经营分析☆ ◇688785 恒运昌 更新日期：2026-05-06◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.前5名客户营业收入表】【4.前5名供应商采购表】
【5.经营情况评述】
【1.主营业务】
等离子体射频电源系统、等离子体激发装置、等离子体直流电源、各种配件的研发、生产、销售及技术服
务
【2.主营构成分析】
截止日期:2025-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
半导体(行业) 4.04亿 76.40 2.27亿 89.23 56.02
一般工业及其他(行业) 1.25亿 23.60 2734.38万 10.77 21.88
─────────────────────────────────────────────────
自研产品(产品) 4.15亿 78.38 2.30亿 90.39 55.32
引进产品(产品) 8661.32万 16.36 1204.13万 4.74 13.90
技术服务(产品) 2788.26万 5.27 1236.23万 4.87 44.34
─────────────────────────────────────────────────
境内(地区) 5.28亿 99.80 2.53亿 99.79 47.96
境外(地区) 103.30万 0.20 54.16万 0.21 52.43
─────────────────────────────────────────────────
直销(销售模式) 5.29亿 100.00 2.54亿 100.00 47.97
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2025-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
自研产品(产品) 2.58亿 84.81 1.41亿 94.58 54.66
引进产品(产品) 4457.92万 14.66 697.53万 4.68 15.65
技术服务(产品) 160.27万 0.53 109.44万 0.73 68.29
─────────────────────────────────────────────────
境内地区(地区) 3.04亿 99.90 1.49亿 99.89 49.00
境外地区(地区) 29.88万 0.10 16.47万 0.11 55.14
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2024-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
自研产品(产品) 4.56亿 84.34 2.48亿 94.67 54.45
引进产品(产品) 8181.23万 15.13 1237.23万 4.72 15.12
技术服务(产品) 289.03万 0.53 161.50万 0.62 55.88
─────────────────────────────────────────────────
境内地区(地区) 5.40亿 99.78 2.62亿 99.79 48.51
境外地区(地区) 121.20万 0.22 55.19万 0.21 45.54
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2023-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
自研产品(产品) 2.39亿 73.51 1.31亿 87.49 54.58
引进产品(产品) 8231.25万 25.31 1635.78万 10.97 19.87
技术服务(产品) 383.90万 1.18 230.21万 1.54 59.97
─────────────────────────────────────────────────
境内地区(地区) 3.24亿 99.68 1.49亿 99.66 45.85
境外地区(地区) 104.69万 0.32 50.01万 0.34 47.78
