热点题材☆ ◇688525 佰维存储 更新日期：2024-05-01◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.所属板块】【2.主题投资】【3.事件驱动】【4.信息面面观】
【1.所属板块】
概念:芯片、汽车芯片、信创、Chiplet、存储芯片
风格:融资融券、高市净率、亏损股、高贝塔值、两年新股、户数增加、基金增仓、专精特新、
非周期股
指数:科创信息、科创芯片、科创100
【2.主题投资】
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2023-05-19│存储芯片 │关联度：☆☆☆
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公司针对智能汽车前装市场已推出车载eMMC、UFS、LPDDR以及BGASSD等嵌入式存储芯片，目
前处于客户验证和导入阶段。
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2023-01-30│汽车芯片 │关联度：☆☆☆
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公司针对智能汽车前装市场已推出车载eMMC、UFS、LPDDR以及BGA SSD等嵌入式存储芯片
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2023-01-10│信创 │关联度：☆☆☆
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公司有适用于信创应用场景的固态硬盘、内存模组等，可满足信创领域安全可控的产品应用
需求，公司为信创固态硬盘的主力供应商。
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2023-01-03│Chiplet概念 │关联度：☆☆☆
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公司掌握16层叠 Die、30~40μm超薄Die、多芯片异构集成等先进封装工艺，为NAND、DRAM
芯片和SiP封装产品的创新力及大规模量产提供支持。
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2023-01-03│芯片 │关联度：☆☆☆
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公司主要从事半导体存储器的存储介质应用研发、封装测试、生产和销售，主要产品及服务
包括嵌入式存储、消费级存储、工业级存储及先进封测服务。
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2024-04-30│财报高增长 │关联度：☆☆☆
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截止2024-03-31公司归属母公司净利润同比增长232.97%
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2023-11-16│华为概念 │关联度：☆☆☆
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公司是华为NM卡合作伙伴，获得华为NM存储卡的专利许可授权
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2023-10-07│大基金持股 │关联度：☆☆☆
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截止2023-06-30，华芯投资管理有限责任公司-国家集成电路产业投资基金二期股份有限公
司持股比例占公司总股本的8.57%
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2024-04-30│高市净率 │关联度：☆☆☆☆☆
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截止2024-04-30,公司市净率(MRQ)为：10.3837
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2024-04-30│高贝塔值 │关联度：☆☆☆☆☆
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截止2024-04-30,最新贝塔值为:3.9937
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2024-04-30│非周期股 │关联度：☆☆☆
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公司属于集成电路设计（通达信研究行业）
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2024-03-31│户数增加 │关联度：☆☆☆☆☆
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截止2024-03-31股东户数相对于2023-12-31变动76.4784%
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2024-01-12│基金增仓 │关联度：☆☆☆☆
