经营分析☆ ◇688416 恒烁股份 更新日期：2026-09-12◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.前5名客户营业收入表】【4.前5名供应商采购表】
【5.经营情况评述】
【1.主营业务】
存储芯片和MCU芯片研发、设计及销售
【2.主营构成分析】
截止日期:2026-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
存储芯片(产品) 4.83亿 91.42 2.28亿 96.48 47.14
微控制器及其他(产品) 4531.74万 8.58 826.15万 3.50 18.23
其他业务(产品) 4.55万 0.01 4.55万 0.02 100.00
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2025-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
集成电路(行业) 4.75亿 99.97 8110.78万 99.83 17.09
其他业务(行业) 13.86万 0.03 13.86万 0.17 100.00
─────────────────────────────────────────────────
存储芯片(产品) 4.10亿 86.30 6893.88万 84.85 16.83
微控制器及其他(产品) 6488.36万 13.67 1216.90万 14.98 18.76
其他业务(产品) 13.86万 0.03 13.86万 0.17 100.00
─────────────────────────────────────────────────
境内(地区) 4.00亿 84.36 6267.65万 77.14 15.65
境外(地区) 7408.44万 15.61 1843.14万 22.69 24.88
其他业务(地区) 13.86万 0.03 13.86万 0.17 100.00
─────────────────────────────────────────────────
经销(销售模式) 3.58亿 75.39 5642.83万 69.45 15.77
直销(销售模式) 1.17亿 24.58 2467.95万 30.38 21.15
其他业务(销售模式) 13.86万 0.03 13.86万 0.17 100.00
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2025-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
存储芯片(产品) 1.46亿 83.57 1741.05万 81.15 11.95
微控制器及其他(产品) 2852.35万 16.37 393.62万 18.35 13.80
其他业务(产品) 10.93万 0.06 10.93万 0.51 100.00
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2024-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
集成电路(行业) 3.72亿 99.91 4881.55万 99.33 13.12
其他业务(行业) 32.71万 0.09 32.71万 0.67 100.00
─────────────────────────────────────────────────
存储芯片(产品) 3.26亿 87.48 5157.20万 104.94 15.84
微控制器及其他(产品) 4630.04万 12.44 -275.64万 -5.61 -5.95
其他业务(产品) 32.71万 0.09 32.71万 0.67 100.00
─────────────────────────────────────────────────
境内(地区) 3.27亿 87.76 4096.95万 83.37 12.54
境外(地区) 4525.08万 12.15 784.61万 15.97 17.34
其他业务(地区) 32.71万 0.09 32.71万 0.67 100.00
─────────────────────────────────────────────────
经销(销售模式) 2.80亿 75.18 4230.71万 86.09 15.12
