经营分析☆ ◇688766 普冉股份 更新日期：2026-07-29◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.前5名客户营业收入表】【4.前5名供应商采购表】
【5.经营情况评述】
【1.主营业务】
非易失性存储器芯片及基于存储芯片的衍生芯片的设计与销售
【2.主营构成分析】
截止日期:2025-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
集成电路(行业) 23.20亿 99.99 6.58亿 99.98 28.36
其他业务(行业) 12.13万 0.01 12.13万 0.02 100.00
─────────────────────────────────────────────────
存储芯片(产品) 17.87亿 77.05 5.28亿 80.23 29.54
微控制器及其他(产品) 5.32亿 22.95 1.30亿 19.75 24.42
其他业务(产品) 12.13万 0.01 12.13万 0.02 100.00
─────────────────────────────────────────────────
内销(地区) 17.64亿 76.04 4.56亿 69.24 25.83
外销(地区) 5.56亿 23.96 2.02亿 30.74 36.40
其他业务(地区) 12.13万 0.01 12.13万 0.02 100.00
─────────────────────────────────────────────────
代理商(销售模式) 16.08亿 69.30 4.34亿 65.97 27.00
直供客户(销售模式) 7.12亿 30.69 2.24亿 34.01 31.43
其他业务(销售模式) 12.13万 0.01 12.13万 0.02 100.00
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2025-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
芯片收入(产品) 9.07亿 100.00 2.81亿 100.00 31.03
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2024-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
集成电路(行业) 18.03亿 99.99 6.05亿 99.97 33.55
其他业务(行业) 20.15万 0.01 20.15万 0.03 100.00
─────────────────────────────────────────────────
存储芯片(产品) 14.17亿 78.59 4.91亿 81.07 34.61
微控制器及其他(产品) 3.86亿 21.40 1.14亿 18.90 29.63
其他业务(产品) 20.15万 0.01 20.15万 0.03 100.00
─────────────────────────────────────────────────
内销(地区) 15.53亿 86.13 4.79亿 79.10 30.82
外销(地区) 2.50亿 13.86 1.26亿 20.87 50.51
其他业务(地区) 20.15万 0.01 20.15万 0.03 100.00
─────────────────────────────────────────────────
代理商(销售模式) 11.02亿 61.12 3.38亿 55.86 30.67
直供客户(销售模式) 7.01亿 38.87 2.67亿 44.11 38.07
其他业务(销售模式) 20.15万 0.01 20.15万 0.03 100.00
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2024-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
芯片收入(产品) 8.96亿 100.00 3.02亿 100.00 33.74
─────────────────────────────────────────────────
【3.前5名客户营业收入表】
截止日期:2025-12-31
前5大客户共销售6.89亿元，占营业收入的29.68%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│客户名称 │ 营收额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│客户一 │ 19254.76│ 8.30│
│客户二 │ 16611.75│ 7.16│
│客户三 │ 11849.13│ 5.11│
│客户四 │ 11711.31│ 5.05│
│客户五 │ 9425.63│ 4.06│
│合计 │ 68852.58│ 29.68│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【4.前5名供应商采购表】
截止日期:2025-12-31
前5大供应商共采购15.69亿元，占总采购额的75.19%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│供应商名称 │ 采购额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│供应商一 │ 115578.05│ 55.37│
│供应商二 │ 12916.46│ 6.19│
│供应商三 │ 12589.32│ 6.03│
│供应商四 │ 8446.22│ 4.05│
│供应商五 │ 7405.52│ 3.55│
│合计 │ 156935.57│ 75.19│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【5.经营情况评述】
截止日期:2025-12-31
●发展回顾:
一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况说明
(一)主要业务、主要产品或服务情况
公司的主营业务是非易失性存储器芯片及基于存储芯片的衍生芯片的设计与销售，致力于提供高性能、
高可靠性芯片产品及解决方案，公司聚焦于存储器芯片及基于存储芯片的衍生芯片两大产品方向，目前主要
产品包括：非易失性存储器芯片NORFlash、EEPROM和SLCNANDFlash及其衍生产品eMMC、MCP；微控制器芯片
以及模拟产品。其中非易失性存储器芯片及其衍生产品属于通用型芯片，可广泛应用于手机、计算机、网络
通信、家电、工业控制、汽车电子、可穿戴设备和物联网等领域。例如，根据存储需求的不同，公司的NORF
lash产品应用于低功耗蓝牙模块、TWS蓝牙耳机、手机触控和指纹、TDDI（触屏）、AMOLED（有源矩阵有机
发光二极体面板）、可穿戴设备、车载导航和安全芯片等领域。EEPROM产品应用于摄像头模组（含手机、笔
电和新能源车及传统汽车、3D）、智能仪表、工业控制、汽车电子、网络通信、家电等领域。SLCNANDFlash
及其衍生产品应用于可穿戴设备、通讯设备、安防监控、工业控制、汽车电子等领域。微控制芯片（MicroC
ontrolUnit，简称MCU）主要为基于ARMCortex-M系列32位通用MCU产品，可广泛应用于智能家电、可穿戴设
备、物联网、计算机网络、玩具、安防等消费类及各类工业控制、车载领域；模拟产品的第一个产品系列为
音圈马达驱动芯片（VoiceCoilMotorDriver，简称VCMDriver），目前提供开环、闭环驱动以及光学防抖等
芯片产品，主要应用于摄像头模组（含手机和非手机），公司基于存储、模拟及传感器技术的积累和延展，
持续研发推出面向更高端客户需求的音圈马达驱动芯片产品。
公司团队在非易失性存储器芯片领域深耕多年，凭借其低功耗、高可靠性的产品优势，在下游客户处积
累了良好的品牌认可度，成为了国内NORFlash和EEPROM的主要供应商之一。在此基础上，公司实施“存储+
”战略，积极拓展微控制器及模拟芯片领域，依托公司在存储领域的工艺、技术优势和平台资源，实现向更
高附加值领域和更多元化的市场拓展。
2025年下半年度，公司通过收购诺亚长天公司部分股权实现对SkyHighMemoryLimited的间接控股，借力
此次产业并购，公司不仅扩充了存储器芯片领域的产品线、充实了相关技术储备，更进一步增强了自身在存
储器芯片领域的全球战略布局。与此同时，公司持续推进海外业务布局，实现了在日本、韩国、美国等多家
的知名大客户导入，产品应用领域涵盖消费、工控、光伏及车载，增强了在全球市场的影响力。
主要产品或服务情况
1、存储系列芯片
报告期内，公司实现存储系列芯片营业收入17.87亿元，同比上升26.10%，毛利率29.54%，同比下降5.0
7个百分点，出货量71.83亿颗，同比上升6.06%。
（1）NORFlash产品
NORFlash具备随机存储、读取速度快、芯片内执行（XIP）等特点。作为数据读取和存储的重要器件，
其主要功能是数据的存储和读取，同时实现开机启动等固定运行的程序。由于NORFlash不必把应用程序代码
读到系统RAM中即可直接运行，使得NORFlash在运行程序时优势更显著，适用于开机响应时间、可靠性等要
求较高的电子设备。基于NORFlash上述应用特点及性价比优势，其被广泛应用于手机，电脑，可穿戴等消费
类电子、汽车电子、安防、工控、基站、物联网设备等其他领域。
公司NORFlash产品采用电荷俘获（SONOS）及浮栅（ETOX）工艺结构，提供了512Kbit到1Gbit容量的系
列产品，覆盖1.1V-3.6V的操作电压区间，具备低功耗、高可靠性、快速擦除和快速读取的优异性能，公司N
ORFlash产品应用领域集中在蓝牙、IOT、BLE、AMOLED、工业控制等相关市场。目前公司40nmSONOS工艺制程
下4Mbit到128Mbit容量的全系列产品均已实现量产，处于行业内领先技术水平。公司40nm工艺节点已成为公
司SONOS工艺结构下NORFlash产品的主要工艺节点，能够进一步提高公司产品的成本优势，同时更好的满足
下游应用的面积需求。公司SONOS工艺的第三代40E平台4Mbit~64Mbit小容量系列已实现批量出货；128Mbit
容量系列将于今年完成开发，该平台系列将继续助力公司保持行业领先的成本优势。
此外，公司也并行采用浮栅（ETOX）工艺结构，提供以中大容量为主、中小容量为辅的系列产品，目前
55nm及50nm制程实现了4Mbit~1Gbit全容量系列产品量产出货。报告期内，公司4Xnm16Mbit~64Mbit产品均已
