经营分析☆ ◇688072 拓荆科技 更新日期：2025-08-02◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.前5名客户营业收入表】【4.前5名供应商采购表】
【5.经营情况评述】
【1.主营业务】
高端半导体专用设备的研发、生产、销售和技术服务。
【2.主营构成分析】
截止日期:2024-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
半导体设备行业(行业) 39.58亿 96.46 16.19亿 94.66 40.90
其他业务(行业) 1.45亿 3.53 9130.22万 5.34 62.99
─────────────────────────────────────────────────
半导体专用设备(产品) 39.58亿 96.46 16.19亿 94.66 40.90
其他业务(产品) 1.45亿 3.53 9130.22万 5.34 62.99
─────────────────────────────────────────────────
中国大陆(地区) 39.59亿 96.47 16.19亿 94.66 40.91
其他业务(地区) 1.45亿 3.53 9130.22万 5.34 62.99
─────────────────────────────────────────────────
直销模式(销售模式) 39.59亿 96.47 16.19亿 94.66 40.91
其他业务(销售模式) 1.45亿 3.53 9130.22万 5.34 62.99
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2023-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
半导体设备(行业) 26.34亿 97.39 13.37亿 96.93 50.76
其他业务(行业) 7047.42万 2.61 4237.27万 3.07 60.13
─────────────────────────────────────────────────
薄膜沉积设备(产品) 25.70亿 95.02 13.05亿 94.56 50.76
其他业务(产品) 7047.42万 2.61 4237.27万 3.07 60.13
混合键合设备(产品) 6430.00万 2.38 3269.13万 2.37 50.84
─────────────────────────────────────────────────
中国大陆(地区) 26.34亿 97.39 13.37亿 96.93 50.76
其他业务(地区) 7047.42万 2.61 4237.27万 3.07 60.13
─────────────────────────────────────────────────
直销模式(销售模式) 26.34亿 97.39 13.37亿 96.93 50.76
其他业务(销售模式) 7047.42万 2.61 4237.27万 3.07 60.13
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2022-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
半导体设备(行业) 16.85亿 98.81 8.29亿 98.69 49.21
其他(补充)(行业) 2027.36万 1.19 1101.03万 1.31 54.31
─────────────────────────────────────────────────
PECVD设备(产品) 15.63亿 91.65 7.72亿 93.14 49.41
SACVD设备(产品) 8947.62万 5.25 4189.36万 5.05 46.82
ALD设备(产品) 3258.67万 1.91 1500.31万 1.81 46.04
其他(补充)(产品) 2027.36万 1.19 1101.03万 --- 54.31
─────────────────────────────────────────────────
