经营分析☆ ◇688498 源杰科技 更新日期：2025-05-21◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.前5名客户营业收入表】【4.前5名供应商采购表】
【5.经营情况评述】
【1.主营业务】
光芯片的研发、设计、生产与销售。
【2.主营构成分析】
截止日期:2024-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
光芯片(行业) 2.50亿 99.27 8394.17万 99.90 33.53
其他业务(行业) 183.05万 0.73 8.36万 0.10 4.57
─────────────────────────────────────────────────
电信市场类(产品) 2.02亿 80.22 4981.73万 59.29 24.62
数据中心及其他(产品) 4803.83万 19.05 3412.44万 40.61 71.04
其他业务(产品) 183.05万 0.73 8.36万 0.10 4.57
─────────────────────────────────────────────────
境内(地区) 2.50亿 99.18 8376.30万 99.69 33.49
其他业务(地区) 183.05万 0.73 8.36万 0.10 4.57
境外(地区) 23.74万 0.09 17.87万 0.21 75.28
─────────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 1.76亿 69.73 6556.52万 78.03 37.28
经销(销售模式) 7449.14万 29.54 1837.65万 21.87 24.67
其他业务(销售模式) 183.05万 0.73 8.36万 0.10 4.57
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2024-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
电信市场类(产品) 1.10亿 91.27 3289.02万 81.91 29.99
数据中心类及其他(产品) 922.26万 7.68 715.54万 17.82 77.59
技术服务及其他(产品) 126.98万 1.06 10.73万 0.27 8.45
─────────────────────────────────────────────────
境内(地区) 1.20亿 99.84 4001.73万 99.66 33.36
境外(地区) 18.98万 0.16 13.56万 0.34 71.44
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2023-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
光芯片(行业) 1.38亿 95.40 5566.24万 92.05 40.40
其他业务(行业) 663.54万 4.60 480.72万 7.95 72.45
─────────────────────────────────────────────────
电信市场类(产品) 1.33亿 92.14 5172.16万 85.53 38.87
其他业务(产品) 663.54万 4.60 480.72万 7.95 72.45
数据中心类及其他(产品) 471.38万 3.26 394.08万 6.52 83.60
─────────────────────────────────────────────────
境内(地区) 1.38亿 95.28 5550.99万 91.80 40.35
其他业务(地区) 663.54万 4.60 480.72万 7.95 72.45
境外(地区) 18.47万 0.13 15.25万 0.25 82.56
─────────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 1.22亿 84.33 5016.95万 82.97 41.20
