经营分析☆ ◇688261 东微半导 更新日期：2025-05-03◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.前5名客户营业收入表】【4.前5名供应商采购表】
【5.经营情况评述】
【1.主营业务】
高性能功率器件研发与销售。
【2.主营构成分析】
截止日期:2024-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
集成电路(行业) 10.03亿 99.94 1.43亿 99.61 14.25
其他业务(行业) 63.04万 0.06 55.52万 0.39 88.07
─────────────────────────────────────────────────
功率半导体产品(产品) 9.39亿 93.59 1.33亿 92.84 14.18
晶圆(产品) 6368.50万 6.35 971.14万 6.77 15.25
其他业务(产品) 63.04万 0.06 55.52万 0.39 88.07
─────────────────────────────────────────────────
境内(地区) 9.85亿 98.21 1.40亿 97.32 14.16
境外(地区) 1729.64万 1.72 329.42万 2.30 19.05
其他业务(地区) 63.04万 0.06 55.52万 0.39 88.07
─────────────────────────────────────────────────
经销模式(销售模式) 6.56亿 65.38 8592.07万 59.92 13.10
直销模式(销售模式) 3.47亿 34.56 5692.10万 39.69 16.42
其他业务(销售模式) 63.04万 0.06 55.52万 0.39 88.07
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2024-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
功率半导体产品(产品) 3.90亿 93.05 5413.93万 93.11 13.87
晶圆(产品) 2916.33万 6.95 400.36万 6.89 13.73
─────────────────────────────────────────────────
境内(地区) 4.12亿 98.13 5653.47万 97.23 13.73
境外(地区) 786.07万 1.87 160.82万 2.77 20.46
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2023-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
集成电路(行业) 9.73亿 100.00 2.21亿 100.00 22.73
─────────────────────────────────────────────────
功率半导体产品(产品) 9.00亿 92.53 2.11亿 95.34 23.42
晶圆(产品) 7271.67万 7.47 1029.50万 4.66 14.16
─────────────────────────────────────────────────
境内(地区) 9.60亿 98.68 2.17亿 98.22 22.63
境外(地区) 1282.49万 1.32 392.58万 1.78 30.61
─────────────────────────────────────────────────
经销模式(销售模式) 6.87亿 70.63 1.37亿 61.87 19.91
直销模式(销售模式) 2.86亿 29.37 8432.58万 38.13 29.52
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2023-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
功率半导体产品(产品) 4.93亿 92.42 --- --- ---
晶圆(产品) 4040.40万 7.58 --- --- ---
─────────────────────────────────────────────────
境内(地区) 5.26亿 98.69 --- --- ---
