热点题材☆ ◇688261 东微半导 更新日期：2026-08-08◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.所属板块】【2.主题投资】【3.事件驱动】【4.信息面面观】
【1.所属板块】
概念:5G概念、充电桩、智能机器、新能源车、芯片、数据中心、储能、人脑工程、东数西算、
三代半导、高压快充、液冷服务、人形机器
风格:融资融券、扣非亏损、高贝塔值、发可转债、专精特新
指数:科创200、上证580
【2.主题投资】
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2026-01-05│人形机器人 │关联度：☆☆☆
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公司中低压SGT在人形机器人关节应用中的器件优化研发项目已完成部分规格的开发并实现
批量出货，产品应用于人形机器关节电机控制。
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2025-12-19│人脑工程 │关联度：☆☆☆
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公司董事长龚轶联合创立的东脑智合开展侵入式脑机接口技术研发与转化，双方共享半导体
技术与资源协同。
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2025-09-01│5G概念 │关联度：☆☆☆
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公司产品已用于各类5G基站电源及通信电源相关领域，公司也将积极配合相关客户的6G技术
应用。
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2025-08-30│液冷服务器 │关联度：☆☆☆
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公司的超级结 MOSFET 塑封模块， 在液冷式算力服务器电源领域取得了量产突破
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2025-07-04│新能源车 │关联度：☆☆☆
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车载充电机，DC-DC变换器、辅助电源等产品都在持续出货，新能源汽车主驱的客户导入、
产品验证工作也已经完成
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2025-05-06│东数西算 │关联度：☆☆☆
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公司高压超级结产品和低压SGT产品已大量用于数据中心及算力服务器电源等领域
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2025-04-30│机器人概念 │关联度：☆☆☆
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公司中低压屏蔽栅MOSFET系列的相关器件产品已在新型机器人领域实现销售。
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2024-11-06│数据中心 │关联度：☆☆☆
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公司是国内较早进入数据中心服务器电源系统应用的高性能功率器件供应商之一，该领域覆
盖国内外多个重要客户，业务保持高速增长
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2024-10-21│第三代半导体│关联度：☆☆☆
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公司布局的独创技术的高性能高可靠性第三代半导体MOSFET器件产品开发顺利
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2024-07-31│储能 │关联度：☆☆☆
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公司产品已应用于储能领域并持续批量出货
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2024-03-07│高压快充 │关联度：☆☆☆
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公司在直流充电桩领域的产品以高压快充为主。
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2022-07-22│充电桩 │关联度：☆☆
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公司为国内充电桩提供国产化芯片
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2022-02-10│芯片 │关联度：☆☆☆☆☆
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公司的GreenMOS大功率超结MOSFET成为国内市场的知名品牌，在充电桩等高端应用中被众多
一线客户采用。
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2024-02-26│华为持股 │关联度：☆☆☆
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深圳哈勃科技创业投资有限公司是东微半导的十大股东之一，占流通股的8%股份
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2023-10-19│华为概念 │关联度：☆☆☆
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截至2023-09-26，哈勃科技创业投资有限公司持有公司股份466.31万股，占公司总股本的4.
94%
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2023-06-25│比亚迪概念 │关联度：☆☆☆
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公司高压超级结MOSFET及中低压SGT MOSFET已批量出货给比亚迪、凯斯库、哈曼、联合电子
