热点题材☆ ◇688110 东芯股份 更新日期：2026-08-08◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.所属板块】【2.主题投资】【3.事件驱动】【4.信息面面观】
【1.所属板块】
概念:5G概念、智能穿戴、芯片、消费电子、汽车芯片、算力租赁、存储芯片、车联网
风格:融资融券、高市盈率、预计扭亏、连续亏损、高贝塔值、百元股、MSCI成份、专精特新、
非周期股、专项贷款、私募重仓
指数:国证算力、科创信息、科创芯片
【2.主题投资】
──────┬──────┬────────────────────────────
2025-12-04│智能穿戴 │关联度：☆☆☆
──────┴──────┴────────────────────────────
公司涉及的AI终端的产品主要包括耳机、手环、手表等。
──────┬──────┬────────────────────────────
2024-07-16│消费电子概念│关联度：☆☆☆
──────┴──────┴────────────────────────────
公司目前产品应用的领域是5G 基站、工业控制、监控安防、消费电子领域，可穿戴设备中
，主要以TWS蓝牙耳机、智能手环智能手表等细分市场为代表
──────┬──────┬────────────────────────────
2024-07-01│车联网 │关联度：☆☆☆
──────┴──────┴────────────────────────────
公司的MCP产品已向海外的Tier1客户出货，主要应用于车联网模块。
──────┬──────┬────────────────────────────
2023-07-04│5G概念 │关联度：☆☆☆
──────┴──────┴────────────────────────────
公司的 NAND Flash凭借产品品类丰富、功耗低、可靠性高等特点应用于5G通信基站。
──────┬──────┬────────────────────────────
2023-05-19│存储芯片 │关联度：☆☆☆☆
──────┴──────┴────────────────────────────
公司是中国大陆领先的存储芯片设计公司，聚焦中小容量通用型存储芯片的研发、设计和销
售，是中国大陆少数可以同时提供NAND、NOR、DRAM等存储芯片完整解决方案的公司，并能为优
质客户提供芯片定制开发服务。
──────┬──────┬────────────────────────────
2023-04-20│算力租赁 │关联度：☆
──────┴──────┴────────────────────────────
公司上市募集资金投资项目之一的研发中心建设项目中，包含了存算一体化芯片的研发方向
。存算一体是我们在公司现有的、通用性比较强的、中小容量的存储产品的基础上去做的产品深
度的延伸，希望能够为将来奠定更加多元化的、差异化的产品基础，目前尚处于研发阶段。公司
会积极关注存算一体等芯片领域的新兴技术的情况。
──────┬──────┬────────────────────────────
2022-07-12│芯片 │关联度：☆☆☆☆☆
──────┴──────┴────────────────────────────
公司是中国大陆少数可以同时提供NAND、NOR、DRAM等存储芯片完整解决方案的企业。
──────┬──────┬────────────────────────────
2021-12-21│汽车芯片 │关联度：☆☆
──────┴──────┴────────────────────────────
相较于工业级存储芯片，车规级存储芯片对芯片运行的稳定性和可靠性有着更严格的要求。
公司目前部分产品已符合工业级及工业级以上的要求。在满足客户工业级应用需求的基础上，公
司正在将产品可靠性标准逐步向车规级推进，以顺应汽车产业在智能网联功能的布局，大力发展
可靠性要求更高的车规级存储芯片，实现车规级闪存产品的国产替代目标。
──────┬──────┬────────────────────────────
2026-05-22│拟发行H股 │关联度：☆☆☆
──────┴──────┴────────────────────────────
2026年5月22日公告：筹划发行H股股票并在香港联合交易所有限公司上市
──────┬──────┬────────────────────────────
2025-10-15│GPU │关联度：☆☆☆
──────┴──────┴────────────────────────────
公司与战略投资的砺算科技目前正在围绕首款图形渲染GPU芯片“7G100”，开展客户送样、
测试优化、产品生产与市场推广等工作
──────┬──────┬────────────────────────────
2024-02-26│华为持股 │关联度：☆☆☆
──────┴──────┴────────────────────────────
深圳哈勃科技创业投资有限公司是公司十大股东，持有公司流通股的4.88%
──────┬──────┬────────────────────────────
2023-10-17│华为概念 │关联度：☆☆☆
──────┴──────┴────────────────────────────
截至2023中报，哈勃科技创业投资有限公司持有公司股份1326.75万股，占公司总股本的3%
──────┬──────┬────────────────────────────
2021-12-29│DRAM │关联度：☆
──────┴──────┴────────────────────────────
公司研发的DDR3具有高带宽、低延时等特点，在通讯设备、移动终端等领域应用广泛。
──────┬──────┬────────────────────────────
2021-12-14│集成电路 │关联度：☆☆☆☆☆
──────┴──────┴────────────────────────────
公司是中国大陆少数可以同时提供NAND、NOR、DRAM等存储芯片完整解决方案的企业。
──────┬──────┬────────────────────────────
---│不可减持(新 │关联度：☆☆☆☆
│规) │
──────┴──────┴────────────────────────────
公司近三年未分红或回购，依照减持新规，控股股东和实际控制人不可减持。
──────┬──────┬────────────────────────────
2026-08-07│高市盈率 │关联度：☆☆☆☆☆
──────┴──────┴────────────────────────────
截止2026-08-07,公司市盈率(TTM)为：18775.17
──────┬──────┬────────────────────────────
2026-08-07│百元股 │关联度：☆☆☆☆☆
──────┴──────┴────────────────────────────
截止2026-08-07收盘价为：115.98元，近5个交易日最高价为：116.91元
──────┬──────┬────────────────────────────
2026-08-07│高贝塔值 │关联度：☆☆☆☆
──────┴──────┴────────────────────────────
截止2026-08-07,最新贝塔值为:3.70
──────┬──────┬────────────────────────────
2026-08-07│非周期股 │关联度：☆☆☆
──────┴──────┴────────────────────────────
公司属于集成电路设计（通达信研究行业）
──────┬──────┬────────────────────────────
2026-07-21│预计扭亏 │关联度：☆☆☆
──────┴──────┴────────────────────────────
