经营分析☆ ◇688785 恒运昌 更新日期：2026-01-10◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.主营业务】【2.主营构成分析】【3.前5名客户营业收入表】【4.前5名供应商采购表】
【5.经营情况评述】
【1.主营业务】
等离子体射频电源系统、等离子体激发装置、等离子体直流电源、各种配件的研发、生产、销售及技术服
务
【2.主营构成分析】
截止日期:2025-06-30
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
自研产品(产品) 2.58亿 84.81 1.41亿 94.58 54.66
引进产品(产品) 4457.92万 14.66 697.53万 4.68 15.65
技术服务(产品) 160.27万 0.53 109.44万 0.73 68.29
─────────────────────────────────────────────────
境内地区(地区) 3.04亿 99.90 1.49亿 99.89 49.00
境外地区(地区) 29.88万 0.10 16.47万 0.11 55.14
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2024-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
自研产品(产品) 4.56亿 84.34 2.48亿 94.67 54.45
引进产品(产品) 8181.23万 15.13 1237.23万 4.72 15.12
技术服务(产品) 289.03万 0.53 161.50万 0.62 55.88
─────────────────────────────────────────────────
境内地区(地区) 5.40亿 99.78 2.62亿 99.79 48.51
境外地区(地区) 121.20万 0.22 55.19万 0.21 45.54
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2023-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
自研产品(产品) 2.39亿 73.51 1.31亿 87.49 54.58
引进产品(产品) 8231.25万 25.31 1635.78万 10.97 19.87
技术服务(产品) 383.90万 1.18 230.21万 1.54 59.97
─────────────────────────────────────────────────
境内地区(地区) 3.24亿 99.68 1.49亿 99.66 45.85
境外地区(地区) 104.69万 0.32 50.01万 0.34 47.78
─────────────────────────────────────────────────
截止日期:2022-12-31
项目名 营业收入(元) 收入比例(%) 营业利润(元) 利润比例(%) 毛利率(%)
─────────────────────────────────────────────────
自研产品(产品) 1.04亿 66.02 5252.14万 80.03 50.30
引进产品(产品) 5229.24万 33.06 1206.16万 18.38 23.07
技术服务(产品) 145.61万 0.92 104.08万 1.59 71.48
─────────────────────────────────────────────────
境内地区(地区) 1.58亿 99.68 6539.17万 99.65 41.48
境外地区(地区) 50.26万 0.32 23.21万 0.35 46.17
─────────────────────────────────────────────────
【3.前5名客户营业收入表】
截止日期:2025-09-30
前5大客户共销售3.50亿元，占营业收入的87.28%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│客户名称 │ 营收额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│拓荆科技股份有限公司 │ 23887.83│ 59.52│
