经营分析☆ ◇688082 盛美上海 更新日期：2024-11-20◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.前5名客户营业收入表】【4.前5名供应商采购表】
【5.经营情况评述】
【1.主营业务】
半导体专用设备的研发、生产和销售。
【2.主营构成分析】
截止日期:2024-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
销售商品(产品) 24.02亿 99.91 12.16亿 99.84 50.64
提供服务(产品) 226.26万 0.09 198.08万 0.16 87.55
─────────────────────────────────────────────────
中国大陆(地区) 24.02亿 99.93 12.18亿 99.97 50.70
中国大陆外(地区) 165.31万 0.07 37.77万 0.03 22.84
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2023-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
半导体设备(行业) 37.15亿 95.53 18.98亿 93.89 51.10
其他业务(行业) 1.74亿 4.47 1.24亿 6.11 71.10
─────────────────────────────────────────────────
半导体清洗设备(产品) 26.14亿 67.24 12.71亿 62.88 48.62
其他半导体设备（电镀、立式炉管、无 9.40亿 24.18 5.59亿 27.67 59.50
应力抛铜等设备）(产品)
其他业务(产品) 1.74亿 4.47 1.24亿 6.11 71.10
先进封装湿法设备(产品) 1.60亿 4.12 6743.54万 3.34 42.14
─────────────────────────────────────────────────
中国大陆(地区) 36.67亿 94.31 18.66亿 92.30 50.88
其他业务(地区) 1.74亿 4.47 1.24亿 6.11 71.10
中国大陆外(地区) 4730.18万 1.22 3221.11万 1.59 68.10
─────────────────────────────────────────────────
直销模式(销售模式) 37.15亿 95.53 18.98亿 93.89 51.10
其他业务(销售模式) 1.74亿 4.47 1.24亿 6.11 71.10
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2023-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
销售商品(产品) 16.08亿 99.90 --- --- ---
提供服务(产品) 163.34万 0.10 --- --- ---
─────────────────────────────────────────────────
中国大陆(地区) 14.70亿 91.34 --- --- ---
中国大陆外(地区) 1.39亿 8.66 --- --- ---
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2022-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
半导体设备(行业) 27.56亿 95.93 13.24亿 94.22 48.03
其他(补充)(行业) 1.17亿 4.07 8116.71万 5.78 69.38
─────────────────────────────────────────────────
