经营分析☆ ◇688261 东微半导 更新日期：2025-09-17◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.前5名客户营业收入表】【4.前5名供应商采购表】
【5.经营情况评述】
【1.主营业务】
高性能功率器件研发与销售。
【2.主营构成分析】
截止日期:2025-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
功率半导体产品(产品) 5.86亿 95.24 9384.23万 95.23 16.00
晶圆(产品) 2908.04万 4.72 458.90万 4.66 15.78
其他(产品) 25.62万 0.04 11.07万 0.11 43.22
─────────────────────────────────────────────────
境内(地区) 6.10亿 98.99 9730.25万 98.74 15.96
境外(地区) 624.32万 1.01 123.96万 1.26 19.85
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2024-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
集成电路(行业) 10.03亿 99.94 1.43亿 99.61 14.25
其他业务(行业) 63.04万 0.06 55.52万 0.39 88.07
─────────────────────────────────────────────────
功率半导体产品(产品) 9.39亿 93.59 1.33亿 92.84 14.18
晶圆(产品) 6368.50万 6.35 971.14万 6.77 15.25
其他业务(产品) 63.04万 0.06 55.52万 0.39 88.07
─────────────────────────────────────────────────
境内(地区) 9.85亿 98.21 1.40亿 97.32 14.16
境外(地区) 1729.64万 1.72 329.42万 2.30 19.05
其他业务(地区) 63.04万 0.06 55.52万 0.39 88.07
─────────────────────────────────────────────────
经销模式(销售模式) 6.56亿 65.38 8592.07万 59.92 13.10
直销模式(销售模式) 3.47亿 34.56 5692.10万 39.69 16.42
其他业务(销售模式) 63.04万 0.06 55.52万 0.39 88.07
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2024-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
功率半导体产品(产品) 3.90亿 93.05 5413.93万 93.11 13.87
晶圆(产品) 2916.33万 6.95 400.36万 6.89 13.73
─────────────────────────────────────────────────
境内(地区) 4.12亿 98.13 5653.47万 97.23 13.73
境外(地区) 786.07万 1.87 160.82万 2.77 20.46
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2023-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
集成电路(行业) 9.73亿 100.00 2.21亿 100.00 22.73
─────────────────────────────────────────────────
功率半导体产品(产品) 9.00亿 92.53 2.11亿 95.34 23.42
晶圆(产品) 7271.67万 7.47 1029.50万 4.66 14.16
─────────────────────────────────────────────────
境内(地区) 9.60亿 98.68 2.17亿 98.22 22.63