│湘潭宏大真空技术股份有限公司 │ 3668.10│ 9.14│
│中微半导体设备（上海）股份有限公司 │ 3256.31│ 8.11│
│北方华创科技集团股份有限公司 │ 2371.57│ 5.91│
│江苏微导纳米科技股份有限公司 │ 1842.71│ 4.59│
│合计 │ 35026.52│ 87.28│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【4.前5名供应商采购表】
截止日期:2025-06-30
前5大供应商共采购1.05亿元，占总采购额的60.01%
┌───────────────────────┬───────────┬───────────┐
│供应商名称 │ 采购额(万元)│ 占比(%)│
├───────────────────────┼───────────┼───────────┤
│供应商S │ 3486.35│ 19.95│
│供应商D │ 2558.42│ 14.64│
│供应商C │ 1883.74│ 10.78│
│供应商H │ 1530.38│ 8.76│
│供应商HM │ 1030.04│ 5.89│
│合计 │ 10488.94│ 60.01│
└───────────────────────┴───────────┴───────────┘
【5.经营情况评述】
截止日期:2025-06-30
●发展回顾:
（一）主营业务概况
公司是国内领先的半导体设备核心零部件供应商，主要从事等离子体射频电源系统、等离子体激发装置
、等离子体直流电源、各种配件的研发、生产、销售及技术服务，并引进真空获得和流体控制等相关的核心
零部件，围绕等离子体工艺提供核心零部件整体解决方案。
如果我们把芯片制造比喻成版画艺术品的高科技复刻，那么产生及控制等离子体的等离子体射频电源系
统就是这场高科技复刻的“指挥家”。等离子体射频电源系统通过精确控制电流频率和功率，指挥着半导体
制造过程中的等离子体变化，确保在晶圆表面精确、均匀地沉积出薄膜层、精细地刻蚀出复杂图形和去除光
刻胶等。等离子体由于具有独特的光、热、电物理特性以及高活性、高能量的特点，为半导体精密制造提供
了不可替代的工艺基础。如今等离子体工艺广泛应用于薄膜沉积、刻蚀、离子注入、清洗去胶、键合等芯片
制造的重要环节，并随着先进封装技术的发展应用于更多工艺环节中。随着芯片结构的不断复杂化、半导体
工艺制程的持续演进，等离子体工艺的关键作用将愈发凸显。
等离子体射频电源系统是半导体设备零部件国产化最难关卡之一，技术壁垒高、研发投入大、研发周期
长、生产的“精确复制”要求极高，因而国产化率极低。根据弗若斯特沙利文统计，2024年中国大陆半导体
领域等离子体射频电源系统的国产化率不足12%，属于被“卡脖子”最严重的环节之一。公司聚焦于等离子
体射频电源系统的技术攻关，历经十年，先后推出CSL、Bestda、Aspen三代产品系列，成功打破了美系两大
巨头MKS和AE长达数十年在国内的垄断格局。公司自主研发的第二代产品Bestda系列可支撑28纳米制程，第
三代产品Aspen系列可支撑7-14纳米先进制程，达到国际先进水平，填补国内空白。与此同时，国内主要晶
圆厂被美国商务部列入实体清单后，无法向原海外设备供应商采购备件或申请维修服务，公司为此承接了进
口等离子体射频电源系统的原位替换及维修的业务。
半导体设备及零部件行业具有“精确复制”的要求，以保障晶圆厂在产能快速扩张下的芯片品质，因此
等离子体射频电源系统的量产必须确保高度稳定和可重复的生产工艺，并且需经过精密的校准和严格的测试
流程，以保证性能的一致性和长期稳定性。在此严苛要求下，公司已具备成熟的规模化量产能力，公司产品
已量产交付拓荆科技、中微公司、北方华创、微导纳米、盛美上海等国内头部半导体设备商，并成为薄膜沉
积、刻蚀环节国内头部设备商的战略级供应商。截至2025年6月30日，公司与上述客户已实现百万级收入的
自研产品共38款，实现千万级收入的自研产品共24款。
等离子体射频电源系统的自主可控对我国半导体产业供应链安全具有重要意义。公司承担了国家半导体
产业的基础再造和重大技术装备攻关任务，先后承接3项国家级重大专项课题，包括国家科技重大专项A课题
、国家科技重大专项B课题、国家科技重大专项C课题，助力提高我国半导体产业的供应链韧性和安全水平。
截至报告期末，公司拥有已授权发明专利108项，在申请发明专利133项。公司是国家高新技术企业、中
