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东微半导(688261)热点题材主题投资

 

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热点题材☆ ◇688261 东微半导 更新日期:2025-06-07◇ 通达信沪深京F10 ★本栏包括【1.所属板块】【2.主题投资】【3.事件驱动】【4.信息面面观】 【1.所属板块】 概念:充电桩、智能机器、芯片、数据中心、储能、东数西算、三代半导、高压快充 风格:融资融券、专精特新 指数:科创200 【2.主题投资】 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2025-05-06│东数西算 │关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司高压超级结产品和低压SGT产品已大量用于数据中心及算力服务器电源等领域 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2025-04-30│机器人概念 │关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司中低压屏蔽栅MOSFET系列的相关器件产品已在新型机器人领域实现销售。 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2024-11-06│数据中心 │关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司是国内较早进入数据中心服务器电源系统应用的高性能功率器件供应商之一,该领域覆 盖国内外多个重要客户,业务保持高速增长 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2024-10-21│第三代半导体│关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司布局的独创技术的高性能高可靠性第三代半导体MOSFET器件产品开发顺利 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2024-07-31│储能 │关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司产品已应用于储能领域并持续批量出货 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2024-03-07│高压快充 │关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司在直流充电桩领域的产品以高压快充为主。 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2022-07-22│充电桩 │关联度:☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司为国内充电桩提供国产化芯片 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2022-02-10│芯片 │关联度:☆☆☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司的GreenMOS大功率超结MOSFET成为国内市场的知名品牌,在充电桩等高端应用中被众多 一线客户采用。 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2024-02-26│华为持股 │关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 深圳哈勃科技创业投资有限公司是东微半导的十大股东之一,占流通股的8%股份 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2023-10-19│华为概念 │关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 截至2023-09-26,哈勃科技创业投资有限公司持有公司股份466.31万股,占公司总股本的4. 