经营分析☆ ◇688711 宏微科技 更新日期：2026-08-05◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.前5名客户营业收入表】【4.前5名供应商采购表】
【5.经营情况评述】
【1.主营业务】
IGBT、FRD为主的功率半导体芯片、单管、模块的设计、研发、生产和销售
【2.主营构成分析】
截止日期:2025-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
功率半导体器件(行业) 13.34亿 98.96 2.24亿 96.04 16.83
其他业务(行业) 1403.89万 1.04 924.95万 3.96 65.88
─────────────────────────────────────────────────
模块（封装）(产品) 10.34亿 76.74 1.65亿 70.50 15.93
单管（封装）(产品) 2.55亿 18.91 4606.22万 19.71 18.07
受托加工业务(产品) 2498.35万 1.85 736.50万 3.15 29.48
芯片(产品) 1952.86万 1.45 626.93万 2.68 32.10
其他业务(产品) 1403.89万 1.04 924.95万 3.96 65.88
─────────────────────────────────────────────────
内销(地区) 13.04亿 96.74 2.17亿 93.04 16.68
外销(地区) 2995.51万 2.22 700.83万 3.00 23.40
其他业务(地区) 1403.89万 1.04 924.95万 3.96 65.88
─────────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 12.40亿 92.00 2.28亿 97.67 18.41
经销(销售模式) 9383.04万 6.96 -380.32万 -1.63 -4.05
其他业务(销售模式) 1403.89万 1.04 924.95万 3.96 65.88
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2025-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
模块（封装）(产品) 5.02亿 73.83 7107.13万 66.15 14.15
单管（封装）(产品) 1.54亿 22.67 2730.38万 25.41 17.70
芯片(产品) 1169.96万 1.72 496.69万 4.62 42.45
受托加工业务(产品) 1105.42万 1.62 363.85万 3.39 32.91
其他(产品) 102.96万 0.15 45.66万 0.43 44.35
─────────────────────────────────────────────────
国内销售(地区) 6.65亿 97.78 1.03亿 95.75 15.46
出口销售(地区) 1509.26万 2.22 457.14万 4.25 30.29
─────────────────────────────────────────────────
线下销售(销售模式) 6.80亿 100.00 1.07亿 100.00 15.79
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2024-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
功率半导体器件(行业) 13.27亿 99.66 2.04亿 99.67 15.39
其他业务(行业) 454.32万 0.34 67.79万 0.33 14.92
─────────────────────────────────────────────────
模块（封装）(产品) 10.34亿 77.65 1.45亿 70.74 14.02
单管（封装）(产品) 2.46亿 18.48 4364.44万 21.30 17.74
芯片(产品) 2567.43万 1.93 873.64万 4.26 34.03
受托加工业务(产品) 2137.96万 1.61 688.91万 3.36 32.22
其他业务(产品) 454.32万 0.34 67.79万 0.33 14.92
─────────────────────────────────────────────────
内销(地区) 13.00亿 97.64 1.96亿 95.79 15.10
外销(地区) 2689.00万 2.02 794.37万 3.88 29.54
其他业务(地区) 454.32万 0.34 67.79万 0.33 14.92
─────────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 12.20亿 91.64 1.97亿 96.17 16.15
经销(销售模式) 1.07亿 8.02 716.01万 3.49 6.71
其他业务(销售模式) 454.32万 0.34 67.79万 0.33 14.92
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2024-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
模块(产品) 4.64亿 72.83 6227.60万 62.24 13.43
单管(产品) 1.42亿 22.27 2634.64万 26.33 18.59
