经营分析☆ ◇688261 东微半导 更新日期：2024-05-01◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.前5名客户营业收入表】【4.前5名供应商采购表】
【5.经营情况评述】
【1.主营业务】
高性能功率器件研发与销售。
【2.主营构成分析】
截止日期:2023-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
───────────────────────────────────────────────
功率半导体产品(产品) 4.93亿 92.42 --- --- ---
晶圆(产品) 4040.40万 7.58 --- --- ---
───────────────────────────────────────────────
境内(地区) 5.26亿 98.69 --- --- ---
境外(地区) 700.14万 1.31 --- --- ---
───────────────────────────────────────────────
截止日期:2022-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
───────────────────────────────────────────────
集成电路(行业) 11.16亿 100.00 3.79亿 100.00 33.96
───────────────────────────────────────────────
功率半导体产品(产品) 10.47亿 93.79 3.65亿 96.35 34.88
晶圆(产品) 6931.80万 6.21 1382.34万 3.65 19.94
───────────────────────────────────────────────
境内(地区) 10.94亿 98.01 3.74亿 98.63 34.17
境外(地区) 2225.77万 1.99 519.44万 1.37 23.34
───────────────────────────────────────────────
经销模式(销售模式) 7.79亿 69.81 2.69亿 71.00 34.53
直销模式(销售模式) 3.37亿 30.19 1.10亿 29.00 32.62
───────────────────────────────────────────────
截止日期:2022-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
───────────────────────────────────────────────
高压超级结MOSFET-成品(产品) 3.58亿 76.74 --- --- ---
中低压屏蔽栅MOSFET-成品(产品) 5094.09万 10.93 --- --- ---
中低压屏蔽栅MOSFET-晶圆(产品) 3361.12万 7.21 --- --- ---
IGBT-成品(产品) 1693.72万 3.63 --- --- ---
高压超级结MOSFET-晶圆(产品) 613.47万 1.32 --- --- ---
超级硅MOSFET-成品(产品) 67.84万 0.15 --- --- ---
IGBT-晶圆(产品) 16.74万 0.04 --- --- ---
───────────────────────────────────────────────
境内(地区) 4.52亿 96.83 --- --- ---
境外(地区) 1475.85万 3.17 --- --- ---
───────────────────────────────────────────────
截止日期:2021-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
───────────────────────────────────────────────
集成电路(行业) 7.82亿 100.00 2.25亿 100.00 28.72
───────────────────────────────────────────────
功率器件成品(产品) 6.55亿 83.75 1.86亿 82.61 28.33
晶圆(产品) 1.27亿 16.25 3907.22万 17.39 30.75
