经营分析☆ ◇688693 锴威特 更新日期：2025-05-24◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.前5名客户营业收入表】【4.前5名供应商采购表】
【5.经营情况评述】
【1.主营业务】
功率半导体的设计、研发和销售。
【2.主营构成分析】
截止日期:2024-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
集成电路(行业) 1.27亿 97.44 4495.66万 96.02 35.46
其他业务(行业) 333.62万 2.56 186.33万 3.98 55.85
─────────────────────────────────────────────────
功率器件(产品) 7089.98万 54.48 393.14万 8.40 5.54
功率IC(产品) 3878.22万 29.80 3497.05万 74.69 90.17
其他(产品) 1206.64万 9.27 746.48万 15.94 61.86
技术服务(产品) 838.60万 6.44 45.32万 0.97 5.40
─────────────────────────────────────────────────
内销(地区) 1.26亿 97.20 4484.21万 95.78 35.45
其他业务(地区) 333.62万 2.56 186.33万 3.98 55.85
外销(地区) 31.16万 0.24 11.45万 0.24 36.76
─────────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 1.11亿 85.36 4496.94万 96.05 40.48
经销(销售模式) 1571.04万 12.07 -1.29万 -0.03 -0.08
其他业务(销售模式) 333.62万 2.56 186.33万 3.98 55.85
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2024-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
功率器件(产品) 3320.55万 57.62 355.58万 14.62 10.71
功率IC(产品) 2362.37万 40.99 2057.47万 84.59 87.09
技术服务(产品) 80.14万 1.39 19.22万 0.79 23.98
─────────────────────────────────────────────────
境内(地区) 5763.02万 100.00 2432.25万 100.00 42.20
境外(地区) 418.71 0.00 256.97 0.00 61.37
─────────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 4534.90万 78.69 2317.72万 95.29 51.11
经销(销售模式) 1228.17万 21.31 114.55万 4.71 9.33
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2023-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
集成电路(行业) 2.11亿 98.59 9474.91万 98.20 44.96
其他业务(行业) 301.66万 1.41 173.69万 1.80 57.58
─────────────────────────────────────────────────
功率器件(产品) 1.21亿 56.83 2119.48万 21.97 17.45
功率IC(产品) 5231.06万 24.47 4887.75万 50.66 93.44
技术服务(产品) 2244.12万 10.50 1503.84万 15.59 67.01
其他(产品) 1752.55万 8.20 1137.54万 11.79 64.91
─────────────────────────────────────────────────
内销(地区) 2.10亿 98.30 9453.64万 97.98 44.99
