经营分析☆ ◇688230 芯导科技 更新日期：2026-09-12◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.前5名客户营业收入表】【4.前5名供应商采购表】
【5.经营情况评述】
【1.主营业务】
功率半导体的研发与销售
【2.主营构成分析】
截止日期:2026-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
功率器件(产品) 2.11亿 91.06 7051.68万 90.89 33.40
功率IC(产品) 2074.20万 8.94 706.50万 9.11 34.06
─────────────────────────────────────────────────
上海(地区) 2.32亿 100.00 7758.17万 100.00 33.46
─────────────────────────────────────────────────
境内(渠道) 2.16亿 93.35 7203.68万 92.85 33.28
境外(渠道) 1541.27万 6.65 554.49万 7.15 35.98
─────────────────────────────────────────────────
经销商(销售模式) 2.25亿 97.02 7454.16万 96.08 33.13
终端客户(销售模式) 690.61万 2.98 304.02万 3.92 44.02
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2025-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
集成电路(行业) 3.94亿 100.00 1.29亿 100.00 32.84
─────────────────────────────────────────────────
功率器件:TVS(产品) 2.22亿 56.29 7218.77万 55.84 32.58
功率器件:MOSFET(产品) 8903.82万 22.62 3103.40万 24.01 34.85
功率器件:肖特基(产品) 3668.42万 9.32 1221.39万 9.45 33.29
功率IC(产品) 3309.98万 8.41 984.79万 7.62 29.75
功率器件:其他(产品) 1324.01万 3.36 398.27万 3.08 30.08
─────────────────────────────────────────────────
中国大陆(地区) 3.67亿 93.11 1.19亿 91.82 32.38
中国大陆以外(地区) 2710.21万 6.89 1057.93万 8.18 39.03
─────────────────────────────────────────────────
经销(销售模式) 3.86亿 98.07 1.26亿 97.48 32.64
直销(销售模式) 759.73万 1.93 326.21万 2.52 42.94
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2025-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
功率器件(产品) 1.66亿 90.93 5592.32万 92.22 33.71
功率IC(产品) 1653.77万 9.07 471.60万 7.78 28.52
─────────────────────────────────────────────────
上海(地区) 1.82亿 100.00 6063.92万 100.00 33.24
─────────────────────────────────────────────────
境内(渠道) 1.68亿 91.88 5467.67万 90.17 32.62
境外(渠道) 1481.09万 8.12 596.25万 9.83 40.26
─────────────────────────────────────────────────
经销商(销售模式) 1.79亿 98.02 5912.18万 97.50 33.06
终端客户(销售模式) 361.08万 1.98 151.74万 2.50 42.02
