热点题材☆ ◇301717 超纯应材 更新日期：2026-09-09◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.所属板块】【2.主题投资】【3.事件驱动】【4.信息面面观】
【1.所属板块】
概念:次新股、芯片、光刻机
风格:融资融券、百元股、近端次新、专精特新
指数:无
【2.主题投资】
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2026-08-11│次新股 │关联度：☆☆☆☆☆
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公司于2026-08-11在深交所创业板上市；主营：主要从事半导体设备特殊涂层零部件和精密
光学器件的研发、生产和销售。
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2026-08-11│光刻机 │关联度：☆☆☆
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公司凭借技术优势和量产能力，在国产半导体核心零部件的刻蚀、光刻、薄膜沉积和退火设
备等重要细分领域持续扩大市场占有率，保持了较为明显的竞争优势
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2026-08-11│芯片 │关联度：☆☆☆
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公司是一家专注于特殊涂层工艺的国家级专精特新重点“小巨人”企业，主要面向芯片制造
、精密光学等领域提供精密零部件产品及服务。
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2026-08-27│财报高增长 │关联度：☆☆☆
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截止2026-06-30公司归属母公司净利润同比增长85.46%
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2026-08-18│比亚迪概念 │关联度：☆☆☆
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公司与比亚迪已建立合作关系，相关业务正常推进。
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2026-08-11│创业板注册制│关联度：☆☆☆
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公司于2026-08-11在深交所创业板注册上市
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2026-09-08│百元股 │关联度：☆☆☆☆☆
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截止2026-09-08收盘价为：351.81元，近5个交易日最高价为：369.88元
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2026-08-11│近端次新 │关联度：☆☆☆☆☆
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公司于20260811上市。
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2026-07-27│专精特新 │关联度：☆☆☆
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公司已入选工信部专精特新小巨人企业名单。
【3.事件驱动】 暂无数据
【4.信息面面观】
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│栏目名称 │ 栏目内容 │
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│公司简介 │成都超纯应用材料股份有限公司(UPAM)致力于半导体设备特殊涂层零部件、│