其他业务(地区) 301.66万 1.41 173.69万 1.80 57.58
外销(地区) 61.03万 0.29 21.27万 0.22 34.86
─────────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 1.92亿 89.60 9316.27万 96.56 48.64
经销(销售模式) 1920.34万 8.98 158.64万 1.64 8.26
其他业务(销售模式) 301.66万 1.41 173.69万 1.80 57.58
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2022-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
功率器件-平面MOSFET(产品) 1.29亿 54.97 3153.52万 29.01 24.37
功率IC(产品) 5692.38万 24.18 4733.40万 43.54 83.15
技术服务(产品) 2207.46万 9.38 1537.91万 14.15 69.67
功率器件-其他功率器件(产品) 1440.04万 6.12 550.29万 5.06 38.21
其他业务收入(产品) 832.55万 3.54 622.55万 5.73 74.78
其他(产品) 426.54万 1.81 273.90万 2.52 64.21
─────────────────────────────────────────────────
华南(地区) 1.10亿 46.76 --- --- ---
华东(地区) 6934.64万 29.46 --- --- ---
西北(地区) 2710.20万 11.51 --- --- ---
其他(地区) 2054.37万 8.73 --- --- ---
其他业务收入(地区) 832.55万 3.54 622.55万 5.73 74.78
其他(补充)(地区) 37.61 0.00 --- --- ---
─────────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 2.08亿 88.18 --- --- ---
经销(销售模式) 1949.74万 8.28 --- --- ---
其他业务收入(销售模式) 832.55万 3.54 622.55万 5.73 74.78
其他(补充)(销售模式) 37.61 0.00 --- --- ---
─────────────────────────────────────────────────
【3.前5名客户营业收入表】
截止日期:2024-12-31
前5大客户共销售0.42亿元，占营业收入的32.25%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│客户名称 │ 营收额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│客户1 │ 995.73│ 7.65│
│客户2 │ 993.90│ 7.64│
│客户3 │ 969.78│ 7.45│
│客户4 │ 640.41│ 4.92│
│客户5 │ 597.45│ 4.59│
│合计 │ 4197.28│ 32.25│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【4.前5名供应商采购表】
截止日期:2024-12-31
前5大供应商共采购0.81亿元，占总采购额的62.13%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│供应商名称 │ 采购额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│供应商1 │ 2965.43│ 22.67│
│供应商2 │ 2549.78│ 19.49│
│供应商3 │ 1041.62│ 7.96│
│供应商4 │ 896.46│ 6.85│
│供应商5 │ 673.46│ 5.15│
│合计 │ 8126.77│ 62.13│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【5.经营情况评述】
截止日期:2024-12-31