直销(销售模式) 9209.29万 24.74 650.84万 13.24 7.07
其他业务(销售模式) 32.71万 0.09 32.71万 0.67 100.00
─────────────────────────────────────────────────
【3.前5名客户营业收入表】
截止日期:2025-12-31
前5大客户共销售1.62亿元，占营业收入的34.04%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│客户名称 │ 营收额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│客户一 │ 4529.21│ 9.54│
│客户二 │ 3810.57│ 8.03│
│客户三 │ 2846.70│ 6.00│
│客户四 │ 2548.68│ 5.37│
│客户五 │ 2420.83│ 5.10│
│合计 │ 16155.99│ 34.04│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【4.前5名供应商采购表】
截止日期:2025-12-31
前5大供应商共采购3.23亿元，占总采购额的71.70%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│供应商名称 │ 采购额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│供应商一 │ 23926.50│ 53.13│
│供应商二 │ 4073.87│ 9.05│
│供应商三 │ 1450.93│ 3.22│
│供应商四 │ 1431.84│ 3.18│
│供应商五 │ 1403.43│ 3.12│
│合计 │ 32286.57│ 71.70│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【5.经营情况评述】
截止日期:2026-06-30
●发展回顾:
一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
（一）公司所处行业
公司的主营业务为芯片的研发、设计和销售，根据中国证监会《上市公司行业统计分类与代码》，公司
所处行业属于“计算机、通信和其他电子设备制造业”，属于新一代信息技术领域，行业代码为“C39”。
根据《国民经济行业分类（GB/T4754-2017）》，公司所处行业属于“软件和信息技术服务业”中的“集成
电路设计”，行业代码“6520”。
（二）主要业务、主要产品或服务情况
1、主要业务情况
公司是一家主营业务为存储芯片和MCU芯片研发、设计及销售的集成电路设计企业。公司现有主营产品
包括NORFlash存储芯片、基于Arm?Cortex?-M0+内核架构的通用32位MCU芯片、大容量存储产品业务和AI芯片
业务（通用AISoC芯片、AI算法模型和AI模组板卡）。
2、主要产品
（1）NORFlash存储芯片
公司NORFlash产品在制程、电压、功耗、频率、工作温度及产品稳定性等方面均处于行业主流水平，部
分产品技术水平达到行业先进水平。
公司自主研发的NORFlash产品，采用高速串行外设接口（SPI）技术，具备高可靠性、低功耗特性、良
好的兼容性和成本效益等特点。
①技术工艺：公司的NORFlash产品采用了业界广泛认可的浮栅工艺（FloatingGate工艺，也称为ETOX工
艺）。这种基于ETOX的NORFlash技术完全拥有国内自主知识产权，无需依赖外部技术授权。经过长期和广泛
的客户验证，该技术已证明其在可靠性和稳定性方面的卓越表现。同时，公司也对NORD架构的NORFlash产品
进行研发，致力于保持产品及技术领先。
②制程技术：目前销售的主要NORFlash产品采用了武汉新芯的50nm制程技术，以及中芯国际的55nm制程
技术。除部分特殊工规等产品保留65nm工艺节点，其他全系NORFlash产品，已全面过渡到5Xnm工艺节点，以
提高产品性能和生产效率。
③容量选择：能够提供从1Mb到512Mb的NORFlash产品系列，以满足不同容量需求的市场。
④工作电压：公司NORFlash产品根据工作电压可分为三个系列：低电压（1.65-2.0V）、高电压（2.3-3
.6V）以及宽电压（1.65-3.6V），全面覆盖了市场上主要的工作电压等级。
⑤性能参数：公司的NORFlash产品支持最高166MHz的工作频率，在双线（SPIDualMode）和四线（SPIQu
