经营分析☆ ◇688261 东微半导 更新日期：2026-05-06◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.前5名客户营业收入表】【4.前5名供应商采购表】
【5.经营情况评述】
【1.主营业务】
高性能功率器件研发与销售
【2.主营构成分析】
截止日期:2025-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
集成电路(行业) 12.52亿 99.98 2.03亿 99.94 16.22
其他业务(行业) 26.08万 0.02 12.81万 0.06 49.11
─────────────────────────────────────────────────
功率半导体产品(产品) 11.93亿 95.26 1.94亿 95.58 16.29
晶圆(产品) 5916.09万 4.72 886.77万 4.36 14.99
其他业务(产品) 26.08万 0.02 12.81万 0.06 49.11
─────────────────────────────────────────────────
境内(地区) 12.41亿 99.04 2.01亿 98.79 16.19
境外(地区) 1179.57万 0.94 232.61万 1.14 19.72
其他业务(地区) 26.08万 0.02 12.81万 0.06 49.11
─────────────────────────────────────────────────
经销模式(销售模式) 8.80亿 70.22 1.23亿 60.70 14.03
直销模式(销售模式) 3.73亿 29.76 7979.14万 39.24 21.40
其他业务(销售模式) 26.08万 0.02 12.81万 0.06 49.11
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2025-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
功率半导体产品(产品) 5.86亿 95.24 9384.23万 95.23 16.00
晶圆(产品) 2908.04万 4.72 458.90万 4.66 15.78
其他(产品) 25.62万 0.04 11.07万 0.11 43.22
─────────────────────────────────────────────────
境内(地区) 6.10亿 98.99 9730.25万 98.74 15.96
境外(地区) 624.32万 1.01 123.96万 1.26 19.85
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2024-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
集成电路(行业) 10.03亿 99.94 1.43亿 99.61 14.25
其他业务(行业) 63.04万 0.06 55.52万 0.39 88.07
─────────────────────────────────────────────────
功率半导体产品(产品) 9.39亿 93.59 1.33亿 92.84 14.18
晶圆(产品) 6368.50万 6.35 971.14万 6.77 15.25
其他业务(产品) 63.04万 0.06 55.52万 0.39 88.07
─────────────────────────────────────────────────
境内(地区) 9.85亿 98.21 1.40亿 97.32 14.16
境外(地区) 1729.64万 1.72 329.42万 2.30 19.05
其他业务(地区) 63.04万 0.06 55.52万 0.39 88.07
─────────────────────────────────────────────────
经销模式(销售模式) 6.56亿 65.38 8592.07万 59.92 13.10
直销模式(销售模式) 3.47亿 34.56 5692.10万 39.69 16.42
