经营分析☆ ◇688261 东微半导 更新日期：2025-01-15◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.前5名客户营业收入表】【4.前5名供应商采购表】
【5.经营情况评述】
【1.主营业务】
高性能功率器件研发与销售。
【2.主营构成分析】
截止日期:2024-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
功率半导体产品(产品) 3.90亿 93.05 5413.93万 93.11 13.87
晶圆(产品) 2916.33万 6.95 400.36万 6.89 13.73
─────────────────────────────────────────────────
境内(地区) 4.12亿 98.13 5653.47万 97.23 13.73
境外(地区) 786.07万 1.87 160.82万 2.77 20.46
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2023-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
集成电路(行业) 9.73亿 100.00 2.21亿 100.00 22.73
─────────────────────────────────────────────────
功率半导体产品(产品) 9.00亿 92.53 2.11亿 95.34 23.42
晶圆(产品) 7271.67万 7.47 1029.50万 4.66 14.16
─────────────────────────────────────────────────
境内(地区) 9.60亿 98.68 2.17亿 98.22 22.63
境外(地区) 1282.49万 1.32 392.58万 1.78 30.61
─────────────────────────────────────────────────
经销模式(销售模式) 6.87亿 70.63 1.37亿 61.87 19.91
直销模式(销售模式) 2.86亿 29.37 8432.58万 38.13 29.52
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2023-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
功率半导体产品(产品) 4.93亿 92.42 --- --- ---
晶圆(产品) 4040.40万 7.58 --- --- ---
─────────────────────────────────────────────────
境内(地区) 5.26亿 98.69 --- --- ---
境外(地区) 700.14万 1.31 --- --- ---
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2022-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
集成电路(行业) 11.16亿 100.00 3.79亿 100.00 33.96
─────────────────────────────────────────────────
功率半导体产品(产品) 10.47亿 93.79 3.65亿 96.35 34.88
晶圆(产品) 6931.80万 6.21 1382.34万 3.65 19.94
─────────────────────────────────────────────────
境内(地区) 10.94亿 98.01 3.74亿 98.63 34.17
境外(地区) 2225.77万 1.99 519.44万 1.37 23.34
─────────────────────────────────────────────────
经销模式(销售模式) 7.79亿 69.81 2.69亿 71.00 34.53
直销模式(销售模式) 3.37亿 30.19 1.10亿 29.00 32.62
─────────────────────────────────────────────────
【3.前5名客户营业收入表】
截止日期:2023-12-31