───────────────────────────────────────────────
境内(地区) 7.49亿 95.82 2.18亿 96.92 29.05
境外(地区) 3268.17万 4.18 690.90万 3.08 21.14
───────────────────────────────────────────────
经销模式(销售模式) 5.00亿 63.89 1.44亿 64.19 28.86
直销模式(销售模式) 2.82亿 36.11 8045.12万 35.81 28.49
───────────────────────────────────────────────
【3.前5名客户营业收入表】
截止日期:2023-12-31
前5大客户共销售5.49亿元，占营业收入的56.44%
┌───────────────────────┬──────────┬──────────┐
│客户名称 │ 营收额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼──────────┼──────────┤
│客户一 │ 16552.16│ 17.01│
│客户二 │ 13730.06│ 14.11│
│客户三 │ 12158.27│ 12.50│
│客户四 │ 8634.86│ 8.88│
│客户五 │ 3831.19│ 3.94│
│合计 │ 54906.54│ 56.44│
└───────────────────────┴──────────┴──────────┘
【4.前5名供应商采购表】
截止日期:2023-12-31
前5大供应商共采购8.92亿元，占总采购额的96.49%
┌───────────────────────┬──────────┬──────────┐
│供应商名称 │ 采购额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼──────────┼──────────┤
│供应商一 │ 74054.64│ 80.11│
│供应商二 │ 5210.89│ 5.64│
│供应商三 │ 4363.59│ 4.72│
│供应商四 │ 2812.92│ 3.04│
│供应商五 │ 2750.73│ 2.98│
│合计 │ 89192.77│ 96.49│
└───────────────────────┴──────────┴──────────┘
【5.经营情况评述】
截止日期:2023-06-30
●发展回顾:
一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
(一)所处行业情况
1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
（1）所处行业
公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，根据中华人民共和国国家统计
局发布的《国民经济行业分类（GB/T4754-2017）》，公司所处行业为“计算机、通信和其他电子设备制造
业”（C39），所处行业属于半导体行业中的功率半导体细分领域。
（2）行业发展概况
1全球功率半导体市场分析
在功率半导体发展过程中，20世纪50年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20
世纪60至70年代，晶闸管等半导体功率器件快速发展。20世纪70年代末，平面型功率MOSFET发展起来。20世
纪80年代后期，沟槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，半导体功率器件正式进入电子应用时代。20世纪90年代
，超级结MOSFET逐步出现，打破了传统硅基产品的性能限制以满足大功率和高频化的应用需求。对国内市场
而言，功率二极管、功率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而功率MOSFET特别是超级结
MOSFET、IGBT等高端分立器件产品由于其技术及工艺的复杂度，还较大程度上依赖进口，未来进口替代空间
巨大。根据Omdia预测，2022年全球功率半导体市场规模约为295.35亿美元，预计至2026年市场规模将增长
至358.65亿美元，2019-2026的年化复合增长率为5.8%。
2中国市场分析
目前国内功率半导体产业链正在日趋完善，技术也正在取得突破。同时，中国也是全球最大的功率半导
