经营分析☆ ◇688525 佰维存储 更新日期：2026-09-12◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.前5名客户营业收入表】【4.前5名供应商采购表】
【5.经营情况评述】
【1.主营业务】
半导体存储器的研发设计、封装测试、生产和销售
【2.主营构成分析】
截止日期:2026-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
存储产品:嵌入式存储(产品) 113.34亿 72.77 64.02亿 75.00 56.49
存储产品:消费级存储(产品) 30.92亿 19.85 15.26亿 17.87 49.34
其他(产品) 5.43亿 3.49 1.89亿 2.22 34.84
存储产品:工业级存储(产品) 4.54亿 2.92 3.44亿 4.02 75.61
先进封测服务(产品) 1.51亿 0.97 7601.78万 0.89 50.31
─────────────────────────────────────────────────
内销(地区) 81.14亿 52.10 46.45亿 54.41 57.24
外销(地区) 74.61亿 47.90 38.92亿 45.59 52.17
─────────────────────────────────────────────────
智能移动及AI新兴端侧(其他) 62.44亿 40.09 29.81亿 34.92 47.74
智能汽车及其他应用(其他) 62.33亿 40.02 40.19亿 47.08 64.47
PC及企业级存储(其他) 29.47亿 18.92 14.61亿 17.11 49.58
封测服务(其他) 1.51亿 0.97 7601.78万 0.89 50.31
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2025-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
集成电路(行业) 110.20亿 97.50 23.64亿 97.56 21.45
其他业务(行业) 2.82亿 2.50 5919.67万 2.44 20.96
其他(补充)(行业) 28.84 0.00 6.64 0.00 23.02
─────────────────────────────────────────────────
嵌入式存储(产品) 68.78亿 60.86 15.22亿 62.83 22.13
PC存储(产品) 36.95亿 32.69 7.01亿 28.94 18.99
其他业务(产品) 2.82亿 2.50 5919.67万 2.44 20.96
工车规存储(产品) 2.77亿 2.45 7632.96万 3.15 27.51
先进封测服务(产品) 1.70亿 1.50 6389.91万 2.64 37.70
其他(补充)(产品) 28.84 0.00 6.64 0.00 23.02
─────────────────────────────────────────────────
境外地区(地区) 57.82亿 51.16 13.23亿 54.61 22.89
境内地区(地区) 52.38亿 46.34 10.41亿 42.94 19.87
其他业务(地区) 2.82亿 2.50 5919.67万 2.44 20.96
其他(补充)(地区) 28.84 0.00 6.64 0.00 23.02
─────────────────────────────────────────────────
经销(销售模式) 63.26亿 55.97 16.55亿 68.31 26.17
直销(销售模式) 46.94亿 41.53 7.09亿 29.25 15.10
其他业务(销售模式) 2.82亿 2.50 5919.67万 2.44 20.96
其他(补充)(销售模式) 28.84 0.00 6.64 0.00 23.02
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2025-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
存储产品:嵌入式存储(产品) 22.86亿 58.42 2.32亿 65.51 10.17
存储产品:PC存储(产品) 13.84亿 35.38 6420.85万 18.10 4.64
其他(产品) 1.05亿 2.68 1593.53万 4.49 15.21
先进封测服务(产品) 8324.97万 2.13 3687.20万 10.39 44.29
存储产品:工车规存储(产品) 5448.74万 1.39 537.11万 1.51 9.86
─────────────────────────────────────────────────
内销(地区) 20.08亿 51.32 1.61亿 45.26 8.00
外销(地区) 19.04亿 48.68 1.94亿 54.74 10.20
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2024-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
集成电路(行业) 64.48亿 96.31 11.87亿 97.48 18.41
其他业务(行业) 2.47亿 3.69 3067.27万 2.52 12.42
─────────────────────────────────────────────────
嵌入式存储(产品) 42.41亿 63.34 7.60亿 62.37 17.91
PC存储(产品) 20.19亿 30.15 3.60亿 29.59 17.85
其他业务(产品) 2.47亿 3.69 3067.27万 2.52 12.42
先进封测服务(产品) 1.07亿 1.60 3514.01万 2.89 32.80
工车规存储(产品) 8131.90万 1.21 3206.47万 2.63 39.43
─────────────────────────────────────────────────
境内地区(地区) 33.55亿 50.10 5.63亿 46.24 16.78
境外地区(地区) 30.94亿 46.21 6.24亿 51.25 20.17
其他业务(地区) 2.47亿 3.69 3067.27万 2.52 12.42
─────────────────────────────────────────────────
经销(销售模式) 32.48亿 48.51 5.61亿 46.07 17.27
直销(销售模式) 32.00亿 47.80 6.26亿 51.41 19.57
其他业务(销售模式) 2.47亿 3.69 3067.27万 2.52 12.42
─────────────────────────────────────────────────
【3.前5名客户营业收入表】
截止日期:2025-12-31
前5大客户共销售46.28亿元，占营业收入的40.95%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│客户名称 │ 营收额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│客户一 │ 124882.23│ 11.05│
│客户二 │ 118681.62│ 10.50│
│客户三 │ 82727.80│ 7.32│
│客户四 │ 71496.74│ 6.33│
│客户五 │ 64994.78│ 5.75│
│合计 │ 462783.17│ 40.95│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【4.前5名供应商采购表】
截止日期:2025-12-31
前5大供应商共采购86.68亿元，占总采购额的66.41%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│供应商名称 │ 采购额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│供应商一 │ 383831.97│ 29.41│
│供应商二 │ 133295.61│ 10.21│
│供应商三 │ 130358.61│ 9.99│
│供应商四 │ 130148.23│ 9.97│
│供应商五 │ 89119.39│ 6.83│
│合计 │ 866753.81│ 66.41│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【5.经营情况评述】
截止日期:2026-06-30
●发展回顾:
一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
(一)主要业务、主要产品或服务情况
1、主营业务
公司是一家面向AI时代的领先独立半导体存储解决方案提供商，主要从事半导体存储器的研发设计、封
装测试、生产和销售，主要产品及服务为半导体存储解决方案和先进封测服务，其中半导体存储解决方案按
照应用领域不同，又分为智能移动及AI新兴端侧存储、PC及企业级存储、智能汽车及其它应用存储等。公司