境外(地区) 1282.49万 1.32 392.58万 1.78 30.61
─────────────────────────────────────────────────
经销模式(销售模式) 6.87亿 70.63 1.37亿 61.87 19.91
直销模式(销售模式) 2.86亿 29.37 8432.58万 38.13 29.52
─────────────────────────────────────────────────
【3.前5名客户营业收入表】
截止日期:2024-12-31
前5大客户共销售4.62亿元，占营业收入的46.04%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│客户名称 │ 营收额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│客户一 │ 13549.79│ 13.51│
│客户二 │ 12201.40│ 12.16│
│客户三 │ 8327.40│ 8.30│
│客户四 │ 6155.91│ 6.14│
│客户五 │ 5949.28│ 5.93│
│合计 │ 46183.78│ 46.04│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【4.前5名供应商采购表】
截止日期:2024-12-31
前5大供应商共采购8.39亿元，占总采购额的93.04%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│供应商名称 │ 采购额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│供应商一 │ 64172.51│ 71.20│
│供应商二 │ 7108.26│ 7.89│
│供应商三 │ 4285.65│ 4.75│
│供应商四 │ 4260.46│ 4.73│
│供应商五 │ 4032.66│ 4.47│
│合计 │ 83859.54│ 93.04│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【5.经营情况评述】
截止日期:2025-06-30
●发展回顾:
一、报告期内公司所属行业及主营业务情况
（一）所处行业情况
公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，根据中华人民共和国国家统计
局发布的《国民经济行业分类（GB/T4754-2017）》，公司所处行业为“计算机、通信和其他电子设备制造
业”（C39），属于半导体行业中的功率半导体分立器件细分领域。
1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
（1）行业现状及市场规模
功率半导体器件行业是人才、技术和资金密集型的行业，行业的发展以芯片设计能力、晶圆制造能力、
技术创新能力、先进生产能力和综合管理能力为根本，对技术方案设计、产品性能优化、产品更新换代、后
续技术服务，以及为客户提供定制化开发产品能力等方面均有较高的要求，需要长时间的实践和积累。
随着全球贸易格局的演变，半导体自主可控重要性提升，当前国产替代关键领域持续进行技术攻关，产
业链各环节的国产化率不断提升。下游应用端对产品性能多元化需求、对质量标准日益提高的需求，以及国
家对行业发展规划的需要，国内功率半导体厂商需要通过持续技术创新，实现技术突破，提高技术储备，以
高性价比的产品和服务实现核心电子元器件国产化，响应国家产业政策的发展规划。“ChinaforChina”的
趋势下，国产替代有望从单点突破迈向全链条渗透。
世界半导体贸易统计组织（WSTS）宣布，2025年1-6月全球半导体市场规模达3,460亿美元，同比增长18
.9%。其中一季度市场规模约1,670亿美元，同比增长18.1%；二季度约1,800亿美元，同比增长19.6%。逻辑
半导体市场规模提升37%、存储半导体增长20%、传感器增长16%、模拟和微型器件均小幅增长4%。该机构预
测，2025年全球半导体市场规模将达到7,009亿美元，同比增长11.2%。
（2）行业发展与演进
功率半导体发展过程的每个阶段都标志着电力电子技术的重大进步，使得电能的利用更加高效、灵活和
可靠，而且功率半导体已广泛应用于电力、交通、通信、工业自动化、新能源等多个领域，因此，功率半导
