经营分析☆ ◇688230 芯导科技 更新日期：2025-05-01◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.前5名客户营业收入表】【4.前5名供应商采购表】
【5.经营情况评述】
【1.主营业务】
功率半导体的研发与销售。
【2.主营构成分析】
截止日期:2024-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
集成电路(行业) 3.53亿 100.00 1.22亿 100.00 34.43
─────────────────────────────────────────────────
功率器件:TVS(产品) 1.98亿 56.23 6968.74万 57.35 35.11
功率器件:MOSFET(产品) 7368.32万 20.88 3015.12万 24.82 40.92
功率IC(产品) 3653.69万 10.35 667.86万 5.50 18.28
功率器件:肖特基(产品) 3076.72万 8.72 1082.35万 8.91 35.18
功率器件:其他(产品) 1348.50万 3.82 416.14万 3.42 30.86
─────────────────────────────────────────────────
中国大陆(地区) 3.20亿 90.53 1.08亿 89.00 33.84
中国大陆以外(地区) 3341.08万 9.47 1336.04万 11.00 39.99
─────────────────────────────────────────────────
经销(销售模式) 3.49亿 98.93 1.20亿 98.64 34.33
直销(销售模式) 377.80万 1.07 164.97万 1.36 43.67
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2024-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
功率器件(产品) 1.40亿 89.95 5109.07万 91.39 36.45
功率IC(产品) 1565.26万 10.05 481.16万 8.61 30.74
─────────────────────────────────────────────────
上海(地区) 1.56亿 100.00 5590.18万 100.00 35.88
无锡(地区) 1212.38 0.00 449.08 0.00 37.04
─────────────────────────────────────────────────
境内(渠道) 1.40亿 89.94 4983.94万 89.15 35.57
境外(渠道) 1567.24万 10.06 606.28万 10.85 38.68
─────────────────────────────────────────────────
经销商(销售模式) 1.54亿 98.70 5500.64万 98.40 35.77
终端客户(销售模式) 203.23万 1.30 89.58万 1.60 44.08
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2023-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
集成电路(行业) 3.20亿 100.00 1.11亿 100.00 34.59
─────────────────────────────────────────────────
功率器件:TVS(产品) 1.90亿 59.35 6520.42万 58.83 34.29
功率器件:MOSFET(产品) 5186.29万 16.19 2019.07万 18.22 38.93
功率IC(产品) 3165.67万 9.88 1017.34万 9.18 32.14
功率器件:肖特基(产品) 3132.53万 9.78 1078.63万 9.73 34.43
功率器件:其他(产品) 1540.37万 4.81 448.95万 4.05 29.15