芯片(产品) 1409.83万 2.21 279.20万 2.79 19.80
受托加工业务(产品) 1113.19万 1.75 466.17万 4.66 41.88
其他(产品) 594.76万 0.93 398.45万 3.98 66.99
─────────────────────────────────────────────────
国内销售(地区) 6.29亿 98.80 9727.39万 97.21 15.47
出口销售(地区) 764.61万 1.20 278.67万 2.79 36.45
─────────────────────────────────────────────────
线下销售(销售模式) 6.37亿 100.00 1.00亿 100.00 15.72
─────────────────────────────────────────────────
【3.前5名客户营业收入表】
截止日期:2025-12-31
前5大客户共销售9.48亿元，占营业收入的70.33%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│客户名称 │ 营收额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│客户1 │ 35983.46│ 26.70│
│客户2 │ 25943.12│ 19.25│
│客户3 │ 23739.04│ 17.61│
│客户4 │ 5156.27│ 3.83│
│客户5 │ 3959.40│ 2.94│
│合计 │ 94781.29│ 70.33│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【4.前5名供应商采购表】
截止日期:2025-12-31
前5大供应商共采购4.66亿元，占总采购额的48.25%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│供应商名称 │ 采购额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│供应商1 │ 18549.32│ 19.19│
│供应商2 │ 10789.51│ 11.16│
│供应商3 │ 7962.92│ 8.24│
│供应商4 │ 5251.23│ 5.43│
│供应商5 │ 4085.98│ 4.23│
│合计 │ 46638.96│ 48.25│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【5.经营情况评述】
截止日期:2025-12-31
●发展回顾:
一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况说明
(一)主要业务、主要产品或服务情况
公司是国内功率半导体领域的领军企业，自成立以来，始终专注于以IGBT、FRD、SiC、GaN为核心的功
率半导体芯片、单管及模块的设计、研发、生产与销售。依托第三代半导体材料与工艺创新，公司在超微沟
槽结构+场阻断技术、续流用软恢复二极管芯片技术、模块塑封技术等领域形成独特技术壁垒，自主研发的
第七代功率芯片已实现关键性能指标对标国际先进水平。公司产品全面覆盖新能源汽车（电控系统、充电桩
和OBC电源）、新能源发电（光伏逆变器、风能变流器和电能质量管理）、储能、工业控制（变频器、伺服
电机、UPS及各种开关电源等）、家电消费等领域，产品性能与工艺技术处于行业先进水平。
(二)主要经营模式
1、研发模式
公司建立了以客户需求为导向的研发体系，并制定了《项目立项管理办法》《产品质量先期策划控制程
序》《设计和开发控制程序》等研发流程控制文件，研发流程主要包括立项、产品设计与开发、过程设计与
开发、产品试生产、产品量产五个阶段，各个研发项目均由产品质量先期策划（APQP）小组承接项目，每个
阶段均由专门的评审委员会进行评审。为了确保产品设计开发的准确度和可靠性，每个新产品开发都需要经
过计算机仿真验证，通过对新产品的热-电-力多物理场仿真分析，提取关键特性参数，预先发现潜在问题并
加以设计优化。
2、采购模式
（1）采购流程
公司模块产品的原材料主要包括芯片、DBC基板、铜底板、焊料、铝铜线、硅凝胶、外壳和端子等，其
中芯片的采购主要通过自主研发设计并委托芯片代工企业制造加工，极少数特需芯片向英飞凌等国外生产厂
商直接采购；其他材料主要通过选取至少两家合格供应商比价采购的方式。公司采用订单采购的模式，对于
生产中常用的直接物料，由计划部门根据销售订单或销售预测通过ERP系统提交采购请求，由采购部根据供
应商的交货周期进行下单；对于偶然所需的临时物料，由需求部门填写《请购单》提出请购需求，通过公司
OA系统逐层提交至公司管理层审批，通过后由采购部负责统一采购。
（2）供应商管理
公司制定并完善采购管理、供应商管理等相关制度，规范公司的采购与付款行为，明确请购与审批、招
标与询价、供应商选择、合同签订、验收、付款、采购后评估等环节的职责和审批权限，对岗位分离与授权
控制均进行严格的规定，同时，建立采购价格监督机制，针对采购过程中的关键控制点及相关风险定期检查
与评估。公司采取工程物资集中化采购、通用物资战略供应商招标、常规采购一次询比价、二次审核的两级
采购管理机制等措施，有效节约采购成本，降低相关风险。
3、生产模式
公司具备完善的生产运营体系，主要采取“以销定产”的生产模式，由运营办公室综合考虑市场需求、
原材料供应和产能情况制定生产计划，公司产品的生产具体可分为自产模式和委托加工两种模式：
（1）自产模式
公司模块采用自产模式，通过自有生产线对功率半导体芯片进行模块化封装与测试，最终形成功率模块
