经营分析☆ ◇688498 源杰科技 更新日期：2025-09-17◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.前5名客户营业收入表】【4.前5名供应商采购表】
【5.经营情况评述】
【1.主营业务】
光芯片的研发、设计、生产与销售。
【2.主营构成分析】
截止日期:2025-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
数据中心类及其他(产品) 1.05亿 51.04 6987.75万 69.87 66.80
电信市场类(产品) 9987.35万 48.73 3012.10万 30.12 30.16
技术服务及其他(产品) 47.57万 0.23 1.35万 0.01 2.84
─────────────────────────────────────────────────
境内(地区) 2.05亿 99.88 9984.31万 99.83 48.78
境外(地区) 25.56万 0.12 16.89万 0.17 66.09
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2024-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
光芯片(行业) 2.50亿 99.27 8394.17万 99.90 33.53
其他业务(行业) 183.05万 0.73 8.36万 0.10 4.57
─────────────────────────────────────────────────
电信市场类(产品) 2.02亿 80.22 4981.73万 59.29 24.62
数据中心及其他(产品) 4803.83万 19.05 3412.44万 40.61 71.04
其他业务(产品) 183.05万 0.73 8.36万 0.10 4.57
─────────────────────────────────────────────────
境内(地区) 2.50亿 99.18 8376.30万 99.69 33.49
其他业务(地区) 183.05万 0.73 8.36万 0.10 4.57
境外(地区) 23.74万 0.09 17.87万 0.21 75.28
─────────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 1.76亿 69.73 6556.52万 78.03 37.28
经销(销售模式) 7449.14万 29.54 1837.65万 21.87 24.67
其他业务(销售模式) 183.05万 0.73 8.36万 0.10 4.57
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2024-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
电信市场类(产品) 1.10亿 91.27 3289.02万 81.91 29.99
数据中心类及其他(产品) 922.26万 7.68 715.54万 17.82 77.59
技术服务及其他(产品) 126.98万 1.06 10.73万 0.27 8.45
─────────────────────────────────────────────────
境内(地区) 1.20亿 99.84 4001.73万 99.66 33.36
境外(地区) 18.98万 0.16 13.56万 0.34 71.44
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2023-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
光芯片(行业) 1.38亿 95.40 5566.24万 92.05 40.40
其他业务(行业) 663.54万 4.60 480.72万 7.95 72.45
─────────────────────────────────────────────────
