热点题材☆ ◇688693 锴威特 更新日期：2024-11-20◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.所属板块】【2.主题投资】【3.事件驱动】【4.信息面面观】
【1.所属板块】
概念:芯片、三代半导
风格:融资融券、高贝塔值、两年新股、破发行价、拟减持、QFII新进、专精特新
指数:无
【2.主题投资】
──────┬──────┬────────────────────────────
2023-08-18│芯片 │关联度：☆☆☆☆☆
──────┴──────┴────────────────────────────
公司的功率器件以平面MOSFET为主，平面MOSFET产品包括集成快恢复高压功率MOSFET（FRMO
S）系列产品。
──────┬──────┬────────────────────────────
2023-08-18│第三代半导体│关联度：☆☆☆☆
──────┴──────┴────────────────────────────
公司在第三代半导体器件方面，利用掌握的“短沟道碳化硅MOSFET器件系列产品沟道控制及
其制造技术”实现了SiC MOSFET稳定的性能和优良的良率控制。
──────┬──────┬────────────────────────────
2024-10-30│摩根中国A股 │关联度：☆
│基金持股 │
──────┴──────┴────────────────────────────
截止2024-09-30,MORGAN STANLEY & CO. INTERNATIONAL PLC.持有22.04万股(占总股本比例
为：0.30%)
──────┬──────┬────────────────────────────
2024-10-30│境外知名投行│关联度：☆
│持股 │
──────┴──────┴────────────────────────────
截止2024-09-30,法国巴黎银行-自有资金持有35.27万股(占总股本比例为：0.48%)
──────┬──────┬────────────────────────────
2023-08-18│碳化硅 │关联度：☆☆☆☆
──────┴──────┴────────────────────────────
公司在第三代半导体器件方面，利用掌握的“短沟道碳化硅MOSFET器件系列产品沟道控制及
其制造技术”实现了SiC MOSFET稳定的性能和优良的良率控制。
──────┬──────┬────────────────────────────
---│不可减持(新 │关联度：☆☆☆☆
│规) │
──────┴──────┴────────────────────────────
公司近20个交易日内跌破发行价，依照减持新规，控股股东和实际控制人不可减持。
──────┬──────┬────────────────────────────
2024-11-19│破发行价 │关联度：☆☆☆
──────┴──────┴────────────────────────────
截止2024-11-19,公司收盘价相对于发行价跌幅为：-7.21%
──────┬──────┬────────────────────────────
2024-11-19│高贝塔值 │关联度：☆☆☆
──────┴──────┴────────────────────────────
截止2024-11-19,最新贝塔值为:2.3790
──────┬──────┬────────────────────────────
2024-11-11│拟减持 │关联度：☆☆☆☆
──────┴──────┴────────────────────────────
公司于2024-11-11公告减持计划,拟减持52.63万股,占总股本0.71%
──────┬──────┬────────────────────────────
2024-10-30│QFII新进 │关联度：☆☆☆☆☆
──────┴──────┴────────────────────────────