量产出货，应用于IPC、CAT1（LTEUECategory1，智能网联终端）等领域。同时，公司ETOX工艺平台1.65V~3
.6V宽压系列已完成部分容量产品的量产；256Mbit~1Gbit大容量产品已交付了部分工控、通讯、PC、服务器
等客户。未来将继续通过工艺研发和设计创新实现产品完备化，实现公司在大容量市场的快速导入，持续提
升公司在NORFlash领域的市场占有率。
公司中小容量SONOSNORFlash车载产品已陆续完成AEC-Q100认证，主要应用于部分品牌车型的前装车载
导航、中控娱乐等。同时，公司全容量ETOXNORFlash系列产品通过AEC-Q100车规认证，为公司在汽车电子领
域的进一步发展奠定了坚实的基础，打开了更加广阔的市场空间。公司推出的超低电压超低功耗新一代SPIN
ORFlash系列新产品，支持1.1V电源系统，同时具备宽电压范围，可涵盖1.2V和1.8V系统，该产品系列计划
覆盖4Mbit-128Mbit的容量区间，应用于基于嵌入式SoC、手持移动应用、多媒体信息处理等场景中，能显著
降低运行功耗，有效延长设备的续航时间。同时，在NORFlash多款产品封装可靠性上进一步优化，可为客户
提供更高可靠性的产品品类。
（2）EEPROM产品
EEPROM是一类通用型的非易失性存储器芯片，在断电情况下仍能保留所存储的数据信息，可以在计算机
或专用设备上擦除已有信息重新编程，可擦写次数至少100万次，数据保存时间超过100年。该类产品相较于
NORFlash的容量更小、擦写次数高，因此适用于各类电子设备的小容量数据存储和反复擦写的需求，广泛应
用于智能手机摄像头、工业控制、汽车电子、液晶面板、蓝牙模块、通讯、计算机及周边、医疗仪器、白色
家电等领域。
公司已形成覆盖2Kbit到4Mbit容量的EEPROM产品系列，操作电压覆盖1.2V-5.5V，主要采用130nm工艺制
程，具有高可靠性、体积小、性价比高等优势，同时实现了分区域保护、地址编程等功能，可对芯片中存储
的参数数据进行保护，避免数据丢失和篡改，可擦写次数可达到400万次，数据保持时间可达200年。公司部
分中大容量产品采用55nm工艺制程并已实现量产，公司EEPROM产品P24C/P25C系列满足1000万次擦写寿命，1
00年数据保存的高可靠性要求。图：公司EEPROM产品
公司持续推进EEPROM产品在工业控制和车载领域的应用，工业控制上应用占比显著提升，对稳定公司毛
利率起到一定作用；报告期内，公司拓展了该产品线的海外供应链。同时，公司车载产品完成AEC-Q100Grad
e1标准的全面考核，在车身摄像头、车载中控、娱乐系统等应用上实现了海内外客户的批量交付，同时完成
了多家国内Tier1厂商的认证，汽车电子产品营收占比有所提升；同时公司持续推进EEPROM产品全系列的车
规认证。
公司超大容量EEPROM系列产品，支持SPI/I2C接口和最大4Mbit容量，其中2Mbit产品批量用于高速宽带
通信和数据中心。
与此同时，公司推出的超低电压1.2V系列EEPROM已实现量产出货，涵盖32Kbit至512Kbit，是目前行业
内工艺节点领先和容量覆盖面较为完备的超低电压产品线。
报告期内，公司EEPROM产品线重要组成部分SPD（SerialPresenceDetect，串行存在检测，一种访问内
存模块有关信息的标准化方式）产品线批量出货，在持续推进重点大客户的验证和送样。该系列主要产品为
SPD及TS（TemperatureSensor，温度传感器），具有高可靠性特点，能够满足相关应用场景对数据保存的较
高要求，主要配套新一代DDR5内存条，应用于计算机和服务器内存条，可存储内存条相关信息，如内存的容
量、速度、电压等，帮助计算机系统正确识别和配置内存，确保内存正常工作。后续产品推广速度将一定程
度受益于DDR5内存模组渗透率的提升。
（3）SLCNANDFlash及其衍生产品
（3.1）SLCNANDFlash产品
SLCNANDFlash（单层单元闪存）是一种高可靠性、高性能的闪存存储器，其每个存储单元仅存储1bit数
据，凭借这一简洁的存储结构，SLCNANDFlash具备读写速度快、擦写寿命长、数据稳定性强、抗干扰能力优
异等显著优势，可达到10万次以上的编程/擦除周期。作为高可靠性的数据存储载体，它主要承担高频次读
写、高安全性要求的数据存储任务，可快速完成数据的写入、读取与擦除操作。由于无需频繁进行数据纠错
与磨损均衡的复杂调度，SLCNANDFlash常被应用于工业控制、汽车电子、网络通信、嵌入式系统及高端物联
网设备等领域，同时也被应用于部分高端消费电子的数据存储模块，为设备的高效运行提供坚实的存储支撑
。
公司于2025年11月通过现金收购诺亚长天部分股权实现对SkyHighMemoryLimited的间接控股。SHM提供
中高端应用的高性能2DNAND及衍生存储器（SLCNAND，eMMC，MCP）产品及方案，其SLCNANDFlash产品以高可
靠、宽温、长寿命为核心优势，覆盖并行与串行两大接口，容量覆盖1Gbit–16Gbit，适配工业、汽车、通
信等对稳定性要求严苛的场景，满足AECQ100与+105℃高温运行需求。公司SLCNANDFlash同时布局16nm、32n
m、41nm等多代际工艺产品线，紧凑封装设计更好满足下游嵌入式设备的空间需求，凭借成熟工艺保障长期
稳定供应。目前，公司产品已通过全球多家大型客户的平台验证，未来将继续通过工艺迭代和方案创新完善
产品矩阵，持续提升在高端消费、工业与车规SLCNAND领域的市场占有率。
（3.2）eMMC产品
eMMC（嵌入式多媒体卡）是一种集成化的非易失性存储方案。它将NANDFlash存储芯片与控制芯片封装
在同一模组内，适合在各类安卓系统的嵌入式设备。具备集成度高、体积小、功耗低的特点，适配嵌入式设
备的紧凑设计需求，主要承担系统存储和数据存储功能，广泛应用于手机、平板、智能电视、车载中控等消
费电子与嵌入式终端。
SHM提供高性能eMMC产品及方案，其eMMC延续了公司在高可靠性存储领域的技术积累，以工业级与车规
级标准为核心设计导向，具备宽温操作、强抗干扰、长久数据保持与高耐用性等突出优势。产品支持eMMC5.
1及以上协议标准，容量覆盖从2GB至64GB，可灵活适配不同系统对存储空间与性能的需求。在工艺与封装方
面，SHM的eMMC覆盖16nm制程，采用先进的控制器设计与稳定的2DMLCNANDFlash存储芯片，结合紧凑型封装
技术，在有限空间内实现高容量存储，满足嵌入式设备对结构轻量化与模块化的要求。产品全面符合工业与
汽车电子相关可靠性标准，支持-40℃至+105℃的宽温范围操作，并通过AEC-Q100等车规认证，确保在严苛
环境下仍能保持稳定读写与长时间数据留存。
SHM将持续推进eMMC产品在容量、速度与安全功能上的迭代升级，积极布局大容量、高性能且具备硬件
加密、安全启动等增强功能的产品系列，加快其在车载信息系统、工业自动化、智能物联网、边缘计算设备
以及高端消费电子等领域的市场渗透。目前，SHM的eMMC已通过多家主流客户的严格平台验证。公司将继续
依托工艺进步与系统级方案创新，不断完善存储产品矩阵，巩固并在工业与汽车存储市场中提升竞争力与占
有率。
（3.3）MCP产品
MCP（多芯片封装）是一种芯片封装技术，并非特定存储类型。它将多种不同功能的芯片（如DRAM+NAND
Flash）集成在一个封装体内。其特点是大幅缩小占用空间、简化设备电路设计、提升数据传输效率，适配
手机、可穿戴设备及物联网模组等对空间要求严苛的产品，是实现设备小型化、轻薄化的重要技术。
SHM的MCP产品充分发挥了其在SLCNAND领域的核心技术优势，以工业级与车规级可靠性为根基，将高耐
久、宽温幅、长寿命的SLCNAND闪存与经过优化匹配的低功耗DRAM进行系统化整合。产品具备优异的抗振动
、抗干扰能力与长期数据保持特性，能够在复杂的电磁环境及-40℃至+105℃的宽温度范围内稳定工作，全
面满足AEC-Q100等车规认证要求，为关键应用提供坚固的存储核心。
在技术与设计层面，SHMMCP采用成熟的芯片堆叠与互联工艺，通过精心设计的信号完整性与电源管理方
案，确保内嵌的NAND与DRAM之间高效、稳定的协同工作。其紧凑的封装形式显著节省了PCB布局空间，降低
了外围电路设计的复杂性，同时缩短了芯片间的数据传输路径，有助于提升系统响应速度与整体能效。产品
容量组合灵活多样，可提供不同比例的NAND（如8Gb至16Gb）与DRAM（如8Gb至16GbLPDDR4x）配置，以满足
从轻量级物联网模块到高性能车载信息娱乐系统等不同层次的应用需求。
面向工业自动化、汽车电子（如仪表盘、ADAS、车载信息终端）、高端物联网网关、便携式医疗设备及
对空间极度敏感的通信模块等市场，SHM的MCP提供了即用型的高可靠性存储内存一体化方案。未来，SHM将
持续推进MCP产品在容量提升、功耗优化及安全强化等方面的迭代，并通过与主控平台的深度适配，进一步
巩固其在高端嵌入式存储领域的综合供应能力与市场地位。
2、“存储+”系列芯片
报告期内，公司实现“存储+”系列芯片营业收入5.32亿元，同比上升37.91%，毛利率24.42%，同比下
降5.21个百分点，出货量14.63亿颗，同比上升68.18%。
（1）MCU产品
MCU是微控制单元，又称单片机，是把CPU（中央处理器）的频率与规格做适当缩减，并将内存、计数器
、USB、A/D转换、DMA等周边接口，甚至包括TFT、LCD、LED驱动电路等整合在单一芯片上形成的芯片级计算
机，可广泛应用于各类消费电子产品，如智能可穿戴设备、电机与电池、传感器信号处理、家电控制、计算
机网络、通信、工业控制、汽车电子等应用领域。
公司基于领先工艺和超低功耗与高集成度自有设计的存储器优势，布局ARMCortex-M内核系列32位通用
型MCU产品。截止2025年末，公司已成功量产M0+及M4的五大产品系列、超两百款MCU产品，覆盖55nm、40nm
工艺制程，产品支持24MHz~170MHz主频、24KByte~512KByteFlash存储容量、USB/CAN/SDIO/Ethernet等主流
接口，以及20~100IO的多种封装形式，形成宽电压、低功耗、-40℃~105℃/125℃高温等高质量、高可靠性
、高性价比通用产品矩阵。产品主要应用于智能家居、小家电、白电、BMS、无人机、电机驱动、工业、健
康管理等下游领域，国产替代趋势下持续导入空间较大。
公司通过持续扩充MCU研发、芯片测试、方案开发、应用支持及市场业务人员团队，大力推进MCU完整生
态建设。公司持续和KEIL/IAR深入合作，为客户提供PY32全系列MCU的开发环境和编译器支持；升级了自带
仿真功能的新版Starkit开发板，便捷了工程师调试及客户的应用；推出了PYStudio上位机开发工具及Flyth
ings图形化代码生成工具，可以一键生成代码，加快开发者开发进度；完成了PY32系列烧录器的开发，为客
