经营分析☆ ◇688082 盛美上海 更新日期：2025-04-02◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.前5名客户营业收入表】【4.前5名供应商采购表】
【5.经营情况评述】
【1.主营业务】
半导体专用设备的研发、生产和销售。
【2.主营构成分析】
截止日期:2024-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
半导体设备(行业) 54.40亿 96.84 26.19亿 95.40 48.14
其他业务(行业) 1.78亿 3.16 1.26亿 4.60 71.10
─────────────────────────────────────────────────
半导体清洗设备(产品) 40.57亿 72.22 18.73亿 68.24 46.17
其他半导体设备（电镀、立式炉管、无 11.37亿 20.24 6.75亿 24.58 59.33
应力抛铜等设备）(产品)
先进封装湿法设备(产品) 2.46亿 4.37 7081.05万 2.58 28.81
其他业务(产品) 1.78亿 3.16 1.26亿 4.60 71.10
─────────────────────────────────────────────────
中国大陆(地区) 54.10亿 96.30 26.04亿 94.88 48.14
其他业务(地区) 1.78亿 3.16 1.26亿 4.60 71.10
中国大陆外(地区) 3035.36万 0.54 1429.01万 0.52 47.08
─────────────────────────────────────────────────
直销模式(销售模式) 54.40亿 96.84 26.19亿 95.40 48.14
其他业务(销售模式) 1.78亿 3.16 1.26亿 4.60 71.10
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2024-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
销售商品(产品) 24.02亿 99.91 12.16亿 99.84 50.64
提供服务(产品) 226.26万 0.09 198.08万 0.16 87.55
─────────────────────────────────────────────────
中国大陆(地区) 24.02亿 99.93 12.18亿 99.97 50.70
中国大陆外(地区) 165.31万 0.07 37.77万 0.03 22.84
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2023-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
半导体设备(行业) 37.15亿 95.53 18.98亿 93.89 51.10
其他业务(行业) 1.74亿 4.47 1.24亿 6.11 71.10
─────────────────────────────────────────────────
半导体清洗设备(产品) 26.14亿 67.24 12.71亿 62.88 48.62
其他半导体设备（电镀、立式炉管、无 9.40亿 24.18 5.59亿 27.67 59.50
应力抛铜等设备）(产品)
其他业务(产品) 1.74亿 4.47 1.24亿 6.11 71.10
先进封装湿法设备(产品) 1.60亿 4.12 6743.54万 3.34 42.14
─────────────────────────────────────────────────
中国大陆(地区) 36.67亿 94.31 18.66亿 92.30 50.88
其他业务(地区) 1.74亿 4.47 1.24亿 6.11 71.10
中国大陆外(地区) 4730.18万 1.22 3221.11万 1.59 68.10
─────────────────────────────────────────────────
直销模式(销售模式) 37.15亿 95.53 18.98亿 93.89 51.10
其他业务(销售模式) 1.74亿 4.47 1.24亿 6.11 71.10
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2023-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
销售商品(产品) 16.08亿 99.90 --- --- ---
提供服务(产品) 163.34万 0.10 --- --- ---
─────────────────────────────────────────────────
中国大陆(地区) 14.70亿 91.34 --- --- ---