秉持“存储无限，策解无疆（InfiniteStorageUnlimitedSolutions）”的产品服务理念，以“存储赋能万
物智联（MemoryEmpowersEverything）”为使命，致力于成为全球一流的存储与先进封测厂商。公司深刻洞
察AI技术革命对数据处理和存储带来的爆发式增长，紧紧围绕半导体存储器产业链，构筑了研发封测一体化
的经营模式，布局存储解决方案研发、芯片设计、存储器封测/晶圆级先进封测和存储测试机等产业链关键
环节。公司是国家高新技术企业、科创50指数成分股，并获得上交所2024—2025年度信息披露A级评价。
2、主要产品及服务
万物互联时代，数据呈指数级增长，海量数据需要存储，存储形式也更加多元化。公司紧随存储器大容
量、大带宽、低延时、低功耗、高安全、小尺寸等升级方向，在智能移动及AI新兴端侧、PC及企业级、智能
汽车及其它应用等领域持续创新，打造了全系列、差异化的产品体系及服务，主要产品及服务为半导体存储
解决方案和先进封测服务，其中半导体存储解决方案分为DRAM解决方案（如LPDDR及DDR）、NANDFlash解决
方案（如eMMC、UFS及SSD）以及多芯片封装（MCP）解决方案（如uMCP、eMCP及ePOP）。
（1）智能移动及AI新兴端侧存储
公司在智能移动及AI新兴端侧领域的产品类型涵盖LPDDR、eMMC、UFS、ePOP、uMCP、eMCP等，广泛应用
于智能手机、平板电脑、AI/AR眼镜、智能手表、AI学习机、具身智能及其他AI新兴端侧，适配AI时代下智
能移动及AI新兴端侧产品在紧凑的外形尺寸内的大容量、高数据传输效率、快速读写及低功耗的要求。
①LPDDR
公司LPDDR产品涵盖LPDDR2、LPDDR3、LPDDR4/4X、LPDDR5/5X各类标准，容量覆盖8Gb至128Gb。其中，
公司面向AI新兴端侧设备的LPDDR5/5X解决方案能够为设备端AI功能（如实时健康监测、手势识别和预测警
报）提供支持。公司面向智能移动设备（智能手机、平板电脑）的LPDDR5/5X解决方案数据传输速率最高可
达9600Mbps，相较前代产品功耗降低约25%。公司紧凑型FBGA245LPDDR5X产品封装尺寸为8.26×12.4（mm）
，能够最大限度减少PCB占用空间，为更轻薄的终端提供更大的设计灵活性，支持48Gb至128Gb的多容量配置
，能够满足多样化数据需求，该产品目前已量产出货。公司进一步开发了基于晶圆级先进封装技术的多层芯
片堆叠与高容量超薄LPDDR解决方案，提供大容量、超薄且数据传输效率增强的解决方案。
②UFS及eMMC
公司面向智能移动设备的UFS3.1解决方案能够提供增强随机IOPS，配备深度休眠模式，能够在视频流与
多任务处理过程中快速加载及保存大型文件。公司面向智能移动设备提供可靠且可定制的eMMC5.1解决方案
，支持命令队列、安全擦除、可靠写入与定制固件算法，能够实现流畅的文件及软件处理。公司针对AI新兴
端侧设备的极致小型化需求，推出了升级款超小尺寸eMMC，该产品尺寸仅为7.16×7.16×0.73（mm），能够
顺应智能穿戴设备向极致小型化、轻量化和超薄布局发展的趋势，其高效能架构可减少能量损耗，从而延长
电池寿命，公司完善的质量管理体系可确保产品的可靠性和耐用性，该产品目前已送样客户。公司UFS产品
可应用于智能穿戴设备中，在紧凑封装中提供更快的数据处理能力。公司基于自研SP1800主控平台，推出QL
CeMMC解决方案，采用4KLDPC以及SRAMECC等算法，在保障产品高可靠性的基础上，性能达到业界领先水平。
同时，SP1800主控芯片的低功耗设计，能够满足智能终端越来越严苛的待机要求，当前采用SP1800主控芯片
的低功耗eMMC解决方案已量产出货。
③ePOP及uPOP
公司ePOP解决方案采用多层芯片堆叠、超薄芯片与多芯片异构集成技术，可实现0.54mm的封装厚度，属
于行业中最轻薄的方案之一，受到全球头部客户的广泛认可。该解决方案具备超薄小体积、低功耗、高可靠
性、大量市场验证数据等行业领先的产品优势，为终端产品实现更轻、更薄的结构设计提供更大布局自由度
。公司ePOP5x产品将eMMC5.1与LPDDR5/5X高度集成，能够实现最高300MB/s的读取速度和8533Mbps的速率，
在高负载场景下仍能保持流畅稳定运行，满足智能穿戴设备对高集成度与高可靠性的复杂需求。同时，公司
提供定制化解决方案，支持快速启动的专有固件算法与超低功耗模式，并可按需求定制硬件参数与封装选项
，精确适配多样化的可穿戴设计。公司正在研发的uPOP3.1产品，采用UFS3.1与LPDDR5X高性能存储组合架构
，依托公司自主先进封装工艺，提供兼具高传输速率、小尺寸及超薄形态的系统级解决方案，有望进一步提
升公司在可穿戴存储领域的市场竞争力，满足下游客户对高端定制化产品的需求。同时，公司积极投入下一
代eMMC主控研发工作，采用更先进工艺，进一步丰富公司存储解决方案矩阵，满足AI时代下智能终端对更高
性能、更低功耗的要求。
④eMCP及uMCP
公司eMCP及uMCP解决方案将NANDFlash及其控制器与LPDDR高度集成至紧凑封装中，能够显著简化系统设
计，最大限度减少PCB占用空间，并提升智能移动设备的工作效率。公司基于LPDDR5/5X的uMCP5产品，相较
于独立的UFS与LPDDR组合方案，PCB空间占用可减少约55%，支持512GB存储容量搭配8GBLPDDR内存的配置，
实现在低功耗场景下的高吞吐量运行。
（2）PC及企业级存储
PC存储
公司为预装市场的企业客户（包括PC品牌所有者、PC原厂设备制造商和预装系统集成商）以及后装市场
的个人用户提供PC存储解决方案。公司PC存储解决方案包括SSD（包括但不限于SATASSD、PCIeGen4SSD、PCI
eGen5SSD、便携式SSD（PSSD））、DRAM模组（包括DDR4和DDR5）、BGASSD及MiniSSD，可应用于台式机、笔
记本电脑及电竞主机等终端，为日常任务及高性能计算提供快速、可靠的数据处理。在PC预装市场，佰维（
Biwin）品牌进入了惠普、联想、宏碁、华硕、小米等全球领先PC厂商的供应链，并通过各类生态AVL认证，
产品符合行业规范要求。在PC后装市场，佰维（Biwin）品牌以及独家运营的惠普、宏碁及Predator授权品
牌，均实现了稳健突破，获得了较好的行业认可度。
在AIPC时代，AIPC在端侧整合AI运算，可支持生成式运算、实时协作与本地模型推理等任务，要求存储
解决方案兼具高数据传输效率、大容量、低时延与耐久性，在不牺牲速度与能效的前提下承载高强度工作负
载。通过与领先PC品牌的合作，公司能够深入了解不断变化的需求，促进公司PC存储解决方案的不断更新。
①面向预装市场企业客户（TOB）的SSD及DRAM模组
公司PCIeGen5SSD能够提供高顺序读写速度及大容量配置，可实现对文件的高速访问，该产品已于2026
年一季度末上市批量交付。
公司推出的BGASSD能够在11.5×13×1.35（mm）微型封装中提供最高1TB容量，通过16层堆叠、封装仿
真及专有固件算法实现低功耗、抗冲击与高可靠性，该产品目前已批量出货。公司已量产MiniSSD产品，该
产品尺寸仅为15×17×1.4（mm），体积仅约为传统M.22230SSD的40%，能够在轻薄的形态下实现最高2TB的
存储容量与3700MB/s读取速度、3400MB/s写入速度的旗舰级性能，满足掌上游戏机、便携PC等小型设备对体
积与性能兼顾的需求。该产品入选《时代》周刊（《TIME》）发布的2025年“BestInventionsoftheYear”
（年度最佳发明）榜单，成为全球唯一上榜的存储产品，并在EmbeddedWorldNorthAmerica2025展会上荣获
“Best-in-Show”大奖。2026年1月，公司携手英特尔共同举办了“源起深圳，共创商机——MiniSSD生态应
用研讨会”，携手产业链顶尖伙伴，构建开放共荣的产业生态。
公司的DDR5内存模块容量覆盖8GB至64GB，频率达到5600Mbps，并集成智能电源管理与内置纠错功能，
可在密集型工作负载下保持平稳、高效运行。
公司在第一代PMIC5100方案的基础上正在研发基于PMIC5200方案的LPCAMM2内存模块，采用LPDDR5X颗粒
，最高支持9600MT/s速率，搭配128bit位宽，能够充分发挥处理器的AI算力，提供AI应用所需的超高带宽。
LPCAMM2拥有全新接口与超薄模组形态，完整支持最新PMIC5200对LPDDR5X的低功耗模式，在缩小产品体积的
同时，显著降低功耗与散热压力。LPCAMM2采用模块化设计，易于升级和维护，有望成为AIPC等端侧生成式A
I与边缘计算的新基建，亦可适用于部分企业级计算场景。
②面向后装市场个人客户（TOC）的SSD及DRAM模组
自有品牌
公司PC存储解决方案可应用于4K视频剪辑、3D渲染及AI加速工作流程等高强度任务。具体而言，自有品
牌佰维DW100高端电竞内存条产品提供16GB至192GB的容量，速度高达8400MT/秒，支持流畅的多任务处理及
高帧速率，能够用于竞技游戏及直播。佰维M560SSD凭借其高顺序读写速度及其低功耗，获得了广泛认可。
同时，公司通过与电竞战队、电竞赛事及相关平台合作，将高性能产品精准导入电竞生态，持续强化品牌认
知度，逐步成为可信赖的PC存储解决方案首选供应商。
授权品牌
公司已获得包括惠普、宏碁及Predator在内的知名PC品牌授权，获准设计、开发、制造及销售带有其商
