经营分析☆ ◇688048 长光华芯 更新日期：2026-05-06◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.前5名客户营业收入表】【4.前5名供应商采购表】
【5.经营情况评述】
【1.主营业务】
半导体激光芯片的研发、设计及制造
【2.主营构成分析】
截止日期:2025-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
高功率单管系列(产品) 3.86亿 80.90 1.22亿 73.91 31.56
VCSEL及光通讯芯片系列(产品) 4119.38万 8.63 527.54万 3.20 12.81
高功率巴条系列(产品) 2925.29万 6.13 1969.61万 11.95 67.33
其他(产品) 2075.16万 4.35 1803.86万 10.94 86.93
─────────────────────────────────────────────────
国内销售(地区) 4.64亿 97.22 1.56亿 94.32 33.51
国外销售(地区) 1329.30万 2.78 936.31万 5.68 70.44
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2025-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
高功率单管系列(产品) 1.65亿 76.98 5164.63万 72.53 31.34
VCSEL及光通讯芯片系列(产品) 2454.34万 11.47 243.85万 3.42 9.94
高功率巴条系列(产品) 1186.34万 5.54 648.81万 9.11 54.69
其他(产品) 1080.56万 5.05 857.31万 12.04 79.34
废料销售(产品) 205.60万 0.96 --- --- ---
─────────────────────────────────────────────────
国内销售(地区) 2.10亿 98.10 6787.99万 95.33 32.32
国外销售(地区) 406.11万 1.90 332.20万 4.67 81.80
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2024-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
高功率单管系列(产品) 2.13亿 78.29 2333.01万 35.88 10.93
高功率巴条系列(产品) 3684.39万 13.51 2360.66万 36.31 64.07
其他(产品) 1871.82万 6.87 1626.18万 25.01 86.88
VCSEL芯片系列(产品) 362.37万 1.33 182.31万 2.80 50.31
─────────────────────────────────────────────────
国内销售(地区) 2.71亿 99.37 6376.46万 98.07 23.54
国外销售(地区) 170.96万 0.63 125.70万 1.93 73.53
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2024-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
高功率单管系列(产品) 1.02亿 79.95 1601.29万 47.53 15.73
高功率巴条系列(产品) 1633.54万 12.83 1043.24万 30.97 63.86
其他(产品) 712.32万 5.59 610.42万 18.12 85.70
VCSEL芯片系列(产品) 158.86万 1.25 65.36万 1.94 41.14
废料销售(产品) 48.45万 0.38 --- --- ---
─────────────────────────────────────────────────
国内销售(地区) 1.26亿 99.22 3300.73万 97.98 26.12
