热点题材☆ ◇688766 普冉股份 更新日期：2026-07-29◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.所属板块】【2.主题投资】【3.事件驱动】【4.信息面面观】
【1.所属板块】
概念:汽车电子、芯片、小米概念、MCU芯片、存储芯片
风格:融资融券、高市净率、绩优股、业绩预升、回购计划、高贝塔值、百元股、近期弱势、重
组预案、非周期股、昨日弱势
指数:小盘成长、新硬件、国证成长、科创芯片、新兴成指、科创成长、科创100、上证580
【2.主题投资】
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2025-08-30│汽车电子 │关联度：☆☆☆
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公司持续拓展车身领域应用，目前已成功导入车身域控、电机控制、电池 BMS、车载中控、
娱乐性系统等汽车电子的应用场景，后续将继续有效拓展对应领域及客户份额
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2023-05-19│存储芯片 │关联度：☆☆☆☆
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公司的主营业务是非易失性存储器芯片及基于存储芯片的衍生芯片的设计与销售，目前主要
产品包括：NORFlash和EEPROM两大类非易失性存储器芯片、微控制器芯片以及模拟产品。其中非
易失性存储器芯片属于通用型芯片，可广泛应用于手机、计算机、网络通信、家电、工业控制、
汽车电子、可穿戴设备和物联网等领域。
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2022-10-18│MCU芯片 │关联度：☆☆☆
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公司通用型MCU芯片第一颗M0+成品已经量产，并在进行市场推广中。
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2022-10-10│芯片 │关联度：☆☆☆☆☆
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公司采用SONOS工艺生产512KB-129MB中小容量NORFlash，SONOS工艺较传统NOR厂商如旺宏、
华邦电、兆易等采用的ETOX工艺具有低功耗、低成本优势。
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2022-08-17│小米概念 │关联度：☆☆☆
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公司核心产品广泛应用于各类TWS蓝牙耳机、工业控制、可穿戴设备、手机摄像头模组、AMO
LED、家电、TDDI等领域，公司在国内市场覆盖了OPPO、vivo、华为、小米、联想、美的等众多
知名企业，同时不断拓展海外市场，覆盖三星、松下、惠普、希捷等知名终端客户，并与Dialog
Semiconductor（DLG）等主控原厂建立了稳定的合作关系。
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2026-04-29│财报高增长 │关联度：☆☆☆
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截止2026-03-31公司归属母公司净利润同比增长1259.87%
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2023-03-04│华为概念 │关联度：☆☆☆
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公司产品应用于三星、OPPO、vivo、华为、小米、联想、惠普等品牌厂商
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2022-10-17│集成电路 │关联度：☆☆☆☆☆
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公司采用SONOS工艺生产512KB-129MB中小容量NORFlash，SONOS工艺较传统NOR厂商如旺宏、
华邦电、兆易等采用的ETOX工艺具有低功耗、低成本优势。
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2026-07-28│昨日弱势 │关联度：☆☆☆☆☆
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2026-07-28跌幅为：-16.62%
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2026-07-28│高贝塔值 │关联度：☆☆☆☆☆
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截止2026-07-28,最新贝塔值为:5.31
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2026-07-28│百元股 │关联度：☆☆☆☆☆
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截止2026-07-28收盘价为：309.99元，近5个交易日最高价为：499.22元
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2026-07-28│高市净率 │关联度：☆☆☆☆☆
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截止2026-07-28,公司市净率(MRQ)为：17.11
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2026-07-28│近期弱势 │关联度：☆☆☆☆☆
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截止2026-07-28,20日跌幅为：-59.56%
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2026-07-28│非周期股 │关联度：☆☆☆
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公司属于集成电路设计（通达信研究行业）
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2026-07-27│回购计划 │关联度：☆☆☆