半导体清洗设备(产品) 20.78亿 72.34 10.04亿 71.43 48.28
其他半导体设备（电镀、立式炉管、无 5.18亿 18.02 2.70亿 19.19 52.07
应力抛铜等设备）(产品)
先进封装湿法设备(产品) 1.60亿 5.57 5063.20万 3.60 31.66
其他(补充)(产品) 1.17亿 4.07 8116.71万 5.78 69.38
─────────────────────────────────────────────────
中国大陆(地区) 27.22亿 94.75 13.10亿 93.21 48.11
其他(补充)(地区) 1.17亿 4.07 8116.71万 5.78 69.38
中国大陆外(地区) 3396.68万 1.18 1424.23万 1.01 41.93
─────────────────────────────────────────────────
直销模式(销售模式) 27.56亿 95.93 13.24亿 94.22 48.03
其他(补充)(销售模式) 1.17亿 4.07 8116.71万 5.78 69.38
─────────────────────────────────────────────────
【3.前5名客户营业收入表】
截止日期:2023-12-31
前5大客户共销售18.63亿元，占营业收入的47.92%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│客户名称 │ 营收额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│客户一 │ 44929.98│ 11.56│
│客户二 │ 44084.60│ 11.34│
│客户三 │ 38982.30│ 10.03│
│客户四 │ 30433.79│ 7.83│
│客户五 │ 27884.88│ 7.17│
│合计 │ 186315.55│ 47.92│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【4.前5名供应商采购表】
截止日期:2023-12-31
前5大供应商共采购7.20亿元，占总采购额的23.77%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│供应商名称 │ 采购额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│供应商一 │ 30025.94│ 9.91│
│供应商二 │ 13528.23│ 4.47│
│供应商三 │ 10125.62│ 3.34│
│供应商四 │ 9444.78│ 3.12│
│供应商五 │ 8876.78│ 2.93│
│合计 │ 72001.35│ 23.77│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【5.经营情况评述】
截止日期:2024-06-30
●发展回顾:
一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
（一）所属行业情况
半导体产业的发展是全球经济重要的组成部分。半导体涉及了汽车电子、人工智能、服务器芯片、专用
IC、材料设备、物联网芯片、汽车MCU、晶圆、封测等多个细分行业，半导体赋能的产业快速发展，对芯片
产出的需求量也与日俱增。目前，半导体产业链中涉及材料、设备、制造等环节头部企业的垄断已经形成。
近年来，尽管中国半导体产业因宏观环境等原因受到了些许影响，但中国仍是全球第一大半导体消费市场。
2024年全球半导体行业整体有望重回增长，这对中国本土半导体产业无疑也是新一轮的发展机遇。高性能计
算用半导体器件的复杂性不断增加，以及汽车、工业和消费电子终端市场需求的预期复苏，将不断促进本国
或本地区半导体产业的发展。
公司自设立以来，一直致力于为全球集成电路行业提供领先的设备及工艺解决方案，坚持差异化国际竞