其他业务(销售模式) 63.04万 0.06 55.52万 0.39 88.07
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2024-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
功率半导体产品(产品) 3.90亿 93.05 5413.93万 93.11 13.87
晶圆(产品) 2916.33万 6.95 400.36万 6.89 13.73
─────────────────────────────────────────────────
境内(地区) 4.12亿 98.13 5653.47万 97.23 13.73
境外(地区) 786.07万 1.87 160.82万 2.77 20.46
─────────────────────────────────────────────────
【3.前5名客户营业收入表】
截止日期:2025-12-31
前5大客户共销售6.06亿元，占营业收入的48.35%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│客户名称 │ 营收额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│客户一 │ 18732.87│ 14.95│
│客户二 │ 11219.47│ 8.96│
│客户三 │ 11203.84│ 8.94│
│客户四 │ 9860.96│ 7.87│
│客户五 │ 9556.76│ 7.63│
│合计 │ 60573.90│ 48.35│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【4.前5名供应商采购表】
截止日期:2025-12-31
前5大供应商共采购11.84亿元，占总采购额的93.63%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│供应商名称 │ 采购额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│供应商一 │ 90489.33│ 71.53│
│供应商二 │ 10176.75│ 8.04│
│供应商三 │ 8510.19│ 6.73│
│供应商四 │ 5034.21│ 3.98│
│供应商五 │ 4234.82│ 3.35│
│合计 │ 118445.30│ 93.63│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【5.经营情况评述】
截止日期:2025-12-31
●发展回顾:
一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况说明
(一)主要业务、主要产品或服务情况
1、主要业务
公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，凭借优秀的半导体器件与工艺
创新能力，集中优势资源聚焦新型功率器件的开发，是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器
件设计公司之一，基于多年的技术积累、产业链深度结合能力以及优秀的客户服务能力，公司已成为国内领
先的高性能功率器件设计厂商。公司产品的终端应用聚焦在工业及汽车相关等中大功率应用领域，同时也广
泛应用在消费级领域。公司已在前述领域积累了全球知名的品牌客户群，产品获得工业和车载重要客户认可
。
（1）Si基器件业务进展
车载电子领域：批量出货给比亚迪、铁城信息、英搏尔、欣锐科技、汇川技术、阳光电源、陆巡科技、
英威腾、赛力斯、零跑、法雷奥、小鹏、富特、联合汽车电子等公司。公司多次获得比亚迪全资子公司弗迪
动力有限公司颁发的“优秀供应商”荣誉称号、英博尔公司颁发的“最佳交付奖”等；
直流充电桩领域：批量出货给客户A、特来电、领充、麦格米特、永联科技、安德普电源、英飞源、优
优绿能、先控捷联、超聚变等公司。公司与国内各主要的充电桩电源模块厂商均建立了广泛而深入的合作关
系；