境外(地区) 700.14万 1.31 --- --- ---
─────────────────────────────────────────────────
【3.前5名客户营业收入表】
截止日期:2024-12-31
前5大客户共销售4.62亿元，占营业收入的46.04%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│客户名称 │ 营收额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│客户一 │ 13549.79│ 13.51│
│客户二 │ 12201.40│ 12.16│
│客户三 │ 8327.40│ 8.30│
│客户四 │ 6155.91│ 6.14│
│客户五 │ 5949.28│ 5.93│
│合计 │ 46183.78│ 46.04│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【4.前5名供应商采购表】
截止日期:2024-12-31
前5大供应商共采购8.39亿元，占总采购额的93.04%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│供应商名称 │ 采购额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│供应商一 │ 64172.51│ 71.20│
│供应商二 │ 7108.26│ 7.89│
│供应商三 │ 4285.65│ 4.75│
│供应商四 │ 4260.46│ 4.73│
│供应商五 │ 4032.66│ 4.47│
│合计 │ 83859.54│ 93.04│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【5.经营情况评述】
截止日期:2024-12-31
●发展回顾:
一、经营情况讨论与分析
2024年，全球经济形势复杂多变，面对全球经济增速放缓、市场需求相对供给不足、价格整体偏弱等多
重外部挑战，公司始终坚持以技术创新为驱动的理念，纵向持续深耕高性能功率半导体领域，横向拓展丰富
产品线。2024年是半导体行业展现复苏曙光的一年，随着人工智能、大数据、云计算等技术的快速发展，对
逻辑芯片和存储芯片的需求呈现出爆发式增长，而在其他一些传统或特定应用领域的半导体产品，由于技术
更新换代较慢、市场竞争激烈、需求饱和等原因，出现了增长乏力甚至负增长的情况，整体来看，各细分领
域复苏进度并不一致。在此背景下，公司持续保持研发投入，积极扩充技术人才队伍，丰富产品品类与产品
规格；进一步深化与行业上游的晶圆制造厂商、封装测试厂商等供应商的业务和技术合作关系，有效保障产
能供给，持续进行前沿技术的合作。
（一）整体经营业绩情况
报告期内，公司实现营业收入10.03亿元，较上年同期增加3.12%；实现归属于上市公司股东的净利润40
23.51万元，较上年同期减少71.27%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润231.93万元，
较上年同期减少98.06%。公司产品广泛应用于5G基站电源及通信电源、数据中心和算力服务器电源、车载充
电机、UPS电源和工业照明电源、新能源汽车直流充电桩、光伏逆变及储能等工业级与汽车级领域，以及以P
C电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器为代表的消费电子领域，减少对单一市场及单一产品的依赖性
，持续提升产品性能，提高供货能力，不断满足客户对高性能功率半导体产品的需求。报告期内，公司保持
了主要产品高压超级结MOSFET销量的同比上升，整体销售规模较上年同期小幅增加，但由于产品销售价格的
下降，公司毛利率有所下降，企业盈利承受一定压力。
（二）持续技术迭代，强化研发体系建设
报告期内，公司积极推进主营产品高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET、TGBT、SiCMOSFET（含SiC
MOSFET）产品线的技术迭代和产品升级。硅基产品线，在充分利用8英寸晶圆代工平台制造能力的基础上，1
2英寸晶圆代工平台由产能扩充阶段全面进入到产品升级阶段，主力规格产品的升级基本完成。同时，公司
进一步加大第三代半导体的产品线扩展以及第四代半导体的研发。其中，第三代半导体SiCMOSFET产品线实