94% ──────┬──────┬──────────────────────────── 2023-06-25│比亚迪概念 │关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司高压超级结MOSFET及中低压SGT MOSFET已批量出货给比亚迪、凯斯库、哈曼、联合电子 等公司 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2022-02-10│IGBT │关联度:☆☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司的创新型IGBT已进入量产,性能达到国际一流水平。 ──────┬──────┬──────────────────────────── ---│不可减持(新 │关联度:☆☆☆☆ │规) │ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司近20个交易日内跌破发行价,依照减持新规,控股股东和实际控制人不可减持。 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2025-03-20│专精特新 │关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司已入选工信部专精特新小巨人企业名单。 【3.事件驱动】 ──────┬─────────────────────────────────── 2023-07-17│IGBT芯片价格居高不下,新能源汽车及光伏领域需求旺盛 ──────┴─────────────────────────────────── 目前IGBT缺货基本在39周以上,供需缺口已经拉长到50%以上,市场部分料号供货周期还是 维持在52周,最长达54周。IGBT领域龙头厂商英飞凌最新的Q2交期维持在39-50周,价格居高不 下。另一家大厂安森美2022-2023年的产能全部售罄,最新的Q2交期在47-52周,远高于英飞凌, 价格一直维持高位。IGBT是具有高电流、高电压、高效率的半导体电源控制元件,能够实现大电 流大电压的开关控制,主要应用于新能源汽车及光伏等领域的电力控制系统中,被誉为新能源汽 车的“CPU”。 ──────┬─────────────────────────────────── 2023-05-26│车用、工业IGBT供应依然吃紧,IGBT行业或受关注 ──────┴─────────────────────────────────── 据业内人士透露,IGBT在工业、车用领域供货仍吃紧,且主流IDM厂一路看好其长期需求。 ──────┬─────────────────────────────────── 2023-05-16│汽车芯片荒野求生,各路玩家入局扩产IGBT、MCU仍一芯难求 ──────┴─────────────────────────────────── 在汽车电动化和智能化大趋势面前,汽车工业正经历着前所未有的产业变革,车载芯片正迎 高速发展阶段。近日有消息称,海外龙头高通将收购以色列汽车芯片公司Autotalks,加码车联 网技术。此外,在今年上海车展上,百度Apollo和蔚来等十余家汽车品牌均展出了在英伟达DRIV E Hyperion计算平台上运行的车型,智能汽车芯片开启算力之争。根据公开数据,传统燃油车所 需汽车芯片数量为600—700颗,电动车所需的汽车芯片数量将提升至1600颗/辆,而更高级的智 能汽车对芯片的需求量将有望提升至3000颗/辆。海思数据预计,2030年汽车电子在汽车总成本 中的占比会达到50%。正是在持续旺盛的需求下,汽车芯片荒似乎仍在蔓延。 ──────┬─────────────────────────────────── 2023-04-28│国家能源局加快推进充电设施建设,2023年将是充电桩销量高增之年 ──────┴─────────────────────────────────── 4月27日,国家能源局发展规划司副司长董万成在新闻发布会上表示,加快推进县乡村充电 基础设施建设。着力推动县城、乡镇公共充电基础设施布局建设,探索充电设施与光伏、储能相 结合,加大县乡村充电网络建设运营支持力度,为新能源汽车下乡创造良好条件。 ──────┬─────────────────────────────────── 2023-03-30│缺货问题2024年难以解决,IGBT被誉为电力电子装置的CPU ──────┴─────────────────────────────────── 自20年以来,绝缘闸极双极性晶体管(IGBT)供不应求,随着车用、工业应用所需用量大增 ,而产能扩增缓慢,认证需时间,考量长期客户关系,以及订单规模下,加上Tesla释出大砍碳 化硅(SiC)用量75%消息,让可能成为替代方案之一的IGBT,缺货问题至少在2024年中前难以解 决。