经营分析☆ ◇688234 天岳先进 更新日期：2026-07-25◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.前5名客户营业收入表】【4.前5名供应商采购表】
【5.经营情况评述】
【1.主营业务】
高品质碳化硅衬底的研发与产业化
【2.主营构成分析】
截止日期:2025-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
碳化硅半导体材料(行业) 12.25亿 83.62 2.09亿 109.53 17.10
其他业务(行业) 2.40亿 16.38 -1821.60万 -9.53 -7.59
─────────────────────────────────────────────────
碳化硅半导体材料(产品) 12.25亿 83.62 2.09亿 109.53 17.10
其他业务(产品) 2.40亿 16.38 -1821.60万 -9.53 -7.59
─────────────────────────────────────────────────
境外(地区) 6.77亿 46.22 2.44亿 127.34 35.97
境内(地区) 5.48亿 37.41 -3406.00万 -17.81 -6.22
其他业务(地区) 2.40亿 16.38 -1821.60万 -9.53 -7.59
─────────────────────────────────────────────────
直销模式(销售模式) 12.25亿 83.62 2.09亿 109.53 17.10
其他业务(销售模式) 2.40亿 16.38 -1821.60万 -9.53 -7.59
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2025-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
碳化硅半导体材料(产品) 6.58亿 82.83 1.36亿 92.61 20.63
其他业务(产品) 1.36亿 17.17 1082.22万 7.39 7.94
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2024-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
碳化硅半导体材料(行业) 14.74亿 83.35 4.85亿 105.95 32.92
其他业务(行业) 2.94亿 16.65 -2722.71万 -5.95 -9.25
─────────────────────────────────────────────────
碳化硅半导体材料(产品) 14.74亿 83.35 4.85亿 105.95 32.92
其他业务(产品) 2.94亿 16.65 -2722.71万 -5.95 -9.25
─────────────────────────────────────────────────
境外(地区) 8.40亿 47.53 3.53亿 77.19 42.05
境内(地区) 6.33亿 35.81 1.32亿 28.76 20.80
其他业务(地区) 2.94亿 16.65 -2722.71万 -5.95 -9.25
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2024-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
碳化硅半导体材料(产品) 7.53亿 82.50 2.06亿 98.08 27.36
其他业务(产品) 1.60亿 17.50 403.74万 1.92 2.53
─────────────────────────────────────────────────
【3.前5名客户营业收入表】
截止日期:2025-12-31
前5大客户共销售8.37亿元，占营业收入的57.14%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│客户名称 │ 营收额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│客户一 │ 29548.35│ 20.17│
│客户二 │ 18534.53│ 12.65│
│客户三 │ 13979.42│ 9.54│
│客户四 │ 12311.29│ 8.40│
│客户五 │ 9329.18│ 6.37│
│合计 │ 83702.77│ 57.14│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【4.前5名供应商采购表】
截止日期:2025-12-31
前5大供应商共采购6.55亿元，占总采购额的42.99%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│供应商名称 │ 采购额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│供应商一 │ 25997.75│ 17.07│
│供应商二 │ 11722.49│ 7.70│
│供应商三 │ 10783.45│ 7.08│
│供应商四 │ 9522.70│ 6.25│
│供应商五 │ 7453.50│ 4.89│
│合计 │ 65479.88│ 42.99│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【5.经营情况评述】
截止日期:2025-12-31
●发展回顾:
一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况说明
(一)主要业务、主要产品或服务情况
1、主要业务
公司是全球宽禁带半导体材料行业的领军企业，自成立以来即专注于高品质碳化硅衬底的研发与产业化
。根据日本富士经济于2026年3月发布的报告测算，2025年全球导电型碳化硅衬底材料市场中，天岳先进（S
ICC）市场份额为27.6%，位居全球第一。
公司专注于碳化硅行业已超过15年，较早在国内实现了半绝缘型碳化硅衬底的产业化，并进一步实现导
电型碳化硅衬底的产业化。公司依托研发、生产和管理经验，在产品大尺寸化上的优势不断提高，量产碳化
硅衬底的尺寸已从2英寸迭代升级至8英寸，并于2024年推出业内首款12英寸碳化硅衬底，于2025年完成了12
英寸导电N型和导电P型、半绝缘型碳化硅衬底全系列产品的技术攻关，将全球碳化硅衬底行业全面带入12英
寸新时代。在实现从2英寸到12英寸全尺寸产业化的同时，公司也在半绝缘衬底、导电型衬底、P型衬底、光
学衬底、先进封装散热中介层等多元化产品上取得关键技术突破，持续推进关键设备国产化替代，实现了从
原料到成品的全过程自主可控。
2、主要产品及服务情况
碳化硅材料是一种化合物宽禁带半导体材料，与传统硅相比具有以下优势：
2.1禁带宽度更大，可适应更高的电压、频率及温度；
2.2热导率更高，非常适合热负荷较大的器件；
2.3击穿电场强度更高，可使器件更薄，导通电阻更低；
2.4饱和电子漂移速率更高，开关速度更快。
上述特性提高了使用碳化硅衬底的终端产品的性能，使产品能够在更高的温度、电压及频率下运作，同
时保持出色的效率。这使得功率密度提高，能量损耗减少，电子元件及系统的可靠性增强。因此，乘着可再
生能源及AI领域需求激增的浪潮，以碳化硅为代表的创新宽禁带半导体材料对半导体行业产生重大影响，碳
化硅材料已经成为赋能能源变革及AI实现核心发展目标的基石之一。
公司是全球领先的宽禁带半导体材料生产商，自成立以来即专注于高品质碳化硅衬底的研发与产业化。
公司专注于碳化硅衬底领域已超过15年，已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上的制造商建立业
务合作关系，致力于为客户提供优质碳化硅衬底。通过科技创新，公司持续提升客户产品在各行业中的性能
。公司主要提供4英寸、6英寸、8英寸及12英寸碳化硅衬底，是全球少数能同时提供各种尺寸的导电型及半
绝缘型碳化硅衬底的公司之一。
公司是研发及生产碳化硅衬底的先驱及创新者。我们是全球少数能够批量出货8英寸碳化硅衬底的市场
参与者之一。凭借公司的内部研发能力，公司已掌握涵盖碳化硅衬底生产所有阶段的核心技术，包括设备设
计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工及质量检验，这使得公司能够于2023年量产8英寸碳化硅衬
底，于2024年11月推出业内首款12英寸碳化硅衬底，克服了生产碳化硅衬底高质量生长界面控制及缺陷控制
的难题。
2025年，公司完成了12英寸导电N型和导电P型、12英寸半绝缘型碳化硅衬底全系列大尺寸产品的布局。
截至目前，12英寸碳化硅衬底产品已获得头部客户订单并实现交付，这标志着我们向大尺寸碳化硅衬底时代