体消费国。根据Omdia预测：2022年中国功率半导体市场规模达到114.77亿美元，预计至2026年市场规模将
增长至131.76亿美元，2019-2026的年化复合增长率为4.7%，占全球市场比例接近37%。
3分产品市场分析
A.MOSFET
以光伏逆变及储能、新能源汽车为代表的产业飞速发展，驱动高端MOSFET市场稳定增长。
根据Omdia数据：2022年全球MOSFET市场为95亿美金，2018-2025年间市场有望维持4.2%的复合增速。20
22年中国功率MOSFET器件市场规模为44.80亿美元，功率MOSFET特别是超级结MOSFET等高端分立器件产品由
于其技术及工艺的复杂度，还较大程度上依赖进口，未来进口替代空间巨大。
相较于普通硅基MOSFET功率器件，高压超级结MOSFET功率器件系更先进、更适用于大电流环境下的高性
能功率器件。尽管未来在第三代半导体材料成熟后会有相应器件的推出，但是由于高压超级结MOSFET的产品
特性、生产成本等方面对于新能源等成长性应用领域的需求较为契合，行业生态不断向更高性能的产品演进
。
B.IGBT器件
国家在“十四五”期间将坚持清洁低碳战略方向，加快化石能源清洁高效利用，大力推动非化石能源发
展，持续扩大清洁能源消费占比，推动能源绿色低碳转型，为如期实现碳中和目标创造基础。光伏发电作为
绿色环保的发电方式，符合国家能源改革以质量效益为主的发展方向，国内光伏行业面临广阔的发展前景。
汽车电动化、网联化、智能化发展趋势带动汽车半导体需求大幅度增长。IGBT除了光伏发电、新能源汽车也
常被用于风电、工控、家电、轨交等领域，受益于碳中和趋势推动，IGBT迎来广阔的成长空间。
C.第三代半导体
面对国际社会在半导体领域的巨额投入、联合发展和技术产业封锁，国内各级政府从产业政策、发展规
划、技术研发、平台建设、应用推广、税收优惠等各方面对半导体产业进行全面支持，在政策驱动及应用需
求升级带动下，国内第三代半导体产业取得积极进展。根据Yole，2027年全球导电型碳化硅功率器件市场规
模将由2021年的10.90亿美元增至62.97亿美元，2021-2027年每年以34%年均复合增长率快速增长。汽车应用
主导SiC市场，占整个功率SiC器件市场的75%以上。根据TrendForce集邦咨询《2023GaN功率半导体市场分析
报告-Part1》显示，全球GaN功率元件市场规模将从2022年的1.8亿美金成长到2026年的13.3亿美金，复合增
长率高达65%。
（3）行业的主要特点
①功率半导体器件专注于技术和工艺改进以及新材料迭代
功率半导体器件属于特色工艺产品，不同于集成电路产品依赖尺寸，在制程方面不追求极致的线宽，不
遵守摩尔定律。功率半导体器件的性能演进呈现平缓的趋势，目前制程基本稳定在90nm-0.35μm之间。功率
器件发展的关键点主要包括技术创新、制造工艺升级、封装技术及基础材料的迭代。
②IDM与Fabless模式并存，技术迭代与产能供给同步发展
目前，半导体企业采用的经营模式可以分为IDM模式和Fabless模式。IDM模式为垂直整合元件制造模式
，系早期半导体企业广泛采用的模式，采用该模式的企业可以独立完成芯片设计、晶圆制造、封装和测试等
各垂直的生产环节。Fabless模式指无晶圆厂模式，采用该模式的企业专注于芯片的研发设计与销售，将晶
圆制造、封装、测试等生产环节外包给第三方晶圆制造和封装测试企业完成。IDM模式具有技术的内部整合
优势，有利于积累工艺经验，形成核心竞争力。随着芯片终端产品和应用的日益繁杂，芯片设计难度快速提
升，研发所需的资源和成本持续增加，促使全球半导体产业分工细化，Fabless模式已成为芯片设计企业的
主流经营模式之一。另外由于半导体行业的周期性，IDM公司极容易受制于原有固定产能，陷入被动局面。
因此，行业整体呈现IDM模式与Fabless模式共存的局面，同时也是功率半导体企业商业模式未来的发展方向
，既能随市场波动及时扩大或减少产能，也可以就近满足区域性市场需求。
③多细分场景需求日益多元，依赖特色工艺平台的定制化能力
新能源汽车尚处于发展初期，新机遇正在不断涌现，以车载电子、光伏逆变及储能为代表的多细分应用
场景需求趋于多元化。功率半导体企业从主营产品系列具体到料号、规格、电压、电流、面积、导通电阻、
封装、技术特点及应用领域，可交叉组合形成数千种产品型号。功率半导体产品由于根据客户定制要求所产
生的细分需求多样化，因而企业想要在行业内获得足够的市场竞争力，对于特色化工艺平台的定制化能力要