。公司的模块产品可分为标准品和定制品，公司的标准品主要依据产品电压、电流等规格，设计生产出通用
的不同系列的产品，并向客户销售；定制品主要系公司与客户在技术层面深度合作，设计生产的产品以满足
客户的特殊需求。公司定制化产品分成量产前及正式量产后两个阶段。量产前，公司按客户要求进行生产工
艺设计及样品试制和可靠性测试，公司依据研发过程中投入的原材料、人工成本、测试费等向客户收取技术
服务费；量产后，公司按照设计方案、技术指标要求，组织生产并批量向客户交付产品。
（2）委托加工模式
公司采取Fabless模式（无晶圆厂模式），对于芯片及单管产品生产采用委托加工模式。公司专注于芯
片的研发和设计，将设计好的芯片委托给特定的芯片代工企业制造，公司利用芯片代工企业强大的芯片生产
能力来满足公司单管和模块中的芯片需求，实现产品链的一体化构建。由于国内从事单管产品封装厂家较多
，公司将单管产品的封装与测试环节委托给具备先进封装工艺的公司进行代工。
4、营销模式
公司销售采取以直销为主、经销为辅的方式。在直销模式下，公司通过网络宣传、派出经验丰富的营销
和技术团队进行业务走访、参加国内外各种行业展会和学术交流会议等方式向下游客户介绍公司产品、了解
客户需求、推荐使用方案并展开销售活动；在经销模式下，公司通常与营销能力较强且具备一定专业知识、
行业经验和市场资源的经销商合作，利用经销商的渠道和经验拓展客户资源，扩大市场占有率。
(三)所处行业情况
1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
（1）发展阶段
根据国家统计局发布的《国民经济行业分类（2017年修订）》（GB/T4754-2017），公司所处行业为半
导体分立器件制造。
功率半导体作为能源转换与电路控制的核心器件，深度融入全球“碳中和”战略与智能化浪潮。其下游
应用从传统工业控制、消费电子拓展至新能源汽车、储能、数据中心及人形机器人等新兴领域，技术革新与
场景需求共同推动行业高速发展。以SiC、GaN为代表的第三代半导体材料逐步替代传统硅基器件，通过工艺
创新（如8英寸晶圆制造、超微沟槽结构）显著提升效率与功率密度，驱动行业向高频化、低损耗方向升级
。新能源汽车高压平台普及加速SiC应用，储能市场中功率器件助力构建新型电力系统，AI算力需求推动高
效电源技术突破。
2025年，全球半导体市场持续扩张，美国半导体行业协会（SIA）数据显示，2025年11月全球半导体销
售额达753亿美元，环比增长3.5%，同比增长29.8%；世界半导体贸易统计组织（WSTS）预计2025年全球半导
体营收将同比增长22.5%至7720亿美元，2026年进一步增长26.3%至9750亿美元。中国作为核心增长引擎，20
25年11月中国大陆销售额环比增长3.9%，同比增长22.9%，预计全年销售额突破1800亿美元，占全球市场份
额约27.8%，凸显市场潜力与国产替代空间。
在此背景下，国产化进程持续深化，通过技术突破与产业链协同，在功率半导体领域加速实现自主可控
，为新能源、高端装备等战略产业提供核心支撑。未来，行业将围绕新材料普及、封装技术迭代及智能化应
用持续演进，市场空间广阔。
（2）基本特点
半导体行业属于技术、人才和资本密集型行业，无论是技术研发、还是产线建设都需要大量的高端人才
和资金投入。公司目前正迎接新能源汽车、新能源发电、5G通讯、数据中心和人形机器人等下游新兴产业带
来的市场机遇，在未来发展和争取市场机遇过程中需要不断引进人才并投入大量的资金，以推动产品研发、
工艺升级、产能扩张和市场推广。
（3）主要技术门槛
自上世纪80年代IGBT工业化应用以来，全球市场长期由英飞凌、三菱电机、富士电机等国际巨头主导，
其产品覆盖600V至6500V全电压区间，通过沟槽栅场阻断结构、微细槽栅结构等技术迭代持续提升性能。制
造工艺方面，深沟槽刻蚀、精准掺杂、超薄片加工等技术形成高壁垒，成为制约产业自主化的关键。尽管国
内企业近年在芯片设计、封装技术及600V-1200V产品系列化方面取得突破，但在高压领域（如3300V以上）
仍依赖进口，整体技术水平与国际先进存在代差。
以SiC、GaN为代表的第三代半导体正重塑行业格局。SiC凭借耐高压、耐高温特性，在新能源汽车800V
平台、储能变流器及数据中心电源中加速渗透，Wolfspeed、意法半导体等企业已实现1200V-3300VSiCMOSFE
T量产，国内厂商通过衬底制备、晶圆制造技术突破，逐步缩小与国际差距。GaN则以高电子迁移率、低导通
电阻及高频性能见长，在消费电子快充、AI服务器电源及机器人驱动系统中展现优势，英飞凌等企业通过30
0mm晶圆工艺优化，推动GaN成本趋近硅基器件。然而，第三代半导体仍面临技术挑战：SiC需解决栅氧可靠
性与动态退化问题，GaN则需突破高温稳定性与大尺寸外延工艺。未来，行业将形成Si、SiC、GaN材料协同
发展的多元化格局，国产厂商通过垂直整合与产业链协同，加速在车规级、工业级市场的国产替代进程。
2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
在全球功率半导体行业格局中，欧美日企业（如英飞凌、意法半导体、安森美等）凭借技术积累占据主
导地位，而中国作为全球最大消费市场，正加速国产替代进程。公司作为国内功率半导体领域的领军企业，
深耕行业二十余年，通过技术创新与产业链协同，已形成覆盖芯片设计、封装测试、模块集成到应用方案的
垂直一体化全链条能力，形成全电压等级、硅基IGBT/MOSFET/FRD、SiC、GaN器件及功率模块的完整产品线
，在中高端市场实现突破，并在国家重点任务及产业化落地环节加强与上下游伙伴的联动，同时深度参与国
家及行业功率半导体标准制定，牵头参与多项功率半导体器件核心标准编制，推动国产技术规范与国际接轨