标的产品，主要面向PC存储市场的终端消费者。其中，AcerN8000SSD是宏碁首款低功耗入门PCIe5.0固态硬
盘，提供1TB/2TB容量规格，顺序读写速度最高分别可达11000MB/s及10000MB/s，满载功耗相较常规PCIe5.0
SSD功耗降低40%，实现能效比平衡；PredatorHermes冰刃系列RGB内存条，提供16GB到192GB容量选择，覆盖
6000MT/s到8400MT/s速度范围，游戏电竞首选型号，同时适用于多数AI及多任务处理平台需求。公司能借助
已建立的品牌知名度，迅速渗透多元市场。
企业级存储
公司企业级存储解决方案涵盖SATASSD、PCIeSSD、CXLDRAM模组、RDIMM等产品，能够提供高性能、高数
据完整性、高耐用性、低延迟以及断电保护与数据路径保护等功能。公司企业级存储解决方案主要面向数据
中心与服务器部署，为密集型数据处理及AI驱动工作负载提供高容量、低时延的存储与内存支持。
①SATASSD
公司SATASSD使用SATA接口，可为计算机及服务器提供快速、可靠的非易失性存储。公司2.5英寸SATASS
D配备SATA6Gbps接口及DDR4外部缓存，容量最高可达7.68TB，并集成断电保护（停电数据保障）、端到端数
据保护（数据完整性）、热节流（防过热）、动态/静态磨损均衡（延长寿命）、电源管理（提升能效）、
固件备援（便于恢复）及内建RAID（冗余保护）等功能，能够在政府、金融、电信、物联网及数据中心等多
个行业部署应用。其中，SS811/821系列产品目前已经批量出货；同时，SS831/881系列产品目前正处于客户
导入阶段。
②PCIeSSD
PCIeSSD通过PCIe接口直连计算机主板，可为对性能要求极高的企业应用提供超高速的数据访问与存储
能力。公司SP系列企业级PCIeSSD产品，采用创新架构，可实现超低且一致的读写延迟，具备优秀的能效比
表现，可为客户提供业界领先的KIOPS/Watt综合性能。同时，公司SP系列企业级PCIeSSD支持各种领先特性
，包括Sanitize高级格式化、EndtoEndDataPathProtection（端到端数据路径保护）、InternalRAID、Secu
reBoot安全启动等，适合用于超大型的数据中心、云计算、计算型服务器、AI服务器等应用场合。公司推出
的SP系列企业级PCIeGen5SSD包含TLC和QLC产品，其中TLC产品容量最高可达15.36TB，基于PCIe5.0×4接口
，支持U.2产品接口以及NVMe2.0协议，顺序读取/写入速度分别可达14GB/s与10GB/s，覆盖DWPD>=1读取密集
型和DWPD>=3读写混合型两种不同类型应用，适用于训练、云计算、核心数据库、虚拟化等关键业务场景。
公司QLC产品容量最高可达61.44TB，顺序和4K随机读取速度分别可达14GB/s与2300KIOPS，形态包含U.2和E3
.S，可满足EDSFF新型服务器、传统服务器、工作站等不同硬件平台的部署需求。其中，SP406/416系列产品
已批量出货；SP50Y/51Y系列产品目前进入客户导入阶段；SP5000系列产品目前正处于研发过程中。
③CXLDRAM模组
CXLDRAM模组是一种基于DRAM的高级内存扩展方案，采用CXL标准，通过在CPU、GPU等处理器之间构建高
速共享的内存池，从而缓解高性能计算的“内存墙”瓶颈，使高性能计算任务在需要海量、可快速访问数据
的场景下仍能保持运算效率。公司CXL2.0DRAM模组容量最高可达256GB，可实现高效的内存共享与动态调度
，更好满足AI系统中CPU与GPU对内存容量与带宽的严苛需求，该产品目前处于客户送样阶段。
④RDIMM
公司RDIMM产品传输速率最高可达6400MT/s、容量最高可达128GB，可有效优化AI推理与实时分析等工作
负载的吞吐表现。公司企业级RDIMM内存条产品采用公司自主研发的RDIMM内存条产品测试软件平台，能够对
DDR颗粒和RDIMM模组进行严苛而全面的测试，充分保障产品质量的稳定与可靠。公司企业级RDIMM内存条遵
循JEDEC标准设计研发，并通过了国内外主流的CPU厂商的认证，全面兼容IntelXeon、AMDEPYC及国产化平台
，可在数据中心、互联网基础设施与工作站等环境中实现无缝部署，支持云计算、边缘计算及高性能计算等
应用，该产品目前处于客户送样阶段。
（3）智能汽车及其它应用存储
公司智能汽车及其它应用存储解决方案包括车规级eMMC、UFS、BGASSD和存储卡等产品形态，以及用于
其它领域的存储产品，如工业领域的工业级SSD、DRAM模组、存储卡和嵌入式产品等。智能汽车客户对产品
的性能、稳定性、可靠性、安全性、强固性、耐用性有着严苛的标准，对存储解决方案厂商的技术研发实力
、定制化能力、生产工艺、稳定供应等提出了极高的要求。公司针对不同领域的车规应用开发了众多技术解
决方案，满足不同场景的应用需求。公司依托已通过IATF16949认证的惠州先进封测制造中心，构建并量产
符合上述门槛的车规级解决方案，公司车规级存储产品严格遵循AEC-Q100可靠性标准，最高支持-40℃至+10
5℃宽温运行。通过存储介质分析能力，公司能够针对不同使用环境选择适配的存储介质，确保方案在宽温
范围内的运行兼容性与一致性。此外，公司是少数具备自研主控并可满足车规级存储要求的存储解决方案提
供商之一，公司可提供全自研、全国产eMMC解决方案，采用自研车规级主控芯片SP1800，能够围绕不同车型
与客户需求进行定制化开发，可满足自动驾驶、智能座舱等多元应用的存储需求。此外，公司亦面向与智能
汽车应用相关的不同垂直行业提供量身定制的存储解决方案，覆盖车载监控、车载无人机及轨道交通监控等
领域。此类应用在性能、质量与可靠性方面要求严苛，公司能够通过定制化方案与高标准交付能力，满足不
同应用领域的标准及要求。
①eMMC
公司车规级eMMC产品可在信息娱乐系统、ADAS及车联网等车载场景中作为可靠的长效存储介质，稳定保
存关键数据，支持快速检索与AI增强决策。产品可在-40℃至+105℃或更极端温度下稳定工作，符合AEC-Q10
0汽车可靠性标准，能够延长振动和冲击下的使用寿命，提升耐用性。公司车规级eMMC方案使用自研SP1800
主控芯片，可保障恶劣条件下的稳定运行，在严苛环境中兼顾性能、可靠性与兼容性，同时有助于针对复杂
场景进行持续的维护、定制和生命周期管理。该产品容量覆盖8GB至128GB，目前已实现批量出货。
②UFS
公司车规级UFS产品面向自动驾驶、智能座舱等高带宽场景，基于UFS3.1标准，双通道架构实现顺序读
写达2150MB/s和1650MB/s，随机读写超300KIOPS，较eMMC性能提升6倍以上，提供64GB至512GB容量，支持-4
0℃至+105℃宽温及AEC-Q100Grade2认证，经超1000小时可靠性验证（含温度循环、冲击及EMC测试），内置
LDPCECC与NAND级冗余保护，待机功耗降低95%，保障恶劣环境下的稳定运行，并支持固件升级与定制化维护
，该产品目前已小批量送样，并成功导入国内头部车企。
③BGASSD
公司车规级BGASSD是一款面向智能汽车推出的紧凑型车规存储解决方案，容量覆盖64GB至256GB，具备
高速读写性能。车规级BGASSD产品拥有针对高密度封装的先进纠错能力、快速启动能力，以及可靠的数据安
全与隔离机制，可在振动、极端温度等严苛车载环境下保持稳定运行。公司车规级BGASSD面向智能座舱、自
动驾驶等对性能有较高要求的应用，满足传感器数据的实时处理与AI导航等需求，并可适配多类V2X应用场
景，该产品目前处于产品规划与研发阶段。
④存储卡
公司宽温系列存储卡面向车载监控应用场景。该产品采用工业级3DTLC闪存，容量覆盖32GB至1TB，可支
持4K与8K高清视频录制，实现稳定持续写入，避免掉帧发生，连续录制时长最高可达9万小时。该产品支持4
KRAW格式视频录制与高速连拍，并具备宽温适应性与高耐用特性，可从容应对复杂、恶劣的行车环境，该系
列产品目前已实现批量出货。
在其他应用领域，公司针对专业的摄影摄像用户群体推出了高端影像存储Amber系列，并不断完善与各
大相机原厂的AVL认证，确保产品的兼容性表现。佰维（BIWIN）密集推出多品类存储新品，均已量产出货：
UHS-ISD卡SD160（读取速度160MB/s）和microSD卡MS160（读取速度160MB/s）；持续推出读速达210MB/s的S
D210/MS210，占据UHS-I领先地位，同期推出高端Amber系列CFexpress卡，包括TypeA卡CA350/CA400（读速1
850MB/s）及TypeB卡CB450/CB500（读速3750MB/s），全系通过VPG400认证，且CA400/CB500通过VPG400/VPG
800双认证，为高端摄影用户提供专业的影像解决方案。其中Amber系列ME300，采用SD7.1规范与PCIeNVMe技
术的microSDExpress存储卡，专为新世代游戏掌机（如任天堂Switch2）设计。其核心优势是高达900MB/s的
读取速度和800MB/s的写入速度，能大幅缩短游戏加载时间，并提供最高1TB的容量。
（4）先进封测服务
公司具备先进封装工艺能力，并依托该等技术为半导体产业战略伙伴提供先进封装与测试服务，以应对
AI时代产品在性能、功耗效率与外形尺寸方面提出的更高要求。
公司以子公司泰来科技作为先进封测及存储器制造基地。泰来科技专精于存储器封测及SiP系统级封测
，目前主要服务于母公司的封测需求，部分产能服务于战略客户需求。泰来科技封装工艺国内领先，目前掌
