经营分析☆ ◇688072 拓荆科技 更新日期：2026-08-29◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.前5名客户营业收入表】【4.前5名供应商采购表】
【5.经营情况评述】
【1.主营业务】
高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务
【2.主营构成分析】
截止日期:2025-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
半导体设备行业(行业) 62.96亿 96.57 21.41亿 93.95 34.00
其他业务(行业) 2.23亿 3.42 1.37亿 6.01 61.51
─────────────────────────────────────────────────
半导体专用设备(产品) 62.96亿 96.57 21.41亿 93.95 34.00
其他业务(产品) 2.23亿 3.42 1.37亿 6.01 61.51
─────────────────────────────────────────────────
中国大陆(地区) 62.96亿 96.58 21.42亿 93.99 34.01
其他业务(地区) 2.23亿 3.42 1.37亿 6.01 61.51
─────────────────────────────────────────────────
直销模式(销售模式) 62.96亿 96.58 21.42亿 93.99 34.01
其他业务(销售模式) 2.23亿 3.42 1.37亿 6.01 61.51
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2024-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
半导体设备行业(行业) 39.58亿 96.46 16.19亿 94.66 40.90
其他业务(行业) 1.45亿 3.53 9130.22万 5.34 62.99
─────────────────────────────────────────────────
半导体专用设备(产品) 39.58亿 96.46 16.19亿 94.66 40.90
其他业务(产品) 1.45亿 3.53 9130.22万 5.34 62.99
─────────────────────────────────────────────────
中国大陆(地区) 39.59亿 96.47 16.19亿 94.66 40.91
其他业务(地区) 1.45亿 3.53 9130.22万 5.34 62.99
─────────────────────────────────────────────────
直销模式(销售模式) 39.59亿 96.47 16.19亿 94.66 40.91
其他业务(销售模式) 1.45亿 3.53 9130.22万 5.34 62.99
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2023-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
半导体设备(行业) 26.34亿 97.39 13.37亿 96.93 50.76
其他业务(行业) 7047.42万 2.61 4237.27万 3.07 60.13
─────────────────────────────────────────────────
薄膜沉积设备(产品) 25.70亿 95.02 13.05亿 94.56 50.76
其他业务(产品) 7047.42万 2.61 4237.27万 3.07 60.13
混合键合设备(产品) 6430.00万 2.38 3269.13万 2.37 50.84
─────────────────────────────────────────────────
中国大陆(地区) 26.34亿 97.39 13.37亿 96.93 50.76
其他业务(地区) 7047.42万 2.61 4237.27万 3.07 60.13
─────────────────────────────────────────────────
直销模式(销售模式) 26.34亿 97.39 13.37亿 96.93 50.76
其他业务(销售模式) 7047.42万 2.61 4237.27万 3.07 60.13
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2022-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
半导体设备(行业) 16.85亿 98.81 8.29亿 98.69 49.21
其他(补充)(行业) 2027.36万 1.19 1101.03万 1.31 54.31
─────────────────────────────────────────────────
PECVD设备(产品) 15.63亿 91.65 7.72亿 93.14 49.41
SACVD设备(产品) 8947.62万 5.25 4189.36万 5.05 46.82
ALD设备(产品) 3258.67万 1.91 1500.31万 1.81 46.04
其他(补充)(产品) 2027.36万 1.19 1101.03万 --- 54.31