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2024-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
集成电路(行业) 3.53亿 100.00 1.22亿 100.00 34.43
─────────────────────────────────────────────────
功率器件:TVS(产品) 1.98亿 56.23 6968.74万 57.35 35.11
功率器件:MOSFET(产品) 7368.32万 20.88 3015.12万 24.82 40.92
功率IC(产品) 3653.69万 10.35 667.86万 5.50 18.28
功率器件:肖特基(产品) 3076.72万 8.72 1082.35万 8.91 35.18
功率器件:其他(产品) 1348.50万 3.82 416.14万 3.42 30.86
─────────────────────────────────────────────────
中国大陆(地区) 3.20亿 90.53 1.08亿 89.00 33.84
中国大陆以外(地区) 3341.08万 9.47 1336.04万 11.00 39.99
─────────────────────────────────────────────────
经销(销售模式) 3.49亿 98.93 1.20亿 98.64 34.33
直销(销售模式) 377.80万 1.07 164.97万 1.36 43.67
─────────────────────────────────────────────────
【3.前5名客户营业收入表】
截止日期:2025-12-31
前5大客户共销售2.02亿元，占营业收入的51.39%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│客户名称 │ 营收额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│客户一 │ 9521.08│ 24.19│
│客户二 │ 5488.04│ 13.94│
│客户三 │ 2305.59│ 5.86│
│客户四 │ 1568.96│ 3.99│
│客户五 │ 1341.68│ 3.41│
│合计 │ 20225.35│ 51.39│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【4.前5名供应商采购表】
截止日期:2025-12-31
前5大供应商共采购1.55亿元，占总采购额的57.00%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│供应商名称 │ 采购额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│供应商一 │ 4822.09│ 17.71│
│供应商二 │ 3986.33│ 14.64│
│供应商三 │ 2833.88│ 10.41│
│供应商四 │ 2568.51│ 9.43│
│供应商五 │ 1309.46│ 4.81│
│合计 │ 15520.27│ 57.00│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【5.经营情况评述】
截止日期:2026-06-30
●发展回顾:
一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
（一）所属行业情况
1、行业发展情况
公司所处行业属于集成电路设计行业，根据国家统计局2017年修订的《国民经济行业分类》（GB/T4754
-2017），公司从事的相关业务属于“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”。
2026年上半年，全球半导体市场在人工智能需求的持续驱动下呈现高速增长态势，美国半导体行业协会
（SIA）数据显示，2026年第二季度全球半导体销售额达4,033亿美元，环比大幅增长35.1%；6月单月销售额
1,345亿美元，同比增长123.6%。世界半导体贸易统计组织(WSTS)发表数据，全球半导体市场规模在2026年