2024-09-30QFII(2家)新进十大流通股东并持有57.30万股(0.78%)
──────┬──────┬────────────────────────────
2024-08-18│两年新股 │关联度：☆☆☆
──────┴──────┴────────────────────────────
公司于2023-08-18上市，发行价：40.83元
──────┬──────┬────────────────────────────
2023-08-02│专精特新 │关联度：☆☆☆
──────┴──────┴────────────────────────────
公司已入选工信部国家级专精特新小巨人企业名单。
【3.事件驱动】 暂无数据
【4.信息面面观】
┌──────┬─────────────────────────────────┐
│栏目名称 │ 栏目内容 │
├──────┼─────────────────────────────────┤
│公司简介 │公司主营业务为功率半导体的设计、研发和销售，并提供相关技术服务。公│
│ │司坚持"自主创芯，助力核心芯片国产化"的发展定位，主要产品包含功率器│
│ │件及功率IC两大类。 │
├──────┼─────────────────────────────────┤
│产品业务 │公司主营业务为功率半导体的设计、研发和销售，并提供相关技术服务。公│
│ │司坚持“自主创芯，助力核心芯片国产化”的发展定位，主要产品包含功率│
│ │器件及功率IC两大类。 │
├──────┼─────────────────────────────────┤
│经营模式 │1、研发模式 │
│ │发行人研发流程主要包括论证阶段、设计阶段、工程试制阶段和定型阶段。│
│ │2、采购模式 │
│ │报告期内，公司采购内容主要包括晶圆和封装测试服务。公司自主设计研发│
│ │相关产品，再委托晶圆代工厂商生产并向其采购。晶圆采购根据公司是否提│
│ │供原材料外延片分为直接委外和带料委外两种采购形式。 │
│ │3、销售模式 │
│ │公司采取直销为主、经销为辅的销售模式。 │
├──────┼─────────────────────────────────┤
│行业地位 │FRMOS市占率位国内企业排名前五 │
├──────┼─────────────────────────────────┤
│核心竞争力 │（1）公司的研发和技术优势 │
│ │公司是国家高新技术企业、国家级专精特新“小巨人”企业、国家鼓励的重│
│ │点集成电路设计企业，江苏省“科技小巨人企业”“江苏省潜在独角兽企业│
│ │”、江苏省半导体行业协会理事单位，公司研发中心获“江苏省高可靠性功│
│ │率器件工程技术研究中心”认证。截至2023年7月13日，公司已积累了10项 │
│ │核心技术，取得71项授权专利（其中发明专利28项，另有2项发明专利已获 │
│ │授予专利通知书，待取得专利证书）和53项集成电路布图设计专有权。 │
│ │（2）丰富的产品矩阵 │
│ │公司坚持“自主创芯，助力核心芯片国产化”的发展战略，公司目前拥有包│
│ │括平面MOSFET、功率IC等700余款产品。公司平面MOSFET产品覆盖40V-1500V│
│ │电压段，已形成低压、中压、高压全系列功率MOSFET产品系列，拥有近500 │
│ │款不同规格的产品；公司在第三代半导体功率器件方面，已推出650V-1700V│
│ │SiCMOSFET产品系列；功率IC方面，公司基于晶圆代工厂0.5um600VSOIBCD和│
│ │0.18um40VBCD等工艺自主搭建了设计平台；公司与晶圆代工厂深度合作，可│
│ │根据晶圆代工厂的标准工艺调整工艺参数和流程，进一步优化产品性能。公│
│ │司已形成80余款功率IC产品，并完成了多款功率IC所需的IP设计与验证。 │
│ │（3）广泛的客户覆盖 │
│ │公司凭借丰富的产品矩阵、高性能的产品和及时迅速的服务能力，已与超过│
│ │300家客户进行合作，实现了广泛的客户覆盖。公司客户包括以晶丰明源、 │
│ │必易微、芯朋微、灿瑞科技为代表的芯片设计公司，并且产品已被小米、美│