中国大陆外(地区) 1.39亿 8.66 --- --- ---
─────────────────────────────────────────────────
【3.前5名客户营业收入表】
截止日期:2024-12-31
前5大客户共销售29.35亿元，占营业收入的52.25%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│客户名称 │ 营收额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│客户一 │ 76162.32│ 13.56│
│客户二 │ 69451.43│ 12.36│
│客户三 │ 62212.32│ 11.07│
│客户四 │ 47601.77│ 8.47│
│客户五 │ 38075.94│ 6.78│
│合计 │ 293503.78│ 52.25│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【4.前5名供应商采购表】
截止日期:2024-12-31
前5大供应商共采购8.34亿元，占总采购额的26.05%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│供应商名称 │ 采购额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│供应商一 │ 38297.26│ 11.96│
│供应商二 │ 13218.10│ 4.13│
│供应商三 │ 11561.26│ 3.61│
│供应商四 │ 11140.38│ 3.48│
│供应商五 │ 9224.89│ 2.88│
│合计 │ 83441.89│ 26.05│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【5.经营情况评述】
截止日期:2024-12-31
●发展回顾:
一、经营情况讨论与分析
半导体产业作为全球经济的关键组成部分，在经历前两年的下滑后，2024年逐步走出低谷迎来回暖态势
。半导体涉及汽车电子、人工智能、服务器、芯片、专用IC、材料设备、物联网芯片、汽车MCU、晶圆、封
测等多个细分行业，随着生成式人工智能技术的爆发，智能手机、AIPC等消费电子市场的复苏，以及汽车电
子、物联网等下游市场需求的持续增长，对芯片产出的需求量与日俱增。目前，半导体产业链中材料、设备
、制造等环节头部企业的垄断格局依然存在，但随着各国和地区对半导体产业的重视和投入增加，竞争也愈
发激烈。中国集成电路产业抓住新机遇，不断发展壮大。
公司自设立以来，始终致力于为全球集成电路行业提供领先的设备及工艺解决方案，坚持差异化国际竞
争和原始创新的发展战略。通过持续的自主研发，公司进一步完善了知识产权体系，凭借丰富的技术和工艺
积累，形成了平台化的半导体工艺设备布局，包括清洗设备、半导体电镀设备、立式炉管系列设备、前道涂
胶显影Track设备、等离子体增强化学气相沉积PECVD设备、无应力抛光设备、后道先进封装工艺设备以及硅
材料衬底制造工艺设备等。公司凭借深耕集成电路设备产业多年而积累的集成应用经验，掌握了核心关键工
艺技术、生产制造能力与原始创新的研发能力，拥有有效的供应链管理和制造体系，同时契合集成电路产业
链中下游应用市场所需。公司凭借领先的技术和丰富的产品线，已发展成为中国大陆少数具有一定国际竞争
力的半导体设备供应商，产品得到众多国内外主流半导体厂商的认可，并取得良好的市场口碑。
公司具有“高新技术企业”资质，被评为国家级“专精特新”小巨人企业，连续多年被评为“中国半导
体设备五强企业”，获得“上海市企业技术中心”和“上海市专精特新企业”等荣誉。报告期内公司被认定
为“上海市创新型企业总部”、“上海市制造业单项冠军企业”；荣获浦东新区人民政府“2023年度浦东新
区经济突出贡献奖”、浦东新区川沙新镇人民政府“2023年度企业综合贡献奖”、世界集成电路协会颁发的
“2024中国半导体企业影响力百强”、上海市集成电路行业协会颁发“2023年度上海市集成电路内资半导体
设备业销售前五名”等荣誉。此外，在2023至2024年度的上市公司信息披露评价中，公司荣获了优秀的“A
”级评级，这是公司连续第二年获得该评级。这一成绩充分体现了公司在信息披露领域的高度透明度和严谨
性，同时也反映了公司在规范治理、合规管理方面的卓越表现，彰显了公司稳健的治理结构和对投资者负责
的态度。
（一）报告期内主要经营情况
报告期内，随着公司技术水平的不断提高、产品成熟度以及市场对公司产品的认可度不断提升，公司业
务开拓迅速，销售收入持续增长，报告期内保持持续盈利。2024年营业收入56.18亿元，2023年为38.88亿元
，同比增长44.48%；2024年归属于上市公司股东的净利润11.53亿元，2023年为9.11亿元，同比增长26.65%
；2024年扣除非经常性损益后的归属于上市公司股东的净利润11.09亿元，2023年为8.68亿元，同比增长27.