现量产，产品性能达到国内外第一梯队水平。
综上，报告期内，公司持续保持研发投入，主营产品技术迭代和产品升级有序进行。同时，公司的研发
管理体系与质量体系持续改进，多个数字化系统的功能得以优化，车规产品管理评审流程得以健全。公司自
研的新一代产品生命周期管理系统上线开发，旨在进一步推动研发效率的提升。
（三）持续稳定供应商关系，保证产能及时交付
报告期内，公司与上游晶圆制造企业华虹半导体、粤芯半导体及DBHitek等厂商继续保持稳定的业务和
技术合作关系。在第三代半导体领域，公司与多家SiC代工厂进行SiC二极管、SiCMOSFET以及SiCMOSFET的深
入合作，保障公司第三代半导体产品系列研发工作的有序推进及产能供应，通过合理有效的采购方式应对产
能供给的周期性变化，降低产能波动对公司产品交付及时性的影响。公司持续关注并协助开发适合于晶圆合
作伙伴的创新工艺流程，根据合作伴的制造能力进行深度定制化开发适配的工艺及产品，持续保持双方技术
能力的相互促进和共同提升。
（四）持续聚焦产业链上下游布局，提升产业协同，赋能公司发展
公司投资的产业基金苏州工业园区苏纳微新创业投资合伙企业（有限合伙）、苏州工业园区智源微新创
业投资合伙企业（有限合伙），主要对半导体行业及新能源等半导体产业链上下游相关领域的企业和基金进
行投资，投资项目涉及第三代半导体材料、高端深度特色工艺晶圆厂、IGBT模块、车规级高可靠性集成方案
以及光伏逆变器企业等。公司密切关注优质资产及并购机会，综合考虑业务、上下游产业链协同、公司发展
战略规划等情况，充分评估风险收益，谨慎决策。公司对于上下游产业链的投资布局，中长期来看有利于提
升与东微半导的产业链协同效应，推动公司持续、快速、稳定、健康发展。
（五）减排增效，践行可持续发展理念
公司秉持“稳健发展，保护环境”的管理方针，坚定不移地将绿色低碳理念全方位融入生产经营的每一
处环节。持续发力完善环境管理体系建设，大力推行绿色办公理念，致力于为我国顺利实现“双碳”目标贡
献东微力量。未来，公司将持续践行可持续发展理念，根据ESG工作规划不断完善自身制度建设，回应利益
相关方，在日常经营的各个方面完成ESG相关的举措。
二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明
(一)主要业务、主要产品或服务情况
1、主要业务
公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，产品专注于工业及汽车相关等
中大功率应用领域。公司凭借优秀的半导体器件与工艺创新能力，集中优势资源聚焦新型功率器件的开发，
是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一，并在应用于工业级及汽车级领域的
高压超级结MOSFET、中低压功率器件等产品领域实现了国产化替代。公司近年积极扩展高性能中低压功率器
件产品系列，多个大电流低导通电阻产品获得工业和车载重要客户认可，订单需求上升。公司基于自主专利
技术开发出的650V、1200V及1350V等电压平台的多种TGBT器件，已批量进入光伏逆变、储能、直流充电桩、
电机驱动等应用领域的多个头部客户。公司第二代、第三代650V和1200V平台的SiCMOSFET多个产品已完成量
产考核，进入批量供货阶段，具有低导通电阻以及覆盖车规级高可靠性要求等特点。650V/750V/1200V的第
四代SiCMOSFET研发成功，性能处于国内领先水平，目前已进入送样验证阶段。此外，公司基于自主专利技
术开发出的SiCMOSFET器件拥有极好的栅氧可靠性，同时具有优秀的反向恢复时间和反向恢复电荷，已经用
于新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能等领域。
（1）Si基器件（含超级硅MOSFET）业务进展
1）MOSFET
新能源汽车是公司一直以来的重点应用方向。公司高压超级结MOSFET产品继续批量出货给比亚迪、铁城
信息、英搏尔、欣锐科技、汇川技术、阳光电源、陆巡科技、英威腾等公司应用于车载电子领域。公司多次
获得比亚迪全资子公司弗迪动力有限公司颁发的“优秀供应商”荣誉称号、英博尔公司颁发的“优秀合作伙
伴奖”等。随着新能源汽车高压平台车型陆续上市，渗透率不断提高，对于直流快充/超充桩/液冷终端需求
也将不断攀升。直流充电桩领域是公司基础应用方向，公司与国内各主要的充电桩电源模块厂商均建立了广
泛深入的合作关系，持续批量出货给客户A、特来电、通合电子、汇川技术、麦格米特、永联科技、安德普
