经营分析☆ ◇688072 拓荆科技 更新日期：2026-08-08◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.前5名客户营业收入表】【4.前5名供应商采购表】
【5.经营情况评述】
【1.主营业务】
高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务
【2.主营构成分析】
截止日期:2025-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
半导体设备行业(行业) 62.96亿 96.57 21.41亿 93.95 34.00
其他业务(行业) 2.23亿 3.42 1.37亿 6.01 61.51
─────────────────────────────────────────────────
半导体专用设备(产品) 62.96亿 96.57 21.41亿 93.95 34.00
其他业务(产品) 2.23亿 3.42 1.37亿 6.01 61.51
─────────────────────────────────────────────────
中国大陆(地区) 62.96亿 96.58 21.42亿 93.99 34.01
其他业务(地区) 2.23亿 3.42 1.37亿 6.01 61.51
─────────────────────────────────────────────────
直销模式(销售模式) 62.96亿 96.58 21.42亿 93.99 34.01
其他业务(销售模式) 2.23亿 3.42 1.37亿 6.01 61.51
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2024-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
半导体设备行业(行业) 39.58亿 96.46 16.19亿 94.66 40.90
其他业务(行业) 1.45亿 3.53 9130.22万 5.34 62.99
─────────────────────────────────────────────────
半导体专用设备(产品) 39.58亿 96.46 16.19亿 94.66 40.90
其他业务(产品) 1.45亿 3.53 9130.22万 5.34 62.99
─────────────────────────────────────────────────
中国大陆(地区) 39.59亿 96.47 16.19亿 94.66 40.91
其他业务(地区) 1.45亿 3.53 9130.22万 5.34 62.99
─────────────────────────────────────────────────
直销模式(销售模式) 39.59亿 96.47 16.19亿 94.66 40.91
其他业务(销售模式) 1.45亿 3.53 9130.22万 5.34 62.99
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2023-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
半导体设备(行业) 26.34亿 97.39 13.37亿 96.93 50.76
其他业务(行业) 7047.42万 2.61 4237.27万 3.07 60.13
─────────────────────────────────────────────────
薄膜沉积设备(产品) 25.70亿 95.02 13.05亿 94.56 50.76
其他业务(产品) 7047.42万 2.61 4237.27万 3.07 60.13
混合键合设备(产品) 6430.00万 2.38 3269.13万 2.37 50.84
─────────────────────────────────────────────────
中国大陆(地区) 26.34亿 97.39 13.37亿 96.93 50.76
其他业务(地区) 7047.42万 2.61 4237.27万 3.07 60.13
─────────────────────────────────────────────────
直销模式(销售模式) 26.34亿 97.39 13.37亿 96.93 50.76
其他业务(销售模式) 7047.42万 2.61 4237.27万 3.07 60.13
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2022-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
半导体设备(行业) 16.85亿 98.81 8.29亿 98.69 49.21
其他(补充)(行业) 2027.36万 1.19 1101.03万 1.31 54.31
─────────────────────────────────────────────────
PECVD设备(产品) 15.63亿 91.65 7.72亿 93.14 49.41
SACVD设备(产品) 8947.62万 5.25 4189.36万 5.05 46.82
ALD设备(产品) 3258.67万 1.91 1500.31万 1.81 46.04
其他(补充)(产品) 2027.36万 1.19 1101.03万 --- 54.31
─────────────────────────────────────────────────
中国大陆(地区) 16.85亿 98.81 8.29亿 98.69 49.21
其他(补充)(地区) 2027.36万 1.19 1101.03万 1.31 54.31
─────────────────────────────────────────────────
直销模式(销售模式) 16.85亿 98.81 8.29亿 98.69 49.21
其他(补充)(销售模式) 2027.36万 1.19 1101.03万 1.31 54.31
─────────────────────────────────────────────────
【3.前5名客户营业收入表】
截止日期:2025-12-31
前5大客户共销售51.60亿元，占营业收入的79.15%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│客户名称 │ 营收额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│客户一 │ 345078.37│ 52.93│
│客户二 │ 89273.75│ 13.69│
│客户三 │ 33751.43│ 5.18│
│客户四 │ 31161.26│ 4.78│
│客户五 │ 16698.83│ 2.56│
│合计 │ 515963.64│ 79.15│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【4.前5名供应商采购表】
截止日期:2025-12-31
前5大供应商共采购16.45亿元，占总采购额的31.93%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│供应商名称 │ 采购额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│供应商一 │ 64640.80│ 12.55│
│供应商二 │ 36996.79│ 7.18│
│供应商三 │ 30866.36│ 5.99│
│供应商四 │ 16651.68│ 3.23│
│供应商五 │ 15309.70│ 2.97│
│合计 │ 164465.33│ 31.93│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【5.经营情况评述】
截止日期:2025-12-31
●发展回顾:
一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况说明
(一)主要业务、主要产品或服务情况
1、主要业务情况