─────────────────────────────────────────────────
中国大陆(地区) 16.85亿 98.81 8.29亿 98.69 49.21
其他(补充)(地区) 2027.36万 1.19 1101.03万 1.31 54.31
─────────────────────────────────────────────────
直销模式(销售模式) 16.85亿 98.81 8.29亿 98.69 49.21
其他(补充)(销售模式) 2027.36万 1.19 1101.03万 1.31 54.31
─────────────────────────────────────────────────
【3.前5名客户营业收入表】
截止日期:2025-12-31
前5大客户共销售51.60亿元，占营业收入的79.15%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│客户名称 │ 营收额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│客户一 │ 345078.37│ 52.93│
│客户二 │ 89273.75│ 13.69│
│客户三 │ 33751.43│ 5.18│
│客户四 │ 31161.26│ 4.78│
│客户五 │ 16698.83│ 2.56│
│合计 │ 515963.64│ 79.15│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【4.前5名供应商采购表】
截止日期:2025-12-31
前5大供应商共采购16.45亿元，占总采购额的31.93%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│供应商名称 │ 采购额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│供应商一 │ 64640.80│ 12.55│
│供应商二 │ 36996.79│ 7.18│
│供应商三 │ 30866.36│ 5.99│
│供应商四 │ 16651.68│ 3.23│
│供应商五 │ 15309.70│ 2.97│
│合计 │ 164465.33│ 31.93│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【5.经营情况评述】
截止日期:2026-06-30
●发展回顾:
一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
(一)公司所属行业情况
1、半导体设备行业
半导体设备行业是半导体产业链的核心基石，是支撑集成电路产业高质量发展、驱动技术迭代升级的关
键基础与核心动力，直接决定了芯片的制程精度、生产良率与产能规模，其发展水平直接决定了整个半导体
产业的技术高度与持续创新能力，是电子工业乃至数字经济发展的战略性基础产业。随着半导体技术持续迭
代、工艺制程不断提升，半导体元器件加速向精密化、微小化方向发展，芯片结构也逐步向三维集成方向转
型，这对芯片制造工艺技术提出了更高要求，因此，对半导体设备的精密控制、集成度与稳定性要求更为严
苛，同时，设备的细分种类与技术壁垒也在持续攀升。
半导体行业作为数字经济的核心底座，是人工智能、高性能计算、智能驾驶、新一代通信网等战略性新
兴产业的发展基石。随着AI大模型驱动算力需求爆发式增长、存储芯片向3D堆叠架构演进、先进封装技术成
为延续摩尔定律的关键路径，全球半导体设备市场正经历由技术创新与产能扩张双轮驱动的发展快车道。根
据SEMI统计，2025年全球半导体制造设备总销售额达1,347亿美元，同比增长15%，创历史新高，2026年至20
28年有望继续攀升至1,659亿美元、2,012亿美元和2,295亿美元。
中国大陆作为全球最大的半导体芯片的需求市场，也为半导体设备带来了广阔的市场空间。随着人工智
能（AI）高速发展对先进芯片的需求巨增，国产晶圆制造商快速提升产品性能和产能规模，不断推进产品的
市场份额提升，对中国大陆先进半导体设备的需求呈现持续增长的态势。根据SEMI统计，2025年中国大陆半
导体设备销售额约493亿美元，占当年全球半导体制造设备销售额约37%，自2020年起连续稳居全球半导体设
备最大市场，预计2028年前继续维持领先地位。
近年来，面对复杂严峻的国际形势，在国家产业政策的大力引导下，中国大陆半导体产业链上下游协同
攻关，实现了从技术迭代创新到产业生态构建的系统性突破。当前，我国半导体产业整体技术水平快速跃升
，产业链系统性、独立性显著增强，加速在先进制程与关键设备领域布局，为本土高端半导体设备厂商开辟
了广阔的发展空间与战略机遇期。
2、公司所聚焦的薄膜沉积设备行业
在半导体设备产业中，薄膜沉积设备是前道芯片制造的三大核心装备之一，是实现集成电路先进逻辑及
3DNAND、3DDRAM、高带宽存储器（HBM）等先进存储芯片技术突破的核心支撑。薄膜沉积设备所沉积的薄膜
是芯片结构内的功能材料层，在芯片制造过程中需求量巨大，且直接影响芯片的性能。当前，在人工智能技
术快速发展的驱动下，先进逻辑芯片与高端架构存储的市场需求持续释放，推动全球晶圆制造产能扩张与技
术迭代加速。芯片结构复杂化导致薄膜层数显著增加，芯片制程微缩化对沉积工艺精度要求不断提升，高端
薄膜沉积设备将迎来规模扩张与价值量提升的双重驱动，薄膜设备市场需求将保持长期增长，具备明确的发
展空间与较高的增长确定性。
根据SEMI统计，2025年全球半导体芯片制造设备销售额约1,169亿美元，同比增长约12%，占全球半导体