IGBT是第三代功率半导体技术革命的代表性产品,具有高频、高电压、大电流,易于开关等 优良性能,被业界誉为电力电子装置的“CPU”,广泛应用于工业控制、轨道交通、白色家电、 新能源发电、新能源汽车等领域。券商指出,我国是全球最大的IGBT需求市场,产业具有较大的 发展前景,但我国IGBT自给率不足20%,本土替代仍有较大的提升空间。 ──────┬─────────────────────────────────── 2023-02-16│2022年我国充电基础设施数量同比增长近100% ──────┴─────────────────────────────────── 据国家能源局新闻发言人梁昌新近日介绍,2022年我国充电基础设施数量达到520万台,同 比增长近100%。其中,公共充电基础设施增长约65万台,累计数量达到180万台;私人充电基础 设施增长约190万台,累计数量超过340万台。梁昌新说,我国充电市场呈现出多元化发展态势, 目前各类充电桩运营企业3000余家。电动汽车充电量持续增长,2022年全年充电量超过400亿千 瓦时,同比增长85%以上。 ──────┬─────────────────────────────────── 2023-02-10│2023年1月公共充电桩增加6.6万台,同比增长52.6% ──────┴─────────────────────────────────── 2月10日,中国充电联盟发布2023年1月公共充电基础设施运行情况,2023年1月比2022年12 月公共充电桩增加6.6万台,1月同比增长52.6%。截至2023年1月,联盟内成员单位总计上报公共 充电桩184.1万台,其中直流充电桩78.5万台、交流充电桩105.5万台。从2022年2月到2023年1月 ,月均新增公共充电桩约5.5万台。 ──────┬─────────────────────────────────── 2023-02-06│政策与需求共振,充电桩有望进入加速建设期 ──────┴─────────────────────────────────── 2月3日,工信部等八部门发布关于组织开展公共领域车辆全面电动化先行区试点工作的通知 ,通知提到的重点任务包括,促进新技术创新应用。加快智能有序充电、大功率充电、自动充电 、快速换电等新型充换电技术应用,加快“光储充放”一体化试点应用。机构认为,近年来,全 球新能源汽车渗透率持续提升,充电桩作为支撑新能源汽车发展的配套基础设备,受政策端和需 求端双重因素驱动,未来有望进入加速建设期,远期市场空间超千亿元。 ──────┬─────────────────────────────────── 2023-01-19│提升电动汽车充电基础设施,充电桩产业迎来黄金发展期 ──────┴─────────────────────────────────── 中国充电联盟发布数据显示,截至2022年11月,联盟内成员单位总计上报公共充电桩173.1 万台。去年前11个月,全国充电基础设施累计数量为494.9万台,同比增加107.5%;充电基础设施 增量为233.2万台,其中公共充电桩增量同比上涨105.4%,随车配建私人充电桩增量持续上升, 同比上升316.5%。 ──────┬─────────────────────────────────── 2023-01-16│突破性第三代半导体材料,碳化硅利好消息密集催化 ──────┴─────────────────────────────────── 碳化硅领域近期利好消息不断,东尼电子签大单三年交付量剑指90万片,芯片大厂英飞凌扩 大碳化硅材料采购等。碳化硅(Sic)是突破性第三代半导体材料,与前两代半导体材料相比, 以碳化硅制成的器件拥有良好的耐热性、耐压性和极低的导通能量损耗,是制造高压功率器件与 高功率射频器件的理想材料。碳化硅下游应用包括新能源、光伏、储能、通信等领域。 ──────┬─────────────────────────────────── 2022-08-08│新能源汽车+光伏需求旺盛,IGBT产品产能紧张 ──────┴─────────────────────────────────── 据报道,向韩国现代汽车IONIQ 5供应动力模块芯片(IGBT)的世界第一大车载半导体公司 德国英飞凌产出大量不良产品。由于两个月的芯片全部被废弃,从本月开始IONIQ5生产中断的可 能性增大。 