热点题材☆ ◇688261 东微半导 更新日期：2024-05-01◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.所属板块】【2.主题投资】【3.事件驱动】【4.信息面面观】
【1.所属板块】
概念:充电桩、芯片、高压快充
风格:融资融券、回购计划、高贝塔值、破发行价
指数:科创芯片、科创100
【2.主题投资】
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2024-03-07│高压快充 │关联度：☆☆☆
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公司在直流充电桩领域的产品以高压快充为主。
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2022-07-22│充电桩 │关联度：☆☆
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公司为国内充电桩提供国产化芯片
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2022-02-10│芯片 │关联度：☆☆☆☆☆
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公司的GreenMOS大功率超结MOSFET成为国内市场的知名品牌，在充电桩等高端应用中被众多
一线客户采用。
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2024-04-24│股价脚踝斩 │关联度：☆☆☆
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公司股价较两年内历史最高价，下跌超过75%。
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2024-02-26│华为持股 │关联度：☆☆☆
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深圳哈勃科技创业投资有限公司是东微半导的十大股东之一，占流通股的8%股份
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2023-10-19│华为概念 │关联度：☆☆☆
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截至2023-09-26，哈勃科技创业投资有限公司持有公司股份466.31万股，占公司总股本的4.
94%
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2023-06-25│比亚迪概念 │关联度：☆☆☆
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公司高压超级结MOSFET及中低压SGT MOSFET已批量出货给比亚迪、凯斯库、哈曼、联合电子
等公司
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2022-02-10│IGBT │关联度：☆☆☆☆
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公司的创新型IGBT已进入量产，性能达到国际一流水平。
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---│不可减持(新 │关联度：☆☆☆☆
│规) │
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公司近20个交易日内跌破发行价，依照减持新规，不可减持。
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2024-04-30│破发行价 │关联度：☆☆☆☆
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截止2024-04-30,公司收盘价相对于发行价(前复权)跌幅为：-44.26%
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2024-04-30│高贝塔值 │关联度：☆☆☆
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截止2024-04-30,最新贝塔值为:3.2622
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2024-04-02│回购计划 │关联度：☆☆☆
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公司拟回购不超过5000万元(35.7142万股),回购期:2023-10-09至2024-10-08
【3.事件驱动】
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2023-07-17│IGBT芯片价格居高不下，新能源汽车及光伏领域需求旺盛
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目前IGBT缺货基本在39周以上，供需缺口已经拉长到50%以上，市场部分料号供货周期还是
