经营分析☆ ◇688785 恒运昌 更新日期：2026-08-01◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.前5名客户营业收入表】【4.前5名供应商采购表】
【5.经营情况评述】
【1.主营业务】
等离子体射频电源系统、等离子体激发装置、等离子体直流电源、各种配件的研发、生产、销售及技术服
务
【2.主营构成分析】
截止日期:2025-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
半导体(行业) 4.04亿 76.40 2.27亿 89.23 56.02
一般工业及其他(行业) 1.25亿 23.60 2734.38万 10.77 21.88
─────────────────────────────────────────────────
自研产品(产品) 4.15亿 78.38 2.30亿 90.39 55.32
引进产品(产品) 8661.32万 16.36 1204.13万 4.74 13.90
技术服务(产品) 2788.26万 5.27 1236.23万 4.87 44.34
─────────────────────────────────────────────────
境内(地区) 5.28亿 99.80 2.53亿 99.79 47.96
境外(地区) 103.30万 0.20 54.16万 0.21 52.43
─────────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 5.29亿 100.00 2.54亿 100.00 47.97
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2025-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
自研产品(产品) 2.58亿 84.81 1.41亿 94.58 54.66
引进产品(产品) 4457.92万 14.66 697.53万 4.68 15.65
技术服务(产品) 160.27万 0.53 109.44万 0.73 68.29
─────────────────────────────────────────────────
境内地区(地区) 3.04亿 99.90 1.49亿 99.89 49.00
境外地区(地区) 29.88万 0.10 16.47万 0.11 55.14
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2024-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
自研产品(产品) 4.56亿 84.34 2.48亿 94.67 54.45
引进产品(产品) 8181.23万 15.13 1237.23万 4.72 15.12
技术服务(产品) 289.03万 0.53 161.50万 0.62 55.88
─────────────────────────────────────────────────
境内地区(地区) 5.40亿 99.78 2.62亿 99.79 48.51
境外地区(地区) 121.20万 0.22 55.19万 0.21 45.54
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2023-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
自研产品(产品) 2.39亿 73.51 1.31亿 87.49 54.58
引进产品(产品) 8231.25万 25.31 1635.78万 10.97 19.87
技术服务(产品) 383.90万 1.18 230.21万 1.54 59.97
─────────────────────────────────────────────────
境内地区(地区) 3.24亿 99.68 1.49亿 99.66 45.85
境外地区(地区) 104.69万 0.32 50.01万 0.34 47.78
─────────────────────────────────────────────────
【3.前5名客户营业收入表】
截止日期:2025-12-31
前5大客户共销售4.45亿元，占营业收入的84.04%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│客户名称 │ 营收额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│拓荆科技股份有限公司 │ 30376.24│ 57.37│
│湘潭宏大真空技术股份有限公司 │ 5003.77│ 9.45│
│中微半导体设备（上海）股份有限公司 │ 4009.93│ 7.57│
│北方华创科技集团股份有限公司 │ 2771.38│ 5.23│
│江苏微导纳米科技股份有限公司 │ 2339.66│ 4.42│
│合计 │ 44500.99│ 84.04│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【4.前5名供应商采购表】
