经营分析☆ ◇688110 东芯股份 更新日期：2024-05-04◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.前5名客户营业收入表】【4.前5名供应商采购表】
【5.经营情况评述】
【1.主营业务】
中小容量通用型存储芯片的研发、设计和销售。
【2.主营构成分析】
截止日期:2023-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
───────────────────────────────────────────────
集成电路(行业) 5.29亿 99.72 6211.83万 98.44 11.74
其他业务(行业) 150.00万 0.28 98.39万 1.56 65.59
───────────────────────────────────────────────
NAND(产品) 2.37亿 44.63 827.20万 13.11 3.49
MCP(产品) 1.96亿 36.88 2461.81万 39.01 12.58
DRAM(产品) 4658.54万 8.78 1576.51万 24.98 33.84
NOR(产品) 3755.73万 7.08 638.55万 10.12 17.00
技术服务(产品) 1247.46万 2.35 707.76万 11.22 56.74
其他业务(产品) 150.00万 0.28 98.39万 1.56 65.59
───────────────────────────────────────────────
大中华地区(地区) 3.62亿 68.18 1823.21万 28.89 5.04
非大中华地区(地区) 1.67亿 31.54 4388.62万 69.55 26.23
其他业务(地区) 150.00万 0.28 98.39万 1.56 65.59
───────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 3.69亿 69.58 5458.25万 86.50 14.78
经销(销售模式) 1.60亿 30.14 753.58万 11.94 4.71
其他业务(销售模式) 150.00万 0.28 98.39万 1.56 65.59
───────────────────────────────────────────────
截止日期:2022-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
───────────────────────────────────────────────
集成电路(行业) 11.44亿 99.86 4.64亿 99.79 40.55
其他(补充)(行业) 155.77万 0.14 98.39万 0.21 63.16
───────────────────────────────────────────────
NAND(产品) 7.08亿 61.75 3.32亿 71.42 46.93
MCP(产品) 2.25亿 19.66 4989.45万 10.73 22.14
DRAM(产品) 8162.50万 7.12 2773.89万 5.96 33.98
NOR(产品) 7225.50万 6.30 1470.15万 3.16 20.35
技术服务(产品) 5755.93万 5.02 3960.94万 8.52 68.81
其他(补充)(产品) 155.76万 0.14 98.38万 0.21 63.16
───────────────────────────────────────────────
大中华地区(地区) 9.14亿 79.77 4.00亿 86.11 43.81
非大中华地区(地区) 2.30亿 20.09 6359.85万 13.68 27.62
其他(补充)(地区) 155.77万 0.14 98.39万 0.21 63.16
───────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 10.09亿 88.07 4.26亿 91.58 42.20
经销(销售模式) 1.35亿 11.79 3815.06万 8.20 28.22
其他(补充)(销售模式) 155.77万 0.14 98.38万 0.21 63.16
