经营分析☆ ◇688693 锴威特 更新日期：2026-08-01◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.前5名客户营业收入表】【4.前5名供应商采购表】
【5.经营情况评述】
【1.主营业务】
功率半导体的设计、研发和销售，并提供相关技术服务
【2.主营构成分析】
截止日期:2025-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
集成电路(行业) 2.49亿 97.96 8018.45万 95.68 32.15
其他业务(行业) 518.71万 2.04 362.05万 4.32 69.80
─────────────────────────────────────────────────
功率IC及其他(产品) 1.35亿 53.12 6277.33万 74.90 46.42
功率器件(产品) 1.10亿 43.30 1573.26万 18.77 14.27
其他业务(产品) 518.71万 2.04 362.05万 4.32 69.80
技术服务(产品) 391.44万 1.54 167.86万 2.00 42.88
─────────────────────────────────────────────────
内销(地区) 2.49亿 97.93 8015.13万 95.64 32.15
其他业务(地区) 518.71万 2.04 362.05万 4.32 69.80
外销(地区) 8.97万 0.04 3.31万 0.04 36.93
─────────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 1.82亿 71.61 6760.74万 80.67 37.09
经销(销售模式) 6708.09万 26.35 1257.71万 15.01 18.75
其他业务(销售模式) 518.71万 2.04 362.05万 4.32 69.80
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2025-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
功率器件(产品) 5180.83万 46.66 712.76万 18.03 13.76
功率IC(产品) 4735.47万 42.65 2903.63万 73.45 61.32
其他(产品) 951.08万 8.57 257.61万 6.52 27.09
技术服务(产品) 235.63万 2.12 79.43万 2.01 33.71
─────────────────────────────────────────────────
境内(地区) 1.11亿 99.94 3950.85万 99.93 35.61
境外(地区) 6.87万 0.06 2.59万 0.07 37.67
─────────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 8694.49万 78.31 3473.70万 87.87 39.95
经销(销售模式) 2408.52万 21.69 479.74万 12.13 19.92
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2024-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
集成电路(行业) 1.27亿 97.44 4495.66万 96.02 35.46
其他业务(行业) 333.62万 2.56 186.33万 3.98 55.85
─────────────────────────────────────────────────
功率器件(产品) 7089.98万 54.48 393.14万 8.40 5.54
功率IC(产品) 3878.22万 29.80 3497.05万 74.69 90.17
其他(产品) 1206.64万 9.27 746.48万 15.94 61.86
技术服务(产品) 838.60万 6.44 45.32万 0.97 5.40
─────────────────────────────────────────────────
内销(地区) 1.26亿 97.20 4484.21万 95.78 35.45
其他业务(地区) 333.62万 2.56 186.33万 3.98 55.85
外销(地区) 31.16万 0.24 11.45万 0.24 36.76
─────────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 1.11亿 85.36 4496.94万 96.05 40.48
经销(销售模式) 1571.04万 12.07 -1.29万 -0.03 -0.08
其他业务(销售模式) 333.62万 2.56 186.33万 3.98 55.85
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2024-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
功率器件(产品) 3320.55万 57.62 355.58万 14.62 10.71
功率IC(产品) 2362.37万 40.99 2057.47万 84.59 87.09
技术服务(产品) 80.14万 1.39 19.22万 0.79 23.98
─────────────────────────────────────────────────
境内(地区) 5763.02万 100.00 2432.25万 100.00 42.20
境外(地区) 418.71 0.00 256.97 0.00 61.37
─────────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 4534.90万 78.69 2317.72万 95.29 51.11
经销(销售模式) 1228.17万 21.31 114.55万 4.71 9.33
─────────────────────────────────────────────────
【3.前5名客户营业收入表】
截止日期:2025-12-31