电信市场类(产品) 1.33亿 92.14 5172.16万 85.53 38.87
其他业务(产品) 663.54万 4.60 480.72万 7.95 72.45
数据中心类及其他(产品) 471.38万 3.26 394.08万 6.52 83.60
─────────────────────────────────────────────────
境内(地区) 1.38亿 95.28 5550.99万 91.80 40.35
其他业务(地区) 663.54万 4.60 480.72万 7.95 72.45
境外(地区) 18.47万 0.13 15.25万 0.25 82.56
─────────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 1.22亿 84.33 5016.95万 82.97 41.20
经销(销售模式) 1599.32万 11.08 549.30万 9.08 34.35
其他业务(销售模式) 663.54万 4.60 480.72万 7.95 72.45
─────────────────────────────────────────────────
【3.前5名客户营业收入表】
截止日期:2024-12-31
前5大客户共销售1.49亿元，占营业收入的59.06%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│客户名称 │ 营收额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│第一名 │ 4130.00│ 16.38│
│第二名 │ 3592.20│ 14.24│
│第三名 │ 2592.40│ 10.28│
│第四名 │ 2411.70│ 9.56│
│第五名 │ 2167.32│ 8.59│
│合计 │ 14893.62│ 59.06│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【4.前5名供应商采购表】
截止日期:2024-12-31
前5大供应商共采购0.55亿元，占总采购额的56.98%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│供应商名称 │ 采购额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│第一名 │ 1803.35│ 18.71│
│第二名 │ 1234.23│ 12.81│
│第三名 │ 1169.81│ 12.14│
│第四名 │ 706.63│ 7.33│
│第五名 │ 577.12│ 5.99│
│合计 │ 5491.14│ 56.98│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【5.经营情况评述】
截止日期:2025-06-30
●发展回顾:
一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
(一)所属行业情况说明
1、行业的发展阶段及基本特点
随着全球信息互联规模不断扩大，人工智能等技术的兴起，光电信息技术正在被进一步广泛应用。在这
种趋势下，光芯片的下游应用场景不断扩展，需求量不断增加，同时对光芯片的速率、功率、传输距离也提
出更高的要求。目前在电信市场、数据中心市场，光芯片都得到了较为广泛的应用，其中电信市场又可以细
分为光纤接入和移动通信两个细分领域。
电信市场：5G、千兆光纤网络等新型基础设施建设进一步完善。在光纤接入市场：截至2025年6月末，
三家基础电信企业的固定互联网宽带接入用户总数达6.84亿户，比上年末净增1426万户。其中，1000Mbps及
以上接入速率的固定互联网宽带接入用户达2.26亿户，比上年末净增1915万户，占总用户数的33%，占比较
上年末提升2.1个百分点。全国互联网宽带接入端口数量达12.34亿个，比上年末净增3244万个。其中，光纤
接入（FTTH/O）端口达到11.93亿个，比上年末净增3264万个，占互联网宽带接入端口的96.6%。截至6月末
，具备千兆网络服务能力的10GPON端口数达3022万个，比上年末净增201.9万个。在无线通信领域，5G网络