前5大客户共销售5.49亿元，占营业收入的56.44%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│客户名称 │ 营收额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│客户一 │ 16552.16│ 17.01│
│客户二 │ 13730.06│ 14.11│
│客户三 │ 12158.27│ 12.50│
│客户四 │ 8634.86│ 8.88│
│客户五 │ 3831.19│ 3.94│
│合计 │ 54906.54│ 56.44│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【4.前5名供应商采购表】
截止日期:2023-12-31
前5大供应商共采购8.92亿元，占总采购额的96.49%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│供应商名称 │ 采购额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│供应商一 │ 74054.64│ 80.11│
│供应商二 │ 5210.89│ 5.64│
│供应商三 │ 4363.59│ 4.72│
│供应商四 │ 2812.92│ 3.04│
│供应商五 │ 2750.73│ 2.98│
│合计 │ 89192.77│ 96.49│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【5.经营情况评述】
截止日期:2024-06-30
●发展回顾:
一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
（一）所处行业情况
1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
（1）所处行业
公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，根据中华人民共和国国家统计
局发布的《国民经济行业分类（GB/T4754-2017）》，公司所处行业为“计算机、通信和其他电子设备制造
业”（C39），属于半导体行业中的功率半导体分立器件细分领域。
（2）行业发展阶段
①全球功率半导体市场分析
在功率半导体发展过程中，20世纪50年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20
世纪60至70年代，晶闸管等半导体功率器件快速发展。20世纪70年代末，平面型功率MOSFET发展起来。20世
纪80年代后期，沟槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，半导体功率器件正式进入电子应用时代。20世纪90年代
，超级结MOSFET逐步出现，打破了传统硅基产品的性能限制以满足大功率和高频化的应用需求。进入21世纪
，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料逐渐崭露头角，它们具有高耐压、高温工作
、低损耗等显著优点。功率半导体发展过程的每个阶段都标志着电力电子技术的重大进步，使得电能的利用
更加高效、灵活和可靠，而且功率半导体已广泛应用于电力、交通、通信、工业自动化、新能源等多个领域
，因此，功率半导体技术的发展水平直接关系到一个国家能源利用效率和高端装备制造能力。对国内市场而
言，功率二极管、功率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而功率MOSFET特别是超级结MO
SFET、IGBT等高端分立器件产品由于其技术及工艺的复杂度，还较大程度上依赖进口，未来进口替代空间巨
大。根据Omida、国信证券研究所数据及预测，全球功率半导体市场规模预计将由2022年的481亿美元增长至
2023年的503亿美元，到2027年市场规模将达到596亿美元。应用场景上看，根据WSTS预测，中金公司研究部
数据，到2027年分立器件的细分市场规模为402亿美元，其中，WSTS预计集成电路市场有望在2024和2025年
看到较强劲的复苏，同比增速分别为+20.8%/+13.7%；光学器件、传感器、分立器件的复苏则比前次预期更
慢，2024年营收或同比下滑，但有望在2025-2027年看到持续的温和增长。
②中国市场分析
目前国内功率半导体产业链正在日趋完善，技术也正在取得突破。同时，中国也是全球最大的功率半导