─────────────────────────────────────────────────
【3.前5名客户营业收入表】
截止日期:2025-12-31
前5大客户共销售4.45亿元，占营业收入的84.04%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│客户名称 │ 营收额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│拓荆科技股份有限公司 │ 30376.24│ 57.37│
│湘潭宏大真空技术股份有限公司 │ 5003.77│ 9.45│
│中微半导体设备（上海）股份有限公司 │ 4009.93│ 7.57│
│北方华创科技集团股份有限公司 │ 2771.38│ 5.23│
│江苏微导纳米科技股份有限公司 │ 2339.66│ 4.42│
│合计 │ 44500.99│ 84.04│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【4.前5名供应商采购表】
截止日期:2025-12-31
前5大供应商共采购1.62亿元，占总采购额的48.63%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│供应商名称 │ 采购额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│供应商S │ 6205.50│ 18.58│
│供应商D │ 3770.72│ 11.29│
│供应商C │ 2618.45│ 7.84│
│供应商H │ 2053.81│ 6.15│
│供应商HM │ 1593.90│ 4.77│
│合计 │ 16242.37│ 48.63│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【5.经营情况评述】
截止日期:2025-12-31
●发展回顾:
一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况说明
(一)主要业务、主要产品或服务情况
1.主营业务情况
公司是国内领先的半导体设备核心零部件供应商，主要从事等离子体射频电源系统、等离子体激发装置
、等离子体直流电源、各种配件的研发、生产、销售及技术服务，并引进真空获得和流体控制等相关的核心
零部件，围绕等离子体工艺提供核心零部件整体解决方案。
2.主要产品及服务情况
公司主要围绕等离子体工艺打造产品矩阵，自研产品具体包括等离子体射频电源系统（等离子体射频电
源及匹配器）、等离子体激发装置（远程等离子体源、射频离子源）、等离子体直流电源、配件（滤波器、
阻抗调整器等）；引进产品主要包括真空获得和流体控制分别所需的真空泵、质量流量计等核心零部件；同
时还为晶圆厂提供等离子体射频电源系统原位替换及维修等技术服务。
(1)自研产品
1)等离子体射频电源系统
历经十二年，公司通过自研先后迭代推出CSL、Bestda、Aspen/Basalt、Cedar四代等离子体射频电源系
统系列产品，其中Bestda系列、Aspen/Basalt系列及Cedar系列产品主要面向半导体领域，具体如下：
1、Cedar系列
2、Aspen/Basalt系列
3、Bestda系列
4、CSL系列
5、公司等离子体射频电源系统的主要应用领域
公司的等离子体射频电源系统被广泛应用于半导体工艺中的薄膜沉积、刻蚀、离子注入、清洗去胶、键
合等环节，以及光伏电池片的薄膜沉积、显示面板镀膜、精密光学镀膜、常压等离子体清洗等工业生产环节
。
2)其他自研产品及配件
除自研的等离子体射频电源系统外，公司其他自研产品包括：①电源类产品：等离子体直流电源等；②
等离子体激发装置：远程等离子体源、射频离子源；③配件：等离子体射频电源功率计、滤波器、阻抗调整
器等。
(2)引进产品
公司基于等离子体发生条件和反应腔真空环境的实际需求，引进用于获得和维持真空环境的真空泵、用
于流体精确控制的质量流量计以及用于真空镀膜装备的等离子体直流电源等核心零部件，围绕等离子体工艺
提供核心零部件整体解决方案，打造核心零部件供应平台。
(3)技术服务