中国大陆(地区) 16.85亿 98.81 8.29亿 98.69 49.21
其他(补充)(地区) 2027.36万 1.19 1101.03万 1.31 54.31
─────────────────────────────────────────────────
直销模式(销售模式) 16.85亿 98.81 8.29亿 98.69 49.21
其他(补充)(销售模式) 2027.36万 1.19 1101.03万 1.31 54.31
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2022-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
PECVD设备(产品) 4.67亿 89.25 --- --- ---
SACVD设备(产品) 4118.97万 7.87 --- --- ---
ALD设备(产品) 848.37万 1.62 --- --- ---
其他(补充)(产品) 654.95万 1.25 --- --- ---
─────────────────────────────────────────────────
【3.前5名客户营业收入表】
截止日期:2024-12-31
前5大客户共销售25.58亿元，占营业收入的62.33%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│客户名称 │ 营收额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│客户一 │ 107602.63│ 26.22│
│客户二 │ 67558.71│ 16.46│
│客户三 │ 34073.68│ 8.30│
│客户四 │ 23536.50│ 5.74│
│客户五 │ 23016.68│ 5.61│
│合计 │ 255788.20│ 62.33│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【4.前5名供应商采购表】
截止日期:2024-12-31
前5大供应商共采购17.78亿元，占总采购额的33.48%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│供应商名称 │ 采购额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│供应商一 │ 59982.15│ 11.29│
│供应商二 │ 36741.28│ 6.92│
│供应商三 │ 33723.02│ 6.35│
│供应商四 │ 24203.78│ 4.56│
│供应商五 │ 23163.78│ 4.36│
│合计 │ 177814.01│ 33.48│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【5.经营情况评述】
截止日期:2024-12-31
●发展回顾:
一、经营情况讨论与分析
集成电路产业是推动科技进步的关键力量，更是支撑国家经济发展的重要支柱。半导体行业历来遵循着
“一代产品、一代工艺、一代设备”的发展规律，晶圆制造作为半导体产业链的核心环节，需要超前于下游
应用开发新一代工艺，而半导体设备则要超前于晶圆制造开发新一代设备。
伴随着数字化、自动化、智能化趋势的不断深化，以消费电子、物联网、汽车电子等为代表的新兴产业
快速发展，对半导体芯片的性能和效率提出了更高的要求。面对新兴市场需求的不断涌现，高端半导体设备
需要持续迭代创新，不断提升产品性能，以满足市场对于更高性能、更低功耗、更小尺寸的集成电路需求，
同时，也产生了巨大的半导体设备市场空间。根据SEMI统计，2024年全球半导体设备销售额达到1171亿美元
，相较2023年的1063亿美元增长10%，并持续保持增长态势，预计2025年销售额将达到1215亿美元，2026年
预计达到1394亿美元的新高。数据来源：SEMI
中国大陆作为全球最大的消费电子市场，对半导体芯片的需求量巨大，同时也为半导体设备带来了广阔
的市场空间，尤其是在终端市场强劲需求和新兴产业快速发展的拉动下，对半导体设备的需求呈现持续增长