迈出了重要一步。
(二)主要经营模式
1、研发模式
我们的研发工作由研发团队主导，实行层级管理的项目制运作，流程如下：
1.1我们的雇员结合日常营运中收集到的信息、与行业参与者的合作、市场调研及对客户反馈的分析，
向研发团队提交需求申请；
1.2需求申请获批准后，研发团队选定项目负责人及项目组成员，组建指定项目组，并由项目负责人编
写《项目立项报告》，内容包括项目名称、背景、可行性分析、项目目标及财务预算；
1.3项目组根据项目需求编写研发设计方案，细化实验方案及计划，并根据设计方案完成实验验证；
1.4项目负责人结合项目计划与交付完成情况，判断所有项目目标完成，发起项目验收申请，编写《项
目验收报告》并交至研发团队审核；
1.5项目验收后，研发团队评估研发成果，并采取多种手段保护知识产权。
2、采购模式
碳化硅衬底生产依赖优质原材料，其内在质量直接影响碳化硅衬底的效率、可靠性及有效性，使其就生
产先进半导体器件而言不可或缺。因此，优质原材料的最大供应商通常选择与公司这样表现出对卓越及创新
承诺的领先市场参与者合作。通过与上述最大供应商建立长期合作关系，公司确保能够稳定获得必要的资源
，使公司能够在碳化硅衬底方面保持一致的质量及绩效标准，从而巩固公司在市场上的竞争地位。
公司采购制造碳化硅衬底所需的各种材料及设备，包括碳粉、硅粉、石墨保温材料以及晶体生长、切片
、研磨及抛光设备。为减轻原材料成本上升的潜在影响，公司主要与石墨保温材料等关键生产材料的供应商
订立长期合作协议、保持密切沟通并实施战略性采购。公司实施定期审阅机制，考虑公司的存货水平、销售
前景及市场趋势，监控公司的原材料成本。
公司已确定一份合格供应商名单，以便公司根据采购计划选择最合适的原材料供应商。公司的采购计划
根据生产进度、存货水平、供应商交货时间及产品寿命制定。在采购计划批准后，公司的采购部门将进行询
价，根据供应商的基本信息及价格、质量、资质文件及交付时间等标准对潜在供应商进行评估。为应对供应
商的潜在价格上涨，我们对其他同类供应商同步进行评估，以减轻对我们原材料成本的影响。
3、生产模式
公司的生产模式有利于满足客户的不同需求，有利于提高订单按时交付率、产品品质一致性和客户满意
度，有助于控制库存水平及提高资金利用效率。
公司已开发并实施一套信息系统，以便处理客户订单及生产流程控制。公司结合人工智能数字化仿真及
大数据技术，使公司的碳化硅衬底生产流程自动化。一方面，智能化生产能够降低人为干预带来的风险，对
于制备高质量碳化硅衬底至关重要。另一方面，高度自动化能够切实优化生产中的人工成本，为公司的技术
升级及产品迭代奠定坚实的基础。
公司已建立全面的生产阶段控制计划，以确保全面的生产及产品质量控制。当产品出现质量不合格问题
时，公司将启动不合格产品控制程序，启动不合格评审、进行根本原因分析以及指定纠正及预防措施。公司
的生产流程管理措施有助于防止不合格产品流出，并减少质量问题的再次发生。
4、营销模式
公司采用直销模式，并拥有一支经验丰富且训练有素的销售及营销团队，积极发现市场机会并设计销售
策略。
公司的销售及营销团队主要负责与客户联系，并为其提供售后服务。采用直销模式使我们能够取得以下
优势：
4.1自客户获得有关我们产品的即时且未经过滤的反馈；
4.2精确了解客户偏好并确定需要改进的领域；
4.3响应客户要求，使我们能够提供满足客户需求的高品质产品；
4.4凭借第一手的客户洞察力，快速适应不断变化的市场需求或客户偏好，从而制定灵活的营销战略；
4.5通过直接解决客户关切的问题，改善客户体验，从而提高满意度和忠诚度。
公司主要通过与不同应用领域的顶级公司开展持续、全面和深入的合作，以及其他定向营销及推广活动
，利用良好的品牌声誉和巨大的行业影响力赢得客户。
(三)所处行业情况
1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
可再生能源及AI技术革命使得全球工业发生重大转变，构建一个增长、创新、可持续发展的世界是能源
变革和AI技术进步和融合发展的核心目标，推动对更强大、更高效的功率半导体器件需求的增长。传统的硅
半导体因其固有的局限性已难以满足产业升级需求，这促使半导体行业寻求效率更高、寿命更长及性能更佳
的材料。在行业创新发展过程中，碳化硅已成为改变游戏规则的材料，凭借其优异的性能为各行各业带来革
命性的变化。
碳化硅是一种由碳和硅元素组成的化合材料，具有较高硬度和优异的物理化学性能。碳化硅材料拥有耐
高压、耐高频、高热导性、高温稳定性、高折射率等特点，可作为诸多行业实现降本增效的关键性材料。碳
化硅材料率先促进半导体行业变革，并开始在更多领域加速渗透应用，行业前景广阔。
相较硅基半导体，以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体从材料端至器件端的性能优势突出，具备高
频、高效、高功率、耐高压、耐高温等特点，是未来半导体行业发展的重要方向。其中，碳化硅展现出独特
的物理化学性能。碳化硅的高禁带宽度、高击穿电场强度、高电子饱和漂移速率和高热导率等特性，使其在
电力电子器件等应用中发挥着至关重要的作用。这些特性使得碳化硅在新能源汽车及光伏等高性能应用领域
中具有显著优势，尤其是在稳定性和耐用性方面。碳化硅衬底可被广泛应用于功率半导体器件、射频半导体
器件以及光波导、TF-SAW滤波器、散热部件等下游产品中，主要应用行业包括新能源汽车、光伏及储能系统
、电力电网、轨道交通、通信、AI眼镜、智能手机、半导体激光等。
功率半导体器件是电力电子产品中用作开关或整流器的半导体器件，主要包括功率二极管、功率三极管
、晶闸管、MOSFET、IGBT等。
根据弗若斯特沙利文的资料，从2019年到2023年，碳化硅功率半导体器件市场显著增长。全球碳化硅功
率半导体器件在全球功率半导体器件市场中的渗透率由1.1%增至5.8%，预计于2030年将达到22.6%。
从具体应用领域来看，根据弗若斯特沙利文的资料，从2019年到2023年，应用于新能源汽车的碳化硅功
率半导体器件全球收入的复合年增长率高达66.7%，而从2024年到2030年，新能源汽车领域的复合年增长率
仍高达36.1%，将继续引领全球碳化硅功率半导体器件市场的增长。光伏储能、电网、轨道交通领域亦表现
出强劲的增长势头，未来预测期间的复合年增长率将分别达到27.2%、24.5%及25.3%。家用电器、低空飞行
和数据中心等碳化硅功率半导体器件新兴应用领域将展现出最快的增长速度，应用于上述领域的碳化硅功率
半导体器件全球收入的预测复合年增长率预计将达到39.2%。
随着全球新能源产业的持续扩张，市场对碳化硅材料的需求正呈现爆发式增长。碳化硅材料亦是AI产业
增长与创新的必然选择，并在数据中心、电力基础设施与终端应用上均具有巨大潜力。随着AI发展所需算力
迅猛增长，数据中心的能源耗用也在快速增加。
除此之外，碳化硅在其他新兴领域的应用也在层出不穷，如AI眼镜领域。碳化硅材料可应用于AI眼镜的
光波导镜片中。碳化硅材料折射率显著高于高折射率玻璃和铌酸锂，可以实现更大的视角及更简单的全彩显
示结构，减少AI眼镜的尺寸、重量以及制造成本和复杂性，从而显著提升AI眼镜的用户体验。由于碳化硅材
料卓越的光学特性，AI眼镜行业市场预计将大幅增长，至2030年，全球出货量将超过6000万副。
公司作为衬底制造商，属于整个碳化硅半导体器件产业链的上游参与者，是产业链中将原材料转化为可
供下游使用的衬底产品的关键环节。
根据弗若斯特沙利文的资料，以销售收入计，全球碳化硅衬底市场由2019年的人民币26亿元增长至2023
年的人民币74亿元，复合年增长率为29.4%。预计到2030年，市场规模将有望增长至人民币664亿元，复合年
增长率为39.0%。
伴随着下游应用领域旺盛的需求，碳化硅市场产能持续稳定释放、上下游产业链的协同发展、碳化硅厂
商的核心技术竞争力将成为全球宽禁带半导体行业未来发展的重点。
2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
根据国家统计局《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司所处行业为第39大类“计算机、通信
和其他电子设备制造业”之第398中类“电子元件及电子专用材料制造”。根据国家统计局发布的《战略性
新兴产业分类（2018）》分类，公司的产品属于“1.2.3高储能和关键电子材料制造”和“3.4.3.1半导体晶
体制造”，是国家重点鼓励、扶持的战略性新兴产业。
公司在材料科学领域的持续深耕正在引领多个产业的发展，以碳化硅材料创新为新能源与AI两大产业提
供核心支撑，赋能未来科技革命。公司的碳化硅衬底可广泛应用于新能源汽车、AI数据中心、光伏系统、AI
眼镜、轨道交通、电网、家电及先进通信基站等领域。凭借行业领先的技术创新能力、强大的量产能力、高
质量的产品组合、与上下游市场参与者建立的紧密合作生态及高效的管理能力，公司正在引领碳化硅行业蓬