经销(销售模式) 1599.32万 11.08 549.30万 9.08 34.35
其他业务(销售模式) 663.54万 4.60 480.72万 7.95 72.45
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2023-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
电信市场类(产品) 5635.27万 91.90 --- --- ---
技术服务及其他(产品) 315.37万 5.14 193.34万 8.08 61.31
数据中心及其他(产品) 181.27万 2.96 --- --- ---
─────────────────────────────────────────────────
境内(地区) 6111.11万 99.66 --- --- ---
境外(地区) 20.79万 0.34 --- --- ---
─────────────────────────────────────────────────
【3.前5名客户营业收入表】
截止日期:2024-12-31
前5大客户共销售1.49亿元，占营业收入的59.06%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│客户名称 │ 营收额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│第一名 │ 4130.00│ 16.38│
│第二名 │ 3592.20│ 14.24│
│第三名 │ 2592.40│ 10.28│
│第四名 │ 2411.70│ 9.56│
│第五名 │ 2167.32│ 8.59│
│合计 │ 14893.62│ 59.06│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【4.前5名供应商采购表】
截止日期:2024-12-31
前5大供应商共采购0.55亿元，占总采购额的56.98%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│供应商名称 │ 采购额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│第一名 │ 1803.35│ 18.71│
│第二名 │ 1234.23│ 12.81│
│第三名 │ 1169.81│ 12.14│
│第四名 │ 706.63│ 7.33│
│第五名 │ 577.12│ 5.99│
│合计 │ 5491.14│ 56.98│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【5.经营情况评述】
截止日期:2024-12-31
●发展回顾:
一、经营情况讨论与分析
1、主要经营情况
2024年公司实现营业收入25,217.27万元，同比增加74.63%；实现归属于上市公司股东的净利润-613.39
万元，同比减少131.49%。公司的电信市场业务实现收入20,230.39万元，较上年同期上升52.05%。公司的数
据中心及其他业务实现收入4,803.83万元，较上年同期上升919.10%。报告期内，电信市场下游客户库存情
况较上一年同期有所缓解，公司进一步优化产品结构，在原有2.5G、10GDFB光芯片的基础上，加大10GEML产
品的客户推广，该产品在国内外客户订单量同比大幅提升，并逐步成为电信市场的重要收入组成部分。面向
下一代25G/50GPON的光芯片产品实现出货。
报告期内，在AI算力需求爆发的背景下，公司在AI数据中心市场实现销售突破，尤其是硅光方案所需的
大功率CW激光器芯片。该芯片要求同时具备大功率、高耦合效率、宽工作温度的性能指标，对激光器芯片无
论从设计，生产制造工艺以及测试稳定性提出更高要求。公司基于多年在DFB激光器领域“设计+工艺+测试
”的深度积累，针对400G/800G光模块需求，成功量产CW70mW激光器芯片，并在多家客户实现批量交付，报
告期内该产品实现百万颗以上出货。部分传统数据中心市场订单需求也有一定的恢复。
在毛利率水平方面，报告期内公司整体收入仍以电信业务市场为主，2.5G、10G等中低速率产品的收入