服务器电源、通信电源和基站电源领域：批量出货给客户A、维谛技术、台达、世纪云芯、东科半导体
、超聚变数字、欧陆通、长城科技、中恒电气、中兴康讯、铂科电子等公司；
光伏逆变器及储能领域：批量出货给客户A、铂科电子、固德威、思格新能源、三晶电气、德业科技、
麦田能源、艾罗网络等公司。并获得江苏思格新能源技术有限公司颁发的“最佳协同奖”；
泛工业领域：批量出货给视源股份、航嘉（Huntkey）、高斯宝、明纬电子、天力电源、联明电源、洛
仑兹技术等客户；其中，电机驱动方面，公司产品导入灵足时代、优必选、相石智能、脉塔智能、卓誉电气
、追觅科技等客户，在机器人关节驱动、微型伺服驱动、扫地机器人等领域小批量试产出货；
高密度电源领域：批量出货航嘉驰源、视源股份、英威腾、升华电源、硕通电子等客户。
（2）SiC器件业务进展
报告期内，公司积极推进在SiC系列产品的研发和量产工作，推出多款涵盖多种封装形式的MOSFET产品
，形成了丰富的产品规格供客户选择。公司SiC器件产品，获得翌工电子、思格新能源、北斗星电子、台达
、陆巡科技等客户订单，思格新能源、陆巡科技等产品处于试产阶段。
公司产品已进入AI服务器、算力电源、通信电源、基站电源、光伏储能、机器人关节、电动工具、新能
源汽车车载充电机、工业电源、工业控制、工业照明、家电等领域。未来，公司将持续专注于工业及汽车应
用领域及新兴应用领域，坚持技术创新驱动，以成为国际领先的功率半导体厂商为目标，为终端客户创造更
大价值。
2、主要产品
公司的主要产品包括GreenMOS系列超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低压屏蔽栅2MOSFET、TGBT
系列IGBT产品、SiC器件（含SiCMOSFET）以及高密度功率模块。公司的产品广泛应用于以5G基站电源及通信
电源、数据中心和算力服务器电源、车载充电机、车身加热和平衡系统、UPS电源和工业照明电源、新能源
汽车直流充电桩、光伏逆变及储能为代表的工业级应用领域，以及以PC电源、适配器、TV电源板、手机快速
充电器为代表的消费电子应用领域。
(二)主要经营模式
公司作为专业的半导体功率器件设计及研发企业，自成立以来始终采用Fabless的经营模式。Fabless模
式指无晶圆厂模式，采用该模式的企业专注于芯片的研发设计与销售，将晶圆制造、封装、测试等生产环节
外包给第三方晶圆制造和封装测试企业完成。报告期内，公司主要经营模式未发生重大变化。
1、研发模式
公司产品的研发流程主要包括产品开发需求信息汇总、立项评估与可行性评估、项目设计开发、产品试
制以及测试验证等四个环节。该四项环节主要由研发部、运营部等合作完成，同时，研发部质量团队会全程
参与产品研发的所有环节，监督各环节的执行过程，以在全环节实现对产品质量的管控。公司已制定《产品
开发管理程序》，产品研发流程严格遵守该制度约定流程，并通过产品生命周期管理系统进行产品开发管控
。
公司根据各产品类型的市场需求与技术发展方向制定技术路线图，并结合晶圆代工和封装厂商的实际制
造能力、现有工艺和封测加工能力进行产品开发和设计工作。在产品研发设计过程中，公司同时关注并协助
开发适合于晶圆厂和封装厂的工艺流程。公司具有深度定制开发的能力,在产品研发阶段，公司与晶圆代工
厂深度合作、共同研发，通过多次反复实验调整，使代工厂的工艺能更好地实现公司所设计芯片的性能，最
终推出极具性价比的产品，更好地贴合终端客户的需求。通过对代工厂传统工艺的优化，公司有能力根据终
端市场需求精确调整产品的设计。公司会与晶圆厂进行季度技术回顾（QuarterlyTechnologyReview，“QTR
”）与季度业务（QuarterlyBusinessReview，“QBR”)回顾，并陪同客户定期到晶圆厂进行审核。晶圆厂
定期向公司提供制程能力（ComplexProcessCapability,“CPK”)管控数据及外观检测报告。同时，公司也
会对封测厂进行定期稽核，召开QBR并要求提供CPK数据、封装良率及测试良率的报告，定期对厂家的管控计
划提出意见，以保证产品质量。
2、采购与生产模式
公司采购的内容主要为定制化晶圆制造、封装及测试服务，以及实验室设备的采购。在Fabless模式中
，公司主要进行功率器件产品的研发、销售与质量管控，产品的生产采用委外加工的模式完成，随后将制造