勃向前发展。公司是全球少数能够实现8英寸碳化硅衬底量产、率先实现2英寸到8英寸碳化硅衬底的商业化
的公司之一、也是率先推出12英寸碳化硅衬底的公司，并且是率先使用液相法生产P型碳化硅衬底的公司之
一。
公司已跻身为国际知名半导体公司的重要供应商，公司的产品亦在国际上获得广泛认可。我们已与全球
前十大功率半导体器件制造商中一半以上的制造商建立业务合作关系。公司的碳化硅衬底经客户制成功率器
件及射频器件，该等器件最终应用于诸如新能源汽车、AI数据中心及光伏储能等多领域的终端产品中，同时
，公司积极向AI数据中心、微纳光学、先进封装等新兴领域拓展，碳化硅衬底材料在新兴领域发展潜力巨大
。
公司已经形成了全面的技术体系，覆盖设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工、质量检
测等各个生产碳化硅衬底关键环节，公司的自主技术工具包支撑公司在产品缺陷控制和成本优化方面达到国
际一流的水准。根据Yole旗下的知识产权调查公司数据，公司在碳化硅衬底专利位列全球前五。
全球碳化硅衬底市场由少数头部企业主导，头部企业在技术实力、生产规模、品牌知名度和认可度方面
具有显著优势。根据日本富士经济于2026年3月发布的报告测算，2025年全球导电型碳化硅衬底材料市场中
，天岳先进（SICC）市场份额为27.6%，位居全球第一；其中6英寸市场份额为27.5%，8英寸市场份额为51.3
%，充分体现了公司战略执行的成果。
3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
3.1碳化硅材料深度赋能“AI+新能源”，成为新质生产力基石。
报告期内，全球科技革命进入由“能源变革”与“人工智能（AI）”共同驱动的新阶段。碳化硅（SiC
）半导体材料凭借其高禁带宽度、高击穿电场、高热导率等优异物理特性，已成为这两大战略性领域的底层
核心支撑。
在新能源领域，碳化硅在新能源汽车高压平台、光伏逆变器及储能系统中的渗透率进一步提升，已从“
高端选配”向“主流标配”转型。在人工智能领域，随着AI算力需求的爆发，数据中心对电源转换效率和散
热管理提出了极高要求。碳化硅功率器件能够显著提升服务器电源（PSU）的功率密度和转化效率，有效降
低数据中心的能耗（PUE值），成为AI基础设施绿色化发展的必然选择。公司紧抓双轮驱动机遇，通过提供
高质量衬底材料，助力下游客户在绿色能源与智能算力领域的深度融合。
3.2技术进步驱动单位成本持续降低，经济性提升加速全行业渗透。
2025年，碳化硅行业正处于尺寸升级与工艺革新的关键窗口期。报告期内，衬底技术向大尺寸化演进的
趋势愈发明确。随着公司大尺寸衬底生产技术的日臻成熟和良率的稳步提升，技术端晶体生长、切片、磨抛
工艺的进步显著提升了碳化硅衬底的生产效率，并降低了生产成本。随着技术的不断进步和产能的扩大，预
计碳化硅衬底的成本将进一步降低，经济性和市场渗透率将继续提升。
技术进步带来的经济性红利，促使碳化硅的应用门槛进一步降低。碳化硅的使用经济性优势已不再局限
于新能源汽车和数据中心等顶尖领域，在工业自动化、智能电网、轨道交通以及以空调、洗衣机为代表的高
端家电等消费电子领域，碳化硅替代传统硅基半导体的进程明显加快。行业报告显示，公司本年度8英寸衬
底市场占比已超过50%，6英寸占比27.5%，公司引领的尺寸升级不仅提升了自身竞争力，更带动了全产业链
的规模化效应，推动SiC应用向全工业领域渗透。
3.3多元物理特性触发跨界融合，SiC加速向新兴蓝海市场延伸。
报告期内，碳化硅材料的应用逻辑正从单一的“电力电子功率器件”向基于其多元物理特性的“多功能
应用”转变。碳化硅具备的高禁带宽度、高热导率、高折射率及化学稳定性，使其在多个新兴赛道展现出巨
大的应用潜力。
微纳光学领域：碳化硅的高折射率和低损耗特性，使其成为制造微透镜、光波导等微纳光学元件的理想
材料。公司通过与光学头部客户的战略合作，已实现在AR/VR及精密光学传感领域的初步应用。
先进封装领域：利用碳化硅极高的热导率，将其作为大功率芯片的散热基板或封装材料，能够有效解决
高性能芯片的“热管理”难题。
超高压电力领域：随着高质量P型碳化硅衬底的研发突破，其在智能电网、特高压直流输电等领域的应
用正进入实测阶段，为构建新型电力系统提供了关键材料保障。
未来，随着12英寸等更大尺寸衬底布局的推进，以及液相法等前沿制备技术的产业化，碳化硅衬底将持
续打破现有应用边界，形成“一材多用、跨界赋能”的新产业格局，为公司提供持续的增长动力。
二、经营情况讨论与分析
公司自成立以来即专注于高品质碳化硅衬底的研发与产业化。公司是全球少数能够实现8英寸碳化硅衬
底量产、率先实现2英寸到8英寸碳化硅衬底商业化的公司之一，也是率先推出12英寸碳化硅衬底的公司。
2025年，全球能源变革与人工智能（AI）技术加速融合，推动功率半导体和新型半导体材料需求持续演
进。碳化硅材料凭借高耐压、高频、高热导、高温稳定性等综合优势，正在成为绿色低碳与高效算力基础设
施的重要材料支撑。伴随新能源汽车、电网与新能源绿电、储能升级、数据中心能效提升、工业与消费电子
能效提升，以及光学与先进封装等新场景的发展，碳化硅下游应用由点到面扩展的趋势进一步清晰。
与此同时，2025年行业竞争格局进一步优化，价格波动、产业规模提升与客户导入周期并存，行业处于
从早期无序扩张向大尺寸化、规模化、成本优化和结构升级并行推进的重要阶段。公司在此背景下，坚持长
期主义，围绕“市场份额提升”与“技术持续进步”两条主线推进经营，一方面抓住行业调整窗口，持续巩
固与全球头部客户合作关系，另一方面通过大尺寸产品、工艺优化与应用拓展提升长期竞争壁垒。
从产业趋势看，2025年已成为碳化硅进一步扩大规模化应用的重要一年。随着技术进步、单位成本下降
以及头部企业规模增长，碳化硅在新能源汽车、数据中心、先进封装、微纳光学之外，以及更加广义的工业
、电网、光伏、储能、充电设施、家电及消费电子等领域均表现出相较传统半导体材料的综合优势，应用渗
透进入“规模化导入”阶段。公司围绕这一趋势，持续完善产品矩阵、加强客户共研、推进大尺寸化与多元
应用布局，力争在行业新一轮发展中占据更有利位置。公司也正从半导体器件材料供应商向更广泛的先进材
料平台型企业延伸。同时，作为全球宽禁带半导体材料行业的领军企业，公司管理层紧紧围绕公司发展战略
和年度经营目标，持续优化内部生产管理、改进工艺技术、提升产品良率，坚持研发创新和市场拓展；同时
，公司积极主动开源节流，合理管控成本费用，推进精益改善等一系列措施实现降本增效。
（一）公司经营情况
1、聚焦市场份额提升，逆势巩固行业领先地位。
2025年，公司将抢占市场份额作为核心经营策略之一，在行业承压背景下仍实现了份额提升。根据日本
富士经济于2026年3月发布的报告测算，2025年全球导电型碳化硅衬底材料市场中，天岳先进（SICC）市场
份额为27.6%，位居全球第一；其中6英寸市场份额为27.5%，8英寸市场份额为51.3%，充分体现了公司战略
执行的成果。
从经营逻辑看，行业下行阶段往往更能检验公司的真实竞争力。公司之所以能在2025年逆势实现份额增
长，核心在于：一是前瞻布局8英寸和12英寸，把握了行业尺寸升级方向；二是客户合作深、认证壁垒高，
在长周期验证体系下具有较强黏性；三是规模化交付与质量稳定性经过国际头部客户验证，能够在行业竞争
中获得更多订单与导入机会。
报告期内，公司持续在产品品质、量产交付、技术迭代与客户协同上的加强投入，保持与全球前十大功
率半导体器件制造商中一半以上厂商的业务合作关系，在行业下行周期中进一步扩大了优质客户覆盖范围，
并持续开拓新领域、新客户、新应用。
通过前瞻性布局大尺寸产品，在行业从6英寸向8英寸加速切换过程中取得了明显优势，2025年公司持续
扩大6英寸市场份额，并在8英寸市场份额上占据头部位置。同时大尺寸产品占比提升，不仅帮助公司扩大了
市场份额，也有助于改善产品结构、强化客户绑定并提升长期竞争壁垒。
2、深化头部客户合作，持续扩大客户版图。
报告期内，公司与各行业头部客户的合作进一步深化，新能源汽车、数据中心、先进封装、微纳光学等
领域的重点客户合作关系进一步加强，体现出公司在产业链关键材料环节的综合竞争力。公司长期采取直销
模式，依托销售、研发、生产联动机制，能够快速响应客户需求并参与客户前期验证、产品定义与工艺优化
，从而增强合作深度和客户黏性。
在新能源汽车及功率器件领域，公司持续服务全球领先客户。公司已与全球前十大功率半导体器件制造
商中一半以上建立合作关系，并与国际客户形成长期稳定合作生态。报告期内，行业大尺寸化的趋势进一步
确定，随着公司大尺寸产品经济性持续加强，行业从6英寸向8英寸切换，公司通过大尺寸产品进一步加深与
客户的合作关系；同时，由于碳化硅衬底作为器件制造关键材料，需要经过外延、芯片制造、封装测试等复
杂验证程序，下游客户一旦完成验证通常不会轻易更换供应商，这使得公司在服务头部客户后具有较强持续
供货优势。
报告期内，公司与下游客户持续推进各项技术合作。如在微纳光学领域，公司于2025年7月与舜宇奥来