体技术的发展水平直接关系到一个国家能源利用效率和高端装备制造能力。在功率半导体发展过程中，20世
纪50年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20世纪60至70年代，晶闸管等半导体功
率器件快速发展。20世纪70年代末，平面型功率MOSFET发展起来。20世纪80年代后期，沟槽型功率MOSFET和
IGBT逐步面世，半导体功率器件正式进入电子应用时代。20世纪90年代，超级结MOSFET逐步出现，打破了传
统硅基产品的性能限制以满足大功率和高频化的应用需求。进入21世纪，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）
为代表的宽禁带半导体材料逐渐崭露头角，它们具有高耐压、高温工作、低损耗等显著优点。
（3）行业的主要特点
1）功率半导体器件专注于材料突破、工艺优化和技术创新
功率半导体器件属于特色工艺产品，在制程方面不追求极致的线宽，不遵守摩尔定律。功率半导体器件
的性能演进呈现平缓的趋势，目前制程基本稳定在90nm-0.35μm之间。功率器件发展的关键点主要包括技术
创新、制造工艺升级、封装技术及基础材料的迭代。
2）产品多世代并存
二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等传统器件与碳化硅、氮化镓等新材料器件共存，适应不同应用场景需
求。
3）特色工艺平台的高定制化能力满足日益多元化的细分场景需求“平台化多样性”是特色工艺企业构
筑竞争壁垒、打造竞争优势的核心武器，工艺平台越强大的企业，其在技术经验、服务能力和特殊化开发能
力方面越具有深厚的优势。功率半导体行业应用领域的多样化，导致功率半导体产品根据客户定制要求所产
生的细分需求也日益多元。功率半导体企业从主营产品系列具体到料号、规格、电压、电流、面积、导通电
阻、封装、技术特点及应用领域，可交叉组合形成数千种产品型号，因而企业想要在行业内获得足够的市场
竞争力，对于特色工艺平台的定制化能力要求极高。
4）IDM与Fabless模式的并存，Fablite模式的崛起半导体企业采用的经营模式可以分为IDM模式和Fable
ss模式。IDM模式为垂直整合元件制造模式，系早期半导体企业广泛采用的模式，采用该模式的企业可以独
立完成芯片设计、晶圆制造、封装和测试等各垂直的生产环节，IDM模式具有技术的内部整合优势，有利于
积累工艺经验，形成核心竞争力，但由于半导体行业的周期性，IDM公司容易受制于原有固定产能，从而陷
入被动局面。Fabless模式指无晶圆厂模式，采用该模式的企业专注于芯片的研发设计与销售，将晶圆制造
、封装、测试等生产环节外包给第三方晶圆制造和封装测试企业完成。随着芯片终端产品和应用的日益繁杂
，芯片设计难度快速提升，研发所需的资源和成本持续增加，促使全球半导体产业分工细化，Fabless模式
也已成为芯片设计企业的主流经营模式之一。
近年来，一种结合了IDM与Fabless优势的“Fablite”模式逐渐崭露头角，即在保留部分内部制造能力
的同时，将技术难度更高或更先进的生产环节外包给专业的外部代工厂，兼具IDM与Fabless优势的混合模式
，旨在降低投资风险，提升企业的灵活性，有效控制成本。
（4）主要技术门槛
功率半导体行业属于技术密集型行业，技术门槛较高。功率半导体器件的研发、设计需要企业研发团队
综合掌握器件结构、晶圆制造工艺、封装测试等多领域的技术。在功率半导体器件中，超级结MOSFET、高性
能IGBT、高性能SGTMOSFET、SiCMOSFET及GaNHEMT的技术门槛较高。上述这些功率器件中，器件的性能一方
面可以通过改进核心器件结构的设计来提升，另一方面可以通过改进制造工艺或材料来达到目的。研发设计
人员一方面需持续跟踪掌握国际先进技术理论、先进工艺方法，另一方面还需不断提出创新的器件结构来实
现性能上的大幅提升。
功率器件不仅要保持在不同电流、电压、频率等应用环境下稳定工作，还需保持在开关损耗、导通损耗
、抗冲击能力、耐压、效率等性能上进行平衡，这些性能均需经过大量的仿真设计和流片验证。此外，下游
客户不仅对功率半导体的性能和成本提出了差异化的要求，还对产品在各种应用环境下的耐久可靠性提出较
高的要求，因此研发设计人员还需掌握不同应用的电路拓扑及可靠性改进方法。因此，企业研发及工程团队