79%；2024年末公司总资产121.28亿元，2023年末为97.54亿元，增长24.35%；2024年末归属于上市公司股东
的净资产76.66亿元，2023年末为64.58亿元，增长18.69%；2024年基本每股收益为2.64元，2023年为2.09元
，同比增长26.32%。
（二）报告期内重点任务完成情况
1、生产研发方面
得益于中国半导体设备市场需求增长、公司在清洗设备领域竞争优势的提升以及不断开拓新的半导体设
备产品，报告期内公司销售收入为561,774.04万元，呈持续增长的趋势。公司产品的规模化销售是公司科技
成果与产业深度融合的具体表征。公司产品研发方向符合市场趋势和需求，与产业发展深度融合。产品的研
发成果取得了行业主流客户的认可，客户验证情况良好，增强了公司产品的竞争力。
2、供应保障方面
公司进一步优化销售预测、物料计划和安全库存管理动态协调机制，上线智能化物流系统，实现设备制
造所需零部件的即时交付、高速流转，以期实现设备按时交付。
3、运营管理方面
公司在营运管理中深化关键指标管理体系，尤其聚焦生产管理、材料管理、客户技术支持和设备运行表
现，精细设定一系列严苛关键考核指标，全面覆盖质量、效率、成本和安全等关键维度。公司定期深度剖析
各项指标的执行情况，依据详实统计结果与客户反馈组织高频次内部研讨，拟定关键指标的优化升级方案。
同时，公司大力投入数字化转型，完善升级信息系统。报告期内，公司营运效率显著改进，重复订单设备的
生产制造缺陷率持续降低、设备交付按时率保持在良好水准、物料成本控制等指标达到预期水平。
4、知识产权方面
公司高度重视科技创新和知识产权保护工作，并与员工签订了《保密及知识产权保护协议》。2024年，
公司及控股子公司共申请专利311项，比上年增长了89.63%，截至2024年末累计申请专利1,526项，比上年末
增长了37.11%。2024年，公司及控股子公司共获得专利权38项，截至2024年末公司及控股子公司拥有已获授
予专利权470项（其中发明专利共计468项），比上年末增长了8.05%，其中境内授权专利176项，境外授权专
利294项。该等在中国境内已授权的专利不存在质押、司法查封等权利受限制的情形。
5、人才建设方面
2024年，公司人数从1,578人增长到2,002人，净增长424人，人数增长率为26.87%。随着公司经营规模
不断扩大，公司一方面加强生产管理的人才队伍建设，不断提高生产效率，优化生产流程，培养了一批具备
现代化生产管理技能的人才。另一方面，秉承技术差异化、产品平台化、客户全球化的理念，公司不断加强
高端技术研发人才的引进和培养，在产品开发的过程中，不断发掘和培养更多优秀人才，维持了研发团队的
稳定健康发展。
6、内部治理方面
公司建立了较为完善的公司内控制度和公司治理结构，报告期内持续完善公司治理机制，强化风险管理
和内部控制，严格贯彻执行相关制度，及时发现风险并予以解决，切实保障公司和股东的合法权益，为企业
持续健康发展提供坚实基础。
7、信息披露及防范内幕交易方面
公司严格遵守《中华人民共和国证券法》《上海证券交易所科创板股票上市规则》等法律法规以及监管
机构的各项规定，严格执行公司信息披露管理制度，确保信息披露的真实、准确、完整、及时、公平。通过
上市公司公告、业绩说明会、投资者交流会、上证E互动平台、电话会议、电子邮件等多种渠道，全方位、
多角度地保持公司的高运营透明度，保障广大投资者和市场参与者能够全面了解公司经营状况和发展动态。
针对内幕交易防范工作，公司高度重视并扎实做好内幕信息知情人登记管理工作，严格按照相关规定，
明确内幕信息范围，落实内幕信息知情人登记制度，强化内部信息流转管控。公司定期对董事、监事、高级