公司技术服务主要系为晶圆厂提供等离子体射频电源系统原位替换及维修服务。等离子体射频电源系统
在晶圆厂使用过程中会出现老化、故障等问题，需要及时进行更换或维修。国内主要晶圆厂被美国商务部列
入实体清单后，无法继续向原海外设备供应商采购备件或申请维修服务，公司为此承接了进口等离子体射频
电源系统的原位替换及维修业务，为国内晶圆厂的稳定运转和生产可持续性提供了坚实的保障。
(二)主要经营模式
1、盈利模式
公司主要从事等离子体射频电源系统、等离子体激发装置、等离子体直流电源、各种配件的研发、生产
、销售，通过向半导体、光伏、显示面板、精密光学、其他工业等领域的客户销售以等离子体射频电源系统
为代表的自研产品，以及引进真空泵、质量流量计等真空获得和流体控制相关的核心零部件，同时公司为晶
圆厂和设备商提供等离子体射频电源系统原位替换及维修服务，以此实现收入和利润。
2、采购模式
公司等离子体射频电源系统等自研产品所使用的主要原材料包括电容、电阻、芯片等电子元器件、功率
模块等电气件以及钣金件等结构件。公司在研发过程中结合技术参数、客户要求、物料来源等因素综合考量
原材料的选型，通过有针对性的研发设计调整，不断提高产品的性能和品质。同时，公司在采购中积极推进
国产化率的提升，注重使用本土元器件，以促进国产替代。公司引进产品主要采购真空泵、质量流量计等真
空获得和流体控制相关的核心零部件，公司根据客户需求向相关品牌的境内外供应商采购，其中境外供应商
直接发货至公司指定港口，由公司办理清关等事宜；境内供应商发货至公司指定地点。
公司物料需求部门基于安全库存或销售预测的计划需求，提出采购申请。采购部门根据审批后的采购申
请，结合原材料的耗用情况、价格波动、使用频率等多方面因素与合格供应商签订单次采购合同或年度框架
协议，执行采购计划。
公司已建立稳定、高质量的供应商体系，关注供应商经营资质、生产能力、技术水平、质量管控水平以
及产品价格等多方面因素，并结合响应速度、付款条件等对供应商进行综合评定，将符合要求的供应商列入
合格供应商名录，并在供货阶段实行供应商动态管理，筛选优质供应商，持续优化采购渠道，提高原材料供
应的效率和稳定性。
3、生产模式
公司等离子体射频电源系统等自研产品主要采取以销定产的生产模式，根据供货要求、产品生产周期、
销售预测等因素对生产排期和物料管理进行统筹安排，协调生产、采购和仓储等相关部门保障生产的有序进
行。公司的生产流程主要是部件加工及装配、软件烧录、检测和工艺调试等，由制造中心对原材料进行装配
、线路连接、产品测试，确保产品性能稳定之后封装入库。为提升生产效率，公司将少量工序委外加工，包
括PCBA和线缆定制工序。
4、销售模式
公司产品销售采取直销模式，下游客户主要为半导体、光伏、显示面板、精密光学等行业的设备商，公
司向其直接销售与设备配套的等离子体射频电源系统等自研产品，以及真空泵、质量流量计等引进产品。对
于等离子体射频电源系统等自研产品，公司需经过客户严格的调查评估、验厂考察等认证程序，才能进入客
户的合格供应商体系或目录。在与客户合作对接过程中，公司销售、研发、工艺等部门与客户开展深入沟通
，洽谈和确定客户需求信息，拟定合适方案；同时，品质部门、采购部门、生产部门也会参与客户产品的开
发，根据新产品的特殊需求，优化产品布局和结构并达成最终方案。公司根据正式订单及客户预测相结合的
方式进行生产排产，并按交货期向客户交付。对于真空泵、质量流量计等引进产品，公司根据客户具体需求
和订单约定向客户直接销售引进产品。
5、研发模式
公司的研发由研发中心组织，具体包括研发项目的立项、项目实施及验证、交样结题及项目结案等。公
司研发模式主要系结合客户主要制程与研发方向需求，同时以公司产品种类和系列为基础进行研发创新。在
完成研发样品后，公司会及时向客户进行送样测试，并依据测试反馈结果以及客户提出的新需求，对产品的
性能、参数和指标进行针对性调整。
(三)所处行业情况
1、行业的发展阶段、基本特点、主要技术门槛
公司致力于为国产半导体设备提供优质核心零部件，主要产品为等离子体射频电源系统，主要应用于半
导体设备领域。
（1）行业的发展阶段、基本特点等
离子体射频电源系统行业等离子体射频电源系统是半导体制造中极其关键的专用电源系统，主要由等离
子体射频电源和匹配器组成。其核心作用是通过产生高频电场，在晶圆反应腔体内将特定工艺气体电离，创
