经营分析☆ ◇688147 微导纳米 更新日期：2026-07-25◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.前5名客户营业收入表】【4.前5名供应商采购表】
【5.经营情况评述】
【1.主营业务】
先进微米级、纳米级薄膜设备的研发、生产与销售
【2.主营构成分析】
截止日期:2025-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
设备制造(行业) 26.31亿 99.90 8.58亿 99.69 32.62
其他业务(行业) 268.01万 0.10 268.01万 0.31 100.00
─────────────────────────────────────────────────
光伏设备(产品) 15.91亿 60.43 5.94亿 68.95 37.30
半导体设备(产品) 8.81亿 33.45 1.63亿 18.96 18.53
配套产品及服务(产品) 1.44亿 5.47 9433.77万 10.96 65.46
其他(产品) 1699.87万 0.65 971.95万 1.13 57.18
─────────────────────────────────────────────────
境内(地区) 25.78亿 97.89 8.33亿 96.71 32.29
境外(地区) 5278.30万 2.00 2561.12万 2.98 48.52
其他业务(地区) 268.01万 0.10 268.01万 0.31 100.00
─────────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 26.31亿 99.90 8.58亿 99.69 32.62
其他业务(销售模式) 268.01万 0.10 268.01万 0.31 100.00
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2025-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
光伏设备(产品) 8.04亿 76.54 2.96亿 78.21 36.84
半导体设备(产品) 1.94亿 18.43 5111.21万 13.50 26.41
配套产品及服务(产品) 3221.10万 3.07 2353.01万 6.22 73.05
其他(产品) 2059.18万 1.96 783.52万 2.07 38.05
─────────────────────────────────────────────────
境内(地区) 10.47亿 99.73 3.76亿 99.32 35.90
境外(地区) 214.42万 0.20 188.68万 0.50 88.00
其他业务(地区) 69.80万 0.07 69.80万 0.18 100.00
─────────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 10.49亿 99.93 3.78亿 99.82 36.01
其他业务(销售模式) 69.80万 0.07 69.80万 0.18 100.00
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2024-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
设备制造(行业) 26.96亿 99.85 10.77亿 99.77 39.95
其他业务(行业) 395.97万 0.15 246.41万 0.23 62.23
─────────────────────────────────────────────────
光伏设备(产品) 22.90亿 84.83 9.32亿 86.29 40.67
半导体设备(产品) 3.27亿 12.12 9059.46万 8.39 27.68
配套产品及服务(产品) 7224.48万 2.68 4996.39万 4.63 69.16
其他(产品) 1005.04万 0.37 745.39万 0.69 74.17
─────────────────────────────────────────────────
境内(地区) 25.83亿 95.67 10.26亿 95.04 39.72
境外(地区) 1.13亿 4.18 5113.13万 4.74 45.29
其他业务(地区) 395.97万 0.15 246.41万 0.23 62.23
─────────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 26.96亿 99.85 10.77亿 99.77 39.95
其他业务(销售模式) 395.97万 0.15 246.41万 0.23 62.23
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2024-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
光伏设备(产品) 6.11亿 77.64 2.28亿 75.33 37.26
半导体设备(产品) 1.52亿 19.34 5699.42万 18.86 37.45
配套产品及服务(产品) 2155.65万 2.74 1679.61万 5.56 77.92
其他业务(产品) 226.23万 0.29 76.67万 0.25 33.89
─────────────────────────────────────────────────
境内(地区) 7.85亿 99.69 3.01亿 99.71 38.41
其他业务(地区) 226.23万 0.29 76.67万 0.25 33.89
境外(地区) 13.94万 0.02 11.94万 0.04 85.63
─────────────────────────────────────────────────
【3.前5名客户营业收入表】
截止日期:2025-12-31
前5大客户共销售19.17亿元，占营业收入的72.88%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│客户名称 │ 营收额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│单位①及其关联企业 │ 67964.51│ 25.84│
