。公司光通信产品为当前400G/800G超算数据中心互连光模块的核心器件。AI驱动高速光模块需求快
速释放，根据Omdia数据，2025年高速光通信芯片市场规模有望达到43.40亿美元。
4、塑料激光穿透焊接领域新进展。依托完整的垂直产业链平台，公司使用完全自制的芯片，在国内率
先推出完全自主的1710nm直接半导体激光器，主要用于1mm以下透明/白色塑料的激光穿透焊。1710nm波长的
激光在透明/白色塑料的吸收率上，会高出比它更短波长的激光的几倍至10倍，能完美的把透明塑料元件焊
接在一起，使用更灵活、焊接更美观。目前已在客户端批量应用，在产品的性能及性价比上得到了市场的较
好回馈。
5、激光无线能量传输芯片引领科技前沿。激光无线能量传输技术具有高能量密度和远距离传输优势。
可以为在轨卫星、无人机、移动终端等装备持续供电/补电，拥有广阔的应用前景。公司研究团队发布了全
半导体激光无线能量传输芯片及系统的最新成果，包括808nm和1μm的发射端激光芯片及模块、接收端808nm
和1μm高效率大面积多结激光电池芯片及模块、激光无线传能系统。
6、平台资源整合，资本助力横向拓展新征程。为响应苏州太湖光子中心建设推进暨苏州高新区产业创
新集群发展的号召，公司作为发起者及骨干推动成立太湖光子中心。围绕光子产业，为孵化企业提供生产平
台和工艺研发、人才平台等全方位支持。发起成立光子产业基金，配合公司“一平台、一支点、横向扩展、
纵向延伸”战略实施。
横向拓展氮化镓方向，进军可见光领域，填补国内在氮化镓蓝绿光激光器领域产业化的空白。全资子公
司苏州半导体激光创新研究院与中科院苏州纳米所成立“氮化镓激光器联合实验室”，为拓展氮化镓材料体
系的蓝绿激光方向奠定了基础，并与团队合资成立苏州镓锐芯光科技有限公司。第三代半导体材料（宽禁带
半导体）氮化镓（GaN）以及其合金氮化物是直接带隙半导体，其可调节的能带宽度使其发光波长覆盖从深
紫外、可见光直至红外的宽广的波谱范围。氮化镓半导体激光器具有直接发光、高效率、高稳定性等优势，
蓝光和绿光波段的GaN激光器产品，已经在激光加工（有色金属加工、激光直写）、激光显示（激光大屏电
视，XR微投影）、激光照明（车载大灯）、特殊通信等领域具有广泛应用，总体市场需求超百亿元且呈现较
高的复合增长趋势。参考MarketandMarket、Yole等机构的增长幅度测算，预计到2026年全球氮化镓元件市
场规模将增长到423亿美元，年均复合增长率约为13.5%。镓锐芯光团队是国内最早从事氮化镓基激光器研究
的团队，曾先后攻破关键核心技术，研制出国内首颗氮化镓基蓝光和绿光激光器芯片，填补国内在氮化镓的
蓝绿光激光器领域的空白，研发成果和技术水平国内领先、国际一流。目前该公司研制的绿光激光器光功率
已达1.2W，处于国际先进水平。大功率蓝光激光器光功率已达7.5W，达到国际一流水平。
入股中久大光，加大特殊科研领域深度合作。公司全资子公司通过公开增资的方式对四川中久大光科技
有限公司进行投资，2023年5月29日完成增资工商变更，投资持股比例1%。公司与特殊领域行业龙头激光器
企业达成深度战略合作关系，未来双方将联合研发多个重点项目，提升特殊领域研发能力。
发挥产业平台孵化功能，推进光子产业协同发展。公司借力研究院产业平台孵化功能的优势，投资了苏
州匀晶光电技术有限公司(以下简称“匀晶光电”)、苏州睿科晶创光电科技有限公司(以下简称“睿科晶创
”)、苏州单峰光子科技有限责任公司(以下简称“单峰光子”)及武汉高跃科技有限责任公司(以下简称“武
汉高跃”)，不断拓宽公司的产品边界，深化技术的应用领域。匀晶光电致力于开发先进的晶体生长及加工
技术，向国内外客户提供高端铌酸锂、钽酸锂系列晶体，包括光调制、光纤陀螺、光隔离器、光学低通滤波
片用光学级双面抛光LiNbO3晶片等；睿科晶创主要从事光学超晶格频率转换器件，扩展激光器包括半导体激
光器的频率，使激光器适于更多的应用场景，具备成本低、体积小、可靠性高等优点。单峰光子主营业务为
激光传感和精密测量领域的半导体激光芯片研发、生产与销售，其产品可应用于原子钟、磁力计、气体传感