国外销售(地区) 99.61万 0.78 68.03万 2.02 68.30
─────────────────────────────────────────────────
【3.前5名客户营业收入表】
截止日期:2025-12-31
前5大客户共销售2.41亿元，占营业收入的50.50%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│客户名称 │ 营收额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│第一名 │ 13402.53│ 28.08│
│第二名 │ 3562.52│ 7.46│
│第三名 │ 3501.23│ 7.33│
│第四名 │ 2168.86│ 4.54│
│第五名 │ 1474.24│ 3.09│
│合计 │ 24109.38│ 50.50│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【4.前5名供应商采购表】
截止日期:2025-12-31
前5大供应商共采购1.25亿元，占总采购额的43.52%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│供应商名称 │ 采购额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│第一名 │ 3509.35│ 12.20│
│第二名 │ 2936.05│ 10.21│
│第三名 │ 2254.06│ 7.84│
│第四名 │ 2229.93│ 7.75│
│第五名 │ 1586.72│ 5.52│
│合计 │ 12516.12│ 43.52│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【5.经营情况评述】
截止日期:2025-12-31
●发展回顾:
一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况说明
(一)主要业务、主要产品或服务情况
公司已建成覆盖芯片设计、外延生长、晶圆处理工艺（光刻）、解理/镀膜、封装测试、光纤耦合等IDM
全流程工艺平台和2吋、3吋、6吋量产线，应用于多款半导体激光芯片开发，突破一系列关键技术，是少数
研发和量产高功率半导体激光芯片的公司之一。同时，依托公司高功率半导体激光芯片的技术优势，公司业
务横向扩展，建立了高效率VCSEL激光芯片和高速光通信芯片两大产品平台，另外公司业务向下游延伸，开
发器件、模块及终端直接半导体激光器产品，上下游协同发展，公司在半导体激光行业的综合实力逐步提升
。
公司聚焦半导体激光领域，始终专注于半导体激光芯片的研发、设计及制造，主要产品包括高功率单管
系列产品、高功率巴条系列产品、高效率VCSEL系列产品及光通信芯片系列产品等，逐步实现半导体激光芯
片的国产化。公司紧跟下游市场发展趋势，不断开发具有领先性的产品、创新优化生产制造工艺、布局建设
生产线，已形成由半导体激光芯片、器件、模块及直接半导体激光器构成的四大类、多系列产品矩阵，成为
半导体激光行业的垂直产业链公司。公司产品可广泛应用于：光纤激光器、固体激光器及超快激光器等光泵
浦激光器、直接半导体激光输出加工应用、激光智能制造装备、国家战略高技术、科学研究、医学美容、激
光雷达、机器视觉定位、智能安防、消费电子、3D传感与摄像、人脸识别与生物传感、光通信等领域。报告
期内，公司主营业务未发生重大变动。
1.公司主要产品情况
公司核心产品为半导体激光芯片，并且依托高功率半导体激光芯片的设计及量产能力，纵向往下游器件
、模块及直接半导体激光器延伸，横向往VCSEL芯片及光通信芯片等半导体激光芯片扩展。主要产品包括高
功率单管系列产品、高功率巴条系列产品、高效率VCSEL系列产品及光通信芯片系列产品。
(二)主要经营模式
1.盈利模式
公司主要从事半导体激光芯片及其器件、模块等产品的研发、生产和销售，通过向下游客户销售半导体
激光芯片系列产品实现收入和利润。报告期内，公司主营业务收入均来源于半导体激光芯片及其器件、模块
等产品的销售。
2.销售模式
