经营分析☆ ◇688766 普冉股份 更新日期：2024-11-16◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.前5名客户营业收入表】【4.前5名供应商采购表】
【5.经营情况评述】
【1.主营业务】
非易失性存储器芯片的设计与销售。
【2.主营构成分析】
截止日期:2024-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
芯片收入(产品) 8.96亿 100.00 3.02亿 100.00 33.74
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2023-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
集成电路(行业) 11.27亿 100.00 2.74亿 100.00 24.29
其他业务(行业) 7221.23 0.00 --- --- ---
─────────────────────────────────────────────────
存储芯片(产品) 10.12亿 89.76 2.43亿 88.67 23.99
微控制器及其他(产品) 1.15亿 10.24 3100.71万 11.33 26.88
其他业务(产品) 7221.23 0.00 --- --- ---
─────────────────────────────────────────────────
内销(地区) 9.76亿 86.58 1.98亿 72.46 20.33
外销(地区) 1.51亿 13.42 7537.40万 27.53 49.83
其他业务(地区) 7221.23 0.00 --- --- ---
─────────────────────────────────────────────────
代理商(销售模式) 6.81亿 60.45 1.50亿 54.67 21.97
直供客户(销售模式) 4.46亿 39.55 1.24亿 45.32 27.83
其他业务(销售模式) 7221.23 0.00 --- --- ---
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2023-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
芯片收入(产品) 4.69亿 100.00 9639.90万 100.00 20.57
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2022-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
集成电路(行业) 9.25亿 100.00 2.76亿 100.00 29.85
─────────────────────────────────────────────────
存储芯片(产品) 8.72亿 94.27 2.58亿 93.63 29.65
微控制器及其他(产品) 5299.00万 5.73 1758.68万 6.37 33.19
─────────────────────────────────────────────────
境内(地区) 8.06亿 87.15 2.21亿 80.13 27.44
境外(地区) 1.19亿 12.85 5485.61万 19.87 46.17
─────────────────────────────────────────────────
经销(销售模式) 5.65亿 61.14 1.55亿 56.10 27.39
直销(销售模式) 3.59亿 38.86 1.21亿 43.89 33.71
─────────────────────────────────────────────────
【3.前5名客户营业收入表】
截止日期:2023-12-31