上半年达到7,020亿美元，同比增幅102%，同时，WSTS预测2026年全球半导体市场规模将同比增长108%，总
规模达到1.655万亿美元，2027年预计将进一步增长29%，达到2.1万亿美元。
面对美国及其盟国对中国在半导体生产设备、设计软件及相关原材料方面实施的一系列管制措施，实现
中国集成电路产业的自主可控的目标变得尤为迫切。在这种复杂的外部环境下，国产替代进口的需求空间巨
大。近年来，我国在半导体功率器件领域加大了研发投入，积极推动技术创新，通过自主研发和引进先进技
术，我国在MOSFET、IGBT等传统功率器件以及碳化硅、氮化镓等新型宽禁带半导体材料的应用上取得了重要
突破，与国际先进水平的差距在不断缩小。
海关总署7月发布数据显示，2026上半年中国集成电路出口金额达1,772.8亿美元，同比增长96.1%。根
据研究机构Omdia最新报告，2026年中国半导体市场预计同比增长率将大幅上修至92.9%，达8,120.8亿美元
。
目前，公司产品主要包括功率器件和功率IC，功率器件产品主要为TVS（包括ESD保护器件）、MOSFET、
肖特基等；功率IC产品主要为电源管理IC。公司产品具有高性能、低损耗、低漏电、小型化的特点，可应用
于消费类电子、网络通讯、安防、工业、汽车、储能等领域。公司在继续深耕消费类电子、网络通讯、安防
、工业等领域的同时，也在积极将产品向汽车电子、光伏储能等领域拓展。
2、行业地位
公司是工业和信息化部认定的专精特新“小巨人”企业、国家高新技术企业、上海市规划布局内重点集
成电路设计企业、上海市科技小巨人企业、上海市“专精特新”企业、上海市集成电路行业协会第七届理事
会理事单位。
公司的核心技术均来自自主研发，经过多年的技术积累和持续创新，在功率器件和功率IC工艺设计方面
积累了多项核心技术。公司的功率器件及功率IC产品，具有高性能、低功耗、小尺寸的特点，产品市场目前
主要被德州仪器（TI）、安森美（ONSemiconductor）、商升特半导体（SemtechCorporation）等国外半导
体厂商占据，国产化替代空间巨大。随着公司产品不断向汽车电子、光伏储能及人工智能等领域拓展，公司
产品的应用需求将进一步释放，市场前景广阔。
（二）主营业务情况
1、主要业务与产品
公司主营业务为功率半导体的研发与销售，公司功率半导体产品包括功率器件和功率IC两大类，公司产
品可应用于消费类电子、网络通讯、安防、工业、汽车、储能等领域。
（1）功率器件
公司功率器件产品主要包括瞬态电压抑制二极管（TVS）、金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
、肖特基势垒二极管（SBD）、氮化镓（GaNHEMT）、碳化硅（SiC）等。其中，公司的TVS产品主要为ESD保
护器件。
（2）功率IC
公司的功率IC产品主要为电源管理IC，具体包括负载开关芯片、线性充电芯片、单节锂电池充电芯片、
过压保护芯片、音频功率放大器、DC-DC类电源转换芯片、氮化镓驱动IC等。
2、主要经营模式
公司自设立以来一直采用Fabless的经营模式进行产品研发和销售。在Fabless模式下，公司专注于功率
半导体相关产品的设计，将晶圆制造和封装测试环节均采用外协加工的方式委托专业的生产厂商进行加工，
由外协厂商负责生产。
（1）产品研发模式
公司采用Fabless经营模式，产品研发环节是整个经营活动的核心环节。公司始终密切关注行业前沿技
术，紧跟客户需求和市场变化趋势，打造自主研发的技术平台，并以此为基础，持续推进技术迭代，丰富产
品种类和型号，拓展应用领域，从而实现产品的技术先进性以及较强的市场竞争力。
（2）采购与生产模式
公司采用集成电路行业典型的Fabless经营模式，专注于功率半导体产品的研发和销售环节，晶圆制造
和封装测试等环节主要通过委托外协的方式完成。
（3）销售模式
根据行业、产品及市场情况，公司主要采取“经销为主，直销为辅”的销售模式。
二、经营情况的讨论与分析
公司始终秉承“专注于技术创新和价值创造，为客户提供卓越的产品与服务，实现客户、员工、生态伙
伴与企业的共存共赢”的使命，凭借优秀的研发团队及其强大的研发能力，通过不断的技术积累和沉淀，拥
有搭建功率半导体技术平台的能力，并在此基础上对产品不断进行更新迭代。
目前，公司在各类细分产品及应用领域的技术平台开发上取得了显著成果。针对TVS产品，已陆续开发