─────────────────────────────────────────────────
中国大陆(地区) 2.86亿 89.24 9778.12万 88.22 34.19
中国大陆以外(地区) 3446.35万 10.76 1306.29万 11.78 37.90
─────────────────────────────────────────────────
经销(销售模式) 3.10亿 96.81 1.07亿 96.76 34.57
直销(销售模式) 1021.24万 3.19 359.44万 3.24 35.20
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2023-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
功率器件(产品) 1.17亿 89.29 --- --- ---
功率IC(产品) 1404.46万 10.71 --- --- ---
─────────────────────────────────────────────────
上海(地区) 1.31亿 100.00 4423.04万 100.00 33.72
─────────────────────────────────────────────────
经销商(其他) 1.26亿 96.16 --- --- ---
终端客户(其他) 503.42万 3.84 --- --- ---
─────────────────────────────────────────────────
境内(销售模式) 1.16亿 88.35 --- --- ---
境外(销售模式) 1527.63万 11.65 --- --- ---
─────────────────────────────────────────────────
【3.前5名客户营业收入表】
截止日期:2024-12-31
前5大客户共销售1.71亿元，占营业收入的48.47%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│客户名称 │ 营收额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│客户一 │ 8078.49│ 22.89│
│客户二 │ 4535.63│ 12.85│
│客户三 │ 1740.19│ 4.93│
│客户四 │ 1532.86│ 4.34│
│客户五 │ 1221.05│ 3.46│
│合计 │ 17108.22│ 48.47│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【4.前5名供应商采购表】
截止日期:2024-12-31
前5大供应商共采购1.18亿元，占总采购额的51.53%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│供应商名称 │ 采购额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│供应商一 │ 3953.52│ 17.22│
│供应商二 │ 3375.25│ 14.70│
│供应商三 │ 1661.03│ 7.24│
│供应商四 │ 1648.33│ 7.18│
│供应商五 │ 1191.10│ 5.19│
│合计 │ 11829.23│ 51.53│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【5.经营情况评述】
截止日期:2024-12-31
●发展回顾:
一、经营情况讨论与分析
公司始终秉承“专注于技术创新和价值创造，为客户提供卓越的产品与服务，实现客户、员工、生态伙
伴与企业的共存共赢”的使命，凭借优秀的研发团队及其强大的研发能力，历经十五载的技术积淀，公司拥
有搭建功率半导体技术平台的能力，并在此基础上对产品不断进行更新迭代。
目前，公司在各类细分产品及应用领域的技术平台开发上取得了显著成果。针对TVS产品，已陆续开发
了平面工艺普通容值TVS技术平台、平面工艺低容值TVS技术平台、改进型台面工艺TVS技术平台、深槽隔离