等公司
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2022-02-10│IGBT │关联度：☆☆☆☆
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公司的创新型IGBT已进入量产，性能达到国际一流水平。
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---│不可减持(新 │关联度：☆☆☆☆
│规) │
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公司近20个交易日内跌破发行价，依照减持新规，控股股东和实际控制人不可减持。
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2026-08-07│高贝塔值 │关联度：☆☆☆☆
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截止2026-08-07,最新贝塔值为:3.69
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2026-07-21│发可转债 │关联度：☆☆☆
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2026-07-21公告发行进度：股东大会通过
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2026-04-30│扣非亏损 │关联度：☆☆☆
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截止2026-03-31公司归母净利润为555.79万元，扣非净利润为-306.98万元
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2025-03-20│专精特新 │关联度：☆☆☆
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公司已入选工信部专精特新小巨人企业名单。
【3.事件驱动】
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2023-07-17│IGBT芯片价格居高不下，新能源汽车及光伏领域需求旺盛
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目前IGBT缺货基本在39周以上，供需缺口已经拉长到50%以上，市场部分料号供货周期还是
维持在52周，最长达54周。IGBT领域龙头厂商英飞凌最新的Q2交期维持在39-50周，价格居高不
下。另一家大厂安森美2022-2023年的产能全部售罄，最新的Q2交期在47-52周，远高于英飞凌，
价格一直维持高位。IGBT是具有高电流、高电压、高效率的半导体电源控制元件，能够实现大电
流大电压的开关控制，主要应用于新能源汽车及光伏等领域的电力控制系统中，被誉为新能源汽
车的“CPU”。
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2023-05-26│车用、工业IGBT供应依然吃紧，IGBT行业或受关注
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据业内人士透露，IGBT在工业、车用领域供货仍吃紧，且主流IDM厂一路看好其长期需求。
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2023-05-16│汽车芯片荒野求生，各路玩家入局扩产IGBT、MCU仍一芯难求
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在汽车电动化和智能化大趋势面前，汽车工业正经历着前所未有的产业变革，车载芯片正迎
高速发展阶段。近日有消息称，海外龙头高通将收购以色列汽车芯片公司Autotalks，加码车联
网技术。此外，在今年上海车展上，百度Apollo和蔚来等十余家汽车品牌均展出了在英伟达DRIV
E Hyperion计算平台上运行的车型，智能汽车芯片开启算力之争。根据公开数据，传统燃油车所
需汽车芯片数量为600—700颗，电动车所需的汽车芯片数量将提升至1600颗/辆，而更高级的智
能汽车对芯片的需求量将有望提升至3000颗/辆。海思数据预计，2030年汽车电子在汽车总成本
中的占比会达到50%。正是在持续旺盛的需求下，汽车芯片荒似乎仍在蔓延。
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2023-04-28│国家能源局加快推进充电设施建设，2023年将是充电桩销量高增之年
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4月27日，国家能源局发展规划司副司长董万成在新闻发布会上表示，加快推进县乡村充电
基础设施建设。着力推动县城、乡镇公共充电基础设施布局建设，探索充电设施与光伏、储能相
结合，加大县乡村充电网络建设运营支持力度，为新能源汽车下乡创造良好条件。
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2023-03-30│缺货问题2024年难以解决，IGBT被誉为电力电子装置的CPU
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自20年以来，绝缘闸极双极性晶体管（IGBT）供不应求，随着车用、工业应用所需用量大增
，而产能扩增缓慢，认证需时间，考量长期客户关系，以及订单规模下，加上Tesla释出大砍碳
化硅（SiC）用量75%消息，让可能成为替代方案之一的IGBT，缺货问题至少在2024年中前难以解
决。IGBT是第三代功率半导体技术革命的代表性产品，具有高频、高电压、大电流，易于开关等
优良性能，被业界誉为电力电子装置的“CPU”，广泛应用于工业控制、轨道交通、白色家电、
新能源发电、新能源汽车等领域。券商指出，我国是全球最大的IGBT需求市场，产业具有较大的
发展前景，但我国IGBT自给率不足20%，本土替代仍有较大的提升空间。
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2023-02-16│2022年我国充电基础设施数量同比增长近100%
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据国家能源局新闻发言人梁昌新近日介绍，2022年我国充电基础设施数量达到520万台，同
比增长近100%。其中，公共充电基础设施增长约65万台，累计数量达到180万台；私人充电基础
