经营分析☆ ◇688711 宏微科技 更新日期：2024-05-04◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.前5名客户营业收入表】【4.前5名供应商采购表】
【5.经营情况评述】
【1.主营业务】
IGBT、FRED为主的功率半导体芯片、单管、模块和电源模组的设计、研发、生产和销售。
【2.主营构成分析】
截止日期:2023-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
───────────────────────────────────────────────
功率半导体器件(行业) 14.87亿 98.80 3.25亿 97.40 21.87
其他业务(行业) 1809.53万 1.20 866.39万 2.60 47.88
───────────────────────────────────────────────
模块(产品) 9.64亿 64.09 1.90亿 56.82 19.66
单管(产品) 4.55亿 30.21 1.13亿 33.86 24.86
芯片(产品) 5040.13万 3.35 1663.16万 4.98 33.00
其他业务(产品) 1809.53万 1.20 866.39万 2.60 47.88
受托加工业务(产品) 1728.57万 1.15 581.64万 1.74 33.65
───────────────────────────────────────────────
内销(地区) 14.71亿 97.73 3.22亿 96.58 21.92
其他业务(地区) 1809.53万 1.20 866.39万 2.60 47.88
外销(地区) 1602.27万 1.06 275.26万 0.82 17.18
───────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 13.38亿 88.93 2.98亿 89.17 22.24
经销(销售模式) 1.48亿 9.87 2747.00万 8.23 18.50
其他业务(销售模式) 1809.53万 1.20 866.39万 2.60 47.88
───────────────────────────────────────────────
截止日期:2023-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
───────────────────────────────────────────────
模块(产品) 4.43亿 57.98 --- --- ---
单管(产品) 2.88亿 37.73 --- --- ---
芯片(产品) 2465.89万 3.23 --- --- ---
受托加工劳务(产品) 748.91万 0.98 --- --- ---
其他(产品) 61.87万 0.08 14.21万 0.09 22.97
───────────────────────────────────────────────
内销(地区) 7.57亿 99.04 --- --- ---
外销(地区) 732.46万 0.96 --- --- ---
───────────────────────────────────────────────
截止日期:2022-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
───────────────────────────────────────────────
功率半导体器件(行业) 9.21亿 99.43 1.90亿 98.14 20.63
其他(补充)(行业) 525.13万 0.57 359.41万 1.86 68.44
───────────────────────────────────────────────
模块(产品) 5.56亿 60.04 1.08亿 55.98 19.49
单管(产品) 3.33亿 36.00 7317.34万 37.80 21.95
芯片(产品) 1586.11万 1.71 244.24万 1.26 15.40
受托加工业务(产品) 1552.07万 1.68 599.55万 3.10 38.63