工艺TVS技术平台、穿通型NPN结构工艺TVS技术平台、具有SCR结构的低电容ESD平台等；针对MOSFET产品，
先后开发了平面（Planar）工艺MOSFET技术平台、沟槽（Trench）工艺MOSFET技术平台、改进型沟槽（Tren
ch）工艺MOSFET技术平台、屏蔽栅工艺MOSFET技术平台等；对于肖特基产品，已开发了平面工艺肖特基技术
平台、沟槽MOS型工艺肖特基（TMBS）技术平台、改进型沟槽MOS型工艺肖特基（TMBS）技术平台等；针对第
三代半导体GaNHEMT产品，公司开发了高压P-GaNHEMT技术平台；针对IGBT产品，公司开发了通用沟槽型IGBT
技术平台、新能源用精细沟槽结构的IGBT技术平台。在IC产品方面，公司的技术平台涵盖了PSC技术平台、
过压保护类技术平台、PB技术平台、音频功放技术平台、DC-DC技术平台、负载开关技术平台。公司紧跟客
户需求的变化与技术的进步，在现有技术平台的基础上不断推陈出新、迭代升级，持续推出新一代产品以满
足市场需求。
（一）报告期内主要经营情况
报告期内，公司实现营业收入35294.17万元，较上年同期增长10.15%；实现归属于上市公司所有者的净
利润11163.95万元，较上年同期增长15.70%；归属于上市公司所有者的扣除非经常性损益的净利润5860.70
万元，较上年同期增长34.50%。
报告期末，公司总资产232793.57万元，同比增长2.03%；归属于上市公司的所有者权益226413.94万元
，同比增长1.87%。
（二）报告期内重点任务完成情况
1、积聚创新动能，铸就技术基石
作为专精特新“小巨人”企业和重点集成电路设计企业，公司一直坚持以自主技术创新为基础，坚持技
术领先战略，不断强化技术创新能力。根据市场发展趋势、下游客户需求，有计划、有步骤地进行技术开发
和创新，扩展现有产品系列，加强对现有产品的更新迭代，保证公司产品的竞争优势和可持续发展。
（1）功率器件研发方面：
①在TVS产品方面：
A.公司具有深回退特性的低容超强浪涌防护能力ESD产品已经在终端大客户验证通过，将在新项目中采
用。另外该系列产品也由1.0*0.6mm的尺寸缩小至0.6*0.3mm，目前更小尺寸的深回退低容超强浪涌防护能力
ESD产品已经进入产品推广阶段，这系列产品的推出将使产品的阵容更加完善和齐全。
B.超低容值（0.15pF）具有深回退特性、超小封装（0.6*0.3mm）的SCRESD产品及用于HDMI2.1接口保护
应用的容值低于0.3pF的4路深回退保护器件已经实现量产出货。
C.公司开发出的超低钳位电压、超大泄放电流的TVS产品，已经通过大客户的性能验证，由于具有优异
的钳位电压、电流泄放能力和动态电阻性能，优于同类其他品牌产品而已被客户设计到终端产品中，目前该
系列产品已经有多个型号批量出货；同时，在Vbus（总线保护）应用方面，基于DFN2020封装在开发高工作
电压的双向保护产品已经实现量产出货，同时，针对具有超低应用负向钳位电压的单向TVS产品，正在做进
一步的性能提升。
②在MOSFET产品方面：
1、中压超低导通电阻和超低栅极电荷的MOSFET，不断完善产品阵容，加快产品系列化进程。目前在电
源、电机驱动等领域开始批量出货，同时也逐步在向服务器及算力电源等其他领域应用方面进行扩展。
2、低压超低导通电阻和超低栅极电荷的MOSFET产品，新的增强栅极和源极之间静电保护能力的MOSFET
系列产品已经在多个客户进行项目验证，部分已经实现出货，将在手机、平板电脑、TWS、笔记本电脑等消
费类领域，为终端客户提供更加安全、可靠的产品。在电动工具、BMS、电机控制等多领域也同步在完善产
品阵容，包括N沟道、P沟道的不同档位的产品也逐步形成量产出货。同时，在开发的具有典型应用、技术差
异性的共S、共D极MOSFET产品已经完成工程样品，目前处于性能验证阶段。
③在肖特基产品方面：
目前正在开发具有超小封装尺寸，超低正向导通压降的超低容值肖特基产品，该产品已经进入到封装阶
段，开发成功后，具有开关频率快，产品损耗低等突出性能。
④在GaNHEMT产品方面：
公司650VGaNHEMT产品阵列中已成功加入具有90-300mR的P-GaN系列产品，中低压GaNHEMT产品有序开发
