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长光华芯(688048)经营分析主营业务

 

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经营分析☆ ◇688048 长光华芯 更新日期:2024-11-23◇ 通达信沪深京F10 ★本栏包括【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.前5名客户营业收入表】【4.前5名供应商采购表】 【5.经营情况评述】 【1.主营业务】 半导体激光芯片、器件及模块等激光行业核心元器件的研发、制造及销售。 【2.主营构成分析】 截止日期:2024-06-30 项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%) ───────────────────────────────────────────────── 高功率单管系列(产品) 1.02亿 79.95 1601.29万 47.53 15.73 高功率巴条系列(产品) 1633.54万 12.83 1043.24万 30.97 63.86 其他(产品) 712.32万 5.59 610.42万 18.12 85.70 VCSEL芯片系列(产品) 158.86万 1.25 65.36万 1.94 41.14 废料销售(产品) 48.45万 0.38 --- --- --- ───────────────────────────────────────────────── 国内销售(地区) 1.26亿 99.22 3300.73万 97.98 26.12 国外销售(地区) 99.61万 0.78 68.03万 2.02 68.30 ───────────────────────────────────────────────── 截止日期:2023-12-31 项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%) ───────────────────────────────────────────────── 高功率单管系列(产品) 2.52亿 86.73 7464.92万 76.69 29.66 高功率巴条系列(产品) 2808.46万 9.68 1830.73万 18.81 65.19 其他(产品) 795.67万 2.74 410.53万 4.22 51.60 VCSEL芯片系列(产品) 247.21万 0.85 28.23万 0.29 11.42 ───────────────────────────────────────────────── 国内销售(地区) 2.89亿 99.45 9632.13万 98.95 33.37 国外销售(地区) 160.05万 0.55 102.30万 1.05 63.92 ───────────────────────────────────────────────── 截止日期:2023-06-30 项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%) ───────────────────────────────────────────────── 高功率单管系列(产品) 1.28亿 90.16 --- --- --- 高功率巴条系列(产品) 1170.64万 8.24 --- --- --- VCSEL芯片系列(产品) 99.77万 0.70 --- --- --- 其他(产品) 86.82万 0.61 --- --- --- 废料销售(产品) 40.86万 0.29 --- --- --- ───────────────────────────────────────────────── 国内销售(地区) 1.41亿 99.50 --- --- --- 国外销售(地区) 71.53万 0.50 --- --- --- ───────────────────────────────────────────────── 截止日期:2022-12-31 