其他(补充)(产品) 525.13万 0.57 359.41万 1.86 68.44
───────────────────────────────────────────────
内销(地区) 9.10亿 98.31 1.89亿 97.50 20.73
外销(地区) 1037.33万 1.12 125.41万 0.65 12.09
其他(补充)(地区) 525.13万 0.57 359.41万 1.86 68.44
───────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 7.91亿 85.40 1.65亿 85.39 20.90
经销(销售模式) 1.30亿 14.03 2468.20万 12.75 19.00
其他(补充)(销售模式) 525.13万 0.57 359.41万 1.86 68.44
───────────────────────────────────────────────
截止日期:2022-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
───────────────────────────────────────────────
模块(产品) 1.82亿 54.64 --- --- ---
单管(产品) 1.31亿 39.45 --- --- ---
受托加工劳务(产品) 994.01万 2.99 --- --- ---
芯片(产品) 638.35万 1.92 --- --- ---
其他(产品) 334.29万 1.00 231.84万 3.21 69.35
───────────────────────────────────────────────
内销(地区) 3.28亿 98.67 --- --- ---
外销(地区) 442.70万 1.33 --- --- ---
───────────────────────────────────────────────
【3.前5名客户营业收入表】
截止日期:2023-12-31
前5大客户共销售10.45亿元，占营业收入的69.46%
┌───────────────────────┬──────────┬──────────┐
│客户名称 │ 营收额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼──────────┼──────────┤
│客户1 │ 48807.48│ 32.44│
│客户2 │ 35941.45│ 23.89│
│客户3 │ 9029.21│ 6.00│
│客户4 │ 5490.77│ 3.65│
│客户5 │ 5230.40│ 3.48│
│合计 │ 104499.31│ 69.46│
└───────────────────────┴──────────┴──────────┘
【4.前5名供应商采购表】
截止日期:2023-12-31
前5大供应商共采购8.48亿元，占总采购额的63.74%
┌───────────────────────┬──────────┬──────────┐
│供应商名称 │ 采购额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼──────────┼──────────┤
│供应商1 │ 42152.01│ 31.68│
│供应商2 │ 20336.41│ 15.28│
│供应商3 │ 8851.46│ 6.65│
│供应商4 │ 8127.95│ 6.11│
│供应商5 │ 5343.74│ 4.02│
│合计 │ 84811.58│ 63.74│
└───────────────────────┴──────────┴──────────┘
【5.经营情况评述】
截止日期:2023-12-31
●发展回顾:
一、经营情况讨论与分析
2023年，受地缘冲突、通胀，以及一些西方国家政府采取“单边主义”贸易政策的影响，全球经济增长
进一步放缓。全球半导体行业经历了2021年高速增长后，2022年增速开始回落，并在2023年进一步回落。20
23年，国内半导体市场结构性分化依然较为明显：一方面，与普通消费电子相关的产品需求较为疲软；另一