│ │的、雷士照明、佛山照明等知名终端客户所采用。近年来公司持续加大了对│
│ │工业控制和高可靠领域的客户的开拓力度。2021年，公司工业控制和高可靠│
│ │领域的客户数量分别为81个和18个（以当年形成收入的口径统计）；2022年│
│ │，上述领域的客户数量分别增加至121个和75个，客户拓展取得了良好的成 │
│ │效。 │
├──────┼─────────────────────────────────┤
│经营指标 │2020-2022年度，公司营业收入分别为13698.04万元、20972.89万元和23538│
│ │.19万元，2020年至2022年营业收入年均复合增长率为31.09%。报告期内公 │
│ │司营收规模持续增长，具备较强成长性，公司功率IC收入占比逐年提高。 │
├──────┼─────────────────────────────────┤
│竞争对手 │英飞凌、安森美、东芝、意法半导体、瑞萨、力特、华润微、士兰微、新洁│
│ │能、华微电子、东微半导。 │
├──────┼─────────────────────────────────┤
│品牌/专利/经│截至2023年7月13日，公司已积累了10项核心技术，取得71项授权专利（其 │
│营权 │中发明专利28项，另有2项发明专利已获授予专利通知书，待取得专利证书 │
│ │）和53项集成电路布图设计专有权。 │
├──────┼─────────────────────────────────┤
│投资逻辑 │发行人凭借高性能的产品积累了如晶丰明源、必易微、芯朋微、灿瑞科技等│
│ │众多业内知名的芯片设计公司客户，产品已被小米、美的、雷士照明、佛山│
│ │照明等知名终端客户所采用。在细分领域，公司的产品性能参数处于业内先│
│ │进水平，具有较强的市场竞争力。 │
├──────┼─────────────────────────────────┤
│消费群体 │业内知名的芯片设计公司及高可靠领域客户。 │
├──────┼─────────────────────────────────┤
│消费市场 │华东、华南、西北、其他、其他业务收入 │
├──────┼─────────────────────────────────┤
│行业竞争格局│我国功率半导体行业较西方国家起步较晚，受到企业规模及技术水平的制约│
│ │，在高端功率半导体产品领域尚未形成整体的规模效应。 │
│ │目前，功率半导体行业中美、日、欧龙头公司如英飞凌、意法半导体、安森│
│ │美等凭借着先进制造优势、人才集聚优势、大规模研发投入和技术积累，处│
│ │于行业领先地位；国内主流功率半导体厂商包括华润微、华微电子、士兰微│
│ │、安世半导体、新洁能、东微半导等，这些企业在芯片设计或制造工艺方面│
│ │亦拥有较为深厚的技术积累，在国内市场已形成一定品牌效应和规模效应，│
│ │市场份额稳步提升。 │
│ │功率器件方面，发行人在行业内的主要竞争对手既包括国际一流功率半导体│
│ │厂商，如英飞凌、安森美、东芝、意法半导体、瑞萨、力特等；也包括国内│
│ │的知名功率半导体公司，如华润微、士兰微、新洁能、华微电子、东微半导│
│ │等。 │
├──────┼─────────────────────────────────┤
│行业发展趋势│（1）海外龙头仍居第一梯队，国内厂商市场发展空间大 │
│ │目前高端功率半导体产品仍然主要由美、日、欧龙头厂商主导，国内厂商与│
│ │国外龙头公司仍存在较大差距。根据StrategyAnalytics数据，2020年全球 │
│ │功率半导体市场份额前五大公司占据近70%市场份额，其中英飞凌处于绝对 │
│ │领先地位，独占30%市场份额，市场份额前五大公司均为国外企业，国内厂 │
│ │商市场份额仅占10%左右，发展空间大。 │
│ │（2）第三代半导体材料带来新的发展机遇 │
│ │以SiC为代表的第三代半导体材料给功率半导体行业带来了新的发展契机，S│
│ │iC材料相对于硅基材料主要拥有如下优势：耐高压、耐高温、工作频率高。│
