经营分析☆ ◇688072 拓荆科技 更新日期：2024-11-20◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.前5名客户营业收入表】【4.前5名供应商采购表】
【5.经营情况评述】
【1.主营业务】
高端半导体专用设备的研发、生产、销售和技术服务。
【2.主营构成分析】
截止日期:2023-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
半导体设备(行业) 26.34亿 97.39 13.37亿 96.93 50.76
其他业务(行业) 7047.42万 2.61 4237.27万 3.07 60.13
─────────────────────────────────────────────────
薄膜沉积设备(产品) 25.70亿 95.02 13.05亿 94.56 50.76
其他业务(产品) 7047.42万 2.61 4237.27万 3.07 60.13
混合键合设备(产品) 6430.00万 2.38 3269.13万 2.37 50.84
─────────────────────────────────────────────────
中国大陆(地区) 26.34亿 97.39 13.37亿 96.93 50.76
其他业务(地区) 7047.42万 2.61 4237.27万 3.07 60.13
─────────────────────────────────────────────────
直销模式(销售模式) 26.34亿 97.39 13.37亿 96.93 50.76
其他业务(销售模式) 7047.42万 2.61 4237.27万 3.07 60.13
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2022-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
半导体设备(行业) 16.85亿 98.81 8.29亿 98.69 49.21
其他(补充)(行业) 2027.36万 1.19 1101.03万 1.31 54.31
─────────────────────────────────────────────────
PECVD设备(产品) 15.63亿 91.65 7.72亿 93.14 49.41
SACVD设备(产品) 8947.62万 5.25 4189.36万 5.05 46.82
ALD设备(产品) 3258.67万 1.91 1500.31万 1.81 46.04
其他(补充)(产品) 2027.36万 1.19 1101.03万 --- 54.31
─────────────────────────────────────────────────
中国大陆(地区) 16.85亿 98.81 8.29亿 98.69 49.21
其他(补充)(地区) 2027.36万 1.19 1101.03万 1.31 54.31
─────────────────────────────────────────────────
直销模式(销售模式) 16.85亿 98.81 8.29亿 98.69 49.21
其他(补充)(销售模式) 2027.36万 1.19 1101.03万 1.31 54.31
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2022-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
PECVD设备(产品) 4.67亿 89.25 --- --- ---
SACVD设备(产品) 4118.97万 7.87 --- --- ---
ALD设备(产品) 848.37万 1.62 --- --- ---
其他(补充)(产品) 654.95万 1.25 --- --- ---
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2021-09-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