，共同推动功率半导体产品的国产化与前沿应用拓展。
公司致力于功率半导体芯片、单管及模块研发、生产与销售，通过技术创新、产品外延等手段不断延伸
产品线，能够满足不同终端客户对产品技术参数和性能的多样性需求，具有一定的市场占有率和较强的品牌
影响力。2023年，公司荣获“国家绿色供应链企业”；2024年，公司获批设立“博士后科研工作站”，荣获
“江苏省小巨人企业”称号及“江苏省智能车间”称号；2025年，公司荣获“国家级专精特新小巨人企业”
称号、“江苏省先进级智能工厂”称号、“国家级绿色工厂”称号、高可靠性活性金属钎焊覆铜陶瓷载板“
江苏省科技进步三等奖”、荣获第十六届亚洲电源技术发展论坛“国产功率器件行业-车规级-卓越奖”；宏
微爱赛650V增强型GaNHEMT产品荣获行家极光奖2025年度优秀产品奖。公司凭借可靠的产品质量和优质的服
务，与众多知名企业客户保持了良好的商业合作关系。同时，依托龙头客户产生的市场效应，公司不断向行
业内其他企业拓展，凭借在技术创新、绿色发展以及高端科研平台建设等方面的卓越成就，进一步巩固了公
司在行业内的领先地位。
3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
在“双碳”目标指引下，新能源、新能源汽车、储能、高端电源等战略新兴产业加速发展，功率半导体
作为能源转换核心器件，迎来技术迭代与市场扩容的双重机遇。以IGBT为代表的硅基器件仍是当前主流，其
高效节能特性显著提升电力电子装置能效，在光伏逆变器、新能源汽车电控系统中发挥关键作用。随着微细
槽栅结构设计优化及工艺创新，IGBT芯片实现12寸量产突破，反向恢复二极管（FRD）通过软度协调技术提
升极端工况可靠性，推动行业向更高功率密度与更低损耗演进。
以SiC、GaN为代表的第三代半导体材料正重塑产业格局。SiC凭借高耐压、耐高温特性，在新能源汽车8
00V高压平台、轨道交通及数据中心电源中加速渗透，国内企业通过衬底制备、晶圆制造技术突破，逐步缩
小与国际差距。GaN则以高电子迁移率、低导通电阻及高频性能见长，在消费电子快充、AI服务器电源及机
器人驱动系统中展现优势，300mm晶圆工艺优化推动成本趋近硅基器件。功率半导体行业已形成硅基、SiC、
GaN材料协同发展的多元化生态。硅基器件通过沟槽栅、超薄晶圆等技术持续优化性能，主导中低压市场；S
iC聚焦高压场景，突破栅氧可靠性与动态退化难题；GaN则深耕高频领域，解决高温稳定性与大尺寸外延工
艺瓶颈。未来，随着“双碳”战略深化及智能化浪潮推进，功率半导体在储能、智能电网、人形机器人等新
兴场景的渗透率将持续提升，为全球能源转型与工业升级注入核心动能。
报告期内，公司立足功率半导体核心主业，以“技术协同、产业联动、成果转化”为核心，通过签署战
略合作协议、搭建联合攻关平台等新模式，深度链接产业链上下游优质资源，聚焦前沿领域与关键技术突破
，推动新技术与新产业深度融合，培育新业态，拓展发展新空间。
（1）布局可控核聚变前沿领域，抢占未来能源技术制高点。公司与瀚海聚能签署战略合作协议，双方
聚焦可控核聚变前沿领域，联合攻关聚变装置（重点围绕FRC技术路径）所需高性能、高可靠性功率半导体
开关核心技术。依托公司成熟完备的IGBT产业化积淀，融合瀚海聚能在FRC装置研发领域的创新经验，合力
突破聚变电源系统关键技术瓶颈。本次合作是公司紧扣国家核聚变未来能源战略的前瞻性布局，为搭建自主
可控的聚变产业链筑牢核心器件支撑，助力加快实现“人造太阳”能源愿景。
（2）深化SiC技术协同，推动第三代半导体国产化落地。公司与北京怀柔实验室达成碳化硅技术及成果
转化战略合作，聚焦SiC芯片、器件及模块在国家能源关键领域的落地应用，全力推进第三代功率半导体国
产化、自主化进程。双方计划依托产业转化合资平台，攻坚高压大电流SiC芯片设计、制造工艺、高可靠性
封装等核心关键技术，加速产品在新能源基地、柔性输配电等国家级重大工程中的示范应用，推动前沿技术
创新与规模化量产深度融合，全面提升国产高端功率器件的市场核心竞争力。
（3）聚焦人形机器人等新兴赛道，拓展产业应用新场景。公司携手国内传动领域控制设备与系统集成
龙头企业签订战略合作协议，聚焦电控系统、液压控制系统、伺服系统及人形机器人核心零部件（执行器、
电动缸、控制器）配套功率半导体器件研发，重点围绕GaN产品开展联合研发与技术共创。此次合作具备重
要战略导向意义，将助力公司GaN系列产品快速切入工控、液压、伺服、机器人等优质赛道，深度拓宽新兴
市场版图，精准契合企业长期战略发展规划。
（4）深化制造端协同合作，强化功率半导体主业根基。公司与华虹宏力签署五年期《战略合作谅解备
忘录》，双方聚焦IGBT、FRD等核心产品领域深化协作，通过联合组建研发项目组，集中力量推进技术创新
与平台优化，这一深度合作将直接推动公司IGBT、SiCMOSFET等产品性能对标国际先进水平，为国产功率半
导体器件突破国际技术壁垒提供核心动能。该战略举措显著强化了公司以设计与模块封装为核心的“虚拟ID
M”模式竞争力，既规避了IDM模式（垂直整合制造模式）的资本重负，又通过绑定顶尖代工厂的专项工艺支
持获得类似垂直整合的协同效应。这一制造端战略支点的确立，不仅夯实了公司作为国内功率半导体设计及
模块解决方案龙头的主导地位，更通过技术、产能、成本的多维跃升，为其跻身国际一线功率半导体供应商
梯队提供了可落地的跳板，标志着中国功率半导体产业从单点突破迈向全链条高端化的关键跨越。
二、经营情况讨论与分析
（一）行业景气度回升，业绩实现扭亏为盈
2025年度，公司所处的功率半导体行业景气度回升。全球智算投资持续加码，新能源发电、工业控制、
AI服务器电源等领域对新型电力电子装置的需求加速迭代。
在此背景下，2025年度，公司实现营业收入134770.66万元，同比增长1.23%；归属于上市公司股东净利