项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%) ───────────────────────────────────────────────── 高功率单管系列(产品) 3.45亿 89.53 1.68亿 84.72 48.80 高功率巴条系列(产品) 2997.91万 7.77 2395.86万 12.05 79.92 其他(产品) 644.24万 1.67 536.91万 2.70 83.34 VCSEL芯片系列(产品) 394.33万 1.02 105.47万 0.53 26.75 ───────────────────────────────────────────────── 境内(地区) 3.82亿 99.15 1.96亿 98.82 51.39 境外(地区) 327.28万 0.85 235.33万 1.18 71.90 ───────────────────────────────────────────────── 【3.前5名客户营业收入表】 截止日期:2023-12-31 前5大客户共销售1.43亿元,占营业收入的49.26% ┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐ │客户名称 │ 营收额(万元)│ 占比(%)│ ├───────────────────────┼───────────┼───────────┤ │深圳市创鑫激光股份有限公司 │ 6587.70│ 22.70│ │武汉锐科光纤激光技术股份有限公司 │ 3461.25│ 11.93│ │B301 │ 1678.95│ 5.79│ │上海飞博激光科技股份有限公司 │ 1319.38│ 4.55│ │B505 │ 1249.88│ 4.31│ │合计 │ 14297.16│ 49.26│ └───────────────────────┴───────────┴───────────┘ 【4.前5名供应商采购表】 截止日期:2023-12-31 前5大供应商共采购0.55亿元,占总采购额的29.10% ┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐ │供应商名称 │ 采购额(万元)│ 占比(%)│ ├───────────────────────┼───────────┼───────────┤ │深圳市宏钢光电封装技术股份有限公司 │ 1841.39│ 9.79│ │有研亿金新材料有限公司 │ 1158.41│ 6.16│ │深圳市飞腾进出口贸易有限公司 │ 955.58│ 5.08│ │北京通美晶体技术股份有限公司 │ 835.08│ 4.44│ │江苏南大光电材料股份有限公司 │ 683.26│ 3.63│ │合计 │ 5473.71│ 29.10│ └───────────────────────┴───────────┴───────────┘ 【5.经营情况评述】 截止日期:2024-06-30 ●发展回顾: 一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明 (一)所属行业情况 公司聚焦半导体激光细分行业,主营业务为半导体激光芯片、器件及模块等激光行业核心元器件的研发 、制造与销售。根据国家统计局发布的《国民经济行业分类》(GB/T4754-2017),公司所处行业属于门类 “C制造业”中的大类“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”中“C3976光电子器件制造”,指利用半 导体光—电子(或电—光子)转换效应制成的各种功能器件制造。 半导体产业是现代信息产业的基础,广泛应用于计算机、网络通信、消费电子、智能化工业设备等领域 ,是关系国民经济和社会发展全局的基础性、先导性和战略性产业。 半导体激光行业通常包括激光芯片、激光器件、激光模块及直接半导体激光器等领域,而直接半导体激 光器则是半导体激光行业的终端产品,由半导体激光器模块、输出光学系统、电源系统、控制系统及机械结 构等构成,在电源系统和控制系统的驱动和监控下实现激光输出。