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公司拟回购不超过5000万元(5.4952万股),回购期:2026-07-26至2026-10-25
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2026-07-24│业绩预升 │关联度：☆☆☆☆☆
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预计公司2026年01-06月归属于母公司所有者的净利润为82500万元，与上年同期相比变动幅
度为1925.36%。
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2026-07-04│并购重组预案│关联度：☆☆☆☆☆
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公司协议转让,发行股份购买,发行可转债购买珠海诺亚长天存储技术有限公司49%股权
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2026-05-15│绩优股 │关联度：☆☆☆
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截止2026-03-31公司扣非净利润为:2.49亿元，净资产收益率为：9.32%
【3.事件驱动】
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2026-05-06│存储Q1业绩高增，AI驱动长期成长叙事取代短期涨价博弈
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截至5月5日，存储行业Q1财报季已验证全产业链业绩超预期兑现，从上游原厂到下游模组厂
均展现出AI驱动下的巨大盈利弹性。最新的边际变化在于，市场开始普遍确认并交易多份超长期
供给协议（LTA）的落地，这标志着本轮周期的核心逻辑已从短期的周期性涨价博弈，转向由AI
驱动、具备高确定性的长期成长叙事。
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2025-11-10│暴涨50%，闪存龙头大幅调涨11月合约价格
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闪存龙头闪迪（SanDisk）11月大幅调涨NAND闪存合约价格，涨幅高达50%。其涨价消息引发
整个存储供应链震动，导致创见（Transcend）、宜鼎国际（Innodisk）与宇瞻科技（Apacer Te
chnology）等模组厂决定暂停出货并重新评估报价。其中，创见自11月7日起暂停报价交货，理
由为“预期市场行情将继续向好”，言外之意即是“价格还可能进一步上涨”。
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2025-10-24│美股存储芯片概念全线大涨，四季度存储涨价趋势仍将持续
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隔夜美股存储概念股再度走强，闪迪涨超13%，股价创历史新高；希捷科技涨近5%，西部数
据、美光科技涨超4%。据《韩国经济日报》报道，三星电子、SK海力士等主要内存供应商，将在
今年第四季度继续向客户调整报价。幅度上，包括DRAM和NAND在内存储产品价格将上调高达30%
，从而顺应AI驱动的存储芯片需求激增趋势。
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2025-01-10│AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，存储芯片产业链有望回升
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据媒体报道，随着人工智能提振对先进存储芯片的需求，美光科技将在未来几年投资70亿美
元，扩大在新加坡的制造业务。这家美国公司在新加坡的新工厂周三破土动工，表示该工厂将于
2026年开始运营。工厂将用于封装高带宽存储芯片，该类芯片广泛应用于人工智能数据中心，工
厂将创造约1,400个就业岗位。美光在公告中表示，“美光未来在新加坡的扩张计划也将支持NAN
D的长期制造需求。”目前AI技术正与终端产品快速融合，推动了以消费电子代表的诸多终端硬
件产品的创新。为提升端侧AI竞争力，对于芯片侧的要求会聚焦在算力、内存、功耗、工艺、面
积、散热等方面，其中存储芯片是极为关键的一环。甬兴证券表示，受益于供应端推动涨价、库
存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。
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2023-10-16│存储芯片利好密集催化，美国同意三星、海力士供货中国
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工信部等六部门联合印发《算力基础设施高质量发展行动计划》，推动先进存储创新发展，
实现存储闪存化升级。此外，美国已决定三星电子和SK海力士可以向其中国工厂供应芯片设备。
存储芯片迎来新一轮利好消息密集催化。
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2023-10-10│NAND产品涨超10%，存储巨头再度调涨芯片报价
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据韩媒报道，日前多位消息人士透露，三星内部认为目前NANDFlash供应价格过低，公司计
划今年四季度起，调涨NANDFlash产品的合约价格，涨幅在10%以上；预计最快本月新合约便将采
用新价格。今年以来，三星一直奉行减产战略，1月、4月已连续宣布调整晶圆投入。最初的减产
举措主要集中在DRAM领域，之后下半年三星开始着手大幅削减NANDFlash业务产量，眼下正试图
推动NAND价格正常化。如今DRAM已出现价格反弹，而NAND产品仍存突破空间。三星目标是扩大减
产规模，降低供应量，再提高产品价格来寻求反转，其期望明年第二季实现NAND盈亏平衡点。
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2023-09-20│NAND资源供应趋紧，9月备货需求旺盛
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随着原厂减产生效，上游资源端放缓出货节奏，加上本月备货需求旺盛，存储现货市场供需
状况加速好转，供应端普遍惜售低价库存，推动成品端价格跟随成本稳步上扬。而临近Q4，市场
预期持续升温，三季度末部分NANDwafer供应也按下暂停键，现货市场NAND资源供应愈加趋紧。