需要拥有丰富的技术工艺经验、持续技术创新能力、芯片产业化等能力，而且能够在短期内成功开发出多品
类、适宜量产的产品，才能持续保持市场竞争优势地位。新进入者若缺乏上述的条件，则难以实现持续的业
务增长和保持技术上的领先。
2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
公司先后获得国家高新技术企业、国家级专精特新小巨人企业、国家知识产权优势企业、江苏省工程技
术研究中心、江苏省专精特新小巨人企业、江苏省民营科技企业等荣誉。当前半导体芯片产业链国产替代空
间巨大，基于多年的技术优势积累、产业链深度结合能力以及优秀的客户创新服务能力，公司不断深耕市场
，已成为国内领先的高性能功率半导体厂商之一，展现出良好的发展势头。
公司功率器件产品技术领先，体现在功率器件的仿真、设计、工艺实现、封装测试及应用测试等全流程
工序。公司产品以高工艺制造难度的超级结MOSFET产品、性能优良极具竞争力的中低压屏蔽栅MOSFET产品、
独创单胞结构性能优良的TGBT产品以及紧跟国内外领先技术水平的SiCMOSFET产品、算力电源功率模块为主
。
在超级结MOSFET领域，公司积累了包括优化电荷平衡技术、优化栅极设计及缓变电容核心原胞结构等行
业领先的专利技术，产品的关键技术指标达到了与国际领先厂商可比的水平。在中低压屏蔽栅MOSFET领域，
公司积累了包括优化电荷平衡、自对准加工、单胞尺寸等比例缩小、降低寄生电容等多项在设计以及工艺制
造中的核心技术，产品的关键技术指标达到了国内外领先水平。
在IGBT领域，公司的TGBT产品是基于新型的TridentGateBipolarTransistor(简称Tri-gateIGBT)器件结
构的重大原始创新，该自主专利技术为基础的TGBT产品系列已经进入稳定的量产交付阶段，性能达到了国际
先进的七代IGBT芯片性能。
在第三代半导体领域，公司的SiCMOSFET、SiCMOSFET、SiCSBD已经实现规模化量产，性能指标和同类型
竞品对比优势明显。同时，公司第四代SiCMOSFET产品技术平台完成研发。公司持续在第三代半导体领域投
入研发，同步推进高性能SiCJFET、GaNHEMT等器件的开发工作。
在功率模块领域，公司布局了拥有模块领域丰富开发经验的团队，在算力服务器电源、车载OBC、主驱
电控以及车载热管理系统等应用领域，设计了多款塑封模块，并已逐步量产。公司将会持续在功率模块领域
投入研发，为客户提供更高功率密度电源的模块解决方案。
3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
（1）新技术的发展情况及未来发展趋势
1）持续追求高效能与低功耗目标
随着全球能源危机的加剧和环保意识的提高，半导体功率器件需要不断提高能效，降低功耗，以满足节
能减排的需求。这要求半导体功率器件在设计和制造过程中不断优化结构、材料和工艺，以实现更高的转换
效率和更低的损耗。市场需求的多样化将推动半导体功率器件的差异化发展。
2）材料创新将是推动半导体功率器件发展的关键
功率器件技术的发展是由“提高性能”和“降低成本”的内在需求推动的，作为电能转换与电路控制的
核心,随着Si基材料逐渐逼近其物理极限,摩尔定律接近效能极限，新型材料可以突破传统材料的局限性，提
升器件性能，满足高压、高频等严苛应用需求。
3）功率器件模块和分立化的各施所长，相互渗透
低压大电流和中高压大电流的应用场景需要通过优化功率器件的结构及工艺来提升性能，同时低压大电
流和中高压大电流的应用场景又带动了对功率产品高功率密度以及功率器件模块化和集成化的需求。一方面
，在传统的中大功率应用场景中，客户更倾向于使用大功率模块。由于大功率模块需要多元件电气互联，同
时要考虑高温失效和散热问题，其封装工艺和结构更复杂，制造难度更大，这使得芯片+模块的整体价值变
高；在小功率应用场景中，功率器件和电感等无源器件被封装到嵌入式高精度模块中来提高集成度从而减小
整体方案的体积，以满足当下服务器电源、算力电源快速增长的需求。另一方面，无论是以特斯拉为代表的
造车势力还是其他意识到供应链安全的大型公司，都在传统单芯片封装的基础上继续优化封装体功率密度，
不断推出散热能力更佳的封装形式，通过灵活的基板级集成以及水道设计来实现单芯片集成方案。如特斯拉
公司推出的顶部散热T2PAK，英飞凌公司推出的顶部散热TOLT、TOLG等新型封装规格。这类封装的优势体现
