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新洁能(605111)热点题材主题投资

 

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热点题材☆ ◇605111 新洁能 更新日期:2026-08-12◇ 通达信沪深京F10 ★本栏包括【1.所属板块】【2.主题投资】【3.事件驱动】【4.信息面面观】 【1.所属板块】 概念:充电桩、智能机器、汽车电子、无人机、无人驾驶、新能源车、芯片、数据中心、汽车芯 片、东数西算、三代半导、先进封装、低空经济 风格:融资融券、社保重仓、养老金、专精特新 指数:上证380、小盘成长、国证成长 【2.主题投资】 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2026-02-03│先进封装 │关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司全资子公司电基集成已建设先进封测产线并持续扩充完善,目前已实现部分芯片自主封 测并形成特色产品;子公司金兰半导体已建成先进功率模块生产线,以满足光伏储能、汽车、工 业等重点应用领域客户的需求。 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2025-05-06│数据中心 │关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司的屏蔽栅MOSFET、超结MOSFET产品已长期大量应用于下游数据中心行业中,主要客户如 欧陆通、中国长城、科斯特、高斯宝等,最终应用于浪潮、长城、技嘉、广达等服务器客户 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2025-03-31│新能源车 │关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司的相关产品可以应用于新能源汽车和充电桩上,且新能源汽车为公司今后重点布局的领 域 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2024-10-09│无人机 │关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司SGT MOSFET、IGBT产品可应用于无人机BMS、电机等核心部件。 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2024-09-20│东数西算 │关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司的SGT MOSFET、SJ MOSFET产品已长期大批量应用于下游服务器和数据中心行业中 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2024-08-02│低空经济 │关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司已与布局低空经济产业的相关客户形成合作,部分客户已经实现大批量销售。 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2024-08-02│无人驾驶 │关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司汽车电子产品可应用于汽车底盘域、动力域、智能信息域、车身控制域、驾驶辅助域五 大域控,已有产品应用于无人驾驶。 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2024-07-01│机器人概念 │关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司目前产品应用于多个机器人细分领域,如水下机器人、扫地机器人等。 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2024-05-27│充电桩 │关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司的相关产品目前已经应用于充电桩领域并实现批量供货,并且正在更多的充电桩客户端 进行验证。 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2022-10-11│第三代半导体│关联度:☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司主营为MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发设计及销售 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2022-07-08│汽车芯片 │关联度:☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司已经通过了与车规级认证有关的IATF16949质量体系认证,具备了向汽车电子客户供货 的能力,且目前少部分产品已经导入相关汽车电子客户。 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2021-10-18│汽车电子 │关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司已经通过了与车规级认证有关的IATF16949质量体系认证,具备了向汽车电子客户供货 的能力﹐且目前少部分产品已经导入相关汽车电子客户 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2021-10-12│芯片 │关联度:☆☆☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 国内MOSFET设计龙头 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2022-09-29│宁德时代概念│关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司的主要客户中有宁德时代 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2022-06-14│比亚迪概念 │关联度:☆☆☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司客户结构不断升级。