截止日期:2025-12-31
前5大供应商共采购1.62亿元，占总采购额的48.63%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│供应商名称 │ 采购额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│供应商S │ 6205.50│ 18.58│
│供应商D │ 3770.72│ 11.29│
│供应商C │ 2618.45│ 7.84│
│供应商H │ 2053.81│ 6.15│
│供应商HM │ 1593.90│ 4.77│
│合计 │ 16242.37│ 48.63│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【5.经营情况评述】
截止日期:2025-12-31
●发展回顾:
一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况说明
(一)主要业务、主要产品或服务情况
1.主营业务情况
公司是国内领先的半导体设备核心零部件供应商，主要从事等离子体射频电源系统、等离子体激发装置
、等离子体直流电源、各种配件的研发、生产、销售及技术服务，并引进真空获得和流体控制等相关的核心
零部件，围绕等离子体工艺提供核心零部件整体解决方案。
2.主要产品及服务情况
公司主要围绕等离子体工艺打造产品矩阵，自研产品具体包括等离子体射频电源系统（等离子体射频电
源及匹配器）、等离子体激发装置（远程等离子体源、射频离子源）、等离子体直流电源、配件（滤波器、
阻抗调整器等）；引进产品主要包括真空获得和流体控制分别所需的真空泵、质量流量计等核心零部件；同
时还为晶圆厂提供等离子体射频电源系统原位替换及维修等技术服务。
(1)自研产品
1)等离子体射频电源系统
历经十二年，公司通过自研先后迭代推出CSL、Bestda、Aspen/Basalt、Cedar四代等离子体射频电源系
统系列产品，其中Bestda系列、Aspen/Basalt系列及Cedar系列产品主要面向半导体领域，具体如下：
1、Cedar系列
2、Aspen/Basalt系列
3、Bestda系列
4、CSL系列
5、公司等离子体射频电源系统的主要应用领域
公司的等离子体射频电源系统被广泛应用于半导体工艺中的薄膜沉积、刻蚀、离子注入、清洗去胶、键
合等环节，以及光伏电池片的薄膜沉积、显示面板镀膜、精密光学镀膜、常压等离子体清洗等工业生产环节
。
2)其他自研产品及配件
除自研的等离子体射频电源系统外，公司其他自研产品包括：①电源类产品：等离子体直流电源等；②
等离子体激发装置：远程等离子体源、射频离子源；③配件：等离子体射频电源功率计、滤波器、阻抗调整
器等。
(2)引进产品
公司基于等离子体发生条件和反应腔真空环境的实际需求，引进用于获得和维持真空环境的真空泵、用
于流体精确控制的质量流量计以及用于真空镀膜装备的等离子体直流电源等核心零部件，围绕等离子体工艺
提供核心零部件整体解决方案，打造核心零部件供应平台。
(3)技术服务
公司技术服务主要系为晶圆厂提供等离子体射频电源系统原位替换及维修服务。等离子体射频电源系统
在晶圆厂使用过程中会出现老化、故障等问题，需要及时进行更换或维修。国内主要晶圆厂被美国商务部列
入实体清单后，无法继续向原海外设备供应商采购备件或申请维修服务，公司为此承接了进口等离子体射频
电源系统的原位替换及维修业务，为国内晶圆厂的稳定运转和生产可持续性提供了坚实的保障。
(二)主要经营模式
1、盈利模式
公司主要从事等离子体射频电源系统、等离子体激发装置、等离子体直流电源、各种配件的研发、生产
、销售，通过向半导体、光伏、显示面板、精密光学、其他工业等领域的客户销售以等离子体射频电源系统
为代表的自研产品，以及引进真空泵、质量流量计等真空获得和流体控制相关的核心零部件，同时公司为晶
圆厂和设备商提供等离子体射频电源系统原位替换及维修服务，以此实现收入和利润。
2、采购模式
公司等离子体射频电源系统等自研产品所使用的主要原材料包括电容、电阻、芯片等电子元器件、功率
模块等电气件以及钣金件等结构件。公司在研发过程中结合技术参数、客户要求、物料来源等因素综合考量
原材料的选型，通过有针对性的研发设计调整，不断提高产品的性能和品质。同时，公司在采购中积极推进
国产化率的提升，注重使用本土元器件，以促进国产替代。公司引进产品主要采购真空泵、质量流量计等真
空获得和流体控制相关的核心零部件，公司根据客户需求向相关品牌的境内外供应商采购，其中境外供应商
直接发货至公司指定港口，由公司办理清关等事宜；境内供应商发货至公司指定地点。
公司物料需求部门基于安全库存或销售预测的计划需求，提出采购申请。采购部门根据审批后的采购申
请，结合原材料的耗用情况、价格波动、使用频率等多方面因素与合格供应商签订单次采购合同或年度框架
协议，执行采购计划。
公司已建立稳定、高质量的供应商体系，关注供应商经营资质、生产能力、技术水平、质量管控水平以
及产品价格等多方面因素，并结合响应速度、付款条件等对供应商进行综合评定，将符合要求的供应商列入
合格供应商名录，并在供货阶段实行供应商动态管理，筛选优质供应商，持续优化采购渠道，提高原材料供
应的效率和稳定性。
3、生产模式
公司等离子体射频电源系统等自研产品主要采取以销定产的生产模式，根据供货要求、产品生产周期、