户提供高品质的烧写服务；同时开发了各类先进的电机方案并量产；公司网站也进行了全面的产品及技术支
持内容相关升级，旨在提升客户实用性及用户感受。
报告期内，公司从功能开发、性能升级、使用场景多样化、封装形式全覆盖等多个角度持续拓展MCU产
品系列，并逐步导入消费电子、家用电器、工业控制等众多下游应用终端中，具体如下：
1）公司基于空调、洗衣机、冰箱等白电的变频、电机、主控及触摸、HMI显示等多模块推出对应系列产
品。报告期内，对应领域M0+和M4多系列已量产，主频覆盖48MHz~170MHz，支持多种封装形式，应用场景包
括家电主控，触摸控制、变频电机及压缩机、PFC、旋钮屏和双变频等高端场景；
2）公司在电机专用MCU领域已构建完整的产品矩阵，其系列芯片支持48~144MHz主频，在电机控制应用
方面，公司MCU已实现单芯片集成预驱+控制方案，支持BLDC/PMSM电机的无感FOC控制算法，广泛应用于风机
、水泵、电动工具等场景。特别开发的PY32MD系列专用MCU内置三相半桥栅极驱动器，集成运放和比较器，
可显著减少外围器件数量，降低系统BOM成本30%以上。目前该系列产品已通过工业级可靠性验证，并逐步向
车规级应用拓展，满足从家电电机到工业伺服系统的多样化需求；
3）公司基于ARM内核的M4MCU产品目前已有28颗料号量产出货，主频高达170MHz，涵盖主流通用M4内核M
CU应用。其中，高性价比Y32F410系列具备丰富的软件资源，支持OTA时边读边写。产品受到舞台灯（多PWM
）、电机控制、手持云台、雷达、TFT屏幕驱动、游戏手柄等诸多应用领域客户认可，已进入小米、美的、
云鲸等品牌客户供应链体系，协助客户实现低成本、高性能控制；
4）公司基于ARM内核的M0+系列MCU在取得大批量量产和众多客户认可的基础上，持续迭代，不断推出高
性价比，低功耗产品系列。目前M0+系列MCU已涵盖从24MHz到72MHz主频，从12KByte到256KByte片内Flash，
从5pin到64pin，超200个产品，为客户需求提供精准匹配，在消费、工业、家电市场均实现大批量稳定供货
。
（2）模拟产品VCMDriver芯片
音圈马达（VCM）是摄像头模组内用于推动镜头移动进行自动聚焦的装置，音圈马达驱动芯片（VCMDriv
er）为与音圈马达匹配的驱动芯片，主要用于控制音圈马达来实现自动聚焦功能。目前，开环式、闭环式、
光学防抖式是音圈马达驱动芯片最为常见的三类产品，主要应用于摄像头模组领域。
公司目前多款开环的音圈马达驱动芯片产品均已量产出货。该系列产品可有效降低产品功耗，缩小芯片
面积，以顺应各类智能终端轻薄化的发展趋势。报告期内，公司推出最新一代开环驱动产品，整合底置、中
置等多颗料号，简化客户选型流程，实现产品型号高效适配。同时，公司推出面向主摄长焦及潜望镜头的新
一代OIS（光学防抖音圈马达驱动）芯片，现已实现规模化大批量量产。此外，公司规划推出适配长焦相机
、Vlog相机等终端的OIS芯片，以满足长行程、防抖、高清成像等更严苛的产品需求。报告期内，公司推出
首款闭环驱动芯片，可满足大行程应用需求，适配折叠屏、潜望式摄像头等高端应用场景。
公司VCMDriver产品能与EEPROM产品形成良好的协同效应，提升公司在摄像头模组领域的竞争优势和市
场占有率。
新增重要非主营业务情况
公司于2025年11月以现金收购方式，控制珠海诺亚长天存储技术有限公司51%股权，将其全资子公司Sky
HighMemoryLimited纳入上市公司合并范围。其中，SHM为一家注册在中国香港的半导体企业，专注于提供中
高端应用的高性能2DNAND及衍生存储器（SLCNAND，eMMC，MCP）产品及方案，核心竞争力为固件算法开发、
存储芯片测试方案、集成封装设计、存储产品定制。其主要产品或服务详见(一)主要业务、主要产品或服务
情况之（3）SLCNANDFlash及其衍生产品。
(二)主要经营模式
公司的主要经营模式为Fabless模式，该模式下公司仅需专注于从事产业链中的集成电路的设计和销售
环节，其余环节委托给晶圆制造企业、晶圆测试企业和芯片封装测试企业代工完成。
1、研发模式
在Fabless模式下，产品设计研发环节是公司运营活动的核心。公司紧密跟踪与了解市场需求，通过可
行性分析和立项，将市场现时或潜在应用需求转化为研发设计实践，通过一系列研发工作，将研发设计成果
体现为设计版图，最终经由晶圆代工厂、晶圆测试厂和封装测试厂的配合完成样品的制造、测试和封装，达
到量产标准。公司与主营业务相关的核心专利均属公司所有。
2、采购与运营模式
在Fabless模式下，公司专注于集成电路的设计和销售，而晶圆制造、晶圆测试、芯片的封装测试通过
委外加工方式完成。其中，公司委托晶圆代工厂进行晶圆制造，委托晶圆测试厂进行晶圆测试服务，委托封
装测试厂进行封装测试服务。
3、销售模式
公司采用“经销+直销”的销售模式。经销模式下，经销商根据终端客户需求向公司下订单，并将产品
销售给终端客户；公司与经销商之间进行买断式销售，公司向经销商销售产品后的风险由经销商自行承担。
直销模式下，终端客户直接向公司下订单，公司根据客户需求安排生产与销售。公司产品的定价机制是根据
存储器芯片市场价格与客户协商定价。
根据产品形态的不同，公司销售产品可以分为未封装晶圆（KnownGoodDie，即KGD）和成品芯片，其中
未封装晶圆主要销售给采用SIP系统级封装方式生产的主控芯片厂商。两种形态的产品在芯片电路、制造工
艺等方面不存在差异。
(三)所处行业情况
1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
（1）公司所处行业
公司主要从事集成电路产品的研发设计和销售，根据中国证监会《上市公司行业分类指引》，公司所处
行业为“C制造业——C39计算机、通信和其他电子设备制造业”。根据《国民经济行业分类（GB/T4754—20
17）》，公司所处行业为“6520集成电路设计”。
（2）所处行业情况
集成电路行业作为全球信息产业的基础，经历了60多年的发展，如今已成为世界电子信息技术创新的基
石。集成电路行业派生出诸如5G、6G、物联网、智能手机、数字图像、云计算、大数据、人工智能等诸多具
有划时代意义的创新应用，成为现代日常生活中必不可少的组成部分。集成电路行业主要包括集成电路设计
业、制造业和封装测试业，属于资本与技术密集型行业，业内企业普遍具备较强的技术研发能力、资金实力
、客户资源和产业链整合能力。
近年来，得益于技术进步、市场需求增长以及政策扶持等多重因素推动，全球半导体行业呈现出快速发
展的态势。作为现代信息技术产业的核心，半导体在通信、消费电子、工业控制、汽车电子等领域发挥着不
可替代的作用，其重要性日益凸显。随着智能汽车、AI大模型等新兴场景的涌现，对存储需求的增长提供了
强劲动力。存储技术升级和容量提升将进一步推动行业发展。
本轮存储超级周期主要由AI驱动，随着大模型从训练走向推理和AI智能体应用的不断涌现，AI基础设施
产生海量数据存储与高速访问需求。国际先进的IDM存储大厂将产能优先分配给高端产品，使得用于消费电
子的通用内存供应缩减。同时消费电子市场库存去化完成，出货量复苏，进一步加剧需求压力。受到供给和
需求双向挤压的作用，本轮存储产品量价齐升。但同时，也对存储芯片的性能、容量、读写速度、体积、功
耗等方面都提出了更高的要求。
中国作为全球最大的半导体市场之一，其半导体产业规模不断扩大，技术水平逐步提升，一批具有国际
竞争力的企业开始逐步崭露头角。尽管如此，在部分高端芯片、关键设备等领域，与全球领先水平相比，我
国仍存在明显差距。为提升中国半导体产业的自主创新能力，实现核心技术突破，国家出台了一系列扶持政
策，国产替代势在必行。国产芯片目前逐步朝着高性能、高效能演进，市场应用场景多元化、产业竞争格局
逐步清晰化等趋势显现。
随着经济的复苏和技术的进步，在政策的持续扶持和市场的推动下，中国半导体行业有望实现快速发展
。我国优秀企业也将努力追赶，不断缩小与国际先进水平的差距，为全球半导体产业的繁荣作出贡献。
（3）主要技术门槛
集成电路设计行业是典型的技术密集、知识密集和资本密集型行业，拥有较高的行业准入壁垒，行业产
品具有高度的复杂性和专业性，在电路设计、软件开发等方面对创新型人才的数量和专业水平均有很高要求
。由于国内行业发展时间较短、技术水平较低，高端、专业人才仍然十分紧缺，和国际顶尖集成电路企业相
比，国际市场上主流的集成电路公司大都经历了四十年以上的发展。国内同行业的厂商仍处于成长的阶段，
与国外大厂依然存在技术差距，尤其是制造及封装测试环节所需的高端技术支持存在明显的短板，目前我国
集成电路行业中的部分高端市场仍由国外企业占据主导地位。因此，产业链上下游的技术水平也在一定程度
上限制了我国集成电路设计行业的发展。
就公司产品涉及的技术来看，存储器芯片产品的标准化程度较高，差异化竞争较小，因此工艺水平创新
和研发技术升级是存储器芯片公司的核心竞争力体现，存储器芯片的工艺水平创新可以使得公司在优势领域
保持领先性。同时，工艺创新及研发技术升级还体现在工艺制程和产品性能两方面。工艺制程方面，受限于
摩尔定律及底层架构技术的应用，向更高制程迭代需要公司在工艺设计、专利等知识产权、底层架构授权等
方面具备坚实的技术储备，而综合芯片设计的研发周期、不同工艺下的制造周期、产品的市场销售周期等因
素，NORFlash和EEPROM的产品迭代周期为3-5年，这要求公司在擅长领域持续投入研发；产品性能方面，合
格的芯片产品需要在功耗、可靠性、读取速度、寿命等性能指标满足市场要求，并不断进行指标上的突破和
优化，能适用于市场上种类繁多的各种电子系统，因此芯片设计公司需要具备从芯片工艺、电路、到系统平
台等全方位的技术储备。
行业内的新进入者缺乏先发优势以及客户资源优势，往往需要经历较长一段时间的技术摸索和积累时期
，此外，由于终端客户出于对供应商可持续发展能力及产品平台优势等因素的综合考量，新进企业需要大力
更新竞争优势和创新技术，才能和业内已经占据技术优势的企业相抗衡。
MCU领域的设计人员需要熟悉各类硬件架构、指令集、接口、协议等，以创建高效、可靠且功能丰富的M
CU产品，同时要求其具备深入理解低功耗设计、电磁兼容性、热设计等方面的综合专业能力。同时，行业考
验企业对硬件、软件的开发和设计能力，以及其建立起来的生态环境成熟度，确保产品能够执行复杂的指令
和算法，同时与各类外部设备和系统进行交互，从而在各种应用场景中能够稳定、高效运行。上述门槛共同
构成了MCU行业的技术壁垒，需要企业持续投入研发，积累市场洞察力才能应对。
2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
（1）NORFlash行业
公司是中国大陆主要的NORFlash存储器芯片供应商之一。据Web-FeetResearch报告显示，在2024年NORF
lash市场销售额排名中，公司位列全球第五。2025年全年，公司NORFlash产品线出货量突破历史新高，累计