│ │精密光学器件和特种材料的研发和生产。UPAM拥有特殊涂层及其关联技术、│
│ │特殊涂层材料及陶瓷材料制备技术等关键技术。 │
│ │UPAM从2010年开始研发半导体零部件，在真空沉积理论、等离子场分析仿真│
│ │，热场分析、精密加工、精密检测及精密机械结构设计等多个复杂的交叉领│
│ │域，积累了大量的研发和制造经验。 │
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│经营模式 │1、采购模式 │
│ │公司主要实行以产定采的采购模式，即每月根据生产计划及库存情况，制定│
│ │采购计划。公司采购的原材料主要包括陶瓷基底材料、金属基底材料、光学│
│ │材料等。公司对重要原材料实施集中采购，并对重要原材料储备一定数量的│
│ │安全库存。 │
│ │2、生产模式 │
│ │公司主要实行以销定产的生产模式，根据客户的订单情况制定生产计划并组│
│ │织生产，并基于安全库存和交期适当备货。由于半导体及精密光学相关零部│
│ │件工艺难度较高，品种繁多，公司产品存在多品种、灵活批量、定制化的特│
│ │点。 │
│ │3、销售模式 │
│ │公司主要采用直销模式。对下游设备制造商而言，零部件供应需要保持高度│
│ │一致性，一般不会轻易更换零部件供应商。客户发送订单至公司，经公司确│
│ │认订单条款，双方对产品类型、数量、价格以及交货期等要素达成一致后按│
│ │照订单约定履行各自义务。对于新产品的定制化需求，公司先与客户确认具│
│ │体需求，经客户验证确认后，客户再下达订单。公司根据订单约定交付产品│
│ │后，将持续跟踪客户产品到货情况及销售回款情况。2025年6月开始，根据 │
│ │个别客户供应链管理需求，公司与该等客户新增寄售模式，公司根据合同或│
│ │订单约定将产品交付给客户并经对方领用后实现销售，最近一年寄售模式的│
│ │销售收入占比低于10%。 │
│ │4、研发模式 │
│ │公司采取自主研发的研发模式，通过自主研发掌握特殊涂层工艺及其关联技│
│ │术和材料等核心技术，并结合下游客户需求进行技术迭代，推动半导体设备│
│ │核心零部件国产化水平提升。经过多年技术研究和开发实践，公司已建立了│
│ │一套较为完善的自主研发体系，成立了针对性强、分工明确的研发组织结构│
│ │，组建了一支多专业背景的研究团队，长期从事技术研究、产品研发与创新│
│ │工作。 │
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│行业地位 │公司深耕特殊涂层工艺及其关联技术和材料领域，作为国家级专精特新重点│
│ │“小巨人”企业、国家重点研发计划课题承担单位以及四川省企业技术中心│
│ │，凭借在半导体设备特殊涂层零部件领域的技术积累和持续创新，以及与产│
│ │业链各环节客户的深度合作，公司已具备刻蚀、光刻、量检测、退火、薄膜│
│ │沉积、硅片外延等多种类半导体设备零部件的配套能力，成为国内极少数具│
│ │备5nm及以下制程刻蚀设备关键零部件供应能力的企业。 │
│ │在国产设备商市场，公司产品成功进入客户A、客户B、客户D、鲁汶仪器等 │
│ │半导体制造设备龙头厂商的供应链体系，共同攻克各类设备精密零部件的特│
│ │种工艺和重难点问题，推动半导体先进制造工艺的自主可控和创新迭代。在│
│ │晶圆厂市场，公司与客户E、客户F等境内龙头晶圆代工企业、存储芯片企业│
│ │及IDM厂商建立了稳定的合作关系，公司各类产品已陆续送样至英特尔、德 │
│ │州仪器、青岛芯恩、卓胜微、格科微等下游客户，用于LAM、TEL、AMAT公司│
│ │的各类半导体设备零部件替换，持续满足市场存量设备使用过程中的零部件│
│ │更换需求。 │
│ │根据弗若斯特沙利文数据，2024年半导体设备特殊涂层零部件本土企业中，│
│ │公司市场份额排名第一，在中国大陆市场份额为5.7%。公司凭借技术优势和│
│ │量产能力，在国产半导体核心零部件的刻蚀、光刻、量检测、退火和薄膜沉│
│ │积设备等重要细分领域持续扩大市场占有率，保持了较为明显的竞争优势，│
│ │这助力了公司后续在扩散、离子注入、键合和先进封装等设备领域的产品验│
│ │证和市场开拓。公司长期战略前景明确，成长为多种类半导体设备零部件供│
│ │应商，在中国大陆半导体产业的协同发展中不断提升自身的战略地位，并持│
│ │续在国防工业、航空航天、核工业等前沿战略领域开疆拓土。 │