前5大客户共销售0.80亿元，占营业收入的31.30%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│客户名称 │ 营收额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│客户1 │ 2819.11│ 11.07│
│客户2 │ 1710.49│ 6.72│
│客户3 │ 1270.16│ 4.99│
│客户4 │ 1100.08│ 4.32│
│客户5 │ 1069.16│ 4.20│
│合计 │ 7969.00│ 31.30│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【4.前5名供应商采购表】
截止日期:2025-12-31
前5大供应商共采购1.75亿元，占总采购额的59.21%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│供应商名称 │ 采购额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│供应商1 │ 5739.49│ 19.39│
│供应商2 │ 5703.97│ 19.27│
│供应商3 │ 2456.32│ 8.30│
│供应商4 │ 2187.60│ 7.39│
│供应商5 │ 1439.35│ 4.86│
│合计 │ 17526.72│ 59.21│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【5.经营情况评述】
截止日期:2025-12-31
●发展回顾:
一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况说明
(一)主要业务、主要产品或服务情况
公司主营业务为功率半导体的设计、研发和销售，并提供相关技术服务。公司坚持“自主创芯，助力核
心芯片国产化”的发展定位，通过自主创新和技术沉淀，已同时具备功率器件和功率IC的设计、研发能力。
在产品布局上，公司主要产品包含功率器件及功率IC两大类，同时也为部分客户提供芯片设计及工艺开发等
技术服务。基于上述业务的协同效应，公司积极推进“功率器件+功率IC融合”战略，针对高可靠功率电源
模块及电机驱动模块应用场景，提供覆盖各功率段的系统化芯片解决方案。
主要产品或服务情况如下：
1、功率器件方面
在功率器件方面，公司产品布局平面MOSFET、集成快恢复高压功率MOSFET（FRMOS）、中低压沟槽型MOS
FET、超结MOSFET和SiCMOSFET产品。平面MOSFET产品已实现产品系列化，覆盖40~1500V电压段，已形成低压
、中压、高压全系列功率MOSFET产品系列；在平面MOSFET工艺平台基础上设计研发了集成快恢复高压MOSFET
（FRMOS）系列产品，产品采用重金属掺杂工艺，具有优异的反向恢复特性，可为客户降低系统功耗，解决
系统电磁干扰问题；中低压沟槽型MOSFET在已有产品基础上，针对BMS、电机驱动等应用场景开发了抗短路
能力强的30V、40V、60V、80V、100V沟槽屏蔽栅MOSFET；超结MOSFET采用多次外延的技术路线，已完成第2
代和第3代超结技术平台的研发，形成600V~850V电压段产品系列化；SiCMOSFET产品是公司功率器件方向布
局未来的重要产品线，公司与晶圆工厂密切合作，优化产品设计和工艺流程，提升产品竞争力，已从公司第
2代SiCMOS提升到第3代SiCMOS技术平台，将1200VSiCMOSRonsp降低至3.0mRcm2以下，同时研发了集成SBD的S
iCMOSFET，解决SiCMOSFET寄生二极管的缺陷问题，适用于OBC、电机驱动等应用场合，针对小电流SiCMOSFE
TESD耐量弱的问题，研发集成ESD保护的SiCMOSFET，可以通过2KV的ESD耐量测试。
2、功率IC方面
公司功率IC产品主要围绕电源管理和电机驱动进行产品布局和研发，电源管理IC主要包括隔离和非隔离
DC-DC、PFC控制器、理想二极管控制器、浪涌抑制控制器、高频栅极驱动器、高边电流采样放大器等产品。
隔离和非隔离DC-DC产品涵盖反激、反激双路交错、正激有源钳位、推挽、半桥、全桥、移相全桥、降压、
升压以及升降压等多拓扑配置，帮助客户灵活创建各种电源设计；同时集成了欠压、过压、过流、过热等多
种保护功能，确保系统安全稳定工作，能够为客户提供隔离式开关电源系列化的解决方案。
电机驱动IC能够将电机控制器（MCU）输出的低压控制信号转换成驱动功率器件的高压驱动信号，来驱
动功率器件进行开关动作，从而驱动电机工作，集成了高侧和低侧驱动器，可降低开关损耗，适应嘈杂的环
境并提高系统效率。公司的驱动IC产品包含单相半桥、全桥、三相全桥产品系列，可满足多种场景的应用要
求。
3、功率模块（功率器件+功率IC融合）
凭借公司拥有功率器件及功率IC核心研发能力的优势，打造智能功率模块和固态继电器等融合产品线，
由高可靠领域向工控、新能源及智能家电市场拓展。
（1）智能功率模块（IPM）
公司同时拥有功率器件和功率IC的核心研发能力，具备将功率器件和功率IC进行融合，研发高性能智能
功率模块的能力；公司上市后开始布局功率器件和功率IC融合的产品方向——智能功率模块。针对智能功率
模块的技术要求，公司研发适配的集成OCP、OTP及LDO的半桥驱动IC和功率MOSFET，将其进行匹配封装成功
率模块，充分发挥二者的性能，可为客户提供高性价比的智能功率模块，方便客户使用，缩短客户研发周期
。
（2）固态继电器
随着第三代半导体SiC和GaN器件的成熟，使固态继电器由小电流向大电流产品渗透成为可能。公司已研
发成功适配SiCMOSFET的固态继电器专用光电转换驱动IC，已成功应用于储能、新能源汽车等应用中。同时
公司布局新一代的固态继电器驱动IC产品，具备更强驱动能力，用于驱动大电流SiCMOSFET，提高固态继电
器的电流能力，满足大电流应用场合。
4、技术服务
公司在开发产品的同时，利用长期积累的设计经验和工艺开发能力，为客户提供芯片设计及工艺开发等
技术服务，公司技术服务主要覆盖高可靠领域客户，包括产品开发和工艺开发流片两类。
产品开发：在该类技术服务过程中，由客户定义产品的功能和参数指标，委托公司对该产品进行设计开
发，后续公司根据客户的具体需求，可以为客户提供制版、流片和测试验证等技术服务工作。
工艺开发流片：客户基于晶圆厂已有工艺平台，需要开发新的器件或者其他工艺升级要求。在工艺开发
流片的服务过程中，由公司负责新器件工艺开发或为客户提供其指定需求的工艺服务。后续由客户基于公司
提供的工艺服务自行设计产品，并委托公司进行制版、流片的服务。
(二)主要经营模式
公司为采用Fabless经营模式的芯片设计企业，将晶圆制造和封测环节委外，晶圆代工厂根据公司提供