───────────────────────────────────────────────
截止日期:2021-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
───────────────────────────────────────────────
集成电路(行业) 11.33亿 99.93 4.77亿 99.85 42.09
其他(补充)(行业) 83.90万 0.07 73.21万 0.15 87.26
───────────────────────────────────────────────
NAND(产品) 6.60亿 58.16 3.37亿 70.52 51.07
NOR(产品) 1.88亿 16.53 5711.88万 11.96 30.46
MCP(产品) 1.78亿 15.72 3483.36万 7.29 19.54
DRAM(产品) 7907.63万 6.97 3261.89万 6.83 41.25
技术服务(产品) 2882.29万 2.54 1553.73万 3.25 53.91
其他(补充)(产品) 83.90万 0.07 73.21万 0.15 87.26
───────────────────────────────────────────────
大中华地区(地区) 9.21亿 81.17 4.08亿 85.47 44.35
非大中华地区(地区) 2.13亿 18.75 6868.30万 14.38 32.29
其他(补充)(地区) 83.90万 0.07 73.21万 0.15 87.26
───────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 8.02亿 70.71 3.62亿 75.71 45.10
经销(销售模式) 3.31亿 29.22 1.15亿 24.14 34.80
其他(补充)(销售模式) 83.90万 0.07 73.21万 0.15 87.26
───────────────────────────────────────────────
截止日期:2021-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
───────────────────────────────────────────────
境外销售-中国港澳台地区(地区) 2.22亿 48.78 --- --- ---
境内销售(地区) 1.47亿 32.37 --- --- ---
境外销售-欧美地区(地区) 4575.82万 10.06 --- --- ---
境外销售-日韩地区(地区) 2902.40万 6.38 --- --- ---
境外销售-其他地区(地区) 1074.01万 2.36 --- --- ---
其他业务(地区) 18.75万 0.04 --- --- ---
其他(补充)(地区) 18.98 0.00 --- --- ---
───────────────────────────────────────────────
NAND(业务) 2.33亿 51.30 1.02亿 66.11 43.81
MCP(业务) 9473.06万 20.83 1208.47万 7.82 12.76
NOR(业务) 8547.02万 18.80 2302.66万 14.90 26.94
DRAM(业务) 3127.35万 6.88 1057.71万 6.84 33.82
技术服务(业务) 980.91万 2.16 651.17万 4.21 66.38
其他业务(业务) 18.75万 0.04 --- --- ---
其他(补充)(业务) 18.98 0.00 --- --- ---
───────────────────────────────────────────────
直销(渠道) 2.45亿 53.91 --- --- ---
经销(渠道) 2.09亿 46.05 --- --- ---
其他业务(渠道) 18.75万 0.04 --- --- ---
其他(补充)(渠道) 18.98 0.00 --- --- ---
───────────────────────────────────────────────
【3.前5名客户营业收入表】
截止日期:2023-12-31
前5大客户共销售2.89亿元，占营业收入的54.66%