公司正从传统的消费电子客户逐步向新能源汽车、光伏新能源、高 端工业控制等领域转型,公司 2021 年度积极发展汽车电子(含燃油车和新能源汽车)、光伏逆 变和光伏储能、 5G 基站电源、工业自动化、高端电动工具等中高端行业,如 2021 年公司在汽 车电子市场重点导入了比亚迪,目前已经实现十几款产品的大批量供应,同时公司产品也进入了 多个汽车品牌的整机配件厂,汽车电子产品的整体销售占比得以快速提升 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2022-01-10│碳化硅 │关联度:☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司主营为MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发设计及销售 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2021-10-19│IGBT │关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 国内最早同时拥有沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET及IGBT四大产品 平台的本土企业之一;公司拥有Trench NPT/Trench FS工艺,产品主要为MOSFET、IGBT,主要用 于UPS电源、逆变器等方面 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2020-09-28│转板A股 │关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 新洁能:【838147:2016-09-02至2018-11-21】于2020-09-28在上交所上市 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2020-09-28│氮化镓 │关联度:☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司正在研发氮化镓功率HEMT工艺技术 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2020-09-28│富士康概念 │关联度:☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司积极开发富士康等潜在客户为其开发相关新产品,并且有着良好额合作关系。 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2026-05-06│养老金持股 │关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 截止2026-03-31,基本养老保险基金二零零九组合持股比例占公司总股本的0.91% ──────┬──────┬──────────────────────────── 2026-03-31│社保重仓 │关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 截止2026-03-31,社保重仓持有1511.88万股(5.52亿元) ──────┬──────┬──────────────────────────── 2023-08-15│专精特新 │关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司已入选工信部专精特新小巨人企业名单。 【3.事件驱动】 ──────┬─────────────────────────────────── 2026-06-01│MCU巨头意法半导体年内二次涨价 ──────┴─────────────────────────────────── MCU及功率半导体大厂意法半导体(STMicrcelectronics)向客户发出了“价格调整通知函” ,宣布将自2026年6月28日起对部分产品价格进行上调。这是意法半导体在今年3月24日宣布涨价 后,今年以来第二次宣布涨价。在此之前,英飞凌、德州仪器等国际功率半导体巨头也相继发布 涨价通知。此外,国产MCU厂商中微半导体、国民技术等也于近期相继涨价。 ──────┬─────────────────────────────────── 2026-02-26│上调10%起 又有国产芯片公司宣布涨价 ──────┴─────────────────────────────────── 2月25日,新洁能发布涨价函,表示因上游原材料及关键贵金属价格大幅攀升,导致晶圆代 工及封测成本持续上涨,为保障公司可持续运营,公司决定对MOSFET产品进行价格上调,上调幅 度10%起,本次价格调整自2026年3月1日起发货正式生效。记者注意到,2025年底以来,中微半 导、必易微、国科微、英集芯、美芯晟、欧姆龙、ADI、英飞凌等多家国内外公司,已经宣布了 产品涨价。涨价主要原因是上游原材料成本上涨,导致制造成本上升。 ──────┬─────────────────────────────────── 2024-11-11│中芯国际第三季度收入创历史新高 ──────┴─────────────────────────────────── 中芯国际公告,第三季度营收156.09亿元,同比增长32.5%;第三季度净利润10.6亿元,同 比增长56.4%。第三季度收入环比上升14%,达到21.7亿美元,创历史新高。受益于市场需求回暖 、国产化加速、终端创新赋能等,半导体行业三季度业绩表现亮眼,多家公司经营业绩实现高增 长。华福证券表示,半导体行业业绩增长迅速,各环节营收恢复良好,而在AI、HPC、端侧AI/折 叠屏等创新驱动下,半导体行业有望延续增长态势。 ──────┬─────────────────────────────────── 2024-08-05│2024Q2全球硅晶圆出货量环比增长7.1% ──────┴─────────────────────────────────── 据媒体报道,根据SEMI旗下的Silicon Manufacturers Group (SMG)发布的硅晶圆季度分析 报告,2024年第二季度全球硅晶圆出货量环比增长7.1%,达到3035百万平方英寸(MSI),但与 去年同期的3331百万平方英寸相比下降了8.9%。SEMI SMG主席,GlobalWafers副总裁李崇伟表示 ,硅晶圆市场正在复苏,这得益于与数据中心和生成式人工智能产品相关的强劲需求。 ──────┬─────────────────────────────────── 2024-06-18│功率半导体应用广阔,目前处于行业周期底部 ──────┴─────────────────────────────────── 记者从多家功率半导体公司采访获悉,整体来看,功率半导体最坏的时刻已经过去,各大晶 圆厂的产能已经接近满载,涨价成为行业内热议的话题。业内人士预计,随着产业链上库存出清 、需求进一步复苏,预计下半年功率半导体行业景气度会继续上行。华鑫证券毛正认为,功率半 导体应用广阔,尽管目前处于行业周期底部,但随着交期、库存逐步改善,和下游需求逐步复苏 的节奏,再次看到功率半导体行业景气度回升的信号。随着国内功率产品可靠性、稳定性、性能 参数等不断追赶海外标准,未来国产市场空间广阔。 ──────┬─────────────────────────────────── 2024-01-26│供需关系有望迎来优化,功率半导体正在积蓄涨价动能 ──────┴─────────────────────────────────── 近日,多家芯片厂商陆续宣布涨价。记者采访多家芯片原厂、分销商获悉,大容量存储芯片 真正开启了涨价通道,主流产品甚至开始采用了分货方式。中小容量存储、功率半导体正在积蓄 涨价动能,部分功率半导体厂商已经率先对产品进行了涨价。方正证券指出,目前伴随全球新增 产能节奏放缓以及下游需求平稳增加,供需关系有望迎来优化,中短期维度下将利好于产品价格 提升。 ──────┬─────────────────────────────────── 2023-07-17│IGBT芯片价格居高不下,新能源汽车及光伏领域需求旺盛 ──────┴─────────────────────────────────── 目前IGBT缺货基本在39周以上,供需缺口已经拉长到50%以上,市场部分料号供货周期还是 维持在52周,最长达54周。IGBT领域龙头厂商英飞凌最新的Q2交期维持在39-50周,价格居高不 下。另一家大厂安森美2022-2023年的产能全部售罄,最新的Q2交期在47-52周,远高于英飞凌, 价格一直维持高位。IGBT是具有高电流、高电压、高效率的半导体电源控制元件,能够实现大电 流大电压的开关控制,主要应用于新能源汽车及光伏等领域的电力控制系统中,被誉为新能源汽 车的“CPU”。 ──────┬─────────────────────────────────── 2023-05-26│车用、工业IGBT供应依然吃紧,IGBT行业或受关注 ──────┴─────────────────────────────────── 据业内人士透露,IGBT在工业、车用领域供货仍吃紧,且主流IDM厂一路看好其长期需求。 ──────┬─────────────────────────────────── 2023-05-24│博世拟收购TSI半导体,碳化硅需求持续增加 ──────┴─────────────────────────────────── 博世计划收购美国芯片制造商TSI半导体。博世表示,未来几年内,公司计划在TSI位于美国 加利福尼亚州罗斯维尔的工厂投资超过15亿美元,并将TSI半导体制造设施改造为最先进的工艺 。同时,博世还将在2030年底之前大幅扩展其全球碳化硅芯片产品系列。 ──────┬─────────────────────────────────── 2023-05-05│英飞凌签约国产碳化硅材料供应商天科合达 ──────┴─────────────────────────────────── 英飞凌公司正推动其碳化硅(SiC)供应商体系多元化,并与中国碳化硅材料供应商北京天 科合达半导体股份有限公司签订了一份长期供货协议,天科合达将为英飞凌供应用于生产SiC半 导体的6英寸碳化硅材料,以确保获得更多具有竞争力的碳化硅来源。 ──────┬─────────────────────────────────── 2023-04-06│产线代工价上涨,功率半导体IGBT缺货愈演愈烈 ──────┴─────────────────────────────────── 当整个半导体行业都在忙于去库存时,IGBT几乎成了唯一的例外。不仅价格涨翻天,业界更 以“不是价格多高的问题,而是根本买不到”来形容缺货盛况。据媒体报道,IGBT缺货问题至少 在2024年中前难以解决。此前亦有消息指出,部分厂商IGBT产线代工价上涨10%。 ──────┬─────────────────────────────────── 2023-03-30│缺货问题2024年难以解决,IGBT被誉为电力电子装置的CPU ──────┴─────────────────────────────────── 自20年以来,绝缘闸极双极性晶体管(IGBT)供不应求,随着车用、工业应用所需用量大增 ,而产能扩增缓慢,认证需时间,考量长期客户关系,以及订单规模下,加上Tesla释出大砍碳 化硅(SiC)用量75%消息,让可能成为替代方案之一的IGBT,缺货问题至少在2024年中前难以解 决。IGBT是第三代功率半导体技术革命的代表性产品,具有高频、高电压、大电流,易于开关等 优良性能,被业界誉为电力电子装置的“CPU”,广泛应用于工业控制、轨道交通、白色家电、 新能源发电、新能源汽车等领域。券商指出,我国是全球最大的IGBT需求市场,产业具有较大的 发展前景,但我国IGBT自给率不足20%,本土替代仍有较大的提升空间。 ──────┬─────────────────────────────────── 2023-03-24│机构预计到2029年碳化硅市场规模将增长至94亿美元 ──────┴─────────────────────────────────── TechInsights最新电动汽车服务报告指出,预计碳化硅市场收益在2022年至2027年期间将以 35%的复合年增长率从12亿美元增长到53亿美元。到2029年,该市场规模将增长到94亿美元,其 中中国将占一半。碳化硅拥有庞大的市场潜力,尤其是在新能源汽车快速普及的时代。使用碳化 硅功率器件可以提高电机驱动器和充电器的效率,从而提高整个电动汽车系统的能量利用率和性 能。 ──────┬─────────────────────────────────── 2023-03-24│巨头押注氮化镓芯片,下游在数据中心领域开始渗透 ──────┴─────────────────────────────────── 欧洲芯片制造商英飞凌押注下一代功率半导体,用于从超高速手机充电器到电动汽车的各种 领域,以求在更广泛的芯片市场低迷的情况下刺激增长。英飞凌功率和传感器系统总裁怀特表示 ,英飞凌特别看好氮化镓(GaN)芯片。该公司预测,到2027年,氮化镓芯片市场将以每年56%的 速度增长。 ──────┬─────────────────────────────────── 2023-01-19│提升电动汽车充电基础设施,充电桩产业迎来黄金发展期 ──────┴─────────────────────────────────── 中国充电联盟发布数据显示,截至2022年11月,联盟内成员单位总计上报公共充电桩173.1 万台。去年前11个月,全国充电基础设施累计数量为494.9万台,同比增加107.5%;充电基础设施 增量为233.2万台,其中公共充电桩增量同比上涨105.4%,随车配建私人充电桩增量持续上升, 同比上升316.5%。 ──────┬─────────────────────────────────── 2022-11-18│新能源带火碳化硅产业 ──────┴─────────────────────────────────── 11月15日-19日,在今年高交会期间举办的“2022广东省半导体产业发展趋势论坛-汽车‘芯 ’未来”上,产业链人士讨论的焦点也集中在碳化硅上,与这一热度相匹配的是,碳化硅相关投 资也愈发火热。 ──────┬─────────────────────────────────── 2022-08-09│多种芯片交期维持高位+供需持续紧张,推动价格呈现上涨趋势 ──────┴─────────────────────────────────── 2022中国IC领袖峰会将在8月17日南京举行,以“20年,砥砺前行”为主题,邀请半导体业 界专家和企业领袖与中国电子和IC设计行业资深工程师、技术和供应链专业人士,以及企业高管 们一起回顾中国半导体产业20年来的发展历程,并探讨中国半导体下一个十年的发展之路。 ──────┬─────────────────────────────────── 2022-08-05│头部企业相继扩产应对订单积压,IGBT供需关系仍紧 ──────┴─────────────────────────────────── 近日,IGBT头部企业相继宣布投建新产能,以应对订单积压。有机构近日调查也显示,在车 规、光伏以及工控三大应用领域,均有超过四成企业下半年酝酿提价。 ──────┬─────────────────────────────────── 2022-07-26│IGBT大厂交期仍高达50周 国产化率快速提升 ──────┴─────────────────────────────────── 据报道,一家IGBT企业内部人士称,“虽然不是很清楚其他芯片的需求情况,但在IGBT方面 ,这段时间还是非常紧缺的,英飞凌的IGBT一直都缺。很实际的问题是,我接触的B车企告诉我 ,能生产多少辆车,取决于IGBT的供应量,而且交付周期还非常长。”另据富昌电子数据显示, 今年Q2海外大厂IGBT交期仍高达50周左右,反应供需偏紧仍然持续。 ──────┬─────────────────────────────────── 2022-07-08│单车价值消耗量超燃油车两倍,全球第三大汽车芯片巨头又遇突发状况 ──────┴─────────────────────────────────── 日本芯片制造商瑞萨电子表示,公司位于熊本市一座工厂遭雷电击中供电线路,可能使该工 厂停产长达两周。 据惠誉去年的评级报告称,瑞萨是全球第三大汽车芯片公司,也是全球最大的微控制器(MCU) 供应商,市场份额达到19%。 ──────┬─────────────────────────────────── 2022-06-09│缺货成常态,下游75%的芯片订单在未来12个月内才能交货 ──────┴─────────────────────────────────── 从芯片供应端来看,英飞凌一季度积压订单金额已经环比增长19.4%,达370亿欧元,其中超 过五成是汽车相关产品,预计75%的订单在未来12个月内才能交货,远超公司交付能力。 当前汽车芯片短缺现象依旧持续,短期内仍较难实现供需平衡,各家车企仍在争抢芯片产能,并 且智能电动车的芯片成本已经超过电池包。 ──────┬─────────────────────────────────── 2022-03-28│新能源车+光伏,IGBT紧缺或延续至2023年上半年 ──────┴─────────────────────────────────── 目前所有的新能源汽车,最明显的特点是电池和电机驱动系统作为汽车动力来源,电机驱动 系统中的电机控制器,最广泛的方案就是使用IGBT。据中信证券测算,2022年全年IGBT供需仍将 持续紧张,本轮IGBT供需偏紧格局有望延续至2023年上半年。 IGBT作为能源变换与传输的核心器件,其价值约占整车成本的1-2%,按目前的车用SiC-MOSFET 模块的市场价格计算,同等电流规格的IGBT和SiC的成本价格相差至少1倍,IGBT的成本优势明显 。此外,IGBT作为光伏逆变器中核心器件广泛应用于组串式、集中式及微型光伏逆变器,成本占 比约12%,业内人士分析指出,2021年全球IGBT市场空间已接近550亿元人民币,过去4年复合增 速接近20%。在缺货背景下,国内IGBT产业迎来加速机遇,看好在光伏、电动车领域导入进展较 快,且产能有保障的IGBT厂商。 ──────┬─────────────────────────────────── 2022-03-17│委外代工厂最高涨价50%!功率半导体需求强劲 ──────┴─────────────────────────────────── 据报道,供应链传出,受惠于车用MOSFET等功率半导体需求强劲,加上6英寸芯片代工厂产 能满载,汉磊作为委外工厂,将针对大客户英飞凌全面调涨报价,幅度最高达50%,同时积极扩 大第三代半导体碳化硅(SiC)的产能,预计今年出货量将呈倍数级成长。 根据IHS数据,2022年中国功率半导体市场规模有望达到182.70亿美元(1164.51亿元人民币), 2018-2022年CAGR达到7.11%。 ──────┬─────────────────────────────────── 2022-03-10│半导体短缺 保时捷将暂停莱比锡工厂 ──────┴─────────────────────────────────── 芯片短缺成为制约汽车产能的关键变量。据媒体报道,因为芯片半导体短缺,保时捷莱比锡 工厂已经从3月2日起暂时关停,并持续到3月11日。同时保时捷表示,将根据未来几周的状况动 态评估工厂是否能正常复产。此前,福特、现代等汽车厂也纷纷因芯片短缺问题关停部分产能。 新能源汽车公司RIVIAN首席执行官称,预计(汽车)芯片短缺状况将延续至2023年。据中泰证券 研报,由于汽车芯片供应短缺,交货期几乎没有改善,全球前五大芯片供应商英飞凌、恩智浦、 瑞萨、德州仪器和意法半导体都准备进一步提高汽车用MCU或功率器件的报价。 ──────┬─────────────────────────────────── 2022-01-27│库存不足5天!汽车领域芯片成缺货“重灾区” ──────┴─────────────────────────────────── 美国商务部发布了2021年9月发布的《半导体供应链信息征询风险报告》(RFI)的结果。报 告显示,半导体供应链仍然脆弱。需求继续远远超过供应,汽车制造商、医疗设备制造商等芯片 买家持有的库存中值已从2019年的40天降至2021年的不到5天,关键行业的库存甚至更少,全球 半导体短缺将至少持续到今年下半年。 百年汽车行业正在经历大变革时代,汽车向电动化、智能化是大势所趋,ModorIntelligence数 据预测未来5年半导体下游应用领域中,汽车应用的复合增速达10.3%,位居所有行业领域之首。 电动化方面,汽车电动化最受益的是功率器件,尤其是IGBT,根据Omdia数据,2020年汽车功率 器件市场规模为45亿美元,预计到2025年汽车功率器件市场规模将达到92亿美元。 ──────┬─────────────────────────────────── 2021-11-24│新能源车半导体价值量占比达55% ──────┴─────────────────────────────────── 汽车电动化、网联化、智能化发展趋势中带动汽车半导体需求大幅度增长。根据Gartner预 测的数据,2024年单辆汽车中的半导体价值有望超过1000美元。汽车半导体包含功率、控制芯片 、传感器,其中功率半导体的在新能源汽车半导体价值量中的占比达到55%。 ──────┬─────────────────────────────────── 2021-06-17│交期长达一年 功率半导体龙头酝酿新一轮涨价 ──────┴─────────────────────────────────── 有报道称全球功率半导体龙头英飞凌正在酝酿新一轮产品涨价,MOSFET(金氧半场效晶体管 )的涨幅将有12%,预计本月中旬执行。此外,功率半导体大厂ST(意法半导体)、安森美等也 表示将提升价格。国内部分功率半导体厂商也已发出了涨价函。 据富昌电子2021年二季度市场行情报告显示,几乎所有的芯片产品都面临着不同程度上的货期延 长,价格呈现上涨趋势,功率半导体领域也不例外。英飞凌的通用晶体管、低压MOSFET和IGBT产 品货期最长达52周,高压MOSFET货期也达到26至40周。 ──────┬─────────────────────────────────── 2021-06-16│功率半导体新一轮涨价潮已在路上 国内厂商有望共享红利 ──────┴─────────────────────────────────── 据报道,全球功率半导体龙头英飞凌正在酝酿新一轮产品涨价,MOSFET的涨幅将有12%,预 计本月中旬执行。还有多家功率半导体厂商也在近期发布了涨价通知,ST宣布全系列产品于6月1 日开始涨价;安森美宣布部分产品价格上调,生效日期定于7月10日。 目前市场对二三极管、晶体管、低中高压MOSFET、IGBT等功率半导体产品的需求依然很旺盛,部 分进口产品的交期长达52周,国产产品的交期长达三个月。功率半导体市场缺口最大的是有一定 技术门槛的产品,在此情况下,行业高景气周期将持续。 ──────┬─────────────────────────────────── 2021-05-28│IC设计大厂一季度营收集体大增 ──────┴─────────────────────────────────── 分析机构ICinsights发布全球前15大半导体公司在2021年第一季度的表现状况。根据报告, 前15大半导体企业中,营收增长最高的四位AMD(93%)、联发科(90%)、高通(55%)、英伟达 (51%)都是无晶圆IC设计厂商,第一季度营收年增长都超过了50%。 芯片设计作为国内半导体产业中最具发展活力的领域之一,近年来中国芯片设计产业在提升自给 率、政策支持、规格升级与创新应用等要素的驱动下,保持了高速成长的趋势。机构指出,议价 能力强的设计公司能够将晶圆、封测成本端影响更有效传导。叠加供需紧张下的马太效应,龙头 设计公司甚至能够在景气过程中获得量价齐升。 ──────┬─────────────────────────────────── 2020-12-07│功率半导体行业平均涨幅10% 部分产品上涨幅度更高 ──────┴─────────────────────────────────── 《科创板日报》记者12月5日从供应链多家公司独家获悉,功率半导体行业目前平均涨幅5%- 10%,部分产品涨幅更高。“缺货严重,不排除有更多涨幅。2021年一季度订单排满,甚至有订 单排到明年年底。” 业内人士表示,功率半导体市场空间巨大,5G、汽车电子等为行业增长提供强劲动能。功率半导 体是实现设备电气性能的必备要素,广泛应用于消费电子、工业、汽车电子等领域,总体市场空 间超400亿美金,中国占全球需求的35%以上,且市场增速显著高于全球,随着5G带来的万物互联 及基站、数据中心数量的迅猛增长,及汽车电子化程度的不断提升,MOSFET及IGBT有望持续放量 ,带动功率半导体市场实现较快增长。 【4.信息面面观】 ┌──────┬─────────────────────────────────┐ │栏目名称 │ 栏目内容 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │公司简介 │无锡新洁能股份有限公司(以下简称“公司”)成立于2013年1月,注册资 │ │ │本为41533.2567万元,拥有新洁能香港、电基集成、金兰功率半导体、国硅│ │ │集成电路、SingaporeEruby五家子公司以及深圳分公司和宁波分公司。目前│ │ │公司员工总共420余人,其中研发人员160余人。公司成立以来即专注于MOSF│ │ │ET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售,产品优质且系列齐│ │ │全,广泛应用于新能源汽车及充电桩、智能机器人、AI服务器和数据中心、│ │ │无人机、工控自动化、光伏储能、消费电子、5G通讯、智能家居等领域;未│ │ │来随着云计算、大数据、智能电网、无人驾驶等领域的蓬勃发展,公司产品│ │ │将在该等新兴领域发挥重要作用。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │产品业务 │公司的主营业务为MOSFET、IGBT等半导体芯片、功率器件和功率模块的研发│ │ │设计及销售。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │经营模式 │公司的芯片产品主要由公司完成产品设计方案后,交由芯片代工企业进行生│ │ │产;功率器件产品主要由公司通过子公司以及委托外部封装测试企业对芯片│ │ │进行封装测试而成。公司全资子公司电基集成已建设先进封测产线并持续扩│ │ │充完善,目前已实现部分芯片自主封测并形成特色产品;子公司金兰半导体│ │ │已建成先进功率模块生产线,以满足光伏储能、汽车等重点应用领域客户的│ │ │需求。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │行业地位 │国内MOSFET设计龙头 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │核心竞争力 │1、研发实力优势 │ │ │自成立以来,公司始终专注于半导体功率器件行业,具备独立的IGBT、MOSF│ │ │ET、SiCMOSFET、GaNHEMT芯片设计能力和自主的工艺技术平台。截至目前,│ │ │公司(含子公司)拥有249项专利(其中发明专利130项、美国专利2项), │ │ │集成电路布局图47项,软件著作权1项,相关发明专利数量和占比在国内半 │ │ │导体功率器件行业内位居前列;公司拥有的专利与IGBT、MOSFET、功率模块│ │ │以及先进工艺技术密切相关,对公司核心技术形成了专利保护,对同行业竞│ │ │争者和潜在竞争者均形成了较高的技术壁垒。 │ │ │2、产品系列优势 │ │ │公司核心产品涵盖IGBT、屏蔽栅功率MOSFET(SGT-MOSFET)、超结功率MOSF│ │ │ET(SJ-MOSFET)、沟槽型功率MOSFET(Trench-MOSFET)等半导体芯片及功│ │ │率器件,构建了十二大核心产品平台。除上述四大成熟产品线外,公司持续│ │ │向高端化、集成化方向拓展,产品布局已延伸至车规级功率器件、SiCMOSFE│ │ │T、GaNHEMT、功率模块、栅极驱动IC、电源管理IC、智能功率模块(IPM) │ │ │及MCU等领域,可为下游客户提供多元化的系统解决方案。 │ │ │3、产品品质优势 │ │ │凭借卓越的产品性能与可靠性,公司“绝缘栅双极型晶体管(IGBT)”“屏│ │ │蔽栅沟槽型功率MOSFET”“超结功率MOSFET”“沟槽型功率MOSFET”等多款│ │ │产品被江苏省科学技术厅认定为高新技术产品,多款产品通过AEC-Q101车规│ │ │级可靠性认证。公司产品在功率半导体细分市场形成了显著的品质优势与差│ │ │异化竞争力,持续赢得下游头部客户的信赖与认可。 │ │ │4、产业链协作优势 │ │ │对于半导体功率器件研发设计企业而言,稳定高效的产业链协作能力是确保│ │ │产品性能与交付质量的核心要素。IGBT、MOSFET等功率器件因其结构设计与│ │ │参数性能的复杂性,需在更为严苛的制造工艺平台下方可达到最优状态。目│ │ │前,上述产品主要依托8英寸及12英寸芯片工艺平台进行流片,并对封装测 │ │ │试环节的工艺水平提出较高要求,通常需与具备先进封测技术的厂商协同完│ │ │成。 │ │ │5、进口替代优势 │ │ │我国半导体产品,尤其是中高端领域,仍较大程度依赖进口。作为国内领先│ │ │的半导体功率器件设计企业,公司通过多年自主研发积累与技术引进,在技│ │ │术水平、生产工艺及产品质量等方面已具备与国际先进水平接轨的能力。公│ │ │司研发设计紧贴英飞凌等国际一线品牌技术路线,产品涵盖沟槽型场截止IG│ │ │BT、屏蔽栅功率MOSFET以及超结功率MOSFET等,已成为公司主力销售产品。│ │ │其中,部分产品的关键参数及实际应用表现已达到国际主流厂商同期或最新│ │ │产品水平,在MOSFET、IGBT等中高端功率器件领域逐步实现国产替代,展现│ │ │出显著的进口替代优势与核心竞争力。 │ │ │6、品牌和客户优势 │ │ │公司始终将质量管控与客户价值置于战略核心,构建了迅捷的客户服务与反│ │ │馈响应体系。该机制不仅能精准对接客户动态需求,保障产品线的快速迭代│ │ │,更使公司始终与市场趋势同频共振。 │ │ │7、人才优势 │ │ │公司始终将人才作为创新发展的核心驱动力,致力于构建长期稳定、结构合│ │ │理的人才梯队。通过持续的培养与投入,现已打造出一支研发实力雄厚的技│ │ │术团队和一支兼具市场洞察力与实战能力的销售团队。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │经营指标 │2025年,公司共实现营业收入187,706.95万元,较去年同期增加2.66%;其 │ │ │中主营业务收入186,964.41万元,较去年同期增加2.68%;归属于上市公司 │ │ │股东的净利润39,363.19万元,较去年同期减少9.42%。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │竞争对手 │英飞凌、安森美、瑞萨、东芝、意法半导体、扬杰科技、韦尔股份、富满电│ │ │子、士兰微、华微电子、台基股份 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │品牌/专利/经│专利:截至目前,公司(含子公司)拥有249项专利,其中发明专利130项(│ │营权 │不含已到期专利),集成电路布局图47项,软件著作权1项,此外,公司参 │ │ │与在IEEETDMR等国际知名期刊中发表论文22篇,其中SCI收录论文15篇。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │投资逻辑 │公司为国内领先的半导体功率器件设计企业,在中国半导体行业协会发布的│ │ │中国半导体功率器件企业排行榜中,2016年以来公司连续多年名列“中国半│ │ │导体功率器件十强企业”。公司基于全球半导体功率器件先进理论技术开发│ │ │领先产品,是国内率先掌握超结理论技术、并量产屏蔽栅功率MOSFET及超结│ │ │功率MOSFET的公司,也是国内最早在12英寸工艺平台实现沟槽型MOSFET、屏│ │ │蔽栅MOSFET量产的公司。同时,公司是国内最早同时拥有IGBT、屏蔽栅MOSF│ │ │ET(SGTMOSFET)、超结MOSFET(SJMOSFET)、沟槽型MOSFET(TrenchMOSFE│ │ │T)四大产品平台的本土企业之一,产品电压已经覆盖了12V~1700V的全系列│ │ │产品,为国内MOSFET、IGBT等半导体功率器件市场占有率排名前列的本土企│ │ │业。根据Omdia统计数据,2021年国内MOSFET市场销售额排名中,含英飞凌 │ │ │、安森美等国际厂商在内公司排名第5,其中在设计领域公司名列第一。202│ │ │4年度,世界半导体协会发布全球半导体企业综合竞争力百强,公司是上榜 │ │ │的唯一一家中国功率半导体设计公司。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │消费群体 │新能源汽车及充电桩、光伏储能、AI服务器和数据中心、无人机、工控自动│ │ │化、消费电子、5G通讯、智能机器人、智能家居、安防、医疗设备、锂电保│ │ │护等十余个长期被欧美日功率半导体垄断供应的行业 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │消费市场 │境内、境外 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │主营业务 │公司成立以来即专注于中高端IGBT、MOSFET、集成功率器件及模块的研发、│ │ │设计及销售。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │主要产品 │公司主要供应高性能、高质量、高可靠性“硅基、化合物”半导体功率器件│ │ │、集成电路及模块产品。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │行业竞争格局│根据世界半导体贸易统计组织(WSTS)最新预测,受益于人工智能应用及数│ │ │据中心基础设施的强劲需求,2025年全球半导体销售额同比增长25.6%,达 │ │ │到7917亿美元;展望2026年,市场有望进一步增长23%,约9750亿美元。从 │ │ │地区结构看,亚太地区作为全球半导体产业的重要引擎,2025年营收预计增│ │ │长24.9%,2026年将继续保持24.9%的增长率。另据Gartner预测,2025年全 │ │ │球半导体收入将达772.6亿美元,2026年有望增至909.8亿美元。 │ │ │功率半导体作为半导体产业的重要分支,其市场规模在全球半导体行业中的│ │ │占比保持在8%—10%的稳定区间。由于其广泛应用于计算机、网络通信、消 │ │ │费电子、汽车电子、工业电子等基础电子产业,且受益于新能源汽车与充电│ │ │桩、数据中心、风光发电、储能、智能装备制造、机器人、5G通信等新兴应│ │ │用领域的快速发展,功率半导体市场呈现出弱周期性和稳健增长态势。据Re│ │ │searchandMarkets数据显示,2025年全球功率半导体市场规模约为568.7亿 │ │ │美元,预计到2031年将增长至782.5亿美元,年复合增长率达5.46%。