润1711.49万元，同比增长218.30%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润874.14万元，同比增
长125.72%。公司把握市场机遇，持续丰富IGBT、MOSFET、FRD及SiC、GaN产品组合，扩大业务外延，丰富客
户结构，根据客户需求提供标准化及定制化的功率器件解决方案，带动了整体盈利能力提升。
2026年度，公司将围绕“提升产品竞争力，打造柔性供应链，巩固质量品牌力，抢占市场制高点”的工
作方针，全面贯彻公司“一体两翼”战略，在巩固现有硅基器件主航道优势的同时，加速渗透SiC和GaN为代
表的第三代半导体高性能功率模块在多场景中的规模化应用，重点布局AIDC、人形机器人、低空经济、核聚
变、智能电网等成长性领域，持续深化技术研发与客户合作，提升产品的核心竞争力，力争在新兴赛道构建
先发优势，为公司的可持续发展蓄力护航。
（二）研发技术不断突破，主要产品持续放量
报告期内，公司聚焦功率半导体核心技术迭代，围绕光伏储能、新能源汽车、工业控制、AI算力、人形
机器人等战略场景，推进IGBT/FRD、SiC、GaN芯片与模块全谱系研发，关键产品完成开发、认证、量产与客
户导入，技术指标对标国际先进水平，全产业链自主可控能力持续强化，为业绩增长与市场拓展提供核心支
撑。
1、芯片产品研发进展
（1）风光储应用的IGBT&FRD芯片：公司的1000V/1200VM7iU系列IGBT和M7dFRD芯片已完成开发和认证，
并实现量产，以上产品已通过HV-H3TRB（高温高湿高压高反偏）可靠性测试，满足风光储领域对器件高可靠
性的要求。针对风电应用场景，重点开发了1700VIGBT&FRD芯片，已经通过了国内主流厂商的整机测试并开
始小批量出货。1200VM7d+FRD新平台完成发布，损耗较M7d平台再优化15%左右，特性可对标行业标杆最新技
术代际水平。
（2）车规级IGBT芯片：公司的车用750VM7i+EDT3芯片完成开发，已通过HV-H3TRB（高温高湿高压高反
偏）可靠性测试，最高结温可达185℃，已通过头部新能源车企完整认证并实现量产，后续将根据不同车型
平台的技术需求进行系列化产品开发。
（3）工控应用的IGBT芯片：公司成功开发集成1200V300AM7i大电流芯片，部分GWB模块已通过工程机械
电动化客户验证。该产品有望成为公司未来在工业控制及重型装备领域的重要业绩增长点。
（4）SiCMOSFET芯片：公司首款1200V40mohmSiCMOSFET芯片研制成功，已通过可靠性验证；车规1200V1
3mohmSiCMOSFET芯片研制成功，已通过可靠性验证，第三代SiCMOSFET平台已通过特性及可靠性验证，并已
实现小批量出货，SiC芯片技术矩阵日趋完善。
（5）SiCSBD芯片：公司自主研发的SiCSBD（肖特基势垒二极管）芯片已经通过多家终端客户可靠性和
系统级验证，并在重点客户端通过相应的可靠性和板卡级性能测试，部分产品实现批量出货。
（6）GaN芯片：公司自主研发的GaN650V75mohm芯片研制成功，已通过内部可靠性验证流程，正进入客
户导入阶段，现有序安排向多家战略合作客户送样验证。GaN100V平台研发已启动，预计2026年第二季度提
供100V7mohm样品。GaN功率器件的技术实力取得实质性跃升，为拓展AI服务器电源和人形机器人等高增长市
场奠定基础，进一步强化了公司在第三代半导体技术路线的战略竞争力。
未来，随着产线爬坡计划的推进及战略合作伙伴的联合开发，公司将进一步加大研发投入，加速SiC、G
aN器件在战略新兴领域的产业化导入，探索AI服务器电源、智能电网等成长性应用场景，并挖掘先进能源与
新型电力系统等前沿方向的应用潜力，形成从技术积累到成果转化的持续推进。
2、模块产品研发进展
（1）服务器电源SiC模块：公司自主研发的NCBSiC模块成功通过海外主流AI服务器厂商整机认证，并实
现小批量供货。不间断电源（UPS）系统定制的三电平SiC混合模块完成开发，已实现批量供货。
（2）风光储模块：公司的光伏用1000V三电平定制模块开发顺利并大批量交付，储能用650V三电平产品
批量交付。
（3）M7i芯片平台系列化模块：基于自主研制的M7i芯片平台完成系列化功率模块产品的开发，该系列
模块已通过多家行业头部客户的性能测试和认证，技术指标满足风光储等高端应用场景需求，后续将按照计
划启动规模化量产进程。1200V800AGWB模块进入工程机械电动化新赛道。
（4）车规级灌封模块：针对新能源汽车主驱逆变侧和发电侧的不同应用场景，公司相继成功开发了280
-820A/750V灌封模块，均已通过AQG324等相关车规级认证，并通过客户端整车认证，进入大批量生产阶段。
（5）车规级塑封模块：公司的400-800A/750V双面/单面散热塑封模块已批量生产，顺应市场需求，产
能实现翻倍升级，报告期内累计出货170余万只，该塑封模块平台产品对公司2025年新能源汽车主驱逆变模
块的销售增长提供新动力。
（6）EDT3芯片平台车规模块：基于自主研制的EDT3芯片平台，公司成功开发出符合车规级应用的高功
率密度、高可靠性功率模块产品，该系列产品已完成AQG324等车规标准可靠性认证及性能验证流程，并顺利
通过多家头部车企客户的测试和认证审核，部分产品实现批量交付。这标志着公司从芯片设计到模块封装的
全产业链自主可控能力得到头部客户的认可，也为公司进一步拓展新能源汽车主驱市场奠定了坚实基础。
（7）车规级1200VSiC自研模块完成开发，均通过AQG324等车规级认证，并已实现批量供货。
（8）1700V系列化产品：多款产品（75-600A）完成开发，用于高压变频、风电变流器和SVG等多领域，