公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。自成立以来，公司始终坚持自主研
发、自主创新，一直在高端半导体专用设备领域持续深耕、拓展，重点聚焦薄膜沉积设备和应用于三维集成
领域的先进键合设备及配套量检测设备（以下统称“三维集成设备”）的研发与产业化。
报告期内，公司积极把握半导体芯片技术迭代升级与国产替代的发展机遇，依托深厚的技术储备及前瞻
性的产业格局，积极拓展应用于集成电路先进制程领域的新产品、新工艺，目前已构建了较为完善的薄膜沉
积设备、三维集成设备的产品矩阵。
2、主要产品情况
公司目前已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、FlowableCVD等薄膜沉积设备产品，以及晶圆对晶圆混合
键合、晶圆对晶圆熔融键合、芯片对晶圆混合键合等三维集成设备产品，已广泛应用于逻辑芯片、存储芯片
、功率器件、Micro-OLED、硅光技术、图像传感器（CIS）等领域。
报告期内，公司在薄膜沉积设备和三维集成设备方面的核心竞争力持续提升，在先进制程领域的新产品
拓展与量产应用方面取得了突出成果，业务规模快速增长，设备性能和产能达到国际同类设备先进水平。具
体产品情况如下：
（1）PECVD系列产品
PECVD设备作为公司核心产品，是芯片制造的核心设备之一，其主要功能是将硅片控制到预定温度后，
使用射频电磁波作为能量源在硅片上方形成低温等离子体，通入适当的化学气体，在等离子体的激活下，经
一系列化学反应在硅片表面形成固态薄膜。相比传统的CVD设备，PECVD设备在相对较低的反应温度下形成高
致密度、高性能薄膜，不破坏已有薄膜和已形成的底层电路，实现更快的薄膜沉积速度，是芯片制造薄膜沉
积工艺中运用最广泛的设备种类。
公司自成立就开始研制PECVD设备，在PECVD设备技术领域具有十余年的研发和产业化经验，并形成了覆
盖全系列PECVD薄膜材料的设备，主要包括PECVD产品和薄膜后处理相关的UVCure产品。
①PECVD产品
②UVCure产品
UVCure设备主要用于薄膜紫外线固化处理，该工序通过对薄膜进行后处理，有效改善薄膜性能，提升薄
膜应力、硬度等关键性能指标。
（2）ALD系列产品
ALD设备是一种可以将反应材料以单原子膜形式通过循环反应逐层沉积在硅片表面，形成对复杂形貌的
基底表面全覆盖成膜的专用设备。由于ALD设备可以实现高深宽比、极窄沟槽开口的优异台阶覆盖率及精确
薄膜厚度控制，在结构复杂、薄膜厚度要求精准的先进逻辑芯片、存储芯片制造中，ALD是必不可少的核心
设备之一。
公司ALD系列产品包括PE-ALD（等离子体增强原子层沉积）产品、Thermal-ALD（热处理原子层沉积）产
品。
①PE-ALD产品
PE-ALD是利用等离子体增强反应活性，提高反应速率，具有相对较快的薄膜沉积速度、较低的沉积温度
等特点，适用于沉积硅基介质薄膜材料。
②Thermal-ALD产品
Thermal-ALD是利用热能使反应物分子吸附在基底表面，再进行化学反应，生成薄膜，具有相对较高的
反应温度、优越的台阶覆盖率、高薄膜质量等特点，适用于金属、金属氧化物、金属氮化物等薄膜沉积。
（3）SACVD系列产品
SACVD设备主要应用于深宽比小于7:1的沟槽填充工艺，是集成电路制造的重要设备之一。SACVD反应腔
环境具有特有的高温（400℃-550℃）、高压（30-600Torr）环境，具有快速优越的填孔能力。
（4）HDPCVD系列产品
HDPCVD设备主要应用于深宽比小于5:1的沟槽填充工艺，是集成电路制造的重要设备之一。HDPCVD设备
可以同时进行薄膜沉积和溅射，所沉积的薄膜致密度更高，杂质含量更低。
（5）FlowableCVD系列产品
FlowableCVD设备主要应用于深宽比大于7:1的沟槽填充工艺，是集成电路制造的重要设备之一。该设备
可以在晶圆表面沉积高品质的介电薄膜材料，经过固化及氧化等处理工艺后，可达到完全填充间隙而不会留
下孔洞和缝隙的效果。
（6）三维集成领域系列产品
三维集成是实现芯片高密度互连、三维堆叠及系统级集成的关键制造环节，正在成为半导体行业发展的
重要趋势。先进键合设备主要应用于芯片或晶圆堆叠，通过对芯片或晶圆进行等离子活化、清洗、对准、键
合、量测等一系列工艺处理和精准控制，实现芯片或晶圆的垂直堆叠架构，可有效提升芯片间的通信带宽及
芯片系统性能，键合精度可达百纳米级，是三维集成领域中最重要的设备之一。
公司持续拓展应用于三维集成设备，主要产品如下：
①晶圆对晶圆混合键合产品
晶圆对晶圆键合产品可以在常温下实现复杂的12英寸晶圆对晶圆多材料表面的键合工艺。
②晶圆对晶圆熔融键合产品
晶圆级熔融键合设备可高效完成晶圆间非电气连接的一体化键合，实现两片高平整晶圆的永久性贴合。
该工艺先对晶圆进行清洗与亲水活化处理，使两片晶圆预先在室温下完成预贴合，再通过高温退火工艺强化
界面结合力，最终实现稳定可靠的晶圆熔融键合。
③芯片对晶圆键合前表面预处理产品
芯片对晶圆的键合工艺分为预处理和键合两道工序，芯片对晶圆键合表面预处理产品可以实现芯片对晶
圆键合前表面预处理工序。
④芯片对晶圆混合键合产品
芯片对晶圆混合键合相较晶圆对晶圆键合具有更高的芯片集成度和灵活性，该设备的关键技术是在满足
超高产能的同时，还需实现芯片对晶圆的高精度对准和放置技术，主要应用于高带宽存储器（HBM）、芯片
三维集成领域。
⑤键合套准精度量测产品
键合套准精度量测产品是混合键合技术领域重要的键合精度量测设备。该设备主要采用红外光学技术原
理实现量测功能。
⑥键合强度检测产品
键合强度检测设备主要应用于晶圆对晶圆键合强度检测。
⑦永久键合后晶圆激光剥离产品
永久键合后晶圆激光剥离产品主要应用于需要进行特定层转移场景或薄晶圆背面加工的场景，例如垂直
架构DRAM和先进逻辑芯片中，实现永久键合后晶圆剥离。晶圆激光剥离技术能有效克服临时键合技术中有机
胶残留和耐温性差的问题，帮助客户有效优化工艺成本和前道兼容性。
(二)主要经营模式
（1）盈利模式
公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售及技术服务。公司通过向下游客户销售设备并提
供备品备件和技术服务来实现收入和利润。报告期内，公司主营业务收入来源于半导体设备的销售，其他业
务收入主要来源于设备有关的备品备件销售。
（2）研发模式
公司主要采用自主研发的模式。公司建成了一支国际化、专业化的研发技术团队。公司的研发团队结构
合理，分工明确，专业知识储备深厚，产线验证经验丰富，是公司自主研发能力的重要支撑。公司根据客户
需求，并以半导体专用设备技术发展动态为导向，研发设计新产品、新工艺，研制机台在通过公司测试之后
，送至客户实际生产环境中进行产业化验证，通过验证后产品正式定型。此外，公司会根据客户不同的工艺
应用需求，持续丰富、完善量产产品性能。
（3）采购模式
公司采购主要分为标准件采购和非标件采购。对于标准件采购，公司面向市场供应商进行直接采购。非
标件主要为公司研发生产中，根据特定技术需求，自行设计的零部件。对于非标件采购，公司主要通过向供
应商提供设计图纸、技术参数，由供应商自行采购原材料进行加工并完成定制。为保证公司产品的质量和性
能，公司制定了严格的供应商引入、选择和评价制度。公司对于供应商技术水平、加工设备、良品率、运营
能力等多维度进行评估，并邀请供应商定期进行新产品、新材料或加工技术交流，持续提升供应商技术能力
水平，以保证公司产品的技术先进性。公司依据研发项目需求、生产需求和物料库存情况，通过订单方式向
供应商下发采购需求，并按照需求时间安排供应商排产，经验收合格后入库。
（4）生产模式
公司的产品主要根据客户的差异化需求和采购意向，进行定制化设计及生产制造。公司主要采用库存式
生产和订单式生产相结合的生产模式。库存式生产，指公司尚未获取正式订单便开始生产，包括根据Demo订
单或较明确的客户采购意向启动的生产活动，适用于公司的Demo机台和部分销售机台。订单式生产，指公司
与客户签署正式订单后进行生产，适用于公司大部分的销售机台。
（5）销售和服务模式
报告期内，公司销售模式为直销，通过与潜在客户商务谈判、招投标等方式获取客户订单。经过多年的
努力，公司已与国内半导体芯片制造厂商形成了较为稳定的合作关系。
公司的销售流程一般包括市场调查与推介、获取客户需求及公司内部讨论、产品报价、投标操作与管理
（如适用）、销售洽谈、合同评审、销售订单（或Demo订单）签订与执行、产品安装调试、合同回款、客户