预计公司2026年01-06月归属于母公司所有者的净利润为64000万元至68000万元，与上年同
期相比变动幅度为676.74%至712.79%。
──────┬──────┬────────────────────────────
2026-07-21│连续亏损 │关联度：☆☆☆
──────┴──────┴────────────────────────────
截止2025-12-31公司连续两年归母净利润为负
──────┬──────┬────────────────────────────
2026-03-31│私募重仓 │关联度：☆☆☆
──────┴──────┴────────────────────────────
截止2026-03-31,私募重仓持有546.00万股(5.93亿元)
──────┬──────┬────────────────────────────
2026-02-25│MSCI成份 │关联度：☆☆☆
──────┴──────┴────────────────────────────
公司2026年2月被纳入MSCI中国指数
──────┬──────┬────────────────────────────
2024-10-20│专项贷款 │关联度：☆☆☆
──────┴──────┴────────────────────────────
公司拟使用自筹资金（包括中国银行苏州长三角一体化示范区分行提供的股票增持贷款）增
持公司股份，总额不低于2亿，不高于2.4亿
──────┬──────┬────────────────────────────
2022-09-07│专精特新 │关联度：☆☆☆☆
──────┴──────┴────────────────────────────
公司已入选工信部专精特新小巨人企业名单。
【3.事件驱动】
──────┬───────────────────────────────────
2025-11-20│机构预计内存价格将再上涨约50% 存储企业利润有望加速释放
──────┴───────────────────────────────────
Counterpoint咨询发布研究报告，受关键芯片短缺影响，内存价格预计将在2026年第二季度
之前，在当前基础上再上涨约50%。目前，传统LPDDR4面临的涨价风险最大。同时，随着英伟达
在服务器端大幅提升对LPDDR的需求，围绕先进芯片出现了更广泛、更长期的风险因素，从而向
整个消费电子市场外溢。
──────┬───────────────────────────────────
2025-05-27│东芯股份：上海砺算收到首批封装完成的G100芯片，并完成主要功能测试
──────┴───────────────────────────────────
5月26日，东芯股份公告称，公司于5月26日收到上海砺算出具的《关于G100芯片进展的告知
函》。5月24日，上海砺算收到了首批封装完成的G100芯片，即刻启动功能测试。5月25日，G100
芯片完成了主要功能测试，截至目前结果符合预期。下一步，上海砺算将继续进行详细全面的性
能测试和优化提升。此外，上海砺算会基于产品的性能调优情况，尽快向行业内客户送测产品。
东芯股份表示，公司投资的上海砺算的首代GPU（“G100”）芯片产品点亮后，后续尚有完整的
功能性测试、性能测试和可靠性测试等工作。
──────┬───────────────────────────────────
2024-05-08│AI需求持续增长下该细分市场有望迎来全面复苏
──────┴───────────────────────────────────
据TrendForce集邦咨询最新预估，第二季DRAM合约价季涨幅将上修至13~18%；NAND Flash合
约价季涨幅同步上修至约15~20%，全线产品仅eMMC/UFS价格涨幅较小，约10%。银河证券研报指
出，从存储芯片来看，3-4年时间约为一个完整周期，AI需求正在创造行业第五轮周期起点。随
着供需格局逐步改善，存储芯片价值稳步提升，目前各大厂商不约而同的减产计划促使存储周期
提前，在存储需求不断扩大的前提下，存储芯片的价格将会上升，提前进入复苏周期。在AI/国
产化/需求复苏叠加数字经济对存力的需求不断抬升的背景下，看好国内存储产业链相关上市公
司的投资机遇。
──────┬───────────────────────────────────
2023-11-20│华为发布两款全闪存新品，国内模组厂商将受益于闪存市场扩大
──────┴───────────────────────────────────
据华为官网，在华为全联接大会2023巴黎站上，华为董事、ICT产品与解决方案总裁杨超斌
正式发布OceanStorPacific9920和OceanStorDorado2100两款全闪存新品。NANDFlash存储器是Fl
ash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了高性价比、
高性能的解决方案。NandFlash存储器具有容量较大、改写速度快等优点。Yole预计，中国作为
全球第二大Nand闪存需求地区，预计2026年国内闪存产品市场规模将达3032亿元，国内模组厂商
将拥有十分广阔的成长空间。方正证券研报指出，预计随着2023年下半年国内手机品牌开始陆续
推出新品、PC需求复苏以及新服务器平台的加速渗透，原厂出货压力将逐步缓解，存储产品价格
拐点已至。
──────┬───────────────────────────────────
2023-10-17│四季度存储芯片价格开始全面上涨
──────┴───────────────────────────────────
据TrendForce集邦咨询研究显示，自第四季起DRAM与NANDFlash均价开始全面上涨，以DRAM
来看，预估第四季合约价环比增幅约3~8%，料NANDFlash第四季合约价全面起涨，涨幅约8~13%。
券商研究报告称，美光发布财报，公司于FY4Q23（财年）实现营收40.1亿美元，同比下降39.61%
，环比增长6.93%，毛利率为-9%，营收超过预期中值（39亿）。该行认为美光财报显示存储供需
已逐渐好转，且近期高频价格显示存储价格已拐点向上，存储周期上行趋势明朗。当下手机、PC
渐进复苏，需求扩容，且AI驱动存储技术升级、容量提升，看好存储行业投资机会。
──────┬───────────────────────────────────
2023-10-16│我国研制出首颗支持片上学习忆阻器存算一体芯片
──────┴───────────────────────────────────
近日，清华大学研制出全球首颗全系统集成的、支持高效片上学习（机器学习能在硬件端直
接完成）的忆阻器存算一体芯片，在支持片上学习的忆阻器存算一体芯片领域取得重大突破，有
望促进人工智能、自动驾驶可穿戴设备等领域发展。券商指出，存算一体作为一种新的计算架构
，具有更大算力（1000TOPS以上）、更高能效（超过10-100TOPS/W）、降本增效三大优势，能有
效克服冯?诺依曼架构瓶颈，实现计算能效的数量级提升。业界普遍认为，其为“AI算力的下一
极”，继CPU、GPU之后的算力架构“第三极”。
──────┬───────────────────────────────────
2023-10-16│存储芯片利好密集催化，美国同意三星、海力士供货中国
──────┴───────────────────────────────────
工信部等六部门联合印发《算力基础设施高质量发展行动计划》，推动先进存储创新发展，
实现存储闪存化升级。此外，美国已决定三星电子和SK海力士可以向其中国工厂供应芯片设备。
存储芯片迎来新一轮利好消息密集催化。
──────┬───────────────────────────────────
2023-10-10│NAND产品涨超10%，存储巨头再度调涨芯片报价
──────┴───────────────────────────────────