公司主要通过对接下游厂家及终端用户，国内市场主要以直销方式进行销售，海外市场以代理商经销商
销售为主。
对于成熟且有明确行业标准或规格的产品，公司主要通过现有客户推荐、参加国内外展会、学术会议、
客户拜访、邀请客户来访、行业媒体、客户经理对业务领域及渠道的拓展等方式寻求新客户。
对于新产品，公司在客户拓展过程中存在产品导入期。首先，公司根据客户需求进行产品设计、材料选
型、样品制造等，对于芯片、器件类产品，由于涉及的性能参数较多，公司先行实施内部可靠性测试。然后
将样品送至客户处做性能测试。性能测试通过后，客户会对公司产品实施可靠性测试。可靠性测试通过后，
客户会向公司下单采购。公司开始对客户小批量供货，多批次同时合格后，会转入批量供货阶段。
在产品定价策略上，公司结合市场供求状态、产品的技术先进性、制造工艺的复杂程度、产品制造成本
等因素，经过与客户谈判协商后，确定产品价格。
3.采购模式
公司制定了供应商管理制度，对供应商选定程序、价格、控制机制、跟进措施进行了规定。根据公司对
生产材料的需求，采购部通过展会、行业介绍等方式寻找潜在的供应商，收集供应商资料，组织对供应商的
能力进行调查，要求供应商提供样品，送技术部门进行测试和验证。根据供应商资料、测试或验证结果，综
合进行判定并确定合格供应商，加入合格供应商目录。
公司根据生产计划，综合考虑产品定价、产品质量、付款方式、供货能力等诸多因素，经审批后与相关
供应商订立采购协议。为确保主要材料品质的稳定性，公司主要以其行业地位及市场占有率为考虑因素选择
行业内知名供应商。对于部分主材，考虑外部环境的变化、价格的波动及生产用料的安全性，适当保证一定
的库存量。
对于交期短且单价低的材料，以月或周为单位，向供应商下具体订单采购。对于交期长且成本高的材料
，以年度或半年度合约招投标的模式进行采购。同时，公司持续监控及评估现有及潜在供应商能否满足公司
的要求及标准。公司对供应商进行定期考核，综合考虑原材料质量、交货期、后期服务、价格等因素，进行
动态管理。
4.研发模式
公司以行业发展、应用需求及国家科研项目需求为基础，确定研发方向，新产品从概念设计开始先后经
历6个阶段，满足各阶段的要求之后才能进入下一阶段。
（1）概念设计阶段（项目立项）
由市场销售部牵头，根据客户的要求、市场调研及预测的信息等内容，提出新项目导入申请，填写《产
品阶段审批表》报评审委员会审批。经评审委员会指定项目负责人，会签《产品阶段评审表》后交由品质部
存档、受控、发行后，新产品由概念设计阶段转入技术开发阶段。
（2）技术开发阶段
根据概念设计阶段的资料，项目负责人牵头展开技术开发阶段各项工作，包含：确定技术开发性质，明
确客户需求，明确参与人员、预算、工作计划，进行可行性分析、参数性能分析、环保分析、产品特性分析
，评估风险及对应的控制措施等。
（3）α样品阶段
研发项目团队在试产前应进行成本分析、安全和环境评估、可靠性实验分析，制定工作计划、质量保证
计划，确定外观指标，进行供应商开发评审，并开始试制。样品试制完成后，项目负责人整理产品验证的相
关技术资料，并根据样品情况更新原理草图、设计方案，完善技术指标。
（4）β样品阶段
β样品生产前，研发项目团队根据市场销售部识别的信息，适时依：①原理草图、设计方案、外观指标
；②质量保证计划、研发预算、成本分析；③安全和环境评估、测量系统分析、设备和夹具分析、人员分析
等，制定关键控制点控制计划、材料清单、材料标准、作业指导书等技术文件，制定正式生产工作计划并实
施。β样品生产完成后，研发项目团队对产品进行可靠性实验分析、单道工艺认证分析及寿命分析等。
（5）小批量阶段
初步作业标准化试生产前，研发项目团队总结β样品生产过程中的问题点并予以优化，进一步进行产品
的初始能力分析、成本分析、风险分析和评估、设备和夹具分析、人员分析、可靠性实验分析、寿命分析、
环保分析等，依据β样品试产的技术资料和过程试验报告，制定试生产工作计划并实施。试生产完成后，进
行客户认证。
（6）量产阶段
通过客户认证后，制造中心对产能进行评估，对设备投入实施管理，对人员、潜在失效模式及后果、安
全和环境评估等进行分析，确认已具备量产能力，制定生产计划并组织实施。
5.生产模式
公司外延片、晶圆、芯片、器件、模块及直接半导体激光器的生产模式属于垂直一体化的IDM模式，覆