验收及售后服务等步骤。公司的设备发运至客户指定地点后，需要在客户的生产线上进行安装调试。通常客
户在完成相关测试后，对设备进行验收，公司在客户端验收完成后确认收入。
报告期内，公司主要经营模式未发生重大变化。
(三)所处行业情况
1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
（1）半导体设备行业发展阶段
半导体设备作为半导体产业链的技术先导与核心支柱，是支撑集成电路产业高质量发展、驱动技术迭代
升级的关键基础与核心动力，其发展水平直接决定了整个半导体产业的技术高度与持续创新能力。随着半导
体技术持续迭代、工艺制程不断提升，半导体元器件加速向精密化、微小化方向发展，芯片结构也逐步向三
维集成方向转型，这对芯片制造工艺技术提出了更高要求，因此，对半导体设备的精密控制、集成度与稳定
性要求更为严苛，同时，设备的细分种类与技术壁垒也在持续攀升。
当前，数字化、自动化、智能化需求加速演进，以人工智能（AI）、高性能计算、物联网、数据中心、
智能驾驶等为代表的新兴产业蓬勃发展，正成为半导体行业及产业链上下游需求增长的核心引擎。尤其是人
工智能技术的快速突破与规模化应用，对超大规模算力提出迫切需求，进而对半导体芯片的制程工艺、性能
指标与供给能力均提出更高标准。在此背景下，全球半导体行业迎来前所未有的结构性变革和发展机遇，也
直接带动了半导体设备市场需求量的快速增长。根据SEM统计，2025年全球半导体制造设备总销售额达1351
亿美元，同比增长15%，创历史新高，2026年和2027年有望继续攀升至1450亿和1560亿美元。
中国大陆作为全球最大的半导体芯片的需求市场，也为半导体设备带来了广阔的市场空间，随着人工智
能（AI）高速发展对先进芯片的需求巨增，中国大陆对先进半导体设备的需求呈现持续增长的态势。根据SE
MI最新统计，2025年中国大陆半导体设备销售额达到493亿美元，较2024年基本持平，占当年全球半导体制
造设备销售额约36.51%，自2020年起连续稳居全球半导体设备最大市场。
近年来，在复杂多变的国际形势及我国持续加大半导体产业政策扶持的背景下，中国大陆半导体产业发
展迅速，在半导体技术迭代创新、产业生态等方面均形成良好效果，产业链逐步完善，并加快先进技术领域
的布局，为国内高端半导体设备厂商创造了巨大的发展机遇和市场空间。
①公司所聚焦的薄膜沉积设备行业
在半导体设备产业中，薄膜沉积设备是前道芯片制造的三大核心装备之一，是实现集成电路先进逻辑及
3DNAND、3DDRAM、高带宽存储器（HBM）等先进存储芯片技术突破的核心支撑。薄膜沉积设备所沉积的薄膜
是芯片结构内的功能材料层，在芯片制造过程中需求量巨大，且直接影响芯片的性能。随着人工智能技术的
快速发展，直接拉动先进逻辑芯片、先进存储及高带宽存储架构的市场需求，全球晶圆制造产能不断扩展、
技术持续升级，这进一步显著拉动高端薄膜沉积设备的市场需求。
根据SEMI统计，2025年全球半导体芯片制造设备销售额增长11%，达到约1157亿美元，占全球半导体设
备销售额的比例约86%。而根据历史年度统计，薄膜沉积设备市场规模约占芯片制造设备市场的22%，由此推
算，2025年全球薄膜沉积设备市场规模约为255亿美元。结合2024年中国大陆半导体制造设备销售额占全球
半导体制造设备销售额的比例36.51%测算，2025年中国大陆薄膜沉积设备市场规模约93亿美元，具有广阔的
市场空间。
根据SEMI历史统计，PECVD是薄膜设备中占比最高的设备类型，约占整体薄膜沉积设备市场的33%，ALD
设备占比约为11%，而SACVD、HDPCVD、FlowableCVD属于其他薄膜沉积设备类目下的产品，占比约为6%。
在薄膜沉积设备细分领域中，不同的设备技术原理不同，所沉积的薄膜种类和性能不同，适用于芯片内
不同的应用工序，其中公司所聚焦的PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及FlowableCVD设备均属于CVD（化学气相
沉积）细分领域产品。
②公司所聚焦的三维集成设备行业
随着后摩尔时代的来临，芯片制程持续接近物理极限，仅依赖平面工艺微缩已无法实现芯片性能的持续
提升迭代，技术路径逐步转向三维架构设计及芯片堆叠方式，三维集成技术是实现芯片高密度互连、三维堆
叠及系统级集成的关键工艺，已成为推动半导体行业发展的重要趋势。
先进键合设备凭借其突破性技术优势成为三维集成技术领域的核心设备，为三维集成领域提供全面的技
术解决方案，并带来了新的市场空间和机遇。据Yole统计，全球先进封装市场中2.5D封装和3D封装市场规模
预计从2023年的43亿美元快速增至2029年的280亿美元，年复合增长率达37%。
在三维集成设备行业方面，面向新的技术趋势和市场需求，公司积极布局，成功研发并推出了应用于三
维集成领域的先进键合设备（包括混合键合、熔融键合设备）及配套使用的量检测设备。
近年来，国家出台一系列鼓励扶持政策，从研发支持、市场引导、产业链协同等多维度引导半导体行业
高质量发展。技术创新上，行业内上下游产学研用深度融合，创新成果转化效率持续提升；市场生态上，本
土芯片制造厂扩产为设备厂商提供了丰富的验证场景与市场空间，形成“需求牵引-技术迭代-规模应用”的
良性循环；产业氛围上，业内人才储备持续增多，为行业发展注入源源不断的活力。半导体行业整体呈现出
结构优化、创新集聚、良性循环的发展态势，为高端半导体设备行业营造了更优质的创新土壤与发展环境。
（2）基本特点和主要技术门槛
①半导体设备行业呈现一定周期性
从需求端看，半导体设备需求高度依赖人工智能、消费电子、数据中心、汽车电子等新兴产业发展及宏
观经济景气度。终端产品需求波动沿“终端应用—芯片设计—芯片制造”产业链逐级传导，最终反映为晶圆
厂扩产节奏的快慢，使半导体设备需求随下游产能扩张呈现周期性波动。同时，芯片技术迭代进一步强化行
业周期性。随着先进逻辑工艺、3DNAND、3DDRAM、高带宽存储器（HBM）等技术持续升级，晶圆厂为适配新
制程与新工艺，会启动产线升级与设备集中采购，带动设备需求阶段性释放，使得半导体设备行业同样呈现
明显的周期特征。
②下游需求的不断增长为行业提供了良好的发展机遇
先进制程的持续迭代，在推动工艺技术向更高性能不断演进的同时，也直接带动高端半导体设备市场需
求显著提升。人工智能（AI）、高性能计算（HPC）、汽车电子（智能驾驶、车联网）、机器人及可穿戴设
备等新兴领域的快速发展与需求爆发，对芯片的算力、能效与集成度提出更高要求。芯片制造厂为适配这一
趋势，持续推进先进制程迭代并扩大产能规模，直接拉动高端半导体设备的适配性需求，推动行业市场空间
持续扩容。
此外，在后摩尔时代，传统硅基芯片逐步逼近物理极限，行业技术路线正从单一依赖制程升级，转向新
架构设计、新材料应用及先进芯片堆叠等多元创新方向，对高端半导体设备提出更新、更高的技术要求，也
为行业开辟出新的增长空间。
据SEMI最新预测，受益于先进制程芯片产能扩张与后摩尔时代技术革新带来的新增需求，高端半导体设
备产业将迎来重要发展机遇，市场前景广阔。其中，作为核心设备之一的薄膜沉积设备，也有望保持良好增
长态势。
③技术壁垒高，研发向量产转化周期长，需上下游协同创新
半导体产业是驱动科技进步的关键力量，更是支撑国家经济发展的重要支柱。半导体设备作为半导体产
业的核心基础，其核心竞争力源自多学科前沿技术的深度融合与持续创新，涵盖等离子体物理、射频及微波
技术、微观分子动力学、结构化学、光谱学、能谱学、精密机械、真空传输、软件算法等多个领域，属于技
术高度密集、系统高度集成的复杂产业。因其研发难度大、集成度高、制造工艺严苛、设备价值量高，高端
半导体设备被誉为工业精密制造的顶尖代表之一。
半导体行业的技术研发与演进具有极强的前瞻性，头部设备企业必须提前布局，面向物理极限与材料体
系开展前沿探索，进行超前于当前芯片制造代际的基础研究与工艺开发。同时，芯片制造厂对高端半导体设
备的性能、稳定性、一致性等指标提出极高要求。芯片制造工序繁多、精度要求严苛，半导体设备尤其是薄
膜沉积等核心设备的性能波动，经多道工艺累积放大后，会对产品良率、生产效率与制造成本产生显著影响
。鉴于沉积薄膜将直接保留于芯片内部，其参数优劣对最终芯片性能的影响更为关键。因此，下游客户对高
端设备供应商的遴选极为审慎，优先选择技术领先的企业，并对设备执行长周期、高标准的验证流程。围绕
芯片制造工艺、基础学科方向及产线升级节奏，半导体产业链上下游需要开展深度协同研发，共同推进技术