销售预测等因素对生产排期和物料管理进行统筹安排，协调生产、采购和仓储等相关部门保障生产的有序进
行。公司的生产流程主要是部件加工及装配、软件烧录、检测和工艺调试等，由制造中心对原材料进行装配
、线路连接、产品测试，确保产品性能稳定之后封装入库。为提升生产效率，公司将少量工序委外加工，包
括PCBA和线缆定制工序。
4、销售模式
公司产品销售采取直销模式，下游客户主要为半导体、光伏、显示面板、精密光学等行业的设备商，公
司向其直接销售与设备配套的等离子体射频电源系统等自研产品，以及真空泵、质量流量计等引进产品。对
于等离子体射频电源系统等自研产品，公司需经过客户严格的调查评估、验厂考察等认证程序，才能进入客
户的合格供应商体系或目录。在与客户合作对接过程中，公司销售、研发、工艺等部门与客户开展深入沟通
，洽谈和确定客户需求信息，拟定合适方案；同时，品质部门、采购部门、生产部门也会参与客户产品的开
发，根据新产品的特殊需求，优化产品布局和结构并达成最终方案。公司根据正式订单及客户预测相结合的
方式进行生产排产，并按交货期向客户交付。对于真空泵、质量流量计等引进产品，公司根据客户具体需求
和订单约定向客户直接销售引进产品。
5、研发模式
公司的研发由研发中心组织，具体包括研发项目的立项、项目实施及验证、交样结题及项目结案等。公
司研发模式主要系结合客户主要制程与研发方向需求，同时以公司产品种类和系列为基础进行研发创新。在
完成研发样品后，公司会及时向客户进行送样测试，并依据测试反馈结果以及客户提出的新需求，对产品的
性能、参数和指标进行针对性调整。
(三)所处行业情况
1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
公司致力于为国产半导体设备提供优质核心零部件，主要产品为等离子体射频电源系统，主要应用于半
导体设备领域。
（1）行业的发展阶段、基本特点等
离子体射频电源系统行业等离子体射频电源系统是半导体制造中极其关键的专用电源系统，主要由等离
子体射频电源和匹配器组成。其核心作用是通过产生高频电场，在晶圆反应腔体内将特定工艺气体电离，创
造并维持高活性、高能量的等离子体，并利用等离子体的特殊性能实现薄膜沉积、刻蚀、离子注入、清洗去
胶、键合等复杂半导体工艺（薄膜沉积、刻蚀与光刻并称为芯片制造三大关键工序）。等离子体射频电源系
统的性能直接影响薄膜沉积、刻蚀等环节中等离子体的成分浓度、均匀性和稳定性等，对于薄膜沉积的厚度
、密度、应力、速率，以及刻蚀的选择性、方向性、速率、质量等至关重要，进而影响晶圆制造工艺的能力
、良率和效率，等离子体射频电源系统在半导体制造核心装备中占据着核心位置。等离子体射频电源系统可
广泛应用于半导体、光伏、显示面板、精密光学、等离子体清洗等领域，是推动工艺和技术进步的重要载体
。产业链具体情况如下：
等离子体射频电源系统是半导体设备零部件国产化最难关卡之一，技术壁垒高、研发投入大、研发周期
长、生产的“精确复制”要求极高，因而国产化率极低。中国大陆半导体行业等离子体射频电源系统的市场
仍呈现由美系海外巨头厂商高度垄断的竞争格局，半导体设备厂商对于零部件自主可控的要求愈发紧迫，伴
随国产替代的整体趋势，国产等离子体射频电源系统市场快速发展。
（2）主要技术门槛
半导体设备核心零部件是半导体设备技术更迭和制程演进的重要承载，在半导体工艺和芯片结构日趋复
杂的背景下，半导体设备商对核心零部件厂商的要求更为严苛，包括对产品的可靠性、稳定性和一致性及核
心零部件厂商的研发能力、技术实力。因此，半导体设备核心零部件行业的技术壁垒很高。等离子体射频电
源系统作为薄膜沉积设备、刻蚀设备等半导体设备的核心零部件，技术要求极高，包括在纳米尺寸级别上精
准控制等离子体的刻蚀过程、在纳秒时间级别上和复杂环境中精准且稳定的控制等离子体的变化。技术要求
极高主要由于其直接关系到薄膜沉积、刻蚀等环节中等离子体的浓度、均匀性和稳定性等，进而影响晶圆制
造工艺的能力、良率和效率。等离子体射频电源系统的研发难度大，所需研发周期长、研发投入大。以AE为
例，从2008年推出可用于FinFET工艺的第三代Paramount系列射频电源，到2023年推出可用于3D封装的第五
代eVerest系列射频电源，产品迭代历时15年。MKS年报披露其2023-2025年累计研发费用高达8.58亿美元。
2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
公司是国内领先的半导体设备核心零部件供应商，主要从事等离子体射频电源系统、等离子体激发装置
、等离子体直流电源、各种配件的研发、生产、销售及技术服务，并引进真空获得和流体控制等相关的核心
零部件，围绕等离子体工艺提供核心零部件整体解决方案。公司自主研发的第二代产品Bestda系列等离子体
射频电源系统可支撑28纳米制程，第三代产品Aspen系列等离子体射频电源系统可支撑7-14纳米先进制程，
第四代产品Cedar系列等离子体射频电源系统将射频电源和匹配器整合为一体化平台，可支撑5纳米及以下更
先进制程。公司在国内半导体领域系首家出货过亿元和首家实现等离子体射频电源系统（支持半导体先进制
程）量产的国产厂商。公司打破多年来海外巨头在国内等离子体射频电源系统领域的垄断格局，能与海外巨
头同台竞争，并不断扩大市场占有率。报告期内，公司获得深圳2025年瞪羚企业、“湾芯奖”之技术创新奖