│单位② │ 64391.74│ 24.48│
│单位③及其关联企业 │ 38464.81│ 14.62│
│单位④及其关联企业 │ 11197.19│ 4.26│
│单位⑤ │ 9697.35│ 3.69│
│合计 │ 191715.59│ 72.88│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【4.前5名供应商采购表】
截止日期:2025-12-31
前5大供应商共采购3.73亿元，占总采购额的31.80%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│供应商名称 │ 采购额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│单位① │ 16997.64│ 14.48│
│单位② │ 9252.34│ 7.88│
│单位③ │ 3955.11│ 3.37│
│单位④ │ 3803.18│ 3.24│
│单位⑤ │ 3325.68│ 2.83│
│合计 │ 37333.95│ 31.80│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【5.经营情况评述】
截止日期:2025-12-31
●发展回顾:
一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况说明
(一)主要业务、主要产品或服务情况
微导纳米是一家面向全球的半导体、泛半导体高端微纳装备制造商。公司形成了以原子层沉积（ALD）
技术为核心，化学气相沉积（CVD）等多种真空薄膜技术梯次发展的产品体系，专注于先进微米级、纳米级
薄膜设备的研发、生产与销售，向下游半导体、泛半导体客户提供尖端薄膜设备、配套产品及服务。
在半导体领域内，公司是国内首家成功将量产型High-k原子层沉积设备（ALD）应用于集成电路制造前
道生产线的国产设备厂商，是国内首批成功开发并进入产业链核心厂商量产线的硬掩模化学气相沉积设备（
CVD）国产厂商，也是行业内率先为新型存储提供薄膜沉积技术支持的设备厂商之一。目前公司已与国内多
家厂商建立了深度合作关系，产品已广泛应用于逻辑、存储、先进封装、化合物半导体、新型显示（硅基OL
ED等）等诸多细分应用领域，多项设备关键指标达到国际先进水平，能够满足国内客户当前技术的需求以及
未来技术更迭的需要。
在光伏领域内，公司作为率先将ALD技术规模化应用于国内光伏电池生产的企业，已成为行业内提供高
效电池技术与设备的领军者之一，与国内头部光伏厂商形成了长期合作伙伴关系。同时，公司跟随下游厂商
的量产节奏，持续优化XBC、HJT、钙钛矿、钙钛矿叠层电池等新一代高效电池技术，引领光伏行业技术迭代
。根据公开的市场数据统计，公司ALD产品已连续多年在营收规模、订单总量和市场占有率方面位居国内同
类企业第一。
作为国家高新技术企业，公司先后荣获工信部“专精特新”小巨人企业、国家知识产权优势企业、苏南
国家自主创新示范区独角兽企业、江苏省小巨人企业（制造类）等称号。公司拥有七个国家级、省级研发平
台，包括国家博士后科研工作站、江苏省原子层沉积技术工程技术研究中心、江苏省原子层沉积技术工程研
究中心、江苏省省级企业技术中心、江苏省外国专家工作室等，并承担了多项国家、省级重大科技专项。
公司以“创新驱动，引领未来，为客户创造价值”为使命，不断引领行业技术创新，成立至今已开发多
款高端薄膜沉积设备并成功实现产业化。公司iTomicHiK系列半导体ALD设备和KF系列光伏ALD设备入选江苏
省首台（套）重大装备产品目录，iTronix系列半导体CVD设备入选江苏省“两新”技术产品，多款半导体设
备荣获“中国半导体创新产品和技术奖”及“集成电路产业技术创新奖”。
公司生产研发的主要设备，具体如下：
（1）公司半导体领域主要产品
（2）公司光伏领域主要产品
（3）其他新兴应用领域主要产品
除上述专用设备外，公司还为客户提供配套产品及服务，主要包括设备改造、备品备件及其他两类业务
。
①设备改造。公司的设备采用模块化设计，公司可以针对市场需求和技术发展趋势，为已销售的在役设
备提供改造服务，以帮助下游客户用较少的成本达到降本增效的效果，提高设备服役年限。公司目前的设备
改造集中在光伏领域设备，设备改造的内容主要包括尺寸改造、工艺改造等。
②备品备件及其他。公司设备在运行过程中，部分零部件会出现正常损耗，因此下游客户需向公司采购
易损耗的零部件。公司还针对设备提供载具清洗、耗材更换等后续服务。
(二)主要经营模式
1、盈利模式
公司通过向客户销售专用设备，提供设备改造、备品备件等配套产品及服务，获得相应的收入，扣除成
本、费用等相关支出，形成公司的盈利。
2、采购模式
公司主要根据研发、生产、售后服务的需求计划和安全库存的需要等制定和执行采购计划，在合理控制
库存的同时，保证物料供应的及时性。
3、生产模式
公司采用定制化设计与生产。根据客户采购意向和需求进行产品定制化设计与生产，以满足客户的差异
化需求。公司在设备生产中存在外协加工的情况，公司外协加工包括外购加工件和委外加工两种情形。
4、销售模式
公司的销售模式为直销，主要通过直接接洽和投标的方式获取客户。设备运至客户指定的位置后，公司
负责组织安装调试、配合客户生产工作，并提供技术指导、售后跟踪和维修服务。
5、研发模式
公司的产品研发及产业化流程主要包括需求提出、立项和规划阶段、开发实现阶段、产业验证阶段、产
业化应用阶段。
报告期内，公司主要经营模式未发生变化。
(三)所处行业情况
1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
公司生产的薄膜沉积设备通常用于在基底上沉积特定材料形成薄膜，使之具备光学、电学、机械和化学
等方面的特殊性能，广泛应用于半导体、光伏等领域的生产制造环节。
1.1半导体行业
薄膜沉积设备是集成电路制造的核心设备之一，受下游晶圆产线扩产、技术迭代和新兴工艺的驱动，行
业拥有较大的市场空间和良好的成长性。
半导体行业是电子信息产业的基础支撑，产业链主要包括半导体材料、半导体设备以及设计、晶圆制造
、封测环节。长期来看，半导体是周期与成长并存的行业，全球半导体行业已经历多轮周期，整体在波动中
上升。随着以人工智能（AI）为代表的新兴应用的高速发展，先进制程及芯片技术创新，新材料及3D封装技
术的发展，HBM、GAA-FET等尖端芯片和高端存储等芯片产能扩产将是半导体设备市场未来的主要推动力。