电源、英飞源、优优绿能、阳光电源等公司，保持在该市场的主导地位。作为高性能电源的核心器件，超级
结MOSFET在数据中心服务器电源等领域的业务继续保持增长，继续批量出货给客户A、维谛技术、超聚变数
字、欧陆通、长城科技、中恒电气、中兴康讯、铂科电子等应用于服务器电源、通信电源和基站电源领域的
公司；继续批量出货给客户A、禾迈股份、新明海科技、三晶电气、麦田能源、艾罗网络、德业科技、古瑞
瓦特、固德威等公司并应用于光伏逆变器及储能领域。报告期内，上述细分市场持续增加设计规格。
报告期内，公司中低压屏蔽栅MOSFET获得工业和车载重要客户认可，销售额及销售量均同比增长。持续
批量出货给客户A、长晶科技、世纪云芯、东科半导体、铂科电子、长城科技、欧陆通、美的股份等公司并
大量应用于算力服务器电源系统、汽车、工业及消费电子设备领域，并且持续增加规格设计。
除此之外，公司还在其他工业领域有着广泛的市场客户群体，继续批量出货给视源股份、航嘉（Huntke
y）等公司，并持续增加设计规格。批量出货给高斯宝、明纬电子、天力电源、联明电源、洛仑兹技术等客
户。
公司超级硅MOSFET器件主要应用于高密度电源领域，批量进入航嘉驰源、视源股份、艾罗网络、禾迈股
份、升华电源、硕通电子等客户。
2）三栅IGBT（TGBT）
公司加大了TGBT大功率产品的研发投入，积极拓展除微型逆变器及储能之外的其他光储、电站应用场景
，并配合终端IGBT模块厂商进行电站、新能源汽车领域的客户导入、产品验证工作，获得终端客户的好评。
公司E系列高速TGBT产品被批量应用于60kHz频率电源系统，实现高速IGBT领域的国产替代。L系列TGBT实现
了极低的Vcesat，对国外的超低VcesatIGBT实现了替代。2024年，公司推出了性能更为优化的650V-1200V系
列产品，多款高速TGBT产品批量供应于新能源车载充电器领域。基于950V平台产品的330KW功率模块已经批
量用于国内一线厂商的光伏发电方案；下半年新研发出多款1200V短路性能优良的规格型号，已经通过部分
工业电机及光伏逆变类客户验证并进入批量交付阶段。
2（2）SiC器件（含SiCMOSFET）业务进展
公司积极布局基于第三代功率半导体SiC材料的功率器件领域。报告期末，公司的SiC二极2管、SiCMOSF
ET、具有自主知识产权的SiCMOSFET均已经实现量产。其中，公司第二代、第三代650V和1200V平台的SiCMOS
FET多个产品已完成量产考核，进入批量供货阶段；650V/750V/1200V的第四代SiCMOSFET研发成功，已进入
送样验证阶段，预计2025年批量供货。2SiCMOSFET应用领域包括新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、
高效率通信电源、数据中心服务器高效率电源等，实现了对采用传统技术路线的SiCMOSFET的替代。
公司致力于发展全球客户，产品进入算力电源、基站电源、电动工具、新能源汽车车载充电机、工业电
源、工业控制、家电、工业照明等领域，并实现了批量出货。未来，公司将持续专注于工业及汽车相关等中
大功率应用领域，坚持技术创新驱动，以成为国际领先的功率半导体厂商为目标，为终端客户创造更大价值
。
2、主要产品
公司的主要产品包括GreenMOS系列高压超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低压屏蔽栅MOSFET、T
GBT系列IGBT产品以及SiC器件（含SiCMOSFET）。公司的产品广泛应用于以5G基站电源及通信电源、数据中
心和算力服务器电源、车载充电机、UPS电源和工业照明电源、新能源汽车直流充电桩、光伏逆变及储能为
代表的工业级应用领域，以及以PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器为代表的消费电子应用领域。
（1）高压超级结MOSFET
公司的高压超级结MOSFET产品主要为GreenMOS产品系列，全部采用超级结的技术原理，具有开关速度快
、动态损耗低、可靠性高的特点及优势。
（2）中低压屏蔽栅MOSFET
公司的中低压MOSFET产品均采用屏蔽栅结构，主要包括SFGMOS产品系列以及FSMOS产品系列。其中，公
司的SFGMOS产品系列采用自对准屏蔽栅结构，兼备了传统平面结构和屏蔽栅结构的优点，并具有更高的工艺
稳定性、可靠性及更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效率等优点。公司中低压功率器件产品涵盖