前5大客户共销售4.41亿元，占营业收入的39.11%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│客户名称 │ 营收额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│客户一 │ 12245.39│ 10.86│
│客户二 │ 11923.16│ 10.58│
│客户三 │ 9606.17│ 8.52│
│客户四 │ 6450.05│ 5.72│
│客户五 │ 3858.67│ 3.42│
│合计 │ 44083.43│ 39.11│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【4.前5名供应商采购表】
截止日期:2023-12-31
前5大供应商共采购5.68亿元，占总采购额的83.28%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│供应商名称 │ 采购额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│供应商一 │ 32421.79│ 47.50│
│供应商二 │ 12163.17│ 17.82│
│供应商三 │ 5260.05│ 7.71│
│供应商四 │ 4126.63│ 6.05│
│伟测科技 │ 2867.47│ 4.20│
│合计 │ 56839.10│ 83.28│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【5.经营情况评述】
截止日期:2024-06-30
●发展回顾:
一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明
（一）所处行业情况
1、公司所处行业
公司主要从事集成电路产品的研发设计和销售，根据中国证监会《上市公司行业分类指引》，公司所处
行业为“C制造业——C39计算机、通信和其他电子设备制造业”。根据《国民经济行业分类（GB/T4754—20
17）》，公司所处行业为“6520集成电路设计”。
2、所处行业情况
集成电路行业作为全球信息产业的基础，经历了60多年的发展，如今已成为世界电子信息技术创新的基
石。集成电路行业派生出诸如5G、6G、物联网、智能手机、数字图像、云计算、大数据、人工智能等诸多具
有划时代意义的创新应用，成为现代日常生活中必不可少的组成部分。集成电路行业主要包括集成电路设计
业、制造业和封装测试业，属于资本与技术密集型行业，业内企业普遍具备较强的技术研发能力、资金实力
、客户资源和产业链整合能力。
近年来，得益于技术进步、市场需求增长以及政策扶持等多重因素推动，全球半导体行业呈现出快速发
展的态势。作为现代信息技术产业的核心，半导体在通信、消费电子、工业控制、汽车电子等领域发挥着不
可替代的作用，其重要性日益凸显。此外，随着智能汽车、AI大模型等新兴场景的涌现，对存储需求的增长
提供了强劲动力。存储技术升级和容量提升将进一步推动行业发展。
技术进步、市场需求增长以及政策扶持等多重因素推动全球半导体行业快速发展。中国作为全球最大的
半导体市场之一，其半导体产业规模不断扩大，技术水平逐步提升，一批具有国际竞争力的企业开始逐步崭
露头角。尽管如此，在部分高端芯片、关键设备等领域，与全球领先水平相比，我国仍存在明显差距。为提
升中国半导体产业的自主创新能力，实现核心技术突破，国家出台了一系列扶持政策，国产替代势在必行。
过去两年时间，宏观经济增长疲软对行业带来了一定的冲击，但随着经济的温和复苏，半导体行业将重
新焕发活力，在国产替代的大浪潮下，继续保持增长态势。2024年，存储芯片行业的市场需求也有所复苏，
主流存储器价格持续上涨；同时由于供给收缩和需求逐步复苏，利基存储器价格也有所修复，对企业带来业
绩改善机会。研究机构IDC预估，2024年全球半导体营收有望回升至6302亿美元，增长20%。存储市场增长最