的态势。根据SEMI统计，2024年中国大陆半导体设备销售额达到496亿美元，同比增长35%，连续第五年成为
全球最大半导体设备市场。近年来，在复杂多变的国际形势及我国持续加大半导体产业政策扶持的背景下，
中国大陆半导体产业发展迅速，在半导体技术迭代创新、产业生态等方面均形成良好效果，产业链逐步完善
，并加快先进技术领域的布局，为国内高端半导体设备厂商创造了巨大的发展机遇和市场空间。
在高端半导体设备中，薄膜沉积设备、光刻设备、刻蚀设备共同构成芯片制造三大核心设备，决定了芯
片制造工艺的先进程度。薄膜沉积设备所沉积的薄膜是芯片结构内的功能材料层，在芯片制造过程中需求量
巨大，且直接影响芯片的性能。由于不同芯片结构所需要的薄膜材料种类不同、沉积工序不同、性能指标不
同，相应产生了巨大的薄膜沉积设备市场，2024年晶圆制造设备销售额达到约1042亿美元，约占总体半导体
设备销售额的90%。而根据历史年度统计，薄膜沉积设备市场规模约占晶圆制造设备市场的22%，由此推算，
2024年全球薄膜沉积设备市场规模约为230亿美元。
公司自设立以来，一直在高端半导体专用设备领域持续深耕，聚焦薄膜沉积设备和应用于三维集成领域
的先进键合设备及配套量检测设备（以下统称“三维集成设备”）的研发与产业化应用。
在薄膜沉积设备方面，公司凭借十余年的自主研发经验和技术积累，现已拥有多项具有国际先进水平的
核心技术，形成了以PECVD（等离子体增强化学气相沉积）、ALD（原子层沉积）、SACVD（次常压化学气相
沉积）、HDPCVD（高密度等离子体化学气相沉积）及FlowableCVD（流动性化学气相沉积）薄膜设备系列产
品，在集成电路逻辑芯片、存储芯片制造等领域得到广泛应用。
PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及FlowableCVD设备均属于CVD（化学气相沉积）细分领域产品，不同的设
备技术原理不同，所沉积的薄膜种类和性能不同，适用于芯片内不同的应用工序。
随着“后摩尔时代”的来临，芯片制程持续缩小并接近物理极限，单纯依赖平面工艺极限已无法实现性
能迭代，技术路径逐步转向新的架构设计及芯片堆叠方式，三维集成技术则是这一技术创新和发展趋势的关
键驱动力，而先进键合设备凭借其突破性技术优势成为三维集成技术领域的核心设备。
面向新的技术趋势和市场需求，公司积极布局并成功进军高端半导体设备的前沿技术领域，研发并推出
了应用于三维集成领域的先进键合设备（包括混合键合、熔融键合设备）及配套使用的量检测设备。先进键
合技术根据堆叠的方式不同分为晶圆对晶圆键合和芯片对晶圆键合。
报告期内，公司面向国内集成电路芯片制造技术的迭代创新和快速发展需求，充分发挥公司在产品方面
的技术创新迭代快、性能优异、覆盖面广、量产规模大等竞争优势，以及在研发团队、技术储备、客户资源
及售后服务等方面的深厚积淀，坚持以创新驱动业务发展，持续保持新产品、新工艺及新技术的研发和投入
，增强公司产品的市场竞争力，不断扩大公司产品在先进技术领域的工艺覆盖面。同时，持续强化公司运营
管理，促进公司高质量、稳健、快速的发展，在经营业绩、产品研发、市场销售、人才团队等诸多方面取得
了优异成果，进一步促进公司综合实力的提升。
1、主要经营情况
报告期内，公司不断突破核心技术，加快推进各系列产品的创新迭代与产业化应用，并取得了重要成果
，产品市场竞争力持续增强，同时，受益于国内下游晶圆制造厂对国内半导体设备的需求增加，公司新签销
售订单及出货金额均同比大幅增加，营业收入维持高增长趋势。2024年度，公司实现营业收入410345.39万
元，同比增长51.70%；实现归属于上市公司股东的净利润68815.47万元，同比增长3.86%；实现归属于上市
公司股东的扣除非经常性损益的净利润35613.79万元，同比增长14.10%。
截至2024年12月31日，公司总资产1531416.61万元，较期初增长53.61%；归属于上市公司股东的净资产
528015.44万元，较期初增长14.94%。公司资产质量良好，财务状况稳健。
2、公司产品研发及产业化进展情况
报告期内，公司继续保持较高水平的研发投入，研发投入金额达到75597.63万元，同比增长31.26%，研
发投入占营业收入比例达18.42%。公司通过高强度的研发投入，保持细分领域内产品技术领先，同时，不断