●发展回顾:
一、经营情况讨论与分析
2024年，公司实现营业总收入13013.44万元，较上年同期下降39.12%；实现归属于母公司所有者的净利
润为-9718.93万元，较上年同期下降646.16%；实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润为-10
825.84万元，较上年同期下降1430.30%。
受宏观经济增长放缓及中美脱钩加剧的双重影响，半导体产业的整体复苏周期较预期更为漫长。2024年
，消费者对未来收入的乐观预期有所减弱，导致市场需求持续低迷。同时，2021年“缺芯潮”期间启动的晶
圆扩产项目陆续完工，行业产能集中释放，形成了供大于求的市场格局，进一步加剧了功率半导体产品的市
场价格竞争。在此背景下，公司产品售价持续承压，而上游FAB的成本传导存在滞后效应。上述因素共同作
用，导致公司销售规模及利润指标出现下滑。
在高可靠领域，公司主营产品处于产业链配套的末端，产品验证周期较长，收入确认时间相对滞后。同
时，受行业客观因素影响，阶段性需求有所放缓，下游新增订单不及预期。此外，客户面临成本压力，为满
足其需求，部分产品公司推出了低成本解决方案，整体营业收入同比减少，净利润同比下降。
报告期内，公司经历了上市以来的首次亏损，面对复杂多变的内外部形势，坚持以“强基、赋能、保质
、控本、增效”为工作主线，凝心聚力，攻坚克难，沉着应变，综合施策。公司为实现逆势布局，全面提升
设计研发、供应链保障、封装测试、应用测试、质量管控等综合能力，积极应对各种风险挑战，坚持创新驱
动，不断巩固和提升公司产品技术领先和创新优势，在研发投入、市场开拓、供应链管理、产品质量管理、
人才建设等多方面加大资源投入，导致经营性费用增加。公司期间费用的增加对净利润产生了阶段性影响。
然而，从长期来看，有利于巩固公司的长期发展基础，增强应对外部环境变化的灵活性，为未来的高质量发
展奠定了坚实基础，努力推动公司高质量可持续发展，提升公司未来的整体盈利能力。
报告期内，公司主要经营管理工作如下：
(一)强基固本，筑牢发展根
基报告期内，公司严格按照中国证监会、上海证券交易所的其他相关法律法规、部门规章的要求，不断
完善法人治理结构，进一步增强规范运作意识，积极组织对公司董事、监事、高级管理人员等开展培训学习
。公司股东大会、董事会（包括专门委员会）、监事会及经营层，积极履行各自职责，严格履行信息披露义
务，确保公司规范治理得到持续加强，切实维护公司及全体股东利益，助力公司实现高质量健康发展。
报告期内，公司秉持“人才是第一资源”的理念，一方面，大力提升现有人才队伍整体素质，公司全年
新增37人，同比增加24.18%，其中不乏行业内的资深专家和优秀应届毕业生，为公司注入了新鲜血液，充实
了研发、营销、管理等各领域的人才储备。另一方面，基于对业务支持的基础上，针对各岗位员工不同的业
务需求，不断探索组织内部培训课程，开展特色专项培训，涵盖专业技能培训、管理能力提升、企业文化宣
贯等多个方面，员工的专业素养和综合能力得到显著提升，为公司长远发展提供了坚实的人才支撑，满足人
才学习发展的需求。
(二)赋能升级，激发创新活力
2024年度，报告期内研发费用为5866.02万元，同比增长62.85%。公司始终重视研发创新能力建设，持
续加大研发投入，根据市场发展趋势、下游客户需求，不断拓宽产品系列，强化自主研发产品竞争力，报告
期内公司稳步推进产品研发及迭代升级。
PWM控制IC方面：公司持续丰富产品线，完成了反激、正激、半桥、推挽、全桥、移相全桥等隔离拓扑
产品系列化，推出了输入电压高达100V以上同步Buck控制器、同步Boost控制器等新品。为提高电源系统效
率，推出了可支持反激、QR、LLC等拓扑的同步整流驱动IC，工作频率可高达1MHz，工作电压可达300V。
功率驱动IC方面：公司推出80V3A集成MOSFET的单芯片H桥驱动芯片，同时可支持100%占空比工作中，进
一步提升系统的安全及可靠性；公司推出180VGaN专用半桥驱动芯片，工作频率高达1MHz以上。
在功率MOSFET方面，报告期内公司开发完善了沟槽MOSFET及高压超结的工艺平台优化和产品布局，开发
了40V、60V、80V、100VSGT工艺平台并完成了12寸晶圆产线的工艺开发。SiCMOSFET方面：公司加大SiCMOSF
ET加工的产能布局及工艺平台的开发，报告期内与国内晶圆代工厂合作开发了1200V、1700V、2600V、3300V