-年度创新企业等荣誉。
根据弗若斯特沙利文历史统计数据，中国大陆半导体行业等离子体射频电源系统的市场呈现海外巨头高
度垄断的竞争格局，其中2024年海外厂商MKS、AE、霍廷格和DAIHEN等合计市占率接近88%，国产厂商市占率
不足12%。
3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
根据2025年10月中国共产党第二十届中央委员会第四次全体会议所提出的《中共中央关于制定国民经济
和社会发展第十五个五年规划的建议》，要全链条推动集成电路、工业母机、高端仪器、基础软件、先进材
料、生物制造等重点领域关键核心技术攻关取得决定性突破。加强基础研究战略性、前瞻性、体系化布局，
提高基础研究投入比重，加大长期稳定支持。强化科学研究、技术开发原始创新导向，优化有利于原创性、
颠覆性创新的环境，产出更多标志性原创成果。
（1）半导体工艺和芯片结构日趋复杂，对等离子体射频电源系统的技术要求显著提升
随着半导体制程的持续演进，薄膜沉积、刻蚀等半导体工艺的复杂度和精细度日益提高，对等离子体射
频电源系统也在不断提出更高、更复杂的要求。经过几十年的演进，等离子体射频电源系统从早期的基于变
压器和电子管的射频电源及固定匹配网络演变成开关模式电源和自动调谐匹配网络，实现可靠、稳定、高效
的功率输送，并极大地减小了物理尺寸；其后，等离子体射频电源系统逐渐向数模混合控制、全数字控制发
展，输出信号也从连续波信号拓展出了脉冲信号。随着平面器件结构尺寸逐渐接近物理极限，半导体行业开
始转向更为复杂的三维结构，等离子体射频电源系统已经成为支持芯片3D结构复杂化的核心技术。3D存储器
的层数持续增加、FinFET持续缩小对于等离子体射频电源系统的技术要求显著提升。如对于层数较高的3DNA
ND，其刻蚀需要达到70:1的高深宽比，这要求等离子体中产生的活化离子能一直达到孔隙的底部，这需要等
离子体射频电源系统通过产生多重射频和同步射频脉冲来控制离子能量和表面电荷，并且在微秒范围内精确
测量、高速调谐射频功率。
（2）AI应用落地，半导体迎增长新机遇
人工智能（AI）的大量应用需求将带动新一轮半导体增长，尤其是先进制程的逻辑及存储相关的晶圆制
造厂的产能。一方面，需求激增带动算力产业链的资本开支持续增加，并带动HBM、3DNAND存储需求快速增
长。另一方面，随着手机、PC、汽车、物联网等传统终端的AI应用落地，换机和升级需求增加，智能装置AI
化将推动新一轮半导体增长，成为本轮半导体增长周期的驱动因素。
（3）制程节点演进、芯片和工艺复杂度的提升带动等离子体射频电源系统用量及价值占比提升
半导体制造对等离子体射频电源系统工艺要求的提升，有效地丰富了等离子体射频电源系统的工艺体系
，为设备厂商提供较宽的工艺窗口，并提高了等离子体射频电源系统在半导体制造设备中的价值占比。半导
体设备全球市场规模成长至近千亿美元，同时随着制程节点不断演进、芯片和工艺复杂度的提升，薄膜沉积
设备和刻蚀设备等半导体设备的需求将持续上升。等离子体射频电源系统作为薄膜沉积设备和刻蚀设备等半
导体设备的核心零部件，其性能直接关系到薄膜沉积、刻蚀等环节中等离子体的浓度、均匀性和稳定性等，
进而影响晶圆制造工艺的能力、良率和效率。薄膜沉积设备和刻蚀设备等单台设备中的等离子体射频电源系
统的用量和价值占比随着半导体设备用量的增加也将呈整体提升态势。
（4）设备国产化为我国半导体行业发展的长期趋势受欧美等国对我国半导体产业限制政策的影响，我
国半导体产业的供应链安全面临严峻挑战，凸显出我国在半导体关键领域实现自主可控的必要性。半导体产
业链国产化的需求特别强烈，国产化进程将进一步加速，半导体核心设备及核心零部件国产化将成为我国半
导体行业发展的长期趋势。
二、经营情况讨论与分析
等离子体射频电源系统在半导体制造核心装备中占据着核心位置。半导体设备由数以万计的零部件组成
，零部件的性能、质量和精度直接决定着设备的可靠性和稳定性，制程升级很大程度依赖于精密零部件的技
术突破。等离子体射频电源系统的性能直接影响薄膜沉积、刻蚀等环节中等离子体的浓度、均匀性和稳定性
等，对于薄膜沉积的厚度、密度、应力、速率，以及刻蚀的选择性、方向性、速率、质量等至关重要，进而
影响晶圆制造工艺的能力、良率和效率。
公司始终致力于成为围绕等离子体工艺提供核心零部件整体解决方案的平台型公司，为半导体设备国产
化贡献中国“芯”力量。报告期内，面对复杂多变的外部环境与半导体行业周期波动，公司坚守发展战略，
全体员工凝心聚力、实干奋进，在经营业绩、技术创新、质量提升、生产制造与治理能力上均取得扎实成效
。公司以市场和客户需求为导向，优化产品布局，强化技术攻关；坚守质量底线，完善全过程质量管控，产
品品质与可靠性稳步提高；生产制造实现突破，产能、工艺与运营效率持续优化；管理体系不断健全，规范
化水平显著提升，高质量发展迈出坚实步伐。
（一）报告期内主要经营情况
2025年，公司实现营业收入52947.01万元，较上年同期下降2.09%，主要系半导体行业具有周期波动的
特性，下游半导体设备客户的采购量需依据自身承接的晶圆厂订单数量、产品验证导入进度及交付验收节奏
动态调整，进而导致对公司的采购呈现波动；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润10453.
