经营分析☆ ◇688072 拓荆科技 更新日期：2025-08-27◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.前5名客户营业收入表】【4.前5名供应商采购表】
【5.经营情况评述】
【1.主营业务】
高端半导体专用设备的研发、生产、销售和技术服务。
【2.主营构成分析】
截止日期:2024-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
半导体设备行业(行业) 39.58亿 96.46 16.19亿 94.66 40.90
其他业务(行业) 1.45亿 3.53 9130.22万 5.34 62.99
─────────────────────────────────────────────────
半导体专用设备(产品) 39.58亿 96.46 16.19亿 94.66 40.90
其他业务(产品) 1.45亿 3.53 9130.22万 5.34 62.99
─────────────────────────────────────────────────
中国大陆(地区) 39.59亿 96.47 16.19亿 94.66 40.91
其他业务(地区) 1.45亿 3.53 9130.22万 5.34 62.99
─────────────────────────────────────────────────
直销模式(销售模式) 39.59亿 96.47 16.19亿 94.66 40.91
其他业务(销售模式) 1.45亿 3.53 9130.22万 5.34 62.99
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2023-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
半导体设备(行业) 26.34亿 97.39 13.37亿 96.93 50.76
其他业务(行业) 7047.42万 2.61 4237.27万 3.07 60.13
─────────────────────────────────────────────────
薄膜沉积设备(产品) 25.70亿 95.02 13.05亿 94.56 50.76
其他业务(产品) 7047.42万 2.61 4237.27万 3.07 60.13
混合键合设备(产品) 6430.00万 2.38 3269.13万 2.37 50.84
─────────────────────────────────────────────────
中国大陆(地区) 26.34亿 97.39 13.37亿 96.93 50.76
其他业务(地区) 7047.42万 2.61 4237.27万 3.07 60.13
─────────────────────────────────────────────────
直销模式(销售模式) 26.34亿 97.39 13.37亿 96.93 50.76
其他业务(销售模式) 7047.42万 2.61 4237.27万 3.07 60.13
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2022-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
半导体设备(行业) 16.85亿 98.81 8.29亿 98.69 49.21
其他(补充)(行业) 2027.36万 1.19 1101.03万 1.31 54.31
─────────────────────────────────────────────────
PECVD设备(产品) 15.63亿 91.65 7.72亿 93.14 49.41
SACVD设备(产品) 8947.62万 5.25 4189.36万 5.05 46.82
ALD设备(产品) 3258.67万 1.91 1500.31万 1.81 46.04
其他(补充)(产品) 2027.36万 1.19 1101.03万 --- 54.31