体消费国。根据Omdia数据及预测，中国功率半导体市场规模，预计在2024年将达到206亿美元，占全球市场
规模约为38%。
（3）行业的主要特点
①功率半导体器件专注于技术和工艺改进以及新材料迭代
功率半导体器件属于特色工艺产品，不同于集成电路产品依赖尺寸，在制程方面不追求极致的线宽，不
遵守摩尔定律。功率半导体器件的性能演进呈现平缓的趋势，目前制程基本稳定在90nm-0.35μm之间。功率
器件发展的关键点主要包括技术创新、制造工艺升级、封装技术及基础材料的迭代。
②IDM与Fabless模式并存，技术迭代与产能供给同步发展
目前，半导体企业采用的经营模式可以分为IDM模式和Fabless模式。IDM模式为垂直整合元件制造模式
，系早期半导体企业广泛采用的模式，采用该模式的企业可以独立完成芯片设计、晶圆制造、封装和测试等
各垂直的生产环节。Fabless模式指无晶圆厂模式，采用该模式的企业专注于芯片的研发设计与销售，将晶
圆制造、封装、测试等生产环节外包给第三方晶圆制造和封装测试企业完成。IDM模式具有技术的内部整合
优势，有利于积累工艺经验，形成核心竞争力。随着芯片终端产品和应用的日益繁杂，芯片设计难度快速提
升，研发所需的资源和成本持续增加，促使全球半导体产业分工细化，Fabless模式已成为芯片设计企业的
主流经营模式之一。另外由于半导体行业的周期性，IDM公司极容易受制于原有固定产能，陷入被动局面。
因此，行业整体呈现IDM模式与Fabless模式共存的局面，同时也是功率半导体企业商业模式未来的发展方向
，既能随市场波动及时扩大或减少产能，也可以就近满足区域性市场需求。
③多细分场景需求日益多元，依赖特色工艺平台的定制化能力
“平台化多样性”是特色工艺企业构筑竞争壁垒、打造竞争优势的核心武器，工艺平台越强大的企业，
其在技术经验、服务能力和特殊化开发能力方面越具有深厚的优势。功率半导体行业细分需求多样化，功率
半导体企业从主营产品系列具体到料号、规格、电压、电流、面积、导通电阻、封装、技术特点及应用领域
，可交叉组合形成数千种产品型号。功率半导体产品由于根据客户定制要求所产生的细分需求多样化，因而
企业想要在行业内获得足够的市场竞争力，对于特色化工艺平台的定制化能力要求极高。
（4）主要技术门槛
功率半导体器件的研发、设计需要企业研发团队综合掌握器件结构、晶圆制造工艺、封装测试等多领域
的技术。在功率半导体器件中，超级结MOSFET、高性能IGBT、高性能SGTMOSFET、SiCMOSFET及GaNHEMT的技
术门槛较高。上述这些功率器件中，器件的性能一方面可以通过改进核心器件结构的设计来提升，另一方面
可以通过改进制造工艺或材料来达到目的。作为Fabless设计企业，研发设计人员一方面需持续跟踪掌握国
际先进技术理论、先进工艺方法，另一方面还需不断提出创新的器件结构来实现性能上的大幅提升。
功率器件不仅要保持在不同电流、电压、频率等应用环境下稳定工作，还需保持在开关损耗、导通损耗
、抗冲击能力、耐压、效率等性能上进行平衡，这些性能均需经过大量的仿真设计和流片验证。此外，下游
客户不仅对功率半导体的性能和成本提出了差异化的要求，还对产品在各种应用环境下的耐久可靠性提出较
高的要求，因此研发设计人员还需掌握不同应用的电路拓扑及可靠性改进方法。因此，企业研发及工程团队
需要拥有丰富的技术工艺经验、持续技术创新能力、芯片产业化等能力，才能持续保持市场竞争优势地位。
新进入者若缺乏上述的条件，则难以实现持续的业务增长和保持技术上的领先。
2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
基于多年的技术优势积累、产业链深度结合能力以及优秀的客户创新服务能力，公司已成为国内领先的
高性能功率半导体厂商之一。
（1）产品品类及技术方面
在超级结MOSFET领域，公司在高压超级结技术领域积累了包括优化电荷平衡技术、优化栅极设计及缓变
电容核心原胞结构等行业领先的专利技术，产品的关键技术指标达到了与国际领先厂商可比的水平。
在中低压屏蔽栅MOSFET领域，公司亦积累了包括优化电荷平衡、自对准加工等核心技术，产品的关键技
术指标达到了国内领先水平。
在IGBT领域，公司的TGBT产品是基于新型的TridentGateBipolarTransistor(简称TrigateIGBT)器件结
构的重大原始创新，基于此基础器件专利，具备了赶超目前国际最为先进的第七代IGBT芯片的技术实力。
在SiC领域，公司的SiC二极管、SiCMOSFET均已经实现量产。第一代、第二代605V及1200VSiCMOSFET已