占比仍较高，随着价格竞争仍日益激烈，加之生产设施的投入和生产费用增加，从而造成了毛利率水平有所
下降。
整体来看，公司在持续深耕电信市场的基础上，积极把握AI发展带来的数据中心市场机遇，加速完成“
电信+数通”双轮驱动的高端光芯片解决方案供应商的转型。
2、技术与研发情况
报告期内，公司持续加大研发投入，2024年度公司研发支出5,451.76万元，较去年同期增长76.17%。公
司加大了对高速率光芯片、大功率光芯片、芯片工艺等相关技术和产品的研发投入。
电信市场领域，对原有的2.5G、10G的DFB产品持续加强生产过程管控，借以提升产品的良率和稳定性。
随着无线和10GPON光纤接入部署逐步进入成熟期，行业需求增长放缓。公司在此背景下，积极配合海内外设
备商提前布局下一代25G/50GPON所需DFB/EML产品，并实现第一阶段的卡位和小批量出货，为把握未来电信
市场增长机遇奠定了坚实的基础。
数据中心领域，随着AI技术的快速发展，光模块正加速向高速率演进，逐步从400G/800G向1.6T等更高
速率发展。报告期内，公司CW70mW激光器产品实现批量交付，产品采用非制冷设计，具备高功率输出和低功
耗特性，适用于数据中心高速场景，成为公司新的增长极。此外，100GPAM4EML、CW100mW芯片已完成客户验
证，200GPAM4EML完成产品开发并推出，开始了针对更高速率EML芯片相关核心技术的研发工作。与此同时，
CPO技术通过高度集成实现了更高的带宽密度和更低的功耗，被视为1.6T及以上速率的解决方案之一。2024
年，OIF发布3.2TbpsCPO标准，推动行业标准化进程。公司瞄准这一机遇，研发了300mW高功率CW光源，并实
现该产品的核心技术突破，以满足与CPO/硅光集成的协同创新。针对OIO领域的CW光芯片需求，公司已开展
相关预研工作。
3、人才建设情况
公司始终将人才视为最宝贵的资源，致力于打造一支高素质、专业化团队。公司立足西安，吸引当地及
周边地区优秀人才，通过多渠道持续引进高端人才，确保人才队伍的持续更新，满足公司发展需求。
公司注重员工长期发展，2024年整合了研发中心人才资源，优化了研发中心组织架构，充分发挥研发人
才优势，为业务发展提供技术储备。同时，加强高校合作，对技术骨干、研发人员进行专业知识赋能。为高
潜管理干部团队引进了外部优质管理培训，持续进行管理赋能，提升了干部的综合管理能力。鼓励员工持续
提升，通过多渠道、多方式，提升员工核心竞争力，加强人才队伍建设，为公司战略发展及经营需要提供坚
实的人才支撑。
为了进一步优化人才的激励机制，促进企业与员工共同成长，报告期内公司完成了2024年限制性股票激
励计划的相关审议程序，向激励对象授予限制性股票合计57.17万股。其中，向符合授予条件的176名首次授
予激励对象授予45.74万股限制性股票，约占2024年限制性股票激励计划拟授予限制性股票总额的80%。预留
11.43万股，约占2024年限制性股票激励计划拟授予限制性股票总额的20%。
4、生产制造方面
公司采用全流程自有工艺进行激光器芯片制造，涵盖外延生长、光刻、刻蚀、薄膜沉积、测试等关键步
骤。2024年，公司不断增加晶圆工艺、芯片工艺设备的采购，扩大产能，以满足光通信高速增长的市场需求
。公司持续加大自动化生产和智能制造系统的投入，优化工艺参数，以提高良率，并降低生产成本，从而形
成更高效、更可持续的制造技术。同时，公司强化关键原材料、关键设备的采购管理，加强与上游供应商的
合作，降低供应链风险，并进一步完善全球的产能布局。
二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明
(一)主要业务、主要产品或服务情况
1、主要业务情况
公司聚焦于光芯片行业，主营业务为光芯片的研发、设计、生产与销售，目前公司的主要产品为光芯片
，主要应用于电信市场、数据中心市场、车载激光雷达市场等领域。其中电信市场可以分为光纤接入、移动
通信网络。在光通信领域中，主要产品包括2.5G、10G、25G、50G、100G、200G以及更高速率的DFB、EML激
光器系列产品和50mW、70mW、100mW、150mW等大功率硅光光源产品，主要应用于光纤接入、4G/5G移动通信
网络和数据中心等领域。在车载激光雷达领域，公司产品涵盖1550波段车载激光雷达激光器芯片等产品。