在AI等新兴应用推动下全球半导体市场有望在2030年突破1万亿美元市场规
晶圆制造环节中，薄膜沉积设备制备的各类薄膜发挥着导电、绝缘、阻挡污染物等重要作用，直接影响
半导体器件性能，其与刻蚀设备、光刻设备并称为晶圆制造的三大主设备，投资额占晶圆制造设备投资总额
的18%以上。
薄膜沉积设备的不断创新和进步支撑集成电路制造工艺向更先进制程发展。随着单位面积集成的电路规
模不断扩大，芯片内部立体结构日趋复杂，先进制程芯片和高端存储芯片所需要的薄膜层数和种类越来越多
，对绝缘介质薄膜、导电薄膜的材料种类和性能参数不断提出新的要求，这给以薄膜沉积设备为核心产品的
公司带来了极大的成长机会。MaximizeMarketResearch预计2029年全球半导体薄膜沉积设备市场规模将达55
9亿美元，同比推算国内市场规模将达162亿美元。
半导体薄膜沉积行业具有较高的技术壁垒、市场壁垒和客户认证壁垒，国际市场目前主要由传统设备厂
商占主要市场份额，国产化趋势明显。
半导体薄膜沉积设备具有极高的技术壁垒，由于传统的国际大型厂商成立较早，具有先发优势，而半导
体设备又具有验证周期长、配套设施和供应链重置成本高的特点，后发厂商的客户认证壁垒较高，多重因素
导致目前全球薄膜沉积设备市场基本上由应用材料AMAT(AppliedMaterials,Inc.)、泛林半导体LAM(LamRese
archCorporation)、东京电子TEL(TokyoElectronLimited)、先晶半导体ASM(ASMInternational)等传统设备
厂商占有主要市场份额。
近年来，随着国家重大专项、集成电路产业投资基金等战略举措的持续推动，以及部分民营企业的快速
崛起，我国半导体制造体系和产业生态得以建立并不断完善。我国半导体设备产业在部分细分领域已取得显
著进步，但整体国产化率仍处于较低水平，尤其在薄膜沉积等核心设备领域，中高端产品的国产化进程明显
滞后，且实际应用场景仍较为有限。
面对全球供应链不确定性以及国内晶圆厂商对供应链安全的高度重视，对国产半导体设备的需求持续增
长，国产半导体设备验证与导入进程明显加快。国家政策的持续加码和产业需求的拉动，为本土半导体设备
企业提供了前所未有的发展契机。作为国内半导体薄膜沉积领域的核心企业之一，公司凭借在ALD技术和CVD
技术等领域的深厚积累，在国产中高端薄膜设备领域占据了先发优势。
1.2光伏行业
薄膜沉积设备是太阳能电池片制造环节的关键设备之一，在“双碳”战略目标驱动下，市场前景广阔。
光伏电池片制造过程中，薄膜沉积设备制备的薄膜直接影响电池片的光电转换效率。随着电池结构的发
展与电池转换效率的不断提升，薄膜沉积设备的重要地位愈发凸显，且在电池产线设备投资中的占比不断提
高。
全球《巴黎协定》的签订以及中国碳达峰和碳中和目标的提出，全球能源转型驱动光伏装机规模持续扩
大。国内经过过去十多年快速发展，光伏技术不断突破，发电成本快速下降，装机规模持续增长，根据CPIA
数据显示，2025年国内光伏发电新增装机达到315.07GW，同比增长约13%，累计并网装机容量创历史新高。2
025年全国光伏电池产量超过660GW。短期来看，行业供需结构性失衡问题仍存，行业整合正加速推进。长期
来看，在全球能源转型与“双碳”目标纵深推进的时代浪潮中，将持续带动光伏设备尤其是薄膜沉积设备需
求的增加。
光伏电池片技术迭代带来设备新需求，具备相应技术储备和研发实力的公司具有更强的市场竞争力。
光伏电池片制造环节的规模优势明显、技术迭代较快，在实现规模经济、降本增效的驱力下，电池片厂
商积极扩产并推动新技术产业应用，其中薄膜沉积设备作为光伏电池的核心设备与新型工艺技术开发紧密结
合并持续迭代发展。
目前，TOPCon、HJT、XBC等新型电池技术路线是新建量产产线的主要方向，钙钛矿及钙钛矿叠层电池则
是下一代光伏电池技术的重要发展方向，被视为突破晶硅电池效率极限、推动光伏发电成本进一步下降的前
沿技术路线。BC、钙钛矿等前沿技术加速迭代驱动结构性调整，新兴场景与市场将提供新的增长空间，将持
续带动光伏设备尤其是薄膜沉积设备需求的增加。公司长期深耕光伏新能源产业，在TOPCon、XBC、HJT、钙
钛矿及钙钛矿叠层等电池技术领域均有产品储备、布局和出货，为下游厂商提供全球领先的设备产品和解决
方案，持续引领行业技术发展。
1.3其他新兴应用领域
原子层沉积（ALD）技术作为一项具有产业前瞻性与共性的关键核心技术，产业化应用场景广泛。除已
形成巨大市场规模的半导体、光伏领域外，还在固态电池、柔性电子、高端光学等新兴应用领域同样具备明
确的产业化前景与强劲的增长潜力。这些新兴应用领域内新技术的产业化，能为公司发展开辟新的增长空间
。
1.3.1ALD技术在固态电池领域的应用前景与市场机遇。
固态电池因其在本征安全性与能量密度提升方面的显著优势，被广泛视作下一代动力电池的核心发展方
向。然而，其产业化进程受制于正负极与固态电解质间固-固界面接触失效、界面阻抗过高以及锂枝晶生长
等关键瓶颈，这些难题直接影响了电池的倍率性能与循环寿命。
ALD技术凭借其亚纳米级膜厚控制能力、出色的三维共形性及薄膜的高致密性，为解决上述瓶颈提供了
有效的技术路径。具体而言，ALD技术可应用于固态电解质（SE）薄膜的制备与致密化，以降低漏电流；正
极/电解质及负极/电解质界面的人工缓冲层构筑，以降低界面阻抗并抑制副反应；超薄锂金属负极的原位保
护，以抑制枝晶穿刺。这些应用对于提升固态电池的库伦效率与循环稳定性至关重要。
随着固态电池技术逐步从研发走向量产试点，其对应的专用制造设备市场有望迎来高速增长。根据EVTa
nk等研究机构预测，全球全固态电池设备市场规模预计将从2024年的基数较小的导入期，以超过150%的年均
复合增长率（CAGR）快速攀升，至2030年有望达到455亿元人民币。这一爆发式增长预期，不仅印证了固态
电池产业的巨大潜力，也为ALD技术在新能源镀膜领域的规模化应用提供了战略窗口期。
1.3.2硅基OLED在VR/AR等行业已实现量产，正快速成为微显示产业中应用最广泛的技术类型，市场前景
广阔且发展迅速。
硅基OLED作为新型显示技术之一，凭借尺寸小、便携性强、对比度高、响应速度快、功耗低等突出特点
，主要应用于近眼显示系统（如VR/AR设备）、微型投影显示、车载显示等高端场景。其中，薄膜沉积环节
是影响硅基OLED规模化量产、显示性能提升的关键技术之一，直接影响器件的发光效率、寿命与稳定性。
ALD技术凭借原子级的厚度控制精度与优异的薄膜均匀性，可满足硅基OLED器件中钝化层、封装层等关