25V-250V工作电压，可广泛应用于电机驱动、同步整流等领域。
公司的FSMOS产品系列采用基于硅基工艺与电荷平衡原理的新型屏蔽栅结构，兼备普通VDMOS与分裂栅器
件的优点，具有更高的工艺稳定性、可靠性。公司推出全系列采用CopperClip技术封装的超低导通电阻的产
品，器件优值得以提高，具备更高的应用效率与系统兼容性。
（3）超级硅MOSFET
公司的超级硅MOSFET产品是公司自主研发、性能对标氮化镓功率器件产品的高性能硅基MOSFET产品。公
司的超级硅MOSFET产品通过调整器件结构、优化制造工艺，突破了传统硅基功率器件的速度瓶颈，在电源应
用中达到了接近氮化镓功率器件开关速度的水平。特别适用于各种高密度高效率电源，包括光伏逆变及储能
、直流充电桩、通信电源、工业照明电源、快速充电器、模块转换器、快充超薄类PC适配器、TV电源板等。
（4）TGBT
公司的IGBT产品采用具有独立知识产权的TGBT器件结构，区别于国际主流IGBT技术的创新型器件技术，
通过对器件结构的创新实现了关键技术参数的大幅优化，公司已有产品的工作电压范围覆盖600V-1350V，工
作电流覆盖15A-200A。公司的TGBT系列IGBT功率器件已逐渐发展出低导通压降、电机驱动、软恢复二极管、
逆导、高速和超高速等系列。其中，高速系列的开关频率可达100kHz；低导通压降系列的导通压降可降低至
1.5V及以下；超低导通压降系列的导通压降可达1.2V以下。
公司TGBT产品在不提高制造难度的前提下提升了电流密度，优化了内部载流子分布，调整了电场与电荷
的分布，同时优化了导通损耗与开关损耗，具有高功率密度、开关损耗低、可靠性高、自保护等特点，特别
适用于直流充电桩、变频器、储能逆变器、UPS电源、电机驱动、压缩机控制、电焊机、光伏逆变器等领域
。
（5）SiC器件（含SiCMOSFET）
公司的SiC器件包括SiC二极管、SiCMOSFET、SiCMOSFET等产品。其中，SiC二极管、SiCMOSFET全部使用
了SiC衬底，充分利用SiC宽禁带材料的耐高压和耐高温特性。公司SiC产品基于第一代技术的基础，迅速进
行技术迭代以应对近年国内SiC市场降本增效的需求。SiCMOSFET产品已经实现第二代、第三代技术平台的量
产，并推出了多款技术领先的产品，第四代SiCMOSFET平台也已完成研发。SiCMOSFET则部分使用了SiC衬底
，减少了SiC材料的用量。SiCMOSFET克服了传统SiCMOSFET成本高和Vth飘移的缺点，实现了高栅氧可靠性，
同时还实现了接近SiCMOSFET优秀的反向恢复能力，能够在一部分应用场景中取代SiCMOSFET。
(二)主要经营模式
公司作为专业的半导体功率器件设计及研发企业，自成立以来始终采用Fabless的经营模式。Fabless模
式指无晶圆厂模式，采用该模式的企业专注于芯片的研发设计与销售，将晶圆制造、封装、测试等生产环节
外包给第三方晶圆制造和封装测试企业完成。报告期内，公司主要经营模式未发生重大变化。
1、研发模式
公司产品的研发流程主要包括产品开发需求信息汇总、立项评估与可行性评估、项目设计开发、产品试
制以及测试验证等四个环节。该四项环节主要由研发部、运营部等合作完成，同时，研发部质量团队会全程
参与产品研发的所有环节，监督各环节的执行过程，以在全环节实现对产品质量的管控。公司已制定《产品
开发管理程序》，产品研发流程严格遵守该制度约定流程，并通过产品生命周期管理系统进行产品开发管控
。
公司根据各产品类型的市场需求与技术发展方向制定技术路线图，并结合晶圆代工和封装厂商的实际制
造能力、现有工艺和封测加工能力进行产品开发和设计工作。在产品研发设计过程中，公司同时关注并协助
开发适合于晶圆厂和封装厂的工艺流程。同时，公司具有深度定制开发的能力。在产品研发阶段，公司与晶
圆代工厂深度合作、共同研发，通过多次反复实验调整，使代工厂的工艺能更好地实现公司所设计芯片的性
能，最终推出极具性价比的产品，更好地贴合终端客户的需求。通过对代工厂传统工艺的优化，公司有能力
根据终端市场需求精确调整产品的设计。公司会与晶圆厂进行季度技术回顾（QuarterlyTechnologyReview
，“QTR”）与季度业务（QuarterlyBusinessReview，“QBR”)回顾，并陪同客户定期到晶圆厂进行审核。
同时，晶圆厂也会定期向公司提供制程能力（ComplexProcessCapability,“CPK”)管控数据及外观检测报
