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新洁能(605111)热点题材主题投资

 

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热点题材☆ ◇605111 新洁能 更新日期:2024-04-24◇ 通达信沪深京F10 ★本栏包括【1.所属板块】【2.主题投资】【3.事件驱动】【4.信息面面观】 【1.所属板块】 概念:汽车电子、芯片、汽车芯片、三代半导 风格:融资融券、回购计划、养老金、专精特新 指数:上证380、小盘成长、国证成长 【2.主题投资】 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2022-10-11│第三代半导体│关联度:☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司主营为MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发设计及销售 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2022-07-08│汽车芯片 │关联度:☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司已经通过了与车规级认证有关的IATF16949质量体系认证,具备了向汽车电子客户供货 的能力,且目前少部分产品已经导入相关汽车电子客户。 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2021-10-18│汽车电子 │关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司已经通过了与车规级认证有关的IATF16949质量体系认证,具备了向汽车电子客户供货 的能力﹐且目前少部分产品已经导入相关汽车电子客户 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2021-10-12│芯片 │关联度:☆☆☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 国内MOSFET设计龙头 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2022-09-29│宁德时代概念│关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司的主要客户中有宁德时代 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2022-06-14│比亚迪概念 │关联度:☆☆☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司客户结构不断升级。公司正从传统的消费电子客户逐步向新能源汽车、光伏新能源、高 端工业控制等领域转型,公司 2021 年度积极发展汽车电子(含燃油车和新能源汽车)、光伏逆 变和光伏储能、 5G 基站电源、工业自动化、高端电动工具等中高端行业,如 2021 年公司在汽 车电子市场重点导入了比亚迪,目前已经实现十几款产品的大批量供应,同时公司产品也进入了 多个汽车品牌的整机配件厂,汽车电子产品的整体销售占比得以快速提升 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2022-01-10│碳化硅 │关联度:☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司主营为MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发设计及销售 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2021-10-19│IGBT │关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 国内最早同时拥有沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET及IGBT四大产品 平台的本土企业之一;公司拥有Trench NPT/Trench FS工艺,产品主要为MOSFET、IGBT,主要用 于UPS电源、逆变器等方面 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2020-09-28│转板A股 │关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 新洁能:【838147:2016-09-02至2018-11-21】于2020-09-28在上交所上市 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2020-09-28│氮化镓 │关联度:☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司正在研发氮化镓功率HEMT工艺技术 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2020-09-28│富士康概念 │关联度:☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司积极开发富士康等潜在客户为其开发相关新产品,并且有着良好额合作关系。 