键薄膜的沉积需求。随着VR/AR、车载显示等下游市场的快速扩张，硅基OLED需求将持续攀升，进而带动相
关设备与技术的市场需求增长，为公司带来新的业务增长点。
2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
在半导体领域内，公司是国内首家成功将量产型High-k原子层沉积设备（ALD）应用于集成电路制造前
道生产线的国产设备厂商，是国内首批成功开发并进入产业链核心厂商量产线的硬掩模化学气相沉积设备（
CVD）国产厂商，也是行业内率先为新型存储提供薄膜沉积技术支持的设备厂商之一。目前公司已与国内多
家厂商建立了深度合作关系，产品已广泛应用于逻辑、存储、先进封装、化合物半导体、新型显示（硅基OL
ED等）等诸多细分应用领域，多项设备关键指标达到国际先进水平，能够满足国内客户当前技术的需求以及
未来技术更迭的需要。
在光伏领域内，公司作为率先将ALD技术规模化应用于国内光伏电池生产的企业，已成为行业内提供高
效电池技术与设备的领军者之一，与国内头部光伏厂商形成了长期合作伙伴关系。同时，公司跟随下游厂商
的量产节奏，持续优化XBC、HJT、钙钛矿、钙钛矿叠层电池等新一代高效电池技术，引领光伏行业技术迭代
。
根据公开的市场数据统计，公司ALD产品已连续多年在营收规模、订单总量和市场占有率方面位居国内
同类企业第一。
3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
3.1半导体薄膜沉积设备技术发展情况和趋势
半导体薄膜沉积设备技术的演进路径与半导体器件的尺寸、结构密切相关。在摩尔定律的推动下，器件
集成度的大幅提高要求集成电路线宽不断缩小，进而使集成电路制造工序愈为复杂，对于薄膜颗粒的要求也
由微米级提高到纳米级。同时，随着线宽不断缩小，晶体管密度越接近物理极限，单纯依靠提高制程来提升
集成电路性能将变得越来越难，并且成本也在指数级攀升，因此集成电路目前已进入“后摩尔时代”。当前
，制造工艺正向着小型化、多样化和高能效、功能化方向发展，各类新器件、新构架、新材料、新工艺、新
设备不断涌现。这一发展趋势对薄膜沉积设备产生了更高的技术要求，市场对于高性能薄膜沉积设备的依赖
逐渐增加。
3.1.1半导体领域内PVD、CVD、ALD三类薄膜沉积技术相互补充、不断迭代，共同满足先进半导体器件技
术发展的需要
半导体领域常见的薄膜类型主要分为半导体、介质、金属/金属化合物薄膜三大类。由于半导体领域薄
膜的沉积材料与应用场景复杂多样，伴随制程的演变及材料需求升级，薄膜沉积工艺和设备不断迭代。根据
薄膜制备的基础原理不同，薄膜沉积设备可分为多种技术路线，其中PVD、CVD、ALD等三类薄膜沉积技术为
目前半导体领域的主流技术路线。
在芯片制造过程中，需涉及十余种不同材料的薄膜、数十种工艺类型、上百道工艺环节，对薄膜的性能
和材料需求呈现多元化特征。因此，PVD、CVD、ALD三类薄膜沉积技术依托各自技术特点拓展适合的应用领
域，材料制备上相互补充，同时各自伴随下游应用需求的提升持续优化升级。
ALD技术相较于CVD技术和PVD技术，产业化应用起步时间较晚，在45nm以上等成熟制程、2D平面结构器
件中应用较少，2007年Intel公司才首次在45nm技术节点上开始应用ALD技术进行薄膜制备，主要由于在先进
制程节点下，原来用于成熟制程的溅射PVD、PECVD等工艺无法满足部分工序要求。ALD技术凭借其原子层级
沉积特点，具有薄膜厚度精确度高、均匀性好、台阶覆盖率极高、沟槽填充性能极佳等优势，特别适合在对
薄膜质量和台阶覆盖率有较高要求的领域应用，在45nm以下节点以及3D结构等半导体薄膜沉积环节具有较好
的应用前景。半导体制程演进与薄膜沉积技术对应情况如下：
3.1.2在人工智能技术（AI）为核心驱动的新一轮半导体周期中，ALD技术等尖端薄膜沉积技术对满足半
导体器件新架构、新工艺和新材料的需求具有不可替代的关键性作用
随着人工智能（AI）在大数据计算、图像识别与生成、医学诊断与研究、娱乐和软件等产业中的应用加
速发展，市场对计算能力的需求日益增长，推动了半导体器件不断提高运行速度、降低能耗。进而促使逻辑
芯片内部晶体管结构的微缩、存储器3D结构化和先进封装应用等新架构、新工艺和新材料的需求不断涌现。
半导体器件结构的复杂化和微型化对薄膜沉积提出了原子级的精度要求。ALD技术凭借其三维共形性、
大面积成膜均匀性和精确膜厚控制的优异特性，成为满足这些要求的关键技术。过去多年，ALD设备市场规
模增长速率在各类关键晶圆生产设备中位居首位。
目前，半导体行业的薄膜沉积设备中，ALD设备作为技术发展所必需的工艺设备。随着国内半导体产业
技术的持续升级，ALD设备的必要性更加凸显。
3.1.3CVD薄膜沉积技术覆盖了集成电路前道制造过程中大部分沉积工艺，市场规模最大，CVD设备尤其
是高端CVD设备在芯片制造过程中具有不可替代的作用
CVD设备广泛应用于半导体薄膜沉积的各环节，并与其他类型薄膜沉积设备互相补充。根据SEMI数据，
在全球薄膜沉积设备市场中，LPCVD、PECVD等CVD技术路线合计占据最高的市场份额。
近年来，随着我国半导体制造体系和产业生态建立和逐步完善，包括CVD在内的薄膜沉积设备国产化进
程已取得显著进展。但在先进制程及关键工艺环节，高端半导体薄膜沉积设备的国产化率仍处于较低水平，
应用场景相对有限，仍有大量高端CVD设备待国产化。因此，半导体领域内关键工艺的高端CVD设备的产业化
具有良好的市场前景。
3.1.4公司半导体薄膜沉积技术的发展情况
公司半导体ALD和CVD设备技术发展方向，契合国内半导体各细分领域工艺升级趋势，在逻辑芯片、存储
芯片、先进封装、新型显示和化合物半导体等领域均有布局，并取得了阶段性技术突破与产业化进展。
3.2光伏薄膜沉积设备技术发展情况
光伏薄膜沉积设备技术的演进路径与光伏电池类型变化相关。太阳能电池片技术路线主要包括铝背场电
池（Al-BSF）、PERC、TOPCon、异质结（HJT）、XBC电池、钙钛矿等。目前，PERC技术逐步淘汰，TOPCon已
成为目前主流技术路线，HJT、XBC、钙钛矿等新型光伏电池技术也有所发展。
光伏领域中薄膜沉积技术以PECVD和ALD为主，综合使用多项技术路线是行业趋势。PECVD技术因其兼容
性高，各类型应用前景广泛。ALD技术作为成膜质量最好的技术，随着光伏效率提升对薄膜工艺要求提高，
也有更多的应用场景。行业内薄膜设备厂商目前主要以PECVD或ALD技术路线为主，根据各自的技术积累和未
来技术方向的专业判断，同时进行多种技术路线的选择和尝试。