设备销售额的比例约86%。2026年至2028年预计继续保持增长趋势，将达到约1,439亿美元、1,753亿美元和2
,000亿美元。而根据历史年度统计，薄膜沉积设备市场规模约占芯片制造设备市场的22%，由此推算，2026
年全球薄膜沉积设备市场规模约为317亿美元。
薄膜沉积设备细分领域中，不同的设备技术原理不同，所沉积的薄膜种类和性能不同，适用于芯片内不
同的应用工序，其中公司所聚焦的PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及FlowableCVD设备为化学气相沉积和原子层
沉积细分领域产品。
3、公司所聚焦的三维集成设备行业
随着“后摩尔时代”的来临，芯片制程持续接近物理极限，仅依赖平面工艺微缩已无法实现芯片性能的
持续提升迭代，技术路径逐步转向三维架构设计及芯片堆叠方式，三维集成技术是实现芯片高密度互连、三
维堆叠及系统级集成的关键工艺，已成为推动半导体行业发展的重要趋势。
先进键合设备凭借其突破性技术优势成为三维集成技术领域的核心设备，为三维集成领域提供全面的技
术解决方案，并带来了新的市场空间和机遇。据Yole统计，全球先进封装市场中2.5D封装和3D封装市场规模
预计从2023年的43亿美元快速增至2029年的280亿美元，年复合增长率达37%。
在三维集成设备行业方面，面向新的技术趋势和市场需求，公司积极布局，成功研发并推出了应用于三
维集成领域的先进键合设备（包括混合键合、熔融键合设备）及配套使用的量检测设备。
近年来，国家出台一系列鼓励扶持政策，促进了国内半导体行业的高质量发展。技术创新上，行业内上
下游产学研用深度融合，创新成果转化效率持续提升；市场生态上，本土芯片制造厂扩产为设备厂商提供了
丰富的验证场景与市场空间，形成“需求牵引-技术迭代-规模应用”的良性循环；产业氛围上，业内人才储
备持续增多，为行业发展注入源源不断的活力。国内半导体行业整体呈现出结构优化、创新集聚、良性循环
的发展态势，为高端半导体设备行业营造了更优质的创新土壤与发展环境。
(二)公司主营业务情况
1、主要业务情况
公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。自成立以来，公司始终坚持自主研
发、自主创新，一直在高端半导体专用设备领域持续深耕、拓展，重点聚焦薄膜沉积设备和应用于三维集成
领域的先进键合设备及配套量检测设备（以下统称“三维集成设备”）的研发与产业化。
报告期内，公司积极把握半导体技术迭代升级、芯片需求扩张与国产替代的发展机遇，依托深厚的技术
储备及前瞻性的产业格局，积极拓展应用于集成电路先进存储、先进逻辑、先进封装等领域的新产品、新工
艺，目前已构建了较为完善的薄膜沉积设备、三维集成设备的产品矩阵。
2、主要产品情况
公司目前已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、FlowableCVD等薄膜沉积设备产品，以及晶圆对晶圆混合
键合、晶圆对晶圆熔融键合、芯片对晶圆混合键合、芯片对晶圆熔融键合等三维集成设备产品，已广泛应用
于先进存储、先进/成熟逻辑、先进封装、功率器件、Micro-OLED、硅光技术、图像传感器（CIS）等领域。
报告期内，公司在薄膜沉积设备和三维集成设备方面的核心竞争力持续提升，在先进制程领域的新产品
拓展与量产应用方面取得了突出成果，业务规模快速增长，设备性能和产能达到国际同类设备先进水平。具
体产品情况如下：
（1）PECVD系列产品
PECVD设备作为公司核心产品，是芯片制造的核心设备之一，其主要功能是将硅片控制到预定温度后，
使用射频电磁波作为能量源在硅片上方形成低温等离子体，通入适当的化学气体，在等离子体的激活下，经
一系列化学反应在硅片表面形成固态薄膜。相比传统的CVD设备，PECVD设备在相对较低的反应温度下形成高
致密度、高性能薄膜，不破坏已有薄膜和已形成的底层电路，实现更快的薄膜沉积速度，是芯片制造薄膜沉
积工艺中运用最广泛的设备种类。
公司自成立就开始研制PECVD设备，在PECVD设备技术领域具有十余年的研发和产业化经验，并形成了覆
盖全系列PECVD薄膜材料的设备，主要包括PECVD产品和薄膜后处理相关的UVCure产品。公司的PECVD产品满
足包括先进存储、先进/成熟逻辑、先进封装、功率器件、Micro-OLED、硅光技术等领域芯片制造所需求的
各类型钝化层、介电层、覆盖层、刻蚀阻挡层、扩散阻挡层、应力记忆层、抗反射层、硬掩膜在内的100余
种工艺机型，可以提供PECVD全套解决方案，以整套产品和前瞻式技术研发相结合的方式匹配并满足客户的
前沿技术需求。
2.UVCure产品
UVCure设备主要用于薄膜紫外线固化处理，该工序通过对薄膜进行后处理，有效改善薄膜性能，提升薄
膜应力、硬度等关键性能指标。
（2）ALD系列产品
ALD设备是一种可以将反应材料以单原子膜形式通过循环反应逐层沉积在硅片表面，形成对复杂形貌的
基底表面全覆盖成膜的专用设备。由于ALD设备可以实现高深宽比、极窄沟槽开口的优异台阶覆盖率及精确
薄膜厚度控制，在结构复杂、薄膜厚度要求精准的先进逻辑芯片、存储芯片制造中，ALD是必不可少的核心
设备之一。
公司ALD系列产品包括PE-ALD（等离子体增强原子层沉积）产品、Thermal-ALD（热处理原子层沉积）产
品。
1.PE-ALD产品
PE-ALD是利用等离子体增强反应活性，提高反应速率，具有相对较快的薄膜沉积速度、较低的沉积温度
等特点，适用于沉积硅基介质薄膜材料。
2.Thermal-ALD产品Thermal-ALD是利用热能使反应物分子吸附在基底表面，再进行化学反应，生成薄膜