握16/32层叠Die、30μm～40μm超薄Die、多芯片异构集成等先进工艺量产能力，达到国际一流水平。同时
，公司自主开发了一系列存储芯片测试设备和测试算法，拥有一站式存储芯片测试解决方案。未来，随着产
能不断扩充，泰来科技将持续利用富余产能向存储器厂商、IC设计公司、晶圆制造厂商提供更多代工服务，
形成新的业务增长点。泰来科技目前可提供SiP、WBBGA、FCBGA、FCCSP、LGA、QFN等封装形式的代工服务。
公司通过位于东莞松山湖的子公司广东芯成汉奇战略布局晶圆级先进封测核心业务。晶圆级先进封测卡
位前道晶圆制造与后道封装测试的关键衔接环节，采用光刻、蚀刻、电镀、PVD、CVD、CMP等前段晶圆制造
核心工序，以实现凸块、重布线、扇入、扇出等工艺技术的应用，其核心优势在于可直接在晶圆上完成芯片
封装，大幅缩减物理空间占用，同时支持多类型异构、异质芯片的晶圆级集成，实现芯片集成度与性能的双
重提升，是半导体先进封装领域的核心发展方向。广东芯成汉奇目前主要规划三大先进封装产品线，覆盖AI
硬件基础设施“存、算、运”三大核心领域：“存”是面向先进存储芯片的FOMS（扇出型存储堆叠）系列，
满足大容量、高密度存储需求；“算”是聚焦计算与存储整合的CMC（存算芯粒）系列，适配存算合封的技
术发展趋势；“运”是主攻高速信号传输的OEC（光电共封装）系列，契合超高速互联的应用需求；三大产
品线可全方位响应AI时代对存（大容量存储）、算（存算合封）、运（高速信号传输）的核心诉求。作为国
内少数具备晶圆级封装核心技术与产业化能力的存储解决方案企业，公司凭借该核心技术壁垒，为开发面向
AI新兴端侧应用的定制化半导体存储解决方案构筑关键技术根基，同时为公司在AI、高端计算、先进存储等
前沿领域的战略布局提供核心技术支撑，助力公司在半导体先进封测与定制化存储解决方案赛道形成差异化
竞争优势。
(二)所属行业情况
1、行业基本情况
半导体行业主要包括集成电路、光电器件、分立器件和传感器等子行业。按照功能划分，集成电路又可
分为存储器芯片、逻辑芯片、模拟芯片和微处理器等细分领域。存储器芯片承担数据保存与高速读写功能，
是支撑数字经济、人工智能和高性能计算的重要基础。
根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）数据，2025年全球半导体销售额达到7956亿美元，同比增长26.2
%；其中，计算应用相关市场同比增长超过60%，数据中心基础设施及AI相关系统成为行业增长的重要动力。
WSTS在2026年春季预测中预计，2026年全球半导体市场规模将达到1.51万亿美元，同比增长约90%；其中存
储器市场预计同比增长约250%，市场规模超过8000亿美元，成为本轮半导体行业增长的核心驱动力。
下一代信息技术的发展与存储器技术紧密相关。物联网、大数据、人工智能、智能车联网等应用既持续
消耗数据，也不断产生新的数据。IDC的数据显示，全球数据生成量预计由2025年的213.56ZB增长至2029年
的527.47ZB；同期中国数据生成量预计由51.78ZB增长至136.12ZB，年复合增长率为26.9%。海量数据的产生
、流转和调用，将持续提升对大容量、高带宽、低延迟及低功耗存储产品的需求。
从产业格局看，全球存储芯片市场具有较高集中度，国产存储器领域仍有较大的发展空间。根据Gartne
r数据，2026年第一季度国产DRAM份额低于10%，国产NANDFlash芯片市场份额低于15%。随着国内存储原厂产
能释放、工艺迭代和产品验证持续推进，国产存储产业链在服务器、智能终端、汽车电子及工业应用等领域
的渗透空间有望进一步打开。
AI基础设施和端侧AI正共同改变存储需求结构。Gartner预计，2026年全球AI服务器出货量约为369.3万
台，同比增长约55.6%，占全球服务器出货量的比重约26.4%。端侧方面，2026年全球AIPC出货量预计约1.09
亿台，占PC总出货量约46.0%；AI智能手机出货量预计约5.31亿台，占智能手机总出货量约47.1%。AI训练、
推理及端侧模型运行对容量、带宽和能效提出更高要求，将推动存储产品向高性能、大容量和高附加值方向
升级。
综上，数据的持续增长将驱动存储产业规模不断提升，国产化率的提高将驱动国产存储产业链的迅速发
展，AI技术革命将大大提升对高端存储器的需求，以上三个要素为国内存储产业带来了巨大的发展机遇。
2、行业概况
（1）NANDFlash行业概况
NANDFlash属于非易失性存储器，具有断电后数据不丢失、存储容量大、单位成本较低等特点，是固态
硬盘、嵌入式存储及移动存储等产品的核心介质，广泛应用于服务器、智能手机、PC、汽车电子和工业设备
等领域。
CFM闪存市场数据显示，受企业级SSD需求增长和合约价格上行推动，2026年第一季度全球NANDFlash市
场规模达到428.15亿美元，环比增长81.8%。从市场竞争格局看，按照营收口径，2026年第一季度三星、SK
海力士、铠侠、闪迪和美光的NANDFlash市场份额分别为29.3%、17.3%、14.7%、13.7%和11.5%。当前AI推理
、向量数据库及KVCache等需求持续提升企业级SSD的重要性，预计2026年服务器NANDbit需求占整体需求的
比重约44%，需求量同比增长63%。
NANDFlash具有存储容量大、读写速度快、功耗低、单位成本低等特点，主要应用于有大容量存储（Sto
rage）需求的电子设备。随着AI、物联网、大数据、5G等新兴应用场景不断落地，电子设备/服务器需要存
储的数据量也越来越庞大，NANDFlash需求量有望持续增长，市场前景广阔。
（2）DRAM行业概况
DRAM属于动态随机存取存储器，具有读写速度快、延迟低等特点，主要作为计算系统运行内存使用，广
泛应用于服务器、PC、智能手机、智能汽车和各类智能终端。
CFM闪存市场数据显示，受服务器及数据中心需求快速增长、产品价格上行等因素影响，2026年第一季
度全球DRAM市场规模达到943.25亿美元，环比增长81.5%。从市场竞争格局看，按照营收口径，2026年第一
季度三星、SK海力士、美光、长鑫科技、南亚科技和华邦电子的DRAM市场份额分别为40.5%、29.6%、19.9%
、7.7%、1.6%和0.6%。
DRAM具有读写延迟低、随机访问快、带宽持续提升等特点，是电子设备与服务器的关键运行内存（Memo
ry）。随着生成式人工智能应用加速渗透，电子设备/服务器对于内存的带宽以及容量的要求越来越高，DRA
M需求量有望持续提升，市场前景广阔。
（3）HBM行业概况
HBM（HighBandwidthMemory）作为基于3D堆栈工艺的高性能内存（Memory），打破了内存带宽及功耗的
瓶颈。HBM，即高带宽存储器，通过使用先进封装工艺，将多个DRAM芯片进行堆叠，并与GPU一同进行封装，
形成大容量、高带宽的DDR组合阵列。HBM可显著提高带宽、容量和能效，已成为高性能GPU、AI加速器及云
厂商自研ASIC的重要配套存储产品。Gartner数据显示，2026年HBM市场规模将达到792.35亿美元，同比增长
超过130%。随着AI训练和推理负载增长，以及英伟达、AMD和大型云服务商自研AI芯片持续放量，预计HBM市
场规模在2027年将超过1000亿美元，2028年将达到1527.69亿美元，2026年至2028年复合增速达到38.9%。
HBM具有超高带宽、3D堆叠集成等特点，是AI加速计算的核心内存方案。随着AI训练与推理负载持续增
长，AI数据中心扩张带动HBM容量与带宽需求上行，HBM3E等高端服务器内存需求保持旺盛。在先进封装与HB
M标准升级的推动下，HBM正从HBM3E快速演进至HBM4，公开路线图显示，下一代GPU/AI加速器平台已开始导
入HBM4，以提升系统内存带宽与能效表现。
3、行业发展趋势
（1）下游需求多点开花，AI推动半导体存储市场规模持续扩容
存储器产业链下游涵盖服务器/数据中心、智能手机、平板、电脑、网络通信设备、可穿戴设备、物联
网硬件、安防监控、工业控制、汽车电子等行业以及个人移动存储等多个领域，随着多模态与Agent应用渗
透率提升，推动大模型推理需求上行，带来AI服务器/数据中心侧对存储与内存配置的结构性升级与需求增
长。与此同时，随着以OpenClaw等为代表的代理式AI能力不断提升，端侧AI应用有望加速落地，终端设备对
存储与内存容量、带宽及能效的要求同步提高。综合来看，存储器行业需求扩容将同时来自云侧与端侧，并
呈现持续扩容与结构升级并行的趋势。AI技术对全球半导体存储行业产生了深远影响，带动了市场需求升级
与技术创新。AI在多个领域的大规模应用，进一步提升了对高性能、低延迟存储解决方案的需求，AI促使半
导体存储行业与上下游产业链紧密合作，进行跨领域技术创新，以满足数据快速增长下的存储与处理需求。
展望未来，随着技术的进一步成熟与普及，AI技术不仅推动了半导体存储市场规模的持续扩容，更将引导半
导体存储行业向高性能、大容量、智能化的方向持续演进。
（2）半导体存储器行业进入新一轮增长周期
随着人工智能相关应用显著增加，以及计算与数据中心基础设施需求持续增长，全球半导体存储行业在
2026年呈现需求扩张与价格上行共振的态势。其中，AI服务器/数据中心侧的算力扩张、训练及推理负载的
增长，是驱动高端存储需求持续抬升的关键动能。CFM闪存市场数据显示，2026年第一季度谷歌、亚马逊、
微软和Meta资本支出合计约1298亿美元，环比增长9%、同比增长80%；预计2026年北美四大云服务商资本支