21万元，较上年同期下降18.95%，主要系公司持续加大研发投入力度，提高技术指标要求，推进新产品开发
、产品持续升级迭代等，不断加强产品竞争力，研发费用较上年同期大幅增加所致。截至本报告披露日，公
司在手订单为15718.77万元。
（二）报告期内重点任务完成情况
1、产品研发及客户拓展方面
①报告期内研发投入情况
公司一直以来高度重视研发工作，结合行业发展趋势和客户需求持续推进技术创新，不断加大研发投入
，报告期内，公司研发投入金额达到8015.92万元，同比增长45.01%，研发投入占营业收入比例达15.14%。
报告期内，公司不断通过内生研发优化现有产品并拓宽产品品类，不断完善研发管理机制和创新激励机制，
优化研发环境；同时，密切追踪最新的技术及发展趋势，开展对先进技术、先进工艺的研究，为技术突破和
产品升级提供重要的基础和保障。
②报告期内公司主要产品在主要客户处的产品验证及产业化进展
报告期内，公司所承接的主要客户的研发产品数量不断扩大。随着合作产品数量尤其是验证导入中的产
品数量的不断增加，公司主要客户的新增定制需求均在不断增加。公司将持续加大研发投入力度，承接更多
客户的需求。
2、供应保障方面
公司已建立稳定、高质量的供应商体系，关注供应商经营资质、生产能力、技术水平、质量管控水平以
及产品价格等多方面因素，并结合响应速度、付款条件等对供应商进行综合评定，将符合要求的供应商列入
合格供应商名录，并在供货阶段实行供应商动态管理，筛选优质供应商，持续优化采购渠道。同时，为保证
生产的连续和稳定性，公司综合考虑原材料的采购周期、供应商的供货能力、采购量起订门槛等因素，对常
用材料建立安全库存机制。除此之外，自2021年起，公司先后实现真空电容、陶瓷电容等元器件的国产化应
用，目前已确定上游元器件全国产化方案，持续推进全面国产化验证。
3、营运管理方面
公司高度重视质量管理，依据ISO9001及相关法律法规要求，结合公司实际情况，并参考国外大厂标准
严格要求，建立了以经营流程为管理轴心的内部管理制度和标准化、规范化的质量管理体系。同时，为进一
步提升客户的满意度，提高公司产品品质，公司开发了自主测试平台，公司所有产品出厂前会经过应力测试
、老化测试等一系列测试，为客户减少了验证试错的时间，节约了试错成本和沟通成本。另外，公司不断优
化信息技术防护措施，加强安全保密管控，切实提升网络安全和数据安全治理能力。
4、知识产权保障方面
公司高度重视科技创新与知识产权保护工作，为加强对技术资料保密工作的统一管理及防止技术泄密，
公司制定了《企业秘密管理制度》《商业秘密管理办法》《知识产权管理办法》，建立了有效的知识产权保
护管理体系。公司取得了第三方出具的《知识产权管理体系认证证书》，认证公司符合《企业知识产权管理
规范》（GB/T29490-2013）的国家标准。公司取得了基于ISO56005的《创新与知识产权管理能力》2级等级
证书。截至报告期末，公司已授权专利共296项，包括发明专利123项，实用新型专利72项，外观设计专利10
1项。截至2025年12月31日，公司已累计申请490项专利，其中发明专利262项，占比53.47%。
5、人才队伍建设情况
报告期内，公司员工总数达405人，同比增长10.96%。公司根据未来技术发展规划和现有人才储备状况
，将不断加强人才队伍的建设工作，通过各种方式重点激励在技术研发、产品创新、专利申请等方面做出贡
献的研发人才。公司还将持续引进各类专业人才，包括招募更多具备前瞻性、共性基础技术研究能力的技术
人才，注重国内外高端专业技术人才、各领域高端管理人才的引进，优化人才结构，打造一流的人才队伍，
满足公司快速发展的需要。截止本报告披露之日，公司计划引进海外高端人才。此外，公司还将进一步扩大
与有关高校科研院所的合作，在产、学、研、训等多种合作模式的基础上，内外并举，实现公司未来可持续
发展。
6、公司募投项目建设进展情况
报告期内，沈阳半导体射频电源系统产业化建设项目按计划稳步推进中。营销及技术支持中心项目的北
京中心已处于正式运营阶段，半导体与真空装备核心零部件智能化生产运营基地项目、研发与前沿技术创新
中心项目及营销及技术支持中心项目的上海、武汉、合肥中心处于前期准备阶段。公司将密切关注行业发展
趋势及市场需求变化，在确保项目质量与预期效益的前提下，加快推进募投项目建设。
7、内部治理方面
报告期内，公司遵循《公司法》《证券法》《上市公司治理准则》等法律、法规和规范性文件的要求，
持续优化公司治理结构，建立健全内部控制体系，提升公司规范运作水平。报告期内，公司召开了4次股东
会、7次董事会、3次监事会、6次董事会审计委员会、1次董事会提名委员会、4次董事会薪酬与考核委员会
、2次董事会战略委员会、3次独立董事专门会议。公司以《公司法》《证券法》《科创板上市规则》和《公
司章程》等法律法规及规范性文件为指引，持续推进治理体系建设，确保经营管理决策兼具科学性、合理性
与合规性，全面提高公司治理效能和规范化水平，为战略目标的顺利达成夯实基础。
8、对外投资
为进一步拓展海外市场、搭建海外研发平台、建设海外购销系统、推进国际化进程，公司于2025年11月
在德国以境外直接投资的方式设立全资子公司德国恒运昌。在未来发展规划上，子公司德国恒运昌将作为恒
运昌全球化布局中的重要战略支点，承担海外研发、技术融合、市场拓展三大职能。
三、报告期内核心竞争力分析
(一)核心竞争力分析
1、客户资源优势