了平面工艺普通容值TVS技术平台、平面工艺低容值TVS技术平台、改进型台面工艺TVS技术平台、深槽隔离
工艺TVS技术平台、穿通型NPN结构工艺TVS技术平台、具有SCR结构的低电容ESD平台等；针对MOSFET产品，
先后开发了平面（Planar）工艺MOSFET技术平台、沟槽（Trench）工艺MOSFET技术平台、改进型沟槽（Tren
ch）工艺MOSFET技术平台、屏蔽栅工艺MOSFET技术平台等；对于肖特基产品，已开发了平面工艺肖特基技术
平台、沟槽MOS型工艺肖特基（TMBS）技术平台、改进型沟槽MOS型工艺肖特基（TMBS）技术平台等；针对第
三代半导体产品，公司开发了高压GaNHEMT技术平台、低压GaNHEMT技术平台、双向GaNHEMT技术平台；高压
平面型SiCMOS技术平台、SiCJBS结势垒技术平台、低压SiCMOS技术平台；针对IGBT产品，公司开发了通用沟
槽型IGBT技术平台、新能源用精细沟槽结构的IGBT技术平台。在IC产品方面，公司的技术平台涵盖了PSC技
术平台、过压保护类技术平台、PB技术平台、音频功放技术平台、DC-DC技术平台、负载开关技术平台。公
司紧跟客户需求的变化与技术的进步，在现有技术平台的基础上不断推陈出新、迭代升级，持续推出新一代
产品以满足市场需求。
（一）报告期内主要经营情况
报告期内，公司实现营业收入23,188.90万元，较上年同期增长27.11%；实现利润总额8,255.14万元，
较上年同期增加51.62%；实现归属于上市公司股东的净利润7,551.34万元，较上年同期增加50.43%；实现归
属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润5,632.95万元，较上年同期增加88.30%。
报告期末，公司总资产236,871.17万元，较上年末增加1.69%；归属于上市公司股东的所有者权益229,5
43.92万元，较上年末增加1.10%。
（二）报告期内重点任务完成情况
1、夯实技术根基，强化核心优势
作为专精特新“小巨人”企业和重点集成电路设计企业，公司始终以自主技术创新为基础，坚持技术领
先战略，持续强化技术创新能力。公司紧扣市场发展趋势与下游客户需求，有计划、有步骤地开展技术开发
与创新，拓展现有产品序列，推动现有产品的更新迭代，稳固公司产品竞争优势，保障经营可持续发展。
报告期内，公司持续推进新产品开发工作，累计发布了114款新产品。其中，功率器件新产品研发突出
，涵盖了ESD、TVS等87款保护器件及22款MOSFET、GaNHEMT、SiCMOS、SiCSBD等产品，持续提升产品性能、
优化成本水平，满足客户多样化的设计应用需求。此外，公司还发布了5款功率IC新产品，稳步推进产品系
列化发展，丰富产品类型，持续加快产品迭代升级进程。
2、布局产业链条，构建协同生态
围绕公司整体战略布局，公司始终密切关注着在技术、产品及业务层面与公司具有较高协同效应的优质
资源，聚焦于汽车电子、风光储充等应用领域的相关标的。公司积极挖掘投资并购机会，有效整合产业链上
下游资源，持续优化产业布局，助力公司实现高质量发展。
报告期内，公司积极推进收购瞬雷科技、吉瞬科技事项。标的公司拥有独立自主的生产工厂，可以实现
从晶圆研发设计、生产制造到成品封装测试的完整生产环节。其在汽车电子、安防仪表、民爆化工、工业等
多个下游应用领域建立了稳固的客户基础和销售渠道。本次交易完成后，借助设计与制造的协同效应，有助
于公司加强供应链管控能力，更好地进行资源统筹，进一步提升产品质量、生产效率与成本效益，有利于公
司实现从Fabless到Fab-lite模式的发展战略。同时，公司可以借助标的公司的优质客户资源进入到汽车电
子、安防仪表、民爆化工、工业等多个领域，丰富公司产品矩阵，进一步完善公司在功率半导体的布局。
2026年7月16日，上海证券交易所并购重组审核委员会召开2026年第11次并购重组审核委员会审议会议
，对公司本次交易的申请进行了审议，并发布《上海证券交易所并购重组审核委员会2026年第11次审议会议
结果公告》，本次会议的审议结果为：本次交易符合重组条件和信息披露要求。
2026年8月7日，公司收到中国证券监督管理委员会出具的《关于同意上海芯导电子科技股份有限公司发
行可转换公司债券购买资产注册的批复》（证监许可〔2026〕1932号），同意公司本次交易的注册申请。
3、深化品牌影响，巩固合作关系