告。同时，公司也会对封测厂进行定期稽核，召开QBR并要求提供CPK数据、封装良率及测试良率的报告。公
司也会定期对厂家的管控计划提出意见，以保证产品质量。
2、采购与生产模式
公司采购的内容主要为定制化晶圆制造、封装及测试服务，以及实验室设备的采购。在Fabless模式中
，公司主要进行功率器件产品的研发、销售与质量管控，产品的生产采用委外加工的模式完成，即公司将自
主研发设计的集成电路版图交由晶圆厂进行晶圆制造，随后将制造完成的晶圆交由封测厂进行封装和测试。
公司的晶圆代工厂商和封装测试服务供应商均为行业知名企业。公司建立了以质量部为核心的质量管理体系
，有效提高了公司产品和服务的整体质量。公司拥有研发部、运营部、销售部等多个业务部门，且各部门职
能相对独立；同时，公司的质量部协助其他部门制定其操作规范、记录和整理日常的工作文档、监督和指导
各部门的工作和质量控制流程，其贯穿产品开发、生产、运营和销售的整个过程。
3、销售模式
结合行业惯例和客户需求情况，公司目前采用“经销加直销”的销售模式，即公司通过经销商销售产品
，也向终端系统厂商直接销售产品。在经销模式下，公司与经销商的关系主要为买断式销售关系，公司将产
品送至经销商或者经销商指定地点；在直销模式下，公司直接将产品销售给终端客户，公司将产品送至客户
指定地点。
公司建立了完善的客户管理制度，对于长期合作客户，公司与其签订框架合作协议，并安排专员提供全
方位服务；对于其他客户，公司根据订单向其供货。半导体行业上下游之间粘性较强，公司产品需要通过较
为严格的质量认证测试，一旦受到客户的认可和规模化使用后，双方将形成长期稳定的合作关系。
4、管理模式
自创立以来，公司汇聚了国内外优秀的技术和管理专家，积累了丰富的产品开发和营销经验，经过多年
的摸索和融合，逐渐建立了符合自身发展的管理理念和管理体系。公司在日常管理中采用了关键绩效指标管
理和综合评分制，会与每个员工明确各自的主要责任，并以此为基础设立相应的业绩衡量指标。从管理架构
上，公司采取矩阵式管理。矩阵式管理既保持了产品开发及售后维护的专业性，不断提高和积累技术能力，
又能明确项目的责任人和各成员的分工和目标，以确保相应任务高质量完成。
(三)所处行业情况
1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
（1）所处行业
公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，根据中华人民共和国国家统计
局发布的《国民经济行业分类（GB/T4754-2017）》，公司所处行业为“计算机、通信和其他电子设备制造
业”（C39），所处行业属于半导体行业中的功率半导体细分领域。
（2）行业发展阶段
①全球功率半导体市场分析
在功率半导体发展过程中，20世纪50年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20
世纪60至70年代，晶闸管等半导体功率器件快速发展。20世纪70年代末，平面型功率MOSFET发展起来。20世
纪80年代后期，沟槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，半导体功率器件正式进入电子应用时代。20世纪90年代
，超级结MOSFET逐步出现，打破了传统硅基产品的性能限制以满足大功率和高频化的应用需求。进入21世纪
，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料逐渐崭露头角，它们具有高耐压、高温工作
、低损耗等显著优点。功率半导体发展过程的每个阶段都标志着电力电子技术的重大进步，使得电能的利用
更加高效、灵活和可靠，而且功率半导体已广泛应用于电力、交通、通信、工业自动化、新能源等多个领域
，因此，功率半导体技术的发展水平直接关系到一个国家能源利用效率和高端装备制造能力。对国内市场而
言，功率二极管、功率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而功率MOSFET特别是超级结MO
SFET、IGBT等高端分立器件产品由于其技术及工艺的复杂度，还较大程度上依赖进口，未来进口替代空间巨
大。
据WSTS预计，2024年全球半导体市场规模的增长将主要由逻辑芯片和存储芯片推动，增幅分别达到两位
数，而分立器件、光电子器件等领域的规模将出现个位数下降。从产品结构看，2024年逻辑芯片和存储芯片
出现了两位数增长，其中，GPU、FPGA、ASIC等逻辑芯片增速高于行业平均增速，这得益于AI大模型对底层