─────────────────────────────────────────────────
中国大陆(地区) 16.85亿 98.81 8.29亿 98.69 49.21
其他(补充)(地区) 2027.36万 1.19 1101.03万 1.31 54.31
─────────────────────────────────────────────────
直销模式(销售模式) 16.85亿 98.81 8.29亿 98.69 49.21
其他(补充)(销售模式) 2027.36万 1.19 1101.03万 1.31 54.31
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2022-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
PECVD设备(产品) 4.67亿 89.25 --- --- ---
SACVD设备(产品) 4118.97万 7.87 --- --- ---
ALD设备(产品) 848.37万 1.62 --- --- ---
其他(补充)(产品) 654.95万 1.25 --- --- ---
─────────────────────────────────────────────────
【3.前5名客户营业收入表】
截止日期:2024-12-31
前5大客户共销售25.58亿元，占营业收入的62.33%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│客户名称 │ 营收额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│客户一 │ 107602.63│ 26.22│
│客户二 │ 67558.71│ 16.46│
│客户三 │ 34073.68│ 8.30│
│客户四 │ 23536.50│ 5.74│
│客户五 │ 23016.68│ 5.61│
│合计 │ 255788.20│ 62.33│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【4.前5名供应商采购表】
截止日期:2024-12-31
前5大供应商共采购17.78亿元，占总采购额的33.48%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│供应商名称 │ 采购额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│供应商一 │ 59982.15│ 11.29│
│供应商二 │ 36741.28│ 6.92│
│供应商三 │ 33723.02│ 6.35│
│供应商四 │ 24203.78│ 4.56│
│供应商五 │ 23163.78│ 4.36│
│合计 │ 177814.01│ 33.48│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【5.经营情况评述】
截止日期:2025-06-30
●发展回顾:
一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
（一）公司所属行业情况
1、半导体设备行业
集成电路产业是驱动科技创新的重要引擎，更是支撑国家经济发展的关键基石，其发展水平直接影响一
个国家在人工智能、信息技术、智能制造等前沿领域的核心竞争力。半导体行业历来遵循着“一代产品、一
代工艺、一代设备”的发展规律，晶圆制造作为半导体产业链的核心环节，需要超前于下游应用开发新一代
工艺，而半导体设备则要超前于晶圆制造开发新一代设备，因此，半导体设备技术水平直接决定了芯片制造
的先进性。
伴随着数字化、自动化、智能化趋势的不断深化，以人工智能（AI）、消费电子、物联网、汽车电子等
为代表的新兴产业快速发展，对半导体芯片的性能、功耗、集成度等方面提出了更高的要求。特别是近两年
，AI应用的迅速普及加速推动了技术创新，对先进半导体技术的需求强劲，同时催生了巨大的先进半导体设
备市场空间。根据SEMI统计，2025年全球半导体设备销售额预计达到1255亿美元，同比增长超过7%，并持续