SiCMOSFET的生产工艺平台，其中1200VSiCMOSFET工艺平台已成功进入中试阶段，新推出2600V和3300VSiCMO
SFET产品，目前产品进入小批验证阶段。
在知识产权方面，截至2024年12月31日，公司累计共已获授权专利113项（其中发明专利70项、实用新
型专利43项），集成电路布图设计专有权99项。
(三)质量为先、打造卓越品牌
2024年度，公司组织开展了管理评审、内审、专项自查等一系列的质量管理工作，始终坚持以“服务零
缺陷”为质量目标，进一步完善质量管理体系，严格按照质量管理体系标准要求，对产品质量进行全过程管
控。开展内部质量审核，发现并整改质量问题，质量管理水平持续提升。同时，加强供应商质量管理，对供
应商进行严格筛选和定期评估，确保了产品质量的稳定性和可靠性。以客户满意度为导向，持续开展产品质
量改进活动，产品质量得到显著提升。在服务质量方面，建立客户反馈快速响应机制，优质的产品与服务为
公司赢得了良好的口碑和稳定的客户资源。通过开展“质量月”活动，大力宣传质量工作方针政策，普及质
量管理知识，在公司内形成了浓厚的高质量发展氛围。
公司建立了较为完善的营销体系，与主要客户建立了稳定的合作关系。报告期内，公司持续加大市场开
拓力度，深化营销体系建设，完善激励措施，充分调动营销人员的积极性、创造性；始终聚焦客户需求，不
断调整公司业务策略，以更好地适应市场变化，区域落地纵深和客户覆盖范围逐渐拓展，更好服务客户、及
时响应客户需求，提升服务质量，使公司客户群体更加丰富，客户结构不断优化。报告期内，新组建市场部
，负责洞察市场变化、市场开拓和品牌策略，通过展会、客户需求挖掘、客户口碑推广、有针对性地联系客
户等多种渠道进行市场推广，加强代表性应用案例的宣传力度，扩大公司品牌的知名度与美誉度。及时获取
客户的需求变化信息，调整研发、采购及生产布局，从而满足客户的差异化需求，提升自身的市场响应能力
。报告期内，公司销售费用1947.70万元，同比增长85.80%。
(四)提质控本增效，回报股东
为践行以“投资者为本”的上市公司高质量发展理念，维护全体股东利益，促进公司可持续发展，公司
于2024年4月制定了《2024年度“提质增效重回报”行动方案》。方案实施以来，公司围绕聚焦主业发展战
略，一方面优化供应策略以应对严峻多变的内外部形势，保障全年订单的稳定供应，另一方面通过加大研发
投入，不断培育新质生产力，推动工艺和技术高效升级，确保关键核心技术的自主可控，提升公司核心竞争
力，引领公司高质量发展。
同时，公司不断提升公司治理水平，高度重视投资者权益保护，不断完善投资者保护工作机制，坚持高
标准的信息披露、与投资者密切交流等举措，强化公司与投资者的良性互动；履行重回报承诺，持续现金分
红，增加分红频次，实施中期分红。报告期内，公司完成2023年年度和2024年半年度权益分派实施，合计派
发现金分红金额达到1989.47万元，为稳市场、稳信心积极贡献力量。
2025年，公司将以提质控本增效为总方针，全面优化经营管理体系，科学配置资源，强化收款管理，优
化资金使用效率，严格把控成本，从采购、生产到销售的各个环节深挖降本潜力，精准施策。通过这些举措
，提升公司的经营韧性，增强抵御风险的能力，全方位提高经营质量与盈利水平，为公司的可持续价值创造
筑牢坚实根基，推动公司在高质量发展的道路上行稳致远。
二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明
(一)主要业务、主要产品或服务情况
公司主营业务为功率半导体的设计、研发和销售，并提供相关技术服务。公司坚持“自主创芯，助力核
心芯片国产化”的发展定位，通过自主创新和技术沉淀，已同时具备功率器件和功率IC的设计、研发能力。
公司主要产品包含功率器件及功率IC两大类，同时也为部分客户提供芯片设计及工艺开发等技术服务。主要
产品或服务情况如下：
1.功率器件方面
在功率器件方面，公司产品布局平面MOSFET、集成快恢复高压功率MOSFET（FRMOS）、中低压沟槽型MOS
FET、超结MOSFET和SiCMOSFET产品。平面MOSFET产品已实现产品系列化，覆盖40~1500V电压段，已形成低压
、中压、高压全系列功率MOSFET产品系列；在平面MOSFET工艺平台基础上设计研发了集成快恢复高压MOSFET
（FRMOS）系列产品，产品采用重金属掺杂工艺，具有优异的反向恢复特性，可为客户降低系统功耗，解决