出货量超55亿颗。
从工艺水平来看，公司作为行业首家采用电荷俘获的SONOS工艺设计NORFlash的公司，充分发挥产品的
性价比、体积、功耗、读写速度等优势。在工艺节点上，基于SONOS工艺的平台特点，公司第二代40nm制程
产品已经成为量产交付主力，实现了升级替代；公司也已经推出第三代40E系列产品。相对于行业主流的ETO
X55nm工艺制程，SONOS40nm及以下节点的NORFlash产品具备更高的芯片集成度、更低的功耗水平，更优的性
价比优势，帮助公司保持了在该行业的领先优势。
从细分市场来看，公司NORFlash产品在512Kbit~128Mbit以内的中小容量市场具备竞争优势，占据较大
的市场渗透率。此外，公司基于ETOX传统工艺，持续开发4Mbit~1Gbit系列产品的研发设计，目前已经大批
量产出货，公司256Mbit~1Gbit产品应用于PC、通讯、服务器等领域，并持续推进客户拓展。至今为止，公
司可以提供基于两种工艺平台的全系列NORFlash产品线，为客户提供更好的平台化服务。
此外，公司ETOX平台最新一代制程已达4Xnm，实现了16Mbit~64Mbit的批量出货，为行业领先水平。
未来，公司将在全容量范围领域加速布局NORFlash产品，基于原本擅长的消费电子领域，持续推进5G、
工控、车载电子等更多的高端应用领域，进一步提升公司在NORFlash领域的行业地位。
（2）EEPROM行业
公司深耕于EEPROM行业，具备丰富的产业经验和深厚的技术积累，在芯片设计上实现了更高的可靠性以
及分区域保护、地址编程等功能。同时，基于对芯片的制造工艺的深度了解，研发团队在行业主流的130nm
工艺制程基础上对存储单元结构和操作电压进行了改进和优化，实现55nm制程产品量产，降低了公司EEPROM
芯片面积，提高了产品的成本竞争优势。
近年来公司的EEPROM出货量呈现明显的增长。据Web-FeetResearch报告显示，在2024年EEPROM市场销售
额排名中，公司位列全球第六。2025年全年，公司EEPROM产品线出货量突破历史新高，累计出货量超15亿颗
。
从应用领域来看，聚辰股份和公司的EEPROM主要应用于摄像头模组。多摄像头配置拉动下游智能终端市
场增长，进而带动EEPROM市场需求增长，公司现已成为国内外摄像头模组市场中主要的EEPROM供应商，在该
领域保持着较强得产品竞争力。
从产品体系来看，公司和国内外竞争对手，产品阵列差别不大。但由于该产品线推出时间较晚，与各大
海外大厂，如意法半导体、安森美等，在汽车电子、工业控制领域的客户资源积累仍然存在差距，尚未形成
具有较强竞争力，仍有进一步提升的空间。2025年公司在工控、车规、商用领域的客户推进均取得了进展。
伴随着公司在海内外市场的业务铺设和开展，以及公司EEPROM产品在工业控制及车载电子领域的大力拓
展，公司的EEPROM出货量有望持续攀升，公司在EEPROM领域的行业地位有望得到进一步的巩固和提升。
（3）MCU行业
作为国内领先的非易失性存储器芯片供应商，公司借助设计与工艺的协同优势，在先进逻辑工艺平台优
化嵌入式存储器技术，并构建通用高性能和高可靠性的MCU产品平台。公司自主研发的IP使得产品具备芯片
尺寸、功耗及读取速度等应用特性优势，以及存储器擦写及数据保持时间等可靠性优势。同时，公司作为全
球极少数掌握工艺技术的Fabless厂商，先进工艺开发和演进能力结合设计优势，构筑了行业领先的成本控
制能力和面向通用产品领域的长期竞争力。
公司于2022年初向市场全面推出MCU。截至2025年底，公司MCU产品总出货量已突破24亿颗,实现了市场
的快速获取，逐步树立了市场品牌形象，获得了多领域、多客户的认可。
公司通用MCU产品采用M0+及M4内核，提供全系列宽电压、工业温度范围(-40℃~105℃/125℃)产品，以
消费类为主，工业及其他应用功能为辅。通用MCU业务涵盖智能硬件、影音、家电、物联网、个人护理、BLD
C无刷电机（风机及水泵）、BMS、电动自行车、家用医疗、逆变器、安防、消防、车载后装及汽车电子周边
等。后续公司将以消费类应用为基盘，加大工业应用领域投入和成长，为长期的高端应用市场打下基础。
从行业格局来看，国内MCU芯片市场主要被瑞萨电子、恩智浦、意法半导体等国外厂商占据，从国产化
率来看，国产替代仍有较大空间。相较于全球MCU市场的格局的区别，国内MCU厂商主要集中于消费市场，在
工业和汽车电子领域的占比较低，公司目前在工业和汽车电子领域尚未形成具有较强竞争力的产品，公司产
品市场和竞争力仍有较大的拓展机会。
从产品系列和生态环境建设来看，公司对比瑞萨电子、恩智浦、英飞凌、意法半导体等行业头部厂商依
旧有较大差距，公司已持续布局软硬件开发和生态建设投入，未来公司竞争力具备较大提升空间。
虽然MCU市场竞争者较多，但前排的优质企业都具备自身的核心竞争优势，且坚定持续投入发展。未来
，公司将持续进行工艺升级、发挥工艺优势及成本管控优势，提升产品竞争力，以获取市场份额及行业地位
的进一步提升。
（4）VCMDriver行业
公司作为VCMDriver行业的新入局者，依托于产品本身及可协同客户资源，已经实现独立开环及存储二
合一产品的大量出货，主要应用于摄像头模组（CCM），与公司原本的EEPROM产品下游CCM领域形成出货协同
，可以更好的满足下游终端客户的需求。同时，公司基于存储、模拟及传感器技术研发VOIS和OIS光学防抖
产品，均已实现批量出货（VOIS指不带MCU的分体式光学防抖，OIS指带MCU的一体式光学防抖）。报告期内
，公司已经推出第一代闭环系列产品，实现对高端客户较大行程范围的需求。
从产品体系来看，公司目前的出货主力由入门级的开环产品，逐渐向光学防抖系列升级，但尚未形成品
牌知名度，与韩国动运、罗姆半导体、旭化成、安森美等目前全球市场上的音圈马达驱动芯片头部厂商具有
一定的差距。
公司凭借核心研发团队所具备的模拟设计基因，实现了模拟芯片产品探索的第一步。但公司在逐步向平
台型公司过渡的过程中，和行业模拟公司产品推出的时间、下游客户积累等均存在差异，后续产品本身及市
场导入仍然存在较大提升空间。
（5）2DNAND行业
公司于2025年11月以现金收购方式，实现对SHM的间接控股，而在2DNAND这一重要细分市场中，SHM展现
出强劲的竞争力与明确的行业地位。依据TrendForce等第三方市场调研数据，在2024年全球SLCNANDFlash市
场中，SHM已位列全球第四大供应商，仅次于铠侠、美光和华邦，在该细分领域具备一定的市场份额和行业
影响力。
从技术与产品化能力来看，SHM的SLCNANDFlash产品在存储芯片的平台化开发与客户服务方面具有丰富
经验，这种能力可有效服务于SLCNANDFlash产品线的拓展与客户定制化需求对接，提供稳定、多元的存储解
决方案。SHM作为高端供应链整合者与解决方案提供商，体现了其在质量控制、客户服务及下游渠道拓展方
面的强大能力。在工艺节点上，SHM基于16nm制程SLCNANDFlash产品以及基于先进制程MLCNANDFlash的eMMC
产品已经量产，相较于国内主流制程具备领先性。从细分市场来看，SHM的2DNAND及其衍生产品凭借其高可
靠性和快速读取特性，面向工业及车载领域已通过全球多家大型客户的平台验证，而公司基于在消费电子等
领域积累的坚实基础与客户口碑，正持续将存储产品向5G通信、工业控制、汽车电子等对可靠性、耐久性要
求严苛的高端应用领域推进。这些领域是2DNAND的关键需求市场，为公司带来了广阔的增长空间与价值提升
。
未来，公司在2DNAND领域也具备持续向更高性能、更广容量范围产品演进的研发与量产潜力，这将有助
于其不断丰富产品组合，满足多元化市场需求，增强客户黏性。
3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
（1）新技术
NORFlash：公司是业界首家创新性采用SONOS工艺设计量产NORFlash的厂商，相较传统的浮栅技术，SON
OS电荷俘获技术在芯片尺寸、功耗、性价比方面具备优势。制程方面，公司第二代40nm制程系列产品已经成
为出货主力，显著提升了产品性能和成本效益。报告期内，公司已经推出第三代40E产品，保持了公司在行
业内的领先优势。容量方面，公司采用创新工艺SONOS平台，研发出256Kbit~128Mbit全系列产品，体现了公
司工艺水平和设计能力的高效融合能力。公司基于SONOS工艺平台，公司研发成功并推出1.1V超低电压超低
功耗NORFlash产品，具备宽电压范围，可涵盖1.2V和1.8V系统，体现了公司在低功耗技术方面基于SONOS工
艺平台的持续创新。此外，公司ETOX平台最新一代制程平台已达4Xnm，实现了16Mbit~64Mbit的批量出货，
为行业领先水平。
EEPROM：制程方面，公司采用130nm和55nm工艺制程，通过优化存储单元的机构和擦写电压，有效的缩
小了芯片面积，同时在保证可靠性的前提下降低了芯片的单位成本。产品性能方面，公司在EEPROM产品中增
加了分区域保护和地址编程等功能，以支持智能手机的不同摄像头参数和同一摄像头不同参数的有效管理。
此外，公司EEPROM产品P24/P25C系列满足1000万次擦写寿命，100年数据保存的高可靠性要求，其产品性能
达到业界领先水平。
MCU：发挥公司深厚的存储芯片设计经验，公司利用先进的逻辑工艺平台优化嵌入式存储器技术，构建
了通用高性能和高可靠性的MCU产品平台。这一自研FlashIP使得公司产品在性价比、低功耗、体积等方面可
以延续存储器的特异性优势，构建了公司在MCU领域的竞争壁垒。同时，公司的MCU产品在设计时考虑到电磁
兼容性（EMC），确保了产品在各种电磁环境下都能稳定运行。此外，通过优化电路布局和使用专门的保护
器件，公司MCU产品能够有效的抑制外部干扰，保持数据完整性和系统稳定性。
SLCNANDFlash：通过掌握SLCNAND的底层固件算法，公司能够针对不同主控平台和应用场景（如汽车电
子、工业控制）对存储进行深度定制化调优。这包括优化读写速度、提升数据可靠性与耐久性、增强错误校
验与管理能力，从而在系统层面实现超越标准芯片规格的性能与稳定性。并购带来的封装模组设计能力，使
公司能够根据不同客户的尺寸、散热和可靠性要求，提供定制化的存储模组解决方案。通过采用更先进的封
装形式，可以在物理层面提升产品集成度、抗干扰能力和环境适应性，满足高可靠应用领域的苛刻要求。获
取的工程测试经验，使公司能够建立更为严苛的专属测试流程与质量标准。这不仅保障了模组产品的高良率
与一致性，更重要的是，能够为客户提供基于实际应用场景的完整可靠性数据与认证支持，构建了在质量与
信任上的重要技术壁垒。公司的新技术体系完成了从“芯片设计”到“芯片设计+系统级工程实现”的闭环
。这使得公司的“存储+”战略能够以更完整、更可靠的形态落地，为MCU等核心产品提供经过深度验证和优
化的存储搭档，共同构成更具市场竞争力的系统级解决方案。
（2）新产业
