经营分析☆ ◇688693 锴威特 更新日期：2026-09-12◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.前5名客户营业收入表】【4.前5名供应商采购表】
【5.经营情况评述】
【1.主营业务】
功率半导体的设计、研发和销售，并提供相关技术服务
【2.主营构成分析】
截止日期:2026-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
功率器件(产品) 8088.08万 50.24 1971.79万 35.99 24.38
功率IC及其他(产品) 7756.68万 48.18 3364.89万 61.41 43.38
其他业务(产品) 137.98万 0.86 101.26万 1.85 73.39
技术服务(产品) 115.27万 0.72 41.26万 0.75 35.79
─────────────────────────────────────────────────
境内(地区) 1.59亿 99.02 5414.48万 98.82 33.97
境外(地区) 157.25万 0.98 64.72万 1.18 41.15
─────────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 1.18亿 73.24 4510.16万 82.31 38.25
经销(销售模式) 4308.05万 26.76 969.04万 17.69 22.49
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2025-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
集成电路(行业) 2.49亿 97.96 8018.45万 95.68 32.15
其他业务(行业) 518.71万 2.04 362.05万 4.32 69.80
─────────────────────────────────────────────────
功率IC及其他(产品) 1.35亿 53.12 6277.33万 74.90 46.42
功率器件(产品) 1.10亿 43.30 1573.26万 18.77 14.27
其他业务(产品) 518.71万 2.04 362.05万 4.32 69.80
技术服务(产品) 391.44万 1.54 167.86万 2.00 42.88
─────────────────────────────────────────────────
内销(地区) 2.49亿 97.93 8015.13万 95.64 32.15
其他业务(地区) 518.71万 2.04 362.05万 4.32 69.80
外销(地区) 8.97万 0.04 3.31万 0.04 36.93
─────────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 1.82亿 71.61 6760.74万 80.67 37.09
经销(销售模式) 6708.09万 26.35 1257.71万 15.01 18.75
其他业务(销售模式) 518.71万 2.04 362.05万 4.32 69.80
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2025-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
功率器件(产品) 5180.83万 46.66 712.76万 18.03 13.76
功率IC(产品) 4735.47万 42.65 2903.63万 73.45 61.32
其他(产品) 951.08万 8.57 257.61万 6.52 27.09
技术服务(产品) 235.63万 2.12 79.43万 2.01 33.71
─────────────────────────────────────────────────
境内(地区) 1.11亿 99.94 3950.85万 99.93 35.61
境外(地区) 6.87万 0.06 2.59万 0.07 37.67
─────────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 8694.49万 78.31 3473.70万 87.87 39.95