国集成电路零部件创新联盟理事单位、国家专精特新重点“小巨人”、国家专精特新“小巨人”、“科创中
国”射频开关电源创新基地、广东省2024年制造业单项冠军、广东省射频开关电源工程技术研究中心，并获
得第六届中国集成电路创新联盟“IC创新奖”、广东省真空科技进步一等奖、2024年“湾芯奖”之“核心零
部件创新奖”、中芯国际“零部件模组战略供应商”、拓荆科技“超卓伙伴奖”和“最佳交付奖”、微导纳
米“最佳合作奖”等荣誉。
（二）公司主要产品务及服务
公司主要围绕等离子体工艺打造产品矩阵，自研产品具体包括等离子体射频电源系统（等离子体射频电
源及匹配器）、等离子体激发装置（远程等离子体源、射频离子源）、等离子体直流电源、配件（滤波器、
阻抗调整器等）；引进产品主要包括真空获得和流体控制分别所需的真空泵、质量流量计等核心零部件；同
时还为晶圆厂提供等离子体射频电源系统原位替换及维修等技术服务。
1、自研产品
公司自研产品主要为等离子体射频电源系统，报告期各期占自研产品营业收入比例分别为94.62%、90.5
0%、93.32%和90.25%。
（1）等离子体射频电源系统
1）等离子体及等离子体工艺介绍
等离子体是在特定条件下气体电离而产生的区别于固、液和气三态的物质第四态，闪电、火焰、太阳就
是等离子体。等离子体由带电粒子、中性粒子、自由基等组成，具有独特的光、热、电物理特性以及高活性
、高能量的特点。等离子体的特性可实现特殊的工艺效果，被广泛应用于半导体薄膜沉积、刻蚀、离子注入
、清洗去胶、键合环节，以及光伏薄膜沉积、显示面板镀膜、精密光学镀膜等领域。
2）等离子体射频电源系统介绍
等离子体射频电源系统是半导体制造中极其关键的专用电源系统，主要由等离子体射频电源和匹配器组
成。等离子体射频电源是可以产生正弦波电压，工作频率范围一般处于3kHz至300GHz之间，具有一定功率的
工艺电源。其核心作用是通过产生高频电场，在晶圆反应腔体内将特定工艺气体电离，创造并维持高活性、
高能量的等离子体，并利用等离子体的特殊性能实现薄膜沉积、刻蚀、离子注入、清洗去胶、键合等复杂半
导体工艺（薄膜沉积、刻蚀与光刻并称为芯片制造三大关键工序）。
在相关工艺中，等离子体的阻抗是动态变化的，常会出现负载阻抗与电源端的阻抗不匹配的情况，导致
负载接收到的功率较低，并在电源端产生较高的反射功率，造成能量损耗。匹配器通过调节阻抗匹配网络，
实现等离子体射频电源内部阻抗、传输线阻抗和负载阻抗三者的匹配，从而实现功率最大化输出。匹配器的
作用可类比为汽车的变速箱，通过调节变速箱档位，将发动机（等离子体射频电源）的动力，高效传输给车
轮（负载）。
等离子体射频电源系统的性能直接影响薄膜沉积、刻蚀等环节中等离子体的成分浓度、均匀性和稳定性
等，对于薄膜沉积的厚度、密度、应力、速率，以及刻蚀的选择性、方向性、速率、质量等至关重要，进而
影响晶圆制造工艺的能力、良率和效率，等离子体射频电源系统在半导体制造核心装备中占据着核心位置。
①等离子体射频电源系统的发展推动了半导体先进工艺的突破
自20世纪80年代半导体进入亚微米阶段后，干法刻蚀替代湿法刻蚀，其关键就是等离子体工艺的应用。
最初，等离子体射频电源系统在半导体行业中发挥的功能仅为激发等离子体，自90年代起等离子体射频电源
系统的技术发展重点开始转向提升等离子体稳定性、小型化电源设计和实现快速放电等方面，这些技术突破
为晶体管尺寸的持续缩小提供了关键支撑。
进入21世纪后，随着平面器件结构尺寸逐渐接近物理极限，半导体行业开始转向更为复杂的三维结构，
FinFET半导体制造技术应运而生，半导体制程也从45纳米推进到了5纳米，等离子体射频电源系统在其中功
不可没，并成为支持芯片3D结构复杂化的关键。以3DNAND生产中最具挑战性的步骤之一--刻蚀嵌入存储单元
的孔洞为例，这些孔洞在所有堆叠的薄膜沉积后才刻蚀，就像在摩天大楼中造出电梯井，表面开口由上至下
，即使仅发生0.1度的偏差，就会导致孔径上开口的面积比下开口大出约20%，因此难度极大。如果要实现深
宽比超过100:1的刻蚀，需要用等离子体射频电源系统驱动离子以超过100,000m/s的速度运动。换言之，如
果没有等离子体刻蚀技术的出现，就不会有3DNAND结构。
②等离子体射频电源系统的技术复杂度极高
等离子体射频电源系统在纳米的尺寸级别上精准控制等离子体的刻蚀过程。先进制程的高精度要求使得
制造过程中的每一步都如同在刀尖上跳舞，稍有不慎便可能导致整个芯片的报废。从硅片的处理到薄膜的沉