丰富薄膜沉积设备及三维集成设备产品的品类，拓宽工艺应用覆盖面，在新产品、新型平台研发、验证及产
业化应用等方面均取得了突破性成果。
在薄膜沉积设备方面，公司进一步扩大以PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD为主的薄膜工艺覆盖面，并拓展
了应用于芯片沟槽填充的新产品FlowableCVD设备；开发的PECVDBianca产品，以及基于新型设备平台（PF-3
00TPlus和PF-300M）和新型反应腔（pX和Supra-D）的PECVDStack（ONO叠层）、ACHM等先进工艺设备，实现
了大批量出货，陆续通过客户验证；公司是集成电路领域国产ALD设备薄膜工艺覆盖率第一的设备厂商，推
出的ALDSiCO、SiN、AlN等工艺设备已实现大量出货，持续扩大量产规模，此外，研发了ALD新型设备平台（
VS-300T），该平台具有业界领先的坪效比和最低的拥有成本(COO)，满足客户高性能需求的同时，为客户节
约成本。截至报告期末，公司推出的PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及FlowableCVD薄膜设备可以支撑逻辑芯片
、存储芯片中所需的全部介质薄膜材料的约100多种工艺应用。
在应用于三维集成领域的先进键合设备及配套量检测设备方面，公司晶圆对晶圆混合键合设备、芯片对
晶圆键合前表面预处理设备获得重复订单并扩大产业化应用，同时，公司自主研发并推出了新产品晶圆对晶
圆熔融键合设备、芯片对晶圆混合键合设备、键合套准精度量测设备及键合强度检测设备，致力于为三维集
成领域提供全面的技术解决方案。
随着公司先进产品不断迭代升级，设备出货量实现了大幅攀升。2024年度，公司设备反应腔出货超过10
00个。截至报告期末，公司累计出货超过2500个反应腔（包括超过220个新型反应腔pX和Supra-D），进入超
过70条生产线。
报告期内，公司薄膜沉积设备在客户端产线生产运行稳定性表现优异，平均机台稳定运行时间（Uptime
）超过90%（达到国际同类设备水平）。公司薄膜系列产品在晶圆制造产线的量产应用规模持续扩大，截至
本报告披露日，公司薄膜沉积设备在客户端产线生产产品的累计流片量已突破2.96亿片
（1）PECVD系列产品研发及产业化进展情况
PECVD设备是公司核心产品，也是芯片制造的核心设备之一，其主要功能是将硅片控制到预定温度后，
使用射频电磁波作为能量源在硅片上方形成低温等离子体，通入适当的化学气体，在等离子体的激活下，经
一系列化学反应在硅片表面形成固态薄膜。相比传统的CVD设备，PECVD设备在相对较低的反应温度下形成高
致密度、高性能薄膜，不破坏已有薄膜和已形成的底层电路，实现更快的薄膜沉积速度，是芯片制造薄膜沉
积工艺中运用最广泛的设备种类。
公司自成立就开始研制PECVD设备，在PECVD设备技术领域具有十余年的研发和产业化经验，并形成了覆
盖全系列PECVD薄膜材料的设备。
1PECVD产品
PECVD设备作为公司的主打产品，已实现全系列PECVD介质薄膜材料的覆盖，通用介质薄膜材料（包括Si
O2、SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、BPSG、PSG等）和先进介质薄膜材料（包括ACHM、LoK-Ⅰ、LoK-Ⅱ、ADC
-Ⅰ、ADC-Ⅱ、HTN、a-Si等）均已实现产业化应用，广泛应用于国内集成电路制造产线。报告期内，公司PE
CVD设备以良好的稳定性、高产能及优异的薄膜工艺指标等特点持续保持竞争优势，获得客户复购和批量订
单，不断扩大量产规模。
公司自主研发并推出了PECVDBianca工艺设备，该设备为晶圆背面薄膜沉积设备，主要应用于集成电路
制造过程中对晶圆翘曲的纠正以及晶圆背面保护。该设备可以实现在不使用翻片工艺、不使用去边工艺的情
况下对晶圆背面进行薄膜沉积，减少集成电路制造的工艺步骤，降低客户成本。报告期内，公司PECVDBianc
a工艺设备已通过客户验证，实现了产业化应用。截至报告期末,累计超过40个PECVDBianca工艺设备反应腔
已出货至客户端。
公司基于新型设备平台（PF-300TPlus和PF-300M）和新型反应腔（pX和Supra-D）研发的PECVDStack（O