且产品已通过客户端认证，正在批量供应市场。
（三）研发投入持续加码，核心竞争力稳步增强
2025年，公司持续加大对核心技术的研发投入，并致力于技术产品创新和升级。截至报告期末，公司研
发人员数量为220人，同比增长13.99%，其中硕士、博士合计46人，占研发人员总数的比例为20.91%。2025
年，公司研发投入11535.77万元，占营业收入的比例为8.56%，研发投入同比增长5.10%。截至报告期末，公
司共有专利148项，其中发明专利52项，实用新型专利84项，外观设计专利12项。
（四）品质创优筑根基，卓越追求无止境
2025年，是质量提升之年，公司围绕“提升宏微质量品牌，降低不良质量成本，优化客户质量服务”的
主题，在研发质量、供应商质量、客户质量服务等方面开展了一系列的改善活动，强化质量管理系统建设；
扩大统计过程控制的涵盖项目，对成品测试进行统计良率管控，严控制造过程波动；提高可靠性监控频次和
覆盖面，确保出货产品的高可靠性；加强供应商管理，制定物料质量要求，推行“三化一稳定，严进严出”
理念，对重点物料安排驻厂督造，从源头保障供应链质量。2025年，公司IGBT模块整体良率提升1%，市场端
失效率降低28.20%。公司的整体质量表现获得国内外头部客户的一致认可。
（五）深化战略客户合作，拓宽高端市场布局
公司长期致力于IGBT、FRD、SiC、GaN为主的功率半导体芯片、单管和模块的设计、研发、生产和销售
，同时为客户提供功率半导体器件及系统的解决方案。2025年，公司依托核心技术优势，在工业控制、新能
源汽车、新能源发电等重点应用领域持续突破与积累，优质客户资源不断夯实。在家用电器领域，公司与头
部家电企业达成战略合作，为其新一代智能空调等提供定制化IGBT模块；在新能源汽车领域，公司与国内头
部车企客户实现项目定点，进一步扩大SiC产品在车载领域的配套份额，有力巩固并提升了公司在第三代半
导体赛道的市场竞争力与行业地位。公司在稳步扩容现有客户订单份额的基础上，持续加大营销力度，积极
开拓新客户及新市场，客户矩阵趋于丰富。
（六）公司治理规范高效，提升组织运营颗粒度
2025年度，公司董事会、管理团队严格按照《公司法》《证券法》《上市公司治理准则》《上海证券交
易所科创板股票上市规则》《公司章程》等法律法规和规范性文件及公司内部制度要求，不断完善公司法人
的治理结构，加强内部制度建设与内控体系完善，以精细化流程设计与系统化制度管理反哺生产经营业务稳
健发展。报告期内，公司严格按照上市公司规范运作要求，合规履行信息披露义务，持续加强内控建设，以
高效的法人治理水平和规范的运作水平助推生产经营提质增效。
（七）积极践行ESG发展理念，谱写可持续发展新篇章
2025年，公司首次编制发布《2024年环境、社会和公司治理（ESG）报告》，系统呈现可持续发展实践
成果与责任担当。凭借在环境管理、社会责任、公司治理领域的扎实积累，公司斩获WindESG“A”类、秩鼎
ESG“AA”类、中诚信“A-”类等权威评级，可持续发展能力获资本市场与专业领域双重认可。公司始终将E
SG理念融入战略规划、经营管理与企业文化，构建利益相关方共赢的可持续发展生态。通过与客户、员工、
供应商、社区等协同协作，在绿色生产、责任践行、治理优化等维度持续发力，形成商业价值与社会价值共
生的可持续商业模式。
未来，公司将坚守“绿色、低碳、可持续”发展承诺，立足产业优势夯实ESG管理基础，深化业务与可
持续发展理念的融合创新，发挥行业引领作用，赋能产业链协同发展，持续书写企业与社会、环境和谐共生
的新篇章。
三、报告期内核心竞争力分析
(一)核心竞争力分析
1、技术优势
经过多年的技术沉淀和积累，公司在IGBT、FRD等功率半导体芯片、单管和模块的设计、封装和测试等
方面突破多项核心技术，在芯片领域，主要包括微细沟槽栅、多层场阻断层、虚拟元胞、逆导集成结构等IG
BT芯片设计及制造技术；软恢复结构、非均匀少子寿命控制技术等FRD芯片设计及制造技术；高可靠终端设
计等高压MOSFET芯片设计及制造技术等。在模块封装领域，主要包括超声端子键合、PIN针超声键合、银烧
结、铜烧结、DTS（DieTopSystem）等一系列先进的封装技术。未来，公司将持续高筑核心技术壁垒，夯实
行业竞争力。
2、人才优势
人才是半导体行业的重要因素，是功率半导体企业求生存、谋发展的先决条件。公司是由一批长期在国
内外从事电力电子产品研发和生产、揽获多项专项技术的行业领军人才组建的硬科技企业，研发团队的核心
成员均为从事电力电子器件行业20余载的高级技术人才，曾参与国家“八五”、“九五”、“十一五”、“
十二五”、“十四五”等重大科技专项中IGBT芯片及模块技术攻关项目。为保证研发实力的持续提升，公司
将稳步扩大研发团队规模，强化人才梯队建设。2024年，公司博士后创新实践基地升级为国家级博士后工作
站，该平台将为公司引进高层次技术人才、深化产学研深度融合提供战略支撑，加速科技成果向新质生产力
转化，助推半导体产业高质量发展。
3、产品多品种规模化供应优势
功率半导体器件作为一种最基础的工业电子元器件，下游整机装备客户通常需要多种系列和规格的产品
，为确保整机产品的稳定性，客户倾向于选择同一品牌的一站式采购。公司已构建业内领先的全系列产品矩
阵，通过柔性化产线布局和智能化生产体系，实现从单管到模块的规模化精准供应，为客户提供“多、快、
好、省”的一站式解决方案。在产品种类上，公司形成了从芯片设计到模块封装，从功率二极管到MOSFET、
IGBT，从低频到高频器件，从小功率产品到大功率模块的全系列、多规格产品格局。在产品适用范围上，公
司产品适用于变频器、电焊机、UPS电源、逆变电源、高频开关电源、风光储、新能源汽车电控系统、新能
源汽车充电系统等多元化领域，并积极向AI电源、机器人、先进能源与新型电力系统等场景探索。依托公司