┌───────────────────────┬──────────┬──────────┐
│客户名称 │ 营收额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼──────────┼──────────┤
│客户1 │ 8639.86│ 16.33│
│客户2 │ 8216.50│ 15.53│
│客户3 │ 5265.69│ 9.95│
│客户4 │ 3476.43│ 6.57│
│客户5 │ 3321.07│ 6.28│
│合计 │ 28919.55│ 54.66│
└───────────────────────┴──────────┴──────────┘
【4.前5名供应商采购表】
截止日期:2023-12-31
前5大供应商共采购7.22亿元，占总采购额的93.53%
┌───────────────────────┬──────────┬──────────┐
│供应商名称 │ 采购额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼──────────┼──────────┤
│供应商1 │ 31320.14│ 40.59│
│供应商2 │ 27509.85│ 35.65│
│供应商3 │ 7482.48│ 9.70│
│供应商4 │ 4149.20│ 5.38│
│供应商5 │ 1704.51│ 2.21│
│合计 │ 72166.18│ 93.53│
└───────────────────────┴──────────┴──────────┘
【5.经营情况评述】
截止日期:2023-12-31
●发展回顾:
一、经营情况讨论与分析
东芯股份是一家聚焦中小容量存储芯片独立研发、设计与销售的存储芯片设计企业，公司以“提供可靠
高效的存储产品及设计方案”为使命，以“成为中国领先的存储芯片设计企业”为愿景，致力于用独立自主
的知识产权、稳定的供应链体系和高可靠性的产品为客户提供高品质的存储产品及解决方案。公司以存储为
核心，同时向“存、算、联”一体化领域进行技术探索，拓展行业应用领域，优化业务布局，以期为客户提
供更多样化的芯片解决方案。
公司所处的存储芯片行业在半导体市场中标准化程度更高，其周期性波动更明显，行业景气度受供需关
系的影响较为显著。2023年，受全球经济环境和半导体行业周期等多方面因素的影响，公司仍然面临着需求
回暖缓慢的严峻考验。受市场环境影响，公司下游客户需求下降明显，同时行业竞争激烈，部分产品销售价
格明显下降。2023年度，公司实现营业收入5.31亿元，较上年度同比下降53.70%；实现归属于上市公司股东
的净利润为-3.06亿元，较上年度同比下降265.13%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润
为-3.27亿元，较上年度同比下降298.13%。截止2023年12月31日；归属于上市公司股东的净资产35.05亿元
，较上年度同比下降10.83%。
（一）坚持独立自主创新、保持高水平研发投入
报告期内，公司基于2xnm制程，持续进行SLCNANDFlash产品系列的研发，不断扩充产品线，新产品陆续
进入研发设计、首次晶圆制备、晶圆测试、样品送样等关键阶段。公司积极推进先进制程的1xnmSLCNANDFla
sh产品的研发及产业化进程，报告期内已完成晶圆制造和功能性验证，目前正处于晶圆测试及工艺调整阶段
，以进一步提升产品可靠性水平。
公司基于48nm、55nm制程，持续进行中高容量的NORFlash产品研发工作，根据不同容量的目标客户群进
行精确定位，保证性能、功耗和性价比的合理匹配。目前公司可以提供符合客户的最高至1Gb容量的NORFlas
h产品。随着公司NORFlash产品持续迭代升级，产品品类不断丰富，将为可穿戴设备、安防监控、物联网、
汽车电子等领域的客户提供多样化、高可靠性的产品选择。
公司在目前已有的DDR3(L)、LPDDR1、LPDDR2产品基础上,持续推进新产品的研发工作。公司设计研发的
LPDDR4x在完成可靠性验证后，将积极进行客户送样及市场推广；设计研发的PSRAM已向客户进行销售。公司
将继续在DRAM领域进行新产品的研发设计，助力公司产品多样性发展。
公司目前已可以向客户提供高至8Gb+8Gb、16Gb+16Gb的MCP产品，主要应用于车载模块等应用领域。公