管理人员及相关员工发送禁止内幕交易的警示，强调保密义务的重要性，并敦促相关人员严格遵守买卖公司
股票的规定，严防内幕交易行为的发生。
非企业会计准则财务变动情况分析及展望
2024年度，公司剔除股份支付费用后的归属于上市公司股东的净利润达14.44亿元，同比增长35.48%，
主要源于全球半导体行业复苏带来的市场机遇，特别是中国大陆市场需求强劲增长，以及公司在产品技术创
新和市场拓展方面取得的显著成果。
展望未来，在全球半导体产业链重构进程加速的背景下，公司将持续加大研发投入，深化技术创新，巩
固差异化竞争优势。尽管实施股权激励计划产生的股份支付费用可能在一定程度上影响会计准则下的净利润
表现，但这是吸引和留住核心人才的重要举措，有助于增强团队凝聚力和创新动力，对公司长期发展至关重
要。公司将继续优化人才激励机制，在平衡短期费用影响和长期发展收益的同时，不断提升核心业务的盈利
能力，持续为股东创造价值。
二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明
(一)主要业务、主要产品或服务情况
1、主要业务
公司主要从事对集成电路制造行业至关重要的半导体清洗设备、半导体电镀设备、立式炉管系列设备、
涂胶显影Track设备、等离子体增强化学气相沉积PECVD设备、无应力抛光设备、后道先进封装设备以及硅材
料衬底制造工艺设备等的开发、制造和销售，并致力于为半导体制造商提供定制化、高性能、低消耗的工艺
解决方案，有效提升客户多个步骤的生产效率、产品良率，并降低生产成本。
2、主要产品
公司经过多年持续的研发投入和技术积累，先后开发了前道半导体工艺设备，包括清洗设备、半导体电
镀设备、立式炉管系列设备、涂胶显影Track设备、等离子体增强化学气相沉积PECVD设备、无应力抛光设备
；后道先进封装工艺设备以及硅材料衬底制造工艺设备等。
（1）前道半导体工艺设备
①清洗设备
A.SAPS兆声波单片清洗设备晶圆表面的兆声波能量与晶圆和兆声波发生器之间的距离呈现周期性的变化
。在传统的兆声波清洗工艺中，不同工序后应力带来的晶圆翘曲，使得晶圆上不同点到兆声波发生器的距离
不同，因此晶圆上不同位置的兆声波能量也不相同，无法实现兆声波能量在晶圆表面的均匀分布。而且由于
硬件位置控制的误差，也会造成兆声波能量在晶圆表面分布的不均匀。
公司自主研发的SAPS兆声波技术采用扇形兆声波发生器，通过精确匹配晶圆旋转速度、液膜厚度、兆声
波发生器的位置、交变位移及能量等关键工艺参数，通过在工艺中控制兆声波发生器和晶圆之间的半波长范
围的相对运动，使晶圆上每一点在工艺时间内接收到的兆声波能量都相同，从而很好的控制了兆声波能量在
晶圆表面的均匀分布。
B.TEBO兆声波单片清洗设备
公司自主研发的TEBO清洗设备，可适用于28nm及以下的图形晶圆清洗，通过一系列快速（频率达到每秒
一百万次）的压力变化，使得气泡在受控的温度下保持尺寸和形状振荡，将气泡控制在稳定震荡状态，而不
会内爆，从而保持晶圆微结构不被破坏，对晶圆表面图形结构进行无损伤清洗。公司TEBO清洗设备，在器件
结构从2D转换为3D的技术转移中，可应用于更为精细的具有3D结构的FinFET、DRAM和新兴3DNAND等产品，以
及未来新型纳米器件和量子器件等，在提高客户产品良率方面发挥越来越重要的作用。
公司通过自主研发并具有全球知识产权保护的SAPS和TEBO兆声波清洗技术，解决了兆声波技术在集成电
路单片清洗设备上应用时，兆声波能量如何在晶圆上均匀分布及如何实现图形结构无损伤的全球性难题。为
实现产能最大化，公司单片清洗设备可根据客户需求配置多个工艺腔体，最高可单台配置18腔体，有效提升