与工艺迭代升级，已成为行业的重要特征。
2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
在薄膜沉积设备领域，国外龙头企业发展起步较早，其凭借多年的技术沉淀、产品线布局和品牌口碑积
累，并通过并购等方式布局大量半导体设备细分市场，积累了较大的先发优势。从全球市场份额来看，薄膜
沉积设备行业海外国际巨头市场份额占比较高。根据Gartner历史统计数据，在CVD市场中，AMAT、LAM和TEL
三大厂商占据了全球约70%的市场份额。在晶圆级三维集成领域，EVGroup公司、TEL等公司高度垄断了全球
绝大部分的键合设备市场份额。
近年来，国内半导体设备产业在多项关键核心领域陆续实现技术突破与自主创新，我国半导体产业生态
与制造体系不断完善，高端设备国产化率与自给能力稳步提升。公司依托十余年持续的技术深耕与研发积累
，自主研发并形成了覆盖PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、FlowableCVD等多条技术路线的薄膜沉积设备产品矩
阵，同时布局先进键合设备及配套量检测设备，构建起多元化、高端化的设备供给能力。相关设备已在国内
逻辑芯片、存储芯片等主流集成电路制造产线实现规模化导入与广泛应用，多款量产设备的关键性能指标均
达到国际同类设备先进水平。随着公司设备在客户端量产验证、批量交付与市场认可度持续提升，销售收入
与市场份额稳步增长，公司已成为国内半导体薄膜沉积及相关专用设备领域具备量产能力与核心竞争力的领
军企业。
3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
（1）新技术、新行业的爆发式发展驱动芯片革新，高端薄膜沉积设备迎来技术升级窗口
新技术、新行业的爆发式发展持续驱动芯片革新：在制程层面，随着尖端芯片技术节点逐步逼近摩尔定
律极限的大背景下，全环绕栅极（GAA）、背面供电等核心技术应运而生，高K（High-K）金属栅等特殊材料
的应用也愈发重要；在结构层面，数据量爆发式增长快速驱动高带宽存储器（HBM）向三维集成等方向演进
，3DNANDFlASH芯片堆叠层数不断提高；在散热层面，先进技术节点芯片功耗呈指数级增长，形成了“功耗
提升-散热革新”的技术循环。
在此背景下，下游客户也对薄膜沉积设备的适配性提出了新的要求：一方面，在先进制程、日益复杂的
三维集成结构下，传统薄膜沉积材料已难以满足下游生产中对高深宽比、高刻蚀选择比的需求，先进硬掩膜
和介质薄膜将成为前沿技术节点芯片制造的新趋势；另一方面，等离子体均匀性、高深宽比结构的薄膜覆盖
性、宽温域调节、减少薄膜残留等下游先进芯片制造中的核心工艺难题亦对薄膜沉积设备的技术创新水平提
出了更高要求。
基于此，薄膜沉积设备厂商需持续优化薄膜沉积设备的创新设计和工艺参数，推动ALD技术替代传统刻
蚀工艺，持续拓展相关薄膜材料的工艺体系，丰富工艺组合，以覆盖更多应用场景，满足先进存储、先进逻
辑以及先进封装等领域的技术要求，高端薄膜沉积设备因此迎来了重要的技术升级窗口。
（2）多利好因素促芯片产能持续扩张，薄膜沉积设备市场空间持续打开
多领域的技术快速升级与需求爆发增长形成叠加效应，推动芯片需求持续放量：AI领域的爆发式增长引
领算力与存储芯片的需求激增；汽车电子领域受益于新能源汽车渗透率提升与智能化升级，车载芯片的需求
持续扩容；手机、PC、可穿戴设备等终端设备的高端化、智能化趋势对先进制程芯片、高容量存储芯片的依
赖度亦稳步提升。
在芯片需求持续旺盛的大背景下，下游芯片制造厂针对先进制程、先进存储、车规级芯片等多品类产线
的扩产规划清晰、预期明确。多因素驱动下的先进芯片扩产一方面放大了薄膜沉积设备的整体需求量，而产
线的工艺升级需求则同步提升了高端薄膜沉积设备的市场份额。根据SEMI最新预测，2026年-2028全球300mm
芯片制造厂每年设备支出预计持续增长，累计达到4390亿美元。中国大陆将持续保持强劲投资趋势，先进工
艺产能持续扩张，从2024年的85万月产量增至2028年的140万月产量，年复合增长率约14%，是行业平均水平
的两倍。薄膜沉积设备行业将迎来高确定性发展机遇，高端薄膜沉积设备厂商亦将打开广阔且可持续的市场
空间。
（3）先进键合赋能三维集成，高端设备支撑产业升级
三维集成设备的应用场景随半导体技术演进持续拓展，已形成多领域需求共振的格局。在3DNAND存储领
域通过晶圆混合键合技术实现存储单元与逻辑电路的垂直堆叠，解决在单一晶圆上同时制造存储单元和复杂
逻辑电路导致的良率低、成本高的问题；在作为AI算力需求激增的核心受益领域高带宽存储器（HBM）中，
预计混合键合技术将被引入以支持更高的堆叠层数和互连密度，将带来对混合键合设备的新需求；在3DDRAM
领域，依托三维集成技术实现存储芯片的垂直堆叠与高密度互连，突破传统平面封装的性能瓶颈，大幅提升
芯片带宽与存储容量，同时降低功耗，满足AI训练、高性能计算等对内存性能要求严苛的场景；在CIS（CMO
S图像传感器）领域，混合键合使得“三层堆叠”甚至“多层堆叠”成为可能，除了基础的像素层和逻辑层
，还可以将DRAM缓存层也键合进来，实现CIS芯片内的高速数据缓冲；在3D封装、Chiplet、异质集成等领域
，通过晶圆对晶圆、芯片对晶圆等混合键合技术实现不同功能芯片的高密度集成，打破单芯片制程演进的物
理限制，助力终端芯片产品实现性能跃升与尺寸微型化。
二、经营情况讨论与分析
报告期内，公司积极把握半导体芯片技术迭代升级与国产替代的发展机遇，充分发挥公司在产品方面的
技术创新迭代快、性能优异、覆盖面广、量产规模大等竞争优势，以及在研发团队、技术储备、客户资源及
售后服务等方面的深厚积淀，坚持自主创新，构建了较为完善的薄膜沉积设备、三维集成设备的产品矩阵，
并快速提升公司产品在先进存储、先进逻辑芯片制造领域的覆盖面及量产规模。同时，持续强化公司运营管
理，促进公司高质量、稳健、快速的发展，在经营业绩、产品研发、市场销售等诸多方面取得了优异成果，
进一步促进公司综合实力的提升。
1、主要经营情况
报告期内，依托在PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、FlowableCVD等薄膜沉积设备及三维集成设备领域的技
术突破与规模化量产，公司在先进制程领域核心竞争力显著提升，业务规模实现大幅增长。2025年度，公司
实现营业收入651909.49万元，同比增长58.87%；实现归属于上市公司股东的净利润92670.40万元，同比增
长34.67%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润72314.69万元，同比增长103.05%。
截至2025年12月31日，公司总资产1982356.69万元，较2024年年末增长29.45%；归属于上市公司股东的
净资产660995.72万元，较2024年年末增长25.18%。公司资产质量良好，财务状况稳健。
2、公司产品研发及产业化进展情况
报告期内，公司不断丰富和完善薄膜沉积设备、三维集成设备的产品矩阵和覆盖面。通过持续自主创新
和高强度研发投入，保持薄膜沉积设备和三维集成设备的技术领先优势，薄膜沉积设备和三维集成设备已广
泛应用于逻辑芯片、存储芯片、功率器件、Micro-OLED、硅光技术、图像传感器（CIS）等领域。报告期内
，公司先进制程领域的核心竞争力显著提升，业务规模实现大幅增长。报告期内的研发投入金额达到85927.
42万元，同比增长13.66%。
在薄膜沉积设备方面，公司仍持续围绕以PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD以及FlowableCVD为主的薄膜沉积
技术深耕拓展和迭代升级，积极覆盖先进制程领域对先进薄膜工艺的需求，定制化开发不同类型的高产能平
台和反应腔，目前在先进存储、先进逻辑领域应用的量产规模不断扩大。报告期内，基于新型设备平台（PF
-300TPlus和PF-300M）和新型反应腔（pX和Supra-D）研发的PECVDStack（ONO叠层）、ACHM以及PECVDBianc
a等先进工艺设备已实现产业化放量，Lok-II、OPN、SiB等先进工艺设备已通过客户验证，持续获得客户复
购订单；公司目前已实现对PECVDACHM、a-Si、SiB、高温SiN等多款硬掩膜工艺的覆盖，且这些工艺在先进