微纳光学（上海）有限公司达成战略合作，双方将整合碳化硅材料与光学技术优势，推动碳化硅衬底材料在
光学领域应用，开拓新的蓝海市场。在AI数据中心供电方案中，公司配合全球头部功率器件厂商，就下一代
电源管理芯片的研发展开密切合作。在先进封装领域，公司配合全球头部客户推进SiC的应用突破；同时，
在芯片散热方向，公司目前已成功将半绝缘碳化硅衬底应用于高功率激光器芯片的散热层，并已形成批量出
货，验证了碳化硅散热在产业端规模化应用的可行性。这些合作不仅体现公司在新兴应用方向的前瞻布局，
也标志着公司正从单一材料半导体器件材料供应商向更广泛的先进材料平台型企业延伸。
此外，公司在与重要合作伙伴关系上持续深化。如公司于2025年10月获得“博世全球供应商奖”，标志
双方产业链协同进入深度绑定阶段，与博世的长期战略合作伙伴关系进一步加深。这类合作关系的持续稳定
，有利于公司在行业波动期保持订单韧性，并进一步提升全球影响力。整体来说，公司深度融入碳化硅行业
价值链，与上下游企业建立了紧密的合作生态。公司以先进的技术能力为核心，精准把握全球客户的最新需
求，链接全球顶尖的供应链资源，不断推动大尺寸、高质量的碳化硅衬底产品在各领域的渗透率提升，并最
终实现产业链共赢，持续提升全球影响力。
3、应用场景持续拓宽，碳化硅进入更广泛规模化应用阶段
2025年，碳化硅应用从新能源汽车、光伏储能等传统高景气场景，进一步向AI数据中心、智能电网、先
进封装、微纳光学、工业、充电设施、家电和更多消费电子场景延展。这一趋势的底层驱动在于，随着碳化
硅材料和器件技术持续进步、尺寸升级、成本下降和规模效应显现，其相较传统硅基材料在低中高压、高频
、高效率、高功率密度和热管理上高效性能正在被更多终端应用所接受。
在AI数据中心领域，随着AI算力快速增长，数据中心能耗与供电效率问题日益突出。根据弗若斯特沙利
文的数据，至2030年全球AI数据中心容量将增长至299GW，较2023年净增加244GW，2023年至2030年复合年增
长率达到27.4%，数据中心耗电量占全球电力消费比例将由1.4%提升至10.0%。碳化硅功率器件在数据中心电
源、UPS、服务器电源等场景可实现更高转换效率与功率密度，因此对高品质碳化硅衬底的需求具有明确增
量意义。
在AI眼镜-微纳光学领域，碳化硅材料凭借优异光学特性和轻量化潜力，正在成为重要的显示新材料。
资料显示，至2030年全球AI眼镜出货量有望超过6000万副；公司2025年在该领域已形成实质性布局，不仅与
舜宇奥来达成战略合作，还凭借“碳化硅光波导片在AI眼镜中的应用”方案入选中国信通院优秀案例，表明
公司在碳化硅材料跨界应用方向已具备较强产业化落地能力。在电网、工业、光伏储能、轨道交通和家电等
领域，碳化硅优秀的材料特性带来的性能提升则更为明显。根据相关预测，2024年至2030年，碳化硅功率半
导体器件在光伏储能、电网、轨道交通等领域的复合增长率分别可达27.2%、24.5%、25.3%。随着使用经济
性不断提升，更多原本由传统硅基器件主导的场景开始引入碳化硅方案，推动行业由单一赛道增长向多场景
共振演进。
4、引领尺寸升级趋势，推动行业由6英寸向8英寸切换并布局12英寸
报告期内，公司继续引领行业向大尺寸衬底升级，目前6英寸导电型衬底仍为主流、8英寸导电型衬底正
快速起量、12英寸前瞻布局推进顺利。尤其是公司在8英寸导电型衬底的质量与批量供应能力处于全球领先
位置，是全球少数能够批量出货8英寸碳化硅衬底的市场参与者之一，持续推动头部客户向8英寸转型。
8英寸衬底的重要性在于，其更大的可用面积有助于提升单片晶圆产出、改善器件制造经济性并推动下
游产线与设备兼容优化。同时，全球碳化硅功率器件制造商在8英寸项目上的总投资额持续提升，行业向8英
寸切换已成为一个清晰的趋势。
在更大尺寸布局方面，公司于2024年11月推出业内首款12英寸碳化硅衬底，并于2025年一季度完成12英
寸导电N型、导电P型及半绝缘型全系列产品技术攻关。目前12英寸产品已获得头部客户订单，这意味着公司
在下一代大尺寸衬底方向上已经走在行业前列。12英寸的意义不只是技术展示，更在于12英寸的批量产出将
使得诸多新兴领域成功落地，SiC作为先进平台型材料进一步降低诸多领域的单位成本，并打开更大规模商
业化空间。
从产业竞争角度看，谁能够率先完成从6英寸到8英寸，再向12英寸延伸的量产与客户导入，谁就更有机
会在下一轮行业竞争中掌握主动权。报告期内公司在8英寸占比提升、12英寸持续推进上的表现，体现了公
司在技术路线选择-产能能力建设-客户验证推进等三方面的协调能力，也增强了未来盈利能力与市场份额继
续提升的基础。
（二）研发创新情况
碳化硅衬底属于高度技术密集型行业，制备流程复杂、工艺壁垒高，核心竞争力很大程度上取决于材料
基础研究、晶体生长、缺陷控制、加工工艺、设备设计和产业化协同能力。保持技术领先是公司的长期战略
重点。2025年，公司继续围绕基础研究、产品开发和工程优化开展持续投入，强化自主创新能力，推动技术
进步与产业化能力相互促进。
2025年公司研发费用为1.66亿元，较2024年增长16.91%。研发投入增加主要用12英寸碳化硅衬底、8英
寸衬底产业化研发，P型衬底以及光学、先进封装等新兴领域方向的开发。公司在行业景气承压阶段并未削
弱研发投入，而是继续加大前瞻性技术和新应用方向布局，体现出较强的长期投入定力。
从技术方向看，公司持续围绕大尺寸化、低缺陷、低成本、液相法、P型衬底以及新型应用材料等方向
推进研发。公司业内首创使用液相法制备出无宏观缺陷的8英寸碳化硅衬底，突破了碳化硅单晶高质量生长
界面控制和缺陷控制难题；同时，公司也是率先使用液相法生产P型碳化硅衬底的公司之一，这为智能电网
、高压大功率器件等场景的拓展提供了技术支撑。
报告期内，公司围绕“销售-研发-生产”联动机制继续强化研发体系。公司与下游战略客户共同推进研
发，痛点及需求开展针对性研发，并基于客户反馈持续优化迭代产品，使研发成果能够更快转化为产业化能
力和客户价值。对于碳化硅这类验证周期长、产业链协同要求高的材料行业而言，这一机制有利于公司在技
术创新与市场拓展之间形成正循环。
从知识产权成果看，公司在持续研发投入基础上，已形成较为系统的知识产权积累和技术壁垒。截至20
25年末，公司及下属子公司累计获得发明专利授权203项、实用新型专利授权308项，其中境外发明专利授权
14项；报告期内新申请发明专利和实用新型专利等64项，其中发明专利49项、实用新型13项。
从人才与组织能力看，公司持续打造
全球碳化硅人才高地。截至报告期末，公司研发人员中硕士、博士合计67人，占研发人员总数37.43%；
公司拥有2名享受国务院特殊津贴专家，并汇聚国家级人才7人、省级人才12人、市级人才6人。未来三年，
我们将持续优化人才矩阵，进一步完善覆盖材料科学、电子工程、物理、化学、机械工程等多学科背景的研
发团队，为公司在基础研究、产品开发和工程转化上的持续推进提供支撑。
2025年，公司研发创新成果还在多项外部荣誉中得到体现。公司于2025年5月凭借“一种高平整度、低
损伤大直径单晶碳化硅衬底”获得第二十五届中国专利银奖；2025年6月获得日本权威半导体媒体颁发的“
半导体电子材料”类金奖；2025年11月因“全系列12英寸碳化硅衬底全球首发”入选“2025年度中国第三代
半导体技术十大进展”。这些成果从侧面体现了公司技术创新在国内外产业界的影响力。
总体看，2025年公司持续推进研发创新工作，坚持高强度投入，在行业波动中保持技术进步节奏不变；
围绕大尺寸化与新应用方向进行前瞻布局，既服务当前市场份额提升，也服务未来产业升级；同时，公司强
化研发成果向量产和客户价值转化，持续推动从技术突破到产业化竞争力的闭环形成。这些工作将对公司未
来在8英寸进一步放量、12英寸持续突破，以及绿色低碳应用、AI数据中心、微纳光学、先进封装等新应用
方向的拓展形成有力支撑。
（三）年度成果和荣誉
2025年，公司在技术创新、品牌建设、ESG管理、资本市场布局等方面收获多项荣誉，彰显了公司的行
业影响力和综合实力，得到了产业界、资本市场和社会各界的广泛认可。
1、技术与品牌荣誉方面
公司凭借在衬底技术突破与量产应用上的显著成果，斩获多项高含金量奖项，其中核心荣誉实现重大突
破：公司导电型碳化硅衬底获评“国家制造业单项冠军”，继半绝缘型碳化硅衬底已获此项殊荣后再添佳绩
，成功成为行业首个“双料单项冠军”，充分彰显公司在碳化硅衬底核心领域的绝对领先地位；凭借“高品
质碳化硅单晶衬底产业化制备关键技术及应用”相关成果，荣获山东省科技进步特等奖，该奖项作为山东省
科技领域最高荣誉之一，充分肯定了公司在碳化硅技术产业化落地、推动区域半导体产业高质量发展中的突
出贡献；荣获国家知识产权局颁发的“中国专利奖（银奖）”，该奖项是中国知识产权领域的最高政府奖项
，竞争极为激烈，充分彰显公司雄厚的技术研发实力与高价值专利培育能力；凭借“全系列12英寸碳化硅衬
底全球首发”成果，入选“2025年度中国第三代半导体技术十大进展”，彰显公司在大尺寸衬底领域的全球
引领地位；荣获中国电子材料行业协会半导体材料分会颁发的“半导体材料行业突出贡献奖”，肯定了公司