完成的晶圆交由封测厂进行封装和测试。公司的晶圆代工厂商和封装测试服务供应商均为行业知名企业。公
司建立了以质量部为核心的质量管理体系，有效提高了公司产品和服务的整体质量。公司拥有研发部、运营
部、销售部等多个业务部门，且各部门职能相对独立；同时，公司的质量部协助其他部门制定其操作规范、
记录和整理日常的工作文档、监督和指导各部门的工作和质量控制流程，其贯穿产品开发、生产、运营和销
售的整个过程。
3、销售模式
结合行业惯例和客户需求情况，公司目前采用“经销加直销”的销售模式，即公司通过经销商销售产品
，同时也向终端系统厂商直接销售产品。在经销模式下，公司与经销商的关系主要为买断式销售关系，公司
将产品送至经销商或者经销商指定地点；在直销模式下，公司直接将产品销售给终端客户，公司将产品送至
客户指定地点。
公司建立了完善的客户管理制度，对于长期合作客户，公司与其签订框架合作协议，并安排专员提供全
方位服务；对于其他客户，公司根据订单向其供货。半导体行业上下游之间粘性较强，公司产品需要通过较
为严格的质量认证测试，一旦受到客户的认可和规模化使用后，双方较易形成长期稳定的合作关系。
(三)所处行业情况
1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，根据中华人民共和国国家统计
局发布的《国民经济行业分类（GB/T4754-2017）》，公司所处行业为“计算机、通信和其他电子设备制造
业”（C39），所处行业属于半导体行业中的功率半导体细分领域。
（1）行业发展情况及市场概况
1）随着全球电气化、数字化和智能化水平的持续提升，功率半导体已成为支撑工业自动化、新能源、
轨道交通、汽车电子及消费电子等多个关键领域发展的不可替代的基础性产品，是半导体产业的重要组成部
分，更是推动能源结构转型和产业升级的核心力量。功率半导体发展过程的每个阶段都标志着电力电子技术
的重大进步，使得电能的利用更加高效、灵活和可靠，因此，功率半导体技术的发展水平直接关系到一个国
家能源利用效率和高端装备制造能力。
功率半导体行业全球市场集中度高，尤其是高端功率器件领域以美、日、欧等国厂商为主导。其中，高
压功率MOSFET产品以英飞凌、安森美等厂商为主导。IGBT产品市场则由英飞凌、安森美、三菱、富士电机等
厂商长期占据垄断地位。功率半导体行业在我国则面临着更为复杂的局面，竞争格局较为分散，市场集中度
较低，Fabless(无晶圆厂)和IDM厂商并存，高端产品依赖进口，中低端产品又深陷价格战的泥潭。近年来，
随着社会电气化程度的不断提高以及新技术的迭代与创新，国产功率半导体企业已取得较大进步，国内孕育
出一批优秀的功率半导体器件企业，逐步从低端市场向高端应用领域持续渗透。
2）全球半导体市场情况，根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）于2026年3月发布的最终官方数据显示
，2025年全球半导体销售额达7,956亿美元，同比增长26.2%，主要由AI和数据中心需求驱动。从产品结构看
，规模增长最大的是存储芯片，增幅达39%；其次为逻辑芯片，增幅38.8%；传感器增幅达10.4%。
同时，该机构预测2026年全球半导体市场将继续保持高速增长态势，销售额达到9,750亿美元，向万亿
美元规模迈进。
3)我国半导体/集成电路市场情况，根据美国半导体行业协会（SIA）数据显示，2025年中国半导体销售
额首次突破2,000亿美元，超过2,100亿美元，同比增幅超过15%，占全球总额约三成。海关总署数据（“202
5年1至12月部分出口商品主要贸易方式量值表<人民币值>”）显示，2025年中国集成电路出口总额达14,442
亿元人民币，同比增长超27%，出口单价首次突破4元/个，双双创下历史新高。
从市场情况数据可以反映，随着库存水平的逐步调整和市场需求的有序恢复，功率半导体市场正在逐步
回暖，但产品结构的增长差异，反映了市场需求的不均衡性。
2025年，全球半导体市场延续2024年的复苏态势，逐步进入周期性向上通道。由人工智能（AI）算力爆
发和全球能源转型两大核心引擎驱动，行业呈现出技术升级和市场竞争格局分化特征，存量博弈与增量开拓
并存。