在更易实现的高可靠性、可评测性，更少的一次性投资以及更加快捷的降本周期。所以，未来几年功率器件
的模块化和分立化的趋势会在细分领域各施所长，相互渗透。
4）国产化进程加速
现代半导体功率器件正朝着大功率、易驱动和高频化的方向发展。晶闸管、MOSFET和IGBT等关键技术在
其各自的应用领域内持续突破，而新型宽禁带半导体功率器件如碳化硅和氮化镓等也已成功研发并投入产业
化应用，其应用领域也在不断拓展。
我国在半导体功率器件领域的研发投入正在不断加大，通过自主创新与引进先进技术的结合，在MOSFET
、IGBT等传统功率器件以及碳化硅、氮化镓等新型宽禁带半导体材料的应用上均取得了显著进展。尽管与国
际先进水平相比，我国在产业规模、技术水平和产业集中度上仍存在一定的差距，但这一差距正在逐渐缩小
。
（2）新产业、新业态、新模式的发展情况及未来发展趋势
1）人工智能及数据中心建设
随着人工智能、数据挖掘等新技术发展，海量数据产生及对其计算和处理成为数据中心发展关键，数据
中心作为AI重要的基础设施，迎来新一轮的建设热潮。
AI模型训练和推理对算力需求不断增强，数据中心建设装机进入扩张期。根据IEA数据统计显示，全球
已部署的数据中心装机容量从2005年的21.4GW增至2021年的66.9GW，预计2025年将攀升至114.3GW，比20年
前增长逾5倍。并且根据其测算，乐观假设下，2024-2030年数据中心总装机量CAGR高达21%，即使在悲观假
设下，2024-2030年数据中心总装机量CAGR仍能达到8%的增长。
2）AI算力服务器市场
服务器电源供电、CPU/GPU主板供电、同步整流、PFC、LLC、散热等部件中，广泛应用SGTMOSFET、SJMO
SFET、高密度功率模块、GateDriver、DrMOS等功率半导体。
在AI应用需求的驱动下，服务器市场正进入一个长周期的快速增长阶段。根据IDC数据，2024年全球服
务器行业整体表现强劲，尤其是AI服务器市场增长显著。2024年全球服务器市场规模达到约1,693.4亿美元
，预计2031年将达到2,812.6亿美元，2025-2031期间年复合增长率为7.4%。AI服务器市场表现出色，2024年
全球AI服务器市场规模为1,251亿美元，预计2025年将达到1,587亿美元，到2028年有望突破2,227亿美元。
工信部《算力基础设施高质量发展行动计划》显示，2023年我国算力规模达到220EFLOPS，其中智能算
力占25%，目标到2025年，算力规模超过300EFLOPS，智能算力占比达到35%。
3）新能源汽车领域
中国汽车工业协会数据，2025年上半年，我国汽车产销量分别达1,562.1万辆和1,565.3万辆，同比分别
增长12.5%和11.4%。其中，新能源汽车产销量分别达696.8万辆和693.7万辆，同比分别增长41.4%和40.3%，
新能源汽车新车销量达到汽车新车总销量的44.3%。具体来看，以旧换新政策持续显效带动，内需市场显著
改善，新能源汽车延续快速增长态势，1-6月国内销量587.8万辆，同比增长35.5%，持续拉动产业转型升级
。总体来看，全球半导体分立器件最大的应用领域之一仍是汽车领域，主要终端应用的稳定增长，为功率分
立器件奠定稳固的基本需求，但行业竞争依然激烈。
新能源汽车持续提升充电功率、缩短充电时间，电压平台从400V提升到800V、1000V甚至更高的水平，
高电压成为了新能源汽车行业的发展趋势。为实现能量转换及传输，新能源汽车中新增了电机控制系统、DC
/DC模块、高压辅助驱动、车载充电系统OBC、电源管理IC等部件，其中的功率半导体含量大大增加。从半导
体种类上看，汽车半导体可大致分为功率半导体（IGBT和MOSFET等）、MCU和智能驾驶AI芯片、传感器及其
他元器件等。随着汽车智能化发展，ADAS、安全、信息娱乐等功能需要MOSFET作为电能转换基础器件支撑数
字、模拟等芯片完成功能实现。在器件层面，高效的IGBT、SiC或GaN器件，通过先进封装技术改善散热条件
、降低寄生参数以提高功率模块可靠性，最终实现在高压、高温、高速的工况下的能量转换效率。在系统层
面，随着动力域将机械、电能转换及热管理等耦合部件进行融合，通过智能化可将参数优化程度提升，利用
大数据可对动力系统的子系统进行远程标定和模拟测试以达到更高的电力转换效率。在整车层面，可通过数
字化将电机驱动、热管理、转向和制动等部件联接，实现能效互补。