维持在52周，最长达54周。IGBT领域龙头厂商英飞凌最新的Q2交期维持在39-50周，价格居高不
下。另一家大厂安森美2022-2023年的产能全部售罄，最新的Q2交期在47-52周，远高于英飞凌，
价格一直维持高位。IGBT是具有高电流、高电压、高效率的半导体电源控制元件，能够实现大电
流大电压的开关控制，主要应用于新能源汽车及光伏等领域的电力控制系统中，被誉为新能源汽
车的“CPU”。
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2023-05-26│车用、工业IGBT供应依然吃紧，IGBT行业或受关注
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据业内人士透露，IGBT在工业、车用领域供货仍吃紧，且主流IDM厂一路看好其长期需求。
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2023-05-16│汽车芯片荒野求生，各路玩家入局扩产IGBT、MCU仍一芯难求
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在汽车电动化和智能化大趋势面前，汽车工业正经历着前所未有的产业变革，车载芯片正迎
高速发展阶段。近日有消息称，海外龙头高通将收购以色列汽车芯片公司Autotalks，加码车联
网技术。此外，在今年上海车展上，百度Apollo和蔚来等十余家汽车品牌均展出了在英伟达DRIV
E Hyperion计算平台上运行的车型，智能汽车芯片开启算力之争。根据公开数据，传统燃油车所
需汽车芯片数量为600—700颗，电动车所需的汽车芯片数量将提升至1600颗/辆，而更高级的智
能汽车对芯片的需求量将有望提升至3000颗/辆。海思数据预计，2030年汽车电子在汽车总成本
中的占比会达到50%。正是在持续旺盛的需求下，汽车芯片荒似乎仍在蔓延。
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2023-04-28│国家能源局加快推进充电设施建设，2023年将是充电桩销量高增之年
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4月27日，国家能源局发展规划司副司长董万成在新闻发布会上表示，加快推进县乡村充电
基础设施建设。着力推动县城、乡镇公共充电基础设施布局建设，探索充电设施与光伏、储能相
结合，加大县乡村充电网络建设运营支持力度，为新能源汽车下乡创造良好条件。
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2023-03-30│缺货问题2024年难以解决，IGBT被誉为电力电子装置的CPU
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自20年以来，绝缘闸极双极性晶体管（IGBT）供不应求，随着车用、工业应用所需用量大增
，而产能扩增缓慢，认证需时间，考量长期客户关系，以及订单规模下，加上Tesla释出大砍碳
化硅（SiC）用量75%消息，让可能成为替代方案之一的IGBT，缺货问题至少在2024年中前难以解
决。IGBT是第三代功率半导体技术革命的代表性产品，具有高频、高电压、大电流，易于开关等
优良性能，被业界誉为电力电子装置的“CPU”，广泛应用于工业控制、轨道交通、白色家电、
新能源发电、新能源汽车等领域。券商指出，我国是全球最大的IGBT需求市场，产业具有较大的
发展前景，但我国IGBT自给率不足20%，本土替代仍有较大的提升空间。
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2023-02-16│2022年我国充电基础设施数量同比增长近100%
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据国家能源局新闻发言人梁昌新近日介绍，2022年我国充电基础设施数量达到520万台，同
比增长近100%。其中，公共充电基础设施增长约65万台，累计数量达到180万台；私人充电基础
设施增长约190万台，累计数量超过340万台。梁昌新说，我国充电市场呈现出多元化发展态势，
目前各类充电桩运营企业3000余家。电动汽车充电量持续增长，2022年全年充电量超过400亿千
瓦时，同比增长85%以上。
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2023-02-10│2023年1月公共充电桩增加6.6万台，同比增长52.6%
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2月10日，中国充电联盟发布2023年1月公共充电基础设施运行情况，2023年1月比2022年12
月公共充电桩增加6.6万台，1月同比增长52.6%。截至2023年1月，联盟内成员单位总计上报公共
充电桩184.1万台，其中直流充电桩78.5万台、交流充电桩105.5万台。从2022年2月到2023年1月
，月均新增公共充电桩约5.5万台。
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2023-02-06│政策与需求共振，充电桩有望进入加速建设期
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2月3日，工信部等八部门发布关于组织开展公共领域车辆全面电动化先行区试点工作的通知