方面与汽车、新能源等相关的产品需求较为旺盛；在国家政策的引导下，国产芯片进口替代的进程明显加快
。2023年，面临复杂的经营环境，公司积极开拓重要增量市场，在“三化一稳定”管理建设、新技术新产品
开发、与战略级大客户合作三个方面持续发力。通过这些举措，公司于2023年挣脱行业震荡周期影响，经营
业绩稳步增长。
（一）公司业绩稳步向好，经营指标持续攀升
2023年，公司实现营业收入150,473.94万元，同比增长62.48%；归属于上市公司股东净利润11,619.49
万元，同比增长47.63%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润10,077.03万元，同比增长66.90
%。
公司强化与各领域核心客户的合作关系，进一步聚焦重点应用领域、重点技术、重点客户和重点产品，
以客户订单及份额的大幅度增长带动公司的高速成长，其中，光伏领域的营业收入为55,998.44万元，同比
增长106.15%；电动汽车领域的营业收入为33,207.27万元，同比增长149.65%；工业控制领域的营业收入为5
8,880.02万元，同比增长15.19%。
（二）研发技术不断突破，主要产品持续放量
1、芯片产品
（1）车规级IGBT和FRD芯片：成功开发的车规750VM7iIGBT芯片和配套的续流FRD芯片已经完成车规认证
，并开始大规模交付。公司在汽车电子领域已经具备了较高的技术实力和市场竞争力，能够满足汽车行业对
高可靠性和高性能半导体产品的需求。
（2）工业控制和光伏应用的IGBT芯片：针对工业控制和光伏应用的12寸1200VM7i芯片也已经完成开发
和验证，并且正在与大客户合作逐步增加产量。公司正在积极拓展工业控制和新能源产品线，以满足不同行
业的新需求。
（3）1700VM6iIGBT和FRD芯片：12寸1700VM6iIGBT及其配套FRD芯片已完成开发和验证，并开始向市场
推出多种规格和封装外形的模块产品。公司在高电压功率半导体领域持续创新，能够提供满足1700V不同电
流等级需求的系列化产品。
（4）自研SiCSBD芯片：自主研发的SiCSBD（肖特基势垒二极管）芯片已经通过可靠性验证，并已向重
点客户送样。公司在SiC技术领域也取得了实质性进展，为未来的产品多样化和市场扩展奠定了坚实的技术
基础。随着第三代化合物半导体器件(SiC和GaN)的逐步量产和市场推广，公司有望在功率半导体市场中占据
更重要的地位。
2、模块产品
（1）光伏用400A/650V三电平定制模块：2023年，公司新能源风光储业务快速增长，公司与行业头部深
度合作，继续发挥技术领先优势为客户提供更高功率、更高效率的解决方案。公司光伏用400A/650V三电平
定制模块开发顺利，已开始批量交付，目前产能稳定，终端表现良好；
（2）车用400-800A/750V双面散热模块：公司应用于新能源汽车的400-800A/750V双面散热模块开发已
通过相关车规级性能、可靠性及系统级测试，并通过客户端认证，进入大批量生产阶段，该技术将对2024年
新能源汽车主驱逆变应用的功率模块的销售增长提供持续动力；
（3）UPS定制SiC混合模块：不间断电源（UPS）系统定制的三电平SiC混合模块已经完成开发，并在客
户端开始批量导入。这种混合模块充分发挥了SiC芯片的高频、高效和高温性能，又能利用定制化解决方案
提供更低的成本，确保SiC混合模块可以发挥更优的性能。
（三）夯实技术壁垒，研发投入持续加大
2023年，公司持续加大对核心技术的研发投入，并致力于技术产品创新和升级。公司研发人员数量为17
6人，同比增长28.47%，其中硕士、博士合计32人，占研发人员总数的比例为18.18%。公司2023年度实现研
发投入10,809.85万元，占营业收入的比例为7.18%，同比增长68.17%。截至报告期末，公司共有专利132项
，其中发明专利41项。相较2022年，2023年新增产品120余款。
2023年，公司围绕超微沟槽结构+场阻断技术、续流用软恢复二极管芯片技术等核心技术不断创新，产
品全面覆盖新能源汽车、新能源发电、储能和工业控制需求，持续围绕微沟槽IGBT技术、虚拟原胞技术、逆
导IGBT技术等多项第七代功率芯片关键技术进行创新。同时，公司与国内多个科研院所、海外机构建立深入