NO叠层）、ACHM、LoK-Ⅱ等先进工艺设备实现了批量出货，并陆续通过客户验证，满足客户在先进技术更新
迭代过程中对高产能及更严格的薄膜性能指标的需求。截至报告期末，累计超过220个反应腔出货至客户端
。
公司开发并推出了用于新型功率器件领域SiC器件制造中的SiO2、SiN、TEOS、SiON等薄膜工艺PECVD设
备，已实现产业化应用，报告期内，该产品持续获得客户重复订单并出货。
公司NF-300H型号是高产能PECVD设备，可以搭载3个6站反应腔，每次可以同时最多处理18片晶圆。该设
备已实现产业化应用，可以沉积超厚TEOS等介质材料薄膜，在三维集成领域具有广泛应用前景，报告期内持
续出货并扩大量产规模。
公司在NF-300H基础上，再次开发了更高产能的设备平台NF-300M及反应腔Supra-H，可以搭载4个6站反
应腔，每次可以同时处理24片晶圆。目前NF-300MSupra-H设备已完成样机研发，可以沉积多层氧化硅和氮化
硅叠层介质材料薄膜，实现高均匀性和多种薄膜工艺集成，满足先进存储芯片制造领域最先进的生产需求。
②UVCure产品
UVCure设备主要用于薄膜紫外线固化处理，该工序通过对薄膜进行后处理，有效改善薄膜性能，提升薄
膜应力、硬度等关键性能指标。
公司UVCure设备与PECVD设备成套使用，为PECVDHTN、Lok-Ⅱ等薄膜沉积进行紫外线固化处理。公司UVC
ure（HTN、Lok-Ⅱ工艺）均已实现产业化应用，报告期内持续获得客户的订单、出货，扩大量产应用规模，
截至报告期末，累计超过30个反应腔出货至客户端。
（2）ALD系列产品研发及产业化进展情况
ALD设备是一种可以将反应材料以单原子膜形式通过循环反应逐层沉积在硅片表面，形成对复杂形貌的
基底表面全覆盖成膜的专用设备。由于ALD设备可以实现高深宽比、极窄沟槽开口的优异台阶覆盖率及精确
薄膜厚度控制，实现了芯片制造工艺中关键尺寸的精度控制，在结构复杂、薄膜厚度要求精准的先进逻辑芯
片、存储芯片制造中，ALD是必不可少的核心设备之一。
1PE-ALD产品
PE-ALD是利用等离子体增强反应活性，提高反应速率，具有相对较快的薄膜沉积速度、较低的沉积温度
等特点，适用于沉积硅基介质薄膜材料。
报告期内，公司持续拓展PE-ALD薄膜种类及工艺应用，在新工艺拓展方面取得了突破性进展。公司自主
研发的低介电常数SiCO薄膜工艺设备获得多台不同客户订单并出货，已通过客户验证，实现了产业化应用，
该薄膜工艺设备主要用于先进逻辑芯片和存储芯片中的低介电隔离层；PE-ALDSiN工艺设备（PF-300TAstra
）通过客户验证，实现了产业化应用。
此外，公司研发了新型设备平台（VS-300T），该平台具有业界领先的坪效比和最低的拥有成本(COO)，
满足客户高性能需求的同时，为客户节约成本。报告期内，基于该平台研发的ALDSiO2薄膜工艺设备已出货
，可应用于先进逻辑芯片和存储芯片中的双重/多重曝光图形转移，以及先进封装TSV隔离层等，具有优异的
片内均匀性等关键指标。
截至报告期末，公司PE-ALD设备高温、低温、高质量SiO2、SiN、SiCO等介质薄膜工艺设备均已实现产
业化应用，并逐步扩大量产规模，凭借其优异的性能表现，目前在芯片填孔(Gap-fill)、侧墙（Spacer）、
衬垫层（Liner）等工艺中已实现广泛的应用。
②Thermal-ALD产品
Thermal-ALD是利用热能使反应物分子吸附在基底表面，再进行化学反应，生成薄膜，具有相对较高的
反应温度、优越的台阶覆盖率、高薄膜质量等特点，适用于金属、金属氧化物、金属氮化物等薄膜沉积。
公司Thermal-ALD设备已实现产业化应用。报告期内，公司Thermal-ALDAl2O3、AlN等工艺设备持续出货
至客户端，包括集成工艺设备Thermal-ALD（TS-300Altair），该设备不仅具有高产能的特点，并可以实现
在同一台设备中沉积Thermal-ALDAlN及PECVDADC-II薄膜。此外，公司持续拓展Thermal-ALD其他薄膜工艺，
扩大金属及金属化合物薄膜材料应用，整体进展顺利。
（3）SACVD系列产品研发及产业化进展情况
SACVD设备主要应用于深宽比小于7:1的沟槽填充工艺，是集成电路制造的重要设备之一。在集成电路结