盖芯片设计、外延片制造、晶圆制造、芯片加工及器件封装测试全流程，设计、制造等环节协同优化，有利
于公司充分发掘技术潜力，有助于公司率先开发并推行新技术。
由于公司生产工序较多，生产周期较长，公司实行“订单式”生产为主，结合“库存式”生产为辅的生
产方式。“订单式”生产主要表现为以客户订单为标准，采用客户订单及全年预计的销售意向进行排产安排
，及时更新客户需求及排产计划。“库存式”生产是指公司根据需求预测进行合理的库存备货，以备生产高
峰期产能不足的情况。此综合模式可以快速响应客户需求及满足客户日益提升的差异化要求。
(三)所处行业情况
1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
（1）行业的发展阶段及基本特点
公司聚焦半导体激光细分行业，主营业务为半导体激光芯片、器件及模块等激光行业核心元器件的研发
、制造与销售。根据国家统计局发布的《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司所处行业属于门类
“C制造业”中的大类“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”中“C3976光电子器件制造”，指利用半
导体光—电子（或电—光子）转换效应制成的各种功能器件制造。
半导体产业是现代信息产业的基础，广泛应用于计算机、网络通信、消费电子、智能化工业设备等领域
，是关系国民经济和社会发展全局的基础性、先导性和战略性产业。半导体激光行业通常包括激光芯片、激
光器件、激光模块及直接半导体激光器等领域，而直接半导体激光器则是半导体激光行业的终端产品，由半
导体激光器模块、输出光学系统、电源系统、控制系统及机械结构等构成，在电源系统和控制系统的驱动和
监控下实现激光输出。
在工业领域，随着激光技术的逐步成熟和产业化，一方面，国产激光设备的质量、技术与服务在竞争中
慢慢提高，国产激光产品的崛起正在逐步取代进口的激光产品；另一方面，激光技术的应用比许多传统制造
技术更具成本效益，使激光应用得以迅速普及。从我国激光器市场来看，国产光纤激光器逐步实现由依赖进
口向自主研发、替代进口到出口的转变。随着国内光纤激光器企业综合实力的增强，国产光纤激光器功率和
性能逐步提高。公司生产的高功率半导体激光芯片是产业链中游各类光泵浦激光器的核心泵浦光源，包括光
纤激光器、固体激光器、液体激光器等，属于工业激光器生产制造的核心元器件，广泛应用于激光加工、激
光切割、生物医疗等工业领域。
在科研与特殊领域，离不开激光器的帮助，尤其在高端制造、精密材料、制导、雷达及光电对抗等领域
的科研项目，对激光器的性能要求将会更高。随着全球各国对科研和国家经费的不断投入，将促进激光器在
此领域的快速发展。
在激光雷达市场，随着人工智能、5G技术的逐渐普及，无人驾驶、高级辅助驾驶、服务型机器人和车联
网等行业发展前景广阔。这些技术的实现能够大幅减少人为失误带来的交通风险、提高交通运输效率、提升
道路通行能力、改变汽车生产消费模式，实现交通运输安全、高效、绿色的发展愿景。受无人驾驶车队规模
扩张、激光雷达在高级辅助驾驶中渗透率增加、以及服务型机器人及智能交通建设等领域需求的推动，激光
雷达整体市场预计将呈现高速发展态势，随着3D传感技术在各领域的深度应用，将持续推动VCSEL激光器市
场的快速发展。
在光通信领域，近年来，AI需求呈现指数级增长，带动全球推理算力需求快速攀升。这一趋势推动互联
网云厂商持续加大投入，加速建设智算中心，也驱动光模块技术向更高速率演进，光模块市场正经历从400G
向800G和1.6T的迭代升级。下一代LPO/CPO等技术已成为光通信演进的主流趋势，这一变革正推动激光芯片
向高功率、低噪声、高集成度方向加速升级。在此背景下，兼具高能效与成本优势的200-400mWCWDFB光源，
凭借其与800G/1.6T模块的适配性及规模化生产潜力，正成为高速光互连领域的核心增量器件。LightCounti
ng在最新报告中指出，光通信芯片组市场预计将在2025至2030年间以17%的年复合增长率（CAGR）增长，总
销售额将从2024年的约35亿美元增至2030年的超110亿美元。
（2）主要技术门槛
半导体激光器作为光子时代的核心器件，技术门槛主要体现在核心芯片与关键光电子元器件高度依赖自