目前公司是国内极少数实现批量交付半导体级等离子体射频电源系统的企业，公司已实现对拓荆科技、
中微公司、北方华创、微导纳米、盛美上海等国内头部半导体设备商的批量供货。除半导体设备企业外，公
司也已通过中芯国际等国内龙头终端晶圆厂的准入审核。此外，公司还在积极推进其他多款等离子体射频电
源、匹配器、远程等离子源的后续验证工作，以期建立更为密切的合作关系。
核心零部件影响半导体设备运行的整体性能，头部效应显著，领先通过认证并批量交付的企业更容易获
得国产替代资源并形成正向反馈。由于半导体行业验证周期较长，且晶圆厂要求“精确复制”的管理模式，
使其确保在全球不同工厂生产产品质量和成品率，因此核心零部件供应商一旦与主要半导体设备客户建立合
作关系，合作关系通常会非常稳定，具有较强的客户粘性，新进入者对合作关系的影响相对较小。公司等离
子体射频电源和匹配器产品已经全面覆盖下游头部客户，这些稳定的合作关系将进一步巩固和提升公司在行
业中的地位，形成良性循环，为公司在半导体设备领域的持续发展提供了坚实基础。
2.产品优势
历经十二年，公司先后推出CSL、Bestda、Aspen三代产品系列等离子体射频电源系统，成功打破了美系
两大巨头在国内长达数十年的垄断格局。公司已量产的产品已达国际龙头企业的次新一代同等技术水平。第
四代产品Cedar系列等离子体射频电源系统将射频电源和匹配器整合为一体化平台，可支撑5纳米及以下更先
进制程。公司凭借多年以来产品的优势积累，在国产半导体设备的薄膜沉积、刻蚀等关键细分领域持续扩大
市场占有率，实现对进口零部件的国产替代，产品质量和性能得到了客户的高度认可，建立了良好的口碑，
在半导体级等离子体射频电源系统领域占据领先地位。半导体设备及零部件行业具有“精确复制”的要求，
等离子体射频电源系统的量产必须确保高度稳定和可重复的生产工艺，且需经过精密的校准和严格的测试流
程，以确保性能的一致性和长期稳定性。在此严苛要求下，公司已具备成熟的规模化量产能力，并成为薄膜
沉积、刻蚀环节国内头部设备商的战略级供应商。
3.技术优势
经过十多年的持续研发、不断创新和积累，公司以技术发展、行业需求为双导向，建立了“基石技术+
产品化支撑技术”的技术体系，一方面从测量、控制及架构构建的底层通用的3大基石技术，并基于基石技
术，结合半导体设备中应用，特别是先进制程中更快速、更精准、更稳定的应用诉求和实现难点，发展出8
大产品化支撑技术，实现了突破高端等离子体射频电源系统的先进设计、测量和控制等难题，掌握了信号采
样及处理、相位同步锁定、快速调频、脉冲控制等等离子体射频电源系统运行中的关键技术。通过公司的等
离子体射频电源系统产品，下游客户的设备实现了将射频赋能等离子体过程控制在10毫秒等级。射频快速响
应能够使等离子体在最短时间内达到稳定状态，实现对薄膜厚度和膜厚均匀性的精准控制，是设备运行的稳
定性和产品良率的关键。截至报告期末，公司拥有已授权发明专利123项，境内外在申请发明专利123项，在
产品迭代方面积累了丰富的技术储备。
4.研发优势
随着半导体制程的一路发展，刻蚀工艺中更高的深宽比、芯片中叠层间更高的一致性、原子级尺寸的逻
辑结构和更复杂3D形状结构等特性驱动着新的工艺、新的材料以及其他结构和工艺的更深层次的改变，这些
改变的实现都需要有等离子体射频电源系统的深度参与。公司在自主创新的基础上，注重与科研院所、高等
院校等外部机构的合作，坚持产学研一体化的创新研发机制，为持续发展提供有力保障。公司积极与哈尔滨
工业大学、北京航空航天大学、西安电子科技大学、大连理工大学、广东工业大学、深圳技术大学、岭南师
范学院、西南交通大学等国内高校，通过共建实验室、项目合作等方式开展产学研合作，不断提升公司的研
发水平和能力。
5.团队优势
公司汇聚了一支在等离子体射频电源系统及半导体核心零部件行业拥有二十年以上从业经验的国际化团
队，集合全球智慧，提供创新设计和产品，拥有深厚背景和丰富经验，对半导体技术的发展脉络、市场需求
变化以及行业趋势有着深刻的认识和精准的把握。团队成员不仅在技术研发方面拥有卓越的能力和敏锐的洞
察力，而且在运营管理和市场拓展等方面有着长期的从业经历，对半导体行业具有深刻理解和具有丰富的实
践经验，是公司持续创新和保持竞争力的重要基石。
(三)核心技术与研发进展
截至报告期末，公司承担了国家半导体产业的基础再造和重大技术装备攻关任务，先后承接3项国家级
重大专项课题。截至报告期末，公司累计申请专利490个、累计获得专利296个；报告期内，公司新增申请专
利共107项、新增获得专利共73项。
五、报告期内主要经营情况
2025年，公司实现营业收入52947.01万元，较上年同期下降2.09%，主要系半导体行业具有周期波动的
特性，下游半导体设备客户的采购量需依据自身承接的晶圆厂订单数量、产品验证导入进度及交付验收节奏
动态调整，进而导致对公司的采购呈现波动。实现归属于上市公司股东的净利润11384.03万元，较上年同期
下降19.57%，归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润10453.21万元，较上年同期下降18.95%，主
要系公司持续加大研发投入力度，提高技术指标要求，推进新产品开发、产品持续升级迭代等，不断加强产
品竞争力，研发费用较上年同期大幅增加。截至本报告披露日，公司在手订单为15718.77万元。
●未来展望:
(一)行业格局和趋势
近年来，我国政府先后推出了一系列鼓励和支持半导体行业发展的政策，为半导体产业链的发展营造了
良好的政策环境。根据2025年10月中国共产党第二十届中央委员会第四次全体会议所提出的《中共中央关于
制定国民经济和社会发展第十五个五年规划的建议》，要全链条推动集成电路、工业母机、高端仪器、基础
软件、先进材料、生物制造等重点领域关键核心技术攻关取得决定性突破。加强基础研究战略性、前瞻性、
体系化布局，提高基础研究投入比重，加大长期稳定支持。强化科学研究、技术开发原始创新导向，优化有
利于原创性、颠覆性创新的环境，产出更多标志性原创成果。
等离子体射频电源系统作为薄膜沉积、刻蚀、离子注入、清洗去胶、键合等半导体设备的核心零部件，
长期以来主要由美系厂商主导，国产化率极低。在当前复杂的国际地缘政治形势下，欧美等国对我国半导体
产业的限制加剧，我国半导体产业的供应链安全面临严峻挑战，半导体设备厂商对于零部件自主可控的要求
愈发紧迫，伴随国产替代的整体趋势，国产等离子体射频电源系统市场快速发展。
半导体产业近年的三大主流趋势——AI算力、存储革命和技术驱动产业升级持续深化，带动半导体制造
设备需求增长及晶圆厂产能扩张。根据SEMI预计，2025年全球半导体设备总销售额预计达1,330亿美元，同
比增长13.7%，创历史新高，并持续保持增长态势；2026年、2027年有望继续攀升至1,450亿和1,560亿美元
。根据SEMI预计，2025年全球用于前端设施的晶圆厂设备支出自2020年以来连续六年增长，较去年同比上升
2%，达1,100亿美元。与此同时，中国大陆半导体市场的快速发展、国产替代进入加速阶段、晶圆厂扩产等
趋势，也为国内半导体零部件厂商创造了巨大的发展机遇和市场空间。根据SEMI统计，2025年第三季度，全
球半导体设备销售额中，中国大陆市场占比约44%；至2027年，中国大陆仍将位居半导体设备支出前三甲地
位，且有望在预测期内保持首位。根据SEMI预计，2024-2027年，全球预计投入运营75座新的12寸晶圆厂。
其中，预计中国大陆从2024年的29座增长至2027年的71座。公司核心产品等离子体射频电源系统作为薄膜沉
积、刻蚀、离子注入、清洗去胶、键合等设备的关键核心零部件，半导体设备市场增长及晶圆厂扩产趋势将
为公司的主营业务带来持续成长。
(二)公司发展战略
1、自研产品的未来业务规划
在半导体工艺制程的技术演进上，公司通过“技术研发—成果转化—产业应用”的全链条创新，公司自
主研发的第二代产品Bestda系列可支撑28纳米制程，第三代产品Aspen系列可支撑7-14纳米先进制程，达到
国际先进水平，填补国内空白。当前公司新一代射频电源系统Cedar系列已处于验证状态，该产品将射频电
源和匹配器整合为一体化平台，产品可支撑5纳米及以下更先进制程。该产品旨在发展新的功放拓扑设计，
开展诸如任意波形技术、电子开关驱动的电容阵列匹配技术的开发，以及射频电源/匹配器一体化集成等，
在能量密度、转换效率、采样和通讯速率、响应时间和控制能力等诸方面加以提升，继续瞄准国际更前沿制
程的产品追赶。
大数据与人工智能是当下经济和社会发展的新一轮革命/进化的驱动力，公司也已启动了大数据与人工
智能业务，利用大数据与人工智能的发展成果建立射频电源系统领域的垂直模型等，发展服务于产品研发、
制造、应用全过程的软硬件产品与系统，提升产品全生命周期质量、提升研发和制造效率、促进设计技术迭
代等等，以及参与等离子体微纳加工技术的从科学研究至零部件开发、至装备研制、至晶圆厂制程工艺迭代
的产学研用全链条协同创新。直流电源方面，公司重点开发大功率直流脉冲电源，进一步拓展当前直流产品
的品类和技术能级。公司的MFCMEMS传感器项目截至报告期内已处于完成初样流片及搭载测试平台的阶段。
综上所述，公司将采取双轮驱动策略持续丰富产品布局。通过内生研发，持续优化现有产品，提升性能
与质量，并拓宽产品品类。
2、引进产品的未来业务规划
公司的引进产品与自研产品相互补充，共同构成等离子体工艺的核心零部件整体解决方案。引进产品的
产品种类将聚焦于目前的真空泵、质量流量计、等离子体直流电源，将进一步拓展客户范围，其中真空泵客
户目前以精密光学镀膜及半导体设备等客户为主，公司将拓展更多半导体、光伏及显示面板客户的应用，在
公司其他自研产品客户中拓展市场空间；质量流量计目前收入较少，主要集中于精密光学镀膜客户，公司将
拓展在半导体、光伏及显示面板等领域的市场空间，同时加快自研质量流量计的研发落地和出货，以引进业
务带动自研产品的验证和销售；引进的等离子体直流电源目前以光伏、面板、精密光学等领域的客户为主，
公司自研的等离子体直流电源已批量出货，引进和自研等离子体直流电源相互补充，为客户直流溅射镀膜工
艺提供更多选择。此外，随着公司资本实力的提升，公司未来将借助外部并购等战略举措，积极物色境内外
优质的标的和技术，以进一步增强等离子体工艺核心零部件的供应能力，为客户提供一站式的产品和服务。
(三)经营计划
1、持续研发与创新，保持和提高技术先进性，不断提升工艺水平和产品性能
公司将始终以客户需求作为技术研发导向，密切追踪最新的技术及发展趋势，持续增加研发投入，不断
完善研发管理机制和创新激励机制，搭建更好的研发环境，开展对先进技术、先进工艺的研究，加快产品创
新，为技术突破和产品升级提供重要的基础和保障。
公司将不断丰富公司产品和技术储备，根据下游客户需求快速形成产品和应用解决方案，持续推进产品