│ │国家设立了“2030年前碳排放达峰，2060年前碳中和”的双碳战略目标，未│
│ │来制造业企业将进一步提升能源利用效率、减少碳排放，SiC凭借低功耗、 │
│ │耐高压、耐高温、高频等优势特性，在助力国家实现碳中和战略目标方面具│
│ │有重要作用，其应用前景广阔。 │
│ │（3）功率半导体的国产替代趋势逐渐加强 │
│ │现阶段中国功率半导体的进口量和进口占比仍然较大，尤其是用于工业控制│
│ │领域的高性能产品及用于高可靠领域的产品，国产化替代空间较大。根据CC│
│ │ID的数据，中国功率器件市场中，接近90%的产品均依赖进口。根据半导体 │
│ │行业观察、国金证券研究所数据，中国模拟芯片仍高度依赖进口，2020年国│
│ │产化率仅为12%左右。近年来，国产化替代需求随着中美贸易摩擦而更加迫 │
│ │切。近年来，国家颁布了《国家信息化发展战略纲要》《中华人民共和国国│
│ │民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》等政策，为功│
│ │率半导体产业链自主可控提供了政策支持，功率半导体行业的国产化替代进│
│ │程将进一步加速。 │
│ │（4）功率器件技术发展趋势 │
│ │功率器件的发展包含多个技术路径，包含线宽、器件结构、工艺进步、材料│
│ │等多个方面，经过不断的发展，功率器件追求不断提高功率密度，实现功耗│
│ │与成本的最优解，同时实现多种功能的集成。另外，功率器件的材料迭代（│
│ │如第三代半导体材料）和集成化趋势也日益加强。 │
├──────┼─────────────────────────────────┤
│行业政策法规│《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标│
│ │纲要》、《基础电子元器件产业发展行动计划（2021-2023年）》（工信部 │
│ │电子〔2021〕5号）、《长三角G60科创走廊建设方案》、《关于加快培育发│
│ │展制造业优质企业的指导意见》、《江苏省“十四五”科技创新规划》、《│
│ │关于扩大战略性新兴产业投资培育壮大新增长点增长极的指导意见》发改高│
│ │技〔2020〕1409号、《国务院关于印发新时期促进集成电路产业和软件产业│
│ │高质量发展若干政策的通知》、《关于印发制造业设计能力提升专项行动计│
│ │划（2019-2022年）的通知》、《关于集成电路设计和软件产业企业所得税 │
│ │政策的公告》、《产业结构调整指导目录（2019年本）》、《<关于加快支 │
│ │持工业半导体芯片技术研发及产业化自主发展的提案>答复函》、《战略新 │
│ │兴产业分类（2018）》、《战略性新兴产业重点产品和服务指导目录（2016│
│ │版）》、《国家信息化发展战略纲要》。 │
├──────┼─────────────────────────────────┤
│公司发展战略│公司专注于功率器件与功率IC的设计、研发与销售，并提供相关技术服务。│
│ │公司坚持“自主创芯，助力核心芯片国产化”的发展定位，助力高性能功率│
│ │器件、功率IC的国产化替代以及自主可控。将公司打造成高品质功率器件及│
│ │智能功率IC的优秀供应商。 │
├──────┼─────────────────────────────────┤
│公司经营计划│1、各业务板块采取的具体措施 │
│ │（1）功率器件方面 │
│ │公司将不断提升硅基MOSFET产品的技术和性能，开拓战略大客户；优化平面│
│ │MOSFET、FRMOS等6英寸生产线的产品结构和应用领域，加强在超高压电压段│
│ │的产品布局、技术积累和客户开发；进一步投入研发和完善沟槽型MOSFET、│
│ │超结MOSFET的产品系列，寻求对应的8英寸、12英寸产线代工资源和客户资 │
│ │源，同时针对新能源汽车用的高压大电流的超结MOSFET的芯片封装技术展开│
│ │布局研究，提高该类产品的成品率及可靠性；加大SiC产品的研发投入并且 │
│ │积极进行客户开拓，针对新能源汽车电源使用的1200VSiCMOSFET进行系列化│
│ │开发；对围绕工业控制、智能电网、储能等领域使用的1700V-2500VSiCMOSF│
