经营分析☆ ◇688234 天岳先进 更新日期：2024-11-23◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.前5名客户营业收入表】【4.前5名供应商采购表】
【5.经营情况评述】
【1.主营业务】
碳化硅衬底的研发、生产和销售。
【2.主营构成分析】
截止日期:2024-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
碳化硅半导体材料(产品) 7.53亿 82.50 2.06亿 98.08 27.36
其他业务(产品) 1.60亿 17.50 403.74万 1.92 2.53
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2023-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
半导体材料(行业) 10.86亿 86.82 1.90亿 96.24 17.53
其他业务(行业) 1.65亿 13.18 744.29万 3.76 4.51
─────────────────────────────────────────────────
碳化硅半导体材料(产品) 10.86亿 86.82 1.90亿 96.24 17.53
其他业务(产品) 1.65亿 13.18 744.29万 3.76 4.51
─────────────────────────────────────────────────
境内(地区) 6.75亿 53.94 7129.47万 36.05 10.57
境外(地区) 4.11亿 32.87 1.19亿 60.19 28.95
其他业务(地区) 1.65亿 13.18 744.29万 3.76 4.51
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2023-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
碳化硅半导体材料(产品) 3.72亿 84.95 3468.60万 70.08 9.32
其他(补充)(产品) 6594.22万 15.05 1481.10万 29.92 22.46
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2022-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
半导体材料(行业) 3.26亿 78.18 -233.25万 9.72 -0.72
─────────────────────────────────────────────────
碳化硅半导体材料(产品) 3.26亿 78.18 -233.25万 9.72 -0.72
─────────────────────────────────────────────────
境内(地区) 2.81亿 67.49 -417.80万 17.41 -1.48
境外(地区) 4457.92万 10.69 184.55万 -7.69 4.14
─────────────────────────────────────────────────
直销模式(销售模式) 3.26亿 78.18 -233.25万 9.72 -0.72
─────────────────────────────────────────────────
【3.前5名客户营业收入表】
截止日期:2023-12-31
前5大客户共销售6.40亿元，占营业收入的51.16%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│客户名称 │ 营收额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│客户一 │ 21343.73│ 17.07│