的产品设计版图、工艺制程要求完成晶圆的加工制造，经公司验收后，公司再根据市场需求对其进行委外封
装和测试。通过将制造、封装、测试环节委外，公司可将研发力量集中于功率半导体芯片设计环节，专注于
自身所擅长的领域，提升核心竞争力；同时Fabless经营模式较IDM经营模式更为灵活，公司可快速根据市场
变化进行产品结构调整。
1、研发模式
公司制定了系统的研发管理制度和版图设计流程规范，包括《产品设计开发控制程序》《版图设计管理
规定》《产品验证管理规定》《工程封装管理规定》等，对研发过程中各个环节进行了规范，保证设计研发
产出符合公司要求规定，从而提升研发产出效率和成功率。研发流程主要包括论证阶段、设计阶段、工程试
制阶段和定型阶段。
2、采购模式
公司采购内容主要包括晶圆和封装测试服务。公司自主设计研发相关产品，再委托晶圆代工厂商生产并
向其采购。晶圆采购根据公司是否提供原材料外延片分为直接委外和带料委外两种采购形式：对于直接委外
，晶圆代工厂自行采购外延片并根据公司设计版图（公司设计版图的具体载体为GDS文件或掩膜版）及工艺
要求制造出公司所需晶圆，向公司销售加工后晶圆；对于带料委外，由公司提供外延片，晶圆代工厂仅负责
晶圆制造，根据公司提供的设计版图及工艺要求制造出公司所需晶圆，并向公司收取加工费。两种模式所采
购晶圆均为公司自主设计研发。对于加工后晶圆，晶圆代工厂具备中测条件的，公司会直接采购中测后晶圆
，如晶圆代工厂不具备中测条件，公司采购加工后晶圆后，再另行委外中测，中测完成后入库。
公司制定了《采购控制程序》，对晶圆、外延片、封装、包辅料等采购流程制定了严格规定并遵照执行
。公司还制定了《供应商开发和管理程序》《wafer委外加工管理规定》《CP委外加工管理规定》《封装委
外加工管理规定》等规定，对各类外协采购进行严格管理和控制，保证外协采购内容满足公司要求。
3、销售模式
公司采取直销为主、经销为辅的销售模式，主要直销客户多为业内知名的芯片设计、方案公司及高可靠
领域客户；经销客户为公司的经销商。公司的经销模式为买断式，属于行业内的常规模式。公司制定了《成
品客户管理规定》《报价管理规定》《售后服务管理制度》《客户投诉处理控制程序》等规定，其中对经销
商的导入、价格制定、客诉流程等方面均作出了详细规定，公司与经销商均签署《产品授权经销协议》，对
双方的权利和义务作出明确规定。
(三)所处行业情况
1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
（1）行业的发展阶段
公司主营业务为功率半导体的设计、研发和销售，并提供相关技术服务。根据《中华人民共和国国民经
济行业分类》（GB/T4754－2017），公司所属行业为“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”。
功率半导体自诞生以来，历经七十余年的研究与应用，已从基材迭代、结构设计优化、先进封装形式创
新、大尺寸晶圆应用等多个维度实现技术突破，其演进的主要方向围绕更高功率密度、更小体积、更低功耗
及损耗展开，其结构设计朝着理想目标不断改进，以适应日益多元化的应用场景需求。据YoleDéveloppeme
nt数据显示，功率半导体器件每隔二十年将进行一次产品迭代，相比其他半导体，迭代周期相对平缓，每一
代芯片都拥有较长的生命周期。
MOSFET作为功率器件中市场份额占比最高的产品类型，具有开关速度快、输入阻抗高、导通内阻小、易
于驱动、热稳定性好等优点，既可在低电流和低电压条件下工作，也可应用于大电流开关电路和高频高速电
路，应用场景十分广泛。自上世纪70年代MOSFET诞生以来，发展至今已有数十年历史，技术和工艺不断成熟
，从平面MOSFET发展到TrenchMOSFET，再到SGTMOSFET和SJMOSFET，再到当前备受关注的第三代功率MOSFET
（SiC、GaN）。整体来看，功率MOSFET的技术迭代方向主要围绕制程升级、结构设计优化、工艺改进以及材
料革新展开，以实现器件的高频率、高功率和低损耗的高性能要求。
功率半导体的应用范围极为广泛，几乎覆盖了电子制造业的各个领域。据Omdia数据，2024年全球功率
器件（含SiC）规模为530.6亿美元。预计2024-2029年，全球功率器件有望维持8.43%的年复合增长率，2029
年市场规模预计增长至795.3亿美元。近年来，随着电子制造业向发展中国家和地区转移，中国半导体行业
实现快速发展，芯片设计、晶圆制造能力与国际先进水平差距持续缩小，封装测试技术逐步接近国际先进水
平，产业集聚效应日益凸显。作为全球最大的功率半导体市场，中国正从市场应用中心向产业技术创新高地
转型，在全球功率半导体格局中的影响力持续提升。目前，中国占据全球功率半导体市场最大份额，为本土
企业提供了广阔的进口替代空间，且这一替代趋势已取得实质性进展，国内龙头企业士兰微和比亚迪在2024
年成功跻身全球功率半导体市场前十。
当前，全球正经历以人工智能技术为代表的新一轮技术变革，AI算力爆发、AIDC数据中心扩建等趋势深
刻重塑功率半导体行业的发展格局，推动行业呈现出鲜明的变化趋势。AI服务器、大模型训练等场景对算力
的极致追求，直接带动功率半导体需求激增，服务器单机功率大幅提升，机柜功耗大幅攀升，对电源管理产
品的数量和性能提出更高要求，成为行业增长的核心新引擎，加速了功率半导体的技术迭代与产品升级，推
动行业竞争焦点向高端领域转移。为适配高功率、低损耗应用场景的需求，功率半导体在材料、封装、结构
设计等方面持续突破，SiC、GaN等高端工艺逐步成为主流，封装技术向小型化、集成化升级。
近年来，中国陆续出台多项产业政策，对功率半导体行业发展进行规范与引导。作为国民经济的关键支
柱产业，功率半导体持续获得政策倾斜。国家通过制定专项产业政策、提供研发资金支持、给予税收优惠等
一系列措施，大力推动本土半导体产业链建设，重点聚焦于供应链安全提升与技术自主可控实现。这些举措
既呼应了行业发展的迫切需求，也为国内功率器件企业创造了宝贵的发展窗口与市场机遇。总体而言，各项
政策的落地实施，有效推动了功率半导体行业市场规模的稳步增长，并促进行业朝向健康、稳定、有序的方
向发展。
（2）行业的基本特点
功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，可实现电源开关和电能转换的功能，实现变频、
变相、变压、逆变、变流、开关的目的，几乎覆盖了所有的电子制造业，包括计算机、网络通信、消费电子
、汽车电子、工业电子等产业，同时在新能源汽车、充电桩、数据中心、风光发电、储能、智能装备制造、
机器人、5G通讯等新兴领域也有广泛应用。从20世纪50年代发展至今，功率半导体已形成以二极管、晶闸管