随着物联网、5G通信、人工智能新兴技术的快速发展。公司积极布局下游相关产业，拓展产品应用领域
。公司的存储和MCU等芯片均为通用芯片，在各类智能电子领域，如智能家居、可穿戴设备、工业自动化、
汽车电子、服务器、基站、光模块等领域，均得到了广泛应用。
公司NORFlash大容量产品将推广和应用于智能音频/音响、传统/AI服务器、新能源车智能驾驶、ADAS系
统、中央域控等场景，为公司在存储器市场打开了新的成长空间。SLCNAND与NORFlash、MCU等产品形成了有
力的组合。公司的SLCNAND产品凭借其高可靠性和快速读取特性，正重点拓展至5G通信基站、汽车智能座舱
与车载控制单元、工业自动化控制器以及边缘AI设备等新兴市场。未来，随着这些领域智能化程度的提升，
对底层硬件中可靠、小容量代码存储的需求持续增长，SLCNAND与公司其他产品线协同，可为公司打开更广
阔的成长空间。
随着AI软件升级，智能化程度提高，智能终端渗透率提高，终端设备出货量也将相应的大幅增长，同时
将带动上游电子硬件用量的大幅增加。未来随着AI硬件的智能化兴起，公司出货量及容量等级均会有一定量
级的提升。
（3）新业态
公司积极响应数字化转型和智能化升级的驱动，利用大数据、智慧系统等现代信息技术，优化研发、管
理、销售、财务等各个环节，不仅提高了公司的运营效率，也为客户提供了更加及时、准确的服务反馈，从
而推动新业态形成。
其次，公司注重与产业链上下游企业合作，支持国产合作伙伴的自主发展，共同打造产业生态圈。通过
与上游代工厂共同优化工艺平台、产线，与国产EDA厂共同实践EDA工具等，提高了公司的综合竞争力，也为
行业做出贡献。
2025年度，公司收购珠海诺亚从而间接控股SHM，是公司构筑“新业态”的关键战略举措。通过整合SHM
公司在SLCNANDFlash固件算法与封装模组等工程能力的深厚积累，公司实现了从存储芯片设计供应商，向提
供一体化存储解决方案及软硬件协同平台的形态升级。
通过本次并购，公司业务形态的纵向深化，能够基于对底层介质（如SLCNAND）的深刻理解，通过自研
固件算法优化性能、可靠性与寿命，并结合定制化封装设计，为客户提供高集成度、高可靠性的存储模组。
提升产品附加值与客户黏性。同时，使得组织能力横向扩展，并购带来了关键的固件开发与系统集成团队，
使公司内部形成了“芯片设计-固件算法-硬件封装”的完整能力闭环。这种组织融合让公司能更高效地响应
汽车电子、工业控制等领域对存储子系统苛刻的定制化需求。公司凭借此次整合，能够像行业领先的模组厂
商一样，直接为终端客户提供经过验证的存储解决方案，显著缩短客户产品开发周期。这强化了公司在产业
链中的主导地位，使“存储+”战略得以在更复杂的系统层面落地，与MCU、模拟产品形成更深层次的协同，
共同构建开放共赢的产业生态圈。此次并购不仅是技术的补充，更是驱动公司整体业态向更高价值环节演进
的核心动力。
（4）新模式
“存储+”战略构建平台发展新模式：公司基于原本的存储战略产品条线，扩展存储+战略，新增的MCU
及模拟产品条线扩展了公司原本的产品线，可以为客户提供更加全面的产品组合选择。同时，MCU不同于原
本的存储器产品，在芯片硬件的基础上，还需要对软件等方面的设计，以及生态方面的建设投入持续性力量
。
公司的存储器产品采用“直销+经销”相结合的方式。公司推出MCU产品后，和下游方案设计商保持良好
的合作关系，基于公司性能过硬的产品，借助方案设计上的软件设计能力，相互协同，软硬结合，为下游客
户提供完整的产品方案。后随着公司团队的不断完善，软件设计团队、FAE团队的不断扩充，目前可以为客
户提供完备的应用解决方案。
此外，公司自主开发KEIL/IAR/GCC等工具驱动文件及开发板、PY-LINK等，且与多家烧录器厂商紧密合
作，为客户提供多种烧录选择。公司还提供完整的HAL/LL库文件及相应的例程、使用手册、数据手册、参考
手册、应用文档等技术资料，给予客户全面的软硬件支持及配套资料，使得公司的MCU潜力可以被开发者充
分挖掘，从而高效快速地推进项目，加速客户产品开发周期。
SLCNAND的加入进一步丰富了公司的“存储+”战略内涵。它作为关键器件，能够与公司的MCU产品深度
融合，为智能硬件客户提供从核心控制到可靠数据存储的一站式芯片组合方案。公司同样为SLCNAND产品提
供了完善的技术支持与开发生态，包括详尽的硬件设计参考、可靠性测试报告及烧录解决方案，与下游方案
商紧密合作，共同为客户缩短开发周期，构建了以可靠存储为核心、软硬件协同的产品平台新模式，持续强
化公司的综合竞争力与客户服务价值。
总而言之，此次并购所催生的新模式，其核心在于通过垂直整合创造独特客户价值，使公司从产业链的
中间环节，迈向能够定义产品标准、输出整体能力的关键主导者。
二、经营情况讨论与分析
公司秉承“普冉之芯，造福世界”的愿景，始终坚持“持续创新、卓越品质、恒久伙伴、信守承诺”的
核心价值观，专注于集成电路设计领域的科技创新。围绕非易失存储器领域，以先进工艺低功耗NORFlash和
高可靠性EEPROM为核心，完善和优化产品，满足客户对高性能存储器需求，实现对工业和车载应用的支持。
在立足于存储芯片领域的基础上，实施基于先进工艺和存储器优势的“存储+”战略，积极拓展通用微控制
器和存储结合模拟的全新产品线。还通过外延并购的方式，成功纳入SkyHighMemory，进一步强化公司在存
储领域的技术实力和市场竞争力。现将2025年公司的整体经营情况总结报告如下：
(一)经营生产方面
2025年上半年，公司所处的半导体设计行业景气度复苏节奏相比同期有所放缓，基于行业格局头部化、
集中化趋势显现的重要时间窗口，公司持续扩张市场份额，规模效应逐步显现。2025年下半年，经过连续季
度去库存，以及海内外大厂等龙头厂商受AI需求爆发导致的产能挤占和传导，行业整体供需关系紧张，公司
产品线价格企稳修复。在此背景下，公司把握导入窗口和契机，加大市场拓展力度，同时根据客户需求及时
进行技术和产品创新，持续丰富和优化产品品类和结构，公司单季度营业收入及全年营业收入均达到成立以
来的新高。此外，公司合并珠海诺亚51%股权，并于11月完成交割，为公司2025年营收和利润带来一定程度
贡献。
在产品线布局方面，随着公司近年持续高投入的研发项目逐步落地，如大容量NORFlash、M0+、M4、Dri
ver等逐步放量，公司快速把握新增市场机遇，提高新产品市场渗透率，市场地位和竞争优势进一步提高。
报告期内，公司实现营业总收入23.20亿元，较上年同期增加28.62%，实现归属于母公司所有者的净利润2.0
8亿元，较上年同期降低29.03%；实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润1.65亿元，较上年
同期降低38.67%。
(二)研发创新方面
公司始终坚持高强度研发投入，重视产品研发创新和工艺深化，推进核心技术自主研发。报告期内，公
司投入研发费用2.97亿元，占营业收入的比例达到12.82%。通过持续增加的研发投入，公司整体研发能力快
速提升，原有产品迭代并实施性能优化，新产品按计划实现量产，产品竞争力和产品线覆盖面进一步增强。
截至报告期末，公司研发及技术人员较上年同期增加25.69%，公司新申请专利及获得专利数持续增长。
存储产品线方面的持续优化：
1、Flash产品方面：持续进行工艺平台迭代，保持行业领先优势
1）成本方面，公司新一代SONOS平台下40E（40nmEnhancePlatform）以及ETOX平台下4Xnm制程的系列产
品已量产出货，使得公司领先的性能及性价比优势可持续保持；2026年，公司持续拓展SONOS工艺平台的容
量上限；
2）产品矩阵方面，公司已实现SONOS和ETOX双工艺平台全容量系列的产品覆盖，可以为客户提供完善低
电压、低功耗和高可靠性的产品供应和服务支持；
3）客户方面，公司产品已在消费电子领域构建了一定的品牌力，同时，公司重视提升在高端工业、白
电、PC、通讯和汽车等领域的市场拓展和产品推广。报告期内，公司256Mbit~1Gbit大容量NORFlash已成功
导入PC、服务器等大客户；
4）“AI+”浪潮涌现为公司众多系列的通用产品提供新型需求，为各类AIoT端侧应用客户提供满足其存
储需求的产品。
2、EEPROM产品方面：高可靠性产品覆盖车载和工业，低功耗领域继续领先
1）公司在巩固手机摄像头等优势领域份额的基础上，抓住运动相机、电话手表等摄像头相关的新型需
求市场的兴起，以及1.2V低电压产品跟随主控更新换代的机会、持续夯实在摄像头市场的地位，扩大市场份
额；
2）公司紧跟三表智慧化发展趋势，挖掘海内外三表市场应用，满足客户即时方案需求；
3）报告期内，公司持续拓展车身领域应用，目前已成功导入车身域控、电机控制、电池BMS、车载中控
、娱乐性系统等汽车电子的应用场景，后续将继续有效拓展对应领域及客户份额；
4）公司SPD及TS产品稳步进行市场拓展，已经完成了多家客户的批量出货，同时也在持续推进重点大客
户的送样。
“存储+”系列产品方面的拓展：
1、微控制器：持续完善产品家族图谱，逐步迈入更高阶产品市场
1）M0+方面，公司持续优化产品性能，完善产品品类，推进现有客户份额提升及新客户导入，持续发挥
出公司在M0+优势领域的规模效应；
2）公司基于M0+产品逐步构建的品牌力，推进M4的市场拓展工作；
3）公司保持着在MCU产品线上的持续投入，逐步拓展更高端市场份额，持续推出白色家电与电机控制系
列，不断满足高端客户和市场需求；
4）公司在持续提升性能和成本优势的同时，不断扩大自身的软件及方案设计优势，完善配套工具库、
软件包等，同时重视FAE团队的综合素质培养及服务响应效率提升，为客户提供完善的技术支持。
2、模拟产品：形成对存储器产品线和微控制器产品线的有效协同
1）依托公司EEPROM产品线协同发力，VCMDriver产品线在开环驱动市场已斩获一定市场份额，成功导入
多家品牌手机客户。报告期内推出新一代开环驱动产品，整合底置、中置等多款料号，简化客户选型流程，
实现产品型号高效适配；
2）报告期内，公司推出面向主摄长焦及潜望镜头的新一代OIS（光学防抖音圈马达驱动）芯片，现已实
现规模化大批量量产；
3）公司规划推出适配长焦相机、Vlog相机等终端的OIS芯片，以满足长行程、防抖、高清成像等更严苛
的产品需求；
4）报告期内，公司推出首款闭环驱动芯片，可满足大行程应用需求，适配折叠屏、潜望式摄像头等高
端应用场景；
5）依托产品线协同推进MCU预驱等产品出货，助力公司MCU产品在电机市场的份额持续拓展。
（三）外延并购方面
2025年11月，公司实现对珠海诺亚长天51%的控股，将其全资子公司SkyHighMemoryLimited纳入合并范
围。SHM作为专注于中高端应用的高性能2DNAND及衍生存储器产品及方案的半导体企业，拥有成熟的业务体
系与独立经营能力，其在韩国和日本的工程中心以及全球多地的销售办事处，构建起完善的销售网络。