│客户二 │ 18252.98│ 14.59│
│客户三 │ 10211.46│ 8.16│
│客户四 │ 7711.75│ 6.17│
│客户五 │ 6465.84│ 5.17│
│合计 │ 63985.76│ 51.16│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【4.前5名供应商采购表】
截止日期:2023-12-31
前5大供应商共采购5.54亿元，占总采购额的57.16%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│供应商名称 │ 采购额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│供应商一 │ 27921.57│ 27.03│
│供应商二 │ 11348.91│ 10.99│
│供应商三 │ 10364.09│ 10.03│
│供应商四 │ 5754.69│ 5.57│
│供应商五 │ 3658.21│ 3.54│
│合计 │ 55389.26│ 57.16│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【5.经营情况评述】
截止日期:2024-06-30
●发展回顾:
一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
（1）所处行业
根据国家统计局《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司所处行业为第39大类“计算机、通信
和其他电子设备制造业”之第398中类“电子元件及电子专用材料制造”。根据国家统计局发布的《战略性
新兴产业分类（2018）》分类，公司的产品属于“1.2.3高储能和关键电子材料制造”和“3.4.3.1半导体晶
体制造”，是国家重点鼓励、扶持的战略性新兴产业。
（2）主营业务情况说明
公司是一家国内领先的宽禁带半导体材料生产商，目前主要从事碳化硅半导体材料的研发、生产和销售
，产品可广泛应用于微波电子、电力电子等领域。宽禁带半导体材料在5G通信、新能源汽车、储能等领域具
有明确且可观的市场前景，是半导体产业重要的发展方向。
公司已经实现8英寸导电型衬底、6英寸导电型衬底、6英寸半绝缘型衬底、4英寸半绝缘衬底等产品的批
量供应，主要客户包括国内外电力电子器件、5G通信、汽车电子等领域知名客户。
公司积极优化产能布局。目前已形成山东济南、济宁碳化硅半导体材料生产基地。上海临港智慧工厂已
于2023年5月实现产品交付，是公司导电型碳化硅衬底主要生产基地。公司积极开拓海外市场。公司高品质
导电型碳化硅衬底产品加速“出海”，获得英飞凌、博世等下游电力电子、汽车电子领域的国际知名企业合
作。
公司设有碳化硅半导体材料研发技术国家地方联合工程研究中心、国家级博士后科研工作站、山东省碳
化硅材料重点实验室等国家和省级研发平台，拥有一批高素质的研发人员，承担了一系列国家和省部级研发
和产业化项目。公司子公司上海天岳与长三角国家技术创新中心、上海长三角技术创新研究院共建了“长三
角国家技术创新中心-天岳半导体联合创新中心”，共同推动碳化硅半导体领域关键核心技术攻关，助力长
三角一体化高质量快速发展，用科技创新发展新质生产力。
截至报告期末，公司及下属子公司累计获得发明专利授权181项，实用新型专利授权302项，其中境外发
明专利授权14项，是国家知识产权示范企业；自设立以来，公司获得了国家制造业单项冠军等多项国家级和
省级荣誉，并于2019年获得了“国家科学技术进步一等奖”。
全球能源电气化、低碳化的发展趋势明确，2024年上半年全球第三代半导体行业发展保持了强劲势头。