机构对全球和中国的新能源汽车IGBT市场规模进行了测算,至2025年,全球新能源汽车IGBT市场 规模将达到116亿美元,是2021年的5倍以上;中国新能源汽车IGBT市场规模将达到387亿元,同 样为2021年的5倍以上。 ──────┬─────────────────────────────────── 2022-07-22│推动能源电子产业发展,IGBT半导体下游深度绑定光伏+新能源车 ──────┴─────────────────────────────────── 工信部电子信息司副司长杨旭东表示,工信部电子司将加快发布《关于推动能源电子产业发 展的指导意见》,目前这一指导意见正在发布的流程中。IGBT是进行能量转换与传输的核心元器 件,在新能源汽车、消费电子、光伏发电、工业控制、智能电网和轨道交通中均有广泛应用。新 能源汽车和光伏是IGBT下游最主要的应用,市场需求占比超过40%。 【4.信息面面观】 ┌──────┬─────────────────────────────────┐ │栏目名称 │ 栏目内容 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │公司简介 │2020年9月15日,东微有限召开股东会,同意将公司整体变更为股份有限公 │ │ │司,股份有限公司名称为“苏州东微半导体股份有限公司”,公司现有全体│ │ │股东为股份有限公司发起人;同意以2020年8月31日为基准日,协调中介机 │ │ │构开展相关审计与资产评估工作。2020年10月25日,天健出具“天健审〔20│ │ │20〕9923号”《审计报告》,确认截至2020年8月31日,公司净资产的审计 │ │ │值为248,683,212.28元。2020年10月25日,江苏中企华中天资产评估有限公│ │ │司出具“苏中资评报字〔2020〕第2071号”《资产评估报告》,根据该评估│ │ │报告,截至2020年8月31日,公司净资产的评估值为252,350,375.56元。该 │ │ │评估结果已提交苏州工业园区国有资产监督管理办公室备案,并取得了《国│ │ │有资产评估项目备案表》。2020年10月25日,东微有限召开股东会,同意以│ │ │截至2020年8月31日的经审计净资产值248,683,212.28元中的4,758.2182万 │ │ │元按股东出资比例分配并折合为变更后的股份公司的注册资本,分为47,582│ │ │,182股,每股面值人民币1元。超出股本部分的净资产201,101,030.28元作 │ │ │为股本溢价,计入股份公司资本公积。同日,公司全体股东暨股份公司全体│ │ │发起人签署《关于变更设立苏州东微半导体股份有限公司之发起人协议》。│ │ │2020年11月10日,东微有限召开创立大会暨第一次临时股东大会,审议《关│ │ │于创立苏州东微半导体股份有限公司的议案》《苏州东微半导体股份有限公│ │ │司章程》《关于选举公司第一届董事会董事的议案》《关于选举公司第一届│ │ │监事会监事的议案》等议案。2020年10月31日,天健对东微有限整体变更设│ │ │立为股份有限公司的出资情况进行了审验,并出具“天健验〔2020〕562号 │ │ │”《验资报告》,确认截至2020年10月26日,公司已收到全体股东拥有的东│ │ │微有限截至2020年8月31日经审计的净资产248,683,212.28元,折合股份47,│ │ │582,182股。2020年11月27日,江苏省市场监管局向公司核发变更后的《营 │ │ │业执照》。统一社会信用代码为:91320594680506522G。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │产品业务 │公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业,产│ │ │品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。 │ │ │公司的主要产品包括GreenMOS系列高压超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS │ │ │系列中低压屏蔽栅MOSFET、TGBT系列IGBT产品以及SiC器件。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │经营模式 │1、研发模式 │ │ │公司产品的研发流程主要包括产品开发需求信息汇总、立项评估与可行性评│ │ │估、项目设计开发、产品试制以及测试验证等四个环节。