强劲，增幅达52.5%，2025年将再增长14.4%。同时在AI、运算基础设施、汽车、HBM及Chiplet驱动下，2029
年半导体营收有望逼近1万亿美元规模，2032年将增长至超过1万亿美元。
存储芯片需求不断提升，这对存储芯片的性能、容量、读写速度、体积、功耗等方面都提出了更高的要
求。
随着经济的复苏和技术的进步，在政策的持续扶持和市场的推动下，中国半导体行业有望实现快速发展
。我国优秀企业也将努力追赶，不断缩小与国际先进水平的差距，为全球半导体产业的繁荣作出贡献。
（二）主营业务情况
1、存储系列芯片
报告期内，公司实现存储系列芯片营业收入7.24亿元，同比上升70.81%，毛利率34.81%，同比上升15.3
2个百分点，出货量37.84亿颗，同比上升71.44%。
（1）NORFlash产品
NORFlash具备随机存储、读取速度快、芯片内执行（XIP）等特点。作为数据读取和存储的重要器件，
其主要功能是数据的存储和读取，同时实现开机启动等固定运行的程序。由于NORFlash不必把应用程序代码
读到系统RAM中即可直接运行，使得NORFlash在运行程序时优势更显著，适用于开机响应时间、可靠性等要
求较高的电子设备。基于NORFlash上述应用特点及性价比优势，其被广泛应用于手机，电脑，可穿戴等消费
类电子、汽车电子、安防、工控、基站、物联网设备等其他领域。
公司NORFlash产品采用电荷俘获（SONOS）及浮栅（ETOX）工艺结构，提供了512Kbit到1Gbit容量的系
列产品，覆盖1.1V-3.6V的操作电压区间，具备低功耗、高可靠性、快速擦除和快速读取的优异性能，公司N
ORFlash产品应用领域集中在蓝牙、IOT、BLE、AMOLED、工业控制等相关市场。目前NORFlash行业主流工艺
制程为55nm，公司40nmSONOS工艺制程下4Mbit到128Mbit容量的全系列产品均已实现量产，处于行业内领先
技术水平。
公司40nm工艺节点已成为公司SONOS工艺结构下NORFlash产品的主要工艺节点，能够进一步提高公司产
品的成本优势，同时更好的满足下游应用的面积需求。此外，公司也并行采用浮栅（ETOX）工艺结构，提供
以中大容量为主、中小容量为辅的系列产品，已达到50nm的先进制程，目前已经实现了全容量系列产品的大
批量量产出货，报告期内，ETOXNORFlash产品512Mbit容量产品实现量产出货。未来将继续通过工艺研发和
设计创新实现产品完备化，实现公司在大容量市场的快速导入，持续提升公司在NORFlash领域的市场占有率
。
公司中小容量SONOSNORFlash车载产品已陆续完成AEC-Q100认证，主要应用于部分品牌车型的前装车载
导航、中控娱乐等。同时，公司全容量ETOXNORFlash系列产品通过AEC-Q100车规认证，为公司在汽车电子领
域的进一步发展奠定了坚实的基础，打开了更加广阔的市场空间。
报告期内，公司推出的超低电压超低功耗新一代SPINORFlash系列新产品，支持1.1V电源系统，同时具
备宽电压范围，可涵盖1.2V和1.8V系统，该产品系列计划覆盖4Mbit-128Mbit的容量区间，应用于基于嵌入
式SoC、手持移动应用、多媒体信息处理等场景中，能显著降低运行功耗，有效延长设备的续航时间。同时
，在NORFlash多款产品封装可靠性上进一步优化。
（2）EEPROM产品
EEPROM是一类通用型的非易失性存储器芯片，在断电情况下仍能保留所存储的数据信息，可以在计算机
或专用设备上擦除已有信息重新编程，可擦写次数至少100万次，数据保存时间超过100年。该类产品相较于
NORFlash的容量更小、擦写次数高，因此适用于各类电子设备的小容量数据存储和反复擦写的需求，广泛应
用于智能手机摄像头、工业控制、汽车电子、液晶面板、蓝牙模块、通讯、计算机及周边、医疗仪器、白色
家电等领域。
公司已形成覆盖2Kbit到4Mbit容量的EEPROM产品系列，操作电压覆盖1.2V-5.5V，主要采用130nm工艺制
程，具有高可靠性、面积小、性价比高等优势，同时实现了分区域保护、地址编程等功能，可对芯片中存储