保持增长态势，预计2026年销售额将进一步攀升至1381亿美元，实现连续三年增长。
中国大陆作为全球最大的消费电子市场，对半导体芯片的需求量巨大，同时也为半导体设备带来了广阔
的市场空间，尤其是在AI应用快速发展的拉动下，对先进半导体设备的需求呈现持续增长的态势。根据SEMI
统计，2024年中国大陆半导体设备销售额达到496亿美元，同比增长35%，连续第五年成为全球最大半导体设
备市场。近年来，在复杂多变的国际形势及我国持续加大半导体产业政策扶持的背景下，中国大陆半导体产
业发展迅速，在半导体技术迭代创新、产业生态等方面均形成良好效果，产业链逐步完善，并加快先进技术
领域的布局，为国内高端半导体设备厂商创造了巨大的发展机遇和市场空间。
2、公司所聚焦的薄膜沉积设备行业
在高端半导体设备中，薄膜沉积设备、光刻设备、刻蚀设备共同构成芯片制造三大核心设备，决定了芯
片制造工艺的先进程度。薄膜沉积设备所沉积的薄膜是芯片结构内的功能材料层，在芯片制造过程中需求量
巨大，且直接影响芯片的性能。由于不同芯片结构所需要的薄膜材料种类不同、沉积工序不同、性能指标不
同，相应产生了巨大的薄膜沉积设备市场，2025年晶圆制造设备销售额预计将达到1108亿美元，同比增长超
过6%，占总体半导体设备销售额的比例近90%。而根据历史年度统计，薄膜沉积设备市场规模约占晶圆制造
设备市场的22%，由此推算，2025年全球薄膜沉积设备市场规模约为244亿美元。
公司自设立以来，一直在高端半导体专用设备领域持续深耕，聚焦薄膜沉积设备和应用于三维集成领域
的先进键合设备及配套量检测设备（以下统称“三维集成设备”）的研发与产业化应用。
在薄膜沉积设备方面，公司凭借十余年的自主研发经验和技术积累，现已拥有多项具有国际先进水平的
核心技术，形成了PECVD（等离子体增强化学气相沉积）、ALD（原子层沉积）、SACVD（次常压化学气相沉
积）、HDPCVD（高密度等离子体化学气相沉积）及FlowableCVD（流动性化学气相沉积）等薄膜设备系列产
品，在集成电路逻辑芯片、存储芯片制造等领域得到广泛应用。
PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及FlowableCVD设备均属于CVD（化学气相沉积）细分领域产品，不同的设
备技术原理不同，所沉积的薄膜种类和性能不同，适用于芯片内不同的应用工序。
3、公司所聚焦的三维集成设备行业
随着“后摩尔时代”的来临，芯片制程持续缩小并接近物理极限，单纯依赖平面工艺极限已无法实现性
能迭代，技术路径逐步转向新的架构设计及芯片堆叠方式，三维集成技术则是这一技术创新和发展趋势的关
键驱动力，而先进键合设备凭借其突破性技术优势成为三维集成技术领域的核心设备。
在三维集成设备行业方面，面向新的技术趋势和市场需求，公司积极布局并成功进军高端半导体设备的
前沿技术领域，研发并推出了应用于三维集成领域的先进键合设备（包括混合键合、熔融键合设备）及配套
使用的量检测设备。先进键合技术根据堆叠的方式不同分为晶圆对晶圆键合和芯片对晶圆键合。
（二）公司主营业务情况
1、主要业务情况
公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。自成立以来，公司始终坚持自主研
发、自主创新，目前已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、FlowableCVD等薄膜沉积设备产品，以及应用于三
维集成领域的先进键合设备和配套的量检测设备产品，薄膜沉积设备产品已广泛应用于国内集成电路逻辑芯
片、存储芯片等制造产线，先进键合设备和配套的量检测设备产品已在先进存储、图像传感器（CIS）等领
域实现量产。
2、主要产品情况
报告期内，公司不断拓展新工艺、新产品以及新型平台、新型反应腔的验证与产业化，持续保持产品核
心竞争力，公司研制的PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、FlowableCVD等薄膜沉积设备产品、先进键合设备产品
和配套的量检测设备产品已在客户端实现产业化应用，业务规模逐步扩大，其设备性能和产能均达到国际同
类设备先进水平。具体产品情况如下：