经过多年研发与产业化积累，公司已建立了包含芯片设计、晶圆制造、芯片加工和测试的IDM全流程业
务体系，拥有多条覆盖MOCVD外延生长、光栅工艺、光波导制作、金属化工艺、端面镀膜、自动化芯片测试
、芯片高频测试、可靠性测试验证等全流程自主可控的生产线。
通过持续的研发投入构建差异化竞争优势，公司从电信市场收入为主的光芯片供应商，逐步发展国内领
先的“电信市场+数通市场”协同拓展的光芯片供应商。公司将继续深耕光芯片行业，致力成为国际一流光
电半导体芯片和技术服务供应商。
(二)主要经营模式
1、销售模式
公司采取以直销为主、经销为辅的销售模式，设立市场与销售部负责开发客户、产品推广以及维护客户
关系。市场与销售部根据客户需求情况制定销售计划，将接收到的订单需求反馈给生产与运营部，协调产品
研发、生产、交付、质量等服务工作，同时承担跟单、售后、技术支持等工作。
新产品及客户导入方面，由于光芯片产品设计参数、性能指标多，公司市场与销售部根据客户需求先与
其进行深度技术交流，研发部在此基础上进行产品设计、材料选型、样品生产等工作，然后在厂内进行样品
性能测试、可靠性测试，并将样品送至客户处进行综合测试。测试通过后，客户会小批量下单采购，并在多
批次生产合格后，转入批量采购。公司的成熟产品主要通过展会、现有客户推荐、销售经理开发等方式寻求
新客户。
2、采购模式
每月月底采购部根据生产与运营部提供的次月生产计划及安全库存，制定对应的生产原物料采购计划（
包括预测需求）；采购员根据采购计划向合格供应商下达PO（采购订单），明确技术规格、交货周期及条款
。建立VMI（供应商管理库存）机制保障关键物料供应。IQC部门依据AQL（可接受质量水平）标准执行进料
检验，采用SPC（统计过程控制）方法监控关键质量特性，出具COA（检验分析报告）作为放行依据。由仓管
科负责核对到货单物料数量与采购订单物料数量，财务部负责最终付款。另外研发部门、生产类部门、厂务
部门、行政部门等根据公司经营需要，制定相应各部门采购计划并提前传递采购部审核，由采购部统一采购
。
公司制定供应商认证及供应商管理流程，对新的供应商进行资质评估及调查，对提供的样品进行验证，
并进行合格供应商评审，合格的供应商将被录入《合格供方名单》。公司对供应商进行绩效考核并分级管理
，按需进行物料替代管理、供应商稽核管理，确保公司的采购质量符合ISO9001/14001体系要求，确保采购
活动满足QCDS（质量/成本/交付/服务）综合目标。
3、生产模式
公司生产激光器芯片属于IDM模式，掌握芯片设计、晶圆外延等光芯片制造的核心技术，拥有覆盖芯片
设计、晶圆制造、芯片加工和测试等自主生产的能力，公司的IDM模式能够缩短产品开发周期，实现光芯片
制造的自主可控，快速响应客户并高效提供相应解决方案，能够迅速地应对动态市场需求。
公司生产以市场需求为导向，生产与运营部根据客户订单协调相关部门制定生产计划。公司根据年度销
售策略进行产能评估，提前适当备货以应对需求高峰，保持库存的适度水平，减轻生产压力。
4、研发模式
公司研发以行业发展、应用需求及研发项目为基础，新产品研发流程以研发部《设计和开发控制程序》
体系进行管理，从立项开始先后经历6个阶段，主要包括：立项、设计输入输出、工程验证测试（EVT）、设
计验证测试（DVT）、研发转生产培训考核、批量过程验证测试优化（PVT）等阶段，各阶段要求满足后进入
下一阶段，具体如下：
（1）立项阶段
市场与销售部根据客户及市场需求，提出新项目立项申请，填写《项目研发建议书》，并提交市场与销
售部、研发部及总经理共同评审。项目评审通过后，指定项目负责人制作项目可行性分析，包括项目方案概
况列举、项目预算、研发过程风险预估与对应措施，确定参与人员、明确客户指标需求等。
（2）设计输入输出阶段
项目负责人根据立项阶段资料，制作设计开发阶段指导文件及流程，包括产品技术参数、工艺指导文件
、结构设计、工艺流程设计、环保分析、研发过程失效分析及对应的控制措施等。
（3）工程验证测试阶段（EVT）
研发部根据《设计和开发控制程序》要求进行投片，参照设计输入输出阶段工艺指导文件与流程进行样
品试制，在试制结束后对客户需求指标进行测试分析。此阶段针对产品特性与工艺生产异常关闭率进行评审
