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锴威特(688693)热点题材主题投资

 

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热点题材☆ ◇688693 锴威特 更新日期:2025-04-02◇ 通达信沪深京F10 ★本栏包括【1.所属板块】【2.主题投资】【3.事件驱动】【4.信息面面观】 【1.所属板块】 概念:芯片、三代半导 风格:融资融券、回购计划、高贝塔值、两年新股、破发行价、专精特新、微小盘股 指数:无 【2.主题投资】 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2023-08-18│芯片 │关联度:☆☆☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司的功率器件以平面MOSFET为主,平面MOSFET产品包括集成快恢复高压功率MOSFET(FRMO S)系列产品。 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2023-08-18│第三代半导体│关联度:☆☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司在第三代半导体器件方面,利用掌握的“短沟道碳化硅MOSFET器件系列产品沟道控制及 其制造技术”实现了SiC MOSFET稳定的性能和优良的良率控制。 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2025-01-25│业绩预亏 │关联度:☆☆☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 预计公司2024年01-12月归属于母公司所有者的净利润为-10500万元至-7500万元,与上年同 期相比变动幅度为-690.05%至-521.47%。 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2024-10-30│摩根中国A股 │关联度:☆ │基金持股 │ ──────┴──────┴──────────────────────────── 截止2024-09-30,MORGAN STANLEY & CO. INTERNATIONAL PLC.持有22.04万股(占总股本比例 为:0.30%) ──────┬──────┬──────────────────────────── 2024-10-30│境外知名投行│关联度:☆ │持股 │ ──────┴──────┴──────────────────────────── 截止2024-09-30,法国巴黎银行-自有资金持有35.27万股(占总股本比例为:0.48%) ──────┬──────┬──────────────────────────── 2023-08-18│碳化硅 │关联度:☆☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司在第三代半导体器件方面,利用掌握的“短沟道碳化硅MOSFET器件系列产品沟道控制及 其制造技术”实现了SiC MOSFET稳定的性能和优良的良率控制。 ──────┬──────┬──────────────────────────── ---│不可减持(新 │关联度:☆☆☆☆ │规) │ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司近20个交易日内跌破发行价,依照减持新规,控股股东和实际控制人不可减持。 