、量子传感等高端领域；武汉高跃专注于半导体光电器件的研发与生产，主营产品包括窄线宽激光器、大功
率半导体激光器、TO封装激光器等，广泛应用于激光雷达、气体检测、光纤传感等领域。
投资成立苏州惟清半导体有限公司，布局高端功率器件方向。公司为进一步完善产业布局，为抢抓电动
汽车等新能源行业快速发展的全球市场机遇，实现高端功率器件等核心产品技术的国产自主可控，2023年9
月28日，公司全资子公司苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司与清纯半导体（宁波）有限公司合资
成立苏州惟清半导体有限公司（以下简称“惟清半导体”），该公司注册资本10000.00万元，公司出资2900
.00万元，占股29%。2024年7月25日，为推动高端功率器件项目实现2025年通线目标，研究院向惟清半导体
增资10000.00万元，本次增次完成后，公司占股31.61%。
7、为增加市场占有率，多策略并行
国产替代与海外拓展并驾齐驱。随着外部环境的持续变化，公司作为多年深耕高功率激光半导体的头部
公司，将继续加大国产替代进程。同时，现在是开拓海外市场的机遇期、窗口期，公司将进一步布局海外市
场。海外业务的持续延展将为业绩提升提供有力支持。
8、完善内部控制，提升公司治理水平。报告期内，公司不断完善内控流程体系，通过内部培训以及企
业价值观建设，进一步优化各项制度流程，提升公司运营效率和治理水平。公司严格按照各项法律法规的要
求，认真履行信息披露义务，确保信息披露及时、真实、准确和完整。
二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明
(一)主要业务、主要产品或服务情况
1.公司主营业务情况
公司聚焦半导体激光领域，始终专注于半导体激光芯片的研发、设计及制造，主要产品包括高功率单管
系列产品、高功率巴条系列产品、高效率VCSEL系列产品及光通信芯片系列产品等，逐步实现高功率半导体
激光芯片的国产化。公司紧跟下游市场发展趋势，不断开发具有领先性的产品、创新优化生产制造工艺、布
局建设生产线，已形成由半导体激光芯片、器件、模块及直接半导体激光器构成的四大类、多系列产品矩阵
，成为半导体激光行业的垂直产业链公司。公司产品可广泛应用于：光纤激光器、固体激光器及超快激光器
等光泵浦激光器、直接半导体激光输出加工应用、激光智能制造装备、国家战略高技术、科学研究、医学美
容、激光雷达、机器视觉定位、智能安防、消费电子、3D传感与摄像、人脸识别与生物传感等领域。报告期
内，公司主营业务未发生重大变动。
公司牢记“中国激光芯，光耀美好生活”的企业使命，保持对半导体激光芯片的持续研发投入，不断强
化技术创新，努力打造自主研发的核心能力。经过多年的研发和产业化积累，针对半导体激光行业核心的芯
片环节，公司已建成覆盖芯片设计、外延生长、晶圆处理工艺（光刻）、解理/镀膜、封装测试、光纤耦合
等IDM全流程工艺平台和2吋、3吋、6吋量产线，应用于多款半导体激光芯片开发，突破一系列关键技术，是
少数研发和量产高功率半导体激光芯片的公司之一。同时，依托公司高功率半导体激光芯片的技术优势，公
司业务横向扩展，建立了高效率VCSEL激光芯片和高速光通信芯片两大产品平台，另外公司业务向下游延伸
，开发器件、模块及终端直接半导体激光器，上下游协同发展，公司在半导体激光行业的综合实力逐步提升
。
2.公司主要产品情况
公司核心产品为半导体激光芯片，并且依托高功率半导体激光芯片的设计及量产能力，纵向往下游器件
、模块及直接半导体激光器延伸，横向往VCSEL芯片及光通信芯片等半导体激光芯片扩展。主要产品包括高
功率单管系列产品、高功率巴条系列产品、高效率VCSEL系列产品及光通信芯片系列产品。
(二)主要经营模式
1.盈利模式
公司主要从事半导体激光芯片及其器件、模块等产品的研发、生产和销售，通过向下游客户销售半导体
激光芯片系列产品实现收入和利润。报告期内，公司主营业务收入均来源于半导体激光芯片及其器件、模块