主研发，需在材料体系、芯片设计、精密制造等环节实现关键突破，同时要持续向更高功率、更优光束质量
等方向迭代升级。其作为光纤激光器、固体激光器等的核心泵浦源，对电光转换效率、可靠性、寿命、波长
覆盖范围等指标要求严苛，且随着激光应用场景快速渗透、高功率激光器需求持续增长，对产品一致性、规
模化量产与下游应用适配能力均提出高要求，形成了从材料、芯片到器件、系统的全链条技术壁垒。
高端光芯片因速率、功率、传输距离要求提升，研发与工艺壁垒极高。设计需多学科交叉融合，精度要
求严苛；制造工序复杂，对产线稳定性要求高。高速率芯片在核心结构开发中需兼顾光电性能、可靠性与工
艺可行性，形成显著技术与制造壁垒。
2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
作为国家战略的重要践行者，公司精准卡位高功率激光核心赛道，为“激光芯片第一股”。公司在突破
国外技术封锁与市场垄断、推动我国激光产业链自主可控及产业高速发展方面，具备深远的战略意义。公司
已构建涵盖芯片设计、MOCVD外延、光刻、解理/镀膜、封装测试及光纤耦合的全流程IDM工艺平台及量产线
，是全球少数具备高功率半导体激光器芯片研发与量产能力的企业之一，同时也是全球极少数拥有6吋高功
率半导体激光芯片生产线的厂商，在行业赛道中持续保持领先竞争地位。公司高亮度单管芯片及光纤耦合输
出模块、高功率巴条与叠阵等核心产品，在输出功率、亮度、光电转换效率及寿命等关键指标上屡获突破，
拥有多项核心专利，整体技术实力与全球先进水平同步。
2025年，公司作为国内高功率半导体激光芯片领域的领军企业，依托全产业链优势、核心技术突破及多
元化市场拓展，持续巩固行业龙头地位，实现从“技术引领”向“规模领跑”，行业影响力进一步提升。
公司不仅在传统的工业高功率激光芯片领域持续保持领先，更在光通信、车载激光雷达等新兴高速增长
赛道成功卡位，实现了从“单一龙头”向“多元化平台型”的公司迈进。
3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
AI需求呈现指数级增长，带动全球推理算力需求快速攀升。这一趋势推动互联网云厂商持续加大投入，
加速建设智算中心，也驱动光模块技术向更高速率演进，光模块市场正经历从400G向800G和1.6T的迭代升级
。
公司重点布局光通信领域，为日益加剧的速率、算力竞争带来源头解决方案，助力解决当前行业各种光
芯片供货短缺的痛点，目前已形成VCSEL、DFB、EML、PIN四大类光通信芯片产品矩阵，可满足超大容量的数
据通信需求。与此同时，公司已通过产业投资和技术研发，在硅光、薄膜铌酸锂等下一代技术方向进行了前
瞻布局。
硅光集成正在推动光通信行业从“电主导”转向“光主导”。以光代电突破摩尔定律限制，支撑AI算力
指数级增长。随着3.2T模块、量子光芯片等下一代技术演进，硅光集成将深度绑定全球数字化进程，成为光
通信不可逆的技术主线。同时硅光集成也是激光传感（如激光雷达）、激光显示等应用的发展趋势。公司通
过全资子公司出资成立苏州星钥光子科技有限公司，已提前布局硅光集成技术路线。星钥光子项目尚处于建
设期，预计2026年底通线试运行。我们持续紧跟行业技术演进趋势，以技术创新和产品竞争力支撑公司的长
期稳健发展。
二、经营情况讨论与分析
公司秉持“一平台，一支点，横向扩展，纵向延伸”发展战略，以半导体激光芯片为核心竞争力，横向
扩展覆盖可见光、近红外、中红外到长波，纵向延伸“N+1”板块，推动光子技术在工业激光器、传感器、
光通信、激光显示及特殊领域等重点产业的融合应用与模式创新。公司积极开拓市场，加大研发投入，公司
具体经营情况及各项产品研发进展如下：
高功率半导体激光芯片引领技术创新和行业发展。作为国家战略的重要践行者，公司精准卡位高功率激
光核心赛道，为“激光芯片第一股”。公司在突破国外技术封锁与市场垄断、推动我国激光产业链自主可控
及产业高速发展方面，具备深远的战略意义。通过资本布局华日激光等企业，公司进一步完善了激光全产业
链布局。公司超高功率单管芯片在结构设计与研制技术上，双结单管芯片创室温连续功率超过132W的新纪录
（芯片条宽500μm，工作效率62%），打破了公司此前单管芯片室温连续功率超过100W的行业最高水平记录