adMode）的工作模式下，数据传输带宽可分别达到332Mbits/s和664Mbits/s。在双边沿数据传输模式下，数
据带宽更是高达532Mbits/s。静态电流低至1μA，工作温度范围标准为-40℃至125℃，数据保持时间长达20
年，擦写次数可达10万次，确保了产品的长期稳定性和耐用性。
⑥车规认证：部分NORFlash产品已通过AEC-Q100的标准认证，公司将致力于实现车规产品全容量系列的
认证，以满足汽车行业对高可靠性存储解决方案的需求。
综上所述，公司的NORFlash产品在制程技术、工作电压范围、功耗控制、操作频率、工作温度适应性以
及产品稳定性方面均处于行业领先水平，部分产品技术已达到行业先进水平，能够为客户提供了高性能和高
可靠性的存储解决方案。
（2）MCU芯片
公司目前销售的ZB32L002、ZB32L003、ZB32L031、ZB32L032、ZB32M013、ZB32M033系列共计30余款型号
产品，均为基于M0+核心的通用32位微控制器（MCU）芯片。相关产品具备宽电压工作范围、低动态功耗、低
待机电流、丰富的集成外设以及高性价比等特点并集成高精度模数转换器（ADC）、实时时钟（RTC）、比较
器、多通道通用异步收发传输器（UART）等多样的模拟和数字外设。产品支持休眠模式和深度休眠模式两种
低功耗模式，其中深度休眠模式可在3μs内快速唤醒，系统动态功耗低于100μA/MHz，深度休眠模式下的功
耗则低于1μA。目前，公司已基本完成通用低功耗MCU产品线的布局。ZB32L002、ZB32L003、ZB32L031、ZB3
2L032系列覆盖了从20PIN-48PIN的多种应用场景，使得客户在选择基于M0+核心的MCU时拥有更全面的选项。
基于M0+内核的电机MCU产品ZB32M013、ZB32M033已全面铺开推广销售，并开始研发基于M4内核的高端MCU产
品。
2026年上半年度MCU团队全面优化了产品架构设计，完成了新一代核心IP模块的验证与迭代，并围绕低
功耗、融合电机控制等关键领域展开前瞻性研发。通过与上游伙伴的深度协作，团队在工艺兼容性、电机算
法优化及多场景适配能力上实现了突破性进展，MCU产品线通过“生态先行”策略，积极拓展下游应用场景
的渗透力。团队与国内头部家电及消费电子客户建立了深度定制化合作，并已建立起意向订单储备。
（3）大容量存储产品业务
a.NAND
2026年公司已量产主流24nm和19nm原厂晶圆搭载一颗SPI接口controller的产品，其产品内置ECC纠错算
法，ECC纠错能力可达8b/512B，相比传统singledie方案产品，额外搭载SPI控制器中固件可更好的使其满足
数据传输效率的同时，可提供更高的可靠性和稳定性，以满足客户复杂的应用场景需求。2026年上半年公司
已量产两款产品，可以满足不同细分领域客户对产品性能和价格的不同需求。
b.SDNAND
2026年公司已量产主流24nm和19nm原厂晶圆搭载一颗SPI接口controller的产品，提供定制化Firmware
，ECC纠错能力可达8b/512B。相较TFcard产品，产品尺寸更小，同时WSON8的封装使其满足数据传输效率的
同时，可提供更高防震性，以避免存在晃动场景造成的接触不良。SDNAND产品在标准SD接口基础上进行了针
对性优化，为客户提供了更灵活的系统集成方案。
c.PPINAND
采用24nm原厂晶圆内置ECCEngine，ECC纠错能力可达8bit/512Byte，兼容x8和x16的并行接口，完全满
足客户大数据量的读写。同时提供BGA24、BGA63和TSOP48多种封装形式的产品，在数据吞吐率较高的工控、
通信设备等领域具有稳定的应用需求。
d.eMMC产品
随着智能终端设备对存储容量和性能要求的提升，为了满足客户对高速数据传输和稳定运行的需求，基
于主流闪存芯片打造的eMMC5.1嵌入式存储产品，最大顺序读取速度达320MB/s，支持动态SLC缓存，为终端
设备提供稳定高性能。同时内置固件算法提供自动后台检测、磨损平衡、垃圾回收、纠错算法LDPC等，确保
了产品的低延迟、高数据保持性和长使用周期。产品涵盖4GB、8GB、32GB、64GB、128GB、256GB多种容量设
计，能够为智能电视、IPC、手机终端、以及其他AIoT等不同终端客户，提供不同容量的高性能、高可靠性
的存储解决方案。
报告期内，公司持续关注UFS（通用闪存存储）技术的发展趋势与市场需求。UFS作为eMMC的下一代嵌入