经销(销售模式) 2408.52万 21.69 479.74万 12.13 19.92
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2024-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
集成电路(行业) 1.27亿 97.44 4495.66万 96.02 35.46
其他业务(行业) 333.62万 2.56 186.33万 3.98 55.85
─────────────────────────────────────────────────
功率器件(产品) 7089.98万 54.48 393.14万 8.40 5.54
功率IC(产品) 3878.22万 29.80 3497.05万 74.69 90.17
其他(产品) 1206.64万 9.27 746.48万 15.94 61.86
技术服务(产品) 838.60万 6.44 45.32万 0.97 5.40
─────────────────────────────────────────────────
内销(地区) 1.26亿 97.20 4484.21万 95.78 35.45
其他业务(地区) 333.62万 2.56 186.33万 3.98 55.85
外销(地区) 31.16万 0.24 11.45万 0.24 36.76
─────────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 1.11亿 85.36 4496.94万 96.05 40.48
经销(销售模式) 1571.04万 12.07 -1.29万 -0.03 -0.08
其他业务(销售模式) 333.62万 2.56 186.33万 3.98 55.85
─────────────────────────────────────────────────
【3.前5名客户营业收入表】
截止日期:2025-12-31
前5大客户共销售0.80亿元，占营业收入的31.30%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│客户名称 │ 营收额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│客户1 │ 2819.11│ 11.07│
│客户2 │ 1710.49│ 6.72│
│客户3 │ 1270.16│ 4.99│
│客户4 │ 1100.08│ 4.32│
│客户5 │ 1069.16│ 4.20│
│合计 │ 7969.00│ 31.30│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【4.前5名供应商采购表】
截止日期:2025-12-31
前5大供应商共采购1.75亿元，占总采购额的59.21%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│供应商名称 │ 采购额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│供应商1 │ 5739.49│ 19.39│
│供应商2 │ 5703.97│ 19.27│
│供应商3 │ 2456.32│ 8.30│
│供应商4 │ 2187.60│ 7.39│
│供应商5 │ 1439.35│ 4.86│
│合计 │ 17526.72│ 59.21│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【5.经营情况评述】
截止日期:2026-06-30
●发展回顾:
一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
（一）所属行业发展情况
公司主营业务为功率半导体的设计、研发和销售，并提供相关技术服务。根据《中华人民共和国国民经
济行业分类》（GB/T4754－2017），公司所属行业为“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”。公司所
处的功率半导体行业是半导体产业中的关键细分领域，与能源动力关系最为密切，被誉为电力电子系统与新
能源革命的“心脏”。