争和原始创新的发展战略，通过自主研发，建立了较为完善的知识产权体系，凭借丰富的技术和工艺积累，
形成了具有国际领先的前道半导体工艺设备，包括清洗设备（包括单片、槽式、单片槽式组合、超临界CO2
干燥清洗、边缘和背面刷洗）、半导体电镀设备、立式炉管系列设备（包括氧化、扩散、真空回火、LPCVD
、ALD）、前道涂胶显影Track设备、等离子体增强化学气相沉积PECVD设备、无应力抛光设备；后道先进封
装工艺设备以及硅材料衬底制造工艺设备等。
公司凭借深耕集成电路设备产业多年而积累的集成应用经验，掌握了成熟的核心关键工艺技术、生产制
造能力与原始创新的研发能力，拥有成熟的供应链管理和制造体系，同时契合集成电路产业链中下游应用市
场所需。公司凭借领先的技术和丰富的产品线，已发展成为中国大陆少数具有一定国际竞争力的半导体设备
供应商，产品得到众多国内外主流半导体厂商的认可，并取得良好的市场口碑。
报告期内，随着公司技术水平的不断提高、产品成熟度以及市场对公司产品的认可度不断提升，公司业
务开拓迅速，销售收入持续增长，报告期内保持持续盈利。
公司连续多年被评为“中国半导体设备五强企业”，入选首批上海市科学技术委员会颁发的“上海市集
成电路先进湿法工艺设备重点实验室”。公司被认定为国家级“专精特新小巨人企业”、上海市企业技术中
心；获得ISO14001环境管理体系认证和ISO45001职业健康安全管理体系认证；荣获浦东新区川沙新镇人民政
府“2022年度公益慈善奖”、张江镇2022年度企业安全生产工作先进单位、浦东新区人民政府“2023年度浦
东新区经济突出贡献奖”，连续荣获上海市集成电路行业协会颁发“2022年度上海市集成电路内资半导体设
备业销售前五名”和“2023年度上海市集成电路内资半导体设备业销售前五名”等荣誉。此外，公司信息披
露工作得到了监管机构的肯定，2022至2023年度信息披露工作评价结果为“A”，彰显了公司在信息披露领
域的卓越表现和良好的公司治理结构。
（二）公司主营业务情况
1.主要业务
公司从事对先进集成电路制造与先进晶圆级封装制造行业至关重要的单晶圆及槽式湿法清洗设备、电镀
设备、无应力抛光设备、立式炉管设备和前道涂胶显影设备和等离子体增强化学气相沉积设备等的研发、制
造和销售，并致力于为半导体制造商提供定制化、高性能、低消耗的工艺解决方案，有效提升客户多个步骤
的生产效率、产品良率，并降低生产成本。
2.主要产品
公司经过多年持续的研发投入和技术积累，先后开发了前道半导体工艺设备，包括清洗设备、半导体电
镀设备、立式炉管系列设备、涂胶显影Track设备、等离子体增强化学气相沉积PECVD设备、无应力抛光设备
；后道先进封装工艺设备以及硅材料衬底制造工艺设备等。
（1）前道半导体工艺设备
①清洗设备
A.SAPS兆声波单片清洗设备
晶圆表面的兆声波能量与晶圆和兆声波发生器之间的距离呈现周期性的变化。在传统的兆声波清洗工艺
中，不同工序后应力带来的晶圆翘曲，使得晶圆上不同点到兆声波发生器的距离不同，因此晶圆上不同位置
的兆声波能量也不相同，无法实现兆声波能量在晶圆表面的均匀分布。而且由于硬件位置控制的误差，也会
造成兆声波能量在晶圆表面分布的不均匀。
公司自主研发的SAPS兆声波技术采用扇形兆声波发生器，通过精确匹配晶圆旋转速度、液膜厚度、兆声
波发生器的位置、交变位移及能量等关键工艺参数，通过在工艺中控制兆声波发生器和晶圆之间的半波长范
围的相对运动，使晶圆上每一点在工艺时间内接收到的兆声波能量都相同，从而很好的控制了兆声波能量在
晶圆表面的均匀分布。
B.TEBO兆声波单片清洗设备
公司自主研发的TEBO清洗设备，可适用于28nm及以下的图形晶圆清洗，通过一系列快速（频率达到每秒
一百万次）的压力变化，使得气泡在受控的温度下保持尺寸和形状振荡，将气泡控制在稳定震荡状态，而不
会内爆，从而保持晶圆微结构不被破坏，对晶圆表面图形结构进行无损伤清洗。公司TEBO清洗设备，在器件