建设深度覆盖。截至6月末，5G基站总数达454.9万个，比上年末净增29.8万个，占移动基站总数的35.7%，
占比较一季度提高1.3个百分点。随着无线和光纤接入部署逐步进入成熟期，下一代技术逐步开始布局。光
纤接入领域开始向“万兆”加速。作为ITU-T定义的下一代PON技术，50GPON比10GPON带宽提升了5倍、时延
降低了100倍，具备提供确定性业务体验的能力。根据工信部《关于开展万兆光网试点工作的通知》的内容
，到2025年底，在有条件、有基础的城市和地区，聚焦小区、工厂、园区等重点场景，开展万兆光网试点。
以试点工作为牵引，推动产业链各方加快协同解决目前万兆光网落地应用中的重点难点问题，带动我国万兆
光网核心技术和关键设备取得突破，促进构建万兆光网成熟产业链和完备产业体系，有序引导万兆光网从技
术试点逐步走向部署应用。同时，由于5G-A在网络速度、延迟、连接数等方面实现显著提升，引入了通感一
体、无源物联、内生智能等全新的革命性技术，能更好地匹配人联、物联、车联、高端制造、感知等场景，
运营商也逐步推进其商用部署或组网试点。相关技术的成熟与推广，有望对相关的产业链形成拉动作用。整
体来看，电信市场需求具有较强的稳定性和持续性，其建设节奏会受到技术迭代升级等因素的影响。
数据中心市场：随着人工智能的快速发展，模型性能提高，需要大量算力，导致对光器件的需求、能力
的增加。在这样的背景下，数据中心市场高速率需求持续增加。进入2025年，这一投资趋势持续加强，中国
云厂商也加快跟进步伐。国内外CSP对AI基础设施的投资推动400G/800G以太网光模块出货量激增，进而拉动
光芯片的需求。在速率方面，2025年光模块行业1.6T光模块将开始批量出货。随着交互速率及训练集群规模
的提升，业界对功耗、散热、成本提出了更高要求，因此系统互联互通的方式需要不断优化，以实现更高的
能效比和更紧凑的封装设计。低功耗、小型化、集成化将成为未来光模块发展的重要趋势。目前，硅光技术
在可插拔光模块中逐步提升，特别在高速率模块中应用渗透率进一步加大。LPO方案也是未来趋势，其在特
定场景中表现出较低功耗和成本的优势。进一步来看，未来CPO、OIO的发展和应用，也将带来更多光互联领
域的新增量。LightCounting在最新报告中指出，光通信芯片组市场预计将在2025至2030年间以17%的年复合
增长率（CAGR）增长，总销售额将从2024年的约35亿美元增至2030年的超110亿美元。整体来看，数据中心
市场需求与云计算、AI等技术发展紧密相关，随着人工智能等新兴技术的持续发展，对算力的需求呈指数级
增长，带动需求不断攀升，增长确定性较高。
2、主要技术门槛
更高速率、更高功率、更长传输距离的光芯片的技术研发、工艺设计具有更高开发难度与门槛。一方面
，随着需求提升，光芯片的结构设计的精度要求极高，技术研发及工艺开发需结合高速射频电路与电子学、
微波导光学、半导体量子力学、半导体材料学等多学科，设计合适的芯片结构，满足芯片精度及尺寸的要求
；另一方面，激光器芯片的生产需要几十至几百道工序，每道生产工序都将影响产品最终的性能和可靠性，
因此对生产线工艺成熟和稳定有极高要求。此外，高速率激光器芯片相较于中低速率产品，在量子阱有源区
、光栅层结构区、模斑转化器区域、光波导结构区、电流限制结构区、高频电极结构、谐振腔反射膜等关键
结构的设计与开发上，需综合考虑光电特性、产品可靠性、制备工艺可行性等相互制约因素，因此存在极高
壁垒。
(二)主营业务情况说明
公司聚焦于光芯片行业，主营业务为光芯片的研发、设计、生产与销售，目前公司的主要产品为光芯片
，主要应用于电信市场、数据中心市场、车载激光雷达市场等领域。其中电信市场可以分为光纤接入、移动
通信网络。在光通信领域中，主要产品包括2.5G、10G、25G、50G、100G、200G以及更高速率的DFB、EML激
光器系列产品和50mW、70mW、100mW、150mW等大功率硅光光源产品，主要应用于光纤接入、4G/5G移动通信
网络和数据中心等领域。在车载激光雷达领域，公司产品涵盖1550波段车载激光雷达激光器芯片等产品。
经过多年研发与产业化积累，公司已建立了包含芯片设计、晶圆制造、芯片加工和测试的IDM全流程业