半导体激光器引领光子时代,具有电光转 换效率高、体积小、可靠性高、寿命长、波长范围广、可调制速率高等显著优点,为下游激光器提供不同光 子能量,除可以直接使用外,亦被作为光纤激光器和固体激光器等其他激光器最理想的泵浦源,属于其核心 器件及关键部件。因此,根据不同的光子类型,其下游激光器类型众多,应用领域较为广泛。 (二)公司主营业务情况 公司始终专注于半导体激光芯片的研发、设计及制造,主要产品包括高功率单管系列产品、高功率巴条 系列产品、高效率VCSEL系列产品及光通信芯片系列产品等,逐步实现高功率半导体激光芯片的国产化。公 司紧跟下游市场发展趋势,不断开发具有领先性的产品、创新优化生产制造工艺、布局建设生产线,已形成 由半导体激光芯片、器件、模块及直接半导体激光器构成的四大类、多系列产品矩阵,为半导体激光行业的 垂直产业链公司。公司产品可广泛应用于:光纤激光器、固体激光器及超快激光器等光泵浦激光器泵浦源、 直接半导体激光输出加工应用、激光智能制造装备、国家战略高技术、科学研究、医学美容、激光雷达、机 器视觉定位、智能安防、消费电子、3D传感与摄像、人脸识别与生物传感等领域。报告期内,公司主营业务 未发生重大变动。经过多年的研发和产业化积累,针对半导体激光行业核心的芯片环节,公司已建成覆盖芯 片设计、外延生长、晶圆处理工艺(光刻)、解理/镀膜、封装测试、光纤耦合等IDM全流程工艺平台和2吋 、3吋、6吋量产线,应用于多款半导体激光芯片开发,突破一系列关键技术,是少数研发和量产高功率半导 体激光芯片的公司之一。同时,依托公司高功率半导体激光芯片的技术优势,公司业务横向扩展,建立了高 效率VCSEL激光芯片和高速光通信芯片两大产品平台,另外公司业务向下游延伸,开发器件、模块及终端直 接半导体激光器,上下游协同发展,公司在半导体激光行业的综合实力逐步提升。 (三)公司主要产品情况 公司核心产品为半导体激光芯片,并且依托高功率半导体激光芯片的设计及量产能力,纵向往下游器件 、模块及直接半导体激光器延伸,横向往VCSEL芯片及光通信芯片等半导体激光芯片扩展。主要产品包括高 功率单管系列产品、高功率巴条系列产品、高效率VCSEL系列产品及光通信芯片系列产品。 二、核心技术与研发进展 1.核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况 公司建立健全研发体系和研发管理制度,加强对研发组织管理和研发过程管理,不断强化芯片设计、晶 圆制造、芯片加工及封装测试等工艺积累,在核心技术方面屡获突破,打造了自身在半导体激光芯片领域的 核心能力。同时,针对半导体激光行业应用场景多元化、复杂化的发展趋势,公司凭借在高功率半导体激光 芯片领域的技术积累,构建了GaAs(砷化镓)、InP(磷化铟)、GaN(氮化镓)三大材料体系,建立了边发 射和面发射两大工艺技术和制造平台,纵向延伸开发器件、模块及直接半导体激光器等下游产品;横向扩展 VCSEL及光通信激光芯片领域。 三、报告期内核心竞争力分析 (一)核心竞争力分析 1.核心技术优势 公司核心技术覆盖半导体激光行业最核心的领域,包括器件设计及外延生长技术、FAB晶圆工艺技术、 腔面钝化处理技术以及高亮度合束及光纤耦合技术等。 公司通过非对称的波导结构设计,让有源层更靠近p型限制层,且p型限制层的折射率大于n型限制层, 在不改变光场模式曲线的情况下,实现对有源层光场限制因子及内部损耗的独立优化。采用大光腔结构,改 善了近场模式和远场输出特性;增大发光面积,相对减小输出光功率密度,在增加输出功率的同时保证器件 寿命。 公司采用分布式载流子注入技术,通过图形化电极实现载流子的调制注入,平衡半导体激光器因为前后 端面因反射率差异而出现的纵向载流子非均匀分布,解决半导体激光器在大功率工作条件下因载流子分布不 均匀所导致的纵向空间烧孔效应,最终实现大功率工作条件下的载流子平衡均匀分布,进一步提升半导体激 光器的输出功率。 公司采用自主创新的腔面钝化和窗口制备方案,制备高稳定性及高重复性的宽带隙腔面无吸收窗口结构 ,大幅降低了激光器腔面的激光吸收从而减少热量产生,提高芯片抗损伤阈值,最终实现芯片输出功率及可 靠性的提升。 公司研究的多有源区级联的半导体激光器中,让各个小数量的量子阱堆叠,分布在周期性光场的每一个 峰的中心,每一组量子阱堆叠所占据的都是更靠近光场峰值的位置,增加了腔内增益,降低了器件的阈值, 并不会增加材料的内损耗,从而提高了激光器的功率和效率。