碳化硅衬底材料作为第三代半导体行业基石，在电动汽车，光伏新能源、储能、充电桩等终端需求带动下，
以及电动汽车800V高压平台的加速推进，进入战略机遇期。全球主要国家在碳化硅半导体领域继续加大战略
布局。
2024年上半年，国际市场对高品质导电型碳化硅衬底的需求旺盛，在新能源汽车行业规模化应用，并向
其他各领域应用渗透拓展。全球头部企业在衬底材料、晶圆制造环节等产业链关键环节正加快加大布局。
公司是国内技术最全面、国际化程度最高的碳化硅衬底厂商之一，自成立以来坚持在产业链关键环节，
深耕技术突破，建立领先竞争优势。
公司将始终以客户为中心，持续进行研发投入、强化自主创新、加快产品迭代、提升产品质量、增加产
能、扩大市场份额，致力于成为国际著名的半导体材料公司。
公司产品以导电型碳化硅衬底为主。
（3）主要经营模式
1、研发模式
公司研发工作由研发中心主导，实行层级管理的项目制运作，具体流程如下：
（1）需求提交与论证
公司结合日常工作、外部合同、政府项目、市场调研及调研结果分析或者收集的客户需求，并进行清晰
准确的描述后提交需求申请。
（2）项目立项
研发中心选定项目负责人及项目组成员。项目负责人编写《项目立项报告》，内容包括项目名称、项目
启动背景、可行性分析、项目目标、项目财务预算等。
（3）项目执行
项目组根据项目需求编写研发设计方案，细化实验方案和实验计划等，并根据设计方案完成实验验证。
项目组根据实验结果编写各类研发文件，由专人保管，并安排专人进行项目全过程管理，及时跟进检查各进
度节点的完成情况，确保项目按照计划顺利开展。
（4）项目验收
项目负责人结合项目计划与交付完成情况，判断所有项目目标完成，发起项目验收申请，编制《项目验
收报告》并交至研发中心审核。项目验收后，研发中心评估研发成果，采取多种手段保护知识产权。
2、采购模式
公司采购以“安全、品质”为导向建立了采购相关制度、管理流程及业务规范，在保证产品品质的前提
下，有效保证了供应链的稳定及持续供应。总体上，公司采取“以产定购、战略备货”相结合的采购模式，
采购种类包括长晶所需物料、加工所需耗材、生产及检测设备、备品备件等。
3、生产模式
公司实行以订单生产（MakeToOrder）为主的生产模式。在生产环节，公司采用信息化系统，制定了完
善的生产过程控制程序，建立了一套快速有效处理客户订单的流程，销售部门依据客户订单生成ERP系统内
部销售订单，订单经销售、技术、质量、生产计划部门评审后，下达生产工单给生产部门，生产部门依据生
产工单领料并进行生产。质量部进行全过程品质控制，达到“不接收、不制造、不流出”不良品的目的。公
司生产模式有利于满足不同客户的需求，有利于提升订单按时交付率、产品品质一致性和客户满意度，并有
助于控制库存水平及提高资金利用效率。
4、营销及销售模式
公司主要采取直销的销售模式。公司营销中心主要负责对接客户，为客户提供技术支持和服务，并承担
行业趋势研究、市场调研及公司产品推广等营销工作。
二、核心技术与研发进展
1.核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司已掌握涵盖了设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工等各类核心技术。具体情况如
下：
（1）碳化硅单晶生长设备、热场设计制造技术
公司的碳化硅单晶生长设备采用真空系统结构和材料设计，可在保持极高真空度的同时保持极低的高温
真空漏率，保证了高纯碳化硅粉料和碳化硅单晶生长腔室的纯度。此外，公司对设备自动化程度进行不断提
升，与晶体生长控制软件系统结合，可以实现晶体生长前的上料、封炉自动化控制，并可实现晶体生长过程
中的炉温、真空度、气体流量等全参数实时监控，保证了晶体生长过程的稳定性和可控性。
碳化硅单晶生长热场是碳化硅单晶生长的核心，决定了单晶生长中温度的轴向和径向梯度、气相流场等