中，其中40V产品已在客户端测试通过。650VCascode结构GaNHEMT有序开发中，目前初步形成了50-3000mR系
列产品。
⑤在IGBT产品方面：
公司650V/1200V100A以下小电流产品形成系列化；1200V100A以上大电流产品持续开发过程，1200V200A
芯片已定型，1700V200A客户认定中，1200V100A/150A、1700V150A等系列化产品陆续进行流片产出。
⑥在SiC产品方面：
SiCSBD系列包含650V/1200V/1700V电压档，其中650VSBD产品已在PD客户端出货，1200VSBD产品已在多
家大功率系统客户测试验证中，1700VSBD产品陆续产出。SiCMOSFET系列包含650V/1200V电压档有序开发中
，其中1200V产品在充电桩、逆变器等领域正处于客户验证测试中。
（2）功率IC研发方面：
①在过流过压保护类IC产品方面：
A．带栅极控制，具有高电压插拔防护能力的40V/80mΩ规格产品成功导入多家知名终端产品中，并实现
量产。
B．带反接保护的30V/115mΩ规格产品已完成开发，通过了多家终端产品的测试验证。C．公司多款低成
本和高过压阈值过压保护类产品MPW验证通过。
②在充电类IC产品方面：
A．3A大电流（带协议、带路径管理）开关充电产品在国内某知名客户验证通过。B．5A带路径管理开关
充电IC和5-12V/3.78A高压充电IC已完成性能优化版本的样品评估，准备送样工作，推动客户端的测试验证
。
C．双节/多节锂电池充电IC的项目立项，扩展公司充电IC的产品系列和产品应用领域。③在负载开关IC
产品方面：
针对客户端的不同应用场景，对现有产品进一步进行系列化，推动新的负载开关IC的项目立项。
2、提升管理效能，激发增长活力
报告期内，公司引入CRM客户管理系统，通过整合客户数据、自动化流程与智能分析，实现数据中枢（
统一客户信息构建全景视图）、流程引擎（自动化销售跟进与跨部门协作）、决策大脑（AI分析预测与BI可
视化）三大核心功能，以客户为中心重构客户管理全链路，推动企业从经验决策向数据决策转型，实现降本
、增效、拓收的闭环增长。CRM系统不仅实现了客户价值深度挖掘，更推动组织向数字化、生态化战略升级
。我们以公司战略目标为指引，强化绩效制度，激发员工潜能，以终为始，优化企业资源配置。在一系列优
化举措的推动下，公司治理能力显著提升，整体规模逐步壮大。
公司始终以客户需求作为第一需求，积极参加行业展会、论坛，及时掌握行业动态及客户需求，促进与
合作伙伴的交流合作，进一步加强品牌宣传力度，提升公司知名度。提高产品质量，提升服务水平，为客户
提供更丰富的产品和更优质的服务，赢得客户认可，实现市场拓展和业务增长，维护公司品牌形象。
报告期内，公司2024产品推介会暨合作伙伴大会在深圳举行，与合作伙伴及代理商加深合作，携手共进
；公司受邀参加上海祥承通讯技术有限公司2024全球供应伙伴大会，公司凭借优质的产品与卓越的服务荣获
“风雨同舟奖”；公司参加了2024年（春季）亚洲充电展（ACE），展出了MOSFET、GaNHEMT、防护器件等产
品在PD快充适配器、移动电源、无线充等电源相关设备中的应用；公司与ST、Qorvo、MPS等公司共同组成“
绿色能源专区”亮相2024国际集成电路展览会暨研讨会(IICShanghai)，公司展示了IGBT单管及模组、SiCMO
SFET、SiCSBD、GaNHEMT、GaNIC等应用于风光储充及汽车领域的相关产品。
报告期内，公司荣获“上市公司金牛奖——金信披奖”、“上证·金质量——科技创新奖”、“年度领
军企业奖”、“2024上海专精特新‘小巨人’企业品牌价值榜——百佳企业”、“中国GaN十强企业奖”等
荣誉。这些殊荣不仅是对我们品牌影响力、科技创新实力、公司治理能力的权威肯定，更是客户信赖、行业
认可、智库推崇、媒体赞誉的集中体现。
4、挖掘协同潜能，探索产学未来
2024年初，西安交通大学党委书记卢建军一行莅临芯导科技调研走访，进一步推动产学研深度融合，促
进学校与企业之间的合作共赢。此次调研走访不仅加深了学校与校友企业之间的联系，更为双方未来的合作
与发展奠定了基础。2024年8月，公司便迎来了西安交通大学“思源学子源动力训练营”的学子们来访参考
与交流。此外，复旦MBA半导体俱乐部、复旦大学微电子学院等走进公司，共话第三代半导体前沿领域，探