系统电磁干扰问题；中低压沟槽型MOSFET在已有产品基础上，针对BMS、电机驱动等应用场景开发了抗短路
能力大的80V、100V沟槽屏蔽栅MOSFET；超结MOSFET采用多次外延的技术路线，已完成第2代和第3代超结技
术平台的研发，形成600V~850V电压段产品系列化；SiCMOSFET产品是公司功率器件方向布局未来的重要产品
线，公司与晶圆工厂密切合作，优化产品设计和工艺流程，提升产品竞争力，已从公司第2代SiCMOS提升到
第3代SiCMOS技术平台，将1200VSiCMOSRonsp降低至3.0mR-cm2以下，同时研发了集成SBD的SiCMOSFET，解决
SiCMOSFET寄生二极管的缺陷问题，适用于OBC等应用场合，研发集成ESD保护的SiCMOSFET，已满足要求严苛
的应用环境。
2.功率IC方面
公司功率IC产品主要包括PWM控制IC和栅极驱动IC，公司的PWM控制IC主要包括隔离和非隔离DC-DC、PFC
控制器、理想二极管控制器、浪涌抑制控制器、高频栅极驱动器、高边电流采样放大器等产品。隔离和非隔
离DC-DC产品涵盖反激、反激双路交错、正激有源钳位、推挽、半桥、全桥、移相全桥、降压、升压以及升
降压等多拓扑配置，帮助客户灵活创建各种电源设计；同时集成了欠压、过压、过流、过热等多种保护功能
，确保系统安全稳定工作，能够为客户提供隔离式开关电源系列化的解决方案。
公司栅极驱动IC主要为电机驱动IC，其能够将电机控制器（MCU）输出的低压控制信号转换成驱动功率
器件的高压驱动信号，来驱动功率器件进行开关动作，从而驱动电机工作，集成了高侧和低侧驱动器，可降
低开关损耗，适应嘈杂的环境并提高系统效率。公司的驱动IC产品包含单相半桥、全桥、三相全桥产品系列
，可满足多种场景的应用要求。
3.技术服务
公司在开发产品的同时，利用长期积累的设计经验和工艺开发能力，为客户提供芯片设计及工艺开发等
技术服务，公司技术服务主要覆盖高可靠领域客户，包括产品开发和工艺开发流片两类。
产品开发：在该类技术服务过程中，由客户定义产品的功能和参数指标，委托公司对该产品进行设计开
发，后续公司根据客户的具体需求，可以为客户提供制版、流片和测试验证等技术服务工作。
工艺开发流片：客户基于晶圆厂已有工艺平台，需要开发新的器件或者其他工艺升级要求。在工艺开发
流片的服务过程中，由公司负责新器件工艺开发或为客户提供其指定需求的工艺服务。后续由客户基于公司
提供的工艺服务自行设计产品，并委托公司进行制版、流片的服务。而产品的测试验证等工作由客户自行负
责。
(二)主要经营模式
公司为采用Fabless经营模式的芯片设计企业，将晶圆制造和封测环节委外，晶圆代工厂根据公司提供
的产品设计版图、工艺制程要求完成晶圆的加工制造，经公司验收后，公司再根据市场需求对其进行委外封
装和测试。通过将制造、封装、测试环节委外，公司可将研发力量集中于功率半导体芯片设计环节，专注于
自身所擅长的领域，提升核心竞争力；同时Fabless经营模式较IDM经营模式更为灵活，公司可快速根据市场
变化进行产品结构调整。
1、研发模式
公司制定了系统的研发管理制度和版图设计流程规范，包括《产品设计开发控制程序》《版图设计管理
规定》《产品验证管理规定》《工程封装管理规定》等，对研发过程中各个环节进行了规范，保证设计研发
产出符合公司要求规定，从而提升研发产出效率和成功率。研发流程主要包括论证阶段、设计阶段、工程试
制阶段和定型阶段。
2、采购模式
公司采购内容主要包括晶圆和封装测试服务。公司自主设计研发相关产品，再委托晶圆代工厂商生产并
向其采购。晶圆采购根据公司是否提供原材料外延片分为直接委外和带料委外两种采购形式：对于直接委外
，晶圆代工厂自行采购外延片并根据公司设计版图（公司设计版图的具体载体为GDS文件或掩膜版）及工艺
要求制造出公司所需晶圆，向公司销售加工后晶圆；对于带料委外，由公司提供外延片，晶圆代工厂仅负责
晶圆制造，根据公司提供的设计版图及工艺要求制造出公司所需晶圆，并向公司收取加工费。两种模式所采
购晶圆均为公司自主设计研发。对于加工后晶圆，晶圆代工厂具备中测条件的，公司会直接采购中测后晶圆
，如晶圆代工厂不具备中测条件，公司采购加工后晶圆后，再另行委外中测，中测完成后入库。
公司制定了《采购控制程序》，对晶圆、外延片、封装、包辅料等采购流程制定了严格规定并遵照执行
。公司还制定了《供应商开发和管理程序》《wafer委外加工管理规定》《CP委外加工管理规定》《封装委