关键反应条件。热场的配置核心是设置合理的轴向温度梯度和径向温度梯度，以保证热场内生长的晶体具有
较小的原生内应力，同时具备合理可控的生长速率。公司的热场仿真模拟团队，利用专业碳化硅热场仿真软
件进行热场设计，可针对不同类型、不同尺寸的碳化硅单晶进行精确的热场仿真、模拟和设计，从而满足不
同尺寸、不同类型晶体的生长技术需求。
（2）高纯碳化硅粉料制备技术
碳化硅粉料是碳化硅单晶生长的原料。由于合成环境及使用物料吸附杂质的影响，合成的碳化硅粉料中
不可避免地引入较多杂质，直接影响晶体的纯度和电学性能。公司研制了高真空度的粉料反应腔室，使用了
高纯度的石墨材料，设计了特殊反应工艺，从而获得了极高纯度碳化硅粉料颗粒，将粉料中主要电活性杂质
浓度控制在0.05ppm以下。此外，经过破碎筛分和自研的清洗工艺后，可以获得不同粒度的粉料，从而保障
了高质量碳化硅晶体的制备。
（3）精准杂质控制技术及电学性能控制技术
半导体电学性能取决于半导体材料中杂质的类型和浓度。为实现半绝缘型碳化硅衬底高阻电学特性，需
要将晶体中的杂质浓度控制在极低的水平；为实现导电型碳化硅衬底低阻电学特性，则需要向晶体中引入高
浓度的氮元素。因此，碳化硅单晶电学性能的控制是基于精准的控制生长过程中进入到晶体中的杂质来实现
的。
公司基于自主研制的高真空度单晶生长腔室和高纯度碳化硅粉料，进一步开发了晶体生长过程中的原位
提纯技术和晶体生长界面的C/Si组分控制技术，有效降低了晶体中的杂质浓度并实现了对点缺陷种类和浓度
的控制，实现了半绝缘碳化硅衬底的高阻电学特性和导电型碳化硅衬底均匀稳定的低阻电学特性。
（4）碳化硅单晶生长过程中的缺陷控制技术
碳化硅中的缺陷包括微管、多型夹杂、位错等。微管是尺寸为几微米到数十微米的贯穿型缺陷，是器件
的杀手型缺陷；碳化硅包含200多种晶型结构，其中多种晶型结构间的形成能接近，在高温生长过程中易产
生晶型转化，从而导致多型夹杂；碳化硅单晶生长热场中存在的温度梯度导致的热应力、生长过程中的温度
、组分等波动也容易引入位错等缺陷，从而影响后续外延和器件的质量和性能。
公司通过设计晶体成核工艺，控制籽晶界面处的均匀有序成核，实现了单一4H晶型和低微管密度的晶体
生长；通过热场结构和晶体生长腔室结构的设计，实现了高均匀性的晶体生长热场，有效降低了晶体生长内
应力和位错等诱生缺陷，提高了晶体结晶质量；自主研发了晶体生长界面移位控制技术和生长界面C/Si组分
调控技术，实现了晶体连续生长的质量稳定可控。
（5）碳化硅单晶衬底超精密加工技术
①高面型质量的碳化硅晶棒多块切割技术
单晶SiC材料的莫氏硬度为9.2，仅次于金刚石，而且脆性高，属于典型的硬脆材料。公司开发了多块拼
接多线切割技术，解决了相邻碳化硅晶体之间切割质量差的难题，一批次可实现多块晶体的切割；设计了独
有的碳化硅晶体切削液配方，大幅度降低了切割片的表面损伤；开发了一整套的多线切割工艺，每项参数均
计算出最优的工艺曲线，提高了切割片的面型质量。
②高平整度、低粗糙度的全局磨抛技术
由于碳化硅单晶材料的物理性质和化学性质均非常稳定，使用传统半导体的磨抛方式效率极低，且难以
保证表面加工质量。
公司通过多年研究，研发了一整套的碳化硅磨抛工艺，最终可以获得光滑且高度平坦的碳化硅抛光表面
。例如，双端面研磨工艺中，公司自主设计了研磨液配方、研磨盘面和夹具模型、磨片修盘工艺；多级机械
抛光工艺中，公司设计了金刚石磨料和多级抛光组合工艺；强氧化化学机械抛光（CMP）工艺中，公司开发
了特有的强氧化性的抛光液配方。
③碳化硅衬底表面洗净技术
CMP工艺后需要对碳化硅衬底进行最终清洗，去除表面微米级颗粒、沾污、金属离子等。公司自主研制
了化学清洗液，开发了5步清洗工艺，可有效去除衬底表面的微小颗粒，在客户端达到了开盒即用的水平。
2.报告期内获得的研发成果
报告期内，新申请发明专利和实用新型专利共33项，其中发明专利27项，实用新型6项。截至报告期末