求极高。
（4）主要技术门槛
功率半导体器件的研发、设计需要企业研发团队综合掌握器件结构、晶圆制造工艺、封装测试等多领域
的技术。在功率半导体器件中，超级结MOSFET、高性能IGBT、高性能SGTMOSFET、SiCMOSFET及GaNHEMT的技
术门槛较高。上述这些功率器件中，器件的性能一方面可以通过改进核心器件结构的设计来提升性能，另一
方面可以通过改进制造工艺或材料来达到目的。作为Fabless设计企业，研发设计人员一方面需持续跟踪掌
握国际先进技术理论、先进工艺方法，另一方面还需不断提出创新的器件结构来实现性能上的大幅提升。
功率器件不仅要保持在不同电流、电压、频率等应用环境下稳定工作，还需保持开关损耗、导通损耗、
抗冲击能力、耐压、效率等性能上进行平衡，这些性能均需经过大量的仿真设计和流片验证。此外，下游客
户不仅对功率半导体的性能和成本提出了差异化的要求，还对产品在各种应用环境下的耐久可靠性提出较高
的要求，因此研发设计人员还需掌握不同应用的电路拓扑及可靠性改进方法。因此，企业研发及工程团队需
要拥有丰富的技术工艺经验、持续技术创新能力、芯片产业化等能力，才能持续保持市场竞争优势地位。新
进入者若缺乏上述的条件，则难以实现持续的业务增长和保持技术上的领先。
2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
基于多年的技术优势积累、产业链深度结合能力以及优秀的客户创新服务能力，公司已成为国内领先的
高性能功率半导体厂商之一。
（1）产品品类及技术方面
在超级结MOSFET领域，公司在高压超级结技术领域积累了包括优化电荷平衡技术、优化栅极设计及缓变
电容核心原胞结构等行业领先的专利技术，产品的关键技术指标达到了与国际领先厂商可比的水平。
在中低压屏蔽栅MOSFET领域，公司亦积累了包括优化电荷平衡、自对准加工等核心技术，产品的关键技
术指标达到了国内领先水平。
在IGBT领域，公司的TGBT产品是基于新型的TridentGateBipolarTransistor(简称Tri-gateIGBT)器件结
构的重大原始创新，基于此基础器件专利，具备了赶超目前国际最为先进的第七代IGBT芯片的技术实力。
在SiC领域，公司基于自主知识产权的Si2CMOSFET产品克服了传统SiCMOSFET成本高和Vth飘移的缺点，
实现了高栅氧可靠性。同时还实现了接近SiCMOSFET的优秀的反向恢复能力，能够取代一部分SiCMOSFET的应
用。
（2）产品结构方面
公司的功率器件产品包含了具有高技术含量的高压超级结MOSFET产品、极具竞争力的中低压屏蔽栅MOSF
ET以及独创结构、产品的关键技术指标达到了与国际领先厂商可比水平的TGBT产品。公司基于自主知识产权
的Si2CMOSFET产品在2023年上半年持续出货，可以实现对传统SiCMOSFET的互相替代，已经通过客户的验证
并小批量供货。其中，由于高压超级结MOSFET产品应用广泛且国外厂商仍占据了较大的市场份额，公司在此
领域内拥有广阔的进口替代空间，发展空间巨大。
（3）产品应用领域方面
公司产品以车规级、工业级应用为主，报告期内上述领域营业收入占比逾81%。应用领域包括光伏逆变
及储能、新能源汽车车载充电机、新能源汽车直流充电桩、5G基站电源及通信电源、数据中心服务器电源和
工业照明电源等。由于车规级、工业级应用对功率半导体产品的性能和可靠性要求普遍高于消费级应用，其
产品平均单价也较消费级应用的产品平均单价更高。
3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
（1）新技术的发展情况及未来发展趋势
1）工艺进步、器件结构改进加速产品迭代
采用新型器件结构的高性能MOSFET功率器件可以实现更好的性能，从而导致采用传统技术的功率器件的
市场空间被升级替代。造成该等趋势的主要原因是高性能功率器件的生产工艺不断进行技术演进，当采用新
技术的高性能MOSFET功率器件生产工艺演进到成熟稳定的阶段时，就会对现有的功率MOSFET进行替代。同时
，随着各个应用领域对性能和效率的要求不断提升，也需要采用更高性能的功率器件以实现产品升级。因此
，高性能MOSFET功率器件会不断扩大其应用范围，实现市场的普及。未来的5年中会出现新技术不断扩大市
场应用领域的趋势。具体而言，沟槽MOSFET将替代部分平面MOSFET；屏蔽栅MOSFET将进一步替代沟槽MOSFET
；超级结MOSFET将在高压领域替代更多传统的VDMOS。