结构从2D转换为3D的技术转移中，可应用于更为精细的具有3D结构的FinFET、DRAM和新兴3DNAND等产品，以
及未来新型纳米器件和量子器件等，在提高客户产品良率方面发挥越来越重要的作用。
公司通过自主研发并具有全球知识产权保护的SAPS和TEBO兆声波清洗技术，解决了兆声波技术在集成电
路单片清洗设备上应用时，兆声波能量如何在晶圆上均匀分布及如何实现图形结构无损伤的全球性难题。为
实现产能最大化，公司单片清洗设备可根据客户需求配置多个工艺腔体，最高可单台配置18腔体，有效提升
客户的生产效率。
C.高温单片SPM设备
随着技术节点推进，工艺温度要求在150摄氏度以上，甚至超过200摄氏度的SPM工艺步骤逐渐增加。高
剂量离子注入后的光刻胶去除、无灰化步骤的纯湿法去胶工艺，以及特殊的金属膜层刻蚀或剥离，都对SPM
的温度提出了更高的要求。公司的新型单片高温SPM设备使用独特的多级梯度加热系统来预热硫酸，然后将
硫酸与过氧化氢混合以达到超高温。同时，公司的腔体支持配置其他多种化学品，并配备在线化学品混酸（
CIM）系统，可用于动态设置工艺中的化学品配比及温度。该腔体配置还可支持更多的化学品和灵活的辅助
清洗方案，比如公司独有的专利技术SAPS和TEBO兆声波技术。该设备可支持300mm晶圆单片SPM（硫酸和过氧
化氢混合酸）工艺，可广泛应用于逻辑、DRAM和3D-NAND等集成电路制造中的湿法清洗和刻蚀工艺，尤其适
合处理高剂量离子注入后的光刻胶（PR）去除工艺，以及金属刻蚀和剥离工艺。
D.单片槽式组合清洗设备
公司自主研发的具有全球知识产权保护的Tahoe清洗设备在单个湿法清洗设备中集成了两个模块：槽式
模块和单片模块。Tahoe清洗设备可被应用于光刻胶去除、刻蚀后清洗、离子注入后清洗和机械抛光后清洗
等几十道关键清洗工艺中。Tahoe清洗设备的清洗效果与工艺适用性可与单片中低温SPM清洗设备相媲美。同
时与单片清洗设备相比，还可大幅减少硫酸使用量，帮助客户降低生产成本又能更好符合国家节能减排政策
。
E.单片背面清洗设备
公司研发的单片背面清洗设备采用伯努利卡盘，应用空气动力学悬浮原理，使用机械手将晶圆送入腔体
后，使晶背朝上，晶圆正面朝下，在工艺过程中，精准流量控制的高纯氮气通过晶圆与卡具之间的空隙。同
时，该设备还可精准控制晶圆边缘回刻宽度，做到zeroundercut控制。该设备可用于背面金属污染清洗及背
面刻蚀等核心工艺。
F.边缘湿法刻蚀设备
该设备支持多种器件和工艺，包括3DNAND、DRAM和逻辑工艺，使用湿法刻蚀方法去除晶圆边缘的各种电
介质、金属和有机材料薄膜，以及颗粒污染物。这种方法最大限度地减少了边缘污染对后续工艺步骤的影响
，提高了芯片制造的良率，同时整合背面晶圆清洗的功能，进一步优化了工艺和产品结构。
G.前道刷洗设备
采用单片腔体对晶圆正背面依工序清洗，可进行包括晶圆背面刷洗、晶圆边缘刷洗、正背面二流体清洗
等清洗工序；设备占地面积小，产能高，稳定性强，多种清洗方式灵活可选。该设备可用于集成电路制造流
程中前段至后段各道刷洗工艺。
H.全自动槽式清洗设备
公司开发的全自动槽式清洗设备广泛应用于集成电路领域和先进封装领域的清洗、刻蚀、光刻胶去除等
工艺，采用纯水、碱性药液、酸性药液作为清洗剂，与喷淋、热浸、溢流和鼓泡等清洗方式组合，再配以常
压IPA干燥技术及低压IPA干燥技术，能够同时清洗50片晶圆。该设备自动化程度高，设备稳定性好，清洗效
率高，金属、材料及颗粒的交叉污染低。该设备主要应用于40nm及以上技术节点的几乎所有清洗工艺步骤。
②半导体电镀设备
A.前道铜互连电镀铜设备
公司自主开发针对28nm及以下技术节点的IC前道铜互连镀铜技术UltraECPmap。公司的多阳极局部电镀
技术采用新型的电流控制方法，实现不同阳极之间毫秒级别的快速切换，可在超薄籽晶层上完成无空穴填充
，同时通过对不同阳极的电流调整，在无空穴填充后实现更好的沉积铜膜均匀性，可满足各种工艺的镀铜需
求。
B.三维堆叠电镀设备
应用于填充3d硅通孔TSV和2.5D转接板的三维电镀设备UltraECP3d。基于盛美半导体电镀设备的平台，