制程中应用广泛，公司是国内集成电路领域硬掩膜工艺覆盖最全面的设备厂商；公司ALD设备在存储芯片、
逻辑芯片制造领域量产规模快速攀升，其中，PE-ALD多款SiO2、SiN、SiCO工艺设备客户端放量，Thermal-A
LD在持续拓展新工艺，并陆续获得订单、出货，其中首台TiN工艺产品已通过客户验证，截至报告期末，公
司ALD设备累计出货超过140个反应腔；SACVD和HDPCVD等沟槽填充产品不断扩大量产规模，首台SACVD等离子
体增强SAF薄膜工艺设备通过客户验证。截至报告期末，公司推出的PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及Flowable
CVD薄膜设备可以支撑逻辑芯片、存储芯片等领域中所需的约100多种工艺应用。
在应用于三维集成领域的先进键合设备及配套量检测设备方面，报告期内，公司持续拓展客户群体，晶
圆对晶圆混合键合设备获得客户复购订单并实现量产应用，同时拓展应用至不同客户并通过验证；公司研发
的新一代高速高精度晶圆对晶圆混合键合产品已发货至客户端验证，产能、键合精度等关键指标大幅提升；
首台晶圆对晶圆熔融键合设备通过客户验证。目前公司三维集成设备产品已覆盖先进存储、先进逻辑、图像
传感器等多个领域应用，公司致力于为三维集成领域提供全面的技术解决方案。
随着芯片技术的迭代升级，公司先进产品量产规模不断攀升，截至本报告期末，公司累计出货超过3400
个反应腔（包括超过400个新型反应腔pX和Supra-D），进入约100条生产线。
公司薄膜沉积设备在客户端产线生产运行稳定性表现优异，平均机台稳定运行时间（Uptime）超过90%
（达到国际同类设备水平）。公司薄膜沉积设备系列产品在晶圆制造产线的量产应用规模快速扩大，截至本
报告期末，公司薄膜沉积设备在客户端产线生产产品的累计流片量已突破4.57亿片，2025年单年的累计流片
量突破2.1亿片。
（1）PECVD系列产品研发及产业化进展情况
公司自成立就开始研制PECVD设备，在PECVD设备技术领域具有十余年的研发和产业化经验，并形成了覆
盖全系列PECVD薄膜材料的设备。
1PECVD产品
PECVD设备作为公司的主打产品，已实现全系列PECVD介质薄膜材料的覆盖，通用介质薄膜材料（包括Si
O2、SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、BPSG、PSG等）和先进介质薄膜材料（包括ACHM、LoK-Ⅰ、LoK-Ⅱ、ADC
-Ⅰ、ADC-Ⅱ、HTN、a-Si、Stack等）均广泛应用于国内集成电路制造产线。报告期内，公司PECVD设备以良
好的稳定性、高产能及优异的薄膜工艺指标等特点持续保持竞争优势，获得客户复购和批量订单，不断扩大
量产规模。
报告期内，公司面向先进存储领域自主研发的PECVDSupra-DOPN、SiB、高温SiN等工艺设备且均通过客
户验证，并持续获得订单，为存储领域顶部选择栅极和硬掩膜工艺提供解决方案。此外，公司紧跟先进存储
、先进逻辑、三维集成等领域芯片需求，不断深耕拓展新工艺、新产品，研发高温至低温不同温度范围的多
种先进薄膜，已陆续在客户端实现量产应用，满足客户不同的高标准需求。
公司基于新型设备平台（PF-300TPlus和PF-300M）和新型反应腔（pX和Supra-D）研发的PECVDStack（O
NO叠层）、ACHM等先进工艺设备已实现产业化放量，持续获得客户复购订单。该等产品满足客户先进制程对
高产能及更严格的薄膜性能指标的需求。截至本报告期末，对应前述设备已累计超过400个反应腔出货至客
户端。
同时，公司PECVDBianca工艺设备也实现了产业化放量，同时持续获得客户复购订单，该设备为晶圆背
面薄膜沉积设备，主要应用于集成电路制造过程中对晶圆翘曲的纠正以及晶圆背面保护。该设备可以实现在
不使用翻片工艺、不使用去边工艺的情况下对晶圆背面进行薄膜沉积，减少集成电路制造的工艺步骤，降低
客户成本。截至报告期末，累计超过80个PECVDBianca工艺设备反应腔出货至客户端，量产规模不断扩大。
公司NF-300H型号是高产能PECVD设备，可以搭载3个6站反应腔，每次可以同时最多处理18片晶圆。该设
备已实现产业化应用，可以沉积超厚TEOS等介质材料薄膜，在存储芯片制造、三维集成等领域具有广泛应用
前景，报告期内持续出货并扩大量产规模。
公司开发的更高产能的设备平台NF-300M及反应腔Supra-H，可以搭载4个6站反应腔，每次可以同时最多
处理24片晶圆。截至本报告期末，NF-300MSupra-H设备已完成样机研发和制造，进行工艺优化及多重验证。
该设备可以沉积多层Stack（ONO叠层）介质材料薄膜，实现更优异的均匀性和更高累计ONO叠层工艺，满足
先进存储芯片制造领域最先进的研发和生产需求。
②UVCure产品
UVCure设备作为公司薄膜后处理相关产品，与PECVD设备成套使用，为PECVDHTN、Lok-Ⅱ等薄膜沉积进
行紫外线固化处理。公司UVCure（HTN、Lok-Ⅱ工艺）均已实现产业化应用，报告期内持续获得客户的订单
、出货，扩大量产应用规模。
（2）ALD系列产品研发及产业化进展情况
①PE-ALD产品
报告期内，公司PE-ALD设备高温、低温、高质量SiO2、SiN、SiCO等介质薄膜工艺设备在存储芯片、逻
辑芯片制造领域量产规模快速攀升,目前在芯片填孔(Gap-fill)、侧墙（Spacer）、衬垫层（Liner）等工艺
中已实现广泛的应用。
基于具有业界领先坪效比和最低拥有成本（COO）的平台VS-300T开发的PE-ALD设备持续获得多台客户订
单并出货，在客户端验证进展顺利，该设备可应用于先进逻辑芯片和存储芯片中的双重/多重曝光图形转移
，以及先进封装TSV隔离层等，具有优异的片内均匀性等关键指标。
②Thermal-ALD产品
公司Thermal-ALD设备已实现产业化应用，目前可以覆盖Al2O3、AlN、TiN、TiON等金属及金属化合物等
先进薄膜材料应用。报告期内，公司Thermal-ALD在持续拓展新工艺，并陆续获得订单、出货，其中TiN工艺
产品已通过客户验证，目前已覆盖先进逻辑、先进封装客户。此外，公司将持续稳步拓展Thermal-ALD其他
薄膜工艺，前瞻性开发前沿技术所需的薄膜工艺材料。
（3）SACVD系列产品研发及产业化进展情况
报告期内，公司SACVD系列产品持续保持产品竞争优势，推出的等离子体增强SAF薄膜工艺设备首台通过
客户验证，满足先进存储领域应用需求，同时，持续获得客户订单并出货，进一步扩大量产应用规模。截至
报告期末，公司SACVD系列产品已出货累计超过150个反应腔。
（4）HDPCVD系列产品研发及产业化进展情况
报告期内，公司HDPCVD持续获得客户订单并出货，不断扩大量产规模。截至报告期末，公司HDPCVDUSG
、FSG薄膜工艺设备均已实现产业化，并持续扩大量产规模，截至报告期末，公司HDPCVD系列产品已出货累
计超过120个反应腔。
（5）Flowable CVD系列产品研发及产业化进展情况
公司自主研发的FlowableCVD产品已有多台通过客户验证，实现了产业化应用。报告期内，公司持续获
得订单并出货，凭借优异的性能表现，被客户选定为POR（基准工艺）机台。
（6）三维集成领域系列产品研发及产业化进展情况
①晶圆对晶圆混合键合产品
公司晶圆对晶圆混合键合产品Dione300是公司最早推出的混合键合产品，已实现产业化，可实现百纳米
级晶圆混合键合，其关键技术指标、产能指标与设备开机率均达到国际同类产品量产水平。报告期内，该产
品持续拓展客户群体，获得客户复购订单并出货，覆盖了先进存储、先进逻辑等应用领域，量产规模快速提
升。
报告期内，公司研发了新一代高速高精度晶圆对晶圆混合键合产品Dione300eX，该产品采用更先进的对
准技术，拥有更高的对准精度、键合精度和设备产能，可达到国际同类产品最先进水平，目前已出货至客户
端验证，验证进展顺利。
②晶圆对晶圆熔融键合产品
公司研制的晶圆对晶圆熔融键合产品Dione300FeX，可实现载片晶圆和器件晶圆低应力熔融键合，具备
优异的产能表现，报告期内，该产品已完成先进逻辑领域客户的验证。
③芯片对晶圆键合前表面预处理产品
公司推出的芯片对晶圆键合前表面预处理产品Propus已实现产业化，可以在芯片对晶圆混合键合前实现
晶圆及切割好的芯片的表面活化和清洗，具备高产能的特点。报告期内，该产品持续获得客户重复订单。
④芯片对晶圆混合键合产品