式存储接口标准，在顺序读写速度和随机读写性能方面具有显著优势，尤其在AI终端设备对存储带宽要求不
断提升的背景下，UFS产品的战略重要性日益凸显。公司正进行UFS产品的技术预研和方案评估工作，为后续
产品布局奠定基础。
e.DRAM产品
2026年上半年，公司DRAM产品线以DDR4产品为主力，同时完成DDR3产品的技术论证和方案规划。
DDR4产品凭借其高带宽、低功耗和稳定性能，成为主流内存解决方案。公司产品已涵盖4Gb和8Gb两大主
流容量。产品速率最高可达行业DDR4标准的3200Mbps，能够满足消费电子、网络通信、工业控制等领域对内
存带宽的基本需求。
（4）AI业务
公司AI业务产品主要包括通用AISoC芯片、AI通用算法模型、AI定制算法模型开发和AI模组。
AISoC芯片，采用RISC内核，功能强大，适配性强，性价比高，已实现大批量出货。
AI算法软件，包括TinyML视频分割算法、TinyML视觉识别算法、TinyML语音识别算法、TinyML语音声纹
算法和TinyML语音降噪算法5大类别，具有模型精简、占用硬件资源少、能耗低的优势，广泛部署到通用MCU
/DSP硬件上运行。其中，语音算法已适配国内主流芯片，并同步完善工具链，开发AI开放平台，实现快速响
应和快速送样，帮助用户快速项目落地。
AI模组，融合了芯片、算法产品以及软件部署技术，基于包含Cortex-M内核MCU、Cortex-A内核CPU、RI
SC内核MCU及MCU+DSP核的MCU等模组板卡硬件计算平台，持续推出不同场景应用、多种硬件平台的软硬一体A
I模组板卡产品。公司不同系列产品能够既用于AI音频功能实现，满足AI语音识别、AI声纹识别、AI语音降
噪等应用场景需求，又能用于AI视频功能实现，满足AI图像分割、图像识别及视觉动作分析等应用场景需求
。
（三）主要经营模式
自成立以来，公司的经营模式一直为Fabless模式，专注于芯片的研发、设计和销售，晶圆代工、晶圆
测试和芯片封测等环节通过委外方式实现。公司采用目前经营模式有利于公司集中资源进行芯片设计研发，
快速实现产品布局和更新迭代，及时适应市场变化、满足客户需求，从而充分发挥公司的竞争优势，同时避
免巨额资金投入，降低公司的经营风险。此外，公司采用Fabless经营模式，可根据不同晶圆代工厂工艺制
程特点来定义自身产品的技术路线，实现差异化竞争并弥补不同晶圆代工厂在品质、良率和产能方面的不足
。未来公司经营模式预计不会发生变化。公司具体的盈利、研发、采购、生产及销售模式如下：
1、盈利模式
公司是一家采用Fabless模式的集成电路设计企业，主要向客户提供自主品牌的NORFlash和MCU等芯片产
品获取业务收入从而实现盈利。
2、研发模式
公司产品以自主研发为主，同时会与晶圆代工厂进行深入合作，充分利用其工艺优势，并针对工艺上的
缺陷，在产品设计上进行弥补。
3、采购和生产模式
公司的经营模式为Fabless模式，该模式下公司专注于芯片的研发、设计和销售，晶圆代工、晶圆测试
和芯片封测等均通过委外方式实现。
公司晶圆代工厂主要为武汉新芯和中芯国际，并与之建立了长期稳定的合作关系。晶圆测试和芯片封装
测试的市场供应商相对较多，产能相对充足。根据客户对产品形态要求不同，公司的芯片产品可分为晶圆片
（KGD）和封装片，晶圆片是指由晶圆代工厂生产完成并经晶圆测试（CP），但未经过芯片封装测试的产品
；封装片则是在完成晶圆测试后，还要进行芯片封装（Packaging）和最终测试（FT）形成的产品。对于具
有合并封装（SIP）需求的主控芯片厂商，则需要采购晶圆片，再按照自身具体要求将采购的晶圆片上的裸
芯片（Die）取下后与其他芯片合并封装。晶圆片和封装片在芯片电路和制造工艺等方面不存在差异。
4、销售模式
公司采用直销和经销两种销售模式。直销模式下，终端客户直接向公司下达采购订单。经销模式下，经
销商根据终端客户需求向公司下达采购订单，公司与经销商之间为买断式销售。
二、经营情况的讨论与分析
报告期内公司实现营业收入52,841.35万元，同比增长203.21%；实现归属于上市公司股东的净利润13,9
63.83万元；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润13,475.91万元。影响经营业绩的主要因素：
报告期内，存储芯片行业正处于新一轮景气周期的上升阶段，市场呈现出供需趋紧、价格普涨的势态，
受益于存储芯片市场产业趋势，公司营业收入较去年同期有明显上升，实现量价齐升。报告期内，公司营收
规模显著攀升，产品盈利能力大幅提升，推动公司整体经营业绩实现大幅增长。