│ │ET进行系列化开发。 │
│ │（2）功率IC方面 │
│ │公司将始终坚持技术创新，持续扩充功率IC的研发团队和加强人才培养；实│
│ │时关注国外先进厂商的技术发展动态，不断对照差距，进行前沿技术的研发│
│ │与探索；公司将结合积累的研发经验和技术优势，持续加大对PWM控制IC和 │
│ │栅极驱动IC等进行设计和工艺技术的研发，进一步丰富IP积累，开发更多的│
│ │系列化产品；在高可靠领域和工业控制领域持续开拓更多的客户，满足客户│
│ │对高端功率IC的需求。 │
│ │（3）技术服务方面 │
│ │为了进一步提升技术服务能力及服务质量，持续增强公司定义自主产品的能│
│ │力，公司拟采取以下措施：利用募投项目打造的功率半导体器件测试及可靠│
│ │性考核平台，进一步提升服务质量及服务时效性；进一步对研发领域分工，│
│ │专注细分领域的精细开发；建立市场调研队伍，深入市场了解客户未来需求│
│ │，以争取到更多的项目机会。 │
│ │（4）其他产品方面 │
│ │通过加强对人员和资金的投入，加大对IPM、光继电器（PhotoMOS）等产品 │
│ │进行研发投入和市场开拓，丰富公司的产品品类和技术积累，满足更多客户│
│ │的不同需求。 │
│ │2、加强研发技术积累、高端人才队伍培养和研发工程中心升级建设 │
│ │公司持续对战略性产品进行研发投入，加强对核心技术的积累；在注重基础│
│ │研究的同时，深度拓展前沿技术的应用，推动产品的技术高效升级与产业化│
│ │进程；通过与高校合作，打通在职读博人才培养的产学研渠道，打造良性循│
│ │环的高端人才梯队，并将通过持续优化激励制度，增强团队的凝聚力和创造│
│ │力，提升公司的自主创新能力。 │
│ │公司将优化研发环境，拟通过本次募投项目在张家港升级功率半导体研发工│
│ │程中心，建立和完善张家港、无锡和西安一体两翼的研发协同机制。在对研│
│ │发工程中心进行升级的过程中，增加研发的软硬件投入，建立并完善器件试│
│ │验室、可靠性实验室和失效分析实验室等，增强对产品可靠性的检测能力，│
│ │进一步提升公司研发和成果转化的能力水平。 │
│ │3、加强市场开发能力与销售体系建设 │
│ │随着公司产品研发的不断深入、产品线不断丰富以及对新应用领域的逐步涉│
│ │足，公司市场开发能力、销售能力、服务客户能力亟待加强。未来，公司将│
│ │进一步强化市场部对产品的定位及推广职能，加强销售部的培训体系和研发│
│ │部的支持响应体系建设，拓宽服务客户的内容，提升客户的满意度和依赖度│
│ │，从而提升公司品牌的市场影响力和知名度，扩大公司产品的市场占有率。│
├──────┼─────────────────────────────────┤
│公司资金需求│智能功率半导体研发升级项目、SiC功率器件研发升级项目、功率半导体研 │
│ │发工程中心升级项目、补充营运资金。 │
├──────┼─────────────────────────────────┤
│可能面对风险│一、与发行人相关的风险： │
│ │（一）技术风险；（二）经营风险；（三）管理及内控风险；（四）财务风│
│ │险；（五）法律风险 │
│ │二、与行业相关的风险： │
│ │（一）技术迭代的风险；（二）市场竞争风险；（三）国际贸易摩擦的风险│
│ │；（四）产业政策变化的风险三、其他风险： │
│ │（一）本次发行失败的风险；（二）与募集资金运用相关的风险 │
└──────┴─────────────────────────────────┘
〖免责条款〗
1、本公司力求但不保证提供的任何信息的真实性、准确性、完整性及原创性等，投资者使
用前请自行予以核实，如有错漏请以中国证监会指定上市公司信息披露媒体为准，本公司
不对因上述信息全部或部分内容而引致的盈亏承担任何责任。
2、本公司无法保证该项服务能满足用户的要求，也不担保服务不会受中断，对服务的及时
性、安全性以及出错发生都不作担保。
3、本公司提供的任何信息仅供投资者参考，不作为投资决策的依据，本公司不对投资者依
据上述信息进行投资决策所产生的收益和损失承担任何责任。投资有风险，应谨慎至上。
|