公司研制的芯片对晶圆混合键合产品Pleione，可以实现芯片顺序拾取并精准键合到晶圆上，精度可达
百纳米级，具有高精度、高产能、低污染的特点。截至本报告期末，该产品正在客户端进行验证，同时进一
步提升其量产性能指标。
⑤键合套准精度量测产品
公司自主研发的键合套准精度量测产品Crux300可以实现混合键合后的键合精度量测，具有超高精度、
超高产能和无盲区量测三大特点，并有效兼容晶圆对晶圆和芯片对晶圆混合键合量测场景。该产品已通过客
户验证，实现产业化应用。
⑥键合强度检测产品
公司根据客户需求，研制了键合强度检测产品Ascella300，可以实现晶圆键合后的强度检测。该产品已
通过客户验证，实现产业化应用。
⑦永久键合后晶圆激光剥离产品
报告期内，公司已完成永久键合后晶圆激光剥离产品的研制。该产品可以实现永久键合后晶圆剥离，晶
圆激光剥离技术能有效克服临时键合技术中有机胶残留和耐温性差的问题，帮助客户有效优化工艺成本和前
道兼容性。
3、供应链保障方面
在供应链建设方面，公司建立了完善的供应链管理体系，吸纳积累全球半导体行业内的优质供应链资源
，关键零部件采用“多源采购”模式，并与核心供应商建立长期战略合作关系，确保关键部件的及时稳定供
应。在此基础上，公司与供应商构建了协同创新机制，在开展新产品、新技术开发过程中保持与供应商的深
度协作，确保部件产品性能达到公司先进需求，形成稳定的、互信的、共赢的供应链生态。这一体系为公司
产品研发、量产交付与持续创新提供了可靠保障。
报告期内，公司上游供应链总体保持稳定，有效保障设备生产并及时交付。
4、市场销售情况
报告期内，公司继续深耕中国大陆高端半导体设备市场，凭借公司在产品技术创新、优质客户资源积累
、高效售后服务体系搭建等方面的核心竞争优势，不断提升产品综合竞争力，在客户群体的拓展方面取得显
著成效，成功导入多家新客户，并获得海外客户订单，公司产品的市场渗透力和客户认可度实现稳步提升。
截至报告期末，公司在手订单饱满。
公司持续拓展薄膜沉积设备和三维集成设备新工艺、新产品，同时，公司始终致力于与下游客户保持紧
密且深入的合作关系，根据客户不同需求，提供高度定制化、高性能的设备产品，以及全方位、高质量的售
后服务。同时，公司深入了解行业前沿需求，为产品研发和创新提供方向指引，为公司业务的持续高速增长
及进一步巩固市场地位奠定坚实基础。
5、人才队伍建设情况
报告期内，公司结合战略规划与业务发展目标，持续加强人才梯队建设，致力于打造一支高素质、富有
创新精神和协作能力的人才队伍。截至2025年12月31日，公司员工总数1696人，其中研发人员726人，占公
司员工总数的42.81%。
公司构建完善的人才引育留用体系。在人才引进方面，通过校企合作、校园招聘、赛事合作等方式吸纳
优秀毕业生，借助行业活动、内部引才汇聚资深的高层次人才。在人才培养方面，搭建多维培训体系，覆盖
技术、管理等多方面，支持员工学历与能力提升，依托博士后基地深化产学研合作，培育复合型人才。同时
，开展员工关怀活动，定期评优表彰，强化激励与归属感，为企业持续发展提供坚实人才支撑。
报告期内，公司实施了2025年限制性股票激励计划，向1055名激励对象授予126.7894万股（股票来源为
公司从二级市场回购的公司A股普通股股票）第二类限制性股票。截至本报告披露日，公司已实施2022年限
制性股票激励计划和股票增值权激励计划、2023年限制性股票激励计划（含首次授予和预留授予）以及2025
年限制性股票激励计划，上述股权激励计划的实施将进一步促进公司人才队伍的建设和稳定，助力公司长远
发展。
6、营运管理方面
报告期内，公司智能化软硬件系统（SmartMachine）围绕提升用户使用体验、强化系统核心能力等方面
，开展针对性优化升级。在用户体验优化方面，优化交互逻辑与系统性能，实现了用户体验与运行效率的双
重提升；在功能方面，结合先进的算法优化深入探索系统模型，形成完整的分析流程与结果呈现机制。公司
智能化MES系统（生产管理系统）进行了数十项的功能优化与提升，实现“系统服务于人、人员遵守系统规
则”的双向管控，使员工在作业中更加标准规范，所有操作均可被记录、追溯与持续优化。
公司持续完善产品质量管理体系，致力于为客户提供稳定、可靠的产品与服务。报告期内，公司全面质
量管理体系（TQM）实现全流程落地运行，覆盖研发、供应链、制造及服务全链条，有效保障产品质量目标
达成。在EHS（环境、健康、安全）方面，公司进一步完善绿色环保、员工健康、安全生产等方面的管理，
保障生产的合规性与安全性。同时，公司积极推进信息安全管理，报告期内，新增公司和拓荆创益的ISO/EC
27001:2022信息安全管理体系认证，进一步规范信息资产管理、数据使用管理等流程，夯实数据安全与客户
隐私保护的治理基础。
7、募投项目建设进展情况
①超募资金投资项目“半导体先进工艺装备研发与产业化项目”
公司超募资金投资项目“半导体先进工艺装备研发与产业化项目”（以下简称“上海二厂”）是在上海
临港新片区建设研发与产业化基地，总建筑面积约9万平方米，用于先进ALD设备及工艺的研发，并实现以临
港为中心客户群所需半导体设备的产业化。报告期内，该产业化基地已投入使用，本募投项目已结项。
2高端半导体设备产业化基地建设项目
“高端半导体设备产业化基地建设项目”（以下简称“沈阳二厂”）是在辽宁省沈阳市浑南区新建产业
化基地，规划总建筑面积超15万平方米，规划建设内容包括高标准生产洁净间、智能化立体仓储库房、先进
测试实验室等，并配套引入先进的生产管理系统及软硬件设施，致力于打造集规模化、智能化、数字化于一
体的高端半导体设备产业化基地。截至报告期末，沈阳二厂已开始施工建设，进展顺利。
8、对外投资情况
报告期内，公司结合发展战略规划，进一步完善业务发展布局，提升公司的综合竞争力，开展了以下对
外投资事项：
（1）投资设立控股子公司/向控股子公司增资
报告期内，公司控股子公司拓荆键科为进一步加强三维集成领域产业布局，开展了新一轮融资，融资金
额为人民币103950.00万元，其中，公司以经评估后的债权和自有资金合计人民币45000.00万元认缴拓荆键
科新增注册资本，本次交易完成后，公司对拓荆键科的持股比例为53.5719%，并合计控制拓荆键科约76.918
8%的表决权，拓荆键科仍为公司合并报表范围内的控股子公司。
报告期内，公司设立了控股子公司拓荆青岛，积极布局半导体前沿技术领域的半导体设备产品；公司的
全资子公司拓荆国际在新加坡投资设立了全资子公司拓荆全球，为公司进一步拓展海外业务奠定基础。
（2）积极开展产业投资
报告期内，公司开展了对原子启智、芯丰精密的股权投资，围绕原子层刻蚀、三维集成等领域的产业链
进行横向布局，本次投资系围绕产业趋势和公司战略目标的产业投资，有助于公司业务的深度拓展，实现资
源的高效整合与优化配置，进一步提升公司整体的市场竞争力，符合公司主营业务及战略发展方向。
截至本报告期末，公司及子公司已直接/间接累计投资19家企业，覆盖多个半导体设备产业链领域，强
化产业链协同效应，提升整体业务竞争力。
9、公司治理情况
报告期内，公司共召开股东会6次、董事会9次、董事会审计委员会7次、董事会薪酬与考核委员会5次、
提名委员会1次、战略规划委员会2次及独立董事专门会议5次，所有审议议案均100%获得通过。
公司严格遵循《公司法》《证券法》等法律法规要求，根据监管导向及时制定和修订相关公司治理制度
28项，持续优化决策程序与内控机制。通过不断健全法人治理结构、完善内部控制制度建设，公司经营管理
决策的科学性、合理性与合规性进一步增强，规范运作水平持续提升。报告期内，公司治理体系运行高效、
风险管控扎实有力，为业务稳健发展及战略目标实现提供了坚实保障。
10、公司规范运作与信息披露、投资者关系管理及防范内幕交易情况
公司高度重视上市公司规范运作与信息披露管理工作，严格依照股东会、董事会、信息披露和投资者管
理等相关制度规则合规运作。公司认真履行信息披露义务，确保信息披露及时、真实、准确和完整。公司连
续三年获得上交所年度信息披露工作评价“A级”评级，2025年度获得中国证券报2024年度上市公司金牛奖
“金信披奖”。
公司高度重视投资者关系管理相关工作，通过投资者邮箱、投资者电话专线、“上证e互动”平台、业
绩说明会、接待投资者现场调研等多种形式加强与投资者的交流与沟通，促进公司与投资者之间建立长期、
稳定的共赢关系，实现公司价值和投资者利益的最大化。报告期内，公司召开6次业绩说明会/投资者交流会