当前，我国功率半导体产业已完成规模积累阶段，迈入技术能力与产业质量持续提升的高质量发展周期
，行业国产替代进程持续深化。国内第三代半导体技术研发与产业化应用取得实质性突破，同时AI算力中心
、新型数据中心等新兴领域快速发展，为功率半导体产业开辟了全新增长空间。2026年上半年，“十五五”
规划纲要从研发投入规模、税收政策激励、金融支持三个维度系统性支持集成电路领域关键核心技术攻关与
产业化应用，为功率半导体产业能级跃升提供了坚实的政策支撑。同时，国家双碳战略与新型基础设施建设
也为行业打开需求空间，“十五五”期间推进的新型电力系统建设、一体化算力网等重大项目，持续拉动了
高压、大功率器件的刚性市场需求。
技术迭代方面，全球功率半导体行业正处于硅基器件向宽禁带半导体器件迭代升级的关键转型期，技术
替代趋势明确。碳化硅（SiC）器件凭借高频、高效、耐高温、耐高压的优异特性，已广泛应用于新能源汽
车800V高压平台主驱逆变器等核心场景，渗透率持续提升。目前，8英寸碳化硅衬底产业化进程持续提速，
将有效降低碳化硅器件生产成本，推动产品从高端新能源车型向主流车型全面渗透，加速规模化普及。氮化
镓（GaN）器件依托高频、高开关速度的技术优势，应用场景从传统消费电子快充领域，逐步向数据中心电
源、车载充电机、工业电源等中高端场景延伸拓展。
行业竞争格局方面，全球功率半导体市场已进入结构性调整与整合重塑的关键阶段。以英飞凌为代表的
国际行业巨头仍占据全球高端市场主导地位，但海外头部企业陆续启动功率半导体业务整合重组，标志着行
业已从增量扩容阶段步入存量优化、格局重塑的整合期，竞争重心从单纯的技术创新转向市场领先产品、客
户获取和销售能力的综合比拼。国内功率半导体企业凭借持续的技术迭代、产能扩充与本土化服务优势，全
球市场份额稳步提升，国产替代向纵深领域推进。
与此同时，行业呈现显著的结构性分化，需求向AI算力等高功率、高附加值环节集中，服务器电源、高
压直流、液冷供电等产品供应偏紧、价格走高；消费电子、家电、通用工业等中低端成熟领域供需平稳，传
统品类承受价格压力。从供需两端看，AI算力基础设施的爆发式增长成为核心引擎，叠加新能源汽车、储能
等新兴领域的持续渗透，推动高端功率器件需求陡增；然而，功率半导体70%以上依赖8英寸成熟制程生产，
台积电、三星等大厂为集中资源开发先进制程不断削减8英寸成熟制程产能，导致供给紧张，主流功率半导
体交付周期普遍拉长，供需错配短期内难以逆转。此外，全产业链成本呈刚性上涨，成本压力层层传导。未
来，具备全链条技术研发能力、系统级解决方案供给能力的国内企业，将在行业竞争中占据核心优势。
整体而言，当前功率半导体行业正处在政策红利、市场需求、技术迭代多重红利叠加的战略机遇窗口，
在竞争格局加速重塑、行业整合持续深化的背景下，公司将持续聚焦功率半导体核心主业，紧跟技术前沿与
产业政策导向，深度把握行业发展的战略机遇期，妥善应对行业各类结构性挑战，保障自身经营稳步向好发
展。
（二）主要业务、主要产品及其用途
公司坚持“自主创芯，助力核心芯片国产化”的发展定位，始终围绕功率半导体产品不断进行业务开拓
和持续创新，主要产品包含功率器件及功率IC两大类，同时也为部分客户提供芯片设计及工艺开发等技术服
务。基于上述业务的协同效应，公司积极推进“功率器件+功率IC融合”战略，针对高可靠功率电源模块及
电机驱动模块应用场景，提供覆盖各功率段的系统化芯片解决方案。主要产品或服务情况如下：
1、功率器件方面
在功率器件方面，公司产品布局平面MOSFET、快恢复高压功率MOSFET（FRMOS）、中低压沟槽型MOSFET
、超结MOSFET和SiCMOSFET产品。平面MOSFET产品已实现产品系列化，覆盖40V~1500V电压段，已形成低压、
中压、高压、超高压全系列功率MOSFET产品；在平面MOSFET工艺平台基础上设计研发了快恢复高压MOSFET（
FRMOS）系列产品，产品采用重金属掺杂工艺，具有优异的反向恢复特性，可为客户降低系统功耗，解决系
统电磁干扰问题；中低压沟槽型MOSFET在已有产品基础上，针对BMS、电机驱动等应用场景开发了抗短路能
力强的30V、40V、60V、80V、100V沟槽屏蔽栅MOSFET；超结MOSFET采用多次外延的技术路线，已完成第2代
和第3代超结技术平台的研发，形成600V~850V电压段产品系列化；SiCMOSFET产品是公司功率器件方向布局
未来的重要产品线，公司与晶圆工厂密切合作，优化产品设计和工艺流程，提升产品竞争力，已从公司第2