通过可靠性测试，逐步推向市场。公司发明的Si2CMOSFET产品克服了传统SiCMOSFET成本高、Vth飘移、抗电
流浪涌能力弱的缺点，实现了高栅氧可靠性，同时还实现了接近SiCMOSFET的优秀的反向恢复能力，已经在
市场批量出货，取代了一部分SiCMOSFET的应用。
（2）产品结构方面
公司的功率器件产品包含了具有高技术含量的高压超级结MOSFET产品、极具竞争力的中低压屏蔽栅MOSF
ET、独创结构且产品的关键技术指标达到了与国际领先厂商可比水平的TGBT产品、性能处于国内领先水平的
SiCMOSFET产品已经实现量产、公司基于自主知识产权的Si2CMOSFET产品在2024年持续出货。由于中高端功
率器件产品应用广泛且国外厂商仍占据了较大的市场份额，公司在此领域内拥有广阔的进口替代空间及发展
空间。
（3）产品应用领域方面
公司产品在汽车、工业、消费等应用领域均衡发展，报告期内车规级、工业级领域营业收入占比逾76%
。应用领域包括光伏逆变及储能、新能源汽车车载充电机、新能源汽车直流充电桩、5G基站电源及通信电源
、数据中心和算力服务器电源以及工业照明电源等。由于车规级、工业级应用对功率半导体产品的性能和可
靠性要求普遍高于消费级应用，其产品平均单价也较消费级应用的产品平均单价更高。同时，为公司的长远
发展和占领更大的市场，公司对产品价格也进行了适当的调整。
3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
（1）新技术的发展情况及未来发展趋势
1）工艺进步、器件结构改进加速产品迭代
采用新型器件结构的高性能MOSFET功率器件可以实现更好的性能，从而导致采用传统技术的功率器件的
市场空间被升级替代。造成该等趋势的主要原因是高性能功率器件的生产工艺不断进行技术演进，当采用新
技术的高性能MOSFET功率器件生产工艺演进到成熟稳定的阶段时，就会对现有的功率MOSFET进行替代。同时
，随着各个应用领域对性能和效率的要求不断提升，也需要采用更高性能的功率器件以实现产品升级。因此
，高性能MOSFET功率器件会不断扩大其应用范围，实现市场的普及。具体而言，沟槽MOSFET将替代部分平面
MOSFET；屏蔽栅MOSFET将进一步替代沟槽MOSFET；超级结MOSFET将在高压领域替代更多传统的VDMOS。
2）第三代半导体材料功率器件的替代趋势
第三代半导体材料主要为碳化硅和氮化镓，具有禁带宽度大、电子迁移率高、热导率高的特点，在高温
、高压、高功率和高频的领域有机会取代部分硅材料。首先，由于新能源汽车、光伏逆变及储能、5G等新技
术的应用及需求迅速增加，第三代半导体的产业化变得更加迫切。得益于SiCMOSFET在高温下更好的表现，S
iCMOSFET在汽车电控中将逐步对硅基IGBT模块进行替代。
3）功率器件集成化趋势
除了功率器件在结构及工艺方面的优化外，终端领域的高功率密度需求也带动了功率器件的模块化和集
成化。在中大功率应用场景中，客户更倾向于使用大功率模块。由于大功率模块需要多元件电气互联，同时
要考虑高温失效和散热问题，其封装工艺和结构更复杂；在小功率应用场景中，功率器件被封装到嵌入式封
装模块中来提高集成度从而减小整体方案的体积。目前，工业领域、新能源汽车仍是功率模块的主要应用领
域。而芯片技术的提升可有效提高模块的集成度和综合性能，降低成本，是模块技术提升的重要因素。
（2）新产业、新业态、新模式的发展情况及未来发展趋势
随着应用领域的扩展，新能源汽车、直流充电桩、工业及通信电源、光伏逆变及储能等市场对于高性能
功率器件的需求将不断增加，以及对节能减排和能源效率提升的持续追求，在技术进步和市场需求的双重推
动下，功率半导体行业不断涌现新的产品和解决方案，以满足不同应用场景的需求。
1）新能源汽车
①新能源汽车市场规模
中国汽车工业协会（以下简称“中汽协”）的统计数据显示，2024年上半年，我国汽车产销分别完成13
89.1万辆和1404.7万辆，同比分别增长4.9%和6.1%。其中，新能源汽车产销分别完成492.9万辆和494.4万辆
，同比分别增长30.1%和32%，市场占有率达到35.2%。另外，根据中汽协统计的数据，截至2024年6月底，国
产新能源汽车累计产销已超过3000万辆。
②车规级功率半导体
新能源汽车持续提升充电功率、缩短充电时间，电压平台从400V提升到800V、1000V甚至更高的水平，
高电压成为了新能源汽车行业的发展趋势。为实现能量转换及传输，新能源汽车中新增了电机控制系统、DC
/DC模块、高压辅助驱动、车载充电系统OBC、电源管理IC等部件，其中的功率半导体含量大大增加。从半导