设施增长约190万台，累计数量超过340万台。梁昌新说，我国充电市场呈现出多元化发展态势，
目前各类充电桩运营企业3000余家。电动汽车充电量持续增长，2022年全年充电量超过400亿千
瓦时，同比增长85%以上。
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2023-02-10│2023年1月公共充电桩增加6.6万台，同比增长52.6%
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2月10日，中国充电联盟发布2023年1月公共充电基础设施运行情况，2023年1月比2022年12
月公共充电桩增加6.6万台，1月同比增长52.6%。截至2023年1月，联盟内成员单位总计上报公共
充电桩184.1万台，其中直流充电桩78.5万台、交流充电桩105.5万台。从2022年2月到2023年1月
，月均新增公共充电桩约5.5万台。
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2023-02-06│政策与需求共振，充电桩有望进入加速建设期
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2月3日，工信部等八部门发布关于组织开展公共领域车辆全面电动化先行区试点工作的通知
，通知提到的重点任务包括，促进新技术创新应用。加快智能有序充电、大功率充电、自动充电
、快速换电等新型充换电技术应用，加快“光储充放”一体化试点应用。机构认为，近年来，全
球新能源汽车渗透率持续提升，充电桩作为支撑新能源汽车发展的配套基础设备，受政策端和需
求端双重因素驱动，未来有望进入加速建设期，远期市场空间超千亿元。
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2023-01-19│提升电动汽车充电基础设施，充电桩产业迎来黄金发展期
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中国充电联盟发布数据显示，截至2022年11月，联盟内成员单位总计上报公共充电桩173.1
万台。去年前11个月，全国充电基础设施累计数量为494.9万台，同比增加107.5%;充电基础设施
增量为233.2万台，其中公共充电桩增量同比上涨105.4%，随车配建私人充电桩增量持续上升，
同比上升316.5%。
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2023-01-16│突破性第三代半导体材料，碳化硅利好消息密集催化
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碳化硅领域近期利好消息不断，东尼电子签大单三年交付量剑指90万片，芯片大厂英飞凌扩
大碳化硅材料采购等。碳化硅（Sic）是突破性第三代半导体材料，与前两代半导体材料相比，
以碳化硅制成的器件拥有良好的耐热性、耐压性和极低的导通能量损耗，是制造高压功率器件与
高功率射频器件的理想材料。碳化硅下游应用包括新能源、光伏、储能、通信等领域。
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2022-08-08│新能源汽车+光伏需求旺盛，IGBT产品产能紧张
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据报道，向韩国现代汽车IONIQ 5供应动力模块芯片（IGBT）的世界第一大车载半导体公司
德国英飞凌产出大量不良产品。由于两个月的芯片全部被废弃，从本月开始IONIQ5生产中断的可
能性增大。
机构对全球和中国的新能源汽车IGBT市场规模进行了测算，至2025年，全球新能源汽车IGBT市场
规模将达到116亿美元，是2021年的5倍以上；中国新能源汽车IGBT市场规模将达到387亿元，同
样为2021年的5倍以上。
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2022-07-22│推动能源电子产业发展，IGBT半导体下游深度绑定光伏+新能源车
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工信部电子信息司副司长杨旭东表示，工信部电子司将加快发布《关于推动能源电子产业发
展的指导意见》，目前这一指导意见正在发布的流程中。IGBT是进行能量转换与传输的核心元器
件，在新能源汽车、消费电子、光伏发电、工业控制、智能电网和轨道交通中均有广泛应用。新
能源汽车和光伏是IGBT下游最主要的应用，市场需求占比超过40%。
【4.信息面面观】
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│栏目名称 │ 栏目内容 │
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│公司简介 │苏州东微半导体股份有限公司成立于2008年9月12日，注册地位于江苏省苏 │
│ │州市工业园区，是一家专注于原创半导体器件结构和工艺研发的技术驱动型│
│ │企业。公司主要产品包括高压大功率MOSFET、IGBT、SiCMOS等功率器件，广│
│ │泛应用于新能源汽车充电桩、光伏逆变器、快速充电器等领域。2022年于上│
│ │海科创板上市（证券代码：688261），2024年营业收入达10.03亿元，总资 │
│ │产31亿元。其技术研发历程包含多项行业突破，如全球首个半浮栅晶体管制│
│ │造（2012年）、国产化超级结系列量产（2014年）等。 │
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│产品业务 │公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，产│
│ │品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。 │
│ │公司的主要产品包括GreenMOS系列高压超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS │
│ │系列中低压屏蔽栅MOSFET、TGBT系列IGBT产品以及SiC器件。 │
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│经营模式 │1、研发模式 │
│ │公司产品的研发流程主要包括产品开发需求信息汇总、立项评估与可行性评│
│ │估、项目设计开发、产品试制以及测试验证等四个环节。该四项环节主要由│
│ │研发部、运营部等合作完成，同时，研发部质量团队会全程参与产品研发的│
│ │所有环节，监督各环节的执行过程，以在全环节实现对产品质量的管控。公│