①市场与需求：需求结构转变，AI服务器的功率需求正迈向兆瓦（MW）级，对功率器件的密度、效率和
散热提出极高要求，成为拉动高端功率半导体需求的新增长极。清洁能源，光伏逆变器、储能系统等领域也
持续贡献着稳定需求。
②技术与产品：以SiC和GaN为代表的第三代宽禁带半导体正加速渗透，以IGBT和MOSFET为代表的传统硅
基器件，凭借成熟工艺和成本优势，与第三代半导体形成互补共生的格局。③竞争格局：行业竞争日趋激烈
，一方面，国内厂商在技术、产能和市场占有率上持续突破，国产化率稳步提升。另一方面，行业内部聚焦
不同赛道的企业表现迥异，成功卡位AI服务器等高增长赛道的企业，较容易获得业绩与竞争力的双重溢价。
聚焦于激烈竞争赛道的企业，受价格和产品结构影响，虽然营收增长，但盈利能力承压，呈现“增收不增利
”的局面。
（2）行业的主要特点
1）技术密集型，依赖特色工艺
①功率半导体器件专注于材料突破、工艺优化和技术创新
功率半导体器件属于特色工艺产品，在制程方面不追求极致的线宽，不遵守摩尔定律。功率半导体器件
的性能演进呈现平缓的趋势，目前制程基本稳定在90nm-0.35μm之间，成熟制程主导，对先进工艺依赖较低
。功率器件发展的关键点主要包括技术创新、制造工艺升级、封装技术及基础材料的迭代。
②产品和材料多世代并存，生命周期长
从器件结构看，二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等多代产品的出现并非简单的替代和迭代，而是因各自
在功率、频率上的优势而长期共存互补，适应不同应用场景需求；从材料看，成熟的硅基材料与以碳化硅、
氮化镓为代表的第三代宽禁带半导体，正共同构建起适应多元化应用场景的多材料并存格局。
③特色工艺平台的高定制化能力满足日益多元化的细分场景需求
“平台化多样性”是特色工艺企业构筑竞争壁垒、打造竞争优势的核心武器，工艺平台越强大的企业，
其在技术经验、服务能力和特殊化开发能力方面越具有深厚的优势。功率半导体行业应用领域的多样化，导
致功率半导体产品根据客户定制要求所产生的细分需求也日益多元。功率半导体企业从主营产品系列具体到
料号、规格、电压、电流、面积、导通电阻、封装、技术特点及应用领域，可交叉组合形成数千种产品型号
，因而企业想要在行业内获得足够的市场竞争力，对于特色工艺平台的定制化能力要求极高。
2）显著的周期性波动
功率半导体行业具有强周期性特征，其发展与宏观经济和下游需求紧密相关。
①供需错配：产能扩张需要经历“晶圆厂建设-设备安装-工艺调试-良率爬坡”等漫长过程。当下游需
求快速增长时，供给难以迅速跟上，导致供不应求；反之，则可能引发产能过剩和价格战。
②库存周期：行业会经历“被动去库存”到“主动补库存”的循环。在需求预期乐观时，厂商会主动增
加库存以应对订单，推动行业上行；而在需求疲软时，则会降价去库存，加速行业降温。
3）产业链高度协同与特定经营模式
功率半导体产业链条长，涵盖原材料、设备制造、芯片设计、晶圆制造、封装测试等多个环节，各环节
紧密相连。
①IDM与Fabless模式的并存，Fablite模式的崛起
半导体企业采用的经营模式可以分为IDM模式和Fabless模式。IDM模式为垂直整合元件制造模式，系早
期半导体企业广泛采用的模式，采用该模式的企业可以独立完成芯片设计、晶圆制造、封装和测试等各垂直
的生产环节，IDM模式具有技术的内部整合优势，有利于积累工艺经验，形成核心竞争力，但由于半导体行
业的周期性，IDM公司容易受制于原有固定产能，从而陷入被动局面。Fabless模式指无晶圆厂模式，采用该
模式的企业专注于芯片的研发设计与销售，将晶圆制造、封装、测试等生产环节外包给第三方晶圆制造和封
装测试企业完成。随着芯片终端产品和应用的日益繁杂，芯片设计难度快速提升，研发所需的资源和成本持
续增加，促使全球半导体产业分工细化，Fabless模式也已成为芯片设计企业的主流经营模式之一。
近年来，一种结合了IDM与Fabless优势的“Fablite”模式逐渐崭露头角，即在保留部分内部制造能力
的同时，将技术难度更高或更先进的生产环节外包给专业的外部代工厂，兼具IDM与Fabless优势的混合模式
，旨在降低投资风险，提升企业的灵活性，有效控制成本。
4）全球寡头竞争与国产替代加速