的参数数据进行保护，避免数据丢失和篡改，可擦写次数可达到400万次，数据保持时间可达200年。公司部
分中大容量产品采用95nm及以下工艺制程下并已实现量产，公司EEPROM产品P24C系列满足1000万次擦写寿命
，100年数据保存的高可靠性要求。公司持续推进EEPROM产品在工业控制和车载领域的应用，工业控制上应
用占比显著提升，对稳定公司毛利率起到一定作用；同时，公司车载产品完成AEC-Q100标准的全面考核，在
车身摄像头、车载中控、娱乐系统等应用上实现了海内外客户的批量交付，汽车电子产品营收占比有所提升
；同时公司持续推进EEPROM产品全系列的车规认证。
公司超大容量EEPROM系列产品，支持SPI/I2C接口和最大4Mbit容量，其中2Mbit产品批量用于高速宽带
通信和数据中心。
与此同时，公司推出的超低电压1.2V系列EEPROM已实现量产出货，涵盖32Kbit至512Kbit，是目前行业
内工艺节点领先和容量覆盖面较为完备的超低电压产品线。
2、“存储+”系列芯片
报告期内，公司实现“存储+”系列芯片营业收入1.72亿元，同比上升284.61%，毛利率29.24%，同比下
降1.53个百分点，出货量3.73亿颗，同比上升275.36%。
（1）MCU产品
MCU是微控制单元，又称单片机，是把CPU（中央处理器）的频率与规格做适当缩减，并将内存、计数器
、USB、A/D转换、DMA等周边接口，甚至包括TFT、LCD、LED驱动电路等整合在单一芯片上形成的芯片级计算
机，可广泛应用于各类消费电子产品，如智能可穿戴设备、电机与电池、传感器信号处理、家电控制、计算
机网络、通信、工业控制、汽车电子等应用领域。
公司基于领先工艺和超低功耗与高集成度自有设计的存储器优势，布局ARMCortex-M内核系列32位通用
型MCU产品。公司陆续推出了ARMM0+和ARMM4内核的17大系列超过300款MCU芯片产品，覆盖55nm、40nm工艺制
程，产品支持24MHz~144MHz主频、24KByte~384KByteFlash存储容量、USB/CAN/SDIO等主流接口，以及20~10
0IO的多种封装形式，形成宽电压、低功耗、支持105℃及125℃高温等高质量、高可靠性、高性价比通用产
品矩阵。产品主要应用于智能家居、小家电、BMS、无人机、驱动电机、逆变器、电子烟等下游领域，国产
替代趋势下持续导入空间较大。
公司通过扩充相关支持团队等方式持续推进MCU生态环境建设，如重要客户方案设计、FAE现场支持、工
具开发、驱动程序推出、客户开发环境、网站支持等方面都积极配合实施推广。报告期内，ARMKEIL和IAR已
全面支持公司32位M0+及M4系列MCU，并同步为客户提供完整的开发代码编辑、编译、调试等功能。
报告期内，公司从功能开发、性能升级、使用场景多样化、封装形式全覆盖等多个角度持续拓展MCU产
品系列，并逐步导入消费电子、工业控制等众多下游应用终端中，具体如下：
公司基于ARM内核研发了电机专用型M0+MCU产品，覆盖单相至三相、低压至高压、中低端至高端风机和
水泵应用，提供自主知识产权的高效率基础算法和客户应用软硬件支持。目前该产品中1个系列已经量产，
主要应用于电动工具、风筒、水泵等下游应用领域；
1）公司基于ARM内核研发了超低功耗型M0+MCU产品，该系列产品支持48MHz主频，深度休眠模式下功耗
低至0.7μA，目前该产品已经量产，主要应用于家电、灯控、无线麦克风、电子烟等消费电子领域；
2）公司基于ARM内核的M4MCU产品目前已有1个系列10余颗料号量产出货，产品主要应用于智能家居、小
家电、舞台灯光等下游领域；
3）公司基于家电控制和消费电子触控功能领域研发了相关高性能触控技术MCU芯片产品，目前相关研发
设计已完成，后续将持续推进量产和相关领域的导入。
（2）模拟产品VCMDriver芯片
音圈马达（VCM）是摄像头模组内用于推动镜头移动进行自动聚焦的装置，音圈马达驱动芯片（VCMDriv