公司ALD技术在TOPCon电池中已经取得良好应用，因ALD技术优异的保型性且薄膜材料密度一致，在TOPC
on电池具有金字塔绒面的正面Al2O3钝化层制备中，公司的ALD设备成为主流技术路线。由公司开发的行业内
首条GW级PE-TOPCon工艺整线的验收，带动和引领了行业内TOPCon电池的量产导入。同时，公司还积极地探
索开发双面Poly、HJT、XBC、钙钛矿/钙钛矿叠层电池等新一代高效电池方面的技术。
二、经营情况讨论与分析
2025年，全球半导体行业延续高景气增长态势，行业需求持续旺盛，国内半导体产业链自主可控进程加
速推进，高端薄膜沉积设备国产化替代需求进一步释放；光伏行业经历全面过剩到结构性修复收缩的调整阶
段，阶段性供需错配矛盾未完全化解，产业链盈利压力对光伏设备验收节奏形成一定阶段性影响。
面对行业格局变化，公司坚持以“创新驱动”为核心发展导向，立足半导体与光伏两大领域，积极把握
半导体市场机遇，主动应对光伏行业周期性波动挑战，通过持续优化业务结构、强化技术研发、提升运营效
能等举措，实现公司整体稳健发展。报告期内，公司半导体业务实现高速增长，光伏业务在行业承压下彰显
较强经营韧性，同时在新兴领域持续布局，为未来发展培育新的增长极。
报告期内，公司实现营业收入263330.32万元，同比小幅度下降2.47%；其中，半导体设备收入88089.26
万元，同比增长169.12%，占主营业务收入的比重提升至33.49%；光伏设备收入159128.88万元，同比下降30
.52%。同期，公司实现归属于母公司所有者的净利润21937.42万元，同比下降3.23%；实现归属于母公司所
有者的扣除非经常性损益的净利润16008.14万元，同比下降14.53%。业绩变动主要受以下因素影响：1）光
伏设备验收数量减少，导致整体营收小幅下降；2）产品结构变动、新建产能导致折旧摊销增加、叠加光伏
相关项目计提资产减值损失；3）为推进半导体业务的发展并保持在新一代光伏电池技术的领先优势，继续
保持高研发投入。
（一）报告期内经营概况
1、半导体设备业务高速增长，收入占比由12.14%提升至33.49%
报告期内，半导体设备业务实现重要突破与快速增长，新签订单规模屡创新高，为公司积累了充足的订
单储备。2025年，公司多款ALD和CVD设备获得重点客户验证和量产导入，核心产品High-k、金属化合物、硬
掩模等先进工艺设备的量产规模持续扩大，新产品与新技术市场渗透率稳步提升。在存储、逻辑芯片、先进
封装等各细分类领域，均取得了长足的进步。
存储领域：公司作为国内ALD与高端CVD设备的主要供应商，相关设备已广泛应用于国产存储芯片量产产
线，相关工艺技术对推动DRAM、3DNAND等存储芯片技术的迭代与产业化具有关键支撑作用。未来，伴随3D结
构层数持续增长以及客户扩产及国产化率的提升，公司有望深度受益。
逻辑芯片领域：公司与国内主流厂商保持着稳定合作关系，多款设备已通过客户严格的技术验证，关键
指标达到国际先进水平，能够满足国内客户当前技术的需求以及未来技术更迭的需要，部分产品已成功导入
到多个国产领先厂商产线。随着国内市场对高端国产薄膜沉积设备需求的增长，该领域业务有望保持增长态
势。
先进封装领域：公司相关设备已在客户端进行验证，并与多家潜在客户开展技术交流。产品采用独特低
温控制技术，在保证薄膜高质量沉积的同时，满足先进封装技术低热预算、高晶圆翘曲度、厚膜沉积等低温
高质量薄膜需求，适配HBM、Chiplet、2.5D/3D封装等先进封装技术对薄膜沉积设备提出的全新技术要求。
先进封装技术是提升芯片整体性能的重要路径，市场发展潜力巨大。公司作为国内少数具备该领域设备研发
与生产能力的企业之一，相关业务预计将获得良好的发展机遇。
2、光伏设备业务保持经营韧性，聚焦前沿技术，构筑长期动能
报告期内，行业经历全面过剩到结构性修复收缩的调整阶段，但阶段性供需错配矛盾仍未完全化解，产
业链盈利压力对设备验收节奏形成一定影响，公司光伏设备业务收入及利润贡献较去年同期有所回落，对当
期整体业绩形成阶段性调整压力。
长期来看，在全球能源转型的大背景下，光伏作为清洁能源的重要组成部分，终端需求及新兴应用场景
仍稳步拓展，技术迭代升级对高端设备的需求保持刚性。为满足下游光伏技术迭代及海外市场需求，公司一
直持续开展前瞻性技术布局并加速出海步伐。
（二）半导体领域产品的研发和产业化进展
公司半导体领域产品主要包括iTomic系列ALD设备、iTronix系列CVD设备。目前，公司的ALD设备已全面
覆盖主流薄膜材料与核心工艺，CVD设备已实现硬掩模等关键工艺突破并持续拓展工艺覆盖范围。
1、ALD设备的研发和产业化进展
（1）iTomicHiK系列ALD设备
该系列作为国内最早成功应用于集成电路制造前道生产线的量产型High-kALD设备，攻克了高端芯片栅
氧层工艺壁垒，是公司ALD设备核心产品之一，历经多次迭代和技术升级，核心技术指标已达到国际先进同
类水平。
目前，该系列产品可为逻辑芯片、存储芯片提供介质层等关键工艺解决方案。报告期内，公司该系列产
品保持竞争优势，部分关键工艺产品成功导入到多个国产领先厂商产线。
（2）iTomicMeT系列ALD设备
该系列为针对逻辑芯片、存储芯片及先进封装的金属化等关键工艺提供解决方案的ALD设备，可实现传
统方式难以达成的金属/金属化合物薄膜沉积效果，有效支撑半导体器件向更高集成度、微缩化及三维立体
化方向发展。
目前，该系列产品可用于逻辑芯片、存储芯片和先进封装的栅极金属、MIM金属电极、扩散阻挡层等关
键工艺。报告期内，该系列产品获得行业重要客户高度认可，已导入量产产线，持续获得量产批量订单，成
为公司ALD设备领域又一大核心产品。
（3）iTomicPE系列ALD设备
该系列为针对多重曝光介质膜及绝缘介质材料沉积需求的PEALD设备，可在较低温度下获得高质量的薄
膜，适合应用于热预算较小的场景。目前，该系列产品可为逻辑芯片、存储芯片、先进封装等提供掩膜、介
质层、图案化等关键工艺解决方案。
（4）iTomicSPX系列ALD设备
该系列为公司研发推出的空间型ALD设备，采用空间ALD技术，单腔可同时处理多片晶圆，大幅度提升沉
积速率，匹配量产线对产能与薄膜质量的双重需求。
目前，公司是国内少数具备空间型ALD设备研发和生产能力的厂商之一。该系列产品可为逻辑芯片、存
储芯片的生产提供高效的工艺技术方案。报告期内，该系列产品已获得重要客户订单，进入产业化验证阶段
。
此外，公司半导体领域ALD产品还包括iTomicMW系列批量式ALD设备、iTomicLite系列轻型ALD设备等产