务体系，拥有多条覆盖MOCVD外延生长、光栅工艺、光波导制作、金属化工艺、端面镀膜、自动化芯片测试
、芯片高频测试、可靠性测试验证等全流程自主可控的生产线。通过持续的研发投入构建差异化竞争优势，
公司从电信市场收入为主的光芯片供应商，逐步发展成为国内领先的“电信市场+数通市场”协同拓展的光
芯片供应商。公司将继续深耕光芯片行业，致力成为国际一流光电半导体芯片和技术服务供应商。
(三)主要经营模式
1、销售模式
公司采取以直销为主、经销为辅的销售模式，设立市场与销售部负责开发客户、产品推广以及维护客户
关系。市场与销售部根据客户需求情况制定销售计划，将接收到的订单需求反馈给生产与运营部，协调产品
研发、生产、交付、质量等服务工作，同时承担跟单、售后、技术支持等工作。
新产品及客户导入方面，由于光芯片产品设计参数、性能指标多，公司市场与销售部根据客户需求先与
其进行深度技术交流，研发部在此基础上进行产品设计、材料选型、样品生产等工作，然后在厂内进行样品
性能测试、可靠性测试，并将样品送至客户处进行综合测试。测试通过后，客户会小批量下单采购，并在多
批次生产合格后，转入批量采购。公司的成熟产品主要通过展会、现有客户推荐、销售经理开发等方式寻求
新客户。
2、采购模式
每月月底，采购部依据生产与运营部提供的次月生产计划及安全库存数据，制定配套的生产原物料采购
计划（含预测需求）。采购员根据该计划向合格供应商下达PO（采购订单），明确技术规格、交货周期及相
关条款，并通过建立供应商管理库存（VMI）机制，保障关键物料的稳定供应。
进料检验环节由IQC部门负责，其依据可接受质量水平（AQL）标准执行检验，采用统计过程控制（SPC
）方法监控关键质量特性，最终出具的检验分析报告（COA）将作为物料放行的核心依据。物料到货后，由
仓管科核对到货单与采购订单的物料数量；财务部则负责采购款项的最终结算。
此外，研发部门、工程部门、厂务部门、行政部门等需根据公司经营需求，制定各自的采购计划并提前
提交采购部审核，再由采购部统一执行采购。
在供应商管理方面，公司已建立完善的供应商认证及管理流程：对新供应商进行资质评估与实地调查，
对其提供的样品进行严格验证，通过评审的合格供应商将被录入《合格供方名单》。
同时，公司会对供应商实施绩效考核与分级管理，按需开展物料替代管理及供应商稽核工作，确保采购
质量符合ISO9001/14001体系要求，确保采购活动满足QCDS（质量/成本/交付/服务/环保）综合目标。
3、生产模式
公司生产激光器芯片属于IDM模式，掌握芯片设计、晶圆外延等光芯片制造的核心技术，拥有覆盖芯片
设计、晶圆制造、芯片加工和测试等自主生产的能力，公司的IDM模式能够缩短产品开发周期，实现光芯片
制造的自主可控，快速响应客户并高效提供相应解决方案，能够迅速地应对动态市场需求。
公司生产以市场需求为导向，生产与运营部根据客户订单协调相关部门制定生产计划。公司根据年度销
售策略进行产能评估，提前适当备货以应对需求高峰，保持库存的适度水平，减轻生产压力。
4、研发模式
公司研发以行业发展、应用需求及研发项目为基础，新产品研发流程以研发部《设计和开发控制程序》
体系进行管理，从立项开始先后经历6个阶段，主要包括：立项、设计输入输出、工程验证测试（EVT）、设
计验证测试（DVT）、研发转生产培训考核、批量过程验证测试优化（PVT）等阶段，各阶段要求满足后进入
下一阶段，具体如下：
（1）立项阶段
市场与销售部根据客户及市场需求，提出新项目立项申请，填写《项目研发建议书》，并提交市场与销
售部、研发部及总经理共同评审。项目评审通过后，指定项目负责人制作项目可行性分析，包括项目方案概
况列举、项目预算、研发过程风险预估与对应措施，确定参与人员、明确客户指标需求等。
（2）设计输入输出阶段
项目负责人根据立项阶段资料，制作设计开发阶段指导文件及流程，包括产品技术参数、工艺指导文件
、结构设计、工艺流程设计、环保分析、研发过程失效分析及对应的控制措施等。
（3）工程验证测试阶段（EVT）
研发部根据《设计和开发控制程序》要求进行投片，参照设计输入输出阶段工艺指导文件与流程进行样
品试制，在试制结束后对客户需求指标进行测试分析。此阶段针对产品特性与工艺生产异常关闭率进行评审