、MOSFET、IGBT等为代表的多世代产品体系，不同产品在功率、频率、开关速度等参数上具有各自优势，市
场呈现多世代并存、协调发展的特点。
全球半导体衬底材料已经发展到第三代，包括以硅（Si）、锗（Ge）等为代表的第一代元素半导体材料
，目前仍是功率半导体市场主流衬底材料；以砷化镓（GaAs）等为代表的第二代化合物半导体材料，主要应
用于特定高频场景；以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等为代表的第三代宽禁带半导体材料，凭借更高的能
效、功率密度等优势，近年来应用规模持续增长，成为行业技术升级和需求增长的核心突破口，尤其在人工
智能、新能源等新兴场景中应用需求日益凸显。其中，碳化硅作为由碳和硅稳定结合而成的晶体材料，具备
高温稳定性、高硬度、耐腐蚀性等优异特性，其热导率比硅高2-3倍，不仅能大幅提升电源转换效率，也是
解决散热难题的潜力材料。据Wolfspeed预测，2026年SiC相关器件市场有望达到89亿美元，衬底市场有望达
到17亿美元，合计市场超百亿。
（3）所属行业主要技术门槛
1）功率器件的技术门槛
功率器件种类较多，主要包括二极管、三极管（BJT）、晶闸管、MOSFET和IGBT等。其中，二极管、晶
闸管、三极管（BJT）的优点是成本低，生产工艺相对简单，在中低端领域大量应用；MOSFET、IGBT等器件
结构相对复杂，工艺门槛和生产成本相对较高，系具有较高技术先进性的产品。根据YoleDéveloppement预
测，到2028年功率器件将以Si基MOSFET、IGBT、SiC基MOSFET为主导，其中MOSFET在所有功率器件类别中占
比最高，占比达30%，需求保持稳定增长。
功率器件的研发与生产是一项高度复杂的系统工程，深度融合了微电子、半导体物理、材料科学及机电
工程等多学科知识。行业内企业需全面掌握并有机整合微细加工、模拟仿真、版图设计、外延生长及封装测
试等关键工艺技术。因此，功率器件行业属于较为典型的技术密集型行业，专业性较强，复杂程度较高，有
较高的技术门槛。特别是随着第三代半导体产业的高速发展，其相关产品已成为行业演进的重要方向。相较
于传统硅基器件，第三代半导体器件在设计精度、制造工艺及封装测试等环节均提出了更为严苛的要求，进
一步推高了行业技术门槛。因此，行业内企业需要具备充足的技术、工艺储备和丰富的产业化经验，才能紧
跟市场需求并及时创新，自主研发出高性价比且满足客户多样化需求的产品。
2）功率IC的技术门槛
①对研发团队的专业能力要求较高
功率IC产品属于模拟IC的一种，在产品研发设计时需要在速度、功耗、增益、精度、电源电压、工艺、
工作温度、噪声、面积等多种因素间进行考量。功率IC产品内部由多种功能模块电路构成，内部集成的功能
模块有高精度低温漂的电压基准源、电流基准源、线性稳压器、高频振荡器、输出驱动模块及各种保护模块
，需要充分考虑噪声、串扰等在各功能模块间的影响，每个功能模块电路均会影响到功率IC的性能指标，影
响功率IC产品的研发速度和成功率，版图的布局布线的复杂度较高。因此对于功率IC设计公司来讲，需要相
对专业资深的设计团队，不断进行功能模块IP电路的验证和储备，才能打磨出高性能的功率IC产品。
②工艺实现门槛高
功率IC产品集成了低压CMOS、中压CMOS、高压CMOS、LDMOS、双极器件、各种阻容等多种器件，需采用
高压BCD工艺来进行设计研发。由于功率IC产品的市场需求多样，晶圆代工厂提供的BCD工艺平台往往无法完
全满足产品设计的要求，因此功率IC设计企业需同时具备产品设计研发及工艺开发能力，能够针对线路设计
过程中的需求开发功率IC产品所需要的工艺平台。高压BCD工艺层次多，产品结构复杂，对功率IC产品研发
提出较高的要求。
③场景化适配与可靠性验证门槛提升
随着功率IC应用场景向AIDC数据中心、人形机器人、可控核聚变、低空经济等新兴领域延伸，场景化适
配与可靠性验证成为新的技术门槛。不同场景对功率IC的性能要求差异显著，如服务器电源用功率IC需具备
高频、高效、高功率密度特性，车载功率IC需通过严苛的车规可靠性验证，这就要求企业具备场景化的研发
设计能力，同时建立完善的可靠性验证体系，覆盖高低温、振动、抗干扰、长期稳定性等多维度测试，验证
周期长、投入成本高，进一步加大了中小企业的准入难度。
2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
(1)功率器件
公司功率器件产品以硅基MOSFET为主，并大力布局SiC（碳化硅）等第三代半导体技术。长期以来，全
球功率器件市场由国际巨头和国内领先企业共同主导。英飞凌、安森美、意法半导体等国际巨头凭借深厚的
技术积累和全产业链优势，尤其在车规级和高压工业应用领域占据主导地位。其中，英飞凌连续多年在全球
及中国功率分立器件市场销售额排名第一。
然而，随着新能源汽车、光伏储能及工业控制的爆发式增长，以及供应链安全需求的提升，功率器件国
产替代进程显著加速。中国功率半导体产业已从早期的消费电子低端应用，逐步向中高端工业及汽车电子领
域渗透。国内领军企业如华润微、士兰微、闻泰科技（安世半导体）、斯达半导及新洁能等，通过IDM模式
优化或Fabless技术创新，在SGT-MOS、超结MOS及IGBT领域逐步缩小与国际巨头的差距。根据YoleIntellige
nce及Omdia等机构最新分析，受益于电动汽车和可再生能源的双重驱动，中国功率半导体厂商在全球市场的
份额正稳步攀升，预计至2027年，中国厂商在全球功率器件市场的占比有望突破45%，其中SiCMOSFET领域的
增速尤为显著。
公司在功率器件领域布局完善，已同时具备Si基及SiC基功率器件的设计、研发能力，积累了多项具有
原创性和先进性的核心技术，其中3项达到国际先进水平，1项达到国内领先水平。SiC基功率器件方面，公
司是国内为数不多的具备650V-3300VSiCMOSFET设计能力的企业之一，产品已覆盖业内主流电压段，与行业
头部企业的技术差距持续缩小，部分产品性能可对标国际龙头同类产品，逐步实现高端领域的国产替代，行
业地位稳步提升。当前行业正朝着大尺寸晶圆、超薄晶圆及宽禁带器件方向迭代，公司凭借技术储备，有望
在行业景气上行周期中进一步提升市场份额。
(2)功率IC
功率IC方面，公司产品主要包括电源管理IC和电机驱动IC，当前全球功率IC市场仍由国际巨头主导，同
时国内企业在细分领域的替代进程持续加速。电源管理IC领域，根据QYResearch最新数据，国际巨头如TI、
ADI、英飞凌、安森美、意法半导体等欧美公司凭借成熟的技术、完善的产品矩阵及广泛的市场渠道，仍占
据大部分市场份额，尤其在高端电源管理IC领域优势明显；但国内企业凭借高性价比、快速的客户响应及本