公司通过此次外延并购，成功拓展了自身业务边界，实现优势互补。SHM在固件算法开发、存储芯片测
试方案等方面的核心竞争力，与公司核心的业务形成协同效应，极大地丰富了公司的产品线，进一步强化了
其在存储器芯片领域的技术实力与市场竞争力。
SHM新纳入合并范围，为公司2025年带来营业收入贡献约2.1亿元、扣非净利润约1400万元。此次并购不
仅为公司带来直接显著的规模增长，更为普冉在全球存储市场的深度拓展与长远发展奠定了坚实基础。
(四)产能保障方面
公司一直以来和上游晶圆厂、封测厂保持长期良好的战略伙伴关系，建设高弹性、低成本、可持续的供
应链体系，是运营工作的重点。一方面，公司与供应商进行提前规划，动态调整产能分配，进行技术和运营
方式上的改革创新，积极应对供应链资源和成本上的挑战；另一方面，持续推进既有产品和新产品领域的供
应商考评和引入，进一步加强产能保障，多元化和深度协同并举，满足客户对供货安全和产品多样性、及时
性的需求。
(五)团队建设方面
优秀的人才团队是技术密集型公司的核心竞争力之一。公司着重人才培养与团队建设，通过建立、健全
公司长效激励机制，保障企业未来的长足发展。一方面，公司持续加大人才投入，积极扩充研发团队，并通
过与高校的联合培养，形成梯队型的人才结构和储备。另一方面，公司根据市场情况完善薪酬激励体系和其
他福利体系，建立有效的内部培养的机制，并为员工提供更多职业发展空间。2025年上半年，公司继续实施
了股权激励计划，各期激励计划的激励对象覆盖率已达全体在职员工的80%以上，有效激发了员工的奋斗精
神，也使员工感受到公司成长带来的回报和个人成就的提升。
(六)内部治理方面
公司持续推进治理体系建设，强化风险管理，推行内部审计。报告期内，公司根据新《公司法》的完善
了公司制度和治理架构，并通过公司流程、系统建设和定期培训不断提升管理和内部控制水平，确保生产经
营业务稳健发展。报告期内，公司始终严格按照上市公司规范运作的要求，严格履行信息披露义务，重视信
息披露管理工作和投资者关系管理工作，重视制度治理和规范运作，法人治理水平和规范运作水平进一步提
升。公司通过在官网上开设“投资者关系”专栏、召开业绩说明会等举措强化和投资者的沟通，积极听取投
资者诉求和建议，在注重生产经营的同时，重视维护股东利益，通过资本公积转增及现金分红等手段，尽力
回报股东和投资者。报告期内，公司在2024年年度盈利的基础上，实施了资本公积转增股本每10股转增4股
，每10股分配4.3元现金红利的权益分配方案。
三、报告期内核心竞争力分析
(一)核心竞争力分析
1、核心技术优势
公司自创立以来，专注于存储器芯片的技术研发和产品创新。以技术创新为基础，通过持续的创新研发
和技术积累，现已形成具备完整的核心技术和产品体系。同时，公司推出“存储+”规划和长期战略，积极
拓展通用微控制器和存储结合模拟的全新产品线。
NORFlash方面，公司创新性地将电荷俘获技术的SONOS工艺应用在NORFlash的研发设计中，并与晶圆厂
联合开发和优化55nm、40nm及40ENORFlash工艺制程的NORFlash芯片，使得公司的NORFlash芯片具备了宽电
压、超低功耗、快速擦除和高性价比等特点以及领先的成本优势。同时，公司也基于ETOX工艺延伸产品进行
布局，目前工艺制程已经覆盖55nm、50nm和4Xnm节点，以中大容量市场为主，衔接SONOS工艺下的中小容量
市场。随着公司和下游客户之间业务的不断开展，公司NORFlash产品的功耗、稳定性和兼容性得到了国内外
客户的认可，出货量逐年增长，公司已经逐渐成为了NORFlash市场中重要的供应商之一。
MCU方面，公司与晶圆厂合作自研IP，芯片中嵌入Flash和SRAM存储器，结合基本逻辑工艺的低功耗特征
和低功耗技术，使得公司的MCU芯片产品具备与公司SONOSNORFlash一脉相承的低功耗、高可靠性、高性价比
和优越的抗电磁干扰性能等特点。
EEPROM方面，公司联合晶圆厂优化130nm及55nm工艺制程下的制造工艺，针对存储单元的结构、擦写电
压进行了改造和优化，有效的缩小了芯片面积，在保障可靠性的前提下有效的降低了芯片的单位成本。公司
积极响应市场需求、发挥技术优势，实现了地址编程、区域保护等特色功能，满足了客户对摄像头模组中的
参数的保护诉求，极大地提升了公司产品的市场竞争力并保障了公司的盈利能力。综合来看，公司EEPROM产
品的可靠性、功耗等性能指标均表现优异。
SLCNANDFlash方面，公司通过并购SHM实现了从“提供标准化芯片”到“定义与优化存储系统行为”的
跨越，新增了将裸片（Die）转化为高可靠模组的完整工程能力，注入了固件算法、定制化测试、集成封装
设计及存储产品深度定制这四项核心能力。通过先进的封装设计，可以根据客户产品的具体空间、散热和电
气环境，提供小型化、高抗干扰、耐高低温的定制化存储模组，可缩短客户研发周期，形成了从设计到物理
实现的垂直整合优势。
公司的核心技术均属于自主知识产权，并形成了有规划、有策略的专利布局。截至2025年12月31日，公
司已获授权的发明专利达71项，集成电路布图设计证书70项，已经建立起了完整的自主知识产权体系。
2、核心团队优势
公司自创立以来，专注于持续的技术研发和产品创新，持续的研发创新帮助公司在产品性能上取得重要
的技术突破，形成了“存储”及“存储+”两大产品模块。公司创始团队和技术团队曾经在NEC、华虹NEC、
中芯国际、IntegratedDeviceTechnology,Inc.（IDT）、旺宏、SiliconStorageTechnology,Inc.、SONY、
瑞萨等国内外知名公司有多年研发和管理经历，核心技术人员平均工作超过十五年，具备深厚的IDM、Found
ry和Fabless行业经验，具备综合竞争优势：
（1）公司拥有丰富的与晶圆代工厂合作开发先进工艺制程的产业经验，具备推动存储器技术升级和存
储单元及相关器件的优化的研发能力；
（2）公司作为Fabless设计公司，拥有持续成功的产品开发量产经验，形成存储器和数模混合芯片领域
的设计优势，产品具备领先的低功耗、宽电压等优势；
（3）公司基于IDM的工艺和产品协同开发经验，通过优化产品的设计架构与工艺，能够最大程度地实现
对产品性能、可靠性和芯片面积的优化；
（4）公司基于与晶圆厂的长期合作和战略协同，提高了工艺开发和产品迭代的效率，使公司的产品具
备业界领先的工艺节点和存储单元性能及尺寸。
公司核心团队在技术研发、市场销售、工程管理等领域均有着丰富的阅历和实战经验。公司自成立以来
就十分注重人才的培养和创新，目前已培养了众多存储器芯片设计领域的专业技术人才，同时，公司重视针
对新研发业务的优质行业人才引进，凭借“持续创新,卓越品质,恒久伙伴,信守承诺”的企业文化、覆盖全
员的激励机制及已构建的品牌优势，不断吸收优秀的人才，为公司的产品升级和业务拓展奠定良好的研发团
队基础。
3、客户资源拓展迅速
在存储产品领域，目前公司核心产品广泛应用于各类TWS蓝牙耳机、工业控制、汽车电子、可穿戴设备
、手机摄像头模组、AMOLED、家电、TDDI等领域，公司在国内市场覆盖了OPPO、vivo、荣耀、小米、联想、
美的等众多知名企业，同时不断拓展海外市场，覆盖三星、松下、惠普、希捷等知名终端客户，并与Dialog
Semiconductor（DLG）等主控原厂建立了稳定的合作关系。凭借国内外客户资源的迅速拓展，公司逐步扩大
与各大品牌的深度合作，参与更多项目及产品合作，市场规模持续扩张。
MCU领域，公司核心产品涵盖智能硬件、影音、家电、物联网、个人护理、BLDC无刷电机（风机及水泵
）、BMS、电动自行车、家用医疗、逆变器、安防、消防、车载后装及汽车电子周边等。目前公司已经与小
米、SKG、美的、追觅等品牌客户展开合作，并凭借已经建立的MCU品牌知名度，正在逐步推进更多客户的导
入工作。
此外，SHM在韩国、日本的工程中心及其覆盖亚洲、欧洲、北美的成熟销售网络，为公司带来了直接的
全球化研发支持与市场渠道，极大地提升了面向全球客户提供高质量闪存解决方案的独立运营与持续服务能
力。
4、产品体系优势
公司已推出的产品体系覆盖了NORFlash、EEPROM两大类存储器芯片及MCU和VCMDriver芯片，均具备优异
的产品性能和较强的市场竞争力。首先，公司的存储器芯片产品容量覆盖2Kbit-1Gbit、支持宽电压操作，
可满足不同场景下的数据存储需求和完整解决方案，例如手机摄像模组中的2D和3D应用场景，而公司MCU芯
片产品具备自主嵌入式存储器IP的通用高性能，可进一步降低工作功耗，同时支持1.7V-5.5V宽电源电压，
集中度更高；
其次，公司提供超小型封装方案，包括1.5mm*1.5mmUSON封装和最小0.575mm*0.575mm的WLCSP封装，并
在通讯产品中采用领先的Fan-out技术，满足下游客户对存储器芯片的小型化需求，公司MCU芯片产品提供多
样化封装形式，在封装引脚限定的情况下提供更多通用外设，产品的功能性有所增加，满足不同客户的多样
化需求；最后，公司存储器芯片产品提供合封和外挂的两种选择方案，公司MCU芯片产品提供低功耗通用设
计、电动工具等多种方案及生态支持，适用不同的客户场景需求。同时，公司VCMDriver产品可以与EEPROMC
CM领域形成协同，为客户提供更加完整的产品服务。
公司是行业内为数不多的同时具备NORFlash、EEPROM和MCU产品线的芯片设计公司，能够针对客户不同
的容量、功能和封装需求，提供综合性存储器芯片解决方案。同时，报告期内，公司通过并购专注于高性能
2DNAND产品的SHM，公司的核心竞争力得到了增强与延伸。此次并购直接为公司补充了SLCNAND、eMMC、MCP
等重要的产品线。
(三)核心技术与研发进展
1、核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司的核心技术可以分为设计及工艺技术和特定产品技术。设计及工艺技术指该类核心技术主要在设计
和工艺阶段，可应用于公司的多条或全部产品线；特定产品技术指该类技术主要应用于某一类产品线，该类
技术也可能出现跨产品线应用的情况。
报告期内，公司在存储器芯片领域持续拓展，进行40E新一代SONOS工艺和下一代4Xnm制程ETOX工艺创新
技术储备，推出1.1V超低电压超低功耗创新技术；布局“存储+”战略，包括基于ARM内核的32位MCU芯片多
个系列上百种型号的产品实现研发量产出货，以及应用于摄像头模组的高性能VCMDriver芯片系列模拟产品
。
相关的核心技术如下：
A.存储器芯片相关核心技术
（1）超低功耗设计
通过模拟及混合信号电路设计，实现全差分低幅度的灵敏放大器，高速的双沿采样实现读取数据的低功
耗；结合数字电路的优化，在手表、眼镜及TWS耳机等穿戴领域具备领先的低功耗优势。
在芯片擦写电路设计中，采用非离散域控制方法，实现较低的输出抖动和动态功耗。
（2）宽电源电压设计
公司在产品规划中采用了一体化自适应读出电路电源管理和宽电压低功耗电荷泵设计技术，产品支持1.