PECVD设备-PF-300T(产品) 2.07亿 55.34 9210.26万 53.80 44.51
PECVD设备-PF-200T(产品) 1.16亿 31.00 4771.58万 27.87 41.17
SACVD设备(产品) 4115.89万 11.01 2598.52万 15.18 63.13
其他业务(产品) 990.52万 2.65 538.20万 3.14 54.34
─────────────────────────────────────────────────
华北地区(地区) 1.47亿 39.28 --- --- ---
华东地区(地区) 8466.92万 22.65 --- --- ---
华中地区(地区) 7216.18万 19.30 --- --- ---
华南地区(地区) 6031.00万 16.13 --- --- ---
其他业务(地区) 990.52万 2.65 538.20万 3.14 54.34
其他(补充)(地区) 52.48 0.00 --- --- ---
─────────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 3.64亿 97.35 --- --- ---
其他业务(销售模式) 990.52万 2.65 538.20万 3.14 54.34
─────────────────────────────────────────────────
【3.前5名客户营业收入表】
截止日期:2023-12-31
前5大客户共销售15.75亿元，占营业收入的58.24%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│客户名称 │ 营收额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│客户一 │ 65790.43│ 24.32│
│客户二 │ 27641.48│ 10.22│
│客户三 │ 25896.52│ 9.57│
│客户四 │ 23060.70│ 8.53│
│客户五 │ 15155.06│ 5.60│
│合计 │ 157544.19│ 58.24│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【4.前5名供应商采购表】
截止日期:2023-12-31
前5大供应商共采购15.73亿元，占总采购额的36.23%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│供应商名称 │ 采购额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│供应商一 │ 42463.47│ 9.78│
│供应商二 │ 30768.36│ 7.09│
│供应商三 │ 30518.69│ 7.03│
│供应商五 │ 27596.49│ 6.36│
│供应商四 │ 25957.75│ 5.98│
│合计 │ 157304.76│ 36.23│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【5.经营情况评述】
截止日期:2024-06-30
●发展回顾:
一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
（一）公司所属行业情况
1、行业基本情况
（1）半导体设备行业
集成电路产业是推动科技进步的关键力量，更是支撑国家经济发展的重要支柱。半导体行业历来遵循着
“一代产品、一代工艺、一代设备”的发展规律，晶圆制造作为产业链的核心环节，需要超前于下游应用开
发新一代工艺，而半导体设备则要超前于晶圆制造开发新一代设备。
随着数字化、自动化、智能化需求的浪潮迭起，以人工智能、物联网、智能驾驶等为代表的新兴产业的
创新发展，对半导体芯片的性能和效率提出了更高的要求。面对新兴市场需求的不断涌现，高端半导体设备
产业需要持续迭代创新，不断提升产品性能，以满足市场对于更高性能、更低功耗、更小尺寸的集成电路需