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截止2023-09-30,基金持仓309.04万股(增仓216.20万股),增仓占流通股本比例为5.58%
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2023-12-30│两年新股 │关联度：☆☆☆
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公司于2022-12-30上市，发行价：13.99元
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2023-11-14│亏损股 │关联度：☆☆☆
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截止2023-09-30公司扣非净利润为:-48735.22万元，净资产收益率为：-24.35%
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2023-01-10│专精特新 │关联度：☆☆☆
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公司已入选工信部国家级专精特新小巨人企业名单。
【3.事件驱动】
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2024-03-06│需求旺盛，三星和SK海力士考虑增加高端存储芯片投入
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据媒体报道，由于AI需求强劲，HBM和DDR5的订单有望增加，三星电子和SK海力士加强对高
价值DRAM产品的关注，正在考虑增加工厂的半导体晶圆投入量，以加快向10纳米第四代（1a）和
第五代（1b）版本的过渡，生产HBM、DDR5和LP-DDR5等高价值产品。开源证券发布研报表示，DR
AM/NAND价格分别从2021Q4/2022Q3开始下跌，连跌数季，分别于2023Q4和2023Q3起回涨，目前正
处于新一轮上行周期当中。随着价格的持续回暖，以及HBM和DDR5等高端产品的需求增长，存储
芯片板块上下游公司有望充分受益。
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2024-01-11│三星计划提升HBM和DDR5产能，AI需求带动存储产业链景气度增长
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据报道，三星已从子公司Semes订购了数十台热压（TC）键合机。由于TC键合机用于堆叠DRA
M，并且是制造高带宽内存（HBM）和DDR5的必备设备，因此该订单表明三星今年可能会专注于先
进DRAM的生产。鉴于TC键合机的订单量很大，预计三星还将订购泛林集团制造的Syndion（用于
硅通孔（TSV）蚀刻）、Damascene SABRE 3D，这两种设备也用于HBM的生产。
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2023-12-22│大涨超8%！存储巨头明年业绩展望超预期
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美光科技第一财季营收同比增长16%至47亿美元，并上调第二财季业绩指引。美光表示，数
据中心的存储器需求强劲，正在协助弥补PC和智能手机市场存储器需求的缓慢复苏，带动市场对
美光库存过剩正在缓解的预期。昨夜美股美光科技涨超8%，创下2022年3月以来最大涨幅。
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2023-10-10│NAND产品涨超10%，存储巨头再度调涨芯片报价
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据韩媒报道，日前多位消息人士透露，三星内部认为目前NANDFlash供应价格过低，公司计
划今年四季度起，调涨NANDFlash产品的合约价格，涨幅在10%以上；预计最快本月新合约便将采
用新价格。今年以来，三星一直奉行减产战略，1月、4月已连续宣布调整晶圆投入。最初的减产
举措主要集中在DRAM领域，之后下半年三星开始着手大幅削减NANDFlash业务产量，眼下正试图
推动NAND价格正常化。如今DRAM已出现价格反弹，而NAND产品仍存突破空间。三星目标是扩大减
产规模，降低供应量，再提高产品价格来寻求反转，其期望明年第二季实现NAND盈亏平衡点。
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2023-09-20│NAND资源供应趋紧，9月备货需求旺盛
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随着原厂减产生效，上游资源端放缓出货节奏，加上本月备货需求旺盛，存储现货市场供需
状况加速好转，供应端普遍惜售低价库存，推动成品端价格跟随成本稳步上扬。而临近Q4，市场
预期持续升温，三季度末部分NANDwafer供应也按下暂停键，现货市场NAND资源供应愈加趋紧。
据CFM闪存市场数据显示，本周最新1Tb/512GbNANDFlashwafer价格分别上调至3.45/1.72美元，D
DR416Gb3200/16GbeTT价格分别上调至2.43/2.17美元。
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2023-09-18│机构预计2024年全球存储领域设备支出将增长65%