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2025-04-01│微小盘股 │关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 截止2025-04-01公司AB股总市值为:24.95亿元 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2025-04-01│破发行价 │关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 截止2025-04-01,公司收盘价相对于发行价跌幅为:-16.52% ──────┬──────┬──────────────────────────── 2025-04-01│高贝塔值 │关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 截止2025-04-01,最新贝塔值为:3.00 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2025-03-03│回购计划 │关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司拟回购不超过2000万元(34.69万股),回购期:2024-12-16至2025-12-15 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2024-08-18│两年新股 │关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司于2023-08-18上市,发行价:40.83元 ──────┬──────┬──────────────────────────── 2023-08-02│专精特新 │关联度:☆☆☆ ──────┴──────┴──────────────────────────── 公司已入选工信部国家级专精特新小巨人企业名单。 【3.事件驱动】 暂无数据 【4.信息面面观】 ┌──────┬─────────────────────────────────┐ │栏目名称 │ 栏目内容 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │公司简介 │公司主营业务为功率半导体的设计、研发和销售,并提供相关技术服务。公│ │ │司坚持"自主创芯,助力核心芯片国产化"的发展定位,主要产品包含功率器│ │ │件及功率IC两大类。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │产品业务 │公司主营业务为功率半导体的设计、研发和销售,并提供相关技术服务。功│ │ │率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心,可实现电源开关和电能│ │ │转换的功能,实现变频、变相、变压、逆变、变流、开关的目的。公司坚持│ │ │“自主创芯,助力核心芯片国产化”的发展定位,始终围绕功率半导体产品│ │ │不断进行业务开拓和持续创新,主要产品包含功率器件及功率IC两大类。在│ │ │功率器件方面,公司产品以高压平面MOSFET为主,并在平面MOSFET工艺平台│ │ │基础上设计研发了集成快恢复高压功率MOSFET(FRMOS)系列产品;在功率I│ │ │C方面,公司产品主要包括PWM控制IC和栅极驱动IC。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │经营模式 │公司为采用Fabless经营模式的芯片设计企业,将晶圆制造和封测环节委外 │ │ │,晶圆代工厂根据公司提供的产品设计版图、工艺制程要求完成晶圆的加工│ │ │制造,经公司验收后,公司再根据市场需求对其进行委外封装和测试。通过│ │ │将制造、封装、测试环节委外,公司可将研发力量集中于功率半导体芯片设│ │ │计环节,专注于自身所擅长的领域,提升核心竞争力;同时Fabless经营模 │ │ │式较IDM经营模式更为灵活,公司可快速根据市场变化进行产品结构调整。 │ │ │1、研发模式 │ │ │公司制定了系统的研发管理制度和版图设计流程规范,包括《产品设计开发│ │ │控制程序》《版图设计管理规定》《产品验证管理规定》《工程封装管理规│ │ │定》等,对研发过程中各个环节进行了规范,保证设计研发产出符合公司要│ │ │求规定,从而提升研发产出效率和成功率。研发流程主要包括论证阶段、设│ │ │计阶段、工程试制阶段和定型阶段。 │ │ │2、采购模式 │ │ │公司采购内容主要包括晶圆和封装测试服务。公司自主设计研发相关产品,│ │ │再委托晶圆代工厂商生产并向其采购。