│ │司已制定《产品开发管理程序》，产品研发流程严格遵守该制度约定流程，│
│ │并通过产品生命周期管理系统进行产品开发管控。 │
│ │公司根据各产品类型的市场需求与技术发展方向制定技术路线图，并结合晶│
│ │圆代工和封装厂商的实际制造能力、现有工艺和封测加工能力进行产品开发│
│ │和设计工作。在产品研发设计过程中，公司同时关注并协助开发适合于晶圆│
│ │厂和封装厂的工艺流程。公司具有深度定制开发的能力,在产品研发阶段， │
│ │公司与晶圆代工厂深度合作、共同研发，通过多次反复实验调整，使代工厂│
│ │的工艺能更好地实现公司所设计芯片的性能，最终推出极具性价比的产品，│
│ │更好地贴合终端客户的需求。通过对代工厂传统工艺的优化，公司有能力根│
│ │据终端市场需求精确调整产品的设计。公司会与晶圆厂进行季度技术回顾（│
│ │QuarterlyTechnologyReview，“QTR”）与季度业务（QuarterlyBusinessR│
│ │eview，“QBR”)回顾，并陪同客户定期到晶圆厂进行审核。晶圆厂定期向 │
│ │公司提供制程能力（ComplexProcessCapability,“CPK”)管控数据及外观 │
│ │检测报告。同时，公司也会对封测厂进行定期稽核，召开QBR并要求提供CPK│
│ │数据、封装良率及测试良率的报告，定期对厂家的管控计划提出意见，以保│
│ │证产品质量。 │
│ │2、采购与生产模式 │
│ │公司采购的内容主要为定制化晶圆制造、封装及测试服务，以及实验室设备│
│ │的采购。在Fabless模式中，公司主要进行功率器件产品的研发、销售与质 │
│ │量管控，产品的生产采用委外加工的模式完成，随后将制造完成的晶圆交由│
│ │封测厂进行封装和测试。公司的晶圆代工厂商和封装测试服务供应商均为行│
│ │业知名企业。公司建立了以质量部为核心的质量管理体系，有效提高了公司│
│ │产品和服务的整体质量。公司拥有研发部、运营部、销售部等多个业务部门│
│ │，且各部门职能相对独立；同时，公司的质量部协助其他部门制定其操作规│
│ │范、记录和整理日常的工作文档、监督和指导各部门的工作和质量控制流程│
│ │，其贯穿产品开发、生产、运营和销售的整个过程。 │
│ │3、销售模式 │
│ │结合行业惯例和客户需求情况，公司目前采用“经销加直销”的销售模式，│
│ │即公司通过经销商销售产品，同时也向终端系统厂商直接销售产品。在经销│
│ │模式下，公司与经销商的关系主要为买断式销售关系，公司将产品送至经销│
│ │商或者经销商指定地点；在直销模式下，公司直接将产品销售给终端客户，│
│ │公司将产品送至客户指定地点。 │
│ │公司建立了完善的客户管理制度，对于长期合作客户，公司与其签订框架合│
│ │作协议，并安排专员提供全方位服务；对于其他客户，公司根据订单向其供│
│ │货。半导体行业上下游之间粘性较强，公司产品需要通过较为严格的质量认│
│ │证测试，一旦受到客户的认可和规模化使用后，双方较易形成长期稳定的合│
│ │作关系。 │
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│行业地位 │国内高性能功率半导体领域的佼佼者 │
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│核心竞争力 │1、强大的研发能力 │
│ │公司一直以来高度重视研发团队及体系的建设，完整的研发团队及体系与持│
│ │续的研发投入使得公司成为功率器件领域产品性能领先的本土企业之一。公│
│ │司的核心技术人员均在功率半导体领域耕耘超过十年，具有丰富的研发经验│
│ │，并对行业未来的技术发展趋势具有前瞻性的创新能力。公司核心技术人员│
│ │的研发能力保证了公司的技术敏锐度和研发水平，确保了公司的产品迭代能│
│ │够紧跟行业发展趋势，亦满足客户终端产品的创新需求。公司的市场、运营│
│ │、销售等部门的核心团队均拥有半导体行业相关的学历背景和国内外知名半│
│ │导体公司多年的工作经历，积累了丰富的产业经验和专业的管理能力。 │
│ │同时，公司的研发管理体系与质量体系持续改进，多个数字化系统的功能得│
│ │以优化。公司自研的新一代产品生命周期管理系统的上线，进一步推动研发│
│ │效率的提升。 │
│ │2、丰富的产品规格 │
│ │功率器件的产品规格丰富，不同规格的产品被应用于不同的应用场景。得益│
│ │于公司丰富的产品系列以及强大的产品开发能力，公司的功率器件产品已被│
│ │广泛应用于各类工业级及消费级领域。 │
│ │同时，公司车规产品管理评审流程日渐成熟，车规产品推出速度和数量大为│
│ │提升，车规市场项目的对接成功机会显著增加。 │
│ │3、广泛的客户基础 │
│ │凭借优异的技术实力、产业链深度结合能力和客户创新服务能力，公司已经│
│ │与国内外各行业的龙头客户建立了长期的合作关系。在各类功率器件应用领│
│ │域尤其是车规级和工业级应用领域中，公司的产品获得了众多知名企业的认│
│ │可，成为了该等客户的主要国内供应商之一。同时，公司在全球范围内积累│
│ │了众多的知名终端品牌客户。公司进入该等客户的供应链体系后能够持续为│
│ │公司带来高粘性，同时也将推动公司不断进行技术迭代升级以满足引领行业│
│ │发展的头部客户需求，为公司保持高端功率器件领域的领先地位奠定基础。│
│ │4、稳定的供应商关系 │
│ │公司与行业上游的晶圆制造厂商、封装测试厂商等供应商建立了长期稳定的│
│ │业务合作关系与高效的联动机制。基于与供应商长期稳定的战略合作关系，│
│ │在根据终端市场需求精确调整产品设计的同时，公司具有与上游供应商合作│
│ │并实现深度定制化开发的能力。由于功率器件的制造工艺较为特殊，特别是│
│ │高性能产品的开发需要器件设计与工艺平台的深度结合，研发团队需对晶圆│
│ │厂的基准工艺平台进行深度优化和定制设计。在产品研发阶段，公司会与晶│
│ │圆厂进行深度的共同讨论，通过多次反复工艺调试，使得晶圆厂的工艺能更│
│ │好地实现公司所设计芯片的性能，最终推出经优化的产品，更好地贴合终端│
│ │客户的需求。在这个过程中，晶圆代工厂的工艺能力亦在双方互相协作中获│
│ │得优化和提升，实现了双方技术能力的相互促进和提升。 │
│ │5、严格的质量管控 │
│ │公司高度重视产品质量的可靠性，始终坚持高标准的质量要求。从产品的研│
│ │发到生产的过程中，坚持严格的质量管控，为客户提供稳定可靠的产品。公│
│ │司秉承着质量管理系统化的理念，构建了全面质量管理体系，通过“全流程│
│ │监控-全流程透明-全流程可追踪”的原则，覆盖公司所有关键流程，确保质│
│ │量管理体系的全面落实和执行。 │
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│经营指标 │2025年，公司实现营业收入12.53亿元，较上年同期增长24.87%；实现归属 │