功率半导体在新能源汽车半导体价值量中的占比高达50%左右。第三方市场调研机构Omdia曾预测，2025
年全年车规级半导体市场规模将达到804亿美元，中国市场规模达到216亿美元，其中功率半导体占比将突破
30%。
4）充电桩
中国电动汽车充电基础设施促进联盟（EVCIPA）发布数据显示，2025年1-6月，全国充电基础设施增量
为328.2万个，同比上升99.2%。其中公共充电设施增量为51.7万个，同比增长30.6%，私人充电设施增量为2
76.5万个，同比上升120.8%。截至2025年6月，全国充电设施累计数量已突破1,610万个，同比增长55.6%。
充电模块作为充电桩的核心部件，其核心功能的实现主要依托于功率半导体器件发挥整流、稳压、开关
、变频等作用，随着用户更加追求充电系统的小型化、高效化，功率器件作为充电桩的核心器件，也面临着
不断优化和升级。在公共直流充电桩所需的工作功率和电流要求下，其采用的功率器件以高压MOSFET为主。
超级结MOSFET因其更低的导通损耗和开关损耗、高可靠性、高功率密度成为主流的充电桩功率器件应用产品
，具体应用于充电桩的功率因数校正（PowerFactorCorrection，“PFC”）、直流-直流变换器以及辅助电
源模块等。
此外，液冷成为解决大功率散热的有效途径，或将成为技术突破主线。相较于传统的风冷充电桩，液冷
充电桩的区别主要在于使用了液冷充电模块，并且配备了液冷枪线。液冷充电枪散热性能更好，充电效率更
高，且更轻、更方便；而液冷模块相较于传统的风冷模块散热效果更好、更可靠、防护高、安全性高、噪音
低、有更低的全生命周期成本，高压快充趋势下未来液冷充电枪及液冷模块的生产及全液冷充电站的建设或
迎来高增，从而带动模块用功率器件的快速增长。
5）5G基站
根据工业和信息化部发布的2025年上半年通信业经济运行情况数据显示：截至2025年6月末，5G基站总
数达454.9万个，比上年末净增29.8万个，占移动基站总数的35.7%，占比较一季度提高1.3个百分点。
5G基站采用MassiveMIMO等技术，单扇区输出功率从4G的40-80W提升至200W以上，同时基带处理单元（B
BU）功率超过1000W，这种高功率需求推动5G通信基站建设需要大量的功率半导体器件，尤其是氮化镓（GaN
）等新型器件，凭借其高功率密度、高频特性和高效能，成为5G基站射频功率放大的核心选择，其耐高压、
耐高温特性，又能使基站模块实现小型化设计，降低部署成本。
6）光伏逆变及储能
根据国家能源局发布的2025年上半年光伏发电建设情况：全国光伏新增并网2.12亿千瓦，其中集中式光
伏约1亿千瓦，分布式光伏1.13亿千瓦。截至2025年6月底，全国光伏发电装机容量达到约11亿千瓦，同比增
长54.1%，其中集中式光伏6.06亿千瓦，分布式光伏4.93亿千瓦。今年上半年，全国光伏累计发电量5,591亿
千瓦时，同比增长42.9%，全国光伏发电平均利用率94%。
根据CNESADataLink全球储能数据库不完全统计，截止到2024年底，全国新型储能累计装机首次超过百
吉瓦时，达到78.3GW/184.2GWh，同比增长126.5%/147.5%，新增新型储能投运装机规模43.7GW/109.8GWh，
同比增长103%/136%。各地“十四五”储能发展累计目标达到86.6GW，远超国家的40GW目标水平。CNESA预测
，2025年新型储能新增装机预计在40.8GW~51.9GW之间，平均45GW左右。储能技术的不断创新将推动产业升
级，大容量储能电芯的研发和量产将进一步加速，长时储能技术也将迎来大规模增长，满足新能源电力系统
对长时间储能的需求。此外，人工智能技术将在新型储能领域得到更广泛的应用，提高储能系统的安全性和
稳定性。应用场景从传统的发电侧、电网侧和用户侧，向交通、工业、建筑等多领域渗透。
（二）主要业务、主要产品或服务情况
1、主要业务
公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，产品专注于工业及汽车相关等
中大功率应用领域。公司凭借优秀的半导体器件与工艺创新能力，集中优势资源聚焦新型功率器件的开发，
是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一，并在应用于工业级及汽车级领域的
超级结MOSFET、中低压功率器件等产品领域实现了国产化替代，产品获得工业和车载重要客户认可。
（1）Si基器件（含超级硅MOSFET）业务进展