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│核心竞争力 │1、研发技术储备优势 │
│ │公司以自主研发为核心驱动力，构建了覆盖半导体设备特殊涂层零部件的完│
│ │整技术体系。作为国家级专精特新重点“小巨人”企业、国家重点研发计划│
│ │课题承担单位及四川省企业技术中心，公司依托自主研发的多项特殊涂层工│
│ │艺，攻克了超低颗粒和微量元素污染、高密度等离子体耐受等难题，技术储│
│ │备深度覆盖5nm及以下制程刻蚀设备需求。 │
│ │公司开发的刻蚀设备用介质窗、喷淋头等核心零部件已通过5nm及以下制程 │
│ │工艺验证，成为国内极少数实现量产的企业，技术指标达到国际和国内先进│
│ │制程晶圆厂要求，并成功导入客户A、客户B、客户D等国产半导体设备龙头 │
│ │供应链体系。 │
│ │2、产品矩阵优势 │
│ │公司聚焦半导体设备特殊涂层零部件的国产化替代，产品覆盖刻蚀、光刻、│
│ │量检测、退火、薄膜沉积等关键设备领域，并逐步向离子注入、扩散、键合│
│ │和先进封装等设备延伸，形成多品类半导体设备产品布局。公司介质窗、喷│
│ │嘴、喷淋头、刻蚀环、内衬等产品凭借高致密度、低孔隙率特性，显著提升│
│ │零部件在高密度等离子侵蚀环境下的使用寿命，降低颗粒和微量元素污染，│
│ │保障晶圆良率提升；此外，公司精密光学器件产品凭借高面型精度、高膜层│
│ │性能等特点，长期服务于国内重点科研院所，应用于航空航天等国家重大战│
│ │略领域。 │
│ │3、全链条自主可控的制造与质量控制体系 │
│ │公司建立了覆盖关键设备自研改造、涂层材料制备改性、特殊涂层工艺开发│
│ │、表面精密加工、特种金属和非金属材料精密成型、精密清洗及成品检测的│
│ │全链条自主可控制造体系，具备高一致性量产能力。通过自建洁净车间和自│
│ │研高精度加工设备，公司实现了国产半导体设备特殊涂层零部件的规模化生│
│ │产，关键工序自动化率显著提升。在质量控制方面，公司严格执行半导体行│
│ │业标准，建立覆盖原材料入厂、生产过程监控及成品出厂检验的全流程质控│
│ │体系，确保材料纯度、致密度等核心指标满足客户严苛要求。 │
│ │4、客户资源与市场协同优势 │
│ │公司在刻蚀、光刻、量检测、退火和薄膜沉积等设备领域市场影响力逐步提│
│ │升，并逐步向多设备品类延伸。公司深耕国产半导体设备零部件领域，攻克│
│ │多项“卡脖子”技术难题，推动产业链自主可控，成为国产半导体设备核心│
│ │零部件供应商之一，在细分领域的行业地位和品牌影响力日益显著。 │
│ │公司客户群体领先多元，市场布局纵深协同。公司深度融入国内半导体产业│
│ │链生态，形成零部件“国产配套+进口替代”双轮驱动的战略布局：在国产 │
│ │设备商市场，公司与客户A、客户B、客户D、鲁汶仪器等国产设备龙头公司 │
│ │建立深度合作关系，共同推进关键零部件的验证与导入；在晶圆厂市场，公│
│ │司产品已通过客户E、客户F等头部晶圆厂认证，并批量供货，用于替代国外│
│ │设备原装零部件。此外，公司积极拓展核电站泵阀及暗室用耐辐照材料等新│
│ │兴领域，为可持续增长注入新动能。 │
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│经营指标 │2023-2025年度，公司主营业务收入分别为16,905.00万元、25,648.97万元 │
│ │和49,532.89万元，均为主营产品贡献的收入。 │
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│竞争对手 │日本TOCALO、日本TOTO、韩国KoMiCo、韩国Hansol IONES、臻宝科技、北京│
│ │亦盛、珂玛科技、先锋精科、富创精密等。 │
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│品牌/专利/经│截至2025年12月31日，公司及其子公司拥有已授权专利26项，其中发明专利│
│营权 │12项，实用新型14项，该等专利合法有效，不存在抵押、质押或优先权等权│
│ │利瑕疵或限制，不存在权属纠纷。 │
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│投资逻辑 │公司具备刻蚀、光刻、量检测、退火、薄膜沉积、硅片外延等多种类半导体│
│ │设备零部件的配套能力，是国内极少数5nm及以下制程半导体刻蚀设备核心 │