。第一轮样品试制若无法满足客户需求，研发项目团队总结样品试制过程中的问题，进行分析、提出设计更
改并重新输出对应指导文件，获得批准后进行下轮样品试制，直到满足客户需求后可转入下一阶段。
（4）设计验证测试阶段（DVT）
研发部根据投片数量进行设计验证测试，对客户需求指标进行测试并分析。此阶段针对产品稳定性与异
常关闭率进行评审。设计验证测试结束若无法满足客户需求，研发项目团队总结生产过程中的问题，进行分
析、提出设计更改并重新输出对应指导文件，从上一阶段的工程验证测试（EVT）开始开发，直到满足客户
需求并通过验证。
（5）研发转生产培训考核阶段
研发转生产培训考核阶段，研发部提供给生产与运营部相关资料，包括输出工艺标准指导书、工单、参
数对照表、质检标准、标准工时统计表、试生产任务单等，并根据需求对生产线相应的人员进行培训与考核
，通过评审后方可转入下个阶段。
（6）批量过程验证测试优化阶段（PVT）
批量过程验证测试优化阶段（PVT），生产与运营部接收研发转生产阶段文件后，评估产线产能、管理
投入设备并分析人员、安全和环境等因素，确认具备量产能力后，制定并组织实施生产计划，投入资源进行
批量验证与测试。在批量生产过程中，研发项目团队总结生产过程中的问题，进行分析、提出设计更改并重
新输出对应指导文件，直到达到预期目标并通过验证。
(三)所处行业情况
1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
(1)行业的发展阶段及基本特点
随着全球信息互联规模不断扩大，人工智能等技术的兴起，光电信息技术正在被进一步广泛应用。在这
种趋势下，光芯片的下游应用场景不断扩展，需求量不断增加，同时对光芯片的速率、功率、传输距离也提
出更高的要求。目前在电信市场、数据中心市场，光芯片都得到了较为广泛的应用，其中电信市场又可以细
分为光纤接入和移动通信两个细分领域。
电信市场：2024年，5G、千兆光纤网络等新型基础设施建设进一步完善。在光纤接入市场：截至2024年
底，三家基础电信企业的固定互联网宽带接入用户总数达6.7亿户，全年净增3352万户。其中，1000Mbps及
以上接入速率的用户为2.07亿户，全年净增4355万户，占总用户数的30.9%，占比较上年末提高5.2个百分点
。固定互联网宽带接入端口数达到12.02亿个，比上年末净增6612万个。其中，光纤接入（FTTH/O）端口达
到11.6亿个，比上年末净增6570万个，占比由上年末的96.3%提升至96.5%。截至2024年底，具备千兆网络服
务能力的10GPON端口数达2820万个，比上年末净增518.3万个。在无线通信领域，5G网络建设深度覆盖。截
至2024年底，全国移动电话基站总数达1265万个，比上年末净增102.6万个。5G基站为425.1万个，比上年末
净增87.4万个。5G基站占移动电话基站总数达33.6%，占比较上年末提升4.5个百分点。随着无线和光纤接入
部署逐步进入成熟期，下一代技术逐步开始布局。光纤接入领域开始向“万兆”加速。作为ITU-T定义的下
一代PON技术，50GPON比10GPON带宽提升了5倍、时延降低了100倍，具备提供确定性业务体验的能力。根据
工信部《关于开展万兆光网试点工作的通知》的内容，到2025年底，在有条件、有基础的城市和地区，聚焦
小区、工厂、园区等重点场景，开展万兆光网试点。以试点工作为牵引，推动产业链各方加快协同解决目前
万兆光网落地应用中的重点难点问题，带动我国万兆光网核心技术和关键设备取得突破，促进构建万兆光网
成熟产业链和完备产业体系，有序引导万兆光网从技术试点逐步走向部署应用。同时，由于5G-A在网络速度
、延迟、连接数等方面实现显著提升，引入了通感一体、无源物联、内生智能等全新的革命性技术，能更好
地匹配人联、物联、车联、高端制造、感知等场景。运营商也逐步推进其商用部署或组网试点。相关技术的
成熟与推广，有望对相关的产业链形成拉动作用。
数据中心市场：随着人工智能的快速发展，模型性能提高，需要大量算力，导致对光器件的需求、能力
的增加。在这样的背景下，数据中心市场高速率需求持续增加。2024年，国内外CSP对AI基础设施的投资推
动400G/800G以太网光模块出货量激增，进而拉动光芯片的需求。这一投资趋势在2025年持续加强，同时中