等产品的销售。
2.销售模式
公司主要通过对接下游厂家及终端用户，国内市场主要以直销方式进行销售，海外市场以代理商经销商
销售为主。
对于成熟且有明确行业标准或规格的产品，公司主要通过现有客户推荐、参加国内外展会、学术会议、
客户拜访、邀请客户来访、行业媒体、客户经理对业务领域及渠道的拓展等方式寻求新客户。
对于新产品，公司在客户拓展过程中存在产品导入期。首先，公司根据客户需求进行产品设计、材料选
型、样品制造等，对于芯片、器件类产品，由于涉及的性能参数较多，公司先行实施内部可靠性测试。然后
将样品送至客户处做性能测试。性能测试通过后，客户会对公司产品实施可靠性测试。可靠性测试通过后，
客户会向公司下单采购。公司开始对客户小批量供货，多批次同时合格后，会转入批量供货阶段。
在产品定价策略上，公司结合市场供求状态、产品的技术先进性、制造工艺的复杂程度、产品制造成本
等因素，经过与客户谈判协商后，确定产品价格。
3.采购模式
公司制定了供应商管理制度，对供应商选定程序、价格、控制机制、跟进措施进行了规定。根据公司对
生产材料的需求，采购部通过展会、行业介绍等方式寻找潜在的供应商，收集供应商资料，组织对供应商的
能力进行调查，要求供应商提供样品，送技术部门进行测试和验证。根据供应商资料、测试或验证结果，综
合进行判定并确定合格供应商，加入合格供应商目录。公司根据生产计划，综合考虑产品定价、产品质量、
付款方式、供货能力等诸多因素，经审批后与相关供应商订立采购协议。为确保主要材料品质的稳定性，公
司主要以其行业地位及市场占有率为考虑因素选择行业内知名供应商。对于部分主材，考虑外部环境的变化
、价格的波动及生产用料的安全性，适当保证一定的库存量。
对于交期短且单价低的材料，以月或周为单位，向供应商下具体订单采购。对于交期长且成本高的材料
，以年度或半年度合约招投标的模式进行采购。同时，公司持续监控及评估现有及潜在供应商能否满足公司
的要求及标准。公司对供应商进行定期考核，综合考虑原材料质量、交货期、后期服务、价格等因素，进行
动态管理。
4.研发模式
公司以行业发展、应用需求及国家科研项目需求为基础，确定研发方向，新产品从概念设计开始先后经
历6个阶段，满足各阶段的要求之后才能进入下一阶段。
（1）概念设计阶段（项目立项）
由市场销售部牵头，根据客户的要求、市场调研及预测的信息等内容，提出新项目导入申请，填写《产
品阶段审批表》报评审委员会审批。经评审委员会指定项目负责人，会签《产品阶段评审表》后交由品质部
存档、受控、发行后，新产品由概念设计阶段转入技术开发阶段。
（2）技术开发阶段
根据概念设计阶段的资料，项目负责人牵头展开技术开发阶段各项工作，包含：确定技术开发性质，明
确客户需求，明确参与人员、预算、工作计划，进行可行性分析、参数性能分析、环保分析、产品特性分析
，评估风险及对应的控制措施等。
（3）α样品阶段
研发项目团队在试产前应进行成本分析、安全和环境评估、可靠性实验分析，制定工作计划、质量保证
计划，确定外观指标，进行供应商开发评审，并开始试制。样品试制完成后，项目负责人整理产品验证的相
关技术资料，并根据样品情况更新原理草图、设计方案，完善技术指标。
（4）β样品阶段
β样品生产前，研发项目团队根据市场销售部识别的信息，适时依：①原理草图、设计方案、外观指标
；②质量保证计划、研发预算、成本分析；③安全和环境评估、测量系统分析、设备和夹具分析、人员分析
等，制定关键控制点控制计划、材料清单、材料标准、作业指导书等技术文件，制定正式生产工作计划并实
施。β样品生产完成后，研发项目团队对产品进行可靠性实验分析、单道工艺认证分析及寿命分析等。
（5）小批量阶段
初步作业标准化试生产前，研发项目团队总结β样品生产过程中的问题点并予以优化，进一步进行产品
的初始能力分析、成本分析、风险分析和评估、设备和夹具分析、人员分析、可靠性实验分析、寿命分析、
环保分析等，依据β样品试产的技术资料和过程试验报告，制定试生产工作计划并实施。试生产完成后，进
行客户认证。
（6）量产阶段