土化服务优势，在中低端市场及细分高端领域的替代速度持续加快，其中AI服务器、车载电源等场景的高端
电源管理IC已逐步实现国产突破。电机驱动IC方面，随着人工智能、机器人、工业自动化、新能源汽车等场
景需求提升，全球市场规模持续增长，这些领域对电机驱动芯片的性能、精度和可靠性提出了更高要求，推
动了市场规模的扩大。预计2027年我国电机驱动芯片市场规模将达到176.4亿元。
公司坚持在高可靠领域芯片国产化替代的战略方向，洞察市场需求导向，进行自主研发和创新，将科技
成果与产业深度融合，已与多家高可靠领域客户建立合作关系；该特定应用领域对产品的性能、可靠性有严
格要求，公司产品得以进入该领域，表明公司部分产品指标已达到国外竞品同等水平，并在其细分产品领域
逐步实现国产化替代，在高可靠功率IC细分领域已建立起差异化竞争优势，取得了稳固的市场地位。
3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
(1)海外龙头仍居第一梯队，国内厂商市场发展空间广阔
当前，高端功率半导体产品仍然主要由美、日、欧龙头厂商主导，国内厂商在高端领域与国外龙头之间
仍存在一定差距。但全球功率电子市场正经历“强者恒强”与“新势力崛起”的双重变革。其中，英飞凌、
安森美、意法半导体依旧稳居全球前三，2024年合计占据全球45%的市场份额，持续掌握高端市场主导权；
与此同时，中国企业的崛起打破了原有平衡，华润微电子、士兰微电子通过车规级IGBT量产实现份额突破，
比亚迪半导体凭借垂直整合优势在新能源汽车功率模块市场跻身全球前十。目前，越来越多的本土厂商通过
持续加大研发投入、推进产品与技术升级，在技术研发与产品市场导入方面实现快速成长，不断在汽车、工
业、通讯等相关的新兴领域深耕布局，寻求更大的市场发展空间。
(2)第三代半导体材料带来新的发展机遇
以SiC为代表的第三代半导体材料给功率半导体行业带来了新的发展契机，SiC材料相对于硅基材料主要
拥有如下优势：耐高压、耐高温、工作频率高。
①耐高压SiC的击穿场强约为硅的10倍，这就意味着同样电压等级的SiCMOSFET晶圆外延层厚度只要硅的
十分之一，是应用于超高压功率器件的理想材料。
②耐高温SiC的禁带宽度是硅基材料的3倍，SiC的热导率是硅基材料的2-3倍，故SiC功率器件的应用可
使散热器体积减小。
③高频SiC的电子饱和速度是硅基材料的2-3倍，SiC功率器件可实现10倍于硅基功率器件的工作频率。
国家设立了2030年前碳排放达峰，2060年前碳中和的双碳战略目标，未来制造业企业将进一步提升能源
利用效率、减少碳排放，SiC凭借低功耗、耐高压、耐高温、高频等优势特性，在助力国家实现碳中和战略
目标方面具有重要作用，其应用前景广阔。
(3)功率半导体的国产替代趋势逐渐加强
现阶段中国功率半导体的进口量和进口占比仍然较大，尤其是用于工业控制领域的高性能产品及用于高
可靠领域的产品，国产化替代空间广阔。根据CCID的数据，中国功率半导体市场中，接近90%的产品均依赖
进口。近年来，国产化替代需求随着中美贸易摩擦而更加迫切。近年来，国家颁布了《国家信息化发展战略
纲要》《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》等政策，为功率半
导体产业链自主可控提供了政策支持，功率半导体行业的国产化替代进程将进一步加速。
(4)功率器件技术发展趋势
功率器件的发展包含多个技术路径，包含线宽、器件结构、工艺进步、材料等多个方面，经过不断的发
展，功率器件追求不断提高功率密度，实现功耗与成本的最优解，同时实现多种功能的集成。另外，功率器
件的材料迭代（如第三代半导体材料）和集成化趋势也日益加强。
二、经营情况讨论与分析
2025年是公司全面深化“锴威特强基2.0”战略的关键之年。面对宏观经济承压、半导体行业产能过剩
、价格竞争加剧及下游需求结构性调整等复杂外部环境，公司坚定贯彻以“赋能、保质、控本、增效”的经
营目标，确立“以应用牵引产品技术迭代”的发展路径，聚焦BLDC电机驱动、工业及车用电源、新能源与智
能电网、高可靠电源及电机驱动四大核心应用场景，系统性重构产品体系，打造面向客户的一体化芯片解决
方案，有效助力客户提升性能、降低系统成本，显著增强市场竞争力。
2025年，公司实现营业总收入25,456.78万元，较上年同期增长95.62%；实现归属于母公司所有者的净
利润为-9,078.26万元，较上年同期亏损收窄640.67万元；实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的
净利润为-10,332.05万元，较上年同期亏损收窄493.79万元，经营基本面持续改善，发展韧性不断增强。
报告期内，公司主要经营管理工作如下：
(一)坚持创新驱动，强化技术核心优势
2025年度，研发费用为8,379.59万元，同比增长42.85%。报告期内，公司聚焦功率半导体领域的核心技
术突破，紧密围绕市场发展趋势与下游客户需求，持续加大研发投入，强化研发人才培育，稳步推进产品研
发与迭代升级，不断拓展产品系列，完善产品布局，全面提升自主研发能力和产品竞争力。
电源管理IC方面：公司持续丰富产品线的系列产品，完成了反激、正激、半桥、推挽、全桥、移相全桥
等隔离拓扑产品系列化，其中移相全桥控制IC完成AEC-Q100车规级认证，产品已通过部分终端客户验证，同
时针对工业电源领域，开展研发集成SiCMOSFET的专用电源管理IC以及小型化的隔离电源专用芯片，广泛应
用于数字隔离器、隔离接口电路、隔离驱动的供电；公司加大Buck、Boost等非隔离拓扑的研发工作，推出
了输入电压高达100V以上同步Buck控制器、同步Boost控制器等新品系列，同时展开1-8A同步buck转换器的
研发以及采用SiP封装进行电源模块的研发，并推出公司首颗电源模块产品。为了提高电源系统的转换功率
及可靠性，公司相继推出理想二极管控制IC、浪涌抑制控制IC和高边开关控制IC三个产品子系列，其中理想
二极管控制IC将耐压提升至+/-150V，为目前国内外耐压等级最高的产品，可以更好的满足72V、96V等电池
系统的应用，浪涌抑制控制IC已完成多家客户端的验证，逐步进入量产阶段，高边开关控制IC推出100V智能
高边开关控制器，具备完善的保护功能以及预充电功能；公司同时结合器件和IC的自身优势，展开研发100V
和150V的理想二极管模块。
电机驱动IC方面：公司持续丰富产品线的系列产品，推出针对电动工具领域专用的65V三相半桥驱动IC
和针对工业伺服、慢速车市场的250V三相半桥驱动IC产品，同时展开SiCMOSFET专用的驱动IC产品研发。针