│ │于上市公司股东的净利润4,621.04万元，较上年同期增长14.85%；实现归属│
│ │于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润789.71万元，较上年同期增长│
│ │240.49%。 │
│ │公司主营业务收入分产品系列实现情况主要如下： │
│ │（1）公司超级结MOSFET产品2025年实现营业收入9.17亿元，较2024年同期 │
│ │增长17.07%； │
│ │（2）公司中低压屏蔽栅MOSFET产品2025年实现营业收入2.71亿元，较2024 │
│ │年同期增长51.04%； │
│ │（3）公司Tri-gateIGBT产品2025年实现营业收入4523.43万元,较2024年同 │
│ │期增长21.77%； │
│ │（4）公司超级硅MOSFET产品2025年实现营业收入297.50万元，较2024年同 │
│ │期增长24.74%； │
│ │（5）公司SiC器件产品（含Si2CMOSFET）2025年实现营业收入125.69万元，│
│ │较2024年同期增长97.45%； │
│ │（6）公司功率器件模块产品2025年实现营业收入1428.25万元。 │
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│竞争对手 │英飞凌（Infineon）、安森美（ON Semiconductor）、意法半导体（ST Mic│
│ │roelectronics）、瑞萨电子（Renesas Electronics）、日本东芝（Toshib│
│ │a）、华润微（688396）、扬杰科技（300373）、华微电子（600360）、新 │
│ │洁能（605111）、士兰微（600460）。 │
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│品牌/专利/经│专利：报告期内，公司新增知识产权申请项目29个，其中境内发明专利申请│
│营权 │数24个；新增知识产权授权项目21个，其中境内发明专利10个，境外专利10│
│ │个，集成电路布图1个。 │
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│投资逻辑 │基于多年的技术优势积累、产业链深度结合能力以及优秀的客户创新服务能│
│ │力，公司不断深耕市场，已成为国内领先的高性能功率半导体厂商之一。公│
│ │司先后获得国家高新技术企业、国家级专精特新小巨人企业、国家知识产权│
│ │优势企业、江苏省工程技术研究中心、江苏省专精特新小巨人企业、江苏省│
│ │民营科技企业等荣誉。2025年，公司超级结MOSFET/OSG65R038HZF产品，荣 │
│ │膺第二十届中国芯“优秀市场表现产品”奖，这也是公司第三次斩获“中国│
│ │芯”系列荣誉。 │
│ │公司功率器件产品技术领先，体现在功率器件的仿真、设计、工艺实现、封│
│ │装测试及应用测试等全流程工序。公司产品以高工艺制造难度的超级结MOSF│
│ │ET产品、性能优良极具竞争力的中低压屏蔽栅MOSFET产品、独创单胞结构性│
│ │能优良的TGBT产品以及紧跟国内外领先技术水平的SiCMOSFET产品、算力电 │
│ │源功率模块为主。 │
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│消费群体 │以5G基站电源及通信电源、数据中心和算力服务器电源、车载充电机、车身│
│ │加热和平衡系统、UPS电源和工业照明电源、新能源汽车直流充电桩、光伏 │
│ │逆变及储能为代表的工业级应用领域，以及以PC电源、适配器、TV电源板、│
│ │手机快速充电器为代表的消费电子应用领域。 │
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│消费市场 │境内、境外 │
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│主营业务 │高性能功率器件研发与销售 │
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│主要产品 │功率半导体产品、晶圆 │
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│项目投资 │拟发行不超14.36亿元可转债 用于新型功率器件等项目：东微半导2026年7 │
│ │月3日公告，本次可转债发行总额不超过人民币143,588.00万元（含143,588│
│ │.00万元），扣除发行费用后的募集资金净额将用于新型功率器件技术和产 │
│ │品研发及产业化项目；新一代功率管理控制芯片研发及产业化项目；研发中│
│ │心建设项目及补充流动资金。 │
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│股权收购 │拟4.08亿元收购慧能泰半导体公司53.09%股权：东微半导2026年3月25日公 │
│ │告，公司拟以4.08亿元受让深圳慧能泰半导体科技有限公司（简称“慧能泰│
│ │半导体”）股东所持有的慧能泰半导体53.09%股权。交易完成后，慧能泰半│
│ │导体将成为公司的控股子公司，纳入公司合并报表范围。上述资金来源为公│
│ │司自有资金和/或自筹资金（含银行借款等）。在上述交易完成后，公司拟 │
│ │通过公开摘牌方式受让剩余国资股东持有的慧能泰半导体5.32%的股权，能 │
│ │否成功取得上述股权尚存在不确定性。慧能泰半导体主要从事高性能模拟和│
│ │混合集成电路的定义、开发和商业化推广，包括USBType-C生态链和数字能 │
│ │源两大领域，主要产品方向为智能快充产品线以及数字能源产品线。 │
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│行业竞争格局│功率半导体行业全球市场集中度高，尤其是高端功率器件领域以美、日、欧│
│ │等国厂商为主导。其中，高压功率MOSFET产品以英飞凌、安森美等厂商为主│
│ │导。IGBT产品市场则由英飞凌、安森美、三菱、富士电机等厂商长期占据垄│
│ │断地位。功率半导体行业在我国则面临着更为复杂的局面，竞争格局较为分│
│ │散，市场集中度较低，Fabless(无晶圆厂)和IDM厂商并存，高端产品依赖进│
│ │口，中低端产品又深陷价格战的泥潭。近年来，随着社会电气化程度的不断│
│ │提高以及新技术的迭代与创新，国产功率半导体企业已取得较大进步，国内│
│ │孕育出一批优秀的功率半导体器件企业，逐步从低端市场向高端应用领域持│
│ │续渗透。 │
│ │全球半导体市场情况，根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）于2026年3月 │
│ │发布的最终官方数据显示，2025年全球半导体销售额达7956亿美元，同比增│