该设备可为高深宽比（深宽比大于10:1）铜应用提供高性能、无孔洞的镀铜功能。该设备为提高产能而设计
了堆叠式腔体，能减少消耗品的使用，降低成本，节省设备使用面积。该设备已在客户端量产并继续取得批
量重复订单，开发出针对20200μm深的电镀工艺。
C.新型化合物半导体电镀设备
UltraECPGIII新型化合物半导体电镀设备已在客户实现量产，在深孔镀金工艺中表现优异，台阶覆盖率
在同样工艺参数条件下优于竞争对手水平；同时公司在2023年开发了去镀金技术并实现模块销售。
③立式炉管系列设备
公司研发的立式炉管设备主要包括低压化学气相沉积炉、氧化退火炉、合金炉和原子层沉积炉。报告期
内，公司以UltraFn立式炉设备平台为基础结合之前推出的热原子层沉积炉管技术（UltraFnA），进一步研
发了等离子原子层沉积立式炉UltraFnA。这款设备聚焦核心技术研发，力求满足高产能批式ALD工艺的高端
要求，在能满足原子层沉积工艺的同时具备低累积膜厚气体清洗功能，保证颗粒的稳定性。
④前道涂胶显影Track设备
公司的前道涂胶显影UltraLithTMTrack设备是一款应用于300毫米前道集成电路制造工艺的设备，可提
供均匀的下降气流、高速稳定的机械手以及强大的软件系统，从而满足客户的特定需求。该设备功能多样，
能够降低产品缺陷率，提高产能，节约总体拥有成本（COO）。涂胶显影Track设备支持主流光刻机接口，支
持包括i-line、KrF和ArF系统在内的各种光刻工艺，可确保满足工艺要求的同时，让晶圆在光刻设备中曝光
前后的涂胶和显影步骤得到优化。
⑤等离子体增强化学气相沉积PECVD设备
公司的等离子体增强化学气相沉积UltraPmaxTMPECVD设备配置自主知识产权的腔体、气体分配装置和卡
盘设计，能够提供更好的薄膜均匀性、更优化的薄膜应力和更少的颗粒特性。
⑥无应力铜互连平坦化设备
公司的无应力抛光设备将无应力抛光技术SFP(Stress-Free-Polish)与低下压力化学机械平坦化技术CMP
相结合，集成创新了低k/超低k介电质铜互连平坦化Ultra-SFP抛光集成系统，集合二者优点，利用低下压力
化学机械抛光先将铜互联结构中铜膜抛至150nm厚度，再采用无应力抛光SFP的智能抛光控制技术将抛光进行
到阻挡层，最后采用公司自主开发的热气相刻蚀技术，将阻挡层去除。无应力抛光设备应用于铜低k/超低k
互连结构有诸多优点：其一，依靠抛光自动停止原理，平坦化工艺后凹陷更均匀及精确可控；其二，工艺简
单，采用环保的可以循环实用的电化学抛光液，没有抛光垫，研磨液等，耗材成本降低50%以上；对互联结
构中金属层和介质层无划伤及机械损伤。
⑦新型化合物半导体刻蚀设备
公司推出了6/8寸化合物半导体湿法工艺产品线，以支持化合物半导体领域的工艺应用，包括碳化硅(Si
C)、氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)等。
（2）后道先进封装工艺设备
①先进封装电镀设备
公司在半导体先进封装领域进行差异化开发，解决了在更大电镀液流量下实现平稳电镀的难题，在高速
电镀锡银方面也实现突破，在客户端成功量产。采用独创的第二阳极电场控制技术更好地控制晶圆平边或缺
口区域的膜厚均匀性控制，实现高电流密度条件下的电镀，凸块产品的各项指标均满足客户要求。在针对高
密度封装的电镀领域可以实现2μm超细RDL线的电镀以及包括铜、镍、锡、银和金在内的各种金属层电镀。
自主开发的橡胶环密封专利技术可以实现更好的密封效果，并获得中国头部先进封装客户订单；同时开发出
针对chiplet助焊剂清洗的负压清洗设备取得多台订单；在新客户开发其他金属合金电镀工艺，并实现验收
。
②涂胶设备
公司的升级版8/12寸兼容的涂胶设备，用于晶圆级封装领域的光刻胶和Polyimide涂布、软烤及边缘去
除。涂胶腔内采用了公司特有的全方位无死角自动清洗技术，可缩短设备维护时间。涂胶腔内可兼容两种光