品，相关产品均已经实现产业化应用。依托持续的技术创新与工艺积累，公司已构建起覆盖多技术路线、多
应用场景的ALD设备产品矩阵，形成体系化、可扩展的先进工艺库，全面覆盖ALD领域主流薄膜材料沉积与核
心工艺需求，为逻辑、存储、先进封装等各类细分应用领域客户提供ALD工艺综合解决方案，持续巩固并提
升公司在国内ALD设备领域的核心竞争力与市场地位。
2、CVD设备的研发和产业化进展
（1）iTronixMTP系列CVD设备
该系列作为国内首批成功应用于产业链核心厂商量产线的硬掩模PECVD设备，是公司CVD设备核心产品之
一。该设备成功突破我国半导体设备领域关键技术，实现了高蚀刻选择比、高深宽比孔硬掩模沉积设备的研
发、制造与产业化，进一步巩固了公司在高端薄膜沉积设备领域的优势。
目前，该系列产品可用于存储、逻辑等领域的硬掩模工艺，具备沉积无定形碳薄膜的能力。无定形碳作
为高端硬掩模材料之一，具有多项先进特性，如高度的蚀刻选择性、低反射性、热稳定性和机械强度，这些
特性使得碳硬掩模成为半导体制造技术中不可或缺的材料，能够满足高图形密度、高深宽比等复杂结构薄膜
沉积的需求。报告期内，公司该系列产品保持竞争优势，持续获得量产批量订单，部分关键工艺产品成功导
入到国产领先厂商先进制程产线。
（2）iTronixPE系列CVD设备
该系列为针对SiO2、SiN、SiON、SiCN、a-Si等常用膜层材料沉积需求的PECVD设备。PECVD是目前半导
体领域应用最广泛的薄膜沉积设备类型之一，其中常用膜层材料对应的工艺需求占比最高、应用场景最普遍
，在半导体制造全流程中发挥着不可或缺的作用。
目前，该系列产品可沉积多种薄膜材料，广泛应用于逻辑、存储、先进封装、显示器件及化合物半导体
等领域芯片制造环节。报告期内，该系列产品的市场拓展顺利，已获得先进封装领域重要客户订单。
（3）iTronixLP系列CVD设备
该系列为针对SiGe、poly-Si、a-Si、MonocrystalSi等关键工艺沉积需求的LPCVD设备。LPCVD是CVD设
备中应用较多的设备类型之一，其与常压的CVD相比，具有较佳的阶梯覆盖能力，成膜质量好，依靠加热设
备作为热源来维持反应的进行，降低了颗粒污染源等特点，在特定关键工艺环节具有不可替代的作用。报告
期内，公司该系列产品实现多项关键工艺的突破，并获得产业链核心客户的重复订单。
未来，公司将依托在高端CVD设备领域已构建的技术积累与先发优势，持续拓宽CVD产品的工艺覆盖范围
，聚焦行业重要客户关键工艺需求，持续研发并推出更多满足市场需求的CVD产品，不断提升市场份额与市
场渗透率。
（三）光伏及其他新兴领域产品的研发和产业化进展
公司作为率先将ALD技术规模化应用于国内光伏电池生产的企业之一，已成为行业内提供高效电池技术
与设备的领军者之一，产品包括ALD、CVD、PVD和炉管等设备，覆盖了TOPCon、XBC、HJT、钙钛矿/钙钛矿叠
层电池等技术路线。
报告期内，公司进一步完善了包括异质结（HJT）、钙钛矿/钙钛矿叠层、XBC等新兴应用电池技术在内
技术储备，开发适用于TOPCon电池的边缘钝化设备等提升组件效率的关键工艺设备。在HJT电池领域，公司
已具备核心工艺设备和整线方案的供应能力，在头部光伏企业产线验证中表现优异。在钙钛矿电池领域，公
司是国内少数实现ALD、磁控溅射、蒸镀等核心真空工艺设备全覆盖的供应商之一。公司自主研发的ALD设备
是制备高性能柔性钙钛矿电池的关键装备，在同类产品中市场占有率领先，已多次助力客户刷新钙钛矿组件
效率纪录。
除在半导体和光伏领域外，公司还持续在新兴领域进行前沿化开发，为公司未来发展创造更多收入增长
极。目前，公司已在固态电池、柔性电子、车规级芯片等几个极具市场潜力的高端薄膜沉积技术应用领域进
行深耕布局。目前新兴领域的订单量较小，但受益于固态电池、柔性电子等市场需求增加和技术迭代升级，
新兴领域高端薄膜沉积技术的应用前景十分广阔。
（四）首次再融资落地，助力半导体产能与研发升级
2025年度，公司向不特定对象发行可转换公司债券顺利发行并上市，共募集资金11.70亿元。这是公司
自2022年登陆科创板以来首次实施的再融资项目，标志着公司资本运作能力迈上新台阶，对公司未来发展具
有重要战略意义。报告期内，公司可转债募投项目“半导体薄膜沉积设备智能化工厂建设项目”和“研发实
验室扩建项目”有序推进。通过建设先进的生产车间，购置先进生产设备和量测设备，提升公司薄膜沉积设
备的生产能力、研发能力及科技成果转化能力，为公司长期稳健发展夯实基础。
（五）加大研发投入和加强知识产权保护
报告期内，公司坚持自主创新，持续加大研发投入以保持核心竞争优势。2023年至2025年，公司研发投
入分别30814.00万元、41909.38万元和37557.12万元，多年来保持高比例研发投入，其中超过70%投入半导
体领域。公司半导体领域研发重点包括逻辑、存储、先进封装、新型显示器、化合物半导体等项目；光伏领
域研发重点包括TOPCon、XBC、HJT、钙钛矿/钙钛矿叠层电池等新一代高效电池技术等项目。
在持续强化技术壁垒的同时，公司高度重视技术保护工作，完善专利布局。报告期内，公司新增专利授
权数量再创新高。其中，新增各类型国家专利授权共计75项，累计授权并维持有效专利数达到250项，新增
申请专利共计196项，累计申请专利数达到807项。此外，为促进知识产权管理与创新活动深度融合，以知识
产权赋能创新，报告期内公司成功通过ISO56005认证，获得《创新与知识产权管理能力》三级证书。
（六）提升制造供应和运营管理能力
公司已在半导体制造与光伏制造全面推行模块化生产、均衡生产等精益生产理念，全面实施数字化管理
。在此基础上，公司持续对生产制造、供应链管理、质量管理等环节优化升级，为公司高质量发展奠定坚实
基础。
生产制造环节，公司持续深化精益生产理念，在半导体制造、光伏制造领域升级优化模块化、均衡化生
产模式，推动数字化管理向深度渗透，逐步完善智能工厂制造体系。报告期内，公司成功入选“江苏省先进
级智能工厂名单”及“江苏省绿色工厂”。
供应链管理环节，面对国际贸易局势变动引发的全球产业链调整，公司进一步加强了在需求预测、库存
管理和供应商管理等方面的运营，构建完善、稳定、可控的全球供应链体系。通过战略性采购、联合开发、
扩大供应商储备等举措，逐步构建起自主可控、安全可靠、具备高韧性的供应链生态。
在质量管理方面，公司对供应商管理系统质量管理模块进一步优化完善，持续推进供应商能力矩阵开发
，规范供应商反馈渠道，提升处理效率和问题追溯精度；针对关键OEM部件的质量问题，在专项团队攻坚的