，具有相对较高的反应温度、优越的台阶覆盖率、高薄膜质量等特点，适用于金属、金属氧化物、金属氮化
物等薄膜沉积。
（3）SACVD系列产品
SACVD设备主要应用于深宽比小于7:1的沟槽填充工艺，是集成电路制造的重要设备之一。SACVD反应腔
环境具有特有的高温（400℃-550℃）、高压（30-600Torr）环境，具有快速优越的填孔能力。
（4）HDPCVD系列产品
HDPCVD设备主要应用于深宽比小于5:1的沟槽填充工艺，是集成电路制造的重要设备之一。HDPCVD设备
可以同时进行薄膜沉积和溅射，所沉积的薄膜致密度更高，杂质含量更低。
（5）FlowableCVD系列产品
FlowableCVD设备主要应用于深宽比大于7:1的沟槽填充工艺，是集成电路制造的重要设备之一。该设备
可以在晶圆表面沉积高品质的介电薄膜材料，经过固化及氧化等处理工艺后，可达到完全填充间隙而不会留
下孔洞和缝隙的效果。
（6）三维集成领域系列产品
三维集成是实现芯片高密度互连、三维堆叠及系统级集成的关键制造环节，正在成为半导体行业发展的
重要趋势。先进键合设备主要应用于芯片或晶圆堆叠，通过对芯片或晶圆进行等离子活化、清洗、对准、键
合、量测等一系列工艺处理和精准控制，实现芯片或晶圆的垂直堆叠架构，可有效提升芯片间的通信带宽及
芯片系统性能，键合精度可达百纳米级，是三维集成领域中最重要的设备之一。
公司持续拓展三维集成设备产品，主要产品如下：
1晶圆对晶圆混合键合产品
晶圆对晶圆键合产品可以在常温下实现复杂的12英寸晶圆对晶圆多材料表面的键合工艺。
2晶圆对晶圆熔融键合产品晶圆级熔融键合设备可高效完成晶圆间非电气连接的一体化键合，实现两片
高平整晶圆的永久性贴合。该工艺先对晶圆进行清洗与亲水活化处理，使两片晶圆预先在室温下完成预贴合
，再通过高温退火工艺强化界面结合力，最终实现稳定可靠的晶圆熔融键合。
3芯片对晶圆键合前表面预处理产品芯片对晶圆的键合工艺分为预处理和键合两道工序，芯片对晶圆键
合表面预处理产品可以实现芯片对晶圆键合前表面预处理工序。
4芯片对晶圆混合键合产品芯片对晶圆混合键合相较晶圆对晶圆键合具有更高的芯片集成度和灵活性，
该设备的关键技术是在满足超高产能的同时，还需实现芯片对晶圆的高精度对准和放置技术，主要应用于高
带宽存储器（HBM）、芯片三维集成领域。
5芯片对晶圆熔融键合产品芯片对晶圆熔融键合技术主要可以支撑先进封装领域的高端应用。与传统键
合方法不同，该技术无需键合介质或粘合剂，而是在室温下直接键合。同时，该设备可以筛选已知合格芯片
（KnownGoodDie），从而大幅提升良率。
6键合套准精度量测产品键合套准精度量测产品是混合键合技术领域重要的键合精度量测设备。该设备
主要采用红外光学技术原理实现量测功能。
7键合强度检测产品键合强度检测设备主要应用于晶圆对晶圆键合强度检测。
8永久键合后晶圆激光剥离产品永久键合后晶圆激光剥离产品主要应用于需要进行特定层转移场景或薄
晶圆背面加工的场景，例如垂直架构DRAM和先进逻辑芯片中，实现永久键合后晶圆剥离。晶圆激光剥离技术
能有效克服临时键合技术中有机胶残留和耐温性差的问题，帮助客户有效优化工艺成本和前道兼容性。
9键合界面空洞修复产品键合界面空洞修复产品可实现晶圆对晶圆、芯片对晶圆键合工艺中产生的界面
空洞缺陷修复。公司自主研发了高精度键合界面空洞修复产品。
报告期内，公司主营业务未发生重大变化。
(三)主要经营模式
（1）盈利模式
公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售及技术服务。公司通过向下游客户销售设备并提
供备品备件和技术服务来实现收入和利润。报告期内，公司主营业务收入来源于半导体设备的销售，其他业
务收入主要来源于设备有关的备品备件销售。
（2）研发模式
公司主要采用自主研发的模式。公司建成了一支国际化、专业化的研发技术团队，团队结构合理，分工
明确，专业知识储备深厚，产线验证经验丰富，是公司自主研发能力的重要支撑。公司根据客户需求，并以
半导体专用设备技术发展动态为导向，研发设计新产品、新工艺，研制机台在通过公司测试之后，送至客户
实际生产环境中进行产业化验证，通过验证后产品正式定型。此外，公司会根据客户不同的工艺应用需求，
持续丰富、完善量产产品性能。
（3）采购模式
公司采购主要分为标准件采购和非标件采购。对于标准件采购，公司面向行业内优质供应商进行直接采
购。非标件主要 为公司研发生产中，根据特定技术需求，自行设计的零部件。对于非标件采购，公司主要
通过向供应商提供设计图纸、技术指标与工艺要求，由供应商自行采购原材料进行加工并完成定制。为保证
公司产品的质量和性能，公司制定了严格的供应商准入审核标准，对供应商技术实力、生产能力、品控体系
、交付能力、运营能力等多维度进行评估，并邀请供应商定期/不定期进行新产品、新材料或加工技术交流
，持续提升供应商技术能力水平，以保证公司产品的技术先进性。公司依据研发项目需求、生产需求和物料
库存情况，通过订单方式向供应商下发采购需求，并按照需求时间安排供应商排产，经验证合格后入库。
（4）生产模式
公司的产品主要根据客户的差异化需求和采购意向，进行定制化设计及生产制造。公司主要采用库存式
生产和订单式生产相结合的生产模式。
库存式生产，指公司尚未获取正式订单便开始生产，包括根据Demo订单或较明确的客户采购意向启动的
生产活动，适用于公司的Demo机台和部分销售机台。订单式生产，指公司与客户签署正式订单后进行生产，
适用于公司大部分的销售机台。
（5）销售和服务模式
报告期内，公司销售模式以直销为主，通过与潜在客户商务谈判、公开招投标、合作开发等方式获取客