对公司拥有功率器件及驱动IC的基础上，公司推出了电机驱动用IPM模块系列，包括500V~600V集成2A-6AFRM
OS的IPM模块、650V集成10ASiCMOS的IPM模块、100V集成10ASGTMOS的IPM模块。
在功率MOSFET方面：公司开发完善了沟槽MOSFET及SGTMOSFET的工艺平台优化和产品布局，开发了40V、
60V、80V、100V、120VSGT工艺平台并完成了12寸晶圆产线的工艺开发。
SiCMOSFET方面：公司加大SiCMOSFET加工的产能布局及工艺平台的开发，与国内晶圆代工厂合作开发了
750V、900V、1200V、1700V、2600V、3300VSiCMOSFET的生产工艺平台，并进行了优化与升级，其中1200VSi
CMOSFET工艺平台已成功进入中试阶段，新推出2600V和3300VSiCMOSFET产品，目前产品进入小批验证阶段。
在知识产权方面，公司本期新获授权发明专利22项，集成电路布图设计专有权18项；截至2025年12月31
日，公司累计共已获授权专利149项(其中发明专利103项、实用新型专利46项)，集成电路布图设计专有权13
0项。
(二)深耕市场布局，推动营收稳步增长
2025年度，公司销售费用2,230.99万元，同比增长14.55%。报告期内，公司销售体系紧密围绕核心应用
场景，深入推进客户结构优化与市场纵深布局，精准发力重点领域与高增长赛道。公司深耕高可靠领域，成
功实现多家重点客户导入与批量供货，持续强化在该领域的配套能力，夯实核心领域市场根基；同时积极拓
展工业控制、消费电子及新兴市场，重点推动光伏、储能等新能源高增长赛道产品规模提升，带动整体销售
额稳步增长。公司同步重点强化应收账款管理，保障回款质量。针对超期库存制定专项消化方案，加速资产
周转，提升资金使用效率。公司销售部门有效协同研发与运营等部门，快速响应客户差异化需求，为全年营
收增长和客户生态建设提供了坚实支撑。
(三)坚守质量初心，筑牢品质竞争壁垒
报告期内，公司持续完善覆盖产品全生命周期的质量管理体系，强化从设计开发、供应链协同、生产制
造到交付服务的全过程质量管控，将质量要求贯穿每一个业务环节。聚焦关键工艺瓶颈与客户关切问题，系
统开展质量改进专项行动，有效攻克多项影响产品可靠性的技术难题，推动高难度产品的良率稳步提升。
公司深化供应商质量管理，建立现场审核、联合改进与责任闭环机制，对供应商进行全方位管控，不断
提升来料与外协环节的一致性与稳定性，从源头保障产品质量。同时，持续增强检验检测能力，广泛应用自
动化检测手段，进一步拓展可靠性验证与认证资源，为车规级及高可靠领域产品的研发与交付提供了有力保
障，全面支撑公司产品品质升级与市场竞争力提升。
(四)优化运营管理，强化交付保障能力
2025年，公司运营体系围绕保障交付、提升效率为目标，全面强化产供销协同能力，推动运营管理提质
增效。建立重点产品保供机制与专项项目管理团队，精准对接FRMOS、TRENCH等产品线快速上量需求，高效
统筹生产资源。同步推进供应链资源整合，成功开发多家关键FAB及封测供应商，丰富供应链资源储备，并
在成本优化方面取得显著成效。公司着力打通新品工程批管理堵点，优化ERP系统逻辑，实现从需求提交到
生产交付的全流程可视化管控，提升运营管控效率。此外，公司持续提升仓储物流效率，进一步优化库存结
构，为销售增长和客户交付提供了坚实、敏捷的运营保障。
(五)夯实治理根基，强化组织人才保障
报告期内，公司持续完善法人治理结构，全面深化合规体系建设，健全覆盖资金运作、投资决策、信息
披露、信息安全等关键环节的制度机制，推动合规管控向流程嵌入。在ERP等核心系统建设中，前置合规控
制节点，强化对高风险领域的全过程管理。通过动态更新内控制度、开展多层次合规培训，持续提升董监高
及关键岗位人员的合规意识，切实筑牢依法合规经营底线，为公司稳健发展和资本市场信誉提供了坚实保障
。
2025年，公司系统推进组织能力建设与人才梯队培养，公司全年员工总数新增54人，同比增加28.42%，
其中，因合并报表范围变化纳入子公司员工28人，通过内生外延共同发力，为公司高质量发展提供坚实人才
支撑。公司通过优化招聘渠道与流程，精准对接关键岗位人才需求；全面升级培训体系，上线“锴威特学堂
”，重点强化产品类、专业技能类课程开发，精准匹配各岗位员工能力提升需求，支撑员工快速成长。同时
，深化绩效与试用期目标管理，严把人才入口关与转正关，确保人才质量；成功实施管培生定向培养计划，
储备青年骨干人才，完善人才梯队建设。在组织文化方面，积极开展员工关怀与品牌宣传活动，营造积极向
上、协同奋进的团队氛围，持续激发团队活力。
综上，尽管2025年公司在经营管理、市场拓展和技术研发等方面取得了阶段性成效，但受行业价格竞争
持续加剧及产品结构转型等因素影响，公司尚未实现盈利，整体盈利水平仍有待提升；同时，宏观经济波动
与半导体行业周期性调整带来的不确定性，仍对公司经营发展构成一定挑战。
展望2026年，公司将立足2025年工作成果与经验反思，持续深化“管理赋能、执行保质、质量控本、协
同增效”经营方针，聚焦核心赛道，加快优化盈利结构，强化股东回报机制，坚定不移推进高质量、可持续
发展，努力实现经济效益与社会价值的双赢。
三、报告期内核心竞争力分析
(一)核心竞争力分析
（1）公司的研发和技术优势
公司是国家高新技术企业、国家级专精特新“小巨人”企业、国家鼓励的重点集成电路设计企业，江苏
省“科技小巨人企业”“江苏省潜在独角兽企业”、江苏省半导体行业协会理事单位，公司研发中心获“江
苏省高可靠性功率器件工程技术研究中心”认证。公司本期新获授权发明专利22项，集成电路布图设计专有
权18项；截至2025年12月31日，公司累计共已获授权专利149项(其中发明专利103项、实用新型专利46项)，
集成电路布图设计专有权130项。
在功率器件方面，公司积累了包括“高可靠性元胞结构”“新型复合终端结构及实现工艺技术”“一种
利用PowerMOS管实现高压快速启动的AC-DC开关电源的实现方法”等多项核心技术，其中3项达到国际先进水
平，1项达国内领先水平，使公司产品关键技术指标达到了与国际领先厂商同类产品的水平；在功率IC方面
，公司基于晶圆代工厂0.5um600VSOIBCD和0.18um40VBCD等工艺自主搭建了设计平台；公司与晶圆代工厂深
度合作，可根据晶圆代工厂的标准工艺调整工艺参数和流程，进一步优化产品性能。公司已形成百余款功率
IC产品，并完成了多款功率IC所需的IP设计与验证；公司自主研发了“一种全电压范围多基准电压同步调整
电路及高精准过压保护电路”“一种输入失调电压自动修正电路”等核心技术，有效提升了产品参数一致性
，增强了产品可靠性。
凭借高性能的产品，公司荣获由中国电子信息发展研究院（赛迪研究院）评选的第十六届（2021年度）