求，同时，也产生了巨大的半导体设备市场空间。根据SEMI统计和预测，2023年全球半导体设备的销售额达
1063亿美元，2024年预计增长至1090亿美元，并持续保持增长态势，2025年预计达到1280亿美元的新高。
中国大陆作为全球最大的消费电子市场，对半导体芯片的需求量巨大，同时也为半导体设备带来了广阔
的市场空间，尤其是在终端市场强劲需求和新兴产业快速发展的拉动下，对半导体设备的需求呈现持续增长
的态势。根据SEMI统计，2023年中国大陆半导体设备销售额为366亿美元，同比增长29%，连续第四年成为全
球最大半导体设备市场。
近年来，在复杂多变的国际形势及我国持续加大半导体产业政策扶持的背景下，中国大陆半导体产业发
展迅速，在半导体技术迭代创新、产业生态等方面均形成良好效果，但高端半导体设备自给率仍较低，这也
为国内半导体设备厂商的发展提供了巨大的成长机遇。
（2）公司所聚焦的薄膜沉积设备行业
在高端半导体设备中，薄膜沉积设备、光刻设备、刻蚀设备共同构成芯片制造三大核心设备，决定了芯
片制造工艺的先进程度。薄膜沉积设备所沉积的薄膜是芯片结构内的功能材料层，在芯片制造过程中需求量
巨大，且直接影响芯片的性能。由于不同芯片结构所需要的薄膜材料种类不同、沉积工序不同、性能指标不
同，相应产生了巨大的薄膜沉积设备市场，2023年晶圆制造设备销售额约占总体半导体设备销售额的90%，
达到约960亿美元。而薄膜沉积设备市场规模约占晶圆制造设备市场的22%，由此推算，2023年全球薄膜沉积
设备市场规模约为211亿美元。
公司自设立以来，一直在高端半导体设备领域深耕，并专注于薄膜沉积设备的研发和产业化应用。公司
凭借多年的自主研发经验和技术积累，现已拥有多项具有国际先进水平的核心技术，形成了以PECVD（等离
子体增强化学气相沉积）、ALD（原子层沉积）、SACVD（次常压化学气相沉积）、HDPCVD（高密度等离子体
化学气相沉积）及超高深宽比沟槽填充CVD薄膜设备系列产品，在集成电路逻辑芯片、存储芯片制造等领域
得到广泛应用。
PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及超高深宽比沟槽填充CVD设备均属于CVD（化学气相沉积）细分领域产品
，不同的设备技术原理不同，所沉积的薄膜种类和性能不同，适用于芯片内不同的应用工序。
（3）公司所聚焦的混合键合设备行业
随着“后摩尔时代”的来临，芯片制程持续缩小并接近物理极限，不能再只依赖缩短工艺极限实现最优
的芯片性能和复杂的芯片结构，而是转向通过新的芯片设计架构和芯片堆叠的方式来实现，该方式已成为先
进芯片制造的发展趋势，并由此产生了新的设备需求，即应用于三维集成领域的半导体设备。
应用于三维集成领域的设备是三维集成芯片、Chiplet等芯片堆叠的技术基础，同时也是先进逻辑和先
进存储从2D向3D芯片设计架构发展的技术支撑。混合键合设备作为晶圆级三维集成应用中最前沿的核心设备
之一，可以提供键合面小于1μm互联间距以实现芯片或晶圆的堆叠，使芯片间的通信速度提升至业界更高水
平，从而提高芯片系统性能。
面向新的技术趋势和市场需求，公司积极布局并成功进军高端半导体设备的前沿技术领域，推出了应用
于晶圆级三维集成领域的混合键合（HybridBonding）设备产品系列，同时，该设备还能兼容熔融键合（Fus
ionBonding）。
（二）公司主营业务情况
1、主要业务情况
公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。自成立以来，公司始终坚持自主研
发，目前已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、超高深宽比沟槽填充CVD等薄膜设备产品系列，该产品系列已
广泛应用于国内集成电路逻辑芯片、存储芯片等制造产线。此外，公司推出了应用于晶圆级三维集成领域的
混合键合设备产品系列，已实现产业化应用。
2、主要产品情况
公司PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、超高深宽比沟槽填充CVD等薄膜设备产品系列及混合键合设备产品系
列均已在客户端实现产业化应用，量产规模逐步扩大，其设备性能和产能均达到国际领先水平。