，通知提到的重点任务包括，促进新技术创新应用。加快智能有序充电、大功率充电、自动充电
、快速换电等新型充换电技术应用，加快“光储充放”一体化试点应用。机构认为，近年来，全
球新能源汽车渗透率持续提升，充电桩作为支撑新能源汽车发展的配套基础设备，受政策端和需
求端双重因素驱动，未来有望进入加速建设期，远期市场空间超千亿元。
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2023-01-19│提升电动汽车充电基础设施，充电桩产业迎来黄金发展期
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中国充电联盟发布数据显示，截至2022年11月，联盟内成员单位总计上报公共充电桩173.1
万台。去年前11个月，全国充电基础设施累计数量为494.9万台，同比增加107.5%;充电基础设施
增量为233.2万台，其中公共充电桩增量同比上涨105.4%，随车配建私人充电桩增量持续上升，
同比上升316.5%。
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2023-01-16│突破性第三代半导体材料，碳化硅利好消息密集催化
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碳化硅领域近期利好消息不断，东尼电子签大单三年交付量剑指90万片，芯片大厂英飞凌扩
大碳化硅材料采购等。碳化硅（Sic）是突破性第三代半导体材料，与前两代半导体材料相比，
以碳化硅制成的器件拥有良好的耐热性、耐压性和极低的导通能量损耗，是制造高压功率器件与
高功率射频器件的理想材料。碳化硅下游应用包括新能源、光伏、储能、通信等领域。
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2022-08-08│新能源汽车+光伏需求旺盛，IGBT产品产能紧张
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据报道，向韩国现代汽车IONIQ 5供应动力模块芯片（IGBT）的世界第一大车载半导体公司
德国英飞凌产出大量不良产品。由于两个月的芯片全部被废弃，从本月开始IONIQ5生产中断的可
能性增大。
机构对全球和中国的新能源汽车IGBT市场规模进行了测算，至2025年，全球新能源汽车IGBT市场
规模将达到116亿美元，是2021年的5倍以上；中国新能源汽车IGBT市场规模将达到387亿元，同
样为2021年的5倍以上。
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2022-07-22│推动能源电子产业发展，IGBT半导体下游深度绑定光伏+新能源车
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工信部电子信息司副司长杨旭东表示，工信部电子司将加快发布《关于推动能源电子产业发
展的指导意见》，目前这一指导意见正在发布的流程中。IGBT是进行能量转换与传输的核心元器
件，在新能源汽车、消费电子、光伏发电、工业控制、智能电网和轨道交通中均有广泛应用。新
能源汽车和光伏是IGBT下游最主要的应用，市场需求占比超过40%。
【4.信息面面观】
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│栏目名称 │ 栏目内容 │
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│公司简介 │2020年9月15日，东微有限召开股东会，同意将公司整体变更为股份有限公 │
│ │司，股份有限公司名称为“苏州东微半导体股份有限公司”，公司现有全体│
│ │股东为股份有限公司发起人；同意以2020年8月31日为基准日，协调中介机 │
│ │构开展相关审计与资产评估工作。2020年10月25日，天健出具“天健审〔20│
│ │20〕9923号”《审计报告》，确认截至2020年8月31日，公司净资产的审计 │
│ │值为248,683,212.28元。2020年10月25日，江苏中企华中天资产评估有限公│
│ │司出具“苏中资评报字〔2020〕第2071号”《资产评估报告》，根据该评估│
│ │报告，截至2020年8月31日，公司净资产的评估值为252,350,375.56元。该 │
│ │评估结果已提交苏州工业园区国有资产监督管理办公室备案，并取得了《国│
│ │有资产评估项目备案表》。2020年10月25日，东微有限召开股东会，同意以│
│ │截至2020年8月31日的经审计净资产值248,683,212.28元中的4,758.2182万 │
│ │元按股东出资比例分配并折合为变更后的股份公司的注册资本，分为47,582│
│ │,182股，每股面值人民币1元。超出股本部分的净资产201,101,030.28元作 │
│ │为股本溢价，计入股份公司资本公积。同日，公司全体股东暨股份公司全体│
│ │发起人签署《关于变更设立苏州东微半导体股份有限公司之发起人协议》。│
│ │2020年11月10日，东微有限召开创立大会暨第一次临时股东大会，审议《关│
│ │于创立苏州东微半导体股份有限公司的议案》《苏州东微半导体股份有限公│
│ │司章程》《关于选举公司第一届董事会董事的议案》《关于选举公司第一届│
│ │监事会监事的议案》等议案。2020年10月31日，天健对东微有限整体变更设│