大模型算力需求的激增。而分立器件、光电器件、传感器和模拟芯片预计出现2%-10%负增长。这种产品结构
的增长差异，反映了市场需求的不均衡性。根据Omida的数据及预测，全球功率半导体市场规模2023年达到5
03亿美元，2024年全球功率半导体市场规模将增长至522亿美元，到2027年市场规模将达到596亿美元，其中
功率IC市场占54.8%，功率分立器件占30.1%，功率模块占15.1%。随着信息技术的不断发展，计算和通信领
域对半导体芯片的需求持续增长，无论是服务器、数据中心等计算设备，还是5G、6G等通信技术的发展，都
离不开高性能的半导体芯片。汽车行业的电动化、智能化发展趋势，也促使汽车对半导体芯片的需求大增，
从传统的发动机控制到自动驾驶、智能座舱等功能的实现，都需要大量的半导体芯片支持。
②中国市场分析
目前国内功率半导体产业链正在日趋完善，技术也正在取得突破。同时，中国也是全球最大的功率半导
体消费国。根据Omdia数据及预测，中国功率半导体市场规模，预计在2024年将达到206亿美元，占全球市场
规模约为38%。
（3）行业的主要特点
①功率半导体器件专注于技术和工艺改进以及新材料迭代
功率半导体器件属于特色工艺产品，不同于集成电路产品依赖尺寸，在制程方面不追求极致的线宽，不
遵守摩尔定律。功率半导体器件的性能演进呈现平缓的趋势，目前制程基本稳定在90nm-0.35μm之间。功率
器件发展的关键点主要包括技术创新、制造工艺升级、封装技术及基础材料的迭代。
②IDM与Fabless模式并存，技术迭代与产能供给同步发展
目前，半导体企业采用的经营模式可以分为IDM模式和Fabless模式。IDM模式为垂直整合元件制造模式
，系早期半导体企业广泛采用的模式，采用该模式的企业可以独立完成芯片设计、晶圆制造、封装和测试等
各垂直的生产环节。Fabless模式指无晶圆厂模式，采用该模式的企业专注于芯片的研发设计与销售，将晶
圆制造、封装、测试等生产环节外包给第三方晶圆制造和封装测试企业完成。IDM模式具有技术的内部整合
优势，有利于积累工艺经验，形成核心竞争力。随着芯片终端产品和应用的日益繁杂，芯片设计难度快速提
升，研发所需的资源和成本持续增加，促使全球半导体产业分工细化，Fabless模式已成为芯片设计企业的
主流经营模式之一。另外由于半导体行业的周期性，IDM公司极容易受制于原有固定产能，陷入被动局面。
因此，行业整体呈现IDM模式与Fabless模式共存的局面，同时也是功率半导体企业商业模式未来的发展方向
，既能随市场波动及时扩大或减少产能，也可以就近满足区域性市场需求。
③多细分场景需求日益多元，依赖特色工艺平台的定制化能力
“平台化多样性”是特色工艺企业构筑竞争壁垒、打造竞争优势的核心武器，工艺平台越强大的企业，
其在技术经验、服务能力和特殊化开发能力方面越具有深厚的优势。功率半导体行业细分需求多样化，功率
半导体企业从主营产品系列具体到料号、规格、电压、电流、面积、导通电阻、封装、技术特点及应用领域
，可交叉组合形成数千种产品型号。功率半导体产品由于根据客户定制要求所产生的细分需求多样化，因而
企业想要在行业内获得足够的市场竞争力，对于特色化工艺平台的定制化能力要求极高。
（4）主要技术门槛
功率半导体器件的研发、设计需要企业研发团队综合掌握器件结构、晶圆制造工艺、封装测试等多领域
的技术。在功率半导体器件中，超级结MOSFET、高性能IGBT、高性能SGTMOSFET、SiCMOSFET及GaNHEMT的技
术门槛较高。上述这些功率器件中，器件的性能一方面可以通过改进核心器件结构的设计来提升，另一方面
可以通过改进制造工艺或材料来达到目的。作为Fabless设计企业，研发设计人员一方面需持续跟踪掌握国
际先进技术理论、先进工艺方法，另一方面还需不断提出创新的器件结构来实现性能上的大幅提升。
功率器件不仅要保持在不同电流、电压、频率等应用环境下稳定工作，还需保持在开关损耗、导通损耗
、抗冲击能力、耐压、效率等性能上进行平衡，这些性能均需经过大量的仿真设计和流片验证。此外，下游
客户不仅对功率半导体的性能和成本提出了差异化的要求，还对产品在各种应用环境下的耐久可靠性提出较
高的要求，因此研发设计人员还需掌握不同应用的电路拓扑及可靠性改进方法。因此，企业研发及工程团队
需要拥有丰富的技术工艺经验、持续技术创新能力、芯片产业化等能力，才能持续保持市场
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