（1）PECVD系列产品
①PECVD产品
②UVCure产品
（2）ALD系列产品
①PE-ALD产品
②Thermal-ALD产品
（3）SACVD系列产品
（4）HDPCVD系列产品
（5）FlowableCVD系列产品
（6）三维集成领域系列产品
①晶圆对晶圆混合键合产品
②晶圆对晶圆熔融键合产品
③芯片对晶圆键合前表面预处理产品
④芯片对晶圆混合键合产品
⑤键合套准精度量测产品
⑥键合强度检测产品
⑦永久键合后晶圆激光剥离产品
报告期内，公司主营业务未发生重大变化。
（三）主要经营模式
（1）盈利模式
公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售及技术服务。公司通过向下游客户销售设备并提
供备品备件和技术服务来实现收入和利润。报告期内，公司主营业务收入来源于半导体设备的销售，其他业
务收入主要来源于设备有关的备品备件销售。
（2）研发模式
公司主要采用自主研发的模式。公司建成了一支国际化、专业化的研发技术团队。公司的研发团队结构
合理，分工明确，专业知识储备深厚，产线验证经验丰富，是公司自主研发能力的重要支撑。公司根据客户
需求，并以半导体专用设备技术发展动态为导向，研发设计新产品、新工艺，研制机台在通过公司测试之后
，送至客户实际生产环境中进行产业化验证，通过验证后产品正式定型。此外，公司会根据客户不同的工艺
应用需求，持续丰富、完善量产产品性能。
（3）采购模式
公司采购主要分为标准件采购和非标件采购。对于标准件采购，公司面向市场供应商进行直接采购。非
标件主要为公司研发生产中，根据特定技术需求，自行设计的零部件。对于非标件采购，公司主要通过向供
应商提供设计图纸、技术参数，由供应商自行采购原材料进行加工并完成定制。为保证公司产品的质量和性
能，公司制定了严格的供应商引入、选择和评价制度。公司对于供应商技术水平、加工设备、良品率、运营
能力等多维度进行评估，并邀请供应商定期进行新产品、新材料或加工技术交流，持续提升供应商技术能力
水平，以保证公司产品的技术先进性。公司依据研发项目需求、生产需求和物料库存情况，通过订单方式向
供应商下发采购需求，并按照需求时间安排供应商排产，经验收合格后入库。
（4）生产模式
公司的产品主要根据客户的差异化需求和采购意向，进行定制化设计及生产制造。公司主要采用库存式
生产和订单式生产相结合的生产模式。库存式生产，指公司尚未获取正式订单便开始生产，包括根据Demo订
单或较明确的客户采购意向启动的生产活动，适用于公司的Demo机台和部分销售机台。订单式生产，指公司
与客户签署正式订单后进行生产，适用于公司大部分的销售机台。
（5）销售和服务模式
报告期内，公司销售模式为直销，通过与潜在客户商务谈判、招投标等方式获取客户订单。经过多年的
努力，公司已与国内半导体芯片制造厂商形成了较为稳定的合作关系。
公司的销售流程一般包括市场调查与推介、获取客户需求及公司内部讨论、产品报价、投标操作与管理
（如适用）、销售洽谈、合同评审、销售订单（或Demo订单）签订与执行、产品安装调试、合同回款、客户
验收及售后服务等步骤。公司的设备发运至客户指定地点后，需要在客户的生产线上进行安装调试。通常客
户在完成相关测试后，对设备进行验收，公司在客户端验收完成后确认收入。
报告期内，公司主要经营模式未发生重大变化。
二、经营情况的讨论与分析
报告期内，公司面向国内集成电路芯片制造技术的迭代创新和快速发展需求，充分发挥公司在产品方面
的技术创新迭代快、性能优异、覆盖面广、量产规模大等竞争优势，以及在研发团队、技术储备、客户资源
及售后服务等方面的深厚积淀，坚持以创新驱动业务发展，持续保持新产品、新工艺及新技术的研发和投入
，增强公司产品的市场竞争力，不断扩大公司产品在先进技术领域的工艺覆盖面。同时，持续强化公司运营
管理，促进公司高质量、稳健、快速的发展，在经营业绩、产品研发、市场销售、人才团队等诸多方面取得
了优异成果，进一步促进公司综合实力的提升。
1、主要经营情况
报告期内，公司不断突破核心技术，加快推进各系列产品的创新迭代与产业化应用，并取得了重要成果
，产品市场竞争力持续增强，同时，受益于近年国内下游晶圆制造厂对国内半导体设备的需求增加，营业收