客户的生产效率。
C.高温单片SPM设备
随着技术节点推进，工艺温度要求在150摄氏度以上，甚至超过200摄氏度的SPM工艺步骤逐渐增加。高
剂量离子注入后的光刻胶去除、无灰化步骤的纯湿法去胶工艺，以及特殊的金属膜层刻蚀或剥离，都对SPM
的温度提出了更高的要求。公司的新型单片高温SPM设备使用独特的多级梯度加热系统来预热硫酸，然后将
硫酸与过氧化氢混合以达到超高温。同时，公司的腔体支持配置其他多种化学品，并配备在线化学品混酸（
CIM）系统，可用于动态设置工艺中的化学品配比及温度。该腔体配置还可支持更多的化学品和灵活的辅助
清洗方案，比如公司独有的专利技术SAPS和TEBO兆声波技术。该设备可支持300mm晶圆单片SPM（硫酸和过氧
化氢混合酸）工艺，可广泛应用于逻辑、DRAM和3D-NAND等集成电路制造中的湿法清洗和刻蚀工艺，尤其适
合处理高剂量离子注入后的光刻胶（PR）去除工艺，以及金属刻蚀和剥离工艺。
D.单片槽式组合清洗设备
公司自主研发的具有全球知识产权保护的Tahoe清洗设备在单个湿法清洗设备中集成了两个模块：槽式
模块和单片模块。Tahoe清洗设备可被应用于光刻胶去除、刻蚀后清洗、离子注入后清洗和机械抛光后清洗
等几十道关键清洗工艺中。Tahoe清洗设备的清洗效果与工艺适用性可与单片中低温SPM清洗设备相媲美。该
设备通过减少高达75%的硫酸消耗量，仅硫酸一项每年就可节省高达数十万美元的成本，帮助客户降低生产
成本又能更好符合国家节能减排政策。该设备具备强大的清洗能力，在26纳米颗粒测试中实现了平均颗粒个
位数的标准，可满足高端制造的严格要求。
E.单片背面清洗设备
公司研发的单片背面清洗设备采用伯努利卡盘，应用空气动力学悬浮原理，使用机械手将晶圆送入腔体
后，使晶背朝上，晶圆正面朝下，在工艺过程中，精准流量控制的高纯氮气通过晶圆与卡具之间的空隙。同
时，该设备还可精准控制晶圆边缘回刻宽度，做到zeroundercut控制。该设备可用于背面金属污染清洗及背
面刻蚀等核心工艺。
F.边缘湿法刻蚀设备
该设备支持多种器件和工艺，包括3DNAND、DRAM和逻辑工艺，使用湿法刻蚀方法去除晶圆边缘的各种电
介质、金属和有机材料薄膜，以及颗粒污染物。这种方法最大限度地减少了边缘污染对后续工艺步骤的影响
，提高了芯片制造的良率，同时整合背面晶圆清洗的功能，进一步优化了工艺和产品结构。
G.前道刷洗设备
设备采用单片腔体对晶圆正背面依工序清洗，可进行包括晶圆背面刷洗、晶圆边缘刷洗、正背面二流体
清洗等清洗工序；设备占地面积小，产能高，稳定性强，多种清洗方式灵活可选。该设备可用于集成电路制
造流程中前段至后段各道刷洗工艺。
H.全自动槽式清洗设备
公司开发的全自动槽式清洗设备广泛应用于集成电路领域和先进封装领域的清洗、刻蚀、光刻胶去除等
工艺，采用纯水、碱性药液、酸性药液作为清洗剂，与喷淋、热浸、溢流和鼓泡等清洗方式组合，再配以常
压IPA干燥技术及低压IPA干燥技术，能够同时清洗50片晶圆。该设备自动化程度高，设备稳定性好，清洗效
率高，金属、材料及颗粒的交叉污染低。该设备主要应用于40nm及以上技术节点的几乎所有清洗工艺步骤。
②半导体电镀设备
A.前道铜互连电镀铜设备
公司自主开发针对28nm及以下技术节点的IC前道铜互连镀铜技术UltraECPmap。公司的多阳极局部电镀
技术采用新型的电流控制方法，实现不同阳极之间毫秒级别的快速切换，可在超薄籽晶层上完成无空穴填充
，同时通过对不同阳极的电流调整，在无空穴填充后实现更好的沉积铜膜厚的均匀性，可满足各种工艺的镀
铜需求。
B.三维堆叠电镀设备