在技术研发、国产化替代方面的突破性贡献；凭借“高品质碳化硅单晶衬底产业化制备关键技术及应用”项
目，荣获“国际发明展览会银奖”，体现公司技术创新的国际影响力；同时，公司获评“山东省先进级（省
级）智能工厂”，彰显智能制造领域的标杆水平，以及“山东省新材料领军培育企业”“济南市服务产业链
发展优质链主企业”，凸显在区域产业发展中的核心引领作用。此外，公司此前获得的“2025行家极光奖”
之“全球SiC衬底影响力企业”及“2025年度优秀产品奖”，进一步巩固了其行业引领地位。
2、ESG与规范经营方面
公司凭借系统化的ESG管理体系与扎实的可持续发展实践，荣获2025年度上市公司最佳ESG实践奖，体现
了公司在环境、社会和治理方面的卓越表现；公司始终保持高水平的信息披露质量，持续提升规范运作水平
和投资者关系管理质量，不仅树立了科创板上市公司规范经营的良好标杆，更以符合国际资本市场的合规运
营标准，为本次港股成功上市奠定了坚实基础，也为国产碳化硅企业对接全球资本树立了合规典范。同时，
公司获评“济南市工业节水示范企业”，积极践行黄河流域生态保护战略，彰显绿色发展理念。
3、产业影响力与国际认可度方面
公司碳化硅材料成功入选中国制造“十四五”成就展，登陆国家博物馆，彰显了公司的硬核科技实力，
也体现了国家对碳化硅产业及公司发展的高度认可；公司作为国内碳化硅衬底行业的领军企业，积极协办全
国半导体材料标准化分技术委员会相关会议，助力行业标准完善，推动产业高质量发展。在国际领域，公司
斩获德国博世集团“卓越供应商”奖项，成为其全球约3.5万家供应商中获评的49家企业之一，彰显产品品
质与供应能力的国际认可；同时，作为31年来首家荣获日本器件产业新闻第31届半导体年度奖“半导体电子
材料”类金奖的中国企业，跻身全球顶尖半导体材料企业行列，标志着中国碳化硅产业整体实力的跃升。
4、资本市场方面
公司8月成功实现港股上市，成为国内碳化硅衬底领域首家“A+H”两地上市企业，这一资本布局的重大
突破，不仅让公司迈入“A+H”双资本平台发展的全新阶段，更成为国产第三代半导体硬科技企业对接全球
资本、实现国际化发展的标杆案例，充分印证了公司核心技术实力与全球化发展潜力获得国际资本市场的高
度认可；同时公司凭借突出的科技创新实力与全球化发展布局，荣获“金牛上市公司科创奖（新材料）”“
2025年度科技创新金牛奖（港股）”“2025硬科硬客科技突破奖”，资本市场认可度持续攀升。此外，公司
研发团队获评“团省委在青春建功高质量发展工作中表现突出青年集体”，彰显了人才队伍建设的显著成效
。
三、报告期内核心竞争力分析
(一)核心竞争力分析
1、大尺寸技术引领行业，全矩阵产品前瞻布局
碳化硅衬底的大尺寸化是行业降本增效和扩大应用的核心方向之一。公司自成立以来持续布局不同尺寸
、不同类型碳化硅衬底的研发与产业化，在尺寸升级方面形成了较强的先发优势。报告期内，公司不仅持续
提升8英寸产品的批量供应能力和客户导入深度，而且进一步完成了12英寸导电N型、导电P型及半绝缘型碳
化硅衬底全系列产品的技术攻关，在业内率先建立起下一代大尺寸产品的全矩阵布局。
公司是全球少数能够实现8英寸碳化硅衬底量产的企业之一，也是率先推出12英寸碳化硅衬底的企业。
资料显示，公司量产碳化硅衬底尺寸已由2英寸迭代升级至8英寸，并于2024年推出业内首款12英寸碳化硅衬
底；2025年，公司围绕12英寸导电型与半绝缘型产品持续推进客户展示、样品验证和技术完善，进一步夯实
了在超大尺寸领域的领先位置。
2025年，公司8英寸产品进一步走向主流化应用。根据富士经济数据，公司8英寸产品全球市场份额已超
过50%，公司在行业由6英寸向8英寸切换过程中，已完成从“技术领先”向“产品主流化、客户规模化采用
”的转变。公司2024年8英寸产品主营业务收入占比30%，2025年进一步提升至44%左右。8英寸产品比重持续
提高，不仅说明公司技术路线判断准确，也表明公司已在大尺寸产品的品质、交付和客户验证方面形成较高
壁垒。
从产业趋势看，8英寸的意义在于能够显著提升单片晶圆的芯片产出、提高设备兼容性并降低综合成本
。8英寸衬底单片芯片产出量约为6英寸的2倍；同时，晶体生长技术的进步推动8英寸导电型衬底实现量产，
更大的可用衬底面积推动单位综合成本降低。公司率先完成8英寸产品产业化并在2025年实现主流化应用，
意味着其不仅走在技术前列，更有效承接了下游客户对成本优化和产线升级的需求。
在更大尺寸布局上，12英寸产品进一步强化了公司的下一代竞争壁垒。12英寸产品在面积上较8英寸继
续扩大，有望进一步降低单位成本并提升经济性，同时下游诸多新兴领域如先进封装、AI光学的进一步发展
也亟待12英寸的规模化量产。目前公司已经完成12英寸导电N型、导电P型及半绝缘型产品的全产品大尺寸布
局，标志着公司正式跻身全球碳化硅大尺寸技术竞争前列。在大尺寸技术领先的同时，公司前沿工艺布局也
增强了技术领先的深度。公司业内首创使用液相法制备出无宏观缺陷的P型碳化硅衬底，突破了碳化硅单晶
高质量生长界面控制和缺陷控制难题；同时，公司也是率先使用液相法生产P型碳化硅衬底的公司之一。液
相法相较传统路径，能够更好地控制生长参数，使掺杂分布更加均匀，特别适用于高功率、高耐压场景，对
公司在高压电网、P型衬底及未来更高品质大尺寸产品开发中具有战略价值。
总体看，公司在大尺寸路线上的核心竞争力，不仅率先推出大尺寸产品，并已建立起从技术领先、工艺
方法突破，到客户协同开发验证、大批量稳定交付的完整闭环。8英寸的主流化应用和12英寸的全矩阵布局
，使公司在当前和下一阶段行业竞争中都具备较强主动权。
2、赋能“AI+新能源”双轮驱动的多元化应用生态能力
公司对碳化硅材料底层特性、下游场景需求和产业演进方向具有深刻的理解，同时围绕客户需求开展协
同研发和产品定义的经验非常丰富。报告期内，公司产品和技术围绕新能源与AI双轮驱动不断向更广泛场景
渗透，展现出较强的生态赋能能力。
碳化硅材料具备多元物理特性。现有资料明确显示，其具有高禁带宽度、高击穿电场强度、高电子饱和
漂移速率、高热导率、高折射率等特征，可应用于功率器件、射频器件、光波导、散热部件、滤波器等多类
下游产品中。结合用户要求，公司对SiC材料的理解和应用布局已不仅限于“电”的方向，而是进一步延伸
至光学、热管理等方向，体现出对材料多物理特性的系统开发能力。
在新能源领域，碳化硅材料已广泛应用于电动汽车、光伏储能、电网、轨道交通、充电设施和家电等场
景。随着电力电子各个子场景下功率密度的提升和能效要求增强，碳化硅材料在新能源应用中的基础盘持续
扩大，并开始有加速的迹象。
在AI领域，据弗若斯特沙利文的资料，至2030年全球AI数据中心容量将增长至299GW，较2023年净增加2
44GW，对应2023年至2030年复合年增长率27.4%；数据中心耗电占全球电力消费比例将由1.4%提升至10.0%。
公司碳化硅衬底可应用于AI数据中心所需的高效率电源、PSU、HVDC、SST等场景，将为公司打开新的成长空
间。
在微纳光学与AI眼镜领域，碳化硅材料可应用于AI眼镜的光波导镜片中，凭借高折射率等特性，可实现
更大的视场角和更简单的全彩显示结构，减少重量、体积和制造复杂度。预计至2030年全球AI眼镜出货量将
超过6000万副。报告期内，公司于2025年7月与舜宇奥来微纳光学（上海）有限公司达成战略合作，通过整
合公司材料优势与对方光学技术专长，推动碳化硅材料在光学领域的应用；同时，公司“碳化硅光波导片在
AI眼镜中的应用”方案于2025年11月成功入选中国信通院优秀案例，表明公司在光学场景的产业化探索已取
得实质进展。
在先进封装与高端散热领域，碳化硅凭借高导热、耐高温特性，可用于半导体散热部件、先进封装中介
层等方向。公司目前已成功将半绝缘碳化硅衬底应用于高功率激光器芯片的散热层，并已形成批量出货，验
证了碳化硅作为散热材料在产业端规模化应用的可行性。并持续在AI、数据中心和先进散热部件等新应用场
景推动技术突破。这类应用本质上是利用碳化硅在热管理和材料稳定性方面的优势，服务于AI算力中心高功
率、高散热密度场景。
在滤波器与先进通信方面。碳化硅已应用于TF-SAW滤波器等方向，先进通信基站中的渗透率也正逐年提
升。公司正围绕碳化硅在高频高速通信场景的材料优势，与客户共同推动产品验证和应用落地。
总体来看，公司围绕“AI+新能源”的多元应用生态能力，持续拓展客户行业，将碳化硅材料的“电、
光、声、热”等多维特性逐步转化为可量产、可验证、可协同开发的产品能力。随着下游更多新场景从验证
走向规模化，公司有望凭借这种跨场景理解和快速响应能力，进一步提升行业渗透率和客户黏性。
3、全球领先的规模化量产能力与精益制造体系
在行业承压、竞争加剧的环境下，能否稳定实现大尺寸产品的规模化生产、保证一致性和良率、按时交
付全球头部客户，成为决定企业竞争地位的关键因素。报告期内，公司继续强化规模化量产能力和精益制造
体系，形成了较为突出的交付优势。
公司目前已形成上海临港与山东济南两大主要生产基地协同布局。截至报告期末，公司已在山东及上海