据韩媒报道，日前多位消息人士透露，三星内部认为目前NANDFlash供应价格过低，公司计
划今年四季度起，调涨NANDFlash产品的合约价格，涨幅在10%以上；预计最快本月新合约便将采
用新价格。今年以来，三星一直奉行减产战略，1月、4月已连续宣布调整晶圆投入。最初的减产
举措主要集中在DRAM领域，之后下半年三星开始着手大幅削减NANDFlash业务产量，眼下正试图
推动NAND价格正常化。如今DRAM已出现价格反弹，而NAND产品仍存突破空间。三星目标是扩大减
产规模，降低供应量，再提高产品价格来寻求反转，其期望明年第二季实现NAND盈亏平衡点。
──────┬───────────────────────────────────
2023-09-20│NAND资源供应趋紧，9月备货需求旺盛
──────┴───────────────────────────────────
随着原厂减产生效，上游资源端放缓出货节奏，加上本月备货需求旺盛，存储现货市场供需
状况加速好转，供应端普遍惜售低价库存，推动成品端价格跟随成本稳步上扬。而临近Q4，市场
预期持续升温，三季度末部分NANDwafer供应也按下暂停键，现货市场NAND资源供应愈加趋紧。
据CFM闪存市场数据显示，本周最新1Tb/512GbNANDFlashwafer价格分别上调至3.45/1.72美元，D
DR416Gb3200/16GbeTT价格分别上调至2.43/2.17美元。
──────┬───────────────────────────────────
2023-09-18│机构预计2024年全球存储领域设备支出将增长65%
──────┴───────────────────────────────────
据SEMI最新报告显示，存储领域设备支出预计将在2023年下降46%后，在2024年强劲回升，
增长65%至270亿美元。具体而言，DRAM投资预计将同比下降19%，至2023年为110亿美元，但2024
年将恢复至150亿美元，预计将增长40%；NAND支出2023年将减少67%，至60亿美元，但到2024年
将飙升113%，达到121亿美元。
──────┬───────────────────────────────────
2023-09-14│存储芯片报价止跌回升，产业已迈入复苏阶段
──────┴───────────────────────────────────
存储报价近期开始出现止跌信号，NANDFlash报价于第三季开始回升，且三星第四季扩大减
产，支撑涨势延续；DRAM报价上涨时间虽然递延，但第四季守稳，有望于2024年上半年开始回升
。整体而言，存储产业已迈入复苏循环，但由于终端需求力道不强，报价上涨较为温和，预期上
游存储芯片制造及封装获利改善速度较慢。
──────┬───────────────────────────────────
2023-09-08│NAND价格已触底，部分客户甚至接受30%-35%价格上涨
──────┴───────────────────────────────────
摩根士丹利在最新报告中指出，由于NAND价格已触底，闪存厂商群联目前已看到来自大陆的
模组与智能手机客户需求增强，部分客户甚至已接受了30%至35%的价格上涨。券商认为，复盘历
史，存储器价格下行周期为1-2年，本轮下行周期从2021年年中开始，目前存储器价格已从高点
跌幅超60%，已超过历史最大跌幅50%，但结合各存储大厂已纷纷下调产能计划，并随着物联网(I
oT)、智能汽车、工业机器人等对存储芯片的需求拉动，存储价格有望逐渐接近下行周期底部，
并看好2023年下半年存储板块迎来拐点。此外，AI算力需求拉动高算力服务器出货，而AI服务器
的存力需求更强，AI将驱动“从算力到存力”的中长期需求。
──────┬───────────────────────────────────
2023-08-25│DRAM产业终结连续三个季度跌势，机构称存储芯片有望迎来beta行情
──────┴───────────────────────────────────
TrendForce研究显示，得益于AI服务器需求攀升，带动HBM出货成长，加上客户端DDR5的备
货潮，使得三大原厂出货量均有成长，第二季DRAM产业营收约114.3亿美元，环比增长20.4％，
终结连续三个季度的跌势。伴随着周期复苏以及算力投资的加速，机构认为存储作为周期弹性最
大的半导体细分领域有望迎来beta行情。券商指出，随着近几年云计算和人工智能应用的发展，
面对计算中心的数据洪流，处理器、内存发展速度不均衡，数据搬运慢、搬运能耗大等问题成为
了计算的关键瓶颈。在此背景下，存算一体、HBM、CXL等新兴存储技术路径备受关注，尤其是HB
M已经成为高端AI服务器标配，TrendForce预估2023年全球HBM需求量将年增近六成，2024年将再
成长三成，存储市场前景持续向好。
──────┬───────────────────────────────────
2023-08-10│存储芯片四季度起供给将低于需求，价格将可望延续上涨趋势
──────┴───────────────────────────────────
存储芯片三大厂减产效应陆续显现，据台媒消息，DRAM与NANDFlash供过于求的情况从第3季
将明显改善，最快从第4季起供过于求比例将由正转负。随着DDR5超频效能逐渐提升，AI运算带
动新品规格升级及云端应用采用率提高，DDR5现货价率先调整后，合约价于第3季也酝酿走扬，
由于存储模组厂及OEM厂的库存较低，7月DDR516GB模组价格逆势调涨3%~4%，预料上游DRAM供给
增量有限，第3季DDR5价格将可望延续上涨趋势。
──────┬───────────────────────────────────
2023-07-31│机构预计25年全球轻型车车规芯片体量有望达到3573亿元
──────┴───────────────────────────────────
分析机构Canalys报告显示，全球轻型汽车市场将逐步复苏，预计到2025年和2030年，轻型
汽车的销量将分别达到8340万辆和8830万辆。车规芯片市场将继续增长，到2025年，全球轻型车
车规芯片市场预计将达到3573亿元。智能辅助驾驶和智能座舱soc芯片市场正走向成熟，给供应
链公司带来更多机遇和挑战。
──────┬───────────────────────────────────
2023-07-31│存储芯片春天虽迟但到，AI点燃需求HBM救场
──────┴───────────────────────────────────
随着各路资本持续加注人工智能，高带宽内存（HBM）供不应求，包括英伟达、AMD、微软和
亚马逊等全球科技巨头都在竞购SK海力士的第五代高带宽内存HBM3E。近日HBM“救场”存储芯片
巨头财报，三星电子存储业务所在DS部门二季度亏损收窄，SK海力士二季度销售额超出分析师预
期，公司表示，生成式AI市场的扩张已迅速推高了对AI服务器内存的需求，因此，HBM3和DDR5等
高端产品的销量增加。
──────┬───────────────────────────────────
2023-07-27│特斯拉、英特尔等巨头火拼AI芯片
──────┴───────────────────────────────────
英伟达凭借着GPU“一家独大”，越来越多的企业试图紧随其后抢占AI芯片的“蓝海”。马
斯克近日称特斯拉正自研芯片，但不会叫做GPU或是100s、H100s等，Dojo2将向大模型方向发力
。稍早前英特尔推出“中国特供版”Gaudi2芯片，性价比超H100，其与浪潮信息联手开发AI服务
器，Gaudi2国内首批还将与百度智能云、紫光新华三、超聚变等公司合作。
──────┬───────────────────────────────────
2023-07-13│中国存储公司重磅展出19nm 2D SLC NAND产品
──────┴───────────────────────────────────
在7月11日慕尼黑上海电子展上，至讯创新科技（无锡）有限公司展出了基于19nm2D SLC NA