公司采用体光栅分布式外腔反馈技术研制高亮 度波长锁定激光源。利用半导体激光芯片与外部光学系统构成谐振腔,每个激光单元振荡波长均与器件选择 性反馈波长相匹配,所有激光单元保持输出波长一致性,从而实现波长锁定,由此技术研制的高亮度光纤耦 合模块具有高亮度和输出波长稳定等优点。 2.研发及制造工艺平台优势 公司已建成2吋、3吋、6吋半导体激光芯片量产线,拥有了一套从外延生长、晶圆制造、封装测试、可 靠性验证相关的设备,并突破了晶体外延生长、晶圆工艺处理、封装、测试的关键核心技术及工艺。目前2 吋量产线主要用于公司新方向氮化镓,3吋量产线为半导体激光行业内的主流产线规格,而6吋量产线为该行 业内最大尺寸的产线,相当于是硅基半导体的12吋量产线。大部分工艺环节达到了生产自动化,实现了高功 率半导体激光芯片的研制和批量投产,芯片功率、效率、亮度等重要指标达到国际先进水平。 公司采用IDM模式进行半导体激光芯片的研发、生产与销售,掌握半导体激光芯片核心制造工艺技术关 键环节,已建成2吋、3吋及6吋半导体激光芯片量产线,构建了GaAs(砷化镓)、InP(磷化铟)、GaN(氮 化镓)三大材料体系,建立了边发射和面发射两大工艺技术和制造平台,具备各类以GaAs(砷化镓)、InP (磷化铟)、GaN(氮化镓)为衬底的半导体激光芯片的制造能力。 3.专业人才优势 公司深耕半导体激光芯片领域多年,核心技术人员均在激光行业拥有多年的技术研发及运营管理经验, 并且高度重视聚集和培养专业人才,在对未来市场发展方向谨慎判断的基础上,针对性地引入专业人才。目 前,公司已构建一批高层次的人才队伍,包括多名国家级人才专家、省级领军人才等。公司团队多次获得国 家、省市区重大创新团队和领军人才殊荣,承担多项国家级及省级重大科研项目。 公司始终以自身平台为基础,旨在培养一支新成长技术力量,并与四川大学、国内某高校、南京激光先 进研究院、东南大学、中科院苏州纳米所等国内高等学府和科研院所,签订产学研合作协议,建立联合实验 室,推进高功率半导体激光芯片制造技术、封装技术、光学合束技术及光纤耦合技术等各个层面上的激光技 术深入研究,进一步打造一支在国际上有较大影响力的专业技术团队。 四、经营情况的讨论与分析 公司始终重视研发创新能力建设,持续加大对高功率芯片和模块、光通信产品、VCSEL产品、激光无线 能量传输芯片、直接半导体激光器产品的投入,使产品保持创新性及领先性。公司积极开拓市场,加大研发 投入,公司具体经营情况及各项产品研发进展如下: 1、高功率半导体激光芯片保持领先。公司超高功率单管芯片在结构设计与研制技术上取得突破性进展 ,研制出的单管芯片室温连续功率超过100W(芯片条宽500μm),工作效率62%,是迄今为止已知报道的单 管芯片功率最高水平记录,开启了百瓦级单管芯片新纪元。公司的9XXnm50W高功率半导体激光芯片,在宽度 为330μm发光区内产生50W的激光输出,光电转化效率高(大于等于62%),现已实现大批量生产、出货,是 目前市场上量产功率最高的半导体激光芯片。 2、VCSEL应用不断拓展。公司的VCSEL芯片是公司横向拓展中重要的发展方向,现在主要有三方面应用 :(1)消费电子,主要用于手机、AR/VR等终端应用、3D传感领域;(2)光通信,短距离传输,应用于数 据中心;(3)车载激光雷达芯片,已通过车规IATF16949和AECQ认证。除车载雷达用VCSEL激光器芯片外, 公司还布局开发了车载EEL边发射激光器及1550nm光纤激光器的泵浦源产品,随着项目的推进,将进一步巩 固长光华芯全套激光雷达光源方案提供商的市场地位。根据IMARCGroup数据,2022年,全球垂直腔表面发射 激光器(VCSEL)市场的规模达17亿美元,预计到2028年,该市场规模将达到45亿美元,2023-2028年间的复 合年均增长率(CAGR)为17.4%。 3、开拓光通信产品市场。公司推出单波100GEML(56GBdEML通过PAM4调制)、50GVCSEL(25GVCSEL通过PA M4调制)、100mWCWDFB大功率光通信激光芯片。公司光通信产品为当前400G/800G/1.6T超算数据中心互连光 模块的核心器件。AI驱动高速光模块需求快速释放,根据Omdia数据,2025年高速光通信芯片市场规模有望 达到43.40亿美元。 