设立两大生产基地，合计设计年产能超过50万片碳化硅衬底；同时上海工厂、济南工厂仍在推进二阶段产能
提升规划，海外工厂也逐步进入计划建设阶段。完善的产能布局增强了公司对全球大客户稳定交付的支撑能
力，也提升了产能调度和风险分散能力。
从实际产量看，公司规模优势持续兑现。2025年度公司碳化硅产品折合69.04万片，同比增长68.31%。
公司大尺寸产品的快速量产能力，是其制造体系的重要体现。以上海生产基地为例，其于2023年1月开
始设备进场，到同年5月即实现产品交付，并于2024年上半年已经达到年产30万片碳化硅衬底的量产能力，
而原计划实现该目标的时间为2026年。这表明公司生产管理团队已形成一整套从厂房建设到稳定生产大尺寸
产品的快速量产经验，可在较短周期内完成从项目建设到客户交付的落地，这对公司海外产能的布局也至关
重要。
在良率、厚度与一致性方面，公司同样具备领先能力。目前公司已解决有效晶体生长厚度提升的量产难
题，有效厚度超行业平均水平。更高的有效厚度意味着单个晶锭可切出更多衬底，有助于大幅降低单位产品
成本。与此同时，公司产品已达到近零微管水平，并表现为无堆垛层错、低BPD、低TSD和低TED密度。公司
还实施“Z计划”，旨在实现高质量产品及无缺陷交付。在智能制造方面，公司持续推进AI和数字化工厂建
设。上海工厂在设计之初即定位为智慧工厂，配备高性能、智能化设备，通过AI和数字化技术持续优化工艺
；公司运用信息系统实现生产品质实时分析、监测和预警，并通过部署机器人系统和智能设备单元，实现了
操作控制与管理的自动化，部分晶体生长设施实现无人化运营。高自动化和高信息化能力，一方面减少了人
为干预带来的品质波动，另一方面提高了生产效率和一致性。
总体而言，公司多元化的产能布局，大尺寸快速量产能力，高一致性的品质保障和持续降本的系统能力
，为公司服务全球头部客户打下了坚实基础，也为公司在行业竞争中保持韧性和扩大份额提供了关键支撑。
4、深度绑定的全球头部客户资源与国际化品牌影响力
碳化硅衬底行业的客户进入门槛高、验证周期长、替换成本大，因此，头部优质客户是公司长期发展的
基石。公司经过多年积累，已与全球头部功率半导体企业及多个新兴领域龙头客户建立了稳定合作关系，形
成了稳定深入的客户生态优势。
目前，公司已与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上的制造商建立业务合作关系，并已进入国
际知名半导体公司的重要供应链，这种合作关系体现了公司在品质、稳定性、交付和技术服务上的综合实力
。
从品牌与市场地位看，公司已具备较强国际影响力。根据日本富士经济于2026年3月发布的报告测算，2
025年全球导电型碳化硅衬底材料市场中，天岳先进（SICC）市场份额为27.6%，位居全球第一。同时公司的
稳步发展也获得了头部客户的广泛认可和尊重，使得公司在行业议价、行业标准理解和制定和产业链协同中
拥有更强影响力。
2025年，公司完成H股上市，形成“A+H”双融资平台，进一步增强了公司在国际资本市场和全球客户体
系中的公信力。公司H股于2025年8月20日在香港联交所主板挂牌上市，股份代号为2631.HK。本次港股上市
有利于公司借助A+H双上市平台构建全球化资本及营销网络，有助于提升海外客户对公司长期供货能力、治
理规范性和国际化发展能力的信心。
在品牌认可方面，公司于2025年10月从博世全球超过35000家供应商中脱颖而出，荣获“博世全球供应
商奖”，标志着双方产业链协同进入深度绑定阶段。公司同期还获得“好品山东”、“港股科技创新金牛奖
”、“全球SiC衬底影响力企业”等多项荣誉，这些外部认可强化了公司在全球市场中的品牌形象。
公司客户资源优势的底层逻辑，在于碳化硅衬底一旦完成验证，客户通常不会轻易更换供应商。碳化硅
衬底需经过外延、芯片制造、封装测试等复杂验证程序，验证周期长，因此已通过验证的供应商通常具备较
强持续供货优势。公司凭借产品品质、持续交付能力和技术服务能力，不仅进入客户体系，而且不断深化合
作层级，从而形成较强客户黏性。
总体而言，公司深度绑定的全球头部客户资源与国际化品牌影响力，已经成为其在行业竞争中的重要壁
垒。随着公司通过“A+H”平台进一步完善全球营销与资本网络，并持续提升8英寸和12英寸产品供给能力，
公司有望在全球范围内进一步提升市场份额和品牌影响力。
(三)核心技术与研发进展
1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司已掌握涵盖碳化硅衬底生产所有阶段的核心技术，包括设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长
、衬底加工及材料质量表征创新。公司的成功源于我们的专有技术，公司致力于自主研发，并形成一套全面
的知识产权保护体系。
（1）碳化硅晶体生长过程中的缺陷控制技术
碳化硅材料中的缺陷包括微管、多型夹杂、位错等。微管是尺寸为几微米到数十微米的贯穿型缺陷，是
器件的杀手型缺陷；碳化硅材料包含200多种晶体结构，为确保获得符合要求的晶体结构并避免产生多型夹
杂等常见缺陷，精确控制温度、压力、气流等多种参数至关重要；碳化硅晶体生长热场中存在的温度梯度导
致的热应力、生长过程中的温度、组分等波动也容易引入位错及点缺陷等缺陷，从而影响后续外延和器件的
质量和性能。
我们(i)通过设计晶体成核工艺，控制籽晶界面处的均匀有序成核，实现了单一4H晶型和近零微管密度
的晶体生长；(ii)通过热场结构和晶体生长腔室结构的设计，实现了高均匀性的晶体生长热场，有效降低了
晶体生长内应力和位错等诱生缺陷，大幅度提高了晶体结晶质量；(iii)通过对贯穿型位错的产生及转化机
制的研究，以及在位错消除工艺上的创新，实现了对螺型位错密度低于100cm-2以内以及最优质控制在1cm-2
以下的高质量碳化硅衬底的商业化；及(iv)通过C/Si成分调节技术，实现了生长界面上C/Si组分的精准调控
，确保对晶体内点缺陷的类型及浓度进行控制。该等技术使我们能够在高质量碳化硅晶体的连续生长过程中
实现质量稳定可控。
（2）碳化硅晶体生长设备及热场设计制造技术
我们的碳化硅晶体生长设备采用高真空系统结构，可在实现极高真空度的同时保持极低的高温真空漏率
，保证了碳化硅粉料及碳化硅晶体生长腔室的纯度。此外，我们对碳化硅晶体生长设备自动化程度进行不断
提升，与晶体生长控制软件系统结合，可以实现晶体生长前的上料、封炉自动化控制，并可实现晶体生长过
程中的炉温、真空度、气体流量等全参数实时监控，保证了晶体生长过程的稳定性和可控性。
碳化硅晶体生长热场是碳化硅晶体生长的核心，决定了晶体生长中温度的轴向和径向梯度、气相流场等
关键反应条件。热场的配置核心是设置合理的轴向温度梯度和径向温度梯度，以保证热场内生长的晶体具有
较小的原生内应力，同时具备合理可控的生长速率。我们的热场仿真建模团队，利用专业碳化硅热场仿真软
件进行热场设计，可针对不同类型、不同尺寸的碳化硅晶体进行精确的热场仿真、建模和设计，从而满足晶
体的生长技术需求。
（3）高纯碳化硅粉料制备技术
碳化硅粉料是碳化硅晶体生长的原料。由于合成环境的影响及原辅材料中本身含有不可去除的杂质，合
成的碳化硅粉料中不可避免地引入较多杂质，直接影响晶体的纯度和电学性能。我们研制了高真空度的粉料
反应腔室，使用了高纯度的石墨保温材料，设计了特殊反应工艺，从而获得了极高纯度碳化硅粉料颗粒，将
粉料中主要电活性杂质浓度控制在0.05ppm以下。此外，经过破碎筛分和自研的清洗工艺后，可以获得不同
粒度的粉料，从而保障了高质量碳化硅晶体的制备。
（4）精准杂质控制技术及电学性能控制技术
半导体电学性能取决于半导体材料中杂质的类型和浓度。为实现半绝缘型碳化硅衬底高阻电学特性，需
要将晶体中的杂质浓度控制在极低的水平；为实现导电型碳化硅衬底低阻电学特性，则需要向晶体中引入高
浓度的氮元素。因此，在生长过程中对进入到晶体中的杂质进行精准控制至关重要。
我们基于自主研制的高真空度单晶生长腔室和高纯度碳化硅粉料，进一步开发了晶体生长过程中的原位
提纯技术和晶体生长界面的C/Si组分控制技术，有效降低了晶体中的杂质浓度并实现了对点缺陷种类和浓度
的控制。此外，我们开发出创新性的电学性能控制技术，实现导电型碳化硅衬底均匀稳定的低阻电学特性，
并将其面内电阻率均匀性控制在2%以内。
（5）碳化硅衬底超精密加工技术
我们的超精密加工技术包括：
(i)高面型质量的碳化硅晶锭多线切片技术。碳化硅晶体的莫氏硬度为9.2，仅次于金刚石，是一种硬脆
材料。我们开发出一种针对大尺寸晶体的分段式多线切片工艺。根据特定晶体类型，我们设计了最优的进刀
曲线，从进刀到出刀阶段优化了晶体面型，从而降低切片的表面损伤。我们亦配制了独特的碳化硅晶体切片
液，显著提升了切割效率。
(ii)高平整度、低粗糙度的全局磨抛技术。由于碳化硅晶体材料的物理性质和化学性质均非常稳定，使
用传统半导体的磨抛方式效率极低，且难以保证表面加工质量。我们通过多年研究，研发了碳化硅磨抛工艺
，最终可以获得光滑且高度平坦的碳化硅抛光表面。
(iii)碳化硅衬底表面清洗技术。化学机械抛光工艺后需要对碳化硅衬底进行最终清洗，去除表面亚微