通过客户认证后，制造中心对产能进行评估，对设备投入实施管理，对人员、潜在失效模式及后果、安
全和环境评估等进行分析，确认已具备量产能力，制定生产计划并组织实施。
5.生产模式
公司外延片、晶圆、芯片、器件、模块及直接半导体激光器的生产模式属于垂直一体化的IDM模式，覆
盖芯片设计、外延片制造、晶圆制造、芯片加工及器件封装测试全流程，设计、制造等环节协同优化，有利
于公司充分发掘技术潜力，有助于公司率先开发并推行新技术。
由于公司生产工序较多，生产周期较长，公司实行“订单式”生产为主，结合“库存式”生产为辅的生
产方式。“订单式”生产主要表现为以客户订单为标准，采用客户订单及全年预计的销售意向进行排产安排
，及时更新客户需求及排产计划。“库存式”生产是指公司根据需求预测进行合理的库存备货，以备生产高
峰期产能不足的情况。此综合模式可以快速响应客户需求及满足客户日益提升的差异化要求。
(三)所处行业情况
1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
公司聚焦半导体激光细分行业，主营业务为半导体激光芯片、器件及模块等激光行业核心元器件的研发
、制造与销售。根据国家统计局发布的《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司所处行业属于门类
“C制造业”中的大类“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”中“C3976光电子器件制造”，指利用半
导体光—电子（或电—光子）转换效应制成的各种功能器件制造。半导体产业是现代信息产业的基础，广泛
应用于计算机、网络通信、消费电子、智能化工业设备等领域，是关系国民经济和社会发展全局的基础性、
先导性和战略性产业。
半导体激光行业通常包括激光芯片、激光器件、激光模块及直接半导体激光器等领域，而直接半导体激
光器则是半导体激光行业的终端产品，由半导体激光器模块、输出光学系统、电源系统、控制系统及机械结
构等构成，在电源系统和控制系统的驱动和监控下实现激光输出。半导体激光器引领光子时代，具有电光转
换效率高、体积小、可靠性高、寿命长、波长范围广、可调制速率高等显著优点，为下游激光器提供不同光
子能量，除可以直接使用外，亦被作为光纤激光器和固体激光器等其他激光器最理想的泵浦源，属于其核心
器件及关键部件。因此，根据不同的光子类型，其下游激光器类型众多，应用领域较为广泛。
从目前发展情况来看，我国激光行业发展呈现以下几个发展趋势：（1）半导体激光芯片等核心部件逐
步实现国产化；（2）激光应用领域渗透速度加快、范围变广；（3）向更高功率、更好光束质量、更短波长
及更快频率方向发展；（4）用于高功率激光器的光电子元器件需求进一步增长。
2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
作为产业升级的核心技术，激光行业将继续作为国家重点支持领域，并不断扩大应用范围，最终推动我
国制造业向“光制造”时代迈进。
作为国内领头的高功率激光半导体公司，公司将进一步加强技术研发能力，借助国内广阔的市场应用空
间丰富产品应用场景，提升产品性能，提升其在激光行业的整体竞争力。
公司已建成从芯片设计、MOCVD（外延）、光刻、解理/镀膜、封装测试、光纤耦合等完整的工艺平台和
量产线，是全球少数几家研发和量产高功率半导体激光器芯片的公司。作为全球少数拥有6吋高功率半导体
激光芯片生产线的公司，在行业赛道中保持优势的竞争地位。公司高亮度单管芯片和光纤耦合输出模块、高
功率巴条和叠阵等产品，在功率、亮度、光电转换效率、寿命等方面屡次突破，获多项专利，与全球先进水
平同步。
3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
在高功率半导体激光芯片方向，公司将陆续推出更高瓦数、更高性能的不同波长、不同应用领域的高功
率半导体激光芯片。在激光雷达与3D传感方向，公司的技术也达到领先水平，目前公司激光雷达芯片正在头