多品种、专业化、规模化的产品供应能力，使得公司具备突出的组合供应能力，能够为各领域客户提供多品
种、多系列、专业化的一揽子产品解决方案。
4、客户资源优势
公司深耕功率半导体行业多年，凭借先进的产品技术、可靠的产品质量及优质的服务，与工业控制、新
能源发电、新能源汽车、家电等领域的龙头企业建立了长期稳定的战略合作关系，并被多家知名客户如汇川
技术、台达集团、英威腾、奥太集团等评选为“优秀供应商”或“重要供应商”。通过深度参与客户需求场
景分析，形成“定制化产品+联合开发”的协同创新模式，持续巩固公司在功率半导体价值链中的核心地位
。
(三)核心技术与研发进展
1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司建立了完整的研发体系和研发管理制度，加强对研发组织管理和研发过程管理，不断强化芯片设计
与工艺实现、模块封装工艺与测试等关键技术的积累，在前沿技术方面不断突破，打造了自身在功率半导体
芯片设计和模块封装领域的核心竞争力。
2、报告期内获得的研发成果
截至报告期末，公司凭借在科技创新工作中的卓越成效，累计获得发明专利授权52项，实用新型专利授
权84项，外观设计专利授权12项，软件著作权3项。
五、报告期内主要经营情况
2025年公司实现营业收入134770.66万元，同比增加1.23%；实现归属于母公司所有者的净利润1711.49
万元，同比增长218.30%；实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润874.14万元，同比增长125
.72%。
●未来展望:
(一)行业格局和趋势
功率半导体器件作为电力电子行业的核心基础元器件，是实现电能转换、控制与高效利用的关键载体，
其技术水平与产业发展直接关联下游各行业的升级转型与能效提升。当前，功率半导体应用场景已从消费电
子、工业控制等传统领域，向新能源发电、新能源汽车、充电桩、数据中心、人形机器人等新兴领域深度延
伸，应用生态持续拓宽，行业发展韧性与增长潜力显著增强。
1.全球行业整体格局与增长趋势
受益于全球可再生能源装机进程加速、数据中心算力需求激增等产业趋势的持续驱动，全球功率半导体
市场规模呈现稳步扩容态势。据Yole预测，2025年全球功率半导体市场规模预计将达到289亿美元，其中IGB
T模块作为核心细分品类,市场规模约为85亿美元。与此同时，全球人工智能技术爆发式发展，人形机器人、
AI数据中心（AIDC）等新兴赛道快速崛起，持续拉动第三代半导体器件（SiC、GaN）的市场需求，为行业发
展注入新的增长动力。
2.新能源汽车及充电桩领域：规模扩容与技术迭代双轮驱动
2025年，中国新能源汽车产业实现跨越式发展，产销量均突破1,600万辆，国内新车市场销量占比成功
突破50%，行业渗透率持续提升。其中，纯电车型销量达1,062万辆，同比增长37.6%；混合动力车型销量达5
86万辆，同比增长14%，两类车型协同发力推动行业整体稳步增长。在产品力与海外市场认可度双提升的背
景下，2025年我国新能源汽车出口量达261万辆，同比增长100%，海外市场拓展成效显著。展望2026年，国
家新能源汽车补贴政策延续实施，预计将进一步释放行业消费潜力，持续推动国产新能源汽车产销量稳步增
长。
充电桩作为新能源汽车核心补能配套设施，市场规模与新能源汽车行业发展深度绑定，呈现同步上升态
势。根据中国充电联盟相关数据，2025年我国充电基础设施增量达727万台，车桩增量比优化至1:1.9，充电
基础设施的建设规模与速度基本匹配新能源汽车行业的快速发展需求，补能保障能力持续增强，为新能源汽
车产业持续增长筑牢配套基础。
新能源汽车与充电设施市场的持续向好，直接带动功率半导体市场需求稳步增长。随着搭载SiC器件的8
00V高压平台车型价格持续下探，新能源汽车行业对SiC器件的认可度及需求同步提升，2025年搭载SiC器件
的车型在新能源汽车市场中的占比有望达到30%。目前，新能源汽车仍是SiC器件市场中最大的应用领域，伴
随行业技术迭代与需求释放，将持续为功率半导体行业带来广阔的增长空间。
3.新能源发电领域：可再生能源主导地位凸显，储能行业爆发式增长
2025年，国内光伏装机量延续增长态势，根据国家能源局相关数据，2025年中国光伏装机增量达315GW
，创下历史新高。尽管受相关政策调整影响，下半年光伏装机量出现阶段性回落，但自2025年9月起，光伏
装机量逐步回暖，行业复苏迹象明显。截至报告期末，风光发电总装机容量在全国电力系统中的占比已达47
%，成功超越传统火力发电装机容量，可再生能源在电力系统中的核心地位进一步凸显，能源结构转型进程
持续加快。
根据CNESADataLink数据，截至2025年12月底，中国电力储能累计装机规模达213.3GW，同比增长54%。
作为“十四五”规划收官之年，2025年储能行业发展成效显著，与“十三五”规划末期相比，锂电池储能占
比由8.2%大幅提升至65.8%，储能技术路线迭代升级趋势显著。
截至2025年12月底，中国新型储能累计装机规模达144.7GW，同比增长85%；2025年新型储能新增装机规
模为“十三五”时期末期的45倍，行业实现爆发式增长。从应用场景来看，新型储能应用场景已从以户侧为
主，逐步转向以独立储能为主，新能源配储占比保持稳定，应用结构持续优化。
随着全球范围内对可再生清洁能源的需求持续攀升，光伏、风电、储能等可再生能源领域的装机规模有
望进一步扩大，为功率半导体器件在电能转换、储能变流等核心环节带来持续且广阔的市场需求，成为行业
稳定增长的重要支撑。
4.工业控制领域：经济复苏带动需求回暖，核心器件价值凸显
功率半导体器件是工业领域电能转换与控制的核心部件，在变频器、伺服系统等工业控制领域发挥关键