基础上，建立常态化质量管控机制，显著降低设备故障率；在全面应用质量综合看板和人员能力矩阵的基础
上，进一步推进研发质量系统的开发，完成多个系统质量模块的整合，实现质量信息的实时整合与共享，提
高协同效率。
（七）加强人才队伍建设
公司秉承“以客户为中心，为员工谋福祉”的价值观，为每一位员工提供完备的福利、培训、激励计划
，助力员工成长、成就个人价值。在人才培养方面，公司实施了多元化的培训机制，覆盖不同专业领域、职
级和个人发展阶段，确保每位员工都能获得与其职业发展相匹配的培训资源。在人才激励方面，公司制定了
系统化的人才激励机制，通过具有行业竞争力的薪酬福利、透明规范的晋升通道和长效共享的股权机制，持
续激发人才创新活力。报告期内，465名激励对象累计归属347.92万股股票，同时公司推出了2025年限制性
股票激励计划，420名激励对象累计被授予
332.76万股股票。上述股权激励计划的实施，进一步扩大了员工持股覆盖面，通过极具吸引力的股权激
励计划与员工共享企业发展的经营成果。
三、报告期内核心竞争力分析
(一)核心竞争力分析
1、先进技术路线优势
公司以ALD技术为核心，专注于ALD、CVD等薄膜沉积工艺技术研发和应用场景拓展。
ALD工艺可以在100%阶梯覆盖率的基础上实现原子层级（1个纳米约为10个原子）的薄膜厚度。随着制程
技术节点的不断进步，ALD工艺优异的沉积均匀性和一致性使得其在微纳电子学和纳米材料等领域具有广泛
的应用潜力。
此外，ALD技术作为一种具有普适意义的真空镀膜技术，在固态电池、柔性电子等新型显示、MEMS、催
化及光学器件等诸多高精尖领域均拥有良好的产业化前景。上述任一领域的应用前景均体现了ALD的技术特
点及优势，为公司的后续发展提供了广阔市场空间。
2、优秀的研发团队和完善的创新中心平台的优势
公司创始团队、核心管理人员拥有丰富的国内外顶级半导体设备公司研发和运营管理经验，并积极引入
和培养一批经验丰富的电气、工艺、机械、软件等领域工程师，形成了跨专业、多层次的人才梯队。公司的
研发技术团队结构合理，专业知识储备深厚，工艺开发、产线验证经验丰富，是奠定公司技术实力的基石。
同时，公司已建立的创新中心以现有技术为基础，围绕国产化替代的战略需求，结合行业内最前沿的技
术发展趋势和市场需求，针对先进技术和工艺性能，搭建了研发平台、高端研发人才培养平台以及未来新项
目发展孵化器。创新中心使公司具有前瞻应用定制化能力，可为客户提供全场景Demo设备线，从而能够及时
响应客户的各类需求，为客户提供全方位的解决方案。
3、技术积累与研发创新能力优势
公司坚持自主研发，已形成先进半导体器件薄膜加工技术、薄膜沉积反应器设计技术、高产能真空镀膜
技术、真空镀膜设备工艺反应气体控制技术等十一项核心技术，上述核心技术成功应用于公司各类产品。公
司iTomicHiK系列半导体ALD设备和KF系列光伏ALD设备均被评为江苏省首台（套）重大装备产品，iTronix系
列半导体CVD设备入选江苏省“两新”技术产品，半导体领域设备成为国产首台成功应用于集成电路制造前
道生产线的量产型High-k原子层沉积设备，其他产品也已在半导体及泛半导体领域经过量产验证，并获得重
复订单。
4、平台化的产品矩阵布局优势
公司的设备产品覆盖半导体、光伏、柔性电子等不同的下游应用市场，半导体领域公司以ALD为核心并
成功拓展CVD等多种薄膜沉积技术和产品，光伏领域公司持续推进以ALD为核心的工艺整线策略和新一代高效
光伏电池技术开发，同时依托创新中心平台探索先进薄膜沉积技术在其他新兴应用领域的发展机会。多领域
、多品类产品覆盖能够一定程度平抑各细分市场波动对公司业绩带来的影响，同时不断拓宽公司市场规模和
成长空间。
5、优质客户资源优势
在半导体领域内，公司率先攻克难度较高的逻辑电路栅氧层等工艺并获得了客户的重复订单，为公司向
全工艺段覆盖奠定客户基础。公司先后获得逻辑、存储、先进封装、化合物半导体和新型显示领域内多家国
内知名半导体公司的商业订单，多款设备已通过客户严格技术验证，并与多家国内主流半导体厂商及验证平
台签署了保密协议并开展产品技术验证等工作。光伏领域已覆盖包括通威、隆基、晶澳、晶科、阿特斯、天
合光能等在内的多家知名太阳能电池片生产商。
6、高效客户服务优势
公司主要产品为非标准化产品，通过将基础研发与行业应用紧密结合，以下游企业的实际需求为研发导
向，为客户定制化开发可量产的工艺、设备及全场景薄膜沉积解决方案。公司技术服务体系健全，为客户提
供及时的驻厂技术服务支持，及时到达现场排查故障、解决问题，保证快速响应客户的需求，缩短新产品导
入的工艺磨合时间。
(三)核心技术与研发进展
1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
受益于公司完整的ALD和CVD设备布局、公司核心技术持续突破、产品升级快速迭代，产品种类不断丰富
。公司布局的薄膜设备在半导体集成电路行业是除光刻机和刻蚀机外第三大设备，目前公司逐步形成了先进
半导体器件薄膜加工技术、薄膜沉积反应器设计技术、高产能真空镀膜技术、真空镀膜设备工艺反应气体控
制技术、纳米叠层薄膜沉积技术、高质量薄膜制造技术、工艺设备能量控制技术、基于原子层沉积的高效电
池技术、柔性材料制备技术、薄膜封装技术以及高效电池整线工艺技术等十一大核心技术。
报告期内，公司核心技术无重大变化。
3、报告期内获得的研发成果
报告期内，公司新增专利授权数量再创新高。其中，新增各类型国家专利授权共计75项，累计授权并维
持有效专利数达到250项；新增申请专利共计196项，累计申请专利数达到807项。
研发投入资本化的比重大幅变动的原因及其合理性说明
主要系公司部分研发项目已于前期实现产业化应用，逐步结项转无形资产，报告期内尚无新增符合资本
化条件的项目导致。
五、报告期内主要经营情况
公司2025年营业收入263330.32万元，同比下降2.47%；2025年归属于上市公司股东的净利润21937.42万
元，同比下降3.23%；2025年扣除非经常性损益后的归属于上市公司股东的净利润16008.14万元，同比下降1
4.53%；2025年末公司总资产966934.08万元，同比增长17.05%；2025年末归属于上市公司股东的净资产2964
08.56万元，同比增长14.21%。
●未来展望:
(一)行业格局和趋势
在半导体领域，中国正处于全球半导体产业转移的历史机遇期，国内产业链的景气度和成长性更加突显
。依托庞大的终端应用市场需求和国家产业政策的大力支持，中国集成电路产业发展迅速，国内芯片制造企