│ │零部件的供应商。 │
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│消费群体 │刻蚀、薄膜沉积、光刻、清洗等半导体核心设备厂商及晶圆制造企业；精密│
│ │光学应用整机企业。 │
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│消费市场 │境内外销售，境内销售为主，主要集中在华北地区及华东地区；境外销售集│
│ │中在保税区。 │
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│主营业务 │提供特殊涂层工艺及其关联技术和材料服务。 │
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│主要产品 │半导体设备特殊涂层零部件、精密光学器件、特种材料。 │
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│行业竞争格局│半导体设备特殊涂层零部件行业当前呈现多层级竞争态势，国际巨头与本土│
│ │厂商各具优势，共同塑造了动态演化的市场格局。全球市场长期由欧美日企│
│ │业主导，KoMiCo、TOTO、TOCALO等跨国企业凭借先发技术优势和全球化布局│
│ │，在先进制程领域占据绝对主导地位，与LAM、AMAT、KLA、TEL、ASML等设 │
│ │备龙头形成深度战略合作关系，构建了稳固的市场壁垒。这些国际巨头通过│
│ │数十年的技术积累和专利布局，在特殊涂层零部件领域形成了高度集中的市│
│ │场格局。与此同时，以超纯股份为代表的本土企业正加速实现技术突破和市│
│ │场渗透，在特殊涂层零部件细分领域逐步打开进口替代空间，通过定制化、│
│ │本土化服务，在高致密、低孔隙率、低微量元素污染的特殊涂层等特色工艺│
│ │环节形成独特竞争力。 │
│ │当前市场正处于关键转型期，在当前全球半导体产业链重构的背景下，国产│
│ │半导体设备零部件企业正与北方华创、中微公司、新凯来等国产设备制造商│
│ │形成紧密协同的生态模式，保障国产供应链可靠性和安全性。通过深度参与│
│ │国产半导体设备的研发与制造全流程，国产零部件供应商在设备迭代持续升│
│ │级的过程中，实现了自身技术能力的同步跃升。这种产业链上下游的协同创│
│ │新机制，使得国产零部件产品在超低颗粒和微量元素污染控制、耐等离子轰│
│ │击、耐气体腐蚀、高平整精度、抗高低温冲击性等关键性能上不断突破，逐│
│ │步缩小与国际领先水平的差距。凭借对本土市场需求更精准的把握和更高效│
│ │的响应能力，国产零部件供应商通过持续优化工艺流程、提升产品一致性，│
│ │在保证质量可靠性的同时，形成了显著的成本优势。 │
│ │随着国产半导体设备在国内先进制程产线上的验证通过和市场渗透率提升，│
│ │配套零部件的国产供应商也获得了量产验证机会，通过国内先进制程产线的│
│ │反复打磨，产品性能得到持续改进，进而加速打开晶圆厂零部件替换市场。│
│ │这种良性互动的发展模式，正在改变过去由国际巨头主导的市场格局，使国│
│ │产半导体设备产业链在部分细分设备领域逐步具备了与国际厂商同台竞技的│
│ │实力，为构建安全可控的半导体产业生态奠定了坚实基础。 │
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│行业发展趋势│（1）刻蚀技术在先进制程集成电路制造中愈发重要 │
│ │当前国内光刻机受波长的限制，随着国内先进芯片制程从28纳米往7-5纳米 │
│ │阶段向更先进工艺的方向发展，需要结合刻蚀和薄膜设备的性能提升，采用│
│ │多重曝光工艺，实现更小的尺寸，使得刻蚀技术及相关设备的重要性进一步│
│ │提升。 │
│ │（2）3DNAND对深宽比刻蚀技术提出新的挑战 │
│ │随着2DNAND线宽逼近10nm物理极限，存储器件已全面进入3D架构时代，通过│
│ │垂直堆叠层数提升集成度成为行业共识。目前客户F的232层3DNAND技术已实│
│ │现大规模量产并应用于消费级固态硬盘产品，三星290层V9产品采用串叠工 │
│ │艺实现量产，SK海力士238层4DPUC结构芯片进入商业化应用阶段，而铠侠研│
│ │发的332层产品预计2026年进入量产阶段。 │
│ │（3）下一代先进制程刻蚀技术发展对特殊涂层零部件性能要求 │
│ │在等离子体刻蚀设备中，反应腔内的喷淋头、静电卡盘、内衬、内门等关键│