er）为与音圈马达匹配的驱动芯片，主要用于控制音圈马达来实现自动聚焦功能。目前，开环式、闭环式、
光学防抖式是音圈马达驱动芯片最为常见的三类产品，主要应用于手机摄像头模组领域。
公司内置非易失存储器的PE系列音圈马达驱动芯片（二合一)多颗产品量产,支持下一代主控平台的1.2V
PD系列音圈马达驱动芯片产品也已量产出货。该系列产品可有效降低产品功耗，缩小芯片面积，以顺应各类
智能终端轻薄化的发展趋势。同时，公司中置音圈马达驱动芯片也已经大批量出货，依托EEPROM产品的客户
资源优势，实现下游的顺利交付。此外，公司结合行业发展趋势，与终端密切配合，研发的新一代VOIS（光
学防抖音圈马达驱动）芯片实现量产，OIS芯片也在手机和安防客户端批量交付。
公司VCMDriver产品能与EEPROM产品形成良好的协同效应，提升公司在摄像头模组领域的竞争优势和市
场占有率。
二、核心技术与研发进展
1.核心技术及其先进性以及报告期内的变化情况
公司的核心技术可以分为设计及工艺技术和特定产品技术。设计及工艺技术指该类核心技术主要在设计
和工艺阶段，可应用于公司的多条或全部产品线；特定产品技术指该类技术主要应用于某一类产品线，该类
技术也可能出现跨产品线应用的情况。
报告期内，公司在存储器芯片领域持续拓展，进行40mn以下新一代工艺和浮栅下一代技术创新技术储备
，推出1.1V超低电压超低功耗创新技术，并在存储领域延展ETOX工艺技术开发中大容量NORFlash产品系列，
布局“存储+”战略，包括基于ARM内核的32位MCU芯片多个系列上百种型号的产品实现研发量产出货，以及
应用于摄像头模组的高性能VCMDriver芯片系列模拟产品。
相关的核心技术如下：
A.存储器芯片相关核心技术
（1）超低功耗设计通过模拟及混合信号电路设计，实现全差分低幅度的灵敏放大器，高速的双沿采样
实现读取数据的低功耗；结合数字电路的优化，芯片手表及品牌TWS耳机等穿戴领域具备领先的低功耗优势
。
在芯片擦写电路设计中，采用非离散域控制方法，实现较低的输出抖动和较低的动态功耗。
（2）宽电源电压设计公司在产品规划中采用了一体化自适应读出电路电源管理和宽电压低功耗电荷泵
设计技术，产品支持1.65V至3.60V工作电压范围。公司在成立之初推出了支持四线模式和宽电压的Flash产
品，满足了低功耗蓝牙在电池系统供电下与主流SoC配合的供电范围要求。
（3）超低电源电压设计公司推出的1.2VEEPROM系列产品，支持最低1.1V工作电压；这是基于超低电压
的模拟及存储器技术。
（4）高可靠性设计公司采用特殊器件和温度补偿电路，实现擦写电压的零温度系数，在相同工艺条件
下，公司的EEPROM产品擦写寿命可达400万次。
（5）面向封装的可靠性设计公司的WLCSP产品均采用自主知识产权的划片槽技术，能有效避免生产过程
中带来的裂片风险，在手机模组应用的WLCSP存储器产品划片中实现更优的失效率和颗粒残留，满足摄像头
模组的可靠性要求。
（6）面向产品灵活性和竞争力的设计公司利用单套掩膜版实现多颗产品的设计技术，实现产品软件配
置可调而支持多地址、多接口的应用。
B.工艺研发及优化的核心技术
存储器芯片主要由存储单元和外围电路两部分组成。存储单元方面，目前NORFlash的主流基础工艺包括
浮栅ETOX和电荷俘获的SONOS工艺结构，为芯片设计企业提供了不同的存储单元结构选择；外围电路方面，
芯片设计企业在确定基础工艺后，结合存储单元结构特性和产品功能需求进行复杂的外围电路设计，外围电
路设计技术的不同决定了NORFlash性能的差异化。因此，存储单元结构是芯片设计的基础，电路设计的核心
技术是决定产品性能的关键因素，是不同芯片设计公司之间芯片产品差异化的来源，帮助企业形成自身的产
品竞争优势和核心技术壁垒。
（1）先进工艺节点的Cell单元优化；
（2）面向工艺均一性的制程优化技术；
（3）面向良率提升的制程优化技术；
（4）面向核心工艺设备（炉管等）的工艺优化和窗口提升技术。
目前NORFlash领域中，兆易创新、华邦、旺宏等传统闪存芯片厂商均采用浮栅ETOX工艺结构。公司则率