应用于填充3d硅通孔TSV和2.5D转接板的三维电镀设备UltraECP3d。基于盛美半导体电镀设备的平台，
该设备可为高深宽比（深宽比大于10:1）铜应用提供高性能、无孔洞的镀铜功能。该设备为提高产能而设计
了堆叠式腔体，能减少消耗品的使用，降低成本，节省设备使用面积。
C.新型化合物半导体电镀设备
UltraECPGIII新型化合物半导体电镀设备已实现量产，在深孔镀金工艺中表现优异，台阶覆盖率在同样
工艺参数条件下优于竞争对手水平；同时公司开发了去镀金技术并实现模块销售。
③立式炉管系列设备
公司研发的立式炉管设备主要包括低压化学气相沉积炉、氧化退火炉、合金炉和原子层沉积炉，公司炉
管产品已经进入多个中国集成电路晶圆制造厂，已通过验证并大量量产。其中等离子体增强原子层沉积炉管
已进入中国2家集成电路晶圆制造厂，正在做更新优化和为量产准备。
④前道涂胶显影Track设备
公司的前道涂胶显影UltraLithTMTrack设备是一款应用于300毫米前道集成电路制造工艺的设备，可提
供均匀的下降气流、高速稳定的机械手以及强大的软件系统，从而满足客户的特定需求。该设备功能多样，
能够降低产品缺陷率，提高产能，节约总体拥有成本（COO）。涂胶显影Track设备支持主流光刻机接口，支
持包括i-line、KrF和ArF系统在内的各种光刻工艺，可确保满足工艺要求的同时，让晶圆在光刻设备中曝光
前后的涂胶和显影步骤得到优化。
⑤等离子体增强化学气相沉积PECVD设备
公司的等离子体增强化学气相沉积UltraPmaxTMPECVD设备配置自主知识产权的腔体、气体分配装置和卡
盘设计，能够提供更好的薄膜均匀性、更优化的薄膜应力和更少的颗粒特性。
⑥无应力铜互连平坦化设备
公司的无应力抛光设备将无应力抛光技术SFP(Stress-Free-Polish)与低下压力化学机械平坦化技术CMP
相结合，集成创新了低k/超低k介电质铜互连平坦化Ultra-SFP抛光集成系统，集合二者优点，利用低下压力
化学机械抛光先将铜互联结构中铜膜抛至150nm厚度，再采用无应力抛光SFP的智能抛光控制技术将抛光进行
到阻挡层，最后采用公司自主开发的热气相刻蚀技术，将阻挡层去除。无应力抛光设备应用于铜低k/超低k
互连结构有诸多优点：其一，依靠抛光自动停止原理，平坦化工艺后凹陷更均匀及精确可控；其二，工艺简
单，采用环保的可以循环使用的电化学抛光液，没有抛光垫，研磨液等，耗材成本降低50%以上；对互联结
构中金属层和介质层无划伤及机械损伤。
⑦新型化合物半导体刻蚀设备
公司推出了6/8寸化合物半导体湿法工艺产品线，以支持化合物半导体领域的工艺应用，包括碳化硅(Si
C)、氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)等。
（2）后道先进封装工艺设备
①先进封装电镀设备
公司在半导体先进封装领域进行差异化开发，解决了在更大电镀液流量下实现平稳电镀的难题。采用独
创的第二阳极电场控制技术更好地控制晶圆平边或缺口区域的膜厚均匀性控制，实现高电流密度条件下的电
镀，凸块产品的各项指标均满足客户要求。在针对高密度封装的电镀领域可以实现2μm超细RDL线的电镀以
及包括铜、镍、锡、银和金在内的各种金属层电镀。自主开发的橡胶环密封专利技术可以实现更好的密封效
果。
②涂胶设备
公司的升级版8/12寸兼容的涂胶设备，用于晶圆级封装领域的光刻胶和Polyimide涂布、软烤及边缘去
除。涂胶腔内采用了公司特有的全方位无死角自动清洗技术，可缩短设备维护时间。涂胶腔内可兼容两种光
刻胶类型。这款升级版涂胶设备对盛美原有的涂胶设备性能和外观都进行了优化升级，可实现热板抽屉式抽