造并维持高活性、高能量的等离子体，并利用等离子体的特殊性能实现薄膜沉积、刻蚀、离子注入、清洗去
胶、键合等复杂半导体工艺（薄膜沉积、刻蚀与光刻并称为芯片制造三大关键工序）。等离子体射频电源系
统的性能直接影响薄膜沉积、刻蚀等环节中等离子体的成分浓度、均匀性和稳定性等，对于薄膜沉积的厚度
、密度、应力、速率，以及刻蚀的选择性、方向性、速率、质量等至关重要，进而影响晶圆制造工艺的能力
、良率和效率，等离子体射频电源系统在半导体制造核心装备中占据着核心位置。等离子体射频电源系统可
广泛应用于半导体、光伏、显示面板、精密光学、等离子体清洗等领域，是推动工艺和技术进步的重要载体
。产业链具体情况如下：
等离子体射频电源系统是半导体设备零部件国产化最难关卡之一，技术壁垒高、研发投入大、研发周期
长、生产的“精确复制”要求极高，因而国产化率极低。中国大陆半导体行业等离子体射频电源系统的市场
仍呈现由美系海外巨头厂商高度垄断的竞争格局，半导体设备厂商对于零部件自主可控的要求愈发紧迫，伴
随国产替代的整体趋势，国产等离子体射频电源系统市场快速发展。
（2）主要技术门槛
半导体设备核心零部件是半导体设备技术更迭和制程演进的重要承载，在半导体工艺和芯片结构日趋复
杂的背景下，半导体设备商对核心零部件厂商的要求更为严苛，包括对产品的可靠性、稳定性和一致性及核
心零部件厂商的研发能力、技术实力。因此，半导体设备核心零部件行业的技术壁垒很高。等离子体射频电
源系统作为薄膜沉积设备、刻蚀设备等半导体设备的核心零部件，技术要求极高，包括在纳米尺寸级别上精
准控制等离子体的刻蚀过程、在纳秒时间级别上和复杂环境中精准且稳定的控制等离子体的变化。技术要求
极高主要由于其直接关系到薄膜沉积、刻蚀等环节中等离子体的浓度、均匀性和稳定性等，进而影响晶圆制
造工艺的能力、良率和效率。等离子体射频电源系统的研发难度大，所需研发周期长、研发投入大。以AE为
例，从2008年推出可用于FinFET工艺的第三代Paramount系列射频电源，到2023年推出可用于3D封装的第五
代eVerest系列射频电源，产品迭代历时15年。MKS年报披露其2023-2025年累计研发费用高达8.58亿美元。
2、公司所处的行业地位分析及其变化情况
公司是国内领先的半导体设备核心零部件供应商，主要从事等离子体射频电源系统、等离子体激发装置
、等离子体直流电源、各种配件的研发、生产、销售及技术服务，并引进真空获得和流体控制等相关的核心
零部件，围绕等离子体工艺提供核心零部件整体解决方案。公司自主研发的第二代产品Bestda系列等离子体
射频电源系统可支撑28纳米制程，第三代产品Aspen系列等离子体射频电源系统可支撑7-14纳米先进制程，
第四代产品Cedar系列等离子体射频电源系统将射频电源和匹配器整合为一体化平台，可支撑5纳米及以下更
先进制程。公司在国内半导体领域系首家出货过亿元和首家实现等离子体射频电源系统（支持半导体先进制
程）量产的国产厂商。公司打破多年来海外巨头在国内等离子体射频电源系统领域的垄断格局，能与海外巨
头同台竞争，并不断扩大市场占有率。报告期内，公司获得深圳2025年瞪羚企业、“湾芯奖”之技术创新奖
-年度创新企业等荣誉。
根据弗若斯特沙利文历史统计数据，中国大陆半导体行业等离子体射频电源系统的市场呈现海外巨头高
度垄断的竞争格局，其中2024年海外厂商MKS、AE、霍廷格和DAIHEN等合计市占率接近88%，国产厂商市占率
不足12%。
3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
根据2025年10月中国共产党第二十届中央委员会第四次全体会议所提出的《中共中央关于制定国民经济
和社会发展第十五个五年规划的建议》，要全链条推动集成电路、工业母机、高端仪器、基础软件、先进材
料、生物制造等重点领域关键核心技术攻关取得决定性突破。加强基础研究战略性、前瞻性、体系化布局，
提高基础研究投入比重，加大长期稳定支持。强化科学研究、技术开发原始创新导向，优化有利于原创性、
颠覆性创新的环境，产出更多标志性原创成果。
（1）半导体工艺和芯片结构日趋复杂，对等离子体射频电源系统的技术要求显著提升