业的产线建设数量和投资规模也相应快速增长。随着国产半导体设备产品的技术性能不断提升，以及国家针
对半导体、泛半导体产业整体战略布局，集成电路制造的设备端国产替代趋势明显，半导体设备国产化进程
加速。
薄膜沉积设备作为半导体制造的核心设备同样迎来重大发展机遇。随着国内半导体行业的发展，客户对
新器件、新架构、新材料、新工艺的需求持续推动了薄膜沉积设备的创新。政策支持和技术进步的推动下，
国产薄膜沉积设备有望加速渗透，迎来前所未有的发展契机。
在光伏领域，光伏薄膜沉积设备具有稳定的中长期需求。随着全球《巴黎协定》的通过以及中国碳达峰
和碳中和目标的提出，意味着全球能源转型，有望驱动光伏装机规模继续扩大。在光伏行业降本增效的发展
趋势推动下，新产品、新技术层出不穷，相应量产和扩产需求催生更多的生产设备需求，在巨大市场需求拉
动下，具备相应技术研发和生产制造能力的光伏设备厂商有望持续受益。
(二)公司发展战略
作为绿色家园的推动者，以及科技创新、自立自强的践行者，公司坚持全球化布局与多元化发展，通过
构建以原子层沉积（ALD）技术为核心，化学气相沉积（CVD）等多种真空薄膜技术梯次发展的产品体系，依
托创新中心平台，引领创新性应用，不断向各领域横向及纵深发展。通过自主创新，积极开发半导体、下一
代光伏电池、固态电池、柔性电子等领域具有市场竞争力的产品。公司通过为客户提供一流技术、一流品质
和一流服务，不断扩展市场占有率，打造高端装备制造商的优质品牌，实现高端技术装备的国产化、产业化
，针对新兴产业形成一整套技术解决方案，力争成为全球微纳制造装备领导者。
在半导体领域内，公司将利用现有的核心技术，持续拓展市场空间，保持在ALD和CVD等高端薄膜沉积设
备市场的竞争优势。公司将瞄准国内外半导体先进技术和工艺的发展方向，构建和完善ALD、CVD等多种先进
真空技术平台，持续丰富产品矩阵，满足客户新器件、新架构、新材料的工艺需求，提供多场景全方位解决
方案，覆盖逻辑、存储、先进封装、化合物半导体、新型显示等细分应用领域，满足国内先进半导体下一代
技术迭代的需求，从而占据技术的最前沿，引领行业创新发展。
在光伏领域内，公司将紧跟下游行业电池技术迭代和扩产的发展趋势，充分发挥ALD、CVD等多种先进真
空技术平台的优势，横向拓宽产品线，提高市场覆盖率，为客户提供ALD、PEALD、PECVD、LPCVD、PVD、扩
散等配套产品，定位于新型高效电池工艺整线设备供应商，从而抓住当前行业发展机遇，储备未来增长点，
稳固自身在光伏领域薄膜沉积设备市场的领先地位。其他新兴行业如新能源、光学、显示等领域内，依托公
司创新中心行业拓展的战略部署，加快产品布局和规划，持续进行新技术及新应用的开发，并进入新市场领
域，不断推出引领行业的创新型产品，推进产业化验证和应用。通过多领域市场空间的拓展，降低了单一细
分领域周期性波动带来的影响。
(三)经营计划
1、技术研发计划
公司将继续坚持以客户需求作为技术研发导向，持续增加研发投入，密切追踪最新的技术及发展趋势，
持续开展对新技术的研究，加快产品创新。公司不断完善研发管理机制和创新激励机制，对在技术研发、产
品创新、专利申请等方面做出贡献的技术研发人员均给予相应的奖励，激发技术研发人员的工作热情。公司
持续加大研发投入力度，营造更好的研发实验环境，为技术突破和产品创新提供重要的基础和保障。
2、市场营销和服务开展计划
公司将继续密切关注客户需求，在满足现有客户对设备需求的同时，深度挖掘现有客户的其他需求，并
积极拓展国内外其他知名客户资源，不断支持公司扩大业务规模。在产品技术路线交流、销售、服务、信息
反馈等环节为客户提供专业化的服务和解决方案。
3、人力资源计划
公司将根据未来技术发展规划和现有人才储备状况，不断加强人才队伍的建设工作。公司根据业务发展
需求，制定短期、中期和长期相结合的人力资源规划及具体实施办法，建立、健全公司科学化、规范化的人
力资源管理系统，注重国内外高端专业技术人才的引进。通过人才培养计划，满足公司发展的人力资源需求
，强化技术研发团队的力量。公司增强核心经营人员和技术人员的稳定性，持续推进人才培养计划，进一步
提升研发队伍的创新能力，不断促进员工综合素质及业务水平的提高。
4、产品开发规划
公司将持续强化产品管理，制定中长期产品规划，动态完善产品路线图，根据既定战略完善产品矩阵和
产品线，开发系列化高端集成电路制造所需的ALD、CVD等设备产品。与国内外顶尖半导体及泛半导体制造商
加深合作，大力开发量产化工艺技术，实现专有工艺与专用设备的配套，提升产品技术壁垒，增强产品在国
际市场的竞争力。公司将大力开发新能源领域产业化应用技术和专用产业化装备，积累前沿技术产业化应用
的知识产权，布局前瞻性技术领域关键产业化技术以及整体解决方案。
5、知识产权发展规划
公司已制定知识产权战略发展规划，根据工作目标和工作任务积极推进。首先，以完善知识产权管理体
系为主，加大知识产权经费投入，深化知识产权信息综合运用，完善关键产品专利海外布局，积累知识产权
优势。其次，以高价值专利培育为主，持续推进关键产品专利技术分析工作，进一步完善关键产品专利布局
，提高和加强纠纷应对能力。最后，以自身技术为出发点开展运营，全面持续推进知识产权布局及保护工作
，实现创新成果高效转化。
6、市场拓展规划
公司将加强和健全各事业部的专业化、国际化市场营销团队，提升营销团队的专业技术能力。同时，加
强客户技术服务、产品质量及品牌维护，通过先进技术、优质产品以及专业服务，提升公司的核心竞争力，
打造公司国际化品牌。公司强化各事业部相关产业的技术交流和互动，积极参与相关技术领域的标准与规范
制定工作，树立专业化、国际化地位，打造具有影响力的微纳装备制造领导者形象。
7、管理提升规划
全面提升管理效能，通过成本核算中心来提高成本核算的正确率和效率，以降低综合成本，同时压缩采
购成本、控制设计成本，并建立标准化计量体系。重点优化和简化运营流程，提高部门工作效率，加强跨部
门沟通，以客户满意度来监督运营。重点强化质量体系，推进模块化、标准化，加强设计质量管控、供应商
质量管控、制造质量管控、售后质量管控。
〖免责条款〗
1、本公司力求但不保证提供的任何信息的真实性、准确性、完整性及原创性等，投资者使
用前请自行予以核实，如有错漏请以中国证监会指定上市公司信息披露媒体为准，本公司
不对因上述信息全部或部分内容而引致的盈亏承担任何责任。
2、本公司无法保证该项服务能满足用户的要求，也不担保服务不会受中断，对服务的及时
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