，公司及下属子公司累计获得发明专利授权181项，实用新型专利授权302项，其中境外发明专利授权14项。
三、报告期内核心竞争力分析
(一)核心竞争力分析
（1）研发与技术优势
①技术积累
碳化硅衬底属于高度技术密集型行业，具有极高的技术壁垒。技术迭代更新需要长期持续开展大量创新
性的工作，同时需要获取海量的技术数据积累，以完成各工艺环节的精准设计。公司自成立以来，专注于碳
化硅单晶半导体的制备技术，经过十余年的技术发展，自主研发出2-8英寸半绝缘型及导电型碳化硅衬底制
备技术，系统地掌握了碳化硅单晶设备的设计和制造技术、热场仿真设计技术、高纯度碳化硅粉料合成技术
、不同尺寸碳化硅单晶生长的缺陷控制和电学性能控制技术、不同尺寸碳化硅衬底的切割、研磨、抛光和清
洗等关键技术；较早在国内实现了半绝缘型碳化硅衬底的产业化，成为全球少数能批量供应高质量4英寸、6
英寸半绝缘型碳化硅衬底的企业；公司自成立以来，同时布局导电型碳化硅衬底的研发和产业化；通过持续
技术积累实现了6英寸导电型碳化硅衬底批量销售，并自主扩径已经完成高品质8英寸导电型碳化硅衬底制备
。公司保持高强度的研发投入，继续在宽禁带半导体领域加强前沿技术储备。
②知识产权积累
公司坚持自主研发创新，力争实现全流程知识产权覆盖，不断完善知识产权保护体系，构建完整的技术
保护网。公司于2018年被评为国家知识产权优势企业，于2022年被评为国家知识产权示范企业。截至2024年
6月末，公司及下属子公司拥有授权专利483项，其中发明专利授权181项，含境外发明专利授权14项，专利
技术覆盖了设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工、质量检测等每个技术环节，并建立了完
整有效的知识产权保护机制。同时，公司高度尊重全球范围内的知识产权，持续通过专利分析导航来进行预
警和完善专利布局。
在商标注册方面，公司在多类别注册了“SICC”及“天岳”商标，并在海外多个国家或地区注册了“SI
CC”商标，对公司品牌进行保护。
③承担重大科研项目及获得奖励
公司自建立以来，承担了多项国家及省部级重大科研项目，包括国家重点研发计划、山东省重点研发计
划、山东省重大科技创新工程等国家及省部级项目20余项。公司于2019年获得国家科学技术进步一等奖、20
20年获得山东省科学技术进步一等奖、2014年获得山东省技术发明一等奖、2017年获得济南市科技进步一等
奖。此外，公司于2015年完成了4英寸半绝缘型碳化硅衬底的产品鉴定、2017年完成了6英寸导电型碳化硅衬
底科技成果鉴定和产品鉴定，2023年公司宣布业内首创完成了8英寸导电型碳化硅衬底的液相法制备。目前
公司衬底产品性能及核心指标达到国内领先、国际先进水平。
④技术科研平台
公司设有碳化硅半导体材料研发技术国家地方联合工程研究中心、国家级博士后科研工作站等国家和省
级研发平台、山东省碳化硅材料重点实验室。公司强大的科研实力，不仅促进了碳化硅产业的技术进步和结
构调整，同时支撑了地方现代化经济体系建设，提升了区域经济的创新力和竞争力。公司子公司上海天岳与
长三角国家技术创新中心、上海长三角技术创新研究院共建了“长三角国家技术创新中心-天岳半导体联合
创新中心”，共同推动碳化硅半导体领域关键核心技术攻关、助力长三角一体化高质量快速发展，用科技创
新发展新质生产力。
（2）产能规模优势
公司在生产方面具有先发优势与规模优势。作为国内较早从事碳化硅衬底业务的生产企业，公司具有丰
富的技术储备和生产管理经验、较强的产品质量控制能力和领先的产能规模。随着公司上海临港工厂投产，
公司高品质碳化硅半导体材料的产能产量将继续提高，进一步巩固领先的规模优势。
（3）产品品质优势
碳化硅衬底作为半导体器件的基础材料，需要经过外延、芯片制造、封装测试实现最终应用，整个工艺
链条生产验证环节复杂、验证周期长。作为上游的关键衬底材料，下游客户一旦通过验证，一般不会轻易变
更衬底材料的供应商。