户订单。经过多年沉淀，公司已与国内半导体芯片制造厂商建立了长期可持续的深度战略合作关系。
公司标准化销售流程一般包括市场调查与技术推介、获取客户工艺需求、公司内部工艺方案研讨、定制
化报价、招投标全流程管理（如需）、商务谈判、合同评审、销售订单（或Demo订单）的签订、设备生产与
交付、客户端产品安装与调试、分阶段工艺测试、客户验收、合同回款等步骤。
通常，公司设备在客户端完成安装与调试后，需配合客户在其生产线上完成多轮工艺匹配与稳定性验证
。客户完成设备相关测试并出具验收文件后，公司据此确认该设备的销售收入。此外，公司提供覆盖产品全
生命周期的售后服务。
报告期内，公司主要经营模式未发生重大变化。
二、经营情况的讨论与分析
报告期内，公司积极把握半导体技术迭代升级、下游应用需求扩张与国产替代的发展机遇，充分发挥公
司在产品方面的技术创新迭代快、性能优异、覆盖面广、量产规模大等竞争优势，以及在研发团队、技术储
备、客户资源及售后服务等方面的深厚积淀，坚持自主创新，构建了较为完善的薄膜沉积设备、三维集成设
备的产品矩阵，并快速提升公司产品在先进存储、先进逻辑芯片制造领域的覆盖面及量产规模。同时，持续
强化公司运营管理，促进公司高质量、稳健、快速的发展，在经营业绩、产品研发、市场销售等诸多方面取
得了优异成果，进一步促进公司综合实力的提升。
1、主要经营情况
报告期内，随着公司PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、FlowableCVD等薄膜沉积设备及三维集成设备产品的
持续性技术突破与规模化量产应用，公司在先进制程领域的产品核心竞争力显著提升，业务规模实现大幅增
长。报告期内，公司实现营业收入291,286.43万元，同比增长49.06%；实现归属于上市公司股东的净利润13
4,275.40万元，同比增长1,324.10%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润36,733.50万元
，同比增长861.92%。
截至2026年6月30日，公司总资产2,531,214.98万元，较2025年年末增长27.69%；归属于上市公司股东
的净资产1,271,569.96万元，较2025年年末增长92.37%。公司资产质量良好，财务状况稳健。
2、公司产品研发及产业化进展情况
报告期内，公司持续加大力度推进先进制程领域的新产品、新工艺的拓展与量产应用，通过持续自主创
新和高强度研发投入，保持薄膜沉积设备和三维集成设备的技术领先优势，薄膜沉积设备和三维集成设备已
广泛应用于先进存储、先进/成熟逻辑、先进封装、功率器件、Micro-OLED、硅光技术、图像传感器（CIS）
等领域。公司报告期内的研发投入金额达到42,280.92万元，同比增长21.09%。公司先进产品凭借高质量、
高性能的优异表现，批量通过了客户验证，致公司业务规模和收入快速增长。
在薄膜沉积设备方面，公司仍持续围绕以PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD以及FlowableCVD为主的薄膜沉积
技术深耕拓展和迭代升级，定制化开发不同类型的高产能平台和反应腔，精准满足先进制程领域对多种先进
薄膜工艺的高要求。报告期内，公司已出货不同工艺的PECVD设备产品至海外客户端；基于反应腔pX和Supra
-D研发的PECVDStack（ONO叠层）、ACHM系列工艺、OPN、SiB等多款先进工艺设备以及PECVDBianca工艺设备
持续扩大量产规模，且基于pX反应腔开发的α-Si工艺设备已通过先进逻辑客户的验证；公司基于原有已规
模量产的PF-300M高产能平台开发了PF-300L平台，并设计了nX、kX等反应腔，以满足先进制程芯片对低介电
常数材料的高性能指标需求，该系列产品已出货至客户端验证；公司目前已实现对PECVDACHM系列工艺（包
括ACHM-I、ACHM-II、ACHM-III等适配不同沉积温度的薄膜工艺）、α-Si、SiB、高温SiN等多款硬掩膜工艺
的覆盖，且这些工艺在先进制程中应用广泛，公司是国内集成电路领域硬掩膜工艺覆盖最全面的设备厂商。
公司多台PE-ALDSiO2、SiCO等工艺设备通过客户验证，在先进存储客户量产规模快速攀升，同时获得了客户
批量订单，且SiO2、SiN、SiCO、TiO等工艺设备持续出货至客户端；Thermal-ALD在持续拓展新工艺，多台
产品出货至客户端，包括AlN、Al2O3、LaO、TiON等先进工艺。截至报告期末，公司多台ALD设备在客户端完
成重复订单验收，量产规模持续增长。公司沟槽填充系列产品持续获得客户批量订单、出货，进一步扩大量
产应用规模，其中，SACVDPESAF薄膜工艺设备已多台通过不同客户验证。截至报告期末，公司推出的PECVD
、ALD、SACVD、HDPCVD及FlowableCVD等薄膜设备可以支撑先进存储、先进逻辑等领域中所需的约100多种工
艺应用。在应用于三维集成设备方面，报告期内，公司持续拓展新产品，包括芯片对晶圆熔融键合、键合界
面空洞修复等产品，同时，公司拓展了多个新客户。目前公司三维集成设备产品已覆盖先进存储、先进逻辑
、图像传感器等多个领域应用，公司致力于为三维集成领域提供全面的技术解决方案。
随着芯片技术的迭代升级，公司先进产品量产规模不断攀升，截至本报告期末，公司累计出货超过3,80
0个反应腔（包括超过480个新型反应腔pX和Supra-D），进入约100条生产线。公司薄膜沉积设备在客户端产
线生产运行稳定性表现优异，平均机台稳定运行时间（Uptime）超过90%（达到国际同类设备水平）。公司