（一）NORFlash存储芯片
NORFlash存储芯片领域，公司积极推进多条产品线的研发工作，升级迭代原有产品的同时持续研发新产
品，为公司未来发展蓄力。
1.通过持续优化先进的ETOX工艺制程，并重点攻坚50nm与4Xnm节点，成功实现了晶体管密度的提升与动
态/静态功耗的双重优化，显著降低工作功耗，能效比（EnergyEfficiency）获得质的飞跃。不仅直接降低
产品的运行成本，更是在功耗敏感型应用领域确立了关键优势。
2.积极布局先进的NORD工艺制程NORFlash产品，在提供强大环境适应力（稳定可靠，宽温工作）的同时
，其占用的晶圆面积相较于其他竞品优势显著，在成本降低的同时，极大地释放了客户在产品小型化与便携
性设计上的潜力。
3.致力于开发具备超高速数据传输能力的产品线，目前已有型号成功实现了SPI166MHz和DTR104MHz的业
界领先速率水平。这一突破性进展精准契合了当前市场对海量数据实时处理与传输的迫切需求，为高性能计
算、边缘设备及实时响应应用提供了强大的底层硬件支持。
4.针对PC环境对数据安全性的高要求，研发整合了应答保护单调计数器（RPMC）技术的产品。RPMC机制
通过强制单调递增的响应计数，为每次交互提供唯一性标识，从根本上阻断了重放攻击的可能性。这直接强
化了数据的抗篡改能力，并提升了涉及固件更新、安全启动、版权保护等关键PC操作的可靠性保障。
（二）MCU芯片
2026年上半年，公司MCU业务持续推进产品优化及应用拓展，不断完善低功耗M0系列产品，在HDMI、四
轴飞行器、科学计算器、无线充电及TFT显示设备等原有应用领域进一步扩大销售规模，同时面向风筒、吸
尘器及电动工具等电机控制应用的MCU产品已完成客户送样。在市场方面，公司进一步加强与重点客户的合
作，积极推动MCU产品在高附加值应用领域的导入，不断提升市场份额和业务规模，并同时开展多电机控制
的家电应用MCU立项研发工作。
2026年上半年，车规、工控等中高端MCU在本轮涨价潮中率先修复价格体系，与低端消费类通用产品的
分化进一步加剧。公司在整体市场份额上与前排厂商有所差距，但在电机控制、AI语音模组、超低功耗物联
网等细分赛道已形成差异化竞争优势，出货量增速远超行业平均，正处于关键成长期。
（三）AI业务
2026年上半年，公司AIBU致力于AI算法、AI模组及端侧AI解决方案的产品体系及市场销售。AI算法包括
端侧智能设备语音算法和端侧视觉算法，AI语音识别算法在3C数码产品例如空调伴侣、加湿器、玩具类产品
实现批量出货，并完成AIGC硬件平台部署；AI人脸识别算法成功落地办公终端设备。AI模组产品已实现商业
化落地，在照明灯控、玩具和家电等行业持续扩大市场份额，成为头部客户供应商。
（四）大容量存储业务
2026年上半年，公司NAND、eMMC和DRAM产品三大产品线均实现了从技术研发到规模化量产的关键跨越，
产品矩阵初步成型。在行业高景气周期的驱动下，公司各产品线迎来了量价齐升的机遇，进一步提升了在存
储芯片市场中的份额和行业地位。
1.2026年上半年公司在利基型NANDFlash领域取得了显著的阶段性成果，三大产品系列均实现规模化量
产和稳定供货。SPINAND凭借其接口简洁、占用PCB面积小的优势，在物联网模块、智能家居、可穿戴设备等
空间受限的应用场景中获得客户认可。SDNAND依托标准SD2.0接口的广泛兼容性，在教育电子、工业数据采
集、便携式设备等领域实现了批量出货。PPINAND则凭借并行接口的高吞吐率特性，在网络通信设备、工业
控制主板等对数据传输速率要求较高的应用中持续贡献营收。
2.2026年上半年公司嵌入式存储产品线以eMMC5.1产品为核心，实现了从技术研发到规模化量产的完整
跨越，产品矩阵初步成型。eMMC产品完成了从4GB到256GB共计六种容量规格的全系列覆盖。这一完整的产品
序列使公司能够为不同层次的嵌入式应用提供“一站式”选型服务，最大320MB/s的顺序读取速度和动态SLC
缓存技术的加持，使公司eMMC产品在同类竞品中具备了良好的性能竞争力，已广泛应用于智能电视、安卓盒
子、教育电子、智能家居、安防监控等消费级和工业级嵌入式领域。同时报告期内公司已完成UFS产品的技
术预研和方案评估。随着AI终端设备对存储性能要求的持续提升，UFS作为eMMC的下一代技术演进方向，其
市场渗透率正加速提升，公司前瞻性的技术布局将为后续UFS产品的快速推出奠定基础。
3.2026年上半年，公司DRAM产品线以DDR4产品量产为核心成果，已与晶圆代工厂建立了合作关系，稳定