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据SEMI最新报告显示，存储领域设备支出预计将在2023年下降46%后，在2024年强劲回升，
增长65%至270亿美元。具体而言，DRAM投资预计将同比下降19%，至2023年为110亿美元，但2024
年将恢复至150亿美元，预计将增长40%；NAND支出2023年将减少67%，至60亿美元，但到2024年
将飙升113%，达到121亿美元。
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2023-09-14│存储芯片报价止跌回升，产业已迈入复苏阶段
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存储报价近期开始出现止跌信号，NANDFlash报价于第三季开始回升，且三星第四季扩大减
产，支撑涨势延续；DRAM报价上涨时间虽然递延，但第四季守稳，有望于2024年上半年开始回升
。整体而言，存储产业已迈入复苏循环，但由于终端需求力道不强，报价上涨较为温和，预期上
游存储芯片制造及封装获利改善速度较慢。
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2023-09-08│NAND价格已触底，部分客户甚至接受30%-35%价格上涨
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摩根士丹利在最新报告中指出，由于NAND价格已触底，闪存厂商群联目前已看到来自大陆的
模组与智能手机客户需求增强，部分客户甚至已接受了30%至35%的价格上涨。券商认为，复盘历
史，存储器价格下行周期为1-2年，本轮下行周期从2021年年中开始，目前存储器价格已从高点
跌幅超60%，已超过历史最大跌幅50%，但结合各存储大厂已纷纷下调产能计划，并随着物联网(I
oT)、智能汽车、工业机器人等对存储芯片的需求拉动，存储价格有望逐渐接近下行周期底部，
并看好2023年下半年存储板块迎来拐点。此外，AI算力需求拉动高算力服务器出货，而AI服务器
的存力需求更强，AI将驱动“从算力到存力”的中长期需求。
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2023-09-07│车载超级计算拉动Chiplet需求，Chiplet（先进封装）迎发展良机
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欧洲知名研究机构lmec日前提出，未来车载超级计算无法再使用单片IC设计在一个封装中实
现，因为尺寸和复杂性将变得难以管理。Chiplet设计允许在不触及单个芯片物理限制的情况下
扩大组件数量，它正在各种超级计算应用中实施，汽车也不能落后。机构预计到2025年，全球先
进封装占比将达到49.4%，尤其是算力芯片等大规模集成电路演进中，多芯片集成、2.5D/3D堆叠
的Chiplet技术将得到加速发展。
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2023-09-06│新规格DDR5价格开始反弹，需求方企业接受提价
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据BusinessKorea报道，最新DRAM规格DDR5开始出现价格反弹。市场研究公司DRAMExchange
统计，最新的DRAM规格DDR5,16Gb（2Gx8）固定成交价平均为3.40美元，较上月3.17美元的价格
上涨7.26%。由于供应商在价格谈判中态度强硬，需求方企业也接受了小幅提价。
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2023-08-10│存储芯片四季度起供给将低于需求，价格将可望延续上涨趋势
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存储芯片三大厂减产效应陆续显现，据台媒消息，DRAM与NANDFlash供过于求的情况从第3季
将明显改善，最快从第4季起供过于求比例将由正转负。随着DDR5超频效能逐渐提升，AI运算带
动新品规格升级及云端应用采用率提高，DDR5现货价率先调整后，合约价于第3季也酝酿走扬，
由于存储模组厂及OEM厂的库存较低，7月DDR516GB模组价格逆势调涨3%~4%，预料上游DRAM供给
增量有限，第3季DDR5价格将可望延续上涨趋势。
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2023-07-31│存储芯片春天虽迟但到，AI点燃需求HBM救场
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随着各路资本持续加注人工智能，高带宽内存（HBM）供不应求，包括英伟达、AMD、微软和
亚马逊等全球科技巨头都在竞购SK海力士的第五代高带宽内存HBM3E。近日HBM“救场”存储芯片
巨头财报，三星电子存储业务所在DS部门二季度亏损收窄，SK海力士二季度销售额超出分析师预
期，公司表示，生成式AI市场的扩张已迅速推高了对AI服务器内存的需求，因此，HBM3和DDR5等
高端产品的销量增加。
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2023-07-24│AI推动HBM和DDR5价格和需求上升
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由于人工智能需求激增，HBM和DDR5的价格和需求都在增长。HBM的价格是现有DRAM产品的5-
6倍；DDR5的价格也比DDR4高出15%到20%。