。同时，公司在高功率和窄谱宽激光器方面攻克了光栅设计和材料生长等多个技术难点，开发的780nm宽条
分布反馈(DFB)激光器室温连续输出功率超过10W，创下了780nm波段DFB激光器的最高记录。公司推出了9XXn
m50W高功率半导体激光芯片，在宽度为330μm发光区内产生50W的激光输出，光电转化效率高（大于等于62%
），现已实现大批量生产、出货，是目前市场上量产功率最高的半导体激光芯片。另外，公司9XXnm光纤激
光器泵浦源功率提升至1000W、8XXnm固体激光器泵浦源功率提升至500W，最大程度地节约单瓦材料成本，为
客户创造价值。在特殊波长应用方面，相继推出激光除草应用1470nm300W光纤输出半导体模块、面部痤疮治
疗应用1726nm波长锁定100W光纤输出半导体模块，进一步拓展半导体激光器的应用。
在激光雷达与3D传感领域，产品应用场景不断深化。公司已积累全球领先的激光雷达芯片技术和充足的
产能储备，可全面满足客户在车载激光雷达领域的多样化应用需求。同时，依托深厚的技术储备，公司积极
拓展机器人视觉传感、消费电子等新兴应用场景，持续丰富产品矩阵，为智能感知领域注入新动能。VCSEL
技术获得突破性进展，产品应用场景不断深化。公司攻克了低损耗多结VCSEL结构技术，将面发射芯片效率
提升到74%，打破了近20年VCSEL效率发展停滞不前的局面，改变了VCSEL在效率上无法超过边发射激光器的
固有认知。公司还构建了多结VCSEL的模式分析模型，解决了单模功率难以突破10mW左右的难题，在直流驱
动下实现了20.2mW的单基横模激光输出，功率转换效率42%，刷新了单模VCSEL功率效率的世界纪录。公司的
VCSEL芯片是公司横向拓展中重要的发展方向，现在主要有三方面应用：（1）消费电子领域，主要用于手机
、AR/VR等终端应用、3D传感领域；（2）光通信领域，适用于短距离传输，广泛应用于数据中心；（3）激
光雷达领域，公司的车载激光雷达芯片已通过车规IATF16949和AECQ认证。除车载雷达用VCSEL激光器芯片外
，公司还积极布局开发车载EEL边发射激光器及1550nm光纤激光器的泵浦源产品，随着项目的推进，将进一
步巩固长光华芯全套激光雷达光源方案提供商的市场地位。
光通信产品矩阵形成，市场规模不断扩大。AI需求呈现指数级增长，带动全球算力需求快速攀升。公司
重点布局光通信领域，为日益加剧的算力竞争带来源头解决方案，助力解决当前行业各种光芯片供货短缺的
痛点，目前已形成VCSEL、DFB、EML、PIN四大类光通信芯片产品矩阵，可满足超大容量的数据通信需求。通
过前期的技术积淀和市场开拓，公司的光通信产品已经初步获得市场认可，客户订单逐步起量，公司在持续
加大产能建设以满足客户需求的增长。与此同时，公司已通过产业投资和技术研发，在硅光集成、薄膜铌酸
锂材料等下一代技术方向进行了前瞻布局。硅光集成技术在光通信、光传感、光医疗、光计算等光子应用领
域快速发展的全球市场机遇，实现硅光集成制造技术的国产自主可控，助力苏州市高新区打造光子产业创新
集群。薄膜铌酸锂是高速光通信、AI算力、量子信息、6G通信、激光雷达等应用领域的核心光电材料，由薄
膜铌酸锂材料制备的电光调制器具备带宽高、低电压、低功耗、低损耗等优异性能，是高速光通信1.6T+的
刚需解决方案。公司通过全资子公司出资成立苏州星钥光子科技有限公司布局硅光集成技术方向。公司通过
投资苏州匀晶光电技术有限公司布局薄膜铌酸锂新材料方向。
横向拓展氮化镓方向，进军可见光领域，填补国内在氮化镓蓝绿光激光器领域产业化的空白。全资子公
司激光创新研究院与中科院苏州纳米所成立“氮化镓激光器联合实验室”，为拓展氮化镓材料体系的蓝绿激
光方向奠定了基础，并与团队合资成立苏州镓锐芯光科技有限公司。第三代半导体材料（宽禁带半导体）氮
化镓（GaN）以及其合金氮化物是直接带隙半导体，其可调节的能带宽度使其发光波长覆盖从深紫外、可见
光直至红外的宽广的波谱范围。氮化镓半导体激光器具有直接发光、高效率、高稳定性等优势，蓝光和绿光
波段的GaN激光器产品，已经在激光加工（有色金属加工、激光直写）、激光显示（激光大屏电视，XR微投
影）、激光照明（车载大灯）、特殊通信等领域具有广泛应用，总体市场需求超百亿元且呈现较高的复合增