据CFM闪存市场数据显示，本周最新1Tb/512GbNANDFlashwafer价格分别上调至3.45/1.72美元，D
DR416Gb3200/16GbeTT价格分别上调至2.43/2.17美元。
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2023-09-18│机构预计2024年全球存储领域设备支出将增长65%
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据SEMI最新报告显示，存储领域设备支出预计将在2023年下降46%后，在2024年强劲回升，
增长65%至270亿美元。具体而言，DRAM投资预计将同比下降19%，至2023年为110亿美元，但2024
年将恢复至150亿美元，预计将增长40%；NAND支出2023年将减少67%，至60亿美元，但到2024年
将飙升113%，达到121亿美元。
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2023-09-14│存储芯片报价止跌回升，产业已迈入复苏阶段
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存储报价近期开始出现止跌信号，NANDFlash报价于第三季开始回升，且三星第四季扩大减
产，支撑涨势延续；DRAM报价上涨时间虽然递延，但第四季守稳，有望于2024年上半年开始回升
。整体而言，存储产业已迈入复苏循环，但由于终端需求力道不强，报价上涨较为温和，预期上
游存储芯片制造及封装获利改善速度较慢。
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2023-08-10│存储芯片四季度起供给将低于需求，价格将可望延续上涨趋势
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存储芯片三大厂减产效应陆续显现，据台媒消息，DRAM与NANDFlash供过于求的情况从第3季
将明显改善，最快从第4季起供过于求比例将由正转负。随着DDR5超频效能逐渐提升，AI运算带
动新品规格升级及云端应用采用率提高，DDR5现货价率先调整后，合约价于第3季也酝酿走扬，
由于存储模组厂及OEM厂的库存较低，7月DDR516GB模组价格逆势调涨3%~4%，预料上游DRAM供给
增量有限，第3季DDR5价格将可望延续上涨趋势。
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2023-07-17│三星开始量产其功耗最低车载存储器
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三星半导体官宣，已开始量产为车载信息娱乐系统（IVI）优化的全新车载UFS3.1存储器解
决方案，该解决方案号称拥有三星车载存储器最低的功耗。三星的UFS3.1（通用闪存）将推出12
8、256和512千兆字节（GB）三种容量。市场人士表示，存储行业当前处于周期较为底部的位置
，供给收窄有利于减缓价格下降。根据CFM和Trendforce，部分DRAM与NAND产品将于2023年三季
度实现价格上涨。预计存储行业有望在下半年迎来复苏。
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2023-07-06│三星DRAM月产量降至两年来新低，行业频现库存改善信号
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据韩媒报道，测算数据显示，7月三星将DRAM月产量削减至62万片晶圆，同比减少12%以上，
创下了公司自2021年第三季度以来DRAM产量的新低。有半导体业内人士表示，三星的DRAM工厂中
，除了采用最先进工艺制程的平泽园区之外，基本所有产线的DRAM产量都在下降。距离三星4月
宣布减产已过去了三个月，如今减产效果真正显现。但这并不是全部，报道称三星内部计划将减
产持续至明年，在半导体市场重回供需平衡之前，公司将避免扩产存储芯片。与此同时，三星也
开始积极与主要客户重新谈判DRAM价格——外界认为，这也意味着三星正在逐渐摆脱库存过剩的
负担。
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2023-06-30│存储芯片三巨头集体酝酿涨价，减产效应预计下半年显现
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DRAM原厂均已进入长时间亏损衰退，目前价格跌无可跌已成共识，巨头涨价潮似乎已在酝酿
之中。业内人士透露，面对行业传统旺季，三大原厂（三星、SK海力士、美光）都计划调涨DRAM
的下一季度合约价，目标涨幅7%-8%。近期部分手机和服务器厂商订单释出已开始有所起色，由
于调涨产品涨幅也在接受范围内，加上原厂减产效应预计下半年将开始显现，因此核心客户基本
已默认接受存储市况已降无可降的现实。
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2023-06-14│存储芯片反转信号涌现，机构看好下半年迎整体价格拐点
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近期，存储芯片行业反转迹象不断涌现：库存减少、订单见长、企业酝酿涨价并开启投资。
三星5月已确认批准存储芯片投资，日前还计划提高NAND晶圆价格。SK海力士部分客户库存补货
订单已开始兑现，分析师预计Q2其DRAM、NAND出货量有望分别环比增长32%、17%。机构分析师表
示，随着2023年下半年行业改善预期回升，部分客户增加了库存补货订单，内存制造商持有的库
存开始减少。随着内存制造商库存下降，行业状况预计将从2023年第三季度开始真正改善，届时
DRAM和NAND的ASP有望转升。
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2023-05-31│机构预计2025年中国分布式存储市场规模将超200亿元，将为存储芯片带来增量
│市场
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日前，赛迪顾问发布《中国分布式存储市场研究报告（2023年）》。报告显示，中国分布式
存储市场规模快速发展，尽管相比集中式存储仍有一定差距，但2020年至2022年市场规模增速比
集中式存储高了近20个百分点。2023年至2025年，数字中国建设进入重要时期，分布式存储的高
扩展性、高效作业等优势将越发显著，预计到2025年中国分布式存储市场规模有望达到211.4亿
元，规模将比2022年翻一番。
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2023-05-23│美光公司在华未通过网络安全审查，存储芯片国产替代迎来良机
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据网信办官网，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审