司将继续开发更高容量组合的MCP产品，以便为客户提供更多样化的产品选择。车规产品研发进度方面，公
司SLCNANDFlash、NORFlash以及MCP均有产品通过AEC-Q100测试，将适用于要求更为严苛的车规级应用环境
。公司正在积极进行客户端的产品导入工作。公司已有产品向境外知名的一级汽车供应商（Tier1）销售。
公司高度重视知识产权的自主性与完整性，在不断开发新技术、新产品的同时，通过多种途径对相关的
知识产权进行保护。报告期内，公司新增申请发明专利23项、新增授权发明专利14项、获得软件著作权1项
、获得集成电路布图设计权13项。截至报告期末，公司拥有境内外有效专利84项、软件著作权14项、集成电
路布图设计权81项、注册商标14项。公司专利涉及NANDFlash、NORFlash、DRAM等存储芯片的设计核心环节
。
公司持续加大研发投入力度，报告期内，公司研发费用1.82亿元，占当期营业收入34.34%，较上年同比
增长24.71个百分点。
（二）优化供应链布局，保障产能稳定
公司作为Fabless设计公司，注重建立稳定可靠的供应链体系，与国内外多家知名晶圆代工厂、封测厂
建立互助、互利、互信的合作关系，打造了具有“本土深度、全球广度”的供应链体系。报告期内，公司保
持了与上游合作伙伴的稳定合作，共同应对市场需求波动带来的巨大挑战。公司与晶圆厂进行深度战略合作
交流，双方在工艺调试设计、产品开发、晶圆测试优化等全流程各环节形成了良好的沟通与合作，通过签署
战略合作协议等方式加深上下游合作、为公司业务发展提供产能的保障。公司与紫光宏茂、华润安盛、南茂
科技、ATSemicon等国内外知名封测厂建立稳定的合作关系，建立健全的全球化供应链以满足不同客户的需
求。
（三）强化质量管理，提供优质服务
公司秉持着“品质”、“竞争力”、“客户满意”、“持续改进”的质量方针不断优化服务流程和运营
系统，持续提升相应的产品质量与服务质量管理体系，能够为全球客户第一时间提供高效的服务支持。公司
设有专人管理质量体系，生产质量，测试质量，产品仓储运输等生产相关环节。针对关键工艺细节管控及关
键原材料把关，公司将在充实相关部门人力资源的同时，持续加强与代工厂及客户的深入合作，整合各方资
源，优化整体制造供应环境，从而不断提升产品生产制造品质。
2023年度，公司不断优化内部质量系统化建设。公司完成了内部文控中心的全方位的系统升级，为公司
内部的系统化质量管理保驾护航。公司开展了ISO22301标准的建设及实操，以质量为本，为公司整体业务可
持续发展打下了坚实的基础。公司持续推进公司及供应链的车规质量体系的建立，持续加强产品可靠性及生
产制程的监控力度。
公司建立了优秀的客户服务团队，并制定了客户技术支持的服务规范、客户投诉的处理流程、不合格产
品的管控程序、产品失效分析程序等一系列制度规则，旨在高效率、高质量地应对不同客户的服务需求。公
司将客户服务理念贯穿到产品研发至售后的各个环节，在内部形成一个良好的处理闭环，持续提升品质管控
体系，推动公司产品不断精益求精。
（四）关注人才培养，推进实施股权激励计划
公司持续重视人才队伍建设和储备，不断加强人才培养机制，除了持续引入具有国际视野的、有丰富行
业经验和管理经验的中高层人员外，也通过各种培养项目锻造执行团队，培养梯队人才。公司持续优化绩效
评估机制和职位晋升机制，建立合理有效的激励机制，激发人才的创新思维和主观能动性，提高人才的自我
认同感，保证公司人才团队的稳定健康发展。
在企业文化建设方面，公司精心策划并举办了丰富多彩的家庭日、团队建设日等，旨在深化员工间的情
感纽带，提升团队凝聚力。报告期内，公司实施了2023年限制性股票激励计划，极大激发了员工积极性和活
力，增强了公司凝聚力，助力公司持续健康发展。
（五）完善公司治理、强化信息披露及投资者保护
公司严格按照《公司法》《证券法》《上海证券交易所科创板股票上市规则》等相关法律、法规、规章
和规则及《公司章程》《信息披露制度》的要求，认真履行信息披露义务，保证信息披露的真实、准确、完
整，进一步提升公司规范运作水平和透明度。建立健全各项内部控制制度，提升内部审计监督职能，逐步推
进信息披露、募集资金管理等各项工作的规范化，促进公司规范运作、科学决策，推动公司各项业务顺利有
序地开展。
公司通过上市公司公告、业绩说明会、投资者交流会、上证E互动平台、电话会议、电子邮件等多种渠
道，全方位、多角度地保持公司的高运营透明度，保障广大投资者和市场参与者能够全面了解公司经营状况