合作关系，积极布局下一代化合物半导体芯片及封装技术。
（四）合规使用募集资金，灵活运用再融资工具
2023年，公司紧抓国产化替代的机遇，积极推进募投项目建设。通过引进先进的生产工艺设备扩充产能
。截至报告期末，公司“新型电力半导体器件产业基地项目”及“研发中心建设项目”已完成承诺投资，项
目均已实施完毕并达到预定可使用状态。
公司于2023年7月向不特定对象发行43,000.00万元可转换公司债券，本次发行可转换公司债券的募集资
金主要用于公司“车规级功率半导体分立器件生产研发项目（一期）”，项目建成后，将形成每年240万块
车规级功率半导体分立器件的生产能力，助力公司深化主营业务发展，强化市场竞争优势。
（五）巩固战略客户粘性，加速抢占市场
公司长期致力于IGBT、FRD为主的功率半导体芯片、单管和模块的设计、研发、生产和销售，同时为客
户提供功率半导体器件及系统的解决方案。2023年，公司凭借技术优势，在重点应用领域，包含工业控制、
新能源汽车、新能源、数据中心皆有所收获和积累，持续丰富优质客户资源；在工业控制领域，客户包含汇
川技术、台达集团、英威腾、伊顿等公司；在新能源发电领域，客户包含客户A、阳光电源、爱士惟、古瑞
瓦特、禾望等多家知名企业；在新能源汽车领域，公司产品主要用于电控系统，主要客户有比亚迪、汇川、
臻驱科技等企业；充电桩应用的主要客户有英飞源、英可瑞、优优绿能、特来电等企业。
（六）公司治理规范高效，提升组织运营颗粒度
2023年，公司董事会、监事会、管理团队严格按照《公司法》《证券法》《上市公司治理准则》《上海
证券交易所科创板股票上市规则》《公司章程》等法律法规和规范性文件要求，不断完善公司法人的治理结
构，加强内部制度建设与内控体系建设，进一步促进公司规范运作，以精细化流程设计与系统化制度管理反
哺生产经营业务稳健发展。报告期内，公司严格按照上市公司规范运作要求，合规履行信息披露义务，持续
加强内控建设，以高效的法人治理水平和规范的运作水平助推生产经营提质增效。
二、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况及研发情况说明
(一)主要业务、主要产品或服务情况
公司自设立以来一直从事IGBT、FRD为主的功率半导体芯片、单管和模块的设计、研发、生产和销售，
并为客户提供功率半导体器件的解决方案，IGBT、FRD单管和模块的核心是IGBT和FRD芯片，公司拥有诸多具
有一定先进性的相关知识产权。公司主营业务中的单管完全采用自研芯片，模块产品以自研芯片为主，外购
芯片为辅。IGBT、FRD作为功率半导体器件的主要代表，是电动汽车和新能源发电、电气与自动化、电力传
输与信息通信系统、家用电器和医疗器械中的核心器件。在当前复杂而严峻的国际形势下，积极推动我国功
率半导体材料、芯片、封测的国产化进程具有极其重大的意义，而研发和生产自主可控的IGBT、FRD芯片及
模块已成为国家战略新兴产业发展的重点。
目前，公司产品已涵盖IGBT、FRD、MOSFET芯片及单管产品100余种，IGBT、FRD、MOSFET、整流二极管
及晶闸管等灌封和塑封模块产品400余种，公司产品应用于工业控制（变频器、伺服电机、UPS及各种开关电
源等），新能源发电（光伏逆变器、风能变流器和电能质量管理）、电动汽车（电控系统、DC电源和充电桩
）等多元化应用领域，公司产品性能与工艺技术水平处于行业先进水平。
(二)主要经营模式
1、研发模式
公司建立了以客户需求为导向的研发体系，制定了《项目立项管理办法》《产品质量先期策划控制程序
》《设计和开发控制程序》等研发流程控制文件，研发流程主要包括立项、产品设计与开发、过程设计与开
发、产品试生产、产品量产五个阶段，各个研发项目均由产品质量先期策划（APQP）小组承接项目，每个阶
段均由专门的评审委员会进行评审。为了确保产品设计开发的准确度和可靠性，每个新产品开发都需要经过
计算机仿真验证，通过对新产品的热-电-力多物理场仿真分析，提取关键特性参数，预先发现潜在问题并加
以设计优化。
2、采购模式
（1）采购流程
公司模块产品的原材料主要包括芯片、DBC基板、铜底板、焊料、铝铜线、硅凝胶及外壳和端子等，其
中芯片的采购主要通过自主研发设计并委托芯片代工企业制造加工，极少数特需芯片向英飞凌等国外生产厂
商直接采购两种方式；其他材料主要通过选取至少两家合格供应商比价采购的方式。公司采用订单采购的模