长趋势。
平台资源整合，资本助力横向拓展新征程。为响应苏州太湖光子中心建设推进暨苏州高新区产业创新集
群发展的号召，公司作为发起者及骨干推动成立太湖光子中心。围绕光子产业，为孵化企业提供生产平台和
工艺研发、人才平台等全方位支持。发起成立光子产业基金，配合公司“一平台、一支点、横向扩展、纵向
延伸”战略实施。公司借力研究院产业平台孵化功能的优势，投资了苏州匀晶光电技术有限公司(以下简称
“匀晶光电”)、苏州睿科晶创光电科技有限公司(以下简称“睿科晶创”)、苏州单峰光子科技有限责任公
司(以下简称“单峰光子”)及武汉高跃科技有限责任公司(以下简称“武汉高跃”)等多家企业，不断拓宽公
司的产品边界，深化技术的应用领域。
匀晶光电致力于开发先进的晶体生长及加工技术，向国内外客户提供高端铌酸锂、钽酸锂系列晶体，包
括光调制、光纤陀螺、光隔离器、光学低通滤波片用光学级双面抛光LiNbO3晶片等；睿科晶创主要从事光学
超晶格频率转换器件，扩展激光器包括半导体激光器的频率，使激光器适于更多的应用场景，具备成本低、
体积小、可靠性高等优点。单峰光子主营业务为激光传感和精密测量领域的半导体激光芯片研发、生产与销
售，其产品可应用于原子钟、磁力计、气体传感、量子传感等高端领域；武汉高跃专注于半导体光电器件的
研发与生产，主营产品包括窄线宽激光器、大功率半导体激光器、TO封装激光器等，广泛应用于激光雷达、
气体检测、光纤传感等领域。
公司通过全资子公司入股四川中久大光科技有限公司，与特殊领域行业龙头激光器企业达成深度战略合
作关系，未来双方将联合研发多个重点项目，提升特殊领域研发能力。公司全资子公司与清纯半导体（宁波
）有限公司合资成立苏州惟清半导体有限公司（以下简称“惟清半导体”）,惟清半导体专注于高端功率器
件的研发与生产，以实现高端功率器件等核心产品技术的国产自主可控。
国产替代与海外拓展并驾齐驱。地缘政治因素加速了芯片产业国产替代的步伐，公司作为多年深耕高功
率激光半导体的头部公司，始终坚持技术自主可控，持续加大国产替代进程。同时，现阶段AI和算力的需求
的爆发，进而导致了全球光芯片产能短缺，为公司相关业务出海提供了重要的机遇期、窗口期，公司将进一
步布局海外市场，海外业务的持续发展将为公司业绩提升提供有力支持。
完善内部控制，提升公司治理水平。报告期内，公司不断完善内控流程体系，通过内部培训以及企业价
值观建设，进一步优化各项制度流程，提升公司运营效率和治理水平。公司严格按照各项法律法规的要求，
认真履行信息披露义务，确保信息披露及时、真实、准确和完整。
三、报告期内核心竞争力分析
(一)核心竞争力分析
1.核心技术优势
公司核心技术覆盖半导体激光行业最核心的领域，包括器件设计及外延生长技术、FAB晶圆工艺技术、
腔面钝化处理技术以及高亮度合束及光纤耦合技术等。
公司通过非对称的波导结构设计，让有源层更靠近p型限制层，且p型限制层的折射率大于n型限制层，
在不改变光场模式曲线的情况下，实现对有源层光场限制因子及内部损耗的独立优化。采用大光腔结构，改
善了近场模式和远场输出特性；增大发光面积，相对减小输出光功率密度，在增加输出功率的同时保证器件
寿命。
公司采用分布式载流子注入技术，通过图形化电极实现载流子的调制注入，平衡半导体激光器因为前后
端面因反射率差异而出现的纵向载流子非均匀分布，解决半导体激光器在大功率工作条件下因载流子分布不
均匀所导致的纵向空间烧孔效应，最终实现大功率工作条件下的载流子平衡均匀分布，进一步提升半导体激
光器的输出功率。
公司采用自主创新的腔面钝化和窗口制备方案，制备高稳定性及高重复性的宽带隙腔面无吸收窗口结构
，大幅降低了激光器腔面的激光吸收从而减少热量产生，提高芯片抗损伤阈值，最终实现芯片输出功率及可
靠性的提升。
公司研究的多有源区级联的半导体激光器中，让各个小数量的量子阱堆叠，分布在周期性光场的每一个
峰的中心，每一组量子阱堆叠所占据的都是更靠近光场峰值的位置，增加了腔内增益，降低了器件的阈值，
并不会增加材料的内损耗，从而提高了激光器的功率和效率。
公司采用体光栅分布式外腔反馈技术研制高亮度波长锁定激光源。利用半导体激光芯片与外部光学系统
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