公司在国内较早实现了碳化硅衬底的批量供应，并且产品参数指标优异、性能不断提升，经过了下游企
业的长期验证，产品品质得到了客户的高度认可。
（4）客户资源优势
公司作为国内较早从事碳化硅衬底业务的企业，公司产品已批量供应至国内外知名企业。公司是国际上
少数几家能同时在导电型和半绝缘型碳化硅衬底产品领域均具有竞争力的企业。公司8英寸导电型产品、6英
寸导电型产品、6英寸半绝缘产品、4英寸半绝缘产品实现批量供应，形成了较强的客户资源优势，确保了公
司在行业内的领先地位。
（5）人才优势
碳化硅衬底技术开发和产业化生产需要大量专业的技术人才和管理人才。公司始终重视人才队伍的建设
，通过自主培养和引进各类技术和管理人才，提高技术开发能力和生产能力。公司通过技术科研平台不断吸
引业内优秀人才加入，公司研发团队成员主要由来自国内顶尖高校的优秀硕士、博士组成，承担并顺利完成
了多项国家及省部级重大课题，同时完成了从产品开发到产业化转化的过程，在技术开发和规模化生产过程
中积累了大量的实战经验，可以保证后续各项技术开发工作的顺利进行。
四、经营情况的讨论与分析
近年来，全球能源电气化、低碳化的发展趋势，推动第三代半导体行业继续展现增长势头。碳化硅在电
动汽车领域的大规模应用，带动其在其他终端场景应用的持续拓展。目前，电动汽车领域仍是碳化硅占比第
一的应用领域，而在风光新能源、电网、数据计算中心、低空飞行等领域，碳化硅技术也表现出突出的发展
趋势。
碳化硅技术能够助力电动汽车整体性能提升，并能降低整体系统成本，碳化硅器件在电动汽车中的渗透
率仍在提高，全球市场对高品质车规级碳化硅衬底需求旺盛。下游应用场景加速渗透的背景下，第三代半导
体行业发展远超市场预期。
全球主要国家纷纷加大了在碳化硅半导体领域的战略布局，英飞凌、意法半导体、安森美、博世、罗姆
等国际上一线大厂均加大了对碳化硅业务的长期资本开支，碳化硅行业未来具有广阔的发展潜力。
碳化硅衬底材料是第三代半导体行业的基石。公司是国内技术最全面、国际化程度最高的碳化硅衬底厂
商之一，自成立以来坚持在产业链关键环节，深耕技术突破，持续建立领先竞争优势。
以公司为代表的碳化硅衬底材料研发、制造企业，以高品质衬底产品的大规模供应能力，推动碳化硅产
业加速发展。
2024年上半年，公司继续专注于长远发展战略目标的实现，持续拓展国内外客户群体，加强与全球头部
客户长期战略合作，加大前瞻性技术布局和人才培养，致力于成为国际著名的半导体材料公司。
（一）公司经营情况
公司围绕公司长远发展战略目标，上半年公司经营进展情况良好。
1、聚焦全球市场，持续提升高品质衬底的产能产量布局。2024年上半年，公司上海临港工厂已经能够
达到年产30万片导电型衬底的大规模量产能力。
公司2024年上半年实现营业收入9.12亿元，较上年同期增长108.27%。公司连续9个季度保持营收增长趋
势。上半年实现归母净利润10188.83万元，较上年同期扭亏为盈。一方面得益于下游应用市场持续扩大，终
端场景对高品质、车规级的产品需求旺盛；另一方面，公司与国内外一线大厂具有良好的合作基础，公司导
电型产能产量持续提升，交付能力继续增强。
公司对碳化硅技术在下游应用领域市场规模的长期增长充满信心。公司已经制定战略规划，将继续稳步
推进临港工厂第二阶段产能提升。
2、在客户和市场方面，公司继续加强与国内外知名客户开展长期合作，并已成功切入国际大厂的供应
链。公司在产品稳定性、一致性上获得国际一线客户认可，包括与英飞凌、博世、安森美等多家国际头部大
厂进行了合作。在国内，公司已经与行业内下游环节的主要企业开展合作，共同推动国内第三代半导体的发
展。
2023年公司与英飞凌、博世等下游电力电子、汽车电子领域的国际知名企业签署了新的长期合作协议。
公司向英飞凌提供6英寸导电型衬底和晶棒，占英飞凌需求的两位数水平，同时公司还将助力英飞凌向8英寸
产品转型。
截至目前，全球前十大功率半导体企业超过50%已成为公司客户，公司致力于与客户共同推动碳化硅技