│ │立为股份有限公司的出资情况进行了审验，并出具“天健验〔2020〕562号 │
│ │”《验资报告》，确认截至2020年10月26日，公司已收到全体股东拥有的东│
│ │微有限截至2020年8月31日经审计的净资产248,683,212.28元，折合股份47,│
│ │582,182股。2020年11月27日，江苏省市场监管局向公司核发变更后的《营 │
│ │业执照》。统一社会信用代码为：91320594680506522G。 │
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│产品业务 │公司的主要产品包括GreenMOS系列高压超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS │
│ │系列中低压屏蔽栅MOSFET。公司的产品广泛应用于以新能源汽车直流充电桩│
│ │、5G基站电源及通信电源、数据中心服务器电源和工业照明电源为代表的工│
│ │业级应用领域，以及以PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器为代表│
│ │的消费电子应用领域。同时，公司不断进行技术创新，进一步开发了超级硅│
│ │MOSFET、TGBT等新产品。 │
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│经营模式 │公司作为专业的半导体功率器件设计及研发企业，自成立以来始终采用Fabl│
│ │ess的经营模式。Fabless模式指无晶圆厂模式，采用该模式的企业专注于芯│
│ │片的研发设计与销售，将晶圆制造、封装、测试等生产环节外包给第三方晶│
│ │圆制造和封装测试企业完成。结合行业惯例和客户需求情况，公司目前采用│
│ │“经销加直销”的销售模式。 │
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│行业地位 │国内高性能功率半导体领域的佼佼者 │
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│核心竞争力 │（1）作为国内领先的高性能功率器件设计厂商，受益于行业发展与国产替 │
│ │代机遇 │
│ │公司是国内领先的高性能功率器件厂商，在全球MOSFET功率器件市场份额中│
│ │位列中国本土企业前十。公司目前已积累了知名的国内外客户群，产品及方│
│ │案被各终端应用领域广泛应用，市场认可度逐渐提高。 │
│ │（2）强大的研发能力，保证公司产品性能国内领先 │
│ │公司一直以来高度重视技术团队的建设，已建立起了完善的研发团队及体系│
│ │。截至2021年6月30日，公司研发部共拥有31名研发人员，合计占员工总数 │
│ │比例为46%。公司的核心技术人员均在功率半导体领域耕耘超过十年，具有 │
│ │丰富的研发经验，并对行业未来的技术发展趋势具有前瞻性的创新能力。完│
│ │整的研发团队及体系与持续的研发投入使得公司成为功率器件领域产品性能│
│ │领先的本土企业之一。 │
│ │（3）丰富的产品规格，满足不同应用场景的需求 │
│ │功率器件的产品规格丰富，不同规格的产品被应用于不同的应用场景。公司│
│ │已自主研发了逾900种高压MOSFET产品型号并覆盖500V-950V区间的工作电压│
│ │；以及逾500种中低压MOSFET产品型号，覆盖25V-150V区间的工作电压。此 │
│ │外，公司自主研发了多个系列的TGBT产品系列。 │
│ │（4）作为国内高性能功率器件的优质供货商之一，拥有强大的全球终端客 │
│ │户基础 │
│ │凭借优异的技术实力、产业链深度结合能力和客户创新服务能力，公司已经│
│ │与国内外各行业的龙头客户建立了长期的合作关系。在各类功率器件应用领│
│ │域尤其是工业级应用领域中，公司的产品获得了众多知名企业的认可，成为│
│ │了该等客户的少数国内供应商之一。 │
│ │（5）稳定的供应商关系提供产能保障，在特殊工艺方面持续技术合作 │
│ │公司与行业上游的晶圆制造厂商、封装测试厂商等供应商建立了长期稳定的│
│ │业务合作关系与高效的联动机制。 │
│ │（6）经验丰富的管理团队 │
│ │公司联合创始人拥有多年的半导体行业经验，尤其是在功率半导体领域拥有│
│ │着国际一流的视野与技术创新能力。 │
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│经营指标 │报告期内，公司逐步扩大生产规模，产量呈不断提高的趋势；同时，随着公│
│ │司与既有客户的合作关系日趋稳固，以及公司不断打开新的市场，产品销量│
│ │同步呈不断提高的趋势。整体而言，报告期内，公司主要产品高压超级结MO│
│ │SFET及中低压屏蔽栅MOSFET的产销率较高，均超过90%。 │
│ │报告期内，公司根据需求也向客户销售晶圆形态的产品。2018年度、2019年│
│ │度、2020年度和2021年1-6月，公司高压超级结MOSFET产品的晶圆销量分别 │
│ │为3,987片、2,161片、2,628片和2,960片，中低压屏蔽栅MOSFET的晶圆销量│
│ │分别为4,929片、8,919片、12,865片和12,764片，超级硅MOSFET产品和TGBT│
│ │产品不存在销售晶圆的情况。报告期内公司整体晶圆形态的产品销售占比较│
│ │小。 │
│ │2021上半年度，公司实现了IGBT产品的量产与销售，产量为18.98万颗，销 │