车载电子领域：批量出货给比亚迪、铁城信息、英搏尔、欣锐科技、汇川技术、阳光电源、陆巡科技、
英威腾等公司。公司多次获得比亚迪全资子公司弗迪动力有限公司颁发的“优秀供应商”荣誉称号、英博尔
公司颁发的“优秀合作伙伴奖”等；
直流充电桩领域：批量出货给客户A、特来电、通合电子、汇川技术、麦格米特、永联科技、安德普电
源、英飞源、优优绿能、阳光电源等公司，保持在该市场的主导地位。公司与国内各主要的充电桩电源模块
厂商均建立了广泛而深入的合作关系；
服务器电源、通信电源和基站电源领域：批量出货给客户A、维谛技术、台达、世纪云芯、东科半导体
、超聚变数字、欧陆通、长城科技、中恒电气、中兴康讯、铂科电子等公司；
光伏逆变器及储能领域：批量出货给客户A、新明海科技、三晶电气、麦田能源、艾罗网络、德业科技
、古瑞瓦特、固德威等公司；
泛工业领域：批量出货给视源股份、航嘉（Huntkey）、高斯宝、明纬电子、天力电源、联明电源、洛
仑兹技术等客户，并持续为上述客户开发新的产品规格；
高密度电源领域：批量出货航嘉驰源、视源股份、英威腾、升华电源、硕通电子等客户；报告期内，作
为高性能电源的核心器件，超级结MOSFET在数据中心服务器电源等领域的业务继续保持增长；公司中低压屏
蔽栅MOSFET、TGBT销售额及销售量较上年同期均显著增长。
（2）SiC器件（含SiCMOSFET）业务进展
报告期内，公司在SiC系列产品上的推进效果显著，推出多款涵盖多种封装形式的MOSFET产品，形成了
丰富的产品规格供客户选择。公司第二代、第三代650V和1200V平台的多个SiCMOSFET产品进入稳定交付阶段
，销量增长。报告期内，公司率先推出了性能优良的1400V系列产品，该系列产品已通过客户的测试并获得
订单。公司650V/750V/1200V的第四代SiCMOSFET研发成功，正在积极推进客户验证。
公司致力于发展全球客户，产品进入算力电源、基站电源、电动工具、新能源汽车车载充电机、工业电
源、工业控制、家电、工业照明等领域，并实现了批量出货。未来，公司将持续专注于工业及汽车相关等中
大功率应用领域，坚持技术创新驱动，以成为国际领先的功率半导体厂商为目标，为终端客户创造更大价值
。
2、主要产品
公司的主要产品包括GreenMOS系列超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低压屏蔽栅2MOSFET、TGBT
系列IGBT产品、SiC器件（含SiCMOSFET）以及高密度功率模块。公司的产品广泛应用于以5G基站电源及通信
电源、数据中心和算力服务器电源、车载充电机、车身加热和平衡系统、UPS电源和工业照明电源、新能源
汽车直流充电桩、光伏逆变及储能为代表的工业级应用领域，以及以PC电源、适配器、TV电源板、手机快速
充电器为代表的消费电子应用领域。
公司上述产品的具体介绍如下：
（1）超级结MOSFET
公司的超级结MOSFET产品主要为GreenMOS产品系列，全部采用超级结的技术原理，具有开关速度快、动
态损耗低、可靠性高的特点及优势。
（2）中低压屏蔽栅MOSFET
公司的中低压MOSFET产品均采用屏蔽栅结构，主要包括SFGMOS产品系列以及FSMOS产品系列。其中，公
司的SFGMOS产品系列采用自对准屏蔽栅结构，兼备了传统平面结构和屏蔽栅结构的优点，并具有更高的工艺
稳定性、可靠性及更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效率等优点。公司中低压功率器件产品涵盖
25V-250V工作电压，可广泛应用于电机驱动、同步整流等领域。
公司的FSMOS产品系列采用基于硅基工艺与电荷平衡原理的新型屏蔽栅结构，兼备普通VDMOS与分裂栅器
件的优点，具有更高的工艺稳定性、可靠性。公司推出全系列采用CopperClip技术封装的超低导通电阻的产
品，器件优值得以提高，具备更高的应用效率与系统兼容性。
（3）超级硅MOSFET
公司的超级硅MOSFET产品是公司自主研发、性能对标氮化镓功率器件产品的高性能硅基MOSFET产品。公
司的超级硅MOSFET产品通过调整器件结构、优化制造工艺，突破了传统硅基功率器件的速度瓶颈，在电源应
用中达到了接近氮化镓功率器件开关速度的水平。特别适用于各种高密度高效率电源，
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