报告期内，公司持续推进各系列产品的迭代升级，不断拓展新工艺，并加大力度推进新工艺以及新型平
台、新型反应腔的验证与产业化应用，持续保持产品核心竞争力。此外，公司开发一套智能化的软硬件系统
（SmartMachine），能够提升设备装机调试效率和设备性能，进一步提升产品竞争力。
公司PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、超高深宽比沟槽填充CVD及混合键合系列产品情况如下：
（1）DPECVD系列产品
PECVD设备作为公司核心产品，是芯片制造的核心设备之一，其主要功能是将硅片控制到预定温度后，
使用射频电磁波作为能量源在硅片上方形成低温等离子体，通入适当的化学气体，在等离子体的激活下，经
一系列化学反应在硅片表面形成固态薄膜。相比传统的CVD设备，PECVD设备在相对较低的反应温度下形成高
致密度、高性能薄膜，不破坏已有薄膜和已形成的底层电路，实现更快的薄膜沉积速度，是芯片制造薄膜沉
积工艺中运用最广泛的设备种类。
公司自成立就开始研制PECVD设备，在PECVD设备技术领域具有十余年的研发和产业化经验，并形成了覆
盖全系列PECVD薄膜材料的设备，主要包括PECVD产品和UVCure产品。
①DPECVD产品
②eUVCure产品
UVCure设备主要用于薄膜紫外线固化处理，该工序通过对薄膜进行后处理，有效改善薄膜性能，提升薄
膜应力、硬度等关键性能指标。
（2）DALD系列产品
ALD设备是一种可以将反应材料以单原子膜形式通过循环反应逐层沉积在硅片表面，形成对复杂形貌的
基底表面全覆盖成膜的专用设备。由于ALD设备可以实现高深宽比、极窄沟槽开口的优异台阶覆盖率及精确
薄膜厚度控制，在结构复杂、薄膜厚度要求精准的先进逻辑芯片、存储芯片制造中，ALD是必不可少的核心
设备之一。
公司ALD系列产品包括PE-ALD（等离子体增强原子层沉积）产品和Thermal-ALD（热处理原子层沉积）产
品。
①PE--DALD产品
PE-ALD是利用等离子体增强反应活性，提高反应速率，具有相对较快的薄膜沉积速度、较低的沉积温度
等特点，适用于沉积硅基介质薄膜材料。
②Thermal--DALD产品
Thermal-ALD是利用热能使反应物分子吸附在基底表面，再进行化学反应，生成薄膜，具有相对较高的
反应温度、优越的台阶覆盖率、高薄膜质量等特点，适用于金属、金属氧化物、金属氮化物等薄膜沉积。
（3）DSACVD系列产品
SACVD设备主要应用于深宽比小于7:1的沟槽填充工艺，是集成电路制造的重要设备之一。在集成电路结
构中，沟槽孔洞的深宽比越来越大，SACVD反应腔环境具有特有的高温（400℃-550℃）、高压（30-600Torr
）环境，具有快速优越的填孔能力。
（4）DHDPCVD系列产品
HDPCVD设备主要应用于深宽比小于5:1的沟槽填充工艺，是集成电路制造的重要设备之一。HDPCVD设备
可以同时进行薄膜沉积和溅射，所沉积的薄膜致密度更高，杂质含量更低。
（5）超高深宽比沟槽填充DCVD系列产品
超高深宽比沟槽填充CVD设备可实现对高深宽比沟槽结构的无孔洞填充，是集成电路制造的重要设备之
一。超高深宽比沟槽填充CVD设备可以在晶圆表面沉积高品质的介电薄膜材料，经过固化及氧化等处理工艺
后，可达到完全填充间隙而不会留下孔洞和缝隙的效果。公司自主研发并推出了超高深宽比沟槽填充CVD产
品，
（6）混合键合系列产品
混合键合设备是晶圆级三维集成应用中最前沿的核心设备之一，可以在常温下通过直接键合工艺技术实
现芯片或晶圆的堆叠。通常对晶圆表面进行等离子激活和清洗之后，运用高精密对准技术和键合工艺控制技
术，实现晶圆对晶圆或芯片对晶圆的键合，并将键合精度控制在亚微米级，从而有效提升芯片间的通信带宽
及芯片系统性能。除此之外，混合键合工艺可以有效缩短芯片开发周期。
公司混合键合系列产品包括晶圆对晶圆键合（WafertoWaferBonding）产品、芯片对晶圆键合表面预处
理（DietoWaferBondingPreparationandActivation）产品以及键合套准精度量测产品（BondingMetrology
）。
晶圆对晶圆键合产品晶圆对晶圆键合产品可以在常温下实现复杂的12英寸晶圆对晶圆多材料表面的键合