讨人才发展战略，本次参访为复旦大学与公司的更进一步合作奠定了良好基础。
长期以来，公司积极参与校企交流活动，高度支持在校学生们深入了解行业，参与到创新创业的实践中
来，共同推动人才梯队的建设，为行业的蓬勃发展增势赋能。
二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明
(一)主要业务、主要产品或服务情况
公司主营业务为功率半导体的研发与销售，公司功率半导体产品包括功率器件和功率IC两大类，公司产
品可应用于消费类电子、网络通讯、安防、工业、汽车、储能等领域。
（1）功率器件
公司功率器件产品主要包括瞬态电压抑制二极管（TVS）、金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
、肖特基势垒二极管（SBD）、氮化镓（GaNHEMT）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）等。其中，公司的TVS产
品主要为ESD保护器件。
（2）功率IC
公司的功率IC产品主要为电源管理IC,具体包括负载开关芯片、线性充电芯片、单节锂电池充电芯片、
过压保护芯片、音频功率放大器、DC-DC类电源转换芯片、氮化镓驱动IC等。
(二)主要经营模式
公司自设立以来一直采用Fabless的经营模式进行产品研发和销售。在Fabless模式下，公司专注于功率
半导体相关产品的设计，将晶圆制造和封装测试环节均采用外协加工的方式委托专业的生产厂商进行加工，
由外协厂商负责生产。
（1）产品研发模式
公司采用Fabless经营模式，产品研发环节是整个经营活动的核心环节。公司始终密切关注行业前沿技
术，紧跟客户需求和市场变化趋势，打造自主研发的技术平台，并以此为基础，持续推进技术迭代，丰富产
品种类和型号，拓展应用领域，从而实现产品的技术先进性以及较强的市场竞争力。
（2）采购与生产模式
公司采用集成电路行业典型的Fabless经营模式，专注于功率半导体产品的研发和销售环节，晶圆制造
和封装测试等环节主要通过委托外协的方式完成。
（3）销售模式
根据行业、产品及市场情况，公司主要采取“经销为主，直销为辅”的销售模式。
(三)所处行业情况
1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
公司所处行业属于集成电路设计行业，根据国家统计局2017年修订的《国民经济行业分类》（GB/T4754
-2017），公司从事的相关业务属于“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”。2024年，随着全球经济的
弱复苏、下游需求回暖及厂商持续推进库存去化，半导体行业也逐步呈现了复苏迹象。半导体产业协会(SIA
)数据显示，2024年全球半导体销售额达到6276亿美元，比2023年的5268亿美元增长了19.1%。其中，2024年
第四季度的销售额为1709亿美元，同比增长17.1%，环比增长3.0%。按地区划分，美洲、中国和亚太/其他地
区的2024年度销售额同比增长分别为44.8%、18.3%和12.5%。
在消费电子领域，根据Canalys的报告，2024年全球智能手机市场实现了7%的增长，总出货量达到12.2
亿部，这是在连续两年下滑后的首次反弹。中国市场2024年智能手机出货量达到2.85亿部，同比增长4%。
近几年，面对美国及其盟国对中国在半导体生产设备、设计软件及相关原材料方面实施的一系列管制措
施，中国集成电路产业的自主可控变得尤为迫切。在这种复杂的外部环境下，国产替代进口的需求空间巨大
，预计国产芯片，特别是拥有自主核心技术的产品，将在未来市场中占据更大的份额。
根据YoleGroup分析师报告称，预计未来3至4年，新的增长周期将持续，主要受服务器、汽车、计算和
工业细分市场需求的推动，这些因素将推动半导体器件行业在2030年实现1万亿美元的市场规模。这一增长
趋势为国产功率半导体厂商提供了巨大的发展机遇。
目前，公司产品主要包括功率器件和功率IC,功率器件产品主要为TVS（包括ESD保护器件）、MOSFET、
肖特基等；功率IC产品主要为电源管理IC。公司产品具有高性能、低损耗、低漏电、小型化的特点，可应用