查。审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造
成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审
查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光
公司产品。
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2023-04-06│汽车存储+AI应用将为存储芯片带来增长动力
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ChatGPT类生成式AI应用需要在海量的训练数据中进行学习，ChatGPT经历3次迭代，参数量
从1.17亿增加到1750亿，计算存储是其重要基石。随着AI新时代开启，预计全球数据生成、储存
、处理量将呈等比级数增长，存储器将显著受益。全球存储巨头美光科技近期表示行业库存正在
减少，存储芯片市场已见底，季度营收增长转折点到来，下一季度财报业绩就可迎来环比增长。
此外，高等级自动驾驶汽车对车载存储容量、密度和带宽需求正在大幅提升，机构认为汽车存储
或将成长为存储行业终端需求的一大支柱，为主流存储芯片和利基型存储芯片带来增长动力。
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2023-01-30│全球存储芯片市场规模未来近2万亿
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存储芯片是国内集成电路市场份额占比最大的产品类别。根据WSTS、中商产业研究数据，预
计2022年存储芯片的销售额为1555亿美元（约10550亿人民币），同比增长1.1%。根据Yole数据
，2021-2027年全球存储芯片行业市场规模的复合年增长率为8%，并有望在2027年增长到2600亿
美元（约17640亿人民币）以上。
【4.信息面面观】
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│栏目名称 │ 栏目内容 │
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│公司简介 │公司成立于2016年，总部位于上海张江高科，在成都设有分公司，深圳、韩│
│ │国设有销售和现场应用服务与支持中心，同时在苏州设有研发中心；在日本│
│ │、英国、德国等多地拥有代表处。2021年8月，公司在上海证券交易所科创 │
│ │板上市，股票代码688766。 │
│ │公司目前主要产品包括NORFlash和EEPROM两大非易失性存储器芯片、MCU微 │
│ │控制器芯片及模拟产品。产品广泛应用于物联网、智能手机及周边、可穿戴│
│ │、服务器、光模块、工业控制、汽车电子、安防等领域。 │
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│产品业务 │公司的主营业务是非易失性存储器芯片及基于存储芯片的衍生芯片的设计与│
│ │销售，目前主要产品包括：NORFlash和EEPROM两大类非易失性存储器芯片、│
│ │微控制器芯片以及模拟产品。其中非易失性存储器芯片属于通用型芯片。 │
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│经营模式 │公司的主要经营模式为Fabless模式，该模式下公司仅需专注于从事产业链 │
│ │中的集成电路的设计和销售环节，其余环节委托给晶圆制造企业、晶圆测试│
│ │企业和芯片封装测试企业代工完成。 │
│ │1、研发模式 │
│ │在Fabless模式下，产品设计研发环节是公司运营活动的核心。公司紧密跟 │
│ │踪与了解市场需求，通过可行性分析和立项，将市场现时或潜在应用需求转│
│ │化为研发设计实践，通过一系列研发工作，将研发设计成果体现为设计版图│
│ │，最终经由晶圆代工厂、晶圆测试厂和封装测试厂的配合完成样品的制造、│
│ │测试和封装，达到量产标准。公司与主营业务相关的核心专利均属公司所有│
│ │。 │
│ │2、采购与运营模式 │
│ │在Fabless模式下，公司专注于集成电路的设计和销售，而晶圆制造、晶圆 │
│ │测试、芯片的封装测试通过委外加工方式完成。其中，公司委托晶圆代工厂│
│ │进行晶圆制造，委托晶圆测试厂进行晶圆测试服务，委托封装测试厂进行封│
│ │装测试服务。 │
│ │3、销售模式 │
│ │公司采用“经销+直销”的销售模式。经销模式下，经销商根据终端客户需 │
│ │求向公司下订单，并将产品销售给终端客户；公司与经销商之间进行买断式│
│ │销售，公司向经销商销售产品后的风险由经销商自行承担。直销模式下，终│
│ │端客户直接向公司下订单，公司根据客户需求安排生产与销售。公司产品的│
│ │定价机制是根据存储器芯片市场价格与客户协商定价。 │
│ │根据产品形态的不同，公司销售产品可以分为未封装晶圆（KnownGoodDie，│
│ │即KGD）和成品芯片，其中未封装晶圆主要销售给采用SIP系统级封装方式生│
│ │产的主控芯片厂商。两种形态的产品在芯片电路、制造工艺等方面不存在差│
│ │异。 │
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│行业地位 │国内领先的NOR Flash和EEPROM的供应商 │
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│核心竞争力 │1、核心技术优势 │
│ │公司自创立以来，专注于存储器芯片的技术研发和产品创新。以技术创新为│
│ │基础，通过持续的创新研发和技术积累，现已形成具备完整的核心技术和产│
│ │品体系。同时，公司推出“存储+”规划和长期战略，积极拓展通用微控制 │
│ │器和存储结合模拟的全新产品线。 │
│ │公司的核心技术均属于自主知识产权，并形成了有规划、有策略的专利布局│
│ │。截至2025年12月31日，公司已获授权的发明专利达71项，集成电路布图设│
│ │计证书70项，已经建立起了完整的自主知识产权体系。 │
│ │2、核心团队优势 │
│ │公司自创立以来，专注于持续的技术研发和产品创新，持续的研发创新帮助│
│ │公司在产品性能上取得重要的技术突破，形成了“存储”及“存储+”两大 │
│ │产品模块。公司创始团队和技术团队曾经在NEC、华虹NEC、中芯国际、Inte│
│ │gratedDeviceTechnology,Inc.（IDT）、旺宏、SiliconStorageTechnology│
│ │,Inc.、SONY、瑞萨等国内外知名公司有多年研发和管理经历，核心技术人 │
│ │员平均工作超过十五年，具备深厚的IDM、Foundry和Fabless行业经验，具 │
│ │备综合竞争优势： │