体种类上看，汽车半导体可大致分为功率半导体（IGBT和MOSFET等）、MCU、传感器及其他等元器件。随着
汽车智能化发展，ADAS、安全、信息娱乐等功能需要MOSFET作为电能转换基础器件支撑数字、模拟等芯片完
成功能实现。根据国信证券研究院数据：受益于汽车智能化，2020-2026年MOSFET非动力应用市场将从8.3增
至11.1亿美元，其中ADAS在安全管理、域控制系统、泊车系统智能化升级的拉动下将从0.3增加至0.9亿美元
；受益于汽车电动化，包含轻混动的非燃油车动力总成市场将从1.5增至6亿美元。
在器件层面，高效的IGBT、SiC或GaN器件，通过先进封装技术改善散热条件、降低寄生参数以提高功率
模块可靠性，最终实现在高压、高温、高速的工况下的能量转换效率。在系统层面，随着动力域将机械、电
能转换及热管理等耦合部件进行融合，通过智能化可将参数优化程度提升，利用大数据可对动力系统的子系
统进行远程标定和模拟测试以达到更高的电力转换效率。在整车层面，可通过数字化将电机驱动、热管理、
转向和制动等部件联接，实现能效互补。
2）充电桩
中国电动汽车充电基础设施促进联盟（EVCIPA）发布数据显示，2024年上半年，充电基础设施增量为16
4.7万台，新能源汽车国内销量494.4万辆，充电基础设施与新能源汽车继续快速增长。截至2024年6月底，
全国充电基础设施累计数量为1024.3万台，同比增加54.0%，充换电基础设施建设快速推进。充电设施与新
能源汽车的增长比例保持在1:3，表明充电基础设施的建设基本能够适应新能源汽车市场的快速发展。
在公共直流充电桩所需的工作功率和电流要求下，其采用的功率器件以高压MOSFET为主。超级结MOSFET
因其更低的导通损耗和开关损耗、高可靠性、高功率密度成为主流的充电桩功率器件应用产品，具体应用于
充电桩的功率因数校正（PowerFactorCorrection，“PFC”）、直流-直流变换器以及辅助电源模块等，超
级结MOSFET将充分受益于充电桩的快速建设。
此外，液冷成为解决大功率散热的有效途径，或将成为技术突破主线。相较于传统的风冷充电桩，液冷
充电桩的区别主要在于使用了液冷充电模块，并且配备了液冷枪线。液冷充电枪散热性能更好，充电效率更
高，且更轻、更方便；而液冷模块相较于传统的风冷模块散热效果更好、更可靠、防护高、安全性高、噪音
低、有更低的全生命周期成本，高压快充趋势下未来液冷充电枪及液冷模块的生产及全液冷充电站的建设或
迎来高增，从而带动模块用功率器件高压超级结MOSFET、IGBT以及SiCMOSFET的快速增长。
3）人工智能及数据中心建设
随着人工智能、数据挖掘等新技术发展，海量数据产生及对其计算和处理成为数据中心发展关键。随着
云计算的不断发展，全球范围内云数据中心、超级数据中心的建设速度亦不断加快。根据IDC预测，2023年
全球AI服务器市场规模为211亿美元，预计2025年达317.9亿美元，2023-2025年CAGR为22.7%。中国AI服务器
市场规模将从2021年的53.9亿美元增长到2025年的103.4亿美元，2021-2025年CAGR达17.7%。
数据中心服务器对电源效率的要求更加严苛，因而采用了较多创新的电路拓扑，比如，图腾柱PFC电路
。一部分传统的高压Si基功率器件技术因为反向恢复速度较慢而逐渐被SiC或者GaN器件所取代，而采用公司
发明的Si2CMOSFET技术的新型功率器件可以实现SiCMOSFET的反向恢复速度及高电路效率，在价格与性能之
间找到了更好的平衡点。随着人工智能的发展和数据中心建设如火如荼的展开，公司发明的一系列SiCMOSFE
T器件、Si2CMOSFET器件及超低电阻超级结器件、SGTMOSFET将可以在此类市场中实现销售额的增长。
4）5G基站
根据工业和信息化部发布的2024年上半年通信业经济运行情况数据显示：截止2024年6月30日，我国5G
基站总数达391.7万个，比上年末净增54万个，占移动基站总数的33%。5G建设将从四个方面拉动功率半导体
需求，包括：1）5G基站功率更高、建设更为密集，带来更大的电源供应需求；2）射频端功率半导体用量提
升；3）雾计算为功率半导体带来增量市场；以及4）云计算拉动计算用功率半导体用量。
综上所述，5G通信基站建设将带来巨大的功率半导体需求，主要驱动力来自于基站密集度和功率要求、
MassiveMIMO射频天线、雾运算和云计算的需求提升。
5）光伏逆变及储能
根据国家能源局发布的2024年上半年光伏发电建设情况：2024年上半年，光伏新增装机102.48GW。其中