于消费类电子、网络通讯、安防、工业、汽车、储能等领域。公司在继续深耕消费类电子、网络通讯、安防
、工业等领域的同时，也在积极将产品向汽车电子、光伏储能、人工智能等领域拓展。
2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
公司是工业和信息化部认定的专精特新“小巨人”企业、国家高新技术企业、上海市规划布局内重点集
成电路设计企业、上海市科技小巨人企业、上海市“专精特新”企业、上海市集成电路行业协会第五届理事
会理事单位。
公司自主研发的一种降低芯片反向漏电流的技术、深槽隔离及穿通型NPN结构技术、MOSFET的沟槽优化
技术、沟槽MOS型肖特基势垒二极管的改进技术、可连续调节的占空比环路控制技术、一种复合DC-DC电路、
一种负载识别电路等核心技术显著提升了公司产品的技术水平及市场竞争力，具有国内领先水平。一种GaNH
EMT器件制备技术，优化了终端结构，降低工艺开发过程引入的漏电风险，同时优化了终端结构，使得GaNHE
MT产品具有芯片良率高、可靠性良好的特性。公司已经正式发布具有自主专利技术的GaNHEMT产品，并在多
个客户端进行验证，是第三代半导体产品较早开发成功的国内企业。
公司的功率器件及功率IC产品，具有高性能、低功耗、小尺寸的特点，产品市场目前主要被德州仪器（
TI）、安森美（ONSemiconductor）、商升特半导体（SemtechCorporation）等国外半导体厂商占据，国产
化替代空间巨大。随着公司产品不断向汽车电子、光伏储能及人工智能等领域拓展，公司产品的应用需求将
进一步释放，市场前景广阔。
3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
（1）半导体市场发展趋势
经历了2024年的蓄势与回暖，全球半导体业界对2025年市场表现呈乐观预期。世界半导体贸易统计组织
（WSTS）预测，2025年的全球半导体市场销售额将达到6971亿美元，同比增长11%。这一增长主要得益于生
成式AI服务的启动，为市场注入了新的动力。
由于中美科技摩擦不断，美对华技术封锁措施持续出台，加之全球多区域加强本土半导体产业的扶持，
半导体产业呈现明显的逆全球化趋势。我国从中央到地区纷纷出台了多项支持半导体产业发展的政策，各地
政府也加强建设集成电路等产业集群，通过实施一系列政策措施，加强半导体产业链的建设和完善，推动国
产替代和自主可控的发展。在国家政策与市场需求的双重驱动下，国产替代进程加速进行，本土厂商持续加
大研发投入，不断取得技术突破。
复杂的外部环境因素迫使集成电路产业实现自主可控要求越来越迫切，国产替代进口需求空间巨大，具
有自主核心技术的国产芯片份额会有极大的提升。国内终端厂商逐步将供应链转移至国内，有助于真正发挥
上下游联动发展的协同作用，半导体产业的国产替代持续加速进行，为中国本土企业提供更多的发展机遇和
市场空间。
当前半导体产业正在发生深刻的变革，其中新材料成为产业新的发展重心。以碳化硅（SiC）、氮化镓
（GaN）等材料为代表的新材料半导体因其宽禁带、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等优异的性能而受到
行业关注，将成为新型的半导体材料。SiC、GaN等半导体材料属于新兴领域，相关产品的技术开发具有应用
战略性和前瞻性。GaN功率器件开关频率高、导通电阻小、电容小、禁带宽度大、耐高温、能量密度高、功
率密度大，可在高频情况下保持高效率水平工作，将有望被广泛运用于5G通讯、智能电网、快充电源、无线
充电等领域。市场空间巨大。越来越多的企业加入了第三代半导体器件的开发行列。
展望未来，国产替代和创新浪潮仍是未来电子行业的发展主轴。国家“十四五”规划和2035年远景目标
纲要提出要加快发展现代产业体系，坚持自主可控、安全高效，加快补齐基础元器件的瓶颈短板，半导体产
业未来发展可期。
（2）智能消费类电子领域
智能手机方面，市场调查机构IDC预估，2025年全球智能手机出货量将达到12.6亿部，同比增长2.3%，
连续第二年实现增长。其中，中国市场得益于换机补贴政策与国产技术崛起，出货量增速从早前预测的1.6%
大幅上调至5.4%，成为全球增长的主要动力。不过由于智能手机普及率的提高、换机周期的延长以及二手智