该四项环节主要由│ │ │研发部、运营部等合作完成,同时,研发部质量团队会全程参与产品研发的│ │ │所有环节,监督各环节的执行过程,以在全环节实现对产品质量的管控。公│ │ │司已制定《产品开发管理程序》,产品研发流程严格遵守该制度约定流程,│ │ │并通过产品生命周期管理系统进行产品开发管控。 │ │ │公司根据各产品类型的市场需求与技术发展方向制定技术路线图,并结合晶│ │ │圆代工和封装厂商的实际制造能力、现有工艺和封测加工能力进行产品开发│ │ │和设计工作。在产品研发设计过程中,公司同时关注并协助开发适合于晶圆│ │ │厂和封装厂的工艺流程。同时,公司具有深度定制开发的能力。在产品研发│ │ │阶段,公司与晶圆代工厂深度合作、共同研发,通过多次反复实验调整,使│ │ │代工厂的工艺能更好地实现公司所设计芯片的性能,最终推出极具性价比的│ │ │产品,更好地贴合终端客户的需求。 │ │ │2、采购与生产模式 │ │ │公司采购的内容主要为定制化晶圆制造、封装及测试服务,以及实验室设备│ │ │的采购。在Fabless模式中,公司主要进行功率器件产品的研发、销售与质 │ │ │量管控,产品的生产采用委外加工的模式完成,即公司将自主研发设计的集│ │ │成电路版图交由晶圆厂进行晶圆制造,随后将制造完成的晶圆交由封测厂进│ │ │行封装和测试。公司的晶圆代工厂商和封装测试服务供应商均为行业知名企│ │ │业。公司建立了以质量部为核心的质量管理体系,有效提高了公司产品和服│ │ │务的整体质量。公司拥有研发部、运营部、销售部等多个业务部门,且各部│ │ │门职能相对独立;同时,公司的质量部协助其他部门制定其操作规范、记录│ │ │和整理日常的工作文档、监督和指导各部门的工作和质量控制流程,其贯穿│ │ │产品开发、生产、运营和销售的整个过程。 │ │ │3、销售模式 │ │ │结合行业惯例和客户需求情况,公司目前采用“经销加直销”的销售模式,│ │ │即公司通过经销商销售产品,也向终端系统厂商直接销售产品。在经销模式│ │ │下,公司与经销商的关系主要为买断式销售关系,公司将产品送至经销商或│ │ │者经销商指定地点;在直销模式下,公司直接将产品销售给终端客户,公司│ │ │将产品送至客户指定地点。 │ │ │公司建立了完善的客户管理制度,对于长期合作客户,公司与其签订框架合│ │ │作协议,并安排专员提供全方位服务;对于其他客户,公司根据订单向其供│ │ │货。半导体行业上下游之间粘性较强,公司产品需要通过较为严格的质量认│ │ │证测试,一旦受到客户的认可和规模化使用后,双方将形成长期稳定的合作│ │ │关系。 │ │ │4、管理模式 │ │ │自创立以来,公司汇聚了国内外优秀的技术和管理专家,积累了丰富的产品│ │ │开发和营销经验,经过多年的摸索和融合,逐渐建立了符合自身发展的管理│ │ │理念和管理体系。公司在日常管理中采用了关键绩效指标管理和综合评分制│ │ │,会与每个员工明确各自的主要责任,并以此为基础设立相应的业绩衡量指│ │ │标。从管理架构上,公司采取矩阵式管理。矩阵式管理既保持了产品开发及│ │ │售后维护的专业性,不断提高和积累技术能力,又能明确项目的责任人和各│ │ │成员的分工和目标,以确保相应任务高质量完成。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │行业地位 │国内高性能功率半导体领域的佼佼者 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │核心竞争力 │1、强大的研发能力,保证公司产品性能国内领先甚至国际领先 │ │ │公司一直以来高度重视技术团队的建设,已建立起了完善的研发团队及体系│ │ │。公司的核心技术人员均在功率半导体领域耕耘超过十年,具有丰富的研发│ │ │经验,并对行业未来的技术发展趋势具有前瞻性的创新能力。公司核心技术│ │ │人员的研发能力保证了公司的技术敏锐度和研发水平,确保了公司的产品迭│ │ │代能够紧跟行业发展趋势,亦满足客户终端产品的创新需求。公司一直以来│ │ │高度重视技术团队的建设,已建立起了完善的研发团队及体系。完整的研发│ │ │团队及体系与持续的研发投入使得公司成为功率器件领域产品性能领先的本│ │ │土企业之一。 │ │ │2、丰富的产品规格,满足不同应用场景的需求 │ │ │功率器件的产品规格丰富,不同规格的产品被应用于不同的应用场景。