构中，沟槽孔洞的深宽比越来越大，SACVD反应腔环境具有特有的高温（400℃-550℃）、高压（30-600Torr
）环境，具有快速优越的填孔能力。
报告期内，公司SACVD系列产品持续保持产品竞争优势，进一步扩大量产应用规模，同时，推出的等离
子体增强SAF薄膜工艺设备在客户端验证进展顺利。截至本报告期末，公司SACVD系列产品反应腔累计出货超
过100个。
（4）HDPCVD系列产品研发及产业化进展情况
HDPCVD设备主要应用于深宽比小于5:1的沟槽填充工艺，是集成电路制造的重要设备之一。HDPCVD设备
可以同时进行薄膜沉积和溅射，所沉积的薄膜致密度更高，杂质含量更低。
报告期内，公司多台HDPCVDFSG、STI工艺设备通过客户验证，实现了产业化应用，HDPCVDUSG工艺设备
持续扩大量产规模，公司HDPCVD设备持续获得客户重复订单。截至本报告披露日，公司HDPCVDUSG、FSG、ST
I薄膜工艺设备均已实现产业化，并持续扩大量产规模，HDPCVD系列产品反应腔累计出货量达到100个。
（5）FlowableCVD系列产品研发及产业化进展情况
FlowableCVD设备可实现对高深宽比沟槽结构的无孔洞填充，是集成电路制造的重要设备之一。Flowabl
eCVD设备可以在晶圆表面沉积高品质的介电薄膜材料，经过固化及氧化等处理工艺后，达到完全填充间隙而
不会留下孔洞和缝隙的效果。
报告期内，公司自主研发并推出的FlowableCVD产品多台通过客户验证，实现了产业化应用，并获得不
同客户订单。截至本报告期末，与FlowableCVD设备相关的反应腔累计出货超过15个。
（6）三维集成领域系列产品研发及产业化进展情况
三维集成是实现芯片高密度互连、三维堆叠及系统级集成的关键制造环节，正在成为半导体行业发展的
重要趋势。先进键合设备主要应用于芯片或晶圆堆叠，通过对芯片或晶圆进行等离子活化、清洗、对准、键
合、量测等一系列工艺处理和精准控制，实现芯片或晶圆的垂直堆叠架构，可有效提升芯片间的通信带宽及
芯片系统性能，键合精度可达百纳米级，是三维集成领域中最重要的设备之一。
①晶圆对晶圆混合键合产品
晶圆对晶圆键合产品可以在常温下实现复杂的12英寸晶圆对晶圆多材料表面的键合工艺。公司晶圆对晶
圆混合键合产品Dione300是公司最早推出的混合键合产品，已实现产业化，可实现百纳米级晶圆混合键合，
其关键技术指标、产能指标与设备开机率均达到国际同类产品量产水平。报告期内，该产品持续获得客户重
复订单，扩大量产应用规模。
②晶圆对晶圆熔融键合产品
晶圆级熔融键合设备可高效实现非电气连接的晶圆间键合，将两个平整的晶圆自然连接键合，其特点是
晶圆在清洗后进行亲水性加工，相互接触并在高温下退火，晶圆在室温下接合。
公司研制的晶圆对晶圆熔融键合产品Dione300F，可实现载片晶圆和器件晶圆低应力熔融键合，具备优
异的产能表现。报告期内，该产品已获得客户订单。
③芯片对晶圆键合前表面预处理产品
芯片对晶圆的键合工艺分为预处理和键合两道工序，芯片对晶圆键合表面预处理产品可以实现芯片对晶
圆键合前表面预处理工序。
公司推出的芯片对晶圆键合前表面预处理产品Propus已实现产业化，可以在芯片对晶圆混合键合前实现
晶圆及切割好的芯片的表面活化和清洗，具备高产能的特点。报告期内，该产品持续获得客户重复订单，扩
大量产应用规模。目前该产品是国内唯一应用在芯片对晶圆生产线上的同类型设备。
④芯片对晶圆混合键合产品
芯片对晶圆混合键合相较晶圆对晶圆键合具有更高的芯片集成度和灵活性，该设备的关键技术是在晶圆
对晶圆混合键合的基础上，还需实现芯片的高精度选取和放置技术，主要应用于高带宽存储器（HBM）、芯
片三维集成领域。
公司研制的芯片对晶圆混合键合产品Pleione，可以实现芯片顺序拾取并精准键合到晶圆上，精度可达
百纳米级，具有高精度、高产能、低污染的特点。报告期内，该产品已获得客户订单并出货。
⑤键合套准精度量测产品
键合套准精度量测产品是混合键合技术领域重要的键合精度量测设备。该设备主要采用红外光学技术原
理实现量测功能。
公司自主研发的键合套准精度量测产品Crux300可以实现混合键合后的键合精度量测，具有超高精度、
超高产能和无盲区量测三大特点，并有效兼容晶圆对晶圆和芯片对晶圆混合键合量测场景。报告期内，该产
品已通过客户验证。
⑥键合强度检测产品