工艺
②芯片对晶圆键合表面预处理产品芯片对晶圆的键合工艺分为预处理和键合两道工序，芯片对晶圆键合
表面预处理产品可以实现芯片对晶圆键合前表面预处理工序
③键合套准精度量测产品键合套准精度量测产品是混合键合技术领域重要的键合精度量测设备。该设备
主要采用红外光学技术原理实现量测功能。公司自主研发的键合套准精度量测产品具有超高精度、超高产能
和无盲区量测三大特点，并有效兼容晶圆对晶圆和芯片对晶圆混合键合量测场景
（三）主要经营模式
（1）盈利模式
公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售及技术服务。公司通过向下游客户销售半导体专
用设备并提供备品备件和技术服务来实现收入和利润。报告期内，公司主营业务收入来源于半导体设备的销
售，其他业务收入主要来源于设备有关的备品备件销售。
（2）研发模式
公司主要采用自主研发的模式。公司建成了一支国际化、专业化的半导体设备研发技术团队。公司的研
发技术团队结构合理，分工明确，专业知识储备深厚，产线验证经验丰富，是公司自主研发能力的基石。公
司根据客户需求、半导体专用设备技术动态和国家专项目标为导向，研发设计新产品、新工艺，研制机台在
通过公司测试之后，送至客户实际生产环境中进行产业化验证，通过验证后产品正式定型。此外，公司会根
据客户不同的工艺应用需求，持续丰富、完善量产产品功能。
（3）采购模式
公司采购业务主要分为标准件采购和非标件采购。对于标准件采购，公司面向市场供应商进行直接采购
。非标件是根据机台技术需求，自行设计的零部件。对于非标件采购，公司主要通过向供应商提供设计图纸
、明确参数要求，由供应商自行采购原材料进行加工并完成定制。
（4）生产模式
公司的产品主要根据客户的差异化需求和采购意向，进行定制化设计及生产制造。公司主要采用库存式
生产和订单式生产相结合的生产模式。库存式生产，指公司尚未获取正式订单便开始生产，包括根据Demo订
单或较明确的客户采购意向启动的生产活动，适用于公司的Demo机台和部分销售机台。订单式生产，指公司
与客户签署正式订单后进行生产，适用于公司大部分的销售机台。
（5）销售和服务模式
报告期内，公司销售模式为直销，通过与潜在客户商务谈判、招投标等方式获取客户订单。经过多年的
努力，公司已与国内半导体行业企业形成了较为稳定的合作关系。
公司的销售流程一般包括市场调查与推介、获取客户需求及公司内部讨论、产品报价、投标操作与管理
（如适用）、销售洽谈、合同评审、销售订单（或Demo订单）签订与执行、产品安装调试、合同回款、客户
验收及售后服务等步骤。公司的设备发运至客户指定地点后，需要在客户的生产线上进行安装调试。通常客
户在完成相关测试后，对设备进行验收，公司在客户端验收完成后确认收入。
报告期内，公司主要经营模式未发生重大变化。
二、核心技术与研发进展
1.核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司自成立以来，始终专注于高端半导体设备的研发，形成了一系列具有自主知识产权的核心技术，并
达到国际先进水平。公司核心技术广泛应用于主营业务产品中，解决了半导体制造中纳米级厚度薄膜均匀一
致性、薄膜表面颗粒数量少、快速成膜、设备产能稳定高速等关键难题，在保证实现薄膜工艺性能的同时，
提升客户产线的产能，减少客户产线的生产成本。此外，公司面向三维集成应用领域，形成了晶圆高速高精
度对准技术、混合键合实时对准技术，实现较高的晶圆键合精度，并提高了设备产能。
2.报告期内获得的研发成果
公司始终在高端半导体专用设备领域深耕，并专注于薄膜沉积设备和混合键合设备的研发与产业化。截
至报告期末，公司已先后累计承担9项国家重大专项/课题。
公司拥有多项自主知识产权和核心技术。截至报告期末，公司累计申请专利1279项（含PCT）、获得专
利402项；报告期内，公司新增申请专利74项（含PCT）、新增获得专利45项。
三、报告期内核心竞争力分析
(一)核心竞争力分析
公司致力于研发和生产世界领先的高端半导体专用设备，始终坚持自主创新，持续为半导体行业和客户
提供具有竞争力的产品。公司建立了创新管理体制，形成了多项国际先进的核心技术，并在研发团队、技术