晶圆采购根据公司是否提供原材料外│ │ │延片分为直接委外和带料委外两种采购形式:对于直接委外,晶圆代工厂自│ │ │行采购外延片并根据公司设计版图(公司设计版图的具体载体为GDS文件或 │ │ │掩膜版)及工艺要求制造出公司所需晶圆,向公司销售加工后晶圆;对于带│ │ │料委外,由公司提供外延片,晶圆代工厂仅负责晶圆制造,根据公司提供的│ │ │设计版图及工艺要求制造出公司所需晶圆,并向公司收取加工费。两种模式│ │ │所采购晶圆均为公司自主设计研发。对于加工后晶圆,晶圆代工厂具备中测│ │ │条件的,公司会直接采购中测后晶圆,如晶圆代工厂不具备中测条件,公司│ │ │采购加工后晶圆后,再另行委外中测,中测完成后入库。 │ │ │公司制定了《采购控制程序》,对晶圆、外延片、封装、包辅料等采购流程│ │ │制定了严格规定并遵照执行。公司还制定了《供应商开发和管理程序》《wa│ │ │fer委外加工管理规定》《CP委外加工管理规定》《封装委外加工管理规定 │ │ │》等规定,对各类外协采购进行严格管理和控制,保证外协采购内容满足公│ │ │司要求。 │ │ │3、销售模式 │ │ │公司采取直销为主、经销为辅的销售模式,主要直销客户多为业内知名的芯│ │ │片设计公司及高可靠领域客户;经销客户为公司的经销商。公司的经销模式│ │ │为买断式,属于行业内的常规模式。公司制定了《成品客户管理规定》《报│ │ │价管理规定》《售后服务管理制度》《客户投诉处理控制程序》等规定,其│ │ │中对经销商的导入、价格制定、客诉流程等方面均作出了详细规定,公司与│ │ │经销商均签署《产品授权经销协议》,对双方的权利和义务作出明确规定。│ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │行业地位 │FRMOS市占率位国内企业排名前五 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │核心竞争力 │(1)公司的研发和技术优势 │ │ │公司是国家高新技术企业、国家级专精特新“小巨人”企业、国家鼓励的重│ │ │点集成电路设计企业,江苏省“科技小巨人企业”“江苏省潜在独角兽企业│ │ │”、江苏省半导体行业协会理事单位,公司研发中心获“江苏省高可靠性功│ │ │率器件工程技术研究中心”认证。截至2023年12月31日,公司已获授权专利│ │ │88项(其中发明专利47项、实用新型专利41项),集成电路布图设计专有权76│ │ │项。 │ │ │(2)丰富的产品矩阵 │ │ │公司坚持“自主创芯,助力核心芯片国产化”的发展战略,公司目前拥有包│ │ │括平面MOSFET、功率IC等700余款产品。公司平面MOSFET产品覆盖40V-1500V│ │ │电压段,已形成低压、中压、高压全系列功率MOSFET产品系列,拥有近500 │ │ │款不同规格的产品;公司在第三代半导体功率器件方面,已推出650V-1700V│ │ │SiCMOSFET产品系列;功率IC方面,公司基于晶圆代工厂0.5um600VSOIBCD和│ │ │0.18um40VBCD等工艺自主搭建了设计平台;公司与晶圆代工厂深度合作,可│ │ │根据晶圆代工厂的标准工艺调整工艺参数和流程,进一步优化产品性能。公│ │ │司已形成百余款功率IC产品,并完成了多款功率IC所需的IP设计与验证。未│ │ │来,公司还将进一步实现对各种细分品类功率器件芯片的覆盖,并进一步促│ │ │进功率IC和第三代半导体功率器件的产品系列化。公司将努力成为一站式、│ │ │全品类覆盖的高性能功率半导体产品供应商,助力功率半导体国产化替代,│ │ │推动我国在高可靠领域基础元器件自主可控进程的发展。 │ │ │(3)广泛的客户覆盖 │ │ │公司凭借丰富的产品矩阵、高性能的产品和及时迅速的服务能力,已与超过│ │ │400家客户进行合作,实现了广泛的客户覆盖。近年来基于公司前期较早地 │ │ │布局了高可靠和工业控制应用领域,并且随着公司在上述领域不断加大开拓│ │ │力度,公司功率IC和功率器件产品来自高可靠和工业控制(含汽车前装和后│ │ │装、新能源)应用领域的销售起量明显,上述领域的客户数量明显增多。在│ │ │高可靠领域,公司客户群已覆盖国内高可靠领域电源龙头企业及国家重点科│ │ │研院所,并获得众多高可靠领域客户的高度认可;在工业控制领域,公司持│ │ │续深挖工业储能、光伏逆变、新能源汽车及充电桩、工业电源等细分应用领│ │ │域的产品需求,超高压平面MOSFET、高压超结MOSFET、SiCMOSFET等细分产 │ │ │品的产品研发及市场开拓取得良好成效。