65V至3.60V工作电压范围。公司在成立之初推出了支持四线模式和宽电压的Flash产品，满足了低功耗蓝牙
在电池系统供电下与主流SoC配合的供电范围要求。
（3）超低电压设计
公司推出的1.2VEEPROM系列产品，支持最低1.1V工作电压；这是基于超低电压的模拟及存储器技术。
（4）高可靠性设计
公司采用特殊器件和温度补偿电路，实现擦写电压的零温度系数，在相同工艺条件下，公司的EEPROM产
品擦写寿命可达400万次。
（5）面向封装的可靠性设计
公司的WLCSP产品均采用自主知识产权的划片槽技术，能有效避免生产过程中带来的裂片风险，在手机
模组应用的WLCSP存储器产品划片中实现更优的失效率和颗粒残留，满足摄像头模组的可靠性要求。
（6）面向产品灵活性和竞争力的设计
公司利用单套掩膜版实现多颗产品的设计技术，实现产品软件配置可调而支持多地址、多接口的应用。
B.工艺研发及优化的核心技术
存储器芯片主要由存储单元和外围电路两部分组成。存储单元方面，目前NORFlash的主流基础工艺包括
浮栅ETOX和电荷俘获的SONOS工艺结构，为芯片设计企业提供了不同的存储单元结构选择；外围电路方面，
芯片设计企业在确定基础工艺后，结合存储单元结构特性和产品功能需求进行复杂的外围电路设计，外围电
路设计技术的不同决定了NORFlash性能的差异化。因此，存储单元结构是芯片设计的基础，电路设计的核心
技术是决定产品性能的关键因素，是不同芯片设计公司之间芯片产品差异化的来源，帮助企业形成自身的产
品竞争优势和核心技术壁垒。
（1）先进工艺节点的Cell单元优化；
（2）面向工艺均一性的制程优化技术；
（3）面向良率提升的制程优化技术；
（4）面向核心工艺设备（炉管等）的工艺优化和窗口提升技术。
目前NORFlash领域中，兆易创新、华邦、旺宏等传统闪存芯片厂商均采用浮栅ETOX工艺结构。公司则率
先将SONOS工艺结构应用于NORFlash的研发设计，现阶段已形成完整的核心技术体系和技术壁垒，并凭借超
低功耗和高可靠性等产品特点，形成了极具竞争力的NORFlash产品矩阵。公司与晶圆厂充分配合，在存储单
元开发和工艺优化方面展开了深入的合作。公司成立至今，累计实现了三个制程节点近十种存储单元的开发
。
C.NORFlash相关核心技术
SONOS工艺下NORFlash相关核心技术
（1）SONOS工艺平台
公司采用SONOS工艺平台，结合基本逻辑工艺的低功耗特征，采用了双管（2T）单元共源（CSL）结构，
有效满足了穿戴应用及IoT应用对低电压和低功耗的要求。双管（2T）单元的存储结构可以有效控制存储单
元的漏电，使得产品具备极低的静态功耗。而对于共源（CSL）结构，在存储单元尺寸显著减小同时也可以
进一步降低编程和擦写电压，降低功耗，并实现工艺技术走向更先进的工艺制程。
公司通过自主研发和设计架构的配合，通过工艺复杂度的降低，有效减少所需掩膜版的层数，从而降低
产品的成本，通过降低操作电压，降低了擦除和写入操作对单元结构的损耗，实现NORFlash低功耗和高可靠
性。目前公司已完成SONOS工艺面向NORFlash的工艺和设计研发，形成了完整的NORFlash芯片设计技术体系
，帮助公司NORFlash产品实现了低功耗、快速读取等优异性能。
（2）产品设计及测试相关技术
公司通过创新的存储器架构和模拟电路的设计和优化，实现产品超低功耗的读出和擦写，产品在深睡眠
模式下只需满足极低工作电流的操作条件。
公司结合工艺和器件的特点，通过自主研发的存储器架构和全芯片的优化设计（含存储单元周边驱动电
路、模拟电路和数字电路），实现1.65-3.60V的宽电压工作范围并支持四线工作模式。通过存储单元设计技
术的创新与升级，实现了三个产品优势：
1）快速擦除，全芯片擦除速度较ETOX工艺下的NORFlash大幅提升，对于在线擦除或批量烧录的擦除有
显著的优势；
2）产品使用过程中，初期擦写时间和末期擦写时间不变，相较于ETOXNORFlash，公司的SONOSNORFlash
产品在特定的应用环境中具备一定优势；
3）异常掉电下的安全性和上电的快速特性，即掉电不影响非擦写区域，不会在掉电恢复后产生芯片漏
电而无法正常工作的问题，也保障了上电过程的快速实现。
通过自主研发的校准技术和温度补偿技术，实现擦写电压与存储单元的温度特性匹配，有效提升产品的
可靠性，达到擦写次数优于10万次，数据保持时间优于20年。
通过产品缓存的优化设计，实现产品并行写入效率的2至4倍提高，有效提升产品进行在线升级或批量烧
录的效率，从而降低成本。通过独特的页单位的擦除模式设计，改善产品在小数据结构下的擦写效率，有利
于可靠性和应用效率的提升。
通过自主研发的面向测试的设计技术，提升产品的测试效率、缩短测试时间，同时提升测试的覆盖率。
通过针对SONOSNORFlash面向制造的设计技术（包括电路和版图），提升产品在先进工艺下的生产控制
窗口，提升产品的良率。
通过自主开发的智能校准和动态调整技术，实现产品规格与工艺窗口的动态匹配，提升产品良率，并优
化可靠性水平。
通过采用全差分读取电路、高灵敏度比较器、以及亚阈值设计等先进设计技术，实现产品超低电压工作
；采用高效率读相关电路、功耗优化的低电压电荷泵等技术实现产品超低功耗，推出业界首款支持1.1V工作
的超低电压、超低功耗Flash平台。
ETOX工艺下NORFlash相关核心技术
（1）功耗优化技术
公司产品在读和擦写功耗上，采用了多种新技术对功耗进行了优化。在读功耗上：采用逻辑控制非用即
关技术，优化了读取控制电路的功耗；采用了新的解码编排技术，减小了位线寄生电容，减少了读取功耗；
采用了新的敏感放大技术，节约了数据读取所需要时间，减小了读取功耗。在写功耗上，采用了逐级控制电
流技术，提升了编程效率，缩减了编程功耗；采用了动态算法编程技术，提升了随机数编程效率；在擦除功
耗上，对擦除步骤之一的预编程进行了改进，用隧穿编程替代了热载流子编程，大大缩短了预编程的时间和
功耗。
（2）读取速度提升技术
公司产品采取的多种技术提升了的产品的读取速度。采用了动态采样、输出再编码、传输路径最适化、
字线匹配及非满幅检出等技术。
（3）过擦除保护技术
公司ETOX产品的特点有过擦除问题，需要对过擦除进行修复。产品采用了逼近优化的两步修复技术对过
擦除进行修复；产品还采用了上电过擦除检测及修复机制，对异常断电及数据老化导致的阈值变化进行检测
和纠正。
（4）冗余位线自动修复技术
公司ETOX产品在测试时需要用到冗余位线对常规位线的坏块进行修复，产品采用了冗余位线自动修复技
术，在一定背景数据下，当位线出现坏块时，修复系统自动对字线坏块进行修复，并输出修复信息或出错信
息，减少了修复处理的复杂度及测试时间。
D.EEPROM相关核心技术
（1）130nm制程下的存储单元改进技术
行业内公司的EEPROM芯片主流制程为130nm，公司在130nm制程的基础上，对存储单元结构进行工艺优化
改进，优化编程电压及电荷泵补偿结构。
一方面，降低了存储单元的面积和EEPROM芯片的大小，另一方面，擦写电压的优化和补偿结构，提升了
产品的可靠性和寿命，使得公司的EEPROM芯片具备400万次擦写能力及200年的数据保存时间。
（2）55nm工艺制程的开发升级
在130nm高可靠性EEPROM的基础上，从工艺制程、电路设计等方面切入，对手机摄像头模组等消费类EEP
ROM以及智能电表、智慧通信等工业类EEPROM存储器芯片进行升级研发，达到了55nm的工艺制程，实现更大
容量、更低工作电压和更低功耗。
（3）工艺结合设计的可靠性优化
通过特殊工艺器件的开发，工艺膜厚的优化、结合设计补偿和电荷泵启动技术，实现擦写电压的温度补
偿、并显著降低高压过程对存储单元的损伤，实现常温的高擦写次数，同时更为显著地提升了高温下的擦写
能力和擦写寿命。
（4）工艺结合设计的成本优化设计
通过特殊工艺层次的加入，结合设计电路在浮栅的控制方法，实现存储单元窗口的平移和操作电压的优
化，从而改善了存储单元的面积，同一工艺节点下实现存储单元和芯片尺寸的缩小。
（5）容错纠错技术
在容错和纠错技术的研究和开发方面，一是采用ECC技术，也就是纠错校验技术，在存储单元阵列的基
础上，需要增加一位的校验码，当数据被写入EEPROM的时候，相应的ECC代码与此同时也被保存下来。当重
新读回刚才存储的数据时，保存下来的ECC代码就会和读数据时产生的ECC代码做比较。来保证数据的准确性
。二是采用差分存储方案，利用差分存储单元特点，把数据存储分在差分的两个位置同时存储，在读出的时
候再比对两个位置的数据，解码一致则读出。
（6）先进封装和小型化技术
针对手机摄像头WLCSP封装对EEPROM小型化及可靠性需求。公司采用软件地址编程及软件写保护技术，
实现在4球的封装中提供全地址可编程的方案。同时针对手机摄像头加工和组装中容易产生灰尘颗粒缺陷的
要求，在产品设计的时候，采用无金属化的划片槽设计，能有效降低芯片加工过程中产生的裂片和颗粒缺陷
的风险，降低产品使用过程中可能发生的潜在失效。
E.微控制器相关核心技术
（1）宽电压MCU技术
公司MCU产品规划中定义了宽电压设计指标，产品低压支持最低1.7V工作电压，高压支持最高5.5V工作
电压。既可以满足新兴市场低电压、低功耗的要求，也可以满足早期8位MCU市场5V应用的需求。
（2）多IO设计技术
通过优化芯片电源网络和PMU设计，最大化的减少芯片电源引脚，在封装引脚限定的情况下提供更多的
通用IO，增加功能性。
（3）基于先进存储工艺的自主开发嵌入式Flash闪存技术
公司MCU产品采用55nm及以下嵌入式Flash工艺技术，结合基本逻辑工艺的低功耗特征，采用了双管（2T
）单元共源（CSL）结构，双管（2T）单元的存储结构可以有效控制存储单元的漏电，使得产品具备极低的
静态功耗。而对于共源（CSL）结构，在存储单元尺寸显著减小同时也可以进一步降低编程和擦写电压，降
低功耗，并实现工艺技术走向更先进的工艺制程。
基于多年来在闪存工艺及设计技术上的耕耘，公司自主开发的Flash闪存具有低动态和静态功耗，快速F
lash擦除速度，同等容量下更小更有竞争力的闪存IP面积，和独立Flash相匹敌的Flash擦写次数和数据保持
等可靠性指标。
（4）低功耗设计技术
动态电流方面：公司MCU产品采用先进工艺及自有IP，擦和写都是通过FN隧穿方式实现，故擦写电流低
。采用公司专利的读电路设计可以大幅降低读电流，芯片动态功耗具备优势。
静态功耗方面：公司MCU产品采用多电源域的设计，通过对不同电源域的电压控制和电源开关控制，实
现更低的静态电流。
（5）工艺结合设计的成本优化设计
公司MCU产品采用先进制程下的嵌入式Flash工艺和设计，使得版图优化，从而实现更小更有竞争力的芯
片面积，同时通过工艺复杂度的降低，有效减少所需掩膜版的层数，从而降低产品的成本。