得益│ │ │于公司丰富的产品系列以及强大的产品开发能力,公司的功率器件产品已被│ │ │广泛应用于各类工业级及消费级领域,包括5G基站电源及通信电源、数据中│ │ │心和算力服务器电源、新能源汽车车载充电机、UPS电源和工业照明电源、 │ │ │直流充电桩、储能和光伏逆变器、PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充│ │ │电器领域等。 │ │ │3、作为国内高性能功率器件的优质供货商之一,拥有强大的客户基础 │ │ │凭借优异的技术实力、产业链深度结合能力和客户创新服务能力,公司已经│ │ │与国内外各行业的龙头客户建立了长期的合作关系。在各类功率器件应用领│ │ │域尤其是工业级应用领域中,公司的产品获得了众多知名企业的认可,成为│ │ │了该等客户的主要国内供应商之一。同时,公司在全球范围内积累了众多的│ │ │知名终端品牌客户。公司进入该等客户的供应链体系后能够持续为公司带来│ │ │高粘性,同时也将推动公司不断进行技术迭代升级以满足引领行业发展的头│ │ │部客户需求,为公司保持高端功率器件领域的领先地位奠定基础。 │ │ │4、稳定的供应商关系提供产能保障,在特殊工艺方面持续技术合作 │ │ │公司与行业上游的晶圆制造厂商、封装测试厂商等供应商建立了长期稳定的│ │ │业务合作关系与高效的联动机制。在根据终端市场需求精确调整产品设计的│ │ │同时,公司具有与上游供应商合作并实现深度定制化开发的能力,主要是基│ │ │于与供应商长期稳定的战略合作关系与高效的联动机制。由于功率器件的制│ │ │造工艺较为特殊,特别是高性能产品的开发需要器件设计与工艺平台的深度│ │ │结合,研发团队需对晶圆厂的基准工艺平台进行深度优化和定制设计。在产│ │ │品研发阶段,公司会与晶圆厂进行深度的共同讨论,通过多次反复工艺调试│ │ │,使得晶圆厂的工艺能更好地实现公司所设计芯片的性能,最终推出经优化│ │ │的产品,更好地贴合终端客户的需求。在这个过程中,晶圆代工厂的工艺能│ │ │力亦在双方互相协作中获得优化和提升,实现了双方技术能力的相互促进和│ │ │提升。 │ │ │5、经验丰富的管理团队,核心成员深耕半导体多年 │ │ │公司是国内领先的高性能功率器件厂商之一。公司目前已积累了知名的国内│ │ │外客户群,产品及方案被各终端应用领域广泛应用,市场认可度逐渐提高。│ │ │一直以来,公司深耕5G基站电源及通信电源、数据中心和算力服务器电源、│ │ │新能源汽车车载充电机、UPS电源和工业照明电源、直流充电桩、储能和光 │ │ │伏逆变器等领域,通过强大的研发实力和优越的产品性能,成为了量产工业│ │ │级和汽车级高压超级结MOSFET、工业级和汽车级中低压SGTMOSFEET及工业级│ │ │新型IGBT器件的高性能功率半导体厂商。 │ │ │公司在高端功率器件领域的技术能力与产品性能已接近国际一流厂商,在人│ │ │工智能及算力服务器、新能源汽车、低空经济等行业蓬勃发展的历史机遇面│ │ │前,公司将进一步发挥本土优势,迅速提升各类产品的市场占有率。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │经营指标 │2024年,公司实现营业收入10.03亿元,较上年同期增加3.12%;实现归属于│ │ │上市公司股 │ │ │东的净利润4023.51万元,较上年同期减少71.27%;实现归属于上市公司股 │ │ │东的扣除非经常性损益的净利润231.93万元,较上年同期减少98.06%。 │ │ │公司主营业务收入分产品系列实现情况如下: │ │ │(1)公司高压超级结MOSFET产品报告期内实现营业收入7.83亿元,较2023 │ │ │年同期减少2.80%; │ │ │(2)公司中低压屏蔽栅MOSFET产品报告期内实现营业收入1.79亿元,较202│ │ │3年同期增长40.09%; │ │ │(3)公司Tri-gateIGBT产品报告期内实现营业收入3714.81万元,较2023年 │ │ │同期增长24.30%; │ │ │(4)公司超级硅MOSFET产品报告期内实现营业收入238.50万元,较2023年 │ │ │同期减少72.28%; │ │ │(5)公司SiC器件产品(含Si2CMOSFET)报告期内实现营业收入63.65万元,│ │ │较2023年同期减少9.65%。 │ │ │2024年,公司主营产品将持续批量出货并新增多个产品送测认证,这将对公│ │ │司主营产品的销售提供持续推动力。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │竞争对手 │英飞凌(Infineon)、安森美(ON Semiconductor)、意法半导体(ST Mic│ │ │roelectronics)、瑞萨电子(Renesas Electronics)、日本东芝(Toshib│ │ │a)、华润微(688396)、扬杰科技(300373)、华微电子(600360)、新 │ │ │洁能(605111)、士兰微(600460)。