│ │（1）公司拥有丰富的与晶圆代工厂合作开发先进工艺制程的产业经验，具 │
│ │备推动存储器技术升级和存储单元及相关器件的优化的研发能力； │
│ │（2）公司作为Fabless设计公司，拥有持续成功的产品开发量产经验，形成│
│ │存储器和数模混合芯片领域的设计优势，产品具备领先的低功耗、宽电压等│
│ │优势； │
│ │（3）公司基于IDM的工艺和产品协同开发经验，通过优化产品的设计架构与│
│ │工艺，能够最大程度地实现对产品性能、可靠性和芯片面积的优化； │
│ │（4）公司基于与晶圆厂的长期合作和战略协同，提高了工艺开发和产品迭 │
│ │代的效率，使公司的产品具备业界领先的工艺节点和存储单元性能及尺寸。│
│ │公司核心团队在技术研发、市场销售、工程管理等领域均有着丰富的阅历和│
│ │实战经验。公司自成立以来就十分注重人才的培养和创新，目前已培养了众│
│ │多存储器芯片设计领域的专业技术人才，同时，公司重视针对新研发业务的│
│ │优质行业人才引进，凭借“持续创新,卓越品质,恒久伙伴,信守承诺”的企 │
│ │业文化、覆盖全员的激励机制及已构建的品牌优势，不断吸收优秀的人才，│
│ │为公司的产品升级和业务拓展奠定良好的研发团队基础。 │
│ │3、客户资源拓展迅速 │
│ │在存储产品领域，目前公司核心产品广泛应用于各类TWS蓝牙耳机、工业控 │
│ │制、汽车电子、可穿戴设备、手机摄像头模组、AMOLED、家电、TDDI等领域│
│ │，公司在国内市场覆盖了OPPO、vivo、荣耀、小米、联想、美的等众多知名│
│ │企业，同时不断拓展海外市场，覆盖三星、松下、惠普、希捷等知名终端客│
│ │户，并与DialogSemiconductor（DLG）等主控原厂建立了稳定的合作关系。│
│ │4、产品体系优势 │
│ │公司已推出的产品体系覆盖了NORFlash、EEPROM两大类存储器芯片及MCU和V│
│ │CMDriver芯片，均具备优异的产品性能和较强的市场竞争力。首先，公司的│
│ │存储器芯片产品容量覆盖2Kbit-1Gbit、支持宽电压操作，可满足不同场景 │
│ │下的数据存储需求和完整解决方案，例如手机摄像模组中的2D和3D应用场景│
│ │，而公司MCU芯片产品具备自主嵌入式存储器IP的通用高性能，可进一步降 │
│ │低工作功耗，同时支持1.7V-5.5V宽电源电压，集中度更高。 │
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│经营指标 │2025年，公司实现营业收入23.20亿元，较2024年同比增加28.62%；营业利 │
│ │润1.88亿元，同比减少1.18亿元，利润总额2.11亿元，同比减少0.94亿元；│
│ │归属于母公司所有者的净利润2.08亿元，同比减少0.85亿元。扣除政府补助│
│ │等非经常性损益的影响，实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净│
│ │利润1.65亿元，同比减少1.04亿元。 │
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│竞争对手 │兆易创新、华邦电子股份有限公司、旺宏电子、武汉新芯、意法半导体（ST│
│ │Microelectronics）、微芯科技（Microchip Technology）、安森美半导体│
│ │（ON Semiconductor）、艾普凌科（ABLIC, Inc.）、聚辰股份。 │
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│品牌/专利/经│专利：截至2025年12月31日，公司已获授权的发明专利达71项，集成电路布│
│营权 │图设计证书70项，已经建立起了完整的自主知识产权体系。报告期内，公司│
│ │取得15项发明专利，5项实用新型专利授权，新提交27项发明专利，1项发明│
│ │（PCT）专利，3项实用新型专利申请，取得2项软件著作权，15项集成电路 │
│ │布图设计登记。 │
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│投资逻辑 │（1）NORFlash行业 │
│ │公司是中国大陆主要的NORFlash存储器芯片供应商之一。据Web-FeetResear│
│ │ch报告显示，在2024年NORFlash市场销售额排名中，公司位列全球第五。20│
│ │25年全年，公司NORFlash产品线出货量突破历史新高，累计出货量超55亿颗│
│ │。 │
│ │（2）EEPROM行业 │
│ │公司深耕于EEPROM行业，具备丰富的产业经验和深厚的技术积累，在芯片设│
│ │计上实现了更高的可靠性以及分区域保护、地址编程等功能。同时，基于对│
│ │芯片的制造工艺的深度了解，研发团队在行业主流的130nm工艺制程基础上 │
│ │对存储单元结构和操作电压进行了改进和优化，实现55nm制程产品量产，降│
│ │低了公司EEPROM芯片面积，提高了产品的成本竞争优势。 │
│ │（3）MCU行业 │
│ │作为国内领先的非易失性存储器芯片供应商，公司借助设计与工艺的协同优│
│ │势，在先进逻辑工艺平台优化嵌入式存储器技术，并构建通用高性能和高可│
│ │靠性的MCU产品平台。公司自主研发的IP使得产品具备芯片尺寸、功耗及读 │
│ │取速度等应用特性优势，以及存储器擦写及数据保持时间等可靠性优势。同│
│ │时，公司作为全球极少数掌握工艺技术的Fabless厂商，先进工艺开发和演 │
│ │进能力结合设计优势，构筑了行业领先的成本控制能力和面向通用产品领域│
│ │的长期竞争力。 │
│ │（4）VCMDriver行业 │
│ │公司作为VCMDriver行业的新入局者，依托于产品本身及可协同客户资源， │
│ │已经实现独立开环及存储二合一产品的大量出货，主要应用于摄像头模组（│
│ │CCM），与公司原本的EEPROM产品下游CCM领域形成出货协同，可以更好的满│
│ │足下游终端客户的需求。同时，公司基于存储、模拟及传感器技术研发VOIS│
│ │和OIS光学防抖产品，均已实现批量出货（VOIS指不带MCU的分体式光学防抖│
│ │，OIS指带MCU的一体式光学防抖）。报告期内，公司已经推出第一代闭环系│
│ │列产品，实现对高端客户较大行程范围的需求。 │
│ │（5）2DNAND行业 │
│ │公司于2025年11月以现金收购方式，实现对SHM的间接控股，而在2DNAND这 │
│ │一重要细分市场中，SHM展现出强劲的竞争力与明确的行业地位。依据Trend│
│ │Force等第三方市场调研数据，在2024年全球SLCNANDFlash市场中，SHM已位│
│ │列全球第四大供应商，仅次于铠侠、美光和华邦，在该细分领域具备一定的│
│ │市场份额和行业影响力。 │
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│消费群体 │手机、计算机、网络通信、家电、工业控制、汽车电子、可穿戴设备和物联│
│ │网等领域 │