随着半导体制程的持续演进，薄膜沉积、刻蚀等半导体工艺的复杂度和精细度日益提高，对等离子体射
频电源系统也在不断提出更高、更复杂的要求。经过几十年的演进，等离子体射频电源系统从早期的基于变
压器和电子管的射频电源及固定匹配网络演变成开关模式电源和自动调谐匹配网络，实现可靠、稳定、高效
的功率输送，并极大地减小了物理尺寸；其后，等离子体射频电源系统逐渐向数模混合控制、全数字控制发
展，输出信号也从连续波信号拓展出了脉冲信号。随着平面器件结构尺寸逐渐接近物理极限，半导体行业开
始转向更为复杂的三维结构，等离子体射频电源系统已经成为支持芯片3D结构复杂化的核心技术。3D存储器
的层数持续增加、FinFET持续缩小对于等离子体射频电源系统的技术要求显著提升。如对于层数较高的3DNA
ND，其刻蚀需要达到70:1的高深宽比，这要求等离子体中产生的活化离子能一直达到孔隙的底部，这需要等
离子体射频电源系统通过产生多重射频和同步射频脉冲来控制离子能量和表面电荷，并且在微秒范围内精确
测量、高速调谐射频功率。
（2）AI应用落地，半导体迎增长新机遇
人工智能（AI）的大量应用需求将带动新一轮半导体增长，尤其是先进制程的逻辑及存储相关的晶圆制
造厂的产能。一方面，需求激增带动算力产业链的资本开支持续增加，并带动HBM、3DNAND存储需求快速增
长。另一方面，随着手机、PC、汽车、物联网等传统终端的AI应用落地，换机和升级需求增加，智能装置AI
化将推动新一轮半导体增长，成为本轮半导体增长周期的驱动因素。
（3）制程节点演进、芯片和工艺复杂度的提升带动等离子体射频电源系统用量及价值占比提升
半导体制造对等离子体射频电源系统工艺要求的提升，有效地丰富了等离子体射频电源系统的工艺体系
，为设备厂商提供较宽的工艺窗口，并提高了等离子体射频电源系统在半导体制造设备中的价值占比。半导
体设备全球市场规模成长至近千亿美元，同时随着制程节点不断演进、芯片和工艺复杂度的提升，薄膜沉积
设备和刻蚀设备等半导体设备的需求将持续上升。等离子体射频电源系统作为薄膜沉积设备和刻蚀设备等半
导体设备的核心零部件，其性能直接关系到薄膜沉积、刻蚀等环节中等离子体的浓度、均匀性和稳定性等，
进而影响晶圆制造工艺的能力、良率和效率。薄膜沉积设备和刻蚀设备等单台设备中的等离子体射频电源系
统的用量和价值占比随着半导体设备用量的增加也将呈整体提升态势。
（4）设备国产化为我国半导体行业发展的长期趋势受欧美等国对我国半导体产业限制政策的影响，我
国半导体产业的供应链安全面临严峻挑战，凸显出我国在半导体关键领域实现自主可控的必要性。半导体产
业链国产化的需求特别强烈，国产化进程将进一步加速，半导体核心设备及核心零部件国产化将成为我国半
导体行业发展的长期趋势。
二、经营情况讨论与分析
等离子体射频电源系统在半导体制造核心装备中占据着核心位置。半导体设备由数以万计的零部件组成
，零部件的性能、质量和精度直接决定着设备的可靠性和稳定性，制程升级很大程度依赖于精密零部件的技
术突破。等离子体射频电源系统的性能直接影响薄膜沉积、刻蚀等环节中等离子体的浓度、均匀性和稳定性
等，对于薄膜沉积的厚度、密度、应力、速率，以及刻蚀的选择性、方向性、速率、质量等至关重要，进而
影响晶圆制造工艺的能力、良率和效率。
公司始终致力于成为围绕等离子体工艺提供核心零部件整体解决方案的平台型公司，为半导体设备国产
化贡献中国“芯”力量。报告期内，面对复杂多变的外部环境与半导体行业周期波动，公司坚守发展战略，
全体员工凝心聚力、实干奋进，在经营业绩、技术创新、质量提升、生产制造与治理能力上均取得扎实成效
。公司以市场和客户需求为导向，优化产品布局，强化技术攻关；坚守质量底线，完善全过程质量管控，产
品品质与可靠性稳步提高；生产制造实现突破，产能、工艺与运营效率持续优化；管理体系不断健全，规范
化水平显著提升，高质量发展迈出坚实步伐。
（一）报告期内主要经营情况
2025年，公司实现营业收入52947.01万元，较上年同期下降2.09%，主要系半导体行业具有周期波动的
特性，下游半导体设备客户的采购量需依据自身承接的晶圆厂订单数量、产品验证导入进度及交付验收节奏
动态调整，进而导致对公司的采购呈现波动；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润10453.