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2023-07-18│存力中心将是一大新趋势，存储设备在数据中心采购占比进一步提升
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华为分布式存储领域副总裁表示，过往两年国内建设了很多算力中心，而目前很多省份也开
始建设大量的存力中心，这是我们看到的一大新趋势。得益于人工智能、物联网、云计算等新兴
技术的快速发展，中国数据正在迎来爆发式增长，驱动存储设备在数据中心采购占比进一步提升
。AI技术革命推动高算力服务器等基础设施需求提升，AI服务器所需的DRAM/NAND分别是常规服
务器的8/3倍。市场人士表示，随着数据量的大规模增长，存储设备在数据中心采购的BOM中占比
进一步提升，美光曾提及，目前存储芯片在数据中心采购中比例约为40%，未来预计将提升至50%
。数据中心将成为引领存储市场增长的重要引擎。
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2023-07-06│三星DRAM月产量降至两年来新低，行业频现库存改善信号
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据韩媒报道，测算数据显示，7月三星将DRAM月产量削减至62万片晶圆，同比减少12%以上，
创下了公司自2021年第三季度以来DRAM产量的新低。有半导体业内人士表示，三星的DRAM工厂中
，除了采用最先进工艺制程的平泽园区之外，基本所有产线的DRAM产量都在下降。距离三星4月
宣布减产已过去了三个月，如今减产效果真正显现。但这并不是全部，报道称三星内部计划将减
产持续至明年，在半导体市场重回供需平衡之前，公司将避免扩产存储芯片。与此同时，三星也
开始积极与主要客户重新谈判DRAM价格——外界认为，这也意味着三星正在逐渐摆脱库存过剩的
负担。
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2023-06-30│存储芯片三巨头集体酝酿涨价，减产效应预计下半年显现
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DRAM原厂均已进入长时间亏损衰退，目前价格跌无可跌已成共识，巨头涨价潮似乎已在酝酿
之中。业内人士透露，面对行业传统旺季，三大原厂（三星、SK海力士、美光）都计划调涨DRAM
的下一季度合约价，目标涨幅7%-8%。近期部分手机和服务器厂商订单释出已开始有所起色，由
于调涨产品涨幅也在接受范围内，加上原厂减产效应预计下半年将开始显现，因此核心客户基本
已默认接受存储市况已降无可降的现实。
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2023-06-14│存储芯片反转信号涌现，机构看好下半年迎整体价格拐点
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近期，存储芯片行业反转迹象不断涌现：库存减少、订单见长、企业酝酿涨价并开启投资。
三星5月已确认批准存储芯片投资，日前还计划提高NAND晶圆价格。SK海力士部分客户库存补货
订单已开始兑现，分析师预计Q2其DRAM、NAND出货量有望分别环比增长32%、17%。机构分析师表
示，随着2023年下半年行业改善预期回升，部分客户增加了库存补货订单，内存制造商持有的库
存开始减少。随着内存制造商库存下降，行业状况预计将从2023年第三季度开始真正改善，届时
DRAM和NAND的ASP有望转升。
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2023-05-31│机构预计2025年中国分布式存储市场规模将超200亿元，将为存储芯片带来增量
│市场
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日前，赛迪顾问发布《中国分布式存储市场研究报告（2023年）》。报告显示，中国分布式
存储市场规模快速发展，尽管相比集中式存储仍有一定差距，但2020年至2022年市场规模增速比
集中式存储高了近20个百分点。2023年至2025年，数字中国建设进入重要时期，分布式存储的高
扩展性、高效作业等优势将越发显著，预计到2025年中国分布式存储市场规模有望达到211.4亿
元，规模将比2022年翻一番。
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2023-05-31│英伟达推出AI超级计算机，内存扩大500倍
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NVIDIA创始人黄仁勋在COMPUTEX2023现场发布了“巨型GPU“GH200芯片，并表示谷歌云、Me
ta和微软会率先体验。此次发布最重磅的产品为超级计算机DGXGH200，其集成了英伟达最先进的
加速计算和网络技术。黄仁勋在演讲中宣布，生成式AI引擎NVIDIADGXGH200现已投入量产。华西
证券认为，AI服务器带来存力硬件需求上行，预计全球数据生成、储存、处理量将呈等比级数增
长。
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2023-05-29│存储芯片底部复苏，业界首款LPDDR闪存速度提高20倍
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英飞凌近日推出业界首款LPDDR闪存，以打造下一代汽车电子电气（E/E）架构。该器件的性
能是当前NOR闪存的8倍，实时应用的随机读取交易速度提高了20倍。业内指出，尽管存储芯片正