刻胶类型。这款升级版涂胶设备对盛美原有的涂胶设备性能和外观都进行了优化升级，可实现热板抽屉式抽
出，方便维修及更换，并且能精确复位，有效保障工序运行。
③显影设备
公司的UltraCdv显影设备可应用于晶圆级封装，是WLP光刻工艺中的步骤。设备可进行曝光后烘烤、显
影和坚膜等关键步骤。设备具备灵活的喷嘴扫描系统，精准的药液流量和温度控制系统，更低的成本控制，
技术领先，使用便捷。
④湿法刻蚀设备
公司的湿法刻蚀设备使用化学药液进行晶圆球下金属层（UBM）的刻蚀工艺。该设备具备领先的喷嘴扫
描系统，可提供行业领先的化学温度控制、刻蚀均匀性。该设备专注安全性，并且拥有药液回收使用功能从
而减少成本，刻蚀腔内可兼容至多三种刻蚀药液单独使用及回收，提高使用效率。
⑤湿法去胶设备
公司的UltraCpr湿法去胶设备设计高效、控制精确，提升了安全性，提高了WLP产能。该设备将湿法槽
式浸洗与单片晶圆清洗相结合，单片腔可实现高压去胶及常压去胶，也可单独使用。去胶平台能够在灵活控
制清洗的同时，最大限度地提高效率，也可与公司专有的SAPS兆声波清洗设备一同使用，以清除极厚或者极
难去除的光刻胶涂层。
⑥金属剥离设备
公司的湿法金属剥离（MetalLiftoff）设备基于公司已有的湿法去胶设备平台，将槽式去胶浸泡模块与
单片清洗腔体串联起来依序使用，在去胶的同时进行金属剥离。该设备可以在不同单片清洗腔中分别配置去
胶功能和清洗功能，并通过优化腔体结构，实现易拆卸、清洗与维护，以解决金属剥离工艺中残留物累积的
问题。
⑦无应力抛光先进封装平坦化设备
公司拓展开发适用于先进封装3D硅通孔及2.5D转接板中金属铜层平坦化工艺应用，为了解决工艺成本高
和晶圆翘曲大的难点，利用无应力抛光的电化学抛光原理，相对比传统化学机械平坦化CMP，没有研磨液、
抛光头和抛光垫，仅使用可循环使用的电化学抛光液；并且不受铜层是否经过退火的影响，去除率稳定；通
过与CMP工艺整合，先采用无应力抛光将晶圆铜膜减薄至小于0.5μm-0.2μm厚度，再退火处理，最后CMP工
艺的解决方案，能够有效解决CMP工艺存在的技术和成本瓶颈。
⑧带铁环晶圆的湿法清洗设备
公司已经研发出可以应用于带铁环晶圆（tape-framewafer）的湿法清洗设备，采用公司自主研发的chu
ck设计和腔体结构，可以支持不同尺寸铁环，可以用于清洗解键合工艺后的胶残留，清洗效果完全满足生产
需求，提升工艺制程的良率。
⑨聚合物清洗设备
聚合物清洗设备使用相关有机溶剂清洗干法刻蚀后的聚合物残留，主要应用于2.5D/3D等先进封装工艺
。聚合物清洗设备腔体可兼容两种有机溶剂，同时配备二流体清洗功能。聚合物清洗工艺过程中药液需要Do
sing功能以保证清洗能力，该设备具有领先的Dosing功能，可根据工艺时间、药液使用时间和有机溶液浓度
控制等灵活进行Dosing设定，保证清洗能力。
⑩TSV清洗设备
TSV清洗设备主要应用于2.5D/3D等先进封装工艺中，TSV工艺中孔内会有聚合物残留，可选择使用高温
硫酸与双氧水混合液进行清洗。TSV清洗设备具有高效的温度控制能力，可控制Wafer表面清洗时温度在170
℃高温。清洗后还可搭配公司专有的SAPS兆声波清洗设备一同使用，保证TSV孔内的清洗效果。
11.背面清洗/刻蚀设备
背面清洗/刻蚀设备可用于介质层清洗和刻蚀、以及常规硅刻蚀工艺。背洗和背刻设备可通过手臂翻转
或者单独的翻转单元进行翻转，腔体使用伯努利原理通过氮气支撑Wafer进行工艺，在完美保护Wafer正面不
受影响的情况下进行背面清洗和刻蚀工艺。
12.键合胶清洗设备
键合胶清洗设备主要用于2.5D/3D工艺中键合胶的去除，涉及到Wafer边缘键合胶去除及正面键合胶去除
。设备配备单独的二流体EBR喷嘴，可用于去除Wafer边缘键合胶；正面只用3根二流体喷嘴，可搭配组合使
用或单独使用，具有高效的去除效率；同时药液可进行回收以减少成本。
13.带框晶圆清洗设备
公司的带框晶圆清洗设备可在同一腔体中同时完成清洗和干燥工艺，实现高效清洗和干燥。公司自研的