作用，其性能直接关乎工业系统的运行效率、稳定性与可靠性。根据北京格物致胜咨询有限公司统计，2025
年，随着宏观经济稳步复苏、制造业产能修复与产业升级需求叠加，国内低压变频器市场规模相较于2024年
同比增长预计将达到3%，市场规模将突破290亿元。
受益于变频器、伺服系统等下游应用市场的回暖，应用于上述领域的功率半导体器件市场有望保持稳定
增长。
5.新兴领域：政策加持与技术突破催生新增量
国家“十五五”规划建议立足新兴产业与未来前瞻性产业培育要求，将AIDC、人形机器人、低空经济、
可控核聚变四大领域纳入重点发展范畴，明确了各领域产业化发展的战略方向，为产业发展提供了坚实政策
支撑。报告期内，上述四大新兴领域呈现快速发展态势，成为驱动功率半导体行业增长的新引擎。
（1）AIDC领域：受益于人工智能的快速发展，算力需求爆发式增长推动数据中心规模持续扩张，新的A
IDC供电架构向高压直流、固态变压器迭代升级，第三代半导体因适配高压化、大功率化需求，成为核心组
件，带动相关功率器件需求大幅增长。
（2）人形机器人领域：随着核心技术迭代及产业化进程提速，头部企业加快量产落地布局，市场规模
持续扩容，其关节驱动、电源管理等核心环节对高效功率器件的依赖性显著提升，带动功率半导体特别是以
GaN为代表的第三代半导体需求稳步提升。
（3）低空经济领域：以eVTOL（电动垂直起降飞行器）、载重无人机为核心的应用场景持续丰富，商业
化试飞有序推进，相关产业链配套逐步完善，其动力系统、电控系统的小型化、高效化需求，推动功率半导
体向高功率密度、低损耗方向升级。
（4）可控核聚变领域：全球范围内研发投入持续加大，我国在关键技术上不断突破，试验装置迭代升
级，为功率半导体提供了长期广阔的市场空间，尤其是磁体电源、辅助加热电源等应用场景下的功率器件需
求潜力凸显。
整体来看，功率半导体行业呈现“传统赛道稳盘、新兴赛道增量、技术迭代升级”的发展格局：新能源
汽车、风光储、工业控制等传统领域为行业提供稳定的基本盘，需求持续释放；AIDC、人形机器人、低空经
济、可控核聚变等新兴领域在政策加持与技术突破下快速成长，成为行业增长新引擎；第三代半导体（SiC
、GaN）凭借高效、节能、高功率密度等核心性能优势，在各高端场景的应用渗透率持续提升，是行业未来
核心发展方向。
公司作为功率半导体领域的核心参与者，将紧密围绕行业发展趋势，持续深耕传统优势领域，积极布局
新兴赛道，加速第三代半导体技术研发与产能释放，紧抓行业发展红利，不断巩固市场竞争力，实现业务的
持续稳健增长。
(二)公司发展战略
2026年是公司转型升级的关键之年。公司将立足功率半导体主航道，秉持“以客户为中心、以创新为驱
动、以人才为根本”的发展理念，坚定不移走自主创新之路，致力于成为具有全球竞争力的功率半导体解决
方案提供商。公司将聚焦第三代半导体技术突破，重点推进IGBT、SiC、GaN等核心器件的技术迭代与产品升
级，推动产品结构向高附加值方向跨越；打造数字化柔性供应链体系，实现客户需求快速响应与运营成本最
优平衡；坚守“质量高于一切”理念，建立零缺陷质量管理体系，以过硬品质塑造可信赖的品牌形象。
2026年，公司将采取“存量深耕+增量开拓”的双轮驱动市场策略，在巩固工业控制、新能源汽车、新
能源发电等成熟市场领先优势的同时，前瞻性布局AIDC、人形机器人、低空经济、可控核聚变、智能电网等
新兴赛道，扩大国内外市场份额。此外，公司还将继续加强人才梯队建设与研发投入，完善公司治理体系，
为战略实施提供坚实保障。
(三)经营计划
2026年是公司由2.0向3.0转型升级的关键之年。公司将牢牢把握“提升产品竞争力，打造柔性供应链，
巩固质量品牌力，抢占市场制高点”的核心工作方针，聚焦功率半导体器件领域，秉持“以客户为中心，以
创新为驱动，以人才为根本”的发展理念，坚定不移地走自主创新之路，具体推进以下工作：
1.强化产品核心竞争力，构筑技术护城河
聚焦高性能、高可靠、集成化、智能化、定制化发展方向，加大核心技术研发投入，重点推进1700VIGB
T模块、GaNHEMT、SiC芯片及灌封/塑封等产品的技术突破与迭代升级，以车规级产品研制为牵引，推动产品
从低附加值向高附加值跨越；同时优化产品矩阵，兼顾高端定位与基础款型，以极致的成本运营管理、品质
把控与售后服务，将产品质量打造为企业最核心的竞争优势，实现从技术跟跑到技术引领的转变。
2.打造柔性供应链，实现高效响应与降本增效
以“最小库存、最短交期”为核心目标，精准响应订单波动与行业海量交付需求；通过IT系统打通订单
、生产、库存、物流全流程信息壁垒，实现需求实时预测与动态调整；推进产品平台化与生产模块化建设，
减少换线时间、优化生产节拍；深化与核心供应商、客户、物流商的战略合作，建立库存动态补给机制，降
低自身库存压力，提升供应链协同效率，同时严控成本，增强经营效益与客户粘性。
3.巩固质量品牌力，夯实发展根基
2026年作为公司三年质量攻坚战的收官之年，公司将持续巩固质量管理成果，完善设计、工艺、生产、
检验全流程标准规范，强化供应链质量管控，提升全员质量意识与质量领导力，构建“零缺陷”理念与持续
改进机制。将质量管控贯穿产品全生命周期，以精益求精的态度打造过硬产品，以高质量赢得客户信赖，让
高质量成为公司的品牌名片。
4.抢占市场制高点，拓展增长新空间
紧盯行业趋势与市场需求，以差异化、敏捷性策略开发新产品、开拓新市场。向成熟存量市场要增量，
向新兴增量市场要突破，巩固现有市场领先优势的同时，重点布局AIDC、低空经济、人形机器人、可控核聚
变、智能电网等新兴赛道，以创新合作模式与产品服务引领市场潮流，在激烈竞争中抢占先机，为公司3.0
时代发展注入新动能。
〖免责条款〗
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