（6）高性能触控技术
公司32位触控MCU内置电容检测电路，配备完善的触控库算法，兼具灵敏度和可靠性，可以稳定通过10V
动态CS测试，可实现高信噪比、超强抗干扰性和超低功耗功能，具有易操作、响应快、成本低、无开孔等优
点。
（7）高性能电机驱动控制技术
公司电机专用型MCU通过集成相适配的高效架构算法、电机结构设计方案以及多通道接口，可实现高低
电压自适应启动、转子初始位置自学习、零速闭环启动、宽转速范围等功能，有效提升产品运行效率和稳定
性。
F.模拟产品的音圈马达驱动芯片相关核心技术
（1）接口低电压技术
现在主流的智能终端应用处理器平台为实现系统整体低功耗，未来几年通用接口将逐渐过渡到采用1.2V
接口，本公司音圈马达驱动全系列产品实现了1.2V到3.6V全电压输入范围的正常通讯，可兼容各种通用接口
的接口电平。
（2）马达快速稳定算法
公司自主研发的四阶马达快速稳定算法，与电机阻尼系数调较，两种技术的叠加使用，可以实现电机的
稳定时间在10ms以内，比业界通用标准（<15ms.）提高30%的速度。
（3）VCMDriver与EEPROM二合一的产品开发技术
产品实现地址可选择，稳定算法参数的用户配置，更优的成本和更小的产品体积。
（4）动态电压适配驱动技术
通过设定不同的DriverIC的输入电压，可以获得不同的最大电流输出能力，兼顾功耗节省和电机推动能
力的不同需求。
2、报告期内获得的研发成果
报告期内，公司取得15项发明专利，5项实用新型专利授权，新提交27项发明专利，1项发明（PCT）专
利，3项实用新型专利申请，取得2项软件著作权，15项集成电路布图设计登记。
●未来展望:
(一)行业格局和趋势
作为现代信息技术产业的核心，半导体在通信、消费电子、工业控制、汽车电子等领域发挥着不可替代
的作用，其重要性日益凸显。近年来，得益于技术进步、市场需求增长以及政策扶持等多重因素推动，全球
半导体行业呈现出快速发展的态势。
(1)公司存储器产品包括NORFlash、EEPROM和2DNANDFlash等。
当前，全球存储芯片市场呈“头部主导+本土崛起”格局，三星、SK海力士、铠侠、美光等国际大厂仍
占据主导地位，拥有大部分市场份额，但随着国产替代浪潮，以及差异化竞争策略，本土厂商逐步在利基型
存储市场逐步建立竞争优势。摩根士丹利的报告指出，由随着先进制程的存储产品（如DDR5或HBM）产能需
求强劲，成熟制程的产能分配相对受到掣肘，传统存储市场正迎来由供应短缺驱动引起的上升周期。
工艺制程是存储器技术迭代的基础，利基非挥发存储器一般采用相对成熟的工艺制程，向大容量、高性
能、低功耗、高可靠性发展。随着下游应用领域技术的升级，终端产品对存储器的功能和性能要求提高，要
求厂商采用更先进制程，提高存储密度，降低成本，扩充产品线，保持产品的市场竞争力。
在目前行业格局会逐步出现“大者恒大，强者恒强”的竞争局面态势下，普冉股份作为上市公司，凭借
独特的技术路线、积累的品牌力和客户基础，获取了更多存储器领域的市场份额。此外，公司于2025年下半
年控股SkyHighMemory,其核心产品SLCNAND及eMMC产品技术成熟，性能突出，在业内形成了较好的市场口碑
。根据TrendForce等市场调研数据，SkyHighMemory为2024年全球第四大SLCNAND厂商，仅次于铠侠、美光和
华邦。
(2)公司的“存储+”产品包括MCU和VCMDriver等模拟产品。
MCU芯片市场呈现多元化竞争格局，全球MCU市场集中度较高，主要由几家大型企业主导，包括瑞萨、恩
智浦、英飞凌、微芯、意法半导体等。这些公司在技术创新、产品质量和市场渠道方面具有显著优势。国内
MCU厂商主要集中在中低端市场，在汽车电子和工业控制领域，国内MCU厂商的技术、产品和应用方案与国际
大厂相比仍有差距。过去两年时间里，国内外众多厂商在MCU领域展开激烈竞争，通过不断提升技术水平和
产品性能，在市场上争取占据一席之地。同时国产替代的大背景下，推动产业链自主可控，也为国内的MCU
厂商提供了发展机遇。
由于MCU性能参数对整个电路系统具有决定性作用，其往往具有更高的使用粘性和国产替代意义。为能
够满足更为复杂和多样化的应用需求，MCU芯片也将朝着高性能、低功耗、低成本、小体积、高集成度等方
向发展。
未来，公司将不断推出新产品，丰富产品阵列，发挥自身的核心竞争优势和客户领域，在提升产品性能
的基础上，优化成本，以获取更大的市场份额。
VCMDriver产品类型可分为开环式、闭环式和光学防抖（OIS）音圈马达等，不同类型产品在市场上的需
求和应用场景有所不同。目前主要应用于智能手机摄像头，近年来，随着智能手机等消费电子需求增速放缓
，但较大的市场规模仍可支撑我国智能手机产业的发展，目前中国是全球最大的音圈电机（VCM）市场，占
有超过54%，之后是日本和韩国，二者共占有超过30%的份额。
目前，全球市场上的VCMDriver供应商主要在美国、中国、日本以及韩国等地区、其中头部厂商有韩国
动运（DongwoonAnatech）、罗姆、旭化成(AKM)、安森美等，前三大厂商更是占有超70%的份额，随着5G商
用手机的存量替换，摄像头模组的优化升级，双摄及多摄市场份额的持续渗透，带动摄像头模组及VCMDrive
r需求不断增长，为VCMDriver行业的持续发展提供了基础。
(二)公司发展战略
公司作为国内领先的存储器芯片设计公司，以“普冉之芯，造福世界”的愿景，专注于产品创新，深耕
非易失存储器领域，不断满足全球客户对高性能存储器芯片的需求，在持续稳健的经营过程中，注重技术的
深度积累与迭代，着眼于构建长期可持续发展的业务模式，旨在为员工、股东、社会创造共享价值。
公司战略规划包括非易失存储器产品线的完整布局和性能领先；车载存储器产品实现全系列覆盖和业务
快速增长；“存储+”战略有效推进，实现微控制器和模拟产品线的高速发展。公司推行全球化业务及战略
供应链体系的建设，保持持续创新和研发团队的长期建设。
(三)经营计划
展望2026年，全球半导体产业预计将进入“后调整期”的复苏分化阶段。随着AI端侧应用爆发、汽车智
能化渗透率提升以及工业自动化深度转型，市场对高性能、高可靠性、低功耗芯片的需求将呈现结构化增长
。同时，地缘政治带来的供应链区域化挑战依然存在。
2026年是公司存储与“存储+”战略规划的深化之年。公司将围绕“深化技术壁垒、扩大全球化成果、
提升运营效率”三大主题，在巩固2025年经营成果的基础上，推动各项业务从“点的突破”向“面的引领”
转变。具体经营计划如下：
一、存储器业务：向高端化与特色化迈进，巩固行业地位
存储器业务为公司发展的根基。公司将在实现全系列覆盖的基础上，向高端应用和特色工艺纵深发展，
巩固细分领域的技术领先地位。
1．持续挖掘SONOS结构在低功耗、高可靠性方面的潜力，进一步提升现有产品的竞争力，拓宽在可穿戴
、物联网等对功耗敏感领域的应用。同时，巩固对下一代SONOS工艺节点的技术储备，确保技术迭代的领先
性。
2．实现基于ETOX浮栅技术的NORFlash产品系列的量产完备化，实现对通讯、计算、工业控制等传统优
势市场以及AI边缘计算等新兴市场的全面覆盖，全面覆盖5G基站、高端工控、AI端侧、服务器等对性能和可
靠性要求较为苛刻的领域，满足商用、工控、车载等多维度客户的深度需求。
3．持续优化车规产品开发体系和验证体系，提升车规产品的研发效率和良率水平，实现车载存储产品
在多款全球车型上的规模化应用，推动汽车业务收入占比实现翻倍式增长，并提前规划符合更高功能安全等
级的高带宽存储产品。
4．依托收购整合与技术协同，将2DNANDFlash打造为公司非易失存储器业务的第三增长极，与NORFlash
、EEPROM形成完整覆盖，实现利基非易失性存储的战略布局。
二、通过“存储+”业务打造系统级解决方案能力
使“存储+”战略得以在更复杂的系统层面落地，实现MCU、模拟产品与存储器产品形成规模相当的格局
，以及更深层次的协同，共同构建产业生态圈，强化公司在产业链中的主导地位。
1．通用微控制器（MCU）：深度发挥嵌入式存储基因优势，打造差异化的高集成度产品。不断丰富MCU
产品矩阵，覆盖从低成本应用到高性能、低功耗及功能安全需求的多元化市场。产品定义将紧密跟随白电及
生活电器、人机交互、电机控制、电源管理、智能硬件、泛消费类等终端应用的智能化、跨界融合趋势，提
升客户开发的便利性。
2．模拟产品线协同发力：确保系列音圈马达驱动产品通过头部模组厂及终端客户的严格认证，实现向
主流手机及摄像模组厂商的稳定批量供货，确立在细分市场的领先地位。此外，规划其他新品类模拟芯片的
研发，与存储器和MCU产品形成系统级方案，提升单机价值量。
三、全球化业务：市场拓展，打响品牌
依托海外并购的契机，继续大力拓展海外业务版图，组建国际化业务团队，针对海外大客户制定专属拓
展计划。通过参与国际行业展会、设立海外销售及技术支持中心等方式，提升普冉在全球的品牌影响力和市
场地位，实现从本土企业向国际化半导体公司的跨越。
四、打造“韧性、敏捷、成本”兼具的供应链体系
与战略伙伴深度绑定：与全球领先的晶圆代工厂建立技术攻关项目，针对特定工艺进行深度协同优化，
确保技术领先与产能保障。
多元化布局落地：加快海外供应链的实质性建设，满足国际客户的本地化供应需求，提升地缘风险应对
能力。
数字化供应链管理：引入数字化供应链管理工具，提升需求预测准确率和库存周转效率，在保障供应的
同时优化成本结构。
五、打造富有战斗力的人才梯队
研发团队的长期建设是创新型企业最值得的投入方向。通过完善的人才引进机制、激励体系和培养计划
，打造一支具备国际视野、富有战斗力的技术梯队，为公司提供不竭的创新动力。
公司将继续优化内部技术职级与晋升通道，通过核心项目历练，加速骨干员工的成长，形成坚实的中坚
力量。深化与重点高校的产学研合作，完善应届生“导师制”培养计划，为公司持续注入新鲜血液。
此外，结合公司业绩增长，公司将滚动实施股权激励计划，激发奋斗精神和组织活力，也使员工感受到
公司成长带来的回报和个人成就的提升。
六、塑造企业文化体系，彰显企业价值
将“持续创新，卓越品质，恒久伙伴，信守承诺”的核心企业文化，融入日常管理和员工行为，形成强
大的内部凝聚力，以企业文化为内核，系统性地开展品牌宣传工作，向资本市场传递合理的企业价值信息。
七、巩固公司治理，完善内部控制
在追求业务快速发展的同时，严守合规底线，不断提升治理水平。
公司将严格按照上市公司标准，持续健全法人治理结构，完善内部控制体系。通过定期的自查自纠与整
改优化，实现自我规范与自我完善，确保公司运营的合法合规与高效透明，切实保障全体股东和投资者的利
益，为公司的长远健康发展保驾护航。
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