全球功率半导体市场集中度较高，呈现寡头竞争格局，尤其在高端领域集中于少数几家头部企业，国内
企业仍处于充分竞争阶段。
①国际巨头主导：以英飞凌、意法半导体、安森美等为代表的欧美日企业，凭借先发优势、技术积累和
齐全的产品线，长期占据全球中高端市场的主导地位。
②国产替代加速：中国是全球最大的功率半导体消费国。在政策扶持和市场需求的双重驱动下，本土企
业快速崛起，在关键领域不断取得技术突破，市场份额持续提升，国产替代进程深化。
（3）主要技术门槛
功率半导体行业属于技术密集型行业，技术壁垒较高。功率器件的性能不仅取决于电路设计，更与制造
工艺深度绑定。功率半导体器件的研发、设计需要企业研发团队综合掌握器件结构、晶圆制造工艺、封装测
试等多领域的技术，需要具备“特色工艺”平台的定制化能力，针对不同的电压、电流和应用场景，开发特
定的工艺平台，这对企业的工艺开发经验和技术积累提出了极高要求。
在功率半导体器件中，超级结MOSFET、SGTMOSFET、IGBT、SiCMOSFET及GaNHEMT的技术门槛较高，上述
这些功率器件中，器件的性能一方面可以通过改进核心器件结构的设计来提升，另一方面可以通过改进制造
工艺或材料来达到目的。研发设计人员一方面需持续跟踪掌握国际先进技术理论、先进工艺方法，另一方面
还需不断提出创新的器件结构来实现性能上的大幅提升。功率器件不仅要保持在不同电流、电压、频率等应
用环境下稳定工作，还需保持在开关损耗、导通损耗、抗冲击能力、耐压、效率等性能上进行平衡，这些性
能均需经过大量的仿真设计和流片验证。此外，下游客户不仅对功率半导体的性能和成本提出了差异化的要
求，还对产品在各种应用环境下的耐久可靠性提出较高的要求，研发设计人员还需掌握不同应用的电路拓扑
及可靠性改进方法。因此，企业研发及工程团队需要拥有丰富的技术工艺经验、持续技术创新能力、芯片产
业化等能力，而且能够在短期内成功开发出多品类、适宜量产的产品，才能持续保持市场竞争优势地位。新
进入者若缺乏上述的条件，则难以实现持续的业务增长和保持技术上的领先。
2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
基于多年的技术优势积累、产业链深度结合能力以及优秀的客户创新服务能力，公司不断深耕市场，已
成为国内领先的高性能功率半导体厂商之一。公司先后获得国家高新技术企业、国家级专精特新小巨人企业
、国家知识产权优势企业、江苏省工程技术研究中心、江苏省专精特新小巨人企业、江苏省民营科技企业等
荣誉。2025年，公司超级结MOSFET/OSG65R038HZF产品，荣膺第二十届中国芯“优秀市场表现产品”奖，这
也是公司第三次斩获“中国芯”系列荣誉。
公司功率器件产品技术领先，体现在功率器件的仿真、设计、工艺实现、封装测试及应用测试等全流程
工序。公司产品以高工艺制造难度的超级结MOSFET产品、性能优良极具竞争力的中低压屏蔽栅MOSFET产品、
独创单胞结构性能优良的TGBT产品以及紧跟国内外领先技术水平的SiCMOSFET产品、算力电源功率模块为主
。
在超级结MOSFET领域，公司积累了包括优化电荷平衡技术、优化栅极设计及缓变电容核心原胞结构等行
业领先的专利技术，产品的关键技术指标达到了与国际领先厂商可比的水平。在中低压屏蔽栅MOSFET领域，
公司积累了包括优化电荷平衡、自对准加工、单胞尺寸等比例缩小、降低寄生电容等多项在设计以及工艺制
造中的核心技术，产品的关键技术指标达到了国内外领先水平。
在IGBT领域，公司的TGBT产品是基于新型的TridentGateBipolarTransistor(简称Tri-gateIGBT)器件结
构的重大原始创新，该自主专利技术为基础的TGBT产品系列已经进入稳定的量产交付阶段，性能达到了国际
先进的七代IGBT芯片性能。
2在第三代半导体领域，公司的SiCMOSFET、SiCMOSFET、SiCSBD已经实现量产，性能指标和同类型竞品
对比优势明显。公司持续在第三代半导体领域投入研发，同步推进高性能SiCJFET、GaNHEMT等器件的开发工
作。
在功率模块领域，公司布局了拥有模块领域丰富开发经验的团队，报告期内，公司模块产品线实现了关
键性的技术跨越，形成了覆盖全电压等级的完整解决方案，并在算力服务器电源、车载OBC、主驱电控以及