│ │量为2.52万颗，产销率为13.28%，产销率较低主要系产品初步实现量产，公│
│ │司仍在不断拓展销售渠道所致。 │
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│竞争对手 │英飞凌（Infineon）、安森美（ON Semiconductor）、意法半导体（ST Mic│
│ │roelectronics）、瑞萨电子（Renesas Electronics）、日本东芝（Toshib│
│ │a）、华润微（688396）、扬杰科技（300373）、华微电子（600360）、新 │
│ │洁能（605111）、士兰微（600460）。 │
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│品牌/专利/经│截至2021年6月30日，公司已获授权的专利53项，包括境内专利38项，其中 │
│营权 │发明专利37项、实用新型专利1项，以及境外专利15项。 │
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│投资逻辑 │公司已成为国内领先的高性能功率器件厂商之一。 │
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│消费群体 │新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等。 │
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│消费市场 │境内、境外 │
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│行业竞争格局│1、高压超级结细分市场竞争格局 │
│ │与MOSFET器件的整体竞争格局相似，高压超级结细分市场主要被海外厂商占│
│ │据，包括英飞凌（Infineon）、德州仪器（Texas Instruments）、安森美 │
│ │（ON Semiconductor）、意法半导体（STMicroelectronics）等国际功率半│
│ │导体厂商占据了主要的市场份额。因此，在高压超级结细分市场中，中国厂│
│ │商仍处于追赶阶段，市场份额占比较小。 │
│ │根据Omdia，公司2020年实现的高压超级结与超级硅产品合计的销售收入约 │
│ │为2.5亿元，占全球高压超级结市场的份额为3.8%，占中国高压超级结市场 │
│ │的份额经估算约为8.6%。 │
│ │同时根据公开数据查询，同样实现高压超级结产品销售并披露销售数据的公│
│ │司包括新洁能以及龙腾半导体。新洁能2019年度实现1.2亿元的高压超级结 │
│ │产品的销售，在2019年全球高压超级结MOSFET的市场占有率为1.7%，在2019│
│ │年中国高压超级结MOSFET的市场占有率经估算约为3.8%。龙腾半导体2020年│
│ │度实现0.5亿元的高压超级结产品销售，在2020年全球高压超级结MOSFET的 │
│ │市场占有率为0.7%，在2020年中国高压超级结MOSFET的市场占有率经估算约│
│ │为1.6%。与新洁能以及龙腾相比，公司更加专注于高压超级结MOSFET产品，│
│ │在此细分市场占有率方面具有一定的优势。 │
│ │2、中低压MOSFET细分市场竞争格局 │
│ │公司2020年度中低压屏蔽栅产品的销售收入0.6亿元，约占2020年全球中低 │
│ │压MOSFET产品市场规模的0.2%，占2020年中国中低压MOSFET产品市场规模的│
│ │0.4%。同时根据公开数据查询，2019年，新洁能实现1.8亿元的中低压屏蔽 │
│ │栅产品销售，约占2019年全球中低压MOSFET产品市场的0.5%，占2019年中国│
│ │中低压MOSFET产品市场的1.1%。公司在中低压MOSFET市场的占有率较小，主│
│ │要系公司前期专注于高压MOSFET领域，来自中低压MOSFET的销售收入较少所│
│ │致。2021年上半年度，公司中低压屏蔽栅产品的销售收入达到8,006.71万元│
│ │，同比增长292.2%，实现了销售收入的大幅增长，预计市场份额能够有进一│
│ │步的提升。 │
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│行业发展趋势│1）工艺进步、器件结构改进所带来的变化 │
│ │采用新型器件结构的高性能MOSFET功率器件可以实现更好的性能，从而导致│
│ │采用传统技术的功率器件的市场空间被升级替代。造成该等趋势的主要原因│
│ │是高性能功率器件的生产工艺不断进行技术演进，当采用新技术的高性能MO│
│ │SFET功率器件生产工艺演进到成熟稳定的阶段时，就会对现有的功率MOSFET│
│ │进行替代。同时，随着各个应用领域对性能和效率的要求不断提升，也需要│
│ │采用更高性能的功率器件以实现产品升级。因此，高性能MOSFET功率器件会│
│ │不断扩大其应用范围，实现市场的普及。未来的5年中会出现新技术不断扩 │
│ │大市场应用领域的趋势。具体而言，沟槽MOSFET将替代部分平面MOSFET；屏│
│ │蔽栅MOSFET将进一步替代沟槽MOSFET；超级结MOSFET将在高压领域替代更多│
│ │传统的VDMOS。 │
│ │2）第三代半导体材料功率器件的替代趋势 │
│ │第三代半导体材料主要为碳化硅和氮化镓，具有禁带宽度大、电子迁移率高│
│ │、热导率高的特点，在高温、高压、高功率和高频的领域有机会取代部分硅│