公司始终以客户需求作为第一需求，积极参加行业展会、论坛，及时掌握行业动态及客户需求，促进与
合作伙伴的交流合作，进一步加强品牌宣传力度，提升公司知名度。提高产品质量，提升服务水平，为客户
提供更丰富的产品和更优质的服务，赢得客户认可，实现市场拓展和业务增长，维护公司品牌形象。
报告期内，公司2026（春季）产品推介会暨合作伙伴大会在深圳顺利举办。公司董事长欧新华先生发表
开幕演讲，解读行业形势，分享发展战略。七场专题报告全面展示了公司紧跟行业趋势，全维度布局的创新
成果，围绕MOSFET、GaN、SiC及功率IC等产品线展开介绍，并深入剖析了无刷电机、无人机、3D打印等新兴
市场机遇。公司将坚守创新初心，深耕功率半导体领域，持续推出优质产品与服务，与所有伙伴同心聚智、
共赴产业高质量发展新征程。
报告期内，公司凭借卓越的产品品质、稳定的供应链保障及深度技术协同能力，荣获传音控股颁发的“
2025鼎力支持奖”，这是传音控股对双方多年合作成果的高度认可，更是对公司在功率半导体领域综合实力
的充分肯定。
4、广纳天下英才，积蓄发展动能
公司始终重视人才为发展的第一资源，坚持将人才梯队建设置于战略核心，致力于构建支撑长远发展的
高素质专业团队。报告期内，公司开展了2026春季校园巡回招聘活动，覆盖西安、成都、武汉、长沙四大科
教重点城市，走进西安交通大学、西安电子科技大学、电子科技大学、四川大学、武汉大学、华中科技大学
、湖南大学、中南大学等十余所顶尖高校，精准对接集成电路工程、电子信息、电子科学与技术等核心专业
。开展专场宣讲。本次招聘覆盖研发、测试、市场、销售等岗位，为公司持续壮大高素质人才梯队、注入新
鲜血液提供了坚实保障，为技术创新与业务拓展积蓄了核心动能。
三、报告期内核心竞争力分析
(一)核心竞争力分析
1、技术和研发优势
公司作为功率半导体设计企业，拥有完善的技术创新体系、强大的研发能力和一定的技术优势。经过多
年的技术积累，凭借强大的研发投入及优秀的研发团队，公司已经自主研发出一种降低芯片反向漏电流的技
术、深槽隔离及穿通型NPN结构技术、MOSFET的沟槽优化技术、沟槽MOS型肖特基势垒二极管的改进技术、可
连续调节占空比的环路控制技术、一种复合DC-DC电路、一种负载识别电路等核心技术、一种GaNHEMT器件制
备技术、一种SiCMOS器件制备技术、IGBT通用沟槽栅技术、IGBT精细沟槽栅技术等。该等核心技术使得公司
芯片产品及应用方案在性能、尺寸、功耗、兼容性等方面较为先进。
得益于国内FAB厂的技术沉淀与发展，结合国内设计公司的设计优势，目前部分国产功率器件的性能基
本与国际大厂相当；公司的部分TVS、MOSFET等功率器件产品在技术上处于国内前列，与国际大厂的技术相
当。
在功率IC产品方面，公司在快充领域深耕多年，已有多条成熟量产的产品线，覆盖了PSC、PB、PLC系列
。针对市场上激烈的价格竞争，公司不断推进产品的更新迭代，持续实现充电和OVP产品的成本优化和性能
优化。公司还在不断扩充充电产品线，完成了同步/异步双节和多节升压开关充电IC的设计。
2、新产品开发优势
在功率半导体新产品开发方面，公司高度注重客户的需求及意见反馈，在新产品开发设计方面具有一定
的优势。受益于国产替代，公司凭借较好的技术储备和一定的研发优势，结合下游客户需求及行业发展趋势
，对现有产品不断进行更新迭代，为后续销售收入的增长打下了良好的基础。
3、产品供应优势
近年来，公司基于在功率半导体领域已有的研发优势和下游客户资源优势，不断丰富和优化产品类别，
进一步优化供应商管理，完善产品供应体系，公司的产品供应能力得到了较高的提升。公司合作的晶圆、封
测等主要厂商大多为行业内知名厂商，产品供应得到有效的保证。
4、终端客户优势
半导体行业上下游产业链之间具有高度的粘性，下游应用行业对产品质量和供应商的选定有严格的要求
，一旦对选用的半导体产品经过测试、认证并大规模使用之后不会轻易更换供应商。终端客户与供应商建立
合作前，会对供应商的整体资质进行评价，从供应商的整体规模、产品结构、现有客户结构多维度了解相关
情况，并由专人进行现场审核，审核通过后，方可进入终端厂商的合格供应商体系；待双方合作关系建立后
，终端客户在供应商产品进入批量供应前通常需要对产品进行认证，认证流程主要包括：样品性能测试、整
机性能测试、综合可靠性测试、小批量试产评估等。由于终端客户的认证体系复杂且认证周期较长，一般的
功率器件设计企业开拓品牌客户的难度较大。