│ │零部件面临极端等离子环境和高能粒子轰击，需具备优异的抗腐蚀性、低颗│
│ │粒剥落性、温度稳定性。随着集成电路多重曝光和刻蚀工艺的复杂化，尤其│
│ │在高深宽比结构加工中，对纳米级膜厚控制与均匀性提出极高要求。设备零│
│ │部件表面处理技术正在从传统阳极氧化向等离子喷涂迭代，进而向更先进的│
│ │气相沉积技术升级。未来，国内企业将继续在精密机械抛光、特殊涂层工艺│
│ │、精密清洗等方面加大研发投入，以满足半导体设备对零部件的高精密度、│
│ │高洁净度和高耐腐蚀性要求。 │
│ │（4）先进涂层材料与复合工艺协同发展 │
│ │随着钨接触孔、钛氮化物阻挡层、钴栅极等先进金属互联结构在5nm等先进 │
│ │制程芯片中的规模化应用，刻蚀设备、薄膜沉积设备反应腔内的工艺环境复│
│ │杂度显著提升，刻蚀设备需引入更高浓度的氟基、氯基腐蚀性气体以实现精│
│ │细图形刻蚀，薄膜沉积设备则需维持更高真空度与更宽范围的温度调控区间│
│ │，直接导致介质窗、喷嘴、喷淋头、内衬、刻蚀环等核心零部件长期暴露于│
│ │更高密度的等离子体轰击、更强的化学侵蚀、更剧烈的温度波动环境中。这│
│ │一变化对特殊涂层工艺提出远超成熟制程的技术门槛。涂层致密性需阻挡腐│
│ │蚀性气体渗透至基材，防止基材氧化或腐蚀；界面兼容性需保障涂层与不同│
│ │材质的金属或陶瓷基底的结合强度，避免热循环下出现分层；长期稳定性则│
│ │需适配设备频繁启停与工艺参数调整，确保零部件性能衰减可控，上述要求│
│ │均需通过材料与工艺的协同优化实现。 │
│ │（5）国产替代推动高端涂层工艺全面升级 │
│ │在全球半导体供应链局势趋紧的背景下，国内市场对高附加值的特殊涂层零│
│ │部件替代意愿强烈。当前，阳极氧化、电弧喷涂等传统表面处理工艺虽已实│
│ │现较高国产化率，但受限于性能瓶颈，难以适配先进制程对特殊涂层的严苛│
│ │要求；而气溶胶、气相沉积和原子层沉积等支撑先进制程的关键涂层技术，│
│ │目前仍由海外企业主导掌控，且相关海外企业暂未在中国大陆布局本土化生│
│ │产。这一现状不仅形成了显著的技术壁垒，也给国内半导体设备供应链的自│
│ │主可控带来挑战。随着具备关键涂层工艺设备自研能力和涂层材料制备能力│
│ │的企业协同深入，围绕喷淋头、介质窗、喷嘴、刻蚀环、内衬、静电卡盘等│
│ │关键部件的高致密度、低孔隙率、抗颗粒剥落的特殊涂层在国内厂商的技术│
│ │攻坚下实现突破，并已逐步完成产业化落地。 │
│ │为支撑特殊涂层零部件产业链发展，国内企业正逐步打通特殊涂层设备设计│
│ │、特殊涂层材料研发、特殊涂层工艺技术、特殊涂层服务及失效分析检测能│
│ │力，构建较为完善的本地化技术生态。部分领先企业已实现关键工艺设备与│
│ │材料的国产替代，并开始向海外客户供货。 │
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│行业政策法规│《中华人民共和国国民经济和社会发展第十五个五年规划纲要》、《电子信│
│ │息制造业数字化转型实施方案》、《关于进一步全面深化改革推进中国式现│
│ │代化的决定》、《关于做好2024年享受税收优惠政策的集成电路企业或项目│
│ │、软件企业清单制定工作有关要求的通知》、《关于提高集成电路和工业母│
│ │机企业研发费用加计扣除比例的公告》、《关于印发电子信息制造业2023—│
│ │2024年稳增长行动方案的通知》、《国务院关于印发“十四五”数字经济发│
│ │展规划的通知》、《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划│
│ │和2035年远景目标纲要》、《“十四五”国家知识产权保护和运用规划》、│
│ │《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》。 │
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│公司发展战略│自设立以来，公司深耕半导体设备特殊涂层零部件、精密光学器件和特种材│
│ │料的研发、制造与销售。凭借突出的特殊涂层工艺技术与量产能力，公司与│
│ │客户A、客户B、客户D、鲁汶仪器等国产设备龙头公司，客户E、客户F等头 │
│ │部晶圆代工厂和IDM厂商建立了稳定的合作关系，共同助力关键零部件的自 │
│ │主可控生产。 │