入维持高增长趋势。2025年上半年度，公司实现营业收入195414.62万元，同比增长54.25%；实现归属于上
市公司股东的净利润9428.80万元，同比下降26.96%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利
润3818.77万元，同比增长91.35%。
截至2025年6月30日，公司总资产1755366.06万元，较2024年年末增长14.62%；归属于上市公司股东的
净资产541194.65万元，较2024年年末增长2.50%。公司资产质量良好，财务状况稳健。
2、公司产品研发及产业化进展情况
报告期内，公司积极把握半导体设备国产替代的战略机遇，通过高强度的研发投入，保持薄膜沉积设备
和三维集成设备的技术领先优势，同时，在先进制程应用的新产品、新工艺、高产能设备产品的验证及产业
化应用等方面均取得了突出成果，产品成熟度及性能优势获得客户广泛认可，市场渗透率进一步提升，收入
持续高速增长。报告期内的研发投入金额达到34917.71万元，同比增长11.09%，研发投入占营业收入比例为
17.87%。
在薄膜沉积设备方面，公司进一步扩大以PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD以及FlowableCVD为主的薄膜沉积
设备工艺覆盖面。报告期内，基于新型设备平台（PF-300TPlus和PF-300M）和新型反应腔（pX和Supra-D）
的PECVDStack（ONO叠层）、ACHM、Lok-II及PECVDBianca等先进工艺设备陆续通过客户验收，量产规模不断
扩大；应用于先进存储领域的PECVDOPN、SiB等先进工艺设备持续获得订单，已出货多台至客户端验证；公
司目前已实现对PECVDACHM、a-Si、SiB、高温SiN等多款硬掩模工艺的全面覆盖，且这些工艺在先进制程中
应用广泛，公司是国内集成电路领域硬掩模工艺覆盖最全面的设备厂商；基于具有业界领先坪效比和最低拥
有成本（COO）的平台VS-300T开发的PE-ALD设备持续获得客户订单，PE-ALDSiO2和PE-ALDSiCO多台通过客户
验证，不断扩大量产规模，公司已实现PE-ALD介质薄膜材料的全面覆盖；Thermal-ALDTiN持续获得客户订单
，出货量不断扩大；公司是集成电路领域国产ALD设备薄膜工艺覆盖率第一的设备厂商，公司ALD产品在存储
芯片、逻辑芯片制造领域量产规模快速攀升。截至报告期末，公司推出的PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及Flo
wableCVD薄膜设备可以支撑逻辑芯片、存储芯片中所需的全部介质薄膜材料的约100多种工艺应用。
在应用于三维集成领域的先进键合设备及配套量检测设备方面，报告期内，公司晶圆对晶圆混合键合设
备获得重复订单，同时，公司研发的新一代高速高精度晶圆对晶圆混合键合产品已发货至客户端验证。目前
公司产品已出货至先进存储、逻辑、图像传感器等客户，公司致力于为三维集成领域提供全面的技术解决方
案。
随着芯片技术的迭代升级，公司先进产品和量产规模不断攀升，截至本报告披露日，公司累计出货超过
3000个反应腔（包括超过340个新型反应腔pX和Supra-D），进入超过70条生产线。
报告期内，公司薄膜沉积设备在客户端产线生产运行稳定性表现优异，平均机台稳定运行时间（Uptime
）超过90%（达到国际同类设备水平）。公司薄膜沉积设备系列产品在晶圆制造产线的量产应用规模持续扩
大，截至本报告期末，公司薄膜沉积设备在客户端产线生产产品的累计流片量已突破3.43亿片。
（1）PECVD系列产品研发及产业化进展情况
PECVD设备是公司核心产品，也是芯片制造的核心设备之一，其主要功能是将硅片控制到预定温度后，
使用射频电磁波作为能量源在硅片上方形成低温等离子体，通入适当的化学气体，在等离子体的激活下，经
一系列化学反应在硅片表面形成固态薄膜。相比传统的CVD设备，PECVD设备在相对较低的反应温度下形成高
致密度、高性能薄膜，不破坏已有薄膜和已形成的底层电路，实现更快的薄膜沉积速度，是芯片制造薄膜沉
积工艺中运用最广泛的设备种类。
公司自成立就开始研制PECVD设备，在PECVD设备技术领域具有十余年的研发和产业化经验，并形成了覆