积、刻蚀，每一个环节都需要极高的精度控制。
从空间尺度来看，要在以米为单位的腔体内完成纳米级别的沟槽结构刻蚀，空间尺度跨越达到9个数量
级。这个任务的难度相当于在米粒上雕刻“千里江山图”，而且要求一次成功，不能有任何偏差。这种空间
尺度的跨越不仅是对等离子体射频电源系统性能的巨大挑战，也是对精密工程和制造工艺极限的考验。
从时间尺度来看，等离子体射频电源系统需在纳秒的时间级别上和复杂环境中精准且稳定地控制等离子
体的变化。从以纳秒为单位的电磁场微观快速变化到以秒为单位的晶圆表面化学反应，时间尺度的跨越达到
9个数量级。二者的时间跨度就像百米赛跑瞬间的起跑反应和数小时的马拉松长跑，这既要求等离子体有极
高的速度和精确度，还需要有一致性和稳定度。
更为关键的是，等离子体、电磁场、流体动力学场和热力学场之间存在高度非线性的相互作用，这种复
杂的耦合关系使得等离子体射频电源系统行为的精确建模和预测变得极其困难。
3）公司等离子体射频电源系统
历经十年，公司通过自研先后迭代推出CSL、Bestda、Aspen/Basalt三代等离子体射频电源系统系列产
品，其中Bestda系列和Aspen/Basalt两代产品主要面向半导体领域。
（2）其他自研产品及配件
除自研的等离子体射频电源系统外，公司其他自研产品包括：①电源类产品：等离子体直流电源等；②
等离子体激发装置：远程等离子体源、射频离子源；③配件：滤波器、阻抗调整器等。
2、引进产品
公司基于等离子体发生条件和反应腔真空环境的实际需求，引进用于获得和维持真空环境的真空泵、用
于流体精确控制的质量流量计以及用于真空镀膜装备的等离子体直流电源等核心零部件，围绕等离子体工艺
提供核心零部件整体解决方案，打造核心零部件供应平台。
3、技术服务
公司技术服务主要系为晶圆厂提供等离子体射频电源系统原位替换及维修服务。
等离子体射频电源系统在晶圆厂使用过程中会出现老化、故障等问题，需要及时进行更换或维修。国内
主要晶圆厂被美国商务部列入实体清单后，无法继续向原海外设备供应商采购备件或申请维修服务，公司为
此承接了进口等离子体射频电源系统的原位替换及维修业务，为国内晶圆厂的稳定运转和生产可持续性提供
了坚实的保障。
●未来展望:
公司战略目标与规划
公司始终致力于成为围绕等离子体工艺提供核心零部件整体解决方案的平台型公司，为半导体设备国产
化贡献中国“芯”力量。未来，公司将抓住半导体产业链国产化的机遇，在国家政策大力支持下，持续致力
于半导体设备核心零部件的研发生产，通过自主创新提高公司产品的技术先进性、丰富公司产品种类、扩大
产品市场占有率，助力国内半导体设备企业实现关键零部件全面自主可控。
公司将持续加大技术研发投入，不断提升技术水平与市场竞争力。一方面，公司将进一步拓展并深化核
心技术在半导体、光伏、显示面板、精密光学等领域的应用，积极参与客户新产品的开发设计过程，满足多
元化的市场需求。另一方面，公司将积极拓展技术应用领域，探索更多行业场景，为客户提供全面的解决方
案。
在产品布局方面，公司将采取双轮驱动策略开展。通过内生研发，持续优化现有产品，提升性能与质量
，并拓宽产品品类；同时，借助外部并购等战略举措，公司发展成为围绕等离子体工艺提供核心零部件整体
解决方案的平台型公司，为客户提供一站式的产品和服务。
国际化是公司未来发展的核心战略之一。公司将从深耕国内市场起步，逐步拓展国际市场，以全球化视
野整合全球优质资源，提升品牌影响力。通过持续的技术创新与卓越的产品服务，公司致力于成为围绕等离
子体工艺提供核心零部件整体解决方案的平台型公司，并力争在未来跻身国际一流的半导体设备核心零部件
全球供应商行列。
未来发展规划及措施
1、持续研发与创新，保持和提高技术先进性，不断提升工艺水平和产品性能
公司将始终以客户需求作为技术研发导向，密切追踪最新的技术及发展趋势，持续增加研发投入，不断
完善研发管理机制和创新激励机制，搭建更好的研发环境，开展对先进技术、先进工艺的研究，加快产品创
新，为技术突破和产品升级提供重要的基础和保障。
公司将不断丰富公司产品和技术储备，根据下游客户需求快速形成产品和应用解决方案，持续推进产品
的更新迭代，加快推动更先进工艺制程等离子体射频电源系统的产业化应用，为客户提供性能更优、可靠性
更高的产品，在迅速崛起的中国大陆半导体市场构筑优势地位，助力公司长期稳定发展。
此外，公司还将充分发挥研发和技术优势，结合市场发展前景和目标客户需求，不断进行新产品的研发