面临市场价格的“雪崩”，但以三星、海力士和美光三巨头为代表的存储厂商动态来看，长期的
市场信心依然屹立不倒。未来LPDDR的使用范围也将会从智能手机逐渐扩展到AI、汽车、数据中
心、服务器等应用场景，市场前景越来越广阔。
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2023-05-23│美光公司在华未通过网络安全审查，存储芯片国产替代迎来良机
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据网信办官网，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审
查。审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造
成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审
查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光
公司产品。
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2023-04-28│存储芯片DRAM价格企稳反弹，复苏有望快于预期
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美光消费零部件相关部门日前已正式向经销商发出通知称，自5月起，DRAM及NANDFlash将不
再接受低于现阶段行情的询价——换言之，美光认为现阶段价格已是最低行情，不再响应降价要
求。三星日前也已通知经销代理商，将不再以低于当前价格出售DRAM芯片。从2023年4月现货价
格表现来看，DRAM报价跌幅已明显收敛，各项规格的单月跌幅均缩小至5%以内，甚至有产品价格
已止跌上涨。DRAM现货价格停止下跌时间明显早于预期。由于外界预期三星减产项目将锁定主流
DDR4产品，因此4月DDR416Gb价格仅下滑1%~2%，DDR48Gb跌幅不到1%，DDR34GB下滑近4%，均低于
3月的产品跌幅（DDR48Gb及16Gb跌幅约7%~8%，DDR34GB跌幅6%）。
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2023-04-18│先进封装带来核心增量，半导体封测未来市场规模料超3000亿
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全球封测龙头日月光披露营收情况。营运长吴田玉给出乐观展望，今年Q1客户持续去库存，
预期应是全年营收谷底；后续需求复苏下，营收有望逐季增长。机构预计先进封装为封测市场带
来核心增量。先进封装主要包括扇出晶圆级封装（FO）、晶圆片级芯片规模封装（WLCSP）、2.5
D/3D封装和系统级封装（SiP）等，可以在增强芯片性能效用的同时降低成本、保证良率，是后
摩尔时代芯片发展的核心技术之一。在Chiplet的系统级架构设计下，通过2.5D/3D堆叠等先进封
装技术，使用10nm工艺制造出来的芯片可以达到7nm芯片的集成度，同时研发投入和一次性生产
投入则比7nm芯片的投入要少的多。
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2023-04-17│海外存储大厂HBM订单激增价格飚涨5倍
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ChatGPT发展带动第三代HBM报价大涨，2023年开年后三星、SK海力士两家存储大厂HBM订单
快速增加，价格也水涨船高，据悉近期HBM3规格DRAM价格上涨5倍。AI应用快速放量之下，AI服
务器所需DRAM容量为常规服务器的8倍，拉动DRAM需求大幅增长。HBM突破了内存容量与带宽瓶颈
，被视为新一代DRAM解决方案。AI对话程序在执行计算期间需要大容量、高速的存储支持，预计
AI芯片发展也将会进一步扩大高性能存储芯片（HBM）需求。
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2023-04-06│汽车存储+AI应用将为存储芯片带来增长动力
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ChatGPT类生成式AI应用需要在海量的训练数据中进行学习，ChatGPT经历3次迭代，参数量
从1.17亿增加到1750亿，计算存储是其重要基石。随着AI新时代开启，预计全球数据生成、储存
、处理量将呈等比级数增长，存储器将显著受益。全球存储巨头美光科技近期表示行业库存正在
减少，存储芯片市场已见底，季度营收增长转折点到来，下一季度财报业绩就可迎来环比增长。
此外，高等级自动驾驶汽车对车载存储容量、密度和带宽需求正在大幅提升，机构认为汽车存储
或将成长为存储行业终端需求的一大支柱，为主流存储芯片和利基型存储芯片带来增长动力。
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2023-04-03│存储芯片供给过剩现象将进一步改善，2023年下半年或迎复苏
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由于存储器芯片价格疲软，加上库存水位过高，近期存储器产业市况低迷。美国独立投行Ra
ymondJames分析师表示，未来几个月，存储器大厂美光仍处低谷，预计美光的利润将在2023会计
年度第三季（截至2023年5月）触底，并表示随着各家存储器大厂纷纷大幅减产，存储芯片供给
端过剩现象将进一步改善。
【4.信息面面观】