。第一轮样品试制若无法满足客户需求，研发项目团队总结样品试制过程中的问题，进行分析、提出设计更
改并重新输出对应指导文件，获得批准后进行下轮样品试制，直到满足客户需求后可转入下一阶段。
（4）设计验证测试阶段（DVT）
研发部根据投片数量进行设计验证测试，对客户需求指标进行测试并分析。此阶段针对产品稳定性与异
常关闭率进行评审。设计验证测试结束若无法满足客户需求，研发项目团队总结生产过程中的问题，进行分
析、提出设计更改并重新输出对应指导文件，从上一阶段的工程验证测试（EVT）开始开发，直到满足客户
需求并通过验证。
（5）研发转生产培训考核阶段
研发转生产培训考核阶段，研发部提供给生产与运营部相关资料，包括输出工艺标准指导书、工单、参
数对照表、质检标准、标准工时统计表、试生产任务单等，并根据需求对生产线相应的人员进行培训与考核
，通过评审后方可转入下个阶段。
（6）批量过程验证测试优化阶段（PVT）
批量过程验证测试优化阶段（PVT），生产与运营部接收研发转生产阶段文件后，评估产线产能、管理
投入设备并分析人员、安全和环境等因素，确认具备量产能力后，制定并组织实施生产计划，投入资源进行
批量验证与测试。在批量生产过程中，研发项目团队总结生产过程中的问题，进行分析、提出设计更改并重
新输出对应指导文件，直到达到预期目标并通过验证。
二、经营情况的讨论与分析
1、主要经营情况
2025年上半年公司实现营业收入20495.09万元，同比增加70.57%；实现归属于上市公司股东的净利润46
26.39万元，同比增加330.31%。公司的电信市场业务实现收入9987.35万元，较上年同期减少8.93%。公司的
数据中心及其他业务实现收入10460.17万元，较上年同期上升1034.18%。
报告期内，电信市场业务基本保持平稳，公司进一步优化产品结构，在原有2.5G、10GDFB光芯片的基础
上，加大10GEML产品的客户推广。面向下一代25/50GPON网络的光芯片产品实现批量交付并形成了规模收入
，产品技术指标对标国际厂商。电信市场中，EML产品已经成为重要的收入组成部分之一。
报告期内，在AI算力需求爆发的背景下，公司在AI数据中心市场实现大幅度增长，尤其是硅光方案所需
的大功率CW激光器芯片。该芯片要求同时具备大功率、高耦合效率、宽工作温度的性能指标，对激光器芯片
无论从设计、生产制造工艺以及测试稳定性提出更高要求。公司基于多年在DFB激光器领域“设计+工艺+测
试”的深度积累，针对400G/800G光模块需求，成功量产CW70mW激光器芯片，在市场端加强了商务拓展，逐
步进入更广泛的客户供应链。
报告期内，主要系在人工智能等终端应用领域拉动下，公司高毛利率的数据中心板块业务大幅增加，产
品结构进一步优化，整体收入和利润同比增加。
整体来看，公司在持续深耕电信市场的基础上，积极把握AI发展带来的数据中心市场机遇，加速完成“
电信+数通”双轮驱动的高端光芯片解决方案供应商的转型。
2、技术与研发情况
电信市场领域，对原有的2.5G、10G的DFB、EML产品持续加强生产过程管控，借以提升产品的良率和稳
定性。随着无线和10GPON光纤接入部署逐步进入成熟期，行业需求增长放缓。公司在此背景下，积极配合海
内外设备商提前布局下一代25G/50GPON所需DFB/EML产品，此应用需根据不同的上下行要求对应不同芯片规
格，公司具备和客户一同推进方案开发的先发优势，在良好的产品匹配度下，已实现批量发货，为把握未来
电信市场增长机遇奠定了坚实的基础。
数据中心领域，随着AI技术的快速发展，光模块正加速向高速率演进，逐步从400G/800G向1.6T等更高
速率发展。报告期内，公司的CW70mW激光器产品实现大批量交付，并逐步优化工艺水平。该产品采用非制冷
设计，具备高功率输出和低功耗特性，适用于数据中心高速场景，成为公司新的增长极。公司推出的CW100m
W激光器产品，在同样具备高可靠性的前提下，通过客户的验证。公司的100GPAM4EML产品已完成性能与可靠
性验证，并完成了客户端验证。更高速率的200GPAM4EML完成产品开发并推出，相关技术成果在2025年OFC大
会上进行发表。与此同时，CPO技术通过高度集成实现了更高的带宽密度和更低的功耗，被视为1.6T及以上