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│消费市场 │境内、境外 │
├──────┼─────────────────────────────────┤
│主营业务 │非易失性存储器芯片及基于存储芯片的衍生芯片的设计与销售 │
├──────┼─────────────────────────────────┤
│主要产品 │存储芯片 │
├──────┼─────────────────────────────────┤
│行业竞争格局│(1)公司存储器产品包括NORFlash、EEPROM和2DNANDFlash等。 │
│ │当前，全球存储芯片市场呈“头部主导+本土崛起”格局，三星、SK海力士 │
│ │、铠侠、美光等国际大厂仍占据主导地位，拥有大部分市场份额，但随着国│
│ │产替代浪潮，以及差异化竞争策略，本土厂商逐步在利基型存储市场逐步建│
│ │立竞争优势。摩根士丹利的报告指出，由随着先进制程的存储产品（如DDR5│
│ │或HBM）产能需求强劲，成熟制程的产能分配相对受到掣肘，传统存储市场 │
│ │正迎来由供应短缺驱动引起的上升周期。 │
│ │工艺制程是存储器技术迭代的基础，利基非挥发存储器一般采用相对成熟的│
│ │工艺制程，向大容量、高性能、低功耗、高可靠性发展。随着下游应用领域│
│ │技术的升级，终端产品对存储器的功能和性能要求提高，要求厂商采用更先│
│ │进制程，提高存储密度，降低成本，扩充产品线，保持产品的市场竞争力。│
│ │在目前行业格局会逐步出现“大者恒大，强者恒强”的竞争局面态势下，普│
│ │冉股份作为上市公司，凭借独特的技术路线、积累的品牌力和客户基础，获│
│ │取了更多存储器领域的市场份额。此外，公司于2025年下半年控股SkyHighM│
│ │emory,其核心产品SLCNAND及eMMC产品技术成熟，性能突出，在业内形成了 │
│ │较好的市场口碑。根据TrendForce等市场调研数据，SkyHighMemory为2024 │
│ │年全球第四大SLCNAND厂商，仅次于铠侠、美光和华邦。 │
│ │(2)公司的“存储+”产品包括MCU和VCMDriver等模拟产品。 │
│ │MCU芯片市场呈现多元化竞争格局，全球MCU市场集中度较高，主要由几家大│
│ │型企业主导，包括瑞萨、恩智浦、英飞凌、微芯、意法半导体等。这些公司│
│ │在技术创新、产品质量和市场渠道方面具有显著优势。国内MCU厂商主要集 │
│ │中在中低端市场，在汽车电子和工业控制领域，国内MCU厂商的技术、产品 │
│ │和应用方案与国际大厂相比仍有差距。过去两年时间里，国内外众多厂商在│
│ │MCU领域展开激烈竞争，通过不断提升技术水平和产品性能，在市场上争取 │
│ │占据一席之地。 │
│ │同时国产替代的大背景下，推动产业链自主可控，也为国内的MCU厂商提供 │
│ │了发展机遇。 │
│ │由于MCU性能参数对整个电路系统具有决定性作用，其往往具有更高的使用 │
│ │粘性和国产替代意义。为能够满足更为复杂和多样化的应用需求，MCU芯片 │
│ │也将朝着高性能、低功耗、低成本、小体积、高集成度等方向发展。 │
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│行业发展趋势│作为现代信息技术产业的核心，半导体在通信、消费电子、工业控制、汽车│
│ │电子等领域发挥着不可替代的作用，其重要性日益凸显。近年来，得益于技│
│ │术进步、市场需求增长以及政策扶持等多重因素推动，全球半导体行业呈现│
│ │出快速发展的态势。 │
│ │(1)公司存储器产品包括NORFlash、EEPROM和2DNANDFlash等。 │
│ │工艺制程是存储器技术迭代的基础，利基非挥发存储器一般采用相对成熟的│
│ │工艺制程，向大容量、高性能、低功耗、高可靠性发展。随着下游应用领域│
│ │技术的升级，终端产品对存储器的功能和性能要求提高，要求厂商采用更先│
│ │进制程，提高存储密度，降低成本，扩充产品线，保持产品的市场竞争力。│
│ │在目前行业格局会逐步出现“大者恒大，强者恒强”的竞争局面态势下，普│
│ │冉股份作为上市公司，凭借独特的技术路线、积累的品牌力和客户基础，获│
│ │取了更多存储器领域的市场份额。此外，公司于2025年下半年控股SkyHighM│
│ │emory,其核心产品SLCNAND及eMMC产品技术成熟，性能突出，在业内形成了 │
│ │较好的市场口碑。根据TrendForce等市场调研数据，SkyHighMemory为2024 │
│ │年全球第四大SLCNAND厂商，仅次于铠侠、美光和华邦。 │
│ │(2)公司的“存储+”产品包括MCU和VCMDriver等模拟产品。 │
│ │由于MCU性能参数对整个电路系统具有决定性作用，其往往具有更高的使用 │
│ │粘性和国产替代意义。为能够满足更为复杂和多样化的应用需求，MCU芯片 │
│ │也将朝着高性能、低功耗、低成本、小体积、高集成度等方向发展。 │
│ │未来，公司将不断推出新产品，丰富产品阵列，发挥自身的核心竞争优势和│
│ │客户领域，在提升产品性能的基础上，优化成本，以获取更大的市场份额。│
│ │VCMDriver产品类型可分为开环式、闭环式和光学防抖（OIS）音圈马达等，│
│ │不同类型产品在市场上的需求和应用场景有所不同。目前主要应用于智能手│
│ │机摄像头，近年来，随着智能手机等消费电子需求增速放缓，但较大的市场│
│ │规模仍可支撑我国智能手机产业的发展，目前中国是全球最大的音圈电机（│
│ │VCM）市场，占有超过54%，之后是日本和韩国，二者共占有超过30%的份额 │
│ │。 │
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│行业政策法规│《关爱互助基金管理办法》、《员工购房借款管理办法》、《财政部税务总│
│ │局发展改革委工业和信息化部关于促进集成电路产业和软件产业高质量发展│
│ │企业所得税政策的公告》（财政部税务总局发展改革委工业和信息化部公告│
│ │2020年第45号）、《中华人民共和国企业所得税法》、《关于做好2023年享│
│ │受税收优惠政策的集成电路企业或项目、软件企业清单制定工作有关要求的│
│ │通知》（发改高技〔2023〕287号） │
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│公司发展战略│公司作为国内领先的存储器芯片设计公司，以“普冉之芯，造福世界”的愿│
│ │景，专注于产品创新，深耕非易失存储器领域，不断满足全球客户对高性能│
│ │存储器芯片的需求，在持续稳健的经营过程中，注重技术的深度积累与迭代│
│ │，着眼于构建长期可持续发展的业务模式，旨在为员工、股东、社会创造共│
│ │享价值。 │
│ │公司战略规划包括非易失存储器产品线的完整布局和性能领先；车载存储器│
│ │产品实现全系列覆盖和业务快速增长；“存储+”战略有效推进，实现微控 │
│ │制器和模拟产品线的高速发展。公司推行全球化业务及战略供应链体系的建│
│ │设，保持持续创新和研发团队的长期建设。 │