21万元，较上年同期下降18.95%，主要系公司持续加大研发投入力度，提高技术指标要求，推进新产品开发
、产品持续升级迭代等，不断加强产品竞争力，研发费用较上年同期大幅增加所致。截至本报告披露日，公
司在手订单为15718.77万元。
（二）报告期内重点任务完成情况
1、产品研发及客户拓展方面
①报告期内研发投入情况
公司一直以来高度重视研发工作，结合行业发展趋势和客户需求持续推进技术创新，不断加大研发投入
，报告期内，公司研发投入金额达到8015.92万元，同比增长45.01%，研发投入占营业收入比例达15.14%。
报告期内，公司不断通过内生研发优化现有产品并拓宽产品品类，不断完善研发管理机制和创新激励机制，
优化研发环境；同时，密切追踪最新的技术及发展趋势，开展对先进技术、先进工艺的研究，为技术突破和
产品升级提供重要的基础和保障。
②报告期内公司主要产品在主要客户处的产品验证及产业化进展
报告期内，公司所承接的主要客户的研发产品数量不断扩大。随着合作产品数量尤其是验证导入中的产
品数量的不断增加，公司主要客户的新增定制需求均在不断增加。公司将持续加大研发投入力度，承接更多
客户的需求。
2、供应保障方面
公司已建立稳定、高质量的供应商体系，关注供应商经营资质、生产能力、技术水平、质量管控水平以
及产品价格等多方面因素，并结合响应速度、付款条件等对供应商进行综合评定，将符合要求的供应商列入
合格供应商名录，并在供货阶段实行供应商动态管理，筛选优质供应商，持续优化采购渠道。同时，为保证
生产的连续和稳定性，公司综合考虑原材料的采购周期、供应商的供货能力、采购量起订门槛等因素，对常
用材料建立安全库存机制。除此之外，自2021年起，公司先后实现真空电容、陶瓷电容等元器件的国产化应
用，目前已确定上游元器件全国产化方案，持续推进全面国产化验证。
3、营运管理方面
公司高度重视质量管理，依据ISO9001及相关法律法规要求，结合公司实际情况，并参考国外大厂标准
严格要求，建立了以经营流程为管理轴心的内部管理制度和标准化、规范化的质量管理体系。同时，为进一
步提升客户的满意度，提高公司产品品质，公司开发了自主测试平台，公司所有产品出厂前会经过应力测试
、老化测试等一系列测试，为客户减少了验证试错的时间，节约了试错成本和沟通成本。另外，公司不断优
化信息技术防护措施，加强安全保密管控，切实提升网络安全和数据安全治理能力。
4、知识产权保障方面
公司高度重视科技创新与知识产权保护工作，为加强对技术资料保密工作的统一管理及防止技术泄密，
公司制定了《企业秘密管理制度》《商业秘密管理办法》《知识产权管理办法》，建立了有效的知识产权保
护管理体系。公司取得了第三方出具的《知识产权管理体系认证证书》，认证公司符合《企业知识产权管理
规范》（GB/T29490-2013）的国家标准。公司取得了基于ISO56005的《创新与知识产权管理能力》2级等级
证书。截至报告期末，公司已授权专利共296项，包括发明专利123项，实用新型专利72项，外观设计专利10
1项。截至2025年12月31日，公司已累计申请490项专利，其中发明专利262项，占比53.47%。
5、人才队伍建设情况
报告期内，公司员工总数达405人，同比增长10.96%。公司根据未来技术发展规划和现有人才储备状况
，将不断加强人才队伍的建设工作，通过各种方式重点激励在技术研发、产品创新、专利申请等方面做出贡
献的研发人才。公司还将持续引进各类专业人才，包括招募更多具备前瞻性、共性基础技术研究能力的技术
人才，注重国内外高端专业技术人才、各领域高端管理人才的引进，优化人才结构，打造一流的人才队伍，
满足公司快速发展的需要。截止本报告披露之日，公司计划引进海外高端人才。此外，公司还将进一步扩大