速率的解决方案之一。2024年，OIF发布3.2TbpsCPO标准，推动行业标准化进程。公司瞄准这一机遇，研发
了300mW高功率CW光源，并实现该产品的核心技术突破，以满足与CPO/硅光集成的协同创新。针对OIO领域的
CW光芯片需求，公司已开展相关预研工作。
3、人才建设情况
公司始终高度重视人才储备，随着公司业务量的进一步扩大，公司持续加强人才队伍建设，通过内部推
荐、网络招聘、校园招聘等各种方式招募优秀人才，核心团队成员稳定增长，汇聚了一支敢于自我挑战的半
导体领域专业团队，为公司发展提供人才保障。经过多年积累和发展，不断优化培养机制，进行人才梳理，
识别重点梯队员工进行阶梯式培养，制定职业发展规划，完善晋升通道，为员工提供不同层次、不同形式的
培训机会，不断提升团队凝聚力和管理水平。结合员工岗位、工作绩效等实施员工激励，旨在吸引和留住更
多优秀人才与公司共同成长，互相成就，促进公司持续发展、不断前行。
4、生产制造方面
公司采用全流程自有工艺进行激光器芯片制造，涵盖外延生长、光刻、刻蚀、薄膜沉积、测试等关键步
骤。为满足光通信高速增长的市场需求，2025年上半年，公司持续增加晶圆工艺、芯片工艺设备的采购，扩
大产能；持续推进设备升级，制程优化，提升生产效率；持续加大自动化生产和智能制造系统的投入，优化
工艺参数，以提高良率，并降低生产成本。同时，公司强化关键原材料、关键设备的采购管理，加强与上游
供应商的合作，降低供应链风险，并进一步完善全球的产能布局。
三、报告期内核心竞争力分析
(一)核心竞争力分析
1、技术积累与研发优势
公司是光芯片领域的高新技术企业。光芯片行业具有较高的技术壁垒，产品的迭代更新需要深厚的芯片
设计经验和制造工艺经验，迭代过程中需要对芯片结构、材料特性、制造工艺、生产设备等开展大量创新性
的工作，才能够保证良好的产品特性及可靠性。公司自成立以来一直致力于光芯片的研发、设计、生产与销
售，自主打造晶圆生产线，购置配套专业生产设备，培养专业人才，经过长期研发投入积累一系列核心技术
。同时，公司持续增加研发投入，在现有研发积累的基础上，通过扩大升级研发实验室、材料科学实验室，
优化研发环境及引进一批先进的研发、生产、检测设备和专业技术人才，提升整体研发能力。公司以市场发
展的趋势为导向，及时调整原产品迭代升级与新产品的技术预研方向，使产品持续跟随市场发展趋势。
在研发管理方面，公司将不断完善研发激励机制，对在产品的技术研发、参数改进、专利申请等方面做
出贡献的技术研发人员均给予相应的奖励，激发技术研发人员的工作热情。公司建立了多层次的研发体系，
培养了大批基础扎实、技术一流的芯片设计及制造的工程技术人员，同时不断吸纳高质量人才的加入，不断
提升技术团队的自主创新能力和技术水平。
2、客户资源优势
公司的光芯片产品的特性、可靠性、批量供货能力经过了下游客户的长期验证，得到了客户的高度认可
。公司已在市场上树立了质量可靠、服务完善的良好品牌形象，同时也在境内外市场开拓了众多的直接或间
接优质客户。光芯片产品在下游客户的导入需经过较长的验证过程，公司率先进入了国内外客户的供应体系
，建立了较高的客户资源壁垒，为公司的持续发展建立了良好的市场基础。
3、产品结构优势
公司产品广泛应用于光纤接入、移动通信、数据中心、车载激光雷达等领域。下游不同场景、不同客户
对光芯片产品的性能指标有诸多差异化需求。公司目前产品包括2.5G、10G、25G、50G、100G、200G光芯片
产品、CW光源、车载激光雷达光源等产品，多元化的产品体系可以发掘更多市场需求，更好的满足客户需求
，打开更广阔的市场空间。
4、人才团队优势
公司始终以半导体激光器芯片核心技术为重心，根据公司市场布局及未来产品发展方向持续针对性吸纳
、引进技术人才，进一步优化研发人员的结构、加强人才梯队建设。通过培养优秀核心技术团队，提升研发
人员技术能力，研发团队整体素质不断提高，壮大公司自主研发实力，增强企业竞争力。优秀的人才结构为
公司研发新产品、攻关新技术提供了坚实的人才保障。
5、生产制造优势
公司十年来积累了丰富的生产管理经验、较强的产品质量控制能力，并形成了一定的产业规模，在生产
方面具有一定的技术先发优势与规模优势。在先进的外延生长与芯片制造方面，公司具备高精度的外延工艺
、光刻工艺、刻蚀工艺，确保芯片性能。在自动化生产方面，为了进一步满足国内外大客户的需求，公司进