出合计约7000亿至8000亿美元。从中长期来看，半导体存储器行业是全球集成电路产业规模最大的分支，下
一代信息技术与存储器技术发展密不可分。物联网、大数据、人工智能、智能车联网、元宇宙等新一代信息
技术既是数据的需求者，也是数据的产生者。面临数据的爆发式增长，市场需要更多的存储器承载海量的数
据。
总体而言，随着下游应用场景持续拓展、终端及数据中心侧的存储容量需求不断提升，半导体存储器行
业具备清晰的长期成长逻辑，有望在技术升级与需求扩容的共同驱动下保持稳健增长。
（3）国内半导体存储器厂商迎来发展机遇
根据Gartner数据，国产DRAM芯片市场份额低于10%，NANDFlash芯片市场份额低于15%，发展前景较大。
在中国“互联网+”、大力发展新一代信息技术和不断加强先进制造业发展的战略指引下，国内信息化、数
字化、智能化进程加快，用户侧的AI、短视频、直播、游戏、社交网络等应用和制造侧的工业智能化逐渐普
及，刺激存储芯片的市场需求快速增长。
2014年以来，中国成为全球最大的消费电子市场，并开始扮演全球消费电子行业驱动引擎的角色。此外
，5G、物联网、数据中心等新一代信息技术在中国大规模开发及应用，也催生了我国对半导体存储器的强劲
需求。与此同时，全球AI数据中心建设加速带动存储供需趋紧，海外头部存储原厂在产能、交付与技术/服
务资源配置上更倾向于优先保障北美大型云服务商（CSP）等战略客户。以长江存储和长鑫科技为代表的本
土存储晶圆原厂依托中国市场广阔需求，在下游客户导入与渗透率提升方面迎来历史机遇，进一步增强本土
存储供应能力。
随着国内存储器产业链的逐步发展和完善，上游晶圆原厂的资本运作与扩产节奏，将提升本土DRAM/NAN
D颗粒的供应，并带动封装测试、解决方案等环节的需求增长，以佰维存储为代表的半导体存储器研发封测
一体化厂商也迎来了发展机遇。
（4）先进封装成为AI推理时代的关键基座
在大模型向万亿参数演进、推理侧KVCache等典型负载快速膨胀的背景下，单纯依赖HBM的容量爬坡已出
现滞后现象，行业正通过HBF（高带宽闪存）构建新的存储层级。HBF基于NAND闪存堆叠，在相同物理空间内
提供约为现有HBM8~16倍的容量，与HBM共同形成面向推理时代的“分层存储”体系。针对推理关键场景，SK
海力士提出了H3（HBM+HBF）混合架构，该架构的仿真测试显示，其每瓦性能较纯HBM方案提升2.69倍，在降
低GPU占用的同时支撑更大规模推理并发。
当前，制程微缩逼近物理极限，以混合键合等技术为核心的2.5D/3D堆叠技术成为延续摩尔定律的关键
。台积电CoWoS已演进至支持5.5倍光刻版尺寸（约4719mm2）、可集成12个HBM4堆栈。英特尔EMIB通过硅桥
嵌入基板，能够以更高良率、更低成本实现局部高密度互连，并已在至强CPU规模化应用，体现出存算之间
需要更加紧密的互联和封装来满足AI需求。为解决SerDes速率突破224Gbps后带来的信号衰减与“功耗墙”
问题，光互连正从可插拔模块向封装内渗透，形成NPO（近封装光学）与CPO（共封装光学）的技术路径。英
伟达RubinUltra架构的1.5PB/sScale-up网络明确采用双层设计，其中第二层通过72颗NVSwitch与648颗3.2T
NPO光引擎实现光电近封装，GPU与光引擎配比达1:4.5。在交换侧，全球首款量产CPO交换机QuantumX3450已
面市，将光引擎与交换芯片共封装。
总体来看，AI推理时代的核心矛盾正在从“单点算力”转向“系统级带宽与能效”，使先进封装从后道
制造环节跃升为支撑存算运协同的关键基座。佰维存储等厂商正加快构建先进封装能力，以服务AI推理时代
的产业演进趋势，并进一步提升解决方案交付能力与竞争壁垒。
二、经营情况的讨论与分析
公司是一家面向AI时代的领先独立半导体存储解决方案提供商，拥有业内稀缺的「芯片设计×创新存储
方案设计×先进封测」全栈技术能力。公司不仅能向智能移动及AI新兴端侧、PC及企业级存储、智能汽车及
行业领域的全球客户提供全面、高性能、定制化的半导体存储解决方案，更能精准把握AI转型所催生的巨大
增长机遇，满足其对密集数据交互、高容量及低功耗存储解决方案的强劲需求。
2026年上半年，随着AI应用持续落地拉动算力及存储需求增长，叠加存储原厂产能结构调整优化，存储
行业呈现上行态势。公司坚持前瞻战略布局与高效执行相结合，积极把握AI时代发展机遇：在业务层面，受
益于AI算力需求增长及存储行业景气度提升，公司客户结构持续优化，与各领域头部客户合作不断深化。在
产品层面，公司持续加大研发投入，推出多款契合头部客户需求的高性能存储解决方案，满足不同AI应用场
景。在供应链层面，公司开展战略性备货，截至报告期末，存货余额181.68亿元，库存储备充足；同时，公
司持续深化与全球主流存储原厂的合作，与存储原厂签署两份长期原材料采购协议，累计承诺采购金额33.6
08亿美元，锁定未来两年核心原材料供应资源，保障公司生产经营持续稳定；其中，企业级闪存颗粒对应承
诺采购金额为18.608亿美元，为公司企业级业务拓展提供原材料保障。在技术层面，公司自研国产eMMC主控
芯片已在多领域实现规模化量产交付；UFS主控芯片已完成回片验证，预计2026年下半年导入终端应用；同
时，公司布局小容量NANDFlash介质设计领域，已与国内头部代工厂达成战略合作，在24nm/19nm等节点开展
中小容量SLC/MLCNAND产品开发；此外，公司通过晶圆级先进封测制造项目服务于先进存储器、存储与计算
整合以及光电共封装等领域，满足AI时代“存、算、运”的需求。
报告期内，公司营业收入大幅度增长，2026年上半年实现营业收入1557494.34万元，同比增长298.10%
；实现归属于母公司所有者的净利润716558.03万元，同比增长3273.48%；实现归属于母公司所有者的扣除
非经常性损益的净利润663254.49万元，同比增长2962.97%。
公司2026年上半年股份支付费用为9063.74万元，剔除股份支付费用后，2026年上半年实现归属于母公
司所有者的净利润为725621.77万元，与上年同期相比，将增加733178.82万元，同比增长9701.92%。
报告期内主要经营情况如下：
(一)深度渗透多领域头部客户，产品实力与品牌价值持续攀升
公司通过长期的技术积累与市场开发，产品竞争力不断提升。公司与全球头部品牌的广泛合作，彰显了
公司交付多样化存储解决方案的卓越能力，可精准契合各行业的多元技术需求。在智能移动领域，公司产品
已进入OPPO、vivo、荣耀、传音控股、摩托罗拉、ZTE、TCL等知名客户。在AI新兴端侧领域，公司产品目前
已被Meta、Google、阿里、小米、小天才、Rokid、雷鸟创新等国内外知名企业应用于其AI/AR眼镜、智能手
表等智能穿戴设备上。在PC领域，公司SSD产品目前已经进入联想、小米、Acer、HP、华硕等国内外知名PC
厂商；在国产PC领域，公司是SSD产品的主力供应商，占据优势份额。在企业级（服务器）领域，公司面向
数据中心、云计算、AI服务器等高吞吐、高可靠场景，持续加大企业级存储研发投入与市场拓展力度，加深
与联想等一线OEM厂商的合作，促进长期合作框架达成，并同步推进与互联网云厂商的业务合作落地；同时
，凭借成熟的产品矩阵，公司实现了涵盖PCIeSSD、SATASSD等产品的批量供货。在智能汽车领域，公司已实
现车规级存储产品的批量交付和规模销售，累计导入国内外40余家主流主机厂及核心Tier1供应商的供应链
；其中，海外市场取得突破，已进入海外多家主流Tier1供应商的供应链体系；产品方面，公司正加速推进U
FS、BGASSD等新一代高带宽、大容量车规级存储产品的导入与上车验证，以满足智能座舱、自动驾驶等复杂
应用场景对高性能存储的迫切需求；此外，依托自研主控技术，公司可提供全栈国产化、安全可靠的车规级
存储解决方案。
(二)全面拥抱AI，以全栈技术能力和创新解决方案全面服务「端—边—云」客户
公司紧抓AI发展浪潮，针对端侧、边缘端和云端推理等不同应用场景，构建了全面的存储解决方案体系
。在端侧应用领域，公司面向AI手机、AIPC及智能可穿戴设备等新兴终端，推出LPDDR5X、DDR5、UFS、PCIe
5.0SSD及ePOP等存储产品，全面满足终端设备在高速读写、能效优化、小型化与轻薄化等方面的严苛要求。
在边缘计算场景，公司依托LPDDR、eMMC、UFS及车规级存储产品组合，提供高可靠性、高带宽、低延迟的解
决方案，有效支撑AI边缘设备对实时数据处理与高能效比的迫切需求。在云端推理与数据中心领域，公司积
极布局RDIMM、PCIeSSD、SATASSD及CXLDRAM模组等产品，为服务器和AI基础设施提供高吞吐、高密度、低功
耗的存储产品支持，助力应对日益增长的密集型AI工作负载。此外，公司通过晶圆级先进封测制造项目服务
于先进存储器、存储与计算整合以及光电共封装等领域，满足AI时代“存、算、运”的需求。
根据弗若斯特沙利文的资料，按2025年相关收入计，公司为全球最大的AI新兴端侧半导体存储解决方案
供应商，在各类AI端侧应用领域处于领先地位，包括AI眼镜、智能手表、AI学习机/翻译机等产品。随着AI
新兴端侧市场的快速增长，公司的市场领先地位及技术能力为公司的持续增长提供了坚实支撑。2026年，随
着AI眼镜的放量，公司与Meta等重点客户的合作不断深入，将推动公司相关存储产品业务的持续增长。
(三)持续加大研发投入，主控芯片实现多领域头部客户量产交付