DDR4产品的持续供应能力。并同步推进DDR3产品的规划布局，已完成DDR3产品的技术论证和方案规划。DDR4
产品成功实现量产并稳定供货，产品覆盖4Gb和8Gb两大主流容量规格，速率最高达3200Mbps。3200Mbps是DD
R4行业标准的最高速率等级，标志着公司DDR4产品的性能已达到行业主流水平，同时提供-45℃~95℃工规级
产品。公司DDR4产品已进入消费电子、网络通信设备、工业控制等应用领域，依托灵活的市场策略和快速响
应能力获取市场份额。
三、报告期内核心竞争力分析
(一)核心竞争力分析
1、深耕“存储+控制”，业务范围持续拓展
公司保持高研发投入，持续优化ETOX工艺制程NORFLASH产品，专注于50nm和55nm节点，以实现更低的工
作功耗和更高的能效比产品，布局NORD架构工艺小容量产品，力争在全容量系列产品方面形成强大竞争力；
在MCU业务方面，一方面持续升级迭代原有MCU产品，不断拓展产品在工业控制、汽车电子等高端应用领域的
应用场景和客户，提升产品出货量和产品市场份额，另外一方面积极布局电机控制领域，挖掘细分市场需求
和客户，为MCU业务带来新的业务增量。同步公司布局大容量存储产品线市场，利基型NANDFlash、eMMC芯片
及DDR4模组产品业务实现新突破，进一步丰富了公司的存储产品线，为公司营收带来新的增长点。
2、供应链深度协作
公司采用Fabless经营模式，专注于芯片的研发、设计与销售，而晶圆制造、测试和封装等环节则通过
与行业内领先的供应商合作完成。在这一模式下，公司与供应商建立了紧密且稳定的合作关系，确保了供应
链的高效运作和产品品质的持续优化。公司第一大晶圆代工供应商武汉新芯以及第二大供应商中芯国际，均
在闪存晶圆代工领域拥有显著的产能优势和先进的工艺技术。武汉新芯的ETOX50nmNORFlash制程和55nmeFla
shMCU制程均为行业领先，而中芯国际作为领先的晶圆代工厂，提供了强大的存储芯片生产工艺支持。与这
两家供应商的长期合作，不仅保障了产品的高性能和高可靠性，也促进了工艺技术的持续进步，从而推动了
销售收入的稳定增长。在晶圆测试和芯片封装方面，公司同样与国内领先的厂商建立了稳固的合作关系，确
保了产品质量和交付效率。公司在供应链管理方面积累了丰富的经验，通过精细化管理，有效提升了供应链
的响应速度和灵活性，为公司的持续盈利和市场竞争力提供了坚实的基础。
3、技术研发与创新
持续的研发投入和创新能力将是公司未来增长的关键驱动力。公司坚持将技术研发和产品创新作为企业
发展的核心动力，拥有一套完善的技术研发体系，并不断通过自主研发加强和扩展公司的自主知识产权组合
。报告期内，面对激烈的市场竞争环境，公司通过持续的研发投入，为公司的发展积攒能量。2026年上半年
公司的研发费用为4902.75万元，占营业收入比例为9.28%，公司持续投入研发有利于巩固了现有市场地位，
也为进入新的增长领域奠定了坚实的基础。
4、经验丰富的人才团队
集成电路行业是一个高度依赖技术和人才的领域，人才培养和技术研发方面的持续投入，将为公司的长
期发展和市场竞争力提供强有力的支持。公司充分认识到人才的重要性，并致力于培养和吸引行业内的优秀
人才。为此，公司在合肥、上海、苏州等集成电路产业和人才集聚的关键城市设立了研发中心，并计划根据
公司未来的产业布局，进一步在国内外其他发展迅速的集成电路产业城市增设研发机构，以不断吸纳和培养
高端人才。公司的领导团队由经验丰富的行业专家组成，董事长兼总经理XIANGDONGLU博士拥有近30年的半
导体行业经验，在英飞凌、TI、美光、NEC、Spansion等国际知名半导体公司担任过研发、市场、管理等关
键职位，其深厚的行业背景和丰富的管理经验为公司的发展提供了坚实的领导力。同时，公司的核心技术人
员均具备扎实的专业知识和丰富的行业经验，确保了我们在技术研发和产品创新方面具有显著的竞争优势。
5、完善的质量管理体系与可靠性保障能力
公司始终重视质量管理能力建设，坚持以客户需求为导向，通过建立统一的质量管控标准，对委外晶圆
制造及封装测试环节实施一致性的质量管理要求，确保产品质量的稳定性和一致性。同时，公司引入风险管
理理念，定期开展质量事件平行展开的持续改进（CIP）活动，提前识别并管控潜在风险。通过不断完善不
良质量成本，减少质量损失。公司持续完善质量管理体系，目前已通过ISO9001:2015、QC080000:2017等体
系认证，部分产品已通过AEC-Q100车规级认证，并积极推进NORFlash及MCU产品的车规级可靠性测试，为公