和第十五届（2020年度）“中国芯”优秀技术创新产品奖；由中国半导体行业协会、中国电子材料行业协会
等机构联合评选的第十四届（2019年度）和第十二届（2017年度）中国半导体创新产品和技术奖。公司还获
得了知名晶圆代工厂“最佳合作伙伴”“最佳业绩成长”的合作商奖项，芯片设计和工艺调试能力得到业内
认可。
（2）丰富的产品矩阵
公司坚持“自主创芯，助力核心芯片国产化”的发展战略，公司目前拥有包括平面MOSFET、功率IC等80
0余款产品。公司平面MOSFET产品覆盖40V~1700V电压段，已形成低压、中压、高压全系列功率MOSFET产品系
列；超结MOSFET已完成600~850V产品系列化；SGTMOS已建立40V~100V产品平台；公司在第三代半导体功率器
件方面，已推出650V-3300VSiCMOSFET产品系列；功率IC方面，公司基于晶圆代工厂0.5um600VSOIBCD和0.18
um40VBCD等工艺自主搭建了设计平台；公司与晶圆代工厂深度合作，可根据晶圆代工厂的标准工艺调整工艺
参数和流程，进一步优化产品性能。公司针对高可靠功率电源模块及电机驱动模块提供各功率段的芯片解决
方案能力。未来，公司还将进一步实现对各种细分品类功率器件芯片的覆盖，并进一步促进功率IC和第三代
半导体功率器件的产品系列化。公司将努力成为一站式、全品类覆盖的高性能功率半导体产品供应商，助力
功率半导体国产化替代，推动我国在高可靠领域基础元器件自主可控进程的发展。
（3）广泛的客户覆盖
公司凭借丰富的产品矩阵、高性能的产品和及时迅速的服务能力，已与超过600家客户进行合作，实现
了广泛的客户覆盖。近年来基于公司前期较早地布局了高可靠应用领域，不断加大功率IC和功率器件产品在
高可靠、工业控制和新能源应用领域的客户开拓力度。在高可靠领域，公司客户群已覆盖国内高可靠领域电
源龙头企业及国家重点科研院所，并获得众多高可靠领域客户的高度认可；在工业控制领域，公司深挖工业
储能、光伏逆变、新能源汽车及充电桩、工业电源等细分应用领域的产品需求，超高压平面MOSFET、高压超
结MOSFET、SiCMOSFET等细分产品的产品研发及市场开拓取得良好成效。
(三)核心技术与研发进展
1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司核心技术来源均为自主研发，具有较强的市场竞争力。
2、报告期内获得的研发成果
公司通过自主创新和技术沉淀，已同时具备功率器件和功率IC的设计、研发能力。公司掌握了功率半导
体芯片的前端设计技术，自主搭建了多个功率半导体细分产品的技术平台；公司与晶圆代工厂深度合作，可
根据晶圆代工厂的标准工艺调整工艺参数和流程，进一步优化产品性能。
公司本期新获授权发明专利22项，集成电路布图设计专有权18项；截至2025年12月31日，公司累计共已
获授权专利149项(其中发明专利103项、实用新型专利46项)，集成电路布图设计专有权130项。
●未来展望:
(一)行业格局和趋势
近年来，国际政治经济形势不确定性持续存在，国际贸易摩擦频发，外国对我国半导体产业的限制措施
仍在延续，核心技术、设备及原材料进口面临一定制约。在此背景下，国家持续出台多项产业扶持政策，推
动半导体产业链自主可控进程深化，功率半导体作为半导体产业的核心细分领域，国产化替代进入加速推进
的深水区，为国内功率半导体厂商提供了广阔的发展机遇。我国功率半导体行业较西方国家起步较晚，虽在
中低端领域已形成一定规模，但受企业规模、技术水平及产业链配套能力的制约，在高端功率半导体产品领
域仍未形成整体规模效应，与国际龙头存在一定差距。
目前，功率半导体行业格局呈现“国际龙头主导、国内企业加速追赶”的态势：美、日、欧龙头公司如
英飞凌、意法半导体、安森美等，凭借先进制造优势、人才集聚优势、大规模研发投入和深厚技术积累，仍
在高端领域占据主导地位；国内主流功率半导体厂商包括华润微、华微电子、士兰微、安世半导体、新洁能
、东微半导等，在芯片设计或制造工艺方面积累日益深厚，市场份额稳步提升，其中士兰微、华润微等IDM
模式企业凭借全产业链优势，在成本传导和产能保障上具备显著竞争力，新洁能等设计龙头则在技术迭代与
客户拓展上表现突出。同时，长三角、珠三角与成渝地区已形成功率半导体产业集聚带，逐步构建设计—制
造—封测—应用的本地化闭环，进一步提升国内产业竞争力。
技术演进方面，第三代半导体加速渗透，SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）产品凭借高效能优势，在新能
源汽车、AIDC数据中心等高端场景的应用逐步扩大。行业普遍预测，未来几年国内新能源汽车SiC渗透率将
显著提升，随着其与硅基器件的成本差距持续缩小，正推动行业产品结构向高端化升级。此外，在功率IC领
域，电机驱动IC市场规模持续扩张，近年来保持高速增长态势。产品形态向高集成、智能化演进，BCD工艺
成为主流，应用占比稳步提升，国产厂商在BLDC、工业伺服等领域取得突破，但高端车规级产品仍依赖进口
。
(二)公司发展战略
公司专注于功率器件与功率IC的设计、研发与销售，并提供相关技术服务。公司坚持“自主创芯，助力
核心芯片国产化”的发展定位，紧扣行业涨价周期与国产替代趋势，助力高性能功率器件、功率IC的国产化
替代以及自主可控，将公司打造成高品质功率器件及智能功率IC的优秀供应商。针对未来发展，公司制定的
战略规划如下：
1、功率器件方面
公司将顺应市场需求，优化细分产品领域，重点扩大在高可靠领域、工业控制领域及新能源汽车等相关
领域的销售规模，进一步提升总体收入规模和市场占有率；在SiC产品方面，加大产品系列布局，加快实现
规模化销售，缩小与行业龙头的差距，重点布局1200V、1700V、2500V等主流电压段产品，适配新能源汽车
、储能、智能电网等高端应用场景。公司力争成为具有自主品牌影响力、规模稳定增长、技术专精、产品结
构合理，且能有效应对成本波动的高品质功率器件半导体供应商。
2、功率IC方面
公司将把握电机驱动IC、电源管理IC市场的增长机遇，拓展相关产品的客户范围和细分应用领域，重点
发力新能源汽车、工业自动化、智能家电等下游高需求场景；深挖高可靠领域和工业级客户的市场潜力，聚
焦BCD工艺升级与智能集成产品研发，丰富IP积累，推动更多功率IC产品实现国产化替代和自主可控，重点
突破中高端车规级产品技术壁垒，不断扩大经营规模，实现作为专注于高可靠领域和工艺控制领域的智能功
率IC优秀供应商的发展战略。
3、技术服务方面
公司将在为客户提供更多的技术服务的同时，持续增强公司定义自主产品的能力，依托募投项目打造的
测试与可靠性考核平台，提升服务质量与时效性，助力公司实现功率半导体产品和技术服务协同发展的战略