代SiCMOS提升到第4代SiCMOS技术平台，将1200VSiCMOSRonsp降低至2.3mΩcm2以下，同时研发了集成SBD的S
iCMOSFET，解决SiCMOSFET寄生二极管的缺陷问题，适用于OBC、电机驱动等应用场合，针对小电流SiCMOSFE
TESD耐量弱的问题，研发集成ESD保护的SiCMOSFET，可以通过2kV的ESD耐量测试。
2、功率IC方面
公司功率IC产品主要围绕电源管理和电机驱动进行产品布局和研发。
在电源管理IC方面，主要包括隔离和非隔离DC-DC、PFC控制器、理想二极管控制器、浪涌抑制控制器、
高频栅极驱动器、高边电流采样放大器等产品。其中：隔离和非隔离DC-DC产品涵盖反激、反激双路交错、
正激有源钳位、推挽、半桥、全桥、移相全桥、降压、升压以及升降压等多拓扑配置，帮助客户灵活创建各
种电源设计；同时集成了欠压、过压、过流、过热等多种保护功能，确保系统安全稳定工作，能够为客户提
供隔离式开关电源系列化的解决方案。
在电机驱动IC方面，该类产品能够将电机控制器（MCU）输出的低压控制信号转换成驱动功率器件的高
压驱动信号，驱动功率器件进行开关动作，从而驱动电机工作。产品集成了高侧和低侧驱动器，可降低开关
损耗，适应嘈杂的环境并提高系统效率。公司的驱动IC产品包含单相半桥、全桥、三相全桥产品系列，可满
足多种场景的应用要求。
3、功率模块（功率器件+功率IC融合）
凭借公司拥有功率器件及功率IC核心研发能力的优势，公司打造了智能功率模块和固态继电器等融合产
品线，推动业务由高可靠领域向工控、新能源及智能家电市场拓展。
（1）智能功率模块（IPM）
公司具备将功率器件和功率IC进行融合，研发高性能智能功率模块的能力。公司上市后开始重点布局该
方向，针对智能功率模块的技术要求，研发适配的集成OCP、OTP及LDO的半桥驱动IC和功率MOSFET，将其进
行匹配封装成功率模块，充分发挥二者的性能。该产品可为客户提供高性价比的智能功率模块，方便客户使
用，缩短客户研发周期。
（2）固态继电器
随着第三代半导体SiC和GaN器件的成熟，固态继电器由小电流向大电流产品渗透成为可能。公司已研发
成功适配SiCMOSFET的固态继电器专用光电转换驱动IC，已成功应用于储能、新能源汽车等应用中。同时公
司布局新一代的固态继电器驱动IC产品，具备更强驱动能力，用于驱动大电流SiCMOSFET，提高固态继电器
的电流能力，满足大电流应用场合。
4、技术服务
公司在开发产品的同时，利用长期积累的设计经验和工艺开发能力，为客户提供芯片设计及工艺开发等
技术服务，公司技术服务主要覆盖高可靠领域客户，包括产品开发和工艺开发流片两类。
产品开发：在该类技术服务过程中，由客户定义产品的功能和参数指标，委托公司对该产品进行设计开
发，后续公司根据客户的具体需求，可以为客户提供制版、流片和测试验证等技术服务工作。
工艺开发流片：客户基于晶圆厂已有工艺平台，需要开发新的器件或者其他工艺升级要求。
在工艺开发流片的服务过程中，由公司负责新器件工艺开发或为客户提供其指定需求的工艺服务。
后续由客户基于公司提供的工艺服务自行设计产品，并委托公司进行制版、流片的服务。而产品的测试
验证等工作由客户自行负责。
（三）主要经营模式
公司为采用Fabless经营模式的芯片设计企业，将晶圆制造和封测环节委外，晶圆代工厂根据公司提供
的产品设计版图、工艺制程要求完成晶圆的加工制造，经公司验收后，公司再根据市场需求对其进行委外封
装和测试。通过将晶圆制造、封装、测试环节委外，公司集中力量于功率半导体芯片设计、可靠性考核及产
品销售环节，专注于自身所擅长的领域，提升核心竞争力；同时Fabless经营模式较IDM经营模式更为灵活，
公司可快速根据市场变化进行产品结构调整。
1、研发模式
公司制定了系统的研发管理制度和版图设计流程规范，包括《产品设计开发控制程序》《版图设计管理
规定》《产品验证管理规定》《工程封装管理规定》等，对研发过程中各个环节进行了规范，保证设计研发
产出符合公司要求，从而提升研发产出效率和成功率。研发流程主要包括论证阶段、设计阶段、工程试制阶
段和定型阶段。
2、采购模式
公司采购内容主要包括晶圆和封装测试服务。公司自主设计研发相关产品，再委托晶圆代工厂商生产并
向其采购。晶圆采购根据公司是否提供原材料外延片分为直接委外和带料委外两种采购形式：对于直接委外
，晶圆代工厂自行采购外延片并根据公司设计版图（公司设计版图的具体载体为GDS文件或掩膜版）及工艺