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │品牌/专利/经│专利:报告期内,公司新增知识产权申请项目15个,其中发明专利申请数12│ │营权 │个;新增知识产权授权项目24个,其中境内发明专利1个,境外发明专利22 │ │ │个。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │投资逻辑 │基于多年的技术优势积累、产业链深度结合能力以及优秀的客户创新服务能│ │ │力,公司已成为国内领先的高性能功率半导体厂商之一。 │ │ │在超级结MOSFET领域,公司积累了包括优化电荷平衡技术、优化栅极设计及│ │ │缓变电容核心原胞结构等行业领先的专利技术,产品的关键技术指标达到了│ │ │与国际领先厂商可比的水平。 │ │ │在中低压屏蔽栅MOSFET领域,公司亦积累了包括优化电荷平衡、自对准加工│ │ │、单胞尺寸等比例缩小、降低寄生电容等多项在设计以及工艺制造中的核心│ │ │技术,产品的关键技术指标达到了国内外领先水平。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │消费群体 │公司的产品广泛应用于以5G基站电源及通信电源、数据中心和算力服务器电│ │ │源、车载充电机、UPS电源和工业照明电源、新能源汽车直流充电桩、光伏 │ │ │逆变及储能为代表的工业级应用领域,以及以PC电源、适配器、TV电源板、│ │ │手机快速充电器为代表的消费电子应用领域。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │消费市场 │境内、境外 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │行业竞争格局│功率半导体行业全球市场集中度高,尤其是高端功率器件领域以美、日、欧│ │ │等国厂商为主导。其中,高压功率MOSFET产品以英飞凌、安森美等厂商为主│ │ │导。IGBT产品市场则由英飞凌、安森美、三菱、富士电机等厂商长期占据垄│ │ │断地位。功率半导体行业在我国则面临着更为复杂的局面,竞争格局较为分│ │ │散,市场集中度较低,Fabless(无晶圆厂)和IDM厂商并存,高端产品依赖进│ │ │口,中低端产品又深陷价格战的泥潭。近年来,随着社会电气化程度的不断│ │ │提高以及新技术的迭代与创新,国产功率半导体企业取得较大进步,国内孕│ │ │育出一批优秀的功率半导体器件企业,逐步从低端市场向高端应用领域持续│ │ │渗透。过去两年,去库存成为了行业的核心任务,整个行业承受着巨大的压│ │ │力。然而,行业的自我修复能力亦不容小觑。随着库存水平的逐步调整和市│ │ │场需求的有序恢复,功率半导体市场正在逐步回暖。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │行业发展趋势│(1)半导体行业整合热潮,产业并购大势所趋 │ │ │2024年以来,证监会等经济主管部门以及各地方政府相继出台了支持上市公│ │ │司并购重组的政策举措,加速推动行业整合。上海、深圳、苏州等地的地方│ │ │行动方案进一步支持企业并购重组。其中,苏州在今年1月发布了《苏州市 │ │ │推进并购重组促进高质量发展行动方案(2025—2027年)》,包括提升苏州│ │ │企业并购重组积极性、引导国有企业通过并购重组做优做强、丰富并购重组│ │ │融资渠道、搭建并购重组综合服务平台、优化提升并购重组营商环境、加强│ │ │对并购重组活动的风险防控等,支持上市公司、相关国企把握并购重组机遇│ │ │、赋能经济高质量发展。鼓励企业在集成电路等重点产业赛道上积极开展并│ │ │购重组,快速提升产业规模和实现关键技术突破。从全球半导体行业发展历│ │ │程来看,并购是很多国际知名半导体企业走强的有效经验,国内半导体并购│ │ │热潮的持续升温,体现了政策支持和市场需求的双向驱动。 │ │ │(2)国家及地方政策陆续出台,为行业发展提供有利的宏观环境 │ │ │近年来,国家及地方出台了多项产业和财税政策推动半导体产业发展,为功│ │ │率半导体提供了良好的产业发展环境和可靠保障。 │ │

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