盖全系列PECVD薄膜材料的设备。
1PECVD产品
PECVD设备作为公司的主打产品，已实现全系列PECVD介质薄膜材料的覆盖，通用介质薄膜材料（包括Si
O2、SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、BPSG、PSG等）和先进介质薄膜材料（包括ACHM、LoK-Ⅰ、LoK-Ⅱ、ADC
-Ⅰ、ADC-Ⅱ、HTN、a-Si、Stack等）均广泛应用于国内集成电路制造产线。报告期内，公司PECVD设备以良
好的稳定性、高产能及优异的薄膜工艺指标等特点持续保持竞争优势，获得客户复购和批量订单，不断扩大
量产规模。
公司面向先进存储领域自主研发的PECVDSupra-DOPN、SiB、高温SiN等工艺设备持续获得订单，已出货
多台至客户端验证，关键性能指标已达到客户的技术要求。PECVDSupra-DOPN设备可沉积氧化硅掺杂多晶硅
、氮化硅薄膜，主要作为3DNAND顶部选择栅极，形成存储单元的基本导电通路，能够实现对特定垂直存储串
的精确选择和控制，同时，能够通过调控垂直沟道中的电流实现信号管理。PECVDSupra-DSiB和高温SiN设备
可以沉积高性能的硬掩模，其中，SiB薄膜具有显著提升的刻蚀选择比，可有效降低硬掩模层厚度，同时实
现优异的刻蚀均匀性，大幅简化图形转移的工艺难度，主要应用于集成电路制造的高深宽比结构图形转移工
艺；高温SiN薄膜与低温沉积SiN薄膜相比，不仅具有更高的薄膜密度，还具备比较宽泛的应力调整区间，很
大程度上兼容薄膜对密度和应力的双重需求，具备更高的刻蚀选择性，主要应用于DRAM的硬掩模中刻蚀选择
比需求较高的工艺。
公司基于新型设备平台（PF-300TPlus和PF-300M）和新型反应腔（pX和Supra-D）研发的PECVDStack（O
NO叠层）、ACHM等先进工艺设备实现了大量出货，并陆续通过客户验证，满足客户先进制程对高产能及更严
格的薄膜性能指标的需求。截至本报告披露日，累计超过340个反应腔出货至客户端。
公司PECVDBianca工艺设备持续获得客户多台复购订单，该设备为晶圆背面薄膜沉积设备，主要应用于
集成电路制造过程中对晶圆翘曲的纠正以及晶圆背面保护。该设备可以实现在不使用翻片工艺、不使用去边
工艺的情况下对晶圆背面进行薄膜沉积，减少集成电路制造的工艺步骤，降低客户成本。截至报告期末,累
计超过60个PECVDBianca工艺设备反应腔出货至客户端，量产规模不断扩大。
公司NF-300H型号是高产能PECVD设备，可以搭载3个6站反应腔，每次可以同时最多处理18片晶圆。该设
备已实现产业化应用，可以沉积超厚TEOS等介质材料薄膜，在三维集成领域具有广泛应用前景，报告期内持
续出货并扩大量产规模。
公司开发的更高产能的设备平台NF-300M及反应腔Supra-H，可以搭载4个6站反应腔，每次可以同时处理
24片晶圆。截至本报告披露日，NF-300MSupra-H设备已完成样机研发和制造，正在进行薄膜工艺调试。该设
备可以沉积多层Stack（ONO叠层）介质材料薄膜，实现高均匀性和多种薄膜工艺集成，满足先进存储芯片制
造领域最先进的生产需求。
②UVCure产品
UVCure设备主要用于薄膜紫外线固化处理，该工序通过对薄膜进行后处理，有效改善薄膜性能，提升薄
膜应力、硬度等关键性能指标。
公司UVCure设备与PECVD设备成套使用，为PECVDHTN、Lok-Ⅱ等薄膜沉积进行紫外线固化处理。公司UVC
ure（HTN、Lok-Ⅱ工艺）均已实现产业化应用，报告期内持续获得客户的订单、出货，扩大量产应用规模。
（2）ALD系列产品研发及产业化进展情况
ALD设备是一种可以将反应材料以单原子膜形式通过循环反应逐层沉积在硅片表面，形成对复杂形貌的
基底表面全覆盖成膜的专用设备。由于ALD设备可以实现高深宽比、极窄沟槽开口的优异台阶覆盖率及精确
薄膜厚度控制，实现了芯片制造工艺中关键尺寸的精度控制，在结构复杂、薄膜厚度要求精准的先进逻辑芯
片、存储芯片制造中，ALD是必不可少的核心设备之一。
1PE-ALD产品
PE-ALD是利用等离子体增强反应活性，提高反应速率，具有相对较快的薄膜沉积速度、较低的沉积温度