从区域│ │ │格局来看,亚太地区凭借其完整的制造产业链优势,占据全球功率半导体市│ │ │场51.35%的份额,且保持着6.74%的复合年增长率。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │行业发展趋势│功率半导体作为电子装置中实现电能转换与电路控制的核心元器件,主要承│ │ │担功率转换、功率放大、功率开关、线路保护、逆变(直流转交流)及整流│ │ │(交流转直流)等关键功能。随着国家持续推进电能替代与节能改造战略,│ │ │各领域对高质量、高效率电能的需求持续提升。目前,全球范围内绝大部分│ │ │电能需经功率半导体器件处理后才能投入使用,且该比例有望进一步扩大,│ │ │为功率半导体行业创造了广阔的市场空间。 │ │ │发展至今,我国功率半导体行业已形成较好的国内产业链基础及相对成熟的│ │ │技术体系。在中低端领域,国产功率半导体产品已实现规模化生产及国产化│ │ │替代,成功从依赖进口转向国内自给自足。然而,在中高端领域,如SGT-MO│ │ │SFET、SJ-MOSFET、IGBT及化合物半导体等方向,因国内起步相对较晚、设 │ │ │计门槛较高、工艺复杂且缺乏充分的验证机会,国内厂商仍处于追随海外技│ │ │术发展路线的发展阶段。 │ │ │中国作为全球最大的功率半导体消费国,市场发展前景持续向好。伴随新能│ │ │源、AI基础设施、高端工控等下游领域的加速渗透,国内功率半导体市场有│ │ │望保持高于全球平均的增速,为本土企业提供广阔的进口替代空间与发展机│ │ │遇。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │行业政策法规│《无人驾驶航空器飞行管理暂行条例》、《通用航空装备创新应用实施方案│ │ │(2024-2030年)》、《电动自行车安全技术规范》 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │公司发展战略│作为国内半导体功率器件领先企业,公司将依托国家对半导体等战略新兴行│ │ │业发展战略支撑,专注于中高端半导体功率器件和模块的研发设计及销售。│ │ │在保持IGBT、MOSFET产品技术和市场优势的基础上,公司将不断引进各类管│ │ │理、技术、营销人才,构建高效、现代化的经营管理体系,进一步深化IGBT│ │ │产品、拓展MOSFET产品、积极开发MCU产品、功率模块产品和智能功率IC产 │ │ │品,在该等产品领域成为国内自主创新、技术领先、品质高端的自主品牌的│ │ │优质企业。 │ │ │同时,公司将持续创新,不断整合半导体功率器件封装测试环节垂直产业链│ │ │,扩大国际先进半导体功率器件封装产线并实现SiC/GaN宽禁带半导体、智 │ │ │能功率IC以及功率模块的研发及产业化,加强海外销售渠道建设,进一步强│ │ │化企业核心竞争力,成为汽车与光储充行业功率半导体第一品牌,稳定供应│ │ │高性能、高质量、高可靠性的“硅基、化合物”功率器件、集成电路及模块│ │ │产品,加快发展成为国际一流的半导体功率器件企业。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │公司日常经营│报告期内,公司共实现营业收入187706.95万元,较去年同期增加2.66%;其│ │ │中主营业务收入186964.41万元,较去年同期增加2.68%;归属于上市公司股│ │ │东的净利润39363.19万元,较去年同期减少9.42%。业绩变化的主要原因: │ │ │报告期内,行业整体呈现向好态势,但市场竞争亦日趋激烈。国际头部厂商│ │ │为巩固在国内的市场地位,主动调整经营策略,一方面加速核心技术本土化│ │ │落地,另一方面通过产品下沉及与本土企业合作等方式深耕国内市场;国内│ │ │同行则因部分中低端产品同质化严重,采取价格竞争策略,以短期利润换取│ │ │市场份额,进一步加剧了行业部分领域供大于求的矛盾,对全行业盈利空间│ │ │和发展质量形成一定挑战。此外,上游代工厂稼动率提升,进而导致了公司│ │ │的代工成本上涨,多重因素叠加导致盈利有所下滑。 │ │ │面对机遇与挑战并存的市场环境,公司积极应对变化,响应客户需求,并着│ │ │力开拓更多的新市场与新客户资源。依托技术领先优势、丰富的产品矩阵以│ │ │及高效的产业链协同,公司持续优化产品、市场及客户结构,产品已成功导│ │ │入新能源汽车及充电桩、AI服务器与数据中心、机器人、无人机、光伏储能│ │ │等战略领域的头部客户并实现量产销售,进一步扩大了在中高端市场的应用│ │ │规模与品牌影响力,并持续提高盈利能力。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │公司经营计划│新的一年,公司将继续提升和巩固在MOSFET和IGBT产品领域的国内领先地位│ │ │,提升半导体功率器件中高端品牌形象,不断增强在国内外先进半导体功率│ │ │器件领域的竞争优势。具体的经营计划如下: │ │ │1、产品开发与技术创新计划 │ │ │(1)不断扩宽产品线,并丰富现有系列产品规格型号,拓展市场应用领域 │ │ │范围。公司目前已形成十二大产品系列,未来将继续丰富现有产品系列规格│ │ │型号,拓展公司产品的市场应用领域范围,同时加大市场开拓,加强与客户│ │ │沟通,在既有工艺技术平台上加大市场高需求产品的研发投入,从而提升盈│ │ │利能力和抗风险能力。 │ │ │(2)加快产品升级换代和新产品开发,提高公司产品核心竞争力。公司将 │ │ │加大研发投入、加速产品升级换代,保持并扩大在超低能耗电荷平衡技术上│ │ │的优势。同时,对于基于RISC-V内核开发的MCU及集成预驱类芯片、功率芯 │ │ │片的数模混合产品,公司将进一步推进其研发落地和产业化进程,为客户提│ │ │供更多元的解决方案。 │ │ │(3)完善研发中心建设,提高公司研发能力和技术创新能力。公司将进一 │ │ │步完善研发中心,购置国际先进半导体功率器件研发设备,配套半导体功率│ │ │器件研发软件设施,加快建设车规级CNAS实验室,提高公司在半导体功率器│ │ │件设计、工艺检测、可靠性评估、失效分析、系统评估、客户应用等方面的│ │ │综合能力,提升公司的研发能力和技术创新能力。 │ │ │(4)加强产学研合作,加快半导体功率器件研发成果产业化。为了紧跟国 │ │ │际最新半导体功率技术,提前布局下一代半导体功率器件产品,公司将进一│ │ │步巩固与科研院所的产学研合作关系,利用江苏省企业研究生工作站平台和│ │ │江苏省功率器件研发中心,提高半导体功率器件的研发成果转化效率,为公│ │ │司的长期发展打下基础。 │ │ │2、扩大整合半导体功率器件封装测试垂直产业链计划封装测试是半导体功 │ │ │率器件产业链中的关键环节之一,封装质量很大程度影响了半导体功率器件│ │ │的质量和可靠性;封装成本也是半导体功率器件成本的主要部分之一。 │ │ │3、人力资源建设计划 │ │ │(1)全面人才引进战略。