│ │材料。首先，由于新能源汽车、5G等新技术的应用及需求迅速增加，第三代│
│ │半导体的产业化变得更加迫切。得益于SiC MOSFET在高温下更好的表现，Si│
│ │C MOSFET在汽车电控中将逐步对硅基IGBT模块进行替代。根据Yole的数据，│
│ │2019年应用在新能源汽车的SiC器件市场规模为2.25亿美元，预计到2025年 │
│ │将增长至15.53亿美元，复合增长率为38%。第三代半导体材料仍然处于产业│
│ │化起步阶段，国内已发布多个政策积极推进第三代半导体行业的发展，例如│
│ │2019年国务院发布《长江三角洲区域一体化发展规划纲要》，提出要加快培│
│ │育一批第三代半导体企业。 │
│ │3）功率器件集成化趋势 │
│ │除了MOSFET功率器件在结构及工艺方面的优化外，终端领域的高功率密度需│
│ │求也带动了功率器件的模块化和集成化。在中大功率应用场景中，客户更倾│
│ │向于使用大功率模块。由于大功率模块需要多元件电气互联，同时要考虑高│
│ │温失效和散热问题，其封装工艺和结构更复杂；在小功率应用场景中，功率│
│ │器件被封装到嵌入式封装模块中来提高集成度从而减小整体方案的体积。目│
│ │前，工业领域仍是功率模块的主要应用领域。随着新能源汽车、5G技术的兴│
│ │起，功率器件模块化趋势将愈发显著。根据Omdia预测，2020-2024年分立器│
│ │件市场增速为2.8%，而功率模块市场增速为9.2%，高于分立器件市场增速。│
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│行业政策法规│《中国制造2025》、《战略性新兴产业重点产品和服务指导目录》（2016版│
│ │）、《国务院办公厅关于深化产教融合的若干意见》、《关于集成电路生产│
│ │企业有关企业所得税政策问题的通知》、《关于集成电路设计和软件产业企│
│ │业所得税政策的公告》、《产业结构调整指导目录（2019年本）》、《国家│
│ │信息化发展战略纲要》、《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展│
│ │的若干政策》、《关于促进集成电路产业和软件产业高质量发展企业所得税│
│ │政策的公告》、《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和│
│ │2035年远景目标纲要》。 │
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│公司发展战略│公司始终专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域，是少数具备从专利到│
│ │产品量产完整经验的功率器件设计公司。公司领先的功率器件和工艺创新能│
│ │力已在工业级高压超级结MOSFET产品和中低压MOSFET器件产品领域得到了充│
│ │分的验证。未来，公司将持续聚焦创新型高性能功率半导体产品，致力于成│
│ │为国际领先的功率半导体厂商。 │
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│公司经营计划│1、进一步完善公司治理和规范运作水平 │
│ │公司将严格依照《公司法》《证券法》等有关法律、法规的要求完善公司的│
│ │治理结构，提升公司规范运作水平，提高经营管理决策的科学性、合理性、│
│ │合规性和有效性，提升公司的治理和规范运作水平，为公司业务目标的实现│
│ │奠定基础。 │
│ │2、加强研发技术力量和人才队伍建设 │
│ │公司注重研发技术力量的培养和人才队伍的建设。公司将根据市场需求，以│
│ │引进人才和培养人才为基础，进一步完善公司研发和技术力量建设体系，建│
│ │立并完善技术创新体系，提升公司技术水平、生产经营效率，提高服务客户│
│ │和开拓市场能力。使得人才队伍建设、研发技术力量建设、公司经营效率提│
│ │高形成良性循环，最终实现业绩的增长及公司发展规划。 │
│ │3、充分发挥募集资金和资本平台的作用 │
│ │公司对本次的募集资金运用做了充分的论证，公司将结合业务发展目标、市│
│ │场环境变化、公司业务技术特点，审慎推进募集资金的使用，充分发挥募集│
│ │资金的作用。同时，公司将充分利用上市后的资本平台，增强公司的行业地│
│ │位和竞争优势。 │
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│公司资金需求│超级结与屏蔽栅功率器件产品升级及产业化项目、新结构功率器件研发及产│
│ │业化项目、研发工程中心建设项目、科技与发展储备资金。 │
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│可能面对风险│一、技术风险： │
│ │（一）新产品研发不及预期的风险；（二）技术升级迭代的风险；（三）技│
│ │术泄密的风险 │
│ │二、经营风险： │
│ │（一）市场竞争风险；（二）供应商集中度较高的风险；（三）下游需求波│
│ │动的风险；（四）产品结构较为单一的风险；（五）产业政策变化的风险；│
│ │（六）国际贸易摩擦的风险；（七）供应链管理风险；（八）新型冠状病毒│
│ │疫情持续风险 │
│ │三、管理风险： │
│ │（一）人员规模相对较小的风险；（二）关键技术人员流失、顶尖技术人才│
│ │不足的风险 │
│ │四
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