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│公司日常经营│2025年上半年，公司所处的半导体设计行业景气度复苏节奏相比同期有所放│
│ │缓，基于行业格局头部化、集中化趋势显现的重要时间窗口，公司持续扩张│
│ │市场份额，规模效应逐步显现。2025年下半年，经过连续季度去库存，以及│
│ │海内外大厂等龙头厂商受AI需求爆发导致的产能挤占和传导，行业整体供需│
│ │关系紧张，公司产品线价格企稳修复。在此背景下，公司把握导入窗口和契│
│ │机，加大市场拓展力度，同时根据客户需求及时进行技术和产品创新，持续│
│ │丰富和优化产品品类和结构，公司单季度营业收入及全年营业收入均达到成│
│ │立以来的新高。此外，公司合并珠海诺亚51%股权，并于11月完成交割，为 │
│ │公司2025年营收和利润带来一定程度贡献。 │
│ │在产品线布局方面，随着公司近年持续高投入的研发项目逐步落地，如大容│
│ │量NORFlash、M0+、M4、Driver等逐步放量，公司快速把握新增市场机遇， │
│ │提高新产品市场渗透率，市场地位和竞争优势进一步提高。报告期内，公司│
│ │实现营业总收入23.20亿元，较上年同期增加28.62%，实现归属于母公司所 │
│ │有者的净利润2.08亿元，较上年同期降低29.03%；实现归属于母公司所有者│
│ │的扣除非经常性损益的净利润1.65亿元，较上年同期降低38.67%。 │
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│公司经营计划│展望2026年，全球半导体产业预计将进入“后调整期”的复苏分化阶段。随│
│ │着AI端侧应用爆发、汽车智能化渗透率提升以及工业自动化深度转型，市场│
│ │对高性能、高可靠性、低功耗芯片的需求将呈现结构化增长。同时，地缘政│
│ │治带来的供应链区域化挑战依然存在。 │
│ │一、存储器业务：向高端化与特色化迈进，巩固行业地位 │
│ │存储器业务为公司发展的根基。公司将在实现全系列覆盖的基础上，向高端│
│ │应用和特色工艺纵深发展，巩固细分领域的技术领先地位。 │
│ │1．持续挖掘SONOS结构在低功耗、高可靠性方面的潜力，进一步提升现有产│
│ │品的竞争力，拓宽在可穿戴、物联网等对功耗敏感领域的应用。同时，巩固│
│ │对下一代SONOS工艺节点的技术储备，确保技术迭代的领先性。 │
│ │2．实现基于ETOX浮栅技术的NORFlash产品系列的量产完备化，实现对通讯 │
│ │、计算、工业控制等传统优势市场以及AI边缘计算等新兴市场的全面覆盖，│
│ │全面覆盖5G基站、高端工控、AI端侧、服务器等对性能和可靠性要求较为苛│
│ │刻的领域，满足商用、工控、车载等多维度客户的深度需求。 │
│ │3．持续优化车规产品开发体系和验证体系，提升车规产品的研发效率和良 │
│ │率水平，实现车载存储产品在多款全球车型上的规模化应用，推动汽车业务│
│ │收入占比实现翻倍式增长，并提前规划符合更高功能安全等级的高带宽存储│
│ │产品。 │
│ │4．依托收购整合与技术协同，将2DNANDFlash打造为公司非易失存储器业务│
│ │的第三增长极，与NORFlash、EEPROM形成完整覆盖，实现利基非易失性存储│
│ │的战略布局。 │
│ │二、通过“存储+”业务打造系统级解决方案能力 │
│ │使“存储+”战略得以在更复杂的系统层面落地，实现MCU、模拟产品与存储│
│ │器产品形成规模相当的格局，以及更深层次的协同，共同构建产业生态圈，│
│ │强化公司在产业链中的主导地位。 │
│ │1．通用微控制器（MCU）：深度发挥嵌入式存储基因优势，打造差异化的高│
│ │集成度产品。 │
│ │2．模拟产品线协同发力：确保系列音圈马达驱动产品通过头部模组厂及终 │
│ │端客户的严格认证，实现向主流手机及摄像模组厂商的稳定批量供货，确立│
│ │在细分市场的领先地位。此外，规划其他新品类模拟芯片的研发，与存储器│
│ │和MCU产品形成系统级方案，提升单机价值量。 │
│ │三、全球化业务：市场拓展，打响品牌 │
│ │依托海外并购的契机，继续大力拓展海外业务版图，组建国际化业务团队，│
│ │针对海外大客户制定专属拓展计划。通过参与国际行业展会、设立海外销售│
│ │及技术支持中心等方式，提升普冉在全球的品牌影响力和市场地位，实现从│
│ │本土企业向国际化半导体公司的跨越。 │
│ │四、打造“韧性、敏捷、成本”兼具的供应链体系 │
│ │与战略伙伴深度绑定：与全球领先的晶圆代工厂建立技术攻关项目，针对特│
│ │定工艺进行深度协同优化，确保技术领先与产能保障。 │
│ │多元化布局落地：加快海外供应链的实质性建设，满足国际客户的本地化供│
│ │应需求，提升地缘风险应对能力。 │
│ │数字化供应链管理：引入数字化供应链管理工具，提升需求预测准确率和库│
│ │存周转效率，在保障供应的同时优化成本结构。 │
│ │五、打造富有战斗力的人才梯队 │
│ │研发团队的长期建设是创新型企业最值得的投入方向。通过完善的人才引进│
│ │机制、激励体系和培养计划，打造一支具备国际视野、富有战斗力的技术梯│
│ │队，为公司提供不竭的创新动力。 │
│ │六、塑造企业文化体系，彰显企业价值 │
│ │将“持续创新，卓越品质，恒久伙伴，信守承诺”的核心企业文化，融入日│
│ │常管理和员工行为，形成强大的内部凝聚力，以企业文化为内核，系统性地│
│ │开展品牌宣传工作，向资本市场传递合理的企业价值信息。 │
│ │七、巩固公司治理，完善内部控制 │
│ │在追求业务快速发展的同时，严守合规底线，不断提升治理水平。 │
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│公司资金需求│公司拟以每三年为一个周期，根据公司章程规定的利润分配政策及公司经营│
│ │的实际情况，充分考虑公司目前盈利规模、现金流量状况、发展所处阶段及│
│ │当前资金需求，制定年底或中期分红方案。 │
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│可能面对风险│(一)核心竞争力风险 │
│ │1、产品研发风险 │
│ │如未来下游客户继续对存储器芯片性能提出新的需求，而公司在现有的低功│
│ │耗NORFlash和高可靠性EEPROM的产品体系基础上未能进一步实现产品的性能│
│ │升级，或公司在产品的工艺制程升级上落后于同行业竞争对手导致单位成本│
│ │不具备优势，将对公司的经营业绩增长造成不利影响。 │
│ │与此同时，公司布局微控制器芯片及音圈马达驱动芯片领域，由于芯片设计│
│ │对技术要求高、相关工艺技术复杂，流片成本较高，若公司新产品研发失败│
│ │，存在前期研发投入无法收回的风险，将会对公司的经营带来不利的影响。│
│ │2、基础工艺技术授权到期风险 │
│ │获得第三方公司知识产权许可或引入相关技术授权是集成电路的行业惯例。│
│ │同时，赛普拉斯授权使用的SONOS工艺技术属于集成电路领域广泛使用的基 │