式，对于生产中常用的直接物料，由计划部门根据销售订单或销售预测通过ERP系统提交采购请求，由采购
部根据供应商的交货周期进行下单；对于偶然所需的临时物料，由需求部门填写《请购单》提出请购需求，
通过公司OA系统逐层提交至公司管理层审批，通过后由采购部负责统一采购。
（2）供应商管理
公司执行与完善采购管理、供应商管理等相关制度，规范公司的采购与付款行为，明确请购与审批、招
标与询价、供应商选择、合同签订、验收、付款、采购后评估等环节的职责和审批权限，对岗位分离与授权
控制均进行严格的规定，同时，建立采购价格监督机制，针对采购过程中的关键控制点及相关风险定期检查
与评估。公司采取工程物资集中化采购、通用物资战略供应商招标、常规采购一次询比价、二次审核的两级
采购管理机制等措施，有效节约采购成本，降低相关风险。
3、生产模式
公司具备完善的生产运营体系，主要采取“以销定产”的生产模式，由运营办公室综合考虑市场需求、
原材料供应和产能情况制定生产计划，公司产品的生产具体可分为自产模式和委托加工两种模式：
（1）自产模式
公司模块采用自产模式，通过自有生产线对功率半导体芯片进行模块化封装与测试，最终形成功率模块
。公司的模块产品可分为标准品和定制品，公司的标准品主要依据产品电压、电流等规格，设计生产出通用
的不同系列的产品，并向客户销售；定制品主要系公司与客户在技术层面深度合作，设计生产的产品以满足
客户的特殊需求。公司定制化产品分成量产前及正式量产后两个阶段。量产前，公司按客户要求进行生产工
艺设计及样品试制和可靠性测试，公司按照研发过程中投入的原材料、人工成本、测试费等为基础向客户收
取技术服务费；量产后，公司按照设计方案、技术指标要求，组织生产并批量为客户提供产品。
（2）委托加工模式
公司采取Fabless模式，对于芯片及单管产品生产采用委托加工模式。公司专注于芯片的研发和设计，
将设计好的芯片委托给特定的芯片代工企业制造，公司利用芯片代工企业强大的芯片生产能力来满足公司单
管和模块中的芯片需求，实现产品链的一体化构建。由于国内从事单管产品封装厂家较多，公司将单管产品
的封装与测试环节委托给具备单管先进封装工艺的公司进行代工。
4、营销模式
公司销售采取了直销为主、经销为辅的方式。在直销模式下，公司通过网络宣传、派出经验丰富的营销
和技术团队进行业务走访、参加国内外各种行业展会和学术交流会议等方式向下游客户介绍公司产品、了解
客户需求、推荐使用方案并展开销售活动；在经销模式下，公司通常与营销能力较强且具备一定专业知识、
行业经验和市场资源的经销商合作，利用经销商的渠道和经验拓展客户资源，扩大市场占有率。
(三)所处行业情况
1.行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
（1）发展阶段
功率半导体分立器件为半导体行业的主要组成部分，更是发电、输电、变配电、用电、储电等领域的基
础核心部件。
功率半导体的下游应用领域十分广泛，且需求持续稳定增长。除了消费电子、通信、计算机、工业控制
、汽车电子等传统领域，近年来，功率半导体器件在电动汽车/充电桩、新能源发电（光伏、风能和电源质
量管理）、智能电网、轨道交通、5G通讯、数据中心、变频家电等诸多新兴应用领域中得到广泛的应用，随
着“碳中和”战略的推进，功率半导体器件将迎来一个高速发展时期。
（2）基本特点
半导体行业属于技术、人才和资本密集型行业，无论是技术研发还是产线建设都需要大量的高端人才和
资金投入。公司目前正面临电动汽车、新能源发电、5G通讯和数据中心等下游新兴产业带来的市场机遇。公
司在未来发展和争取市场机遇过程中需要不断引进人才并投入大量的资金来进行产品及工艺的开发、产能的
提升和产品的市场推广。
（3）主要技术门槛
自上世纪80年代IGBT产品开启工业化应用以来，一直为国外知名公司所垄断。国外知名公司的产品系列
化很全，应用面很广，其中英飞凌已实现各种电压范围IGBT覆盖，三菱、富士电机、安森美也涵盖了多个电
压区间。近年来，IGBT技术经历了丰富的演变，涌现出不同的IGBT技术方案，这些方案主要由英飞凌、安森
美、三菱电机和富士电机等海外厂商主导推动。海外厂商IGBT的结构设计仍在不断突破和创新，先后推出了
沟槽栅场阻断结构、微细槽栅结构、侧栅结构、鳍状基区结构等新技术，推动了IGBT应用和市场发展。同时