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │经营指标 │2023年度,公司实现营业总收入21374.33万元,较上年同期下降9.19%;实 │ │ │现归属于母公司所有者的净利润为1779.50万元,较上年同期下降70.89%; │ │ │实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润为813.79万元,较上│ │ │年同期下降83.59%。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │竞争对手 │英飞凌、安森美、东芝、意法半导体、瑞萨、力特、华润微、士兰微、新洁│ │ │能、华微电子、东微半导。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │品牌/专利/经│专利:截至2023年12月31日,公司已获授权专利88项(其中发明专利47项、 │ │营权 │实用新型专利41项),集成电路布图设计专有权76项。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │投资逻辑 │(1)功率器件 │ │ │公司功率器件产品以MOSFET为主,长期以来,全球功率器件市场主要由国际│ │ │厂商占据,以英飞凌、安森美、意法半导体、东芝、瑞萨为代表的国外品牌│ │ │凭借先进制造优势、人才集聚优势、大规模研发投入和技术积累,目前占据│ │ │全球MOSFET市场的主要份额。根据Omdia数据,以销售额计,2020年MOSFET │ │ │市场前七大品牌的市场占有率合计达到68.09%,市场竞争格局相对稳定。中│ │ │国功率器件产业起步较晚,随着功率器件行业国产替代进程加速,国产功率│ │ │器件市场份额得到逐步提升。公司已同时具备Si基及SiC基功率器件的设计 │ │ │、研发能力,积累了多项具有原创性和先进性的核心技术,其中3项达到国 │ │ │际先进水平,1项达到国内领先水平。SiC基功率器件方面,公司是国内为数│ │ │不多的具备650V-1700VSiCMOSFET设计能力的企业之一,产品已覆盖业内主 │ │ │流电压段。 │ │ │(2)功率IC │ │ │功率IC方面,公司产品主要包括PWM控制IC和栅极驱动IC。PWM控制IC方面,│ │ │根据QYResearch相关数据,国际巨头如TI(德州仪器)、ADI(亚德诺半导 │ │ │体)、英飞凌、安森美、意法半导体等欧美公司在PWM控制IC领域总体处于 │ │ │领先地位,2021年度PWM控制IC中国市场收入前10大公司均为国外公司。栅 │ │ │极驱动IC方面,根据芯谋研究相关数据,栅极驱动IC市场集中度相对较高,│ │ │2021年度栅极驱动IC中国市场收入前10大公司市场占有率合计达到74.4%, │ │ │其中欧日美公司总体处于领先地位。公司坚持在高可靠领域芯片国产化替代│ │ │的战略方向,洞察市场需求导向,进行自主研发和创新,将科技成果与产业│ │ │深度融合。公司凭借自身研发的高性能产品,已与多家高可靠领域客户建立│ │ │合作关系;该特定应用领域对产品的性能有严格要求,公司产品得以进入该│ │ │领域,表明了公司部分产品指标已达到国外竞品同等水平,并在其细分产品│ │ │领域逐步实现国产化替代,公司在高可靠领域已取得一定的市场地位。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │消费群体 │消费电子、工业控制、高可靠领域 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │消费市场 │华东、华南、西北、其他、其他业务收入 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │股权收购 │拟1250万元认购众享科技51%股权:锴威特2024年12月17日公告,公司拟使 │ │ │用自有资金1250万元认购无锡众享科技有限公司新增的520.41万元注册资本│ │ │,占增资后注册资本总额的51%股权。交易完成后,众享科技将成为公司的 │ │ │控股子公司。