积累和研发平台、市场拓展和售后服务等方面形成竞争优势，具体体现为：
1、具有丰富的技术储备及国际先进的核心技术优势
公司通过自主研发，形成了一系列独创性的设计，构建了完善的知识产权体系并取得了多项自主知识产
权。截至报告期末，公司累计申请专利1279项（含PCT），获得授权专利402项，其中发明专利209项。
公司研发并推出的支持不同工艺型号的PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及超高深宽比沟槽填充CVD薄膜系列
设备均已在客户端实现量产，在半导体薄膜沉积设备领域积累了多项研发及产业化的核心技术，构建了具有
设备种类、工艺型号外延开发能力的研发平台，性能达到了国际同类设备水平。
公司面向国内半导体制造产业的实际需求和产线演进节奏，研制并推出了应用于晶圆级三维集成领域的
混合键合设备。公司未来将保持高强度的研发投入，持续迭代升级、优化现有设备和工艺，不断推出面向未
来发展需求的新设备、新工艺。
2、优秀的技术研发及管理团队优势
公司已经建成了一支国际化、专业化的高端半导体专用设备技术研发及管理团队。公司立足核心技术研
发，积极引进资深专业人才、自主培养科研团队。
公司国际化专业化的高级管理团队、员工的股权激励机制及具有竞争力的薪酬福利，吸引了大量具有丰
富经验的国内外半导体设备行业人才加入公司，在整机设计、工艺开发、软件设计等方面做出突出贡献。公
司自设立以来，自主培养本土科研团队，随着多项产品的研发成功，公司本土科研团队已成长为公司技术研
发的中坚力量。截至报告期末，公司研发人员共有506名，占公司员工总数的40.38%，研发人员中博士研究
生34人，占比约6.72%，硕士研究生281人，占比约55.53%。公司的研发技术团队结构合理，分工明确，专业
知识储备深厚，产线验证经验丰富，是奠定公司技术实力的基石，保障了公司产品的市场竞争力。报告期内
，公司核心技术团队稳定，不存在重大不利变化。
3、领先的行业地位及丰富的客户资源优势
公司以“建立世界领先的薄膜设备公司”为愿景，通过在薄膜沉积设备这一半导体核心设备细分领域的
技术积累和快速发展，已经成为国内半导体设备行业的领军企业。公司已与国内半导体行业企业形成了较为
稳定的合作关系。公司PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及超高深宽比沟槽填充CVD等产品已批量发往国内集成电
路晶圆厂产线。此外，公司正在积极拓展海外市场。
4、稳定的供应链及较低的运营成本优势
公司建立了完善的供应链管理体系，吸纳积累全球范围内的供应链资源，与关键供应商建立战略合作关
系，搭建了稳定的供应链结构。通过对供应商进行阶段性的评估与考核，鼓励供应商在产品质量、交货期和
成本控制等方面进行改善，从而提高企业竞争力。公司与供应商实时互动，协同产品创新，保持良好稳定的
合作关系。
公司的主要竞争对手均位于国外，服务中国大陆客户的成本较高。公司的研发和生产主要位于中国大陆
，拥有区位优势。在产品设计方面，公司通过与供应商密切合作，使产品具有模块化、易维护的特点，从而
降低公司原材料采购成本。随着上游供应商的快速发展，给予了公司更多的采购选择。因此，公司相比其主
要竞争对手在运营成本方面具有一定优势，随着产能的不断提升，降本优势将更加明显。
5、提供定制化产品及高效的售后服务优势
公司针对客户提出的特定工艺材料、特定制造工序薄膜性能的快速响应能力可以及时满足客户产线的客
制化设备需求，这对下游晶圆制造厂能够快速扩充产能极其重要，由此建立和巩固与客户稳定的合作关系。
公司主要客户的生产基地位于中国大陆，相较于国际竞争对手，公司管理和技术团队更贴近主要客户，能够
提供高效的技术支持和售后服务，及时保障和满足客户需求。
四、经营情况的讨论与分析
报告期内，公司一直在高端半导体专用设备领域持续深耕，并重点聚焦薄膜沉积设备和混合键合设备的
研发与产业化应用。公司面向国内集成电路芯片制造技术的迭代创新和快速发展需求，充分发挥公司在产品
方面的高性能、覆盖面广、量产规模大等竞争优势，以及在研发团队、技术储备、客户资源及售后服务等方
面的优势，坚持以技术和产品创新驱动业务发展，持续保持新产品、新工艺及新技术的研发和投入，增强公