先将SONOS工艺结构应用于NORFlash的研发设计，现阶段已形成完整的核心技术体系和技术壁垒，并凭借超
低功耗和高可靠性等产品特点，形成了极具竞争力的NORFlash产品矩阵。公司与晶圆厂充分配合，在存储单
元开发和工艺优化方面展开了深入的合作。公司成立至今，累计实现了三个制程节点近十种存储单元的开发
。
C.NORFlash相关核心技术
SONOS工艺下NORFlash相关核心技术
（1）SONOS工艺平台
公司采用SONOS工艺平台，结合基本逻辑工艺的低功耗特征，采用了双管（2T）单元共源（CSL）结构，
有效满足了穿戴应用及IoT应用对低电压和低功耗的要求。双管（2T）单元的存储结构可以有效控制存储单
元的漏电，使得产品具备极低的静态功耗。而对于共源（CSL）结构，在存储单元尺寸显著减小同时也可以
进一步降低编程和擦写电压，降低功耗，并实现工艺技术走向更先进的工艺制程。
公司通过自主研发和设计架构的配合，通过工艺复杂度的降低，有效减少所需掩膜版的数量，从而降低
产品的成本，通过降低操作电压，降低了擦除和写入操作对单元结构的损耗，实现NORFlash低功耗和高可靠
性。目前公司已完成SONOS工艺面向NORFlash的工艺和设计研发，形成了完整的NORFlash芯片设计技术体系
，帮助公司NORFlash产品实现了低功耗、快速读取等优异性能。
（2）产品设计及测试相关技术
公司通过创新的存储器架构和模拟电路的设计和优化，实现产品超低功耗的读出和擦写，产品在深睡眠
模式下只需满足极低工作电流的操作条件。
公司结合工艺和器件的特点，通过自主研发的存储器架构和全芯片的优化设计（含存储单元周边驱动电
路、模拟电路和数字电路），实现1.65-3.60V的宽电压工作范围并支持四线工作模式。通过存储单元设计技
术的创新与升级，实现了三个产品优势：
1）快速擦除，全芯片擦除速度较ETOX工艺下的NORFlash大幅提升，对于在线擦除或批量烧录的擦除有
显著的优势；
2）产品使用过程中，初期擦写时间和末期擦写时间不变，相较于ETOXNORFlash，公司的SONOSNORFlash
产品在特定的应用环境中具备一定优势；
3）异常掉电下的安全性和上电的快速特性，即掉电不影响非擦写区域，不会在掉电恢复后产生芯片漏
电而无法正常工作的问题，也保障了上电过程的快速实现。
通过自主研发的校准技术和温度补偿技术，实现擦写电压与存储单元的温度特性匹配，有效提升产品的
可靠性，达到擦写次数优于10万次，数据保持时间优于20年。
通过产品缓存的优化设计，实现产品并行写入效率的2至4倍提高，有效提升产品进行在线升级或批量烧
录的效率，从而降低成本。通过独特的页单位的擦除模式设计，改善产品在小数据结构下的擦写效率，有利
于可靠性和应用效率的提升。
通过自主研发的面向测试的设计技术，提升产品的测试效率、缩短测试时间，同时提升测试的覆盖率。
通过针对SONOSNORFlash面向制造的设计技术（包括电路和版图），提升产品在先进工艺下的生产控制
窗口，提升产品的良率。
通过自主开发的智能校准和动态调整技术，实现产品规格与工艺窗口的动态匹配，提升产品良率，并优
化可靠性水平。
通过采用全差分读取电路、高灵敏度比较器、以及亚阈值设计等先进设计技术，实现产品超低电压工作
；采用高效率读相关电路、功耗优化的低电压电荷泵等技术实现产品超低功耗，推出业界首款支持1.1V工作
的超低电压、超低功耗Flash平台。
ETOX工艺下NORFlash相关核心技术
（1）功耗优化技术
公司产品在读和擦写功耗上，采用了多种新技术对功耗进行了优化。在读功耗上：采用逻辑控制非用即
关技术，优化了读取控制电路的功耗；采用了新的解码编排技术，减小了位线寄生电容，减少了读取功耗；
采用了新的敏感放大技术，节约了数据读取所需要时间，减小了读取功耗。在写功耗上，采用了逐级控制电
流技术，提升了编程效率，缩减了编程功耗；采用了动态算法编程技术，提升了随机数编程效率；在擦除功
耗上，对擦除步骤之一的预编程进行了改进，用隧穿编程替代了热载流子编程，大大缩短了预编程的时间和
功耗。