能手机市场的增长带来的阻力，预计在整个预测期内，智能手机出货量将继续保持个位数增长，2024年至20
29年的复合年增长率为1.6%。
智能眼镜方面，IDC在其发布的《2025年中国智能眼镜市场十大洞察》中提出，在软硬件技术革新、AI
大模型快速发展、交互技术进一步融合的共同推动下，整体智能眼镜市场将迎来高速增长。预计2025年全球
智能眼镜市场出货量为1280万台，同比增长26%；其中中国智能眼镜市场出货量为275万台，同比增长107%。
公司积极推动产品升级迭代，基于自有的成熟设计模块，推陈出新，开发出了效率更高、更智能化的全
系列充电芯片、保护芯片等产品。公司针对移动终端小型化的场景推出了超小封装产品系列，以其高性能、
低损耗、低漏电的特点，不但助力客户产品实现更紧凑的功能布局，打造轻巧精致的设备外观，更为其安全
使用保驾护航。
（3）功率半导体
受益于双碳时代背景，以新能源汽车、新能源发电为代表的产业将迎来长期发展机会，功率器件作为核
心零部件也将随着迎来发展机遇。功率器件持续迭代升级，向高压、高功率、低功耗方向发展。功率器件从
二极管、晶闸管发展到MOSFET、IGBT，再到第三代半导体器件，经历了长期的技术积累和产品迭代，技术门
槛不断提高。随着电动汽车、新能源发电、工业控制等下游应用的快速发展，对高压、高电流、高频率、高
功率的需求推动功率器件厂商不断优化升级，在更新换代的过程国产厂商有望实现新突破。全球功率半导体
尤其是高端的功率器件主要被英飞凌、安森美、三菱、富士等欧美日大厂占据，国产厂商未来提升空间巨大
。
(四)核心技术与研发进展
1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司的核心技术均来自自主研发，经过多年的技术积累和持续创新，在功率器件和功率IC工艺设计方面
积累了多项核心技术。
在功率器件方面：公司的一种降低芯片反向漏电流的技术实现了TVS、肖特基、稳压管等产品的低漏电
和高温下的可靠性，使产品在应用过程中更加安全和稳定；深槽隔离及穿通型NPN结构技术实现了TVS产品的
高瞬态泄放电流、低钳位电压的特性，同时实现了产品封装的小型化，不但使产品在应用中减少了空间的占
用，同时提升了浪涌防护能力，对产品的保护效果更加优异；MOSFET的沟槽优化技术实现了MOSFET产品的低
导通阻抗、低损耗特性，使产品在应用中大幅降低了功耗，减少了发热；沟槽MOS型肖特基势垒二极管的改
进技术实现了肖特基产品低正向导通压降、低损耗的特性，在使用过程中降低了产品功耗；IGBT通用沟槽栅
技术优化了载流子浓度和传输路径，减少了导通损耗和开关损耗，提升了产品使用效率；IGBT精细沟槽栅技
术实现了芯片的通流能力和闩锁能力的提升，同时进一步降低了正向导通压降及损耗，芯片面积和性能得到
了折中，适合在新能源系统上应用。
报告期内，公司不断丰富产品阵容，在TVS、MOSFET、肖特基、GaNHEMT、IGBT等产品方面持续保持研发
动力，使产品更加齐全、性能不断优化。
在功率IC方面：可连续调节占空比的环路控制技术使功率IC产品更快速响应负载变化，可调输出电压范
围更大；一种复合DC-DC电路技术不需要额外补偿电路，可以使功率1C产品具有负载响应快、精度高的优点
；一种负载识别电路技术不需要额外的采集装置，即可完成负载大小的识别，实现简单且高效。通过衬底控
制实现反向电流控制保护，有效解决系统多路申源复用安全控制问题。开发了一种保护类IC技术，可以在提
供一定浪涌防护能力的情形下，将安全等级进一步提高，在更大的浪涌或者超高压冲击下，彻底断开输入电
源连接。一种高精度浪涌保护电路可以实现高精度、无回退的浪涌钳位功能，同时将TVS与防烧MOS的功能集
成到一个IC产品中，可以大大节省占位面积；一种恒功率PWM控制电路可以高精度、恒定输出功率。
2、报告期内获得的研发成果
截至2024年12月31日，公司现行有效知识产权累计120项，其中发明专利25项，实用新型36项，另有集
成电路布图设计专有权53项，商标6项。报告期内，公司获得新增授权知识产权17项。
三、报告期内核心竞争力分析
(一)核心竞争力分析
1、技术和研发优势
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