│ │础性技术平台，但如在授权有效期截止前赛普拉斯终止该授权合作或到期后│
│ │赛普拉斯不再与公司就该授权合作进行续期，公司将无法进行SONOS工艺下 │
│ │的NORFlash研发设计及生产，将对公司的正常经营造成不利影响。 │
│ │3、主营业务市场利基，公司竞争实力有待提高的风险 │
│ │虽然公司现阶段的业务规模较小、公司的市场占有率仍有增长空间，但是长│
│ │期来看，如果公司不能及时扩展产品体系或未能较好地应对外部竞争压力、│
│ │全球NORFlash和EEPROM市场规模增长停滞，可能面临因市场规模相对较小或│
│ │外部竞争处于下风而导致经营业绩长期增长承压的风险。 │
│ │4、公司各产品线业务存在市场竞争加剧的风险 │
│ │5、产品质量风险 │
│ │6、人才流失风险 │
│ │7、知识产权风险 │
│ │(二)经营风险 │
│ │1、供应商集中度较高与其产能利用率周期性波动的风险 │
│ │2、公司规模扩张带来的内控和管理风险 │
│ │(三)财务风险 │
│ │1、毛利率波动的风险 │
│ │2、应收账款的风险 │
│ │3、存货跌价风险 │
│ │4、募投项目实施后折旧及摊销费用大幅增加的风险 │
│ │5、所得税优惠政策变化的风险 │
│ │6、汇兑损益风险 │
│ │(四)行业风险 │
│ │公司所在的半导体设计行业属于周期性波动行业。公司产品在消费电子领域│
│ │占比较大，虽然公司产品均为通用产品，且在工业控制及通讯、车载电子等│
│ │领域持续推进，提高公司抗波动能力，但如果出现行业性的增长放缓，可能│
│ │对公司业绩造成不利影响。 │
│ │同时，公司所在的半导体芯片行业受国家政策鼓励影响发展迅速，一方面，│
│ │行业内企业数量增加迅速，一方面行业内企业不断结合自身优势拓展市场。│
│ │国内非易失性存储器芯片及微控制器芯片的市场参与者数量不断增多，市场│
│ │也进一步分化，公司面临的市场竞争逐渐加剧，若未来公司无法正确把握市│
│ │场动态及行业发展态势，无法根据客户需求开发相应产品，无法结合市场需│
│ │求进行相应产品创新、开发，则公司的行业地位、市场规模、经营业绩将受│
│ │到一定影响。 │
│ │(五)宏观环境风险 │
│ │2020年以来全球贸易规模下行压力较大，加之全球主要经济体贸易摩擦持续│
│ │升温，地缘政治风险逐渐增大，甚至极端恶化并发生战争，全球贸易环境恶│
│ │化，全球经济发展存在极大不确定性，加之美国商务部工业与安全局（BIS │
│ │）公布的多项对于中国出口管制规定，对我国集成电路行业造成一定的冲击│
│ │。宏观经济下行的风险或将对公司所处行业造成冲击，短期内造成下游客户│
│ │需求疲软，或有可能影响公司相关业务的开展。 │
│ │(六)其他重大风险 │
│ │1、投资风险 │
│ │2、境外经营风险 │
│ │3、并购整合风险 │
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│股东回报规划│根据《公司法》等有关法律法规及《公司章程》的规定，公司制定未来三年│
│ │（2026-2028年）股东回报规划：公司可以采取现金、股票或现金与股票相 │
│ │结合的方式分配利润；公司具备现金分红的条件时，优先采用现金分红的利│
│ │润分配方式。未分配的资金留存公司用于业务发展。在符合届时法律法规和│
│ │监管规定的前提下，公司符合现金分红具体条件时，公司任意三个连续会计│
│ │年度内以现金方式累计分配的利润不少于该三年实现的年均可分配利润的30│
│ │%。在公司经营情况良好，并且董事会认为发放股票股利有利于公司全体股 │
│ │东整体利益时，可以在确保足额现金股利分配的前提下，提出股票股利分配│
│ │预案。采用股票股利进行利润分配的，应当具有公司成长性、每股净资产的│
│ │摊薄等真实合理因素。 │
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│股权激励 │普冉股份2021年10月11日发布限制性股票激励计划，公司拟授予35万股限制│
│ │性股票，其中首次向112名激励对象授予28万股，授予价格为44.67元/股； │
│ │预留7万股。首次授予的限制性股票自首次授予日起满26个月后分4期解锁，│
│ │解锁比例分别为25%、25%、25%、25%。主要解锁条件为：公司2022年营业收│
│ │入不低于13.5亿元，且2023年营业收入不低于16亿元；公司2024年营业收入│
│ │不低于20亿元；公司2025年营业收入不低于24亿元；公司2026年营业收入不│
│ │低于28亿元。 │
│ │普冉股份2022年12月12日发布限制性股票激励计划，公司拟授予60万股限制│
│ │性股票，其中首次向140名激励对象授予48万股，授予价格为44.67元/股； │
│ │预留12万股。首次授予的限制性股票自首次授予日起满一年后分四期解锁，│
│ │解锁比例分别为15%、35%、25%、25%。主要解锁条件为：2023年-2026年， │
│ │营业收入分别不少于16亿元、20亿元、24亿元、28亿元。 │
│ │普冉股份2024年3月14日发布限制性股票激励计划，公司拟授予45.75万股限│
│ │制性股票，其中首次向76名激励对象授予36.6万股，授予价格为46.32元/股│
│ │；预留9.15万股。首次授予的限制性股票自首次授予日起满一年后分四期解│
│ │锁，解锁比例分别为25%、25%、25%、25%。主要解锁条件为：以2023年营业│
│ │收入为基数，2024年-2027年营业收入增长率分别不低于45%、70%、120%、1│
│ │60%。 │
│ │普冉股份2025年12月15日发布限制性股票激励计划，公司拟授予125.2258万│
│ │股限制性股票，其中首次向116名激励对象授予100.1806万股，授予价格为7│
│ │3.78元/股；预留25.0452万股。首次授予的限制性股票自首次授予日起满一│
│ │年后分4期解锁，解锁比例分别为25%、25%、25%、25%。主要解锁条件为：2│
│ │026年营业收入不低于26.5亿元；2027年营业收入不低于30亿元；2028年营 │
│ │业收入不低于35亿元；2029年营业收入不低于40亿元。 │
└──────┴─────────────────────────────────┘
〖免责条款〗
1、本公司力求但不保证提供的任何信息的真实性、准确性、完整性及原创性等，投资者使
用前请自行予以核实，如有错漏请以中国证监会指定上市公司信息披露媒体为准，本公司
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2、本公司无法保证该项服务能满足用户的要求，也不担保服务不会受中断，对服务的及时
性、安全性以及出错发生都不作担保。
3、本公司提供的任何信息仅供投资者参考，不作为投资决策的依据，本公司不对投资者依
据上述信息进行投资决策所产生的收益和损失承担任何责任。投资有风险，应谨慎至上。
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