司拓展汽车电子等高可靠性应用市场奠定基础。
(三)核心技术与研发进展
1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
（1）NORFlash有关核心技术
公司NORFlash产品线针对多样化的市场应用需求，在高安全性、低功耗、高性能和高可靠性四大领域进
行了深入的技术创新。以下是各项核心技术及其应用的具体情况：
a.高安全性设计
该技术通过将主控加密引擎与NORFlash集成于同一芯片，共享I/O接口，实现了硬件级的安全防护。采
用Intel通用的RPMC加密技术，结合标准的HMAC-SHA-256加密引擎和独立的单向性闪存计数器，能够对密钥
进行HMAC签名，显著提升了数据存储的安全性和可靠性。此外，加密芯片可灵活适配4Mbit至256Mbit的全系
列存储芯片，工作电压支持1.7V-3.6V，为用户提供了更广泛的选择空间。
b.低功耗设计
通过优化存储单元架构和外围电路设计，结合专利技术降低静态功耗，并采用clockgating技术减少动
态功耗，产品在功耗表现上达到业界领先水平。动态自适应电压频率缩放技术的引入，进一步拓宽了工作电
压范围（1.65V~3.6V），使其能够广泛应用于电池供电的系统设计中，显著延长了设备的工作时间。将以上
技术与5xnm工艺平台结合，进一步拓展了公司产品的功耗优势。
c.高速高性能设计
通过改进存储单元架构和读出电路设计，提升了数据读取精度和速度，最高可实现四线664Mbits/s的数
据传输速率。支持80MHz时钟双边沿采样技术，大幅提高了数据吞吐效率。同时，优化的擦写算法减少了芯
片工作过程中的充放电和开关切换操作，在降低动态功耗的同时，进一步缩短了擦写时间，提升了整体性能
。
d.高可靠性设计
针对极端温度环境对NORFlash芯片的挑战，公司产品支持-40℃至125℃的超宽工作温度范围，部分产品
已通过AEC-Q100Grade2105℃验证。基于与晶圆代工厂的深度合作，公司对存储单元特性进行了深入研究，
并通过算法优化提升了高温下的数据存储能力。此外，芯片内部集成了温度检测模块，能够实时监测温度并
自适应调整擦写电压和时间等参数，确保芯片在不同温度下均能保持最佳性能，显著提升了产品的可靠性。
通过以上技术创新，公司NORFlash产品在安全性、功耗、性能和可靠性等方面均实现了显著突破，能够
满足多种应用场景的严苛需求并实现了从2Mbit至512Mbit、工作电压1.8V~3.3V的全系列容量产品的量产。
在报告期内，2款新产品完成了流片工作，1款产品已经进入送样阶段，另有3款产品进入试产阶段。
（2）MCU相关核心技术
a.适用于电机控制方案的特色IP研发
着力电机控制技术的更新迭代，从应用端入手，定位需求，研发特色IP，对重点IP的主要功能进行扩展
和增强，大幅提升软硬件的交互性能。主要涵盖以下方向：
研发少PIN低成本的单线通信IP，降低运动控制方案中BOM成本；
研发CORDIC数学运算IP，提升家电控制方案中数据运算效率，减少软件耗时。
研发增强高性能定时器IP功能，扩展多通道、更灵活的PWM输出和软硬件刹车方式，可更高效地实现家
电控制方案中的移相、降噪、保护控制；
研发增强模数转换器IP功能，扩展多段、更灵活的序列控制和注入控制，实现外部采样通道和数据通道
的自由映射，为家电控制方案中外部采集对象和采集序列提供了灵活多变的选择。
b.高集成度电机控制产品技术
公司持续深化在高集成度电机控制芯片领域的战略布局，成功设计出集成三相半桥栅极驱动的专用MCU
芯片，全面支持P+NMOSFET与全N-MOS两种主流拓扑架构。该芯片通过单芯片“主控+驱动”的高度集成方案
，显著缩减了PCB占用面积，大幅降低了外围元器件数量与系统BOM成本，同时有效规避了分立方案带来的PC
B布线复杂及干扰问题。这一技术突破精准契合了电动工具、清洁电器及高速风筒等市场对模组小型化、轻
量化的迫切需求，在提升生产良率与系统可靠性的同时，进一步夯实了公司“芯片+算法”软硬协同的生态
壁垒。
c.电机驱动技术
公司在电机控制技术领域持续突破，通过构建平台化参考控制算法架构，成功实现了方波与FOC（磁场
定向控制）两类核心算法的统一管理与底层复用，大幅提升了研发效率与代码稳定性；在此基础上，公司进
一步完成了面向量产落地的电机控制算法专用平台设计，针对电动工具、清洁电器、高速风筒及散热风机等
高潜力细分场景进行了深度定制化开发，精准匹配了各应用领域对高启动扭矩、超高速运行及极致静音等差