ND闪存的全新量产产品，带来了存储行业在二维闪存芯片领域的最新突破。市场人士认为，存储
产业链各环节库存去化显著，价格趋势改善。从下游看，手机、PC等客户库存已正常化，数据中
心客户库存经过几个季度去化也大幅消化。存储芯片环节看，美光FY23Q3库存水位已经企稳，DO
I减少约4天。价格方面，Trend Force预期三季度开始，部分存储产品将开启价格回弹。
──────┬───────────────────────────────────
2023-07-12│DRAM大厂财报释放多个积极信号
──────┴───────────────────────────────────
DRAM大厂南亚科近日召开第二季度财报法说会。会上，公司总经理李培瑛表示，本季DRAM整
体平均价格依旧微幅下跌，但已看到部分产品报价呈现平稳或小幅增长，如高阶AI内存及部分消
费性应用品项都开始涨价，这是正向信号，代表市场状况逐步筑底、走向供需平稳。南亚科为全
球第四大DRAM厂商，前三大分别为三星电子、SK海力士、美光科技。业绩方面，南亚科第二季度
实现营收70.27亿元新台币，环比增长9.4%；6月营收为24.58亿元新台币，环比增长6.45%，营收
已连续4个月增长，并创今年新高。美光、SK海力士对于存储行业后续的市场情况也同样保持乐
观的态度。
──────┬───────────────────────────────────
2023-07-06│三星DRAM月产量降至两年来新低，行业频现库存改善信号
──────┴───────────────────────────────────
据韩媒报道，测算数据显示，7月三星将DRAM月产量削减至62万片晶圆，同比减少12%以上，
创下了公司自2021年第三季度以来DRAM产量的新低。有半导体业内人士表示，三星的DRAM工厂中
，除了采用最先进工艺制程的平泽园区之外，基本所有产线的DRAM产量都在下降。距离三星4月
宣布减产已过去了三个月，如今减产效果真正显现。但这并不是全部，报道称三星内部计划将减
产持续至明年，在半导体市场重回供需平衡之前，公司将避免扩产存储芯片。与此同时，三星也
开始积极与主要客户重新谈判DRAM价格——外界认为，这也意味着三星正在逐渐摆脱库存过剩的
负担。
──────┬───────────────────────────────────
2023-06-30│存储芯片三巨头集体酝酿涨价，减产效应预计下半年显现
──────┴───────────────────────────────────
DRAM原厂均已进入长时间亏损衰退，目前价格跌无可跌已成共识，巨头涨价潮似乎已在酝酿
之中。业内人士透露，面对行业传统旺季，三大原厂（三星、SK海力士、美光）都计划调涨DRAM
的下一季度合约价，目标涨幅7%-8%。近期部分手机和服务器厂商订单释出已开始有所起色，由
于调涨产品涨幅也在接受范围内，加上原厂减产效应预计下半年将开始显现，因此核心客户基本
已默认接受存储市况已降无可降的现实。
──────┬───────────────────────────────────
2023-06-12│世界最小体积芯片，存储巨头量产238层NAND闪存
──────┴───────────────────────────────────
存储巨头SK海力士周四宣布，已开始量产238层4DNAND闪存，并正在与生产智能手机的海外
客户公司进行产品验证。238层NAND闪存作为世界上最小体积的芯片，生产效率比上一代的176层
提升了34%，成本竞争力得到了大幅改善。此产品的数据传输速度为每秒2.4Gb(千兆比特)，比上
一代的速度快50%。
──────┬───────────────────────────────────
2023-06-09│三星酝酿NAND晶圆涨价，有望终结一年来跌势
──────┴───────────────────────────────────
消息人士透露，三星计划提高NAND晶圆价格。此外，如果消费电子市场需求在下半年改善，
NAND晶圆合约报价有望企稳。之前三星和SK海力士已在寻求将NAND闪存价格提高3%-5%，并表示N
AND闪存的价格已降至可变成本以下，一些品牌SSD价格已接近HDD价格。据TrendForce调查报告
显示，5月起美、韩系厂商大幅减产后，已见到部分供应商开始调高NAND晶圆报价，对于中国市
场报价均已略高于3-4月成交价。
──────┬───────────────────────────────────
2023-05-31│机构预计2025年中国分布式存储市场规模将超200亿元，将为存储芯片带来增量
│市场
──────┴───────────────────────────────────
日前，赛迪顾问发布《中国分布式存储市场研究报告（2023年）》。报告显示，中国分布式
存储市场规模快速发展，尽管相比集中式存储仍有一定差距，但2020年至2022年市场规模增速比
集中式存储高了近20个百分点。2023年至2025年，数字中国建设进入重要时期，分布式存储的高
扩展性、高效作业等优势将越发显著，预计到2025年中国分布式存储市场规模有望达到211.4亿
元，规模将比2022年翻一番。
──────┬───────────────────────────────────
2023-05-29│存储芯片底部复苏，业界首款LPDDR闪存速度提高20倍
──────┴───────────────────────────────────
英飞凌近日推出业界首款LPDDR闪存，以打造下一代汽车电子电气（E/E）架构。该器件的性
能是当前NOR闪存的8倍，实时应用的随机读取交易速度提高了20倍。业内指出，尽管存储芯片正
面临市场价格的“雪崩”，但以三星、海力士和美光三巨头为代表的存储厂商动态来看，长期的
市场信心依然屹立不倒。未来LPDDR的使用范围也将会从智能手机逐渐扩展到AI、汽车、数据中
心、服务器等应用场景，市场前景越来越广阔。
──────┬───────────────────────────────────
2023-05-23│美光公司在华未通过网络安全审查，存储芯片国产替代迎来良机
──────┴───────────────────────────────────
据网信办官网，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审
查。审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造
成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审
查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光
公司产品。
──────┬───────────────────────────────────
2023-04-28│存储芯片DRAM价格企稳反弹，复苏有望快于预期
──────┴───────────────────────────────────
美光消费零部件相关部门日前已正式向经销商发出通知称，自5月起，DRAM及NANDFlash将不
再接受低于现阶段行情的询价——换言之，美光认为现阶段价格已是最低行情，不再响应降价要
求。三星日前也已通知经销代理商，将不再以低于当前价格出售DRAM芯片。从2023年4月现货价
格表现来看，DRAM报价跌幅已明显收敛，各项规格的单月跌幅均缩小至5%以内，甚至有产品价格
已止跌上涨。DRAM现货价格停止下跌时间明显早于预期。由于外界预期三星减产项目将锁定主流
DDR4产品，因此4月DDR416Gb价格仅下滑1%~2%，DDR48Gb跌幅不到1%，DDR34GB下滑近4%，均低于
3月的产品跌幅（DDR48Gb及16Gb跌幅约7%~8%，DDR34GB跌幅6%）。
──────┬───────────────────────────────────
2023-04-10│国资委将加大政策支持力度促进集成电路产业发展
──────┴───────────────────────────────────
国资委党委书记、主任张玉卓到中国电子信息产业集团有限公司所属华大九天调研，就中央