设计。在应用领域方面，公司积极推动主营业务产品向光伏、显示面板、精密光学等领域的拓展；在产品布
局方面，公司将采取双轮驱动策略。通过内生研发和择机对外收购的方式，持续优化现有产品，提升性能与
质量，并拓宽产品品类，开发低频大功率等离子体射频电源、远程等离子体源、直流溅射电源等产品，形成
新的利润增长点，不断增强公司持续盈利能力、核心竞争力和抗风险能力。
2、充分借力资本市场，重点加强先进产品产能建设
针对现有生产场地和设备不足严重制约公司产能的问题，公司将在现有生产模式的基础上，使用募集资
金在沈阳新建半导体射频电源产业化中心，在深圳扩建半导体与真空装备核心零部件智能化生产运营基地，
引进性能更优、智能化水平更高、更先进的生产制造设备、测试设备及仓储系统，并结合生产车间及数据管
理系统软件，实现生产制造、经营、管理和决策的智能优化，向模块化、智能化、数字化生产制造车间迈进
，从而提高产品生产效率，扩大公司产销规模，满足不断增长的市场需求并解决公司产能瓶颈问题，提升公
司整体运营效率，促进公司业绩增长，稳定公司的行业地位以及进一步提升核心竞争力。
3、以客户为中心，提升技术服务，加强多元化市场开拓
公司始终以客户为中心，密切关注客户需求，强化与客户设计研发的沟通合作，持续收集下游行业市场
与技术动态信息，同时进一步加强公司技术销售与技术服务，重点加大培养既懂专业技术又有销售服务能力
的技术精英，提供在产品及技术应用、销售专业技能、产品技术服务等全方位的培训，确保公司在产品技术
路线交流、销售、服务、信息反馈等环节为客户提供专业化的技术支持服务和解决方案。
公司通过设立沈阳子公司和北京子公司，加强公司在东北、华北地区的业务开拓，发挥产品生产、区域
业务协调、品牌建设、资源整合、客户维护、吸引高科技及技术人才、强化科研能力等功能，统筹区域内优
势资源，扩展业务服务半径。未来公司将逐步在上海、武汉等重点区域设立分支机构，完善区域布局，进一
步提高对行业头部客户的服务能力以及对重点市场的挖掘和渗透能力。公司还将加速推进境外业务拓展，拓
展中国大陆以外的市场，包括优先组建中国台湾、欧洲的销售网络，布局相关地区客户，实现产品在中国大
陆区域以外的销售，助力半导体设备核心零部件从“引进来”到“走出去”。
公司将持续积极拓展半导体、光伏、显示面板、精密光学及其他领域优质的客户，不断加强公司在各领
域的发展并扩大业务规模，增强公司核心竞争力。
4、加强高端人才引进，实现可持续发展人才梯队建设
公司根据业务发展需求，制定短期、中期和长期相结合的人力资源规划，建立、健全公司科学化、规范
化的人力资源管理系统，全面提升员工素质及公司管理水平与业务水平。
公司根据未来技术发展规划和现有人才储备状况，将不断加强人才队伍的建设工作，通过各种方式重点
激励在技术研发、产品创新、专利申请等方面做出贡献的研发人才。公司还将持续引进各类专业人才，包括
招募更多具备前瞻性、共性基础技术研究能力的技术人才，注重国内外高端专业技术人才、各领域高端管理
人才的引进，优化人才结构。
公司将进一步加强人才梯队建设，坚持内部培养和外部招聘相结合的战略方针，加大人力资源成本投入
，优化并完善更具竞争力的薪酬福利体系，吸引更多优秀人才，打造一流的人才队伍，满足公司快速发展的
需要。
此外，公司还将进一步扩大与有关高校科研院所的合作，以实训基地、校外实验室、联合实验室、研究
生联合培养站点等为载体，丰富产、学、研、训多种合作模式，内外并举，实现公司未来可持续发展。
5、提升公司治理水平，推进收购兼并及全球化计划
公司将严格遵守《公司法》《证券法》等法律法规要求，不断加强规范运作，持续优化适应公司高效灵
活运作的治理结构，健全科学有效的决策机制、风险防范与风险抵御机制，确保公司各项业务高效快速开展
。
在产品布局方面，公司将采取双轮驱动策略开展。通过内生研发，持续优化现有产品，提升性能与质量
，并拓宽产品品类；同时，借助外部并购等战略举措，公司发展成为围绕等离子体工艺提供核心零部件整体
解决方案的平台型公司，为客户提供一站式的产品和服务。
国际化是公司未来发展的核心战略之一。公司将从深耕国内市场起步，逐步拓展国际市场，以全球化视
野整合资源，提升品牌影响力。通过持续的技术创新与卓越的产品服务，公司致力于成为围绕等离子体工艺
提供核心零部件整体解决方案的平台型公司，并力争在未来跻身国际一流的半导体设备核心零部件全球供应
商行列。
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