│ │长26.2%，主要由AI和数据中心需求驱动。从产品结构看，规模增长最大的 │
│ │是存储芯片，增幅达39%；其次为逻辑芯片，增幅38.8%；传感器增幅达10.4│
│ │%。 │
│ │我国半导体/集成电路市场情况，根据美国半导体行业协会（SIA）数据显示│
│ │，2025年中国半导体销售额首次突破2000亿美元，超过2100亿美元，同比增│
│ │幅超过15%，占全球总额约三成。海关总署数据（“2025年1至12月部分出口│
│ │商品主要贸易方式量值表<人民币值>”）显示，2025年中国集成电路出口总│
│ │额达14442亿元人民币，同比增长超27%，出口单价首次突破4元/个，双双创│
│ │下历史新高。 │
│ │行业竞争日趋激烈，一方面，国内厂商在技术、产能和市场占有率上持续突│
│ │破，国产化率稳步提升。另一方面，行业内部聚焦不同赛道的企业表现迥异│
│ │，成功卡位AI服务器等高增长赛道的企业，较容易获得业绩与竞争力的双重│
│ │溢价。聚焦于激烈竞争赛道的企业，受价格和产品结构影响，虽然营收增长│
│ │，但盈利能力承压，呈现“增收不增利”的局面。 │
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│行业发展趋势│1）持续追求高效能与低功耗目标 │
│ │为应对全球能源危机与日益提升的环保要求，半导体功率器件需要不断提升│
│ │电能转换效率，降低功耗，以满足节能减排与绿色低碳发展需求。这要求半│
│ │导体功率器件在设计和制造环节中不断优化器件结构、材料体系和工艺技术│
│ │，实现更高转换效率与更低导通、开关损耗。同时，下游应用场景的多元化│
│ │与精细化，也将进一步推动功率器件向高性能、定制化、差异化方向发展。│
│ │2）材料创新将是推动半导体功率器件发展的关键 │
│ │功率器件技术的发展是由“提高性能”和“降低成本”的内在需求推动的，│
│ │作为电能转换与电路控制的核心,随着传统硅基材料逐渐逼近其物理极限,性│
│ │能提升空间收窄，新型材料可以突破传统材料的固有局限，提升器件耐压、│
│ │开关频率与高温稳定性，满足高压、高频、高效的严苛应用场景需求。 │
│ │3）功率器件模块和分立化的各施所长，相互渗透 │
│ │低压大电流和中高压大电流的应用场景需要通过优化功率器件的结构及工艺│
│ │来提升性能，同时低压大电流和中高压大电流的应用场景又带动了对功率产│
│ │品高功率密度以及功率器件模块化和集成化的需求。一方面，在传统的中大│
│ │功率应用场景中，客户更倾向于使用大功率模块。由于大功率模块需要多元│
│ │件电气互联，同时要考虑高温失效和散热问题，其封装工艺和结构更复杂，│
│ │制造难度更大，这使得芯片+模块的整体价值变高；在小功率应用场景中， │
│ │功率器件和电感等无源器件被封装到嵌入式高精度模块中来提高集成度从而│
│ │减小整体方案的体积，以满足当下服务器电源、算力电源快速增长的需求。│
│ │另一方面，无论是以特斯拉为代表的造车势力还是其他意识到供应链安全的│
│ │大型公司，都在传统单芯片封装的基础上继续优化封装体功率密度，不断推│
│ │出散热能力更佳的封装形式，通过灵活的基板级集成以及水道设计来实现单│
│ │芯片集成方案。如特斯拉公司推出的顶部散热T2PAK，英飞凌公司推出的顶 │
│ │部散热TOLT、TOLG等新型封装规格。这类封装的优势体现在更易实现的高可│
│ │靠性、可评测性，更少的一次性投资以及更加快捷的降本周期。所以，未来│
│ │几年功率器件的模块化和分立化的趋势会在细分领域各施所长，相互渗透。│
│ │4）国产化进程加速 │
│ │半导体功率器件正朝着大功率、易驱动和高频化的方向发展。晶闸管、MOSF│
│ │ET和IGBT等关键技术在其各自的应用领域内持续突破，而新型宽禁带半导体│
│ │功率器件如碳化硅和氮化镓等也正在加速渗透，其应用边界不断拓展。 │
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│行业政策法规│《关于促进大功率充电设施科学规划建设的通知》、《国家信息化发展战略│
│ │纲要》、《关于推动能源电子产业发展的指导意见》、《中华人民共和国国│
│ │民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》、《中国制造│
│ │2025》 │
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│公司发展战略│公司始终专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域，是少数具备从专利到│
│ │产品量产完整经验的功率器件设计公司之一。凭借领先的功率器件与工艺创│
│ │新能力，公司已获得终端客户广泛认可。未来，公司将继续聚焦高性能、创│
│ │新型功率半导体产品，致力于成为国际领先的功率半导体厂商。围绕技术自│
│ │主、生态协同、外延整合、品牌提升等目标，公司制定如下发展战略： │
│ │1、技术创新与产品自主战略 │
│ │作为国内最早在12英寸晶圆产线实现量产的功率半导体设计公司之一，公司│
│ │将依托先发量产优势，持续提升产品动态性能、一致性及可靠性，深耕高效│
│ │率、低损耗功率半导体技术，推动国产高端功率器件在关键性能上达到或超│
│ │越国际先进水平。同时，充分发挥公司已有市场地位、技术优势、工艺积累│
│ │和行业经验，跟踪新兴终端市场的变化，坚持以客户与市场为导向，持续布│
│ │局车规级功率器件、第三代半导体、高功率模块等前沿方向，实现国产高端│
│ │、高速功率器件产品的自主可控。 │
│ │2、产业链协同与生态共建战略 │
│ │作为技术创新驱动型设计公司，公司一贯专注于将自身的创新技术与代工合│
│ │作伙伴进行资源的有机整合。公司采取Fabless的轻资产经营模式，充分利 │
│ │用国内外一流的代工资源，更快速地实现新技术的成果转化。积极探索与材│
│ │料、设备、封装等上下游优秀伙伴的资源整合，推动工艺协同开发与产能深│
│ │度绑定，构建安全、弹性、高效的产业合作生态，提升供应链韧性。 │
│ │3、内生发展与外延整合战略 │
│ │核心技术、主力产品、组织能力上公司坚持内生发展，持续进行技术研发和│
│ │创新，以产品性能为第一竞争力，保障公司可持续高质量发展。外延整合方│
│ │面，公司将围绕高性能半导体核心方向，适时通过投资、并购等方式整合在│
│ │先进工艺、车规芯片、新一代材料、模块封装等领域具备技术特色的优质标│
│ │的。横向并购，在特定技术或细分市场有优势的团队或公司，快速补强能力│
│ │，加速技术突破和产品拓展；纵向延伸，向上游投资或成立合资公司，保障│
│ │供应链安全与成本优势。 │
│ │4、提升市场与品牌战略 │
│ │持续深耕新能源汽车、光伏储能、工业电源、数据中心与AI算力等高端市场│