│ │未来，公司将紧握半导体设备自主可控的战略机遇，锚定国家“强链补链”│
│ │攻坚方向，聚焦先进制程核心工艺节点，持续强化覆盖关键设备自研改造、│
│ │涂层材料制备改性、特殊涂层工艺开发、表面精密加工、特种金属和非金属│
│ │材料精密成型、精密清洗及成品检测的全工艺链条技术创新和生产配套能力│
│ │，筑牢国产半导体设备供应链安全基础，推动国产半导体设备零部件从国内│
│ │产业链备份配套向全球技术竞争核心力量演进，为集成电路产业的高质量发│
│ │展注入强劲动能。 │
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│公司经营计划│1、紧握半导体设备自主可控的战略机遇，持续强化先进制程工艺技术与生 │
│ │产配套能力 │
│ │未来，公司将紧握半导体设备自主可控的战略机遇，持续增加半导体特殊涂│
│ │层零部件的生产能力及技术研发能力，进一步扩大刻蚀、光刻、量检测、退│
│ │火、薄膜沉积等领域的技术优势，在离子注入、扩散、硅外延片、键合和先│
│ │进封装领域实现关键零部件产品突破。 │
│ │2、完善生产基地建设，提高技术工艺成熟度与先进性 │
│ │公司通过自建洁净车间和自研高精度加工设备，实现了国产半导体设备特殊│
│ │涂层零部件的规模化生产，关键工序自动化率显著提升。未来，公司将持续│
│ │完善成都、眉山生产基地建设，增强生产配套能力，不断提高工艺的成熟度│
│ │与先进性，实现产品的高品质、稳定性输出，全面提升产品的生产能力，满│
│ │足下游半导体设备厂商的需求。 │
│ │3、加强人才队伍建设，提升人才培养 │
│ │公司将结合总体发展战略目标，建立和完善培训、绩效和激励机制，通过外│
│ │部人才引进和内部人才培养提升，构建高素质的人才队伍，充分发挥人才资│
│ │源的潜力。 │
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│公司资金需求│半导体设备核心光学零部件产业化项目、半导体材料及表面处理产业化项目│
│ │、眉山基地产能扩建项目、总部及研发中心建设项目、补充流动资金项目。│
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│可能面对风险│一、与发行人相关的风险 │
│ │（一）技术风险 │
│ │1、技术研发无法满足先进制程迭代的风险；2、核心技术泄密与技术人才流│
│ │失的风险 │
│ │（二）经营风险 │
│ │1、客户集中度较高的风险；2、新产品验证或新应用领域拓展不达预期的风│
│ │险；3、单一供应商依赖与主要原材料的供应来源较为集中的风险；4、主要│
│ │原材料价格波动风险；5、关联交易的风险；6、替代品导致未来毛利率下降│
│ │的风险 │
│ │（三）财务风险 │
│ │1、业绩波动或业绩增速放缓甚至下滑的风险；2、主营业务毛利率下滑的风│
│ │险；3、应收账款增加的风险；4、存货增加及跌价的风险；5、税收优惠政 │
│ │策变动的风险 │
│ │（四）内部控制风险 │
│ │1、经营规模扩张引致的管理风险；2、实际控制人及一致行动人不当控制的│
│ │风险 │
│ │（五）募集资金投资项目风险 │
│ │1、募投项目实施及产能消化风险；2、募投项目新增折旧摊销影响公司盈利│
│ │能力的风险 │
│ │二、与行业相关的风险 │
│ │（一）宏观经济、半导体行业周期波动的风险 │
│ │（二）国产化替代进程加速、行业竞争加剧的风险 │
│ │（三）产业政策变动的风险 │
│ │三、其他风险 │
│ │（一）前瞻性陈述可能不准确的风险 │
│ │（二）汇率波动风险 │
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〖免责条款〗
1、本公司力求但不保证提供的任何信息的真实性、准确性、完整性及原创性等，投资者使
用前请自行予以核实，如有错漏请以中国证监会指定上市公司信息披露媒体为准，本公司
不对因上述信息全部或部分内容而引致的盈亏承担任何责任。
2、本公司无法保证该项服务能满足用户的要求，也不担保服务不会受中断，对服务的及时
性、安全性以及出错发生都不作担保。
3、本公司提供的任何信息仅供投资者参考，不作为投资决策的依据，本公司不对投资者依
据上述信息进行投资决策所产生的收益和损失承担任何责任。投资有风险，应谨慎至上。
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