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2024-04-18│回购计划 │关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司拟回购不超过4500万元(90万股),回购期:2024-03-21至2025-03-20 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2023-11-01│养老金持股 │关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 截止2023-09-30,基本养老保险基金一六零五二组合持股比例占公司总股本的0.58% ──────┬──────┬──────────────────────────── 2023-08-15│专精特新 │关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司已入选工信部专精特新小巨人企业名单。 【3.事件驱动】 ──────┬─────────────────────────────────── 2024-01-26│供需关系有望迎来优化,功率半导体正在积蓄涨价动能 ──────┴─────────────────────────────────── 近日,多家芯片厂商陆续宣布涨价。记者采访多家芯片原厂、分销商获悉,大容量存储芯片 真正开启了涨价通道,主流产品甚至开始采用了分货方式。中小容量存储、功率半导体正在积蓄 涨价动能,部分功率半导体厂商已经率先对产品进行了涨价。方正证券指出,目前伴随全球新增 产能节奏放缓以及下游需求平稳增加,供需关系有望迎来优化,中短期维度下将利好于产品价格 提升。 ──────┬─────────────────────────────────── 2023-07-17│IGBT芯片价格居高不下,新能源汽车及光伏领域需求旺盛 ──────┴─────────────────────────────────── 目前IGBT缺货基本在39周以上,供需缺口已经拉长到50%以上,市场部分料号供货周期还是 维持在52周,最长达54周。IGBT领域龙头厂商英飞凌最新的Q2交期维持在39-50周,价格居高不 下。另一家大厂安森美2022-2023年的产能全部售罄,最新的Q2交期在47-52周,远高于英飞凌, 价格一直维持高位。IGBT是具有高电流、高电压、高效率的半导体电源控制元件,能够实现大电 流大电压的开关控制,主要应用于新能源汽车及光伏等领域的电力控制系统中,被誉为新能源汽 车的“CPU”。 ──────┬─────────────────────────────────── 2023-05-26│车用、工业IGBT供应依然吃紧,IGBT行业或受关注 ──────┴─────────────────────────────────── 据业内人士透露,IGBT在工业、车用领域供货仍吃紧,且主流IDM厂一路看好其长期需求。 ──────┬─────────────────────────────────── 2023-05-24│博世拟收购TSI半导体,碳化硅需求持续增加 ──────┴─────────────────────────────────── 博世计划收购美国芯片制造商TSI半导体。博世表示,未来几年内,公司计划在TSI位于美国 加利福尼亚州罗斯维尔的工厂投资超过15亿美元,并将TSI半导体制造设施改造为最先进的工艺 。同时,博世还将在2030年底之前大幅扩展其全球碳化硅芯片产品系列。 ──────┬─────────────────────────────────── 2023-05-05│英飞凌签约国产碳化硅材料供应商天科合达 ──────┴─────────────────────────────────── 英飞凌公司正推动其碳化硅(SiC)供应商体系多元化,并与中国碳化硅材料供应商北京天 科合达半导体股份有限公司签订了一份长期供货协议,天科合达将为英飞凌供应用于生产SiC半 导体的6英寸碳化硅材料,以确保获得更多具有竞争力的碳化硅来源。 ──────┬─────────────────────────────────── 2023-04-06│产线代工价上涨,功率半导体IGBT缺货愈演愈烈 ──────┴─────────────────────────────────── 当整个半导体行业都在忙于去库存时,IGBT几乎成了唯一的例外。不仅价格涨翻天,业界更 以“不是价格多高的问题,而是根本买不到”来形容缺货盛况。据媒体报道,IGBT缺货问题至少 在2024年中前难以解决。此前亦有消息指出,部分厂商IGBT产线代工价上涨10%。 ──────┬─────────────────────────────────── 2023-03-30│缺货问题2024年难以解决,IGBT被誉为电力电子装置的CPU ──────┴─────────────────────────────────── 自20年以来,绝缘闸极双极性晶体管(IGBT)供不应求,随着车用、工业应用所需用量大增 ,而产能扩增缓慢,认证需时间,考量长期客户关系,以及订单规模下,加上Tesla释出大砍碳 化硅(SiC)用量75%消息,让可能成为替代方案之一的IGBT,缺货问题至少在2024年中前难以解 决。