（2）读取速度提升技术
公司产品采取的多种技术提升了的产品的读取速度。采用了动态采样、输出再编码、传输路径最适化、
字线匹配及非满幅检出等技术。
（3）过擦除保护技术
公司ETOX产品的特点有过擦除问题，需要对过擦除进行修复。产品采用了逼近优化的两步修复技术对过
擦除进行修复；产品还采用了上电过擦除检测及修复机制，对异常断电及数据老化导致的阈值变化进行检测
和纠正。
（4）冗余位线自动修复技术
公司ETOX产品在测试时需要用到冗余位线对常规位线的坏块进行修复，产品采用了冗余位线自动修复技
术，在一定背景数据下，当位线出现坏块时，修复系统自动对字线坏块进行修复，并输出修复信息或出错信
息，减少了修复处理的复杂度及测试时间。
D.EEPROM相关核心技术
（1）130nm制程下的存储单元改进技术
行业内公司的EEPROM芯片主流制程为130nm，公司在130nm制程的基础上，对存储单元结构进行工艺优化
改进，优化编程电压及电荷泵补偿结构。
一方面，降低了存储单元的面积和EEPROM芯片的大小，另一方面，擦写电压的优化和补偿结构，提升了
产品的可靠性和寿命，使得公司的EEPROM芯片具备400万次擦写能力及200年的数据保存时间。
（2）95nm及以下工艺制程的开发升级
在130nm高可靠性EEPROM的基础上，从工艺制程、电路设计等方面切入，对手机摄像头模组等消费类EEP
ROM以及智能电表、智慧通信等工业类EEPROM存储器芯片进行升级研发，达到了95nm及以下的工艺制程，实
现更大容量、更低工作电压和更低功耗。
（3）工艺结合设计的可靠性优化
通过特殊工艺器件的开发，工艺膜厚的优化、结合设计补偿和电荷泵启动技术，实现擦写电压的温度补
偿、并显著降低高压过程对存储单元的损伤，实现常温的高擦写次数，同时更为显著地提升了高温下的擦写
能力和擦写寿命。
（4）工艺结合设计的成本优化设计
通过特殊工艺层次的加入，结合设计电路在浮栅的控制方法，实现存储单元窗口的平移和操作电压的优
化，从而改善了存储单元的面积，同一工艺节点下实现存储单元和芯片尺寸的缩小。
（5）容错纠错技术
在容错和纠错技术的研究和开发方面，一是采用ECC技术，也就是纠错校验技术，在存储单元阵列的基
础上，需要增加一位的校验码，当数据被写入EEPROM的时候，相应的ECC代码与此同时也被保存下来。当重
新读回刚才存储的数据时，保存下来的ECC代码就会和读数据时产生的ECC代码做比较。来保证数据的准确性
。二是采用差分存储方案，利用差分存储单元特点，把数据存储分在差分的两个位置同时存储，在读出的时
候再比对两个位置的数据，解码一致则读出。
（6）先进封装和小型化技术
针对手机摄像头WLCSP封装对EEPROM小型化及可靠性需求。公司采用软件地址编程及软件写保护技术，
实现在4球的封装中提供全地址可编程的方案。同时针对手机摄像头加工和组装中容易产生灰尘颗粒缺陷的
要求，在产品设计的时候，采用无金属化的划片槽设计，能有效降低芯片加工过程中产生的裂片和颗粒缺陷
的风险，降低产品使用过程中可能发生的潜在失效。
E.微控制器相关核心技术
（1）宽电压MCU技术
公司MCU产品规划中定义了宽电压设计指标，产品低压支持最低1.7V工作电压，高压支持最高5.5V工作
电压。既可以满足新兴市场低电压、低功耗的要求，也可以满足早期8位MCU市场5V应用的需求。
（2）多IO设计技术
通过优化芯片电源网络和PMU设计，最大化的减少芯片电源引脚，在封装引脚限定的情况下提供更多的
通用IO，增加功能性。
（3）基于先进存储工艺的自主开发嵌入式Flash闪存技术
公司MCU产品采用55nm及以下嵌入式Flash工艺技术，结合基本逻辑工艺的低功耗特征，采用了双管（2T
）单元共源（CSL）结构，双管（2T）单元的存储结构可以有效控制存储单元的漏电，使得产品具备极低的
静态功耗。而对于共源（CSL）结构，在存储单元尺寸显著减小同时也可以进一步降低编程和擦写电压，降
低功耗，并
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