薄膜沉积设备系列产品在晶圆制造产线的量产应用规模快速扩大，截至本报告期末，公司薄膜沉积设备在客
户端产线生产产品的累计流片量约6亿片。
（1）PECVD系列产品研发及产业化进展情况
公司自成立就开始研制PECVD设备，在PECVD设备技术领域具有十余年的研发和产业化经验，并形成了覆
盖全系列PECVD薄膜材料的设备。
1.PECVD产品PECVD设备作为公司的主打产品，已实现全系列PECVD介质薄膜材料的覆盖，包括通用介质
薄膜材料（包括SiO2、SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、BPSG、PSG等）、先进介质薄膜材料（包括LoK-Ⅰ、L
oK-Ⅱ、LoK-III、ADC-Ⅰ、ADC-Ⅱ、ADC-III、Stack（ONO叠层）、OPN等）及先进硬掩膜材料（包括ACHM-I
、ACHM-II、ACHM-III、HTN、α-Si、SiB等）均广泛应用于国内集成电路制造产线。报告期内，公司PECVD
设备以良好的稳定性、高产能及优异的薄膜工艺指标等特点持续保持竞争优势，获得客户复购和批量订单，
不断扩大量产规模。
报告期内，公司面向先进存储等领域自主研发的基于反应腔pX和Supra-D的PECVDStack（ONO叠层）、AC
HM系列工艺、OPN、SiB等多款关键工艺设备以及PECVDBianca先进工艺设备持续扩大量产规模，并持续获得
客户批量复购订单；在先进逻辑领域，公司多台PECVD通过客户验证，包括基于pX反应腔开发的PECVDα-Si
先进工艺设备。上述工艺产品满足先进制程对高产能及更严格的薄膜性能指标的需求。截至本报告期末，基
于反应腔pX和Supra-D开发的系列工艺设备已累计出货超过480个反应腔，PECVDBianca先进工艺产品累计出
货超过90个反应腔，该等关键工艺设备均在快速扩大应用规模，为客户提供先进薄膜工艺技术的全套解决方
案，同时有效降低客户成本。
公司基于原有已规模量产的PF-300M高产能平台开发了PF-300L平台，并设计了nX、kX等反应腔，以满足
先进制程芯片对低介电常数材料高性能指标需求，该系列产品已出货至客户端验证，为客户提供先进薄膜工
艺技术的解决方案。
此外，公司紧跟先进存储、先进逻辑、三维集成等领域芯片技术迭代需求，不断前瞻式深耕拓展新工艺
、新产品，其中，公司开发的更高产能的NF-300MSupra-H设备已进行工艺优化及多重验证。该设备可以沉积
多层Stack（ONO叠层）介质材料薄膜，实现更优异的均匀性和更高累计ONO叠层工艺，满足先进存储芯片制
造领域最先进的研发和生产需求。
2.UVCure产品
UVCure设备作为公司薄膜后处理相关产品，与PECVD设备成套使用，为PECVDHTN、LoK-Ⅱ等薄膜沉积进
行紫外线固化处理。公司UVCure（HTN、LoK-Ⅱ工艺）均已实现产业化应用，报告期内持续获得客户的订单
、出货，扩大应用规模。
1.PE-ALD产品报告期内，公司多台PE-ALDSiO2、SiCO等工艺设备通过客户验证，在先进存储领域的量产
规模进一步攀升。同时，公司PE-ALD获得了客户批量订单，SiO2、SiN、SiCO、TiO等工艺设备持续出货至客
户端。
截至报告期末，公司PE-ALD高温、低温、高质量SiO2、SiN、SiCO、TiO等介质薄膜工艺设备已应用至存
储芯片、逻辑芯片制造等领域，覆盖芯片填孔(Gap-fill)、侧墙（Spacer）、衬垫层（Liner）等工艺需求
。
2.Thermal-ALD产品
公司Thermal-ALD设备已实现产业化应用，可以沉积Al2O3、AlN、TiN、TiON、LaO等金属及金属化合物
等先进薄膜材料，可应用于先进存储、先进逻辑、先进封装等领域，覆盖High-K栅极、电极层、金属互联等
工艺需求。
报告期内，公司Thermal-ALD在持续拓展新工艺，多台产品出货至客户端验证，包括AlN、Al2O3、LaO、
TiON等先进工艺。此外，公司将持续稳步拓展Thermal-ALD其他薄膜工艺，前瞻性开发前沿技术所需的薄膜
工艺材料。
截至报告期末，公司ALD设备量产规模持续增长，是集成电路领域量产型ALD设备的领军企业。
报告期内，公司SACVD系列产品持续保持产品竞争优势，获得客户批量订单、批量出货及通过客户验证
。公司推出的PESAF薄膜工艺设备已多台通过不同客户验证，进一步扩大量产应用规模，并获得客户的复购
批量订单，满足先进存储领域应用需求。
报告期内，公司HDPCVD持续获得客户批量订单、出货及通过客户验证。截至报告期末，公司HDPCVDUSG
、FSG薄膜工艺设备均已实现产业化，并持续扩大量产规模。
截至报告期末，公司自主研发的FlowableCVD产品已有多台通过客户验证，在先进逻辑领域实现了产业
化应用。报告期内，公司持续获得订单并出货。
1.晶圆对晶圆混合键合产品公司晶圆对晶圆混合键合产品是公司最早推出的混合键合产品，已实现产业
化，可实现百纳米级晶圆混合键合，其关键技术指标、产能指标与设备开机率均达到国际同类产品量产水平
。报告期内，公司持续拓展晶圆对晶圆混合键合产品的应用领域，获得客户订单并出货。
报告期内，公司研发的新一代高速高精度晶圆对晶圆混合键合产品Dione300eX在客户端验证进展顺利。
该产品采用更先进的对准技术，拥有更高的对准精度、键合精度和设备产能，可达到国际同类产品最先进水
平。
2.晶圆对晶圆熔融键合产品
公司研制的晶圆对晶圆熔融键合产品Dione300FeX，可实现载片晶圆和器件晶圆低应力熔融键合，具备
优异的产能表现。截至报告期末，该产品已出货至不同客户验证。
3.芯片对晶圆键合前表面预处理产品