部客户验证和导入。同时，公司持续研发光通信芯片、光显示芯片，促进市场牵引和成果转化。作为多年深
耕高功率半导体激光的头部公司，将继续加大国产替代进程。现在是开拓海外市场的机遇期、窗口期，公司
将进一步布局海外市场。
公司重点发展“横向拓展”的平台化力量建设，通过打造多材料体系的制造平台，优化配套研发团队建
设，逐渐形成平台化力量。
(四)核心技术与研发进展
1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司针对行业和市场发展动态，逐步探索并明确研发方向及产品演进路线，建立健全研发体系和研发管
理制度，加强对研发组织管理和研发过程管理，不断强化芯片设计、晶圆制造、芯片加工及封装测试等工艺
积累，在核心技术方面屡获突破，打造了自身在半导体激光芯片领域的核心能力。同时，针对半导体激光行
业应用场景多元化、复杂化的发展趋势，公司凭借在高功率半导体激光芯片领域的技术积累，构建了GaAs（
砷化镓）、InP（磷化铟）、GaN（氮化镓）三大材料体系，建立了边发射和面发射两大工艺技术和制造平台
，纵向延伸开发器件、模块及直接半导体激光器等下游产品；横向扩展VCSEL及光通信激光芯片领域。
国家级专精特新“小巨人”企业、制造业“单项冠军”认定情况
5、研发人员情况
三、报告期内核心竞争力分析
(一)核心竞争力分析
1.核心技术优势
公司核心技术覆盖半导体激光行业最核心的领域，包括器件设计及外延生长技术、FAB晶圆工艺技术、
腔面钝化处理技术以及高亮度合束及光纤耦合技术等。
公司通过非对称的波导结构设计，让有源层更靠近p型限制层，且p型限制层的折射率大于n型限制层，
在不改变光场模式曲线的情况下，实现对有源层光场限制因子及内部损耗的独立优化。采用大光腔结构，改
善了近场模式和远场输出特性；增大发光面积，相对减小输出光功率密度，在增加输出功率的同时保证器件
寿命。
公司采用分布式载流子注入技术，通过图形化电极实现载流子的调制注入，平衡半导体激光器因为前后
端面因反射率差异而出现的纵向载流子非均匀分布，解决半导体激光器在大功率工作条件下因载流子分布不
均匀所导致的纵向空间烧孔效应，最终实现大功率工作条件下的载流子平衡均匀分布，进一步提升半导体激
光器的输出功率。
公司采用自主创新的腔面钝化和窗口制备方案，制备高稳定性及高重复性的宽带隙腔面无吸收窗口结构
，大幅降低了激光器腔面的激光吸收从而减少热量产生，提高芯片抗损伤阈值，最终实现芯片输出功率及可
靠性的提升。
公司研究的多有源区级联的半导体激光器中，让各个小数量的量子阱堆叠，分布在周期性光场的每一个
峰的中心，每一组量子阱堆叠所占据的都是更靠近光场峰值的位置，增加了腔内增益，降低了器件的阈值，
并不会增加材料的内损耗，从而提高了激光器的功率和效率。
公司采用体光栅分布式外腔反馈技术研制高亮度波长锁定激光源。利用半导体激光芯片与外部光学系统
构成谐振腔，每个激光单元振荡波长均与器件选择性反馈波长相匹配，所有激光单元保持输出波长一致性，
从而实现波长锁定，由此技术研制的高亮度光纤耦合模块具有高亮度和输出波长稳定等优点。
2.研发及制造工艺平台优势
公司已建成2吋、3吋、6吋半导体激光芯片量产线，拥有了一套从外延生长、晶圆制造、封装测试、可
靠性验证相关的设备，并突破了晶体外延生长、晶圆工艺处理、封装、测试的关键核心技术及工艺。目前6
吋量产线为该行业内最大尺寸的产线，相当于是硅基半导体的12吋量产线。大部分工艺环节达到了生产自动
化，实现了高功率半导体激光芯片的研制和批量投产，芯片功率、效率、亮度等重要指标达到国际先进水平
。
公司采用IDM模式进行半导体激光芯片的研发、生产与销售，掌握半导体激光芯片核心制造工艺技术关
键环节，构建了GaAs（砷化镓）、InP（磷化铟）、GaN（氮化镓）三大材料体系，建立了边发射和面发射两
大工艺技术和制造平台，具备各类衬底的半导体激光芯片的制造能力。
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