IGBT是第三代功率半导体技术革命的代表性产品,具有高频、高电压、大电流,易于开关等 优良性能,被业界誉为电力电子装置的“CPU”,广泛应用于工业控制、轨道交通、白色家电、 新能源发电、新能源汽车等领域。券商指出,我国是全球最大的IGBT需求市场,产业具有较大的 发展前景,但我国IGBT自给率不足20%,本土替代仍有较大的提升空间。 ──────┬─────────────────────────────────── 2023-03-24│机构预计到2029年碳化硅市场规模将增长至94亿美元 ──────┴─────────────────────────────────── TechInsights最新电动汽车服务报告指出,预计碳化硅市场收益在2022年至2027年期间将以 35%的复合年增长率从12亿美元增长到53亿美元。到2029年,该市场规模将增长到94亿美元,其 中中国将占一半。碳化硅拥有庞大的市场潜力,尤其是在新能源汽车快速普及的时代。使用碳化 硅功率器件可以提高电机驱动器和充电器的效率,从而提高整个电动汽车系统的能量利用率和性 能。 ──────┬─────────────────────────────────── 2023-03-24│巨头押注氮化镓芯片,下游在数据中心领域开始渗透 ──────┴─────────────────────────────────── 欧洲芯片制造商英飞凌押注下一代功率半导体,用于从超高速手机充电器到电动汽车的各种 领域,以求在更广泛的芯片市场低迷的情况下刺激增长。英飞凌功率和传感器系统总裁怀特表示 ,英飞凌特别看好氮化镓(GaN)芯片。该公司预测,到2027年,氮化镓芯片市场将以每年56%的 速度增长。 ──────┬─────────────────────────────────── 2023-01-19│提升电动汽车充电基础设施,充电桩产业迎来黄金发展期 ──────┴─────────────────────────────────── 中国充电联盟发布数据显示,截至2022年11月,联盟内成员单位总计上报公共充电桩173.1 万台。去年前11个月,全国充电基础设施累计数量为494.9万台,同比增加107.5%;充电基础设施 增量为233.2万台,其中公共充电桩增量同比上涨105.4%,随车配建私人充电桩增量持续上升, 同比上升316.5%。 ──────┬─────────────────────────────────── 2022-11-18│新能源带火碳化硅产业 ──────┴─────────────────────────────────── 11月15日-19日,在今年高交会期间举办的“2022广东省半导体产业发展趋势论坛-汽车‘芯 ’未来”上,产业链人士讨论的焦点也集中在碳化硅上,与这一热度相匹配的是,碳化硅相关投 资也愈发火热。 ──────┬─────────────────────────────────── 2022-08-09│多种芯片交期维持高位+供需持续紧张,推动价格呈现上涨趋势 ──────┴─────────────────────────────────── 2022中国IC领袖峰会将在8月17日南京举行,以“20年,砥砺前行”为主题,邀请半导体业 界专家和企业领袖与中国电子和IC设计行业资深工程师、技术和供应链专业人士,以及企业高管 们一起回顾中国半导体产业20年来的发展历程,并探讨中国半导体下一个十年的发展之路。 ──────┬─────────────────────────────────── 2022-08-05│头部企业相继扩产应对订单积压,IGBT供需关系仍紧 ──────┴─────────────────────────────────── 近日,IGBT头部企业相继宣布投建新产能,以应对订单积压。有机构近日调查也显示,在车 规、光伏以及工控三大应用领域,均有超过四成企业下半年酝酿提价。 ──────┬─────────────────────────────────── 2022-07-26│IGBT大厂交期仍高达50周 国产化率快速提升 ──────┴─────────────────────────────────── 据报道,一家IGBT企业内部人士称,“虽然不是很清楚其他芯片的需求情况,但在IGBT方面 ,这段时间还是非常紧缺的,英飞凌的IGBT一直都缺。很实际的问题是,我接触的B车企告诉我 ,能生产多少辆车,取决于IGBT的供应量,而且交付周期还非常长。”另据富昌电子数据显示, 今年Q2海外大厂IGBT交期仍高达50周左右,反应供需偏紧仍然持续。 ──────┬─────────────────────────────────── 2022-07-08│单车价值消耗量超燃油车两倍,全球第三大汽车芯片巨头又遇突发状况 ──────┴─────────────────────────────────── 日本芯片制造商瑞萨电子表示,公司位于熊本市一座工厂遭雷电击中供电线路,可能使该工 厂停产长达两周。 据惠誉去年的评级报告称,瑞萨是全球第三大汽车芯片公司,也是全球最大的微控制器(MCU) 供应商,市场份额达到19%。 ──────┬─────────────────────────────────── 2022-06-09│缺货成常态,下游75%的芯片订单在未来12个月内才能交货 ──────┴─────────────────────────────────── 从芯片供应端来看,英飞凌一季度积压订单金额已经环比增长19.4%,达370亿欧元,其中超 过五成是汽车相关产品,预计75%的订单在未来12个月内才能交货,远超公司交付能力。 