│ │，逐步从器件供应商向系统解决方案伙伴转型，进一步丰富产品结构以及提│
│ │高公司竞争力。 │
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│公司日常经营│（一）整体经营业绩情况 │
│ │报告期内，公司实现营业收入12.53亿元，较上年同期增长24.87%；实现归 │
│ │属于上市公司股东的净利润4621.04万元，较上年同期增长14.85%；实现归 │
│ │属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润789.71万元，较上年同期增│
│ │长240.49%。 │
│ │功率半导体行业下游应用分散、产品品类繁多。公司产品在汽车、工业、消│
│ │费等领域广泛应用，通常而言车规级、工业级应用对功率半导体产品的性能│
│ │和可靠性要求普遍高于消费级应用，报告期内，车规级、工业级领域营业收│
│ │入占比约为83%。受益于数据中心、算力服务器电源等领域的业务保持增长 │
│ │并稳步提升、产能持续扩大、新产品不断推出及产品组合结构进一步优化等│
│ │因素影响，公司营业收入和毛利率有所上升，盈利能力也有所提升。 │
│ │（二）技术研发情况 │
│ │公司坚持技术创新与研发投入，夯实现有产品的技术升级，加快实现新产品│
│ │的技术迭代。2025年度研发费用为9231.76万元，较上年同期增长21.93%； │
│ │截至2025年末，公司研发人员数较上年同期增长13.04%；2025年公司研发人│
│ │员平均薪酬较上年同期增长18.09%。 │
│ │（1）报告期内，公司持续进行新技术开发工作，遵循技术路线图推进各项 │
│ │技术迭代和产品升级，包含了更多的产品规格和更多的制造基地。超级结MO│
│ │SFET、中低压屏蔽栅MOSFET、TGBT等主要产品在完成了从8英寸代工厂到12 │
│ │英寸代工厂扩展的基础上，在12英寸晶圆制造基地无论从技术还是产能上均│
│ │得到了显著的扩容。报告期内，功率模块和GaNHEMT领域实现了突破，其中 │
│ │，功率模块已经在算力电源和车载电源领域实现持续稳定交付，GaN产品系 │
│ │列得到扩充，积极推进客户验证。 │
│ │（2）公司致力于提升晶圆和器件级的电性测试与可靠性实验能力的构建与 │
│ │完善，推动实验室体系向更高标准迈进，良好的研发实验环境，能为技术突│
│ │破和产品创新提供重要的基础和保障。2025年上半年，公司实验室成功通过│
│ │了中国合格评定国家认可委员会（CNAS）标准实验室的认定，标志着公司在│
│ │实验和测试能力、质量管理及测试数据公信力方面达到国际互认水平，进一│
│ │步提升了公司在产品验证方面的专业性和权威性。同时，全面导入实验室信│
│ │息管理系统，实现了测试数据的数字化管理和全流程追溯，进一步提升了实│
│ │验室的运营效率和管理水平。 │
│ │（三）供应链布局情况 │
│ │报告期内，公司在供应链协同方面持续深化。在晶圆代工端，公司与华虹半│
│ │导体、粤芯半导体及DBHitek等上游制造企业保持了稳定的业务与技术合作 │
│ │。同时，为保障第三代半导体产品系列的研发与产能，公司与多家SiC代工 │
│ │厂展开深入合作。通过前瞻性的采购策略，公司有效应对了产能的周期性波│
│ │动，确保了产品交付的及时性。此外，公司持续关注并协助代工伙伴进行创│
│ │新工艺流程的开发，并根据其制造能力进行深度定制化的工艺与产品适配，│
│ │实现了双方技术能力的相互促进与共同提升。 │
│ │在封测端，公司整合供应链资源，强化了对封装与测试环节的协同管理。公│
│ │司与合作伙伴共同开发适用于不同产品特性的先进封装方案与高效测试策略│
│ │，以此推动代工成本的优化与整体效率的提升，从而不断增强供应链的自主│
│ │可控能力。 │
│ │（四）产业链布局情况 │
│ │公司持续追踪优质资产与并购契机，基于业务协同、产业链上下游关系及公│
│ │司战略规划，对风险收益进行充分评估与审慎决策。公司在产业链上下游的│
│ │投资布局，预期将在中长期显著提升协同效应，从而推动公司持续、快速、│
│ │稳定及健康发展。 │
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│公司经营计划│一直以来，公司深耕基站电源及通信电源、数据中心、人工智能和算力服务│
│ │器电源、车载充电机、UPS电源和工业照明电源、新能源汽车直流充电桩、 │
│ │光伏逆变及储能等领域，通过功率器件底层技术创新，开发出一系列性能优│
│ │越的产品。为实现战略目标，巩固公司在功率半导体领域的领先地位，并有│
│ │效应对日益激烈的市场竞争与技术迭代挑战，公司将进一步加强研发投入，│
│ │加强人才团队建设，持续进行技术创新，优化产品结构，扩大各个产品系列│
│ │的市场份额，为客户及股东创造价值。具体计划如下： │
│ │1、技术研发与创新：持续深耕新能源汽车直流充电桩、光伏逆变与储能、 │
│ │新能源汽车车载充电机、基站电源及通信电源、数据中心服务器电源和工业│
│ │照明电源等领域，实现市场的均衡化与产品的多元化。 │
│ │2、产品开发与迭代：稳步扩大各类功率器件的产能，不断丰富超级结MOSFE│
│ │T、屏蔽栅MOSFET、TGBT、SiC及功率模块的产品规格与系列，持续提升市场│
│ │占有率。 │
│ │3、市场与客户拓展：重点加强对人工智能（AI）、算力服务器电源等在内 │
│ │的新兴应用领域的产品开发，保持并增强现有产品的持续竞争力，并在此基│
│ │础上不断推出高性能、高品质、高附加值的产品，进一步开拓新产品线，助│
│ │力业务规模与盈利能力的提升，力求从单纯的供应商向战略合作伙伴转型。│
│ │4、质量控制与体系完善：建立覆盖设计、制造、测试的全流程质量追溯系 │
│ │统。 │
│ │5、组织与人才发展：公司注重研发技术力量的培养和人才队伍的建设，坚 │
│ │持外部引进与内部培养相结合，吸引国内外优秀设计人才加入公司，激励现│
│ │有员工和公司形成利益共同体，促进人才队伍建设、研发技术力量建设、提│
│ │升整体运营效率，形成人才发展与业绩增长相互促进的良性循环。 │
│ │6、产业协同与布局：充分发挥上市公司资本优势，积极布局半导体上下游 │
│ │产业链，强化协同效应，为公司长远发展注入持续动力。 │
│ │7、内控体系与建设：随着公司发展规模的不断扩张，公司将持续加强内控 │
│ │建设，提高公司经营管理水平和风险防范能力，保障公司高速、稳定、健康│
│ │发展。结合公司实际情况，梳理现有管理制度，在符合内部控制要求的前提│
│ │下，建立适合本公司的内部控制管理体系，明确相关部门人员的职责和权限│
│ │，对内部控制的实施情况进行持续监控，及时发现和纠正存在的问题，确保│
│ │内部控制体系有效运行，建立彼此连接、彼此约束的内控制度。 │