众享科技主要产品为电源管理芯片,包括PD快充芯片、AC-DC │ │ │、DC-DC、POE芯片及PSE芯片,其产品主要应用于智能安防、智能消防、消 │ │ │费类电子等。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │行业竞争格局│近年来,国际政治经济形势存在一定不确定性,国际贸易摩擦频发、外国对│ │ │我国半导体产业采取诸多限制措施。在此背景下,国家出台了众多产业政策│ │ │,积极推动我国半导体产业链的自主可控,半导体芯片国产化替代进程加速│ │ │,为国内功率半导体厂商提供了良好的发展机遇。我国功率半导体行业较西│ │ │方国家起步较晚,受到企业规模及技术水平的制约,在高端功率半导体产品│ │ │领域尚未形成整体的规模效应。 │ │ │目前,功率半导体行业中美、日、欧龙头公司如英飞凌、意法半导体、安森│ │ │美等凭借着先进制造优势、人才集聚优势、大规模研发投入和技术积累,处│ │ │于行业领先地位;国内主流功率半导体厂商包括华润微、华微电子、士兰微│ │ │、安世半导体、新洁能、东微半导等,这些企业在芯片设计或制造工艺方面│ │ │亦拥有较为深厚的技术积累,在国内市场已形成一定品牌效应和规模效应,│ │ │市场份额稳步提升。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │行业发展趋势│近年来,国家颁布了《国家信息化发展战略纲要》《中华人民共和国国民经│ │ │济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》等政策,为功率半│ │ │导体产业链自主可控提供了政策支持,功率半导体行业的国产化替代进程将│ │ │进一步加速。 │ │ │功率器件的发展包含多个技术路径,包含线宽、器件结构、工艺进步、材料│ │ │等多个方面,经过不断的发展,功率器件追求不断提高功率密度,实现功耗│ │ │与成本的最优解,同时实现多种功能的集成。另外,功率器件的材料迭代(│ │ │如第三代半导体材料)和集成化趋势也日益加强。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │行业政策法规│《国家信息化发展战略纲要》、《中华人民共和国国民经济和社会发展第十│ │ │四个五年规划和2035年远景目标纲要》 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │公司发展战略│公司专注于功率器件与功率IC的设计、研发与销售,并提供相关技术服务。│ │ │公司坚持“自主创芯,助力核心芯片国产化”的发展定位,助力高性能功率│ │ │器件、功率IC的国产化替代以及自主可控,将公司打造成高品质功率器件及│ │ │智能功率IC的优秀供应商。针对未来发展,公司制定的战略规划如下: │ │ │1、功率器件方面 │ │ │公司将优化细分产品领域,扩大在高可靠领域和工业控制领域的销售规模,│ │ │并提升总体收入规模和市场占有率;在SiC产品方面,加大产品系列布局和 │ │ │实现规模化销售。公司力争成为具有自主品牌影响力、规模稳定增长、技术│ │ │专精、产品结构合理的高品质功率器件半导体供应商。 │ │ │2、功率IC方面 │ │ │公司将拓展PWM控制IC和栅极驱动IC产品的客户范围和细分应用领域;深挖 │ │ │高可靠领域和工业级客户的市场潜力,以实现更多功率IC产品的国产化替代│ │ │和自主可控,并不断扩大经营规模,实现作为专注于高可靠领域和工艺控制│ │ │领域的智能功率IC优秀供应商的发展战略。 │ │ │3、技术服务方面 │ │ │公司将在为客户提供更多的技术服务的同时,持续增强公司定义自主产品的│ │ │能力,助力公司实现功率半导体产品和技术服务协同发展的战略,从而成为│ │ │更多客户的首选供应商。 │ │ │4、其他产品方面 │ │ │公司将扩大IPM、光继电器(PhotoMOS)等产品的收入规模,形成新的利润 │ │ │来源。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │公司日常经营│(一)持续注重研发创新,强化核心竞争力 │ │ │报告期内,研发费用为3602.11万元,同比增长58.55%。公司为维持技术优 │ │ │势和保持产品竞争力,持续推进技术和产品研发,2023年度,新立项研发项│ │ │目37个,在研项目合计达89个。