等特点，适用于沉积硅基介质薄膜材料。
报告期内，基于具有业界领先坪效比和最低拥有成本（COO）的平台VS-300T开发的PE-ALD设备持续获得
多台客户订单，在客户端验证进展顺利，该设备可应用于先进逻辑芯片和存储芯片中的双重/多重曝光图形
转移，以及先进封装TSV隔离层等，具有优异的片内均匀性等关键指标。
基于PF-300T和高产能平台NF-300H开发的PE-ALDSiO2及PE-ALDSiCO持续出货，且多台设备通过客户验证
，公司PE-ALD产品在存储芯片、逻辑芯片制造领域量产规模快速攀升。
截至报告期末，公司PE-ALD设备高温、低温、高质量SiO2、SiN、SiCO等介质薄膜工艺设备均已实现产
业化应用，并逐步扩大量产规模，凭借其优异的性能表现，目前在芯片填孔(Gap-fill)、侧墙（Spacer）、
衬垫层（Liner）等工艺中已实现广泛的应用。
②Thermal-ALD产品
Thermal-ALD是利用热能使反应物分子吸附在基底表面，再进行化学反应，生成薄膜，具有相对较高的
反应温度、优越的台阶覆盖率、高薄膜质量等特点，适用于金属、金属氧化物、金属氮化物等薄膜沉积。
公司Thermal-ALD设备已实现产业化应用。报告期内，公司Thermal-ALDTiN持续获得客户订单，出货量
不断扩大，目前已覆盖先进逻辑、先进封装客户，验证进展顺利。Thermal-ALDAl2O3、AlN等工艺设备在不
同客户端验证进展顺利，此外，公司持续稳步拓展Thermal-ALD其他薄膜工艺，扩大金属及金属化合物等先
进薄膜材料应用。
（3）SACVD系列产品研发及产业化进展情况
SACVD设备主要应用于深宽比小于7:1的沟槽填充工艺，是集成电路制造的重要设备之一。在集成电路结
构中，沟槽孔洞的深宽比越来越大，SACVD反应腔环境具有特有的高温（400℃-550℃）、高压（30-600Torr
）环境，具有快速优越的填孔能力。
报告期内，公司SACVD系列产品持续保持产品竞争优势，持续获得客户订单并出货，进一步扩大量产应
用规模，同时，推出的等离子体增强SAF薄膜工艺设备在客户端验证进展顺利，关键技术指标已达到客户要
求。
（4）HDPCVD系列产品研发及产业化进展情况
HDPCVD设备主要应用于深宽比小于5:1的沟槽填充工艺，是集成电路制造的重要设备之一。HDPCVD设备
可以同时进行薄膜沉积和溅射，所沉积的薄膜致密度更高，杂质含量更低。
报告期内，公司HDPCVD持续获得客户订单并出货，不断扩大量产规模。截至报告期末，公司HDPCVDUSG
、FSG、STI薄膜工艺设备均已实现产业化，并持续扩大量产规模。
（5）FlowableCVD系列产品研发及产业化进展情况
FlowableCVD设备可实现对高深宽比沟槽结构的无孔洞填充，是集成电路制造的重要设备之一。Flowabl
eCVD设备可以在晶圆表面沉积高品质的介电薄膜材料，经过固化及氧化等处理工艺后，达到完全填充间隙而
不会留下孔洞和缝隙的效果。
截至报告期末，公司自主研发的FlowableCVD产品已有多台通过客户验证，实现了产业化应用。
（6）三维集成领域系列产品研发及产业化进展情况
三维集成是实现芯片高密度互连、三维堆叠及系统级集成的关键制造环节，正在成为半导体行业发展的
重要趋势。先进键合设备主要应用于芯片或晶圆堆叠，通过对芯片或晶圆进行等离子活化、清洗、对准、键
合、量测等一系列工艺处理和精准控制，实现芯片或晶圆的垂直堆叠架构，可有效提升芯片间的通信带宽及
芯片系统性能，键合精度可达百纳米级，是三维集成领域中最重要的设备之一。
①晶圆对晶圆混合键合产品
晶圆对晶圆键合产品可以在常温下实现复杂的12英寸晶圆对晶圆多材料表面的键合工艺。公司晶圆对晶
圆混合键合产品Dione300是公司最早推出的混合键合产品，已实现产业化，可实现百纳米级晶圆混合键合，
其关键技术指标、产能指标与设备开机率均达到国际同类产品量产水平。报告期内，该产品持续获得不同客
户订单并出货。
报告期内，公司研发了新一代高速高精度晶圆对晶圆混合键合产品Dione300eX，该产品采用更先进的对
准技术，拥有更高的对准精度、键合精度和设备产能，已出货至客
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