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│公司资金需求│公司已从多家商业银行取得银行授信额度以满足营运资金需求和资本开支。│
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│可能面对风险│(一)核心竞争力风险 │
│ │1、技术迭代与研发升级风险 │
│ │若公司不能正确把握市场动态和行业发展趋势，保持核心技术优势并根据客│
│ │户需求及时进行技术迭代并推出具有竞争力的新产品，则公司的行业地位、│
│ │市场份额、经营业绩等可能受到不利影响。 │
│ │2、专利壁垒风险 │
│ │国际巨头（如英飞凌、意法半导体等）已构筑严密的专利网络，后发企业可│
│ │能面临诉讼或高额授权成本的风险。 │
│ │3、核心技术泄密与人才流失风险 │
│ │功率半导体具有技术密集型的显著特征，其核心技术与人才是支撑企业竞争│
│ │力的关键资产。在激烈的人才竞争下，核心人员的流失可能导致企业技术发│
│ │展受阻、创新能力断层。 │
│ │(二)经营风险 │
│ │1、供应商集中度较高的风险 │
│ │公司不直接从事晶圆制造和封装测试等生产和加工环节，该环节委托代工厂│
│ │完成。由于公司的晶圆供应商集中度较高，若出现晶圆代工行业产能紧张或│
│ │双方关系恶化的情况，则可能导致公司产品无法按时、足量交付，进而对公│
│ │司的经营业绩产生不利影响。 │
│ │2、供应链管理风险 │
│ │如果公司对供应链及生产环节管理不善，导致产品质量、交付及时性等出现│
│ │问题，则会影响公司产品销售和品牌声誉，对公司的经营造成不利影响。 │
│ │3、经销商管理不善的风险 │
│ │未来，如果公司对经销商管理不善，可能造成经销商不能很好地理解公司品│
│ │牌和发展目标，影响公司声誉，并且导致客户关系疏离，从而对公司业绩带│
│ │来不利影响。 │
│ │4、市场竞争风险 │
│ │若公司未能根据市场变化及客户需求及时调整竞争策略、进行产品迭代升级│
│ │和公司客户响应速度，将导致公司在日趋激烈的市场竞争中处于不利地位，│
│ │可能对公司业绩产生不利影响。 │
│ │(三)财务风险 │
│ │1、毛利率波动的风险 │
│ │公司营业成本主要由材料成本和封测费用构成，其中材料成本以晶圆成本为│
│ │主，若晶圆价格未来持续提高，可能会对公司的主营业务成本以及毛利率水│
│ │平造成不利影响。 │
│ │2、应收账款增加的风险 │
│ │若主要债务人的财务状况、合作关系发生恶化，或催收措施不力，则可能导│
│ │致应收账款及应收票据无法收回形成坏账损失，对公司经营成果造成不利影│
│ │响，也会影响公司经营性现金流量，对公司资金状况造成不利影响。 │
│ │3、存货减值的风险 │
│ │如果公司下游客户需求、市场竞争格局发生变化，或者公司不能有效拓宽销│
│ │售渠道、优化库存管理，可能导致存货无法顺利实现销售，公司或将面临存│
│ │货减值的风险，进而会给公司经营造成一定的不利影响。 │
│ │(四)行业风险 │
│ │1、产业政策变化的风险 │
│ │未来，如果国家相关产业政策支持力度减弱，将不利于国内功率半导体行业│
│ │的技术进步，将可能对公司的经营业绩造成不利影响。 │
│ │2、下游需求波动及新兴应用领域发展不及预期的风险 │
│ │若驱动公司收入实现增长的下游行业发展不达预期，行业规模增速放缓或出│
│ │现下滑，中国功率半导体行业进口替代趋势放缓，下游行业的波动和低迷会│
│ │导致客户对成本和库存更加谨慎，公司产品的销售价格和销售数量均会受到│
│ │不利影响。 │
│ │3、功率半导体周期性波动风险 │
│ │如果宏观经济波动较大或长期处于低谷，导致功率半导体行业处于低迷状态│
│ │，则功率半导体行业的市场需求可能发生萎缩，进而影响公司的经营业绩和│
│ │盈利能力。 │
│ │(五)宏观环境风险 │
│ │1、贸易保护主义风险 │
│ │如果全球贸易摩擦进一步加剧，境外客户可能会减少订单、要求公司产品降│
│ │价或者承担相应关税等措施，境外供应商可能会被限制或被禁止向公司供货│
│ │。若出现上述情况，则公司的经营可能会受到不利影响。 │
│ │2、税收优惠政策变动风险 │
│ │如果未来未能再次取得高新技术企业资质，或者所享受的其他税收优惠政策│
│ │发生变化，将会对公司业绩产生一定影响。 │
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│股东回报规划│根据《公司法》等有关法律法规及《公司章程》的规定，公司制定未来三年│
│ │（2026-2028年）股东回报规划：公司利润分配可采取现金、股票、现金股 │
│ │票相结合或者法律许可的其他方式。在公司当年经审计的净利润为正数且符│
│ │合《公司法》规定的利润分配条件的情况下，如无重大投资计划或重大现金│
│ │支出发生，公司每年度采取的利润分配方式中应当含有现金分配方式，且公│
│ │司每年以现金方式分配的利润应不低于当年实现的可供分配利润的10%。 │
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│股权激励 │东微半导2025年7月16日发布限制性股票激励计划，公司拟授予183.7971万 │
│ │股限制性股票，1）公司拟授予55.1391万股第一类限制性股票，其中首次向│
│ │126名激励对象授予46.3169万股，授予价格为21.77元/股；预留8.8222万股│
│ │；2）公司拟授予128.6580万股第二类限制性股票，其中首次向126名激励对│
│ │象授予1080727股，授予价格为21.77元/股；预留205853股。首次授予的限 │
│ │制性股票自首次授予日起满一年后分三期解锁，解锁比例分别为40%/30%/30│
│ │%。主要解锁条件为：第一个解除限售期，2025年度公司营业收入不低于人 │
│ │民币12亿元；第二个解除限售期，2025-2026年度公司累计营业收入不低于 │
│ │人民币26亿元；第三个解除限售期，2025-2027年度公司累计营业收入不低 │
│ │于人民币42亿元。 │
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〖免责条款〗
1、本公司力求但不保证提供的任何信息的真实性、准确性、完整性及原创性等，投资者使
用前请自行予以核实，如有错漏请以中国证监会指定上市公司信息披露媒体为准，本公司
不对因上述信息全部或部分内容而引致的盈亏承担任何责任。
2、本公司无法保证该项服务能满足用户的要求，也不担保服务不会受中断，对服务的及时
性、安全性以及出错发生都不作担保。
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据上述信息进行投资决策所产生的收益和损失承担任何责任。投资有风险，应谨慎至上。
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