国云厂商也开始进一步的跟进。在速率方面，2025年1.6T光模块将开始批量出货。随着交互速率及训练集群
规模的提升，业界对功耗、散热、成本提出了更高要求，因此系统互联互通的方式需要不断优化，以实现更
高的能效比和更紧凑的封装设计。低功耗、小型化、集成化将成为未来光模块发展的重要趋势。目前，硅光
技术在可插拔光模块中逐步提升，特别在高速率模块中应用渗透率进一步加大。LPO方案也是未来趋势，其
在特定场景中表现出较低功耗和成本的优势。进一步来看，未来CPO、OIO的发展和应用，也将带来更多光互
联领域的新增量。LightCounting在最新报告中指出，光通信芯片组市场预计将在2025至2030年间以17%的年
复合增长率（CAGR）增长，总销售额将从2024年的约35亿美元增至2030年的超110亿美元。
(2)主要技术门槛
更高速率、更高功率、更长传输距离的光芯片的技术研发、工艺设计具有更高开发难度与门槛。一方面
，随着需求提升，光芯片的结构设计的精度要求极高，技术研发及工艺开发需结合高速射频电路与电子学、
微波导光学、半导体量子力学、半导体材料学等多学科，设计合适的芯片结构，满足芯片精度及尺寸的要求
；另一方面，激光器芯片的生产需要几十至几百道工序，每道生产工序都将影响产品最终的性能和可靠性，
因此对生产线工艺成熟和稳定有极高要求。此外，高速率激光器芯片相较于中低速率产品，在量子阱有源区
、光栅层结构区、模斑转化器区域、光波导结构区、电流限制结构区、高频电极结构、谐振腔反射膜等关键
结构的设计与开发上，需综合考虑光电特性、产品可靠性、制备工艺可行性等相互制约因素，因此存在极高
壁垒。
2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
经过多年研发与产业化积累，公司已建立了包含芯片设计、晶圆制造、芯片加工和测试的IDM全流程业
务体系，拥有多条覆盖MOCVD外延生长、光栅工艺、光波导制作、金属化工艺、端面镀膜、自动化芯片测试
、芯片高频测试、可靠性测试验证等全流程自主可控的生产线。通过研发、市场、服务、产品等多个维度的
协同发展，公司已经获得国内客户的认可，并从电信市场收入为主的光芯片供应商，逐步发展国内领先的“
电信市场+数通市场”协同拓展的光芯片供应商。公司将继续深耕光芯片行业，致力成为国际一流光电半导
体芯片和技术服务供应商。
在电信市场中，目前所需的2.5G、10G激光器芯片市场国产化程度较高，但不同波段产品应用场景不同
，工艺难度差异大，公司凭借长期技术积累实现激光器光源发散角更小、抗反射光能力更强等差异化特性，
为光模块厂商提供全波段、多品类产品，同时提供更低成本的集成方案，实现差异化竞争；未来25G/50GPON
接入网对光芯片的要求也将进一步提升，大功率、低色散、高速调制的场景需求提升了光芯片的技术门槛，
公司已开发相应的集成技术与光放大器集成技术平台，适配高速接入网的需求，使公司的PON光芯片产品具
备更强的市场竞争力，进入下一代高速需求的迭代过程。
在数据中心市场中，尤其是以人工智能为代表的应用拉动了400G、800G或以上高速光模块的需求增加，
进而带动了高速率、大功率的芯片需求，比如主要为100GPAM4EML光芯片、70mW、100mW大光功率激光器等。
目前数据中心市场仍以海外供应商为主。公司基于多年在光芯片领域的研发和生产积累，已推出相应的高速
EML、大功率激光器产品，无论是单波或是多波长的CWDM、LWDM需求，来适配相关的高速光模块的需求，且
性能及可靠性等指标可对标海外同类型产品。目前，公司在AI数据中心市场实现销售突破。尤其是硅光模块
解决方案所需的全系列大功率CW激光器产品，2024年面向400G/800G硅光模块的CW芯片产品已实现百万颗以
上出货，奠定了公司在该领域较为领先的行业地位。
3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
（1）硅光技术逐渐成为提升成本效率重要方案之一
降本、降功耗、增效始终是算力发展过程中不断追求的方向。硅光子技术是基于硅和硅基衬底材料，利
用现有CMOS工艺进行光器件开发和集成的新一代技术。AI的爆发大幅提升了对光模块速率和数量的需求，使
得降本降功耗更为紧迫，这导致了客户对硅光的接受度有望提升。目前，硅光方案的光模块在400G和800G的