企业集成电路产业发展工作听取建议。张玉卓表示，集成电路产业是引领未来的产业，多年来华
大九天以坚定不移的恒心和毅力，在芯片设计、制造、封装、测试全流程EDA工具方面进行战略
布局，强化技术研发，逐渐形成产品线完整、综合技术实力较强的龙头企业，值得充分肯定。国
资委将进一步精准施策，在人才、资金等方面加大政策支持力度，完善配套措施，支持中央企业
在集成电路产业链发展的完整性、先进性上攻坚克难、勇往直前，更好促进集成电路产业高质量
发展。
──────┬───────────────────────────────────
2023-04-06│汽车存储+AI应用将为存储芯片带来增长动力
──────┴───────────────────────────────────
ChatGPT类生成式AI应用需要在海量的训练数据中进行学习，ChatGPT经历3次迭代，参数量
从1.17亿增加到1750亿，计算存储是其重要基石。随着AI新时代开启，预计全球数据生成、储存
、处理量将呈等比级数增长，存储器将显著受益。全球存储巨头美光科技近期表示行业库存正在
减少，存储芯片市场已见底，季度营收增长转折点到来，下一季度财报业绩就可迎来环比增长。
此外，高等级自动驾驶汽车对车载存储容量、密度和带宽需求正在大幅提升，机构认为汽车存储
或将成长为存储行业终端需求的一大支柱，为主流存储芯片和利基型存储芯片带来增长动力。
──────┬───────────────────────────────────
2023-04-03│存储芯片供给过剩现象将进一步改善，2023年下半年或迎复苏
──────┴───────────────────────────────────
由于存储器芯片价格疲软，加上库存水位过高，近期存储器产业市况低迷。美国独立投行Ra
ymondJames分析师表示，未来几个月，存储器大厂美光仍处低谷，预计美光的利润将在2023会计
年度第三季（截至2023年5月）触底，并表示随着各家存储器大厂纷纷大幅减产，存储芯片供给
端过剩现象将进一步改善。
【4.信息面面观】
┌──────┬─────────────────────────────────┐
│栏目名称 │ 栏目内容 │
├──────┼─────────────────────────────────┤
│公司简介 │东芯半导体股份有限公司成立于2014年，总部位于上海，在深圳、南京、香│
│ │港、韩国均设有分公司或子公司，矢志成为领先的存储芯片设计公司，服务│
│ │全球客户。作为Fabless芯片企业，东芯半导体拥有独立自主的知识产权， │
│ │聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研发、设计和销售，是目前国内少数 │
│ │可以同时提供NAND/NOR/DRAM设计工艺和产品方案的存储芯片研发设计公司 │
│ │。 │
├──────┼─────────────────────────────────┤
│产品业务 │公司是目前中国大陆少数能够同时提供NANDFlash、NORFlash、DRAM等存储 │
│ │芯片完整解决方案的公司，产品广泛应用于网络通信、监控安防、消费类电│
│ │子、工业与医疗等领域。 │
├──────┼─────────────────────────────────┤
│经营模式 │公司产品销售采用“经销、直销相结合”的销售模式。经销模式下，公司与│
│ │经销商之间采用买断式销售；直销模式下，终端客户直接向公司下订单。 │
├──────┼─────────────────────────────────┤
│行业地位 │中国大陆领先的存储芯片设计公司 │
├──────┼─────────────────────────────────┤
│核心竞争力 │公司自成立以来专注于中小容量存储芯片的独立研发、设计与销售，是中国│
│ │大陆少数可同时提供NANDFlash、NORFlash及DRAM等存储芯片完整解决方案 │
│ │的厂商之一，产品广泛应用于网络通信、安防监控、消费电子、工业控制与│
│ │智能化、汽车电子等领域。 │
│ │（1）不断完善的研发体系及持续的技术创新能力 │
│ │依托研发团队在电路设计、工艺制造及封装测试等领域的多年深厚积累，公│
│ │司以客户需求为导向，构建了覆盖短、中、长期的多层次产品线开发规划，│
│ │并持续完善系统化研发平台，为产品快速迭代与工艺技术演进奠定坚实基础│
│ │。经过多年技术沉淀与研发投入，公司在NANDFlash、NORFlash及DRAM等存 │
│ │储芯片的核心设计环节已形成自主研发能力与核心技术体系，通过持续创新│
│ │积累了多项关键技术成果。 │
│ │（2）稳定可靠的供应链体系 │
│ │公司秉持“本土深度、全球广度”的供应链布局，在搭建和完善自主可控的│
│ │国产化供应链体系的同时，与国内外的供应商建立了互助、互利、互信的合│
│ │作关系，确保供应链高效运转与产品质量稳定。报告期内，公司进一步优化│
│ │产业链结构，深化与国际一流晶圆代工厂的合作，与战略合作伙伴在高可靠│
│ │性、低功耗存储芯片的特色工艺平台上开展长期技术协同，并加大测试模型│
│ │与向量研发投入，显著提升了晶圆良率与生产效率。公司与境内外知名封测│
│ │厂保持稳定合作，可以为客户提供多样化的芯片封装选择。 │
│ │（3）完善的质量和服务体系 │
│ │公司以“品质、竞争力、客户满意、持续改进”为公司质量方针，不断优化│
│ │服务流程和运营系统，持续提升产品质量与服务管理水平，为全球客户提供│
│ │高效即时的技术支持。报告期内，公司持续优化项目管理系统，完善客户反│
│ │馈电子化平台，升级车规级质量管理体系，强化产品可靠性与生产制程监控│
│ │。公司通过组建专业客户服务团队，将服务理念贯穿产品全生命周期，形成│
│ │闭环管理机制，持续提升客户服务能力。 │
│ │（4）优秀的人才队伍 │
│ │集成电路设计行业为技术密集型领域，公司自创立以来坚持“以人为本、创│
│ │新发展”理念，高度重视半导体领域研发与管理人才的培养储备。通过社招│
│ │、校招、内推及内部培养等多元化渠道，已构建起梯队合理、经验丰富、技│
│ │术底蕴深厚的研发团队。截至报告期末，公司拥有研发与技术人员206人， │
│ │占公司总人数的64.58%，其中本科及以上学历人数占研发人员总数97.57%。│
│ │公司的市场、运营等其他部门的核心团队均拥有行业内知名公司多年的工作│
│ │经历，具有丰富产业经验和专业管理能力。除了不断完善的绩效考核和薪酬│
│ │体系以外，公司还通过积极的股权激励计划来充分调动员工积极性，有效促│
│ │使各方共同关注公司的长远发展，确保公司发展战略和经营目标的实现。 │
│ │（5）自主清晰的知识产权 │
│ │公司高度重视知识产权的自主性与完整性，经过持续研发创新，拥有覆盖主│
│ │流存储芯片领域的多项发明专利、集成电路布图设计权、软件著作权等知识│
│ │产权，相关知识产权自主完整、权属清晰。截至报告期末，公司拥有境内外│
│ │有效专利130项、软件著作权15项、集成电路布图设计权82项、注册商标16 │
│ │项。 │
├──────┼─────────────────────────────────┤
│经营指标 │2025年，公司实现营业收入92,142.53万元，较上年同期增长43.76%；归属 │
│ │于上市公司股东的净利润-19,479.37万元，同比亏损增加2,765.18万元，亏│
│ │损增加16.54%，归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-22,200.│
│ │17万元，同比亏损增加2,131.21万元，亏损增加10.62%。 │
├──────┼─────────────────────────────────┤
│竞争对手 │兆易创新、芯天下、复旦微、紫光国微、芯成半导体。 │
├──────┼─────────────────────────────────┤
│品牌/专利/经│专利：报告期内，公司新增申请发明专利4项、新增授权发明专利23项、获 │