，集中式光伏新增装机49.6GW；工商业新增装机37.03GW；户用光伏新增装机15.85GW。截至2024年6月底，
光伏累计并网容量712.93GW，其中集中式光伏电站403.42GW；分布式光伏电站309.51GW，包含131.84GW户用
光伏。
光伏系统电压提升是降低平准化度电成本（LCOE）的重要途径，高电压系统线损更低、系统效率更高，
光伏系统电压从600V提升到1000V、1500V高压系统成为大型光伏项目的发展趋势。光伏、储能行业高电压需
要，带动上游高压功率器件占比持续提升。根据Yole数据：高压功率器件的市场占有率将持续提升，600V功
率器件市占率从2021年的46%提升到2027年的49%，1200V功率器件市占率从2021年的11%提升到2027年的20%
，1700V功率器件市占率从2021年的2%提升到2027年的3%。
2021年，国家发展改革委、国家能源局联合印发的《关于加快推动新型储能发展的指导意见》提出，到
2025年，实现新型储能装机规模达到3000万千瓦以上的目标。根据MordorIntelligence数据：2024年储能市
场规模预计为511.0亿美元，预计到2029年将达到997.2亿美元，在预测期内（2024-2029年）复合年增长率
为14.31%。
（二）主要业务、主要产品或服务情况
1、主要业务
公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，产品专注于工业及汽车相关等
中大功率应用领域。公司凭借优秀的半导体器件与工艺创新能力，集中优势资源聚焦新型功率器件的开发，
是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一，并在应用于工业级及汽车级领域的
高压超级结MOSFET、中低压功率器件等产品领域实现了国产化替代。公司基于自主专利技术开发出的650V、
1200V及1350V等电压平台的多种TGBT器件，已批量进入光伏逆变、储能、直流充电桩、电机驱动等应用领域
的多个头部客户。公司第一代及第二代1200VSiCMOSFET产品具有低导通电阻、车规级高可靠性等特点，已通
过可靠性测试工作并开始获得客户订单。650V/750V/1200V的第三代、第四代SiCMOSFET研发工作进展顺利，
其中第二代SiCMOSFET产品已在2024年推出多个产品，性能处于国内领先水平。此外，公司基于自主专利技
术开发出的Si2CMOSFET器件拥有极好的栅氧可靠性，同时具有优秀的反向恢复时间和反向恢复电荷，可以用
于新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、高效率通信电源、高效率服务器电源等领域。
2、主要产品
公司的主要产品包括GreenMOS系列高压超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低压屏蔽栅MOSFET、T
GBT系列IGBT产品以及SiC器件（含Si2CMOSFET）。公司的产品广泛应用于以新能源汽车直流充电桩、车载充
电机、5G基站电源及通信电源、数据中心和算力服务器电源、储能和光伏逆变器、UPS电源和工业照明电源
为代表的工业级应用领域，以及以PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器为代表的消费电子应用领域
。
公司上述产品的具体介绍如下：
（1）高压超级结MOSFET
公司的高压超级结MOSFET产品主要为GreenMOS产品系列，全部采用超级结的技术原理，具有开关速度快
、动态损耗低、可靠性高的特点及优势。
（2）中低压屏蔽栅MOSFET
公司的中低压MOSFET产品均采用屏蔽栅结构，主要包括SFGMOS产品系列以及FSMOS产品系列。其中，公
司的SFGMOS产品系列采用自对准屏蔽栅结构，兼备了传统平面结构和屏蔽栅结构的优点，并具有更高的工艺
稳定性、可靠性及更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效率等优点。公司SFGMOS系列中低压功率器
件产品涵盖25V-250V工作电压，可广泛应用于电机驱动、同步整流等领域。
公司的FSMOS产品系列采用基于硅基工艺与电荷平衡原理的新型屏蔽栅结构，兼备普通VDMOS与分裂栅器
件的优点，具有更高的工艺稳定性、可靠性、较低的导通电阻与器件的优值以及更高的应用效率与系统兼容
性。
（3）超级硅MOSFET