键合强度检测设备主要应用于晶圆对晶圆键合强度检测。公司根据客户需求，研制了键合强度检测产品
Ascella300，可以实现晶圆键合后的强度检测。报告期内，该产品已通过客户验证。
3、供应链保障方面
随着国际形势日益复杂，国内半导体设备产业面临高度复杂的供应链挑战及地缘政治风险，报告期内，
公司及相关子公司被美国商务部工业和安全局列入“实体清单”。为应对错综复杂的局面，公司已采取多维
度的保障措施，确保供应链安全与运营连续性，该事项对公司的供应链采购未产生影响。
（1）建立多元化供应商体系
公司目前已经建立全球化的供应商网络，关键零部件采用“多源采购”模式，避免单一供应商依赖。此
外，公司与核心供应商签订长期合作协议，锁定产能并享受优先供应，同时，定期评估供应商的交付能力，
保证关键部件的及时稳定供应。
（2）战略库存与弹性备货
公司根据市场供需波动动态调整安全库存水平，对交期长的部件保持3-6个月的战略储备。同时，推动
供应商建立本地仓储，缩短交货周期。
（3）创新保障与协同研发
公司持续完善供应商支持与绩效考核机制，通过组织培训、现场稽核等方式，促进供应商产品质量与产
品性能的不断提升。同时，公司通过召开合作伙伴大会等方式加强与供应商的互动交流，激发创新性解决方
案，进一步推动与供应商新产品的开发、新技术的合作，促进公司设备先进性、可靠性的提升。
（4）合规与可持续发展
公司严格遵守国际出口管制相关法规，确保供应链合规性，推行绿色供应链管理，减少碳足迹及资源浪
费。
报告期内，公司上游供应链总体保持稳定，有效保障设备生产并及时交付。
4、市场销售情况
报告期内，公司继续深耕中国大陆高端半导体设备市场，凭借公司在产品技术创新、优质客户资源积累
、高效售后服务体系搭建等方面的核心竞争优势，不断提升产品综合竞争力，在客户群体的拓展方面取得显
著成效，公司产品的市场渗透力和客户认可度实现稳步提升。截至报告期末，公司在手订单饱满。
在薄膜沉积设备方面，公司的PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、FlowableCVD等薄膜系列产品持续获得客户
的批量订单，量产应用规模持续扩大，产品销量同比大幅度增加；此外，公司积极布局三维集成领域的专用
设备，公司在晶圆对晶圆混合键合设备和芯片对晶圆键合前表面预处理设备之外，拓展了晶圆对晶圆熔融键
合设备、芯片对晶圆混合键合设备、以及配套使用的键合套准精度量测设备、键合强度检测设备，这些产品
已取得客户订单或重复订单。
公司始终致力于与下游客户保持紧密且深入的合作关系，根据客户不同需求，提供高度定制化、高性能
的设备产品，以及全方位、高质量的售后服务。公司定期开展客户满意度调研，以更全面地了解客户反馈，
持续优化产品设计与服务质量。同时，公司深入了解行业前沿需求，为产品研发和创新提供方向指引，为公
司业务的持续高速增长及进一步巩固市场地位奠定坚实基础。
5、人才队伍建设情况
报告期内，公司结合战略规划与业务发展目标，持续加强人才梯队建设，致力于打造一支高素质、富有
创新精神和协作能力的人才队伍。截至2024年12月31日，公司员工总数1532人，其中研发人员648人，占公
司员工总数的42.30%。
在人才引进方面，公司采取多元化招聘策略精准引进人才，通过与国内高校合作、设立实习基地、赞助
大学生创新创业活动大赛等形式，积极吸引优秀应届毕业生，同时，通过参加行业活动及内部人才推荐等方
式，吸引业内资深人才。
在人才培养方面，公司建立了多维度、全方位的人才培养体系，通过专业技术、通用能力、软性实力等
方面的培训加强员工职业素养；为员工提供继续教育支持，符合条件的员工可申请在职研究生、在职博士进
行学历提升，管理干部可申请MBA（工商管理硕士）管理课程学习；公司作为省级博士后实践基地，与高校
共同联合培养博士后，报告期内有3名博士在博士后工作站学习深造；公司积极推动产学研密切合作，同时
着力培养国际化、高层次、复合型的专业人才，夯实公司产业可持续发展的人才基础。
报告期内，公司完成了2023年度限制性股票激励计划的首次授予和预留授予，其中，首次授予共向697
名激励对象授予444万股（公司2023年年度资本公积转增股本后股数）第二类限制性股票，预留授予共向214
名激励对象授予111万股限制性股票。上述股权激励计划的实施将进
|