公司推出的芯片对晶圆键合前表面预处理产品Propus已实现产业化，可以在芯片对晶圆混合键合前实现
晶圆及切割好的芯片的表面活化和清洗，具备高产能的特点。报告期内，该产品持续获得不同客户订单并出
货。
4.芯片对晶圆混合键合产品
公司研制的芯片对晶圆混合键合产品Pleione，可以实现芯片顺序拾取并精准键合到晶圆上，精度可达
百纳米级，具有高精度、高产能、低污染的特点。截至本报告期末，该产品正在客户端进行验证，公司同时
进一步提升其量产性能指标。
5.芯片对晶圆熔融键合产品
芯片对晶圆熔融键合技术可以支撑先进封装的前沿应用。与传统键合方法不同，该技术无需键合介质或
粘合剂，而是在室温下直接键合；同时，还能筛选已知合格芯片（KnownGoodDie），从而大幅提升良率。报
告期内，公司已完成该产品的研制，并获得不同客户订单。6键合套准精度量测产品
公司自主研发的键合套准精度量测产品可以实现混合键合后的键合精度量测，具有超高精度、超高产能
和无盲区量测三大特点，并有效兼容晶圆对晶圆和芯片对晶圆混合键合量测场景。该产品已通过客户验证，
实现产业化应用。报告期内，公司持续拓展该产品的应用，获得新客户订单。
7.键合强度检测产品
公司研制的键合强度检测产品可以实现晶圆键合后的强度检测。截至报告期末，该产品已通过客户验证
，实现产业化应用。
8.永久键合后晶圆激光剥离产品
报告期内，公司已完成晶圆级永久键合后晶圆激光剥离产品的研制，并获得客户订单。晶圆激光剥离技
术能有效克服临时键合技术中有机胶残留和耐温性差的问题，帮助客户有效优化工艺成本和前道兼容性。
9.键合界面空洞修复产品
公司自主研发的高精度键合界面空洞修复设备可实现晶圆对晶圆、芯片对晶圆键合工艺中产生的界面空
洞缺陷修复。报告期内，该产品开发进展顺利。
3、供应链保障方面
在供应链建设方面，公司建立了完善的供应链管理体系，吸纳积累全球半导体行业内的优质供应链资源
，关键零部件采用“多源采购”模式，并与核心供应商建立长期战略合作关系，确保关键部件的及时稳定供
应。在此基础上，公司与供应商构建了协同创新机制，在开展新产品、新技术开发过程中保持与供应商的深
度协作，确保部件产品性能达到公司先进技术需求，形成稳定的、互信的、共赢的供应链生态。这一体系为
公司产品研发、量产交付与持续创新提供了可靠保障。
报告期内，公司上游供应链总体保持稳定，有效保障设备生产并及时交付。
4、市场销售情况
报告期内，公司持续深耕中国大陆高端半导体设备市场并积极开拓海外市场，依托自主可控的创新技术
、客户资源的积累布局、高效售后服务体系等多方面的核心竞争优势，持续提升产品综合竞争力，成功导入
多家新客户、获得海外客户订单并出口至海外市场。截至报告期末，公司在手订单饱满，可为全年交付与业
绩增长提供坚实支撑。
公司持续拓展薄膜沉积及三维集成设备新工艺、新机型，同时持续与下游芯片客户开展前瞻性联合研发
，紧密跟进前沿工艺迭代需求，根据客户差异化制程目标，提供高度定制化、对标国际一线性能标准的成套
设备解决方案，并配套7×24小时驻场调试、工艺迭代升级、备件快速响应、年度设备维保等全方位高质量
的技术服务。公司以客户的应用需求为导向，驱动技术创新，不断完善先进产品矩阵，保持市场份额的稳步
提升，进一步巩固公司市场地位，为长期业务发展筑牢根基。
5、人才队伍建设情况
报告期内，公司结合战略规划与业务发展目标，持续加强人才梯队建设，致力于打造一支高素质、富有
创新精神和协作能力的人才队伍。截至2026年6月30日，公司员工总数2,049人，其中研发人员856人，占公
司员工总数的41.78%。
公司构建完善的人才引育留用体系。在人才引进方面，通过校企合作、校园招聘、科学家进校园活动、
赛事合作等方式吸纳优秀毕业生，借助行业活动、内部引才汇聚资深的高层次人才。在人才培养方面，搭建
分层分类培训体系，覆盖技术、管理等多方面，支持员工学历与能力提升，依托博士后基地深化产学研合作
，培育复合型人才，为企业持续发展提供坚实人才支撑。
同时，公司定期开展员工关怀、评优表彰活动，在报告期内组织以“聚势向新，以质行远”为主题的企
业年会、第一季度员工大会、三八节活动等，提升员工归属感与凝聚力。截至本报告期末，公司已实施2022
年限制性股票激励计划和股票增值权激励计划、2023年限制性股票激励计划（含首次授予和预留授予）以及
2025年限制性股票激励计划，上述股权激励计划的实施将进一步促进公司人才队伍的建设和稳定，将公司发
展和员工利益结合在一起，让员工共享发展成果，强化激励，助力公司长远发展。
6、营运管理方面
报告期内，公司开发的智能化软硬件系统（SmartMachine）围绕提升用户使用体验、强化系统核心能力
等方面，持续开展针对性优化升级，并积极推进商业化应用落地。在技术与功能层面，公司结合先进的算法
优化深入探索系统模型，并引入AI技术辅助分析设备运行数据，实现对设备性能的预测，形成完整的分析流
程与结果呈现机制。在用户体验方面，通过优化交互逻辑与系统性能，实现了用户体验与运行效率的双重提
升。2026年，公司积极推动SmartMachine系统在客户端的逐步落地推广，以进一步验证系统技术能力，赋能
客户业务发展，提升公司的综合服务能力与市场竞争力。
公司不断提升产品生产制造水平，优化物料运营管理。公司智能化MES系统（生产管理系统）在保障原
有操作可记录、追溯功能的基础上，结合现场生产实际痛点与一线员工业务需求持续迭代优化，已累计提出
多项系统改善项目，充分发挥MES系统生产支撑、作业指引作用。公司使用配套数据传输系统，实现装配工
序扭矩数据自动直传，有效保障装配作业精度。
公司持续优化质量管理体系，打通研发、供应链、制造及服务全链条，对全流程数据进行动态监测分析