公司的超级硅MOSFET产品是公司自主研发、性能对标氮化镓功率器件产品的高性能硅基MOSFET产品。公
司的超级硅MOSFET产品通过调整器件结构、优化制造工艺，突破了传统硅基功率器件的速度瓶颈，在电源应
用中达到了接近氮化镓功率器件开关速度的水平。特别适用于各种高密度高效率电源，包括光伏逆变及储能
、直流充电桩、通信电源、工业照明电源、快速充电器、模块转换器、快充超薄类PC适配器、TV电源板等。
（4）TGBT
公司的IGBT产品采用具有独立知识产权的TGBT器件结构，区别于国际主流IGBT技术的创新型器件技术，
通过对器件结构的创新实现了关键技术参数的大幅优化，公司已有产品的工作电压范围覆盖600V-1350V，工
作电流覆盖15A-200A。公司的TGBT系列IGBT功率器件已逐渐发展出低导通压降、电机驱动、软恢复二极管、
逆导、高速和超高速等系列。其中，高速系列的开关频率可达100kHz；低导通压降系列的导通压降可降低至
1.5V及以下；超低导通压降系列的导通压降可达1.2V以下；软恢复二极管系列则适用于变频电路及逆变电路
；650V及1350V的逆导系列在芯片内部集成了续流二极管，同时实现了低导通压降与快速开关的特点，适合
在高压谐振电路中使用。
公司TGBT产品在不提高制造难度的前提下提升了功率密度，优化了内部载流子分布，调整了电场与电荷
的分布，同时优化了导通损耗与开关损耗，具有高功率密度、开关损耗低、可靠性高、自保护等特点，特别
适用于直流充电桩、变频器、储能逆变器、UPS电源、电机驱动、电焊机、光伏逆变器等领域。
（5）SiC器件（含Si2CMOSFET）
公司的SiC器件包括SiC二极管、SiCMOSFET、Si2CMOSFET等器件技术。其中，SiC二极管、SiCMOSFET全
部使用了SiC衬底，充分利用SiC宽禁带材料的耐高压和耐高温特性。Si2CMOSFET则部分使用了SiC衬底，减
少了SiC材料的用量。Si2CMOSFET克服了传统SiCMOSFET成本高和Vth飘移的缺点，实现了高栅氧可靠性，同
时还实现了接近SiCMOSFET优秀的反向恢复能力，能够在一部分应用场景中取代SiCMOSFET。
二、核心技术与研发进展
1.核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
（1）报告期内，公司积极推进主营产品技术迭代并加大新产品开发力度。
1）超级结MOSFET方面：完成超级结MOSFET8英寸扩产12英寸的量产工作，在产品性能可以对齐8英寸的
前提下，12英寸晶圆代工厂显示出了优良的工艺控制能力。报告期内，基于12英寸平台的超级结MOSFET第四
代、第五代量产推进工作初见成效，部分物料已通过客户认证，获得批量订单。同时，公司积极布局对齐国
际一线品牌最新最优性能产品的第六代超级结MOSFET的研发工作。随着晶圆代工厂产能的扩张以及制造设备
的性能提升，公司将进一步突破产能瓶颈，以期占领更大的市场份额。
2）中低压屏蔽栅MOSFET方面：优化了25V-150V全规格段产品性能。报告期内，该系列新增多颗产品通
过第三方车规考核并进入更多汽车用户。在高频率SGTMOS领域，公司30V、40V、60V产品成功完成了高速器
件的研制，使之更适合在服务器以及AI算力电源领域的应用，并持续批量出货。在Dr.MOS(DriverMOS)领域
，公司25V高频管产品的性能已经接近国际一线产品，并实现小批量出货。
3）在独创结构IGBT系列TGBT器件方面：报告期内，公司推出了性能更为优化的650V-1200V系列产品。
同时，公司研发团队完成了从8英寸代工厂到12英寸代工厂的扩展，使得大功率TGBT芯片器件的电性能、可
靠性以及芯片成本得到了全面的优化。使用公司研发的950VTGBT芯片所制造的330KW功率模块已经批量用于
国内一线厂商的光伏发电方案，在电站安全运行超过半年。
4）SiC器件方面：报告期内，公司与国内多家一线SiC晶圆代工厂的战略合作稳步进行。同时，公司第
一代及第二代1200VSiCMOSFET已通过可靠性测试并开始获得客户订单；650V/750V/1200V的第三代、第四代S
iCMOSFET研发工作进展顺利。
报告期内，公司持续进行新技术开发工作，遵循技术路线图加速推进各项技术迭代。公司主营产品高压
超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET、TGBT产品均完成了从8英寸代工厂到12英寸代工厂的扩展，产能的
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