。报告期内，公司获得中国上市公司协会颁发的“2024年投资者关系管理最佳实践奖”。
公司高度重视内幕交易防范工作，做好内幕信息知情人登记管理和防范内幕交易工作。对公司董事、高
级管理人员及相关员工定期作出禁止内幕交易的警示及教育，敦促董事、高级管理人员及相关知情人员严格
履行保密义务并严格遵守股票减持等相关规定。
三、报告期内核心竞争力分析
(一)核心竞争力分析
公司长期专注于高端半导体专用设备的研发与产业化，始终坚持自主创新，持续为半导体行业和客户提
供具有竞争力的产品。公司在战略布局、研发能力、技术水平、产品覆盖、客户资源、人才队伍建设、供应
链稳定等方面形成竞争优势，具体体现为：
（1）战略定位明确，围绕自身发展战略稳步推进产业布局
公司自设立时便确定了聚焦高端半导体薄膜沉积设备领域这一战略定位，并持续围绕国家战略方向、市
场前沿技术、行业发展趋势及客户应用需求等方向进行前瞻性布局，在巩固薄膜沉积设备优势的基础上，面
向后摩尔时代技术迭代方向，公司于2018年即开始布局三维集成设备产品并实现了显著成果，形成“薄膜沉
积+三维集成”的产品格局。公司目前已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、FlowableCVD等薄膜沉积设备产
品，以及晶圆对晶圆混合键合、晶圆对晶圆熔融键合、芯片对晶圆混合键合等三维集成设备产品，已广泛应
用于逻辑芯片、存储芯片、功率器件、Micro-OLED、硅光技术、图像传感器（CIS）等领域。
公司以“建立世界领先的半导体设备公司”为愿景，通过在薄膜沉积设备领域、三维集成领域的技术积
累和快速发展，已经成为国内半导体设备行业的领军企业。同时，公司遵循战略方向稳步扩张，持续深耕现
有核心赛道，推动在薄膜沉积设备和三维集成设备领域的纵深发展，并前瞻性布局前沿技术赛道，提前抢占
行业未来发展制高点，稳步推进横向发展，适时进行产业链整合与业务延伸，不断提升综合竞争力与行业影
响力。
（2）自主研发能力突出，支撑产业链协同创新
公司始终坚持自主创新研发，以国家战略方向、前沿技术趋势及客户应用需求为导向开展研发工作，实
现薄膜沉积设备和三维集成设备的全研发环节覆盖，在硬件设计、工艺开发和系统集成等多方面，实现了核
心技术自主可控。凭借深厚的整机装备自主研发经验和技术积累，公司保证了较高的研发自主性和灵活性，
面向客户先进制程工艺需求，能够快速实现先进产品技术研发，并高效完成研发阶段向生产阶段的快速转化
，及时响应下游的供货需求。
公司的研发战略为“紧跟产业趋势、产品提前布局”，围绕先进制程和后摩尔时代带来的技术迭代需求
，进行超前于当前制造节点技术代际的前瞻性基础研究与工艺开发，提前构筑技术壁垒。在此基础上，公司
基于自身技术优势，与芯片制造厂在设备选型阶段即与客户开展协同式研发，精准适配客户特定工艺材料、
特定制造工序的薄膜性能要求，实现常态化互动与协同创新。公司可以结合客户特定需求，提供定制化、适
配度高的解决方案，既满足了下游芯片制造厂快速扩充产能的需求，也通过持续的技术迭代，配合客户实现
技术升级。此外，公司先后承担多项国家重大专项/课题，整合产业资源参与技术攻坚，形成了覆盖研发、
生产、供应各环节的协同创新体系，支撑产业链整体技术水平提升。
（3）核心技术领先，工艺应用覆盖全面
公司自成立以来，持续深耕高端半导体设备领域，形成了一系列具有自主知识产权的核心技术，并达到
国际先进水平。公司的核心技术广泛应用于主营业务产品中，在薄膜沉积设备领域，涵盖了先进薄膜工艺设
备设计技术、反应模块架构布局技术、半导体制造系统高产能平台技术、等离子体稳定控制技术等，解决了
半导体制造中纳米级厚度薄膜均匀一致性、薄膜表面颗粒数量少、快速成膜、设备产能稳定高速等关键难题
，在保证实现薄膜工艺性能的同时，通过设计定制化高产能平台，提升设备的生产效率，进而提升客户产线
的产能，减少客户产线的生产成本。此外，公司面向三维集成领域应用，形成了载片与器件晶圆高速高精度
对准技术、晶圆级键合实时对准技术、芯片拾取与键合技术，实现较高的晶圆键合精度，并大幅提高设备产
能。
公司通过自主研发，形成了一系列独创性的设计，构建了完善的知识产权体系并取得了多项自主知识产
权。截至2025年12月31日，公司累计申请专利2140项（含PCT），获得授权专利707项，其中发明专利362项
。
公司依托自主核心技术体系，构建了完善的产品矩阵，在所聚焦的产品系列中实现工艺全面、深度的覆
盖，量产设备产品性能达到了国际同类设备先进水平，并持续迭代升级，快速响应客户先进技术需求。在薄
膜沉积设备领域，推出了PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、FlowableCVD为核心的全系列薄膜沉积设备，其中，
PECVD设备已实现薄膜材料的全面覆盖，在集成电路逻辑芯片、存储芯片等领域广泛应用；在ALD设备方面，
推出了等离子体增强原子层沉积（PE-ALD）和热处理原子层沉积（Thermal-ALD）设备并实现量产，目前国
内装机量及工艺覆盖均领先；HDPCVD、SACVD、FlowableCVD设备可实现芯片内不同深浅三维结构的填充需求
，已在多条产线实现产业化应用。在三维集成设备领域，推出的晶圆对晶圆混合键合设备、熔融键合设备等
系列产品已成功应用于先进存储、图像传感器等领域，可以为后摩尔时代技术发展提供支撑。
（4）国内领先的行业地位及丰富的客户资源优势
公司已构建较为完善的薄膜沉积设备、三维集成设备的产品矩阵，并实现国产化突破与规模化应用。薄
膜沉积设备方面，公司凭借优异的产品性能表现持续获得客户订单，不断扩大量产规模。截至报告期末，公
司产品已进入约100条芯片制造厂生产线；累计出货反应腔已超过3400个，且应用于先进制程领域的高性能
反应腔占比不断提高；在客户端产线生产产品的累计流片量已突破4.57亿片；客户端设备平均稳定运行时间
（Uptime）超过90%（达到国际主流水平）。此外，在三维集成设备方面，公司推出多款核心产品，相关产
品陆续通过客户验证并进入稳步放量阶段，是国内先进混合键合设备领域技术领先厂商。
公司产品已进入逻辑芯片、存储芯片、先进封装等领域，实现主流芯片制造厂的深度覆盖与批量供货，
适配从成熟制程到先进制程的工艺应用需求。公司与客户的合作模式已从单纯的设备供应升级为“协同研发
+定制化适配+长期服务”的深度绑定模式，合作关系呈现稳定性强、覆盖面广、协同深入的特点，构建了可
持续的客户生态体系。
（5）拥有优秀的技术研发及管理团队
公司已构建起一支兼具国际视野与产业深度的高端半导体专用设备技术研发及管理团队，通过“外部引
智+内部育能”双轮驱动，形成了稳定、高效且具备创新活力的人才梯队，为技术突破与产品迭代提供核心
支撑。
在人才梯队建设方面，公司构建了完善的人才引进和培养体系。一方面，通过长效股权激励机制、市场
化薪酬福利与清晰的职业发展路径，持续吸引行业内的资深人才，其在整机设计、工艺开发、系统控制、软
件迭代等关键领域的技术积累，有力带动研发团队实现产品创新；另一方面，公司自成立以来始终重视本土
科研团队自主培养，伴随PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、FlowableCVD、三维集成设备等核心产品从研发到量
产的全周期历练，本土团队已成长为技术攻坚的中坚力量。
截至2025年12月31日，公司研发人员规模达726人，占员工总数的42.81%，形成覆盖半导体设备研发全
环节的学科布局。其中，博士研究生65人，占研发人员的8.95%，硕士研究生425人，占研发人员的58.54%，
团队成员兼具扎实的专业知识储备与丰富的产线验证经验，在技术研发、工艺优化等环节分工明确、协同高
效，保障成熟产品稳定迭代与先进产品的前瞻性技术研发。
报告期内，公司核心技术团队稳定，为技术研发的连续性与产品创新的持续性提供了坚实保障。
（6）建立起稳定供应链生态
公司建立了完善的供应链管理体系，吸纳积累全球半导体行业内的优质供应链资源，关键零部件采用“
多源采购”模式，并与核心供应商建立长期战略合作关系，确保关键部件的及时稳定供应。在此基础上，公
司与供应商构建了协同创新机制，在开展新产品、新技术开发过程中保持与供应商的深度协作，确保部件产
品性能达到公司先进需求，形成稳定的、互信的、共赢的供应链生态。这一体系为公司产品研发、量产交付
与持续创新提供了可靠保障。
(二)核心技术与研发进展