和发展动态。
公司践行“以投资者为本”的上市公司发展理念，积极通过分红、回购等方式维护广大投资者利益，增
强投资者对公司的投资信心。
二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明
(一)主要业务、主要产品或服务情况
1、主要业务
公司是目前中国大陆少数能够同时提供NANDFlash、NORFlash、DRAM等存储芯片完整解决方案的公司，
产品广泛应用于网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗等领域。公司致力于用独立自主的知识产权
、稳定的供应链体系和高可靠性的产品为客户提供高品质的存储产品及服务。公司设计研发的1xnmNANDFlas
h、48nmNORFlash均为我国领先的闪存芯片工艺制程，实现了国内闪存芯片的技术突破。
2、主要产品及服务
存储芯片通过对存储介质进行电子或电荷的充放电标记不同的存储状态实现数据存储，根据断电后存储
的信息是否留存分为易失性存储芯片与非易失性存储芯片。公司的主要产品为非易失性存储芯片NANDFlash
、NORFlash，易失性存储芯片DRAM以及衍生产品MCP：
（1）NANDFlash
NANDFlash即数据型闪存芯片，分为两大类：大容量NANDFlash主要为MLC、TLCNANDFlash或3DNANDFlash
，擦写次数从几百次至数千次，多应用于大容量数据存储；小容量NANDFlash主要是SLCNANDFlash，可靠性
更高，擦写次数达到数万次以上。公司的NAND产品种类丰富，功耗低，具备高可靠性，在通讯设备、安防监
控、可穿戴设备和移动终端等多个领域得到广泛应用。产品已通过联发科、瑞芯微、中兴微、博通等主流平
台厂商的验证认可，主要应用于5G通讯、企业级网关、网络智能监控、数字录像机、数字机顶盒以及智能手
环等终端产品。
公司聚焦平面型SLCNANDFlash的设计与研发，主要产品采用浮栅型工艺结构，存储容量覆盖512Mb至32G
b，可灵活选择SPI或PPI类型接口，搭配3.3V/1.8V两种电压，可满足客户在不同应用领域及应用场景的需求
。公司NANDFlash产品核心技术优势明显，尤其是SPINANDFlash，公司采用了业内领先的单颗集成技术，将
存储阵列、ECC模块与接口模块统一集成在同一芯片内，有效节约了芯片面积，降低了产品成本，提高了公
司产品的市场竞争力。公司产品在耐久性、数据保持特性等方面表现稳定，不仅在工业温控标准下单颗芯片
擦写次数已经超过10万次，同时可在-40℃-105℃的极端环境下保持数据有效性长达10年，产品可靠性已逐
步从工业级标准向车规级标准迈进。
（2）NORFlash
NORFlash即代码型闪存芯片，主要用来存储代码及少量数据。其存储阵列是各存储单元通过并联方式连
接组成，在实现按位快速随机读取数据的同时，允许系统直接从存储单元中读取代码执行，因此具有芯片内
执行、读取速度快等特点，通常被用于存储相关数据和代码程序，来满足快速启动应用系统的需求。
公司专注于设计大容量、低功耗、ETOX工艺的SPINORFlash，自主设计的SPINORFlash存储容量覆盖64Mb
至1Gb，并支持多种数据传输模式，普遍应用于可穿戴设备、移动终端等领域。
（3）DRAM
DRAM是市场上主要的易失性存储产品之一，通过利用电容内存储电荷的有无来代表二进制比特（bit）
来实现数据存储。DRAM具有读写速度快的特点，常被用于系统硬件的运行内存，对系统中的指令和数据进行
处理。
公司研发的DDR3(L)系列是可以传输双倍数据流的DRAM产品，具有高带宽、低延时等特点，在通讯设备
、移动终端等领域应用广泛；公司针对移动互联网和物联网的低功耗需求，自主研发的LPDDR1/2/4X系列产
品具有低功耗和高传输速度等特点，最大时钟频率可达2133MHz，适用于智能终端、可穿戴设备等产品。
（4）MCP
MCP产品是将非易失性代码型闪存芯片通常与易失性存储芯片搭配使用，以共同实现存储与数据处理功
能。
公司的NANDMCP产品集成了自主研发的低功耗1.8vSLCNANDFlash闪存芯片与低功耗设计的DRAM，凭借设
计优势已在紫光展锐、高通、联发科等平台通过认证，被广泛应用于功能手机、MIFI、通讯模块等产品。其
中，DDR规格包括LPDDR1、LPDDR2和LPDDR4x，为用户提供更加灵活和丰富的选择。MCP通过将低功耗DRAM和