车载热管理系统等应用领域逐步量产。公司将会持续在功率模块领域投入研发，为客户提供更高功率密度电
源的模块解决方案。
3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
（1）新技术的发展情况及未来发展趋势
1）持续追求高效能与低功耗目标
为应对全球能源危机与日益提升的环保要求，半导体功率器件需要不断提升电能转换效率，降低功耗，
以满足节能减排与绿色低碳发展需求。这要求半导体功率器件在设计和制造环节中不断优化器件结构、材料
体系和工艺技术，实现更高转换效率与更低导通、开关损耗。同时，下游应用场景的多元化与精细化，也将
进一步推动功率器件向高性能、定制化、差异化方向发展。
2）材料创新将是推动半导体功率器件发展的关键
功率器件技术的发展是由“提高性能”和“降低成本”的内在需求推动的，作为电能转换与电路控制的
核心,随着传统硅基材料逐渐逼近其物理极限,性能提升空间收窄，新型材料可以突破传统材料的固有局限，
提升器件耐压、开关频率与高温稳定性，满足高压、高频、高效的严苛应用场景需求。
3）功率器件模块和分立化的各施所长，相互渗透
低压大电流和中高压大电流的应用场景需要通过优化功率器件的结构及工艺来提升性能，同时低压大电
流和中高压大电流的应用场景又带动了对功率产品高功率密度以及功率器件模块化和集成化的需求。一方面
，在传统的中大功率应用场景中，客户更倾向于使用大功率模块。由于大功率模块需要多元件电气互联，同
时要考虑高温失效和散热问题，其封装工艺和结构更复杂，制造难度更大，这使得芯片+模块的整体价值变
高；在小功率应用场景中，功率器件和电感等无源器件被封装到嵌入式高精度模块中来提高集成度从而减小
整体方案的体积，以满足当下服务器电源、算力电源快速增长的需求。另一方面，无论是以特斯拉为代表的
造车势力还是其他意识到供应链安全的大型公司，都在传统单芯片封装的基础上继续优化封装体功率密度，
不断推出散热能力更佳的封装形式，通过灵活的基板级集成以及水道设计来实现单芯片集成方案。如特斯拉
公司推出的顶部散热T2PAK，英飞凌公司推出的顶部散热TOLT、TOLG等新型封装规格。这类封装的优势体现
在更易实现的高可靠性、可评测性，更少的一次性投资以及更加快捷的降本周期。所以，未来几年功率器件
的模块化和分立化的趋势会在细分领域各施所长，相互渗透。
4）国产化进程加速
半导体功率器件正朝着大功率、易驱动和高频化的方向发展。晶闸管、MOSFET和IGBT等关键技术在其各
自的应用领域内持续突破，而新型宽禁带半导体功率器件如碳化硅和氮化镓等也正在加速渗透，其应用边界
不断拓展。
我国在半导体功率器件领域的研发投入正在不断加大，通过自主创新与引进先进技术的结合，在MOSFET
、IGBT等传统功率器件以及碳化硅、氮化镓等新型宽禁带半导体材料的应用上均取得了显著进展。尽管与国
际先进水平相比，我国在产业规模、技术水平和产业集中度上仍存在一定的差距，但这一差距正在逐渐缩小
。
（2）新的市场应用领域及未来发展趋势
1）服务器市场及人工智能数据中心建设
在人工智能应用需求的持续驱动下，服务器产业正步入长周期高速增长阶段。数据中心作为人工智能发
展的关键基础设施，伴随海量数据的产生、传输与计算处理需求，迎来新一轮建设热潮，并推动传统数据中
心（IDC）向人工智能数据中心（AIDC）加速演进与转型。
尽管全球经济呈现增长动能不足的态势和地缘政治紧张局势带来不确定性，但AI基础设施的加速推进，
已成为超越传统经济周期的核心力量，成为定义全球科技市场走向的首要力量。根据IDC数据，2025年全球
服务器市场规模达到创纪录的4,441亿美元，同比增幅达到80.4%。第四季度单季营收更是突破1,253亿美元
，同比激增52.4%。IDC发布的《中国半年度加速计算市场（2025上半年）跟踪》报告显示，2025上半年中国
加速服务器市场规模达到160亿美元，同比增长超过一倍。IDC预测，到2029年，中国加速服务器市场规模将
超过1,400亿美元。加速服务器专为AI训练与推理、高性能计算等复杂任务设计，正在人工智能、科学研究
等领域成为不可或缺的基础设施。IDC还在报告中指出：超大规模数据中
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