公司坚持“科技是第一生产力、创新是第一动力”，始终高度重视研发投入，不断增强企业硬科技实力
。公司持续加大在存储解决方案研发、芯片设计、先进封测和测试设备等领域的研发投入，2026年上半年研
发费用34392.00万元，同比增长26.01%。截至报告期末，公司研发人员数量达到1685人，较上年同期增加63
1人，公司研发人员数量占公司员工总数量的44.91%。截至2026年6月30日，公司共取得582项境内外专利和6
6项软件著作权，其中专利包括245项发明专利、228项实用新型专利、109项外观设计专利。2026年1-6月新
增申请发明专利55项，新增授权发明专利28项。
公司在自研主控领域取得重大进展，首款国产自研eMMC主控芯片（SP1800）已在智能穿戴、智能手机、
智能汽车及工业控制等多个应用领域实现规模量产与出货。在智能穿戴领域，SP1800针对性能与功耗进行了
深度优化，并支持定制化调整；在手机应用领域，SP1800兼容TLC及QLC颗粒，顺应手机存储向QLC演进的趋
势，性能表现行业领先；在车规级应用领域，SP1800提供端到端数据保护能力，适配车规宽温工作场景，其
解决方案已通过国家市场监督管理总局首批认证审查，入选芯片产品白名单，公司成为存储领域唯二进入该
白名单的厂商；在工控领域，SP1800凭借高可靠性与可定制化特性，广泛应用于电力、网络安全等领域。与
此同时，公司积极推进下一代eMMC芯片的研发工作，基于更先进的工艺节点，采用自研算法与架构设计，持
续提升芯片性能、降低功耗、增强可靠性，以满足AI时代对终端设备高性能、低功耗、小尺寸存储解决方案
的需求。在UFS领域，公司自研UFS3.1主控芯片采用业界领先的架构设计，将进一步提升公司在AI手机、AI
穿戴、AI智驾等高端存储解决方案中的产品竞争力。目前，该UFS主控芯片已完成回片验证，各项设计指标
符合预期，具备较强的产品竞争力，能够为提升存储解决方案的核心竞争力提供坚实保障，计划于2026年下
半年开始导入终端客户。
同时，公司布局小容量NANDFlash介质设计领域，填补海外原厂逐渐退出小容量存储NAND后的市场空白
。公司已与国内头部代工厂达成战略合作，在24nm/19nm等节点开展中小容量SLC/MLCNAND产品开发，通过布
局关键电路和算法设计，定位于高可靠的工车规和嵌入式存储市场，可为客户提供小容量存储及全国产存储
解决方案。当前，SLCNAND产品已陆续进入回片验证阶段，产品指标符合预期，计划于2026年下半年开始导
入终端客户；MLCNANDFlash研发工作处于正常开展中。
(四)打造领先的晶圆级封测能力，抢占未来增长极
根据弗若斯特沙利文的资料，公司是全球唯一一家具备晶圆级封测能力的独立存储解决方案提供商。公
司坚持以“存储+晶圆级先进封测”为双轮驱动，向上游深度延伸，积极协同晶圆制造厂及IDM厂商，系统性
整合芯片设计、制造与封测环节的关键资源，显著提升产业链协同效率与面向客户的定制化服务能力。
在先进封测端，公司通过先进封装技术打造生态链，覆盖AI硬件基础设施“存、算、运”三大核心领域
：“存”是面向先进存储芯片的FOMS（扇出型存储堆叠）系列，满足大容量、高密度存储需求，公司已推出
使用FOMS-R工艺的超薄LPDDR产品，该产品进展顺利，目前已经收到客户需求预测；“算”是聚焦计算与存
储整合的CMC（存算芯粒）系列，适配存算合封的技术发展趋势，公司CMC产品实现10颗Chiplet集成封装，
目前已完成工艺开发样品制作；“运”是主攻高速信号传输的OEC（光电共封装）系列，契合超高速互联的
应用需求，公司OEC产品目前正在与客户合作开发6.4TNPO的光引擎封装，预计2026年第四季度完成研发；三
大产品线可全方位响应AI时代对存（大容量存储）、算（存算合封）、运（高速信号传输）的核心诉求。基
于以上布局，公司将从存储解决方案供应商升级为AI时代“存储+先进封测”全栈技术服务商，为公司深耕A
I产业链“存算运融合”领域构筑了坚实的长期竞争壁垒。
在产能规划上，公司晶圆级先进封测制造项目计划在2026年底实现月产能5000片，并计划于2027年底提
升至10000片/月，如果客户导入顺利，预计将于2026年年底起正式贡献收入。通过该项目，公司将为客户交
付“存储+晶圆级先进封测”一站式综合解决方案，进一步强化在存算融合领域的技术壁垒与市场竞争力。
(五)强化长期供应保障，驱动存储业务稳健增长
公司已与全球领先的NAND和DRAM供应商及全球知名晶圆代工厂建立了稳固的长期战略合作关系。通过与
上游供应商的深度合作，公司拓展了存储介质的应用边界，并不断拓展存储介质在AI新兴端侧、数据中心、
智能汽车、工业物联网等新兴场景中的应用，有力推动了存储行业的技术创新与生态演进。
在供应链保障方面，公司积极进行战略性备货，截至报告期末，公司存货为181.68亿元，相比2025年末
增长130.89%。目前整体库存较为充足，有效保障了公司长期稳定经营，支持未来快速发展。与此同时，公
司持续深化与全球主要存储晶圆原厂的合作，持续签署LTA（Long-TermAgreement，长期供应协议），锁定
存储晶圆产能。为稳定核心原材料供应，匹配公司产能规划与中长期业务发展需求，降低存储行业价格周期
性波动带来的经营不确定性，公司分别于2026年3月、6月对外披露与存储原厂签署两份长期原材料采购协议
，累计承诺采购金额33.608亿美元，以此锁定未来两年核心原材料供货资源。通过签署上述协议，公司一方
面稳定核心原材料供货渠道，保障订单有序交付、巩固客户合作稳定性；另一方面通过长期锁价机制平滑行
业周期波动，合理控制采购成本，稳定盈利水平，提升公司经营稳定性与市场竞争力。
(六)加强信息披露和公司治理，完善投资者关系管理，努力提质增效重回报
公司高度重视信息披露与公司治理，并持续完善投资者关系管理。公司获评上海证券交易所2024—2025
年度沪市上市公司信息披露工作A级评价，充分体现了监管机构对公司规范运作和高质量信息披露的高度肯
定。此外，公司在投资者关系领域的专业表现也获得资本市场广泛认可：公司荣获证券时报《中国上市公司
投资者关系管理天马奖》《中国上市公司投资者关系管理杰出董秘奖》、时代周报《2026年度ESG典范企业
》、2026新财富杂志《金牌董秘》。
公司始终将投资者关系管理置于战略高度，致力于构建透明、高效、多元的沟通体系。通过定期举办业
绩说明会、接待机构调研、开通投资者热线与邮箱、积极回复“上证e互动”问题等方式，公司主动、及时
、专业地回应投资者关切，认真听取各方意见建议，确保广大投资者能够全面、准确、及时地了解公司的经
营状况、发展战略及未来规划，切实维护其合法权益。2026年上半年，公司召开了2025年度现金分红说明会
；面向全球投资者举办了2025年年度暨2026年第一季度中英双语业绩说明会；累计开展机构调研活动17场，
其中包括惠州封测制造中心实地调研1场、东莞晶圆级先进封测制造中心实地调研3场；由专人接听并处理投
资者来电超过800次，并在“上证e互动”平台回复投资者提问170余个。
在注重沟通的同时，公司始终将股东的实际回报放在重要位置。报告期内，公司顺利完成了2025年年度
权益分派，累计派发现金红利超过1亿元，公司切实回馈了投资者的信任，与股东共同分享企业发展的成果
。
三、报告期内核心竞争力分析
(一)核心竞争力分析
1、首创研发封测一体化模式，“高性能存储+晶圆级封测”服务AI时代需求
公司在业内率先构建研发封测一体化经营模式，将存储解决方案研发与先进封测深度整合，提供面向AI
时代的半导体存储解决方案。公司聚焦半导体存储价值链关键环节，持续加大研发投入，构建了将NAND及DR
AM晶圆转化为高性能存储解决方案的全栈技术能力，进而把握AI驱动的产业变革所带来的增长机遇。
在介质设计与研究领域，公司布局小容量NANDFlash介质设计，已与国内头部代工厂达成战略合作，在2
4nm/19nm等工艺节点开展中小容量SLC/MLCNAND产品的开发，致力于填补海外原厂逐渐退出小容量存储NAND
后的市场空白。同时，公司持续开展存储介质特性研究，并根据不同应用场景和严苛工况对产品方案进行定
制和优化。在主控芯片领域，公司持续推进自主研发和产品化进程；公司首款自研eMMC主控芯片SP1800已在
智能穿戴、智能手机、智能汽车及工业控制等多个应用领域实现规模量产与出货；公司自研UFS主控芯片已
完成回片验证，计划于2026年下半年开始导入终端客户，将进一步完善公司面向AI手机、AI穿戴、智能汽车
等应用领域的高端存储产品布局。在固件算法领域，公司自主研发的固件算法能够保障产品读写性能和运行
稳定性，并集成数据纠错、寿命监测、异常断电保护、数据加密、端到端数据保护及电源监测与控制等功能
，构成公司存储解决方案设计的重要技术基础。
同时，公司掌握契合AI时代更高技术要求的先进封装技术，已掌握16/32层叠Die、30～40μm超薄Die、
多芯片异构集成等先进工艺量产能力，达到国际一流水平，并构建了2.5D、RDL、Fan-in、Fan-out等多种先
进封装形式。根据弗若斯特沙利文的资料，公司是全球唯一一家拥有晶圆级封测技术的独立存储解决方案供
应商，满足新时代对大容量存储、存算合封和高速信号传输等需求。在测试环节，公司已建立完善的自有测
试体系并配备全栈先进测试平台。
公司通过“高性能存储+晶圆级封测”的垂直整合能力，构建差异化竞争优势：1）技术协同：存储芯片
研发与封测技术形成双向赋能，公司拥有独立的设计仿真团队，可针对客户需求定制产品方案，缩短产品开