术在更多领域的渗透应用。
公司继续加大与国内下游客户的合作。受益于我国电动车渗透率和市场规模的提升，以及电动车领域我
国已展现的主导地位，国内下游器件厂商和终端应用厂商对电动汽车核心功率器件的布局加速，国内碳化硅
产业链的发展已进入新的机遇期。
根据日本权威行业调研机构富士经济报告测算，2023年全球导电型碳化硅衬底材料市场占有率，天岳先
进（SICC）跃居全球前三。公司及产品在国际市场具有较高的认可度和知名度。2024年上半年，公司衬底产
品出货量继续保持领先。
3、在产品方面，公司车规级高品质导电型衬底产品向国际大厂客户大规模批量供应，推动公司本期业
绩增长。导电型产品的批量交付和车规级品质广受好评。
从长期降低器件成本上，公司推动行业向8英寸碳化硅衬底转型。公司在8英寸衬底上进行了前瞻性布局
，已经具备先发优势和领先地位。公司不仅实现8英寸碳化硅衬底国产化替代，公司8英寸碳化硅衬底已经率
先实现海外客户批量销售。
目前，随着国际一线大厂在8英寸晶圆工厂的建设已经步入陆续投产的阶段，未来8英寸碳化硅衬底需求
保持增长趋势。公司将继续扩大8英寸产品的客户验证和销售量。
公司上海临港工厂二期8英寸碳化硅衬底扩产计划正在推进中，公司将分阶段达到规划中的8英寸衬底产
能。
（二）研发创新情况
2024年上半年，公司研发费用5620.98万元，继续围绕前瞻性技术、大尺寸产品和关键核心等方面持续
投入。
半导体行业是高度技术密集型领域。在宽禁带半导体领域，碳化硅衬底制备是行业的核心关键环节，衬
底制备技术壁垒高。依托于公司十几年的技术积累和产业化优势，目前公司在在半绝缘型衬底、6英寸碳化
硅衬底上已经实现了对海外衬底大厂的赶超。在8英寸碳化硅衬底上，公司率先实现了自主扩径，完成从8英
寸导电型衬底制备到产业化的快速布局，在产品品质和出货量上已经具备引领行业发展的优势，在国际市场
具有竞争力。
目前公司在衬底制备上处于国际第一梯队，持续引领行业发展。公司继续加强基础研究，在晶体生长的
缺陷控制等核心技术领域展开密集的试验，不断突破技术瓶颈，提高产品品质。公司业内首创使用液相法制
备出了低缺陷的8英寸晶体，突破了碳化硅单晶高质量生长界面控制和缺陷控制难题。
公司将继续保持在8英寸衬底产业化方面的工艺创新投入，以实现低成本高质量车规8英寸碳化硅衬底的
制备。
截至报告期末，公司及下属子公司累计获得发明专利授权181项，实用新型专利授权302项，境外发明专
利授权14项。根据Yole旗下的知识产权调查公司数据，公司在碳化硅衬底专利领域，位列全球前五。
公司董事长宗艳民在第十二届中国知识产权年会大会发表主旨演讲表示，公司将坚持创新引领发展的理
念，重视专利布局，持续提升技术竞争力。
截至报告期末，公司研发人员中硕士、博士合计51人，占研发人员总数的45.54%。公司享受国务院特殊
津贴专家两人。
（三）半年度成果和荣誉
2023年公司上海临港工厂顺利实现产品交付，开启了公司发展新篇章。上海临港工厂取得了一系列突飞
猛进的进展，目前公司上海临港工厂二阶段产能提升正在持续推进中。
2024年上半年，得益于上海工厂前期模块化高标准的设计，率先打造碳化硅衬底领域智慧工厂的理念，
通过AI和数字化技术持续优化工艺的方式，上海临港工厂产能产量持续提升释放，良率水平稳步提高，向客
户持续供应高质量的衬底产品。
2024年3月，公司入选山东省发展和改革委员会“总部企业”名单；2024年7月，公司入选山东省工业和
信息化厅“新材料领军企业50强”名单。
2024年3月，公司新设立“长三角国家技术创新中心-天岳半导体联合创新中心”在“2024临港科创大会
”上成功揭牌。该创新中心与公司已经设立的“碳化硅半导体材料研发技术国家地方联合工程研究中心”、
“国家博士后科研工作站”、
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