米级颗粒、沾污、金属离子等。我们自主研制了化学清洗液，开发了多步清洗工艺，有效去除衬底表面的微
小颗粒及金属离子沾污，使客户能够开盒即用。
（6）液相法
有别于传统技术，我们的液相法涉及从熔融硅碳溶液中生长碳化硅晶体。该技术能够更好地控制生长参
数，使晶体内的掺杂剂分布更加均匀，特别适用于高功率高耐压电子产品碳化硅晶体的生长。通过精细管理
熔融物的温度及成分，我们可以生产出缺陷更少、电阻率更低、尺寸更大的碳化硅晶锭。液相法使我们能够
生产无宏观缺陷的8英寸碳化硅衬底。
2、报告期内获得的研发成果
报告期内，新申请发明专利和实用新型专利等64项，其中发明专利49项，实用新型13项。截至报告期末
，公司及下属子公司累计获得发明专利授权203项，实用新型专利授权308项，其中境外发明专利授权14项。
●未来展望:
(一)行业格局和趋势
1、行业由粗放增长进入注重质量及效率时代，行业发展波动中龙头地位愈发凸显。2025年是碳化硅（S
iC）产业发展的分水岭。技术进步进一步有效降低了单位生产成本，驱动行业渗透率增加，出货量持续攀升
；同时市场在剧烈波动中加速出清，行业竞争由规模扩张转向效率与质量的比拼。2025年，具备核心技术与
客户资源优势的龙头厂商份额明显提升，全球格局逐渐呈现出由海外巨头主导转向由中国领先企业突围的方
向发展。
（1）技术驱动成本中枢系统性下移。报告期内，衬底大尺寸化与工艺改良成为行业降本的核心动能。
同时，公司8英寸衬底工艺进一步优化，单位综合成本较6英寸显著降低。2025年，随着天岳先进等龙头企业
良率逐步提升，带动衬底生产成本优化。此外，12英寸（300mm）衬底的研发攻关进一步打开了降本空间，
行业正式进入更高维度的质量+效率竞争阶段。
（2）出货量逆势激增，国产份额提高。尽管行业承压，但碳化硅成本下行刺激出更多的市场应用，新
能源汽车、工业、光储充、智能电网的强劲需求驱动出货量显著增长。以本公司为例，2024年产量已达41.0
2万片，2025年产量达到69.04万片，继续保持增长态势。价减量增的背后，是国产产业链凭借规模效应和良
率突破，正成为全球碳化硅行业的大增长极。
（3）行业加速出清，头部阵营呈现剧烈分化。在长达两年的行业调整期后，行业进入优胜劣汰的深水
区。一方面，由于缺乏成本优势和客户黏性，大量腰部及尾部中小厂商面临严重的产能利用率不足，行业在
波动中逐渐出清。另一方面，全球龙头企业的表现出现分化：部分海外厂商面临巨大的运营挑战，中国等本
土龙头企业通过大尺寸衬底优势、良率工艺改进跃升、下游终端客户大市场的孵化正逐步建立行业新发展秩
序，市场份额稳步提高。根据相关测算，2025年天岳先进全球市占率进一步增长，体现了强大的经营韧性。
（4）行业由粗放扩张转向追求质量与系统化能力。站在2026年初的时间点回望，单纯的产能规模已无
法建立构筑有效的经营能力，行业竞争重心已全面向稳定交付、品质保障、及客户生态圈迁移。头部企业正
在凭借多年积累的大规模、稳定、高质量交付的绩效，与全球头部客户建立更加紧密的合作关系。碳化硅产
业已告别草莽式的粗放增长阶段，正式步入以”先进品质、极致成本、稳定供应”为特征的高质量发展时代
。
2、尺寸升级：6英寸仍为现实主流，8英寸快速起量，12英寸开启下一代赛道
2025-2026年初，衬底尺寸升级依然是行业最重要的结构性趋势之一：6英寸是行业目前最为主流出货品
类，同时8英寸正快速起量，并成为盈利与成本博弈的胜负手，12英寸是下一代技术和话语权的高地。
6英寸方面，由于工艺成熟、良率相对稳定且设备体系完善，6英寸导电型衬底仍是当前出货的主流，在
全球衬底出货中占比超过九成，尤其在国内应用中仍承担着大部分量产需求。但6英寸器件市场已经进入“
红海时代”，竞争最为激烈。
8英寸方面，2025年头部企业转向快速起量阶段，天岳先进在8英寸出货方面断代领先全球市场。8英寸
的经济性逐步被验证，单片芯片产出量约为6英寸的2倍左右，且在晶体生长技术进步和良率提升配合下，单
位综合成本有望进一步下降，并能够与部分硅基产线设备协同使用。下游各器件龙头企业在8英寸上的资本
开支极为积极，已然成为全行业的主战场与卡位点。
12英寸方面，2024-2025年是从实验室阶段迈向工程样片与小批供货的关键窗口期。报告期内，公司已
经完成12英寸导电N型、导电P型及高纯半绝缘型全系列产品技术攻关，并在国际展会上展示样品，部分头部
客户已启动验证或下达订单。8英寸的稳定量产及12英寸的前瞻布局使得公司在下一个时代的竞争中掌握先
机。
与此同时，部分下游国际龙头企业在200mm（8英寸）产线及后续更大尺寸产线上加速投入，12英寸衬底
已明确代表未来成本结构与竞争格局的重要方向。
在这一路径中，中国市场的重要性显著提升。报告期内，中国碳化硅市场占全球份额显著提升，未来有
望成为全球最大单一市场；国内厂商在6英寸替代、8英寸突破和12英寸探索上同步推进，形成了与海外龙头
之间从“追赶”迈向“局部并跑乃至领先”的新格局。
3、需求结构从“新能源单核”走向“新能源+AI多核”，应用场景持续外溢
2025年碳化硅下游需求从新能源汽车这一领域加速迈向更多领域，包括新能源、AI、工业、消费等更多
场景，行业抗周期能力和中长期成长确定性在行业波动年中进一步增强。新能源仍是最大基本盘，并于2025
年尾开始出现加速增长的迹象。电动汽车的碳化硅功率器件正逐步从高价位段向中低价位段延伸，光伏、储
能、充电桩、电网、轨交等领域的渗透率亦随着碳化硅器件单位成本的下降而快速提升。
在AI数据中心方面，弗若斯特沙利文预计2030年全球AI数据中心容量将达299GW，较2023年净增244GW，
2023-2030年复合增速达27.4%，届时数据中心耗电占全球电力消费比重或由1.4%升至10%；800VHVDC架构、S
ST、PSU等环节，碳化硅凭借高效率、高频、高温与高功率密度优势，被视为降低能耗、提升机柜功率密度
和优化散热设计的关键材料。
在AI终端与光学领域，碳化硅材料凭借高折射率及优异光学性能，在AI眼镜/AR眼镜光波导中的应用逐
步从概念验证走向生态共建。多方预计2030年全球AI/AR眼镜出货量将超过6000万副，以碳化硅为基底的光
波导片可带来更大视场角、更简化的全彩显示结构并降低重量和成本，公司已与全球光学领域应用龙头建立
联合开发关系，推动这一新兴场景的产业化落地。
此外，在先进封装、高端散热、滤波器、智能电网、家电与工控等方向，碳化硅的高热导、高频、耐高
压与耐高温等多重特性不断被挖掘，例如用于AI芯片封装的散热中介层、TF-SAW滤波器基底、特高压电网P
型衬底等，需求端的多元化趋势日益显著。
4、国产化与全球化并行
碳化硅衬底的长验证周期和高切换成本决定了客户资源即是壁垒。具备全球Tier1客户认证、签订长期
供货协议（LTA）、并在EV、AI数据中心、工业、光学先进封装等多场景深度协同的企业，将在价格战与景
气波动中展现出更强韧性。公司通过“A+H”双融资平台进一步增强海外品牌认知与资本实力，配合在东南
亚等地布局海外产能，应对地缘政治与贸易壁垒的能力更加扎实，逐步建立起更加稳定的“Chinaforglobal
”和“ChinaforChina”双循环的供应体系。
同时，国内碳化硅产业链在衬底、外延、器件与装备等环节加速突破，2025年国产碳化硅产品加速发展
，国内下游企业竞争力边际加强，国产厂商成为碳化硅行业愈来愈重要的玩家；同时，海外IDM与国内厂商
之间的合作亦在深化。2025年，公司与诸多国内下游客户亦建立起更加深厚的合作绑定关系，为下一步发展
做好了充分准备。
2025-2026年是碳化硅行业发展的关键阶段：低端、无差异化能力的产能以及缺乏自研能力、无头部客
户绑定的厂商将加速出清或边缘化；具备技术领先、成本优势、多场景应用理解和系统解决方案能力的企业
，将在AI与新能源双轮驱动下获得更大的成长空间和行业话语权。
(二)公司发展战略
1、保持创新领先性，引领碳化硅材料的渗透应用
作为全球碳化硅行业的领导者和创新者，我们计划通过我们在全球半导体市场深耕多年所形成的技术优
势，引领碳化硅材料在下游应用市场的普及，建立稳定的碳化硅生态系统。凭借我们领先的技术、产能及高
效的生产优势，我们将继续努力降低碳化硅衬底的整体成本，推动高性能碳化硅衬底在更多应用领域的商业
化，提高其在功率半导体市场的渗透率。
我们致力于推动碳化硅材料在可再生能源及AI领域的整合应用，并认识到其于引领未来技术进步中的关
键作用。我们持续推进碳化硅材料在新能源汽车、电网、轨道交通及家电等现有应用领域的持续渗透，同时
，我们也致力于实现碳化硅材料在AI数据中心、AI眼镜及先进散热部件等新应用场景的技术突破。
2、加强研发能力，完善前沿技术布局，丰富产品组合
我们将持续加强研发能力，丰富专利组合，以巩固我们在碳化硅行业的技术领先地位。具体而言，我们
计划(i)聚焦材料性能、晶体生长热动力学、晶体生长方法、晶体缺陷生成及演化机理的研究；（ii）在材
料性能、晶体生长和缺陷控制等核心技术领域开展密集试验，不断突破技术瓶颈，持续优化碳化硅材料的制