2）第三代半导体材料功率器件的替代趋势
第三代半导体材料主要为碳化硅和氮化镓，具有禁带宽度大、电子迁移率高、热导率高的特点，在高温
、高压、高功率和高频的领域有机会取代部分硅材料。首先，由于新能源汽车、光伏逆变及储能、5G等新技
术的应用及需求迅速增加，第三代半导体的产业化变得更加迫切。得益于SiCMOSFET在高温下更好的表现，S
iCMOSFET在汽车电控中将逐步对硅基IGBT模块进行替代。
3）功率器件集成化趋势
除了功率器件在结构及工艺方面的优化外，终端领域的高功率密度需求也带动了功率器件的模块化和集
成化。在中大功率应用场景中，客户更倾向于使用大功率模块。由于大功率模块需要多元件电气互联，同时
要考虑高温失效和散热问题，其封装工艺和结构更复杂；在小功率应用场景中，功率器件被封装到嵌入式封
装模块中来提高集成度从而减小整体方案的体积。目前，工业领域、新能源汽车仍是功率模块的主要应用领
域。而芯片技术的提升可有效提高模块的集成度和综合性能，降低成本，是模块技术提升的重要因素。
（2）新产业、新业态、新模式的发展情况及未来发展趋势
受益于光伏逆变及储能、新能源汽车、直流充电桩、基站以及数据中心电源等市场对于高性能功率器件
的需求将不断增加，以高压超级结MOSFET为代表的高性能产品在功率器件领域的市场份额以及重要性将不断
提升。
1）光伏逆变及储能
随着环保意识的加强，能源结构改革的迫切需求，可再生资源对传统能源的替代趋势日益明显，光伏行
业的高景气度可长期延续。根据CPIA、国家能源局数据：2020年以来，在政策利好的背景下，国内光伏新增
装机容量同比大幅增加，2021年实现新增装机54.88GW，同比上升13.9%，创历史新高。截至2021年末，全球
累计光伏装机容量超过940GW，其中国内为308GW，占比由2013年末的不足15%提升至2021年末的超过30%，规
模优势不断增强。2022年，光伏产业仍保持旺盛的景气态势，国内光伏发电新增装机87.41GW再创新高，较
上年增幅超过60%，当年末累计装机容量约393GW。作为光伏产业链终端的核心设备，光伏逆变器的市场出货
量直接受益于下游光伏发电装机量的增长。在全球光伏发电新增装机规模快速增长的背景下，光伏逆变器的
市场出货量也持续增加。
根据WoodMackenzie数据，预计到2025年全球光伏逆变器市场空间将达到300GW，对应营收达180亿美元
，前景广阔。
2021年，国家发展改革委、国家能源局联合印发的《关于加快推动新型储能发展的指导意见》提出，到
2025年，实现新型储能装机规模达到3000万千瓦以上的目标。未来3-4年的装机总量超过之前近10年的总增
长量。根据《储能产业研究白皮书2023》数据，截至2022年底，全球已投运电力储能项目累计装机规模237.
2GW，年增长率15%。2022年中国电力储能累计装机规模达59.4GW，预计2025年装机规模将达到64.06GW，总
体保持稳定增长态势。
2）新能源汽车
1新能源汽车市场规模
新能源汽车具有成本、效率和环保等优势。随着产业链逐步成熟、消费者认知度提高、产品多元化以及
使用环境的优化和改进，新能源汽车越来越受到消费者的认可，预计未来新能源汽车的渗透率将不断提高。
在购置税减半等促消费政策、新能源汽车持续保持高速增长。与传统内燃机汽车相比，包括了轻度混合
动力汽车、插电式混合动力汽车和纯电动汽车的新能源车型的渗透率增长迅速。公安部发布数据显示：截至
2023年6月30日，全国新能源汽车保有量达1620万辆，占汽车总量的4.9%。其中，纯电动汽车保有量1259.4
万辆，占新能源汽车总量的77.8%。2023年上半年新注册登记新能源汽车312.8万辆，同比增长41.6%，创历
史新高。新能源汽车新注册登记量占汽车新注册登记量的26.6%。
2车规级功率半导体
随着汽车电动化、智能化、网联化的变动趋势，新能源汽车对能量转换的需求不断增强，汽车电子将迎
来结构性变革，推动车规级功率器件发展。
在传统燃料汽车中，汽车电子主要分布于动力传动系统、车身、安全、娱乐等子系统中。对于新能源汽
车而言，汽车不再使用汽油发动机、油箱或变速器，而由“三电系统”即电池、电机、电控系统取而代之。
为实现能量转换及传输，新能源汽车中新增了电机控制系统、DC/DC模块、高压辅助驱动、车载充电系统OBC
、电源管理IC等部件，其中的功率半导体含量大大增加。从半导体种类上看，汽车半导体可大致分为功率半
导体（IGBT和MOSFET等）、MCU、传感器及其他等元器件。根据StrategyAnalytics分析，传统燃料汽车中功