的更新迭代，加快推动更先进工艺制程等离子体射频电源系统的产业化应用，为客户提供性能更优、可靠性
更高的产品，在迅速崛起的中国大陆半导体市场构筑优势地位，助力公司长期稳定发展。
此外，公司还将充分发挥研发和技术优势，结合市场发展前景和目标客户需求，不断进行新产品的研发
设计。在应用领域方面，公司积极推动主营业务产品向光伏、显示面板、精密光学等领域的拓展；在产品布
局方面，公司将采取双轮驱动策略。通过内生研发和择机对外收购的方式，持续优化现有产品，提升性能与
质量，并拓宽产品品类，开发低频大功率等离子体射频电源、远程等离子体源、直流溅射电源等产品，形成
新的利润增长点，不断增强公司持续盈利能力、核心竞争力和抗风险能力。
2、充分借力资本市场，重点加强先进产品产能建设
针对现有生产场地和设备不足严重制约公司产能的问题，公司将在现有生产模式的基础上，在沈阳建设
半导体射频电源产业化中心，在深圳扩建半导体与真空装备核心零部件智能化生产运营基地，引进性能更优
、智能化水平更高、更先进的生产制造设备、测试设备及仓储系统，并结合生产车间及数据管理系统软件，
实现生产制造、经营、管理和决策的智能优化，向模块化、智能化、数字化生产制造车间迈进，从而提高产
品生产效率，扩大公司产销规模，满足不断增长的市场需求并解决公司产能瓶颈问题，提升公司整体运营效
率，促进公司业绩增长，稳定公司的行业地位以及进一步提升核心竞争力。
3、以客户为中心，提升技术服务，加强多元化市场开拓
公司始终以客户为中心，密切关注客户需求，强化与客户设计研发的沟通合作，持续收集下游行业市场
与技术动态信息，同时进一步加强公司技术销售与技术服务，重点加大培养既懂专业技术又有销售服务能力
的技术精英，提供在产品及技术应用、销售专业技能、产品技术服务等全方位的培训，确保公司在产品技术
路线交流、销售、服务、信息反馈等环节为客户提供专业化的技术支持服务和解决方案。
公司通过设立沈阳子公司和北京子公司，加强公司在东北、华北地区的业务开拓，发挥产品生产、区域
业务协调、品牌建设、资源整合、客户维护、吸引高科技及技术人才、强化科研能力等功能，统筹区域内优
势资源，扩展业务服务半径。未来公司将逐步在上海、武汉等重点区域设立分支机构，完善区域布局，进一
步提高对行业头部客户的服务能力以及对重点市场的挖掘和渗透能力。公司还将加速推进境外业务拓展，拓
展中国大陆以外的市场，包括优先组建中国台湾、欧洲的销售网络，布局相关地区客户，实现产品在中国大
陆区域以外的销售，助力半导体设备核心零部件从“引进来”到“走出去”。
4、加强高端人才引进，实现可持续发展人才梯队建设
公司根据业务发展需求，制定短期、中期和长期相结合的人力资源规划，建立、健全公司科学化、规范
化的人力资源管理系统，全面提升员工素质及公司管理水平与业务水平。公司根据未来技术发展规划和现有
人才储备状况，将不断加强人才队伍的建设工作，通过各种方式重点激励在技术研发、产品创新、专利申请
等方面做出贡献的研发人才。公司还将持续引进各类专业人才，包括招募更多具备前瞻性、共性基础技术研
究能力的技术人才，注重国内外高端专业技术人才、各领域高端管理人才的引进，优化人才结构。
公司将进一步加强人才梯队建设，坚持内部培养和外部招聘相结合的战略方针，加大人力资源成本投入
，优化并完善更具竞争力的薪酬福利体系，吸引更多优秀人才，打造一流的人才队伍，满足公司快速发展的
需要。截至本报告披露之日，公司计划引进海外高端人才。此外，公司还将进一步扩大与有关高校科研院所
的合作，以实训基地、校外实验室、联合实验室、研究生联合培养站点等为载体，丰富产、学、研、训多种
合作模式，内外并举，实现公司未来可持续发展。
5、提升公司治理水平，推进收购兼并及全球化计划
公司将严格遵守《公司法》《证券法》《科创板上市规则》等法律法规要求，不断加强规范运作，持续
优化适应公司高效灵活运作的治理结构，健全科学有效的决策机制、风险防范与风险抵御机制，确保公司各
项业务高效快速开展。在产品布局方面，公司将采取双轮驱动策略开展。通过内生研发，持续优化现有产品
，提升性能与质量，并拓宽产品品类；同时，借助外部并购等战略举措，将公司发展成为围绕等离子体工艺
提供核心零部件整体解决方案的平台型公司，为客户提供一站式的产品和服务。
国际化是公司未来发展的核心战略之一。公司将从深耕国内市场起步，逐步拓展国际市场，以全球化视
野整合资源，提升品牌影响力。通过持续的技术创新与卓越的产品服务，公司致力于成为围绕等离子体工艺
提供核心零部件整体解决方案的平台型公司，并力争在未来跻身国际一流的半导体设备核心零部件全球供应
商行列。
〖免责条款〗
1、本公司力求但不保证提供的任何信息的真实性、准确性、完整性及原创性等，投资者使
用前请自行予以核实，如有错漏请以中国证监会指定上市公司信息披露媒体为准，本公司
不对因上述信息全部或部分内容而引致的盈亏承担任何责任。
2、本公司无法保证该项服务能满足用户的要求，也不担保服务不会受中断，对服务的及时
性、安全性以及出错发生都不作担保。
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据上述信息进行投资决策所产生的收益和损失承担任何责任。投资有风险，应谨慎至上。
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