备工艺；(iii)加强我们对不同类型，以及不同尺寸的碳化硅衬底的研发能力，强化在大尺寸化生产技术、
零缺陷技术、P型衬底技术、液相技术等领域的技术领先优势，带动材料性能提升和产品更新换代；(iv)研
发下一代变革性技术，推动碳化硅衬底在多种新兴领域的应用。
我们将坚持自主研发，持续招募顶尖人才，给予研发人员充足的资源支持，并通过我们强大的技术平台
及不断积累的专业知识，确保研发人员始终关注最先进技术，从而巩固我们的行业领先地位。我们将不断完
善研发激励机制和研发管理体系，激发研发人员的创新活力。我们将加强高校合作，为技术突破和产品创新
提供坚实基础。
3、保持并持续提升产能，提高生产效率和交付质量
为有效满足下游客户不断变化的需求，我们将持续强化有效产能，特别聚焦于大尺寸碳化硅衬底，从而
巩固我们的行业领先地位。
我们将持续投资于现有生产基地并进行技术升级，从而优化我们的整体产能及效率。我们致力于(i)提
升供应链的稳定性；(ii)开发具备技术领先性的设备；(iii)改进生产流程，提高设备利用率，提升物料使
用效率，降低生产环节浪费；(iv)加强数字化运营系统，提高我们智慧工厂的自动化水平；(v)持续优化工
程参数，应用晶体快速生长和厚度提升等核心技术，提升生产效率、降低生产成本，实现规模化精益生产。
同时，我们将继续落实Z计划，提升产品交付质量和交付效率。一方面，我们将通过专注且广泛的沟通
，全力提供满足客户不断变化需求的碳化硅衬底。另一方面，我们将在制造过程的各个阶段制定严格的质量
把控标准，以确保碳化硅衬底的高质量和高一致性，并保持我们及时高效交付的优势。
4、加强全球合作生态系统建设，扩大客户群并深化客户关系
通过与业内上游供应商及下游客户的合作，我们致力于建立共赢的碳化硅生态系统。我们旨在在技术及
应用层面扩大碳化硅材料市场规模和渗透率，引领碳化硅行业的发展。
我们致力于加强与上游供应商及下游客户的长期战略合作关系。同时，我们将扩大国内外市场的客户群
，进一步扩大我们的业务规模，提升全球市场占有率。通过深化与全球领先公司的合作，我们持续引领行业
趋势，巩固我们的市场地位。与全球tier1客户的广泛合作将使我们能够共同定义产品工艺和供应链标准，
加速新技术的商业化，并提高现有产品的性能和促进成本优化，最终提升我们的市场渗透率。同时，不断拓
展新客户，拓宽新应用领域的客户覆盖广度，对我们的可持续发展及市场扩张极为重要。此外，我们将持续
完善全球化销售及服务系统，进一步深挖海内外客户需求、提升客户响应速度及满意度、优化交付成本。秉
持合作共赢理念，我们将在深化产业链战略协作的同时，持续强化客户导向型服务体系和全球技术领先优势
，巩固作为技术领先的全球碳化硅衬底公司地位。
我们将继续加强与全球领先的原材料及设备供应商的合作，保证我们的稳定供应及成本优势，并积极通
过合作共创不断提升材料及设备性能、优化生产成本。此外，我们将通过多渠道、多层次的供应商资源池，
进一步深化我们的多元化的全球原材料采购网络，提高供应链的弹性及灵活性。
5、持续吸引顶尖人才，提升管理能力
我们高度重视人才队伍的培养，计划打造一支具备创新能力、强大团队合作精神并能灵活应对市场变动
的专业团队，以提升技术创新能力、增强整体竞争力，并支持我们的长期持续发展。我们将持续加大人才战
略的投入。一方面，根据研发、生产、销售和管理等战略重点，我们将实施全面的人才引进、培养及发展计
划，强化人才梯队建设。另一方面，我们将积极拓宽人才引进渠道，与知名高校建立合作。我们将强化战略
人才发展机制，建立与角色需求相适应的差异化培训体系，为跨领域关键人员培养赋能。我们也将维持积极
的工作环境，实施全面的绩效评估，并提供具竞争力的激励措施，以鼓励持续的价值创造并促进业务创新，
从而进一步提升我们的技术实力及创新活力。
我们将不断完善和优化组织管理体系，建设适应公司发展战略、匹配快速发展的业务规模的组织，提升
服务全球客户所需的管理能力，为科学高效的运营管理提供有力保障。我们将持续提升在采购管理、库存管
理、销售管理、数字化运营方面的运营效率。
6、寻求战略投资、合作或收购
为增强技术能力、拓展业务布局，未来我们计划对与我们形成互补或协同效应的半导体行业的技术、团
队、资产或公司进行战略性投资、合作或收购。通过战略性投资、合作或收购，我们计划完善我们的技术组
合、提高生产工艺、提升产品品质、拓展销售网络，并扩大我们的可触达市场，从而驱动我们的未来增长。
(三)经营计划
2026年天岳先进将继续以“成为国际著名的半导体材料公司”为战略目标，立足新能源和AI引领未来科
技革命的契机，始终秉持“先进品质持续”的经营理念，引领行业和技术发展，以高品质产品为客户创造更
大的价值。
2026年，公司将继续围绕以下重点工作，推动天岳先进高质量发展，提升公司长期投资价值。
1、坚持主业聚焦，稳步提升大尺寸产能与有效利用率
公司将继续以碳化硅衬底主业为核心，围绕济南与上海临港两大基地，系统梳理并优化现有6/8英寸产
线的产能结构与排产节奏，并审慎推进资本开支，稳步提升有效产能利用率与交付能力，并通过工艺优化、
瓶颈环节扩能与智能排产等方式，提升整体产出效率，保障客户供货稳定性。
2、深化8英寸主流化应用，前瞻推进12英寸全系列产业化
公司将继续以“8英寸绝对领先、全球头部客户首选供应商、大尺寸高质量衬底量产标杆”作为年度经
营重点。在8英寸方面，公司计划在2026年继续推进8英寸产品占比：一方面通过进一步提升8英寸良率和稳
定性，巩固其在公司收入中的主力地位，另一方面加快更多车规级及工业客户的量产导入节奏。在12英寸方
面，将围绕已完成的导电N型、P型及高纯半绝缘型全系列产品技术攻关，重点推进与头部客户的合作，为即
将到来的具备规模化交付条件时的快速产业化奠定基础。
3、构筑基于高品质和高质量服务的品牌力，维护行业健康利润率
2026年，公司计划以高品质产品和高质量服务为基底构筑品牌力，构筑以技术和服务质量为锚的盈利修
复路径，维护行业健康利润率。公司将坚持价值定价，综合产品尺寸、质量、服务内容与长期战略保供能力
，与客户建立以性能与可靠性为基础的长期合作关系，杜绝内卷式的价格博弈，重视客户满意度、良率与交
付时效，并通过工艺进步和精益制造确保降本增效工作的顺利展开，并以内生性盈利支撑持续研发和智能工
厂迭代投入，有力提升经营质量。
4、围绕“AI+新能源”双轮驱动，系统优化产品与市场结构
公司将围绕“新能源+AI”双主线下优化资源配置。一方面，继续深耕新能源汽车、光伏储能、电网及
工业等传统高景气赛道，保障车规级6/8英寸导电型衬底稳定供货，支撑下游xEV领域碳化硅渗透率快速提升
。另一方面，重点面向AI数据中心电源、先进封装散热与AI/AR眼镜光波导片等新应用领域，完善导电性衬
底、光学级衬底及先进封装材料等产品线布局，强化与电力电子、AI智算、光学头部客户的联合开发，提升
非车载业务在收入中的占比，以多场景、高门槛应用提升整体毛利和品牌高度，提升盈利弹性。
5、强化降本增效与精益制造，夯实成本优势
在行业竞争走向新阶段的背景下，公司计划进一步加强成本与效率管理。2026年，公司将继续围绕长晶
质量提升、低缺陷生产、智能排产等环节深挖潜力，有效降低单位成本；同时，依托AI+智能制造管理体系
，对长晶、切片、磨抛、清洗全流程进行更细颗粒度的监控和参数优化，减少人力成本、提高良率与一致性
；此外，公司将在采购端推进多元化供应体系，平滑原材料价格波动。经营层面将围绕单位成本、单位能耗
、单位人效等核心指标设定阶段性目标，以在竞争中保持合理毛利。
6、巩固并拓展全球头部客户生态，提升“A+H”平台下的国际化运营能力
公司将继续绑定关键客户，服务多元终端赛道。一方面，稳固与全球头部功率半导体龙头厂商的长期合
作，通过满足其连续迭代的产品规格要求，确保在其全球供应链中的核心地位；另一方面，加快与AI数据中
心、电网、微纳光学、先进封装等领域头部客户的联合开发与产业化推进节奏，推动更多新应用项目进入批
量出货阶段。依托2025年H股上市形成的“A+H”双融资与双品牌平台，公司将同步完善境外销售和技术支持
网络，提升跨区域交付、结算与合规能力，为后续海外产能布局和更大规模出海打好基础。
7、持续加大研发投入与人才建设，强化“技术+知识产权”双重护城河
在2025年研发费用已达1.66亿元、同比增长16.91%的基础上，公司计划继续保持研发投入强度，将资金
重点用于12英寸、液相法P型衬底、面向电力电子领域新应用方向的各类导电性衬底、光学衬底、先进封装
散热材料与射频等新材料方向。同时，继续推进在研项目落地，提升从基础研究，到产品开发、工程化试验
，再到规模量产的转化效率。人才方面，公司将通过激励措施、科研平台与国际合作吸引和稳定高层次人才
，为公司在未来行业技术拐点与应用切换中保持长期竞争力提供保障。
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用前请自行予以核实，如有错漏请以中国证监会指定上市公司信息披露媒体为准，本公司
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