要求制造出公司所需晶圆，向公司销售加工后晶圆；对于带料委外，由公司提供外延片，晶圆代工厂仅负责
晶圆制造，根据公司提供的设计版图及工艺要求制造出公司所需晶圆，并向公司收取加工费。两种模式所采
购晶圆均为公司自主设计研发。对于加工后晶圆，晶圆代工厂具备中测条件的，公司会直接采购中测后晶圆
，如晶圆代工厂不具备中测条件，公司采购加工好的晶圆后，再另行委外中测，中测完成后入库。
公司制定了《采购控制程序》，对晶圆、外延片、封装、包辅料等采购流程制定了严格规定并遵照执行
。公司还制定了《供应商开发和管理程序》《wafer委外加工管理规定》《CP委外加工管理规定》《封装委
外加工管理规定》等规定，对各类外协采购进行严格管理和控制，保证外协采购内容满足公司要求。
3、销售模式
公司采取直销为主、经销为辅的销售模式，主要直销客户多为业内知名的芯片设计公司及高可靠领域客
户；经销客户为公司的经销商。公司的经销模式为买断式，属于行业内的常规模式。
公司制定了《成品客户管理规定》《报价管理规定》《售后服务管理制度》《客户投诉处理控制程序》
等规定，其中对经销商的导入、价格制定、客诉流程等方面均作出了详细规定，公司与经销商均签署《产品
授权经销协议》，对双方的权利和义务作出明确规定。
二、经营情况的讨论与分析
报告期内，公司实现营业总收入16098.01万元，较上年同期增长44.99%；实现归属于母公司所有者的净
利润为-3385.15万元，较上年同期亏损增加62.76万元；实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净
利润为-3808.81万元，较上年同期亏损增加12.84万元。公司整体经营情况较上年同期基本持平，营收规模
保持增长。
报告期内，功率半导体行业在经历结构性调整后持续复苏，国产替代进程加速推进，但行业竞争格局依
然严峻。公司坚持“功率器件+功率IC”双轮驱动战略，聚焦BLDC电机驱动、工业及车用电源、新能源与智
能电网、高可靠电源及电机驱动四大核心应用场景，以应用牵引技术迭代，深化内部管理，优化运营效能，
积极应对挑战。报告期内，公司总体经营保持稳健发展态势，在业务拓展、研发创新及内部治理优化等方面
取得了阶段性成果。
（一）研发创新持续深化，技术平台加速突破
报告期内，研发费用为4104.79万元，同比增长16.43%，公司持续保持高强度研发投入，紧密围绕市场
趋势与客户需求，稳步推进产品研发与迭代升级，技术平台建设取得新进展。
电源管理IC方面：公司持续丰富产品线的系列产品，完成了反激、正激、半桥、推挽、全桥、移相全桥
等隔离拓扑产品系列化，其中移相全桥控制IC完成AEC-Q100车规级认证，产品已通过部分终端客户验证。同
时针对工业电源领域，已成功研发小型化的隔离电源专用系列芯片，广泛应用于数字隔离器、隔离接口电路
、隔离驱动的供电，针对800V高压母线研发的集成1700VSiC器件的高压辅助电源管理芯片处于测试验证阶段
，预计下半年发布。公司加大Buck、Boost等非隔离拓扑的研发工作，推出了输入电压高达100V以上同步Buc
k控制器、同步Boost控制器等新品系列，同时展开1-8A同步buck转换器的研发以及采用SiP封装进行电源模
块的研发，并已经推出两颗电源模块产品，经客户验证，性能优异，满足客户需求，预计下半年还会有3颗
新品面市。为了提高电源系统的转换功率及可靠性，公司相继推出理想二极管控制IC、浪涌抑制控制IC和高
边开关控制IC三个产品子系列，其中理想二极管控制IC将耐压提升至+/-150V，为目前国内外耐压等级最高
的产品，可以更好地满足72V、96V等电池系统的应用，浪涌抑制控制IC已完成多家客户端的验证，逐步进入
量产阶段，高边开关控制IC推出100V智能高边开关控制器，具备完善的保护功能以及预充电功能；公司同时
结合器件和IC的自身优势，展开研发100V和150V的理想二极管模块。
电机驱动IC方面：公司持续丰富产品线的系列产品，推出针对电动工具领域专用的65V三相半桥驱动IC
，针对无人机、工业伺服、慢速车市场的250V三相半桥驱动IC产品，以及SiCMOSFET专用的半桥驱动IC产品
。基于公司拥有功率器件及驱动IC的基础，公司推出了电机驱动用IPM模块系列，包括500V~600V集成2A-6AF
RMOS的IPM模块、650V集成10ASiCMOS的IPM模块、100V集成10ASGTMOS的IPM模块。公司电机驱动IPM产品线成