外加工管理规定》等规定，对各类外协采购进行严格管理和控制，保证外协采购内容满足公司要求。
3、销售模式
公司采取直销为主、经销为辅的销售模式，主要直销客户多为业内知名的芯片设计、方案公司及高可靠
领域客户；经销客户为公司的经销商。公司的经销模式为买断式，属于行业内的常规模式。公司制定了《成
品客户管理规定》《报价管理规定》《售后服务管理制度》《客户投诉处理控制程序》等规定，其中对经销
商的导入、价格制定、客诉流程等方面均作出了详细规定，公司与经销商均签署《产品授权经销协议》，对
双方的权利和义务作出明确规定。
(三)所处行业情况
1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
（1）行业的发展阶段
公司主营业务为功率半导体的设计、研发和销售，并提供相关技术服务。根据《中华人民共和国国民经
济行业分类》（GB/T4754－2017），公司所属行业为“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”。
功率半导体自诞生以来经过七十多年的研究应用，从基材的迭代、结构设计的优化、先进封装形式、大
尺寸晶圆的应用等多个方面进行技术创新，演进的主要方向为更高的功率密度、更小的体积、更低的功耗及
损耗，其结构设计朝着理想目标不断改进，以适应更多应用场景的需要。据YoleDéveloppement数据，功率
半导体器件每隔二十年将进行一次产品迭代，相比其他半导体，迭代周期相对慢，每一代芯片都拥有较长的
生命周期。
MOSFET具有开关速度快、输入阻抗高、导通内阻小、易于驱动、热稳定性好等优点，既可在低电流和低
电压条件下工作，也可用于大电流开关电路和高频高速电路，应用场景广泛。自上世纪70年代MOSFET诞生以
来，发展至今已有数十年历史，其作为功率器件中市场份额占比最高的产品类型，目前仍活跃于市场中并得
到广泛应用，技术和工艺不断成熟，从平面MOSFET发展到TrenchMOSFET，再到SGTMOSFET和SJMOSFET，再到
当下火热的第三代功率MOSFET（SiC、GaN），功率MOSFET的技术迭代方向主要围绕制程、设计（结构上变化
）、工艺优化以及材料变更，以实现器件的高性能——高频率、高功率和低损耗等。
据QYResearch“全球MOSFET市场报告2023-2029”显示，2022年全球前十大厂商占有大约80%的市场份额
，市场竞争格局相对稳定。我国知名功率半导体企业华润微、士兰微分别位列第九位和第十位，国产品牌经
过多年发展已在国际竞争中崭露头角，但整体市场份额较国外品牌仍存差距。长期以来，以英飞凌、安森美
、意法半导体、东芝、瑞萨为代表的国外品牌凭借先进制造优势、人才集聚优势、大规模研发投入和技术积
累，目前占据全球MOSFET市场的主要份额。国内功率半导体产业起步较晚，前期主要通过引入国外技术后逐
步创新，实现国产化，国内厂商的产品主要以二极管、晶闸管等技术壁垒相对较低的品类为主，在大功率MO
SFET、IGBT等领域，产品的国产化率仍较低，国产替代有较大空间。在中国MOSFET市场中，国外品牌同样占
据较强优势。
近年来，在政府的政策引导及资金扶持下，国内MOSFET市场蓬勃发展，MOSFET厂商资本支出和研发投入
持续提升，涌现出一批国内厂商与国外品牌进行市场竞争，标志着国内MOSFET品牌与国外品牌的技术差距正
在缩小。
（2）行业的基本特点
功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，可实现电源开关和电能转换的功能，实现变频、
变相、变压、逆变、变流、开关的目的，几乎覆盖了所有的电子制造业，包括计算机、网络通信、消费电子
、汽车电子、工业电子等产业，在新能源汽车/充电桩、数据中心、风光发电、储能、智能装备制造、机器
人、5G通讯等新兴领域也有广泛应用。从20世纪50年代发展至今，形成了以二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT
等为代表的多世代产品体系。不同产品在功率、频率、开关速度等参数上具有各自优势，市场呈现多世代并
存的特点。
全球半导体衬底材料已经发展到第三代，包括以硅（Si）、锗（Ge）等为代表的第一代元素半导体材料
，以砷化镓（GaAs）等为代表的第二代化合物半导体材料，以及以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等为代表