，从而成为更多客户的首选供应商。
4、其他产品方面
公司将加大对IPM、光继电器（PhotoMOS）等产品的人员与资金投入，强化研发与市场开拓力度，丰富
公司的产品品类和技术积累，扩大此类产品的收入规模，形成新的利润来源，提升公司整体抗风险能力。
(三)经营计划
1、各业务板块采取的具体措施
（1）功率器件方面
在功率器件领域，将基于现有产品与业务基础，持续深化技术迭代与产品布局。通过丰富产品品类、强
化技术优势，更好匹配不同客户需求，全面提升公司在功率器件领域的核心竞争力与市场份额。延伸超高压
平面MOSFET产品线开发与工艺迭代，持续优化设计与制造平台，进一步提升产品性能与市场竞争力。拓展中
低压大电流沟槽MOSFET及高压超结MOSFET的产品矩阵，完善工艺平台与系列化布局，满足工控、新能源、消
费电子等多场景需求。完成中低压器件SGT工艺平台固化，夯实技术基础，支撑后续产品迭代与批量交付。
优化完善SiCMOSFET工艺及设计平台，持续提升产品可靠性与性能，推进高压系列产品的客户验证与量产落
地，支撑工商业储能、新能源汽车等新兴领域应用。
（2）功率IC方面
围绕高可靠领域对功率IC需求的多样化及对功率密度、高可靠及智能化的要求，丰富公司产品谱系，构
建完整的产品生态。聚焦电源管理与电机驱动两大方向，推进PFC控制器、隔离PWM控制器、栅极驱动器、理
想二极管控制器、浪涌抑制控制器、隔离驱动/反馈、非隔离DC-DC、LDO、基准源等电源管理类产品的系列
化研发与客户验证；同时完善单相半桥、H桥、三相全桥及智能功率驱动等电机驱动类产品布局，覆盖更多
电压与应用场景；同时利用高可靠领域的技术积累，积极向消费电子、工业控制领域拓展功率IC产品，与功
率器件形成技术和市场协同，优化系统性能，降低客户端的系统成本。市场拓展方面，推动已量产产品的市
场渗透，加快在研与验证阶段产品的落地，进一步提升公司在高可靠及工业控制等领域的市场份额与品牌影
响力。
（3）功率器件+功率IC融合方面
凭借公司拥有功率器件及功率IC核心研发能力的优势，重点打造智能功率模块与固态继电器两大产品线
，实现从高可靠领域向工控、新能源及智能家电等市场的拓展。智能功率模块方面，充分发挥功率器件与功
率IC的协同能力，研发适配集成OCP、OTP及LDO的半桥驱动IC与功率MOSFET，完成匹配封装，为客户提供高
性价比的智能功率模块方案，简化客户使用流程、缩短其研发周期。固态继电器方面：随着第三代半导体Si
C和GaN器件的成熟，推进固态继电器从小电流向大电流产品渗透。在已成功研发SiCMOSFET专用光电转换驱
动IC的基础上，布局新一代驱动IC产品，强化大电流SiCMOSFET驱动能力，提升固态继电器电流承载水平，
满足大电流应用场景需求。重点攻坚固态继电器封装技术，解决关键工艺瓶颈，提升产品可靠性与性能指标
。
（4）技术服务方面
为了进一步提升技术服务能力及服务质量，持续增强公司定义自主产品的能力，公司已采取以下措施：
利用募投项目打造的功率半导体器件测试及可靠性考核平台，进一步提升服务质量及服务时效性；进一步对
研发领域分工，专注细分领域的精细开发；建立市场调研队伍，深入市场了解客户未来需求，以争取到更多
的项目机会。
2、聚焦募投项目落地，强化研发与测试能力双提升
公司持续对战略性产品进行研发投入，加强对核心技术的积累；在注重基础研究的同时，深度拓展前沿
技术的应用，推动产品的技术高效升级与产业化进程；通过与高校合作，打造良性循环的高端人才梯队，并
将通过持续优化激励制度，增强团队的凝聚力和创造力，提升公司的自主创新能力。在维持高比例研发投入
的同时，公司将继续依据中长期发展战略，采取了审慎的投资策略，稳步推进募投项目建设。
公司将重点聚焦智能功率半导体、SiC功率器件及模块的研发升级，通过新增实施地点与优化布局，高
标准建设符合CNAS认可标准的可靠性实验室、器件试验室及失效分析实验室，并购置FT测试、IPM模块考核
及IC可靠性测试等先进设备，以全面满足车规级（AEC-Q101）、工业级及SiC产品的专项测试需求，显著提
升产品可靠性检测能力。在此基础上，募投项目将加速推进高压半桥栅极驱动IC、光继电器（PhotoMOS）、
智能功率模块（IPM）的量产，并推动SiCMOSFET及SBD产品产线升级，开发基于SiCSKMOS的智能功率模块，
以卡位宽禁带半导体赛道。同时，公司将优化募投资金配置，优先保障关键软硬件投入，依托升级后的研发
平台补充专业工程技术人才，从而缩短研发迭代周期，提升设计成功率与成果转化效率，实现可持续发展。
3、构建“纵向贯通、横向协同”的运营体系
为积极应对瞬息万变的市场环境，公司在巩固原有纵向职能架构优势的基础上，创新性地引入横向协同
布局，通过打破部门壁垒，实现资源配置的最优效能与协同作战，重塑驱动市场响应速度，着力构建“纵向
贯通、横向协同”的高效运营体系。
公司坚持“应用牵引技术迭代”的战略导向，围绕BLDC电机驱动、工业及车用电源、新能源及智能电网
、高可靠应用等四大核心产品线进行深度重组与横向布局。通过对现有产品进行重新组合、强化产品线的全
生命周期管理以及深化研发与市场的联动机制，推动公司从单一芯片供应商向整套芯片解决方案提供商转型
。
目前，依托完善的产品谱系及产品生态优势，结合行业发展机遇，围绕这四条核心产品线的相关工作已
全面铺开并取得阶段性突破，电机驱动IPM产品成功进入头部家电客户中试阶段，关键功率IC技术在工控领
域实现突破性转化并全面试产，新能源及智能电网相关产品顺利导入市场，高可靠领域产品生态持续完善。
上述在相关应用领域成功实现技术转化、产品导入或客户认证方面的成果，充分展现出公司强大的技术实力
与市场适应性。
通过此次构建的纵横交织的协同网络，公司不仅有效提升了市场响应速度，更以系统级解决方案切实助
力客户降本增效。通过联合研发、优先保供、定制化服务等手段，提升客户依赖度，扩大市场占有率，此举
也将全方位驱动公司业务高质量发展，为未来可持续发展奠定坚实基础。
〖免责条款〗
1、本公司力求但不保证提供的任何信息的真实性、准确性、完整性及原创性等，投资者使
用前请自行予以核实，如有错漏请以中国证监会指定上市公司信息披露媒体为准，本公司
不对因上述信息全部或部分内容而引致的盈亏承担任何责任。
2、本公司无法保证该项服务能满足用户的要求，也不担保服务不会受中断，对服务的及时
性、安全性以及出错发生都不作担保。
3、本公司提供的任何信息仅供投资者参考，不作为投资决策的依据，本公司不对投资者依
据上述信息进行投资决策所产生的收益和损失承担任何责任。投资有风险，应谨慎至上。
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