功打入电机驱动市场。
硅基功率MOSFET方面：公司进一步开发完善了沟槽MOSFET及SGTMOSFET的工艺平台优化和产品布局，开
发了40V、60V、80V、100V、120VSGT工艺平台，基于12寸晶圆产线已开发了系列中低压SGTMOSFET，服务于
无人机、机器人、服务器、BMS等市场。针对电子负载等市场需求，需要高安全工作区的MOSFET，公司启动1
500V超高压线性MOSFET的研发工作。
SiC器件方面：公司加大SiCMOSFET加工的产能布局及工艺平台的开发，与国内晶圆代工厂合作开发了75
0V、900V、1200V、1700V、2600V、3300VSiCMOSFET的生产工艺平台，并进行了优化与升级，公司已推出750
V、900V集成ESD保护的系列SiCMOSFET，可以通过2kV的ESD测试，解决了SiCMOSFETESD能力差的问题。平面S
iCMOSFET已推进到第4代工艺平台，元胞pitch缩小至2.5um，比导通电阻低至2.3mΩcm2。同时针对固态断路
器的应用，公司启动SiCJFET器件的研发工作，当前处于试制阶段，SiCJFET具有低导通、抗短路能力强的优
势。
在知识产权方面，公司本期新获授权发明专利9项，集成电路布图设计专有权6项；截至2026年6月30日
，公司累计共已获授权专利153项(其中发明专利112项、实用新型专利41项)，集成电路布图设计专有权135
项。
公司聚焦智能功率半导体和SiC功率器件的研发升级，稳步推进募投项目建设。通过优化布局，高标准
建设可靠性实验室及失效分析实验室，提升核心测试能力，以支撑车规级及高可靠领域产品的研发与交付。
（二）强化市场拓展，深化客户合作
报告期内，公司紧抓国产替代机遇，持续加大市场开拓力度，并不断深化与现有客户的合作关系。在高
可靠领域，公司依托前期积累的技术优势，已实现客户群对国内高可靠电源龙头企业及重点科研院所的广泛
覆盖，并正积极向工业控制与新能源领域拓展延伸。同时，着力扩大相关产品的客户群体和细分应用场景，
重点聚焦新能源汽车、工业自动化、智能家电等高需求下游市场。在工控领域，公司深入挖掘工业储能、光
伏逆变、新能源汽车及充电桩等细分赛道，超高压平面MOSFET、高压超结MOSFET、SiCMOSFET等产品的市场
开拓取得良好成效。公司还推动系统化解决方案销售，从单一产品供应升级为整套芯片解决方案，以应用为
牵引，整合功率器件与功率IC，优化客户体验，实现技术与渠道的双向赋能。对于重点客户，公司建立专属
技术对接机制，快速响应个性化需求，并通过保障产品品质稳定性与供货及时性强化客户粘性；同时通过参
加行业展会、技术交流会扩大品牌影响力，挖掘优质潜在客户。
（三）优化运营管理，强化质量保障
报告期内，公司持续推进降本增效与精细化运营管理，着力提升运营效率和质量保障能力。
公司强化全生命周期质量管理，将质量要求贯穿设计开发、供应链协同、生产制造及交付服务全流程，
深化供应商质量管理，建立现场审核、联合改进与责任闭环机制。为打造高效运营保障体系，公司构建“纵
向贯通、横向协同”的运营体系，围绕四大核心产品线进行深度整合，深化产品线全生命周期管理；同时推
进供应链资源整合，开发关键FAB及封测供应商，丰富供应链储备并实现成本优化。此外，公司正积极推进
中国合格评定国家认可委员会（CNAS）认可实验室建设，以增强自身检验检测能力，为车规级和高可靠产品
的研发及质量管控提供有力支撑。
（四）完善公司治理，推进战略并购
报告期内，公司持续完善法人治理结构，全面深化合规体系建设。公司将合规管控嵌入业务流程各环节
，强化资金运作、投资决策、信息披露、信息安全等高风险领域的全过程管理。同时，公司高度重视投资者
关系管理，通过业绩说明会等多种形式加强与投资者的沟通，积极传递公司价值。公司积极有序推进收购晶
艺半导体有限公司事项的相关工作，力求通过产品品类、研发技术、客户资源及运营管理等多维协同，推动
公司实现高质量发展。
综上，2026年上半年，公司在面对外部挑战的同时，坚持战略聚焦，核心业务稳步发展，重大并购有序
推进，技术研发持续突破。管理层对未来发展充满信心，将继续带领全体员工，聚焦主业，降本增效，努力
实现经营业绩的稳步恢复与长期可持续发展。
三、报告期内核心竞争力分析
(一)核心竞争力分析
（1）公司的研发和技术优势
公司是国家高新技术企业、国家级专精特新“小巨人”企业、国家鼓励的重点集成电路设计企业，江苏
省“科技小巨人企业”“江苏省潜在独角兽企业”、江苏省半导体行业协会理事单位，公司研发中心获“江