的第三代宽禁带半导体材料。目前硅基材料仍是市场主流，但第三代宽禁带材料的应用规模开始持续增长。
（3）所属行业主要技术门槛
1）功率器件的技术门槛
功率器件种类较多，主要包括二极管、三极管（BJT）、晶闸管、MOSFET和IGBT等。其中，二极管、晶
闸管、三极管（BJT）的优点是成本低，生产工艺相对简单，在中低端领域大量应用；MOSFET、IGBT等器件
结构相对复杂，工艺门槛和生产成本相对较高，系具有较高技术先进性的产品。根据YoleDéveloppement预
测，到2028年功率器件将以Si基MOSFET、IGBT、SiC基MOSFET为主导，其中MOSFET在所有功率器件类别中占
比最高，占比达30%，需求保持稳定增长。
2）功率IC的技术门槛
①对研发团队的专业能力要求较高
功率IC产品属于模拟IC的一种，在产品研发设计时需要在速度、功耗、增益、精度、电源电压、工艺、
工作温度、噪声、面积等多种因素间进行考量。功率IC产品内部由多种功能模块电路构成，内部集成的功能
模块有高精度低温漂的电压基准源、电流基准源、线性稳压器、高频振荡器、输出驱动模块及各种保护模块
，需要充分考虑噪声、串扰等在各功能模块间的影响，每个功能模块电路均会影响到功率IC的性能指标，影
响功率IC产品的研发速度和成功率，版图的布局布线的复杂度较高。因此对于功率IC设计公司来讲，需要相
对专业资深的设计团队，不断进行功能模块IP电路的验证和储备，才能打磨出高性能的功率IC产品。
②工艺实现门槛高
功率IC产品集成了低压CMOS、中压CMOS、高压CMOS、LDMOS、双极器件、各种阻容等多种器件，需采用
高压BCD工艺来进行设计研发。由于功率IC产品的市场需求多样，晶圆代工厂提供的BCD工艺平台往往无法完
全满足产品设计的要求，因此功率IC设计企业需同时具备产品设计研发及工艺开发能力，能够针对线路设计
过程中的需求开发功率IC产品所需要的工艺平台。高压BCD工艺层次多，产品结构复杂，对功率IC产品研发
提出较高的要求。
2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
(1)功率器件
公司功率器件产品以MOSFET为主，长期以来，全球功率器件市场由国际巨头和国内领先企业共同主导。
国际巨头如英飞凌、意法半导体、安森美等凭借技术优势和品牌影响力，在高端市场占据主导地位。例如，
英飞凌在中国市场的销售额稳居第一。中国功率器件产业起步较晚，随着功率器件行业国产替代进程加速，
国产功率器件市场份额得到逐步提升。国内企业如华为、比亚迪、闻泰科技、士兰微等通过技术创新和产业
链整合，逐步缩小差距并提升竞争力。根据YoleDéveloppement预测，中国厂商在全球功率器件市场份额将
从2023年的38%增至2027年的45%，彰显出我国MOSFET厂商在全球市场中的话语权日益扩大。公司已同时具备
Si基及SiC基功率器件的设计、研发能力，积累了多项具有原创性和先进性的核心技术，其中3项达到国际先
进水平，1项达到国内领先水平。SiC基功率器件方面，公司是国内为数不多的具备650V-3300VSiCMOSFET设
计能力的企业之一，产品已覆盖业内主流电压段。
(2)功率IC
功率IC方面，公司产品主要包括PWM控制IC和栅极驱动IC。PWM控制IC方面，根据QYResearch相关数据，
国际巨头如TI（德州仪器）、ADI（亚德诺半导体）、英飞凌、安森美、意法半导体等欧美公司在PWM控制IC
领域总体处于领先地位，这些企业在技术、品牌和市场渠道方面具有显著优势，占据了大部分市场份额。栅
极驱动IC方面，TheInsightPartners预估，全球电机驱动IC市场规模将从2021年38.82亿美元增长至2028年
的55.89亿美元，CAGR达5.3%。公司坚持在高可靠领域芯片国产化替代的战略方向，洞察市场需求导向，进
行自主研发和创新，将科技成果与产业深度融合。高可靠领域作为国家战略性产业，对经济增长和科技进步
具有重要推动作用。2025年，随着“十四五”规划进入收官之年，有望迎来需求复苏与结构优化的双重机遇
。公司凭借自身研发的高性能产品，已与多家高可靠领域客户建立合作关系；该特定应用领域对产品的性能
有严格要求
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