同时新设南京分公司作为研发中心,依托周│ │ │边高校资源,配合总部研发中心承担研发项目。通过业务培训、技术研讨、│ │ │高校合作等方式不断完善人才培养体系,加强人才梯队建设,积极引进高技│ │ │术研发人才和研发团队,公司研发人员人数从年初的40人增至年末的65人。│ │ │在注重基础研究的同时,深度拓展前沿技术的应用,推动产品的技术高效升│ │ │级,力求实现产品和技术的自主可控,为下一步产品多样化设计、降本增效│ │ │、提升产品盈利能力打下基础。以第三代功率半导体SiCMOSFET为例,公司 │ │ │加大SiCMOSFET加工的产能布局及工艺平台的开发,报告期内与国内晶圆代 │ │ │工厂合作开发了1200V、1700VSiCMOSFET的生产工艺平台,其中1200VSiCMOS│ │ │FET工艺平台已成功进入中试阶段。 │ │ │(二)加强品牌建设,完善销售布局 │ │ │报告期内,公司销售费用1048.29万元,同比增长35.49%。在公司构建的功 │ │ │率器件和功率IC双轮驱动的业务模式下,以技术建口碑,凭借已有的技术和│ │ │标杆客户案例,稳步务实推进国产替代供应商的品牌建设步伐,公司销售部│ │ │门持续加强销售管理、服务管理、合同管理,推进深入工艺和技术知识学习│ │ │,提高综合素质。 │ │ │面对复杂严峻的行业环境变化,加大对高可靠、新能源、储能、智能电网等│ │ │重点应用领域的市场布局和产品推广,积极向潜在客户进行送样验证,开拓│ │ │新客户资源,深度挖掘现有客户的需求,提升客户覆盖度和服务质量。为更│ │ │好服务客户、及时响应客户需求和把握市场动态,完善销售服务网络,实现│ │ │客服属地化,在北京、成都、长沙、苏州等城市新设销售网点,并招聘专职│ │ │销售人员驻点,针对重点领域推进相关产品的市场开发及客户维护工作,力│ │ │求增强老客户粘性及提高新客户转化率。2023年度公司销售人员人数从年初│ │ │的19人增至年末的31人。 │ │ │(三)建立有效产品品质管控 │ │ │目前公司已与国内知名晶圆制造厂商及封测厂商形成了长期合作关系,建立│ │ │了较为稳定的晶圆制造、封装和测试的供应渠道,具有完善的外协供应商管│ │ │理体系,对主要晶圆制造厂商及封测厂商均进行有效管理,以保证供应产品│ │ │的质量符合要求以及卓有成效地完成客户的产品交付。 │ │ │公司对于产品品质与可靠性保持一贯的重视与专注。报告期内,公司根据产│ │ │品研发销售的需要与品质策略,依照行业专用标准要求及募投项目建设需要│ │ │,陆续组织投入资金,选型采购设备、研究产业及产品相关标准与实验方法│ │ │,已建设成具备一定规模与能力的高可靠性检测实验室,有利于稳定并提升│ │ │公司产品的品质与可靠性,满足客户及市场对高可靠性产品的需求。 │ │ │(四)完善公司治理,实现高质量发展 │ │ │报告期内,在公司全体股东的支持下,以及公司董事会、经营管理团队和全│ │ │体员工的齐心协力下,公司已于2023年8月18日正式登陆上海证券交易所科 │ │ │创板,公司发展迈入全新阶段。公司登陆资本市场后,公司资本结构进一步│ │ │优化,抗风险能力得到增强。募集资金投资项目实施有助于进一步巩固及提│ │ │升公司在功率半导体的市场地位及品牌影响力,增强公司的综合竞争力。 │ │ │报告期内,公司严格按照中国证监会、上海证券交易所的其他相关法律法规│ │ │、部门规章的要求,不断完善并优化公司治理结构,建立健全公司内部管理│ │ │及控制制度,规范公司行为。公司股东大会、董事会(包括专门委员会)、│ │ │监事会及经营层,积极履行各自职责,严格履行信息披露义务,重视投资者│ │ │关系管理工作,确保公司规范治理得到持续加强,切实维护公司及全体股东│ │ │利益,助力公司实现高质量健康发展。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │公司经营计划│1、各业务板块采取的具体措施 │ │ │(1)功率器件方面 │ │ │公司将不断提升硅基MOSFET产品的技术和性能,开拓战略大客户;优化平面│ │ │MOSFET、FRMOS等6英寸生产线的产品结构和应用领域,加强在超高压电压段│ │ │的产品布局、技术积累和客户开发;进一步投入研发和完善沟槽型MOSFET、│ │ │超结MOSFET的产品系列,寻求对应的8英寸、12英寸产线代工资源和客户资 │ │ │源,同时针对新能源汽车用的高压大电流的超结MOSFET的芯片封装技术展开│ │ │布局研究,提高该类产品的成品率及可靠性;加大SiC产品的研发投入并且 │ │ │积极进行客户开拓,针对新能源汽车电源使用的1200VSiCMOSFET进行系列化│ │ │开发;对围绕工业控制、智能电网、储能等领域使用的1700V-2500VSiCMOSF│ │ │ET进行系列化开发。 │ │ │(2)功率IC方面 │ │ │公司将始终坚持技术创新,持续扩充功率IC的研发团队和加强人才培养;实│ │ │时关注国外先进厂商的技术发展动态,不断对照差距,进行前沿技术的研发│ │ │与探索;公司将结合积累的研发经验和技术优势,持续加大对PWM控制IC和 │ │ │栅极驱动IC等进行设计和工艺技术的研发,进一步丰富IP积累,开发更多的│ │ │系列化产品;在高可靠领域和工业控制领域持续开拓更多的客户,满足客户│ │ │对高端功率IC的需求。 │ │ │(3)技术服务方面 │ │ │为了进一步提升技术服务能力及服务质量,持续增强公司定义自主产品的能│ │ │力,公司已采取以下措施:利用募投项目打造的功率半导体器件测试及可靠│ │ │性考核平台,进一步提升服务质量及服务时效性;进一步对研发领域分工,│ │ │专注细分领域的精细开发;建立市场调研队伍,深入市场了解客户未来需求│ │ │,以争取到更多的项目机会。 │ │ │(4)其他产品方面 │ │ │通过加强对人员和资金的投入,加大对IPM、光继电器(PhotoMOS)等产品 │ │ │进行研发投入和市场开拓,丰富公司的产品品类和技术积累,满足更多客户│ │ │的不同需求。 │ │ │2、加强研发技术积累、高端人才队伍培养和研发工程中心升级建设 │ │ │公司持续对战略性产品进行研发投入,加强对核心技术的积累;在注重基础│ │ │研究的同时,深度拓展前沿技术的应用,推动产品的技术高效升级与产业化│ │ │进程;通过与高校合作,打造良性循环的高端人才梯队,并将通过持续优化│ │ │激励制度,增强团队的凝聚力和创造力,提升公司的自主创新能力。 │ │ │公司不断优化研发环境,通过募投项目在张家港升级功率半导体研发工程中│ │ │心,进一步完善张家港、无锡和西安一体两翼的研发协同机制,设立南京分│ │ │公司作为新的研发基地,依托周边高校资源,配合总部研发中心承担研发项│ │ │目。在对研发工程中心进行升级的过程中,增加研发的软硬件投入,建立并│ │ │完善器件试验室、可靠性实验室和失效分析实验室等,增强对产品可靠性的│ │ │检测能力,进一步提升公司研发和成果转化的能力水平。 │ │ │3、加强市场开发能力与销售体系建设 │ │ │随着公司产品研发的不断深入、产品线不断丰富以及对新应用领域的逐步涉│ │ │足,公司市场开发能力、销售能力、服务客户能力亟待加强。未来,公司将│ │ │进一步强化市场部对产品的定位及推广职能,加强销售部的培训体系和研发│ │ │部的支持响应体系建设,拓宽服务客户的内容,提升客户的满意度和依赖度│ │ │,从而提升公司品牌的市场影响力和知名度,扩大公司产品的市场占有率。│ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │公司资金需求│公司董事会在公司层面持续监控公司短期和长期的资金需求,以确保维持充│ │ │裕的现金储备;同时持续监控是否符合借款协议的规定,从主要金融机构获│ │ │得提供足够备用资金的承诺,以满足短期和长期的资金需求。 │ ├──────┼─────────────────────────────────┤ │可能面对风险│(一)业绩大幅下滑或亏损的风险 │ │ │若未来功率半导体行业景气度持续下滑导致市场需求出现重大不利变化,下│ │ │游客户抗周期波动能力不足或出现经营风险,将会对公司营收规模及毛利率│ │ │产生不利影响。公司经营业绩受功率半导体行业景气度影响较大,存在周期│ │ │性波动的风险。 │ │ │(二)核心竞争力风险 │ │ │1、新产品研发及产业化不及预期的风险 │ │ │如果新产品研发及产业化进度未达预期或无法在市场竞争中占据优势,公司│ │ │将面临新产品研发及产业化失败的风险,前期的研发投入也将无法收回,给│ │ │公司未来业务拓展带来不利影响。 │ │ │2、技术泄密的风

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