渗透率有明显的提升，下一代1.6T的光模块中，硅光方案占比将进一步提升。在硅光方案中，CW激光器芯片
作为外置光源，硅基芯片承担速率调制功能。CW大功率激光器芯片，要求同时具备大功率、高耦合效率、宽
工作温度的性能指标，对激光器芯片要求更高。
（2）关注CPO等新技术的演进
随着单通道速率提升，电链路距离越长损耗越大，需要将光引擎更靠近交换芯片。因此，CPO技术通过
将交换芯片和光引擎封装在一起，缩短了交换芯片和光引擎之间的距离，从而帮助电信号在芯片和引擎之间
更快地传输，减少尺寸，提高效率，降低功耗。从目前CPO相关技术路径构架来看，在CPO交换机中CW光源单
颗价值量将提升，同时所需要的功率也将进一步提高。
（3）光芯片下游应用市场不断拓展
光芯片的应用领域正在不断拓展。在传感领域，如环境监测、气体检测，光芯片被用作传感器，能够检
测光信号并转换为电信号，用于数据采集和分析。在汽车领域，随着传统乘用车的电动化、智能化发展，高
级别的辅助驾驶技术逐步普及，核心传感器件激光雷达的应用规模将会增大。基于砷化镓（GaAs）和磷化铟
（InP）的光芯片作为激光雷达的核心部件，其未来的市场需求将会不断增加。
(四)核心技术与研发进展
1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
（1）核心技术的情况
经过多年研发与产业化积累，公司形成了“掩埋型激光器芯片制造平台”“脊波导型激光器芯片制造平
台”“光放大器集成芯片制造平台”“高速调制激光器芯片技术”“异质化合物半导体材料对接生长技术”
“小发散角技术”“集成式光芯片高可靠性技术”“大功率激光器高可靠性技术”“高速激光器芯片的封装
技术”等技术。
（2）核心技术的先进性
1）高速调制激光器芯片技术，实现高速激光器芯片的规模化生产
移动通信网络与数据中心数据高速传输的需求，要求激光器芯片调制速率提升至25G及以上。高速调制
激光器的开发难点在于对有源区量子阱进行高速应用设计、纳米级精度的外延生长技术与高速芯片谐振腔的
设计。
公司高速调制激光器芯片技术完成以下难点开发：①通过理论计算，建立结构模型，进行高度专业化仿
真，以完成高速芯片结构设计，有效减少试错成本与开发周期；②有源区晶圆外延工艺参数匹配调试；③高
速应用之相移光栅工艺条件开发验证；④各项高速验证指标评测系统搭建。
公司凭借该项技术，在保证产品可靠性的同时，解决高速晶圆外延精度问题、芯片高温环境运行可靠性
、寄生电容限制芯片高速特性等技术难题，突破了高速激光器芯片产品的技术瓶颈，有助于实现25G、50GPA
M4DFB激光器芯片的规模化、高质量、低成本的生产制造。2020年，公司凭借25GMWDM12波段DFB激光器芯片
，成为满足中国移动相关5G建设方案批量供货的厂商。
2）电吸收调制器集成技术，实现100G/200GPAM4EML激光器芯片的产品突破
目前国际先进的100GPAM4EML激光器芯片采用电吸收调制器集成技术，其将DFB激光器芯片技术与电吸收
调制器芯片技术进行集成，以此突破高速瓶颈。电吸收调制器集成技术的开发难点在于，集成大功率DFB激
光器芯片和高速调制器于同一芯片，在不同区域分别实现发射光源和高速调制的功能。如集成设计及生产过
程不合宜，会导致对接介面缺陷、晶向失配等材料缺陷问题，影响产品的可靠性。在此基础上，公司迭代开
发出200GPAM4EML产品，成果展示于2025年OFC研讨会上，成为国际少数在此产品技术领先的光芯片制造商。
公司电吸收调制器集成技术完成以下技术突破：①分别设计发射光源区与调制区的晶圆量子阱结构，实
现功能独离优化；②光波导光路计算与仿真；③异质波导有源区外延工艺技术开发；④芯片高频寄生电容优
化；⑤大功率发射光源与高速调制器低损耗对接技术。公司凭借该技术，设计定型了100G/200GPAM4EML激光
器芯片，打破海外领先光芯片企业垄断的局面，为公司长期发展提供技术保障。
3）异质化合物半导体材料对接生长技术，实现高温、大电流工作环境中高速激光器芯片产品的高可靠
性
速率要求达到10G及以上的激光器芯片制程中，量子阱发光区一般使用铝铟镓砷（AlInGaAs）等复合化
合物半导体材料，因该材料在空气中易氧化，导致芯片在高温工作环境
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