│营权 │得集成电路布图设计权5项。截至报告期末，公司拥有境内外有效专利130项│
│ │、软件著作权15项、集成电路布图设计权82项、注册商标16项。截至报告期│
│ │末，公司拥有境内外有效专利130项、软件著作权15项、集成电路布图设计 │
│ │权82项、注册商标16项。报告期内，申请中国发明专利4项，获得发明专利 │
│ │授权23项（其中中国发明专利14项，美国发明专利4项，韩国发明专利5项）│
│ │；申请实用新型专利1项；申请集成电路布图设计权5项，获得集成电路布图│
│ │设计权5项；申请注册商标8项，获得注册商标4项。截至报告期末，公司拥 │
│ │有境内外有效专利130项、软件著作权15项、集成电路布图设计权82项、注 │
│ │册商标16项。截至报告期末，公司累计申请境内外专利196项，获得专利授 │
│ │权136项，专利涉及NAND、NOR、DRAM等存储芯片的设计核心环节，公司技术│
│ │实力不断提升。 │
├──────┼─────────────────────────────────┤
│投资逻辑 │公司是目前中国大陆少数同时具备NANDFlash、NORFlash、DRAM三大存储芯 │
│ │片自主研发设计能力的企业，在中小容量存储芯片领域建立了全面的产品布│
│ │局。在SLCNANDFlash领域，公司持续推进技术迭代，最先进制程已推进至1x│
│ │nm水平，体现了公司优秀的设计能力和工艺整合技术水平。依托成熟稳定的│
│ │产品矩阵，公司产品在可靠性、兼容性等方面表现优异，已获得国内外知名│
│ │企业及下游应用领域头部客户的高度认可，在中小容量存储市场占据了重要│
│ │的市场地位。在NORFlash与DRAM领域，公司坚持差异化竞争策略。NORFlash│
│ │产品制程达到48nm行业先进水平，凭借优异的可靠性和宽温工作特性，在对│
│ │可靠性要求较高的细分市场稳步拓展应用。此外，公司NAND产品与DRAM产品│
│ │形成有效协同，结合MCP（多芯片封装）技术，为客户提供高集成度、小型 │
│ │化的存储解决方案。这种多元化的产品组合有效满足了客户的一站式采购需│
│ │求，增强了客户粘性，构筑了坚实的竞争壁垒。 │
│ │面对行业周期性波动与日益激烈的市场竞争，公司积极实行“存、算、联”│
│ │一体化战略。在稳固存储主业的基础上，公司依托技术积累，积极布局Wi-F│
│ │i7等无线通信芯片赛道。这一布局旨在实现业务结构的多元化发展，通过产│
│ │品线的横向拓展，有效平滑存储行业的周期性业绩波动，同时也为公司面向│
│ │智能终端与网络设备客户提供更多样化的解决方案创造了有利条件。 │
│ │未来，公司将继续坚持自主创新的发展道路，紧抓国产替代与下游应用智能│
│ │化升级的市场机遇。公司将持续推进制程技术迭代，加快车规级与工业级产│
│ │品的认证与导入，进一步巩固在中小容量存储芯片领域的竞争优势；同时稳│
│ │步推进“存、算、联”一体化战略，不断提升公司的行业影响力和综合竞争│
│ │力，致力于成为国内领先的芯片设计与解决方案供应商。 │
├──────┼─────────────────────────────────┤
│消费群体 │网络通信、安防监控、消费电子、工业控制与智能化、汽车电子等领域 │
├──────┼─────────────────────────────────┤
│消费市场 │大中华地区、非大中华地区 │
├──────┼─────────────────────────────────┤
│主营业务 │提供NANDFlash、NORFlash、DRAM等存储芯片完整解决方案 │
├──────┼─────────────────────────────────┤
│主要产品 │涵盖非易失性存储芯片NANDFlash、NORFlash，易失性存储芯片DRAM及衍生 │
│ │产品MCP │
├──────┼─────────────────────────────────┤
│行业竞争格局│公司以“品质、竞争力、客户满意、持续改进”为公司质量方针，不断优化│
│ │服务流程和运营系统，持续提升产品质量与服务管理水平，为全球客户提供│
│ │高效即时的技术支持。报告期内，公司持续优化项目管理系统，完善客户反│
│ │馈电子化平台，升级车规级质量管理体系，强化产品可靠性与生产制程监控│
│ │。公司通过组建专业客户服务团队，将服务理念贯穿产品全生命周期，形成│
│ │闭环管理机制，持续提升客户服务能力。 │
│ │公司秉持“本土深度、全球广度”的供应链布局，在搭建和完善自主可控的│
│ │国产化供应链体系的同时，与国内外的供应商建立了互助、互利、互信的合│
│ │作关系，确保供应链高效运转与产品质量稳定。报告期内，公司进一步优化│
│ │产业链结构，深化与国际一流晶圆代工厂的合作，与战略合作伙伴在高可靠│
│ │性、低功耗存储芯片的特色工艺平台上开展长期技术协同，并加大测试模型│
│ │与向量研发投入，显著提升了晶圆良率与生产效率。公司与境内外知名封测│
│ │厂保持稳定合作，可以为客户提供多样化的芯片封装选择。 │
├──────┼─────────────────────────────────┤
│行业发展趋势│（1）NANDFlash │
│ │当前SLCNANDFlash主流工艺仍以2xnm制程为核心，并持续向更先进节点演进│
│ │。公司等国内厂商已在1xnm工艺节点实现量产突破，推动了国产替代进程的│
│ │加速。国际大厂如美光、铠侠虽仍主导市场，但国内企业通过持续的工艺优│
│ │化与成本控制，在消费电子、网络通信等领域的市场份额持续提升。 │
│ │从供给端看，行业产能格局持续调整。全球领先的存储器制造商三星已宣布│
│ │其MLC产品进入生命周期终结（EOL）阶段，其他主要厂商如铠侠、SK海力士│
│ │及美光的MLC产线多以服务既有客户为主，缺乏扩产动力。这一趋势加速了 │
│ │全球2DNAND产能的出清，推动行业向3DNAND及先进DRAM主导的时代迈进。对│
│ │于国内存储厂商而言，国际大厂的产能战略调整带来了重要的结构性市场机│
│ │遇，公司有望凭借在先进制程的技术积累与产能布局，进一步扩大市场份额│
│ │。 │
│ │（2）NORFlash │
│ │NORFlash目前的主流工艺制程为55nm，广泛应用于智能手机、PC、DVD、TV │
│ │、USBKey、机顶盒、物联网设备等代码闪存领域，是嵌入式系统代码存储的│
│ │首选方案。串行接口（SPI）NORFlash因设计简洁、成本更低，随着工艺进 │
│ │步已能满足多数系统需求，逐渐成为系统方案商的主流选择，在市场集中度│
│ │不断提升的背景下，成本优化成为行业共同追求的目标。目前市场上ETOX架│
│ │构应用广泛，部分厂商通过SONOS、NORD等差异化技术路径实现成本控制。 │
│ │国内企业凭借高性价比产品持续切入市场，并通过产品容量升级与制程迭代│
│ │，逐步构建起竞争优势。 │
│ │展望未来，全球AI技术的快速发展为NORFlash市场注入了新的增长动力。AI│
│ │时代对SoC中的CPU、NPU、GPU性能要求提升，推动NORFlash向高带宽、低延│
│ │迟方向演进，以满足代码存储与快速启动需求。在AIPC领域，BIOS代码量增│
│ │长驱动NORFlash容量升级；在AI眼镜等轻量化场景中，低功耗存储方案获得│
│ │更多应用，单机NORFlash用量显著提升；TWS耳机主动降噪、空间音频等功 │
│ │能推动容量的不断提升；物联网终端设备的普及亦为市场提供了稳定的基础│
│ │需求。公司将顺应市场趋势，持续进行产品迭代，以满足智能化时代对NORF│
│ │lash存储芯片的新需求。 │
│ │（3）利基型DRAM │
│ │在市场供需格局方面，三星、SK海力士、美光等国际三大原厂持续将产能向│
│ │DDR5、LPDDR5X及HBM等高性能、高附加值存储领域倾斜，这在利基型DRAM市│
│ │场形成了显著的供给缺口，为中国大陆及中国台湾的供应商创造了战略发展│
│ │机遇。随着物联网终端设备数量突破百亿级，叠加传统电子设备存储升级需│
│ │求，利基型DRAM市场展现出区别于标准存储市场的强抗周期属性。 │