率半导体芯片的占比仅为21.0%，而纯电动汽车中功率半导体芯片的占比高达55%。
相较于燃料汽车，电动车功率器件对工作电流和电压有更高要求。新增需求主要来自以下几个方面：逆
变器中的IGBT模块、DC/DC中的高压MOSFET、辅助电器中的IGBT分立器件、OBC中的超级结MOSFET。功率半导
体是新能源汽车价值量提升最多的部分，需求端主要为IGBT、MOSFET及多个IGBT集成的IPM模块等产品。
3）充电桩
2020年，充电桩被列入国家七大“新基建”领域之一。2020年5月两会期间，《政府工作报告》中强调
“建设充电桩，推广新能源汽车，激发新消费需求、助力产业升级”。伴随新能源汽车保有量的高速增长，
新能源汽车充电桩作为配套基础设施亦实现了快速增长。根据中国电动汽车充电基础设施促进联盟（EVCIPA
）发布的数据：2022年1～12月，充电基础设施增量为259.3万台，其中公共充电桩增量同比上涨91.6%，随
车配建私人充电桩增量持续上升，同比上升225.5%。截止2022年12月，全国充电基础设施累计数量为521.0
万台，同比增加99.1%。中国电动汽车充电基础设施促进联盟（EVCIPA）公布的数据显示：截至2023年6月30
日，联盟内成员单位总计上报公共充电桩214.9万台，其中直流充电桩90.8万台、交流充电桩124.0万台。从
2022年7月到2023年6月，月均新增公共充电桩约5.2万台。
在公共直流充电桩所需的工作功率和电流要求下，其采用的功率器件以高压MOSFET为主。
超级结MOSFET因其更低的导通损耗和开关损耗、高可靠性、高功率密度成为主流的充电桩功率器件应用
产品，具体应用于充电桩的功率因数校正（PowerFactorCorrection，“PFC”）、直流-直流变换器以及辅
助电源模块等。超级结MOSFET将充分受益于充电桩的快速建设。据英飞凌统计，100kW的充电桩需要功率器
件价值量在200-300美元，预计随着充电桩的不断建设，功率器件尤其是超级结MOSFET将迎来高速发展机遇
。
4）人工智能及数据中心建设
随着以ChatGPT以及自动驾驶为代表的人工智能技术的兴起，国际上对服务器及数据中心的需求大增。
而数据中心服务器对电源效率的要求更加严苛，因而采用了较多创新的电路拓扑，比如，图腾柱PFC电路。
一部分传统的高压Si基功率器件技术因为反向恢复速度较慢而逐渐被SiC或者GaN器件所取代，而采用公司发
明的Si2CMOSFET技术的新型功率器件可以实现SiCMOSFET的反向恢复速度及高电路效率，在价格与性能之间
找到了更好的平衡点。随着人工智能的发展和数据中心建设如火如荼的展开，公司发明的一系列Si2CMOSFET
器件、SiCMOSFET器件及超低电阻超级结器件将可以在此类市场中实现销售额的高速增长。
5）5G基站
根据工业和信息化部发布的数据显示：截至2023年6月30日，我国5G基站总数达293.7万个。5G建设将从
四个方面拉动功率半导体需求，包括：1）5G基站功率更高、建设更为密集，带来更大的电源供应需求；2）
射频端功率半导体用量提升；3）雾计算为功率半导体带来增量市场；以及4）云计算拉动计算用功率半导体
用量。
综上所述，5G通信基站建设将带来巨大的功率半导体需求，主要驱动力来自于基站密集度和功率要求、
MassiveMIMO射频天线、雾运算和云计算的需求提升。
(二)主要业务、主要产品或服务情况
1、主要业务
公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，产品专注于工业及汽车相关等
中大功率应用领域。公司凭借优秀的半导体器件与工艺创新能力，集中优势资源聚焦新型功率器件的开发，
是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一，并在应用于工业级及汽车级领域的
高压超级结MOSFET、中低压功率器件等产品领域实现了国产化替代。公司基于自主专利技术开发出的650V、
1200V及1350V等电压平台的多种TGBT器件，已批量进入光伏逆变、储能、直流充电桩、电机驱动等应用领域
的多个头部客户。此外，公司基于自主专利技术开发出的Si2CMOSFET器件拥有极好的栅氧可靠性，同时具有
优秀的反向恢复时间和反向恢复电荷，已通过多个客户验证并进入批量状态，可以用于新能源汽车车载充电
机、光伏逆变及储能、高效率通信电源、高效率服务器电源等领域。
2、主要产品
公司的主要产品包括GreenMOS系列高压超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低压屏蔽栅MOSFET、T