公司一直注重客户需求，高度重视产品质量管理和客户关系维护，通过快速的客户服务和高效的客户反
馈响应机制，既保证快速满足客户需求又能够紧跟市场变化，确保公司产品持续更新、保持先进水平。凭借
自身较强的产品技术、丰富的产品种类、优良的产品质量以及优质的服务，公司产品成功应用于下游行业内
如小米、TCL、传音等品牌客户以及华勤、立讯智通、龙旗等ODM客户。
5、品牌优势
公司各类产品广泛应用于小米、TCL、传音等品牌客户以及华勤、立讯智通、龙旗等ODM客户。多年来，
公司在行业中积累了良好的口碑，形成了一定的品牌优势，公司产品的客户认知度和忠诚度均较高，公司品
牌获得了客户和经销商的认可。随着公司业务的增长，公司将进一步提升公司品牌优势，与业绩增长形成良
性循环。
6、营销及服务网络优势
公司总部位于上海张江高科技园区，全资子公司设立在无锡经济开发区，以国内销售为主，拥有本土优
势和营销网络优势，具备丰富的客户资源和较高的品牌知名度。公司通过“经销+直销”的方式建设营销网
络，可快速响应客户需求。为贴近客户并提供专业服务，公司在上海和深圳建立了技术服务中心，配套专业
测试设备，为客户提供“一站式”技术支持，不但提高了客户满意度，与客户建立起紧密而稳定的合作关系
，同时提升了品牌知名度，增强了市场竞争力。
(二)核心技术与研发进展
1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司的核心技术均来自自主研发，经过多年的技术积累和持续创新，在功率器件和功率IC工艺设计方面
积累了多项核心技术。
在功率器件方面：公司的一种降低芯片反向漏电流的技术实现了TVS、肖特基、稳压管等产品的低漏电
和高温下的可靠性，使产品在应用过程中更加安全和稳定；深槽隔离及穿通型NPN结构技术实现了TVS产品的
高瞬态泄放电流、低钳位电压的特性，同时实现了产品封装的小型化，不但使产品在应用中减少了空间的占
用，同时提升了浪涌防护能力，对产品的保护效果更加优异；MOSFET的沟槽优化技术实现了MOSFET产品的低
导通阻抗、低损耗特性，使产品在应用中大幅降低了功耗，减少了发热；沟槽MOS型肖特基势垒二极管的改
进技术实现了肖特基产品低正向导通压降、低损耗的特性，在使用过程中降低了产品功耗；一种GaNHEMT器
件制备技术，优化了终端结构，降低工艺开发过程引入的漏电风险，使得GaNHEMT产品具有芯片良率高、可
靠性良好的特性；一种SiCMOS器件制备技术，通过二次外延方式在栅极底部引入二次栅氧层，从而平衡栅极
底部耐压分布，减小栅极承受耐压，从而提升器件可靠性；IGBT通用沟槽栅技术优化了载流子浓度和传输路
径，减少了导通损耗和开关损耗，提升了产品使用效率；IGBT精细沟槽栅技术实现了芯片的通流能力和闩锁
能力的提升，同时进一步降低了正向导通压降及损耗，芯片面积和性能得到了平衡，适合在新能源系统上应
用。
报告期内，公司不断丰富产品阵容，在TVS、MOSFET、肖特基、GaNHEMT、SiC等产品方面持续保持研发
动力，使产品更加齐全、性能不断优化。
1在TVS产品方面：
A.公司具有深回退特性的低容超强浪涌防护能力的ESD产品，产品阵容齐全，性能国内领先，出货量不
断攀升。同时，该系列产品升级项目，首款晶圆采用DFN0603、DFN1006两种封装的产品也正式投放市场，在
产品性能上容值更低，可承受的浪涌电流更大，性能提升的同时晶圆出芯更高，目前在客户新项目中进行推
广。
B.公司开发的具有0.15pF极低容值的SCRESD产品，已经形成系列化，产品覆盖了5-30V工作电压，多个
产品已经在大客户量产出货。公司开发的下一代0.15pF极低容值的SCRESD产品，深回退工艺产品的静电能力
已经从10kV提升至15kV，达到业界0.15pF硅基ESD的领先水平，同时公司还在开发具有浅回退特点的极低容
值产品，以满足客户的不同设计需求。
C.公司具有高Vhold技术特色的低容强浪涌防护器件，已经正式发布了5-15V涵盖市场主流应用电压档的
系列产品，产品采用小尺寸DFN1006封装，具有同类型产品的最低的容值，同时可达到50V浪涌防护水平，处
于业界领先水平，目前部分产品正在客户新项目中验证测试。
D.公司通过技术迭代，对具有超低钳位电压、超大泄放电流的TVS产品中的高Vrwm部分产品进行开发和
优化，通过单芯双向技术，可以采用一个芯片替代原有两个芯片合封产品的性能，从而在保证性能的前提下
，产品性价比的大幅提升。