│ │从技术发展趋势来看，利基型存储产品开始出现定制化存储方案，通过3D堆│
│ │叠技术将存储单元与主控芯片集成，可缩短信息传递路径，提升数据传输效│
│ │率，实现近存计算。该方案具有高带宽、高经济效益的优势，无需PCB走线 │
│ │，进一步节省面积、降低功耗，适用于低功耗、高带宽及中低容量内存需求│
│ │的场景，如可穿戴设备、边缘服务器、监控设备、ADAS及协作机器人等。公│
│ │司正密切关注相关技术发展趋势，并持续推进产品线丰富与性能优化，以更│
│ │好地满足客户在多元应用场景中的存储需求。 │
├──────┼─────────────────────────────────┤
│行业政策法规│《信息披露管理制度》、《上市公司治理准则》、《公司法》、《上海证券│
│ │交易所科创板股票上市规则》、《证券法》、《公司章程》 │
├──────┼─────────────────────────────────┤
│公司发展战略│公司秉持“提供可靠高效的存储产品及设计方案”的使命，致力于巩固并提│
│ │升在中国存储芯片设计领域的领先地位。公司将以“存、算、联”一体化为│
│ │战略引领，在巩固存储核心业务优势的基础上，前瞻性地布局计算与联接技│
│ │术，通过横向拓展与生态协同，构建多元增长、韧性强劲的产业格局。 │
│ │公司将深度聚焦存储芯片主业，以NANDFlash、NORFlash、DRAM及MCP等产品│
│ │线为根基，持续深化在网络通信、安防监控、消费电子、工业控制与智能化│
│ │、汽车电子等关键市场的渗透，以高可靠性产品与差异化解决方案巩固行业│
│ │领先优势。同时，公司将以存储技术为根基，积极向“存、算、联”一体化│
│ │方向进行技术延伸与生态拓展，推动产品结构向更高价值领域迈进，应对行│
│ │业周期波动，培育多元业务增长极。 │
│ │为实现战略目标，公司将持续强化自主创新驱动、全链条质量管控、全球化│
│ │供应链协同以及高端人才建设，不断巩固技术护城河，提升全球市场竞争力│
│ │与可持续发展能力，为客户、股东及产业伙伴创造持续价值。 │
├──────┼─────────────────────────────────┤
│公司日常经营│（一）夯实存储技术基础，持续健全产品体系 │
│ │公司聚焦主营存储产品，持续实施产品更新迭代策略，为网络通信、安防监│
│ │控、消费电子、工业控制与智能化、汽车电子等应用领域提供多样化、高品│
│ │质的存储产品解决方案。 │
│ │报告期内，公司研发费用投入达2.16亿元，占当期营业收入的23.43%，金额│
│ │同比增加1.24%。 │
│ │公司继续巩固在SLCNANDFlash领域的技术领先优势，积极推进存储产品升级│
│ │迭代。报告期内“1xnm闪存产品研发及产业化项目”已实现量产，设计与工│
│ │艺持续优化，产品可靠性指标显著提升，并已实现产品销售。公司稳步推进│
│ │2xnm制程SLCNANDFlash系列产品研发，进一步提升了可靠性指标，并持续扩│
│ │充产品料号，满足市场多样化需求。 │
│ │（二）搭建“存、算、联”一体化生态，开辟第二增长路径 │
│ │公司持续深化“存、算、联”一体化战略布局，依托技术创新、生态协同与│
│ │产业链延伸，逐步构建起涵盖存储芯片、计算芯片、通信领域的多元化技术│
│ │生态体系。凭借该体系的协同优势，公司培育第二增长曲线，为未来业绩增│
│ │长注入强劲新动能。 │
│ │在“联接”芯片领域，公司正持续推进Wi-Fi7无线通信芯片的研发设计工作│
│ │。基于对市场趋势的研判，公司把握国产高端Wi-Fi芯片替代机遇，精准切 │
│ │入技术壁垒较高的路由、高端黑电透传及车载类Wi-Fi等细分赛道。Wi-Fi7 │
│ │技术作为下一代无线连接核心，凭借更高带宽、更高调制效率及MLO多链路 │
│ │操作特性，可实现传输速率约2至3倍的提升，并将平均延迟降低约80%，能 │
│ │有效满足未来智能终端、AR/VR及云游戏等应用对高速无线连接的严苛要求 │
│ │。公司首款无线传输芯片定位于高带宽、低延迟应用场景。报告期内，公司│
│ │已完成原型机样片测试，其核心性能符合设计目标。通过差异化技术创新，│
│ │公司致力于为客户提供本土化的智能无线通信与感知芯片及系统级解决方案│
│ │，积极培育业绩增长新动能。 │
│ │（三）深化产业协同，保障产能稳定与品质交付 │
│ │公司作为Fabless设计公司，高度重视建立稳定可靠的供应链体系，与国内 │
│ │外多家知名晶圆代工厂和封测厂建立了互助、互利、互信的合作关系，构建│
│ │了“本土深度、全球广度”的供应链网络。公司致力于维护与上游合作伙伴│
│ │的稳定合作，与晶圆厂展开深度战略合作交流，在工艺调试设计、产品开发│
│ │、晶圆测试优化等各环节保持良好沟通协作，通过签署并执行产能保证协议│
│ │等方式深化上下游合作，为业务发展提供产能保障，同时坚持“双轨并行”│
│ │发展策略，积极拓展境内外双代工模式以满足不同客户需求，并与国内外知│
│ │名封测厂建立稳定合作关系，确保供应链持续稳定。 │
│ │（四）强化人才队伍建设，完善激励约束机制 │
│ │公司始终坚持“以人为本”的发展理念，视人才为企业发展的核心驱动力，│
│ │致力于打造高素质、专业化的核心团队。报告期内，公司持续优化人才梯队│
│ │建设，构建了完善的内部培训体系，通过多层次的管理、业务及技术培训，│
│ │全面提升员工综合素质与专业能力。 │
│ │（五）完善公司治理体系，维护股东合法权益 │
│ │公司严格按照《公司法》《证券法》《上海证券交易所科创板股票上市规则│
│ │》等相关法律、法规、规章和规则及《公司章程》《信息披露管理制度》的│
│ │要求，建立健全各项内部控制制度。在此基础上，公司积极顺应《公司法》│
│ │《上市公司治理准则》的最新修订趋势，结合实际情况对内部治理制度进行│
│ │梳理与修订，持续完善法人治理结构，明确决策、执行、监督等方面的职责│
│ │权限，形成科学有效的职责分工和制衡机制，认真履行信息披露义务，保证│
│ │信息披露的真实、准确、完整、及时、公平，进一步提升公司规范运作水平│
│ │和透明度。 │
├──────┼─────────────────────────────────┤
│公司经营计划│1、深化技术创新与产品迭代 │
│ │公司将继续保持高水平的研发投入，持续推动核心技术自主可控与产品迭代│
│ │升级。公司将聚焦制程工艺、可靠性、低功耗等关键性能的提升，推动核心│
│ │技术迭代升级，不断巩固技术“护城河”。同时，公司将依托现有技术积累│
│ │，积极向“存、算、联”一体化方向进行技术布局与突破，探索通信芯片及│
│ │计算芯片等新领域，逐步构建多元化的芯片解决方案能力。 │
│ │2、推进市场拓展与客户深耕 │
│ │公司坚持以市场需求为导向，在稳固与现有头部客户合作的基础上，积极拓│
│ │展新客户、新应用场景。在存储产品领域，公司将紧抓智能终端容量升级、│
│ │国产化替代等市场机遇，持续提升市场份额。同时，公司将积极拓展汽车电│
│ │子、人工智能、物联网等新兴应用市场，扩大产品应用边界。公司将通过优│
│ │化产品组合与营销策略，提升客户粘性，不断增强市场影响力。 │
│ │3、优化供应链管理与产能保障 │
│ │公司将坚持“本土深度、全球广度”的供应链建设理念，深化与国内外主流│
│ │晶圆制造、封装测试厂商的战略合作伙伴关系。通过动态优化产能分配、拓│
│ │展多元化供应渠道，公司致力于构建韧性强劲、成本可控的供应链体系，以│
│ │保障生产交付的稳定性，提升对市场波动及行业周期的应对能力，为业务稳│
│ │定增长提供坚实支撑。 │
│ │4、夯实人才队伍基础与激励机制 │
│ │公司将人才视为核心资源，持续优化人才引进、培养与激励机制。通过完善│
│ │薪酬福利体系和职业发展通道，公司致力于吸引和留住优秀技术与管理人才│
│ │，打造一支结构合理、专业过硬、富有创新活力的核心团队，为公司长期战│
│ │略的实施提供坚实的人才支撑。 │
│ │5、强化公司治理与合规运营 │
│ │公司将继续严格按照法律法规和监管要求，完善公司治理结构，健全内部控│