基于NAND的技术优化结合在一起简化了走线设计，节省了组装空间，高效地集成了电路，提高了产品的稳定
性。客户在使用NANDMCP产品时可以减小PCB的布板空间,降低整体系统成本，提高整体集成度和可靠性，适
用于PCB布板空间狭小的应用。
（5）技术服务
公司拥有自主完整的知识产权，能根据客户需求定制其所需要的存储芯片定制化的设计服务和整体解决
方案，帮助客户降低产品开发时间和成本，提高产品开发效率。
在为客户进行定制化产品过程中，公司不断深入了解市场需求，接收客户反馈，已经建立了“研发-转
化-创新”的技术发展循环，有利于公司进一步增强技术研发实力。
(二)主要经营模式
公司作为IC设计企业，采取Fabless的经营模式，专注于集成电路设计、销售和客户服务环节，将晶圆
制造、封装和测试等环节外包给专门的晶圆代工、封装及测试厂商。在销售芯片的同时，也根据市场及客户
需求提供完整的解决方案。报告期内，公司主要经营模式未发生变化。
(三)所处行业情况
1.行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
公司是一家专注存储类芯片设计的企业，聚焦中小容量的存储芯片的设计、研发及销售，致力于为客户
提供多样化的存储类产品及解决方案。按照《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017）,公司所处行业属于“
软件和信息技术服务业”中的“集成电路设计”（代码：6520），细分行业为芯片设计行业；根据证监会发
布的《上市公司行业分类指引》（2012年修订），公司属于“制造业”中的“计算机、通信和其他电子设备
制造业”，行业代码为“C39”。
2023年宏观经济情况仍旧复杂多变，多家主要存储芯片厂商相继推动减产计划，旨在加速市场供需平衡
。随着海外大厂减产举措的逐步实施，去库存化预计将迎来加速。但公司认为随着市场对于高需求的HBM等
大容量存储芯片，尤其是来自于AI大模型的需求，将推动海外大厂将更多产能投放于这类产品，从而迅速推
动整个存储行业供需平衡的回归。
NORFlash和NANDFlash都属于非易失性存储芯片，即在断电后能够保留数据。根据存储信息类型的不同
，Flash可以进一步分为代码型闪存和数据型闪存。NORFlash和SLCNAND被归类为代码型闪存，主要用于存储
操作系统及其启动与运行过程中的代码信息，对芯片的稳定性和可靠性要求较高。而MLC/TLC/QLCNAND等数
据型闪存主要用于存储系统运行过程中的大容量数据信息，对芯片的容量和成本要求较高。
NANDFlash行业集中度有所回落，但仍保持较高水平。全球NANDFlash行业前六大厂商市场份额总和逐年
提高，目前NAND主要通过3D堆叠方式大幅提升存储容量，而堆叠层数的持续提升带来的技术难度也迅速增长
。头部厂商既有深厚的技术积累也有充足的研发投入，有望率先实现更高层数，进而巩固垄断地位，进一步
提升行业集中度。
与大容量NANDFlash高度垄断的市场竞争格局不同，SLCNAND市场竞争格局相对分散，参与玩家较多。三
星电子、铠侠、华邦电子、旺宏电子占据了较高的市场份额，中国本土厂商有东芯股份、兆易创新、复旦微
等。SLCNAND具有更快的擦写速度，常用于支持带有操作系统如Linux等复杂系统的代码存储应用。当前国外
存储大厂三星电子、美光科技、海力士、铠侠正全力扩建大容量NAND产能，在SLCNAND的投入逐渐减少；随
着海外大厂的陆续退出，留给中国本土厂商的市场空间愈发广阔；国产化需求的不断提高也带来更多的导入
机会。
NORFlash的存储阵列由各存储单元通过并联方式连接组成，实现按位快速随机读取数据的同时，允许系
统直接从存储单元中读取代码执行。它具有芯片内执行（XIP）、读取速度快等特点，通常用于中小容量代
码存储和快速读取，以满足快速启动应用系统的需求。
DRAM是芯片产业中产值最大的单一品类，目前全球存储器产业处于高度垄断，主要的DRAM厂商包括韩国
的三星电子、海力士和美国的美光科技，占据全球90%以上的市场份额，广泛应用于服务器、移动设备、PC
、消费电子等领域。近几年随着海外大厂逐步将DDR4产能转向DDR5产品并退出利基型DRAM市场，中国大陆DR
AM产业技术开始起步发展。
2.公司所处的行业地位分析及其变化情况
公司涵盖利基型存储芯片，包括SLCNANDFlash、NORFlash和DRAM等产品。以丰富的产品线、可靠的性能