GBT系列IGBT产品以及SiC器件（含Si2CMOSFET）。公司的产品广泛应用于以新能源汽车直流充电桩、车载充
电机、5G基站电源及通信电源、数据中心服务器电源、储能和光伏逆变器、UPS电源和工业照明电源为代表
的工业级应用领域，以及以PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器为代表的消费电子应用领域。
（1）高压超级结MOSFET
公司的高压超级结MOSFET产品主要为GreenMOS产品系列，全部采用超级结的技术原理，具有开关速度快
、动态损耗低、可靠性高的特点及优势。
（2）中低压屏蔽栅MOSFET
公司的中低压MOSFET产品均采用屏蔽栅结构，主要包括SFGMOS产品系列以及FSMOS产品系列。其中，公
司的SFGMOS产品系列采用自对准屏蔽栅结构，兼备了传统平面结构和屏蔽栅结构的优点，并具有更高的工艺
稳定性、可靠性及更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效率等优点。公司SFGMOS系列中低压功率器
件产品涵盖25V-250V工作电压，可广泛应用于电机驱动、同步整流等领域。
公司的FSMOS产品系列采用基于硅基工艺与电荷平衡原理的新型屏蔽栅结构，兼备普通VDMOS与分裂栅器
件的优点，具有更高的工艺稳定性、可靠性、较低的导通电阻与器件的优值以及更高的应用效率与系统兼容
性。
（3）超级硅MOSFET
公司的超级硅MOSFET产品是公司自主研发、性能对标氮化镓功率器件产品的高性能硅基MOSFET产品。公
司的超级硅MOSFET产品通过调整器件结构、优化制造工艺，突破了传统硅基功率器件的速度瓶颈，在电源应
用中达到了接近氮化镓功率器件开关速度的水平。特别适用于各种高密度高效率电源，包括光伏逆变及储能
、直流充电桩、通信电源、工业照明电源、快速充电器、模块转换器、快充超薄类PC适配器、TV电源板等。
（4）TGBT
公司的IGBT产品采用具有独立知识产权的TGBT器件结构，区别于国际主流IGBT技术的创新型器件技术，
通过对器件结构的创新实现了关键技术参数的大幅优化，公司已有产品的工作电压范围覆盖600V-1350V，工
作电流覆盖15A-200A。公司的TGBT系列IGBT功率器件已逐渐发展出低导通压降、电机驱动、软恢复二极管、
逆导、高速和超高速等系列。其中，高速系列的开关频率可达100kHz；低导通压降系列的导通压降可降低至
1.5V及以下；超低导通压降系列的导通压降可达1.2V以下；软恢复二极管系列则适用于变频电路及逆变电路
；650V及1350V的逆导系列在芯片内部集成了续流二极管，同时实现了低导通压降与快速开关的特点，适合
在高压谐振电路中使用。
公司TGBT产品在不提高制造难度的前提下提升了功率密度，优化了内部载流子分布，调整了电场与电荷
的分布，同时优化了导通损耗与开关损耗，具有高功率密度、开关损耗低、可靠性高、自保护等特点，特别
适用于直流充电桩、变频器、储能逆变器、UPS电源、电机驱动、电焊机、光伏逆变器等领域。
（5）SiC器件（含Si2CMOSFET）
公司的SiC器件包括SiC二极管、SiCMOSFET、Si2CMOSFET等器件技术。其中，SiC二极管、SiCMOSFET全
部使用了SiC衬底，充分利用SiC宽禁带材料的耐高压和耐高温特性。Si2CMOSFET则部分使用了SiC衬底，减
少了SiC材料的用量。Si2CMOSFET克服了传统SiCMOSFET成本高和Vth飘移的缺点，实现了高栅氧可靠性。同
时还实现了接近SiCMOSFET优秀的反向恢复能力，能够取代一部分SiCMOSFET的应用。
二、核心技术与研发进展
1.核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司在高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET，独创结构IGBT系列TGBT产品以及SiC器件方面的技术
迭代明显加速。基于上述技术平台，Si2CMOSFET产品、新一代TGBT产品以及Hybrid-FET产品均达到批量出货
状态。上述研发工作的加速推进符合当前阶段功率半导体行业周期性规律要求，对公司主营产品竞争力以及
下一阶段的业务成长形成了良好的支持。
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