IGBT的制造工艺也在持续创新，深沟槽、精准掺杂、深度扩散、超薄片以及质子注入等多种工艺的引入形成
了较高的技术壁垒，制造技术也成为实现IGBT自主创新的关键。近几年来，国内IGBT无论是在芯片设计方面
还是在芯片制造和封装以及产品系列化方面，虽有突破但与国外相比仍有一定差距。
以SiC为代表的第三代半导体经历了十几年的芯片和封装技术探索和应用实践，在产业链下游应用需求
的带动下，正在进入高速发展期，SiC功率器件（SBD、MOSFET）目前广泛用于新能源汽车、光伏、轨道交通
、数据中心等领域，以Wolfspeed、意法半导体，英飞凌科技为首的国际领先企业已实现SiCMOSFET器件的量
产并占据全球绝大部分市场份额。平面栅、沟槽栅、深沟槽、超薄片等新技术的引入使得SiCMOSFET器件在
成本和性能上更具优势。但是，如何改善器件的栅氧质量、双极退化、阈值电压漂移、动态可靠性等诸多问
题，不同公司在设计和制造端都形成了一定的技术壁垒。近年来，国内SiC行业在衬底制备、芯片设计、晶
圆制造和封测方面都有突破，但与国外相比，技术水平和市场份额都有很大的差距。
2.公司所处的行业地位分析及其变化情况
公司致力于功率半导体芯片、单管及模块研发、生产与销售。公司曾荣获“新型电力半导体器件领军企
业”、“苏南国家自主创新示范区瞪羚企业”、“PSIC2019中国电动汽车用IGBT最具发展潜力企业称号”和
“中国电气节能30年杰出贡献企业”等荣誉称号。“2-200A/200-1200V”超快速软恢复外延二极管（FRD）
芯片性能指标达到国际同类产品的先进水平。公司“超快软恢复外延型二极管（FRD）系列产品”、“一种
新型的NPTIGBT结构”于2015年荣获中国半导体行业协会等授予的“中国半导体创新产品和技术奖”。2015
年，公司“高压大电流高性能IGBT芯片及模块的产业化”项目获得江苏省人民政府“江苏省科学技术奖三等
奖”，“一种新型NPTIGBT芯片和模块的开发及产业化”项目获得中国电源学会科学技术奖一等奖。公司通
过技术创新、产品外延等手段不断延伸产品线，能够满足不同终端客户对产品的技术参数和性能多样性的需
求，具有一定的市场占有率和较强的品牌影响力。2021年，公司荣获“江苏省小巨人企业”的奖励。2022年
，公司荣获“国家级专精特新小巨人企业”的奖励。2023年，公司获荣“国家绿色供应链企业”的奖励。公
司凭借可靠的产品质量和优质的服务与众多知名企业客户保持了良好的商业合作关系，同时依托龙头客户产
生的市场效应不断向行业内其他企业拓展。
3.报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
国家的“十四五”规划明确提出将“碳中和、碳达峰”作为国家污染防治攻坚战的重要目标，要推动“
碳达峰、碳中和”，主要是减少电力生产、交通运输以及工业中化石燃料的使用。“碳中和、碳达峰”的实
现需要推进新能源、新能源汽车、节能环保等产业的发展，细分行业包含光伏发电、风力发电、储能、新能
源汽车、充电桩、工业控制等行业。
公司所处细分行业为功率半导体行业，基于硅衬底的功率半导体器件目前仍然是主流，并将在未来相当
一段时间内占据主要市场。公司的主要产品IGBT（绝缘栅双极晶体管），是新型功率半导体器件的代表性产
品，被业界誉为功率变流装置的“CPU”。采用IGBT进行功率变换，能够提高用电效率和改善用电质量，具
有高效节能和绿色环保的特点。电力电子是解决能源短缺的关键支撑技术，以IGBT为代表的功率半导体器件
是实现双碳目标的核心原件。
在国家重大政策指引下，公司不断增强技术创新及产品升级能力，其中IGBT产品在微细槽栅结构设计和
工艺上得到了突破；FRD产品在反向恢复速度和恢复软度的协调及极端条件下可靠性方面得到了突破；IGBT
芯片在12英寸、FRD在8英寸制造工艺实现方面得到了突破，所研发的IGBT和FRD产品成功批量应用于光伏逆
变器和新能源汽车电控系统中，为低碳环保、可持续发展的关键命题提供新的解决思路，紧密契合国家“十
四五”规划的精神、党的二十大精神、可持续发展战略等国家政策。碳化硅（SiC），因其宽禁带、高饱和
漂移速度、高临界击穿电场等优异的性能，较传统的硅（Si）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）优势显著。以Si