和节能特性为支撑，公司多款代表性产品已经赢得国内外多家知名企业的认可。在产品布局、工艺制程、产
品性能等方面，公司均已经建立了相应的竞争优势。公司目前可以同时提供包括NANDFlash、NORFlash、DRA
M、MCP等主要存储芯片完整解决方案。作为中国的存储芯片设计公司，公司将持续遵循既定的发展策略和目
标，主动适应不断变化的国际和市场竞争格局。依托现有的坚实基础和竞争优势，不断增加对技术和产品研
发的投入，旨在提升市场份额。同时，公司将紧密关注新兴应用领域的增长潜力，以积极的姿态捕捉市场机
遇，确保公司的长期稳定增长。
3.报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
（1）SLCNANDFlash
SLCNANDFlash主流工艺制程仍然是2x-3xnm制程。近两年来，主要SLCNANDFlash厂商在2xnm制程工艺节
点的产品开始逐步上市销售，预计在未来将陆续取代38nm-40nm工艺节点产品。部分领先的SLCNANDFlash厂
商正在研发1xnm节点的制程工艺，大规模量产还需要时间。SLCNANDFlash芯片朝着降低成本和功耗、提升数
据读取速度、提升可靠性等方面进行技术升级。
在传统市场因升级迭代需求保持稳定增长的同时小容量SLCNANDFlash产品，可广泛应用于手机、机顶盒
、数据卡、网通产品、通讯设备等消费类产品。随着制程的不断推进，SLCNANDFlash产品将进入更多的应用
领域，在网络通讯、机顶盒、可穿戴设备、智能家居等领域市场容量将进一步增加。随着网通设备、安防监
控、大数据、物联网的快速发展，用户对存储芯片的容量提出了越来越高的要求，部分领域如智能穿戴产品
等甚至呈现出SLCNANDFlash替代NORFlash承担程序代码存储应用的趋势。
（2）NORFlash
NORFlash主流工艺制程仍然是ETOX65nm，已成熟应用多年。近两年来，主要NORFlash厂商在5xnm工艺节
点的产品开始逐步上市销售，预计在未来将陆续取代65nm工艺节点产品。部分领先的NORFlash厂商正在研发
4xnm节点的制程工艺，大规模量产还需要时间。此外，为满足下游应用市场的需求，NORFlash逐步朝着更低
功耗、更低电压、更高性能和更大容量等技术方向发展。
尽管传统市场因需求升级而保持稳定增长，但NORFlash市场规模的扩张主要受益于可穿戴设备（如TWS
耳机、智能手环、智能手表）、智能手机屏幕（AMOLED技术）、5G基站、物联网以及新能源汽车（智能驾驶
）等领域的快速发展。国内企业通过提供高性价比产品并抓住市场机遇进入市场，不断升级产品容量和工艺
制程，逐渐形成各自的竞争优势，在NORFlash市场上逐步取代了一些传统厂商。然而，由于国内公司主要专
注于消费电子领域，而该领域市场行情受终端需求波动影响较大，因此一些头部厂商积极调整产品结构，加
大对中大容量产品的研发投入，积极布局和规划工业控制、汽车电子等需求更稳定的高附加值终端应用市场
，以扩大市场份额和占有率。由于汽车智能化快速发展，车规级NORFlash的需求也在迅速增长，推动车载产
品完成AEC-Q100标准测试认证，因此，进入汽车电子市场将成为NORFlash厂商的重要发展方向。
（3）DRAM
利基型DRAM市场是作为小众、动态的成熟产品市场，现有产品规格主要包括标准的DDR3和DDR4产品以及
低功耗的LPDDR1-LPDDR4x。
从需求端来看，利基型DRAM主要应用于TV、安防以及消费类电子领域；现阶段由于汽车的智能化程度尚
浅，因此对DRAM的速度要求不如PC、手机和服务器，更侧重于DRAM工作状态的稳定性，因此当前车规级DRAM
主要使用成熟制程进行生产。由于利基型市场下游应用领域广泛、因此行业需求的周期性波动相对较小，呈
现出稳定增长的局面。随着三星、海力士、美光科技将DRAM产能向DDR5、LPDDR5x、GDDR和HBM等高容量、高
毛利的产品倾斜，DRAM主流厂商的利基型产品供给将有所收缩，将留给包括大陆和台湾供应商更大的市场空
间。
(四)核心技术与研发进展
报告期内，申请发明专利23项（其中中国发明专利9项，美国发明专利6项，韩国发明专利3项，PCT国际
阶段发明专利申请5项），获得发明专利授权14项（其中中国发明专利2项，韩国发明专利12项）；申请集成
电路布图设计权8项，获得集成电路布图设计权13项；申请注册商标2项，获得注册商标3项；获得软件
|