处理技术使该设备能够处理厚度小于150微米的薄晶圆。这款设备可在脱粘后的清洗过程中有效清洗半导体
晶圆，其创新溶剂回收系统具有显著的环境与成本效益，该功能可实现近100%的溶剂回收和过滤效果，进而
减少生产过程中化学品用量。
（3）硅材料衬底制造工艺设备
①化学机械研磨后（Post-CMP）清洗设备
公司的CMP后清洗设备用于高质量硅衬底及碳化硅衬底的制造。这款设备在CMP步骤之后，使用稀释的化
学药液对晶圆正背面及边缘进行刷洗及化学清洗，以控制晶圆的表面颗粒和金属污染，该设备也可以选配公
司独有的兆声波清洗技术。并且这款设备有湿进干出（WIDO）和干进干出（DIDO）两种配置，可以选配2、4
或6个腔体，以满足不同产能需求。
②FinalClean清洗设备
公司的FinalClean清洗设备用于高质量硅衬底及碳化硅衬底制造。这款设备在PreClean步骤之后，使用
稀释的化学药液同时结合公司独有的兆声波清洗技术对晶圆正背面进行化学清洗，以控制晶圆表面颗粒和金
属污染。该设备适用于6寸、8寸或12寸晶圆清洗，并且可以选配4腔体、8腔体或12腔体，以满足不同产能需
求。
二、核心技术与研发进展
1.核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
（1）核心技术情况
公司的主要产品包括半导体清洗设备、半导体电镀设备和先进封装湿法设备，通过多年的技术研发，公
司在上述产品领域均掌握了相关核心技术，并在持续提高设备工艺性能、产能，提升客户产品良率和降低客
户成本等方面不断进行创新。这些核心技术均在公司销售的产品中得以持续应用并形成公司产品的竞争力。
公司近年来推出多款拥有自主知识产权的新设备、新工艺。其中UltraPmaxTM等离子体增强化学气相沉积（P
ECVD）设备，即将向中国的一家集成电路客户交付其首台PECVD设备。该设备及前道涂胶显影设备UltraLith
两个全新的产品系列将使公司全球可服务市场规模翻倍增加。
盛美上海的核心技术主要应用于半导体清洗设备、无应力抛光设备和电镀铜设备。这些核心技术均为盛
美上海自主研发取得，与国内外知名设备厂商相比，部分核心技术已达到国际领先或国际先进的水平。
公司推出的多款拥有自主知识产权的新设备、新工艺，包括立式炉管设备、涂胶显影设备、等离子体增
强化学气相沉积（PECVD）设备，核心技术为自主研发，部分核心技术已达到国内领先或国际领先的水平。
（2）公司的领先技术及具体表征
①SAPS兆声波清洗技术
针对传统兆声波清洗工艺中兆声波能量无法均匀控制的问题，公司开发了SAPS兆声波清洗技术。兆声波
的工艺频率范围为1-3MHz，最大功率可达3W/cm2。SAPS兆声波清洗技术通过控制工艺过程中兆声波发生器和
晶圆之间的相对运动，使得晶圆上每一点在工艺时间内接收到的兆声波能量都相同，不受晶圆翘曲的影响，
并确保晶圆上每点所承受的能量在安全范围内。实验证明，SAPS兆声波清洗技术可控制晶圆表面的能量非均
匀度在2%以内，实现了兆声波能量的安全可控。
②TEBO兆声波清洗技术
随着芯片技术节点进一步缩小，以及深宽比进一步增大，图形晶圆清洗的难度变大。当芯片制造技术进
一步延伸至20nm以下，以及图形结构向多层3D发展后，传统兆声波清洗难以控制气泡进行稳态空化效应，造
成气泡破裂，从而产生高能微射流对晶圆表面图形结构造成损伤。
公司自主研发的TEBO清洗设备，可适用于28nm及以下工艺图形晶圆的清洗，通过一系列快速（频率达到
每秒一百万次）的压力变化，使得气泡在受控的温度下保持尺寸和形状振荡，将气泡控制在稳定震荡状态，
而不会内爆，从而保持晶圆微结构不被破坏，对晶圆表面图形结构进行无损伤清洗。公司TEBO清洗设备，在
器件结构从2D转换为3D的技术转移中，可应用于更为精细的具有3D结构的FinFET、DRAM和新兴3DNAND等产品
，以及未来新型纳米器件和量子器件等，在提高客户产品良率方面发挥越来越重要的作用。
③单片槽式组合Tahoe高温硫酸清洗技术
公司研发的单片槽式组合Tahoe高温硫酸清洗设备，此设备集成了
|