司产品的市场竞争力，不断扩大公司产品在先进制程领域的工艺覆盖面。同时，持续强化公司运营管理，促
进公司高质量、稳健、快速的发展，在经营业绩、产品研发、市场销售、人才团队等诸多方面取得了优异的
成果，进一步促进公司综合实力的提升。
1、主要经营情况
报告期内，公司不断突破核心技术，持续推进各系列产品的迭代升级与产业化应用，并取得了重要成果
，产品市场竞争力持续增强，同时，受益于国内下游晶圆制造厂对国内半导体设备的需求增加，报告期内，
公司新签销售订单及出货金额均同比大幅增加，且第二季度新签订单环比第一季度亦有大幅增加，截至报告
期末，公司在手销售订单充足。2024年上半年度，公司实现营业收入126689.07万元，同比增长26.22%；实
现归属于上市公司股东的净利润12909.40万元，同比增长3.64%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性
损益的净利润1995.75万元，同比减少69.38%。
2、公司产品研发及产业化进展情况
报告期内，公司继续保持较高水平的研发投入，不断拓展新产品及新工艺，包括超高深宽比沟槽填充CV
D设备、PECVDBianca工艺设备及键合套准精度量测设备，并持续进行设备平台及反应腔的优化升级，包括新
型设备平台（PF-300TPlus和PF-300M）和新型反应腔（pX和Supra-D）等，进一步扩大公司产品及工艺覆盖
面，提升产品核心竞争力，研发投入金额达到31431.34万元，同比增长49.61%，研发投入占营业收入比例达
24.81%。公司通过高强度的研发投入，保持细分领域内产品技术领先，同时，不断丰富设备产品品类，拓宽
薄膜工艺应用覆盖面，在新工艺机型研发、验证，以及产品出货、产业化应用等方面均取得了优异成果。
随着公司业务规模逐步扩大和先进产品陆续推出，公司设备出货量大幅增加。2024年上半年度，公司出
货超过430个反应腔。截至报告期末，公司累计出货超过1940个反应腔（包括超过130个新型反应腔pX和Supr
a-D），进入超过70条生产线。预计公司2024年全年出货超过1000个反应腔，将创历史新高。
报告期内，公司进一步扩大以PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD为主的薄膜工艺覆盖面，推出的超高深宽比
沟槽填充CVD、PE-ALDSiN工艺设备、HDPCVDFSG、HDPCVDSTI工艺设备等新产品及新工艺均通过客户验证，实
现了产业化应用。截至报告期末，公司推出的PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及超高深宽比沟槽填充CVD薄膜设
备可以支撑逻辑芯片、存储芯片中所需的全部介质薄膜材料的约100多种工艺应用。
为实现产品系统性能的进一步提升，报告期内，公司开发一套智能化的软硬件系统（SmartMachine），
通过收集设备的数据，并引入数据分析、统计、机器学习等方法，搭建智能化数据分析平台，可实现支持设
备调试、系统优化、实时监控、故障修复等功能，提高设备装机调试效率、提升设备性能、降低维护成本，
进一步提高产品竞争力。
报告期内，公司设备在客户端产线生产运行稳定性表现优异，平均机台稳定运行时间（Uptime）超过90
%（达到国际同类设备水平）。公司薄膜系列产品在晶圆制造产线的量产应用规模持续扩大，截至本报告期
末，公司薄膜沉积设备在客户端产线生产产品的累计流片量已突破1.94亿片。
（1）PECVD系列产品研发及产业化进展情况
公司的PECVD系列产品类型如下：
①PECVD产品
PECVD设备作为公司的主打产品，已实现全系列PECVD介质薄膜材料的覆盖，通用介质薄膜材料（包括Si
O2、SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、BPSG、PSG等）和先进介质薄膜材料（包括ACHM、LoKⅠ、LoKⅡ、ADCⅠ
、ADCⅡ、HTN、a-Si等）均已实现产业化应用，广泛应用于国内集成电路制造产线。
报告期内，公司不断拓展通用介质薄膜材料工艺及先
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