C为代表的第三代半导体2021年首次导入商业化，经历了十几年的芯片和封装技术探索和应用实践，2018年
在产业链下游应用需求爆发的带推动下正式进入高速发展期，SiC功率器件（SBD、MOSFET）目前广泛用于新
能源汽车、光伏发电、轨道交通、数据中心等领域。截至报告期末，公司自主研发的SiCSBD（肖特基势垒二
极管）芯片已经通过可靠性验证，并已向重点客户送样；公司首款1200VSiCMOSFET芯片研制成功；SiC混合
封装模块已突破100万只。
(四)核心技术与研发进展
1.核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司建立了完整的研发体系和研发管理制度，加强对研发组织管理和研发过程管理，不断强化芯片设计
与工艺实现、模块封装工艺与测试等关键技术的积累，在前沿技术方面不断突破，打造了自身在功率半导体
芯片设计和模块封装领域的核心竞争力。
2.报告期内获得的研发成果
截至报告期末，公司凭借在科技创新工作中的卓越成效，累计获得发明专利授权41项，实用新型专利授
权85项，外观设计专利授权6项。
3.研发投入情况表
研发投入总额较上年发生重大变化的原因
报告期内，公司持续关注技术创新，加大研发力度，研发人员数量增多，研发材料等费用增长。
5.研发人员情况
研发人员构成发生重大变化的原因及对公司未来发展的影响
1、2023年，公司研发人员中硕士研究生人员数量同比增长57.89%，主要原因是公司积极储备行业人才
，从行业经验、职业素养、学历条件等方面招募和挖掘潜在核心人才，从而提升技术水平和研发能力；
2、2023年，公司研发人员中30岁以下的人员数量同比增长111.90%。主要原因是公司加快引进高质量人
才和优秀毕业生，注重培养优秀年轻人才，致力于打造一支有战斗力、有开拓精神的研发队伍。
三、报告期内核心竞争力分析
(一)核心竞争力分析
1、技术优势
经过多年的技术沉淀和积累，公司在IGBT、FRD等功率半导体芯片、单管和模块的设计、封装和测试等
方面突破多项核心技术，其中芯片领域的核心技术主要包括微细沟槽栅、多层场阻断层、虚拟元胞、逆导集
成结构等IGBT芯片设计及制造技术；软恢复结构、非均匀少子寿命控制技术等FRD芯片设计及制造技术；高
可靠终端设计等高压MOSFET芯片设计及制造技术等。在模块封装领域的核心技术主要包括低分布参数的模块
布线技术、无压和有压银烧结技术、端子超声键合技术、双面散热塑封技术等。高筑核心技术壁垒，夯实行
业竞争力。
2、人才优势
人才是半导体行业的重要因素，是功率半导体企业求生存、谋发展的先决条件。公司是由一批长期在国
内外从事电力电子产品研发和生产、揽获多项专项技术的行业领军人才组建的硬科技企业，研发团队的核心
成员均为从事电力电子器件行业20余载的高级技术人才，曾参加过国家“八五”、“九五”、“十一五”、
“十二五”、“十四五”IGBT芯片和模块科技攻关。未来，为保证研发实力的持续提升，公司将稳步扩张研
发团队规模，强化人才优势。
3、产品多品种规模化供应优势
功率半导体器件作为一种最基础的工业电子元器件，下游整机装备客户通常需要多种系列和规格的产品
，为确保整机产品的稳定性，客户倾向于选择同一品牌的一站式采购。公司产品系列齐全，品种繁多，目前
公司已开发出IGBT、FRD、MOSFET芯片及单管产品100余种，IGBT、FRD、MOSFET、整流二极管及晶闸管等灌
封和塑封模块产品400余种，电流范围从3A到950A，电压范围从60V到1700V，产品类型齐全。依托良好的技
术优势及敏锐的市场洞悉能力，公司通过技术创新、产品外延等手段不断延伸产品线。在产品种类上，公司
形成了从芯片设计到模块封装，从功率二极管到MOSFET到IGBT，从低频到高频器件，从小功率产品到大功率
模块的全系列、多规格产品格局。在产品适用范围上，公司产品适用于变频器、电焊机、UPS电源、逆变电
源、高频开关电源、光伏、电动汽车电控系统、电动汽车充电系统等多元化领域。公司多品种、专业化、规
模化的产品供应能力，使得公司具备突出的组合供应能力，能够为各领域客户提供多品种、多系列、专业化
的一揽子产品解决方案。
4、客户资源优势
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