1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司自成立以来，始终专注于高端半导体设备的研发，形成了一系列具有自主知识产权的核心技术，并
达到国际先进水平。公司核心技术广泛应用于主营业务产品中，解决了半导体制造中纳米级厚度薄膜均匀一
致性、薄膜表面颗粒数量少、快速成膜、设备产能稳定高速等关键难题，在保证实现薄膜工艺性能的同时，
提升客户产线的产能，减少客户产线的生产成本。此外，公司面向三维集成领域应用形成了多项核心技术，
实现较高的晶圆键合精度，并提高了设备产能。
2、报告期内获得的研发成果
公司始终在高端半导体专用设备领域深耕，并专注于薄膜沉积设备及三维集成设备的研发与产业化。截
至报告期末，公司已先后累计承担16项国家重大专项/课题。
公司拥有多项自主知识产权和核心技术。截至报告期末，公司累计申请专利2140项（含PCT）、获得授
权专利707项；报告期内，公司新增申请专利498项（含PCT）、新增获得专利244项。
3、研发投入情况表
研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
公司依据企业会计准则的规定，研究开发项目进入开发阶段后，对满足资本化确认条件的相关支出予以
资本化。本期研发投入总额85927.42万元较上年增加13.66%，其中本年符合资本化条件的研发项目支出金额
为8969.71万元，本期研发投入资本化比重10.44%。
●未来展望:
(一)行业格局和趋势
在人工智能（AI）浪潮的助推下，以消费电子、物联网、汽车电子等为代表的新兴产业快速发展，拉动
半导体行业规模迅速扩大。作为晶圆厂建设的核心投资环节，半导体设备在产线资本开支中占据主导地位，
新建晶圆厂约86%投资用于购置晶圆制造相关设备，其中薄膜沉积设备约占晶圆制造设备总投资的22%，是集
成电路前道制造的关键装备，直接决定芯片制程精度与结构可靠性。下游应用的旺盛需求与产能扩张共振，
推动薄膜沉积设备市场保持高景气；同时，芯片制程向先进节点演进、存储芯片向高层数三维堆叠升级，进
一步拉动三维集成设备需求高速增长，为行业打开新的增长空间。
我国作为全球最大的半导体消费市场，终端芯片需求持续旺盛，叠加国内半导体产业链配套能力不断完
善，共同驱动半导体设备产业规模与技术水平稳步提升。据SEMI统计，2025年中国大陆半导体设备市场连续
第六年位居全球首位，本土晶圆厂扩产与产能升级形成持续设备采购动能，显著拉动薄膜沉积、三维集成等
关键设备的本土需求，推动国内设备市场规模持续增长。
从全球竞争格局看，薄膜沉积设备与三维集成设备领域仍由国际厂商主导，行业集中度高、海外龙头占
据主要市场份额。当前我国高端半导体设备自给率仍处低位，国产替代空间巨大，叠加本土晶圆产能持续扩
张、供应链自主可控战略深入推进，国内设备企业拥有持续的验证机会与市场需求支撑。近年来，国内半导
体设备企业已实现从无到有、从弱到强的关键突破，技术能力、产品矩阵与客户验证进度快速提升，产业生
态与制造体系日趋完善。尽管在部分核心技术、工艺积累上与海外巨头尚存阶段性差距，但在庞大本土市场
、政策支持与产业链协同加持下，国内半导体设备厂商成长空间充足、市场空间广阔，正迎来加速突破、份
额提升的黄金发展期。
(二)公司发展战略
公司长期专注于半导体设备领域，坚定实施自主研发、自主创新战略，紧扣集成电路芯片制造产线需求
，持续深耕薄膜沉积设备与工艺技术研发。同时，顺应后摩尔时代技术演进趋势，积极布局三维集成等前沿
技术领域，不断提升核心竞争力与长期成长潜力。目前，公司已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowabl
eCVD等薄膜设备产品系列，以及应用于三维集成领域的先进键合设备和配套的量检测设备产品系列，为集成
电路芯片制造产线、三维集成领域提供专用的、高端的半导体设备。
未来，公司将继续紧抓国内半导体产业快速发展的市场机遇，紧密贴合国内半导体制造产业的实际需求
与产线迭代升级节奏，坚持以技术创新与产品升级为核心驱动力，持续加大研发投入，巩固并提升现有产品
的核心竞争力。依托公司在技术储备、人才团队、行业经验及售后服务体系等方面的综合优势，稳步提升现
有设备产品的市场份额与行业地位。同时，紧跟行业技术发展趋势与市场迭代需求，持续提升公司设备的技
术指标与先进性，不断丰富产品矩阵、拓宽设备品类，进一步增强公司整体盈利能力与可持续发展能力。
(三)经营计划
公司以建设世界领先的高端半导体设备公司为发展战略目标，紧密围绕国家重大技术创新需求、紧跟产
业趋势，提前布局产品研发，并持续保持高强度研发投入，持续强化人才队伍建设，深化产学研合作和产业
协同发展，不断巩固并提升公司行业领先地位。具体如下：
1、围绕国家半导体产业战略、紧抓客户技术创新需求，提前布局研发
公司秉承“紧跟产业趋势、产品提前布局”的研发策略，聚焦客户技术创新需求，协同下游客户规划未
来行业技术发展路线，前瞻性布局研发工作，在现有薄膜沉积设备与三维集成设备领域，持续深化产品技术
覆盖、完善产品谱系；此外，公司将依托现有技术积淀，积极开展横向拓展布局。
（1）强化薄膜沉积设备的技术创新优势与市场领先地位
基于公司优势产品薄膜沉积设备，公司将紧跟半导体制程发展节奏和后摩尔时代技术方向，以CVD细分
赛道为核心，持续推进产品创新与工艺迭代，系统布局前瞻性技术研发，加速推动新产品、新工艺的研发及
产业化，拓展设备在前沿技术领域多应用场景的覆盖。
（2）丰富三维集成设备产品矩阵，形成平台化服务能力
公司将以三维集成的技术趋势为导向，持续完善、丰富三维集成领域的设备产品矩阵，并不断迭代、提
升先进键合设备、配套量检测设备等核心产品的技术水平。同时，建立三维集成设备专项技术平台，为下游
客户技术落地提供全流程技术支撑与方案设计，形成从设备供应到技术解决方案的一体化服务能力，进一步
提升市场份额。
（3）稳步推进横向产业链延伸，建立世界领先的高端半导体设备公司
公司以薄膜沉积设备与三维集成设备领域的既有技术积淀、产品矩阵及客户资源为基础，通过前瞻性研
发和适时的横向产业整合，稳步推进高端半导体设备领域的横向拓展与多元业务布局，着力构建覆盖核心应
用场景、辐射产业链关键环节的高端半导体设备公司，围绕公司聚焦领域提升整体解决方案能力，持续强化
公司在半导体设备行业的综合竞争力。
2、夯实国内市场领先地位，稳步开拓国际市场
公司将立足核心技术、产品性能、定制化服务等方面的优势，持续紧跟产业技术发展趋势，深化产品布
局，强化在国内细分领域的领先地位，稳步提升市场份额。在巩固国内市场的基础上，公司将积极关注国际
市场需求趋势，逐步推进海外市场布局。通过参与国际行业展会、建立海外合作渠道等方式展示产品技术实
力，针对性开拓适配海外市场，拓宽公司长期增长空间。
3、多措并举引进培养优秀人才，持续加强产学研合作
公司结合发展战略规划和实际业务需求，不断加强人才队伍建设，确保在国际前沿技术和先进管理理念
等方面保持竞争力。公司将不断完善薪酬政策和长效的股权激励机制，持续引进高层次人才的同时积极自主
培养科研人才，通过完善的研发实践、管理实践及务实高效的培训体系，积极培养内部技术与管理人才，构
建坚实的人才梯队。公司秉持校企协同发展理念，将持续加强高校合作互动，通过共建产学研协同创新平台
、实验室项目合作、设立奖学金、多学科联合培养硕士/博士等方式，推动高端科研合作及专业人才储备，
为行业提供创新动力。公司将继续积极推动行业联动与交流合作，通过深度参与国际半导体展会及行业大会
，共同探讨前沿趋势，携手推动产业创新。
4、继续坚持上下游协同创新，促进产业协同发展
公司将立足国内半导体制造产业实际需求与产线迭代规律，继续深化与客户协同研发的机制，精准锚定
其特定工艺材料、特定制造工序高端半导体设备的核心要求，系统性规划工艺优化和迭代方向，专项开发定
制化、高适配度的解决方案，支撑下游芯片制造厂技术升级和快速扩产。公司将持续通过战略协作等方式与
供应商建立深度绑定的研发协作关系。在新产品、新技术开发规划中，将建立常态化、高效化的研发互动机
制，确保部件产品的先进性能充分匹配公司技术研发要求，持续夯实稳定、互信、共赢的长期合作关系。公
司将持续积极承担实施国家重大专项/课题，不断整合产业链优质资源开展联合技术攻坚，逐步构建覆盖研
发、生产、销售全环节的协同研发生态体系，助力产业链整体技术水平稳步提升。
〖免责条款〗
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