一步优化了智能制造系统，加强了产线的自动化水平，提升生产效率，确保产品品质的稳定性。在规模化制
造与成本控制方面，公司生产设备已具备大功率激光器、DFB激光器、EML激光器等产品的生产制造能力，并
且多数设备可以实现不同产品生产制造即时切换，实现互相备份，充分保证和响应客户的不同需求生产交付
，并优化生产材料供应体系，确保长期供应，降低原材料波动带来的影响。在先进封装与测试方面，公司具
备全自动化封装与测试生产线，提升产品一致性和交付能力。同时公司的全球化产能布局，有利于减少外部
因素对产品交付的潜在影响。
(二)核心技术与研发进展
1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
（1）核心技术的情况
经过多年研发与产业化积累，公司形成了“掩埋型激光器芯片制造平台”“脊波导型激光器芯片制造平
台”“光放大器集成芯片制造平台”“高速调制激光器芯片技术”“异质化合物半导体材料对接生长技术”
“小发散角技术”“集成式光芯片高可靠性技术”“大功率激光器高可靠性技术”“高速激光器芯片的封装
技术”等技术。
（2）核心技术的先进性
1）高速调制激光器芯片技术，实现高速激光器芯片的规模化生产
移动通信网络与数据中心数据高速传输的需求，要求激光器芯片调制速率提升至25G及以上。
高速调制激光器的开发难点在于对有源区量子阱进行高速应用设计、纳米级精度的外延生长技术与高速
芯片谐振腔的设计。
公司高速调制激光器芯片技术完成以下难点开发：①通过理论计算，建立结构模型，进行高度专业化仿
真，以完成高速芯片结构设计，有效减少试错成本与开发周期；②有源区晶圆外延工艺参数匹配调试；③高
速应用之相移光栅工艺条件开发验证；④各项高速验证指标评测系统搭建。
公司凭借该项技术，在保证产品可靠性的同时，解决高速晶圆外延精度问题、芯片高温环境运行可靠性
、寄生电容限制芯片高速特性等技术难题，突破了高速激光器芯片产品的技术瓶颈，有助于实现25G、50GPA
M4DFB激光器芯片的规模化、高质量、低成本的生产制造。2020年，公司凭借25GMWDM12波段DFB激光器芯片
，成为满足中国移动相关5G建设方案批量供货的厂商。
2）电吸收调制器集成技术，实现100G/200GPAM4EML激光器芯片的海外技术领先目前国际先进的100GPAM
4EML激光器芯片采用电吸收调制器集成技术，其将DFB激光器芯片技术与电吸收调制器芯片技术进行集成，
以此突破高速瓶颈。电吸收调制器集成技术的开发难点在于，集成大功率DFB激光器芯片和高速调制器于同
一芯片，在不同区域分别实现发射光源和高速调制的功能。如集成设计及生产过程不合宜，会导致对接介面
缺陷、晶向失配等材料缺陷问题，影响产品的可靠性。在此基础上，公司迭代开发出200GPAM4EML产品，成
果展示于2025年OFC研讨会上，成为国际少数在此产品技术领先的光芯片制造商。
公司电吸收调制器集成技术完成以下技术突破：①分别设计发射光源区与调制区的晶圆量子阱结构，实
现功能独离优化；②光波导光路计算与仿真；③异质波导有源区外延工艺技术开发；④芯片高频寄生电容优
化；⑤大功率发射光源与高速调制器低损耗对接技术。公司凭借该技术，设计定型了100G/200GPAM4EML激光
器芯片，打破海外领先光芯片企业垄断的局面，实现海外技术领先，为公司长期发展提供技术保障。
3）异质化合物半导体材料对接生长技术，实现高温、大电流工作环境中高速激光器芯片产品的高可靠
性
速率要求达到10G及以上的激光器芯片制程中，量子阱发光区一般使用铝铟镓砷（AlInGaAs）等复合化
合物半导体材料，因该材料在空气中易氧化，导致芯片在高温工作环境中快速裂化失效，极大限制终端室外
通信设备的可靠性。
公司异质化合物半导体材料对接生长技术完成以下难点开发：①异质化合物半导体材料光波导设计与仿
真；②异质化合物半导体材料对接生长晶圆外延工艺参数匹配调试；公司利用较稳定的化合物半导体材料进
行异质半导体材料对接生长，降低半导体材料在制程时曝露空气产生缺陷的概率，从根本上解决可靠性劣化
问题。公司该项技术开发难度极高，提供了产品劣化解决方案，实现高
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