│ │制与风险管理体系。公司将切实履行信息披露义务，加强与投资者的沟通，│
│ │保障信息透明、公平、公正。通过持续提升治理水平与规范运作能力，公司│
│ │致力于实现长期稳健发展，切实维护全体股东利益。 │
├──────┼─────────────────────────────────┤
│公司资金需求│财务部门通过监控现金余额、可随时变现的有价证券以及对未来12个月现金│
│ │流量的滚动预测，确保公司在所有合理预测的情况下拥有充足的资金偿还债│
│ │务。同时持续监控公司是否符合借款协议的规定，从主要金融机构获得提供│
│ │足够备用资金的承诺，以满足短期和长期的资金需求。 │
├──────┼─────────────────────────────────┤
│可能面对风险│(一)业绩大幅下滑或亏损的风险 │
│ │2025年度，公司所处的中小容量存储芯片市场受益于人工智能驱动的新一轮│
│ │行业上升周期，供需结构持续优化，产品销售价格稳步回升。在此背景下，│
│ │随着5G基站建设的持续推进、智慧城市建设带动的安防设备升级、智能穿戴│
│ │设备的功能创新、以及汽车电动化与智能化的产业浪潮，公司产品所面对的│
│ │网络通信、安防监控、消费电子、工业控制与智能化、汽车电子等下游应用│
│ │领域需求整体呈现复苏与结构性增长。 │
│ │(二)核心竞争力风险 │
│ │1、技术升级及产品迭代风险 │
│ │公司所处的集成电路设计行业具有技术密集、产品升级迭代迅速的特点，持│
│ │续的创新研发是保持竞争优势的关键。 │
│ │2、研发失败或产业化进展不及预期风险 │
│ │集成电路设计行业技术门槛高、研发投入大、产品研发周期长，芯片产品需│
│ │要经历前期的技术论证及后期的不断研发实践。研发过程较为复杂，存在不│
│ │确定性，研发项目可能存在研发失败或产业化失败的风险，可能导致公司竞│
│ │争力有所下降，从而影响公司后续发展。 │
│ │3、人才流失风险 │
│ │集成电路设计行业属于人才密集型行业，需要相关人才具备扎实的专业知识│
│ │、长期的技术沉淀和经验积累。研发团队的实力及稳定性是公司保持核心竞│
│ │争力的基础，也是公司推进技术持续创新升级的关键。 │
│ │4、核心技术泄密风险 │
│ │公司所处的集成电路设计行业具有技术密集性的特点，核心技术对公司提高│
│ │产品质量和关键性能以及保持公司在行业内的竞争优势有着至关重要的作用│
│ │，是公司核心竞争力的具体体现。 │
│ │(三)经营风险 │
│ │1、委外加工及供应商集中度较高的风险 │
│ │公司采用Fabless经营模式，公司产品生产相关环节委托晶圆代工厂、封测 │
│ │厂进行，晶圆代工厂及封测厂为公司的主要供应商。由于集成电路行业的特│
│ │殊性，晶圆代工厂和封测厂属于重资产企业而且市场集中度较高。 │
│ │2、境外经营风险 │
│ │公司推行全球化的研发设计和市场销售布局，报告期内公司的境外业务主要│
│ │集中在韩国、欧洲等国家和地区。 │
│ │(四)财务风险 │
│ │1、业绩波动风险 │
│ │宏观经济环境的波动、国家产业政策的变化、集成电路行业景气度的周期性│
│ │变化、行业竞争的加剧等原因可能导致市场对公司主要产品供需关系发生变│
│ │化，进而导致公司销售收入、毛利率和利润波动等风险。 │
│ │2、存货跌价风险 │
│ │公司存货主要由原材料、委托加工物资、库存商品等构成。公司主要根据已│
│ │有客户订单需求及对市场未来需求的预测情况制定采购与生产计划。报告期│
│ │末，公司存货的账面价值为106556.64万元，占总资产的比例为27.75%，存 │
│ │货规模及占比相对较高。 │
│ │(五)行业风险 │
│ │公司所处的集成电路设计行业属于资本及技术密集型行业，受全球宏观经济│
│ │波动、上下游供需结构变化等因素影响，特别是存储芯片行业存在较为明显│
│ │的周期性波动特征。虽然公司NANDFlash、NORFlash及DRAM等产品已广泛应 │
│ │用于网络通信、安防监控、消费电子、工业控制与智能化、汽车电子等多个│
│ │领域，应用场景的多元化在一定程度上增强了公司抵御单一市场波动的能力│
│ │。 │
│ │(六)宏观环境风险 │
│ │近年来，全球宏观环境复杂多变，地缘政治博弈加剧，部分国家和地区持续│
│ │出台贸易保护主义政策与出口管制措施，对我国集成电路等高新技术产业的│
│ │发展带来挑战。集成电路行业具有全球化分工协作程度深、产业链条长的显│
│ │著特征。 │
├──────┼─────────────────────────────────┤
│股权激励 │东芯股份2024年4月20日发布限制性股票激励计划，公司拟授予342.6万股限│
│ │制性股票，其中首次向135名激励对象授予327.5万股，授予价格为19.18元/│
│ │股；预留15.1万股。首次授予的限制性股票自首次授予日起满一年后分三期│
│ │解锁，解锁比例分别为40%、30%、30%。主要解锁条件为：第一个归属期， │
│ │以2023年营业收入为基数，2024年营业收入同比增长率（Am）不低于25%。 │
│ │第二个归属期，以2024年营业收入为基数，2025年营业收入同比增长率（Am│
│ │）不低于25%；或以2023年营业收入为基数，2025年营业收入复合增长率（B│
│ │m）不低于25%。第三个归属期，以2025年营业收入为基数，2026年营业收入│
│ │同比增长率（Am）不低于25%；或以2023年营业收入为基数，2026年营业收 │
│ │入复合增长率（Bm）不低于25%。 │
│ │东芯股份2025年9月30日发布限制性股票激励计划，公司拟向不超过141名激│
│ │励对象授予不超过89.98万股限制性股票，授予价格为82.05元/股。本次授 │
│ │予的限制性股票自授予日起满一年后分三期解锁，解锁比例分别为40%/30%/│
│ │30%。主要解锁条件为：第一个归属期2025年以2024年营业收入为基数，202│
│ │5年营业收入同比增长率（Am）不低于25%。第二个归属期2026年以2025年营│
│ │业收入为基数，2026年营业收入同比增长率（Am）不低于25%；或以2024年 │
│ │营业收入为基数，2026年营业收入复合增长率（Bm）不低于25%。第三个归 │
│ │属期2027年以2026年营业收入为基数，2027年营业收入同比增长率（Am）不│
│ │低于25%；或以2024年营业收入为基数，2027年营业收入复合增长率（Bm） │
│ │不低于25%。 │
│ │东芯股份2026年4月22日发布限制性股票激励计划，公司拟授予不超过192.5│
│ │5万股限制性股票，其中首次向不超过165名激励对象授予154.04万股，授予│
│ │价格为91.17元/股；预留38.51万股。首次授予的限制性股票自首次授予日 │
│ │起满一年后分三期解锁，解锁比例分别为40%/30%/30%。主要解锁条件为： │
│ │第一个归属期，以2025年营业收入为基数，2026年营业收入同比增长率（Am│
│ │）不低于25%。第二个归属期，以2026年营业收入为基数，2027年营业收入 │
│ │同比增长率（Am）不低于25%;或以2025年营业收入为基数，2027年营业收入│
│ │复合增长率（Bm）不低于25%。第三个归属期，以2027年营业收入为基数，2│
│ │028年营业收入同比增长率（Am）不低于25%;或以2025年营业收入为基数，2│
│ │028年营业收入复合增长率（Bm）不低于25%。 │
└──────┴─────────────────────────────────┘
〖免责条款〗
1、本公司力求但不保证提供的任何信息的真实性、准确性、完整性及原创性等，投资者使
用前请自行予以核实，如有错漏请以中国证监会指定上市公司信息披露媒体为准，本公司
不对因上述信息全部或部分内容而引致的盈亏承担任何责任。
2、本公司无法保证该项服务能满足用户的要求，也不担保服务不会受中断，对服务的及时
性、安全性以及出错发生都不作担保。
3、本公司提供的任何信息仅供投资者参考，不作为投资决策的依据，本公司不对投资者依
据上述信息进行投资决策所产生的收益和损失承担任何责任。投资有风险，应谨慎至上。
|