苏省高可靠性功率器件工程技术研究中心”认证。公司本期新获授权发明专利9项，集成电路布图设计专有
权6项；截至2026年6月30日，公司累计共已获授权专利153项(其中发明专利112项、实用新型专利41项)，集
成电路布图设计专有权135项。
在功率器件方面，公司积累了包括“高可靠性元胞结构”“新型复合终端结构及实现工艺技术”“一种
利用PowerMOS管实现高压快速启动的AC-DC开关电源的实现方法”等多项核心技术，其中3项达到国际先进水
平，1项达国内领先水平，使公司产品关键技术指标达到了与国际领先厂商同类产品的水平；在功率IC方面
，公司与晶圆代工厂深度合作，可根据晶圆代工厂的标准工艺调整工艺参数和流程，进一步优化产品性能。
公司已形成百余款功率IC产品，并完成了多款功率IC所需的IP设计与验证；公司自主研发了“一种全电压范
围多基准电压同步调整电路及高精准过压保护电路”“一种输入失调电压自动修正电路”等核心技术，有效
提升了产品参数一致性，增强了产品可靠性。
凭借高性能的产品，公司荣获由中国电子信息发展研究院（赛迪研究院）评选的第十六届（2021年度）
和第十五届（2020年度）“中国芯”优秀技术创新产品奖；由中国半导体行业协会、中国电子材料行业协会
等机构联合评选的第十四届（2019年度）和第十二届（2017年度）中国半导体创新产品和技术奖。公司还获
得了知名晶圆代工厂“最佳合作伙伴”“最佳业绩成长”的合作商奖项，芯片设计和工艺调试能力得到业内
认可。
（2）丰富的产品矩阵
公司坚持“自主创芯，助力核心芯片国产化”的发展战略，公司目前具有功率MOSFET、隔离AC-DC或者D
C-DC、非隔离DC-DC、栅极驱动、理想二极管、浪涌抑制、高边电流采样、数字隔离器等多个系列产品。公
司平面MOSFET产品覆盖40V~1700V电压段，已形成低压、中压、高压、超高压全系列功率MOSFET产品系列；
超结MOSFET已完成600~850V产品系列化；SGTMOS已建立20V~120V产品平台；公司在第三代半导体功率器件方
面，已推出650V-3300VSiCMOSFET产品系列；功率IC方面，公司基于晶圆代工厂SOIBCD工艺建立高可靠芯片
设计平台，最高结温可达200度，满足高可靠领域的技术需求；基于0.18umBCD等工艺建立高性能芯片设计平
台，满足工业控制领域的技术需求；功率MOSFET与功率IC融合产品方面，公司已推出电机驱动用智能功率模
块（IPM）系列，以及适配SiCMOSFET的固态继电器专用光电转换驱动IC。
公司与晶圆代工厂深度合作，可根据晶圆代工厂的标准工艺调整工艺参数和流程，进一步优化产品性能
。公司针对高可靠功率电源模块及电机驱动模块提供各功率段的芯片解决方案能力，致力于成为一站式、全
品类覆盖的高性能功率半导体产品供应商，助力功率半导体国产化替代，推动我国在高可靠领域基础元器件
自主可控进程的发展。
（3）广泛的客户覆盖
公司凭借丰富的产品矩阵、高性能的产品和及时迅速的服务能力，已与超过600家客户进行合作，实现
了广泛的客户覆盖。近年来不断加大功率IC和功率器件产品在高可靠、工业控制和新能源应用领域的客户开
拓力度。在高可靠领域，公司客户群已覆盖国内高可靠领域电源龙头企业及国家重点科研院所，并获得众多
高可靠领域客户的高度认可；在工业控制领域，公司深挖工业储能、光伏逆变、新能源汽车及充电桩、工业
电源等细分应用领域的产品需求，超高压平面MOSFET、高压超结MOSFET、SiCMOSFET等细分产品的产品研发
及市场开拓取得良好成效。
(二)核心技术与研发进展
1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司核心技术来源均为自主研发，具有较强的市场竞争力。
2、报告期内获得的研发成果
公司通过自主创新和技术沉淀，已同时具备功率器件和功率IC的设计、研发能力。公司掌握了功率半导
体芯片的前端设计技术，自主搭建了多个功率半导体细分产品的技术平台；公司与晶圆代工厂深度合作，可
根据晶圆代工厂的标准工艺调整工艺参数和流程，进一步优化产品性能。
公司本期新获授权发明专利9项，集成电路布图设计专有权6项；截至2026年6月30日，公司累计共已获
授权专利153项(其中发明专利112项、实用新型专利41项)，集成电路布图设计专有权135项。
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