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│栏目名称 │ 栏目内容 │
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│公司简介 │公司是由佰维有限于2016年8月16日以整体变更方式设立。2016年7月6日， │
│ │中审亚太会计师事务所（特殊普通合伙）出具《审计报告》（中审亚太审字│
│ │(2015)020235号），经其审计，截至2016年5月31日，佰维有限的净资产为2│
│ │52,650,434.10元。2016年7月7日，上海立信资产评估有限公司出具《资产 │
│ │评估报告书》（信资评报字(2016)第2075号），经其评估，截至2016年5月3│
│ │1日，佰维有限的净资产评估值为人民币32,296.55万元。同日，佰维有限股│
│ │东会作出决议，同意佰维有限以2016年5月31日经中审亚太会计师事务所（ │
│ │特殊普通合伙）审计的财务数据为基准整体变更为股份有限公司。2016年7 │
│ │月15日，孙成思、吴奕盛、冯伟涛、陈兆良、卢建乔、孙静、孙亮、徐健峰│
│ │、深圳方泰来、冯伟生、周雅、刘细妹、孙健超、卢洪丰、深圳泰德盛、刘│
│ │晓斌、龙海、王子尧、董麟、李梓民、江燕君、陆亮共22名发起人签署《发│
│ │起人协议》，同意佰维有限整体变更为股份有限公司，并对拟设立股份有限│
│ │公司的名称、注册资本及股份总数、出资方式、各发起人认购股份数及持股│
│ │比例、公司筹备事宜、发起人的权利和责任等内容作出明确约定。2016年7 │
│ │月22日，发行人召开创立大会暨第一次股东大会会议并作出决议，审议通过│
│ │了《关于<股份公司筹办情况的报告>的议案》《关于变更设立股份公司的议│
│ │案》等议案及《公司章程》等制度；同意以中审亚太会计师事务所（特殊普│
│ │通合伙）审计的财务数据为基准，整体变更为股份有限公司；同意变更后的│
│ │股份有限公司的股本总数为10,000.00万股，每股面值1.00元，注册资本为1│
│ │0,000.00万元；由股份公司22名发起人以其出资所对应的发行人截至2016年│
│ │5月31日的净资产252,650,434.10元按1：0.3958的比例折合为公司股本10,0│
│ │00.00万股，余额152,650,434.10元计入股份公司资本公积金。同日，中审 │
│ │亚太会计师事务所（特殊普通合伙）出具《验资报告》（中审亚太验字(201│
│ │6)020827号），经其审验，截至2016年7月22日，佰维存储（筹）已收到全 │
│ │体发起人以其拥有的佰维有限2016年5月31日为基准日经审计的净资产折合 │
│ │的股本10,000.00万元。2016年8月16日，深圳市市监局向发行人核发《营业│
│ │执照》（统一社会信用代码：91440300561500443T)。 │
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│产品业务 │公司主要从事半导体存储器的存储介质应用研发、封装测试、生产和销售，│
│ │主要产品及服务包括嵌入式存储、消费级存储、工业级存储及先进封测服务│
│ │。 │
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│经营模式 │1、盈利模式 │
│ │佰维存储在半导体存储器领域，整合了存储介质特性研究、固件算法开发、│
│ │存储芯片先进封装、存储芯片测试设备研发与算法开发、品牌运营等，从而│
│ │构筑了研发封测一体化的经营模式。 │
│ │在研发封测一体化经营模式下，公司针对市场的不同需求进行产品设计、研│
│ │发及原材料选型，从供应商购入NANDFlash晶圆及芯片、DRAM晶圆及芯片、 │
│ │主控晶圆及芯片等主要原材料，进行IC封测及/或模组制造，将原材料制成 │
│ │半导体存储器，再将产品销售给下游客户。该模式为公司在产品创新及开发│
│ │效率、产能及品质保障等方面带来较强的竞争优势，同时规避了晶圆迭代的│
│ │技术风险和过重的资本投入。 │
│ │2、研发模式 │
│ │公司高度重视产品设计研发，秉持以客户需求为牵引的核心原则，构建了基│
│ │于IPD管理理念的产品研发体系，通过组建包括市场、开发、生产制造、财 │
│ │务、质量等多领域员工参与的PDT集成开发团队，实现了从市场需求分析、 │
│ │立项论证、产品开发、产品验证、产品发布的全过程技术与质量管控，有效│
│ │的保障了产品的技术先进性、产品交付质量及商业成功。 │
│ │3、生产模式 │
│ │在公司自有产能无法全部满足生产需求时，部分产品会通过外协加工方式完│
│ │成生产。 │
│ │4、采购模式 │
│ │佰维存储根据自身生产工序特点及终端存储器产品需求，建立起完善的供应│
│ │商采购体系：芯片类产品在生产过程涉及的原辅料主要包括NANDFlash晶圆 │
│ │、DRAM晶圆、主控芯片、基板等；模组类产品在生产过程涉及的原辅料主要│
│ │包括Flash芯片、DRAM芯片、主控芯片、PCB等，其中Flash芯片主要由公司 │
│ │芯片封测生产模块提供。 │
│ │5、销售模式 │
│ │根据半导体存储器行业特点及下游客户的需求，公司采用直销与经销相结合│
│ │的销售模式。 │
│ │6、管理模式 │
│ │（1）管理架构 │
│ │公司根据专业化运营的要求，构建了完善的公司治理体系，建立了全面覆盖│
│ │研发、生产、采购、销售和管理的组织机构。公司通过制度体系的建设和完│
│ │善，对日常经营实现了制度化、流程化和信息化的有序管理。 │
│ │（2）管理制度
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