发周期，在交期、成本上形成优势，获得客户高度认可；2）客户协同：存储+先进封测服务在AI端侧、自动
驾驶等领域客户重合，形成业务闭环；3）价值提升：公司的服务模式，相较于提供单一的存储解决方案或
者先进封测服务，具备综合的竞争力；公司提供的综合解决方案的价值量相比单独的先进封测服务，具有显
著的放大效应。
2、一体化生产与供应链体系，保障可靠交付
公司构建了一体化生产与供应链体系，并通过智能制造与精益运营实现高良率、短交期与可扩展的全球
交付。自2010年以来，公司逐步形成覆盖封装、测试与模组组装的完整生产体系，实现对生产流程的全程把
控，使公司能够依据客户需求灵活调整产能与排产，维持高效交付。公司亦建设了具备晶圆级封测能力的生
产基地，为大容量、高能效的存储解决方案在成本、良率及性能方面带来全方位优势，并与公司的存储解决
方案研发形成协同，加速面向AI时代的领先存储解决方案的推出与迭代。
在海外市场，公司在美洲和印度开展与封装、测试与模组组装相关的合作，实现本地化生产与交付，更
好地满足区域客户需求。全球化交付网络助力公司在全球多个区域为客户提供可靠与高效的解决方案，提升
国际市场品牌认知度。
3、服务全球领先客户，拓展高性能产品组合
在AI时代，计算需求迅猛增长，而物理空间与功耗限制日益严苛，使得高效能半导体存储产品愈发稀缺
。公司凭借高性能存储解决方案满足AI时代存储需求，产品已广泛应用于多个主流领域，涵盖智能移动终端
及AI新兴端侧、PC与企业级存储、智能汽车及其它应用等领域。公司具备强大的全球市场拓展能力与头部客
户粘性，已在多个垂直领域构建起显著的市场优势。报告期内，公司解决方案持续服务于全球头部客户，客
户群体包括Meta、Google、小米、OPPO、vivo、荣耀、传音、摩托罗拉、中兴、TCL、惠普、联想、宏碁、
华硕、Positivo、比亚迪、长安等行业龙头。通过与上述全球知名品牌建立长期稳定的战略合作关系，公司
不仅实现了产品在全球范围内的规模化应用，更具备针对不同行业痛点提供差异化存储解决方案的核心能力
，体现了公司在技术研发、品质管控及快速响应方面的综合竞争优势。
公司持续完善高性能存储产品组合。在智能汽车领域，公司发布新一代TAU208车规级UFS3.1存储产品，
理论带宽达到23.2Gbps，支持-40℃至105℃宽温运行，并通过AEC-Q100Grade2可靠性认证，可应用于智能座
舱、自动驾驶、车载信息娱乐系统及域控制器等场景。TAU208集成了公司在存储解决方案研发、固件算法、
封装测试及车规级质量管理等方面的技术能力，进一步完善了公司覆盖eMMC、UFS、BGASSD及存储卡等产品
形态的车规级存储产品矩阵。在高性能移动存储领域，公司推出面向AIPC、笔记本电脑及游戏掌机等移动智
能设备的M560PCIe5.0SSD。该产品支持PCIe5.0×4接口与NVMe2.0协议，最高顺序读取和写入速度分别达到1
1000MB/s和10000MB/s，并采用低功耗主控设计，兼顾高性能与移动设备的功耗、散热需求。同时，公司持
续推进MiniSSD的产品迭代和生态建设。报告期内，MiniSSD获得2026年中国IC设计成就奖“年度存储器”、
COMPUTEX2026专业媒体“最佳产品奖”等荣誉，并已在AIPC、游戏掌机等终端实现商业化应用。公司与产业
链合作伙伴持续推进MiniSSD的接口标准、技术适配及生态建设，进一步体现了公司将存储解决方案研发、
先进封装与市场需求相结合，推动创新产品实现商业化落地的能力。
4、全球化业务布局，产业链伙伴紧密协同
公司坚持全球化的发展战略，在美洲、印度与欧洲等中国以外重点市场建立本地化服务、生产交付与市
场营销团队，通过与当地合作伙伴的深度协同与持续创新，快速响应本地需求并稳步提升目标市场份额。公
司已构建覆盖60多个国家与地区的分销网络，服务约500家海外客户，为国际化业务扩张奠定了坚实基础。
公司与全球主要的NAND和DRAM供应商及晶圆代工厂保持长期深入合作，通过长期供应协议，确保关键材
料的稳定供给以支持业务增长。作为国内获得众多CPU、SoC以及系统平台认证的企业之一，公司的核心产品
进入多家全球领先品牌的合格供应商名录，显著提升了公司在全球市场的竞争力与客户信任度。
5、专业的管理团队和经验丰富的工程师队伍引领前沿研发
公司的管理团队由业内专业且积极进取的专家组成，具备卓越的战略视野和丰富的行业管理经验。核心
管理团队的专业背景和行业经验覆盖公司战略、产品研发、市场销售、商业运营、资本管理等领域，具备良
好的战略判断能力与项目执行力，能够高效推动技术成果转化落地，保障公司在高端市场的持续拓展。
公司拥有覆盖存储解决方案研发、芯片设计、先进封测和测试设备研发等领域的工程师团队。截至报告
期末，公司的研发团队合计1685人。公司的核心研发人员在半导体研发、生产制造与芯片设计方面的平均从
业年限超过10年。专业人才与高效管理机制的结合，为公司的前沿研发与业务战略实施提供了有力支撑。
(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施
(三)核心技术与研发进展
1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司聚焦于半导体存储器产品与先进封测工艺的研发与创新，所涉及技术领域主要包括存储解决方案研
发、存储器封测/晶圆级先进封测、芯片设计、测试设备研发等领域。随着存储晶圆制造工艺的不断演进，
以及半导体存储器在智能终端、5G、数据中心、智能汽车、工业设备等领域的广泛应用，存储器产品所面临
的主要挑战是在应用需求规格不断提升、存储晶圆制程不断演进的情况下，持续为客户提供符合应用场景的
高可靠、高性能的解决方案。公司布局存储解决方案研发、主控芯片设计、存储器封测/晶圆级先进封测和
存储测试机等产业链关键环节，在小容量存储介质设计、存储介质特性分析、主控芯片设计、存储固件算法
技术、存储器封测/晶圆级先进封测技术及存储芯片测试等核心技术领域持续创新，构造了智能移动及AI新
兴端侧存储、PC及企业级存储、智能汽车及其它应用存储等产品线的关键竞争力。
（1）存储介质设计
公司布局小容量NANDFlash介质设计领域，填补海外原厂逐渐退出小容量存储NAND后的市场空白。公司
已与国内头部代工厂达成战略合作，在24nm/19nm等节点开展中小容量SLC/MLCNAND产品开发，通过布局关键
电路和算法设计，定位于高可靠的工车规和嵌入式存储市场，可为客户提供小容量存储及全国产存储解决方
案。当前，SLCNAND产品已陆续进入回片验证阶段，产品指标符合预期，计划于2026年下半年开始导入终端
客户；MLCNANDFlash研发工作处于正常开展中。
（2）存储介质特性分析
存储介质分析是打造高性能存储解决方案的基础。NANDFlash晶圆与DRAM晶圆作为基础的存储介质，通
过不同的应用技术可以开发成应用场景各异、形态各异的存储器产品。可靠的存储介质是有竞争力产品的核
心要素。公司建立了专业、经验丰富的介质分析团队，开展不同环境特征、应用场景下的介质特性分析、失
效机理研究及相应测试匹配算法研究；一方面对存储介质开展测试与选型匹配，将存储介质的使用价值最大
化；另一方面介质特性分析数据可以为控制器芯片设计、固件算法和测试算法开发提供有效的支持，使算法
优化有的放矢，从而有效提升产品开发效率与交付质量。同时，对于DRAM而言，公司全面的介质技术参数分
析能够为客户平台提供兼容性适配的指导与建议，以实现公司在客户导入商业上的成功。
（3）主控芯片设计
为提升公司存储器产品的竞争力并为客户提供更加全面的存储解决方案，满足一线战略客户对技术竞争
力的产品诉求，公司积极布局芯片研发与设计领域。SP1800作为公司第一款自研主控芯片，支持eMMC5.1协
议，以领先的性能、高纠错能力和高度的兼容性重塑了eMMC存储新标准，实现了高性能与低功耗的平衡，将
为终端用户带来更加高效、安全的存储体验。SP1800采用创新架构设计，极大地提升了芯片的数据并行处理
能力。在智能手机快速响应、平板电脑流畅运行、智能家居设备实时交互以及汽车电子系统高效运行等关键
应用场景中，SP1800都能以领先的性能表现，满足用户对于高速、稳定存储的迫切需求。此外，SP1800采用
行业领先的4KLDPC算法和SRAMECC纠错功能，能够有效保证数据的准确无误，加强了数据处理的可靠性。SP1
800可耐受–40°C至85°C的宽温度范围，确保即使在极端条件下也能维持系统的稳定运行。同时，SP1800
支持QLC（Quad-LevelCell）颗粒，与TLC颗粒相比，QLC颗粒能够在相同的物理空间内存储更多的数据。通
过先进的算法优化与强大的纠错能力，即便在QLC环境下，亦能确保SP1800领先的性能与稳定性，当前SP180
0已成功导入多个大客户，实现了量产出货，涉及车载、工规、穿戴以及手机等领域。
公司在主控芯片设计领域持续加大研发力度，专注于自研LDPC纠错算法、高性能架构以及低功耗技术的
研发，致力于构建主控核心技术平台。基于该平台，公司积极开展UFS主控芯片的研发，围绕功耗、性能、
可靠性等核心指标，努力打造行业领先的、具备高度竞争力的主控能力。公司第一款UFS主控SP9300，支持U
FS3.1协议，采用先进制造工艺以及优异芯片架构设计，设计指标实现了顺序读写速度和随机读写性能的行
业领先，同时芯片极致的低功耗设计，又能够满足智能终端越来越严苛的待机要求。该主控采用多级数据可
靠性与安全防护，支持4KLDPC、SRAMECC和RAID5等算法，即使遭遇罕见的存储单元突发性失效，也能确保数