当前汽车芯片短缺现象依旧持续,短期内仍较难实现供需平衡,各家车企仍在争抢芯片产能,并 且智能电动车的芯片成本已经超过电池包。 ──────┬─────────────────────────────────── 2022-03-28│新能源车+光伏,IGBT紧缺或延续至2023年上半年 ──────┴─────────────────────────────────── 目前所有的新能源汽车,最明显的特点是电池和电机驱动系统作为汽车动力来源,电机驱动 系统中的电机控制器,最广泛的方案就是使用IGBT。据中信证券测算,2022年全年IGBT供需仍将 持续紧张,本轮IGBT供需偏紧格局有望延续至2023年上半年。 IGBT作为能源变换与传输的核心器件,其价值约占整车成本的1-2%,按目前的车用SiC-MOSFET 模块的市场价格计算,同等电流规格的IGBT和SiC的成本价格相差至少1倍,IGBT的成本优势明显 。此外,IGBT作为光伏逆变器中核心器件广泛应用于组串式、集中式及微型光伏逆变器,成本占 比约12%,业内人士分析指出,2021年全球IGBT市场空间已接近550亿元人民币,过去4年复合增 速接近20%。在缺货背景下,国内IGBT产业迎来加速机遇,看好在光伏、电动车领域导入进展较 快,且产能有保障的IGBT厂商。 ──────┬─────────────────────────────────── 2022-03-17│委外代工厂最高涨价50%!功率半导体需求强劲 ──────┴─────────────────────────────────── 据报道,供应链传出,受惠于车用MOSFET等功率半导体需求强劲,加上6英寸芯片代工厂产 能满载,汉磊作为委外工厂,将针对大客户英飞凌全面调涨报价,幅度最高达50%,同时积极扩 大第三代半导体碳化硅(SiC)的产能,预计今年出货量将呈倍数级成长。 根据IHS数据,2022年中国功率半导体市场规模有望达到182.70亿美元(1164.51亿元人民币), 2018-2022年CAGR达到7.11%。 ──────┬─────────────────────────────────── 2022-03-10│半导体短缺 保时捷将暂停莱比锡工厂 ──────┴─────────────────────────────────── 芯片短缺成为制约汽车产能的关键变量。据媒体报道,因为芯片半导体短缺,保时捷莱比锡 工厂已经从3月2日起暂时关停,并持续到3月11日。同时保时捷表示,将根据未来几周的状况动 态评估工厂是否能正常复产。此前,福特、现代等汽车厂也纷纷因芯片短缺问题关停部分产能。 新能源汽车公司RIVIAN首席执行官称,预计(汽车)芯片短缺状况将延续至2023年。据中泰证券 研报,由于汽车芯片供应短缺,交货期几乎没有改善,全球前五大芯片供应商英飞凌、恩智浦、 瑞萨、德州仪器和意法半导体都准备进一步提高汽车用MCU或功率器件的报价。 ──────┬─────────────────────────────────── 2022-01-27│库存不足5天!汽车领域芯片成缺货“重灾区” ──────┴─────────────────────────────────── 美国商务部发布了2021年9月发布的《半导体供应链信息征询风险报告》(RFI)的结果。报 告显示,半导体供应链仍然脆弱。需求继续远远超过供应,汽车制造商、医疗设备制造商等芯片 买家持有的库存中值已从2019年的40天降至2021年的不到5天,关键行业的库存甚至更少,全球 半导体短缺将至少持续到今年下半年。 百年汽车行业正在经历大变革时代,汽车向电动化、智能化是大势所趋,ModorIntelligence数 据预测未来5年半导体下游应用领域中,汽车应用的复合增速达10.3%,位居所有行业领域之首。 电动化方面,汽车电动化最受益的是功率器件,尤其是IGBT,根据Omdia数据,2020年汽车功率 器件市场规模为45亿美元,预计到2025年汽车功率器件市场规模将达到92亿美元。 ──────┬─────────────────────────────────── 2021-11-24│新能源车半导体价值量占比达55% ──────┴─────────────────────────────────── 汽车电动化、网联化、智能化发展趋势中带动汽车半导体需求大幅度增长。根据Gartner预 测的数据,2024年单辆汽车中的半导体价值有望超过1000美元。汽车半导体包含功率、控制芯片 、传感器,其中功率半导体的在新能源汽车半导体价值量中的占比达到55%。 ──────┬─────────────────────────────────── 2021-06-17│交期长达一年 功率半导体龙头酝酿新一轮涨价 ──────┴─────────────────────────────────── 有报道称全球功率半导体龙头英飞凌正在酝酿新一轮产品涨价,MOSFET(金氧半场效晶体管 )的涨幅将有12%,预计本月中旬执行。此外,功率半导体大厂ST(意法半导体)、安森美等也 表示将提升价格。国内部分功率半导体厂商也已发出了涨价函。 据富昌电子2021年二季度市场行情报告显示,几乎所有的芯片产品都面临着不同程度上的货期延 长,价格呈现上涨趋势,功率半导体领域也不例外。英飞凌的通用晶体管、低压MOSFET和IGBT产 品货期最长达52周,高压MOSFET货期也达到26至40周。 ──────┬─────────────────────────────────── 2021-06-16│功率半导体新一轮涨价潮已在路上 国内厂商有望共享红利 ──────┴─────────────────────────────────── 据报道,全球功率半导体龙头英飞凌正在酝酿新一轮产品涨价,MOSFET的涨幅将有12%,预 计本月中旬执行。还有多家功率半导体厂商也在近期发布了涨价通知,ST宣布全系列产品于6月1 日开始涨价;安森美宣布部分产品价格上调,生效日期定于7月10日。 目前市场对二三极管、晶体管、低中高压MOSFET、IGBT等功率半导体产品的需求依然很旺盛,部 分进口产品的交期长达52周,国产产品的交期长达三个月。功率半导体市场缺口最大的是有一定 技术门槛的产品,在此情况下,行业高景气周期将持续。 ──────┬─────────────────────────────────── 2021-05-28│IC设计大厂一季度营收集体大增 ──────┴─────────────────────────────────── 分析机构ICinsights发布全球前15大半导体公司在2021年第一季度的表现状况。根据报告, 前15大半导体企业中,营收增长最高的四位AMD(93%)、联发科(90%)、高通(55%)、英伟达 (51%)都是无晶圆IC设计厂商,第一季度营收年增长都超过了50%。 芯片设计作为国内半导体产业中最具发展活力的领域之一,近年来中国芯片设计产业在提升自给 率、政策支持、规格升级与创新应用等要素的驱动下,保持了高速成长的趋势。机构指出,议价 能力强的设计公司能够将晶圆、封测成本端影响更有效传导。叠加供需紧张下的马太效应,龙头 设计公司甚至能够在景气过程中获得量价齐升。 ──────┬─────────────────────────────────── 2020-12-07│功率半导体行业平均涨幅10% 部分产品上涨幅度更高 ──────┴─────────────────────────────────── 《科创板日报》记者12月5日从供应链多家公司独家获悉,功率半导体行业目前平均涨幅5%- 10%,部分产品涨幅更高。“缺货严重,不排除有更多涨幅。2021年一季度订单排满,甚至有订 单排到明年年底。” 业内人士表示,功率半导体市场空间巨大,5G、汽车电子等为行业增长提供强劲动能。功率半导 体是实现设备电气性能的必备要素,广泛应用于消费电子、工业、汽车电子等领域,总体市场空 间超400亿美金,中国占全球需求的35%以上,且市场增速显著高于全球,随着5G带来的万物互联 及基站、数据中心数量的迅猛增长,及汽车电子化程度的不断提升,MOSFET及IGBT有望持续放量 ,带动功率半导体市场实现较快增长。 【4.信息面面观】 ┌──────┬─────────────────────────────────┐ │栏目名称 │ 栏目内容 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │公司简介 │新洁能系经江苏省无锡工商行政管理局出具的《江苏省无锡工商行政管理局│ │ │公司准予设立登记通知书》((02000047)公司设立[2013]第01040001号)批 │ │ │准,由朱袁正、新潮集团、新洁能半导体共同发起设立的股份有限公司。公│ │ │司于2013年1月5日取得江苏省无锡工商行政管理局核发的《企业法人营业执│ │ │照》(注册号:320200000204840),注册资本1,000.00万元。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │产品业务 │MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发设计及销售 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │经营模式 │Fabless │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │行业地位 │国内MOSFET设计龙头 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │核心竞争力 │1、研发实力优势 │ │ │公司基于全球半导体功率器件先进理论技术开发领先产品,是国内率先掌握│ │ │超结理论技术,并量产屏蔽栅功率MOSFET及超结功率MOSFET的企业之一,是│ │ │国内最早同时拥有沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET│ │ │及IGBT四大产品平台的本土企业之一。截至2020年1月19日,公司拥有97项 │ │ │专利,其中发明专利35项,发明专利数量和占比在国内半导体功率器件行业│ │ │内位居前列;公司拥有的该等专利与MOSFET、IGBT、功率模块以及先进工艺│ │ │技术密切相关,对公司核心技术形成了专利保护,对同行业竞争者和潜在竞│ │ │争者均形成了较高的技术壁垒。此外,公司参与在IEEETDMR等国际知名期刊│ │ │中发表论文13篇,其中SCI收录论文7篇,不断提升公司自身在先进功率半导│ │ │体领域的整体技术水平,缩小了与国际一流半导体功率器件企业的技术差距│ │ │,拉大了与国内同行业竞争者的技术差距。 │ │ │2、产品系列优势 │ │ │公司主要产品为沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET和│ │ │IGBT等半导体功率器件,已拥有覆盖12V-1350V电压范围、0.1A-350A电流范│ │ │围的多系列细分型号产品,是国内领先的半导体功率器件行业中MOSFET产品│ │ │系列最齐全的设计企业之一。