4、激光无线能量传输芯片引领科技前沿。激光无线能量传输技术具有高能量密度和远距离传输优势。 可以为在轨卫星、无人机、移动终端等装备持续供电/补电,拥有广阔的应用前景。公司研究团队发布了全 半导体激光无线能量传输芯片及系统的最新成果,包括808nm和1μm的发射端激光芯片及模块、接收端单/多 结激光电池芯片及模块、激光无线传能系统。 5、平台资源整合,资本助力横向拓展新征程 为响应苏州太湖光子中心建设暨苏州高新区产业创新集群发展的号召,公司作为发起者及骨干推动成立 太湖光子中心。围绕光子产业,为孵化企业提供生产平台和工艺研发、人才平台等全方位支持。发起成立光 子产业基金,配合公司“一平台、一支点、横向扩展、纵向延伸”战略实施。 横向拓展氮化镓方向,进军可见光领域。公司全资子公司苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司 与中科院苏州纳米所成立“氮化镓激光器联合实验室”,为拓展氮化镓材料体系的蓝绿激光方向奠定了基础 。同时公司与相关技术团队合资成立了苏州镓锐芯光科技有限公司,共同开展氮化镓激光芯片的研发与生产 ,填补国内在氮化镓蓝绿激光器产业化领域的空白。第三代半导体材料(宽禁带半导体)氮化镓(GaN)以 及其合金氮化物是直接带隙半导体,其可调节的能带宽度使其发光波长覆盖从深紫外、可见光直至红外的宽 广的波谱范围。氮化镓半导体激光器具有直接发光、高效率、高稳定性等优势,蓝光和绿光波段的GaN激光 器产品,已经在激光加工(有色金属加工、激光直写)、激光显示(激光大屏电视,XR微投影)、激光照明 (车载大灯)、特殊通信等领域具有广泛应用,总体市场需求超百亿元且呈现较高的复合增长趋势。入股中 久大光,加大特殊科研领域深度合作。公司全资子公司通过公开增资的方式对四川中久大光科技有限公司进 行投资。公司与特殊领域行业龙头激光器企业达成深度战略合作关系,未来双方将联合研发多个重点项目, 提升特殊领域研发能力。 发挥产业平台孵化功能,推进光子产业协同发展。公司借力研究院产业平台孵化功能的优势,先后投资 成立了苏州匀晶光电技术有限公司(以下简称“匀晶光电”)和苏州睿科晶创光电科技有限公司(以下简称“ 睿科晶创”),不断拓宽公司产品与技术的应用领域。 匀晶光电致力于开发先进的晶体生长及加工技术,向国内外客户提供高端铌酸锂、钽酸锂系列晶体,包 括光调制、光纤陀螺、光隔离器、光学低通滤波片用光学级双面抛光LiNbO3晶片等。睿科晶创主要从事光学 超晶格频率转换器件,扩展激光器包括半导体激光器的频率,使激光器适于更多的应用场景,具备成本低、 体积小、可靠性高等优点。 积极扩展公司产品品类,布局高端功率器件方向。为抢抓电动汽车等新能源行业快速发展的全球市场机 遇,公司投资成立了苏州惟清半导体有限公司,以进一步完善公司的产业布局,实现高端功率器件等核心产 品技术的国产自主可控。 6、为增加市场占有率,多策略并行 国产替代与海外拓展并驾齐驱。随着外部环境的持续变化,公司作为多年深耕高功率激光半导体的头部 公司,将继续加大国产替代进程。同时,现在是开拓海外市场的机遇期、窗口期,公司将进一步布局海外市 场。海外业务的持续延展将为利润和毛利的提升提供有力支持。 7、完善内部控制,提升公司治理水平 报告期内,公司不断完善内控流程体系,通过内部培训以及企业价值观建设,进一步优化各项制度流程 ,提升公司运营效率和治理水平。公司严格按照各项法律法规的要求,认真履行信息披露义务,确保信息披 露及时、真实、准确和完整。 〖免责条款〗 1、本公司力求但不保证提供的任何信息的真实性、准确性、完整性及原创性等,投资者使 用前请自行予以核实,如有错漏请以中国证监会指定上市公司信息披露媒体为准,本公司 不对因上述信息全部或部分内容而引致的盈亏承担任何责任。 2、本公司无法保证该项服务能满足用户的要求,也不担保服务不会受中断,对服务的及时 性、安全性以及出错发生都不作担保。 3、本公司提供的任何信息仅供投资者参考,不作为投资决策的依据,本公司不对投资者依 据上述信息进行投资决策所产生的收益和损失承担任何责任。投资有风险,应谨慎至上。

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