据不丢失，为关键数据提供了芯片级的数据纠错保护。同时该主控覆盖消费、工规以及车规工作温度，可满
足不同领域、不同客户的需求。目前SP9300芯片的设计指标符合预期，各项性能和低功耗指标具备较强的竞
争力，能够为提升存储解决方案的核心竞争力提供坚实保障，推动AI端侧、消费电子、智能汽车等领域向更
高性能、更安全可靠、更节能高效的方向持续演进。SP9300芯片已于2026年2月投片，并已完成回片验证，
计划于2026年下半年开始导入终端客户。
（4）存储器固件算法技术
依托于存储控制器的存储器固件算法是构造存储器高可靠、高性能及安全可控等特性的核心所在。通过
固件算法对NANDFlash的有效管理，结合公司具备的介质特性研究能力，公司有能力为客户提供具备独特竞
争优势的存储器产品。公司掌握了接口协议、FTL核心管理算法、QoS算法、数据保护、数据安全等核心固件
算法，全面掌握了存储固件核心技术，有能力匹配各类客户典型应用场景，并能够为客户提供创新优质的存
储解决方案。
围绕车规级高可靠、长寿命、极端环境、对功能安全和数据安全都有极致要求的场景，公司通过数据冗
余备份、安全存储分区、硬件加密、防回滚防篡改等技术优先保证数据“零失效”。在企业级存储领域，公
司专注于提供高性能、高可靠、可预测低延迟的解决方案，满足数据中心、云计算及关键业务应用对数据持
久性、服务稳定性及大规模并发访问的严苛要求，通过智能资源调度、多级容错与数据一致性保障机制，助
力企业客户构建高效、稳定且安全的存储基础设施。
同时，公司有能力围绕芯片设计和固件算法开展系统级协同优化，以提升算法效率和实现基于应用场景
的硬件加速及效能优化，进一步提升产品在智能穿戴、企业级、车规级等场景下的竞争优势。
（5）存储器先进封装技术
NANDFlash存储晶圆技术不断演进，单位空间容量不断提升，但仍不能完全满足新一代信息技术对存储
密度的需求。通过多芯片堆叠封装技术，在单位封装体内，集成更多的NANDFlash存储晶圆，能够大幅提高
存储器的空间容量密度。因此多芯片堆叠和SiP等先进封测技术亦成为存储晶圆应用技术发展的重点方向之
一。公司掌握16/32层叠Die、30~40μm超薄Die、多芯片异构集成等先进封装工艺，为NAND、DRAM芯片和SiP
封装产品的创新力及大规模量产提供支持。
公司拥有资深封装设计和工艺研发团队，全面掌握BGA、FlipChip、3DSiP等封装设计和工艺技术。公司
高度重视芯片可靠性设计，通过多年来在行业标准、用户场景、芯片失效分析等领域不断探索和创新，有能
力进行完备的基板级和封装级仿真，包括高速信号完整性（SI）仿真、电源完整性（PI）仿真、电磁兼容性
（EMC）仿真、封装翘曲度应力仿真、模流应力仿真、热仿真等。在封装工艺领域，公司不断引进先进封装
设备、失效分析设备和芯片可靠性实验设备，大力投入先进工艺研究，攻克了激光隐形切割工艺、纳秒/皮
秒级激光开槽工艺、超薄die贴片和键合工艺、Compressionmolding工艺、FC工艺、CSP工艺、POP、PIP和3D
SiP以及封装电磁屏蔽等工艺技术。公司基于上述工艺的创新和组合，使得拥有复杂系统的存储芯片在体积
、散热、电磁兼容性、可靠性、存储容量等方面拥有较强的市场竞争力。在封装设计与工艺领域的技术能力
布局，让公司能够充分有效整合设计与工艺环节，使得公司存储器产品尤其是嵌入式存储产品实现行业领先
的产品创新能力和可靠性。
基于上述技术积累，公司成功实现高容量单芯片存储的设计和生产，具备高可靠性、高密度、高性能等
产品优势。同时，公司将封装技术与自主固件技术相融合，创新性地开发了一系列“小而精、低功耗、高性
能”的特种尺寸存储芯片，如公司推出的超小尺寸eMMC，体积不足传统eMMC的1/3，特别适用于对体积、功
耗和可靠性要求较高的可穿戴设备。（6）晶圆级先进封装技术
公司积极推进与IC设计厂商、晶圆制造厂商以及终端客户等产业链伙伴的合作。公司晶圆级先进封测制
造项目目标打造“存、算、运”综合服务平台，正在开发多种存算合封技术方案、先进存储芯片技术方案和
光电互联方案，覆盖了2.5D、RDL、Fan-in、Fan-out等多种先进封装形式。公司创新的垂直引线键合及晶圆
级扇出工艺，能够大幅缩小整体封装尺寸，并支持大带宽定制化方案。公司已推出使用FOMS-R工艺的超薄LP
DDR产品，满足AI时代大容量、高密度存储需求，该产品进展顺利，目前已经收到客户需求预测。公司CMC产
品实现10颗Chiplet集成封装，目前已完成工艺开发样品制作，其中uBump工艺最小直径为22um，最小Pitch
为40um。公司已完成了TSVInterposer设计以及TSVInterposer前处理工艺开发，目前已实现了超过75mm×75
mm封装尺寸产品通线试产。公司OEC产品目前正在与客户合作开发6.4TNPO的光引擎封装，预计2026年第四季
度完成研发。
公司已具备先进Chiplet封装设计、仿真、制造以及与存储系统整合的能力，构建了完整的、国际化的
、专业的晶圆级先进封装设计和工艺技术团队，具备成熟研发和量产经验，相关技术方案受到了客户的认可
并开始导入。此外公司基于前期在先进封装领域积累的经验，建立了成熟的供应链体系，晶圆级先进封测制
造项目可以有效利用公司现有供应链资源，降低制造和采购成本。公司通过晶圆级先进封测制造项目构建晶
圆级封测能力，一方面可以满足先进存储封装需求，为公司研发和生产先进存储产品构建技术基础，提供相
关封装产能；另一方面可以与公司存储业务协同，服务公司客户对于存算合封业务的需求，为相关客户提供
存储解决方案+晶圆级先进封测服务。
（7）存储芯片测试
芯片测试是保障存储芯片产品质量的重要环节。公司在NANDFlash及DRAM存储芯片领域的ATE测试、Burn
-in（老化）测试、SLT（系统级）测试等多个环节，拥有从测试设备硬件开发、测试算法开发以及测试自动
化软件平台开发的全栈测试自研能力。针对SSD模组测试环节，公司已推出Ty-S101A和TS1900系列设备，支
持M2、U2、E1/E3等多种形态的模组测试，测试协议支持SATA、PCIeGen3/Gen4/Gen5等，支持所有形态的SSD
模组测试，设备支持全自动、半自动、手动等多种选择，可供客户灵活选择；其中，TS1932可以满足PCIeGe
n5企业级SSD和消费级SSD测试需求。针对SLT测试设备，公司已推出TL2900系列产品，支持LPDDR3/LPDDR4X/
LPDDR5X产品测试，并测数最大支持256DUT，测试速率最大支持8533Mbps，丰富的测试算法，灵活的参数配
置，简易的图形化操作界面，提高了产品的测试能力和易用性。公司SLT测试设备已实现外部客户整机装机
，市场渗透率持续提升；针对Burn-in测试环节，公司已推出TB3305高速老化测试系统，采用创新性散热风
道设计，支持2.4GbpsNAND的全速接口的高低温老化测试，设备兼容性强，灵活支持UFS、eMMC、BGASSD、eM
CP、ePOP等大功率器件的全速接口老化测试。公司推出的创新老化测试系统TB7300，可以满足NAND、DRAM及
PCRAM（相变存储器）等多种存储器测试需求，该TB7300已在某客户端完成工程机验证；针对DRAM的可修复
老化测试系统TB7500，可以满足存储原厂对DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5X的老化测试需求。上述SLT、BI
测试设备已切入市场，实现从工程验证到量产导入的关键跨越。
通过测试设备的全面自主开发，公司有效保障了在NANDFlash类存储芯片、DRAM类存储芯片等领域的测
试能力。同时，通过多年产品的开发、测试、应用循环迭代，公司在上述自主平台上积累了丰富多样的产品
与芯片测试算法库，有效保障了存储芯片的交付质量，提升了公司整体解决方案的竞争力。在ATE关键测试
环节，公司正集中研发攻关CP/FT及超高速FT设备，重点攻克测试稳定性、测试效率等核心指标，构建完备
的国产化测试技术体系。通过不断丰富的测试平台组合，公司有效保障了各类存储解决方案的一致性，提高
了研发效率，并满足针对不同客户的定制化需求。
（8）研发技术平台建设
公司高度重视技术平台建设，以实现高效、高一致性、高可控的研发过程管理。公司持续投入芯片设计
平台、芯片仿真平台、固件算法平台、自动化测试平台、工艺实现平台、装备技术平台等平台建设，实现各
关键技术领域的标准化、自动化及归一化，为上述技术领域的不断创新发展提供更加高效的资源整合与平台
支撑。
2、报告期内获得的研发成果
截至2026年6月30日，公司共取得582项境内外专利和66项软件著作权，其中专利包括245项发明专利、2
28项实用新型专利、109项外观设计专利。2026年1-6月新增申请发明专利55项，新增授权发明专利28项。
五、报告期内主要经营情况
报告期内，公司实现营业总收入1557494.34万元，同比增长298.10%；归属于母公司所有者的净利润716
558.03万元，同比增长3273.48%；归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润663254.49万元，同比
增长2962.97%。
报告期末，公司总资产3334756.72万元，较报告期初增长114.86%；归属于母公司所有者权益1270027.1
4万元，较报告期初增长133.45%。
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