异化性能指标的需求。该平台化战略不仅显著降低了系统BOM成本，更有效缩短了下游客户的整机开发周期
，为公司持续抢占中高端电机控制市场份额提供了坚实的技术支撑。
（3）存算一体化人工智能芯片相关核心技术
从智能语音、智能视觉到生成式AI、智能机器人，具备强大计算能力的AI系统无时无刻不在改变着人类
的生产生活。但随着AI的普及，尤其是大模型的广泛应用，AI模型的推理效率越发受到关注。存算一体技术
作为有别于传统冯·诺伊曼架构的新型计算范式，具备低功耗、高能效和高面效的显著优势，是大模型推理
和端侧AI的绝佳载体。
a.低功耗存算一体推理技术
公司研发的低功耗存算一体推理技术能够高效地完成AI所需的核心计算——向量矩阵乘法。利用存算一
体技术，芯片可以规避计算中模型数据访存带来的存储墙问题，提高计算能效和计算面效，进而降低计算功
耗和芯片面积。目前公司具备基于NORFlash和SRAM两种介质的存算一体技术，涉及模拟存内计算和数字存内
计算两种路径，能够根据场景需要选择合适的计算介质与计算路径。
b.低功耗音频处理技术
公司在音频应用领域研发了与存算配套的低功耗预处理技术，包括低功耗的ADC设计、人声活动检测(VA
D)、FFT、自动增益控制(AGC)、iFFT、回声消除等语音前处理和后处理所需的处理模块，搭配存算一体的计
算核心，能够从系统级优化智能语音芯片的实际功耗，帮助存算一体技术从单一模块的技术优越转变为可落
地、有性价比、有竞争力的芯片产品。
c.软硬件协同设计技术
结合存算一体阵列的计算特性和芯片规格，有针对性地优化AI算法结构，使得存算芯片和算法模型之间
的匹配度更高。从工程学角度，同步约束芯片硬件规格与模型软件架构，最大化发挥硬件的资源利用率和软
件的算法性能，避免出现互相掣肘的跛脚方案。
d.系统级三维集成互连技术
利用三维堆叠技术将存算一体芯片的不同电路模块分别使用最合适工艺制程流片，通过3D晶圆级连接组
合在一起形成单颗完整功能的芯片，突破了现有工艺的瓶颈，提高产品的开发效率、同时发挥各模块的特性
、实现高性能并减小芯片面积。
e.多电源域高能效的PMU设计
存算一体芯片需要根据当前的使用状态和使用环境，灵活切换工作状态。通过定制的多电源域高能效的
PMU设计，能够平衡多种环境下的功耗表现，减少功耗浪费，让系统获得最佳的功耗表现。
（4）基于MCU的TinyML推理方案相关核心技术
a.TinyML的轻量化模型设计技术
基于PyTorch等框架进行TinyML的算法设计，结合模型量化、知识蒸馏、NAS、模型剪枝以及数据增强、
数据清洗等技术，综合前沿的AI发展，对具体应用进行定制化设计，能够用更小的模型和算力获取相似甚至
更高的模型准确度。结合硬件平台相关的经验积累，最大化发挥GPU的计算能力，提高训练效率并减少技术
迭代周期；对实际的端侧计算过程进行误差感知，最大发挥硬件的性能，同时做到服务器-端侧过程几乎一
致，最大化减少部署中的性能损失。
b.传统数字信号处理技术
传统的数字信号技术使用业界沉淀多年的技术链路，人工定制所需的算法，尤其在有降噪需求为代表的
应用领域，具备可靠、有效、轻量化的特点。通过稳态降噪算法、回声消除算法等，能够有效提升TinyML在
强噪声环境下的表现。
c.平台即服务（PaaS）技术
公司构建了适合自身TinyML技术的语音服务平台，客户能够通过平台获取满足自身定制需求的TinyML软
件服务，通过PaaS平台的长值守和快速响应特性，加速用户端产品的开发和落地。
d.自动化测试技术
在端侧部署完成之后，为了评估算法的整体性能、算法与硬件模块的适应性以及更好判断市场现有产品
的竞争力和技术水平，公司开发了配套的自动化测试技术，能够更高效的完成算法性能测试、配置调优和竞
品对比，加速TinyML的产品优化与落地。
e.离在线语音交互技术
公司已打通云侧和端侧配合所需的技术链路，有效结合离线语音识别技术的低延迟、高隐私安全的特点
和在线丰富资源的高性能表现，扩充用户选择的灵活性。能够用于AIGC玩具为代表的应用场景。
〖免责条款〗
1、本公司力求但不保证提供的任何信息的真实性、准确性、完整性及原创性等，投资者使
用前请自行予以核实，如有错漏请以中国证监会指定上市公司信息披露媒体为准，本公司
不对因上述信息全部或部分内容而引致的盈亏承担任何责任。
2、本公司无法保证该项服务能满足用户的要求，也不担保服务不会受中断，对服务的及时
性、安全性以及出错发生都不作担保。
3、本公司提供的任何信息仅供投资者参考，不作为投资决策的依据，本公司不对投资者依
据上述信息进行投资决策所产生的收益和损失承担任何责任。投资有风险，应谨慎至上。
|