，进一步强化质量管控、提升生产效率与敏捷性，保障生产经营有序开展。公司持续深化EHS（环境、健康
、安全）体系建设，完善绿色环保、职业健康、安全生产及应急管理管控举措，常态化落实风险防控要求，
夯实合规运营基础，保障各项生产经营活动安全有序开展。同时，公司积极推进信息安全管理，持续规范信
息资产管理、数据使用管理等流程，夯实数据安全与客户隐私保护的治理基础。
此外，公司内网部署了GPU服务器资源，自主搭建智能AI办公系统，开发了智能对话与智能体工作流，
实现文档生成、智能问答等工具，使用智能化工具链深度赋能日常业务，有效提升办公效率。
7、募投项目建设进展情况
“高端半导体设备产业化基地建设项目”（以下简称“沈阳二厂”）是公司在辽宁省沈阳市浑南区新建
产业化基地，规划总建筑面积超15万平方米，规划建设内容包括高标准生产洁净间、智能化立体仓储库房、
先进测试实验室等，并配套引入先进的生产管理系统及软硬件设施，致力于打造集规模化、智能化、数字化
于一体的高端半导体设备产业化基地。
沈阳二厂建成后，将大幅提升公司高端半导体设备产能，支撑公司PECVD、SACVD、HDPCVD等薄膜沉积设
备系列产品的产业化能力。同时，通过智能化生产系统的部署，将有效提升生产运营效率，以充分满足下游
市场需求。本项目的实施将有力支撑公司业务规模的持续扩大，进一步巩固在高端半导体设备领域的竞争优
势，为提升市场份额和行业地位奠定坚实基础。报告期内，沈阳二厂主要开展产业化基地主要楼体主体的建
设工作。截至本报告披露日，沈阳二厂已完成主体结构封顶，目前整体项目实施进展顺利，后续将按照既定
计划稳步推进，预计于2028年完成建设并投入使用。
8、对外投资情况
报告期内，公司结合发展战略规划，进一步完善业务发展布局，提升公司的综合竞争力。
（1）向全资子公司增资
报告期内，公司使用首次公开发行股票超募资金向拓荆上海增资人民币10,000.00万元，用于支付首次
公开发行股票超募资金投资项目“半导体先进工艺装备研发与产业化项目”尾款。本次增资后，拓荆上海的
注册资本由人民币143,253.79万元增加至人民币153,253.79万元，公司仍持有拓荆上海100%的股权。拓荆上
海在报告期内尚未办理公司注册资本的工商变更登记。
（2）积极开展产业投资
报告期内，公司开展了对物元半导体、托伦斯及长鑫科技的股权投资，该等投资有助于公司业务的深度
拓展，进一步提升公司整体的市场竞争力及上下游产业链的协同效应，符合公司主营业务及战略发展方向。
此外，公司与沈阳市人民政府国有资产监督管理委员会及其他产业合作方共同发起设立聚芯智能创新中
心，该主体主要围绕应用于先进制程领域的高端集成电路装备新产品、新技术的需求，开展关键零部件的核
心技术开发、验证与应用，并搭建设备及零部件研发、测试平台，孵化相关技术实现产业化聚芯智能创新中
心的设立，将有效强化产业链协同创新机制，促进设备厂商、零部件供应商及应用端的深度融合，助力国家
集成电路装备及零部件产业实现高质量发展。
截至本报告期末，公司及子公司已直接/间接累计投资23家企业，覆盖多个半导体设备产业链领域，强
化产业链协同效应，提升整体业务竞争力。
9、公司治理情况
报告期内，公司共召开股东会2次、董事会4次、董事会审计委员会2次、董事会薪酬与考核委员会1次、
董事会提名委员会1次、董事会战略规划委员会1次及独立董事专门会议2次，所有审议议案均100%获得通过
。公司董事会职责清晰，全体董事能够认真、负责地履行职责。公司严格遵循《公司法》《证券法》《上市
公司治理准则》以及有关法律法规的要求，结合公司发展情况及时修订《拓荆科技股份有限公司薪酬管理制
度》；公司建立由股东会、董事会（含各专门委员会）和公司管理层组成的健全的公司治理架构，持续完善
公司制度建设，不断提升公司治理水平。
10、公司规范运作与信息披露、投资者关系管理及防范内幕交易情况
公司高度重视上市公司规范运作与信息披露管理工作，严格依照股东会、董事会、信息披露和投资者管
理等相关制度规则合规运作。公司认真履行信息披露义务，确保信息披露及时、真实、准确和完整。公司连
续三年获得上交所年度信息披露工作评价“A级”评级。
公司高度重视投资者关系管理相关工作，不断提升投资者关系管理水平，建立了多元化的信息传递渠道
，通过投资者邮箱、投资者电话专线、“上证e互动”平台、业绩说明会、接待投资者现场调研等多种形式
加强与投资者的交流与沟通，促进公司与投资者之间建立长期、稳定的共赢关系，实现公司价值和投资者利
益的最大化。公司已召开2025年年度暨2026年第一季度业绩暨现金分红说明会，通过视频直播和文字互动的
形式，针对广大投资者普遍关心的问题进行了充分交流。
公司高度重视内幕交易防范工作，持续做好内幕信息知情人登记管理和防范内幕交易工作。公司对董事
、高级管理人员及相关员工作出禁止内幕交易的提示，敦促董事、高级管理人员及相关知情人员严格履行保
密义务并严格遵守股票减持等相关规定，维护公司及投资者合法权益。
〖免责条款〗
1、本公司力求但不保证提供的任何信息的真实性、准确性、完整性及原创性等，投资者使
用前请自行予以核实，如有错漏请以中国证监会指定上市公司信息披露媒体为准，本公司
不对因上述信息全部或部分内容而引致的盈亏承担任何责任。
2、本公司无法保证该项服务能满足用户的要求，也不担保服务不会受中断，对服务的及时
性、安全性以及出错发生都不作担保。
3、本公司提供的任何信息仅供投资者参考，不作为投资决策的依据，本公司不对投资者依
据上述信息进行投资决策所产生的收益和损失承担任何责任。投资有风险，应谨慎至上。
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