公司将采取积极的人才引进机制,大力引进行业 │ │ │内具有国际化背景的综合型半导体功率器件设计人才和经营管理人才,构建│ │ │一支高水平的人才队伍,开拓公司半导体功率器件设计、封装测试业务产品│ │ │种类,增强公司整体研发设计和管理实力。 │ │ │(2)持续实施公司内部人才培养计划。公司将加大对人才队伍建设的投入 │ │ │,给予内部人才宽松的发展环境,并在已有业务骨干和储备人才中通过业务│ │ │培训、不定期考核、联合培养等方式循序渐进、有计划地持续培养选拔,全│ │ │面加强人才梯队建设,为公司未来的持续的发展提供坚实的人才保障。 │ │ │4、市场开拓与宣传建设计划 │ │ │(1)巩固现有客户和市场,提高市场的供应份额。借助优质的产品和服务 │ │ │,公司产品已应用到汽车电子和充电桩、智能机器人、光伏储能、AI服务器│ │ │与数据中心、无人机、工业自动化、泛消费等众多领域,积累了丰富的市场│ │ │和客户资源。 │ │ │(2)拓展产品应用领域,继续扩大市场份额。一方面,公司将通过丰富现 │ │ │有产品组合、升级换代和新产品开发等方式,满足客户需求;另一方面,公│ │ │司将深化半导体功率器件在系统层面的应用特性分析,为客户提供整体解决│ │ │方案,加快客户在使用本公司产品时的研发、测试、评估进度,拓展公司产│ │ │品的应用领域。 │ │ │(3)持续加强产品宣传,保持公司中高端产品品牌形象。随着公司产品组 │ │ │合的日益丰富,公司的营销服务系统面临更高的要求和挑战。 │ │ │(4)坚持多维驱动的市场开拓策略,构建企业全球竞争力,实现价值跃迁 │ │ │。海外市场约占全球功率半导体60%的份额,公司利用其产品线丰富、质量 │ │ │可靠、研发迭代能力强等优势,打入国际市场。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │可能面对风险│1、市场波动风险 │ │ │半导体功率器件作为基础性电子元器件,下游分布极为广泛。广泛的下游应│ │ │用领域提升了公司应对单一市场波动风险的能力,但行业与宏观经济整体发│ │ │展的景气程度密切相关。如果宏观经济波动较大,半导体功率器件行业的市│ │ │场需求和价格也将随之受到影响。虽然近几年全球半导体功率器件市场保持│ │ │稳步增长,且亚洲地区特别是中国市场规模增幅很快,但是如果下游市场整│ │ │体波动、全球经济或国内经济发生重大不利变化,关税壁垒持续升级,国际│ │ │贸易摩擦加深,将对公司等行业内企业的经营造成不利影响。 │ │ │2、采购价格波动风险 │ │ │芯片代工和封测服务为公司主要的采购内容,占产品成本的比重较大。芯片│ │ │代工和封测服务价格的波动将对公司的经营业绩产生一定影响。芯片代工价│ │ │格一方面受到硅晶圆材料价格和制造成本、人工成本影响,另一方面则受到│ │ │芯片代工企业投资规模和产能影响;封测服务价格受到原材料价格和人工成│ │ │本等影响。如果芯片代工和封测服务的市场价格持续波动,而公司无法采取│ │ │有力措施进行应对,则将对公司盈利能力造成不利影响。 │ │ │3、供应商依赖的风险 │ │ │公司是半导体专业化垂直分工企业,芯片代工及封装测试环节主要通过向供│ │ │应商采购。公司与华虹宏力建立了长期战略合作关系,并不断拓展境内外的│ │ │芯片代工供应渠道。而在封装测试环节,公司主要与日月新、长电科技(60│ │ │0584)、捷敏电子等全球领先的封装测试企业合作,一定程度上也保证了公│ │ │司产品的领先性。如果公司主要供应商产能严重紧张或者双方关系恶化,则│ │ │可能导致公司产品无法及时、足量供应,进而对公司的经营业绩产生不利影│ │ │响。 │ │ │4、新增折旧摊销费用影响业绩的风险 │ │ │公司募投项目新增设备投入和生产场地投入,未来将引致公司资产总额增长│ │ │幅度较高。随着新增固定资产和无形资产规模的扩大,募投项目投产后,资│ │ │产折旧摊销会出现较快增长。如果市场环境发生重大不利变化,公司现有业│ │ │务及募投项目产生的收入及利润水平未实现既定目标,募投项目将存在因资│ │ │产增加而引致的折旧摊销费用影响未来经营业绩的风险。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │股权激励 │新洁能2024年12月26日发布股票期权激励计划,公司拟向138名激励对象授 │ │ │予105.358万份股票期权,行权价格为29.12元/股。本次授予的股票期权自 │ │ │授予日起满一年后分2期行权,行权比例分别为50%、50%。主要行权条件为 │ │ │:第一个行权期,2025年公司营业收入总额不低于18.5亿元。第二个行权期│ │ │,2026年公司营业收入总额不低于19亿元。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │公司股东承诺│公司首次公开发行股票并上市后三年内,如公司股票收盘价格连续20个交易│ │ │日低于最近一期经审计的每股净资产,公司将通过控股股东增持股份、公司│ │ │全体董事(独立董事除外)和高级管理人员增持公司股票以及公司回购股份│ │ │等措施来稳定股价。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │增发股票 │定增募资投入半导体SiC/GaN功率器件及封测项目等:新洁能2021年11月11 │ │ │日发布定增预案,公司拟非公开发行不超过1416.8万股股份,募集资金总额│ │ │不超过14.5亿元,扣除发行费用后拟用于:1)第三代半导体SiC/GaN功率器│ │ │件及封测的研发及产业化,总投资22380.52万元,拟投入募集资金2亿元。 │ │ │预计本项目税后内部收益率为18.96%,税后投资回收期(含建设期2年)为6│ │ │.32年。2)功率驱动IC及智能功率模块(IPM)的研发及产业化,总投资617│ │ │26.54万元,拟投入募集资金6亿元。预计本项目税后内部收益率为18.08%,│ │ │税后投资回收期(含建设期3年)为6.41年。3)SiC/IGBT/MOSFET等功率集 │ │ │成模块(含车规级)的研发及产业化,总投资50852.3万元,拟投入募集资 │ │ │金5亿元。预计本项目税后内部收益率为14.38%,税后投资回收期(含建设 │ │ │期3年)为7.85年。4)补充流动资金,拟投入募集资金1.5亿元。 │ └──────┴─────────────────────────────────┘ 〖免责条款〗 1、本公司力求但不保证提供的任何信息的真实性、准确性、完整性及原创性等,投资者使 用前请自行予以核实,如有错漏请以中国证监会指定上市公司信息披露媒体为准,本公司 不对因上述信息全部或部分内容而引致的盈亏承担任何责任。 2、本公司无法保证该项服务能满足用户的要求,也不担保服务不会受中断,对服务的及时 性、安全性以及出错发生都不作担保。 3、本公司提供的任何信息仅供投资者参考,不作为投资决策的依据,本公司不对投资者依 据上述信息进行投资决策所产生的收益和损失承担任何责任。投资有风险,应谨慎至上。

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