出，方便维修及更换，并且能精确复位，有效保障工序运行。
③显影设备
公司的UltraCdv显影设备可应用于晶圆级封装，是WLP光刻工艺中的步骤。设备可进行曝光后烘烤、显
影和坚膜等关键步骤。设备具备灵活的喷嘴扫描系统，精准的药液流量和温度控制系统，更低的成本控制，
技术领先，使用便捷。
④湿法刻蚀设备
公司的湿法刻蚀设备使用化学药液进行晶圆球下金属层（UBM）的刻蚀工艺。该设备具备领先的喷嘴扫
描系统，可提供行业领先的化学温度控制、刻蚀均匀性。该设备专注安全性，并且拥有药液回收使用功能从
而减少成本，刻蚀腔内可兼容至多三种刻蚀药液单独使用及回收，提高使用效率。
⑤湿法去胶设备
公司的UltraCpr湿法去胶设备设计高效、控制精确，提升了安全性，提高了WLP产能。该设备将湿法槽
式浸洗与单片晶圆清洗相结合，单片腔可实现高压去胶及常压去胶，也可单独使用。去胶平台能够在灵活控
制清洗的同时，最大限度地提高效率，也可与公司专有的SAPS兆声波清洗设备一同使用，以清除极厚或者极
难去除的光刻胶涂层。
⑥金属剥离设备
公司的湿法金属剥离（MetalLiftoff）设备基于公司已有的湿法去胶设备平台，将槽式去胶浸泡模块与
单片清洗腔体串联起来依序使用，在去胶的同时进行金属剥离。该设备可以在不同单片清洗腔中分别配置去
胶功能和清洗功能，并通过优化腔体结构，实现易拆卸、清洗与维护，以解决金属剥离工艺中残留物累积的
问题。
⑦无应力抛光先进封装平坦化设备
公司拓展开发适用于先进封装3D硅通孔及2.5D转接板中金属铜层平坦化工艺应用，为了解决工艺成本高
和晶圆翘曲大的难点，利用无应力抛光的电化学抛光原理，相对比传统化学机械平坦化CMP，没有研磨液、
抛光头和抛光垫，仅使用可循环使用的电化学抛光液；并且不受铜层是否经过退火的影响，去除率稳定；通
过与CMP工艺整合，先采用无应力抛光将晶圆铜膜减薄至小于0.5μm-0.2μm厚度，再退火处理，最后CMP工
艺的解决方案，能够有效解决CMP工艺存在的技术和成本瓶颈。
⑧带铁环晶圆的湿法清洗设备
公司已经研发出可以应用于带铁环晶圆（tape-framewafer）的湿法清洗设备，采用公司自主研发的chu
ck设计和腔体结构，可以支持不同尺寸铁环，可以用于清洗解键合工艺后的胶残留，清洗效果完全满足生产
需求，提升工艺制程的良率。
⑨聚合物清洗设备
聚合物清洗设备使用相关有机溶剂清洗干法刻蚀后的聚合物残留，主要应用于2.5D/3D等先进封装工艺
。聚合物清洗设备腔体可兼容两种有机溶剂，同时配备二流体清洗功能。聚合物清洗工艺过程中药液需要Do
sing功能以保证清洗能力，该设备具有领先的Dosing功能，可根据工艺时间、药液使用时间和有机溶液浓度
控制等灵活进行Dosing设定，保证清洗能力。
⑩TSV清洗设备
TSV清洗设备主要应用于2.5D/3D等先进封装工艺中，TSV工艺中孔内会有聚合物残留，可选择使用高温
硫酸与双氧水混合液进行清洗。TSV清洗设备具有高效的温度控制能力，可控制Wafer表面清洗时温度在170
℃高温。清洗后还可搭配公司专有的SAPS兆声波清洗设备一同使用，保证TSV孔内的清洗效果。
背面清洗/刻蚀设备
背面清洗/刻蚀设备可用于介质层清洗和刻蚀、以及常规硅刻蚀工艺。背洗和背刻设备可通过手臂翻转
或者单独的翻转单元进行翻转，腔体使用伯努利原理通过氮气支撑Wafer进行工艺，在完美保护Wafer正面不
受影响的情况下进行背面清洗和刻蚀工艺。
键合胶清洗设备
键合胶清洗设备主要用于2.5D/3D工艺中键合胶的去除，涉及到Wa
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