与有关高校科研院所的合作，在产、学、研、训等多种合作模式的基础上，内外并举，实现公司未来可持续
发展。
6、公司募投项目建设进展情况
报告期内，沈阳半导体射频电源系统产业化建设项目按计划稳步推进中。营销及技术支持中心项目的北
京中心已处于正式运营阶段，半导体与真空装备核心零部件智能化生产运营基地项目、研发与前沿技术创新
中心项目及营销及技术支持中心项目的上海、武汉、合肥中心处于前期准备阶段。公司将密切关注行业发展
趋势及市场需求变化，在确保项目质量与预期效益的前提下，加快推进募投项目建设。
7、内部治理方面
报告期内，公司遵循《公司法》《证券法》《上市公司治理准则》等法律、法规和规范性文件的要求，
持续优化公司治理结构，建立健全内部控制体系，提升公司规范运作水平。报告期内，公司召开了4次股东
会、7次董事会、3次监事会、6次董事会审计委员会、1次董事会提名委员会、4次董事会薪酬与考核委员会
、2次董事会战略委员会、3次独立董事专门会议。公司以《公司法》《证券法》《科创板上市规则》和《公
司章程》等法律法规及规范性文件为指引，持续推进治理体系建设，确保经营管理决策兼具科学性、合理性
与合规性，全面提高公司治理效能和规范化水平，为战略目标的顺利达成夯实基础。
8、对外投资
为进一步拓展海外市场、搭建海外研发平台、建设海外购销系统、推进国际化进程，公司于2025年11月
在德国以境外直接投资的方式设立全资子公司德国恒运昌。在未来发展规划上，子公司德国恒运昌将作为恒
运昌全球化布局中的重要战略支点，承担海外研发、技术融合、市场拓展三大职能。
三、报告期内核心竞争力分析
(一)核心竞争力分析
1、客户资源优势
目前公司是国内极少数实现批量交付半导体级等离子体射频电源系统的企业，公司已实现对拓荆科技、
中微公司、北方华创、微导纳米、盛美上海等国内头部半导体设备商的批量供货。除半导体设备企业外，公
司也已通过中芯国际等国内龙头终端晶圆厂的准入审核。此外，公司还在积极推进其他多款等离子体射频电
源、匹配器、远程等离子源的后续验证工作，以期建立更为密切的合作关系。
核心零部件影响半导体设备运行的整体性能，头部效应显著，领先通过认证并批量交付的企业更容易获
得国产替代资源并形成正向反馈。由于半导体行业验证周期较长，且晶圆厂要求“精确复制”的管理模式，
使其确保在全球不同工厂生产产品质量和成品率，因此核心零部件供应商一旦与主要半导体设备客户建立合
作关系，合作关系通常会非常稳定，具有较强的客户粘性，新进入者对合作关系的影响相对较小。公司等离
子体射频电源和匹配器产品已经全面覆盖下游头部客户，这些稳定的合作关系将进一步巩固和提升公司在行
业中的地位，形成良性循环，为公司在半导体设备领域的持续发展提供了坚实基础。
2.产品优势
历经十二年，公司先后推出CSL、Bestda、Aspen三代产品系列等离子体射频电源系统，成功打破了美系
两大巨头在国内长达数十年的垄断格局。公司已量产的产品已达国际龙头企业的次新一代同等技术水平。第
四代产品Cedar系列等离子体射频电源系统将射频电源和匹配器整合为一体化平台，可支撑5纳米及以下更先
进制程。公司凭借多年以来产品的优势积累，在国产半导体设备的薄膜沉积、刻蚀等关键细分领域持续扩大
市场占有率，实现对进口零部件的国产替代，产品质量和性能得到了客户的高度认可，建立了良好的口碑，
在半导体级等离子体射频电源系统领域占据领先地位。半导体设备及零部件行业具有“精确复制”的要求，
等离子体射频电源系统的量产必须确保高度稳定和可重复的生产工艺，且需经过精密的校准和严格的测试流
程，以确保性能的一致性和长期稳定性。在此严苛要求下，公司已具备成熟的规模化量产能力，并成为薄膜
沉
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