2在MOSFET产品方面：
A.低压具有超低导通阻抗和超低栅极电荷的MOSFET产品，基于40VSGTMOSFET平台，5*6mm尺寸下0.5mΩ
导通阻抗的产品目前已经进入开发尾声，开发成功后，公司40V极低导通阻抗SGTMOSFET系列产品将涵盖0.5m
Ω、0.7mΩ、0.85mΩ、1.0mΩ、1.2mΩ等档位，产品阵容齐全，可以在服务器电源（升降压电路及Oring电
路）、无人机（BLDC电机驱动）等终端产品中得到广泛应用。
B.基于公司的低压TrenchMOSFET技术平台，开发的具有超小尺寸、超低导通阻抗的WLCSP封装的共漏和
共源MOSFET产品，其中共源WLCSPMOSFET产品已经在多个客户处推广、验证测试中，具有共漏结构的WLCSPMO
SFET产品，第一款6球WLCSP封装产品已经通过可靠性测试，目前正在进行规格书制作。公司开发的WLCSPMOS
FET产品在锂电池充电管理方向上将有着广泛的应用，可以为终端客户产品设计提供极致的性能和尺寸。
3在肖特基产品方面：
具有超低容值的SBD产品，目前已经完成多个封装形式的产品开发，正在多个客户进行推广及验证测试
，基于此技术平台，正在开发小信号应用的40V1A采用DFN1006封装的产品开发，目前已经完成封装。该产品
开发成功后，应用非常广泛，并具有更高的开关频率。
4在GaNHEMT产品方面：
公司650VCascode结构GaNHEMT有序开发中，目前初步形成了50-3000mΩ系列产品。中低压GaNHEMT产品
（40V~150V）有序开发中，其中40V双向GaN产品，已在客户端实现量产出货。另外，高压GaN产品，在头部
电源客户大功率250W项目中测试通过，并且进入方案物料清单中，已进入量产环节。
5在SiC产品方面：
公司SiC产品，包含SiCSBD系列和SiCMOSFET系列。SiCSBD系列包含650V/1200V/1700V电压档，其中650V
SBD产品已在PD客户端出货，1200VSBD产品已在多家大功率系统客户测试验证中，1700VSBD产品陆续产出。S
iCMOSFET系列包含650V/1200V/1700V电压档，正在有序开发中，其中1200V产品在充电桩、逆变器等领域均
有客户验证测试中，650V产品已通过PD快充、适配器等客户方案验证，陆续出货中。
在功率IC方面：公司重点开发了多项具备高集成度与先进性能的核心电路技术，针对IO口的小型化浪涌
保护电路，融合ESD防护与24V浪涌泄放能力，减少外围器件需求；高阶温度补偿带隙基准电路，可适配各类
架构带隙基准，实现精准的高阶温度补偿；创新型MOS驱动电路，通过内部驱动设计与灵活接地配置，仅需3
引脚封装即可驱动NMOS开关，并较好兼容PMOS应用；多功能GPIO接口复用电路，通过引脚复用使充电IC在6
引脚封装内集成充电电流/电压控制、LED指示等功能。
报告期内，公司持续推进产品系列化与类型拓展，加速产品迭代升级：
①过流过压保护类IC
30V/115mΩ带反接保护OVPIC实现品牌客户大批量出货；热插拔能力加强版的OVPICNTO验证通过，准备
客户端推广。
②线性充电类IC
集成放电管理的1A高压线性充电IC客户端试产通过，输入端和电池端单体浪涌能力得到增强。集成两路
放电管理的1.2A线性充电IC设计完成并进行MPW流片。
③开关充电类IC
采用Sense-Resistor-Free的2.5A大电流开关充放电IC，已在客户端试产通过；软硬件兼容WLCSP20封装
，迭代升级版2A开关充电IC，目前样品封装中；3.78A开关充电IC验证通过，客户端推广中。
2、报告期内获得的研发成果
截至2026年6月30日，公司现行有效知识产权累计144项，其中发明专利39项，实用新型37项，另有集成
电路布图设计专有权62项，商标6项。报告期内，公司获得新增授权知识产权4项。
四、报告期内主要经营情况
报告期内，公司实现营业收入23188.90万元，较上年同期增长27.11%；实现利润总额8255.14万元，较
上年同期增加51.62%；实现归属于上市公司股东的净利润7551.34万元，较上年同期增加50.43%；实现归属
于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润5632.95万元，较上年同期增加88.30%。
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