公司通过构建主要产品工艺技术平台,衍生开│ │ │发细分型号产品,并持续升级产品工艺平台,形成了“构建-衍生-升级”的│ │ │良性发展模式,从而使得公司细分型号产品能够快速、“裂变式”产生,满│ │ │足下游多个领域的需求,最终引致公司经营规模迅速增长。截至目前,公司│ │ │已拥有1000余种细分型号产品,能够满足不同下游市场客户以及同一下游市│ │ │场不同客户的差异化需求。基于国际先进的超低能耗电荷平衡理论技术,公│ │ │司研发的主要产品紧跟国际一线品牌,且拥有全部自主知识产权。公司600V│ │ │-1350V的沟槽型场截止IGBT、500V-900V的第三代超结功率MOSFET、30V-300│ │ │V的屏蔽栅功率MOSFET、12V-250V的沟槽型功率MOSFET均已实现量产及系列 │ │ │化。未来,公司将进一步优化产品性能,挖掘客户的需求,丰富产品系列型│ │ │号,保持公司在产品系列方面的竞争优势。 │ │ │3、产品品质优势 │ │ │公司产品性能优良,质量稳定,一致性高。公司拥有完善的产品质量管控体│ │ │系,针对产品进行全流程质量管控。公司建立了严格的供应商选择机制,供│ │ │应商均为业内技术先进、质量可靠的知名企业。公司芯片代工主要来源于华│ │ │虹宏力、华润上华、中芯集成领先的芯片代工企业,芯片产品性能优异,质│ │ │量可靠。封装测试主要采购长电科技(600584)、通富微电(002156)、安│ │ │靠技术(Amkor)等一流封装测试企业的服务,封装良率较高,功率器件品 │ │ │质良好。公司产品已获得了《ISO9001质量体系证书》,符合ISO9001:2015│ │ │质量管理体系的要求;而且,公司“沟槽型功率MOSFET”、“绝缘栅双极型│ │ │晶体管(IGBT)”、“超结功率MOSFET”、“屏蔽栅沟槽型功率MOSFET”等│ │ │产品被江苏省科技厅认定为高新技术产品。公司产品在细分市场领域具有较│ │ │高的品质优势。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │竞争对手 │英飞凌、安森美、瑞萨、东芝、意法半导体、扬杰科技、韦尔股份、富满电│ │ │子、士兰微、华微电子、台基股份 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │品牌/专利/经│公司拥有97项专利,其中发明专利35项、实用新型59项、外观设计3项。 │ │营权 │ │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │消费群体 │消费电子、汽车电子、工业电子、新能源汽车、充电桩、智能装备制造、物│ │ │联网、光伏 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │消费市场 │境内、境外 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │公司发展战略│未来三年内,公司将巩固和加强在功率MOSFET和IGBT产品的国内领先地位,│ │ │加快智能功率集成器件的研发及产业化,同时建成先进功率集成器件及模块│ │ │产品特色封装产线,布局SiC/GaN新材料宽禁带半导体,树立中国半导体高 │ │ │端品牌形象,逐步成为国际先进的半导体功率研发设计企业,并具有一定的│ │ │高端半导体分立器件封装能力。公司将通过建设研发中心,加强自主创新研│ │ │发能力,不断开发高功率密度、低能耗、集成度更高的功率MOSFET和IGBT产│ │ │品,提升公司核心竞争力;通过丰富现有系列产品规格型号,拓宽公司产品│ │ │应用领域,满足下游客户多样化需求;通过深化功率MOSFET和IGBT产品在系│ │ │统层面的应用特性,为客户提供产品整体解决方案,大力推进贴近客户的应│ │ │用支持团队的建设和布局;通过适度延伸产业链,加强核心技术保密,保障│ │ │产品品质、降低产品成本;通过完善销售网络,提升公司的品牌影响力和市│ │ │场美誉度,扩大行业和区域覆盖面,积极开拓境内外市场。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │可能面对风险│1、市场波动风险 │ │ │半导体分立器件行业与宏观经济的整体发展的景气程度密切相关,国内经济│ │ │整体增速放缓及中美贸易摩擦等因素通过对下游行业的生产经营产生不利影│ │ │响进而传导至半导体分立器件行业。如果宏观经济波动较大或长期处于低谷│ │ │,半导体分立器件行业的市场需求也将随之受到影响;下游行业的波动和低│ │ │迷会导致对半导体分立器件的需求下降、价格敏感性提高。 │ │ │2、供应商依赖的风险 │ │ │公司是半导体专业化垂直分工企业,芯片代工及封装测试环节主要通过向供│ │ │应商采购。公司拥有涵盖了华虹宏力、华润上华、中芯集成等国内少数几家│ │ │具备MOSFET、IGBT等8英寸半导体芯片代工能力的本土芯片代工供应商,并 │ │ │不断拓展韩国等地区的芯片代工供应渠道。而在封装测试环节,公司主要与│ │ │长电科技(600584)、安靠技术(Amkor)、通富微电(002156)等全球领 │ │ │先的封装测试企业合作,一定程度上也保证了公司产品的领先性。由于半导│ │ │体行业垂直分工的特殊性,专注于芯片设计环节的企业在选择供应商

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